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리벨리온, 차세대 AI칩 '리벨-쿼드' 양산 앞당긴다…"삼성 지원 덕분"

"회사의 최신 NPU 아톰은 중동 아람코 등 주요 잠재 고객사와의 긴밀한 협의로 올해 4분기 매출 성장을 기대하고 있습니다. 이 칩은 경쟁사 대비 성능과 전력 효율성을 모두 높인 것이 장점이죠. 다음 세대 칩인 '리벨-쿼드'도 삼성전자의 많은 지원 덕분에 생산 일정을 올해 말에서 내년 초 정도로 앞당길 수 있을 것으로 보입니다." 오진욱 리벨리온 CTO는 최근 경기 성남시 소재 사무실에서 기자들과 만나 회사의 AI 반도체 개발 및 상용화 로드맵에 대해 이같이 말했다. 리벨리온은 지난 2020년 설립된 국내 AI 반도체 스타트업이다. 올해 상반기에는 회사의 2번째 NPU(신경망처리장치) 칩인 '아톰(ATOM)'의 양산을 시작했다. 아톰은 5나노미터(nm) 공정을 기반으로, 128TOPS(1초 당 128조번의 정수 연산) 및 32TFLOPS(1초 당 32조번의 부동소수점 연산)의 성능을 갖췄다. 특히 전력 소모량이 보편적인 GPU 대비 5분의 1에 불과한 것이 특징이다. ■ 칩 넘어 '랙 솔루션' 준비…아람코에 4분기 공급 목표 리벨리온이 아톰을 통해 거둔 가장 최근의 성과는 지난달 사우디아라비아 국영 석유그룹 아람코로부터 200억원 규모의 투자를 유치한 것이다. 이를 통해 리벨리온은 사우디에 현지 법인을 설립하고, 사우디 정부가 추진하는 소버린(주권) AI 인프라와 서비스 구축을 지원할 예정이다. 오진욱 CTO는 "중동은 공급망 및 보안 이슈로 자체 LLM(거대언어모델) 구축을 원하고 있는데, 데이터센터에 리벨리온의 NPU를 랙(복수의 서버를 저장할 수 있는 특수 프레임) 형태로 도입하는 방안을 논의 중"이라며 "카드 형태는 소량 발주됐으며, 랙 단위로는 올 4분기 매출을 발생시키는 게 목표"라고 설명했다. 이를 위해 리벨리온은 HP, 델, 레노버, 슈퍼마이크로 등 서버 OEM 업체들과도 적극적으로 협력하고 있다. 리벨리온이 자사 NPU를 고객사에 실제 공급하기 위해선 칩에 여러 인터페이스 기능을 추가한 카드나, 이 카드를 여러 개 모은 서버·랙 등의 형태로 제작해야 하기 때문이다. 오진욱 CTO는 "NPU 자체도 중요하지만, 이를 기반으로 한 서버 랙 역시 데이터센터의 발열, 성능 등에 영향을 미치기 때문에 매우 중요하다"며 "아톰 칩은 저전력 설계로 서버 하나에 칩을 240~250개가량 집적할 수 있어, 고성능 서버 구축을 원하는 중동 고객사에게 수요가 있다"고 밝혔다. ■ 소프트웨어 기술력도 강점…'RSD'가 핵심 무기 현재 서버용 AI 가속기 시장에서는 HBM(고대역폭메모리)가 각광받고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 일반 D램 대비 대역폭을 수십 배 끌어올린 메모리다. 대역폭은 데이터가 송수신되는 통로로, 넓으면 넓을수록 데이터를 빠르게 처리할 수 있다. 반면 아톰은 HBM이 아닌 GDDR(그래픽 D램)을 채용했다. 그럼에도 리벨리온이 아람코 등에서 협업을 얻어낼 수 있었던 이유는, GDDR로도 저전력·고효율 데이터 처리 성능을 구현할 수 있는 자체 소프트웨어 기술을 갖추고 있었기 때문이다. 오진욱 CTO는 "GDDR을 여러 개 붙여 HBM과 비슷한 대역폭을 구현하는 동시에, 전력 소모량은 HBM보다 적도록 메모리 컴포넌트 등의 기술력을 확보했다"며 "또한 각 칩을 효율적으로 운용할 수 있도록 만드는 RSD 기술력도 중요하다"고 말했다. RSD는 'Rebellions Scalable Design'로, 리벨리온이 자체 개발한 분산 컴퓨팅용 소프트웨어 스택이다. 방대한 데이터 처리가 필요한 LLM은 140~180GB(기가바이트)에 달하는 메모리 용량이 필요하다. 이는 일반적인 AI 가속기 카드 하나로는 수용하기 어려운 용량인데, 결과적으로 이를 여러 카드에 나눠 데이터를 처리해야 한다. 이 여러 개의 카드가 단일 카드처럼 잘 작동하도록 만드는 기술이 RSD다. 오진욱 CTO는 "여러 개의 카드를 구동하는 데 필요한 컴파일러, 인터페이스 등을 가장 효율적으로 사용하는 방식을 파악해내는 게 RSD의 핵심"이라며 "이를 위해 메모리 제조사나 엔비디아 등 거대 기업을 제외하면 PCIe 5.0(고속 데이터 전송용 표준)을 제일 빨리 도입하기도 했다"고 강조했다. ■ "차세대 '리벨-쿼드' 양산, 삼성 협업으로 일정 앞당길 것" 나아가 리벨리온은 성능을 더 높인 차세대 NPU '리벨'을 이르면 올 연말 출시한다. 리벨은 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 삼성전자의 36GB HBM3E 12단(5세대 고대역폭메모리)을 처음으로 탑재한다. 리벨 개발이 완료되는 경우, 리벨리온은 리벨 칩 4개를 칩렛 구조로 집적한 '리벨-쿼드'를 실제 제품으로 상용화할 계획이었다. 리벨-쿼드는 총 4개의 HBM3E을 탑재하기 때문에 메모리 용량이 144GB로 확장되며, 대역폭을 4.8TB/s까지 구현할 수 있을 것으로 예상된다. 칩렛은 기능별로 각 칩을 제작한 뒤 단일 칩에 붙이는 최첨단 패키징 기술이다. 특정 용도에 맞춰 칩을 이종집적하기 때문에 설계 유연성이 높고, 고속 인터커넥트를 활용하면 전체 시스템의 성능을 높일 수 있어 단일 칩 제작보다 성능을 강화할 수도 있다. 당초 리벨-쿼드는 2026년을 전후로 개발이 완료될 것으로 예상됐으나, 최근 일정이 앞당겨졌다. 이르면 올해 말이나 내년 초에 제작이 가능해질 전망이다. 오진욱 CTO는 "삼성전자의 적극적인 지원으로, 리벨 싱글 제품과 같은 일정으로 쿼드 제품을 출시하는 것이 가능해질 것으로 판단한다"며 "설계 유연성이 높은 칩렛 기술을 적용했기 때문에 다양한 서버 고객사의 요구에 부응할 수 있을 것"이라고 말했다. ■ "사피온과의 합병, 시너지 효과 구상 중" 앞서 리벨리온은 이달 18일 국내 또다른 AI 반도체 기업 사피온코리아와의 합병을 위한 본계약을 체결한 바 있다. 합병 후 존속법인은 '사피온코리아'로 하고, 리벨리온 경영진이 합병법인을 이끌기로 하면서 새 회사의 사명은 '리벨리온'으로 결정됐다. 박성현 리벨리온 대표가 합병법인의 경영을 맡게 될 예정이다. 이와 관련해 오진욱 CTO는 "사피온은 당사와 동일한 NPU 개발사이나, 지금까지 주력하는 사업 모델들과 파트너사들이 달랐기 때문에 서로 다른 시각을 가진 부분이 있다"며 "이러한 부분들을 종합하고 각자의 장점을 채택해서 더 좋은 솔루션을 개발할 수 있을 것"이라고 설명했다. 합병 이후 파운드리 이원화 가능성에 대해서는 유보적인 입장을 취했다. 현재 리벨리온은 삼성전자와, 사피온은 대만 주요 파운드리 TSMC에 칩 제작을 의뢰하고 있다. 오진욱 CTO는 "삼성전자와 리벨 칩 개발에 집중하고 있기 때문에 현재로선 이원화는 고려하고 있지 않다고 보는 게 맞다"며 "삼성전자가 메모리부터 파운드리, 패키징에 이르는 다양한 공정을 턴키 서비스로 제공할 수 있기 때문에 많은 이점이 있다고 생각한다"고 밝혔다.

