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'SK하이닉스'통합검색 결과 입니다. (507건)

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솔리다임, 9월 美 IR 행사 첫 참가…상장준비 속도내나

SK하이닉스의 자회사 솔리다임이 다음달 미국 주요 금융업계 행사에 참석할 예정인 것으로 파악됐다. 솔리다임이 관련 행사에 공식적으로 모습을 드러내는 것은 처음으로, 낸드 업황 회복세에 힘입어 상장을 가속화하기 위한 행보로 풀이된다. 19일 업계에 따르면 솔리다임은 9월 4부터 6일까지 미국 뉴욕에서 개최되는 IR 행사에 참석할 예정이다. 해당 행사는 미국 주요 은행인 씨티그룹이 주최하는 TMT(Technology, Media, & Telecom) 컨퍼런스다. 주요 반도체 및 IT 기업이 투자자들에게 자사의 사업 현황 및 유가증권에 대한 정보를 제공하기 위한 자리로 알려져 있다. 솔리다임은 이번 행사에 참가 기업으로 이름을 올렸다. 구체적인 발표 일정이나 연설자는 아직 미정(TBC;To Be Confirmed) 상태로 돼 있다. 하지만 솔리다임이 IR 관련 행사에 처음으로 모습을 드러낸다는 점에서 업계의 주목을 받고 있다. 증권업계 관계자는 "컨퍼런스 참여가 반드시 기업공개(IPO)로 직결되는 것은 아니나, 상장을 위한 물밑작업으로 해석할 수 있다"고 설명했다. 솔리다임은 SK하이닉스가 지난 2021년 말 미국 인텔의 낸드플래시 사업부를 인수하면서 설립한 미국 법인이다. 솔리다임에 대한 총 인수 금액은 90억 달러로, SK하이닉스는 1단계에서 70억 달러를 지급했다. 남은 20억 달러는 2025년 3월경 지급할 예정이다. SK하이닉스는 솔리다임 인수 시점부터 미국 상장을 검토해온 것으로 알려졌다. 이와 관련해 SK하이닉스는 "솔리다임이 발전하고 성장할 수 있는 다양한 방안을 모색 중이며, 확정된 사안은 없다"고 설명해 왔다. 업계가 예상하는 솔리다임의 상장 시점은 내년 하반기 중이다. 그간 불황에 빠져있던 낸드 시장이 호조세로 전환됐고, 주요 비교군인 키오시아 또한 상장을 추진하고 있는 만큼 상장 준비에 속도를 낼 것으로 관측된다. 실제로 솔리다임은 지난 2022년~2023년 누적 적자가 7조 원에 달했으나, 올 2분기 흑자전환에 성공했다. SK하이닉스 반기보고서에 따르면, 회사의 낸드프로덕트솔루션 사업부 매출은 3조9천763억 원, 순손익은 -709억 원으로 집계됐다. 1분기 순손익이 -1천495억 원이었으므로, 2분기 약 786억 원의 순이익을 올린 것으로 분석된다. 솔리다임의 주력 제품인 QLC(쿼드 레벨 셀)이 AI 서버에서 강세를 보이고 있다는 점도 긍정적이다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, TLC(트리플 레벨 셀) 등 타 낸드에 비해 높은 데이터 저장량 구현에 용이하다. 현재 솔리다임은 60TB(테라바이트) eSSD를 상용화했으며, 내년 128TB, 256TB 제품을 지속적으로 출시할 계획이다.

2024.08.19 11:02장경윤

"땡큐 HBM" SK하이닉스, 2분기 D램 점유율 나홀로 상승

SK하이닉스는 수익성이 높은 HBM(고대역폭메모리) 매출 1위에 힘입어 2분기 D램 시장에서 SK하이닉스만 유일하게 점유율이 전분기 보다 상승했다. 삼성전자는 점유율 1위를 유지했다. 16일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전 세계 2분기 D램 매출은 229억 달러(약 31조원)으로 전분기 보다 24.8% 증가했다. 메모리 업황 회복으로 인해 주요 업체인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 모두 2분기 출하량이 전분기 보다 증가했다. 또 2분기 D램 평균판매가격(ASP)은 전분기 보다 13~18% 증가하면서 1분기에 이어 상승세를 이어갔다. 가격 상승에는 HBM 제품의 높은 수요가 크게 반영된 것으로 파악된다. 1위 삼성전자는 D램 매출 98억2천만 달러(13조4천억원)으로 전분기 보다 22% 증가했다. 삼성전자 D램 ASP는 17~19% 증가하면서 실적 상승을 이끌었다. 다만 시장 점유율은 1분기 43.9%에서 2분기 42.9%로 소폭 감소했다. 2위 SK하이닉스는 2분기 매출 79억1천100만 달러로 전분기 보다 38.7% 늘었고, 점유율은 34.5%로 1분기(31.1%) 보다 3.4%포인트 증가했다. SK하이닉스는 상위 6개 D램 업체중에서 가장 높은 매출 증가를 기록했으며, 시장 점유율이 유일하게 올랐다. 이 같은 실적은 SK하이닉스 HBM3E이 세계 최초로 고객사 엔비디아의 인증을 받고, 대량 출하하면서 비트 출하량이 20% 이상 증가한 덕분이다. 3위 마이크론은 2분기 매출이 전분기 보다 14.1% 증가한 45억달러를 기록했다. ASP가 약간 감소했음에도 불구하고 비트 출하량이 15~16% 증가했다. 2분기 마이크론 점유율은 19.6%로 1분기(21.5%) 보다 감소했다. SK하이닉스는 2분기 영업 이익률에서도 가장 높았다. SK하이닉스의 2분기 영업이익률은 45%로 전분기(33%) 보다 12%(P)포인트 크게 올랐다. 삼성전자의 영업이익률은 1분기의 22%에서 2분기 37%로 증가했고, 마이크론은 6.9%에서 13.1%로 개선됐다. 트렌드포스 2분기에 이어 3분기에도 D램 가격이 상승세를 유지할 것으로 전망했다. 트레드포스는 3분기 D램 계약가격이 전분기 보다 8~13% 인상으로 상향 조정했다. 이는 이전 예측보다 5% 포인트 올린 것이다. D램 제조업체들은 지난달 말 PC 업체, 클라우드 서비스공급자(CSP)와 3분기 계약 가격 협상을 마무리했다. 트렌드포스는 “삼성전자는 HBM3E 제품 검증 후 적시 출하하기 위해 2분기에 HBM3E용 웨이퍼 생산을 시작했다. 이는 올해 하반기 DDR5 생산 일정에 영향을 미칠 가능성이 높다”라며 “SK하이닉스와 삼성은 DDR5보다 HBM 생산을 우선시하고 있어 D램 가격이 향후 분기에 하락할 가능성이 낮다”고 분석했다.

