[컨콜] 삼성전자 "최첨단 NCF 소재 개발해 HBM3에 양산 적용 중"
삼성전자는 27일 올2분기 실적 컨퍼런콜에서 회사의 HBM(고대역폭메모리) 경쟁력 강화를 위한 핵심 기술 'NCF(비전도성 접착 필름)'의 강점을 소개했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 높이는 메모리반도체다. TSV(실리콘관통전극)를 통해 각 D램에 미세한 구멍을 뚫고, 이를 전기적으로 연결하는 구조로 돼 있다. 각 TSV 통로를 전기적으로 연결하는 데에는 작은 돌기 형태의 마이크로 범프가 쓰인다. HBM을 만들기 위해서는 D램 사이에 NCF를 집어넣고, 위에서부터 열압착을 가하는 TC 본딩 공정을 진행해야 한다. 이 때 NCF가 고온에 의해 녹으면서 범프와 범프를 연결하고, 칩 사이를 고정하는 역할을 하게 된다. 삼성전자는 이 NCF를 독자 개발해 HBM에 적용하고 있다. 삼성전자는 "회사가 독자 개발한 NCF 기술은 범프 사이를 빈틈 없이 채우는 기술"이라며 "TC 본딩 공정 또한 다년간의 양산을 통해 수율과 품질에 문제가 없음이 검증됐다"고 밝혔다. 회사는 이어 "특성을 더 개선한 최첨단 NCF 소재를 개발해 현재 양산 중인 12단 HBM3에 적용하고 있다"며 "세계 최초로 7 마이크로 기술을 적용 고객사에 출하 중"이라고 덧붙였다. 향후 전망에 대해서도 강한 자신감을 드러냈다. 내년부터 채용이 본격화될 것으로 전망되는 12단 HBM3의 경우, 적층 수 증가와 칩 두께 감소에 따른 워피지(휘어짐) 현상이 발생할 가능성이 있다. 이에 대해 삼성전자는 "당사의 NCF는 칩 전면을 열과 하중을 인가해 본딩하기 때문에, 칩 휘어짐을 용이하게 제어할 수 있다"며 "때문에 12단 제품에서의 당사 경쟁력은 더 강화될 것"이라고 설명했다. 한편 주요 경쟁사인 SK하이닉스는 최신 HBM 제품에 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 적용하고 있다. MR-MUF는 내부 공간 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 기술이다. 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 장점이 있다.