2024.08.22 09:00장경윤

"땡큐 HBM" SK하이닉스, 2분기 D램 점유율 나홀로 상승

SK하이닉스는 수익성이 높은 HBM(고대역폭메모리) 매출 1위에 힘입어 2분기 D램 시장에서 SK하이닉스만 유일하게 점유율이 전분기 보다 상승했다. 삼성전자는 점유율 1위를 유지했다. 16일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전 세계 2분기 D램 매출은 229억 달러(약 31조원)으로 전분기 보다 24.8% 증가했다. 메모리 업황 회복으로 인해 주요 업체인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 모두 2분기 출하량이 전분기 보다 증가했다. 또 2분기 D램 평균판매가격(ASP)은 전분기 보다 13~18% 증가하면서 1분기에 이어 상승세를 이어갔다. 가격 상승에는 HBM 제품의 높은 수요가 크게 반영된 것으로 파악된다. 1위 삼성전자는 D램 매출 98억2천만 달러(13조4천억원)으로 전분기 보다 22% 증가했다. 삼성전자 D램 ASP는 17~19% 증가하면서 실적 상승을 이끌었다. 다만 시장 점유율은 1분기 43.9%에서 2분기 42.9%로 소폭 감소했다. 2위 SK하이닉스는 2분기 매출 79억1천100만 달러로 전분기 보다 38.7% 늘었고, 점유율은 34.5%로 1분기(31.1%) 보다 3.4%포인트 증가했다. SK하이닉스는 상위 6개 D램 업체중에서 가장 높은 매출 증가를 기록했으며, 시장 점유율이 유일하게 올랐다. 이 같은 실적은 SK하이닉스 HBM3E이 세계 최초로 고객사 엔비디아의 인증을 받고, 대량 출하하면서 비트 출하량이 20% 이상 증가한 덕분이다. 3위 마이크론은 2분기 매출이 전분기 보다 14.1% 증가한 45억달러를 기록했다. ASP가 약간 감소했음에도 불구하고 비트 출하량이 15~16% 증가했다. 2분기 마이크론 점유율은 19.6%로 1분기(21.5%) 보다 감소했다. SK하이닉스는 2분기 영업 이익률에서도 가장 높았다. SK하이닉스의 2분기 영업이익률은 45%로 전분기(33%) 보다 12%(P)포인트 크게 올랐다. 삼성전자의 영업이익률은 1분기의 22%에서 2분기 37%로 증가했고, 마이크론은 6.9%에서 13.1%로 개선됐다. 트렌드포스 2분기에 이어 3분기에도 D램 가격이 상승세를 유지할 것으로 전망했다. 트레드포스는 3분기 D램 계약가격이 전분기 보다 8~13% 인상으로 상향 조정했다. 이는 이전 예측보다 5% 포인트 올린 것이다. D램 제조업체들은 지난달 말 PC 업체, 클라우드 서비스공급자(CSP)와 3분기 계약 가격 협상을 마무리했다. 트렌드포스는 “삼성전자는 HBM3E 제품 검증 후 적시 출하하기 위해 2분기에 HBM3E용 웨이퍼 생산을 시작했다. 이는 올해 하반기 DDR5 생산 일정에 영향을 미칠 가능성이 높다”라며 “SK하이닉스와 삼성은 DDR5보다 HBM 생산을 우선시하고 있어 D램 가격이 향후 분기에 하락할 가능성이 낮다”고 분석했다.

2024.08.16 16:24이나리

HBM3E 8단, 엔비디아 통과?...삼성電 "아직 테스트 중"

삼성전자 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E 8단 제품이 엔비디아 퀄테스트(품질 검증)를 통과했다는 로이터통신 보도가 나왔다. 하지만 해당 제품은 아직 퀄테스트가 진행 중인 것으로 파악된다. 증권가에서는 삼성전자의 HBM3E 8단이 올 4분기 중으로 테스트를 통과해 공급될 것으로 내다보고 있다. 7일(현지시간) 로이터는 복수의 소식통을 인용해 삼성전자가 HBM3E 8단을 납품하기 위한 엔비디아의 퀄테스트를 통과했다고 보도했다. 또 로이터는 조만간 삼성전자가 엔비디아와 공급 계약을 체결하고 4분기부터 공급이 예상된다고 전했다. 이에 대해 삼성전자는 "맞지 않은 내용"이라며 "현재 퀄테스트를 진행 중이다"라고 부인했다. 다만, 삼성전자가 4분기 HBM3E 8단을 양산할 가능성은 높은 것으로 관측된다. 이날 김동원 KB증권 연구원은 "삼성전자 전체 HBM 매출에서 차지하는 HBM3E 매출 비중은 3분기 16%에서 4분기 64%로 전기 대비 4배 확대될 것"이라며 "엔비디아, AMD AI 가속기·애플 인텔리전스 기반이 되는 구글 AI 칩 텐서프로세서유닛(TPU), 아마존 AI 칩 트레이니움(Traineium) 등으로부터 3분기 최종 인증 이후 올 4분기부터 HBM3E 공급 본격화가 예상된다"고 내다봤다. 앞서 삼성전자는 지난달 31일 2분기 실적 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 8단 제품은 지난 2분기 초 양산 램프업 준비와 함께 주요 고객사에 샘플을 제공했고, 현재 고객사 평가가 정상적으로 진행되고 있으며, 3분기 중 양산 공급이 본격화될 예정"이라고 밝힌 바 있다. 또 삼성전자는 컨콜에서 HBM 내 HBM3E의 매출 비중이 3분기 10% 중반을 넘어서고, 4분기에는 60% 수준까지 빠르게 확대될 것으로 전망된다고 밝혔다. HBM은 메모리 반도체 중에서 수익성이 높은 제품이다. HBM 공급 가격은 일반 D램 제품 대비 3~5배 높은 것으로 알려졌다. 또 HBM은 향후 두 자릿수 성장률이 예상되는 만큼 업계에서는 삼성전자의 차세대 HBM 제품에 대한 공급 여부에 많은 관심이 쏠리고 있다. 엔비디아는 전 세계 AI 반도체 시장에서 90% 점유율을 차지하는 만큼 최대 고객사이기도 하다.

2024.08.07 11:58이나리

中 CXMT, 1~2년 앞당겨 HBM2 대량 생산...자립화에 속도

중국 대표 메모리 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 2세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM2' 대량 양산을 시작했다. CXMT HBM2의 수율은 아직 불확실하지만, 예상 일정보다 1~2년 앞당겨 양산을 시작했다는 점에서 주목된다. 대만 디지타임스에 따르면 CXMT가 최근 HBM2 대량 양산을 시작했다고 밝혔다. 앞서 올해 초 닛케이아시아는 CXMT가 HBM을 만드는 데 필요한 장비들을 확보하기 시작했다고 보도한 바 있다. 일반적으로 장비 도입 후 적절한 수율로 대량 생산을 시작하는 데 최소 1년에서 2년이 걸린다. CXMT는 미국과 일본 업체의 반도체 장비를 주문해 공급 받았다. 어플라이드머티어리얼즈와 램리서치 등은 중국에 수출하기 위해 미국 정부의 수출 허가를 받기도 했다. CXMT이 HBM 개발에 속도를 내는 것은 최근 미국이 대(對) 중국 수출규제에 HBM을 추가를 검토하자 HBM 자급 속도를 높이는 것으로 보인다. 중국 화웨이의 어센트 910 시리즈 프로세서에는 HBM2가 탑재될 전망이다. HBM 제조는 복잡한 공정이 필요하다. HBM은 일반적으로 생산하는 상용 D램 보다 크면서 기본 다이를 만들고 조립하는 것이 어렵다. CXMT가 생산한 HBM2는 핀당 데이터 전송 속도가 약 2GT/s~3.2GT/s로 알려졌다. 또 TSV(실리콘 관통전극) 기술을 통해 메모리를 수직으로 연결했다. CXMT의 HBM 기술은 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론보다 뒤처져 있다. SK하이닉스는 올해 상반기 HBM3E 8단 제품 양산을 시작했고, 올해 3분기 중으로 HBM3E 12단 양산에 돌입하고 4분기에 고객사에 공급한다. 삼성전자 또한 HBM3 양산을 시작했고, 고객사에 HBM3E 8단 및 12단 샘플을 공급한데 이어 올해 하반기 중으로 양산에 들어갈 계획이다. 또 양사는 내년 하반기 HBM4 양산도 시작한다.

