• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 생활/문화
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
스테이블코인
배터리
AI의 눈
IT'sight
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'MOSFET'통합검색 결과 입니다. (11건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

ST, 초소형·고효율 동기식 정류기 컨트롤러 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 동기식 정류기 컨트롤러인 SRK1004를 출시했다고 22일 밝혔다. 이 컨트롤러는 충전기, 전원 어댑터, 스위칭 모드 전원공급장치(SMPS)에 사용되는 액티브 클램프(ACF), 공진형(AHB), 준공진형(QR) 플라이백 컨버터의 2차측 공간을 절감하고 효율을 높여준다. SRK1004는 2mm x 2mm 크기의 초소형 IC로 기존 SRK1001을 대체하며, 효율성과 견고성을 높이기 위해 새로운 스위치-오프 알고리즘을 구현한다. 6종의 모델로 제공되는 SRK1004 시리즈를 통해 설계자는 로직 레벨이나 표준 MOSFET 게이트 구동 방식과 드레인 인덕턴스 보상을 위한 25ns 또는 150ns의 턴오프 지연 시간을 선택할 수 있다. 이 컨트롤러는 액티브 클램프와 공진형 및 준공진형 플라이백 토폴로지에 적합하며, 불필요한 스위칭을 방지하는 턴온 윈도우 생성 회로도 내장하고 있다. 게이트에 대한 출력은 최대 1.6A의 싱크 전류와 0.6A의 소스 전류를 지원하며, 500kHz의 스위칭 주파수를 통해 소형 및 저비용 설계가 가능하다. SRK1004는 ST의 견고한 SOI(Silicon-on-Insulator) 공정을 활용해 최대 190V의 드레인-소스 전압으로 로우사이드 또는 하이사이드로 연결된 MOSFET을 제어한다. 이 IC는 4V ~ 36V의 넓은 공급 전압 범위를 지원하며, 로우사이드 구성에서는 컨버터 출력에서, 하이사이드 구성에서는 트랜스포머에서 전원을 공급받을 수 있다. 따라서 별도의 보조 전원공급장치가 필요하지 않아 부품 수를 줄이고 부품원가(BOM)를 최소화할 수 있다. SRK1004에는 IC 내부 회로와 게이트 드라이버에 전원을 공급하는 선형 레귤레이터가 내장되어 있으며, 출력 핀으로 외부 회로에도 전원을 공급한다. 6개의 개별 평가 보드로 구성된 EVLSRK1004A-F가 제공되므로 새로운 프로젝트를 신속하게 시작하고 컨버터 회로와 MOSFET에 가장 적합한 SRK1004 모델을 식별하는 데도 도움을 준다.

2026.01.22 10:15장경윤 기자

파워큐브세미, 코스닥 상장 예비심사 청구서 제출

전력반도체 전문기업 파워큐브세미는 코스닥 상장을 위한 예비심사청구서를 제출했다고 16일 밝혔다. 상장 주관사는 하나증권과 BNK투자증권이다. 2013년 설립된 파워큐브세미는 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC), 산화갈륨(Ga2O3) 등 차세대 화합물 반도체 소자 기술력을 바탕으로 기술성 평가에서 A등급과 BBB등급을 동시에 획득하며 기술력을 인정받았다. 특히 국내 최초로 2300V SiC MOSFET 개발에 성공했으며, 중국의 글로벌 전기차 기업에 직접 설계한 'Si SJ MOSFET'을 공급한 실적도 보유하고 있다. 산화갈륨(Ga2O3)은 기존 실리콘카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN)보다 넓은 밴드갭을 가지고 있어, 고전력 환경에서도 효율적으로 작동할 수 있는 특성을 지닌 차세대 전력반도체의 핵심 소재로 주목받고 있다. 강태영 파워큐브세미 대표이사는 “이번 예비심사를 계기로 파워큐브세미의 성장이 본격화될 것으로 기대한다”며 “저전력·고효율이 핵심인 반도체 산업에서 핵심 기술 경쟁력을 갖춘 기업으로 거듭나겠다”고 말했다. 향후 파워큐브세미는 반도체 소자 설계를 넘어 제조 공정까지 내재화함으로써 성능과 가격에서 모두 경쟁력을 확보하고, 글로벌 시장에서 에너지 효율 혁신을 이끄는 핵심 기업으로 성장해 나갈 계획이다.

