검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'SK하이닉스'통합검색 결과 입니다. (517건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

마이크론, HBM 매출 급증…연내 점유율 20% 돌파 '자신감'

미국 마이크론이 고대역폭메모리(HBM) 사업 확대에 자신감을 드러냈다. 올 연말까지 HBM 시장 점유율을 23~24%까지 끌어올리겠다는 목표를 세우고, 차세대 HBM 제품 역시 "여러 고객사와의 샘플 테스트에서 긍정적인 반응을 얻고 있다"고 강조했다. 마이크론은 2025 회계연도 3분기(2025년 3~5월) 매출액 93억 달러(약 12조8천억원) 영업이익 24억9천만 달러(약 3조4천억원)를 기록했다고 26일 밝혔다. 역대 최대 실적으로, 증권가 컨센서스 역시 큰 폭으로 웃돌았다. HBM 매출은 전분기 대비 50%가량 증가한 것으로 나타났다. 특히 가장 최선단에 위치한 HBM3E 12단 수율 및 생산량 증가가 순조롭게 진행되고 있으며, 고객사 4곳에 대량으로 제품을 출하하고 있다는 게 회사 측 설명이다. AMD 역시 최근 행사에서 최신형 GPU 'MI355X'에 마이크론 HBM3E 12단 제품을 채택했다고 밝힌 바 있다. HBM 전체 시장 규모에 대해서는 지난해 180억 달러(약 24조4천억원)에서 올해 350억 달러(약 47조5천억원)로 2배 가까이 성장할 것으로 내다봤다. 이는 기존 전망과 대체로 일치한다. 마이크론은 올 연말까지 HBM 시장 내 점유율을 D램 시장 점유율(23~24%)과 비슷한 수준까지 달성하겠다고 제시한 바 있다. 현재 마이크론은 이를 예상 대비 빠르게 달성 가능할 것으로 보고 있다. HBM4에 대해서도 자신감을 드러냈다. HBM4는 이르면 올 하반기 양산되는 차세대 HBM으로, 내년 HBM 시장에서 상당한 비중을 차지할 것으로 예상되는 제품이다. AI 업계를 주도하는 엔비디아 AI 반도체 '루빈'에 탑재될 예정이다. 마이크론은 "HBM4는 여러 고객사에 샘플을 제공해 만족스럽게 평가를 진행 중"이라며 "충분기 검증된 1b(5세대 10나노급) D램을 기반으로 성능과 전력 효율성 모두 강점을 갖추고 있다"고 강조했다.

2025.06.26 10:15장경윤

HBM 바람 탄 마이크론, 역대 최대 실적…삼성·SK도 훈풍 기대

미국 마이크론이 업계 예상을 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 인공지능(AI) 산업 발달로 고부가 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 출하량이 크게 증가한 덕분이다. 국내 메모리 업계 역시 견조한 실적이 예상되는 상황으로, 특히 HBM 사업을 적극 확장 중인 SK하이닉스의 높은 성장세가 기대된다. 마이크론은 5월 마감된 2025 회계연도 3분기에 매출 93억 달러(한화 약 12조8천억원) 영업이익 24억9천만 달러(약 3조4천억원)를 기록했다고 26일 발표했다. 매출은 전년동기 대비 36.6%, 전분기 대비 15.5% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 164.6%, 전분기 대비 24.1% 증가했다. 이번 실적은 마이크론 사상 최고 분기 매출에 해당한다. 증권가 컨센서스(매출액 88억5천만 달러, 영업이익 21억3천만 달러)도 크게 웃돌았다. 산제이 메흐로트라 최고경영자(CEO)는 "HBM 매출이 전 분기 대비 거의 50% 성장한 것을 포함해 사상 최고의 D램 매출을 기록한 덕분"이라며 "2025 회계연도 기준으로도 연간 사상 최고 매출을 달성할 것으로 예상되며, 증가하는 AI 기반 메모리 수요를 충족하고자 체계적인 투자를 진행하고 있다"고 밝혔다. 실제로 마이크론의 해당 분기 D램 매출액은 70억7천만 달러로 전년동기 대비 51.5%, 전분기 대비 15% 증가했다. 출하량은 전분기 대비 20% 이상 증가했다. 마이크론은 2025 회계연도 4분기(2025년 6~8월)에 대한 전망도 긍정적으로 제시했다. 매출 가이던스는 중간값 기준 107억 달러로, 증권가 컨센서스(98억1천만 달러)를 또 한번 크게 앞섰다. 마이크론은 "긍정적은 수요 환경에 따라 올해 업계 연간 D램 비트(bit) 수요 성장률은 10% 후반, 낸드는 10% 초반대를 기록할 것"이라며 "중기적으로는 D램과 낸드 모두 연평균성장률(CAGR) 기준으로 10% 중반대의 비트 수요 성장을 예상한다"고 밝혔다.

2025.06.26 08:35장경윤

SK하이닉스, 청주에 7번째 후공정 라인 신설 추진

SK하이닉스가 반도체 패키징 생산능력 확장을 위한 신규 투자에 나선다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 사내 게시판에 'P&T(Package & Test) 7' 팹을 짓기 위해 과거 매입한 청주 LG 2공장 부지 내 건물을 철거할 계획이라고 공지했다. 철거는 오는 9월 마무리될 예정이다. SK하이닉스는 이천과 청주 지역에 후공정 팹을 운영해 왔다. 기존 SK하이닉스시스템IC의 공장으로 활용돼 온 M8 공장을 개조한 P&T 6까지 보유하고 있으며, 이번이 7번째 팹에 해당한다. P&T 7의 구체적인 착공 시점 및 용도는 아직 확정되지 않았다. 다만 반도체 제조 공정에서 후공정의 중요성이 점차 높아지고 있어, SK하이닉스가 적극적인 투자 의지를 보일 것이라는 기대감이 나온다. SK하이닉스 관계자는 "반도체 후공정의 중요성이 높아지는 만큼, 시설을 확충해 후공정 경쟁력을 강화하기 위한 취지"라고 밝혔다.

2025.06.24 10:22장경윤

"美, 삼성·SK 中 반도체 공장에 미국산 장비 반입 제한 압박"

미국 도널드 트럼프 정부가 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업들의 중국 내 공장에 미국산 장비가 도입되는 것을 제한하는 방안을 추진 중이라고 월스트리트저널(WSJ)이 20일 보도했다. WSJ는 익명의 소식통을 인용해 "제프리 케슬러 미국 상무부 수출 통제 부문 책임자가 이번 주 삼성전자, SK하이닉스, 대만 TSMC에 이 같은 내용을 고지했다"며 "기업들에게는 미국 핵심 기술이 중국으로 넘어가는 것을 막기 위한 조치라고 설명했다"고 밝혔다. 앞서 미국은 바이든 정부 시절인 지난 2022년 10월 미국 반도체 장비 기업들이 중국 반도체 제조공장에 제품을 수출할 때 사전 허가를 받도록 했다. 사실상 중국향 수출을 금지하는 조치로 해석된다. 규제 대상은 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드, 14나노 이하 로직 반도체 등이다. 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 그동안 국내 기업들은 미국 정부로부터 수출 규제에 대한 유예 조치를 받아 왔다. 그러나 이번 미국의 규제 방향이 변경될 경우, 국내 및 대만 반도체 기업들은 중국 내 설비투자를 진행할 때마다 미국 정부에 개별 허가를 받아야 될 것으로 전망된다. 다만 이 같은 미국 정부의 방침이 아직 확정된 것은 아니다. WSJ는 "케슬러가 주도하는 상무부 산업안보국의 이 같은 입장은 미 정부 내 다른 부처의 동의를 얻지는 못한 상태"라며 "케슬러와 같은 강경파들이 친기업 성향 관계자들과 갈등을 빚고 있다"고 설명했다.

