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삼성전자, 엔비디아향 'HBM3E 12단' 선제 양산 나섰다

삼성전자가 올 1분기부터 HBM3E 12단 생산량 확대에 본격 나섰다. 그동안 가동률이 저조하던 제조 라인을 '대량 양산' 체제로 전환시킨 것으로 파악됐다. 이르면 상반기 내 엔비디아로부터 공급 승인이 완료되는 시점에 맞춰 선제적으로 HBM3E 12단 제품을 양산, 적기에 공급하려는 전략으로 풀이된다. 하지만 만약 엔비디아의 퀄 테스트가 또 다시 지연될 경우 재고품을 상당량 떠안게 되는 위험을 초래할 수 있다는 우려도 함께 나온다. 그럼에도 삼성전자는 이번 HBM3E 12단 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 2일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 HBM3E 12단 제품에 대한 선제 양산에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전자, HBM4 이전 HBM3E 12단 적기 공급 서둘러 HBM3E 12단은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 1a D램(5세대 10나노급)을 채용했다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 HBM3E 12단을 엔비디아에 공급하려 했으나, 성능 문제로 계획이 지연된 바 있다. 이에 삼성전자는 개선(리비전) 제품을 만들어 엔비디아의 공급망 재진입을 추진하고 있다. 개선품에 대한 퀄(품질) 테스트는 오는 6~7월경 완료하는 것이 목표다. 동시에 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단에 대한 선제 양산 체제에 들어간 것으로 파악됐다. 당초에는 HBM3E 8단 및 12단 수요 부재로 해당 라인 가동률이 저조했으나, 현재는 사실상 '풀가동' 체제로 전환된 분위기다. 올해 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장 수준으로 추산된다. 실제로 삼성전자는 지난해 중반 라인에 투입하고도 보관만 하고 있던 TSV(실리콘관통전극; HBM 제조의 핵심 공정) 관련 설비를 1분기부터 가동하기 시작했다. 비슷한 시점에 HBM용 1a D램 웨이퍼 투입량도 늘렸다. 삼성전자가 엔비디아와의 퀄 테스트를 완료하기도 전에 HBM3E 12단 생산량을 급격히 확대한 건 제품의 상용화 시점을 고려한 전략으로 해석된다. 통상 HBM은 코어 다이인 D램 제조부터 패키징까지의 전 과정을 수행하는 데 5~6개월이 소모된다. 만약 삼성전자가 엔비디아로부터 6~7월경 HBM3E 12단에 대한 양산 승인을 받더라도, 이후 공급을 준비하면 시장을 시기적절하게 공략하기가 어렵다. 엔비디아가 올 하반기부터 신규 AI 가속기 '루빈' 출시에 따라 차세대 HBM4로 수요를 옮기기 시작할 계획이기 때문이다. 자칫 HBM3E 12단 적기 타이밍에 한발 늦어질 수 있다는 것이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자 내부적으로는 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 양산 승인이 문제없이 이뤄질 것이라고 보고 있다"며 "이에 따라 2월부터 생산량을 늘리고, 공급 승인 뒤 곧바로 매출 효과를 거두기 위한 준비에 나서는 중"이라고 말했다. 한편 삼성전자는 올해 HBM 공급량을 "전년 대비 2배 확대하겠다"는 목표를 세운 바 있다. 지난해 HBM 공급량 목표가 40억 Gb(기가비트)였다는 점을 고려하면 올해 80억 Gb(기가비트)의 공급이 필요하다. 다만 삼성전자는 지난 1분기 HBM 공급량이 6~8억 Gb에 그쳐, 이번 엔비디아향 HBM3E 12단의 적기 공급이 매우 절실한 상황이다.

2025.05.02 10:40장경윤

삼성전자, 올해 HBM 공급량 전년 대비 '2배 성장' 목표

삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 용량 기준으로 전년 대비 2배 수준으로 확대하겠다고 밝혔다. 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 판매량은 전분기 대비 1.9배 성장했다. 삼성전자의 당초 전망치를 소폭 하회한 수준이다. 다만 최선단 HBM 제품인 HBM3E(5세대 HBM)의 매출 비중이 해당 분기 HBM3를 앞지르는 등의 성과도 거뒀다. 삼성전자는 올해에도 첨단 HBM 전환에 집중할 계획이다. 지난해 하반기부터 준비 중인 HBM3E 12단 개선품을 일부 고객사에 1분기 말부터 양산 공급해, 2분기부터 판매를 본격화할 계획이다. 또한 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사에 발맞춰 HBM3E 16단 샘플을 제작해 고객사에 전달했다. 실제 고객사의 상용화 수요는 없을 것으로 보이나, 기술적 검증 차원에서다. 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM)는 기존 계획대로 올 하반기 양산을 목표로 하고 있다. 나아가 고객사와 차세대 제품인 HBM4E의 상용화를 위한 기술적 협의도 지속하고 있다. 다만 올 1분기 삼성전자의 HBM 사업은 당초 예상 대비 부진한 모습을 보일 가능성도 제기된다. 삼성전자는 "올 2분기 이후 HBM3E 8단에서 12단으로 빠르게 수요가 전환되면서, 올해 HBM의 비트(Bit) 공급량은 전년 대비 2배 수준으로 확대될 것"이라며 "다만 미국의 첨단 반도체 수출 통제와 HBM3E 12단 개선품 발표 이후 기존 고객사의 수요 이동으로 1분기 일시적이 수요 공백이 발생할 것"이라고 밝혔다.

2025.01.31 11:15장경윤

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다. 특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다. 호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속 다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다. 특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다. SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다. 지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다. 올해도 HBM 등 AI 메모리 전환 집중 이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다. 최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다. SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다. 설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점 SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다. 올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다. M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다. SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 12:06장경윤

삼성·SK, CES서 불붙은 HBM 경쟁…젠슨 황 한마디에 주가 출렁

인고지능(AI) 강자 엔비디아를 두고 메모리 업계가 고대역폭 메모리(HBM) 공급을 위한 자존심 대결을 벌이고 있다. 미국 라스베이거스에서 열리고 있는 세계 최대 IT 전시회 'CES 2025'에서 가장 주목받은 인물은 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)이다. AI 반도체 시장의 80% 이상 점유하고 있는 엔비디아 수장인 젠슨의 발언은 관련 기업들의 주가에 즉각적인 영향을 미친다. 최태원 SK 회장 "HBM 개발 속도, 엔비디아 요구보다 빠르다" 최태원 SK그룹 회장은 8일(현지시간) 라스베이거스 전시장에서 진행된 국내 언론과 기자간담회에서 “젠슨 황 엔비디아 CEO를 만나 HBM 공급 일정을 포함해 AI 사업 관련 협력 방안을 논의했다”며 “지금까지는 상대(엔비디아)의 요구가 더 빨리 (HBM 다음 세대를) 개발해달라고 했는데, 최근 SK하이닉스의 개발 속도가 엔비디아의 요구를 조금 넘어서는 것을 확인했다”고 기술력에 자신감을 드러냈다. 앞서 최 회장은 지난해 11월 SK AI 서밋에서 “젠슨 황 CEO가 차세대 HBM 출시 시기를 앞당겨 달라고 재촉한다”며 파트너십 언급에서 한걸음 더 나아가, SK하이닉스의 기술적 우위를 강조한 발언으로 해석된다. 이 같은 소식이 전해지자 9일(한국시간) SK하이닉스 주가는 전일 대비 5% 상승한 20만5천원에 장을 마쳤다. 최태원 회장이 지난해부터 직접 SK하이닉스의 제품을 공식석상에서 적극 알리는 것은 이례적이며, 이는 기술력에 대한 자신감을 보여주는 대목이다. SK하이닉스는 지난해 60% 이상의 점유율로 HBM 시장에서 선두를 달리고 있다. 회사는 지난해부터 HBM3E 8단과 12단 제품을 업계 최초로 양산해 엔비디아 차세대 AI 반도체 '블랙웰' 기반 AI 서버에 공급했다. 현재 엔비디아에 HBM3E 8단, 12단 제품 모두 공급하는 업체는 SK하이닉스가 유일하다. 미국 마이크론은 두번째로 엔비디아에 HBM3E 8단 제품을 양산해 공급하고 있으며, 12단 공급도 준비 중이다. 반면 삼성전자는 HBM3E 8단, 12단 제품을 엔비디아에 공급하기 위한 품질(퀄) 테스트를 지난해부터 진행하고 있으나, 아직까지 공급 소식이 들려오지 않고 있다. 젠슨 황 CEO "삼성 HBM 설계 다시 해야…곧 성공할 것" 이번 CES에서는 삼성전자의 HBM 제품에 대한 관심도 주목됐다. 젠슨 황 CEO는 7일(현지시간) 엔비디아 기자간담회에서 삼성전자의 HBM3E 퀄 테스트 통과에 대한 질문에 “삼성전자는 HBM 설계를 다시 해야한다”고 언급해 화제가 됐다. 이는 삼성전자가 여전히 테스트 중이며, 제품에 대해 만족스럽지 못하고 있다는 점을 내비쳤다. 그러면서 황 CEO는 “삼성전자는 HBM을 열심히 개발하고 있고 성공할 것”이라며 “삼성전자는 원래 엔비디아가 사용했던 HBM을 만들었고, 그들은 회복할 것”이라고 밝히며 희망적인 메시지도 전했다. 젠슨 황 CEO의 발언으로 8일 삼성전자의 주가는 3.4% 오르며 거래를 마쳤다. 이날 4분기 잠정실적에서 시장 기대치를 하회하는 실망스러 성적표를 냈음에도 황 CEO의 발언으로 주가에 긍정적으로 영향을 미친 것이다. 젠슨 황 CEO의 전략적 발언…K-메모리 견제하나 일각에서는 젠슨 황 CEO가 전략적으로 발언하고 있다고 해석한다. 엔비디아는 HBM 수급과 관련 여러 파트너사를 확보해야 가격 협상력을 높일 수 있다. 따라서 젠슨 황은 삼성전자의 기술이 향상을 기대하며 쓴 소리와 함께 SK하이닉스에 긴장감을 주는 전략을 구사한 것으로 보인다. 앞서 6일(현지시간) 젠슨 황 CEO는 CES 기조연설에서 새로운 아키텍처 블랙웰 기반 지포스 'RTX50' 시리즈를 공개하며, 미국 마이크론의 GPDDR7을 탑재했다고 밝히기도 했다. 이를 두고 황 CEO가 오는 20일 미국 대통령 트럼프 2기 취임을 앞두고 자국 기업을 챙기기 위해 K-메모리(삼성전자, SK하이닉스)를 의식하고 발언했다는 해석이 나왔다. GDDR7은 마이크론뿐 아니라 D램 3사 모두 공급하고 있기 때문이다. 이날 마이크론 주가는 뉴욕 거래 시장에서 시간 외로 10% 이상 급등했다. 반면 SK하이닉스 주가는 19만5천원으로 전날 보다 2.4% 감소했고, 삼성전자는 전날 보다 0.89% 감소한 5만5천400원으로 마감했다. 다음날 기자간담회에서 마이크론만 언급한 이유에 대한 질문에 젠슨황 CEO는 “실수했다”라며 "특별한 이유가 없다, SK하이닉스와 삼성전자는 우리에게 가장 큰 공급업체"라고 설득력 없는 해명을 했다. 한편, 지난 8일 미국 마이크론은 싱가포르에서 HBM 패키징 신규 팹 기공식을 개최하며 시장 공략을 가속화하고 있다. 신규 팹은 2027년 가동할 계획이다.

