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로옴 '2kV SiC MOSFET' 탑재 모듈, SMA 태양광 시스템에 채용

로옴은 자사의 최신 2kV SiC MOSFET를 탑재한 세미크론 댄포스의 파워 모듈이 SMA 솔라 테크놀로지 AG(이하 SMA)의 신형 태양광 시스템 'Sunny Central(서니 센트럴) FLEX'에 채용됐다고 12일 밝혔다. 서니 센트럴 FLEX는 대규모 태양광 발전 설비, 축전 시스템, 차세대 기술용으로 설계된 모듈러 타입의 플랫폼으로, 전력망의 효율화와 안정성 향상을 지향한다. 로옴의 새로운 2kV 내압 SiC MOSFET는 1천500V DC 링크용으로 심플하고 효율이 높은 컨버터 회로를 실현하기 위해 설계된 제품이다. 높은 신뢰성을 목표로, 우주선에 대한 내성을 구비해, 태양광 발전 분야에서의 까다로운 환경 조건이나 컨버터의 장수명화에 대한 요구에 대응할 수 있다. 또한 로옴의 게이트 저항을 내장한 SiC 디바이스 기술은 모듈 내에서의 병렬 구동을 용이하게 해, 고출력 모듈 설계의 간소화에도 기여한다. 세미크론 댄포스의 'SEMITRANS 20'은 대전력 용도 및 고속 스위칭 동작용으로 설계된 제품이다. 직류전압 1천500V에 대응하는 어플리케이션용으로 고효율의 심플한 솔루션을 제공해, 태양광 발전 및 축전 시스템에 적합하다. 세미크론 댄포스는 "로옴의 2kV SiC를 탑재한 SEMITRANS 20은 SMA의 서니 센트럴 FLEX의 중요한 구성 요소로, 향후 고출력 전동 트럭용 충전기 및 풍력 발전용 컨버터에도 활용될 것으로 기대하고 있다"며 "세미크론 댄포스와 로옴은 실리콘 IGBT 모듈에 있어서도 협업을 전개 중"이라고 밝혔다.

2025.05.12 10:37장경윤

온세미, 한국 신임 대표에 키파운드리·삼성반도체 출신 이태종 선임

지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업 온세미는 경기도 부천에 위치한 온세미코리아 신임 대표이사로 이태종 전 키파운드리 대표이사를 선임했다고 15일 밝혔다. 신임 이태종 대표이사는 30년 이상 반도체 팹 분야와 글로벌 IDM(종합반도체기업), 파운드리 기업을 위한 기술 개발, 설계 서비스, 영업, 마케팅, 제조 운영 분야 등에서 전문성을 쌓았다. 온세미 글로벌 제조 및 운영 부회장인 웨이 청 왕(Wei-Chung Wang)은 “신임 이태종 대표이사가 반도체 분야에서의 전문성과 리더십을 폭넓게 쌓아온 만큼, 부천 팹의 지속적인 글로벌 성공에 중요한 역할을 할 것”이라며, “온세미 부천 팹은 전기차 시장, 에너지 인프라, AI 데이터센터 확장에 대한 수요를 충족하기 위한 온세미의 차별화된 솔루션을 제공하는 혁신과 기술 우수성의 허브"라고 말했다. 이태종 신임 대표이사는 “온세미코리아는 국내 최고의 전력 반도체 생산 라인과 장비를 갖추고 있다"며 "온세미의 오랜 경험과 노하우를 바탕으로 SiC 주력 시설인 부천 팹이 지속적으로 글로벌 시장을 주도할 수 있도록 성장을 이끌 것”이라고 말했다. 신임 이태종 대표이사는 온세미에 합류하기 전 키파운드리(현 SK하이닉스의 자회사인 SK키파운드리)와 올칩스코퍼레이션에서 대표이사 겸 사장을 역임한 바 있다. 이전에는 한국 매그나칩 세미컨덕터에서 파운드리 사업부 부사장 겸 사업부장을 맡았으며, 싱가포르의 차터드 세미컨덕터 매뉴팩쳐링(현 글로벌파운드리)과 삼성반도체(현 온세미)에서 근무했다. 신임 이태종 대표이사는 2025년 3월 4일부로 임명됐다.

2025.04.15 14:52장경윤

DB하이텍, 獨 'PCIM 2025'서 SiC‧GaN 개발 현황 공유

8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 다음달 6일부터 8일(현지시간)까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 유럽 최대의 전력 반도체 전시회 'PCIM(Power Conversion and Intelligent Motion) 2025'에 참가한다고 7일 밝혔다. 이번 전시에서 DB하이텍은 업계 최고 수준의 기술력을 확보하고 있는 BCDMOS(복합전압소자)를 포함해, 특화 이미지센서 공정, 차세대 전력반도체로 주목받고 있는 SiC(실리콘카바이드)·GaN(갈륨나이트라이드) 공정 등의 최신 개발 현황을 공유할 계획이다. 특히 최근 DB하이텍이 미래 성장 동력으로 역량을 집중하고 있는 SiC와 GaN 전력반도체 공정이 이번 전시의 주축이 될 예정이다. DB하이텍은 지난 2월 모든 공정을 자체 소화한 SiC 8인치 웨이퍼의 기본 특성을 확보했다. 회사는 올해 수율 및 신뢰성 향상을 거쳐, 2025년 말부터 고객에게 공정을 제공할 계획이라고 밝혔다. GaN 8인치 공정은 650V HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 특성을 확보하였으며, 올해 안으로 신뢰성 확보를 마칠 계획이다. 또한, DB하이텍은 오는 10월 GaN 전용 MPW를 운영하여 고객들의 제품 평가를 적극 지원할 예정이라고도 발표했다. 반도체‧전자 분야 시장조사전문기관 욜 디벨롭먼트에 따르면, 글로벌 SiC, GaN 전력반도체 시장 규모는 2024년 36억 달러에서 2027년 76억 달러까지 확대될 것으로 기대되며, 연평균 27.6%의 높은 성장률이 예상된다. DB하이텍은 이번 전시에 대해 “팹리스 고객 지원과 협업에서 글로벌 고객사로부터 높은 평가를 받고 있는 당사의 강점을 유럽 고객들에게도 알리는 기회가 될 것”이라고 참가 목적을 밝혔다. DB하이텍은 8인치에 특화된 아날로그 및 전력 반도체 공정 서비스를 통해 글로벌 리더 위치를 유지하고 있지만, 유럽 고객의 비중은 타 지역에 비해 비교적 낮은 편이다. 이에 이번 전시에서 성장하는 유럽 시장에서 신규 고객을 발굴하고, 기존 고객과의 미래 사업 협력을 통해 유럽 파운드리 서비스를 강화한다는 설명이다. 한편 현재 DB하이텍은 400개 기업과 양산을 진행하고 있으며, 아날로그 및 전력 반도체 제품의 8인치 누적 출하량은 600만장에 이른다. 이 외에도 엑스레이, 글로벌셔터, SPAD(단일광자 포토다이오드)와 같은 특화 이미지 센서 공정 기술 경쟁력을 확보해 다양한 업체와 양산을 진행하고 있다. 응용 제품으로는 모바일, 소비가전, 산업용에 더해 최근 차량용 제품의 생산 비중이 지속 증가하고 있다.