2026.01.19 08:53장경윤 기자

"삼성 2나노 공정으로 3년내 QPU 상용화....양자노트북 곧 볼 것"

"삼성전자 2나노 공정으로 3년내 금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET) 기반 실용적인 양자컴퓨터용 프로세서(QPU) 제작이 가능하다." 한국전자통신연구원(ETRI) 출신인 김현탁 미국 윌리엄 앤 메리(W&M) 대학 연구교수가 내년 3월 18일 미국 덴버 코로라도 컨벤션센터에서 개최하는 미국물리학회 학술대회에서 이 같은 내용을 공개한다. 미국물리학회는 지난 주말 김현탁 연구교수의 '수백만 큐비트를 갖춘 실용적인 MOSFET 기반 양자컴퓨터'라는 제목의 연구논문 초록을 공개했다. 이 기술이 과학기술계서 검증되면 3~5년내에 양자 노트북이나 양자 스마트폰이 현실화될 수 있을 것으로 전망됐다. 김 교수는 "상온상압에서 에러없이 양자 알고리즘을 구동할 수 있는 MOSFET 큐비트 기반의 양자컴퓨터(QC)용 퀀텀 프로세서(QPU) 아키텍처를 내년 3월 세계 처음 공개할 예정"이라며 "이 아키텍처는 쇼어(Shor)의 소인수 분해 양자 알고리즘으로 N=15 문제를 풀어 가능성을 입증했다"고 말했다. MOSFET은 트랜지스터의 일종으로 스마트폰을 포함한 모든 종류의 컴퓨터에 이 방식이 쓰인다. 양자컴퓨터는 양자역학의 원리이자 특성인 중첩과 얽힘 현상을 이용해 복잡한 계산을 고전 컴퓨터보다 빠르게 수행할 수 있다. 실제 구글은 '105큐비트 윌로우 QPU로 슈퍼컴퓨터가 3.2년 걸릴 계산을 단 2시간만에 해결 했다고 발표했다. 양자컴퓨터는 또 암호해독, 인공지능, 신약개발, 금융과 같은 곳에서 제기된 최적화 문제뿐만 아니라 인공지능(AI) 기반 휴머노이드 로봇에도 적용할 수 있다. 하지만 이를 제대로 구현하기 위해선 해결해야 할 문제가 적지 않다. 초전도 방식은 초극저온에서 동작한다. 큐비트가 늘수록 배선 병목이 일어나기 쉽다. 오류정정도 풀어야 할 숙제다. 이온트랩 방식은 스케일링 확대가 어렵고, 중성원자는 오류정정 문제, 다이아몬드 NV 방식은 스핀 제어와 집적에서 병목현상이 일어난다. "MOSFET 큐비트는 에너지를 가하지 않아 중첩 붕괴도, 에러도 없어" 김현탁 연구교수는 "에너지를 가하지 않고도 중첩 가능한 MOSFET 기반 큐비트를 구현한 것"이라며 "MOSFET 큐비트는 에너지를 가하지 않았기 때문에 중첩의 붕괴가 없으며 에러가 없어 매우 신뢰도가 높다"고 설명했다. 김 교수는 "MOSFET 큐비트는 얽힘뿐만 아니라 여러 중요한 게이트인 인버터나 C-Not, 토폴리(Toffoli),스왑(Swap) 등도 가능하다"며 "필요한 모든 게이트를 만들 수 있다"고 부연 설명했다. 인버터는 0과 1 뒤집기, CNOT는 조건부 뒤집기, 토폴리는 두 조건이 참이면 뒤집기, 스왑은 두 큐비트 상태 자리 바꾸기다. 이는 양자컴퓨터 구성 플랫폼을 모두 갖춘 것을 의미한다. 김현탁 연구교수는 또 QPU의 가장 큰 특징 가운데 하나는 현재의 반도체 공정으로 100만 큐비트 이상도 실용화 수준으로 구현할 수 있다고 주장했다. 김 교수는 "삼성 2 나노 반도체 공정기술과 접목 가능하다. 1년 설계, 2년 제조 및 시험 기간을 합해 3년이면 QPU를 만들 수 있다. QPU가 만들어지면 양자 컴퓨터 구현은 어렵지 않다"며 "멀지않아 양자 노트북과 양자 스마트폰과 양자 휴머노이드 로봇 시대를 열 수 있다"고 강조했다. "상용화되면 소인수분해 이용하는 RSA 암호도 해독 가능해질 것" 이외에 김 연구교수는 양자컴퓨터가 상용화되면 현재 사용중인 큰 수의 소인수분해를 이용하는 RSA 암호(리베스트-샤미르-애들먼)도 해독 가능해진다고 덧붙였다. 김현탁 연구교수는 "인간이 손으로 계산할 수 있는 모든 계산은 컴퓨터도 할 수 있다"는 학계 격언을 비유로 들며 "이에 대한 대안으로 과학기술계가 수학기반 양자내성암호(PQC)를 개발 중이지만, 가까운 미래 암호 체계는 '수학 및 물리 기반'이 돼야 한다"고 주장했다. 한편 김현탁 교수는 한국전자통신연구원에서 금속-절연체 전이(MIT) 연구 프로젝트를 20년 수행하며, 물리학 미해결 난제인 모트 금속-절연체 전이 현상을 세계최초 실험적으로 규명했다. 2024년엔 상온초전도 연구 결과를 미국물리학회에 발표, 세계적으로 주목받았다. 지난 지난 2008년 ETRI MIT 연구팀을 주도하던 김 연구교수는 금속성분과 절연성분이 공존하는 중첩상태에서의 모트 금속-부도체 전이 현상(MIT)을 세계 최초로 밝혀냈다. 또 MIT 진동을 최초로 측정하고 그 진동이 약 30분정도 지속하는 '모트큐비트'를 만들어 2021년 미국물리학회에 발표하기도 했다. 그러나 당시 중첩이 감쇠돼 사라지는 현상 때문에 상용화로 이어지지는 못했다.