2024.08.06 15:02이나리

삼성전자 "HBM3E 8~9월 양산...매출 비중 4분기 60% 차지"

삼성전자가 5세대 HBM(고대역폭메모리) 'HBM3E'이 3분기부터 양산을 시작하면서 매출이 본격적으로 발생한다고 밝혔다. 삼성전자의 HBM 매출에서 HBM3E이 차지하는 비중은 3분기 10% 중반에서 4분기 60%로 증가할 전망이다. 삼성전자는 31일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 김재준 부사장은 "4세대 HBM 제품인 HBM3는 모든 주요 GPU 고객사들에게 양산 공급을 확대 중으로 2분기에는 전분기 대비 매출이 3배에 가까운 성장을 기록했다"고 밝혔다. 최근 삼성전자가 엔비디아에 HBM3 공급을 시작했다는 주요 외신의 보도를 인정함 셈이다. 이어서 김 부사장은 "HBM3E 8단 제품은 지난 2분기 초 양산 램프업 준비와 함께 주요 고객사에 샘플을 제공했고, 현재 고객사 평가가 정상적으로 진행되고 있다. 3분기 중 양산 공급이 본격화될 예정이다"며 "HBM3E 12단 또한 양산 램프업 준비는 마쳤고 복수의 고객사들 요청 일정에 맞춰 하반기 공급 확대 예정이다"고 설명했다. 삼성전자는 올해 상반기 HBM3 내 12단 제품의 판매 비중이 3분의 2 수준을 기록했던 만큼, 누적된 12단 패키징 경험을 바탕으로 HBM3E에서도 이미 성숙 수준의 패키징 수요를 구현했다고 강조했다. 이날 삼성전자는 HBM 내 HBM3E의 매출 비중이 3분기 10% 중반을 넘어서고, 4분기에는 60% 수준까지 빠르게 확대될 것으로 전망된다고 밝혔다. 김 부사장은 "HBM3E의 본격적인 램프업과 함께 캐파 확대 영향이 맞물리면서 하반기에는 당사 HBM 매출이 더욱 가파르게 늘어날 것으로 예상된다"라며 "2분기 전분기 대비 50% 중반 증가했던 당사 HBM 매출은 매분기 2배 내외 수준의 가파른 증가에 힘입어서 하반기에는 상반기 대비 3.5배를 상회하는 규모까지 확대될 것으로 예상된다"고 말했다. 삼성전자에 따르면 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 36GB 용량을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 8단 HBM3 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현했다. NCF 소재 두께는 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'다. 삼성전자의 HBM4는 2025년 하반기 출하될 예정이며, 이미 고객사들과 협의 중이다. 김 부사장은 "당사는 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구에 대응하기 위해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM 제품도 함께 개발 중이며, 현재 복수의 고객사들과 세부 스펙에 대해 협의를 이미 시작했다"고 밝혔다.

2024.07.31 11:42이나리

SK하이닉스 "올해 HBM 매출 전년比 300% 성장할 것"

SK하이닉스가 AI 서버에서 수요가 강한 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 대한 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장할 것"이라고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 고용량 데이터 처리가 필요한 AI 서버에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 이에 SK하이닉스는 TSV의 생산능력을 올해 2배 이상 확대하기로 했다. 청주에 위치한 M15 팹을 중심으로 투자가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)에 쓰일 1b(5세대 10나노급 D램)으로의 공정 전환도 추진 중이다. 1b D램은 현재 상용화된 D램 중 가장 최선단에 위치한 제품으로, 연말까지 월 9만장 수준의 생산능력을 확보할 계획이다. SK하이닉스는 "늘어난 TSV 및 1b 생산능력을 기반으로 HBM 공급을 빠르게 확대할 것"이라며 "올해 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다"고 밝혔다.

2024.07.25 10:58장경윤

마이크론 HBM 불량 이슈, 사실은..."성능 우수" vs "수율 불안" 엇갈려

올해 HBM(고대역폭메모리) 시장 진입을 본격화한 미국 마이크론에 국내 메모리 업계의 시선이 쏠리고 있다. 주요 경쟁사 대비 전력 소모량 등 특성이 우수하다는 긍정적인 평가와 수율 문제가 발생하는 등 안정성을 지켜볼 필요가 있다는 지적이 동시에 제기된다. 12일 업계에 따르면 마이크론은 지난달 HBM3E(5세대 HBM) 8단 제품의 불량 이슈가 발생해 문제 해결에 나서고 있다. 마이크론은 미국 주요 메모리 반도체 제조업체로, 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E D램 양산을 공식 발표한 바 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, HBM3E는 가장 최신 제품에 해당한다. 마이크론의 HBM3E는 엔비디아가 올해 중반 상용화하는 고성능 GPU H200과 결합된다. 이를 위해 마이크론은 지난 2분기부터 HBM3E의 양산을 본격화한 바 있다. 그러나 마이크론은 지난달 HBM3E의 패키징 과정에서 불량 문제가 발생한 것으로 알려졌다. 이 사안에 정통한 관계자는 "마이크론의 HBM3E 제품이 발열 등에서 문제를 일으켜 지난달 양산에 큰 차질을 겪게 됐다"며 "패키징 단의 문제로, 현재 대응에 총력을 기울이고 있는 것으로 안다"고 밝혔다. 다만 이번 불량이 HBM 제품 자체가 아닌 패키징 단에서 발생한 만큼, 마이크론의 책임은 훨씬 덜할 것이라는 시각도 있다. 엔비디아의 AI 가속기는 HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 TSMC의 2.5D 패키징 기술인 'CoWos'로 연결해 만들어진다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 또 다른 관계자는 "여전히 문제를 파악하고 있으나, TSMC 패키징 공정에서 활용된 소재 일부가 오류를 일으킨 것이라는 분석이 나오고 있다"며 "마이크론 측이 우려 대비 빨리 제품 인증을 받을 가능성도 있다"고 설명했다. 마이크론의 HBM3E 사업 확대는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 경쟁사에게는 경계 1호로 작용한다. 특히 마이크론은 경쟁사 대비 전력소모량이 적다는 점을 무기로 적극 내세우고 있다. 업계 관계자는 "최근 평가 기준으로 마이크론의 HBM3E 제품이 경쟁사 대비 전력소모량이 20% 가량 적은 것으로 기록됐다"며 "당장 마이크론의 HBM 생산능력이 적기는 하지만, HBM3E 상용화 초입부터 공급망에 발빠르게 진입할 수 있다는 점에서는 큰 의미"라고 평가했다. 한편 마이크론은 지난달 27일 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 실적을 발표하면서 처음으로 HBM 매출을 별도로 집계했다. 당시 마이크론은 "해당 분기 HBM3E 매출이 1억 달러 이상 발생했다"며 "회계연도 2024년에는 HBM에서 수억 달러의 매출을 일으킬 것"이라고 발표했다.

