삼성전자, SiC 전력반도체 상용화 고삐..."최대한 빨리할 것"
삼성전자가 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 SiC(탄화규소, 실리콘카바이드) 시장에 주목하고 있다. 구체적인 상용화 시점은 밝혀지지 않았으나, 현재 8인치 공정을 중심으로 연구개발에 매진하고 있는 것으로 알려졌다. 홍석준 삼성전자 부사장(CSS사업팀장)은 15일 부산 벡스코에서 열린 '제22회 국제탄화규소 학술대회(ICSCRM 2025)'에서 기자와 만나 "자세한 일정을 말할 수는 없으나, SiC 전력반도체를 빨리 상용화하기 위해 노력하고 있다"고 말했다. ICSCRM은 전 세계 주요 반도체 기업들이 모여 SiC 업계 동향 및 신기술을 공유하기 위해 마련된 행사다. 삼성전자가 이 행사에서 기조연설을 진행한 것은 이번이 처음이다. SiC는 차세대 전력반도체로 각광받는 소재다. 기존 실리콘 대비 고온 및 고전압에 대한 내구성이 뛰어나며, 전력효율성이 높아, 전기차·에너지 등 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 특히 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서도 중요성이 대두되고 있다. 삼성전자 CSS 사업팀과 시장조사업체 욜디벨롭먼트의 조사에 따르면, SiC 반도체 시장은 지난해 34억 달러에서 오는 2030년 104억 달러(한화 약 13조8천억원)로 연평균 20.3%의 성장률을 나타낼 전망이다. 산업 별로는 자동차 시장이 71%의 점유율로 가장 높은 비중을 차지할 것으로 보인다. 홍 부사장은 "SiC는 전력 시스템이 직면한 구조적인 문제를 해결할 차세대 솔루션으로 각광받고 있다"며 "SiC의 도입을 가로막던 높은 단가도 소재, 부품, 장비에 이르는 업계 전체의 노력 덕분에 비용이 빠르게 절감되고 있어, 대규모 채택이 현실화될 수 있는 조건이 만들어지고 있다"고 말했다. 이에 삼성전자는 지난 2023년 말 신설된 CSS 사업팀 주도로 8인치 SiC 전력반도체를 개발해 왔다. 8인치는 반도체 웨이퍼의 직경을 뜻한다. 기존 SiC 6인치 웨이퍼가 주류였으나, 근래에는 8인치 웨이퍼가 활발히 도입되고 있다. 다만 삼성전자가 SiC 사업에 본격적으로 진출하는 시점은 아직 예측하기 힘들다는 게 업계의 시각이다. 관련 사업에서 시장성을 확보할 만큼 기술력이 고도화되지 않았고, 삼성전자가 또 다른 전력반도체 소자인 GaN(질화갈륨)의 8인치 파운드리 사업을 먼저 추진하고 있어서다. 당초 GaN 파운드리 상용화 목표 시기는 올해였으나, 본격적인 사업 개시 시점은 빨라야 내년이 될 가능성이 유력하다. 홍 부사장은 "회사의 일정을 자세히 말씀드릴 순 없으나, SiC 사업 진출을 최대한 빨리 하려고 한다"며 "전력반도체 분야는 단순히 제품을 만드는 것이 아닌 고객사와의 협업을 통한 경쟁력 확보가 중요해 소수의 기업만이 살아남게 될 것"이라고 강조했다.
