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'HBM3E'통합검색 결과 입니다. (53건)

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SK하이닉스 "12단 HBM3E 내년 공급...고객사와 장기 프로젝트 논의중"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품을 3분기에 개발 완료한 후 내년에 고객사에 공급할 예정이다. 아울러 지난해 예측 보다 HBM 수요가 더 증가함에 따라 고객사들과 내년 이후의 장기 프로젝트를 논의 중에 있다고 밝혔다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라며 "HBM3E12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰서 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 다음에 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급을 준비하고 있다"고 말했다. 이어 "HBM3E 가격은 상대적으로 높은 성능, 원가 상승분 등을 고려해서 기존 HBM3 대비에서는 가격 프리미엄이 반영돼 있다"라며 "우리는 업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 생산성, 1b나노 테크 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업도 순조롭게 진행하고 있다. 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진 중이다"고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품 순으로 공급됐으며, 올해 상반기부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다. SK하이닉스도 지난 1월 CES 2024에서 처음으로 12단 HBM3E 실물을 공개한 바 있다. SK하이닉스는 HBM 공급 과잉에 대한 시장의 우려에 대해서 일축했다. SK하이닉스는 "작년 10월 실적 설명회에서 올해 늘어나는 HBM 캐파는 고객과 협의해서 투자의사결정을 진행한 것으로 이미 솔드아웃(판매완료)됐고, 중장기 관점에서 다양한 AI 플레이어 그리고 잠재 고객들과 사업 영역을 확대하는 논의도 하고 있다고 밝힌 바 있다"라며 "최근 상황을 말씀드리면 CSP(클라우드 서비스 제공) 업체들의 AI 서버 투자 확대, AI 서비스 품질 개선을 위한 추가 수요 등으로 HBM 수요가 더욱 큰 폭으로 증가하고 있다. 이는 불과 반년 전에 대비해서 HBM 수요 가시성이 더욱 명확해지고 있는 모습이다"고 강조했다. 이어서 "올해 이후 HBM 시장은 여전히 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, 모델리티 확대, AI 서비스 공급자 확대, 무엇보다 엔드 고객단에서 유지 케이스 증가와 같은 다양한 요인으로 인해서 급격한 성장을 지속할 것으로 전망한다"라며 "SK하이닉스는 제품 경쟁력과 대규모 양산 경험을 기반으로 상당수의 기존 고객 그리고 잠재 고객들과 함께 2025년 그리고 그 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다"고 전했다. 이어 "2025년 캐파 규모는 장비 리드타임 등을 고려해서 현재 고객들과 협의를 진행하고 있다"고 덧붙였다.

2024.04.25 10:45이나리

SK하이닉스, TSMC 美 행사 참가...'HBM 협력' 과시

SK하이닉스가 대만 TSMC와 고대역폭메모리(HBM) 패키징 협력의 시너지를 알린다. SK하이닉스는 오는 24일 TSMC가 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 개최하는 '테크놀로지 심포지엄'에 참가해 메모리 업체 중 유일하게 부스를 마련하고 가장 최신 제품인 HBM3E를 소개한다. 회사 측은 "고성능컴퓨팅(HPC), 차세대 AI 메모리 기술을 TSMC와 긴밀한 협력을 통해 선보일 계획"이라고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 연례 행사인 TSMC 테크놀로지 심포지엄은 TSMC의 최신 파운드리 기술과 공정 로드맵을 소개하는 자리다. TSMC는 미국을 시작으로 유럽, 대만, 중국, 이스라엘, 일본에서 워크샵 또는 심포지엄을 순차적으로 개최할 예정이다. TSMC는 올해 행사 주제를 '실리콘 리더십과 함께하는 고성능 AI(Powering AI with Silicon Leadership)'로 정하고 AI 반도체 생산 기술을 주력으로 소개한다. 파운드리 시장에서 60% 점유율을 차지하는 TSMC는 엔비디아, 애플, AMD, 퀄컴, 구글, 메타 등을 고객사로 두고 있다. SK하이닉스가 TSMC 자체 행사에 부스를 마련하는 것은 양사의 협력을 알리기 위한 것으로 해석된다. SK하이닉스는 HBM 개발 초창기부터 TSMC와 패키징 기술 협력을 지속해왔다. AI 반도체는 완제품이 생산되면 HBM과 결합하는 패키징 단계가 추가로 요구된다. 일례로 엔비디아가 TSMC에 AI반도체 GPU 생산을 맡기면, TSMC는 GPU를 만든 다음 보드에 메모리 업체로부터 받은 HBM과 GPU를 붙여 패키징을 한다. 즉, GPU 코어와 HBM의 연결 최적화가 필요하기에 양사의 패키징 협력이 반드시 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아가 지난해 출시한 GPU H100에 HBM3을 독점 공급한데 이어, 올해 2분기 출시하는 H200에도 HBM3E을 공급하면서 TSMC와 협력을 이어가고 있다. 아울러 양사는 향후 미국에서 현지 고객사를 대상으로 AI 반도체 생산 및 HBM 패키징 협력을 강화할 것으로 보인다. SK하이닉스는 지난 3일 38억7000만달러(약 5조2000억원)을 투자해 미국 인디애나주에 HBM, AI 메모리용 첨단 패키징 공장을 건설해 2028년 하반기부터 생산한다고 발표한 바 있다. TSMC 또한 현재 미국 애리조나 피닉스에 2개의 파운드리 공장을 건설 중이며, 추가로 3공장 건설도 확정했다. 1공장은 4나노 공정으로 내년 상반기에, 2공장은 2028년 2나노, 3나노 공정으로 반도체를 생산할 예정이다.

