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SK하이닉스 노사, 2024년 임금 인상률 5.7% 잠정 합의

SK하이닉스 노사가 임금 교섭 진행 결과 올해 임금 인상률을 5.7%로 잠정 합의했다고 6일 밝혔다. 이번 잠정 합의를 통해 노사는 본인 의료비 지원 한도를 기존 연간 4천만원에서 1억 원으로 상향하고, 가족 의료비 지원책도 개선해 구성원과 구성원 가족에 대한 건강 지원을 강화한다. 이와 함께 출산 축하금을 첫째와 둘째는 각 100만원, 셋째부터는 500만원으로 대폭 상향하기로 했다. 또 최대 1년 범위에서 남성 구성원들이 특별 육아 휴직을 사용할 수 있도록 제도를 신설하고, 3명 이상의 자녀가 있는 구성원에 대해서는 교육비와 주택자금 융자 지원을 확대한다. 이번 잠정합의안은 다음 주 조합원 찬반투표를 통해 확정될 예정이다. 회사는 2분기에 분기 기준 사상 최대 매출을 달성한 만큼 350만원을 추석 전에 지급할 계획이다. 회사는 작년에 임금 인상을 영업이익 흑자 시점에 소급 적용하는 방식을 도입해 어려웠던 다운턴 시기를 원팀(One Team)으로 극복했다. SK하이닉스 노사는 올해 임금 교섭에서도 원팀 마인드를 기반으로 결과를 도출했다고 밝혔다. SK하이닉스 관계자는 “AI 시대 글로벌 No. 1 회사로서의 위상을 더욱 확고히 하기 위해 노사가 원팀으로 기업문화를 지속 발전시켜 나가기로 했다”며 “앞으로도 당사는 회사와 구성원들이 함께 성장하고 자부심을 가질 수 있도록 더욱 노력할 것”이라고 말했다.

2024.09.06 14:12이나리

한미반도체, SK하이닉스 전담 A/S팀 창설

한미반도체가 SK하이닉스 전담 A/S(애프터 서비스) 팀을 창설했다고 6일 밝혔다. 이번에 창설하는 SK하이닉스 전담 A/S 팀은 고객사의 다양한 요청에 더욱 신속히 대응하기 위해 40명 이상의 전문인력들로 구성됐다. 또 25대의 친환경 하이브리드 4륜구동(4WD) SUV로 A/S 차량을 준비해 빗길이나 겨울철에도 안전하고 신속한 프리미엄 서비스를 제공할 수 있다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "SK하이닉스는 글로벌 인공지능 반도체 시장을 선도하는 핵심 기업이고 한미반도체의 가장 중요한 고객인 만큼, 전담 A/S팀을 통해 차별화된 프리미엄 서비스를 제공하며 고객 만족 극대화를 위해 노력하겠다"고 밝혔다. SK하이닉스는 한미반도체의 주요 고객사다. 한미반도체는 SK하이닉스로부터 HBM(고대역폭메모리)용 듀얼 TC 본더 장비를 수주 받아 공급하고 있다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM를 제조하는 데에도 쓰인다. 한미반도체는 고객사로부터 수주 받은 HBM용 TC 본더가 올해 3분기부터 본격적으로 납품이 진행되고 있어 올해 매출 목표인 6천500억원을 전망한다. 아울러 내년에는 '2.5D 빅다이 TC 본더 (2.5D BIG DIE TC BONDER)'와 '마일드 하이브리드 본더(MILD HYBRID BONDER)' 등 신제품 출시를 앞두고 있으며, 지난 7월 구입한 연면적 1만평의 공장 부지에 2025년 말 완공 예정인 신규 공장 생산 캐파가 더해질 예정이다. 이를 통해 회사는 매출 목표인 2025년 1조2천억원, 2026년 2조원 달성 가능성이 높아질 것으로 전망했다. 한미반도체는 2002년 지적재산부 설립 이후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하고 있다. 현재까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다.

2024.09.06 09:29이나리

中 D램 물량 공세 심상치 않다…삼성·SK도 동향 파악 '분주'

창신메모리(CXMT) 등 중국 메모리 업체가 공격적인 생산능력과 생산량 확대에 나서고 있어 예의주시되고 있다. 레거시 D램 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 이들의 동향 파악에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 5일 업계에 따르면 중국 메모리 기업의 급격한 생산능력 확대에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 레거시 D램 사업에 수익성 저하가 우려되고 있다. 현재 중국은 레거시 D램을 중심으로 생산능력을 확대하는 추세다. 중국 주요 D램 제조업체로는 창신메모리(CXMT), 푸젠진화반도체(JHICC) 등이 있다. 특히 CXMT는 2016년 설립된 이래로 중국 정부의 지원 하에 현지 최대 D램 제조업체로 성장했다. 최근에는 HBM(고대역폭메모리) 양산 준비에도 나서고 있다. 업계 및 증권가가 추산하는 CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4 등이다. 현재 양산되는 최선단 D램이 12나노 공정 기반의 DDR5·LPDDR5X 등임을 고려하면 성숙(레거시) 제품에 해당한다. 그럼에도 업계는 CXMT의 생산능력 확대에 상당한 관심을 기울이고 있다. CXMT가 당초 예상보다 D램 공급을 공격적으로 전개하면서, 국내 레거시 메모리 매출 및 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 16Gb(기가비트) 기준 DDR4 현물 가격은 지난해 하반기 3달러 선에서 올해 상반기 3.5달러까지 오른 뒤, 올 하반기 3.3달러 선으로 하락했다. DDR5의 경우 지난해 10월 4.2달러 선에서 올 상반기 4.5달러를 넘겨, 올 하반기에는 5달러에 근접한 수준이다. 이에 따라 DDR4 대비 DDR5에 붙은 가격 프리미엄도 지난달 말 기준 53.9%로 6개월 전인 36.9% 대비 크게 증가했다. 노무라증권은 최근 보고서를 통해 "중국 업체들의 급격한 생산 확대로 메모리 업계가 수익성에 훨씬 더 부정적인 영향을 받을 것으로 예상돼, 이에 대한 대비가 필요한 상황"이라며 "특히 CXMT는 막대한 설비 투자로 이미 월 16만 개의 생산능력을 확보하고 있으며, 이는 전체 D램 시장에서 웨이퍼 기준 약 10%, 비트(bit) 기준 약 5%에 해당하는 수치"라고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 소자업체는 12나노 수준의 DDR5 등 최선단 D램으로의 전환 투자를 서두르고 있다. 동시에 중국 메모리 업계의 투자 동향 파악에도 적극적으로 나서는 분위기다. 국내 반도체 업계 관계자는 "올해 CXMT으로부터 상당한 양의 제품 수주를 확정지은 상황"이라며 "국내 메모리 업체에서도 CXMT의 투자 동향에 깊은 관심을 가지고 있어, 최근 관련된 문의가 왔다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "올해 CXMT와 YMTC 등 중국 메모리 기업들의 설비투자가 매우 활발하다"며 "특히 CXMT의 경우 올 상반기까지 중국 베이징 팹에 당초 업계 예상을 뛰어넘는 규모의 설비를 도입했다"고 밝혔다. 한편 중국 메모리 업계의 급격한 생산능력 확대는 미국의 반도체 수출 규제에 따른 영향이 크다는 분석이다. 앞서 미국 정부는 지난 2022년 10월 자국의 반도체 장비 및 기술이 중국으로 유입되는 것을 사실상 금지하는 규제안을 시행했다. 범위는 18나노미터(nm) 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노 이하 시스템반도체 등이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 중국 반도체 기업들은 미국 규제 강화를 우려해 설비투자를 서둘러 진행하려는 추세"라며 "미국 대선 등 향후 다가올 영향을 가늠하기 힘들어 중장기적인 로드맵보다는 단기적인 투자에 집중하고 있다"고 설명했다.