2025.06.21 23:10장경윤

中 CXMT, DDR5 시장서 급성장…연말 점유율 7% 전망

중국 CXMT(창신메모리테크놀로지)가 지난해에 이어 올해에도 D램 출하량을 크게 늘릴 계획이다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 기업들이 선점해 온 DDR5·LPDDR5 시장에서도 점유율을 빠르게 늘려나갈 것으로 관측된다. 20일 카운터포인트리서치에 따르면 올해 중국 CXMT의 D램 출하량 점유율은 1분기 6%에서 연말 8%까지 확대될 전망이다. 지난 2016년 설립된 CXMT는 중국 최대 D램 제조업체다. 현지 정부의 전폭적인 지원 하에 생산능력을 확대하는 추세로, 올해 생산능력은 전년 대비 50% 가까이 증가한 월 30만장에 이를 것으로 예상된다. 특히 CXMT는 최근 DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙) 메모리에서 벗어나, DDR5· LPDDR5 등 선단 메모리로의 전환을 가속화하고 있다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "CXMT의 성장세는 출하량에서도 나타나는데, 1분기 1%도 채 되지 않는 DDR5 및 LPDDR5 시장 점유율이 4분기에는 7~9%까지 상승할 것"이라고 말했다. 다만 CXMT는 최선단 D램 제조에 필요한 HKMG(High-k Metal Gate) 공정에서 어려움을 겪고 있다. HKMG 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해, 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 기술이다. 최 연구원은 "따라서 CXMT의 차세대 D램은 1b(5세대 10나노급) 대비 상대적으로 공정 난이도가 낮은 1a(4세대) 기반으로 제조될 가능성이 커지고 있다"며 "그러나 CXMT는 '3D D램' 혁신에 중점을 두고, 지속적인 증설이 예상되므로 중국의 성장세를 주목해야 한다"고 밝혔다.

2025.06.20 11:20장경윤

한미반도체, 신공장에 '하이브리드 본더' 라인 추가…차세대 HBM 공략

한미반도체가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 공략을 위한 투자에 나선다. 올해 초 착공에 나선 신공장에 하이브리드 본더 전용 공장을 추가해, 기술력 및 생산능력을 미리 확보할 계획이다. 한미반도체는 제7공장에 하이브리드 본더 전용 공장을 구축한다고 20일 공시를 통해 밝혔다. 앞서 한미반도체는 지난 1월 HBM(고대역폭메모리) 시장 확대에 대응하기 위한 제7공장 기공식을 진행한 바 있다. 해당 공장은 4천356평 규모의 지상 2층 건물로, 주력 장비인 TC(열압착) 본더와 신규 패키징 장비를 양산할 예정이다. 아울러 한미반도체는 당초 계획된 제7공장에 추가로 하이브리드 본더 전용 라인을 만들기로 했다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. 기존 TC 본딩처럼 D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아, 패키지 두께를 줄이는 데 훨씬 용이하다. 때문에 주요 메모리 기업들은 이르면 16단 HBM4부터 하이브리드 본딩을 양산 적용하기 위한 연구개발을 진행해 왔다. 한미반도체 역시 향후 HBM 시장에서 하이브리드 본딩 기술이 상용화될 것을 고려해, 관련 연구개발 및 생산능력 확대를 추진하려는 것으로 풀이된다. 한편 제7공장 완공 시기는 내년 4분기로 예상된다. 당초에는 올해 4분기 완공 예정이었으나, 공장 규모가 확대되면서 완공 시점도 다소 연기됐다.

2025.06.20 10:24장경윤

"中 CXMT, 2027년 HBM3E 출시 목표"...美 장비 수출 제한 변수

중국 D램 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 기술 개발에 박차를 가하고 있다. 대만 매체 디지타임스는 CXMT가 2027년 HBM3E(5세대) 시장 진입을 노린다고 18일 보도했다. 회사는 2025년 내 HBM3 샘플을 출시하고, 2026년에는 양산 체제를 구축한 후 HBM3E로 진입할 계획이다. 다만 미국 상무부의 첨단 장비 수출 제한이 변수가 될 전망이다. 고도화된 EUV, 식각장비, TSV(실리콘관통전극) 공정 등이 타깃이 되면서 CXMT와 중국 전체가 여전히 장비 확보에 어려움을 겪고 있다. 한편, CXMT는 DDR4 생산을 조만간 종료하고 DDR5, HBM 등 고부가 제품을 강화한다. DDR4는 2026년 중반 이후 점진적으로 생산을 끝낼 계획이다. DDR5의 경우 생산 비중을 연내 전체 D램의 60% 이상으로 확대하겠다는 목표다. 하지만 기술적인 난관도 존재한다. CXMT DDR5 샘플 일부는 고온(60°C) 조건에서 불안정성을 보였으며, 수율 또한 업계 기준에 비해 낮은 수준으로 평가된다. 반면, 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM3E 개발을 한층 앞서 진행 중이다. SK하이닉스는 HBM3E 관련 설비를 확대해 인증을 준비하고 있으며, 삼성전자는 엔비디아 인증 절차 중 일부에서 지연을 겪기도 했지만 재도전 중이다.

2025.06.18 16:20전화평

"美 상원, 반도체법 투자세액공제 25%→30% 상향 추진"

도널드 트럼프 미국 대통령이 반도체 지원법 폐지를 주장하는 가운데, 미국 상원은 반도체 제조업체에 대한 보조금을 높이는 방안을 추진하고 있다. 블룸버그통신은 미국 상원이 반도체 제조업체에 대한 투자세액공제율을 기존 25%에서 30%로 높이는 방안을 세제안에 담았다고 현지시간 16일 보도했다. 이번 상원 세제 초안은 2026년 말 투자세액공제 종료 전 공장을 착공하는 기업을 대상으로 30% 세액공제를 적용하는 내용을 담고 있다. 특히 건설이 계속 진행되는 한도 내에서 공제를 지속할 수 있도록 제도적 유연성을 확보했다. 쉽게 말해 2026년 말까지 공장을 착공하는 기업은 5%p(포인트) 높은 세액공제를 받을 수 있는 셈이다. 전임 조 바이든 대통령이 2022년 서명한 반도체법은 반도체 제조업체들의 미국 내 설비투자 규모와 연동해 보조금을 지원한다. 지원 규모는 5년간 총 527억달러(약 72조원)로 알려졌다. 이번 세제안과는 달리 도널드 트럼프 대통령은 반도체법의 폐지를 요구하고 있다. 그러나 공화당과 민주당 양당 의원들은 지역구에 고임금 일자리를 제공하는 보조금을 폐지하려는 뜻이 없는 상황이다. 블룸버그는 “트럼프 전 행정부가 반도체 지원법 철회를 추진했으나, 고용과 지역 경기 활성화를 고려한 초당적 움직임으로 정책 조정이 불가피하다”는 분석을 내놓았다.