2024.04.12 15:33이나리

젠슨 황, 삼성 HBM3E에 친필로 '승인' 사인...엔비디아에 공급 기대감

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 'GTC 2024' 행사에 전시된 삼성전자의 5세대 고대역폭메모리 12단 'HBM3E'에 친필 사인을 남겼다. 엔비디아 AI 반도체에 삼성전자의 HBM3E가 탑재될 가능성에 기대감이 커진다. 21일 한진만 삼성전자 반도체(DS)부문 미주총괄(DSA) 부사장은 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 황 CEO가 삼성전자 부스에서 12단 HBM3E 실물에 남긴 친필 사인과 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다. 삼성전자는 12단 HBM3E 실물을 공개한 것은 이번 GTC 행사가 처음이다. 한 부사장은 "젠슨 황 CEO가 우리 부스에 들러줘서 고맙고, 만나지 못해 아쉽다"라며 "삼성 HBM3E에 승인 도장(stamp of approval)을 찍어줘 기쁘다. 삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다"고 전했다. 특이 황 CEO의 삼성전자 부스 방문은 앞서 19일(현지시간) 엔비디아 GTC 2024 글로벌 미디어 행사에서 "우리는 지금 삼성전자의 HBM을 테스트(qualifying)하고 있으며, 기대가 크다"고 발언한 직후여서 업계의 관심이 쏠린다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있기에, HBM 시장에서 핵심 고객사다. SK하이닉스가 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한 데는 지난해 엔비디아에 HBM3을 독점 공급한 영향이 크다. 최근 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 삼성전자는 HBM3E 물량을 확보하기 위해 적극적으로 나서고 있다. 삼성전자의 12단 HBM3E는 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품이다. 삼성전자는 지난달 27일 12단 HBM3E 샘플을 고객사(엔비디아 포함)에 공급했다고 공식 발표한 바 있다. 삼성전자는 이 제품을 상반기 양산할 예정이다. HBM 시장 경쟁은 가열되고 있다. SK하이닉스는 GTC 2024 전시 부스에서 12단 HBM3E를 전시했으며, 행사 첫날인 지난 18일 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 공식적으로 알리며 시장 우위를 강조했다. 업계에 따르면 SK하이닉스 또한 최근 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급한 것으로 알려져 있다. 또 미국 마이크론도 지난달 HBM3E 양산을 시작했다고 밝히며 경쟁에 뛰어들었다. HBM 시장에서 후발주자인 미국 마이크론은 HBM3 양산을 건너뛰고 HBM3E 대량 생산체제를 갖추면서 삼성전자, SK하이닉스와 전면 경쟁에 돌입했다. 경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 전날(20일) 삼성전자 정기 주주총회에서 HBM이 한발 늦었다는 지적에 대해 "앞으로 다시는 그런 일이 생기지 않도록 더 잘 준비하고 있다"며 "12단을 쌓은 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾을 것"이라고 밝혔다. 한편, 시장조사업체 트렌드포스는 지난 13일 "삼성전자는 이미 HBM3에서 상당한 진전을 이뤘다"라며 "HBM3E 검증이 곧 완료될 것으로 예상되며, 연말까지 SK하이닉스와의 시장 점유율 격차를 크게 줄여 HBM 시장의 경쟁 구도를 재편할 태세다"고 진단했다.