2024.07.12 14:10장경윤

'깜짝 실적' 삼성전자, 年매출 2년만 300兆 이상 전망

삼성전자가 1분기에 이어 2분기까지 연이어 '어닝 서프라이즈'를 기록하면서 연간 실적에 대한 기대감이 커졌다. 연간 매출은 2년만에 300조원대로 회복하고, 영업이익은 40조원대로 올라설 전망이다. 지난해 반도체 업황 한파를 겪은 디바이스솔루션(DS) 부문 실적은 1분기 흑자전환에 이어 2분기에 큰 폭으로 증가했으며, 하반기에도 지속 성장이 예상된다. 5일 에프앤가이드의 컨센서스(증권사 전망치 평균)에 따르면 삼성전자는 올해 매출 310조원, 영업이익 41조원을 기록할 것으로 전망된다. 이는 전년 매출(258조원)과 비교해 20.1% 증가하고 전년 영업이익(6조5천700억원) 보다 530.7% 증가한 전망치다. 이날 삼성전자의 2분기 잠정실적이 시장 예상을 상회함에 따라 전망치는 더 올라갈 가능성이 높다. 올해 메모리 시장은 AI 반도체 성장에 힘입어 본격적인 회복세에 들어섰다. 파운드리 사업 또한 4분기 흑자전환이 예상된다. 증권 업계는 삼성전자의 DS부문(반도체) 영업이익이 1분기 흑자전환을 시작으로 2분기 5조원대, 2분기 8조원대, 4분기 9조원대로 증가한다고 내다봤다. 따라서 DS부문 연간 영업이익은 24조원 이상을 기록할 전망이다. 박강호 대신증권 연구원은 "하반기 범용 D램 공급 부족이 심화되고, 고용량 eSSD 수요 증가로 메모리 수익성 개선세가 이어질 전망"이라며 "하반기 D램 및 낸드 가격 상승은 상반기 대비 축소될 것으로 예상하나 여전히 강한 수준이다"고 말했다. 아울러 삼성전자가 올 하반기 고객사 엔비디아로부터 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 제품 승인이 이뤄질 경우 실적 상승이 기대된다. 박 연구원은 "삼성전자는 AI 시대에서 HBM3E 공급 타임라인이 지연되며 소외되는 모습이나 12단 HBM3E 공급에 대한 모멘텀은 여전히 존재한다"고 덧붙였다. 디스플레이 사업은 하반기 주요 고객사가 신제품 스마트폰 출시를 앞두고 있어 3분기를 기점으로 실적이 껑충 뛰어오를 전망이다. 삼성디스플레이는 삼성전자와 애플에 OLED 패널을 공급한다. 2분기부터 삼성전자 차세대 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈용 패널 양산이 시작됐으며, 애플의 첫 OLED 아이패드와 아이폰16용 패널 공급도 활발히 진행되고 있다. 반면, 경기 불황 지속으로 수요 둔화에 부진한 TV와 가전 사업은 하반기에 실적 개선이 어려울 것으로 전망된다. 한편, 삼성전자는 2023년 2분기 잠정실적 발표를 통해 연결기준으로 매출 74조원, 영업이익 10조4천억원을 기록했다고 밝혔다. 전분기 대비 매출은 2.89%, 영업이익은 57.34% 증가했고, 전년 동기 대비 매출은 23.31%, 영업이익은 1452.24% 증가했다. 2분기 영업이익은 2022년 3분기 이후 처음으로 10조원대 회복이다. 삼성전자는 이달 31일 2분기 실적 컨퍼런스콜을 통해 사업부별 세부 내용을 포함한 2분기 경영 실적을 확정 발표한다.

2024.07.05 10:42이나리

삼성전자, 2분기 영업익 8조원대 예상…메모리 수요 상승 덕분

삼성전자가 AI 반도체 수요 중심의 메모리 업황 개선에 힘입어 2분기 매출이 1분기에 이어 70조원대를 유지하고 영업이익은 8조원대로 회복한다는 전망이 우세하다. 지난해 반도체를 담당하는 DS부문에서 15조원대의 적자를 기록한 삼성전자는 올해 1분기 흑자전환에 성공한데 이어 2분기에도 실적 개선을 이루면서 하반기에 상승세를 이어갈 전망이다. 삼성전자는 오는 5일 잠정실적 발표를 앞두고 있다. 2일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 삼성전자는 2분기 매출 73조6천598억원, 영업이익 8조2천613억원을 기록하며 전년 보다 각각 22.7% 증가, 1135.7% 증가할 전망이다. 이는 삼성전자의 분기 영업이익이 10조원 밑으로 떨어진 2022년 4분기 이후 처음으로 8조원대 회복이라는 점에서 주목된다. 증권가에서는 삼성전자의 2분기 영업이익을 지난 4월 6조원대, 5월 7조원대로 예상했지만, 최근 8조원대로 상향했다. ■ 메모리 업황 회복세...수요 늘고, 가격 상승 삼성전자의 이 같은 실적 호조는 반도체 업황의 회복에 따른 영향이 크다. 메모리 수요가 증가하면서 가격이 상승으로 이어졌고, 특히 서버향 메모리에 대한 수요가 예상치를 넘어선 것으로 집계된다. 그 결과 삼성전자 DS 부문 2분기 실적은 매출이 27조3천억원, 영업이익이 4조5천억 원~5조원을 기록할 전망이다. 대신증권에 따르면 메모리에서 D램 영업이익은 3조9천억원, 낸드 1조원, 비메모리(시스템LSI, 파운드리)는 4천800억원이 예상된다. 증권가에 따르면 2분기 D램은 비트그로스가 4%, 평균판매가격(ASP)이 16% 상승했다. 낸드의 경우 비트그로스가 1% 상승, ASP가 18% 상승하며 수익성이 개선됐다. KB증권 연구원은 "D램과 낸드의 평균판매가격(ASP) 상승으로 2분기 영업이익은 전분기대비 2.3배 증가가 전망된다"고 말했다. 최근 시장조사업체인 트렌드포스는 2분기 D램 평균판매가격이 13~18% 증가했고, 3분기에는 5~-10% 상승한다고 전망했다. 그 중 고대역폭메모리(HBM)은 3분기 8~13% 오를 전망이다. 또 낸드는 2분기 평균판매가격이 15~20%, 3분기에는 5~10% 인상된다고 예상했다. 디스플레이 실적 개선도 눈에 띈다. 2분기 삼성디스플레이 영업이익은 6천210억원으로 전분기(3천400억원) 보다 82% 증가가 예상된다. 삼성디스플레이는 고객사인 삼성전자가 7월 출시하는 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈에 패널 공급했고, 아이폰15 판매 호조에 따라 가동률이 증가한 것으로 전해진다. 그 밖에 모바일과 네트워크를 담당하는 MX사업부의 2분기 영업이익은 2조1천억원으로 전분기 (3조5천100억원) 보다 감소할 전망이다. 정통적인 비수기인 2분기에 스마트폰 판매량이 줄어든 탓이다. 가전과 TV를 담당하는 VD가전사업부의 2분기 영업이익은 4천억원으로 전분기 보다 20% 감소할 전망이다. 에어컨 성수기 효과에도 불구하고 TV 판매량이 당초 예상치를 하회하면서 실적 부진을 보였다. ■ 연간 영업이익 40조원 전망...HBM3E 공급 가능성에 주목 삼성전자의 영업이익은 상반기 38%(14조7천억원) 하반기 62% (24조5천억원) 비중으로 연간 39조2천억원을 기록할 전망이다. 일부 증권사는 연간 영업이익을 40조원 이상으로 전망하기도 한다. 연간 매출 전망치는 309조6천474억원이다. 삼성전자는 고객사 엔비디아로부터 올 하반기 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 제품 승인을 이루면서 실적 상승을 기대하고 있다. 박유학 키움증권 연구원은 "엔비디향 HBM3E에 대한 제품 승인이 가시화되면서 그 동안 상대적으로 눌려왔던 주가의 상승 탄력이 강해질 수 있을 것"이라며 "올 하반기 삼성전자는 9세대 V낸드를 양산하며 QLC 기반의 eSSD 판매를 본격화하고, 1b나노 D램을 양산하며 128GB 서버 DIMM의 판매를 확대할 전망이다"라고 말했다. 박강호 대신증권 연구원은 "하반기 메모리 가격 상승은 상반기 대비 축소될 것으로 예상하나 여전히 강한 수준이다"라며 "삼성전자는 AI 시대에서 HBM3E 공급 타임라인이 지연되며 소외되는 모습이나, 12단 HBM3E 공급에 대한 모멘텀은 여전히 존재한다"고 밝혔다. 노근창 현대차증권 리서치센터장은 "삼성전자가 엔비디아에 HBM3을 공급하지 않고도 (2분기) 이 정도의 영업이익을 창출할 수 있는 경쟁력에 대한 재평가가 필요해 보인다"며 "엔비디아에 HBM3을 납품하지 못한 것이 주가에 노이즈였다면 이제부터는 현재 실적에 추가될 수 있는 '+α'로 접근하는 전략이 유효할 것"이라고 했다. 그 밖에 MX사업부는 이달 10일 프랑스 파리에서 열리는 갤럭시 언팩에서 차세대 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈를 비롯해 갤럭시워치7, 갤럭시버즈, 새로운 폼팩터 갤럭시링 등을 출시함에 따라 하반기 실적 개선을 이룰 전망이다. 삼성디스플레이는 하반기 삼성전자 뿐 아니라 아이폰16 시리즈에 패널 공급을 앞두고 있다.