2025.06.17 17:20전화평

SK하이닉스, 아마존 AI 투자 수혜…HBM3E 12단 공급 추진

AWS(아마존웹서비스)가 SK하이닉스 HBM(고대역폭메모리) 사업 핵심 고객사로 떠오르고 있다. 전 세계 AI 데이터센터 구축에 막대한 투자를 진행하는 한편, 국내에서도 SK그룹과의 협력 강화를 도모하고 있어서다. 나아가 AWS는 이르면 올해 말 자체 개발한 3세대 AI칩 출시를 계획하고 있다. 이에 SK하이닉스도 현재 HBM3E 12단 제품을 적기에 공급하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 17일 업계에 따르면 SK하이닉스는 AWS의 AI 인프라 투자에 따라 HBM 사업 확장을 추진하고 있다. AWS, 세계적 AI 인프라 투자·SK와 협력 강화 AWS는 SK하이닉스 HBM 사업에서 엔비디아의 뒤를 이을 핵심 고객사로 자리잡고 있다. 전 세계적으로 데이터센터 확장을 추진하고 있고, 차제 ASIC(주문형반도체) 개발로 HBM 수요량도 늘려가고 있기 때문이다. 일례로 AWS는 지난 14일(현지시간) 올해부터 오는 2029년까지 호주 내 데이터센터 확충에 200억 호주달러(한화 약 17조6천억원)를 투자한다고 발표했다. 앞서 이 회사는 미국 노스캐롤라이나주에 100억 달러, 펜실베니아주에 200억 달러, 대만에 50억 달러 등을 투자하기로 한 바 있다. 올해 AI 인프라에 쏟는 투자금만 전년 대비 20%가량 증가한 1천억 달러에 달한다. SK그룹과의 협력 강화도 기대된다. AWS는 SK그룹과 협력해 올해부터 울산 미포 국가산업단지 부지에 초대형 AI 데이터센터를 구축할 계획이다. 오는 2029년까지 총 103MW(메가와트) 규모를 가동하는 것이 목표다. AWS는 40억 달러를 투자할 것으로 알려졌다. AWS의 AI 데이터센터 투자는 HBM의 수요를 촉진할 것으로 기돼된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 기존 D램 대비 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. AI 데이터센터용 고성능 시스템반도체에 함께 집적된다. 현재 AI용 시스템반도체는 엔비디아 GB200, GB300 등 '블랙웰' 칩이 시장을 주도하고 있다. 업계에 따르면 올해 AWS가 엔비디아의 GB200·GB300 전체 수요에서 차지하는 비중은 7%로 추산된다. 자체 AI칩 '트레이니엄'에 HBM3E 12단 공급 추진 동시에 AWS는 머신러닝(ML)에 특화된 '트레이니엄(Trainium)' 칩을 자체 설계하고 있다. 해당 칩에도 HBM이 탑재된다. 지난해 하반기 출시된 '트레이니엄 2'의 경우, 버전에 따라 HBM3 및 HBM3E 8단 제품을 채택했다. 최대 용량은 96GB(기가바이트)다. 이르면 올 연말, 혹은 내년에는 차세대 칩인 '트레이니엄 3'를 출시할 계획이다. 이전 세대 대비 연산 성능은 2배, 전력 효율성은 40%가량 향상됐다. 총 메모리 용량은 144GB(기가바이트)로, HBM3E 12단을 4개 집적하는 것으로 파악됐다. HBM3E 12단은 현재 상용화된 HBM 중 가장 고도화된 제품이다. SK하이닉스도 이에 맞춰 AWS향 HBM3E 12단 공급을 준비 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "아마존이 자체 AI 반도체 생산량 확대에 본격 나서면서 HBM3E에 대한 관심도 크게 높아졌다"며 "SK하이닉스는 지난해에도 AWS에 HBM을 상당량 공급해 왔고, 현재 트레이니엄 3 대응에도 적극적으로 나서는 분위기"라고 말했다.

2025.06.17 13:59장경윤

SK하이닉스, 최선단 D램·HBM 설비투자 '신중 모드'

SK하이닉스가 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대를 위한 투자에 신중한 태도를 보이고 있다. 당초 신규 공장에 설비를 조기 반입하기로 한 계획을 늦추고, 올해 전체적인 설비투자 규모를 확정하는 시기도 미뤄지고 있는 것으로 파악됐다. SK하이닉스가 대내외적인 불확실성이 높아진 상황에서 섣부른 투자 집행을 경계하려는 것으로 보인다. 16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 청주 M15X를 비롯한 올해 설비투자 계획을 당초 예상 대비 지연이 예상된다. M15X는 SK하이닉스의 최선단 D램 및 HBM 양산을 담당할 신규 생산기지다. 총 투자 규모는 20조원으로, 지난해 2분기부터 공사에 들어가 올해 4분기 준공을 목표로 하고 있다. AI 산업 성장으로 최선단 D램 및 HBM에 대한 수요가 늘어날 것으로 기대되는 만큼, SK하이닉스는 M15X 투자에 공세적으로 나서왔다. 올해 초에는 M15X의 클린룸 등 인프라 투자 일정을 2분기 말에서 2분기 초로 앞당긴 바 있다. 이에 따라 팹 내 장비 반입 시점도 당초 예상 대비 1~2개월 빠른 9~10월경으로 전망돼 왔다. 그러나 최근 SK하이닉스의 기조가 변했다. M15X의 투자를 앞당기는 계획을 늦추기로 하고, 팹 내 장비 반입 시점을 10~11월경으로 되돌린 것으로 파악됐다. 올해 M15X에 들어서는 최선단 D램도 월 1만5천장 수준에서 1만장 아래의 생산능력으로, 사실상 시생산 용도의 원패스(One path) 라인이 구축될 가능성이 유력하다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 연말부터 M15X에서 D램 양산을 시작하기 위해 설비투자를 앞당기는 방안을 논의해 왔으나, 실제 투자심의 및 발주 일정이 밀리고 있는 것으로 안다"며 "투자를 무작정 앞당기기보다는 내년부터 본격적으로 투자를 집행하겠다는 의도"라고 설명했다. SK하이닉스의 올해 전체 설비투자 계획이 확정되는 시점도 지속 미뤄지고 있는 것으로 알려졌다. 엔비디아향 최선단 HBM 공급으로 견조한 수익성을 유지하고는 있으나, 여러 경영 여건을 고려해 투자 속도 조절에 나선 것으로 풀이된다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 설비투자에 17조9천650억원을 집행했다. 올해에는 이보다 많은 규모를 투자하겠다고 밝힌 바 있어, 20조원 중반대의 투자가 이뤄질 것으로 예상된다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 20조원 중후반대의 공격적인 투자를 진행할 것이라는 기대감도 있으나, 최근 진행되고 있는 실제 투자 계획을 고려하면 이에 미치지 못할 가능성이 크다"며 "SK그룹 내부적으로도 투자 계획의 타당성, 효용성 등을 깐깐히 살펴보면서 실제 투자 집행 승인이 미뤄지고 있는 것으로 안다"고 말했다.