2025.01.09 17:07이나리

SK하이닉스, CES서 HBM3E 16단 실물 공개...엔비디아와 협력 뽐내

SK하이닉스가 이달 7일부터 10일까지 미국 라스베이거스에서 개최되는 세계 최대 IT 전시회 'CES 2025'에서 5세대 HBM(고대역폭메모리) HBM3E 16단 제품 실물을 공개해 관람객으로부터 주목을 받았다. HBM3E 16단은 현존 최고 사양의 제품이다. SK하이닉스는 SK그룹과 공동부스를 통해 CES 2025에 참가했다. SK하이닉스는 지난해 11월 서울 코엑스에 열린 'SK AI 서밋'에서 HBM3E 16단 제품 양산을 공식 발표한지 약 3개월 만에 글로벌 전시회에서 처음으로 공개한 것이다. SK하이닉스는 관람객들이 이해를 돕도록 D램 메모리를 16층으로 쌓은 모형을 전시했고, 1층 D램부터 16층 D램까지 조명이 차례차례 켜지도록 구현했다. 이 제품은 1.2TB 이상의 대역폭과 48GB(기가바이트)의 용량을 갖춘 현존 최고 사양의 HBM이다. 현재까지 HBM3E 16단 양산 계획을 공식화한 메모리 업체는 SK하이닉스가 유일하다. 또 SK하이닉스는 현재 개발 중인 6세대 HBM인 HBM4에 대한 설명도 덧붙였다. SK하이닉스는 올해 하반기 HBM4를 양산하고 고객사에 출하할 계획이다. 아울러 전시장에는 SK하이닉스의 고객사인 엔비디아의 신형 AI 가속기 'GB200'에 탑재된 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품도 공개돼, 양사의 파트너십을 과시했다. AI 반도체 시장에서 엔비디아는 80% 이상의 압도적인 점유율을 차지하고 있기에 엔비디아와 협력하고 있다는 점은 기업의 경쟁력으로 이어지고 있다. 엔비디아의 핵심 제품인 'GB200'는 2개의 블랙웰 GPU, 1개의 그레이스 중앙처리장치(CPU), HBM3E 8단 16개가 탑재된 제품이다. 엔비디아는 지난해 4분기부터 GB200 양산을 시작해, 올해 순차적으로 고객사에게 전달하고 있다. 주요 고객사로는 메타, 구글, 마이크로소프트 등이다. 한편, 최태원 SK그룹 회장은 이번 CES 2025 기간에 젠슨 황 엔비디아 CEO(대표이사)를 만나 협력을 논의할 전망이다. 젠슨 황 CEO는 7일(현지시간) 엔비디아 기자 간담회에서 최태원 회장과 만남 가능성의 질문에 “내일(8일) 만날 것 같다”며 “그와 만나기를 고대하고 있다”고 답했다.

2025.01.08 14:25이나리

"새해 AI 서버 출하량 28% 증가 전망"…HBM3E 공급 기대↑

AI 수요 확산에 따라 데이터센터 AI 서버 시장이 지난해 이어 올해도 가파른 성장세를 이어갈 전망이다. AI 서버 출하량 증가에 따라 고대역폭메모리(HBM) 공급 증가에 대한 기대감도 커졌다. 7일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 AI 서버 출하량은 전년 대비 46% 증가했고, 올해는 전년 대비 28% 증가할 전망이다. 또 올해 전체 서버 출하량에서 AI 서버가 차지하는 비중이 15% 이상으로 확대될 것으로 전망된다. 지난해 전체 서버 시장은 지난해 3천60억 달러(약 449조7천862억원)를 기록했고, 이 중 AI 서버는 2천50억 달러(약 301조8천888억원)로 67%의 높은 비중을 차지했다. 올해는 AI 칩의 평균판매가격(ASP)의 상승에 힘입어 AI 서버 시장은 2천980억 달러(약 438조3천546억원)로 성장하고, 전체 서버 시장에서 비중도 72%까지 확대될 것으로 전망된다. 지난해 미국과 중국의 서버 OEM 업체들과 클라우드 서비스 제공업체(CSP)들의 엔비디아의 '호퍼' GPU를 구매하면서 전체 AI 서버 시장 성장을 이끌어 왔다. 올해는 엔비디아의 차세대 GPU '블랙웰'이 시장 성장의 핵심 동력이 될 것으로 보인다. 지난해 출시된 엔비디아 블랙웰은 2080억개의 트랜지스터를 집적한 GPU로 2022년 출시된 '호퍼' 시리즈 보다 데이터 연산 속도가 2.5배 빠르다. 블랙웰은 사양에 따라 B100과 B200 모델로 구분된다. AI 가속기 제품군인 GB100과 GB200에는 각각 블랙웰 GPU 1개, GB200에는 블랙웰 GPU 2개가 탑재되며, 그레이스 CPU 1개, 24GB(기가바이트) HBM3E 8단 제품 8개도 함께 탑재된다. 주목할 만한 점은 올해 3분기 출시 예정인 차세대 엔비디아 AI 서버 GB300에는 36GB HBM3E 12단 제품 8개가 탑재된다는 것이다. 현재 SK하이닉스가 유일하게 HBM3E 8단 및 12단 제품을 모두 양산해 엔비디아에 공급하고 있으며, 마이크론은 SK하이닉스에 이어 두번째로 8단 제품 공급과 함께 12단 제품 샘플링을 진행 중이다. 삼성전자는 연내 HBM3E 제품 공급을 목표로 하고 있다. 트렌드포스는 “연초에는 계절적 요인으로 인한 영업일수 감소가 예상되어, GB 랙 시리즈 출하량은 2분기까지 눈에 띄는 증가세를 보이지 않을 것”이라며 “하지만 올해 3분기에 B300과 GB300 솔루션이 출시되면서 블랙웰 기반 GB랙 시리즈의 출하량이 더욱 증가할 것으로 예상된다”고 말했다. 엔비디아 외에도 클라우드 서비스 제공업체(CSP)들의 독자 AI 칩 개발에 속도를 내면서 AI 서버 시장과 HBM 성장에 영향을 줄 전망이다. 지난해는 구글이 자체 AI 칩 출하량에서 선두를 달렸으며, AWS는 200% 이상의 급격한 성장률을 기록했다. 트렌드포스는 “올해 AWS의 자체 AI 칩 출하량이 전년 대비 70% 이상 성장할 전망”이라며 “특히 자사의 퍼블릭 클라우드 인프라와 이커머스 플랫폼과 관련된 AI 애플리케이션용 트레이니엄(Trainium) 칩 개발에 더욱 집중할 계획이다”고 말했다.