2024.07.02 15:47이나리

마이크론, 'HBM3E' 매출 발생 시작…삼성·SK와 경쟁 본격화

마이크론이 인공지능(AI) 특수에 힘입어 '어닝 서프라이즈'를 달성했다. D램과 낸드 모두 ASP(평균거래가격)이 20% 가량 증가한 것으로 나타났다. 특히 HBM(고대역폭메모리) 부문이 역시 올해 및 내년 제품이 모두 매진되는 등 호조세를 보여 기대를 모았다. HBM3E(5세대 HBM) 8단 제품은 최근 1억 달러의 매출을 올렸으며, HBM3E 12단 제품은 내년부터 대량 양산될 예정이다. 27일 마이크론은 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 68억1천만 달러의 매출을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 16.9%, 전년동기 대비 81.5% 증가한 수치다. 증권가 컨센서스인 66억7천만 달러도 넘어섰다. 같은 기간 영업이익은 9억4천만 달러다. 전분기 대비 361% 증가했으며, 전년동기 대비 흑자전환했다. 또한 증권가 컨센서스(8억6천만 달러)를 상회했다. 마이크론의 이번 호실적은 각각 20%에 달하는 D램·낸드의 ASP 상승이 영향을 미쳤다. D램 매출은 47억 달러로 전분기 대비 13%, 전년동기 대비 75.9% 증가했다. 낸드는 21억 달러로 각각 32%, 107% 증가했다. 마이크론은 "데이터센터에서 AI 수요가 빠르게 증가하면서 매출이 연속적으로 크게 성장할 수 있었다"며 "HBM, 고용량 DIMM(듀얼 인라인 메모리 모듈), 데이터센터 SSD 등 고부가 AI 메모리 제품의 비중이 확대됐다"고 설명했다. 특히 HBM의 경우 해당 분기부터 출하량이 본격적으로 증가하기 시작했다. 마이크론이 가장 최근 발표한 HBM3E(5세대 HBM)도 이번 분기 1억 달러 이상의 매출을 발생시켰다. 앞서 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작한 바 있다. 해당 제품은 엔비디아의 최신 GPU인 'H200'용으로 공급됐다. 현재 마이크론은 HBM3E 12단까지 샘플을 진행한 상태로, 내년에 해당 제품의 대량 생산을 계획하고 있다. 마이크론은 "회계연도 2024년에는 HBM에서 수억 달러, 2025년에는 수십억 달러의 매출을 일으킬 것"이라며 "당사의 HBM은 2024년 및 2025년까지 이미 매진됐으며, 2025년에는 전체 D램 시장 점유율에 상승하는 HBM 시장 점유율을 달성할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 회계연도 2024년 4분기(2024년 6월~8월) 매출 전망치로는 중간값 76억 달러를 제시했다. GPM(매출총이익률)은 34.5%다. 증권가 컨센서스인 매출 75억9천만 달러, GPM 34.5%에 부합하는 수준이다. 마이크론은 "2024년 산업의 D램과 낸드 공급은 모두 수요를 따라가지 못할 것"이라며 "특히 DDR5 대비 웨이퍼를 3배나 소비하는 HBM의 생산량 증가가 D램 증가를 제한하고, 향후 있을 HBM4의 거래 비중도 HBM3E보다 높을 것"이라고 예상했다. 한편 마이크론의 회계연도 2024년 설비투자(Capex) 규모는 최대 80억 달러에 이를 것으로 전망된다. 이 중 전공정(WFE) 분야 투자는 전년 대비 줄이기로 했다. 회계연도 2025년 설비투자는 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상되며, 해당 기간 매출의 30% 중반 내에서 자본 지출이 이뤄질 예정이다. 자본은 대부분 미국 아이다호 및 뉴욕 팹 건설, HBM용 설비투자에 집중된다.

2024.06.27 08:36장경윤

삼성·SK하이닉스·마이크론, HBM4 패권 경쟁 본격화

엔비디아와 AMD가 2027년까지 차세대 인공지능(AI) 반도체 로드맵을 발표하면서 AI 반도체를 지원하는 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론 등 메모리 3사 간 경쟁이 더욱 치열해질 전망이다. AI 반도체의 성능이 향상됨에 따라 HBM의 성능과 용량 요구도 높아지고 있기 때문이다. 아울러 AI 반도체 시장에서 파운드리-메모리 업체간 협업의 중요성이 커지면서 TSMC-SK하이닉스 동맹과 삼성전자의 양강 구도로 나뉘는 모양새다. ■ 엔비디아, AI 반도체 독보적 1위…2026년 '루빈'에 HBM4 탑재 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 지난 2일 대만 국립대만대학교에서 열린 '컴퓨텍스 2024' 기조연설에서 2026년 출시 예정인 차세대 AI 반도체(GPU) '루빈' 플랫폼을 처음으로 공개했다. 이는 지난 3월 미국 캘리포니아에서 개최한 개발자 컨퍼런스 'GTC'에서 신형 GPU '블랙웰'을 공개한 지 약 3개월 만이다. 엔비디아는 AI 반도체 출시 로드맵과 함께 HBM 탑재 계획도 상세히 공개했다. 엔비디아가 올해 2분기 출시하는 호퍼 플랫폼 'H200' GPU에는 AI 반도체 중 처음으로 HBM3E 8단(5세대) 제품이 6개를 탑재된다. 올해 하반기 출시되는 블랙웰 플랫폼 'B100'에는 HBM3E 8단 12개가, 내년에는 HBM3E 12단을 탑재한 '블랙웰 울트라'가 잇따라 출시될 예정이다. 이날 기조연설에서 젠슨 황 CEO는 2026년 출시되는 루빈 플랫폼에 HBM4 8개를 처음으로 탑재하고, 2027년 '루빈 울트라'에는 HBM4 12개를 탑재한다고 밝혔다. 이에 메모리 업계에서는 A 반도체 시장에서 엔비디아의 차세대 물량을 확보하기 위한 치열한 경쟁이 예고된다. 엔비디아는 AI 반도체 시장에서 90% 점유율로 독보적인 1위를 차지하고 있다. SK하이닉스는 지난해 엔비디아 H100에 HBM3 독점 공급에 이어 올해 2분기 출시되는 H200에 HBM3E 8단 제품을 가장 많은 물량으로 공급한다. 미국 마이크론 또한 엔비디아에 HBM3E 8단을 공급하고 있으며, 삼성전자 또한 엔비디아에 HBM3E 공급을 위한 테스트 과정을 거치고 있다. SK하이닉스와 삼성전자는 내년 HBM4 양산을 목표로 차세대 메모리 기술 개발에 한창이다. ■ AMD, 올해 4분기 'MI325X'에 최초로 HBM3E 12단 적용 AMD 또한 주요 HBM 고객사로 꼽힌다. 리사 수 AMD CEO는 컴퓨텍스 2024 기조연설에서 AI 가속기 'AMD 인스팅트' 로드맵을 공개했다. AMD는 올해 4분기 출시되는 'MI325X'에 HBM3E 12단 제품을 탑재할 계획이다. 이는 엔비디아보다 먼저 고용량 HBM3E를 적용한 것이다. 수 CEO는 “MI325X는 업계 최고의 288Gb 용량을 가진 HBM3E를 탑재한다”고 강조했다. 업계에서는 AMD MI325X에 삼성전자가 상반기부터 양산 중인 HBM3E 12단 제품을 탑재할 것으로 보고 있다. 삼성전자는 지난 2월 "HBM3E 12단 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정"이라고 밝힌 바 있다. 앞서 삼성전자는 AMD가 지난해 출시한 'MI300X'에 HBM3을 공급해 왔다. AMD는 내년 출시되는 'MI350'에도 HBM3E 12단 제품을 탑재하고, 2026년 'MI400'에 처음으로 HBM4를 탑재할 계획이다. AMD는 엔비디아에 대응하기 위해 삼성전자와 손을 잡았다. 리사 수 AMD CEO는 차세대 AI 반도체를 3나노 GAA 공정에서 생산할 계획을 밝혔다. 전세계에서 삼성이 3나노 GAA 공정을 양산함에 따라, 해당 칩 생산은 삼성전자 파운드리가 유력하다. AMD는 HBM3 이어 HBM3E도 삼성으로부터 공급받는다. ■ 내년 HBM4부터 '파운드리-메모리' 동맹 경쟁 심화 내년 양산되는 HBM4부터는 맞춤형 제작(커스터마이징)이 요구되기 때문에 파운드리와 메모리 업체 간의 협업이 더욱 중요해질 전망이다. 이에 엔비디아는 TSMC-SK하이닉스와 손잡고, AMD는 삼성전자와 동맹을 펼치는 모습이다. 지난 4월 SK하이닉스는 TSMC와 HBM4 공동 개발을 공식 발표했다. HBM3E까지는 SK하이닉스가 D램과 베이직 다이를 제작하고, TSMC가 이를 받아 기판 위에 GPU와 HBM을 나란히 조립(패키징)했지만, HBM4부터는 TSMC가 로직 다이를 직접 제작하는 방식으로 바뀌고 HBM3E와 동일하게 2.5D 패키징이 유지된다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난 5월 간담회에서 “HBM4 이후가 되면 맞춤형(customizing) 수요가 증가하며 그게 트렌드가 되고, 수주형 비즈니스로 전환될 것”이라고 설명한 바 있다. 삼성전자는 첨단 공정 파운드리와 메모리 사업을 동시에 공급하는 맞춤형 토탈 솔루션을 최대 강점으로 내세우고 있다. 이는 메모리에서 HBM을 만든 다음 자체 파운드리 팹에서 패키징까지 모두 가능하다는 의미다. 후발주자인 마이크론도 TSMC와 협력해 HBM 점유율을 높이는 것을 목표로 하고 있다. 마이크론도 지난 2월 HBM3E 8단 양산에 이어, 5월 HBM3E 12단 샘플 공급을 시작했다. 또 대만 타이중 신규 공장 투자에 이어 미국 정부의 8조4천억원의 보조금을 받아 아이다호 보이시와 뉴욕 클레이주에 HBM용 팹을 건설할 계획이다. 일본에도 히로시마에 2027년 가동을 목표로 HBM 팹을 건설한다는 계획이다. 일본 정부는 마이크론에 1조7천억원의 보조금을 약속했다. 시장조사 트렌드포스에 따르면 HBM 수요 연간 성장률은 올해 200% 증가하고 2025년에는 2배 확대될 것으로 전망된다.