2025.06.16 15:18장경윤

마이크론, 美 D램·HBM 공급망에 271조 '통큰 투자'…메모리 경쟁 격화

미국 마이크론이 현지 최첨단 메모리 생산 능력과 기술력 강화에 총 271조원을 투자한다. 회사의 전체 D램의 40%를 미국 내에서 생산하는 것이 목표로, AI 산업에 필수적인 HBM(고대역폭메모리) 생산 능력도 확충할 계획이다. 마이크론은 도날드 트럼프 행정부와 함께 미국 내 메모리 제조에 약 1천500억 달러, 연구개발(R&D)에 500억 달러를 투자하겠다고 12일(현지시간) 밝혔다. 총 투자 규모는 2천억 달러(한화 271조원)에 달한다. 이번 발표로 마이크론은 기존 계획 대비 투자 규모를 300억 달러 확대하게 됐다. 추가 투자 방안으로는 아이다호주 보이시에 두 번째 첨단 메모리반도체 공장 건설, 버지니아주 매너서스의 기존 제조 시설 확장 및 현대화, 미국 내 HBM 패키징 제조라인 도입 등이 포함됐다. 이로써 마이크론은 아이다호주에 2개의 최첨단 대량 양산 공장, 뉴욕주에 최대 4개의 최첨단 대량 양산 공장, 버지니아주 제조 시설의 확장 및 현대화, 고급 HBM 패키징 라인 및 연구개발 시설 등 총 2천억 달러에 이르는 미국 내 대규모 투자 로드맵을 완성했다. 마이크론은 "이러한 투자는 시장 수요 대응 및 시장 점유율 유지, D램의 40%를 미국 내에서 생산하겠다는 목표를 달성하기 위한 설계"라며 "특히 2개의 아이다호주 제조 공장은 R&D 시설과 인접해 규모의 경제를 실현하고, HBM을 포함한 첨단 제품의 시장 출시 기간을 단축하는 데 일조한다"고 강조했다. 마이크론의 아이다호주 첫 번째 공장은 오는 2027년부터 D램 양산을 시작할 예정이다. 두 번째 공장 역시 연말께 부지 조성을 시작하는 뉴욕주의 첫 번째 공장보다 먼저 가동될 것으로 예상된다. 아이다호주의 두 공장이 완공되면, 마이크론은 미국에 첨단 HBM 패키징 설비를 도입할 계획이다. 또한 마이크론은 칩스법에 따라 버지니아주 설비투자에 2억7천500만 달러의 자금을 지원받기로 확정했다. 해당 투자는 올해 시작된다. 미국 내 전체 투자에 대한 지원금으로는 64억 달러를 받을 예정이다. 마이크론의 투자 발표에 마이크로소프트, 엔비디아, 애플, 델테크놀로지스, 아마존웹서비스(AWS), AMD, 퀄컴 등 미국 빅테크 기업들은 일제히 환영의 뜻을 밝혔다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 "마이크론과 트럼프 행정부의 미국 내 첨단 메모리 및 HBM 투자는 AI 생태계를 위한 중대한 진전"이라며 "마이크론의 고성능 메모리 산업 리더십은 엔비디아가 주도하는 차세대 AI 혁신을 가능케 하는 데 있어 매우 귀중하다"고 말했다.

2025.06.13 10:11장경윤

韓 HBM에 도전장 낸 日 사이메모리, 기본 구조 베일 벗었다

한 때 반도체 왕국을 건설하며 세계 시장을 호령하던 일본이 HBM(고대역폭메모리)을 뛰어넘는 차세대 메모리 반도체 개발에 돌입했다. 이 칩은 연산(프로세서)과 저장(메모리) 장치를 하나의 패키지 안에 수직으로 통합해 속도를 획기적으로 끌어올린 게 특징이다. 13일 반도체 업계 및 외신에 따르면 일본 소프트뱅크와 미국 인텔이 손을 잡고 '사이메모리(Saimemory)'를 설립했다. 회사는 저전력 AI용 메모리를 개발하는 기업이다. HBM과 비교해 전력 소모량이 절반 수준에 불과한 메모리를 개발하는 게 목적이다. HBM 시장의 90% 이상을 한국이 점유율하고 있는 만큼, 한국을 중심으로 편성된 메모리 시장의 지형도를 바꾸겠다는 의도로 해석된다. 사이메모리는 도쿄대학교 등 일본 학계의 특허와 인텔의 기술을 접목한 3D 스택형 D램 기반 메모리 시제품을 2027년까지 완성하는 것을 목표로 하고 있다. 상용화 시점은 2030년 이전으로 예상된다. AI칩까지 한번에 3D 패키징...뉴로모픽과 유사해 사이메모리는 기존 컴퓨터 구조와 다르다. 일반적으로 컴퓨터는 프로세서, 메모리, 프로그램 3가지로 구성된다. 이를 폰 노이만 구조라고 한다. 폰 노이만 구조의 컴퓨터는 연산과 저장의 역할을 각각 프로세서(CPU, GPU, NPU 등)와 메모리로 나눈다. 역할이 다른 만큼 물리적 위치도 떨어져 있다. 프로세서와 메모리 사이의 신호 전송 거리를 단축시키는 인터포저가 필요한 이유다. 반면 사이메모리는 메모리와 프로세서를 함께 적층했다. HBM이 D램만 적층한 뒤 GPU 옆에 놓은 칩이라면, 사이메모리는 GPU와 HBM을 함께 쌓은 걸로 이해하면 쉽다. 연산과 저장 장치가 붙어 있는 만큼 데이터 복사 없이 연산이 가능하다. 고성능 컴퓨팅의 고질적인 문제였던 병목 현상을 완화시킬 수 있는 셈이다. 이를 가능하게 해주는 기술이 일본 도쿄대의 특허다. 도쿄대는 지난 2019년 3월 '3D 스택 메모리를 포함한 AI 프로세서(Artificial intelligence processor with 3D stack memory)'라는 명칭의 특허를 등록했다. 사실상 패키징 기술로, TSV(실리콘 관통 전극) 등 기술을 통해 계층 간 초고속 연결을 실현한다. 전체적인 콘셉트는 뉴로모픽 반도체와 유사하다. 뉴로모픽은 인간의 뇌를 본따 만든 반도체로, 폰 노이만 구조에서 완전 벗어난 게 특징이다. 두 칩의 차이는 뉴로모픽이 연산과 저장이 하나의 소자에서 이뤄지는 반면, 사이메모리는 칩을 붙였을 뿐 하나의 소자에서 연산과 저장이 이뤄지지는 않는다. 부분적으로 폰 노이만 구조를 벗어났지만 완전한 탈피는 아닌 것이다. 신현철 반도체공학회 학회장 겸 광운대 반도체시스템공학부 교수는 “사이메모리는 프로세서와 메모리가 어쨌든 각각 다른 칩”이라며 “뉴로모픽은 연산과 기억을 하나의 소자에서 해야 한다. 뉴로모픽 반도체는 아닌 것 같다”고 설명했다. 이종한 상명대학교 시스템반도체공학과 교수는 “폰 노이만 구조는 메모리와 비메모리(시스템)이 데이터를 주고 받는 것인데 사이메모리도 이를 크게 벗어나진 않는 것 같다”며 “기존 구조는 유지하되 부분적으로 성능을 꾀하는 것”이라고 말했다. 이종 연결 기술이 어려워...양산이 장애물 상용화에 가장 큰 장애물은 이종 간 연결로 평가된다. 메모리와 프로세서는 칩의 구조 자체가 완전 다르다. 단순히 서로 다른 칩을 연결하는 문제가 아니라 재료, 전기, 열, 신호 처리 등 복잡한 문제가 엉켜있다. 만약 전기적 특성이 다르면 제대로 동작하지 않거나 장치에 손상이 일어날 가능성이 높다. 현재 파운드리(반도체 위탁생산) 업계에서는 이 같은 이종 반도체 간 연결을 하나의 패키지로 통합하는 기술을 개발하고 있다. 삼성전자에서는 아이큐브(I-Cube), TSMC는 인포(InFO), 인텔은 포베로스(Foveros)라고 부른다. 다만 프로세서 명가 인텔이 사이메모리에 참여한 만큼 이종간 칩 연결이 가능할 것이라는 의견도 나온다. 신현철 학회장은 “서로 다른 칩을 연결하는 건 마치 볼트가 구멍에 맞지 않는데 연결하는 그런 느낌”이라면서도 “인텔이 워낙 프로세스를 잘하는 업체니까 이쪽 부분에서 해결할 수 있는 기술이 있을 것 같다”고 예상했다. 다른 장애물로는 양산이 꼽힌다. 연구를 마치고 양산에 들어갈 때 칩의 수율을 확보하기 어려울 수 있다는 의견이다. 아울러 사이메모리가 메모리 팹리스(반도체 설계전문)를 표방하는 만큼, 지금까지 메모리의 생산 방식과 다를 가능성이 높다. 지금까지 메모리 반도체 업체들은 설계와 제조를 같이 하는 IDM(종합반도체기업)이었다. 메모리 팹리스라는 사업을 얘기한 곳은 사이메모리가 처음이다. 이종한 교수는 “뉴로모픽도 개발은 어느 정도 됐는데 양산은 또 다른 이야기인 것처럼, 실제로 양산하는 건 다른 문제”라고 말했다.