2024.03.21 15:54이나리

美 마이크론 호실적에 '어닝 서프라이즈'…삼성·SK도 기대감↑

미국 주요 메모리업체 마이크론이 실적 발표를 통해 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 가격의 반등, AI 산업에 따른 메모리 수요 증가 등이 호재로 작용했다. 마이크론의 실적은 삼성전자, SK하이닉스 등의 실적을 미리 가늠할 수 있는 지표로 작용한다. 이에 국내 메모리업계도 올 1분기 예상보다 견조한 실적을 달성할 것이라는 기대감이 나온다. 마이크론은 회계연도 2024년 2분기(2024년 2월 말 종료) 매출로 58억2천만 달러(한화 약 7조7천400억원)를 기록했다고 21일 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 23.2%, 전년동기 대비 57.7% 가량 증가한 수치다. 영업이익은 1억9천만 달러로 전분기 및 전년동기 대비 모두 흑자전환했다. 주당순이익은 42센트다. 또한 마이크론은 시장의 예상치를 크게 상회했다. 당초 증권가는 마이크론이 해당 분기 매출 53억5천만 달러, 주당 영업손실 24센트를 기록할 것으로 예상해 왔다. 마이크론의 호실적은 지난해 4분기부터 본격화된 D램 가격의 반등, AI 산업 부흥에 따른 메모리 수요 증가에 따른 효과로 분석된다. 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 성명을 통해 "AI로 인해 발생할 반도체 업계 내 기회에서 마이크론은 가장 큰 수혜자 중 하나가 될 것으로 믿는다"고 밝혔다. 마이크론은 회계연도 2024년 3분기에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 해당 분기 매출 가이던스는 64억~68억 달러(중간값 66억 달러)로, 증권가 컨센서스인 59억9천만 달러를 크게 웃돌았다. 한편 마이크론은 최근 AI 산업용 차세대 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 상용화에 적극 나서고 있다. 지난달 26(현지시간)에는 "5세대 HBM인 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E의 본격적인 양산을 시작한다"며 "해당 제품은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 밝힌 바 있다.

2024.03.21 09:34장경윤

SK하이닉스, 'GTC 2024'서 온디바이스 AI PC용 SSD 신제품 공개

SK하이닉스는 18일부터 21일(미국시간)까지 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리고 있는 엔비디아 주최 세계 최대 AI 개발자 컨퍼런스인 'GTC(GPU Technology Conference) 2024'에서 업계 최고 성능이 구현된 SSD 신제품인 'PCB01' 기반의 소비자용 제품을 공개했다고 20일 밝혔다. PCB01은 온디바이스(On-Device) AI PC에 탑재되는 PCIe 5세대 SSD로, 최근 글로벌 주요 고객사로부터 성능 및 안정성 검증을 마쳤다. SK하이닉스는 “올해 상반기 중 PCB01의 개발을 완료하고, 연내 대형 고객사향 제품과 일반 소비자용 제품을 함께 출시할 계획"이라고 설명했다. PCB01은 연속 읽기속도 초당 14GB(기가바이트), 연속 쓰기속도는 초당 12GB로 업계 최고 속도가 구현된 제품이다. 이전 세대 대비 2배 향상된 속도로, AI 학습과 추론에 필요한 거대언어모델(LLM)을 1초 내에 로딩하는 수준이다. PC 제조업체는 온디바이스 AI를 구현하기 위해 PC 내부 스토리지에 LLM을 저장하고, AI 작업이 시작되면 단시간 내 D램으로 데이터를 전송하는 구조로 설계한다. 이 과정에서 PC 내부에 탑재된 PCB01은 LLM 로딩을 신속하게 지원하면서 온디바이스 AI의 속도와 품질을 크게 높여주는 역할을 해줄 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. PCB01은 이전 세대 대비 전력 효율이 30% 개선돼 대규모 AI 연산 작업 시 효율성을 높이는 데 기여한다. 또한 SK하이닉스 기술진은 이 제품에 'SLC 캐싱' 기술을 적용했다. SLC 캐싱은 낸드의 저장 영역인 셀 일부를 처리 속도가 빠른 SLC로 동작하게 해 필요한 데이터만 신속하게 읽고 쓸 수 있게 해주는 기술이다. 이를 통해 AI 서비스 외 일반 PC 작업 속도도 빨라지도록 도와준다. 윤재연 SK하이닉스 부사장(NAND Product Planning & Enablement 담당)은 “PCB01은 업계 최고 성능 제품으로 Al PC뿐 아니라 게이밍, 하이엔드 PC 등 최고 사양 PC 시장에서도 각광받을 것”이라며 “이를 통해 당사는 HBM은 물론, 온디바이스 AI 분야에서도 '글로벌 No.1 AI 메모리 컴퍼니' 위상을 탄탄하게 다질 수 있을 것”이라고 말했다. 한편 SK하이닉스는 GTC 2024에서 PCB01 외에도 36GB(기가바이트) 12단 HBM3E, CXL, GDDR7 등 차세대 주력 기술 및 제품을 선보였다. 앞서 회사는 지난 19일 세계 최초로 HBM 5세대 제품인 HBM3E의 양산에 들어간다고 발표한 바 있다. 또한 GDDR7은 이전 세대 제품인 GDDR6 대비 대역폭이 2배 이상 확대되고, 전력 효율성이 40% 개선돼 현장에서 큰 관심을 받았다.