2024.09.05 10:04장경윤

SK하이닉스, 이달 말부터 'HBM3E 12단' 제품 양산 시작

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 양산을 차질없이 진행한다. 올해 초 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급한 데 이어, 이달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 예정이다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra 담당)은 4일 '세미콘 타이완'에서 'AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다'를 주제로 키노트를 진행했다. 이날 김 사장은 AI 산업 발전에 대응하기 위한 메모리 반도체의 중대한 요소로 전력 문제를 짚었다. 오는 2028년에는 데이터센터가 현재 소비하는 전력의 최소 두 배 이상을 사용할 것으로 추정되며, 충분한 전력 공급을 위해 소형모듈원전 같은 새로운 형태의 에너지가 필요할 수도 있다. 또한 데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼, 효과적인 방열 솔루션을 찾아야 한다. 이를 위해 SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다. 김 사장은 "AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "챗GPT가 도입되기 전까지 대역폭과 관련된 문제는 그다지 중요하지 않았으나, AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다"고 설명했다. 이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 현재 HBM3E, 고용량 서버 DIMM, QLC 기반 고용량 eSSD와 LPDDR5T를 시장에 공급하고 있다. SK하이닉스는 올해 초부터 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급 중이며, 이번달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획이다. 한편 일반 서버와 비교해 AI 서버는 4배 이상의 메모리 용량이 필요한데, 이를 위해 회사는 TSV 기술 기반 서버용 256GB DIMM을 공급 중이다. 또한 SK하이닉스는 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체로, 향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120TB 모델을 선보일 계획이다. 마지막으로 LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품이다. 미래를 위한 제품과 기술 개발도 순조롭게 진행하고 있다. SK하이닉스는 HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중이다. 베이스다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정이다. 낸드 분야에서도 SK하이닉스는 최첨단 제품을 지속 개발할 예정이다. 또한 SK하이닉스는 최대 40Gbps를 지원하는 업계 최고 성능의 GDDR7을 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰으며, 혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다. 제품, 기술 개발을 위한 R&D 투자뿐만 아니라 인프라 투자도 계획대로 진행할 예정이다. 김 사장은 "SK하이닉스는 부지조성 공사가 순조롭게 진행 중인 용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축할 예정으로, 이곳을 기반으로 글로벌 여러 파트너들과 긴밀한 협력을 나누게 될 것"이라며 "SK하이닉스는 2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획으로, 주요 고객 및 파트너들과의 협력을 강화하는데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.

2024.09.04 17:30장경윤

박문필 SK하이닉스 부사장 "HBM 1등 사수...백엔드 미래 기술 확보"

"SK하이닉스는 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후, 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 바 있다. 나아가 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것이다." 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 4일 회사 공식 뉴스룸과의 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다. SK하이닉스는 올 초 전사적으로 HBM 경쟁력을 강화하기 위해 관련 역량과 기능을 결집한 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 산하 조직인 HBM PE 조직 역시 ▲HBM 제품 테스트 및 검증을 통해 품질 관리를 담당하는 프로덕트 엔지니어링(Product Engineering)팀 ▲시스템 레벨에서 제품을 평가하는 어플리케이션 엔지니어링(application Engineering)팀 ▲제품 적기 개발 및 사업화 추진을 위해 고객과 회사간 협업을 주도하는 프로젝트 매니지먼트(Project Management)팀을 산하에 배치해 전문성을 강화했다. 박 부사장은 'HBM 1등' 리더십을 수성하기 위해 가장 중요한 것으로 '적기(適期)'를 꼽으며 "제품을 적시에 개발하고 품질을 확보해 고객에게 전달하는 것이 가장 중요하다"고 설명했다. 또한 그는 “HBM PE 조직은 품질 경쟁력뿐만 아니라 제품 생산성까지 극대화하는 데 많은 노력을 기울이고 있다”고 덧붙였다. HBM은 적층되는 칩의 수가 많은 만큼 여러 품질 문제가 발생할 수 있다. 또한 GPU와 결합하는 SiP(시스템 인 패키지) 등 다양한 조건에서 성능을 종합적으로 확인해야 하기에 테스트 과정이 오래 걸릴 수밖에 없다. 때문에 제품을 빠르게 검증하고, 고품질을 확보할 수 있는 테스트 베이스라인을 만드는 것이 중요하다. 박 부사장은 "HBM PE 조직은 제품의 개선점을 빠르게 찾아 양산 역량까지 확보할 수 있는 기술 노하우를 보유하고 있다"며 "대표적으로 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 사례가 이를 입증한다"고 설명했다. 고객의 목소리에 귀 기울여 HBM의 품질을 더 높이고, 신제품 기획 및 개발 일정을 조율하는 것 또한 HBM PE 조직의 주요 임무다. 이를 위해 박 부사장은 HBM 주요 고객사를 위한 오픈랩(Open Lab)을 운영 중이며, 이 랩은 대내외 소통 창구 역할을 하며 주어진 과제에 기민하게 대응하고 있다. 박 부사장은 입사 후 약 15년간 D램 설계 직무를 수행한 후 2018년 D램 PE 직무로 전환했다. 당시 4명의 소수 구성원으로 출발했던 팀은 5년여 만에 70여 명의 조직으로 성장했다. PE 업무에 자신이 보유한 D램 설계 노하우를 접목시키며 혁신을 불어넣은 박 부사장의 노력 덕분이었다. 그동안 사내 SKMS 실천상을 4번이나 수상하며 능력을 인정받았던 박 부사장은 가장 난이도가 높았던 제품으로 HBM을 꼽았다. 박 부사장은 "지난 2022년 쉽지 않았던 HBM3 고객 인증을 잘 해결해냈던 일이 기억에 남는다"며 "고객 시스템 레벨에서 적용할 수 있는 솔루션까지 확보하며 대응 역량의 수준을 한층 높이는 성과도 얻었다"고 밝혔다. 박 부사장의 다음 목표는 12단 HBM3E와 HBM 6세대 제품인 HBM4의 성공적인 사업화다. 그는 "객관적인 데이터를 바탕으로 우리 제품의 압도적인 성능과 경쟁력을 고객이 이해할 수 있도록 기술 협업 및 신뢰 관계를 잘 구축해 나가겠다"며 "특히 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것"이라고 강조했다. 마지막으로 박 부사장은 "HBM이 고객별 맞춤형 커스텀(Custom) 제품으로 다양하게 변모하면서, 새로운 제품 설계 방식이 도입되고 테스트 관점에서도 기존 패러다임의 전환이 이루어질 것으로 예측하고 있다"며 "HBM PE 조직은 이에 대비해 다양한 이해관계자들과 협업 프로세스를 구축하며 관련 인프라를 확충하고, 이 분야 인재들을 발굴·육성하기 위해 노력할 것"이라고 강조했다.