2025.06.13 10:07전화평

"HBM4 80개 高집적"…TSMC, 차세대 패키징 고도화

대만 파운드리 TSMC가 차세대 AI 반도체 시장을 목표로 첨담 패키징 기술을 고도화하고 있어 주목된다. AI 반도체가 점차 고성능·대면적화되는 추세에 맞춰, HBM4(6세대 고대역폭메모리)를 80개까지 탑재한 제품을 고안해낸 것으로 파악됐다. 12일 업계에 따르면 TSMC는 지난달 말 미국 텍사스주에서 열린 'ECTC 2025(전자부품기술학회)'에서 초대형 AI 반도체를 위한 '시스템온웨이퍼(SoW-X)'의 구체적인 구조를 발표했다. 16개 컴퓨팅 칩에 80개 HBM 연결…기존 대비 전성비 1.7배 향상 SoW-X는 TSMC가 오는 2027년 양산을 목표로 하고 있는 차세대 패키징 기술이다. GPU·CPU 등 고성능 시스템반도체와 HBM을 집적한 AI 반도체 분야에 적용될 예정이다. SoW-X는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 것이 핵심이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 이 때 RDL은 칩 외부로 확장되는데, TSMC에서는 이를 InFO(Integrated Fan-Out)라고 부른다. SoW-X는 웨이퍼 전체를 활용하기 때문에 초대형 AI 반도체 제작이 가능하다. TSMC가 발표한 자료에 따르면, SoW-X는 최대 16개의 고성능 컴퓨팅 칩, 80개의 HBM4 모듈을 집적했다. 이로 인해 총 메모리 용량은 3.75TB(테라바이트), 대역폭은 160TB/s에 이른다. 또한 SoW-X는 동일한 수의 컴퓨팅 칩을 사용하는 기존 AI 반도체 클러스터에 비해 전력 소비량은 17% 줄어들었으며, 46% 향상된 성능을 제공할 수 있다. TSMC는 "SoW-X는 각 칩 간의 뛰어난 연결성과 낮은 소비 전력으로 기존 AI 반도체 클러스터 대비 와트(W)당 전체 성능이 1.7배 가량 개선됐다"며 "훨씬 더 많은 시스템반도체와 HBM을 통합해 시스템 전력 효율성이 향상되며, 기존 기판 연결의 어려움도 제거할 수 있다"고 설명했다. HPC·AI 시장 목표…"수요 당장 많지 않다" 지적도 TSMC는 SoW-X를 업계 표준을 능가하는 혁신적인 기술 플랫폼으로 평가하며, 차세대 고성능 컴퓨팅 및 AI 산업을 공략하겠다고 밝혔다. 다만 SoW-X 기술이 AI 메모리 시장에 미칠 여파가 당장은 크지 않다는 지적도 제기된다. HBM 탑재량이 80개로 매우 많지만, 지금 당장은 초대형 AI 반도체에 대한 수요가 제한적이라는 이유에서다. 실제로 SoW-X의 이전 세대로 지난 2020년 도입된 SoW는 테슬라·세레브라스 등 소수의 고객사만이 양산에 채택한 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "테슬라의 슈퍼컴퓨팅 '도조(Dojo)' 전용 칩인 'D1'처럼, SoW-X는 완전한 커스터마이즈 칩을 위한 기술로서 니치 마켓에 부합한다"며 "워낙 많은 칩이 탑재되고 기술적인 난이도도 높아, 대중적인 AI 반도체 패키징 기술을 당장 대체하기는 어려울 것"이라고 말했다.

2025.06.12 15:54장경윤

"한국형 우주망원경, 규모 크진 않아도 5년 내 구축 추진"