2025.04.07 14:33장경윤

로옴, 마쓰다와 GaN 전력반도체 기반 車부품 공동 개발 협력

로옴은 마쓰다(Mazda)와 차세대 반도체로서 주목을 받는 질화갈륨(GaN) 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 공동 개발을 개시했다고 27일 밝혔다. 마쓰다와 로옴은 2022년부터 '전동 구동 유닛의 개발 및 생산을 위한 협업 체제'를 통해 실리콘카바이드(SiC) 파워 반도체를 탑재한 인버터의 공동 개발을 추진하고 있다. 이번에 새롭게 GaN 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 개발에도 착수해, 차세대 전동차를 위한 혁신적인 자동차 부품을 창출할 계획이다. GaN은 파워 반도체의 차세대 재료로서 주목받고 있다. 기존의 실리콘(Si) 파워 반도체에 비해 전력 변환으로 인한 손실을 억제함과 동시에, 고주파 구동을 통해 부품 사이즈의 소형화에 기여한다. 이러한 특징을 활용해 차량 전체를 고려한 패키지, 경량화, 디자인 혁신에 기여하는 솔루션으로의 전환을 위해 양사가 공동 개발을 추진하고 있다. 2025년 내에 이러한 콘셉트의 구현화 및 데모기를 통한 트라이얼을 거쳐, 2027년 실용화로 전개해 나갈 예정이다. 카츠미 아즈마 로옴 이사는 "자동차 본래의 매력인 '주행의 즐거움'을 지향하는 마쓰다와 전동차용 자동차 부품 개발에서 협력할 수 있게 되어 매우 기쁘게 생각한다"며 "고주파 동작이 가능한 로옴의 EcoGaN과 그 성능을 최대화시키는 제어 IC로 구성한 솔루션은 소형 및 저전력화의 열쇠"라고 밝혔다.

2025.03.27 15:17장경윤

DB하이텍, 'GaN 전력반도체' 초기 사업 착수…"고객사 관심 많아"

DB하이텍이 신사업 진출에 대한 적극적인 의지를 드러냈다. 지난해까지 GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 등 차세대 전력반도체 초도 양산을 위한 시생산(파일럿)라인을 구축해 올해 GaN을 중심으로 초도 양산에 나설 계획이다. 12인치 파운드리 사업도 현재 정부와 투자 논의를 진행 중이다. 55나노미터(nm) 등 전력반도체 분야가 주요 타겟이 될 전망이다. 20일 조기석 DB하이텍 대표는 경기 부천 본사에서 열린 '제72기 정기주주총회'에서 회사의 향후 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. DB하이텍은 8인치 파운드리 전문기업이다. 반도체 레거시(성숙) 공정을 기반으로 한 PMIC(전력관리반도체), DDI(디스플레이구동칩), CIS(CMOS 이미지센서) 등을 주로 생산한다. 자회사 DB글로벌칩을 통해 팹리스 사업도 영위하고 있다. DB하이텍의 지난해 연 매출은 1조1천310억원, 영업이익이 1천950억원으로 집계됐다. 영업이익률은 17%다. 전년 대비 매출은 2%, 영업이익은 28% 감소했으나, 8인치 파운드리가 지난해 업황이 부진했다는 점을 감안하면 견조한 실적이다. 조 대표는 "국내외 정세의 불확실성이 높은 상황에서도 당사는 오래 쌓아온 기술 경쟁력을 바탕으로 가동률 하락을 최소화하고, 경쟁사 대비 높은 영업이익률을 기록했다"며 "2025년 현재 당사의 가동률은 90%를 상회하고 있어 매출과 영업이익의 회복 또한 기대되고 있다"고 말했다. 미래 성장동력 확보를 위한 12인치 파운드리, GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 화합물반도체 등 신사업 진출도 지속 추진할 계획이다. 조 대표는 "현재 정부와 12인치 파운드리 투자와 관련해 심도 깊게 논의하고 있다"며 "당사의 강점이 BCD 전력반도체기 때문에, 55나노 BCD 등을 목표로 개발을 진행할 것"이라고 설명했다. GaN·SiC 화합물반도체 사업을 위한 시생산(파일럿) 라인 구축도 지난해 완료했다. 올해 2·3분기께 초도 양산을 시작할 것으로 관측된다. 조 대표는 "기존 전력반도체 사업을 진행하다보니 관련 고객사들이 GaN·SiC 반도체에도 많은 관심을 보내고 있다"며 "GaN은 올해 초기 비즈니스에 착수할 수 있을 것으로 보이고, 내년도 말이나 내후년에는 SiC 관련 비즈니스도 진행될 수 있을 것으로 판단된다"고 말했다.