2024.06.04 15:23이나리

SK하이닉스, HBM 고삐 죈다..."내년 공급 계획도 이미 논의 중"

"빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다. 이에 SK하이닉스는 차세대 HBM(고대역폭메모리)를 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지 계획을 미리 논의하는 중이다." 30일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 신임 임원들과 첨단 메모리 기술력을 논의하는 좌담회를 열었다. 이번 좌담회에는 SK하이닉스 뉴스룸의 2024 임원 인터뷰 시리즈에 함께한 권언오 부사장(HBM PI), 길덕신 부사장(소재개발), 김기태 부사장(HBM S&M), 손호영 부사장(Adv. PKG개발), 오해순 부사장(낸드 Advanced PI), 이동훈 부사장(321단 낸드 PnR), 이재연 부사장(Global RTC)이 참석했다. 좌담회 사회는 원정호 부사장(Global PR)이 맡았다. SK하이닉스는 지난 3월부터 AI 메모리인 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)를 세계 최초로 양산한 바 있다. 또한 회사는 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기고 글로벌 투자와 기업간 협력을 통해 차세대 기술력을 확보해 나가는 등 AI 메모리 업계 위상을 강화하고 있다. 권언오 부사장은 "시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다"며 "이를 바탕으로 우리는 AI 인프라에 필수적인 HBM과 함께, 다양한 분야에서 쓰이게 될 고성능 메모리를 개발하는 등 탄탄하게 경쟁력을 축적해 올 수 있었다"고 밝혔다. 손호영 부사장은 "HBM의 성공은 고객과의 협력은 물론, 내부 부서간 협업 과정에서도 이전보다 열린 방식으로 일해왔기에 가능했던 일"이라며 "앞으로 더 다양해질 시장의 요구에 부응하려면 고객과 한 차원 더 높은 협력 관계를 맺고, 메모리와 시스템, 전공정과 후공정의 경계가 허물어지는 이종간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다"고 말했다. AI 메모리가 이처럼 각광을 받게 된 데 대해 임원들은 HBM, CXL, eSSD, PIM 등 고성능 솔루션들이 기존 메모리의 데이터 병목 현상을 해결하고, AI의 동작 속도를 높여주고 있기 때문이라고 진단했다. 또한 이들은 미래 산업과 기술 변화상에 대해 선제적으로 대응하기 위해 회사가 주목해야 할 부분에 대해서도 다양한 의견을 제시했다. 김기태 부사장은 “현재 시장 상황을 보면, 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"며 "이에 맞춰 우리는 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중”이라고 밝혔다. 이재연 부사장은 "MRAM, RRAM, PCM 외에도 우리는 초고속·고용량·저전력 특성을 동시에 지닌 SOM(Selector Only Memory), Spin Memory, Synaptic Memory 등 이머징 메모리에 주목하고 있으며, 앞으로도 다양한 미래 기술에 대한 연구개발을 지속 강화할 필요가 있다"고 강조했다.

2024.05.30 13:23장경윤

SK하이닉스, 美 빅테크 기업에 HBM 공급 속도낸다

SK하이닉스가 엔비디아에 HBM(고대역폭메모리) 공급에 힘입어 미국 시장에서 AI 메모리 고객사 확보에 속도를 낸다. SK하이닉스는 지난 17일 미국 캘리포니아주 실리콘밸리 새너제이(San Jose)에 소재한 미주법인사옥의 리모델링을 마친 후 재개관식을 개최했다. 이 곳은 글로벌 기업과 파트너십 확대하는 가교 역할을 할 예정이다. 미주법인은 HBM의 검증 및 양산 과정에서 고객사와 소통해 회사가 제시하는 솔루션과 고객의 요구를 매칭시키는 역할을 담당한다. 미주법인 주변에는 고객사인 엔비디아, AMD, 인텔과 협력사인 TSMC 등이 위치한다. SK하이닉스는 엔비디아에 HBM을 가장 많은 물량으로 공급하고 있다. 엔비디아는 AI 반도체 시장에서 80% 이상 점유율로 1위를 차지한다. SK하이닉스는 지난해 엔비디아에 HBM3(4세대)을 사실상 독점 공급한 데 이어 올해 HBM3E(5세대)도 가장 먼저 퀄테스트(품질검증)을 통과해 지난 3월 말부터 공급을 시작했다. 엔비디아는 2분기 HBM3E 6개가 탑재된 'H200' 칩을 출시하고, 하반기에는 HBM3E 8개가 탑재된 'B100' 칩을 공급할 예정이다. H200은 시장 수요에 대응하기 위해 공개된 로드맵 보다 빠르게 2분기 생산을 시작해 4분기부터 데이터센터에 탑재될 것으로 보인다. SK하이닉스는 이를 발판으로 미국 AI 반도체 및 빅테크 기업에 HBM 공급을 확대한다는 목표다. AMD는 올해 하반기에 출시하는 'MI350'과 내년 하반기에 출시 예정인 'MI375' 등 차세대 AI 칩에 HBM3E를 탑재할 예정으로 주요 고객사다. 인텔은 지난 4월 128GB HBM2E가 탑재된 AI 가속기 '가우디3' 시제품을 공개했고, 오는 3분기에 출시할 예정이다. 인텔이 내년 하반기에 출시하는 차세대 AI 가속기 '가우디4'에는 HBM3 또는 HBM3E가 탑재될 것으로 전망되면서 메모리 업계가 물량 확보에 주목하고 있다. 그 밖에 브로드컴, 메타, 구글, 아마존웹서비스(AWS) 등도 중요 고객사로 주목된다. 미국 팹리스 업체 브로드컴은 구글의 'TPU(텐서처리장치)'와 메타의 'MTIA'의 설계를 지원한다. 메타는 지난 4월 MTIA 2세대 칩을 출시했으며, 현재 3세대 칩을 개발 중이다. 구글은 지난주 6세대 TPU '트릴리움'을 공개했으며 연말에 출시할 예정이다. 트릴리움에는 HBM3E가 탑재돼 용량이 전작보다 2배 늘어날 예정이다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난 2일 미디어 간담회에서 "HBM은 생산 측면에서 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년에도 대부분 솔드아웃됐다"라며 자신감을 보였다. 올해 양산을 시작한 HBM3E 물량 예약이 대부분 이뤄졌다는 의미로 해석된다. 곽 사장은 "세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산할 수 있도록 준비 중이다"고 언급했다. 이날 공개한 제품 로드맵을 통해 HBM4 12단 제품을 기존 계획보다 1년 앞당겨 내년에 양산한다는 목표도 밝혔다. 또 회사는 반도체 기업의 영업비밀인 수율도 대외적으로 공개하며 공격적인 마케팅 행보를 보인다. 권재순 SK하이닉스 수율 담당 임원(부사장)은 22일 외신 파이낸셜타임스(FT)과 인터뷰에서 "HBM3E 목표 수율(양품 비율) 80%에 거의 도달했고, 해당 칩 양산에 필요한 시간도 50% 단축했다"고 밝혔다. SK하이닉스는 국내와 미국에 HBM 생산시설을 신규 투자해 공급을 늘릴 계획이다. 먼저 지난달 청주 M15X 팹 건설 공사에 착수해 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 HBM 양산에 들어갈 계획이다. M15X 팹은 건설비 약 5조2962억원을 포함해 총 20조원이 투입된다. 40억달러(5조3600억원)이 투입되는 미국 인디애나 팹은 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정이다. 업계 관계자는 "올해 2부기부터 본격화될 추론용 서버 수요에서 고부가가치 HBM 선호도는 지속 증가할 전망이며, 자체 칩을 개발 중인 빅테크들의 HBM 수요도 확대될 것으로 기대된다"고 말했다. 시장조사업체 트렌드포스는 올해 전체 HBM 시장 규모는 170억 달러(약 23조원) 수준이 전망되고, SK하이닉스의 점유율이 60% 이상을 차지할 것으로 예상했다.