2025.12.23 10:08박희범 기자

로옴, 차량용 소형·고신뢰성 MOSFET 신규 패키지 제품 추가

로옴은 메인 인버터 제어 회로 및 전동 펌프, LED 헤드라이트 등 차량용 저내압(40V / 60V) MOSFET에 새롭게 'HPLF5060(4.9mm×6.0mm)' 패키지 제품을 라인업으로 추가했다고 9일 밝혔다. 새로운 패키지는 차량용 저내압 MOSFET로 일반적인 TO-252(6.6mm×10.0mm) 패키지에 비해 소형화가 가능하고, 걸윙 (Gull-wing) 리드 채용으로 기판 실장 시의 신뢰성 향상에 기여한다. 또한 구리 클립 본딩을 채용함으로써 대전류에도 대응할 수 있다. 본 패키지를 채용한 제품은 2025년 11월부터 순차적으로 양산을 개시했다. 온라인 판매에도 대응해 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 향후 해당 패키지 제품의 기종 전개와 더불어, 웨터블 플랭크(Wettable Flank) 형성 기술을 채용한 소형 DFN3333(3.3mm×3.3mm) 패키지 제품의 양산을 2026년 2월경부터 개시할 예정이다. 또한 로옴은 TOLG(TO-Leaded with Gullwing) 패키지 제품 (9.9mm×11.7mm) 개발에도 착수해 고전력 · 고신뢰성을 겸비한 패키지 라인업을 한층 더 확충해 나갈 계획이다.