2025.03.20 10:48장경윤

인피니언, SiC 웨이퍼 '8인치' 전환 시작…"1분기 첫 출시"

인피니언 테크놀로지스는 올 1분기에 첨단 200mm SiC(실리콘카바이드) 기술 기반의 첫 번째 제품을 고객에게 출시한다고 17일 밝혔다. 오스트리아 빌라흐에서 제조되는 이 제품은 신재생 에너지, 열차, 전기차 등 고전압 애플리케이션을 위한 최상의 SiC 전력 기술을 제공한다. 또한 말레이시아 쿨림 소재의 인피니언 제조 시설은 150밀리미터 웨이퍼에서 더 크고 효율적인 200밀리미터 웨이퍼로 전환하는 작업을 순조롭게 진행하고 있다. SiC 반도체는 전기를 더욱 효율적으로 전환하고, 극한 조건에서 높은 신뢰성과 견고성을 제공하며, 더 작은 설계를 가능하게 함으로써 고전력 애플리케이션에 혁명을 일으켰다. 인피니언의 SiC 제품을 사용해 고객들은 전기 자동차, 고속 충전소, 열차뿐만 아니라 신재생 에너지 시스템 및 AI 데이터 센터를 위한 에너지 효율적인 솔루션을 개발할 수 있다. 인피니언은 그린 에너지로의 전환 및 CO2 감소에 기여하는 포괄적인 고성능 전력 반도체 포트폴리오를 제공하는 데 중점을 두고 있다. 인피니언 관계자는 "매우 혁신적인 와이드 밴드갭(WBG) 기술을 위한 '인피니언 원 버추얼 팹'인 빌라흐와 쿨림에 위치한 인피니언의 생산 공장은 SiC 및 갈륨 나이트라이드(GaN) 제조에서 빠른 램핑업과 원활하고 효율적인 운영을 가능하게 하는 기술과 공정을 공유한다"며 "200mm SiC 제조 활동은 전력 시스템 솔루션을 선도하는 인피니언의 실리콘, SiC 및 GaN을 포함한 전력 반도체 전체 스펙트럼에서의 기술 리더십을 더욱 강화한다"고 밝혔다.

2025.02.17 14:17장경윤

온세미, 코보의 '실리콘 카바이드 JFET 기술' 인수

반도체 기업 온세미는 코보(Qorvo)로부터 유나이티드 실리콘 카바이드(United Silicon Carbide) 자회사를 포함한 실리콘 카바이드 접합 전계효과 트랜지스터(SiC JFET) 기술 사업을 1억1천500만 달러(1천644억원)에 인수하는 계약을 체결했다고 발표했다. 이번 거래는 내년 1분기 내에 완료될 예정이다. 이번 인수를 통해 온세미는 광범위한 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) 전력 포트폴리오를 강화하고, AI 데이터센터용 전원 공급 장치의 AC-DC 단계에서 높은 에너지 효율과 전력 밀도에 대한 요구를 충족할 수 있게 됐다. 온세미는 전기차 배터리 차단기, 반도체 차단기(Solid-State Circuit Breaker, SSCB)와 같은 신흥 시장에 대한 준비를 가속화할 예정이다. SiC JFET는 칩 면적당 가장 낮은 온저항을 제공하며 기존 다른 기술의 절반 이하로 사용된다. 또한 수십 년 동안 실리콘 기반 트랜지스터와 함께 배포된 일반적인 상용 드라이버를 사용할 수 있다. 이러한 이점을 종합하면 개발 속도 향상, 에너지 소비 감소, 시스템 비용 절감으로 이어지며, 전원 공급 장치 설계자와 데이터센터 운영자에게 상당한 가치를 제공한다. 사이먼 키튼(Simon Keeton) 온세미 파워 솔루션 그룹 사장 겸 총괄 매니저는 "AI 워크로드가 점차 복잡해지고 에너지 집약적으로 변함에 따라, 높은 에너지 효율을 제공하고 고전압을 처리할 수 있는 안정적인 SiC JFET의 중요성은 더욱 커질 것"이라며 "업계를 선도하는 코보의 SiC JFET 기술을 추가함으로써, 온세미의 지능형 전력 포트폴리오는 고객에게 에너지 소비를 최적화하고 전력 밀도를 향상시키는 또 다른 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.

2024.12.11 11:22이나리

프랑스 메르센, 매출 17억 유로 목표 2년 연기…"전기차 수요↓"

프랑스 소재 업체 메르센이 매출 목표를 이룰 시점을 2년 미뤘다. 전기자동차 수요 부족 때문이라는 입장이다. 영국 로이터통신은 6일(현지시간) 메르센이 2027년 매출 17억 유로(약 2조5천억원)를 달성한다는 목표를 2029년으로 2년 연기했다고 보도했다. 메르센은 전기자동차에 들어가는 탄화규소(SiC·실리콘카바이드) 전력 반도체 소재를 만드는 회사다. SiC 전력 반도체는 실리콘(Si) 반도체보다 전기차 주행거리를 5~10% 늘린다고 알려졌다. 배터리도 보다 빠르게 충전할 수 있다. 루크 테멀린 메르센 최고경영자(CEO)는 “내년 전기차와 SiC 전력 반도체 시장이 침체될 것”이라며 “2026년 하반기 회복될 것 같다”고 말했다. 로이터는 전기차 수요가 약해 메르센이 매출 목표를 낮췄다고 평가했다. 주요국 경기가 둔화된 데다 전기차 보조금이 줄어든 게 전기차 수요가 감소한 이유로 꼽힌다.