2024.09.04 09:51장경윤

SK하이닉스, "16단 HBM에도 '어드밴스드 MR-MUF' 적용 가능성 확인"

"오는 2025년 양산 예정인 HBM4는 이전 세대 대비 성능 및 에너지 효율이 높을 것으로 기대하고 있다. 특히 16단 제품의 경우, 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술의 적용 가능성을 확인했다." SK하이닉스 이강욱 부사장(PKG개발 담당)은 3일 '세미콘 타이완'에서 회사의 HBM 경쟁력에 대해 이같이 말했다. 이날 'AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'을 주제로 세션 발표를 진행한 이 부사장은 HBM 시장의 가파른 성장세를 예견했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 기존 D램에 비해 데이터 처리 성능이 뛰어나다. HBM은 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 성공했다. 8단, 12단 HBM3E는 초당 1.18TB 이상의 데이터를 처리하며 최대 36GB 용량을 지원한다. HBM4는 12, 16단으로 공급되며 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 성능이 발전한다. HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용함으로써, 성능 및 에너지 효율 향상을 기대하고 있다. 이와 같은 시장 성장세에 맞춰 HBM 분야 리더인 SK하이닉스는 2015년 업계 최초로 HBM 제품을 양산한 후, 연이어 최고 성능의 HBM 제품들을 세계 최초로 출시하면서 업계를 선도하고 있다. 오는 2025년에는 HBM4 12단 제품도 출시할 예정이다. 특히 SK하이닉스는 독자적으로 개발한 혁신적인 패키징 기술을 통해 HBM 제품의 에너지 효율 및 열 방출(방열 성능) 측면에서 경쟁력을 갖추고 있다. SK하이닉스가 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력, 온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 다른 공정보다 유리하다. 또한 높은 열전도 특성을 갖는 Gap-Fill 물질(빈 공간을 채우는 물질) 및 높은 밀도의 메탈 범프 형성이 가능해. 타 공정 대비 열 방출 면에서 30% 이상의 성능 장점을 가진다. SK하이닉스는 HBM3와 3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 Advanced MR-MUF기술을 적용해 양산을 하고 있으며, 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 Advanced MR-MUF를 적용해 양산할 계획이다. 16단 제품을 위해서는 Advanced MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며, 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획이다. 특히 SK하이닉스는 16단 제품 대응을 위한 기술을 개발 중인데, 최근 연구에서 16단 제품에 대한 Advanced MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다. 하이브리드 본딩 기술을 적용할 경우 제품 성능, 용량 증가 및 열 방출 측면에서 장점이 있으나, 기술 완성도 및 양산 인프라 준비 측면에서 해결해야 할 여러 선결 과제들이 있다. 두 가지 방식에 대한 기술 완성도를 빠르게 높여, 메모리 고용량화에 대한 고객 니즈에 선제적으로 대응하겠다는 전략으로 풀이된다. SK하이닉스는 HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비하고 있으며, 대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(시스템 인 패키지) 패키징 등을 포함 다양한 대응 방안을 검토하고 있다. 또한 HBM4E 부터는 커스텀(Custom) 성격이 강해질 것으로 예상돼, SK하이닉스는 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화해 가고 있다.

2024.09.03 14:36장경윤

OCI, SK하이닉스 반도체 '인산' 공급사 진입…첫 출하 완료

핵심소재 기업 OCI는 국내 인산 제조사 최초로 SK하이닉스의 반도체 인산 공급자로 선정됐다고 2일 밝혔다. OCI는 금번 SK하이닉스 수주를 통해 반도체 인산 국내 시장점유율(M/S) 1위 기업으로서의 지위를 더욱 공고히 하고, 반도체 소재 기업으로의 입지를 강화해 나갈 방침이다. OCI는 SK하이닉스의 강도 높은 품질 테스트를 거쳐 반도체 인산 제품 공급에 대한 승인을 획득하고, 지난달 21일 군산공장에서 초도품 출하 기념식을 진행했다. 이번에 OCI가 SK하이닉스에 공급하는 반도체 인산은 반도체 생산에 필요한 핵심소재 중 하나로, 반도체 웨이퍼의 식각 공정에 사용된다. OCI의 반도체 인산은 D램과 낸드플래시, 파운드리까지 모든 반도체 공정에 사용되는 범용 소재로 HBM의 성장 및 반도체 시황 회복에 따라 그 수요가 꾸준히 증가할 것으로 기대되고 있다. OCI는 2007년 반도체 인산 사업에 진출한 이후, 현재 연간 2만5천 톤 규모의 생산능력을 보유하고 있다. 삼성전자, SK키파운드리, DB하이텍 등 국내 주요 반도체 업체를 대상으로 지난 17년간 반도체 인산을 안정적으로 공급하며 국내 M/S 1위를 유지하고 있다. OCI는 이번에 SK하이닉스를 신규 고객사로 추가함으로써 국내 모든 반도체 제조사에 인산을 공급하는 유일한 업체가 됐다. OCI는 신규 고객사 확보 및 기존 고객사의 수요 증가에 따라 단계적으로 반도체 인산 생산능력을 증설할 계획이며, 반도체 소재의 국산화 및 공급망 안정화에 기여해 나갈 예정이다. 한편 OCI는 반도체 생산 과정 중에 세정 공정을 위해 필수적으로 사용되는 과산화수소 제품에서도 향후 매출 성장이 이뤄질 것으로 전망하고 있다. OCI는 1979년부터 과산화수소를 생산해 온 업체로 연산 7만 5000톤의 생산능력을 보유하고 있으며, 오랜 업력과 기술력을 바탕으로 경쟁력을 확보하고 있다. 올해 반도체 업황이 회복세에 접어들면서 삼성전자와 SK하이닉스가 다시 증설을 계획하고 있는 만큼 업계에서는 이에 맞춰 전자급 과산화수소에 대한 수요 또한 지속해서 증가할 것으로 전망한다. 이밖에도 OCI는 반도체급 과산화수소를 일본 낸드플래시 기업 키옥시아에 직접 공급 중에 있는데, 지난 7월 키옥시아가 이와테현에 월 2만 5000개의 웨이퍼를 생산할 수 있는 신규 공장을 완공함에 따라 OCI의 추가적인 수주가 기대되는 상황이다. OCI는 최근 피앤오케미칼의 지분을 인수하기로 결정하면서 연산 5만톤 규모의 과산화수소 생산 능력이 증대될 것으로, 고객사 증설에 따른 수요 증가에 선제적으로 대응할 수 있게 되었다. 김유신 OCI 사장은 “국내 M/S 1위의 기술력을 바탕으로 품질 테스트를 무사히 통과하고, 국내 인산 제조사 중 최초로 SK하이닉스에 반도체 인산을 공급하게 되어 매우 고무적”이라며 “앞으로도 OCI는 반도체 수요 증가에 발맞춰 반도체 소재 사업을 성공적으로 확대하고 경쟁력을 강화하여, 반도체 소재 기업으로서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다.