2024.03.20 09:45장경윤

삼성·SK하이닉스, '12단 HBM3E' 경쟁 가열...美GTC서 실물 공개

AI 반도체 시장 성장으로 고대역폭메모리(HBM) 경쟁이 치열해진 가운데 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 최신 제품인 HBM3E 실물을 나란히 공개해 주목된다. 엔비디아는 18~21일(현지시각) 3일간 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 연례 개발자 콘퍼런스 GTC 2024를 개최했다. GTC에는 엔비디아 협력사인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등이 전시 부스를 마련하고 최신 HBM3E 실물을 전시해 눈길을 끌었다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해 상반부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있기에, 메모리 시장에서 최대 고객사로 여겨진다. 이런 이유로 메모리 업체가 엔비디아 행사에서 앞다퉈 최신 HBM3E를 공개한 이유다. 삼성전자는 부스에서 D램을 12단까지 쌓은 12단 HBM3E 실물을 처음으로 공개했다. 삼성전자는 HBM 시장에서 SK하이닉스에 뒤쳐졌다는 평가를 인식한듯 지난달 27일 업계에서 처음으로 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 제공하기 시작했다고 공식 발표한 바 있다. 삼성전자에 따르면 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 36GB 용량을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 8단 HBM3 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현했다. NCF 소재 두께는 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'다. SK하이닉스도 지난 1월 CES 2024에서 처음으로 12단 HBM3E 실물을 전시한데 이어 이번 GTC에서도 공개했다. SK하이닉스 또한 지난달 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급을 시작한 것으로 알려진다. 이에 더해 SK하이닉스는 GTC 행사 첫날 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 공식적으로 알리며 시장 우위를 강조했다. SK하이닉스의 8단 HBM3E는 엔비디아 'H200' GPU에 공급된다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔다. 이날 SK하이닉스는 경쟁사인 삼성전자와 달리 적층에 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 적용해, 열 방출 성능을 이전 세대(HBM3) 대비 10% 향상시켰다는 점도 내세웠다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 마이크론 또한 GTC에서 8단 HBM3E를 전시했다. 후발주자인 마이크론은 HBM3을 건너 뛰고 지난달 27일 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 밝히며 “해당 HBM3E는 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 전했다. 아울러 마이크론도 이달부터 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급한다. 한편, 엔비디아는 올해부터 GPU에 HBM3E를 탑재한다. 엔비디아는 올해 2분기 말에 출시되는'H200'에는 HBM3E 6개를 탑재되고, 하반기에 출시하는 'B100'에는 HBM3E 8개가 탑재된다. B100은 엔비디아가 오늘 발표한 차세대 GPU '블랙웰'이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난해 8.4%에서 올해 말 20.1%로 증가한다고 전망했다. 올해 HBM의 연간 비트(용량) 증가율은 약 260%에 달할 것으로 내다봤다. 현재 주류인 HBM3 시장에서 SK하이닉스는 90% 이상을 점유하고 있는 것으로 집계된다. 삼성전자는 향후 몇 분기에 걸쳐 AMD의 MI300에 HBM3을 공급하면서 점진적으로 시장 점유율을 늘릴 것으로 전망된다.