2024.12.07 10:30유혜진

LB세미콘-DB하이텍, 전력반도체 개발 협업키로…내년 1분기 양산 목표

LB세미콘은 DB하이텍과 협력해 고전력소자 제품용 RDL(재배선층) 개선 제품을 개발 중이라고 4일 밝혔다. 양사는 2025년 1분기 양산을 목표로 RDL 기술 개발을 진행 중이다. 현재 제품 신뢰성을 높이는데 중점을 두고 있으며, 이를 위해 제품 구조 개선과 소재를 변경했다. LB세미콘은 특히 저비용을 목표로 하는 전력 반도체 RDL 개선 제품 개발에 집중하고 있다. DB하이텍과의 협업에는 LB루셈도 참여한다. LB세미콘은 프런트 사이드(Front Side) 공정을 맡고, LB루셈은 백 사이드(Back Side) 공정을 담당해 각사의 기술적 강점을 최대한 활용한다는 계획이다. 또한 LB세미콘은 DB하이텍의 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 제품 개발에도 참여한다. DB하이텍은 현재 8인치 SiC·GaN 반도체 신사업을 추진 중이다. SiC와 GaN은 차세대 전력 반도체 소재다. 기존 실리콘 기반 반도체보다 물성이 좋아 전기차, 에너지저장장치(ESS), 인공지능(AI) 응용처 등에 쓰인다. LB세미콘과 LB루셈은 이번 협업을 통해 안정적인 파운드리 파트너를 확보하게 됐다. 또 빠른 성장이 예상되는 전력 반도체 사업에 진출할 수 있는 기반을 마련하게 됐다는 점에서도 의미가 크다. 회사는 이번 협력을 바탕으로 전력 반도체의 신뢰성과 기술력을 더욱 높이겠다는 방침이다. 시장조사기관 야노경제연구소에 따르면 2022년 전 세계 전력반도체 시장은 239억 달러(한화 약 32조2천230억원)에서 2030년 370억 달러(약 48조원)로 성장할 전망이다. LB세미콘 관계자는 "DB하이텍과의 기술 협력을 통해 미래 성장 동력을 확보하고, 급성장하는 차세대 고부가 전력 반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"고 말했다.

2024.12.04 09:44장경윤

쎄닉, 우수상표디자인권 공모전서 '한국발명진흥회장상' 수상

쎄닉은 특허청이 주최하고 한국발명진흥회에서 주관하는 2024 상표·디자인권전에서 자사 상표로 한국발명진흥회장상을 수상했다고 28일 밝혔다. '상표∙디자인권展'은 상표·디자인에 대한 대국민 인식을 제고하고 상표·디자인 정보 확산을 통해 기업 경쟁력강화에 기여함으로써 산업발전을 도모하려는 목적으로 진행되는 제도다. 상표는 독창성 및 상징성, 의미 전달성, 심미성을 심사한다. SENIC은 실리콘 카바이드 재료 전문기업(SENIC) 이라는 의미를 축약했고, 활꼴(원의 모양 일부 형상)은 웨이퍼 모양을 활꼴 안의 물방울은 전력반도체용 SiC 웨이퍼를 사용함으로써 에너지를 절감하여 탄소중립을 실천할 수 있는 친환경 소재임을 나타낸 것으로 상표의 우수성을 인정받아 수상의 영광을 안았다. 쎄닉 구갑렬 대표는 “창립멤버들과 함께 상표 디자인에 대해 참으로 고심했던 기억이 떠오른다. 그때 고심이 수상으로 이어진 것 같아 기쁘다”며 “쎄닉 상표가 한국의 SiC 웨이퍼를 세계에 알리는 통로의 역할을 맡고 싶다"고 말했다. 한편 쎄닉은 지난 4월 산업통산자원부, 한국산업기술기획평가원, 한국반도체연구조합이 함께 지원하는 대형 국책사업인 '화합물전력반도체 고도화기술개발사업('24~'28, 총 1천385억원 사업비)' 중 세부과제인 'SiC 기판 가공 기술'의 주관기관으로 선정돼 동의대, 한국생산기술연구원, 한국세라믹기술원, 피제이피테크와 함께 공동연구를 수행 중이다. 주관 기관으로써 책임을 다하며, 국내 최초 SiC 기판 가공 기술을 개발해 세계적인 추세인 200mm SiC 웨이퍼를 출시하는데 목표를 두고 있다.

2024.11.28 10:23장경윤

로옴·발레오, 차세대 파워 일렉트로닉스 분야서 공동 개발

발레오(Valeo) 그룹과 주요 반도체 및 전자부품 메이커인 로옴은 파워 일렉트로닉스 매니지먼트에 관련된 노하우를 집약해 트랙션 인버터용 차세대 파워 모듈을 개발하기 위해 파워 일렉트로닉스 분야의 전문 지식을 융합해 공동 개발을 추진한다고 26일 밝혔다. 그 첫번째 성과로서, 로옴은 SiC(실리콘 카바이드) 몰드 타입 모듈 'TRCDRIVE pack'을 발레오의 차세대 파워 트레인 솔루션에 제공한다. 발레오는 e-바이크 등의 소형 차량 및, 주류로 사용되는 승용차, 나아가 대형 e-트럭에 이르기까지 다양한 차량 타입과 시장에서의 효율적인 전동 모빌리티로 대응 영역을 확대하고 있다. 발레오가 보유한 메카트로닉스 및 열 제어, 소프트웨어 개발의 전문 지식을 로옴의 파워 모듈과 조합함으로써, 파워 일렉트로닉스 솔루션을 추진하여, 전 세계 자동차 시스템의 성능, 효율, 탈탄소화에 기여해 나갈 것이다. 발레오와 로옴은 2022년부터 협력을 개시하여 전동차(EV) 및 플러그인 하이브리드 자동차(PHEV)의 추진 시스템에서 중요한 부품인 트랙션 인버터의 성능과 효율 향상을 위한 기술 교류를 실시해 왔다. 양사는 파워 일렉트로닉스의 개량을 통한 냉각의 최적화 및 메카트로닉스 통합으로 방열성을 개선해 고효율을 실현함으로써 코스트 퍼포먼스의 적정화를 도모한다. 또한 SiC 패키지의 채용을 통해, 시스템 전체의 신뢰성도 향상시킨다. 이러한 기술의 진화는 주행 거리 연장, 고속 충전 기능, 그리고 BEV 및 PHEV용 고성능 및 합리적인 가격의 인버터를 요구하는 수요에 대응하기 위해 꼭 필요하다. 발레오는 2026년초에 프로젝트로서 첫번째 시리즈를 공급할 예정이다. 발레오와 로옴은 차세대 xEV 인버터의 효율성 향상과 소형화에 기여한다.