2024.08.16 16:24이나리

SK하이닉스, '하이-NA' EUV 장비 2026년 첫 도입

SK하이닉스가 최선단 메모리를 위한 하이(High)-NA EUV 기술 개발을 가속화한다. 오는 2026년 ASML로부터 첫 하이-NA EUV 설비를 1대 도입할 예정으로, 현재 관련 연구개발 팀 신설 및 인력 확충에도 만전을 기하고 있는 것으로 알려졌다. 16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 2026년 하이-NA EUV 설비를 도입할 예정이다. 지난 12일 열린 '차세대 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에 참석한 SK하이닉스 EUV소재기술 담당 임원은 기자와 만나 "하이-NA EUV 설비는 2026년 도입할 예정"이라며 "현재 회사에 하이-NA EUV 개발 인력이 더 많아지고 있다"고 설명했다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 다만 EUV 노광장비는 기술적 난이도가 매우 높은 기술로, 현재로선 전 세계에서 네덜란드 장비회사인 ASML만이 유일하게 양산 가능하다. 때문에 장비 수급에 여러 제약 사항이 있으며, 장비 가격도 매우 비싸다. 실제로 ASML의 첫 High-NA EUV 장비인 'EXE:5000' 모델은 5천억 원을 호가하는 것으로 알려져 있다. 그럼에도 EXE:5000은 인텔과 TSMC, 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 메모리 기업으로부터 뜨거운 관심을 받고 있다. 해당 설비를 처음 주문한 기업은 인텔로, ASML은 지난해 12월 미국 오리건주에 위치한 인텔 'D1X'에 EXE:5000을 출하한 바 있다. 삼성전자 등도 이르면 내년 High-NA EUV 설비를 도입할 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 2026년 설비를 1대 도입해, High-NA EUV에 대한 연구개발을 적극 진행할 예정이다. 설비를 도입하는 팹이나 추가 투자 향방 등 구체적 계획은 밝혀지지 않았으나, 이르면 0a(한 자릿수 나노급 D램)에 양산 적용될 수 있을 것으로 전망된다. 이와 관련, SK하이닉스는 High-NA EUV 기술개발을 위한 팀을 지난해 말 별도로 구성하기도 했다. 기존에도 회사 내 EUV 및 High-NA EUV를 포괄적으로 개발하는 조직이 존재했으나, 이를 세분화해 전문성을 강화하려는 전략으로 풀이된다. 한 SK하이닉스 소속 엔지니어는 "최근 High-NA EUV 팀이 신설돼 여기에 합류해 연구개발을 진행 중"이라며 "최선단 D램에 관련 기술을 적용하는 방안을 꾸준히 검토하고 있다"고 설명했다. 이와 관련해 SK하이닉스 측은 "당사 조직 운영 관련해서는 구체적으로 확인해줄 수 없다"고 밝혔다.

2024.08.16 10:38장경윤

최태원, SK·SK하이닉스서 상반기 보수 30.2억 받았다

최태원 SK그룹 회장이 올해 상반기 보수로 총 30억2천만원을 수령했다. 최 회장은 SK에서 17억5천만원, SK하이닉스에서 12억5천만원을 받았다. 14일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 최태원 회장은 SK하이닉스에서 지난해 상반기와 마찬가지로 상여를 받지 않고 같은 금액의 급여 12억5천만원을 받았다. SK하이닉스는 “회장 직위와 리더십, 전문성, 회사 기여도 등을 종합적으로 반영해 올해 연봉을 2023년과 동일한 총 25억원으로 결정하고 매월 약 2억800만원을 지급했다”고 설명했다. 최 회장은 SK에서 17억5천만원을 받았다. SK는 최 회장의 기본급을 총 35억원으로 결정하고, 매월 약 29천200만원을 지급했다고 밝혔다. SK하이닉스 수장인 곽노정 대표이사 사장 상반기 총 12억7천800만원을 수령했다. 여기에는 급여 7억원, 상여 5억7천500만원이 포함된다. SK하이닉스는 곽 사장의 상여에 대해 "수익성 중심 경영활동을 통해 장기간 지속된 다운 턴에서 벗어나 1년 만에 흑자 전환에 성공했다"며 "HBM3에 이어 HBM3E를 업계 최초로 개발했고 낸드플래시 기술 한계를 돌파한 세계 최고층 238단 4D 낸드 양산에 돌입해 기술 리더십 강화했다"고 설명했다. 그 밖에 SK하이닉스에서 박정호 SK하이닉스 부회장은 급여 11억5천만원, 상여 12억700만원 등 총 24억3천500만원을 받았다. 박성욱 경영자문위원은 주식매수선택권 행사이익 113억900만원을 포함해 117억8천900만원을 수령했다. SK(주)에서는 조대식 부회장이 21억5천600만원, 장용호 사장이 16억9천600만원, 장동현 부회장이 13억1천300만원을 상반기 보수로 받았다.

2024.08.14 17:40이나리

무디스, SK하이닉스 전망 '안정적' 상향…"수익·현금흐름 개선"

국제 신용평가사 무디스(Moody's)는 SK하이닉스의 기업신용등급을 'Baa2'로 유지하고, 전망을 종전의 '부정적(Negative)'에서 '안정적(Stable)'으로 상향 조정했다고 14일 밝혔다. 무디스는 SK하이닉스가 메모리 가격 상승과 AI 부문의 경쟁력에 힘입어 최근 수익과 현금흐름이 크게 개선됐다며, 향후 12~18개월의 기간 동안 이러한 개선세를 계속 유지할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 AI 메모리 생산능력 확충을 위한 CAPEX(자본적 지출) 증가에도 부채는 감소할 것으로 전망된다. 실제로 회사는 지난 2분기 4조원의 차입금을 줄였다. 또한 무디스는 HBM, 서버용 DDR5 등 D램 기술력에 eSSD 등 낸드 사업 경쟁력까지 더해지며, 2025년 회사의 EBITDA가 39조원까지 증가할 것이라고 내다봤다. 한편 지난 7일 글로벌 신용평가사 S&P도 SK하이닉스의 실적 성장세와 안정적인 현금흐름에 주목해 신용등급을 기존 'BBB-'에서 역대 최고 등급인 'BBB'로 상향한 바 있다.

2024.08.14 17:28장경윤

SK하이닉스, 구글 웨이모 로보택시에 'HBM2E' 공급…"HBM3도 적용 가능"

"자동차 산업에서 자율주행 기술이 활발히 도입되면서, 고성능 메모리 솔루션도 증가하고 있습니다. SK하이닉스도 구글 웨이모의 로보택시에 유일하게 HBM2E 제품을 공급했습니다. HBM3도 이제는 자동차 응용 산업에서 채용이 될 수 있어, 상용화를 위한 준비를 하고 있습니다." 14일 강욱성 SK하이닉스 부사장은 JW메리어트 서울에서는 열린 '제7회 인공지능반도체포럼'에서 최첨단 차량용 메모리 솔루션에 대해 이 같이 밝혔다. 현재 자동차 산업은 자율주행 기술 및 인-비하이클 AI 기술을 적극 도입하고 있다. 이에 따라 차량용 시스템 아키텍처도 변화가 일어나고 있으며, 고성능 반도체의 필요성이 대두되고 있다. 강 부사장은 "과거에는 30개에서 100개 이상의 기능별 ECU(전자제어장치)가 탑재됐으나, 미래에는 1~2개의 중앙 컴퓨터가 다양한 기능을 모두 수행하는 '조널 아키텍처'가 요구된다"며 "소프트웨어 업데이트 만으로도 신규 기능을 추가하거나 조절할 수 있는 SDV(소프트웨어 정의 차량)도 이러한 추세를 부추기고 있다"고 설명했다. 자동차가 처리하는 데이터 처리량 증가는 메모리 수요의 확대를 촉진할 것으로 예상된다. 예를 들어 자율주행 3단계 수준의 ADAS(첨단운전자보조시스템)에서 D램은 최대 128GB(기가바이트), 1TB(테라바이트)의 낸드가 탑재된다. 자율주행 4단계에서는 최대 384GB D램, 4TB 낸드가 채용될 전망이다. SK하이닉스 역시 차량 및 자율주행 기술을 위한 다양한 메모리 솔루션을 개발해 왔다. 저전력 특성의 LPDDR D램, UFS(유니버설 플래시 스토리지) 등이 대표적이다. HBM(고대역폭메모리)도 자율주행 시장에서 채용이 확대될 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 데이터 처리 성능을 일반 D램 대비 크게 끌어 올렸다. 강 부사장은 "구글 웨이모의 로보택시에도 이미 SK하이닉스의 HBM2E(3세대 HBM)가 탑재된 바 있다"며 "현재 AI와 HPC(고성능컴퓨팅)에서 주목받는 HBM3(4세대 HBM)도 차량용 분야에서 채용이 될 수 있어 인증 등 상용화 준비를 하고 있다"고 설명했다. 그는 또 "LPDDR의 경우 현재는 LPDDR4 제품이 주류이나, 향후에는 LPDDR5와 개선 버전의 채용이 확대될 것"이라며 "UFS는 차량용으로 3~4년 전부터 도입됐고, 차량용 고성능 SSD도 최근 상용화가 시작됐다"고 설명했다.

