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SK하이닉스, 1년만에 흑자전환…4분기 영업익 3460억원

SK하이닉스가 지난해 4분기 3천460억 원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 이로써 회사는 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자에서 1년 만에 벗어났다. SK하이닉스는 지난해 4분기 매출 11조3천55억 원, 영업이익 3천460억 원(영업이익률 3%), 순손실 1조 3천795억 원(순손실률 12%)의 경영실적을 기록했다고 25일 밝혔다. SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “이와 함께 그동안 지속해온 수익성 중심 경영활동이 효과를 내면서 당사는 1년 만에 분기 영업흑자를 기록하게 됐다”고 설명했다. 이에 따라 회사는 지난해 3분기까지 이어져온 누적 영업적자 규모를 줄여, 2023년 연간 실적은 매출 32조7천657억 원, 영업손실 7조7천303억 원(영업손실률 24%), 순손실 9조1천375억 원(순손실률 28%)을 기록했다. 지난해 SK하이닉스는 D램에서 시장을 선도하는 기술력을 바탕으로 고객 수요에 적극 대응한 결과, 주력제품인 DDR5와 HBM3 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다고 밝혔다. 다만 상대적으로 업황 반등이 늦어지고 있는 낸드에서는 투자와 비용을 효율화하는 데 집중했다고 언급했다. SK하이닉스는 고성능 D램 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E 양산과 HBM4 개발을 순조롭게 진행하는 한편, 서버와 모바일 시장에 DDR5, LPDDR5T 등 고성능, 고용량 제품을 적기에 공급하기로 했다. 또 회사는 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스(on-device) AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다. 낸드의 경우, 회사는 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다. 한편 올해 SK하이닉스는 지난해와 마찬가지로 고부가가치 제품 중심으로 생산을 늘리며 수익성과 효율성을 높이는 기조를 유지하는 한편, 투자비용(CAPEX) 증가는 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “장기간 이어져온 다운턴에서도 회사는 AI 메모리 등 기술 리더십을 공고히 하며 지난해 4분기 흑자 전환과 함께 실적 반등을 본격화하게 됐다”며 “새로운 도약의 시기를 맞아 변화를 선도하고 고객맞춤형 솔루션을 제시하면서 '토털 AI 메모리 프로바이더'로 성장해 갈 것”이라고 말했다.

2024.01.25 08:30장경윤

모바일 D램도 '훈풍'…첨단 'LPDDR5X' 전환 빨라진다

최첨단 모바일 D램인 'LPDDR5X' 시장이 올해 본격적으로 확대될 전망이다. 해외 스마트폰 제조사의 차세대 제품 전환, 고성능 개량 버전 개발 등이 핵심 요인이다. 이에 따라 스마트폰용 칩 설계사들도 최근 관련 IP(설계자산) 개발을 적극 주문하고 있는 것으로 알려졌다. 8일 업계에 따르면 올해 모바일 D램 시장에서 가장 최신 세대인 'LPDDR5X'의 적용이 확대될 조짐이다. LPDDR은 저전력(Low Power)에 특화 설계된 D램을 뜻한다. 스마트폰·태블릿 등 전력효율성이 중요한 IT기기에 주로 탑재되고 있다. LPDDR의 규격은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 제정하고 있다. 현재 공개된 가장 최신 규격은 7세대인 LPDDR5X다. 개발 초기 기준 7.5Gbps(1초당 전송할 수 있는 기가비트 단위)로, 이전 세대인 LPDDR5 대비 최소 1.2배 빠른 것이 특징이다. 나아가 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 기업들이 앞다퉈 LPDDR5X D램의 성능을 향상시키면서, 올해 고부가 D램을 둘러싼 기술 및 시장 경쟁이 격화될 것으로 전망된다. 일례로 삼성전자는 지난해 10월 개최한 '삼성 메모리 테크 데이'에서 9.6Gbps LPDDR5X D램을 공개한 바 있다. 삼성전자는 지난해 자사 플래그십 스마트폰인 갤럭시S23 시리즈, 폴더블폰인 갤럭시Z폴드5·플립5 등에 LPDDR5X D램을 적용하기 시작했다. 이에 올해 출시작인 갤럭시S24 시리즈, 갤럭시Z폴드6·플립6 등에 9.6Gbps LPDDR5X D램이 적용될 것이라는 전망이 나온다. SK하이닉스도 지난해 11월 "현존 최고속의 9.6Gbps LPDDR5T D램 16GB(기가바이트) 패키지를 고객사에 공급하기 시작했다"고 밝혔다. LPDDR5T는 SK하이닉스가 붙인 이름으로, 기존 LPDDR5X 대비 성능을 높였다는 의미를 담고 있다. SK하이닉스의 LPDDR5T를 최초로 채택한 고객사는 중국 주요 스마트폰 제조사인 비보(Vivo)다. 비보는 자사 플래그십 스마트폰인 'X100', 'X100 프로'를 지난해 11월 출시한 바 있다. 이외에도 미국 구글이 지난해 10월 공개한 '픽셀 8', '픽셀 8 프로'에 LPDDR5X를 처음 채택했다. 아이폰15 시리즈까지 LPDDR5를 고수한 애플도 올해 출시될 차기작 아이폰16 시리즈에는 LPDDR5X로 전환할 가능성이 점쳐진다. 업계 관계자는 "최근 세계 각국의 스마트폰용 시스템온칩(SoC) 설계사들도 LPDDR5X 관련 IP 확보에 열을 올리고 있다"며 "IP 가격이 매우 고가임에도, 5나노미터(nm) 이하 칩에서 성능을 극대화하기 위해 LPDDR5X에 적극 대응하는 것"이라고 설명했다. 한편 LPDDR5X의 다음 세대인 LPDDR6 표준은 올 2~3분기 중 제정될 예정이다. 현재 JEDEC 내 수 많은 반도체 관련 회원사들이 이를 위한 논의를 활발히 진행하고 있는 것으로 알려졌다.