2024.05.24 16:43이나리

삼성전자 HBM3E '공급 난항설'…좀더 지켜봐야 하는 이유

삼성전자의 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급 여부가 최근 연일 화두에 오르고 있다. 24일 엔비디와의 퀄테스트가 실패했다는 외신 보도에 대해 삼성전자는 "테스트가 순조롭게 진행되고 있다"며 즉각 반박하고 나섰다. 양측에 상반된 주장에 대해 업계는 유보적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 HBM 사업이 난항을 겪고 있는 것은 업계 내에서 대부분 인지하고 있는 사실이나, 시기상 HBM3E의 테스트 결과를 단순히 실패로 표현하거나 단정짓기에는 아직 이르다는 지적이 제기된다. 이날 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자는 지난해부터 HBM3 및 HBM3E에 대한 엔비디아향 테스트를 통과하려고 노력했다"며 "그러나 지난 4월 삼성전자의 8단 및 12단 HBM3E에 대한 테스트 실패 결과가 나왔다"고 밝혔다. 이에 삼성전자는 입장문을 통해 "다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라며 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력해 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 맞섰다. 해당 보도 이전에도 삼성전자 HBM이 성능 부족으로 테스트에 난항을 겪고 있다는 업계 관계자들의 증언은 꾸준히 제기돼 왔다. 대표적으로 삼성전자는 지난해부터 엔비디아에 4세대 HBM인 HBM3 공급을 추진 중이지만, 아직까지 샘플 공급을 넘어 실제 양산 공급을 최종 확정하지 못한 상황이다. 또한 삼성전자는 AMD, 브로드컴 등 또 다른 주요 팹리스 기업과 HBM3E에 대한 테스트를 진행하고 있다. 특히 브로드컴은 올해 초부터 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 8단 적층 HBM3E을 동시에 테스트하고 있다. 여기에서도 삼성전자의 HBM은 경쟁사 대비 성능 면에서 우위에 서지 못하고 있다는 평가다. SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 적용한 반면, 삼성전자는 이보다 한 세대 뒤쳐진 1a D램(10나노급 4세대 D램)을 활용한 것이 주요 원인으로 지목된다. 이 같은 관점에서 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 테스트도 당초 예상보다 많은 시간이 소요될 것이라는 관측이 우세했다. 다만 이번 외신 보도처럼 삼성전자 HBM3E의 엔비디아향 테스트를 '실패(Fail)'로 표현하는 것은 적절치 않다는 의견도 나온다. 통상 신규 반도체 칩을 공급하기 위해서는 무수히 많은 공정 조율과 개선을 거치기 때문이다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 엔비디아와 8단 HBM3E에 대한 테스트를 진행해 왔다. 올해 상반기 내로 테스트를 통과하는 것이 최상의 시나리오이기는 하나, 테스트 시기 상 올 하반기까지 성능을 개선할 여지는 여전히 남아 있다. 익명을 요구한 반도체 업계 관계자는 "삼성 내부에서는 엔비디아향 8단 HBM3E 양산 공급 여부를 10월에 판가름할 수 있을 것으로 전망하고 있다"며 "테스트가 시간이 걸리고 부진한 것은 맞으나 동시에 기회 역시 남아있다"고 밝혔다. 12단 HBM3E는 지난 3월부터 엔비디아에 샘플 공급이 시작된 것으로 파악된다. 테스트가 극 초기 단계인 만큼 벌써부터 통과 판정을 받기란 사실상 불가능에 가깝다는 게 업계의 중론이다. 또 다른 관계자는 "사실상 삼성전자는 HBM3E에서 8단이 아닌 12단을 전략 제품으로 내세우고 있고, 이제야 테스트가 진행되는 수순"이라며 "물론 삼성전자가 대외적으로 삼은 목표에 도달하기 위해서는 일정이 상당히 빠듯한 것이 사실"이라고 설명했다. 김영건 미래에셋증권 연구원도 이날 보고서를 통해 "HBM 테스트 과정에서 일부 결점이 발견될 수는 있으나, 이는 상호간 협의의 영역으로 계약 조건에 따라 상황이 변할 수 있다"며 "12단 HBM3E에 대한 수급난이 예상되는 상황에서 아직 기한이 남은 시점에 퀄테스트를 조기졸업 시키는 경우는 상식적이지 않다"고 지적했다.

2024.05.24 15:40장경윤

로이터 "삼성전자 HBM3E, 아직 엔비디아 납품 테스트 통과 못해"

로이터통신은 24일 삼성전자 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)이 아직 대형 고객사 엔비디아의 퀄테스트(납품 테스트)를 통과하지 못했다고 보도했다. 로이터는 3명의 소식통을 인용해 "삼성전자의 최신 HBM3E는 열과 전력 소비 문제로 인해 엔비디아 AI 프로세서의 퀄테스트에 통과하지 못하고 테스트 중"이라고 전했다. 소식통은 "삼성은 작년부터 HBM3 및 HBM3E에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력했으나, 지난 4월 삼성의 8단 및 12단 HBM3E 칩에 대한 테스트 실패 결과가 나왔다"고 말했다. 삼성전자는 로이터 통신에 보낸 성명에서 "HBM은 '고객 요구에 따른 최적화 프로세스'가 필요한 맞춤형 메모리 제품이라며 고객과의 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중"이라고 밝혔다. 특정 고객에 대해서는 언급을 거부했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품으로 AI 반도체에 활용도 높다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품 순으로 공급됐으며, 올해 상반기부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다.

2024.05.24 08:57이나리

美 마이크론, HBM3E 12단 샘플 공급...설비투자 상향 조정

미국 메모리 업체 마이크론이 AI 반도체 수요 증가에 대응하기 위해 고대역폭메모리(HBM) 시설투자 규모를 늘린다. 마이크론은 지난 2월 HBM3E 8단 양산에 이어, 최근 HBM3E 12단 샘플 공급을 시작했다고 밝혔다. 21일(현지시간) 로이터통신에 따르면 마이크론 매튜 머피 CFO(최고재무관리자)는 "HBM 공급량을 늘리기 위해 올해 자본지출(CAPEX)을 75억 달러(10조2352억 원)에서 80억 달러(10조9176억 원)로 상향 조정했다"고 밝혔다. 또 최근 JP모선 컨퍼런스에 참석한 마니쉬 바하티아 COO(최고운영책임자)는 "2025년 회계연도에 HBM은 수십억 달러 규모의 사업이 될 것으로 기대한다"고 전했다. 앞서 마이크론은 지난 3월 "AI 반도체 개발에 사용되는 HBM 칩이 올해 매진됐고, 내년 공급량의 대부분도 할당되었다"고 밝혔다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3) 제품 공급에 이어 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다. HBM 시장에서 SK하이닉스가 선두를 달리고 있고, 삼성전자는 2위를 차지한다. HBM 후발주자인 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 이 제품은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재된다. 최근 마이크론은 고객사에 36GB 12단 HBM3E 샘플링을 시작했다. 마이크론은 본격적으로 HBM을 생산하기 위해 지난해 6월 대만 타이중에 차세대 D램 생산 및 테스트 신규 공장 가동을 시작했다. 이 곳은 마이크론 HBM3E 생산의 거점으로 운영된다. 또 대만에 위치해 파운드리 업체 TSMC와 협력 강화에도 이점이 있다. TSMC는 엔비디아의 AI 반도체를 생산한다. 또 마이크론은 지난 4월 미국 행정부로부터 8조4천 억원의 보조금을 통해 2025년말 가동될 아이다호 보이시와 2028년 가동될 뉴욕주 클레이에 최첨단 메모리 HBM용 팹을 건설할 계획이다. 아울러 일본 히로시마에도 2027년말 가동을 목표로 HBM 팹을 건설한다. 일본 정부는 마이크론에1조7천억 원의 보조금을 약속했다. 시장조사업체 트렌드포스는 20일 "마이크론의 대만 시설은 내년에 최대 용량으로 생산하고, 향후 확장은 미국에 초점을 맞출 예정이다"라며 "미국 보이시 공장은 내년 완공될 예정이며, 장비 설치를 거쳐 2026년 양산을 목표로 하고 있다"고 말했다.