2024.11.26 17:32장경윤

티씨케이, 와이엠씨·와이컴 상대 특허침해금지소송 승소

티씨케이는 와이엠씨 주식회사 및 주식회사 와이컴을 상대로 약 4년간 진행해 오던 특허침해금지 및 손해배상청구소송에서 승소했다고 22일 밝혔다. 22일 서울중앙지방법원 제62민사부는 2020년 12월 30일에 티씨케이가 제기한 특허침해금지소송에서 와이엠씨 및 와이컴이 티씨케이의 특허를 침해하고 있다고 최종 판결했다. 티씨케이가 2020년 12월 특허침해금지 소송을 제기한 이후, 와이엠씨 및 와이컴은 2022년 초부터 티씨케이의 특허의 유효성에 대해서 다퉈왔으나 티씨케이의 특허는 특허법원과 대법원 모두 유효하다고 판단해 왔고, 이번 특허침해소송에서도 서울중앙지방법원은 와이엠씨 및 와이컴이 티씨케이의 특허권을 침해했다고 판단했다. 이번 판결에 따라 와이엠씨 및 와이컴은 티씨케이의 특허권을 침해하는 SiC(실리콘카바이드) 링을 재생하는 생산 및 판매활동 등을 해서는 안되고, 티씨케이에 특허침해에 대한 손해배상을 해야 한다. 이번 특허침해금지 대상의 특허들은 SiC 링의 내플라즈마성을 증대시키는 구조에 관한 것과 SiC 링 소재의 물성특성 향상에 관한 것이다. 한편 티씨케이는 이번에 승소한 와이엠씨 및 와이컴과의 소송 외에도, 디에스테크노를 상대로 SiC 링 제조와 관련한 특허침해금지소송도 2019년 9월부터 진행 중에 있다. 티씨케이는 "이번 결과를 바탕으로 지식재산권을 보호하기 위해 특허의 무단침해 기업에 대해서는 단호하고 엄중하게 추가적인 법적조치를 취할 계획"이라며 "보유하고 있는 특허들에 대한 추가적인 권리행사도 검토 중에 있다”고 밝혔다. 회사는 이어 "지금까지와 같이 기술 위주 경영에 주력하면서, 정당한 권리를 보호받기 위한 지식재산권 확보 및 권리행사에 만전을 기할 것”이라고 말했다.

2024.11.22 15:59장경윤

中, 12인치 'SiC 웨이퍼' 최초 공개…기술력·시장 급성장

중국이 메모리, 파운드리에 이어 차세대 전력반도체 핵심 소재인 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 산업에서도 두각을 나타내고 있다. 지난해 급격한 매출 성장세를 기록한 것은 물론, 최근 기술력 면에서도 의미있는 성과를 거뒀다. SiC 웨이퍼는 SK실트론 등 국내 기업들도 사업 확대를 노리는 분야로, 중국의 공세에 미리 대응해야 한다는 목소리가 제기된다. 22일 업계에 따르면 중국 SiC 웨이퍼 전문기업 SICC는 최근 유럽에서 열린 '세미콘 유럽 2024'에서 업계 최초로 300mm(12인치) SiC 웨이퍼를 발표했다. SiC는 기존 실리콘(Si)을 대체할 차세대 전력반도체 소재다. 실리콘 대비 고온·고압에 대한 내구성이 높고, 전력 효율성이 뛰어나다. 덕분에 전기자동차 산업을 중심으로 수요가 꾸준히 증가하고 있다. 다만 SiC 웨이퍼는 기술적 난이도가 매우 높은 분야로 평가 받는다. 현재 실리콘 웨이퍼가 대부분 8·12인치용으로 제작되는 반면, SiC 웨이퍼는 6인치가 주류를 이루고 있다. 8인치는 울프스피드, 인피니언 등 해외 소수 기업만이 초도 생산을 시작한 상태다. 이러한 상황에서 중국 SICC의 12인치 SiC 웨이퍼의 개발 소식은 업계의 주목을 받고 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SiC 반도체 시장이 8인치로 전환되는 과정에 있기 때문에, 당장 12인치 웨이퍼가 시장성을 가진 것은 아니다"면서도 "그러나 중국 웨이퍼 제조업체가 기술 리더십을 선점했다는 측면에서는 무시할 수 없는 행보"라고 설명했다. 실제로 중국은 SiC 웨이퍼 시장에서 상당한 입지를 굳히고 있다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면, 지난해 기준 전 세계 SiC 웨이퍼 제조기업의 매출 순위에서 중국 기업은 2위(Tankeblue), 4위(SICC), 6위(semiSiC)에 올랐다. 이들 기업은 2022년만 해도 매출 순위가 그리 높지 않았으나, 1년만에 급격한 매출 성장세를 기록했다. 특히 SICC의 경우 매출이 804%나 증가하면서, 기술력과 시장성 측면에서 모두 유의미한 성과를 얻었다. 중국이 이처럼 SiC 산업에서 두각을 드러낼 수 있었던 주요 배경 중 하나는 정부의 적극적인 지원 정책이다. 중국은 SiC와 GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 소자를 '3세대 반도체'로 규정하고, 관련 산업에 투자하는 기업에 보조금을 지급해 왔다. 2017년 시행된 13차 5개년 규획, 2021년 14차 5개년 규획 등에 이 같은 내용이 모두 포함돼 있다. 또 다른 관계자는 "중국 SiC 웨이퍼 기업들은 탄탄한 내수 전기자동차 시장을 등에 업고 성장할 수 있어, 산업적으로 유리한 위치를 점하고 있다"며 "공급량을 확대하면 SiC 웨이퍼 수익성이 하락하는 등 부수적인 여파까지 미칠 수 있다"고 강조했다. 한편 국내에서는 SK실트론이 미국 듀폰의 SiC 사업부를 인수해 관련 사업을 진행하고 있다. 쎄닉, 아르케 등 스타트업들도 SiC 웨이퍼 양산을 위한 준비에 매진하고 있다.

