• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 인터뷰
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
창간특집
인공지능
배터리
컨퍼런스
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'SK키파운드리'통합검색 결과 입니다. (9건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

SK키파운드리, 3차원 속도·방향 측정 '3D 홀 효과 센서' 기술 출시

SK키파운드리는 3차원의 자기장 감지를 통해 속도와 방향을 측정할 수 있는 새로운 '3D 홀 효과 센서(Hall-effect Sensor)' 기술을 제공한다고 6일 밝혔다. 홀 효과 센서는 도체나 반도체가 자기장을 통과하는 과정에서 발생하는 전압 차를 인지하는 홀 효과를 이용해 자기장 강도를 측정하는 센서다. 이렇게 측정된 자기장을 통해 소자의 위치, 속도, 회전, 방향, 전류 등을 활용하는 산업에 활용된다. SK키파운드리는 기존 1D(1차원), 2D(2차원) 홀 효과 센서를 사용한 다양한 제품 군을 제공해왔으며, 이번 3D 홀 효과 센서는 수직 및 평면 홀 효과 센서를 하나의 칩에 통합하고 기존 2D제품 이상의 감도 제공을 통해, 3차원의 미세한 방향 및 속도 변화를 빠른 응답 속도로 실시간 측정할 수 있도록 지원하는 것이 특징이다. SK키파운드리가 제공하는 이번 3D 홀 효과 센서의 또다른 중요한 특징은 기존 공정에 마스크를 추가해 고객 제품에 쉽게 통합되도록 설계 가능하다는 점이다. 또한 3D 홀 효과 센서 통합이 전기적 특성을 그대로 유지하면서도 0.13~0.18μm 범위의 여러 노드에 제공된다. 이번 3D 홀 효과 센서는 다양한 분야에서의 활용이 기대된다. 특히 최근 주목 받고 있는 자동차 분야의 안전운전 보조 및 자율 주행 시스템, 가전제품 분야의 스마트 가전 및 게임 콘솔, 산업 자동화 분야의 로봇 제어 및 드론, 가상현실(VR), 증강현실(AR), 웨어러블 기기 등에 활용이 가능하다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "이번에 출시된 3D 홀 효과 센서 기술은 민감한 감도와 미세한 3차원 움직임까지 감지할 수 있는 성능을 통해, 가전, 자동차, 로봇, 드론 등을 포함한 다양한 산업 분야 제품 설계에 활용 가능 할 것으로 기대된다”며 “향후 지속적인 기술 개발을 통해, SK키파운드리 고객이 보다 다양한 기능을 하나의 반도체에 통합 설계할 수 있도록 지원해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

2025.03.06 09:46장경윤

SK키파운드리, HVIC 공정 기술 출시…고전압 파운드리 서비스 확대

파운드리 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 HVIC(고전압집적회로) 공정 기술 출시를 통해 자사 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대했다고 24일 밝혔다. SK키파운드리 HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS(Lateral Double diffused MOS), 650V 이상의 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode) 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있다. 여기 포함된 25V 고전압 소자 및 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다. 또한 비휘발성 메모리 소자인 MTP(멀티 타임 프로그램) IP와 OTP(원 타임 프로그램) IP를 옵션으로 함께 제공해 고객이 하나의 디자인에서 다양한 제품 스펙 변경이 가능하다. SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 기존 고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정의 200V 이하 제품과 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션을 통한 1천500V 이상 초고전압 제품 라인업에 더해, 650V~1천200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 됐다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 OBC에 적합할 뿐 아니라, 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대되고 있다. HVIC 공정을 사용하는 주요 제품에는 MCU(마이크로 컨트롤러 유닛)에서 제어 신호를 받아 고전압 MOSFET 또는 IGBT 등의 게이트를 직접 구동하는 고전압용 게이트 드라이버 IC 등이 있다. 이는 대형 백색 가전용 모터 드라이브, 데이터 서버용 전압 변환기, 자동차용 모터 드라이브 및 OBC(On Board Charger), 산업용 모터 드라이브 등 다양한 전력용 제품에 사용되고 있다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 SK키파운드리 경쟁력을 강화하게 되어 의미 있게 생각한다"며 "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해, 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.10.24 09:01장경윤