2024.09.02 09:33장경윤

첨단 패키징 장비 시장, 올해 10% 이상 성장…"AI 수요 덕분"

최첨단 패키징 장비 시장이 올해와 내년 높은 성장률을 기록할 것이라는 분석이 나왔다. TSMC, 인텔, 삼성전자, SK하이닉스 등이 AI 반도체 성장에 힘입어 관련 설비투자를 적극 진행하는 데 따른 영향이다. 31일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 첨단 패키징용 장비 시장은 올해 10%, 내년 20% 이상 성장할 전망이다. 첨단 패키징은 AI 반도체 등 고성능 칩 제조의 핵심 요소로 주목받고 있다. 기존 전공정에서 이뤄지던 회로 미세화가 점차 한계에 다다르고 있기 때문으로, 첨단 패키징을 활용하면 반도체 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 대표적으로 대만 주요 파운드리 TSMC는 자체 개발한 'CoWoS' 패키징을 통해 엔비디아, AMD, 애플 등 글로벌 팹리스의 고성능 반도체를 패키징하고 있다. CoWoS는 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'의 준말이다. 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높이는 2.5D 패키징 기술을 뜻한다. 특히 AI 서버용 칩에서 수요가 높아 지속적인 공급부족 현상이 일어나고 있다. 트렌드포스는 "TSMC는 대만 주난, 타이중 등 각지에서 첨단 패키징 용량을 늘리고 있고, 인텔도 미국과 말레이시아 등에서 패키징 사업을 준비 중"이라며 "한편 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등은 HBM 패키징 설비투자에 주력하고 있다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 제조가 완료된 D램을 높은 집적도로 쌓아야 하기 때문에, 고성능의 본딩 기술 등이 요구된다. 첨단 패키징 장비에는 전기도금장비, 다이 본더, 씨닝 장비, 다이싱 장비 등 다양한 분야가 포함된다. 트렌드포스는 "첨단 패키징 장비 시장은 일부 국가가 주도하는 전공정 장비와 달리 기술적 진입 장벽이 낮다"며 "TSMC도 비용 감소 및 공급망 강화 전략으로 대만 현지 패키징 장비 업체의 육성을 촉진하고 있다"고 설명했다.

2024.09.01 09:32장경윤

'12단 HBM3E' 수급 다급해진 엔비디아…삼성·SK 대응 분주

엔비디아가 최근 생산 차질 논란이 불거진 최신형 AI 반도체 '블랙웰'을 당초 일정대로 양산하겠다고 밝혔다. 칩 재설계를 통한 대체품을 내놓는 것으로, HBM(고대역폭메모리) 역시 더 높은 용량의 제품을 탑재하기로 했다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업도 최선단 HBM의 인증을 서두르기 위한 대응에 나선 것으로 파악됐다. 29일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 엔비디아의 최신 GPU '블랙웰' 칩 설계 변경에 따라 HBM3E 12단 인증을 서두르고 있다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 총 2천80억개의 트랜지스터를 집적했다. 이는 기존 GPU 대비 2배가량 많은 것으로, 2개의 GPU 다이(Die)를 10TB(테라바이트)/s의 빠른 데이터 전송 속도로 연결했기 때문에 가능한 수치다. 세부적으로 블랙웰 GPU는 전력소모량에 따라 700W급인 B100, 최대 1200W급인 B200으로 나뉜다. 당초 엔비디아는 B100 GPU 2개와 '그레이스' CPU 1개를 결합한 구조의 AI 가속기 'GB200'을 회사 회계연도 기준 2025년 4분기(2024년 11월~2025년 1월) 출시할 예정이었다. ■ SoC 재설계로 HBM3E도 8단→ 12단 변경 그러나 최근 GB200의 양산 일정에 차질이 생겼다. 업계에서 분석하는 원인은 크게 두 가지다. 하나는 B100 칩 설계의 문제, 또 하나는 GB200에 필요한 TSMC의 최첨단 패키징 'CoWoS-L'의 용량 부족이다. CoWoS는 엔비디아가 자체 개발한 2.5D 패키징 기술로, 로직반도체와 HBM을 SiP(시스템 인 패키지) 형태로 묶는 것을 뜻한다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 활용되는 소재에 따라 종류가 나뉘며, CoWoS-L의 경우 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 채용한다. 이에 엔비디아는 즉각 대응책을 수립했다. 기존 B100을 개량한 'B102'를 대체품으로 재설계하고, 이를 기반으로 'GB200A'를 제작하기로 했다. A는 공랭(Air Cooling)의 의미다. 패키징 구조 역시 변경된다. GB200은 GPU 2개를 묶어 한 칩처럼 동작하게 하고, 주변에 HBM3E 8단(24GB)을 8개 집적하는 형태다. 반면 GB200A는 GPU를 묶지 않고 B102 칩 하나에 HBM3E 12단(36GB)를 4개 집적한다. 내장된 GPU 2개가 총 HBM 8개를 운용하는 것보다 효율이 떨어지기 때문에, 단일 HBM의 용량을 높이고자 12단을 채용한 것으로 분석된다. 엔비디아는 이 같은 칩 재설계를 통해 어제(29일 한국시간) 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당초 계획대로 블랙웰 GPU 양산 공급을 연말에 진행하겠다"는 뜻을 밝혔다. ■ HBM3E 12단 공급 빨라져야…삼성·SK 대응 분주 엔비디아가 블랙웰 GPU의 양산 일정을 고수하면서, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 제조업체들의 대응 또한 분주해지고 있다. 당초보다 빨리 HBM3E 12단 제품을 엔비디아에 공급해야 하는 상황에 놓였기 때문이다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해 상반기 8단 제품부터 상용화에 들어갔다. 더 많은 D램을 적층하는 12단 제품은 주요 메모리 3사 모두 고객사와의 퀄(품질) 테스트를 거치고 있으며, 아직까지 공식 승인을 받은 기업은 없다. 이에 엔비디아도 주요 메모리 제조사에 HBM3E 12단 승인을 앞당기기 위한 논의를 진행한 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "엔비디아의 요청에 따라 메모리 제조사들도 HBM3E 12단 물량을 급하게 늘리려는 움직임을 보이고 있다"며 "HBM3E 12단의 수율이 상대적으로 낮고, 긴급한 주문이기 때문에 메모리 제조사 입장에서도 더 높은 가격을 책정받을 수 있다는 이점을 누릴 수 있다"고 설명했다.