2025.01.07 10:24이나리

마이크론 "HBM 고객사 3곳으로 확장"…HBM4 양산도 자신감

미국 메모리 제조업체 마이크론이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 자신감을 드러냈다. 내년 초까지 HBM의 대형 고객사를 3곳으로 확대하고, HBM4의 본격적인 양산도 2026년부터 시작하겠다는 계획을 밝혔다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업과의 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다. 19일 마이크론은 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표를 통해 HBM(고대역폭메모리) 사업 현황 및 전망을 공개했다. 앞서 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작한 바 있다. 이후 지난 9월에는 12단 제품의 샘플 출하를 개시했다. 두 제품 모두 엔비디아에 우선 공급한 것으로 알려졌다. 특히 HBM3E 12단은 엔비디아의 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈에 탑재되는 고부가 제품이다. 내년 상반기 HBM 시장을 좌우할 핵심 요소로, 국내 삼성전자와 SK하이닉스도 출하량 확대에 주력하고 있다. 마이크론은 이와 관련해 자사 제품의 경쟁력을 자신했다. 회사는 "마이크론의 12단 HBM3E는 최적의 전력소모량으로 고객사로부터 긍정적인 반응을 계속 얻고 있다"며 "경쟁사의 8단 HBM3E 대비 소모량이 20% 낮다"고 밝혔다. 또한 마이크론은 "이전에 언급했듯이 내년 HBM 물량은 이미 매진됐으며, 해당 기간 가격이 이미 결정됐다"며 "회계연도 2025년에는 수십억 달러의 HBM 매출을 창출할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 전체 HBM 시장 규모도 예상보다 커질 것으로 내다봤다. 마이크론은 당초 내년 HBM 시장 규모를 250억 달러로 전망했으나, 이번 실적 발표에서는 300억 달러로 상향 조정했다. 고객사 확보 현황에 대해서는 "이달 두 번째 대형 고객사에 HBM 대량 공급을 시작했다"며 "내년 1분기에는 세 번째 대형 고객사에 양산 공급을 시작해 고객층을 확대할 예정"이라고 설명했다. 차세대 HBM 제품인 HBM4의 본격적인 양산 확대는 2026년에 진행할 계획이다. 이를 위해 마이크론은 다수의 고객사와 개발을 준비하고 있으며, 대만 주요 파운드리인 TSMC와도 협력하고 있다. 나아가 HBM4E에 대한 개발 작업도 순조롭게 진행되고 있다고 언급했다.

2024.12.19 09:56장경윤

삼성전자, 다시 뛴다...HBM3E 개선하고 TSMC와 협력

3분기 실망스러운 성적표를 써낸 삼성전자가 다시 뛴다. 선택과 집중은 대내외적으로 위기설이 돌고 있는 반도체 부문에 모아질 전망이다. 삼성전자는 위기 돌파를 위해 기술 개발과 시설투자 계획을 변경했다. 5세대 HBM(고대역폭메모리) HBM3E를 엔비디아에 공급하기 위해 개선품을 만들어 다시 공략하고, 6세대 HBM인 HBM4에서는 파운드리 경쟁사인 TSMC와 협력 가능성을 내비쳤다. 시설투자는 증설보다 전환에 초점을 맞춘다. 적자를 지속한 파운드리 시설투자는 축소한다는 방침이다. ■ HBM3E 개선품 만들어 엔비디아 공급 공략…HBM4, TSMC와 협력 삼성전자는 31일 3분기 컨퍼런스콜에서 HBM3E 사업이 순항 중이라고 재차 강조하며, 엔비디아에 공급 가능성을 내비쳤다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “현재 HBM3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중”이라며 “주요 고객사 퀄(품질 테스트) 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고 4분기 중 판매 확대가 가능할 전망”이라고 밝혔다. 이어 “전체 HBM 3분기 매출은 전 분기 대비 70% 이상 성장했고, HBM3E의 매출 비중은 3분기에 10% 초중반 수준까지 증가했다. 4분기 HBM3E 비중은 50%로 예상된다”고 덧붙였다. 삼성전자는 AMD 등에 HBM3E를 공급하고 있지만 AI 반도체 큰 손인 엔비디아에게는 HBM3E 퀄티스트가 지연되고 있다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 HBM에 1b(5세대 10나노급 D램)을 활용한 것과 달리, 삼성전자는 이전 세대인 1a D램을 채택한 것이 주요 원인으로 지목되고 있다. 이에 따라 삼성은 HBM3E 개선 제품을 만들어 엔비디아 공급을 확정 짓는다는 목표다. 김재준 부사장은 “주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다”며 “내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다”고 밝혔다. HBM4에서는 삼성 파운드리 외에도 경쟁사인 TSMC와 협력하는 방향으로 계획을 바꿨다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 이날 삼성전자는 컨콜에서 “베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하고 있다”고 말했다. HBM4는 내년 하반기 양산을 목표로 한다. HBM은 여러 개의 메모리 반도체를 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 수직으로 쌓아서 만든 제품인데, HBM의 받침대 역할을 하는 1층을 '베이스 다이'라고 부른다. HBM3E까지는 메모리 업체가 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 성능과 효율을 끌어올리기 위해 파운드리 업체와 협력을 통해 만들어야 한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 5월 HBM4에서 TSMC와 로직 다이 협력을 공식 발표하며 '원팀'을 강조해 왔다. ■ 내년 반도체 시설투자, 증설보다 전환에 집중…파운드리 축소 시설투자 계획도 전면 수정했다. 적자를 보이는 파운드리 대신 고부가 메모리 제품에 적극 투자한다는 방침이다. 삼성전자는 “내년 반도체 시설투자는 올해와 유사한 수준의 캐픽스(Capex·자본적지출)를 고려 중이다"라며 "설비 투자의 경우에는 증설보다는 전환 투자에 초점을 두고, 기존 라인에 대해 1b나노 D램 및 V8, V9 낸드로 전환을 가속화해서 수요 모멘텀이 강한 선단 공정 기반 고부가가치 시장에 집중할 계획이다"고 말했다. 파운드리는 시황과 투자 효율성을 고려해 투자 규모를 축소하지만, 2나노 공정에는 집중할 계획이다. 회사는 “내년 파운드리는 이미 보유한 생산 인프라 가동 극대화를 통해 선단 레거시 노드의 고객 주문을 적기에 대응할 계획이며, 최선단 R&D 준비의 신규 캐파 투자는 가동률 및 수익성을 고려해 신중하고 효율적으로 추진할 계획이다”고 말했다. 이어 “내년 시장은 고객사의 재고 조정에 대한 우려가 남아 있으나 선단 노드를 중심으로 두 자릿수 성장이 전망된다”며 “4·4분기 중 2나노 GAA 양산성 확보와 또한 추가적인 경쟁력 있는 공정 및 설계 인프라 개발을 통해 고객 확보에 더욱 주력하도록 하겠다”고 덧붙였다. 삼성전자는 올해 반도체 시설투자에 47조9천억원이 예상된다고 밝혔다. 지난해 반도체 시설투자 비용은 48조4천억원이었다. 한편 3분기 실적발표에 따르면 삼성전자 전사 영업이익은 9조1천834억원을 기록하며 시장 전망치(10조원대)를 밑도는 실적을 냈다. 이는 전분기 대비 1조2천600억원 감소한 실적이다. 3분기 전사 매출은 79조987억원으로 전년 보다 17.3%, 전기 보다 6.7% 각각 증가하며 역대 최대 분기 매출을 기록했다. 기존 최대는 2022년 1분기 77조7천800억원이다. 반도체를 담당하는 DS(디바이스 솔루션) 부문 매출은 29조2천700억원으로 전년 대비 78%, 전분기 대비 3% 각각 증가했다. DS부문 영업이익은 3조8천600억원으로 지난 2분기 영업이익(6조4천500억원) 보다 2조5천900억원이 줄었다. 증권가에 따르면 메모리 사업부 영업이익은 7조원이며, 파운드리·시스템LSI사업부의 적자는 2조원에 육박할 것으로 추정된다. 따라서 일회성 비용과 파운드리·시스템LSI사업부 적자를 감안하면 DS부문 영업이익은 5조원 수준이 예상된다.