SK키파운드리, 4세대 0.18㎛ BCD 공정 출시...모바일·차량용 전력반도체 지원

반도체 파운드리(위탁생산) 기업 SK키파운드리가 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 출시한다고 11일 밝혔다. 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상돼 모바일 및 차량용 전력 반도체 성능 향상을 지원한다. SK키파운드리의 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공한다. 이런 특징으로 서버 및 노트북용 전력 반도체(PMIC), DDR5 메모리용 PMIC, 모바일 충전, 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버 등 다양한 응용 분야에서 사용될 수 있다. 또한 트리밍용 MTP(Multi-Time Programmable), OTP(One-Time Programmable) 메모리, S램 메모리 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다. 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에서도 사용할 수 있다. 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1을 갖췄다. 또 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 15000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터 제품 설계 또한 가능하다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며 "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 게이트 드라이버 IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.09.11 08:47이나리

삼성전자, 차세대 'GaN 전력칩' 초도생산 준비…설비 도입

삼성전자가 질화갈륨(GaN) 파운드리 시장 진출을 위한 설비투자를 지난 2분기 진행했다. 다만 도입한 장비 규모는 매우 적은 수준으로, '초도 생산'을 위한 최소한의 준비를 진행한 것으로 관측된다. 대규모 양산 투자는 향후 고객사 확보 및 시장 성장세에 따라 윤곽이 드러날 전망이다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2분기 GaN 전력반도체 양산을 위한 설비를 소량 도입했다. GaN은 실리콘 대비 고온·고압 내구성, 전력 효율성 등이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 IT·통신·자동차 등 산업 전반에서 수요가 증가하고 있다. 삼성전자 역시 GaN 전력반도체 산업의 성장성에 주목해 시장 진출을 추진해왔다. 지난해 6월 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서는 "컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작하겠다"고 공식 발표한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 지난 2분기 기흥 공장에 독일 엑시트론의 유기금속화학증착(MOCVD) 장비를 도입했다. 기흥은 삼성전자의 8인치 파운드리 양산을 담당하는 곳으로, 현재 GaN 전력반도체 공정은 8인치가 주류를 이루고 있다. 삼성전자가 GaN 연구개발(R&D)을 위해 기투자한 설비도 이곳에 위치해 있다. MOCVD는 금속 유기 원료를 이용해 박막을 성장시키는 기술이다. 실리콘 혹은 탄화규소(SiC) 웨이퍼 위에 GaN 물질을 올리는 GaN 웨이퍼를 만드는 데 핵심적인 역할을 담당한다. 현재 GaN 웨이퍼용 MOCVD 장비는 엑시트론, 미국 비코 두 기업이 사실상 독점하고 있다. 특히 엑시트론의 점유율이 압도적인 상황으로, 삼성전자는 지난해 펠릭스 그라베르트 엑시트론 최고경영자(CEO)와 만나 장비 공급을 논의하기도 했다. 당시 거론된 투자 규모만 30~40대 수준이었던 것으로 알려졌다. 다만 삼성전자가 이번에 진행한 투자는 엑시트론의 최신형 MOCVD 장비를 1~2대 들인 수준에 불과한 것으로 파악됐다. 아직 대형 고객사를 확보하지 못했고, 회사의 설비투자가 HBM(고대역폭메모리) 등 일부 분야에 집중된 만큼 투자 속도를 조절하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 이미 기흥에 GaN 관련 연구개발 설비를 투자했던 상황으로, 올해 중반에도 소량 장비를 도입했다"며 "다만 삼성전자가 당초 예상됐던 대규모 양산 투자에는 다소 신중하게 접근하는 분위기"라고 설명했다. 한편 DB하이텍과 SK키파운드리 등도 GaN 파운드리 사업을 준비 중이다. DB하이텍은 지난해 말 GaN 관련 설비투자를 진행해, 내년 초도 양산을 진행할 계획이다. 본격적인 양산 투자는 2027년에 집행하는 것을 목표로 삼고 있다. SK키파운드리는 기존 설비를 활용한 GaN 초도 양산을 이르면 내년 시작할 것으로 알려졌다.