2024.01.08 15:53장경윤

배용철 삼성電 부사장 "맞춤형 HBM 등 미래 AI 솔루션 시장 선도"

삼성전자가 AI 시장을 겨냥한 최첨단 메모리 전략을 적극 구상하고 있다. 서버 등 고용량 데이터 처리에 특화된 HBM(고대역폭메모리)와 저전력 특성의 모바일 D램 'LPDDR5X' 등, 관련 제품을 대거 선보일 예정이다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 8일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문을 통해 "삼성전자는 AI 시장 대응을 위해 DDR5와 HBM(고대역폭메모리), CMM(CXL 메모리 모듈) 등 응용별 요구 사항에 기반한 메모리 포트폴리오를 시장에 제시하고 공급 중"이라고 밝혔다. 삼성전자는 AI 시장 대응을 클라우드와 온디바이스 AI, 그리고 자동차로 크게 세 영역으로 나눠 공략하고 있다. 먼저 클라우드에서는 ▲HBM3E인 '샤인볼트' ▲32Gb DDR5 D램 ▲MRDIMM ▲PCIe Gen5 SSD 'PM9D3a'를 대표 솔루션으로 제시했다. 이 중 HBM3E는 12단(적층) 기술을 활용해 최대 1천280GB/s의 대역폭과 최대 36GB(기가바이트)의 고용량을 제공한다. 기존 HBM3 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선됐으며, 초거대 AI 모델이 요구하는 메모리 성능과 용량을 만족시킬 것으로 기대된다. 온디바이스 AI 분야에서는 ▲LPDDR5X D램 ▲LPDDR5X CAMM2 ▲LLW D램 ▲PCIe Gen5 SSD 'PM9D3a' 등을 소개했다. 온디바이스 AI는 AI 기능을 클라우드가 아닌 단말 자체에서 처리하는 기술로, 고성능 및 고효율 메모리가 필수적이다. 차량용 메모리 솔루션으로는 'Detachable AutoSSD'를 꼽았다. 해당 제품은 세계 최초 탈부착이 가능한 차량용 SSD로, 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 제품이다. 기존 제품 대비 용량은 4배(1TB→ 4TB), 임의 쓰기속도는 약 4배(240K IOPS→ 940K IOPS) 향상됐으며, 교체가 가능한 E1.S 기반의 폼팩터를 제공한다. 삼성전자는 현재 유럽 주요 완성차, 티어1 고객들과 세부 사양 협의를 진행하고 있으며, 올해 1분기내 기술적 검증(PoC)을 완료할 계획이다. 삼성전자는 급변하는 기술과 시장 환경에 민첩하게 대응하기 위해 작년 12월 메모리 상품기획실을 신설하고, 본격적인 미래 준비에 박차를 가하고 있다. 상품기획실은 제품 기획부터 사업화 단계까지 전 영역을 담당하며 고객 기술 대응 부서들을 하나로 통합해 만든 조직이다. 맞춤형 HBM(Custom HBM), 컴퓨테이셔널 메모리 등 새로운 솔루션과 사업 발굴에도 만전을 기한다. 배 부사장은"AI 플랫폼의 성장으로 고객 맞춤형(용량, 성능, 특화 기능 등) HBM에 대한 요구가 증가하고 있다"며 "이에 삼성전자는 주요 데이터센터, CPU·GPU 선두 업체들과 긴밀한 협업을 진행 중"이라고 밝혔다. 그는 이어 "고객들의 개별화된 요구에 대응하기 위해 차세대 HBM4부터 버퍼 다이(Buffer Die)에 선단 로직 공정을 활용할 예정"이라고도 덧붙였다. 한편 삼성전자는 9일(현지시간)부터 미국 라스베이거스에서 막을 올리는 'CES 2024'에서 AI용 최첨단 메모리 솔루션을 대거 공개하고, 업계 리더로서 압도적인 기술력을 선보일 계획이다.

2024.01.08 14:50장경윤