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GIST-삼성-MIT, Ru에 탄소원자 5개 첨가로 반도체 배선 "저항 혁명"

광주과학기술원(GIST)이 삼성전자 및 미국 MIT 연구팀과 공동으로 차세대 반도체 초미세 배선의 전기저항 값을 45% 낮추는데 성공했다. 2nm급 차세대 반도체 배선과 복잡한 3차원 구조에도 적용 가능할 전망이다. 22일 GIST에 따르면 조용륜 GIST 중앙기기연구소 첨단분석센터 박사후연구원이 공동1저자로 참여했다. 삼성전자 SAIT(전 삼성종합기술원)에선 임용철 박사(공동1저자겸 교신저자)를 비롯한 하윤후·이영민 연구원(이상 공동 제1저자)와 이정엽·조은형·채병규·이재우·조기영·박성용·변경은·김상원 연구원, MIT에선 김지환 연구원이 공동저자로 이름을 올렸다. 연구결과는 과학기술계 세계 3대 국제학술지 '사이언스'에 온라인으로 게재됐다. 핵심은 미량의 탄소를 '일시적 결정 성장 촉진제'로 활용해 비정질 절연 기판 위에서도 금속 결정의 방향을 정밀하게 정렬하는 기술을 개발하고, 이를 통해 차세대 반도체 초미세 배선의 전기저항을 최대 45%까지 낮출 수 있음을 확인한 것. 연구팀은 구리 배선 대신 나노미터 수준에서도 배선의 폭을 구현하기 유리한 차세대 금속 소재 루테늄(Ru)을 이용했다. 조용륜 박사후연구원은 "Ru는 그러나 문제가 있다. 매우 얇은 박막을 만들 경우, 금속을 이루는 작은 결정립들이 경계면에서 전자산란으로 전기저항 값을 증가시킨다"며 "Ru에 탄소 첨가와 열처리를 통해 이 문제를 해결했다"고 말했다. 기존에는 이를 위해 에피택시(기판 원자 배열따라 결정막을 성장 시키는 방법)나 고온 열처리법을 써왔으나, 기판과 공정 조건 제약으로 실제 반도체 공정에 적용하는데는 한계가 있었다. 연구팀은 탄소 함량을 달리해 비교한 결과, 루테늄을 구성하는 원자 1,000개 가운데 약 5개에 불과한 약 0.48 at%(원자 퍼센트)의 탄소를 첨가했을 때 결정립의 성장과 정렬이 가장 효과적으로 촉진되는 것을 확인했다. 반면 탄소가 지나치게 많아지면 결정 방향의 정렬을 오히려 방해하는 것으로 나타났다. 연구팀은 탄소가 결정립 성장과 정렬을 촉진하는 원리도 규명했다. 열처리 과정에서 Ru 내부에 있던 탄소 원자들이 결정립이 맞닿는 경계인 결정립계로 이동해 탄소가 풍부한 영역을 형성하고, 이후 탄소가 기체 형태로 빠르게 빠져나가면서 일시적인 빈 공간인 '자유부피(free volume)'가 형성됐다고 설명했다. 조용륜 박사후연구원은 "실시간 가열 투과전자현미경(TEM)을 이용해 시료를 현미경 안에서 가열하면서 결정립이 성장하고 방향을 재배열하는 과정을 직접 관찰했다"고 강조했다. 관찰 결과 450℃에서 열처리한 Ru 박막의 평균 결정립 크기는 약 13nm에서 91.7nm로 약 7배 커졌다. 결정들이 한 방향으로 정렬된 정도를 나타내는 결정 배향도는 99.3 %에 달했다. 전기적 성능도 크게 향상됐다. 두께 8nm의 루테늄 박막에서 11.2μΩ·cm(마이크로옴 센티미터)의 낮은 비저항값도 관찰했다. 이는 탄소 촉진제를 사용하지 않은 Ru보다 29.0% 낮은 수준이다. 특히 실제 초미세 배선 구조로 제작했을 때에는 배선 저항이 탄소 촉진제를 사용하지 않은 Ru대비 45.4% 감소했다. 연구팀은 또 종횡비가 33대 1에 이르는 좁고 깊은 홈(트렌치) 구조에 12nm 두께의 Ru을 입힌 결과, 홈의 측면과 바닥까지 99.1%의 높은 균일도로 Ru이 코팅됐다. 또한 복잡한 구조의 측면과 바닥에서도 루테늄 결정의 방향이 유지되는 것을 확인했다. 조용륜 박사후연구원은 "선폭이 2nm 수준으로 작아진 차세대 반도체 배선에 요구되는 전기적 성능을 충족했다"고 부연 설명했다. 조 박사후연구원은 "3D 메모리 및 차세대 반도체 배선 공정으로 확장 가능하다"며 "특히, Ru 외에도 금속 박막의 결정 성장과 배향 제어가 필요한 다양한 소재·공정으로의 확장 가능성이 있다"고 말했다. 향후 GIST는 보유 현미경을 활용해 금속 박막의 결정 성장·재결정화·계면 변화에 대한 동적 메커니즘 연구로 이번 성과를 이어갈 계획이다. 일시적 탄소촉진 개념을 다양한 금속 소재와 첨가 원소로 확장해 범용적인 결정구조 제어 전략으로 발전시킨다는 복안이다. 또 GIST 중앙기기연구소의 첨단 전자현미경 역량을 기반으로 산업체 및 국내외 연구기관과의 공동연구 확대할 계획이다.