2024.08.30 10:04장경윤

원자력연, "양성자가속기 '밤새도록' 빔서비스…최고 고객은 삼성· SK하이닉스"

한국원자력연구원 양성자과학연구단(단장 이재상)이 양성자가속기 빔 서비스를 24시간 상시 시범 운영한다고 29일 밝혔다. 이재상 양성자과학연구단장은 "지난 12일부터 24시간 운영중"이라며 "올해 시범운영을 거쳐 내년부터 본격적으로 24시간 빔 서비스를 제공할 것"이라고 말했다. 이 단장은 운용 인력이 모자라는 상황에서 24시간 풀가동하는 이유에 대해 3가지 이유를 꼽았다. 우선 급증하는 이용 수요다. 산업체의 양성자가속기 빔 이용 경쟁률은 2017년 1.37대 1에서 올해 상반기 4.17대1까지 치솟았다는 것. 급증 수요에 대응해 빔 서비스 제공 시간을 3배로 늘려 기존 8시간에서 24시간으로 대폭 확대해 대응 중이다. 두 번째 이유는 가속기 특성상 빔 서비스를 하든, 하지 않든 24시간 가속기를 켜놔야 한다는 것이다. 어짜피 전기세를 지출해야 하는 상황이라면 효율적인 운영 쪽으로 가는 것이 당연하다는 입장이다. 세 번째 이유에 대해 이 단장은 다른 나라 가속기 시설도 대부분 24시간 운영하고 있다고 덧붙였다. 양성자 가속기의 빔 서비스 수요가 급증하는 이유는 반도체가 우주방사선을 맞으면 소프트웨어 오류를 일으키기 때문이다. 이에 해당 기업들이 반도체 수출 전, 내방사선 시험을 반드시 수행한다. 최근엔 삼성전자와 SK하이닉스 등 반도체·항공우주 분야 기업의 양성자가속기 활용이 꾸준히 증가하고 있다는 것이 이 단장 설명이다. 특히, 인공위성 개발이 활발해지며 우주 부품 기업 수요도 확대되는 추세라고 덧붙였다. 경주 양성자가속기는 국내 최대 규모 양성자 빔 서비스 제공 시설이다. 대전 연구용원자로 하나로와 더불어 국내에서 유일하게 산업용 반도체의 내방사선성을 시험할 수 있는 국제 표준에 등재됐다. 본래 양성자가속기는 양성자를 빛의 속도에 가깝게 가속하는 장치다. 가속된 양성자는 물질의 성질을 변화시켜 새로운 물질로 바꿔준다. 주로 반도체, 우주 부품 방사선 영향평가, 의료용 동위원소 생산, 양성자 활용 암 치료 기초연구, 방사선 육종 등에 활용된다. 이재상 단장은 “반도체 분야 산업체의 양성자가속기 활용 기회를 최대한 보장할 계획"이라며 "이번 시범운영으로 효율적인 이용자 지원체계를 구축하고 접근성을 확대해 중소기업이나 신진 연구자에게도 이용 기회를 늘리도록 할 것"이라고 말했다. 이 단장은 또 "24시간 운영체제 구축에 추가로 필요한 인력이 6명 정도"라며 "내년엔 정부가 추가 인력 선발을 인정해 줄 것"으로 기대했다.

2024.08.30 09:32박희범

엔비디아 2Q 호실적에도 주가 하락…삼성·SK하이닉스 동반↓

엔비디아가 28일(현지시간) 2분기 실적에서 시장 전망치를 상회하는 실적을 내고도 주가는 시간외 거래에서 급락했다. 이에 영향을 받아 SK하이닉스와 삼성전자도 동반 약세를 보이고 있다. 29일 오전 11시 29분 기준 삼성전자는 전일 대비 2천200원(2.88%) 내린 7만4천200원에 거래되고 있다. SK하이닉스도 전일 대비 1만600원(5.91%) 급락한 16만8천700원에 거래 중이다. SK하이닉스와 삼성전자는 엔비디아에 고대역폭 메모리(HBM)을 납품한다. 인공지능(AI) 대장주인 엔비디아가 지난 2월, 5월 실적을 발표할 때마다 주가가 급등하고, AI와 메모리 기업의 주가에 영향을 끼쳐왔다. 이번 엔비디아 실적 발표에서도 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯해 국내 반도체주는 줄줄이 급락을 보였다. 이는 엔비디아의 분기 실적이 시장의 기대에 미치지 못한 것과 더불어 블랙웰 칩 생산 지연에 대한 우려 때문으로 풀이된다. 엔비디아는 2분기 컨콜에서 블랙웰 지연설에 대해 부인하며 4분기에 출시할 예정이라고 밝혔다. 다만, 블랙웰 생산에서 결함으로 인해 마스크를 변경했다는 점은 인정했다. 엔비디아 회계연도에서 4분기는 11월~익년 1월에 해당되므로, 블랙웰은 내년 1월에 출시될 수 있다는 의미다. 블랙웰 출시 지연은 메모리 업체의 HBM 공급 물량 계획에 차질을 초래할 수 있다. SK하이닉스는 엔비디아 블랙웰에 HBM3E 8단을 공급하며, 삼성전자는 현재 퀄테스트(품질테스트)를 받는 중이다. 엔비디아는 올 2분기에 300억4천만 달러(40조1천785억원)의 매출로 전년 동기 대비 122% 증가했다. 시장조사업체 LSEG가 전망한 월가 예상치 매출 287억 달러를 웃돈 실적이다. 2분기 영업이익은 186억 4천200만 달러(약 24조9천336억원)로 전년 동기 대비 2.74배 늘어났다. 엔비디아는 올 3분기 매출은 325억 달러에 이를 것으로 전망했다. 이 역시 월가 전망치 317억 달러를 상회하는 수준이다. 이에 엔비디아 주가는 뉴욕 증시 정규장에서 2.10% 하락 마감한 뒤 실적 발표 후 시간 외 거래에서 6.89% 하락했다.

2024.08.29 11:43이나리

SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 '1c DDR5' 개발

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 이로써 회사는 10 나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정기술을 세상에 내놓게 됐다. SK하이닉스는 2023년 2분기 10나노급(1B) D램을 양산한 이후 내년 약 2년 만에 1c DDR5 양산에 돌입한다. SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다”며, “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다. 또, EUV(극자외선) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다. 고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 또 전력효율은 9% 이상 개선됐다. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다. 김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM(고대역폭메모리), LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.

2024.08.29 09:13이나리

박경 SK하이닉스 부사장 "AI 시대, 메모리 단품이 아닌 솔루션으로 변화 필요"

박경 SK하이닉스 시스템아키텍처 담당 부사장이 27일 최종현학술원에서 열린 'AI 대전환 반도체가 이끈다' 컨퍼런스 토론회에서 "AI 시장에서 메모리가 단순한 부품이 아닌 솔루션으로 변화하고 있으며, 이러한 전환은 더욱 확대될 필요가 있다"고 강조했다. 박 부사장은 AI 시대에 메모리 기업이 직면한 변화에 대해 설명하며, "이제는 단순히 D램 설계 기술만으로는 충분하지 않다. 시스템이 어떻게 변하고, 어떤 기회와 도전 과제가 있는지 반도체 기술에만 국한하지 않고 '운영과 시스템'의 관점에서 바라봐야 한다"고 말했다. 그는 이러한 변화 속에서 SK하이닉스가 중요한 역할을 수행하고 있다고 덧붙였다. 이어 그는 "과거 반도체 생태계에서는 수요와 공급의 관계가 주를 이뤘지만, 앞으로는 공동 목표를 해결하는 협력 관계로 전환되어야 한다"며 "이 구조에 얼마나 신속하게 대응하느냐가 미래 제품을 빠르게 출시하는 방법이다"고 설명했다. SK하이닉스가 메모리 외의 AI 프로세서 생산에 대한 비전을 가지고 있는지에 대한 질문에 박경 부사장은 "현재로서는 메모리 이외의 반도체 개발 계획은 없다"고 명확히 밝혔다. 박 부사장은 "우리는 메모리 분야에서 시작했기 때문에, 메모리의 가치를 극대화하는 AI 전략을 세웠고, 이 전략이 성공을 거둔 후에야 다른 계획을 고려할 것"이라고 덧붙였다. 이어 박 부사장은 SK하이닉스가 HBM(고대역폭 메모리) 시장에서 1위를 차지한 것에 대해 언급하며, "우리가 잘해서 1등이 된 걸까, 아니면 하다 보니 1등이 되어서 잘한다는 평가를 받는 것일까라는 생각이 든다"고 말했다. 그는 "우리는 항상 후자라고 생각한다. 기술에 있어 지금보다 더 겸손해야 하며, 알지 못하는 것들을 찾기 위해 부단히 노력해야 한다"고 강조했다.