2024.11.22 13:07장경윤

로옴, 절연 특성 강화한 신규 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 개발

로옴은 단자 간의 연면 거리를 연장해 절연 내성을 향상시킨 표면 실장 타입 'SiC 쇼트키 배리어 다이오드(이하 SBD)'를 개발했다고 12일 밝혔다. 온보드 차저(OBC) 등 자동차기기용으로 'SCS2xxxNHR' 8개 기종을 구비했으며, 2024년 12월부터는 FA 기기 및 PV 인버터 등 산업기기용으로 'SCS2xxxN' 8개 기종도 판매를 개시할 예정이다. 신제품은 기존 패키지의 하부에 배치된 센터 핀을 제거하고, 독자적인 형상을 채용한 로옴 오리지널 패키지를 채용해, 연면 거리를 일반품의 약 1.3배에 해당하는 최소 5.1mm로 연장했다. 연면 거리를 길게 확보함으로써 단자 간의 트래킹(연면 방전)을 억제할 수 있어, 고전압 어플리케이션에서 기판에 디바이스를 표면 실장할 때, 수지 포팅을 통한 절연 처리가 필요하지 않다. 내압은 650V와 1200V의 2종류를 구비해, xEV (전동차)에서 널리 활용되는 400V 시스템뿐만 아니라, 향후 채용 확대가 예상되는 고전압의 시스템에도 사용 가능하다. 또한 TO-263 패키지의 일반품 및 기존품과 공통된 랜드 패턴으로 실장할 수 있어, 기존의 회로 기판에 대한 대체 사용이 가능하다. 자동차기기용 'SCS2xxxNHR'은 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101※4에 준거하고 있다. 신제품은 2024년 9월부터 샘플 출하를 개시했다. 로옴은 "SiC를 사용한 고내압 SBD의 개발을 추진해, 시장 니즈에 최적인 파워 디바이스의 제공하고 자동차 및 산업기기의 저전력화와 고효율화에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.11.12 10:59장경윤

쎄닉, 전력반도체용 SiC 가공전문기업 헤일로와 MOU 체결

전력반도체용 실리콘카바이드(SiC) 소재 전문기업 쎄닉은 미국의 SiC 가공전문업체인 헤일로 인더스트리(Halo Industries)와 SiC 웨이퍼 공급과 가공 협력에 대한 MOU를 체결했다고 30일 밝혔다. 헤일로는 미국 스탠퍼드 대학교에서 분사한 회사로 SiC, Si, 사파이어, GaN, 다이아몬드 등 광범위한 재료와 웨이퍼 슬라이싱, 웨이퍼 성형 및 웨이퍼 백그라인딩을 포함한 다양한 애플리케이션에 대한 레이저 기반 가공(레이저 슬라이싱)을 전문으로 하고 있다. 레이저 슬라이싱은 기존 와이어 슬라이싱 대비 재료 폐기물을 크게 줄임과 동시에 웨이퍼 제조 수량을 두 배로 늘릴 수 있는 기술로 많은 기업이 연구하고 있는 분야다. 헤일로는 이미 기술 상용화에 성공해, 여러 고객사를 통해 웨이퍼 공급 및 생산규모를 확장 중에 있다. 양사는 미국 노스캐롤라이나주 롤리에서 열린 '국제 SiC 및 관련 자료 컨퍼런스(ICSCRM2024)'에서 긴밀한 협력관계를 약속하고 향후 양사가 나아가야 할 방향에 대해 심도 있게 논의했다. 쎄닉과 헤일로는 MOU를 통해 자본 효율성 개선, 제품 시장 출시 시간 단축 및 총 소요 비용 절감 등 고객에게 제공하는 가치를 높이려고 노력하기로 했다. 쎄닉 구갑렬 대표이사는 “이번 MOU 체결은 양사의 발전적인 협력관계를 알림과 동시에, 개발 협력의 신호탄이 될 것”이라며 “양사가 긴밀히 협력함으로써 개발완료된 전력반도체용 150mm SiC 웨이퍼 및 개발중인 200mm SiC 웨이퍼 가공품질 개선과 원가절감을 달성할 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔다.