2024.03.19 16:02이나리

SK하이닉스, 세계 최초 'HBM3E' 본격 양산 …고객사 납품 시작

SK하이닉스가 5세대 HBM인 'HBM3E'를 본격 양산해 고객사에 납품하기 시작했다. SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 회사가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 메모리다. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전으로, 5세대 제품에 해당한다. SK하이닉스는 “당사는 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”고 밝혔다. 엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 따라서 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시켜줄 현존 최적의 제품이 될 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 회사는 강조했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. 회사는 이를 위해 신제품에 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 적용해, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 류성수 SK하이닉스 부사장(HBM Business담당)은 “당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.

2024.03.19 10:26장경윤

트렌드포스 "HBM3E, SK하이닉스가 선두...삼성, 하반기에 격차 줄인다"

고대역폭메모리(HBM) 경쟁에서 SK하이닉스가 고객사인 엔비디아에 가장 먼저 HBM3E를 대량 공급하며 선두를 달리는 것으로 파악된다. 삼성전자는 HBM3E 공급이 다소 늦었지만, 연말까지 SK하이닉스와 격차를 상당부분 좁힐 수 있다는 분석이 나온다. 13일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스는 1분기에 8단 24GB(기가바이트) HBM3E가 고객사 엔비디아의 검증을 통과하며 양산을 시작했다. 마이크론은 엔비디아가 2분기 말에 H200 출시한다는 계획에 맞춰, 1분기 말에 8단 24GB HBM3E를 공급할 계획이다. 샘플 제출이 다소 늦은 삼성전자는 1분기 말까지 검증을 완료하고, 2분기에 8단 24GB HBM3E 출하를 시작할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 “삼성전자는 이미 HBM3에서 상당한 진전을 이뤘다”라며 “HBM3E 검증이 곧 완료될 것으로 예상되며, 연말까지 SK하이닉스와의 시장 점유율 격차를 크게 줄여 HBM 시장의 경쟁 구도를 재편할 태세다”고 진단했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 AI 반도체 시장 성장으로 인해 수요가 증가하고 있다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. AI 칩 선두주자인 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있다. 메모리 업체 입장에서는 대형 고객사인 엔비디아의 공급 물량을 확보하는 것이 경쟁의 승부를 가르는 '절대 반지'일 수밖에 없다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔다. 하지만 최근 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 메모리 업체 간 경쟁이 치열해 졌다. 엔비디아는 올해 2분기 말에 HBM3E 6개가 탑재된 'H200' 칩을, 하반기에는 HBM3E 8개가 탑재된 'B100' 칩을 출시할 예정이다. 이에 지난해 7월 마이크론은 업계에서 가장 먼저 HBM3E 샘플을 엔비디아에 제공했고, 8월 중순에는 SK하이닉스가, 10월 초에는 삼성전자가 각각 샘플을 보냈다. 후발주자인 마이크론은 HBM3을 건너 뛰고 HBM3E를 시작했다는 점에서 주목된다. 트렌드포스는 삼성전자가 HBM3에서도 입지가 강화되고 있다고 평가했다. 보고서는 “삼성전자의 HBM3은 1분기에 AMD의 MI300 GPU로부터 인증을 획득하면서 AMD의 중요한 공급업체로 자리매김했다”며 “이는 삼성이 1분기부터 HBM3 생산량을 늘릴 수 있는 길을 열어준다. 특히 마이크론이 HBM3에 진출하지 않아 SK하이닉스와 삼성이 핵심 플레이라는 점은 주목할만 하다”고 말했다. AMD는 올 하반기에는 HBM3E가 탑재된 'MI350'을 출시할 계획이다. 그 밖에 인텔 하바나, 메타, 구글, 아마존웹서비스(AWS) 등도 HBM3 수급에 나서고 있다.