2025.12.09 16:18장경윤 기자

로옴, 100V 내압 파워 MOSFET 'RS7P200BM' 출시

반도체 전문기업 로옴(ROHM)이 업계 최고 수준의 SOA(Safe Operating Area) 내량을 실현한 100V 내압 파워 MOSFET 'RS7P200BM'을 개발했다고 23일 밝혔다. 신제품은 5060사이즈(5.0mm × 6.0mm) 패키지를 적용했으며, 48V 계통 전원을 사용하는 AI 서버의 핫스왑 회로 및 배터리 보호용 전원 회로 등 산업기기에 최적화된 제품이다. 기존 대비 소형화·고밀도 실장 실현 RS7P200BM은 로옴이 2025년 5월에 출시한 AI 서버용 MOSFET 'RY7P250BM'(DFN8080-8S) 대비 한층 더 소형화된 DFN5060-8S 패키지를 채택했다. 이를 통해 공간 효율성을 높이고, 고밀도 실장이 필요한 서버 및 산업기기 전원 설계에 유리한 구조를 구현했다. 신제품은 VDS=48V 조건에서 펄스 폭 10ms 시 7.5A, 1ms 시 25A의 높은 SOA 내량을 확보했다. 또한, 트레이드오프 관계에 있는 ON 저항을 4.0mΩ 수준으로 낮춰, 동작 시 발열을 최소화했다. 이로써 서버 전원의 고효율화 및 냉각 부하 경감, 나아가 전력 비용 절감에도 기여할 수 있다. 2025년 9월부터 양산 개시… 온라인 구매도 가능 로옴은 해당 제품의 양산을 2025년 9월부터 시작했으며, 샘플 가격은 800엔(한화 7천500원)이다. 칩1 스탑(chip 1 Stop)과 코어스탶 온라인(CoreStaff Online) 등 주요 전자부품 유통 사이트를 통해 온라인 구매가 가능하다. 로옴은 “이번 신제품을 시작으로, AI 서버를 비롯한 48V 계통 전원 대응 제품 라인업을 지속 확충할 계획”이라며 “이를 통해 고효율·고신뢰성 솔루션을 제공함으로써, 지속 가능한 ICT 인프라 구축 및 저전력화에 기여할 것”이라고 전했다.

2025.10.23 11:18전화평 기자

로옴, 셰플러와 협력한 인버터 브릭 양산 개시

로옴(ROHM)은 독일 유명 자동차 부품 서플라이어인 셰플러AG와 협력해 실리콘 카바이드 모스펫(SiC MOSFET) 베어칩을 탑재한 신형 고전압 인버터 브릭 양산을 개시했다고 9일 밝혔다. 로옴의 SiC MOSFET이 채용된 인버터 브릭은 전동 파워 트레인의 중핵을 담당하는 중요 부품으로, 전기자동차의 효율과 성능을 크게 좌우한다. 셰플러가 로옴을 채용한 이유다. 로옴의 SiC 기술은 고효율 및 고출력과 동시에 컴팩트한 설계를 실현해 차세대 전동차의 보급을 서포트하게 된다. 양사는 2020년부터 전략적 파트너십을 구축해 왔다. 2023년에는 SiC 파워 디바이스에 관한 장기 공급 계약을 체결해, 전기자동차의 성능 향상에 꼭 필요한 SiC 칩의 공급 체제를 강화했다. 이번 신제품 양산 개시는, 이러한 협업 활동의 성과라고 할 수 있다. 카즈히데 이노 로옴 상무는 “로옴의 제4세대 SiC MOSFET가 셰플러의 인버터 브릭에 채용돼, 양산이 시작된 것을 매우 영광으로 생각한다”며 “로옴의 SiC 기술은 전기자동차의 효율과 성능 향상에 크게 기여하고 있다. 셰플러와의 파트너십을 통해 자동차 산업에서의 혁신과 지속 가능성 실현을 한층 더 추진해 나가고자 한다”고 말했다.

