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'HPB'통합검색 결과 입니다. (3건)

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삼성전자, HBM5서 기술 초격차 시동…발열 낮춘 'HPB' 적용 추진

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장의 주도권 선점을 위한 기술 초격차에 나선다. 8세대 제품인 HBM5 목업(Mock-up)을 첫 공개하는 한편, HBM의 방열 특성 강화를 위한 신기술을 적용할 계획이다. 2일 삼성전자 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 대만 컴퓨텍스 2026 전시장에서 차세대 메모리 솔루션을 공개했다. 이날 송 사장은 "급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 메모리, 파운드리, 로직, 패키징까지 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 더욱 중요해지고 있다"며 "특히 AI 시스템이 초고성능·초고집적 구조로 진화하면서 단순 메모리 성능뿐 아니라 데이터 처리 효율과 열관리 기술까지 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다"고 말했다. 특히 삼성전자는 이번 전시에서 HBM5 목업을 처음 공개했다. 목업은 제품 개발을 완성하기 전 실제와 동일하게 외형을 제작한 샘플을 뜻한다. HBM5 대응을 위한 차세대 기술 중 하나는 히트패스블록(HPB)이다. HPB는 AI 메모리 고성능화 과정에서 증가하는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 물리계층(PHY) 영역에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 만든다. 송 사장은 "삼성전자의 HBM5는 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높인 것이 강점"이라며 "향후 고대역폭·고집적 AI 환경에서 시스템 전반의 효율 향상에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다"고 설명했다. 나아가 삼성전자는 이미 HBM4E 제품에 HPB 기술 구현 및 검증을 마쳤다. 삼성전자는 "제품 설계, 메모리, 패키징까지 아우르는 종합 반도체 역량에서 비롯된 것"이라며 "향후 HBM5에 본격 적용해 제품 성능과 안정성을 더욱 고도화해나갈 계획"이라고 강조했다. 또한 삼성전자는 HBM5에 2나노 베이스 다이를 선제적으로 적용하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E 웨이퍼 및 칩셋도 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이가 결합된 구조로, 삼성전자만의 토탈 솔루션 경쟁력이 집약된 제품이다. 지난 달 29일 삼성전자가 업계 최초로 샘플 출하를 마친 HBM4E는 핀당 14Gbps로 안정적으로 동작하며, 최대 16Gbps(최대 4TB/s 대역폭)까지 구현 가능해 한층 진화된 HBM 기술 경쟁력을 입증했다. 송 사장은 "엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획"이라고 말했다.

2026.06.02 14:31장경윤 기자

'엑시노스' 발열 잡는 삼성전자…신규 패키징 구조 개발 중

삼성전자가 자체 모바일 AP(어플리케이션 프로세서)의 발열을 낮추는 방열 성능 강화를 위한 노력을 지속한다. 올해 양산 모델에 처음으로 방열 부품을 채용한 데 이어, 패키징 두께에 대한 제약을 완화할 수 있는 기술 개발을 진행하고 있다. 30일 업계에 따르면 삼성전자는 차세대 '엑시노스' 칩에 적용하기 위한 신규 패키징으로 'SbS(사이드 바이 사이드)' 구조를 개발 중이다. 엑시노스는 삼성전자가 자체 개발 중인 모바일 AP다. 모바일 AP는 고성능 시스템반도체를 하나로 집적한 SoC(시스템온칩)로, 스마트폰·태블릿 등 IT 기기에서 두뇌 역할을 담당한다. 그만큼 매우 높은 성능과 전력효율성, 방열 등을 요구한다. 삼성전자는 엑시노스의 성능 강화를 위해 초미세 파운드리 공정을 활용하는 것은 물론, 최첨단 패키징 기술도 적용해 왔다. 대표적인 사례가 올 4분기 본격적인 양산에 돌입한 '엑시노스 2600'이다. 내년 초 출시되는 '갤럭시S26' 시리즈에 탑재되는 엑시노스 2600은 내부에 히트패스블록(HPB)을 처음 적용했다. HPB는 구리 소재 기반의 방열판이다. 기존 엑시노스는 AP 위에 D램을 얹은 PoP(패키지-온-패키지) 구조로 돼 있는데, HPB는 D램과 함께 AP 위에 집적된다. 이를 통해 AP에서 나오는 열을 흡수하는 역할을 맡게 된다. 삼성전자에 따르면, HPB를 적용한 엑시노스 2600은 전작 대비 발열을 30%가량 낮췄다. 나아가 삼성전자는 AP와 D램을 나란히(SbS) 수평 배치하고, 그 위에 얇은 HPB를 얹는 패키징 기술을 개발하고 있다. 기존 수직 구조 하에서는 AP 위에 D램이 얹어져 패키지가 두꺼워질 수밖에 없다. 반대로 D램을 AP와 수평 배치하게 되면, 패키지 두께에 대한 압박이 줄어들어 AP와 D램을 더 두껍게 만들 수 있게 된다. 칩이 두꺼워지면 발열 제어에 유리하고, 전력 설계 최적화가 용이해져 전력 효율성도 높일 수 있다. AP와 D램 간 신호 경로도 짧아진다. SbS 구조는 중장기적으로 엑시노스 개발의 주류로 자리잡을 가능성이 있다는 평가다. 삼성전자는 중장기적으로 엑시노스에 3D 패키징을 적용할 계획인데, 여기에도 AP와 D램을 수평 배치하는 것이 기본 틀이다. 3D 패키징은 기존 반도체를 위·아래로 연결하는 데 쓰이는 범프를 제거하고, 구리 대 구리로 직접 붙여 칩 성능을 높인다. 반도체 업계 관계자는 "D램과 AP를 수평 배치하면 실리콘 칩 두께를 높이면서 방열 특성을 개선할 수 있는 장점이 있다"며 "기술적으로 어려운 부분들이 있기는 하지만, 엑시노스에 실제로 적용하기에는 그리 멀지 않은 기술"이라고 설명했다. 관건은 패키지 면적이다. D램과 AP를 수평 배치하는 만큼, SbS 구조 하에서는 AP의 실제 패키지 사이즈가 커질 수밖에 없다. 때문에 탑재되는 IT 기기의 폼팩터도 기존 대비 커져야 한다. 이 점을 고려하면 스마트폰 두께를 극한으로 줄여야하는 폴더블폰 등에 선제 적용될 것으로 관측된다. 업계 관계자는 "실제 사용자인 세트업체에서 SbS 구조의 모바일 AP를 감내할 수 있다고 하면 상용화 시기가 앞당겨지게 될 것"이라고 말했다. 삼성전자는 해당 구조를 'FOWLP(팬아웃웨이퍼레벨패키지)-SbS'로 부른다. FOWLP는 반도체 칩 외부에 입출력단자(I/O)를 배치시키는 기술로, 기존 PCB(인쇄회로기판)가 아닌 실리콘 웨이퍼에 칩을 집적한다. 삼성전자의 경우 엑시노스 2400부터 해당 패키지를 적용하고 있다.