2024.08.14 10:02장경윤

가우스랩스, 'AI 가상 계측 솔루션' SK하이닉스 식각 공정에 공급

가우스랩스가 AI 기반 가상 계측 솔루션 '판옵테스 VM(Panoptes Virtual Metrology)'의 2.0 버전을 출시했다고 13일 밝혔다. 이 솔루션은 SK하이닉스의 식각 공정에 도입될 예정이다. 2020년 8월 12일 미국 실리콘밸리에 설립된 가우스랩스는 산업용 AI 솔루션 및 소프트웨어를 개발하는 스타트업이다. 설립 당시 SK하이닉스로부터 5천500만 달러를 투자받은 바 있다. 가우스랩스의 '판옵테스 VM'은 장비에 설치된 센서에서 수집한 데이터를 활용해 제조 공정 결과를 예측하는 가상 계측 AI 솔루션이다. 이 솔루션을 적용하면 물리적인 전수 계측 없이도 모든 제품의 공정 결과값을 예측할 수 있어 시간과 자원을 획기적으로 줄일 수 있다. 가우스랩스는 "이번에 출시한 판옵테스 VM 2.0은 신규 모델링 기능들을 적용해 기존 버전 대비 예측 정확도와 사용성을 크게 개선했다"며 "산업용 AI 기술 혁신을 통해 산업 현장에서 공정 전반의 혁신을 주도하겠다"고 밝혔다. 앞서 가우스랩스가 2022년 11월 출시한 판옵테스 VM 1.0은 같은해 12월 SK하이닉스의 양산 팹(Fab)에 도입해 박막 증착 공정에 사용됐다. 판옵테스 VM은 가상 계측한 결과값을 APC(Advanced Process Control)와 연동해 공정 산포를 약 29% 개선했고, 수율을 향상시켰다. 산포란, 한 공정에서 생산된 제품들의 품질 변동 크기를 뜻한다. 산포가 줄어들수록 불량 가능성이 줄어들기에 산포가 적정 수준을 넘어서지 않도록 관리해야 한다. SK하이닉스는 성능이 개선된 이번 2.0 솔루션을 식각 공정까지 확대 적용하기로 했다. 이를 위해 가우스랩스는 '멀티 스텝 모델링(Multi-step Modeling)' 기능을 이번 솔루션에 추가했다. 이는 예측하고자 하는 공정과 앞서 진행된 공정의 데이터를 함께 활용해 모델링을 할 수 있는 기능으로 이전 공정의 영향을 많이 받는 식각 공정에 이 기능을 활용하면 가상 계측의 정확도를 높일 수 있다. 가우스랩스 기술진은 유사 공정의 데이터를 통합해 가상 계측에 활용, 데이터 부족으로 발생할 수 있는 문제를 최소화한 '유사 공정 통합 모델링(Operation-group Modeling)' 기능과 데이터 특성에 따른 최적의 예측 알고리즘을 자동으로 선택해주는 '알고리즘 자동 선정' 기능도 추가해 가상 계측 품질과 사용자 편의를 동시에 개선했다. 김영한 가우스랩스 대표는 "2020년 회사 출범 당시 'AI 기술을 통한 제조 공정 혁신'이라는 비전을 세우고 제조 데이터 인텔리전스(Manufacturing Data Intelligence, MDI)를 위한 AI 솔루션 개발에 몰두해 왔다"라며 "지난 4년간의 노력들이 가장 정밀한 제조 산업이라 불리는 반도체 분야에서 의미 있는 결과를 내고 있는 만큼, 여기서 얻은 산업용 AI 기술력을 바탕으로 글로벌 시장을 개척해 나가겠다"고 전했다.

2024.08.13 09:28이나리

SK하이닉스 임원진, 5개 공과대학서 반도체 인재 확보 나서

SK하이닉스는 오는 20일부터 9월 10일까지 반도체 우수 인재 확보를 위해 국내 5개 공과대학을 돌며 '테크 데이(Tech Day) 2024'를 진행한다고 12일 밝혔다. 테크 데이는 SK하이닉스가 국내 반도체 관련 분야 석·박사 과정 대학원생들을 대상으로 매년 진행해온 채용 행사로, 회사의 주요 임원진이 학교를 직접 찾아 미래 인재들에게 회사의 비전과 기술 리더십을 공유하고 최신 기술 동향을 논의한다. SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더로 회사의 위상이 높아지고, 구성원 중심의 기업문화도 젊은 층의 호응을 얻으면서 회사에 대한 국내 우수 인재들의 관심이 뜨겁다”며 “올해는 사장급 주요 경영진까지 나서 학생들과 직접 소통하며 반도체 분야 인재들과 접점을 넓히기로 했다”고 설명했다. 이번 행사에는 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(DRAM개발 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 송창록 부사장(CIS개발 담당) 등 SK하이닉스 경영진이 학교별 메인 강연자로 번갈아 참석해 기조 연설을 진행한다. 회사는 8월 20일 서울대를 시작으로 포항공대, 한국과학기술원(KAIST), 연세대, 고려대에서 차례로 테크 데이 행사를 갖는다. ▲설계 ▲소자 ▲공정 ▲시스템 ▲어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 등 5개 세션(Session)을 학교별 특성에 맞게 구성해 SK하이닉스 최고 기술 임원진과 학생들간 소통의 시간을 가질 계획이다. 재학생들이 자신의 전공과 연구 분야에 적합한 직무를 선택하는데 도움이 되도록, 회사에 재직중인 동문 선배들과의 일대일 멘토링(Mentoring)도 함께 진행한다. 회사는 행사 이후에도 현직 팀장들이 주관하는 소규모 기술 세미나를 수시로 가질 계획이다. 이를 통해 재학생들이 미래 반도체 인재로 성장하는데 필요한 최신 기술 인사이트와 인적 네트워크를 확보하는데 기여할 것으로 기대하고 있다. SK하이닉스는 미래 AI 메모리 시장 주도권을 이어가기 위해 용인 반도체 클러스터와 청주 M15X, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 생산과 R&D 시설 등 핵심 기반 시설을 구축해 나갈 계획인 만큼, 우수한 반도체 인력들이 적기에 투입될 수 있도록 인재 채용을 강화해 나간다는 방침이다. 신상규 SK하이닉스 부사장(기업문화 담당)은 “반도체 산업은 첨단 기술이 집적된 분야인 만큼 우수 인재 확보가 곧 기술경쟁력으로 이어진다”며 “SK하이닉스는 AI 인프라 선도 기업으로서 인재 영입에 적극 임해 글로벌 일류 경쟁력과 기술 리더십을 공고히 할 것”이라고 말했다.