2025.09.09 15:21전화평 기자

로옴, 새로운 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)' 공개

로옴은 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)'을 개발했다고 29일 밝혔다. 파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다. 기존에 로옴에서 제공해온 SiC MOSFET용 SPICE 모델 'ROHM Level 1 (L1)'은 각 특성의 재현성을 높임으로써 고정밀도 시뮬레이션의 요구에 대응해왔다. 그러나 시뮬레이션의 안정성 및 연산 시간의 단축이라는 과제에 대한 개선이 요구됐다. 새로운 모델 'ROHM Level 3 (L3)'은 심플한 모델 식을 채용함으로써 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지함과 동시에 기존 모델인 L1 대비 시뮬레이션 시간을 약 50% 단축할 수 있다. 이에 따라 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어, 어플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다. 'ROHM Level 3 (L3)'의 제4세대 SiC MOSFET 모델 (37기종)은 지난 4월부터 웹사이트 상에서 공개 중으로, 제품 페이지 등에서 다운로드 가능하다. 새로운 모델 L3 제공과 병행하여 기존 모델도 지속적으로 제공하고 있다. 또한 사용 방법을 설명한 화이트페이퍼도 게재하여, 도입이 용이하도록 지원하고 있다. 로옴은 "앞으로도 시뮬레이션 기술의 향상을 통해 한층 더 고성능의 고효율 어플리케이션 설계를 지원해, 전력 변환 기술의 혁신에 기여해나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.05.29 11:20장경윤 기자

로옴, 소비전력·발열 저감 AI 서버용 MOSFET 개발

로옴은 48V 계통 전원의 AI 서버용 핫스왑 회로 및 배터리 보호가 요구되는 산업기기 전원 등에 최적인 100V 내압 파워 MOSFET 'RY7P250BM'을 개발했다고 22일 밝혔다. 신제품은 향후 수요가 확대될 것으로 예상되는 8080 사이즈 MOSFET로, 기존품의 대체 사용이 용이하다. 또한 높은 SOA 내량(조건 : VDS=48V, Pw=1ms / 10ms)과 낮은 ON 저항 (RDS(on))을 동시에 실현했다. 이에 따라 핫스왑 (전원 투입) 동작 시의 높은 제품 신뢰성을 확보함과 동시에 전원의 효율을 최적화해, 소비전력과 발열 저감이 가능하다. 서버의 안정 가동과 저전력을 동시에 실현하기 위해서는 핫스왑 회로에 있어서 대전류 부하에 견딜 수 있는 높은 SOA 내량이 반드시 필요하다. 특히 AI 서버의 핫스왑 회로에서는 기존의 서버보다 높은 SOA 내량이 요구되고 있다. 신제품은 펄스폭 10ms에서 16A, 1ms에서 50A라는 업계 TOP의 성능을 실현하여 기존의 MOSFET로는 대응이 어려웠던 고부하 어플리케이션에 대응 가능하다. 또한 업계 TOP의 높은 SOA 내량 MOSFET로서 낮은 ON 저항도 동시에 실현해, 통전 시의 전력 손실 및 발열을 대폭 삭감했다. 8080 사이즈의 일반적인 높은 SOA 내량을 지닌 100V 내압 MOSFET의 ON 저항은 2.28mΩ 정도인 반면, 신제품은 약 18% 저감한 1.86mΩ(조건 : VGS=10V, ID=50A, Tj=25℃)을 실현했다. 이러한 낮은 ON 저항 실현을 통해, 서버 전원의 고효율화, 냉각 부하의 저감, 전력 비용 삭감에 기여한다. 뿐만 아니라 신제품은 세계적인 클라우드 플랫폼 기업의 권장 부품으로도 인정을 받아, 향후 AI 서버에서 채용이 증가할 것으로 예상하고 있다. 신뢰성과 저전력이 중시되는 서버 분야에 있어서 높은 SOA 내량과 낮은 ON 저항의 밸런스가 클라우드 용도에서 높은 평가를 받았다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 인터넷 판매도 개시해 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 로옴은 "앞으로도 서버 및 산업기기용 48V 전원 대응 제품 라인업을 지속적으로 확충해, 고효율 및 고신뢰성 솔루션을 제공함으로써 지속 가능한 ICT 인프라 구축 및 저전력에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.05.22 14:07장경윤 기자