2024.08.27 18:03이나리

SK하이닉스 "고객사와 CXL 2.0 인증 중…CXL 컨트롤러 개발 착수"

SK하이닉스가 차세대 메모리 'CXL(컴퓨트익스프레스링크)' 2.0 양산 준비에 속도가 붙였다. 또 그동안 중국 팹리스업체 몬타지테크놀로지로부터 구매해서 쓰던 CXL 컨트롤러를 자사 제품으로 대체하기 위해 CXL 컨트롤러 IC 자체 개발에도 착수했다. 박경 SK하이닉스 시스템아키텍처 담당 부사장은 27일 최종원학술원에서 주최한 'AI 대전환 반도체가 이끈다' 세미나 전에 기자들을 만나 “CXL 메모리 모듈은 이미 제품화가 완료된 상태로, 고객이 요청해야 양산이 가능하다”라며 “현재 샘플이 안정화돼 주요 고객사와 시스템 연동을 체크하는 이네이블링(인증)을 진행 중이다”고 밝혔다. 경쟁사인 삼성전자가 지난달 미디어 간담회에서 올해 하반기 중 CXL 2.0 양산을 시작한다고 공식 발표한 것과 달리 SK하이닉스는 아직까지 구체적인 양산 소식이 들려오지 않았다. 하지만 SK하이닉스가 고객사와 활발히 인증 단계를 진행하고 있는 만큼, 양산 준비에 속도가 붙은 것으로 보인다. 박 부사장은 “양산 예정인 CXL 2.0에는 몬타지의 컨트롤러 IC가 탑재되지만, SK하이닉스는 자체 기술을 확보하기 위해 CXL 컨트롤러 IC 개발을 진행 중이다”라고 덧붙였다. 이는 차세대 CXL 메모리에는 자사에서 개발한 컨트롤러 IC를 탑재하겠다는 목표다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 2023년 기준 CXL 컨트롤러 가격은 약 60달러다. SK하이닉스가 CXL 메모리에 자체 개발한 CXL 컨트롤러를 탑재하면, 전체 생산 비용을 절감할 수 있게 된다. CXL은 생성형 AI, 데이터센터 등 처리해야 할 데이터양이 기하급수적으로 증가하면서 최근 HBM과 함께 차세대 메모리로 주목받고 있는 제품이다. SK하이닉스는 CXL을 HBM(고대역폭메모리)에 이어 '차세대 메모리의 새로운 기회'로 보고 생태계 확장에 적극적으로 나서고 있다. SK하이닉스는 2022년 8월 CXL 2.0을 지원하는 96GB D램 샘플을 선보였고, 같은해 10월에는 업계 최초 CXL 기반 연산 기능을 통합한 메모리 솔루션 CMS을 개발했다. 지난해 10월 SK하이닉스는 미국 캘리포니아에서 열린 'OCP 글로벌 서밋 2023'에 참가해 CXL 기반 CMS(컴퓨테이셔널 메모리 솔루션) 메모리 솔루션을 시연하며 기술을 입증했다. 올해 8월에는 미국 산타클라라에서 열린 메밀 행사 'FMS 2024'에서 AI 메모리 제품과 함께 CXL 기능을 통합한 CMS 2.0 제품을 공개했다.

2024.08.27 16:01이나리

"동반성장 앞장" SK하이닉스, 기술혁신기업 성과공유회 개최

SK하이닉스가 지난 26일 이천 캠퍼스에서 기술혁신기업 5기 및 6기의 성과공유회를 개최했다고 27일 밝혔다. 기술혁신기업은 반도체 소재·부품·장비 분야에서 기술 잠재력을 가진 국내 협력사를 발굴하고 집중 육성하는 SK하이닉스의 대표적인 동반성장 프로그램이다. SK하이닉스는 기술혁신기업으로 선정된 협력사에 최대 3년간 공동으로 기술을 개발할 수 있는 기회를 주고, 기술개발 자금의 무이자 대출 및 경영 컨설팅을 제공한다. 이날은 프로그램이 종료되는 5기와 6기의 성과 발표가 있었다. 기술혁신기업 최초로 ESG 분야 과제를 수행한 5기 에코에너젠은 '스크러버 용수 재활용 기술'을 공동 개발하였으며, 디스플레이 장비를 주력 사업으로 하는 6기 디아이티는 'Melt Laser 공정 개발 및 양산 적용'이라는 결과를 만들며, 반도체 분야로 활로를 개척하는 성과를 냈다. 행사 중 7기의 중간 성과공유회도 진행됐다. 현재까지의 추진 현황을 발표하고, 향후 과제 운영 방향을 논의하며 격려하는 시간을 가졌다. SK하이닉스와 7기 기업별 주요 협력 과제는 ▲차세대 슬러리 개발(와이씨켐) ▲프로브카드 국산화 및 고도화(솔브레인에스엘디) ▲CVD 장비 국산화(아이에스티이) ▲하이브리드 웨이퍼 계측 장비 개발(코비스테크놀로지) 등이다. 이날 행사에는 SK하이닉스의 김영식 부사장(제조기술 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원 담당), 김성한 부사장(FE구매 담당) 등 경영진을 비롯해 윤종필 에코에너젠 대표(5기), 박종철 디아이티 대표(6기), 그리고 7기 협력사 대표들이 참석했다. SK하이닉스 김성한 부사장(FE구매 담당)은 “기술혁신기업은 기술 잠재력을 가진 협력사에 성장의 기회를 제공해 소재·부품·장비 국산화를 통한 대한민국 반도체 공급망의 경쟁력을 강화하고 있다”며 “기술혁신기업을 통해 국내 협력사의 기술 발전과 성장을 위한 지원을 아끼지 않을 것”이라고 전했다. 한편, SK하이닉스는 2017년부터 매년 기술혁신기업을 선정해 오고 있다. 지난해 기술혁신기업 프로그램을 통해 총 476억 원의 사회적 가치를 창출했다.