2024.10.30 15:08장경윤

SK, SiC 전력반도체 쉽지 않네...SK파워텍 '애물단지' 전락

SK가 SiC(실리콘 카바이드) 전력반도체 사업 강화를 위해 2년전 인수한 SK파워텍이 실적 부진으로 애물단지로 전락할 위기다. SiC 전력반도체 시장의 주요 수요처인 전기차 시장의 성장 둔화가 지속되면서 어려움을 겪고 있기 때문이다. 글로벌 SiC 전력반도체 기업들도 올해 수요 부진으로 팹 건설 철회를 결정하기도 했다. ■ SiC 전력반도체 성장 둔화...SK파워텍 실적 위기 SiC 전력반도체는 98% 이상의 전력변환 효율과 내구성을 장점으로 기존 실리콘(Si) 전력반도체 시장을 대체하고 있다. 특히 전기차를 중심으로 SiC 전력반도체 수요가 증가해 왔다. SK는 SiC 전력 반도체 성장성을 높게 보고 2021년, 2022년 두차례 지분 투자를 거쳐 SiC 전력 반도체 설계·제조하는 기업 에스파워테크닉스를 인수했고, 2023년 3월 SK파워텍으로 사명을 변경했다. 현재 SK㈜의 지분율은 98.59%다. SK는 SK파워텍 인수를 통해 반도체 밸류체인 구축을 목표로 했다. SK파워텍이 SK실트론으로부터 SiC 웨이퍼를 수급받아 SiC 전력반도체 완제품을 생산하고, SK시그넷 등으로 전기차용 전력반도체를 납품한다는 구상이다. 하지만 최근 전기차 캐즘(일시적 수요 정체)이 장기화되면서 전세계 SiC 전력반도체 시장은 성장 둔화로 어려움을 겪고 있다. SK파워텍의 실적 또한 하락세다. 감사보고서에 따르면 SK파워텍의 영업손실은 2022년 110억원, 2023년 203억원을 기록하면서 적자가 더 커졌다. 같은 기간 매출 또한 35억원에서 19억8천만원으로 43.4% 감소하며 절반이 됐다. SK파워텍의 최대 고객사인 SK시그넷으로부터 창출된 매출도 2022년 6억2천만원에서 2023년 5억3천만원으로 14.3%가 줄었으며, LEAP세미컨덕터와 아이쎄미 매출은 지난해 끊겼다. SK파워텍의 제품 재고자산도 2022년 23억3천만원에서 2023년 31억5천만원으로 늘었다. SK파워텍은 SiC 전력 반도체 본격 진출을 위해 지난해 4월 기존 포항 공장을 부산으로 이전하면서 생산용량을 연간 웨이퍼 생산량 2만9000장을 구축하며 이전 보다 3배 키웠으나, 업계에 따르면 현재 가동률은 저조한 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "SK는 SK파워텍 재무부담이 커지고, SiC 전력반도체 수요 전망 악화로 어려움을 겪고 있다"라며 "SiC 분야는 지속적인 투자가 필요한 산업인 만큼, 실적 개선을 이루기 쉽지 않을 것"이라고 말했다. ■ 전세계 SiC 전력반도체 시장 부진...울프스피드, 독일 신규 팹 건설 철회 SiC 전력반도체 시장 불황은 SK파워텍에만 국한되지 않는다. 글로벌 SiC 전력반도체 시장 점유율 4위인 미국 울프스피드는 독일 자동차부품업체 ZF와 독일 자를란트에 8인치 SiC 전력반도체 제조시설을 건설한다는 계획을 지난해 1월 발표했으나, 지난해 6월 건설 계획을 2년 연기해 2025년에 시작한다고 밝혔다. 당시 울프스피드는 "유럽과 미국 모두에서 전기차 시장이 약세를 보이면서 시설투자를 줄이게 됐다"고 설명했다. 그러나 지난 23일(현지시간) 로이터통신에 따르면 전기차 시장 부진이 지속되자 결국 울프스피드와 ZF는 독일 SiC 전력반도체 팹 건설을 철회하기로 했다. SiC 전력반도체 점유율 2위인 온세미 또한 실적 부진을 겪고 있다. 온세미는 지난 28일(현지시간) 3분기 실적발표 컨콜에서 "주요 고객사인 중국 리오토, BYD, 샤오펑 등의 전기차 수요 감소로 인해 하반기 중국에서 매출이 예상 수준에 이르지 못했다"라며 "자동차 부분 매출은 9억5천120만 달러로 전년 보다 17.8% 감소했다"고 밝혔다. 업계 관계자는 "SiC 전력반도체 사업을 성공적으로 운영하려면 앞으로 최소 3년, 5년 이상 대규모 투자를 감당할 수 있어야 한다"라며 "이 시장은 온세미, ST, 로옴 등 대규모 투자와 생태계를 구축한 글로벌 기업들만이 살아남을 수 있을 것"이라고 말했다. 이어 "SK파워텍의 현재 투자 규모로는 SiC 전력반도체에서 경쟁력을 유지하기 쉽지 않다"라며 "무엇보다 현재 SK그룹이 자금 여력이 충분치 않다는 점에서 SiC 전력반도체 사업 지속 여부를 고민할 것"이라고 덧붙였다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 SiC 전력반도체 시장에서 ST마이크로일렉트로닉스(32.6%), 온세미(23.6%), 인피니언(16.5%), 울프스피드(11.1%), 로옴(8%) 순으로 차지하며 상위 5개 기업이 전체 매출의 92%를 차지한다.

2024.10.29 16:27이나리

로옴, 코셀 AC-DC 전원 유닛에 'EcoSiC' 제품군 공급

로옴은 회사의 'EcoSiC' 제품인 SiC MOSFET 및 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(이하 SBD)가 코셀의 3.5kW 출력, 3상 전원용 AC-DC 전원 유닛 'HFA·HCA 시리즈'에 채용됐다고 23일 밝혔다. 강제 공랭 타입인 HFA 시리즈와 전도 방열 타입인 HCA 시리즈에 로옴의 SiC MOSFET와 SiC SBD가 탑재돼, 최대 94%의 고효율 동작에 기여하고 있다. HCA 시리즈는 지난해부터, HFA 시리즈는 올해부터 양산 및 출하를 개시했다. 산업기기 분야에서는 MRI 및 CO2 레이저 등 대전력을 취급하는 다양한 어플리케이션이 존재한다. 또한 이러한 어플리케이션의 전원에는 가정용 단상 전원과는 다른 3상 전원이 사용된다. 고온, 고주파, 고전압 환경에서의 성능이 우수한 로옴의 EcoSiC를 탑재한 코셀의 3상 전원용 AC-DC 전원 유닛은 세계 각국의 3상 전원 (200VAC~480VAC)에 대응 가능하여, 다양한 산업기기에서 전원의 고효율화에 기여한다. 로옴은 "SiC 파워 디바이스의 제공을 통해, 전원 시스템에 있어서 업계를 견인하는 코셀을 지원할 수 있어서 매우 기쁘게 생각한다"며 "앞으로도 코셀과의 지속적인 협업을 통해 대전력을 취급하는 산업기기의 고효율화를 추진함으로써 지속 가능한 사회의 실현에 기여해 나가고자 한다"고 밝혔다.