2024.03.13 18:15이나리

삼성전자, 세계 첫 36GB 12단 HBM3E 개발...상반기 양산

삼성전자가 세계 최초로 36GB(기가바이트) 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 12H(12단 적층) D램을 개발했다고 27일 밝혔다. 삼성전자는 12단 HBM3E의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다. 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다. 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8단 적층 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF' 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화 할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다고 설명한다. 삼성전자는 NCF 소재 두께도 지속적으로 낮춤으로써, 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8단 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다. 특히, 칩과 칩사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용했다. 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다. 또 삼성전자는 NCF로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈를 다양하게 하면서 동시에 공극(Void)없이 적층하는 업계 최고 수준의 기술력도 선보였다. 삼성전자가 개발에 성공한 12단 HBM3E은 AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에게 활용도가 높을 것으로 보인다. 특히, 성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있다. 예를 들어 서버 시스템에 12단 HBM3E를 적용하면 8단 HBM3를 탑재할 때 보다 평균 34% AI 학습 훈련 속도 향상이 가능하다. 추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대된다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 "삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.02.27 11:00이나리

美 마이크론, HBM3E 양산 개시...삼성·SK 보다 빨라

미국 마이크론이 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 양산을 시작한다. HBM 시장에서 후발주자인 미국 마이크론은 HBM3 양산을 건너뛰고 HBM3E 대량 생산체제를 갖추면서 SK하이닉스, 삼성전자와 전면 경쟁체제에 돌입했다. 특히 마이크론은 SK하이닉스와 삼성전자보다 먼저 엔비디아에 HBM3E 공급을 공식 발표하고, 대만 파운드리 업체 TSMC와 패키징 분야에서 협력한다는 점에서 주목된다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. 마이크론은 26일(현지시간) 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E D램 대량 생산을 시작했다고 알리면서 "해당 D램은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 전했다. 마이크론 HBM3E는 초당 9.2기가비트(Gb/s) 이상의 핀 속도를 갖췄고, 초당 1.2테라바이트(TB/s ) 이상의 메모리 대역폭을 제공한다. HBM3E는 10나노급(1b) 제품을 적용했고 첨단 실리콘관통전극(TSV) 기술로 적층했다. 회사는 8단 HBM3E가 경쟁사 제품 보다 전력 효율이 30% 우수하다는 점을 내세웠다. 마이크론은 다음달 36GB 12단 HBM3E 샘플 공급도 시작할 예정이라고 밝혔다. 마이크론은 내달 18일 개최되는 엔비디아의 AI 컨퍼런스 GTC에서 AI 메모리 제품과 로드맵을 상세히 발표할 예정이다. 마이크론은 본격적으로 HBM을 생산하기 위해 지난해 6월 대만 타이중에 차세대 D램 생산 및 테스트 신규 공장 가동을 시작했다. 이 곳은 마이크론 HBM3E 생산의 거점으로 운영된다. 또 대만에 위치해 현지 TSMC와 협력 강화에도 이점이 있다. 마이크론은 "TSMC의 3D 패브릭 얼라이언스(3D 적층 패키징) 파트너를 맺었다"며 "HBM3E 제품 개발의 일환으로 TSMC와 협력하고 있으며, 이는 AI와 고성능컴퓨팅(HPC) 설계 애플리케이션의 원활한 통합의 기반을 마련할 것"이라고 전했다. 마이크론은 HBM3E 양산을 시작으로 매출 성장에 자신감을 보이고 있다. 앞서 지난해 9월 산자이 메토트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM은 2024년 실적에서 7억 달러(9천509억원) 매출을 달성할 수 있을 것"이라며 "향후 HBM 시장에서 점차 점유율을 높일 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다. HBM 3파전 본격화…엔비디아·AMD 고객사 확보에 주력 후발주자 마이크론의 참여로 HBM 경쟁은 더욱 심화될 전망이다. SK하이닉스는 지난해 8월 엔비디아에 24GB 8단 HBM3E 샘플을 공급했으며, 올해 3월 HBM3E 양산을 시작해 엔비디아에 공급할 예정이다. 삼성전자 또한 지난해 10월 24GB 8단 HBM3E 샘플을 공급했으며, 올해 상반기 양산을 앞두고 있다. 더 나아가 삼성전자는 오늘(27일) 36GB 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 제공하기 시작해 상반기 중에 양산을 앞두고 있다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔지만, 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 메모리 업체 간 경쟁이 치열해졌다. 또 다른 대형 고객사인 AMD도 올해 하반기 HBM3E가 탑재된 'MI350'을 출시할 계획이다. 그 밖에 메타, 구글, 아마존웹서비스(AWS) 등도 HBM 수급에 발 벗고 나서고 있다. 김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 부사장은 지난 21일 뉴스룸을 통해 "올해 HBM은 이미 완판됐다"며 "시장 선점을 위해 벌써 2025년을 준비하고 있다"고 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스는 HBM3E 공급에 힘입어 올해 D램 매출에서 HBM 비중이 더욱 높아질 전망이다. 한국투자증권은 SK하이닉스 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 올해 사상 첫 20%를 넘을 것으로 분석했다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 지난 1월 2023년 4분기 실적 발표에서 "HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다"고 말했다. 시장조사업체 가트너에 따르면 HBM 시장규모는 지난해 11억 달러(약 1조4천억원)에서 2027년 51억7700만 달러(6조8천억원)으로 연평균 36% 성장할 전망이다. 옴디아는 올해 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 9%에서 18%를 넘을 것으로 내다봤다.