2024.08.27 09:07이나리

"HBM용 하이브리드 본딩은 아직 미완성"…기술적 난제는

"차세대 HBM에 하이브리드 본딩을 적용하면 여러 이점이 있으나, 이 기술은 아직 완성되지 않아 시간이 더 필요하다. 현재로선 CMP와 파티클이라는 두 가지 문제가 가장 큰 허들로 작용하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 지난 26일 한양대학교 'SSA(Smart Semiconductor Academy)'에서 HBM용 하이브리드 본딩 기술에 대해 이같이 말했다. 이날 '어드밴드스 패키징 기술과 미래 전망'을 주제로 발표를 진행한 문 부사장은 "AI 산업 발전에 따라 메모리 패키징 기술도 제품의 성능과 용량을 극대화하는 방식으로 발전해 왔다"며 "HBM도 현재 범프를 쓰고 있으나 결국 하이브리드 본딩으로 나아가기는 할 것"이라고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 각각의 D램은 수십 마이크로미터(㎛) 수준의 작은 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결된다. 이 때 층마다 형성되는 범프의 수는 20만개에 달한다. 다만 기존 본딩 기술은 HBM 분야에서 점차 한계에 직면하고 있다. HBM의 D램 적층 수가 8단, 12단, 16단 순으로 점차 많아지는 반면, HBM 패키지의 두께는 크게 늘어나고 있지 않기 때문이다. 내년 양산될 HBM4의 두께가 775마이크로미터로 이전 세대(720마이크로미터) 대비 늘어날 예정이기는 하나, 임시 방편의 성격이 강하다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. TSV의 간격을 줄일 수 있어 칩 사이즈 축소에도 유리하다. 당초 업계는 HBM4에 하이브리드 본딩 기술이 적용될 것이라고 예상해 왔다. 그러나 HBM4 패키지 두께 완화, 하이브리드 본딩 기술의 미성숙 등으로 여전히 기존 본딩 기술이 채택될 가능성이 높은 상황이다. 문 부사장은 "칩과 칩을 직접 붙이기 위해서는 표면이 굉장히 평평해야 하기 때문에 CMP(화학·기계적 연마) 공정을 거친다"며 "일반 제조 환경에서 요구하는 CMP의 평탄함 정도가 수십 나노미터(nm)인 데 반해, 하이브리드 본딩에서는 수 나노의 미세한 수준을 요구한다"고 설명했다. 그는 이어 "표면이 무작정 평탄해서도 안되고, 어떤 경우에는 디싱(오목하게 들어간 부분)을 고의적으로 수 나노 수준으로 형성하기도 한다"며 "웨이퍼 공정 이후의 패키징 공정에서 발생하는 파티클(미세오염)도 큰 문제"라고 덧붙였다. 패키징은 웨이퍼 상의 칩을 개별 다이(Die)로 분리하는 다이싱(Dicing) 공정을 거친다. 이 때 표면이 갈려나가면서 작은 파티클이 형성되는데, 이는 반도체 수율을 떨어뜨리는 악영향을 미친다. 문 부사장은 "기계적인 다이싱 공정에서는 기존 패키징 단에서는 상상도 할 수 없는 파티클이 발생하게 된다"며 "미세한 파티클을 계측하고, 이를 제거할 수 있는 기술이 필요해 공정적으로 수율 확보가 어려운 상황"이라고 밝혔다.

2024.08.27 09:00장경윤

SK하이닉스, 10월 HBM4 '테이프아웃'…엔비디아 공략 고삐

SK하이닉스의 HBM4(6세대 HBM) 상용화 계획이 가시권에 접어들었다. 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM4 설계가 마무리 단계에 접어들어, 4분기 초에 설계 도면을 제조 공정에 넘기는 '테이프아웃'을 진행할 것으로 파악됐다. 26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 10월 엔비디아향 HBM4에 대한 '테이프아웃'을 완료할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화된 상태로, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기부터 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개 집적한 것이 특징이다. D램 적층 수는 제품 개발 순서에 따라 12단·16단으로 나뉜다. 엔비디아의 경우 2026년 출시 예정인 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 채용할 것으로 관측된다. 이에 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4를 공급하기 위한 개발팀을 꾸리고 설계를 진행해 왔다. 최근에는 설계가 마무리 단계에 접어들어, 오는 10월 테이프아웃 일정을 확정했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 실제 제조 환경에서 양산용 개발이 이뤄지기 때문에, 칩 상용화를 위한 핵심 과정으로 꼽힌다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 AMD를 위한 HBM4 개발팀을 각각 꾸려 제품을 개발해 왔다"며 "엔비디아향 HBM4 테이프아웃은 10월에 진행될 예정이며, AMD향 테이프아웃은 연말이 목표"라고 설명했다. 한편 SK하이닉스는 HBM4의 코어다이로 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 활용한다. HBM은 D램을 집적한 코어다이와 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 로직다이로 나뉜다. 앞서 SK하이닉스는 올해 상용화를 시작한 HBM3E에도 1b D램을 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 삼성전자는 HBM4에 1c D램(10나노급 6세대 D램) 적용을 추진하는 등 기술적 변혁을 시도하고 있으나, SK하이닉스는 안정성에 무게를 둔 것으로 풀이된다. 로직다이의 경우 주요 파운드리인 TSMC의 공정을 통해 양산한다. 현재 SK하이닉스가 채택한 TSMC의 공정은 12나노미터(nm)와 5나노급 공정으로 알려져 있다.

2024.08.26 14:23장경윤

日 키옥시아, 10월 상장 임박...SK하이닉스 투자금 회수하나

일본의 낸드 메모리 업체 키옥시아가 23일 도쿄증권거래소에 상장신청서를 제출했다. 키옥시아가 상장에 성공해 높은 기업가치를 인정받을 경우, 주요 투자자인 SK하이닉스가 투자금을 회수할 수 있을지에 주목된다. 23일 일본 니혼게이자신문(닛케이)은 키옥시아가 이날 도쿄증권거래소에 상장신청서를 제출했으며, 오는 10월에 상장하는 것을 목표로 하고 있다고 밝혔다. 키옥시아는 인공지능(AI) 분야에서 메모리 수요가 급증함에 따라 상장을 서두르는 것으로 파악된다. 키옥시아는 이번 상장을 통해 1조5천억엔(103억 달러, 13조7천억원) 이상의 시가총액을 달성할 것으로 예상된다. 이는 올해 도쿄증권거래서에서 가장 큰 신규주식 공모가 될 전망이다. 키옥시아는 상장에서 확보한 자금을 AI용 메모리 투자와 생산확대에 사용할 계획이다. 키옥시아는 2018년 일본 도시바로부터 분리 매각돼 현재 사명을 갖게됐다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 기준 낸드 시장에서 1위 삼성전자(36.7%), 2위 SK하이닉스(22.2%)에 이어 키옥시아는 12.4% 점유율로 3위다. 키옥시아의 최대 주주는 56% 지분을 보유한 미국계 사모펀드인 베인캐피털이다. SK하이닉스는 2018년 베인캐피털이 주도한 한미일 연합 컨소시엄에 약 4조 원을 투자하면서 키옥시아의 15%의 지분을 확보했다. 도시바는 41%의 지분을 보유하고 있다. SK하이닉스는 지금까지 키옥시아에 대한 투자가 수익을 창출하지 못해 '아픈 손가락'이었다. 그러나 키옥시아가 상장에 성공할 경우, SK하이닉스는 상당한 규모의 투자금을 회수할 수 있을 것으로 기대된다. SK하이닉스의 올해 반기보고서에 따르면, 키옥시아 특수목적법인(BCPE Pangea Intermediate Holdings Cayman)은 올해 상반기에 1천912억원의 평가손실을 기록한 바 있다. 닛케이는 키옥시아의 상장 시점에 기업가치가 1조5천억엔을 넘어설 경우, 2018년 소프트뱅크 그룹의 통신 계열사인 소프트뱅크가 상장한 이래 역대 최대 규모가 될 것으로 예상했다. 한편, 지난해 키옥시아는 낸드 시장에서 경쟁력을 강화하기 위해 미국 웨스턴디지털 메모리 부문과 합병을 추진했으나, 업황 부진 등의 이유로 무산된 바 있다. 기업 통합에는 투자의 동의가 필요한데, 당시 SK하이닉스는 컨콜에서 "키옥시아에 투자한 자산과 가치에 미치는 영향을 종합적으로 고려해서 합병 건에 대해 동의하지 않는다"라고 밝혔다.