로옴 '2kV SiC MOSFET' 탑재 모듈, SMA 태양광 시스템에 채용

로옴은 자사의 최신 2kV SiC MOSFET를 탑재한 세미크론 댄포스의 파워 모듈이 SMA 솔라 테크놀로지 AG(이하 SMA)의 신형 태양광 시스템 'Sunny Central(서니 센트럴) FLEX'에 채용됐다고 12일 밝혔다. 서니 센트럴 FLEX는 대규모 태양광 발전 설비, 축전 시스템, 차세대 기술용으로 설계된 모듈러 타입의 플랫폼으로, 전력망의 효율화와 안정성 향상을 지향한다. 로옴의 새로운 2kV 내압 SiC MOSFET는 1천500V DC 링크용으로 심플하고 효율이 높은 컨버터 회로를 실현하기 위해 설계된 제품이다. 높은 신뢰성을 목표로, 우주선에 대한 내성을 구비해, 태양광 발전 분야에서의 까다로운 환경 조건이나 컨버터의 장수명화에 대한 요구에 대응할 수 있다. 또한 로옴의 게이트 저항을 내장한 SiC 디바이스 기술은 모듈 내에서의 병렬 구동을 용이하게 해, 고출력 모듈 설계의 간소화에도 기여한다. 세미크론 댄포스의 'SEMITRANS 20'은 대전력 용도 및 고속 스위칭 동작용으로 설계된 제품이다. 직류전압 1천500V에 대응하는 어플리케이션용으로 고효율의 심플한 솔루션을 제공해, 태양광 발전 및 축전 시스템에 적합하다. 세미크론 댄포스는 "로옴의 2kV SiC를 탑재한 SEMITRANS 20은 SMA의 서니 센트럴 FLEX의 중요한 구성 요소로, 향후 고출력 전동 트럭용 충전기 및 풍력 발전용 컨버터에도 활용될 것으로 기대하고 있다"며 "세미크론 댄포스와 로옴은 실리콘 IGBT 모듈에 있어서도 협업을 전개 중"이라고 밝혔다.

2025.05.12 10:37장경윤 기자

로옴, 업계 '최저 ON 저항' 소형 MOSFET 개발

로옴(ROHM)은 2.0mm×2.0mm 패키지 사이즈로 업계 최고의 낮은 ON 저항 2.0mΩ (Typ.)의 Nch 30V 내압 공통 소스 구성의 MOSFET 'AW2K21'을 개발했다고 15일 밝혔다. 신제품은 로옴의 독자적인 구조로 셀의 집적도를 향상시켜 칩 면적당 ON 저항을 저감했다. 또한 1개의 소자에 2개의 MOSFET를 내장해 충전 회로에서 요구되는 쌍방향 보호 용도 등에도 신제품 1개로 대응 가능하다. 이러한 독자적인 구조를 통해 일반적인 종형 Trench MOS 구조의 경우 이면에 배치되는 드레인 단자를 디바이스 표면에 배치할 수 있어, WLCSP의 채용이 가능하게 됐다. WLCSP는 부품 내부를 차지하는 칩 면적의 비율을 크게 확대할 수 있어, 부품 면적당 ON 저항도 저감할 수 있다. 이러한 ON 저항의 저감은 전력 손실 저감과 더불어 대전류화에도 기여하므로, 초소형 사이즈로 대전력의 급속 충전에 대응 가능하다. 예를 들어, 소형기기의 충전 회로에서 비교 시, 일반품은 3.3mm×3.3mm 사이즈의 제품이 2개 필요한 반면, 신제품의 경우 2.0mm×2.0mm 사이즈 1개로 대응이 가능해, 약 81%의 부품 면적 삭감과 약 33%의 낮은 ON 저항화가 가능해진다. 또한 일반적으로 ON 저항이 낮은 GaN HEMT 제품의 동일 사이즈와 비교하더라도, 신제품은 약 50%의 낮은 ON 저항화를 실현했다. 이와 같이 낮은 ON 저항의 초소형 'AW2K21'은 어플리케이션의 저소비전력화와 스페이스 절약화에 기여한다. 뿐만 아니라, 신제품은 로드 스위치 용도의 단방향 보호 MOSFET로도 사용이 가능하며, 이 경우에도 업계 최고의 낮은 ON 저항을 실현한다. 신제품은 2025년 4월부터 월 50만개의 생산 체제로 양산을 개시했다.