2024.09.02 10:40장경윤

화합물 전력반도체 韓 점유율 2%...삼성·SK도 뛰어든다

새로운 먹거리로 떠오른 화합물 전력반도체 시장에서 글로벌 경쟁이 가열되고 있는 가운데 우리 정부와 기업도 시장 선점을 위해 뛰어들었다. 글로벌 기업에 비해 후발주자에 속하는 국내 기업은 정부와 함께 생태계를 구축해 기술 개발에 총력을 기울인다는 목표다. 업계에서는 한국이 현대·기아차, 삼성전자, LG전자 등 글로벌 자동차 및 가전 기업을 보유하고 있다는 점에서 전력반도체 시장에서 승산이 있을 것으로 전망한다. 전력반도체는 전자제품에 필수적으로 들어가는 칩이다. 최근 전기차, 태양광 인버터 시장이 확대되면서 기존 실리콘(si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어난 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 화합물 전력반도체에 대한 수요가 커지고 있다. ■ 민관, 화합물 전력반도체 R&D에 1384.6억원 투입 그동안 우리나라는 화합물 전력반도체 수요 대부분을 수입에 의존해 왔다. 국가별 화합물 전력반도체 시장 점유율은 유럽(54%), 미국(28%), 일본(13%) 순으로 차지하며 이들 국가의 합산 점유율은 95%에 달한다. 반면 한국은 1~2% 점유율로 미비하다. 이 분야의 강자는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스, 독일 인피니언, 미국 온세미와 울프스피드, 일본 로옴 등이 대표적이다. 정부는 국내 화합물 전력반도체 기술 고도화를 위해 올해부터 2028년까지 4년간 총 1천384억원을 투입하기로 결정했다. 개발비는 민간 445억8천만원과 국비 938억8천만 원으로 구성된다. 이와 관련해 지난 20일 화합물 전력반도체 관련 소재-소자-IC(집적회로)-모듈 등 기업은 국내 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하며 본격적으로 기술을 협력하기로 했다. 협력에는 웨이퍼를 생산하는 SK실트론(소재분야), 칩을 생산하는 DB하이텍(파운드리), 어보브반도체(팹리스) 등이 참여한다. 반도체 업계 관계자는 “화합물 젼력반도체 시장에서 한국은 후발주자이지만, 파운드리와 뛰어난 설계 기술을 보유하고 있기 때문에 정부의 지원이 더해지면 경쟁력을 갖출 것으로 기대된다”고 말했다. 글로벌 1위 SiC 반도체 업체인 ST마이크로일렉트로닉스 수장인 프란체스코 무저리 부사장은 “한국 기업이 글로벌 기업과 경쟁이 가능하다”고 진단했다. 그는 “한국은 전세계에 자동차를 수출하는 현대자동차와 삼성전자, LG전자 등 글로벌 가전업체를 보유하고 있는데, 여기에는 고성능 전력 반도체가 반드시 필요하다. 수요 업체와 공급업체가 파트너십을 맺는다면 성공하지 못할 이유는 없다”라며 “IP(설계자산) 특허 부분에서는 어려움이 따를 수 있지만, 한국은 혁신적인 국가이고, 우수한 인재가 많아서 장점이다”고 덧붙였다. ■ "수익성 3배 이상"…SK·삼성·DB하이텍부터 팹리스까지 총력 SK그룹은 전력반도체 개발에 많은 관심을 보이고 있다. SK실트론은 2020년 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 4억5천만 달러로 인수해 현지에 SK실트론CSS라는 자회사를 설립했다. SK실트론CSS는 SiC에 수년간 6억 달러 투자를 계획하고 있으며, 1차 투자 격인 미국 베이시티 공장을 2022년에 완공해 6인치(150㎜) SiC 웨이퍼를 연간 12만장을 생산한다. SK실트론CSS는 2022년 11월 미국 RF 반도체 업체 코보와 올해 1월 독일 인피니언과 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 체결하기도 했다. 파운드리 업체 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체 생산에 주력하고 있다. 2022년 정식 GaN 개발팀을 구성하고, 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보해 생산 준비를 마쳤다. SK키파운드리는 올 하반기부터 청주 팹에서 GaN 반도체를 생산하며, 향후 SiC까지 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 변화한다는 목표다. SiC 전력반도체에 주력하는 SK파워텍은 SK가 2022년 예스파워테크닉스 지분 95.8%를 1천200억원에 인수한 업체다. SK는 2023년 사명을 SK파워텍으로 바꾸면서 기존 포항 공장을 부산으로 이전하며 사업을 확장했다. 삼성전자 파운드리도 전력반도체 생산 준비에 한창이다. 삼성전자는 컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작한다고 밝혔다. DB하이텍도 수익성이 높은 화합물 전력반도체 생산업체로 체질개선에 나선다. DB하이텍은 2022년 말부터 8인치 GaN 공정을 개발에 들어가 올해 말에 생산에 들어갈 예정이다. 또 SiC 전력반도체 생산을 위해 충북 음성 상우공장에 핵심 장비를 도입하며 생산을 위한 준비 작업도 진행 중이다. 아울러 회사는 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시키고 있다. 파운드리 업체가 전력 반도체로 전환하는 이유는 수익성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "SiC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼보다 5~10배 더 비싸서, 같은 용량을 생산하더라도 더 높은 이익을 낼 수 있다"고 말했다. 그 밖에 어보브반도체, 아이큐랩, 칩스케이, 파워큐브세미, 쎄닉 등도 화합물 전력반도체 공급 기업으로 주목받고 있다. 한편, 시장조사업체 올디벨롭먼트에 따르면 SiC 반도체는 2021년 10억 달러에서 2027년 62억 달러로 연평균 34% 성장할 전망이다. GaN 반도체는 2021년 1억2천만 달러에서 2027년 20억 달러로 연평균 59% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.26 17:24이나리