"우리나라도 독자적인 우주망원경을 갖출 때가 됐습니다. 대규모는 아니어도, 현재 5년 내 개발을 목표로 기획을 진행 중입니다." 박장현 한국천문연구원장은 지난 10일 취임 5개월 차를 맞아 개최한 기자간담회에서 ▲장기비전 2070 ▲기관운영 방안 ▲주요예상 성과 등을 공개하며 이같이 말했다. 박 원장은 "50cm급 비축 자유곡면 삼 반사 광시야(보름달 약 100개를 한 번에 관측할 수 있는) 광학망원경인 'K-드리프트(DRIFT) 같은 류의 지상 망원경을 기반으로 개발한다면 가능할 것"으로 내다봤다. 미래 50년에 대비해 한국천문연구원이 나아갈 비전 2070에 대해서도 간략히 설명했다. 미션은 '우주에 대한 근원적 의문에 과학으로 답한다'이다. 이를 위해 5대 미래 방향과 16개 도전 목표를 제시했다. 눈길을 끄는 주요 목표로는 우주 생명체 흔적이 있는 외계행성 지도 작성, 태양계내 생명현상 탐사, 기술문명 징후 탐색, 천문 우주 빅데이터 및 AI 생태계 선도 등이다. 삼성전자 SK하이닉스 반도체 탑재 위성, 발사위해 NASA 이송 올해 주요 예상 성과로는 한국우주전파관측망(KVN) 4호기를 갖춘 서울대 평창 전파천문대 12일 개소를 먼저 꼽았다. 또 천문연이 참여하는 세계 최대 남반구 전천 탐사 LSST 프로그램도 올해 중하반기에는 시작할 수 있을 것으로 전망했다. 삼성전자와 SK하이닉스에서 개발한 반도체 등이 실릴 아르테미스 2호 탑재 큐브위성 'K-RadCUBE' 비행모델 미국 이송도 하반기 주요 성과로 예상했다. 이 큐브 위성은 지구 고궤도 상에서 분리 사출돼 근지구 방사선 환경을 관측할 예정이다. 미항공우주국(NASA) 우주망원경 스피어엑스 분광 전천 탐사도 계속한다. 스피어엑스는 내년 말까지 총 4회에 걸쳐 전천 탐사를 수행할 예정이다. 우리나라는 천문연과 서울대 등 연구진이 150억 원을 투입해 이 사업에 참여 중이다. 또 칠레 엘 소스 천문대에 설치한 광학망원경 'K-DRIFT' 2대에서 나올 이미지를 하반기 공개한다. 이외에 중반기 NASA와 공동으로 국제우주정거장에 설치한 태양 코로나그래프(CODEX)의 협대역 필터 관측으로 얻은 태양 코로나 온도 및 속도 분포 영상을 중반기 발표한다. 관측소 무인화...연구과제 20개 수준으로 대폭축소 박 원장은 기관 경영 혁신과 관련해 6가지 방향을 제시했다. 현재 광학, 전파, 우주 구분 방식으로 짜여져 있는 조직을 임무 기반의 메트릭스 구조로 전환한다. 주요사업과 수탁사업, 사업규모, 국가법, 국가계획, 특수 임무 등을 고려해 우주항공청과 상응한 체계를 갖춰 나갈 방침이다. 현재 운영 중이거나 향후 10년 이내 구축 예정인 관측 인프라에 대해선 예산, 인력, 성과에 대한 로드맵을 작성하고 정밀 분석에 들어간다. 관측소 등은 무인화나 원격 운영도 검토한다. 연구과제수도 오는 2026년까지 20여 개 수준으로 대폭 축소한다. 주요사업은 실질적인 중과제 중심 운영체제로 전환할 예정이다. 이외에 주요사업의 현재 예산 수준과 향후 예산 수요 규모의 격차 해소, 빅이슈 도전과 글로벌 주도권 확보, 성과확산 생태계 구축 등도 중점 추진한다. 박 원장은 "경영혁신을 뒷받침하기 위해 연구 수월성과 한시적 TF 운영, 인건비 수권예산 확대 등을 실현할 계획"이라는 입장도 추가로 밝혔다. 경영 키워드로 창의성과 조화 강조 경영 키워드로는 창의성과 조화라는 단어를 꺼내놨다. 창의성은 개인 창의보다는 조직 문화적 창의성을 강조했다. 창의적 조직문화가 만들어질 수 있는 환경을 만들어가겠다는 의미다. 조화는 오케스트라를 예로 들었다. 세계 정상급 오케스트라 단원은 개별 실력도 뛰어나지만 남의 소리를 듣는 능력도 최고이기에, 최상을 소리를 낼 수 있다는 것이다. "개인과 조직의 조화는 최고 수준의 성과와 기관을 만들어 내는 기초적인 밑거름입니다." ◆ 박장현 원장 1963년생. 연세대 천문학과 졸업 후 동 대학에서 박사 학위를 취득했다. 1992년 천문연에 들어가 우주천문연구부장과 우주위험감시센터장 등을 역임했다. 우주천문, 우주탑재체 개발, 우주위험 감시 등 우주항공청이 담당하고 있는 주요 임무와 정책분야에서 30여년 간 일했다.

2025.06.11 12:00박희범

삼성전자, DDR4 깜짝 수요 효과…2분기 실적 '가뭄에 단비'

삼성전자의 레거시 D램 매출이 당초 예상보다 확대될 가능성이 높아졌다. 주요 기업의 감산에 따라 공급 부족 현상이 심화되면서, 가격 상승 및 판매량 증가 효과를 동시에 거둔 덕분이다. 이에 따라 올 2분기 HBM(고대역폭메모리) 사업의 부진을 어느 정도 만회할 수 있을 것으로 전망된다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 중반 DDR4 및 LPDDR4 재고를 당초 예상 대비 큰 폭으로 소진할 수 있을 것으로 관측된다. DDR4 및 LPDDR4는 D램 업계에서 레거시(성숙) 제품에 해당한다. 주요 D램 제조기업은 DDR5 및 LPDDR5X 생산에 주력하고 있는 상황으로, 올 연말까지 DDR4 및 LPDDR4 생산량을 크게 줄이기로 했다. 삼성전자의 경우, 지난해 전체 D램에서 DDR4 및 LPDDR4가 차지하는 매출 비중은 30%대에 달했다. 올해에는 이를 한 자릿 수까지 축소할 계획이다. 반면 고객사는 DDR4 및 LPDDR4 감산에 미리 대응하고자 재고 확보에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이에 따라 DDR4 및 LPDDR4의 가격은 단기적으로 급등세를 보이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격 상승률은 전분기 대비 13~18%로, 당초 전망치(3~8%)를 크게 상회할 전망이다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 상향 조정됐다. 이 같은 추세는 삼성전자의 올 2분기 메모리 사업에도 긍정적인 요소로 작용한다. 레거시 D램이 비주력 사업에 해당하기는 하나, 수요 증가세에 힘입어 기존 삼성전자가 보유했던 재고를 빠르게 소진할 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "DDR4 및 LPDDR4 제품이 소위 '없어서 못 파는' 지경에 이르면서, DDR5와의 가격 프리미엄이 비정상적인 수준으로 좁혀졌다"며 "특히 삼성전자는 모바일 및 가전 고객사에 업계 평균을 웃도는 수준의 가격 인상을 제시한 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "1분기에는 비수기 영향으로 DDR4의 출하량이 다소 줄었으나, 2분기에는 다시 반등하면서 유의미한 매출 확대가 일어날 것으로 보인다"며 "당초 삼성전자가 제시했던 2분기 D램 빗그로스(공급량 증가율)인 10% 초반을 상회할 가능성이 있다"고 말했다. 덕분에 삼성전자는 올 2분기 HBM 사업 부진의 여파를 일부 상쇄할 수 있을 것으로 관측된다. 앞서 삼성전자는 지난 1분기 6~8억Gb(기가비트) 수준의 HBM을 공급한 것으로 추산된다. 전분기(20억Gb 추산) 대비 크게 줄어든 규모로, 올 2분기 역시 1분기와 비슷한 규모의 공급이 예상된다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "2분기 중 DDR4 가격이 가장 큰 폭으로 상승했고, 이에 따른 수혜도 삼성전자가 가장 크게 받을 것으로 예상돼 물량과 가격, 이익률 모두 긍정적인 변수"라며 "반면 HBM은 이전 전망 대비 물량이 크게 부진해, 이를 반영한 메모리 사업부의 2분기 영업이익은 이전 전망과 크게 다르지 않을 것"이라고 밝혔다.