2024.10.31 15:39이나리

삼성전자, HBM3E 개선품 만든다…엔비디아 공략 승부수

삼성전자는 31일 올 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다. 해당 발언은 삼성전자가 HBM 공급을 지속 추진 중인 엔비디아를 겨냥한 것으로 분석된다. 당초 삼성전자는 HBM3E 제품을 올 3분기부터 엔비디아에 공급하는 것을 목표로 잡았으나, 현재까지 공식적으로 퀄(품질) 테스트 통과는 이뤄지지 않았다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 HBM에 1b D램(5세대 10나노급)을 활용한 것과 달리, 삼성전자는 이전 세대인 1a D램을 채택한 것이 주요 원인으로 지목된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 만들기 때문에 D램의 성능이 중요하다. 이에 삼성전자는 HBM 성능의 핵심 요소인 1a(4 세대 10나노급 D램) D램의 일부 회로를 재설계(Revision)해 성능을 높이는 방안을 논의해 왔다. 기존 범용 D램은 그대로 생산하되, 특정 고객사용 HBM을 타겟으로 제품을 만드는 '투 트랙' 전략이 유력하게 거론돼 왔다. 실제로 삼성전자는 이번 컨퍼런스콜을 통해 HBM3E의 개선 제품을 만들겠다고 공언했다. 일정이 차질없이 진행되는 경우, 개선 제품의 개발은 이르면 내년 2분기 양산 준비에 들어갈 전망이다. 삼성전자는 "기존 HBM3E 제품은 이미 진입한 과제량으로 공급을 확대할 것"이라며 "이와 병행해 개선 제품은 신규 과제량으로 추가 판매해 수요 대응 범위를 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 올 4분기 HBM 사업 전망에 대해서는 "HBM3E가 전체 HBM에서 차지하는 비중은 50%로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "HBM3E가 예상 대비 주요 고객사향 사업화가 지연됐으나, 현재 퀄 테스트 과정 상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 설명했다.

2024.10.31 12:17장경윤

SK하이닉스, HBM으로 사상 최대 실적…삼성도 제쳤다

SK하이닉스가 AI 메모리 고대역폭메모리(HBM) 출하 증가에 힘입어 3분기 매출과 영업이익에서 분기 최대 실적을 달성했다. SK하이닉스의 3분기 영업이익은 삼성전자 반도체(DS) 부문 실적보다 1조5천억원 가량 많은 것으로 추정된다. SK하이닉스는 24일 실적 발표를 통해 3분기 영업이익이 7조300억원으로 전년대비 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 40%, 순이익 5조7천534억원(순이익률 33%)을 기록했다. 3분기 영업이익과 순이익은 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 3분기 기록(영업이익 6조4천724억원, 순이익 4조6천922억원)을 크게 뛰어넘었다. 매출은 17조5천731억 원으로 지난해 같은 기간보다 93.8, 전기에 비해 7% 늘었다. 기존 최대 기록인 지난 2분기 매출(16조4천233억원)보다도 1조원 이상 많았다. SK하이닉스의 실적은 메모리 업계 경쟁사인 삼성전자와 대비된다. 삼성전자는 지난 8일 잠정실적에서 전체 영업이익 9조1천억원을 기록, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 이날 삼성전자는 사업별 실적은 발표하지 않았지만, 증권가에서는 반도체를 담당하는 DS 사업부의 영업이익이 5조3천억원으로 추정하며 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소한 것으로 분석했다. 메모리 분야 만년 2위인 SK하이닉스가 1위 삼성전자 실적을 제친 것이다. ■ HBM 연매출 전년比 330% 상승…내년 HBM4 출하, TSMC와 '원팀' SK하이닉스 실적 상승의 일등공신은 HBM이다. SK하이닉스는 "데이터센터 고객 중심으로 AI 메모리 수요 강세가 지속됐고, 이에 맞춰 회사는 HBM(고대역폭메모리), eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대해 창사 이래 최대 매출을 달성했다"며 "특히 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 탁월한 성장세를 보였다"고 강조했다. 이어서 "수익성 높은 고부가가치 제품 중심으로 판매가 늘며 D램 및 낸드 모두 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 전 분기 대비 10%대 중반 가량 상승해 사상 최대 영업이익을 거두게 됐다"고 설명했다. HBM 매출 성장은 내년에도 지속될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 컨퍼런스콜에서 "(HBM과 관련해) 2025년 고객 물량과 가격 모두 협의가 완료된 상태"라고 밝히며 "AI 발전으로 앞으로 더 많은 컴퓨팅 파워 요구량이 늘어나고 있기에, HBM 수요 둔화를 걱정하는 것은 시기상조"라고 말했다. 또 "내년 HBM 수요는 AI 칩 증가, 고객들의 AI 투자확대 의지가 확인되면서 예상보다 늘어날 것으로 보인다"고 덧붙였다. 이에 따라 SK하이닉스 3분기 전체 D램 매출에서 30%에 달했던 HBM 비중은 4분기에는 40%에 이를 전망이다. 이어 SK하이닉스는 "3분기 HBM3E 출하량이 HBM3를 넘어섰고 4분기는 예정대로 HBM3E 12단 출하를 시작할 것"이라며 "내년 상반기 HBM3E 12단 제품의 비중이 HBM3E 8단 물량을 넘어설 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년 하반기엔 전반 이상이 12단 제품이 될 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4를 내년 하반기에 양산해 고객사에 출하할 계획이다. 고객 맞춤형 제작을 요하는 HBM4에서는 대만 파운드리 업체 TSMC와 협력을 강화한다. 회사는 "HBM4와 관련해 당사와 파운드리 파트너사간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 말했다. ■ 범용 메모리 재고, 내년 상반기에 정상화…시설투자 늘려 HBM 공급 강화 최근 메모리 업계는 범용 메모리와 HBM과 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 AI향 제품 가격의 양극화가 심화됐다. 스마트폰, PC 시장 등의 침체로 인해 범용 메모리의 재고가 쌓인데 따른 결과다. 범용 메모리 재고는 내년 상반기 정상화가 될 전망이다. SK하이닉스는 "PC와 모바일 수요 개선이 지연되고 중국 공급사가 레거시 제품에 진출을 가속하는 등 D램 수급에 부정적 영향이 증가하고 있다"면서 "DDR4나 LPDDR4 등 레거시 제품과 HBM, DDR5, LPDDR5 등 프리미엄 제품의 수급 상황이 크게 달라 각 제품 가격의 변동 방향도 서로 다르게 나타났다"고 설명했다. 또 중국 메모리 업체의 공급 증가와 관련한 우려에 대해서는 후발 업체와 선두 업체 사이의 기술 격차가 크다고 짚었다. SK하이닉스는 중국 업체와 격차를 더 벌리고 수익성을 강화하기 위해 범용 메모리 생산 규모는 줄이고 HBM, DDR5, LPDDR5 등 선단 공정으로 전환을 앞당겨서 추진할 계획이다. 낸드에서도 SK하이닉스는 투자 효율성과 생산 최적화 기조에 무게를 두면서 시장 수요가 가파르게 늘고 있는 고용량 엔터프라이즈향 SSD의 판매를 확대한다. SK하이닉스는 프리미엄 메모리 공급 확대를 위해 시설투자 규모를 연초 계획보다 늘려 10조 중후반대를 집행했고, 내년에는 올해보다 더 늘릴 계획이다. 회사는 "올해 투자 규모는 예상했던 것보다 빠르게 성장한 HBM(고대역폭메모리) 수요 대응과 (청주에 위치한) M15X 팹 투자 결정을 반영해서 연초 계획보다는 다소 증가한 10조원 중후반대가 예상된다"며 "내년에는 아직 구체적 투자 규모는 확정되지 않았지만 안정적 공급을 위한 투자, DDR5 및 LPDDR5 양산 확대를 위한 전환 투자, M15X, 용인 반도체 클러스터 투자 등을 감안하면 올해보다 소폭 (투자 금액이) 증가할 것으로 예상한다"고 덧붙였다. 다만, 투자 규모의 증가분이 대부분 인프라, R&D, 후공정에 투입된다는 점을 감안하면 단기 생산 증가 영향은 제한적일 전망이다.