2025.12.30 13:01장경윤 기자

삼성전자, 차세대 엑시노스 발열 잡을 '신기술' 쓴다

삼성전자가 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)에 새로운 첨단 패키징 기술을 도입할 계획인 것으로 파악됐다. 반도체 패키지 내부에 방열 소재를 삽입하는 것이 골자로 내년 '갤럭시S26' 스마트폰의 성능 향상을 이끌어낼 것으로 기대된다. 29일 업계에 따르면 삼성전자는 '엑시노스 2600'에 히트패스블록(HPB)을 처음 적용하기 위한 연구개발을 진행하고 있다. 엑시노스 2600은 삼성전자가 자체 개발 중인 2나노미터(nm) 공정 기반의 모바일 AP다. AP는 CPU·GPU·NPU 등 각종 시스템반도체를 하나의 반도체에 집적한 SoC(시스템온칩)다. 삼성전자가 내년 출시할 플래그십 스마트폰 갤럭시S26 시리즈에 탑재되는 것을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 엑시노스 2600의 성능 강화를 위해, 패키지 내부에 HPB를 처음 적용하기로 했다. HPB는 구리 소재 기반의 방열판이다. 기존 엑시노스는 AP 위에 D램을 얹은 PoP(패키지-온-패키지) 구조로 돼 있는데, HPB는 D램과 함께 AP 위에 집적된다. 이를 통해 AP에서 나오는 열을 흡수하는 역할을 맡게 된다. 삼성전자는 이 같은 기술을 적용한 엑시노스 2600의 퀄(품질) 테스트를 오는 10월까지 마무리할 계획이다. 개발이 성공적으로 진행될 경우, 갤럭시S26 시리즈부터 곧바로 양산 적용이 가능할 것으로 전망된다. 최근 삼성전자는 모바일 AP의 방열 특성 강화를 위한 패키징 기술 고도화에 주력해 왔다. 모바일 AP의 성능이 급격히 올라가면서, 반도체에서 발생하는 열 또한 심화되고 있어서다. 일례로 삼성전자는 엑시노스 2400부터 FOWLP(팬아웃 웨이퍼레벨패키징) 등 첨단 패키징 기술을 도입한 바 있다. FOWLP는 반도체 칩 외부에 입출력단자(I/O)를 배치시키는 기술로, 기존 PCB(인쇄회로기판)가 아닌 실리콘 웨이퍼에 칩을 집적한다. 덕분에 실리콘 층을 두껍게 만들 수 있어 방열 특성 강화에 유리하다. 이번 엑시노스 2600 역시 FOWLP 기술로 제작된다. 또한 삼성전자 파운드리 사업부는 1.4나노미터(nm) 등 차세대 공정 개발을 당초 계획보다 최소 2년 지연시킬 계획이다. 삼성 파운드리의 최선단 공정 로드맵을 따르는 엑시노스 입장에서는 당분간 2나노 공정 유지가 불가피하다. 이에 따라 모바일 AP의 성능 강화도 전공정 보다는 후공정 기술의 중요성이 더욱 중요해질 것으로 관측된다.

2025.07.29 14:03장경윤 기자

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