2024.08.23 17:46이나리

SK하이닉스 "핵심 소재·부품 빠르게 수급해 AI 메모리 리더십 지키겠다"

김성한 SK하이닉스 부사장이 22일 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 'HBM(고대역폭메모리) 1위 수성'이라는 전사 목표 달성을 지원하기 위해 구매 본연의 업(業)에 집중하고 있다고 강조했다. 그는 "우리의 목표는 핵심 소재·부품을 빠르게 수급해 회사의 AI 메모리 시장 리더십을 지키고, 설비투자비(CapEx)와 유지보수비를 효율적으로 관리해 경영 목표를 달성하는 데 기여하는 것"이라며 "장기적으로는 총소유비용(TCO)을 줄이면서 미래 반도체 개발을 원활히 수행하도록 지원하는 것이 목표다"고 밝혔다. 김성한 부사장은 SK하이닉스에서 FE구매 담당을 총괄한다. FE구매는 전공정(Front-End)에 필요한 소재·부품·장비를 구매해 현업에 공급하는 조직이다. 품질, 비용, 기술은 기본이며, 배송 전반을 관리하고 수요까지 예측해 업무 간 유기적인 연결을 최적화하는 역할을 맡는다. 이 과정에서 FE구매 구성원들은 총소유비용 절감 전략 수립, 생산능력(CAPA) 확보, 공급업체 최적화, 물량 배분 등을 통해 구매 경쟁력을 높이고 있다. 김 부사장은 "FE구매를 비롯한 구매 조직은 양질의 소부장을 확보하면서도 원가는 절감해 제품 경쟁력을 높이는 일을 한다"라며 "과거 조달구매 중심이었던 조직의 역할이 최근에는 기술구매, 글로벌 소싱, 공급망 생태계 관리 등으로 확대되면서 대내외적으로 중요성이 커졌다. 그 중에서도 FE구매는 웨이퍼 생산에 필요한 필수 소재, 극자외선(EUV) 노광 장비 같은 핵심 장비를 적시에 공급하는, 중요한 역할도 수행하고 있다"고 설명했다. SK하이닉스는 확대된 역할을 한층 효과적으로 해내기 위해 최근 조직 개편을 진행했다. FAB원자재 구매의 경우 개발과 양산 조직을 통합해 유기적으로 협업할 환경을 조성했다. 또 장비·부품구매 조직의 역할을 명확히 하는 한편, 공급망 관리 및 준법 활동을 담당하는 '구매Compliance전략 조직'도 신설했다. 이를 통해 FE구매는 전문성과 유연성을 높이며 다양한 이슈를 해결해 나갈 기반을 갖추게 됐다는 평가가 나온다. 김 부사장은 "구매의 역할이 다양해지고 비중이 커지고 있지만 결국 가장 중요한 것은 기본으로 돌아가(Back To The Basic) 구매 본연의 업무를 충실히 하는 것"이라고 강조했다. 이어서 그는 "다운턴 당시, 구매는 투자를 줄이고 원가 경쟁력을 높여 전사적 비용 절감에 힘을 보탰다. 또 수시로 단가 협상을 했고, 제조·기술 조직과 협업 아이템을 발굴하며 유지보수비(OpEx)를 줄인 것이 주효했다"라며 "동시에 불안정한 국제정세, AI 붐과 같은 변수들에도 대처하면서 공급망 확보, 지속적인 납기 점검, 생산능력 확충 등을 통해 요동치는 메모리 수요에 안정적으로 대응할 수 있었다"고 말했다. SK하이닉스는 공급망을 다변화해 원가를 낮추고 단일 공급망에서 발생할 수 있는 리스크를 줄이는 데 힘썼다. 이를 위해 협력사에 ESG 컨설팅을 제공하고 탄소 저감 관련 현장 평가를 수행하는 등 공급망 ESG 관리도 시행했다. 유관부서 협업, 협력사 교류를 통해 다방면의 마켓 인텔리전스(MI)를 확보하고 시황 예측 체계도 고도화했다. 김 부사장은 "이 모든 것은 '경쟁력 있는 구매를 실현한다'는 본연에 집중했기에 가능했다"고 밝혔다. 그는 현재의 반도체 시장을 '장밋빛'으로만 바라볼 수 없다고 진단하며, 다가올 미래를 대비하는 데 계속해서 힘쓰겠다는 뜻을 전했다.

2024.08.22 09:46이나리

SK하이닉스 "애플·엔비디아 등 M7 맞춤형 HBM 요청중"

류성수 SK하이닉스 부사장은 "M7(매그니피센트7)에서 모두 찾아와 HBM(고대역폭 메모리) 커스텀(맞춤형 제작)을 해달라는 요청을 하고 있다"고 말했다. M7은 탠더드앤드푸어스(S&P) 500 기업 중 대형 기술주 7개 종목인 애플, 마이크로소프트, 구글 알파벳, 아마존, 엔비디아, 메타, 테슬라를 의미한다. 류 부사장은 19일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 SK그룹의 '이천포럼 2024'에서 이 같이 밝히며 "주말 동안 M7 업체들과 전화를 하며 쉬지 않고 일을 했다"며 "그들(M7)의 요청을 만족하게 하기 위해 내부적으로, 한국 전체적으로도 굉장히 많은 엔지니어링 리소스(자원)가 필요한데 이를 확보하려고 다방면으로 뛰어다니고 있다"고 말했다. 이어서 그는 "커스텀 제품과 관련한 요구 사항이 많아지는 등 패러다임의 큰 전환점에 직면했다"며 "이 기회를 잘 살리면서 메모리 사업을 지속 발전시켜가겠다"고 덧붙였다. HBM은 고성능 메모리로 많은 양의 데이터를 처리할 수 있어 인공지능(AI) 가속기에 필수적으로 사용되고 있다. 최근에는 AI 반도체 기업들이 자사 기술의 특징에 맞는 맞춤형 HBM을 요구하기 시작했다. HBM 시장 세계 1위인 SK하이닉스는 내년 하반기 맞춤형 HBM인 6세대 HBM4을 파운드리 업체인 TSMC와 협력해 준비 중이다. SK하이닉스는 두 가지 방향의 AI 메모리 전략도 소개했다. 류 부사장은 "AI 시장이 세분화하면서 지금의 HBM보다 성능과 저전력에서 20~30배 개선되고 차별화한 (메모리) 제품을 목표의 한 가지 축으로 전개해야 할 것"이라고 밝혔다. 이번 포럼에는 최태원 SK그룹 회장을 비롯해 최재원 수석부회장, 최창원 SK수펙스추구협의회 의장, 박상규 SK이노베이션 사장, 유영상 SK텔레콤 사장, 곽노정 SK하이닉스 사장, 이석희 SK온 사장 등이 참석했다.

2024.08.19 22:56이나리

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