2026.08.22 21:40박희범 기자

삼성전자, 네이처서 '초전력 낸드 기술 원리 규명' 인정 받아

삼성전자 연구진이 강유전체와 산화물 반도체를 결합한 낸드플래시 구조를 통해 기존 대비 전력 소모를 최대 96% 절감할 수 있는 가능성을 확인했다. 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 따르면 삼성전자 연구진은 '저전력 낸드플래시 메모리용 강유전체 트랜지스터'라는 제목의 논문을 세계적 학술지 네이처에 게재했다. 해당 논문은 SAIT(삼성종합기술원)와 반도체연구소 소속 연구진 34명이 공동 저자로 참여한 순수 사내 연구 개발 성과다. 약점이 강점으로...산화물 반도체의 숨겨진 구조에 주목 기존 낸드플래시는 셀에 전자를 주입하는 방식으로 데이터를 저장한다. 저장 용량을 늘리려면 셀의 개수, 즉 적층 단수를 늘리는 방식이 필수적이다. 그러나 직렬로 연결된 셀들을 순차적으로 거쳐 신호가 전달되는 낸드플래시의 구조적 특징 때문에 적층이 높아질수록 읽기·쓰기 전력 소모도 함께 증가하는 한계가 있었다. 그동안 강유전체 기반 차세대 낸드플래시에 대한 연구가 수차례 제안되었지만, 용량 증가와 전력 효율 저하의 상충관계는 여전히 해결되지 못한 과제로 남아 있었다. 삼성전자 SAIT 연구진은 이 문제의 실마리를 산화물 반도체의 고유 특성에서 찾았다. 일반적으로 문턱 전압 제어의 한계로 고성능 소자에서는 약점으로 여겨졌던 이 특성이, 강유전체 기반 낸드플래시 구조에서는 오히려 기존 대비 전력 소모를 획기적으로 줄일 수 있는 요소로 작용한 것이다. 연구진은 산화물 반도체의 고유 특성을 강유전체 기반 낸드플래시와 융합해 기존 대비 셀 스트링(Cell String) 동작에서 전력 소모를 최대 96% 절감할 수 있는 핵심 메커니즘을 세계 최초로 규명했다. 현존 최고 수준인 셀당 5비트(bit)의 고용량을 확보하면서 전력 소모를 기존 대비 낮출 수 있는 가능성을 검증한 셈이다. 데이터센터부터 모바일까지 확장되는 초저전력 스토리지의 미래 해당 기술이 상용화되면 대규모 AI 데이터센터부터 모바일·엣지 AI 시스템까지 다양한 분야에서 전력 효율을 크게 높일 수 있을 것으로 기대된다. 전력 소모가 감소하면 데이터센터 운영 비용 절감에 기여할 수 있으며, 모바일 기기에서는 배터리 사용 시간을 늘리는 효과를 기대할 수 있다. 이번 연구의 제1저자인 삼성전자 SAIT 유시정 연구원은 “초저전력 낸드플래시의 구현 가능성을 확인하게 되어 뿌듯하다”라며, “AI 생태계에서 스토리지의 역할이 더욱 커지고 있는데, 향후 제품 상용화를 목표로 후속 연구를 추진할 것”이라고 말했다.

2025.11.27 10:25전화평 기자

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