2024.08.12 11:15장경윤

AI로 희비...SK하이닉스 신용등급 상향, 인텔은 하향

최근 반도체 기업 SK하이닉스과 인텔의 신용등급이 각각 상향, 하향으로 상반된 평가를 받으면서 희비를 보였다. 두 기업의 신용등급은 AI(인공지능) 반도체의 성장에 어떻게 대비했느지에 따라 달라진 결과를 보였다. ■ S&P, SK하이닉스 'BBB-'에서 'BBB'로 상향…HBM 기대 반영 메모리 반도체 SK하이닉스는 7일(현지시간) 국제 신용평가사 스탠더드앤푸어스(S&P)로부터 기업신용등급을 종전의 'BBB-'에서 'BBB'로 한 단계 상향 평가를 받았다. 이는 S&P가 SK하이닉스에 부여한 신용등급 중 역대 가장 높은 등급이다. 등급 전망은 '안정적'을 유지했다. 이번 신용등급 상향은 AI 반도체에 필수적인 고대역폭 메모리(HBM) 분야에서 SK하이닉스가 시장 주도권을 확보한 점이 높이 평가된 결과다. S&P는 SK하이닉스에 대해 “메모리 반도체 시장에서 우수한 경쟁 지위를 유지할 것”이라며 “높은 수익성과 성장세를 기록 중인 HBM 시장을 선도하고 있으며 향후에도 우월한 기술력과 제품 경쟁력을 바탕으로 1위 자리를 수성할 것“이라고 예상했다. SK하이닉스는 지난해 HBM 시장에서 53%의 점유율을 기록하며 1위에 올랐고, 대형 고객사인 엔비디아에 HBM3를 독점 공급하는 등 성공적인 성과를 거두고 있다. ■ 무디스, 인텔 'A3'에서 'Baa1'로 하향…수익성 약화 우려 글로벌 신용평가사 무디스는 8일(현지시간) 인텔의 선순위 무담보채권 등급을 기존 A3에서 Baa1로 하향 조정했으며, 등급 전망도 '안정적'에서 '부정적'으로 변경했다. 이번 조치는 인텔의 수익성이 향후 12~18개월 동안 상당히 약화될 것이라는 예상에 따른 것이다. 무디스는 “인텔의 EBITDA 비율이 올해 말 7배에 달할 것으로 보고 있으며, 2025년에는 4배로 회복될 것으로 예상하고 있다”고 밝혔다. 인텔은 3일(현지시간) 2분기 실적에서 시장 예상치를 크게 밑돌면서 주가가 약 26% 이상 하락했다. 이는 1974년 이후 50년 만에 가장 큰 하락 폭이다. 인텔은 2분기 16억1천만달러(약 2조2천200억원)의 적자를 기록했고, 매출은 전년 동기 대비 1% 감소한 28억 달러(약 17조 5천488억원)로 집계됐다. 이에 따라 인텔은 비용 절감을 위해 연말까지 직원 수를 15% 이상(1만5천명)을 줄이고, 4분기부터 배당금 지급을 중단할 계획이다. 업계에서는 인텔의 부진이 AI 반도체 시장에 대비하지 못한 전략적 실패 때문이라고 분석하고 있다. 중앙처리장치(CPU) 시장에서 1위인 인텔은 AI 반도체 분야에서는 엔비디아에 뒤처지면서 주도권을 잃었다. 또한 지난 8일 로이터통신은 인텔이 7년 전 챗GPT 개발사 오픈AI의 지분을 취득할 기회를 포기했다고 보도하면서 인텔의 AI 전략 문제점이 또 다시 수면위로 떠올랐다. 인텔은 2017년 현금 10억 달러에 오픈AI의 지분 15%를 매입하는 방안을 논의했으나, 결국 협상을 중단했다. 로이터는 “오픈AI 지분 포기는 인텔이 AI 시대에서 뒤처지게 된 전략적 실패 중 하나”라고 지적했다.

2024.08.11 10:45이나리

"엔비디아, 내년 HBM3E 물량 중 85% 이상 차지할 듯"

8일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 엔비디아의 내년 HBM3E 소비량은 전체 물량의 85%를 넘어설 전망이다. 엔비디아가 시장을 주도하고 있는 AI 서버용 칩은 고성능 GPU와 HBM 등을 함께 집적한 형태로 만들어진다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 데이터 처리 성능이 일반 D램에 비해 월등히 높다. 엔비디아는 지난 2022년 말 '호퍼' 아키텍처 기반의 H100 칩을 출시했으며, 올해에는 HBM3E 탑재로 성능을 더 강화한 H200 양산을 시작했다. H200에 채택된 HBM3E는 현재 SK하이닉스와 마이크론이 공급하고 있다. 이에 따라 엔비디아의 HBM3E 소비 점유율은 올해 60% 이상으로 예상된다. 나아가 엔비디아는 '블랙웰' 아키텍처 기반의 'B100', 'B200' 등의 제품을 내년부터 출시할 계획이다. 해당 제품에는 HBM3E 8단 및 12단 제품이 탑재된다. 이에 따라 내년 엔비디아의 HBM3E 소비 점유율은 85% 이상을 기록할 전망이다. 트렌드포스는 "블랙웰 울트라, GB200 등 엔비디아의 차세대 제품 로드맵을 고려하면 HBM3E 12단 제품의 비중이 내년 40%를 넘어걸 것으로 추산된다"며 "현재 공급사들이 HBM3E 8단 제품에 집중하고 있으나, 내년에 12단 제품 생산량이 크게 증가할 것"이라고 밝혔다. 트렌드포스는 이어 "현재 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 모두 제품 검증을 거치고 있으며, 특히 삼성전자가 시장 점유율을 늘리는 데 적극적"이라며 "검증 순서가 주문량 할당에 영향을 미칠 수 있다"고 덧붙였다.

2024.08.09 08:40장경윤

SK하이닉스, S&P 신용등급 'BBB'로 상향…"HBM 선도 기업"

국제 신용평가사 스탠더드앤푸어스(S&P)는 SK하이닉스의 기업신용등급을 기존 'BBB-'에서 'BBB'로 한 단계 상향했다고 7일 밝혔다. 전망은 '안정적(Stable)'로 유지됐다. BBB는 S&P가 SK하이닉스에 부여한 신용등급 중 역대 가장 높은 등급이다. S&P는 AI 시대 필수 메모리인 HBM 분야 시장 주도권을 확보한 SK하이닉스의 시장 가치에 주목하며, 향후 전망되는 실적 성장세와 안정적인 현금흐름을 근거로 회사의 신용등급을 'BBB'로 상향했다. 또한 S&P는 SK하이닉스가 신중한 재무정책을 바탕으로 향후 2년간 지속적인 잉여현금흐름을 창출해 차입금 규모를 줄이고 우수한 신용지표를 유지할 것으로 전망했다. S&P는 "SK하이닉스는 HBM 시장을 선도하고 있고, 향후에도 우월한 기술력과 제품 경쟁력을 바탕으로 1위 자리를 수성할 것으로 예상된다"며 "D램과 낸드 시장에서도 견고한 2위를 기록하고 있어 업황 반등 시 실적에 긍정적"이라고 밝혔다. 이에 따라 S&P가 추정한 SK하이닉스의 올해 및 내년 연간 EBITDA 규모는 지난해(5조5천억원; 마진 17%) 대비 크게 개선된 34조~38조 원(마진 56%) 수준이다. 한편 주요 경쟁사의 시장 진입에 대해서는 "삼성전자가 많은 노력에도 불구하고 HBM 최대 고객사인 엔비디아와 공급계약을 체결하는데 있어 아직 유의미한 돌파구를 마련하지 못하고 있는 것으로 알려졌다"며 "삼성전자를 포함한 경쟁사와의 격차가 2026년 중하반기 경에는 좁혀질 것"이라고 평가했다.