2025.06.11 11:05장경윤

美 마이크론, 차세대 'HBM4' 샘플 출하 성공…SK하이닉스 '맹추격'

미국 마이크론이 차세대 AI 반도체를 위한 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 주요 고객사에 출하했다. SK하이닉스가 지난 3월 업계 최초로 HBM4 샘플을 공급한 데 이은 두 번째 사례로 제품 상용화에 큰 진전을 이뤄냈다. 마이크론은 최근 복수의 주요 고객사에 12단 36GB(기가바이트) HBM4 샘플을 출하했다고 11일 밝혔다. 마이크론은 "이번 출하로 마이크론은 AI 산업을 위한 메모리 성능 및 전력 효율성 분야에서 선도적인 입지를 공고히 하게 됐다"며 "최선단 D램 공정과 검증된 패키징 기술 등을 기반으로 마이크론 HBM4는 고객과 파트너에 완벽한 통합을 제공한다"고 강조했다. 현재 메모리 업계는 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 성공했다. HBM4는 이르면 올 하반기부터 본격적으로 양산될 차세대 제품에 해당한다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 많은 2048개 집적된 것이 특징이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스도 지난 3월 핵심 고객사인 엔비디아에 HBM4 샘플을 조기 공급한 바 있다. 삼성전자의 경우 마이크론·SK하이닉스보다 한 세대 앞선 D램(1c D램; 6세대 10나노급)을 채용해 제품을 개발하고 있다. 올 하반기 개발을 완료하는 것이 목표다. 마이크론의 HBM4는 메모리 스택 당 2.0TB/s 이상의 속도와 이전 세대 대비 60% 이상 향상된 성능을 제공한다. 또한 전력 효율성은 이전 세대 대비 20% 이상 높다. 마이크론은 "HBM3E 구축을 통해 달성한 놀라운 성과를 바탕으로, 당사는 HBM4와 강력한 AI 메모리 및 스토리지 솔루션 포트폴리오를 통해 혁신을 지속적으로 추진해 나갈 것"이라며 "당사 HBM4 생산 이정표는 고객의 차세대 AI 플랫폼 준비에 맞춰 원활한 통합 및 양산 확대를 보장한다"고 밝혔다.

2025.06.11 10:07장경윤

[현장] 전인호 퓨어스토리지 지사장 "올플래시 전환, 국내 산업 생존의 문제"

전인호 퓨어스토리지코리아 지사장이 "국내 산업의 생존과 디지털 경쟁력 확보를 위해 스토리지 인프라의 '올플래시 전환'이 시급하다"고 강조했다. 전 지사장은 10일 서울 강남구 아셈타워에서 개최한 기자간담회에서 "국내 산업이 디지털 전환 경쟁에서 살아남기 위한 스토리지 기반 전략을 제시했다. 올플래시 전환은 기존 하드디스크드라이브(HDD) 기반 저장장치를 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)나 다이렉트 플래시 모듈(DFM) 등 플래시 메모리 기반 저장장치로 바꾸는 것을 뜻한다. 플래시 메모리는 HDD에 비해 읽기·쓰기 속도가 빠르고, 전력 소비는 적으며 물리적 공간도 훨씬 덜 차지하는 장점이 있다. 특히 데이터 사용량이 폭증하는 AI·클라우드 시대에는 처리 속도와 에너지 효율이 핵심 경쟁력이 되면서 올플래시 전환의 필요성이 더욱 부각되고 있다. 전 지사장은 "수도권 IDC는 이미 포화 상태고 전력도 제한되고 있다"며 "올플래시 스토리지를 적용하면 같은 데이터를 10분의 1 공간, 5분의 1 전력으로 운영할 수 있어 기업의 IT 인프라 구조를 근본적으로 개선할 수 있다"고 강조했다. 또 "국내 기업의 70~80%는 여전히 HDD 기반 스토리지를 사용하고 있다"며 "이는 AI·빅데이터 환경이 요구하는 속도와 유연성에 부합하지 않으며, 결국 산업적 낭비이자 국가 경쟁력 저하 요인"이라고 지적했다. 더불어 AI, 영상 분석 등 고속 데이터 처리 수요가 모든 산업에 걸쳐 확산되는 상황에서 올플래시는 기업 생존을 위한 핵심 인프라라고 덧붙였다. 퓨어스토리지는 외부 SSD를 구입해 조립하지 않고 플래시 메모리 원재료를 직접 가공해 자체 설계한 '다이렉트 플래시 모듈(DFM)'을 적용한다. 이를 통해 기존 SSD 대비 압축률, 처리속도, 전력 효율을 극대화하고 시스템 안정성도 높였다. 또 중복제거·압축(DRR) 기술을 통해 실사용 용량 대비 물리 디스크 사용량을 획기적으로 줄일 수 있다는 점도 차별화 포인트로 제시했다. 아울러 전 지사장은 퓨어스토리지가 스토리지를 단순히 '제품'이 아닌 '서비스'로 제공하는 구조로 진화하고 있다고 밝혔다. 그는 "퓨어스토리지는 저장장치를 단순히 파는 것이 아니라 구독형 '에버그린(Evergreen)' 모델을 통해 운영 중단 없이 지속적인 성능 업그레이드를 제공하는 서비스형 스토리지(SaaS) 플랫폼으로 전환 중"이라며 "고객은 예측 가능한 성능과 효율을 확보할 수 있고, 기업은 최신 기술을 지속적으로 제공받는다"고 설명했다. 또한 올플래시 전환이 국내 반도체 산업 생태계에도 긍정적인 파급을 줄 수 있다고 강조했다. 전 지사장은 "삼성과 SK하이닉스처럼 플래시 메모리를 생산하는 기업을 보유한 국가라면 스토리지 수요 기반 역시 플래시 중심으로 전환돼는 것이 유리하다"며 "이는 단순한 저장장치 교체가 아니라 산업적 전략과도 직결된 문제"라고 짚었다. 더불어 "지금은 기술의 문제가 아니라 판단과 실행의 속도 문제"라며 "올플래시는 한국 IT 산업이 한 단계 더 도약할 수 있는 기회인 만큼 가능한 한 빨리, 함께 움직여야 한다"고 강조했다.