SK키파운드리, 차세대 전력반도체 GaN 소자 특성 확보...연내 개발 완료

8인치 파운드리 기업 SK키파운드리는 차세대 전력반도체 GaN(질화갈륨)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발을 완료할 계획이라고 19일 밝혔다. 앞서 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 지난 2022년 정식 팀을 구성한 바 있다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어, 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. SK키파운드리는 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아, 실리콘 기반 제품 대비 방열 기구의 비용을 감소시킨다. 이 같은 장점 덕분에 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 다양한 제품 개발에 활용될 것으로 기대된다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 고객에게 프로모션을 적극 진행한다는 방침이다. 또한 회사는 650V GaN HEMT를 기반으로, 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며 "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다. 한편 시장조사기관 옴디아에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억 달러에서 2032년 64억 달러까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망된다.

2024.06.19 09:07장경윤

SK키파운드리, 0.13μm BCD 공정 개선…차량용 반도체 사업 확장

SK키파운드리가 차량용 전력 반도체 설계 기업들이 고성능 차량용 반도체 제품을 설계할 수 있도록 개선된 0.13마이크로미터(㎛) BCD 공정을 제공한다고 25일 밝혔다. SK키파운드리의 개선된 0.13㎛ BCD 공정은 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정인 AEC-Q100의 Grade-0 인증을 충족해, 최대 150℃까지의 사용 환경 온도를 견뎌야 하는 고성능·고신뢰성 차량용 반도체에 적합하다. BCD는 아날로그 신호 제어를 위한 바이폴라(Bipolar), 디지털 신호 제어를 위한 상호보완모스(CMOS), 고전력 처리를 위한 이중확산모스(DMOS)를 하나의 칩에 구현하는 기술이다. 특히 이번 공정은 120V급까지의 고전압 소자 제공과 동시에 15KV 이상의 절연 기술을 구현해 전기차에 사용되는 BMS IC, Isolated gate driver IC, DC-DC IC, CAN·LIN transceiver IC 등 고전압·고신뢰성 제품의 설계를 가능하게 한다. 또한 고전압 BCD 공정에서 고밀도 플래시 메모리 IP 사용이 가능해, MCU 기능이 필요한 모터 드라이버 IC, LED 드라이버 IC, 센서 컨트롤러 IC, 전력 전달 컨트롤러 IC 등의 차량용 반도체에도 적합한 공정 기술이다. 플래시 IP 프로그래밍이 10만회까지 가능해 반복적인 데이터 변경이 필요한 고성능 제품에도 고객들이 광범위하게 사용할 수 있다. 차량용 전력 반도체 시장은 거시적으로 전기차의 확산과 차량 내 전자기기 증가에 힘입어 향후 지속적인 확대가 예상되고 있다. 시장 조사기관 옴디아에 따르면 차량용 전력 반도체 시장은 2023년 208억 달러에서 2028년 325억 달러 규모로 연평균 9.3% 성장할 것으로 전망된다. SK키파운드리는 차량용 반도체에 적합한 고성능 공정 기술을 지속 개발하는 한편, 높은 품질 관리 수준으로 품질 요구 조건이 까다로운 글로벌 탑티어(Tier-1) 자동차 벤더들로부터 자동차 부품 대상의 생산 품질 심사(Audit)를 통과해옴으로써, 고객 요구를 충족하는 파운드리 서비스를 제공하는 동시에 차량에 탑재 가능한 수준의 높은 공정 신뢰성을 확보한 것으로 평가되고 있다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "차량용 전력 반도체 공정을 제공하는 파운드리가 제한적인 상황에서도, 당사는 최고 성능을 갖춘 차량용 고전압 BCD 공정 제공을 위한 개선을 지속해왔다"며 "주요 차량용 팹리스 업체와의 10년 이상 축적된 양산 경험과 확보된 양산 품질을 바탕으로 향후 8인치 차량용 전력 반도체 시장에서 확고한 성장 기반 확보를 사업 전략으로 강하게 추진해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.04.25 08:57장경윤