2024.10.24 14:16이나리

SK하이닉스, 경쟁사 겨냥?..."내년 HBM3E 완판" 제품 난이도 강조

SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위를 내년에도 이어갈 것으로 보인다. SK하이닉스는 24일 3분기 컨퍼런스콜에서 "(HBM과 관련해) 2025년 고객 물량과 가격 모두 협의가 완료된 상태"라고 밝혔다. 앞서 지난 2분기 컨콜에서도 '내년 완판'을 밝힌 SK하이닉스는 이번 컨콜에서도 HBM 시장 우위를 강조했다. SK하이닉스 3분기 실적에서 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 큰 폭의 성장세를 보였다. 전체 D램 매출에서 HBM 비중은 3분기 30%로 확대됐으며, 4분기에는 40% 수준에 이를 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "3분기 HBM3E 출하량이 HBM3를 넘어섰고 4분기는 예정대로 HBM3E 12단 출하를 시작할 것"이라며 "내년 상반기 HBM3E 12단 제품의 비중이 HBM3E 8단 물량을 넘어설 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년 하반기엔 전반 이상이 12단 제품이 될 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 삼성전자를 겨냥한듯 경쟁사가 HBM 시장에서 추격이 쉽지 않은 점도 강조했다. 삼성전자는 아직까지 고객사에 HBM3E 공급 소식이 들려오고 있지 않고 있다. SK하이닉스는 "HBM 신제품 개발에 필요한 기술 난이도는 점점 더 증가하고 있다"라며 "수율 로스(Loss)와 고객 인증 여부 등을 감안하면 메모리 업계가 고객이 요구하는 품질을 적기에 충분히 공급하는게 쉽지 않을 것"이라고 말했다. HBM 공급 과잉에 대한 일부 우려에 대해서는 '시기상조'라고 진단했다. SK하이닉스는 "AI 발전으로 앞으로 더 많은 컴퓨팅 파워 요구량이 늘어나고 있기에, HBM 수요 둔화를 걱정하는 것은 시기상조"라며 "내년 HBM 수요는 AI 칩 증가, 고객들의 AI 투자확대 의지가 확인되면서 예상보다 늘어날 것으로 보인다"고 전망했다. 이어서 "이런 수요에 대응하기 위해 최근 실리콘관통전극(TSV) 생산능력을 작년보다 2배 이상 확보하는 계획을 이행 중"이라며 "HBM3E 공급 확대를 위해 1b나노미터(㎚) 전환도 계획대로 진행하고 있다"고 밝혔다. 다만, "당초 계획보다 증가된 수요를 모두 대응하기에는 당사 생산 여력에 한계가 있는 것도 사실"이라고 말했다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4를 내년 하반기에 양산해 고객사에 출하할 계획이다. 회사는 "HBM4와 관련해 당사와 파운드리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"라며 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 전했다.

2024.10.24 12:00이나리

'HBM 부진' 인정한 삼성전자, 설비투자 눈높이도 낮춘다

삼성전자가 내년 말 HBM(고대역폭메모리)의 최대 생산능력(CAPA) 목표치를 당초 월 20만장에서 월 17만장 수준으로 하향 조정한 것으로 파악됐다. 최선단 HBM의 주요 고객사향 양산 공급이 지연되는 현실에 맞춰 설비투자 계획 또한 보수적으로 접근하려는 것으로 보인다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 내년도 말까지 확장하기로 한 HBM의 최대 생산능력 목표치를 10% 이상 낮출 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM의 생산능력을 확대하기 위해서는 이 TSV를 비롯한 첨단 패키징 설비가 필요하다. 지난 2분기까지만 해도 삼성전자는 HBM의 생산능력을 올해 말 월 14만~15만장으로, 내년 말 최대 월 20만장으로 늘리는 계획을 세웠다. SK하이닉스 등 주요 경쟁사가 HBM 생산량을 늘리는 데 따른 대응 전략, 엔비디아 등 주요 고객사향 퀄(품질) 테스트가 곧 마무리될 것이라는 긍정적인 전망 등을 반영한 결과다. 그러나 올 하반기 들어 상황이 변했다. 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 8단 및 12단 제품의 엔비디아향 퀄 테스트 통과가 당초 예상보다 지연되면서, 삼성전자는 올 연말 HBM 생산량 계획을 보수적으로 조정했다. HBM용 설비투자도 현재 상황을 반영해 안정적으로 잡았다. 내년 말까지 HBM 생산능력 목표치를 월 20만장에서 월 17만장으로 줄이고, 월 3만장 수준의 축소분은 추후에 투자하는 것으로 방향을 바꾼 것으로 파악됐다. 용량 기준으로는 내년 말까지의 HBM 생산능력이 130억대 후반 Gb(기가비트)에서 120억Gb 수준으로 낮아진 셈이다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 HBM 사업 부진에 따라 설비투자 속도를 늦추기로 한 것으로 안다"며 "향후 엔비디아향 양산 공급이 확정돼야 추가 투자에 대한 논의가 진행될 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "HBM3E 8단을 3분기 중 양산 공급하고, 12단은 여러 고객사의 양산 일정에 맞춰 하반기 공급할 예정"이라고 밝힌 바 있다. HBM 매출에서 HBM3E가 차지하는 비중도 3분기 10%, 4분기 60%로 빠르게 늘어날 것으로 내다봤다. 그러나 이 같은 전망은 엔비디아향 퀄 테스트 지연으로 사실상 달성이 어려워진 상황이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 마무리하는 등 진전을 이루기도 했으나, 여전히 확실한 성과는 나오지 않았다. 이에 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적 발표에서 "HBM3E의 경우 예상 대비 주요 고객사향 사업화 지연"을 공식화하기도 했다.

2024.10.10 10:07장경윤

SK하이닉스, 3분기 영업익 삼성 추월할 듯

SK하이닉스의 3분기 영업이익이 삼성전자 반도체(DS) 부문 실적을 1조5천억원 가량 추월할 전망이다. 최근 범용 메모리 사이클 둔화에도 SK하이닉스는 수익성이 높은 AI 반도체용 고대역폭메모리(HBM) 시장을 선점함에 따라 실적이 상승한 것으로 보인다. 메모리 1위 삼성전자의 위상이 흔들리고 있다는 평가도 나온다. 8일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 SK하이닉스는 3분기 영업이익이 6조7천559억원으로 지난 2분기 대비 23.5% 증가하고, 전년 대비 흑자전환할 전망이다. SK하이닉스의 3분기 매출은 17조9천978억원으로 지난 2분기 대비 9.5% 증가하고, 전년 대비 98.5% 증가가 예상된다. 같은날 삼성전자는 3분기 잠정실적으로 전체 영업이익 9조1천억원을 기록하며, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 삼성전자는 사업별 실적은 발표하지 않았지만, 증권가에서는 반도체를 담당하는 DS(디바이스솔루션) 사업부의 영업이익이 5조3천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소한 것으로 분석됐다. 이날 시장 기대치를 밑도는 실적을 발표하자 삼성전자의 경영진은 이례적으로 사과문을 올리며 “기술의 근원적 경쟁력을 복원해 위기를 극복하겠다”며 고개를 숙였다. 삼성전자 반도체 실적의 부진은 스마트폰, PC용 재고 조정에 따라 범용 메모리 사이클이 둔화된 영향 탓이다. 무엇보다 시스템LSI와 파운드리 사업의 적자의 영향이 컸다. 반면, SK하이닉스는 범용 메모리 사이클 둔화라는 시장 여건에도 불구하고 HBM 덕분에 실적 상승을 이끈 것으로 전망된다. HBM은 범용 D램 보다 3~5배 비싼 가격으로 판매되는 고수익성 제품이다. SK하이닉스는 AI 반도체 시장에서 80% 점유율을 차지하는 대형 고객사인 엔비디아에 HBM을 가장 많이 공급하고 있다. SK하이닉스는 올해 초 엔비디아에 HBM3E 8단을 가장 먼저 공급한데 이어 지난 9월 HBM3E 12단도 업계에서 가장 먼저 양산을 시작해 연내 고객사에 공급을 목표로 한다. 반면, 삼성전자는 아직 HBM3E 8단과 12단 제품을 엔비디아에 납품을 위한 품질(퀄) 테스트를 진행 중이다. 업계에서는 삼성전자도 연내에 공급할 것으로 내다보고 있다. 김형태 신한증권 연구원은 “모바일, PC향 메모리 수요가 예상보다 하회하고, 환율 영향, 일회성 비용이 반영해 SK하이닉스 3분기 실적 추정치는 하향하나, 신규 데이터센터(AI) 뿐만 아니라 과거 대규모 서버 증설분(일반) 교체로 실적 우상향 추세는 유지될 전망이다”고 진단했다. 이어 “SK하이닉스의 HBM3E 12단 양산은 경쟁사 대비 1개 분기 이상 빠른 상황이기에, 시장 선점으로 경쟁 우위가 지속될 것으로 기대된다”고 덧붙였다. 앞서 SK하이닉스는 지난 7월 말 2분기 컨퍼런스콜에서 “올해 3분기 HBM3E(5세대)가 HBM3(4세대)의 출하량을 크게 넘어서고, 전체 HBM 출하량 중 절반을 차지할 것”이라며 “올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다”고 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스가 삼성전자 반도체의 영업이익을 추월한 것은 이번이 처음이 아니다. 지난해 전세계 반도체 업황 부진인 상황에서 SK하이닉스는 일찌감치 메모리 감산을 실시한 결과, 지난해 4분기 삼성전자 반도체 보다 먼저 흑자전환에 성공했다. 올해 1분기에도 SK하이닉스는 영업이익 2조8천860억원을 기록하면서 삼성전자의 DS 부문이 영업이익 1조9천100억원을 넘어선 바 있다.

