온세미, 코보의 '실리콘 카바이드 JFET 기술' 인수

반도체 기업 온세미는 코보(Qorvo)로부터 유나이티드 실리콘 카바이드(United Silicon Carbide) 자회사를 포함한 실리콘 카바이드 접합 전계효과 트랜지스터(SiC JFET) 기술 사업을 1억1천500만 달러(1천644억원)에 인수하는 계약을 체결했다고 발표했다. 이번 거래는 내년 1분기 내에 완료될 예정이다. 이번 인수를 통해 온세미는 광범위한 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) 전력 포트폴리오를 강화하고, AI 데이터센터용 전원 공급 장치의 AC-DC 단계에서 높은 에너지 효율과 전력 밀도에 대한 요구를 충족할 수 있게 됐다. 온세미는 전기차 배터리 차단기, 반도체 차단기(Solid-State Circuit Breaker, SSCB)와 같은 신흥 시장에 대한 준비를 가속화할 예정이다. SiC JFET는 칩 면적당 가장 낮은 온저항을 제공하며 기존 다른 기술의 절반 이하로 사용된다. 또한 수십 년 동안 실리콘 기반 트랜지스터와 함께 배포된 일반적인 상용 드라이버를 사용할 수 있다. 이러한 이점을 종합하면 개발 속도 향상, 에너지 소비 감소, 시스템 비용 절감으로 이어지며, 전원 공급 장치 설계자와 데이터센터 운영자에게 상당한 가치를 제공한다. 사이먼 키튼(Simon Keeton) 온세미 파워 솔루션 그룹 사장 겸 총괄 매니저는 "AI 워크로드가 점차 복잡해지고 에너지 집약적으로 변함에 따라, 높은 에너지 효율을 제공하고 고전압을 처리할 수 있는 안정적인 SiC JFET의 중요성은 더욱 커질 것"이라며 "업계를 선도하는 코보의 SiC JFET 기술을 추가함으로써, 온세미의 지능형 전력 포트폴리오는 고객에게 에너지 소비를 최적화하고 전력 밀도를 향상시키는 또 다른 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.