국내 파운드리 3사, MPW 대폭 확대...팹리스 키운다

삼성전자, SK키파운드리, DB하이텍 등 국내 파운드리 업체가 올해 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 서비스 수를 작년보다 늘린다. 3사는 지난해 총 62회를 제공했다면 올해 총 72회를 제공한다는 방침이다. 아울러 정부도 시제품 지원비를 2배 늘리고 10나노미터(mn) 공정 이하에도 지원한다. 이를 통해 팹리스 업체들의 시제품 제작 기회가 확대될 것으로 기대된다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 MPW 서비스를 총 32회(12인치 18회, 8인치 14회) 제공하며 전년(29회) 보다 3회 늘렸다. 지난해 MPW 서비스를 2022년 보다 6회 늘린 데 이어 올해 더 확대한 것이다. SK키파운드리는 올해 MPW 서비스를 총 12회 제공하며 작년(7회) 보다 5회 늘린다. DB하이텍 또한 2022년, 2023년 각각 26회를 제공하다가 올해 횟수를 2회 늘려 총 28회 제공한다는 방침이다. MPW 서비스는 한 장의 웨이퍼에 다양한 종류의 반도체를 찍어 만드는 것을 말한다. 팹리스 업체는 반도체를 출시하기에 앞서 파운드리(생산라인)에서 시제품을 만드는 MPW 과정을 거친다. 그 다음 고객사에 시제품을 공급하고, 주문받은 후 대량 양산에 들어간다. 파운드리 업체의 MPW 서비스 할당이 많을수록 팹리스 기업들이 시제품을 생산할 기회가 많아지는 셈이다. 파운드리 업체 또한 잠재 고객을 확보하기 위해서 MPW 서비스 지원은 반드시 필요하다. 올해 국내 파운드리 업체들이 MPW 횟수를 늘린 것은 국내 팹리스 업체에 시제품 제작 지원을 확대하기 위한 취지다. 업계 관계자는 “MPW 운영이 큰 수익을 내는 것이 아님에도 횟수를 늘린다는 것은 팹리스 업체에 다양한 칩 생산 기회를 제공하기 위한 목적이 크다”고 말했다. 아울러 지난해부터 반도체 수요 감소에 따라 팹 가동률이 낮아진 점도 MPW 할당을 늘릴 수 있는 배경이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 기준 전 세계 8인치 파운드리 업계의 가동률은 70%대로 집계됐다. 기업별로는 삼성전자 65%, DB하이텍 73%, 키파운드리 60% 등이다. 100% 가동률을 기록하던 2021년과 대비된다. 2022년 파운드리 업계는 반도체 공급부족(숏티지) 현상이 심화되면서 MPW 횟수를 대폭 줄인 바 있다. 당시 삼성전자는 연 23회를 제공하며 전년 보다 14회나 줄였고, SK키파운드리는 MPW 서비스를 아예 중단했다. MPW 축소는 대형 고객사의 대량 주문을 우선순위로 웨이퍼를 할당할 수밖에 없었기 때문에 전세계 파운드리 업계의 공통된 상황이었다. 정부 또한 팹리스 업체의 시제품 제작을 위해 올해 MPW 국비 지원을 전년(24억원) 보다 2배 늘려 50억원을 지원한다는 계획이다. 또 팹리스의 첨단 칩 개발 지원을 위해 10나노 이하 초미세 공정에 대한 국비 지원도 올해 신설했다. 산업통상자원부는 팹리스가 개발한 칩의 성능·검증을 위한 '검증지원센터' 구축도 확정지었다. 산업부 관계자는 "국내 파운드리 강점을 기반으로 팹리스 육성을 통한 반도체 밸류체인을 완성하는 것이 목표"라며 "네트워킹, 자금, 시제품 제작기회 해결에 주력하겠다"고 말했다.