2024.10.08 16:48이나리

삼성전자, 엔비디아향 HBM3E 공급 '칠전팔기'…평택서 실사 마무리

삼성전자와 엔비디아가 최근 진행된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 관련 실사(Audit)를 차질없이 마무리한 것으로 파악됐다. 제품의 양산 공급이 당초 예상보다 늦어지는 가운데, 기존 제기된 품질 문제를 해결했다는 점에서 긍정적인 평가가 나온다. 다만 이번 실사는 HBM 공급을 위한 중간 과정으로, 최종적인 퀄(품질) 테스트로 직결되는 사안은 아니다. 때문에 양사 간 HBM3E 사업 전망에 대해서는 조금 더 지켜봐야 한다는 의견도 적지 않다. 2일 업계에 따르면 엔비디아는 지난달 말 삼성전자 평택캠퍼스를 찾아 HBM에 대한 실사를 진행했다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "엔비디아가 최근 평택캠퍼스를 방문해 8단 HBM3E에 대한 실사를 진행했다"며 "최근 대두됐던 HBM 품질 문제는 이번 실사에서 해결이 된 것으로 가닥이 잡혔다"고 설명했다. HBM3E는 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 8단 및 12단 제품을 엔비디아에 공급하기 위한 퀄 테스트를 지속해 왔다. 당초 업계에서는 8단 제품이 8~9월 결과가 나올 것으로 예상해 왔으나, 공식적인 퀄 승인은 아직 나오지 않은 상황이다. 주로 전력(파워) 미흡이 발목을 잡은 것으로 알려졌다. 실사는 고객사가 제조사의 팹을 방문해 양산 라인 및 제품 등을 점검하는 행위다. 업계에서는 퀄 테스트 통과 이전에 거쳐야 하는 관례적인 수순으로 본다. 이번 실사로 삼성전자는 8단 HBM3E에 대한 내부적인 양산 준비를 차질없이 완료할 수 있을 것으로 관측된다. 다만 실사는 엔비디아향 퀄 테스트 결과와는 무관하다. 퀄 테스트에서는 HBM 자체만이 아니라 시스템반도체와 결합되는 패키징 단계에서의 수율·성능 등을 추가로 검증해야 한다. 때문에 삼성전자 HBM3E가 엔비디아의 고성능 AI 가속기인 'H200'·'B100' 등에 곧바로 대량 공급될 가능성은 현재까지 조금 더 두고 봐야한다는 분석된다. 이보다는 저가형 커스터머 칩 등 비(非) 주력 제품에 먼저 적용되는 방안이 유력하다는 게 업계 전언이다. 실제로 삼성전자는 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 H200에서 성능을 낮춘 'H20' 칩에 올해 HBM3를 공급한 바 있다. 업계 한 관계자는 "가장 최근 진행된 실사에서 HBM3E의 품질 문제를 해결한 것은 긍정적인 신호"라면서도 "본격적인 양산 공급을 위한 최종 퀄 테스트 통과는 지속 연기돼 온 만큼, 실제 영향은 조금 더 지켜봐야 한다"고 설명했다.

2024.10.02 15:13장경윤

HBM 공급 자신감…SK하이닉스·마이크론 주가로 답했다

고대역폭메모리(HBM) 수요 강세가 이어지면서 주요 공급 업체인 SK하이닉스와 마이크론의 주가가 전날에 이어 27일 급격한 상승세를 보이고 있다. 삼성전자 또한 소폭 오름세를 보였다. 마이크론은 현지시간 26일(한국시간 27일 새벽) 뉴욕증시에 전날 보다 14.73% 급등한 109.88달러(14만4천711원)에 거래를 마쳤다. 마이크론 주가가 100달러선을 넘은 것은 지난 8월 23일 이후 한 달여만이다. 이날 장중 상승폭은 20%까지 확대되기도 했다. SK하이닉스의 주가도 크게 올랐다. 26일 SK하이닉스의 주가는 전일 대비 9.44% 오른 18만900원에 장을 마쳤다. 27일 오후 1시 5분 기준으로 전날보다 2.43% 오른 18만5300원을 기록 중이다. 삼성전자의 주가는 26일 전날보다 4.02% 상승한 6만4700원으로 장을 마감했고, 27일 같은 시간 기준으로 전날보다 0.15% 오른 6만4800원을 나타내고 있다. 메모리 업계의 주가가 오른 배경은 마이크론이 시장 예상을 뛰어넘는 깜짝 실적을 냈기 때문이다. 최근 모건스탠리, BNP파리바 등 주요 투자은행이 HBM 공급과잉을 주장하는 비관론을 내놓았지만, 마이크론은 'HBM 완판'을 소식을 전하며, 반도체 겨울론을 뒤집었다. 26일(현지시간) 마이크론은 2024 회계연도 4분기(~8월 29일) 매출이 77억5천만 달러(약 10조3천400억원)로 전년 대비 93%, 직전 분기 대비 14% 증가했고, 영업이익은 17억4천500만 달러(약 2조3천300억원)로 직전 분기보다 85% 늘었다. 이는 4분기 실적 중 10년 만에 가장 좋은 분기별 매출 성장률을 달성한 것이다. ■ AI 반도체 성장 속에 'HBM 수요 강세' 이어져 일부 투자은행의 우려와 달리 AI 반도체 성장 속에 HBM 수요 강세는 지속될 전망이다. 4분기 실적발표 이후 컨퍼런스콜에서 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "HBM은 올해는 물론 2025년 물량까지 완판됐다”며 “HBM 수급 상황은 걱정할 필요가 없다"고 강조했다. 그는 이어 "강력한 AI 수요가 데이터센터용 D램과 HBM 판매를 주도하고 있기에 다음 분기에도 기록적인 매출을 올릴 것"이라고 말했다. 로이터통신은 26일 AJ벨의 댄 코츠워스 투자 분석가를 인용해 "엔비디아를 포함한 고객들이 마이크론의 HBM 칩을 얻기 위해 줄을 서고 있는 것을 보면, AI 열풍이 아직 끝나지 않았다는 것이 분명하다"고 진단했다. 시장조사업체 트렌드포스는 보고서를 통해 "HBM의 올해 연간 성장률은 200%를 넘어설 전망이고, 내년 HBM 소비는 올해 보다 2배가 될 것으로 예상된다"며 "내년 신제품 블랙웰 울트라 등이 출시되면, 엔비디아의 HBM 조달율은 70%를 넘을 전망이다"고 말했다. 트렌드포스는 고가의 HBM의 판매 확대로 인해 D램 평균가격은 올해 전년 보다 53% 상승, 내년에는 35% 상승할 것으로 예상했다. 이로 인해 올해 전체 D램 매출은 전년 보다 75% 증가한 907억 달러, 내년에는 전년보다 51% 증가한 1천365억 달러를 기록할 것으로 보인다. ■ 1등 SK하이닉스 세계 최초 HBM3E 12단 양산...TSMC·엔비디아 동맹 강조 마이크론이 실적을 발표한 날, HBM 1등 SK하이닉스는 세계 최초로 HBM3E 12단 양산을 발표하면서 HBM 시장에 대한 기대감을 높였다. SK하이닉스의 HBM3E 12단은 연내에 엔비디아에 공급될 예정이다. HBM3E 12단은 B200A, GB200A 등 엔비디아의 최첨단 고성능 AI 반도체에 들어갈 전망이다. 지난 3월 HBM3E를 엔비디아에 납품한지 약 6개월 만이다. 또 이날 SK하이닉스는 대만 TSMC가 미국 캘리포니아에서 개최한 'OIP 에코시스템 포럼 2024'에 참가해 HBM3E 12단과 엔비디아 'H200'을 나란히 공동 전시하며, '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. 이는 AI 반도체 1위인 엔비디아의 주요 고객사란 점을 강조한 것으로 해석된다. 마이크론과 삼성전자의 HBM3E 12단 제품이 엔비디아의 퀄(품질) 테스트를 통과할지도 주목된다. 마이크론은 이달 초 자사의 홈페이지를 통해 HBM3E 12단 샘플을 주요 고객사에 제공했다고 밝혔다. 김형태 신한증권 연구원은 "마이크론은 HBM3E 12단을 내년 1분기에 고객사에 공급이 예상되며, 내년 2분기부터 12단 제품이 주력 제품으로 자리잡을 전망이다"고 말했다. 이달 초 트렌드포스는 "삼성이 (SK하이닉스, 마이크론에 비해) 다소 늦게 뛰어들었지만, 최근 HBM3E 인증을 완료하고 H200용 HBM3E 8단 제품의 출하를 시작했다"고 밝힌 바 있다. 예상대로 HBM3E 8단 제품이 출하를 시작했을 경우 HBM3E 12단 제품의 퀄테스트 통과도 탄력을 받을 것으로 보인다. 삼성전자는 지난 7월 2분기 컨콜에서 HBM3E 8단 제품을 올해 3분기 내 양산해 공급을 본격화하고, 12단 제품도 하반기에 공급한다는 로드맵을 제시한 바 있다.

