삼성 갤럭시S24에 'LLW D램' 첫 탑재 전망...전력효율 70%↑
삼성전자가 갤럭시S24에 '온디바이스 AI'를 지원하기 위해 혁신 메모리 LLW(Low Latency Wide I/O) D램을 처음으로 탑재할 전망이다. 갤럭시S24는 내년 1분기에 출시되는 플래그십 스마트폰이다. 삼성전자는 내년에 LLW D램 양산을 앞두고 있다. 삼성전자 반도체는 30일(한국시간 기준) 자사의 SNS 'X(전, 트위터)'에 LLW D램을 소개하는 44초 광고 영상을 게시했다. 삼성전자가 LLW D램을 소개하는 게시물을 올린 것은 이번이 처음이다. 올해 1월 삼성전자는 반도체 기술 블로그 '테크데이'에서 LLW D램을 개발 중이라고 처음으로 발표했다. 지난 10월에는 미국 실리콘밸리에서 개최한 '메모리 테크 데이' 컨퍼런스에서 LLW D램을 간략하게 설명한 바 있다. LLW(Low Latency Wide I/O) D램은 온디바이스 AI(On-Device AI)에 특화된 D램이다. LLW D램은 입출력단자(I/O)를 늘려 기존 모바일용 D램 대비 데이터 처리 용량(대역폭)을 높인 기술로, 프로세서에 가깝게 배치하면 일반 D램 대비 전력 효율이 70% 정도 향상될 수 있다. 삼성전자가 이날 공개한 영상에서는 LLW D램은 기존 D램을 완전히 배치하는 것이 아니라 CPU와 함께 작동한다는 것을 시사한다. 또 LLW D램을 확장현실(XR), 스마트폰, 게이밍, PC 등에 적용한다는 계획을 밝혔다. 삼성전자가 LLW D램을 정확히 언제 사용할지 여부는 불분명하지만, 현재로서는 갤럭시S24에 첫 탑재할 가능성이 높아 보인다. 삼성전자는 지난 10월 3분기 실적발표 컨콜에서 내년부터 갤럭시 스마트폰에 생성형AI을 접목한 '온디바이스 AI' 기술을 적용한다는 계획을 공식적으로 밝힌 바 있다. 이달 초에는 향후 갤럭시에 온디바이스 AI 기술 기반으로 '실시간 통역 통화' 기능을 지원한다는 계획을 알렸다. 또 이달 말에는 유럽연합 지식재산청(EUIPO)과 영국 지식재산청(IPO)에 'AI 스마트폰'과 'AI 폰'에 대한 상표 등록 절차를 마쳤다. 한편 업계에 따르면 삼성전자는 내년 1월 17일 미국 산호세에서 '갤럭시 언팩'을 개최하고 갤럭시S24 시리즈를 발표할 것으로 전망된다.