2024.02.27 10:24이나리

곽노정 SK하이닉스 사장 "HBM3E 상반기 양산"...엔비디아 공급 임박

SK하이닉스가 이르면 내달 3월 중으로 5세대 고대역폭메모리 HBM3E 양산을 본격 시작해 고객사에 공급할 예정이다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 26일 오전 서울 중구 대한상공회의소 열린 '민·관 반도체 전략 간담회'에 참석한 후 취재진의 질문에 "HBM3E는 저희가 계획한 일정대로 양산 중이다"라고 말했다. 이어서 그는 '3월 양산설에 대한 질문에 "(웃음) 꼭 특정해서 말씀드려야 하냐"며 "올해 상반기 내 양산할 것 같다"고 말을 아꼈다. 곽 사장이 공식적으로 HBM3E 양산에 대해 언급한 것은 이번이 처음이다. 그가 3월 양산에 대해 부정하지 않은 만큼 3월 양산이 유력한 것으로 관측된다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품을 거쳐 현재 5세대(HBM3E)까지 개발된 상태다. SK하이닉스는 지난해 8월 고객사인 엔비디아에 HBM3E 샘플을 보냈으며, 통상적으로 HBM 검증은 복잡성 때문에 약 6개월이 소요된다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 엔비디아로부터 HBM3E 성능평가와 최종 품질 인증을 완료하고 본격적으로 양산에 돌입할 예정이다. 이에 따라 SK하이닉스는 엔비디아가 올해 2분기 출시하는 AI용 그래픽처리장치(GPU) 가속기 'H200'와 하반기 출시하는 'B100'에 HBM3E를 공급할 것으로 알려진다. H200에는 HBM3E가 6개, B100에 8개가 탑재되기에 SK하이닉스의 공급 물량 확대가 기대되는 부분이다. 앞서 SK하이닉스는 엔비디아 H100에 HBM3을 독점 공급하며 글로벌 HBM 시장 점유율 1위를 기록할 수 있었다. 엔비디아는 AI용 GPU 시장에서 90% 점유율을 차지한다. 김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 부사장은 지난 21일 뉴스룸을 통해 "올해 HBM은 이미 완판"됐다며 "시장 선점을 위해 벌써 2025년을 준비하고 있다"고 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스는 지난달 25일 2023년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다"라며 "AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다"고 말했다. SK하이닉스는 HBM3E 공급에 힘입어 올해 D램 매출에서 HBM 비중이 더욱 높아질 전망이다. 한국투자증권은 SK하이닉스 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 올해 사상 첫 20%를 넘을 것으로 분석했다. 시장조사업체 가트너에 따르면 HBM 시장규모는 지난해 11억 달러(약 1조4천억 원)에서 2027년 51억7700만 달러(6조8천억 원)으로 연평균 36% 성장할 전망이다. 옴디아는 올해 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 9%에서 18%를 넘을 것으로 내다봤다.