2024.09.27 15:11이나리

SK하이닉스, TSMC 포럼서 HBM3E·엔비디아 H200 나란히 전시...동맹 강조

SK하이닉스가 25일(미국시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 TSMC OIP 에코시스템 포럼 2024(이하 OIP 포럼)에서 HBM3E와 엔비디아 H200 칩셋 보드를 함께 전시해 TSMC와 전략적 파트너십을 강조했다. 아울러 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(이하 DDR5 RDIMM(1cnm))을 세계 최초로 공개해 주목을 받았다. OIP는 TSMC가 반도체 생태계 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다. TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 미국, 일본, 대만 등 세계 각국에서 OPI 행사를 개최한다. SK하이닉스는 올해 처음으로 이 행사에 참여했다. 'MEMORY, THE POWER OF AI'를 주제로 ▲글로벌 No.1 HBM ▲AI·데이터센터 솔루션 등 두 개 섹션을 꾸리고 HBM3E, DDR5 RDIMM(1cnm), DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리를 선보였다. 특히 글로벌 No.1 HBM 섹션에서는 'HBM3E'와 엔비디아 'H200'을 공동 전시하며 '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. 'HBM3E 12단'은 36GB(기가바이트) 용량과 초당 1.2TB(테라바이트) 속도를 자랑하는 AI 메모리다. 성능 검층을 마친 HBM3E 12단은 H200의 성능을 크게 향상시킬 것으로 기대된다. AI/데이터센터 솔루션 섹션에서는 'DDR5 RDIMM(1cnm)' 실물을 처음으로 공개해 많은 관심을 모았다. DDR5 RDIMM(1cnm)은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 낸다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대를 모은다. 이외에도 회사는 128GB 용량 및 초당 8.8Gb 속도의 'DDR5 MCRDIMM*'과 256GB 용량 및 초당 6.4Gb 속도의 'DDR5 3DS RDIMM' 등 고성능 서버용 모듈을 전시했다. 또, LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 'LPCAMM2', 세계 최고속 모바일 D램 'LPDDR5T' 등 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품과 함께 차세대 그래픽 D램 'GDDR7'까지 선보였다. MCRDIMM은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품이다. 이병도 SK하이닉스 TL(HBM PKG TE)은 'OIP 파트너 테크니컬 토크' 세션에서 "TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 계획"이라고 설명했다. 한편, SK하이닉스는 이번 행사를 'AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리'라고 평가했다. 회사는 앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침이다.

2024.09.26 15:57이나리

SK하이닉스, 12단 HBM3E 세계 첫 양산…엔비디아 공략 속도

SK하이닉스가 현존 HBM(고대역폭메모리) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM3E는 5세대 제품에 해당된다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다. 회사는 양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한지 6개월만에 또 한번 괄목할 만한 성과를 거뒀다. SK하이닉스는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어HBM3E까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업”이라며 "높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 강조했다. 회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다. 우선 회사는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다. 회사는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV(실리콘관통전극) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. 여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. 회사는 자사 핵심 기술인 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 기술이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 우수해 안정적인 HBM 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 “당사는 다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.

2024.09.26 09:57장경윤

美 마이크론, 12단 HBM3E 샘플 출하…"다수 고객사와 퀄 진행"

미국 마이크론이 최선단 HBM(고대역폭메모리) 제품인 12단 적층 HBM3E의 샘플을 개발해 주요 고객사와 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 11일 업계에 따르면 마이크론은 최근 자사 홈페이지를 통해 HBM3E 12단 샘플을 주요 고객사에 제공했다고 밝혔다. 마이크론은 "12단 HBM3E는 8단 제품 대비 용량이 50% 증가한 36GB(기가바이트)를 제공한다"며 "이를 통해 700억 개의 매개변수를 가진 'Llama 2'와 같은 거대언어모델을 단일 프로세서로 실행할 수 있다"고 설명했다. 동시에 마이크론은 자사 HBM의 전력 효율성도 강조했다. 마이크론은 "우리의 12단 HBM3E는 경쟁사의 8단 HBM3E 대비 상당히 낮은 전력 소모를 구현한다"며 "초당 1.2TB(테라바이트) 이상의 메모리 대역폭을 초당 9.2Gb(기가비트) 이상의 핀 속도로 제공한다"고 밝혔다. 이외에도 마이크론의 12단 HBM3E는 완전 프로그래밍이 가능한 'MBIST'를 통합해, 제품 출시 시간을 단축하고 시스템 안정성을 향상시킬 수 있다. MBIST란 메모리 내부 셀에 발생할 수 있는 오류를 자체 테스트하고 복구하는 기술이다. 마이크론은 "주요 파트너사에 양산 가능한 12단 HBM3E을 출하해 테스트를 진행하고 있다"며 "이 제품은 진화하는 AI 인프라의 데이터 수요를 충족하기 위한 마이크론의 혁신을 보여준다"고 강조했다.

2024.09.11 09:54장경윤

'12단 HBM3E' 수급 다급해진 엔비디아…삼성·SK 대응 분주

엔비디아가 최근 생산 차질 논란이 불거진 최신형 AI 반도체 '블랙웰'을 당초 일정대로 양산하겠다고 밝혔다. 칩 재설계를 통한 대체품을 내놓는 것으로, HBM(고대역폭메모리) 역시 더 높은 용량의 제품을 탑재하기로 했다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업도 최선단 HBM의 인증을 서두르기 위한 대응에 나선 것으로 파악됐다. 29일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 엔비디아의 최신 GPU '블랙웰' 칩 설계 변경에 따라 HBM3E 12단 인증을 서두르고 있다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 총 2천80억개의 트랜지스터를 집적했다. 이는 기존 GPU 대비 2배가량 많은 것으로, 2개의 GPU 다이(Die)를 10TB(테라바이트)/s의 빠른 데이터 전송 속도로 연결했기 때문에 가능한 수치다. 세부적으로 블랙웰 GPU는 전력소모량에 따라 700W급인 B100, 최대 1200W급인 B200으로 나뉜다. 당초 엔비디아는 B100 GPU 2개와 '그레이스' CPU 1개를 결합한 구조의 AI 가속기 'GB200'을 회사 회계연도 기준 2025년 4분기(2024년 11월~2025년 1월) 출시할 예정이었다. ■ SoC 재설계로 HBM3E도 8단→ 12단 변경 그러나 최근 GB200의 양산 일정에 차질이 생겼다. 업계에서 분석하는 원인은 크게 두 가지다. 하나는 B100 칩 설계의 문제, 또 하나는 GB200에 필요한 TSMC의 최첨단 패키징 'CoWoS-L'의 용량 부족이다. CoWoS는 엔비디아가 자체 개발한 2.5D 패키징 기술로, 로직반도체와 HBM을 SiP(시스템 인 패키지) 형태로 묶는 것을 뜻한다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 활용되는 소재에 따라 종류가 나뉘며, CoWoS-L의 경우 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 채용한다. 이에 엔비디아는 즉각 대응책을 수립했다. 기존 B100을 개량한 'B102'를 대체품으로 재설계하고, 이를 기반으로 'GB200A'를 제작하기로 했다. A는 공랭(Air Cooling)의 의미다. 패키징 구조 역시 변경된다. GB200은 GPU 2개를 묶어 한 칩처럼 동작하게 하고, 주변에 HBM3E 8단(24GB)을 8개 집적하는 형태다. 반면 GB200A는 GPU를 묶지 않고 B102 칩 하나에 HBM3E 12단(36GB)를 4개 집적한다. 내장된 GPU 2개가 총 HBM 8개를 운용하는 것보다 효율이 떨어지기 때문에, 단일 HBM의 용량을 높이고자 12단을 채용한 것으로 분석된다. 엔비디아는 이 같은 칩 재설계를 통해 어제(29일 한국시간) 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당초 계획대로 블랙웰 GPU 양산 공급을 연말에 진행하겠다"는 뜻을 밝혔다. ■ HBM3E 12단 공급 빨라져야…삼성·SK 대응 분주 엔비디아가 블랙웰 GPU의 양산 일정을 고수하면서, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 제조업체들의 대응 또한 분주해지고 있다. 당초보다 빨리 HBM3E 12단 제품을 엔비디아에 공급해야 하는 상황에 놓였기 때문이다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해 상반기 8단 제품부터 상용화에 들어갔다. 더 많은 D램을 적층하는 12단 제품은 주요 메모리 3사 모두 고객사와의 퀄(품질) 테스트를 거치고 있으며, 아직까지 공식 승인을 받은 기업은 없다. 이에 엔비디아도 주요 메모리 제조사에 HBM3E 12단 승인을 앞당기기 위한 논의를 진행한 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "엔비디아의 요청에 따라 메모리 제조사들도 HBM3E 12단 물량을 급하게 늘리려는 움직임을 보이고 있다"며 "HBM3E 12단의 수율이 상대적으로 낮고, 긴급한 주문이기 때문에 메모리 제조사 입장에서도 더 높은 가격을 책정받을 수 있다는 이점을 누릴 수 있다"고 설명했다.