2024.10.23 10:11장경윤

인피니언, 실리콘과 SiC 결합한 '전력 모듈' 출시

인피니언테크놀로지스는 e-모빌리티 분야의 트랙션 인버터를 위한 '하이브리드팩 드라이브G2 퓨전(HybridPACK™ Drive G2 Fusion)' 전력 모듈을 출시했다. 이 제품은 인피니언의 실리콘과 실리콘 카바이드(SiC) 기술을 결합한 첫 번째 플러그 앤 플레이 전력 모듈이다. 전력 모듈에서 실리콘과 SiC의 주요 차이점은 SiC가 열전도율, 항복 전압 및 스위칭 속도가 더 높아서 실리콘 기반 전력 모듈보다 더 효율적이지만 더 비싸다는 것이다. 따라서 새로운 모듈을 사용하면 차량당 SiC 사용량을 줄여서 시스템 비용을 낮추면서 차량 성능과 효율을 유지할 수 있다. 예를 들어, 시스템 공급업체는 30%는 SiC, 70%는 실리콘을 사용해 전체 SiC 솔루션의 시스템 효율을 높일 수 있다. 하이브리드팩 드라이브G2 퓨전 전력 모듈은 차량 부품과 모듈에 빠르고 쉽게 통합할 수 있다. 750V 등급에서 최대 220kW를 제공하고 -40°C ~ +175°C 온도 범위에서 높은 신뢰성과 향상된 열전도성을 보장한다. 인피니언의 CoolSiC 기술 및 실리콘 IGBT EDT3 기술의 고속 턴온 기능으로 싱글 게이트 드라이버 또는 듀얼 게이트 드라이버를 사용할 수 있다. 이에 따라 전체 실리콘 또는 전체 SiC 기반 인버터에서 퓨전 인버터로 쉽게 재설계할 수 있다.

2024.10.16 13:13이나리

美 정부, SiC 반도체 '울프스피드'에 1조원 보조금 지급

미국 상무부는 15일(현지시간) 반도체지원법에 따라 자국 반도체 기업 울프스피드에 7억5천만달러(약 1조235억원)의 보조금을 지급하는 예비양해각서(PMT)를 체결했다. 1987년 노스캐롤라이나에서 설립된 울프스피드는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼와 반도체를 제조하는 업체다. SiC는 기존 실리콘(Si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어나 전기차, 태양광 인버터 시장에서 각광받는 반도체다. 울프스피드는 반도체 보조금을 노스캐롤라이나 실러시티에 위치한 200mm SiC 웨이퍼 제조 공장에 사용할 예정이며, 이를 통해 5천개 일자리가 창출될 것으로 기대된다. 이날 지나 러몬도 상무부 장관은 "인공기능, 전기차, 청정에너지는 21세기를 정의하는 기술"이라며 "울프스피드의 투자 계획 덕분에 바이든·해리스 정부는 반도체의 미국 생산을 재점화하는 데 있어서 의미 있는 한 발을 내디디고 있다"고 밝혔다. 그렉 로위울프스피드 최고경영자(CEO)는 성명을 통해 "오늘의 발표는 울프스피드가 미국 경제 및 국가 안보 이익에 중요한 기업이라는 것을 증명한다"고 전했다. 미국 정부가 2022년에 만든 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 5년간 총 527억달러(75조5000억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지를 목표로 한다. 앞서 미국 정부는 지난 4월 한국 삼성전자 미국 텍사스주 공장에 반도체 설립 보조금으로 64억 달러(약 8조8505억원)를 지원한다고 발표했다. 지난 7월 SK하이닉스는 인디애나주 반도체 패키징 시설 투자에 4억5천만 달러(약 6천200억원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출 지원을 받는다고 밝혔다. 그 밖에 마이크로칩 테크놀로지가 1억6200만 달러, 미국 파운드리 업체 글로벌파운드리가 15억 달러, 인텔이 85억 달러와 최대 110억 달러의 대출 지원, 대만 TSMC가 66억 달러의 보조금과 50억 달러 최대 대출 50억 달러 등을 각각 받게 됐다.

2024.10.16 09:35이나리

로옴, 청청자동차 그룹 '신동반도체'와 파트너십 체결

반도체 기업 로옴이 창청자동차 그룹의 자회사 신동반도체와 SiC(실리콘카바이드) 차량용 파워 모듈과 관련해 전략적 파트너십을 체결했다고 밝혔다. 전기차(xEV) 시장이 성장하면서 주행거리 및 충전속도 향상에 대한 요구도 높아지고 있다. 이러한 요구를 해결하는 키 디바이스로서 SiC가 크게 주목받고 있으며, 구동의 중핵을 담당하는 트랙션 인버터 등에서 사용이 확대되고 있다. 신동반도체는 로옴의 SiC 칩을 탑재한 차량용 파워 모듈의 성능 향상을 통해 전기차의 주행 거리 연장을 목표로 한다. 양사는 앞으로 SiC를 중심으로 하는 혁신적인 차량용 파워 솔루션의 개발을 가속화하며 자동차의 기술 혁신에 기여해 나갈 예정이다. Zheng Chunlai 신동반도체 회장은 "로옴과의 전략적 파트너십은 창청 자동차 그룹의 수직 통합 체제를 강화함과 동시에, 한층 더 고성능의 전기차 개발을 가속화할 전망"이라고 밝혔다. Kazuhide Ino 로옴 이사는 "로옴은 장기간에 걸쳐 업계를 리드하는 SiC 파워 디바이스의 개발 및 제조 체제를 구축해 왔다"라며 "신동반도체와의 협력을 통해, 한층 더 고성능 고품질의 최첨단 차량용 파워 솔루션을 제공해 xEV의 기술 혁신에 기여해 나가겠다"고 전했다.

2024.10.10 16:57이나리

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