2025.06.10 16:48남혁우

한애라 SK하이닉스 신임 이사회 의장 "늘 기술 중심 의사결정 진행할 것"

SK하이닉스 신임 이사회 의장을 맡은 한애라 성균관대학교 법학전문대학원 교수가 회사에 필요한 최우선 미래 전략으로 '기술'을 꼽았다. 한 의장은 10일 SK하이닉스 뉴스룸에 공개된 인터뷰를 통해 “SK하이닉스가 지난 최대 실적을 달성할 수 있었던 이유 중 하나는 HBM(고대역폭 메모리)”이라며 “앞선 기술에 대해 전폭적으로 지원하는 것은 미래에도 중요하다”고 밝혔다. 그러면서 “저 역시 이를 유념하며 늘 기술 중심의 의사결정을 진행하도록 하겠다”고 했다. SK하이닉스는 한 의장을 선임한 배경으로 'AI 리더십 강화'라는 전략적 판단이 있다고 설명했다. AI 시대의 본원적 경쟁력을 높이기 위해선 이를 뒷받침할 견고한 거버넌스 체계가 필요하며, 글로벌 무대에서 법률적·지정학적 이슈를 효과적으로 관리할 수 있는 법률 전문가의 역할이 중요하다고 본 것이다. 한 의장은 법과 AI에 능통한 전문가로 평가받는다. 그는 법관, 변호사를 거쳐 성균관대학교 법학전문대학원 교수로 재직 중이며, 국제투자분쟁해결센터(ICSID) 조정인, 대한상사중재원 국제 중재인 등으로 활동하고 있다. 2022년부터는 한국인공지능법학회 부회장에 부임해 AI 관련 법과 제도, 정책 대응 연구도 진행하고 있다. 그는 “SK하이닉스의 경우 기술 전문가의 목소리가 경영에 잘 반영되고 있으며, 회사의 방향을 결정하는 데도 큰 영향을 주고 있다”며 “이 기조를 유지하며 '투자 및 개발 확대'와 '개발 속도 조절' 사이에서 균형을 잘 잡는 것이 HBM 이후의 차세대 메모리를 준비하는 전략이자, AI 시대의 본원적 경쟁력을 키우는 핵심 전략이 될 것”이라고 내다봤다. 그러면서 “AI로 인간 편의를 증진하는 기술이 계속 발전하고 있고, 우리는 매일 미지의 영역으로 한 발짝 나아가고 있다”며 “SK하이닉스 반도체가 일상의 모든 기술과 혁신의 기반이 되는 세상이 오기를 고대하며, 이사회도 최고의사결정 기관으로 최선의 노력을 다하겠다”고 덧붙였다.

2025.06.10 10:46전화평

SK하이닉스, 10나노급 이하 D램 미래 기술 로드맵 공개

SK하이닉스가 일본 교토에서 8일부터 12일까지 진행되는 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'을 열고 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표했다고 10일 밝혔다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며 차세대 반도체, AI 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 10일 행사 3일차 기조연설에서 '지속가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도(Driving Innovation in DRAM Technology: Towards a Sustainable Future)'를 주제로 발표를 진행했다. 차 CTO는 "현재 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F 스퀘어 VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 4F 스퀘어 VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고, 수직 게이트(Gate) 구조를 통해 고집적·고속·저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. 기존 D램은 단일 셀의 면적이 6F(2F x 3F)였으나, 4F(2F x 2F)는 이보다 작은 면적으로 집적도 향상에 유리하다. VG는 D램에서 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우고 그 주위를 채널이 감싸고 있는 구조다. 기존에는 게이트가 채널 위에 수평으로 눕혀져 있는 평면구조였다. 차 CTO는 4F 스퀘어 VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 기술이다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 또한 회사는 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 공개했다. 차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다. 한편 행사 마지막 날인 12일에는 박주동 SK하이닉스 부사장(차세대D램 TF 담당)이 발표자로 나선다. 이 자리에서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.

2025.06.10 10:02장경윤

'웨어러블 AI' 시장 뜨는데…글로벌 빅테크 "특화 메모리 없다" 지적

구글·애플·메타 등 글로벌 빅테크들이 앞다퉈 웨어러블 AI 시장 공략을 위한 차세대 제품을 내놓고 있다. 다만 이를 뒷받침할 초소형·고효율 특화 메모리는 부족한 상황으로, 업계 표준 제정이 필요하다는 지적이 제기된다. 7일 업계에 따르면 스마트글라스 등 AI 성능이 강화된 웨어러블 시장을 겨냥한 특화 메모리의 개발 필요성이 대두되고 있다. 최근 AI 스마트글라스 시장은 삼성·구글 연합과 애플, 메타 등 글로벌 빅테크를 필두로 경쟁이 가속화되고 있다. 구글의 경우, 음성 제어가 가능한 AI 비서인 '제미나이'를 탑재한 스마트 글라스 시제품을 지난달 공개했다. 해당 제품의 하드웨어는 삼성전자가 담당했다. 애플은 '시리'를 탑재한 AI 기반 스마트글라스를 내년 말까지 출시할 계획인 것으로 알려졌다. 메타는 자체 AI 챗봇인 '메타 AI'를 탑재한 레이밴 스마트 글라스로 지난해 뛰어난 성과를 거둔 바 있다. 올해 말에는 디스플레이를 탑재한 신제품(코드명 하이퍼노바)도 출시할 예정이다. 이에 AI 스마트 글라스 시장은 중장기적으로 견조한 성장세를 나타낼 전망이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면, 지난해 전 세계 스마트 글라스 출하량은 전년 대비 210% 증가한 300만대를 기록했다. 나아가 오는 2029년까지 연평균 60%의 성장세를 보일 것으로 예상된다. 그러나 메모리 산업은 이 같은 추세에 빠르게 대응하지 못하는 분위기다. 메타는 최근 국내에서 열린 'JEDEC(국제반도체표준화기구) 포럼'에서 "웨어러블 마켓에 최적화된 저용량 낸드가 없다"며 웨어러블 시장을 위한 메모리 표준이 필요함을 강조했다. 설명에 따르면, 웨어러블 시장에서 요구하는 메모리 용량은 최대 32GB(기가바이트) 수준에 불과하다. 그러나 메모리 업계는 인프라 및 모바일, 자동차 시장의 기준을 따라 용량이 계속 증가하고 있다. 현재 고용량 모바일 낸드 제품은 1TB까지 구현된 상황이다. 패키지 크기도 더 작아져야 한다는 지적이 나온다. 현재 모바일 낸드 규격인 UFS의 크기는 가로 11mm, 세로 13mm에 높이 1mm 수준이다. 이는 자동차나 스마트폰 등 대형 제품 기반으로, 웨어러블용으로는 지나치게 크다는 게 메타의 시각이다. 최대 피크 전력이 통상 0.9W 미만인 웨어러블 기기용 배터리의 특성 상, 전력효율성을 극대화해야 한다는 과제도 있다. 물론 반도체 업계에서 웨어러블 기기를 위한 메모리 개발 시도가 전무한 것은 아니다. JEDEC은 지난해 3월 새로운 패키지-온-패키지(PoP) 규격을 제정했다. PoP는 D램과 낸드, 컨트롤러를 소형 패키지로 집적한 메모리다. 해당 규격에서는 웨어러블 기기를 위한 패키지 크기를 가로 8mm, 세로 9.5mm, 높이 1mm 이하까지 구현했다. 다만 웨어러블 기기가 저전력 및 소형화, 고효율 특성을 지속 요구하는 만큼, 기술적 진보가 더 이뤄져야 할 것으로 관측된다. 메타는 메모리 업계와 JEDEC에 대한 요청사항으로 저용량 낸드, 크기 및 피크 전력을 더 줄인 웨어러블용 PoP 표준 개발 모색 등을 주문했다.

2025.06.07 08:30장경윤

Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next