2024.08.30 10:04장경윤

리벨리온, 차세대 AI칩 '리벨-쿼드' 양산 앞당긴다…"삼성 지원 덕분"

"회사의 최신 NPU 아톰은 중동 아람코 등 주요 잠재 고객사와의 긴밀한 협의로 올해 4분기 매출 성장을 기대하고 있습니다. 이 칩은 경쟁사 대비 성능과 전력 효율성을 모두 높인 것이 장점이죠. 다음 세대 칩인 '리벨-쿼드'도 삼성전자의 많은 지원 덕분에 생산 일정을 올해 말에서 내년 초 정도로 앞당길 수 있을 것으로 보입니다." 오진욱 리벨리온 CTO는 최근 경기 성남시 소재 사무실에서 기자들과 만나 회사의 AI 반도체 개발 및 상용화 로드맵에 대해 이같이 말했다. 리벨리온은 지난 2020년 설립된 국내 AI 반도체 스타트업이다. 올해 상반기에는 회사의 2번째 NPU(신경망처리장치) 칩인 '아톰(ATOM)'의 양산을 시작했다. 아톰은 5나노미터(nm) 공정을 기반으로, 128TOPS(1초 당 128조번의 정수 연산) 및 32TFLOPS(1초 당 32조번의 부동소수점 연산)의 성능을 갖췄다. 특히 전력 소모량이 보편적인 GPU 대비 5분의 1에 불과한 것이 특징이다. ■ 칩 넘어 '랙 솔루션' 준비…아람코에 4분기 공급 목표 리벨리온이 아톰을 통해 거둔 가장 최근의 성과는 지난달 사우디아라비아 국영 석유그룹 아람코로부터 200억원 규모의 투자를 유치한 것이다. 이를 통해 리벨리온은 사우디에 현지 법인을 설립하고, 사우디 정부가 추진하는 소버린(주권) AI 인프라와 서비스 구축을 지원할 예정이다. 오진욱 CTO는 "중동은 공급망 및 보안 이슈로 자체 LLM(거대언어모델) 구축을 원하고 있는데, 데이터센터에 리벨리온의 NPU를 랙(복수의 서버를 저장할 수 있는 특수 프레임) 형태로 도입하는 방안을 논의 중"이라며 "카드 형태는 소량 발주됐으며, 랙 단위로는 올 4분기 매출을 발생시키는 게 목표"라고 설명했다. 이를 위해 리벨리온은 HP, 델, 레노버, 슈퍼마이크로 등 서버 OEM 업체들과도 적극적으로 협력하고 있다. 리벨리온이 자사 NPU를 고객사에 실제 공급하기 위해선 칩에 여러 인터페이스 기능을 추가한 카드나, 이 카드를 여러 개 모은 서버·랙 등의 형태로 제작해야 하기 때문이다. 오진욱 CTO는 "NPU 자체도 중요하지만, 이를 기반으로 한 서버 랙 역시 데이터센터의 발열, 성능 등에 영향을 미치기 때문에 매우 중요하다"며 "아톰 칩은 저전력 설계로 서버 하나에 칩을 240~250개가량 집적할 수 있어, 고성능 서버 구축을 원하는 중동 고객사에게 수요가 있다"고 밝혔다. ■ 소프트웨어 기술력도 강점…'RSD'가 핵심 무기 현재 서버용 AI 가속기 시장에서는 HBM(고대역폭메모리)가 각광받고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 일반 D램 대비 대역폭을 수십 배 끌어올린 메모리다. 대역폭은 데이터가 송수신되는 통로로, 넓으면 넓을수록 데이터를 빠르게 처리할 수 있다. 반면 아톰은 HBM이 아닌 GDDR(그래픽 D램)을 채용했다. 그럼에도 리벨리온이 아람코 등에서 협업을 얻어낼 수 있었던 이유는, GDDR로도 저전력·고효율 데이터 처리 성능을 구현할 수 있는 자체 소프트웨어 기술을 갖추고 있었기 때문이다. 오진욱 CTO는 "GDDR을 여러 개 붙여 HBM과 비슷한 대역폭을 구현하는 동시에, 전력 소모량은 HBM보다 적도록 메모리 컴포넌트 등의 기술력을 확보했다"며 "또한 각 칩을 효율적으로 운용할 수 있도록 만드는 RSD 기술력도 중요하다"고 말했다. RSD는 'Rebellions Scalable Design'로, 리벨리온이 자체 개발한 분산 컴퓨팅용 소프트웨어 스택이다. 방대한 데이터 처리가 필요한 LLM은 140~180GB(기가바이트)에 달하는 메모리 용량이 필요하다. 이는 일반적인 AI 가속기 카드 하나로는 수용하기 어려운 용량인데, 결과적으로 이를 여러 카드에 나눠 데이터를 처리해야 한다. 이 여러 개의 카드가 단일 카드처럼 잘 작동하도록 만드는 기술이 RSD다. 오진욱 CTO는 "여러 개의 카드를 구동하는 데 필요한 컴파일러, 인터페이스 등을 가장 효율적으로 사용하는 방식을 파악해내는 게 RSD의 핵심"이라며 "이를 위해 메모리 제조사나 엔비디아 등 거대 기업을 제외하면 PCIe 5.0(고속 데이터 전송용 표준)을 제일 빨리 도입하기도 했다"고 강조했다. ■ "차세대 '리벨-쿼드' 양산, 삼성 협업으로 일정 앞당길 것" 나아가 리벨리온은 성능을 더 높인 차세대 NPU '리벨'을 이르면 올 연말 출시한다. 리벨은 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 삼성전자의 36GB HBM3E 12단(5세대 고대역폭메모리)을 처음으로 탑재한다. 리벨 개발이 완료되는 경우, 리벨리온은 리벨 칩 4개를 칩렛 구조로 집적한 '리벨-쿼드'를 실제 제품으로 상용화할 계획이었다. 리벨-쿼드는 총 4개의 HBM3E을 탑재하기 때문에 메모리 용량이 144GB로 확장되며, 대역폭을 4.8TB/s까지 구현할 수 있을 것으로 예상된다. 칩렛은 기능별로 각 칩을 제작한 뒤 단일 칩에 붙이는 최첨단 패키징 기술이다. 특정 용도에 맞춰 칩을 이종집적하기 때문에 설계 유연성이 높고, 고속 인터커넥트를 활용하면 전체 시스템의 성능을 높일 수 있어 단일 칩 제작보다 성능을 강화할 수도 있다. 당초 리벨-쿼드는 2026년을 전후로 개발이 완료될 것으로 예상됐으나, 최근 일정이 앞당겨졌다. 이르면 올해 말이나 내년 초에 제작이 가능해질 전망이다. 오진욱 CTO는 "삼성전자의 적극적인 지원으로, 리벨 싱글 제품과 같은 일정으로 쿼드 제품을 출시하는 것이 가능해질 것으로 판단한다"며 "설계 유연성이 높은 칩렛 기술을 적용했기 때문에 다양한 서버 고객사의 요구에 부응할 수 있을 것"이라고 말했다. ■ "사피온과의 합병, 시너지 효과 구상 중" 앞서 리벨리온은 이달 18일 국내 또다른 AI 반도체 기업 사피온코리아와의 합병을 위한 본계약을 체결한 바 있다. 합병 후 존속법인은 '사피온코리아'로 하고, 리벨리온 경영진이 합병법인을 이끌기로 하면서 새 회사의 사명은 '리벨리온'으로 결정됐다. 박성현 리벨리온 대표가 합병법인의 경영을 맡게 될 예정이다. 이와 관련해 오진욱 CTO는 "사피온은 당사와 동일한 NPU 개발사이나, 지금까지 주력하는 사업 모델들과 파트너사들이 달랐기 때문에 서로 다른 시각을 가진 부분이 있다"며 "이러한 부분들을 종합하고 각자의 장점을 채택해서 더 좋은 솔루션을 개발할 수 있을 것"이라고 설명했다. 합병 이후 파운드리 이원화 가능성에 대해서는 유보적인 입장을 취했다. 현재 리벨리온은 삼성전자와, 사피온은 대만 주요 파운드리 TSMC에 칩 제작을 의뢰하고 있다. 오진욱 CTO는 "삼성전자와 리벨 칩 개발에 집중하고 있기 때문에 현재로선 이원화는 고려하고 있지 않다고 보는 게 맞다"며 "삼성전자가 메모리부터 파운드리, 패키징에 이르는 다양한 공정을 턴키 서비스로 제공할 수 있기 때문에 많은 이점이 있다고 생각한다"고 밝혔다.

2024.08.22 09:00장경윤

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