2024.08.08 08:15장경윤

삼성·SK하이닉스, 9.4兆 보조금 받고 美 투자 속도 낸다

삼성전자에 이어 SK하이닉스도 미국 정부로부터 반도체 보조금 지원이 확정되면서 양사의 팹 건설에 속도가 붙을 전망이다. 두 회사가 미국 정부로부터 지원받는 직접 보조금은 모두 합쳐 한화로 약 9조4천억원(68억5천만 달러)에 달한다. 삼성전자는 2022년부터 반도체 공장을 건설 중이며, SK하이닉스는 건설 착공을 앞두고 있다. 양사는 건설 인프라 확보에 더욱 집중할 것으로 보인다. 또한 양사의 반도체 생산시설 확대는 국내 소부장(소재, 부품, 장비) 업체들에게 글로벌 진출 기회가 될 것으로 기대된다. ■ SK하이닉스, HBM 등 AI 메모리 패키징 시설 건설…4.5억 달러 보조금 확보 미국 상무부는 지난 6일 SK하이닉스의 인디애나주 반도체 패키징 시설 투자에 4억5천만 달러(약 6천200억원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출 지원을 결정하면서 예비거래각서(PMT, Preliminary Memorandum of Terms)에 서명했다고 발표했다. 또 미국 재무부는 SK하이닉스가 투자하는 금액의 최대 25%까지 세제혜택을 제공할 예정이다. 앞서 지난 4월 SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 및 연구개발(R&D) 시설을 건설한다고 발표했다. 이번 투자로 SK하이닉스는 약 1000개의 일자리를 창출하고, 퍼듀(Purdue) 대학 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력할 계획이다. SK하이닉스는 오는 2028년까지 공장을 완공하고 같은해 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리를 생산한다는 계획이다. SK하이닉스의 인디애나 팹은 고객사인 엔비디아와 협력사인 대만 TSMC와 함께 삼각편대를 이뤄 시너지를 낼 것으로 보인다. SK하이닉스는 AI 반도체 1위인 엔비디아와 HBM3(4세대) 독점 공급 계약에 이어 HBM3E(5세대)도 최초 공급 계약을 맺는 활약으로 HBM 시장에서 독보적인 1위다. TSMC는 파운드리 시장에서 60% 이상 점유율로 1위이며, 고객사로 엔비디아를 확보하고 있다. ■ 삼성전자, 2·4나노 파운드리 팹, 패키징 시설 투자…64억 달러 보조금 확보 삼성전자는 지난 4월 미국 정부로부터 반도체 보조금으로 64억 달러(약 8조8505억원)의 지원금을 받기로 확정됐다. 이는 미국 인텔(85억 달러), 대만 TSMC(66억 달러)에 이어 세번째로 많은 보조금 규모다. 삼성전자는 반도체 보조금을 받게 되면서 텍사스주에 2022년부터 건설 중인 파운드리 1공장 외에도 추가로 2공장을 건설하고, 첨단 패키징 공장과 R&D 센터도 짓기로 결정했다. 이에 따라 삼성전자의 미국 투자액은 기존 170억 달러(약 23조4천억원)에서 400억 달러(약 55조3천억원)로 대폭 늘어났다. 파운드리 공장은 2026년부터 양산을 시작하며, 첨단 패키징 시설 및 R&D 센터 등은 2027년 가동할 계획이다. 미국에는 애플, 엔비디아, AMD, 브로드컴 등 핵심 팹리스 기업이 다수 위치한다. 이점은 삼성전자와 TSMC가 고객사를 확보하기 위해 미국에 신규 파운드리 팹을 건설하기로 결정한 이유다. 무엇보다 미국 정부가 자국 내 반도체 공급망을 확보하기 위해 글로벌 기업에도 보조금을 지원한다는 점도 크게 적용한 것으로 보인다. ■ 건설 인프라 확보 시급…미국 시장 진출 국내 소부장에게 호재 삼성전자와 SK하이닉스는 반도체 보조금을 확보하게 되면서 투자금 부담을 덜었지만, 앞으로 시설투자 관련 인프라 확보와 인력 확충 등 해결해야 할 과제가 남아 있다. 김양팽 산업연구원 전문연구원은 “당장은 반도체 제조 인력 보다는 반도체 공장 건설에 필요한 인력 확보가 관건”이라며 “최근 TSMC가 미국 시설 투자에서 현지 전문 인력 부족 문제로 건설 일정이 늦어진 것처럼 숙련된 건설 인력을 확보하는 것이 중요하다”고 말했다. 이어 그는 “공장이 가동되는 시점에는 제조 인력 확보에도 힘써야 할 것”이라고 덧붙였다. 실제로 지난해 TSMC는 숙련된 건설 인력 부족으로 애리조나 1공장과 2공장의 가동시기를 각각 1~2년씩 늦춘 바 있다. 미국을 비롯한 전세계 반도체 생산시설 확대는 국내 소부장 업체들에게는 기회가 될 것으로 기대된다. 박재근 한양대학교 융합전자공학부 교수는 “삼성전자와 SK하이닉스의 미국 진출은 국내 소부장 업체들에게 희소식”이라며 “두 회사가 미국에 공장을 건설하면 글로벌 장비 외에도 기존에 사용하던 한국 업체의 장비도 사용할 가능성이 있다”고 말했다. 김양팽 전문연구원은 “국내 반도체 소부장 업체 중에는 자신의 기술로 해외 고객사를 뚫을 만한 역량있는 기업이 몇개 되지 않는다”며 “이들이 삼성과 SK를 따라 해외에 진출하면, 경쟁력을 키워 다른 고객사를 확보할 수 있다”고 설명했다. 한편 삼성전자와 SK하이닉스가 미국 정부로부터 받는 반도체 보조금은 미국 반도체산업지원법(칩스법)의 일환이다. 2022년 제정된 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 5년간 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 총 527억달러(75조5천억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지하는 것을 목표로 한다.

2024.08.07 16:59이나리

美 정부, SK하이닉스 인디애나 공장에 6200억 보조금 지급

미국 정부가 SK하이닉스의 미국 인디애나주 반도체 패키징 공장에 4억5천만 달러(약 6천200억 원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출을 지원하기로 했다. 반도체 보조금 확정으로 SK하이닉스의 인디애나 팹 공장 건설에 속도가 붙을 전망이다. 미국 상무부는 6일(현지시간) SK하이닉스의 인디애나주 반도체 패키징 생산기지 투자와 관련해 이 같은 내용을 골자로 예비거래각서(PMT, Preliminary Memorandum of Terms)에 서명했다고 발표했다. 이와 함께, 미국 재무부는 SK하이닉스가 미국에서 투자하는 금액의 최대 25%까지 세제혜택을 제공해 주기로 했다. 앞서 지난 4월 SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 38억7천만 달러(약 5조2천억 원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 및 연구개발(R&D) 시설을 건설한다고 발표했다. 이번 투자로 SK하이닉스는 약 1000개의 일자리를 창출하고, 퍼듀(Purdue) 대학 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력한다는 계획을 밝혔다. SK하이닉스는 2028년까지 공장을 완공하고 같은해 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리를 생산한다는 계획이다. SK하이닉스는 "미국 정부의 지원에 깊은 감사의 뜻을 전하며 앞으로 보조금이 최종 확정될 때까지 남은 절차를 준수하는 데 만전을 기하겠다. 인디애나 생산기지에서 AI 메모리 제품을 차질 없이 양산할 수 있도록 건설 작업을 진행하고, 이를 통해 전세계 반도체 공급망 활성화에 기여하도록 최선을 다하겠다"고 전했다.