2024.02.26 17:25이나리

SK하이닉스, 16단 HBM3E 기술 첫 공개…1등 자신감

SK하이닉스가 이달 20일 국제고체회로학회(ISSCC) 2024 컨퍼런스에서 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다. 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위인 SK하이닉스는 선단 기술을 공개함으로써 기술 리더십을 입증할 계획이다. 이달 18일부터 22일까지 미국 샌프란시스코에서 개최되는 ISSCC는 반도체 집적회로 설계 기술의 올림픽으로 불린다. 세계 각국 3000여 명의 반도체 공학인들이 참여해 연구 성과를 공유하는 자리다. SK하이닉스는 ISSCC 2024 기간 중 당일 오전 열리는 메모리 세션에서 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 16단 48기가바이트(GB) HBM3E를 업계 최초로 공개한다. 16단은 현존하는 최고층 12단 HBM3E 보다 향상된 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 공급했고 올해 상반기에 본격 양산할 계획이다. 또 올해 16단 HBM4를 개발해 2026년 양산에 돌입할 예정이다. 이에 앞서 SK하이닉스는 컨퍼런스에서 16단 HBM3E 기술을 먼저 선보인다. HBM은 여러 개의 D램 칩을 TSV(실리콘관통전극) 공정으로 수직 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 제품이다. HBM은 D램 칩을 쌓을수록 용량이 커진다. 16단은 12단과 동일한 높이에 더 많은 D램 다이를 적층해야 하기 때문에 D램 두께를 얇게 만드는 혁신 기술이 요구된다. 또 D램 칩을 붙이는 과정에서 압력이 가해져 생기는 웨이퍼의 휨 (Warpage) 현상도 방지해야 한다. SK하이닉스는 이런 기술적 난제를 극복하기 위해 3세대 HBM 제품인 HBM2E부터 신공정인 MR-MUF 기술을 적용했고, 지난해 양산에 들어간 12단 HBM3부터는 어드밴스드 MR-MUF(F(Mass Reflow Molded Underfill)를 적용해, 더 작은 크기로 고용량 패키지를 만들어 열방출 성능을 개선했다. SK하이닉스는 이번에 공개하는 16단 HBM3E는 적층을 최적화하기 위해 저전력을 강화한 TSV 설계를 새롭게 적용했다고 밝혔다. 다만, 향후 16단 HBM4에는 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용할 것으로 보인다. 앞서 김춘환 SK하이닉스 부사장은 지난달 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 반도체인 HBM4(D램 16단 적층)와 400단 이상 낸드에 하이브리드 본딩을 활용해 상용화한다는 계획을 언급한 바 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 기판의 연결 통로인 범프(가교)를 없애고 구리(Cu)로 직접 연결하는 차세대 본딩 기술이다. 이 기술을 사용하면 기존 방식 대비 입·출력(I·O) 수를 획기적으로 늘릴 수 있어 데이터처리 속도가 빨라진다. 한편, SK하이닉스는 올해 HBM에 투자를 아끼지 않는다는 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 지난달 말 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 AI 수요 확대에 힘입어 HBM 시장은 앞으로 5년간 연평균 최소 40% 성장할 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 2022년 글로벌 HBM 시장점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를, 2위는 삼성전자(40%), 3위는 마이크론(10%)이 차지했고 올해는 SK하이닉스와 삼성전자 점유율이 47~49%로 엇비슷해지고 마이크론이 3~5%를 기록한다고 내다봤다.

2024.02.14 10:06이나리

삼성전자 "HBM 판매량 전년比 3.5배 성장...커스텀 HBM로 차별화"

삼성전자가 AI 서버 시장 상승세에 힘입어 지난해 4분기 HBM(고대역폭메모리) 공급이 전년 보다 3.5배 늘었다고 밝혔다. 앞으로 삼성전자는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 삼성전자는 31일 2023년 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다"며 "HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다"고 말했다. 이어서 "HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM 제품인 HBM4를 2026년에 양산할 계획이다. 회사는 "HBM3E의 사업화도 계획대로 진행해 1280기가바이트(GB) 대역폭의 8단 제품을 주요 고객사들에게 샘플 공급 중이고, 올해 상반기 내 당사의 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "12단 적증 기술 기반으로 36GB의 고용량 제품을 구현해 더욱 높아지는 AI향 메모리 성능 및 용량 니즈에 적극 대응해 1분기 내 샘플 공급 예정이다. 그다음 세대인 HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 말했다. 삼성전자는 고객 맞춤형 HBM 공급을 차별화로 내세웠다. 회사는 "생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하고 있는 상황에서 당사는 표준 제품뿐만 아니라 로직 칩을 추가해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM제품도 함께 개발 중으로 현재 주요 고객사들과 세부 스펙에 대해 협의 중"이라며 "시스템 반도체 업체와의 협업이 중요해질 앞으로의 커스텀 HBM 시장에서 당사는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징 사업팀과의 종합 시너지를 강점으로 더욱 경쟁력 있는 시장 대응을 통해 업계를 선도해 나가겠다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:41이나리

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