2025.04.15 11:23장경윤 기자

로옴, AI 등 고성능 서버용 신규 MOSFET 개발

로옴은 기업용 고성능 서버 및 AI 서버의 전원용으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항과 높은 SOA 내량을 실현한 Nch 파워 MOSFET를 개발했다고 26일 밝혔다. 신제품은 기업용 고성능 서버에 사용되는 12V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측 및 핫스왑 컨트롤러(HSC) 회로에 최적인 'RS7E200BG (30V)'와 AI 서버에 사용되는 48V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측에 최적인 'RS7N200BH (80V)', 'RS7N160BH (80V)'의 총 3개 기종이다. DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm) 패키지를 새롭게 개발해 기존의 HSOP8 (5.0mm×6.0mm) 패키지 대비, 패키지 내부의 칩 면적이 약 65% 향상됐다. 이에 따라 5.0mm×6.0mm 패키지 사이즈로, ON 저항 특성을 30V 제품인 'RS7E200BG'는 0.53mΩ (Typ.), 80V 제품인 'RS7N200BH'는 1.7mΩ (Typ.)으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현하여 서버 전원 회로의 고효율화에 크게 기여한다. 또한 패키지 내부의 클립 디자인 형상을 개선해 방열성을 향상시킴으로써, 어플리케이션의 신뢰성 확보에 기여하는 SOA 내량도 향상됐다. 특히 30V 제품인 'RS7E200BG'는 SOA 내량이 70A 이상(조건 : 펄스폭=1ms, VDS=12V 시)으로 기존의 HSOP8 패키지 제품에 비해 동일 조건에서 2배 향상됨에 따라, 5.0mm×6.0mm의 패키지 사이즈 기준으로 업계 최고 수준인 높은 SOA 내량을 실현했다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 생산 거점은 전공정 로옴 주식회사(시가 공장), 후공정 OSAT(태국)다. 인터넷 판매도 개시해 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 로옴은 "2025년 내에 AI 서버의 핫스왑 컨트롤러 회로에도 대응하는 파워 MOSFET를 순차적으로 양산할 예정"이라며 "라인업을 계속적으로 확충해 어플리케이션의 고효율 동작 및 신뢰성 향상에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.02.26 09:49장경윤 기자

  Prev 1 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

[쿠팡 사태⑤] "조회도 유출"…지능형 해킹 아닌 ‘관리 부실’ 결론

[단독] 한정애 "거래소 지분제한·은행 중심 스테이블코인 발행 법안 발의"

[유미's 픽] 李 'AI 고속도로'가 바꾼 판…정부 GPU 지원, 스타트업 실험에 불 붙였다

[쿠팡 사태⑥] 보안 전문가들 "기본도 안 지킨 인재" 한목소리

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현
  • COPYRIGHT © ZDNETKOREA ALL RIGHTS RESERVED.