2024.08.06 19:00이나리

최태원 SK "HBM 안주 말고 차세대 수익모델 고민하자"

최태원 SK그룹 회장이 5일 SK하이닉스 HBM(고대역폭메모리) 생산 현장을 찾아 AI 반도체 현안을 직접 챙겼다. SK그룹에 따르면 이날 최 회장은 SK하이닉스 본사인 이천캠퍼스를 찾아 SK하이닉스 곽노정 대표 등 주요 경영진과 함께 HBM 생산 라인을 둘러보고, AI 메모리 분야 사업 현황을 점검했다. 이번에 최 회장이 살펴본 HBM 생산 라인은 최첨단 후공정 설비가 구축된 생산 시설이다. SK하이닉스는 이 곳에서 지난 3월부터 업계 최고 성능의 AI용 메모리인 5세대 HBM(HBM3E) 8단 제품을 양산하고 있다. SK하이닉스는 AI 메모리 리더십을 공고히 하기 위해 차세대 HBM 상용화 준비에도 박차를 가하고 있다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품을 올해 3분기 양산해 4분기부터 고객에게 공급할 계획이며, 6세대 HBM(HBM4)은 내년 하반기 양산을 목표로 개발에 매진하고 있다. 최 회장은 HBM 생산 라인을 점검한 뒤 곽노정 대표와 송현종 사장, 김주선 사장 등 SK하이닉스 주요 경영진과 함께 AI 시대 D램, 낸드 기술 리더십과 포스트 HBM을 이끌어 나갈 미래 사업 경쟁력 강화 방안에 대해 장시간 논의를 진행했다. 최 회장은 최근 글로벌 주식 시장 변동성으로 제기되는 AI 거품론에 대해 "AI는 거스를 수 없는 대세이고 위기에서 기회를 포착한 기업만이 살아남아 기술을 선도할 수 있다"며 "어려울 때 일수록 흔들림 없이 기술경쟁력 확보에 매진하고 차세대 제품에 대해 치열하게 고민해야 한다"라고 당부했다. 최 회장은 "최근 해외 빅테크들이 SK하이닉스의 HBM 기술 리더십에 많은 관심을 보이고 있다"라며, "이는 3만 2천명 SK하이닉스 구성원들의 끊임없는 도전과 노력의 성과인 동시에 우리 스스로에 대한 믿음 덕분이라고 생각한다. 묵묵히 그 믿음을 더욱 두텁게 가져가자"며 구성원들을 격려했다. 이어 "내년에 6세대 HBM(HBM4) 조기 상용화해 대한민국의 AI 반도체 리더십을 지켜며 국가 경제에 기여해 나가자"고 강조했다. 최 회장은 지난 1월 4일 SK하이닉스 이천캠퍼스 현장 경영에 나선 이후, 글로벌 빅테크 CEO들과의 연쇄 회동 등을 통해 AI 반도체 리더십 강화 및 글로벌 협력 네트워크 구축을 위해 직접 뛰고 있다. 또 지난 4월 최 회장은 미국 앤비디아 본사에서 젠슨 황 엔비디아 CEO를 만나 글로벌 AI 동맹 구축 방안을, 6월에는 대만을 찾아 웨이저자 TSMC 회장과 양사간 협력 방안을 논의했다. 이어 지난 6월 말부터 약 2주간 미국에 머물며 오픈AI, 마이크로소프트(MS), 아마존, 인텔 등 美 주요 빅테크 CEO와 연이어 회동하며, SK와 AI 및 반도체 파트너십을 공고히 하기 위한 방안을 논의했다. 또한 최 회장은 지난 7월 대한상의 제주포럼에서 국내 주요 AI 분야 리더들과 만나 AI 시대의 미래 전략을 논의하는 등 국가 차원의 AI 리더십 강화를 위해 다양한 노력을 기울이고 있다. 앞서 지난 6월 그룹 경영전략회의에서 최 회장은 그룹 차원의 AI 성장 전략을 주문한 바 있다. SK 관계자는 "최 회장은 SK의 AI 밸류체인 구축을 위해 국내외를 넘나들며 전략 방향 등을 직접 챙기고 있다"라며 "SK는 HBM, 퍼스널 AI 어시스턴트 등 현재 주력하고 있는 AI 분야에 더해 AI 데이터센터 구축 등 AI 토털 솔루션(Total Solution)을 제공하는 기업으로 성장할 수 있도록 역량을 집중할 것"라고 말했다.

2024.08.05 16:00이나리

낸드 적층 기술 경쟁...내년 400단, 2027년 1000단 쌓는다

인공지능(AI) 시장 성장으로 빅테크 기업들의 서버 구축이 다시 활발해지면서 고용량 낸드플래시 수요 또한 높아지고 있다. 메모리 업계에서 고용량 고성능 낸드를 공급하기 위한 적층 경쟁이 다시 불붙으면서 내년 400단, 2027년에는 1000단 낸드 시대가 열릴 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론을 중심으로 낸드 적층 기술 경쟁을 하고 있는 가운데 최근엔 키옥시아까지 가세했다. 낸드는 셀을 수직으로 여러 층을 쌓아서 저장 용량을 늘리는 기술로, 한 공간에 고층 아파트를 지어 더 많은 사람들을 수용하는 방식에 비유할 수 있다. 삼성전자가 2013년 낸드를 수직으로 쌓아 올린 뒤, 평면 단의 3차원 공간에 구멍을 뚫어 각 층을 연결하는 23단 'V낸드'를 처음 개발하면서 업체간 적층 경쟁을 본격화했다. 이후 삼성전자는 100단 이상 6세대 V낸드까지 세계 최초로 선보이며 시장을 선도해왔다. 삼성전자는 1000단 적층에서도 세계 최초를 목표로 한다. 삼성전자는 2022년 삼성 테크데이에서 “2030년까지 1000단 V낸드 개발을 목표로 한다”고 로드맵을 처음 공개했다. 이어 지난해 10월 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서는 “셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다”며 계획에 변경이 없음을 강조했다. 그러나 지난달 키옥시아는 웨스턴디지털과 협력해 삼성전자 보다 3년 앞선 2027년 1000단 낸드를 출시한다는 목표를 발표하면서 세계 최초 1000단 타이틀을 누가 차지할지에 주목된다. 아울러 키옥시아는 지난 1일 최첨단 낸드를 생산하는 이와테현 기타카미 공장 'K2'를 완공하고 내년 가을부터 가동을 시작한다고 발표했다. 키옥시아는 낸드 시황이 회복세로 돌아섬에 따라 첨단 낸드 생산에 다시 속도를 내고 있는 것으로 보인다. 지난해 키옥시아는 218단 3D 낸드 양산에 성공했다. 현재 시장에 출시된 낸드의 최대 적층수는 290단이다. 삼성전자는 지난 4월 290단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 9세대 V낸드 양산을 시작했으며, 올 4분에는 첨단 기술인 QLC(쿼드레벨셀) 9세대 V낸드를 양산한다. 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 삼성전자는 내년 하반기 430단 10세대 V낸드를 양산하면서 400단대에 진입할 예정이다. 1개 셀에 1비트를 담으면 SLC(싱글레벨셀)이고 2비트를 담으면 MLC(멀티레벨셀), 3비트를 저장하면 TLC, 4비트는 QLC이다. QLC는 1개의 셀에 더 많은 정보를 저장하는 만큼 같은 면적에서도 더 큰 용량을 지원한다. SK하이닉스도 낸드 초격차를 위한 기술 개발에 한창이다. SK하이닉스는 지난해 상반기 238단 TLC낸드를 양산했다. 이어 같은해 8월 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최고층 321단 TLC 4D 낸드플래시 메모리 샘플을 공개하며 업계 최초로 내년 상반기 300단 이상 낸드플래시 메모리 양산을 예고했다. SK하이닉스는 또한 400단 낸드 기술 개발에도 돌입해 내년 하반기 양산을 목표로 한다. 미국 마이크론은 지난달 30일 276단 TLC 9세대(G9) 3D 낸드로 만든 첫 2650 클라이언트 SSD를 발표하며 국내 메모리 업체를 추격 중이다. 마이크론도 내년에 400단 낸드를 출시한다는 목표다. 앞서 마이크론은 2022년 7월 232단 TLC 낸드를 양산하며 선두 업체인 삼성전자를 앞지르고 200단 낸드를 처음으로 출시했다는 점에서 주목을 받았다. 다만, 단순히 적층 수가 많다고 기술 우위라고 볼 수 없다는 것이 업계의 의견이다. 낸드 적층 기술은 가장 아래에 있는 셀과 맨 위층에 있는 셀을 하나의 묶음(구멍 1개)으로 만든 싱글 스택, 묶음 두 개를 하나로 합친 더블 스택, 묵음 3개를 하나로 합친 트리플 스택으로 나뉜다. 스택 수가 적을수록 원가경쟁력 측면에서 더 우수하다. 마이크론과 SK하이닉스는 72단부터 '더블 스택'을 활용해 적층을 쌓았지만 삼성전자는 '싱글 스택'을 사용하다 176단 7세대 V낸드부터 '더블 스택'으로 전환했다. 삼성전자는 올해 290단 V9 낸드에서 300단에 가까운 단수를 쌓으면서도 '더블 스택' 방식을 유지했다는 점에서 경쟁력을 확보했다. SK하이닉스, 마이크론 등은 트리플 스택으로 300단 초반대 제품을 내년 양산한다는 점과 대비된다. 업계에서는 400단 낸드부터는 삼성전자 또한 트리플 스택 도입이 불가피할 것으로 전망한다. 한편, 시장조사업체 트렌드포스는 지난달 보고서에서 전세계 낸드 매출은 서버 수요 회복에 힘입어 올해 647억 달러로 전년 보다 77% 증가하고, 내년에는 올해 보다 29% 증가한 870억 달러로 증가할 것으로 전망했다. 올해 1분기 기준으로 낸드 시장 점유율은 1위 삼성전자(36.7%), 2위 SK하이닉스·솔리다임(22.2%), 3위 키옥시아(12.4%), 4위 마이크론(11.7%), 5위 웨스턴디지털(11.6%) 순으로 차지했다.