2024.02.15 16:21이나리

키파운드리, 'SK키파운드리'로 사명 변경

8인치 파운드리 기업 키파운드리는 사명을 'SK키파운드리'로 변경했다고 3일 밝혔다. 변경된 사명은 최근 주주총회에서 승인을 받았으며, 2024년 1월 1일부터 사용한다. SK키파운드리는 지난 해 말 국내 및 해외 상표권 출원을 마쳤다. SK키파운드리는 2020년 9월 매그나칩 반도체의 파운드리 사업부가 분사해 설립한 8인치 파운드리 기업으로, 2022년 8월 SK하이닉스의 자회사로 편입됐다. 이후 인수 후 통합(PMI) 과정을 진행하면서 사명 변경을 추진해 왔으며, 기존 고객과의 비즈니스 연속성을 고려하여 SK키파운드리로 최종 결정했다. SK키파운드리는 사명 변경을 계기로 대외 신인도를 향상시켜 비즈니스를 확대하는 데에 탄력을 받을 것으로 기대하고 있다. SK키파운드리는 청주에 위치한 월 10만장 규모의 팹에서 다품종 소량 생산에 적합한 8인치 웨이퍼 기반의 전력 반도체와 디스플레이구동칩(DDI), 마이크로컨트롤유닛(MCU) 등 비메모리 반도체를 주로 위탁 생산 중이다. 특히 최근 전력 반도체 시장에서 고속 전력 전달과 높은 전력 효율을 위해 100V 이상의 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 수요가 증가 중인데, SK키파운드리는 이러한 고전압 BCD 공정의 리딩 파운드리로서 차량용 산업용 전력 반도체 시장을 적극 공략하고 있다. 또한 SK키파운드리는 전력 반도체 공급의 연속성을 위해 차세대 전력 반도체로 언급되는 질화갈륨(GaN) 공정 개발을 이미 시작했으며, 실리콘카바이드(SiC) 개발도 적극 검토 중이다. 한편 SK키파운드리는 2024년을 성장과 변화의 본격적 추진을 위한 딥체인지의 해로 정하고 최근 조직 개편을 단행했다. 국내뿐만 아니라 미국과 중국 등 현지 영업력을 높여 고객을 확대하고, 차별화된 파운드리 공정 개발, 품질 강화 활동을 통해 고객 만족도를 높이는 것이 목표다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "사명 변경을 통해 SK 멤버사로 구성원들의 소속감을 고취하면서 더욱 강하고 빠른 회사로 거듭나겠다"며 "자동차용 전력 반도체 시장을 공략해 8인치 파운드리 시장에서의 점유율을 높여나가겠다"고 포부를 밝혔다.

2024.01.03 09:29장경윤

  Prev 1 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

"요금 올리거나, 무료 풀거나"…OTT, 전략 분화

"책 대신 '아이패드'로 수업을"…디지털이 바꾼 교실 풍경은

과학자들, 납으로 금 만들었다…'연금술사의 꿈' 실현되나

[ZD브리핑] 아시아 IT 박람회 컴퓨텍스 개최...21대 대선 후보 첫 토론회

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현