2024.08.05 15:57이나리

이규제 SK하이닉스 부사장 "차세대 패키징으로 HBM 1등 이어간다"

SK하이닉스가 차세대 패키징 기술로 HBM 1등을 이어간다는 목표를 밝혔다. 이규제 PKG제품개발 담당 부사장은 SK하이닉스의 뉴스룸 인터뷰를 통해 "자사의 HBM(고대역폭메모리)이 전 세계 1등 리더십을 구축한 배경은 TSV(실리콘 관통전극), MR-MUF 등 주요 첨단 패키징 기술을 준비해온 혜안이 있었다"라며 "지속해서 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획이다"고 전했다. 이 부사장은 HBM 개발 공적으로 지난 6월 회사의 HBM 핵심 기술진과 함께 SK그룹 최고 영예인 '2024 SUPEX추구대상'을 수상한 인물이다. SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 개발한 1세대 HBM 제품에 TSV 기술을 적용했다. TSV는 이미 20여 년 전부터 기존 메모리의 성능 한계를 극복해 줄 차세대 기술로 주목받았지만, 곧바로 상업화된 기술로 부상하지는 못했다. 인프라 구축의 어려움과 투자비 회수 불확실성 등 난제로 누구도 선뜻 개발에 나서지 못했기 때문이다. TSV는 여러 개의 D램 칩에 수천 개의 구멍을 뚫고 이를 수직 관통 전극으로 연결해 HBM의 초고속 성능을 구현해 주는 핵심 기술이다. 이 부사장은 "SK하이닉스도 처음에는 망설이는 회사들 중 하나였지만, 미래 시장에 대비하기 위해서는 고성능과 고용량을 동시에 구현할 수 있는 TSV 기술과 적층(Stacking)을 포함한 WLP(웨이퍼 레벨 패키지) 기술을 동시에 확보해야 한다고 판단하고, 2000년대 초반부터 적극적인 연구에 들어갔다"고 말했다. SK하이닉스가 처음으로 HBM 시대를 열긴 했지만, 본격적으로 시장이 열리고 회사가 주도권을 잡게 된 시점은 3세대 제품인 HBM2E 개발에 성공한 2019년부터다. 이 부사장은 "당시 신속한 고객 대응을 위해 유관 부서의 리더들이 빠르게 기술 관련 데이터와 시뮬레이션 결과를 분석해 MR-MUF의 안정성을 검증해 냈고, 경영진과 고객을 설득해 적기에 이 기술을 3세대 HBM2E에 적용할 수 있었다"고 전했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받는다. SK하이닉스는 HBM2E를 시작으로 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공했다. 성공의 1등 공신은 MR-MUF 기술을 한 번 더 고도화한 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF'라고 이 부사장과 기술진은 첫손에 꼽는다. 이 부사장은 "12단 HBM3부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에, 방열 성능을 더욱 강화해야 했다"라며 "어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발을 통해 지난해 세계 최초로 12단 HBM3 개발 및 양산에 성공했으며, 이어 올해 3월 세계 최고 성능의 HBM3E를 양산했다. 이 기술은 하반기부터 AI 빅테크 기업들에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있다"고 말했다. 이어서 그는 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"라며 "SK하이닉스도 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획이다" 밝혔다.

2024.08.05 10:01이나리

美, 중국에 HBM 공급 금지 검토...삼성·SK 괜찮나?

미국 정부가 중국에 AI 메모리 '고대역폭메모리(HBM)'와 이를 생산할 수 있는 장비의 반입 제한을 검토 중이다. 블룸버그는 31일(현지시간) "미국이 이르면 다음달에 발표하는 대중 반도체 통제 조치에 AI 메모리와 이를 생산하는 반도체 제조 장비를 포함하는 방안을 고려하고 있다"고 보도했다. 소식통에 따르면 "이 조치는 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론이 중국 기업에 HBM 칩을 공급하지 못하도록 하기 위한 것"이라며 "아직 최종 결정은 내려지지 않았다"고 말했다. 바이든 정부는 중국 제조업체에 중요한 첨단 기술을 넘기지 않기 위한 여러가지 수출 통제를 추진하고 있다. 이 조치가 시행된다면 HBM2, HBM3, HBM3E를 포함한 더 진보된 칩과 현재 생산되고 있는 최첨단 AI 메모리와 장비 등이 포함된다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3)·5세대(HBM3E) 8단 제품이 공급되고 있다. 블룸버그는 추가 제재가 해외직접제품규칙(FDPR)을 기반으로 이뤄질 가능성이 있다고 전했다. FDPR은 해외 기업이 만든 제품이더라도 미국 기술이 사용됐다면 수출을 금지할 수 있는 게 특징이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 어플라이드머티어리얼즈와 같은 미국의 반도체 장비와 케이던스, 시놉시스 등 EDA(전자설계자동화)를 주로 사용해서 반도체를 만들고 있다는 점에서 수출 통제를 받을 수 있다. 그러나 이 조치가 시행된다고 해도 당분간 3사 메모리 업체는 큰 피해를 받지 않을 것으로 보인다. HBM은 주로 최대 고객사인 미국 엔비디아, AMD 등의 AI 가속기에 공급되고 있기 때문이다. 엔비디아는 AI 반도체 시장에서 80% 이상의 점유율을 차지하고 있어, 대부분의 HBM 물량을 소화하고 있는 상황이다. SK하이닉스는 엔비디아 HBM3과 HBM3E 8단을 사실상 엔비디아에 독점 공급하고 있다. 삼성전자는 엔비디아가 중국 수출용으로 성능을 낮춰 개발한 GPU H20에 HBM3을 공급하고 있다. 그러나 업계에서는 이번 규제가 H20 GPU까지 포함될 가능성은 작다고 전망한다. 또 이번 수출 통제는 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 HBM 개발을 막는 것을 목표로 한다는 분석도 나온다. CXMT는 현재 HBM2를 상업 생산 중인 것으로 알려졌다. 블룸버그에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 논평 요청에 응답하지 않다고 밝혔다.

2024.08.01 14:01이나리

SK하이닉스, 'FMS 2024'서 321단 낸드·HBM3E 12단 실물 공개

SK하이닉스가 오는 6~8일(미국시간) 캘리포니아주 산타클라라(Santa Clara)에서 열리는 글로벌 메모리 반도체 행사인 'FMS 2024'에 참가해 321단 낸드, HBM3E 12단 등 최신 AI 메모리 기술과 제품을 선보이고 미래 비전을 제시한다. FMS는 지난해까지 낸드 기업들이 주로 참여하는 세계 최대 낸드 플래시 행사로 진행됐으나, AI 시대가 본격화되면서 주최 측이 D램을 포함한 메모리, 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다. 이에 따라 행사명이 기존 'Flash Memory Summit(플래시 메모리 서밋)'에서 'Future Memory and Storage(미래 메모리 및 저장장치)'로 리브랜딩(Re-branding)됐다. SK하이닉스는 "FMS 영역 확대에 발맞춰 올해는 제품 전시뿐 아니라 기조연설을 통한 회사 비전 발표 등 많은 준비를 했다"며 "AI 메모리 솔루션 미래를 선도하는 당사 경쟁력을 업계 전반에 알리는 기회로 이번 행사를 적극 활용하겠다"고 강조했다. 회사는 지난해 FMS에서 세계 최고층 321단 낸드를 최초로 공개하는 등 이 행사를 통한 글로벌 소통에 공을 들여왔다. 행사 첫날인 6일 SK하이닉스 권언오 부사장(HBM PI 담당)과 김천성 부사장(WW SSD PMO)이 'AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전(AI Memory & Storage Solution Leadership and Vision for AI Era)'을 주제로 기조연설을 진행한다. 이들은 AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D램, 낸드 제품 포트폴리오와 AI 메모리 솔루션을 소개하며, 권 부사장이 D램, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 맡는다. 회사는 발표 주제에 맞춰 이번 행사에서 3분기 양산 계획인 HBM3E 12단, 내년 상반기 양산을 목표로 준비 중인 321단 낸드 샘플 등 차세대 AI 메모리 제품들을 선보인다. 그 밖에 ▲온디바이스AI용 낸드 솔루션 'ZUFS 4.0' ▲온디바이스 AI PC용 SSD 'PCB01' ▲PCIe Gen5 E3.S, PCIe Gen4 U.2 기반 서버향 SSD 'PS1010' ▲모바일용 D램 'LPDDR5T' ▲머신러닝, 빅데이터 연산에 활용되는 PiM 메모리 'GDDR6-AiM' ▲고용량 메모리를 확장할 수 있는 CXL의 장점에 머신러닝 및 데이터 필터링 연산 기능이 포함된 'CMS 2.0' 등을 공개한다. 이와 함께 SK하이닉스는 자사 주력 제품들이 탑재된 고객사의 시스템 제품도 함께 전시, 빅테크 고객들과의 긴밀한 파트너십도 강조할 계획이다. 회사는 또, 메모리 업계에서 두각을 나타내고 있는 여성 리더들을 알리기 위해 진행되는 'FMS 슈퍼우먼 컨퍼런스'에 올해 공동 스폰서로 참여하기로 했다. 이에 따라, 7일 오후 열리는 컨퍼런스에서 회사의 최초 여성 연구위원인 오해순 부사장(Advanced PI 담당)이 'SK하이닉스의 미래 기술 혁신과 다양성에 대한 이해'를 주제로 발표를 진행한다. SK하이닉스 김주선 사장(AI Infra 담당)은 “AI 시대가 본격화되면서 D램, 낸드 단품보다는 여러 제품을 결합해 성능을 높인 메모리 솔루션의 중요성이 점차 커지고 있다”며,“이번 FMS를 통해 이 분야를 선도하는 당사의 1등 경쟁력과 기술력을 글로벌 시장에 각인시키도록 할 것”이라고 말했다.

2024.08.01 09:48이나리

FHD 영화 300편 1초에...SK하이닉스, 세계 최고성능 그래픽D램 3분기 양산

SK하이닉스가 세계 최고 수준의 성능이 구현된 차세대 그래픽 메모리 제품인 GDDR7을 공개했다고 30일 밝혔다. GDD은 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 D램의 표준 규격 명칭이다. 그래픽을 빠르게 처리하는데 특화한 규격으로, 3-5-5X-6-7로 세대가 진화해 왔다. 최신 세대일수록 빠른 속도와 높은 전력 효율성을 가지며, 최근에는 그래픽을 넘어 AI 분야에서도 활용도가 높은 고성능 메모리로 주목 받고 있다. SK하이닉스는 “그래픽 처리에 특화된 성능과 빠른 속도를 동시에 충족시키는 D램인 GDDR에 대한 글로벌 AI 고객들의 관심이 매우 커지고 있다”며 “당사는 이에 맞춰 현존 최고 성능의 GDDR7을 3월 개발 완료한 후 이번에 공개했고, 3분기 중 양산을 시작할 계획”이라고 밝혔다. SK하이닉스의 GDDR7은 이전 세대보다 60% 이상 빠른 32Gbps(초당 32기가비트)의 동작속도가 구현됐고, 사용 환경에 따라 최대 40Gbps까지 속도가 높아지는 것으로 확인됐다. 이 제품은 최신 그래픽카드에 탑재돼 초당 1.5TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있게 해주며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 300편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 GDDR7은 빠른 속도를 내면서도 전력 효율은 이전 세대 대비 50% 이상 향상됐다. SK하이닉스는 이를 위해 제품 개발 과정에서 초고속 데이터 처리에 따른 발열 문제를 해결해주는 신규 패키징 기술을 도입했다. 회사 기술진은 제품 사이즈를 유지하면서 패키지에 적용하는 방열기판을 4개층(Layer)에서 6개 층으로 늘리고, 패키징 소재로 고방열 EMC를 적용했다. 이를 통해 기술진은 제품의 열 저항을 이전 세대보다 74% 줄이는데 성공했다. EMC는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하는 반도체 후공정 필수 재료다. 이상권 SK하이닉스 부사장(D램 PP&E 담당)은 “압도적인 속도와 전력 효율로 현존 그래픽 메모리 중 최고 성능을 갖춘 SK하이닉스의 GDDR7은 고사양 3D 그래픽은 물론, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 자율주행까지 활용범위가 확대될 것“이라며 “뛰어난 기술 경쟁력을 바탕으로 프리미엄 메모리 라인업을 한층 강화하면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.07.30 09:30장경윤

SK하이닉스, 용인클러스터 1호 팹에 9.4兆 투자…HBM 등 생산

SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다. SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이고, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다. 경기도 용인 원삼면 일대 415만 제곱미터 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다. 회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다. 이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다. 회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다. 이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다. 김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

2024.07.26 17:14장경윤

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