2024.05.22 10:00이나리

SK하이닉스, 美 델 행사서 'AI 메모리' 협력 논의

SK하이닉스가 20일(현지시간)부터 나흘간 미국 라스베이거스에서 열리는 'DTW 24(Dell Technologies World 2024)'에 참가해 첨단 AI 메모리 솔루션을 대거 선보이고 협력을 논의한다. DTW는 미국 전자 기업 델테크놀로지스가 매년 주최하는 컨퍼런스로, 유수의 글로벌 IT 기업이 참가해 미래 트렌드를 이끌 기술을 공개하는 자리다. 올해는 'AI 채택을 가속화해 혁신을 실현하다(Accelerate AI Adoption to Unlock Innovation)'를 주제로, 다양한 기술 시연과 토론 등이 진행됐다. 이번 행사에서 SK하이닉스는 델 사(社) 시스템에 자사 SSD 제품인 PS1010 E3.S와 PCB01을 탑재해 진보한 성능을 선보였다. PS1010 E3.S는 PCIe 5세대 eSSD이며 이전 세대 대비 뛰어난 속도와 낮은 탄소배출량을 자랑해 데이터 사용량이 많은 인공지능과 데이터센터 등에 최적화된 제품이다. PCB01은 PCIe 5세대 cSSD다. 연속 읽기속도 14GB/s, 연속 쓰기속도 12GB/s를 갖춰 인공지능 학습 및 추론에 필요한 거대언어모델(LLM)을 1초 안에 로딩할 수 있다. 이전 세대 대비 속도가 2배 향상되고, 전력 효율이 30% 개선된 제품이다. 또한 SK하이닉스는 최신 메모리 모듈 LPCAMM2를 공개했다. LPCAMM2는 여러 개의 LPDDR5X 패키지를 하나로 묶은 모듈로, 기존 SODIMM 두 개를 대체할 수 있으며 저전력 특성까지 갖추고 있다. 기존 모듈 대비 탑재 면적은 줄어들면서 전력 효율은 증대돼 향후 온디바이스 AI의 핵심 메모리로 활약할 것으로 기대되는 제품이다. 이 밖에도 SK하이닉스는 ▲CMM(CXL Memory Module)-DDR5 ▲HBM3E ▲MCRDIMM ▲RDIMM 등을 선보였다. CMM-DDR5는 DDR5 기반의 메모리 모듈로 CXL 메모리 컨트롤러를 장착해 DDR5 D램만 장착한 기존 시스템보다 대역폭은 최대 50% 향상되고, 용량은 최대 100% 확장되는 효과가 있다. SK하이닉스는 CMM-DDR5와 HBM3E의 성능을 시연해 인공지능 애플리케이션 및 고성능 컴퓨팅에서의 효용성을 강조했다. 한편, 행사 첫날 브레이크아웃 세션에는 차세대 메모리&스토리지 심응보 TL이 'CXL 메모리 모듈이 이끄는 메모리 성능 향상'을 주제로 CXL의 미래 비전과 응용처에 대해 발표했다. SK하이닉스는 "이번 DTW 24를 통해 AI 시대를 선도하는 메모리 기업으로서 성능과 지속가능성을 모두 충족시키는 기술을 선보였다"며 "앞으로도 글로벌 파트너들과 협력을 강화해 글로벌 1등 AI 메모리 프로바이더(Provider)의 위상을 더욱 공고히 하겠다"고 밝혔다.

2024.05.21 15:49이나리

SK하이닉스 "HBM4E, 2026년부터 양산"...1년 앞당긴다

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 2026년부터 양산한다. HBM4에 이어 HBM4E 또한 양산 시기를 1년 앞당겨 기술 초격차를 이어 나간다는 목표다. 6세대 HBM(HBM4)는 내년 양산한다. 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 13일 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 이같은 로드맵을 밝혔다. 김 팀장은 "HBM이 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 말했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2일 기자간담회에서 HBM 로드맵 장표를 통해 HBM4가 1년 앞당겨 내년에 양산한다고 처음으로 발표한 바 있다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3) 제품이 공급됐으며, 올해1분기부터 5세대(HBM3E) 8단을 양산해 엔비디아에 공급하고 있다. HBM3E 12단은 이달 샘플을 공급하고, 오는 3분기 중으로 양산할 계획이다. HBM4E는 16단~20단 제품이 될 전망이다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 1분기 컨퍼런스콜에서 HBM4는 12단, 16단 제품으로 개발이 진행중이라고 밝혔다. 또 SK하이닉스는 HBM3E까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 사용하지만, HBM4E 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 하이브리디 본딩을 적용할 수 있다는 가능성도 내비쳤다. 하이브리드 본딩은 칩 사이의 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 쌓을 수 있다. SK하이닉스는 컨콜에서 HBM4 16단까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 적용하겠다고 밝힌 바 있다. 김 팀장은 "HBM4에선 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구 중이지만 현재까진 수율이 높지 않다"며 "고객사가 20단 이상 제품을 요구했을 때에는 두께 한계 때문에 새로운 공정을 모색해봐야 한다"고 말했다.

2024.05.13 23:56이나리

D램 18%·낸드 20% 가격 상승...대만 지진 여파

대만 지진 여파로 2분기 메모리 가격이 연초 예상보다 상승한다는 전망이 나왔다. 또 인공지능(AI) 열풍으로 메모리 생산은 고대역폭메모리(HBM)에 집중될 것으로 보인다. 시장조사업체 트렌드포스는 2분기 D램 고정가격은 13~18%, 낸드플래시 고정가격은 15~20% 상승한다고 전망했다. 지난 4월 3일 발생한 대만 지진 이전에는 2분기 D램 고정 가격은 3~8% 인상, 낸드 고정가격은 13~18% 상승할 것으로 전망돼 왔는데, 인상폭이 상향된 것이다. 트렌드포스는 "현물 가격 지표에서 볼 수 있듯이 거래량이 감소하고 가격 모멘텀이 약해진 것으로 나타났다"며 "AI 애플리케이션을 제외한 노트북과 스마트폰의 수요가 둔화했고, 특히 PC OEM 업체의 재고가 늘어났다. 또 D램과 낸드 가격이 2~3분기 연속 상승하면서 추가적인 가격 인상을 수용하려는 구매자의 의지력이 줄어들었다"고 설명했다. 트렌드포스는 제조업체들이 HBM 캐파(생산 능력)에 대한 잠재적인 '크라우드 아웃(밀어내기)' 효과를 경계하고 있다고 진단했다. 1a 공정 노드를 사용하는 삼성전자의 HBM3E 제품은 올해 말까지 전체 용량의 60%를 사용할 것으로 예상된다. 특히 3분기 HBM3E 생산량이 크게 증가함에 따라 DDR5 공급업체를 위축시킬 것이란 전망도 나온다. 메모리 구매자들은 3분기부터 예상되는 HBM 부족에 대비하기 위해 전략적으로 2분기에 재고를 늘리고 있다. AI 추론 서버에서 에너지 효율성이 점점 더 중요해짐에 따라 북미 CSP(클라우드서비스제공업체)는 QLC 엔터프라이즈 SSD를 채택하고 있다. 이런 변화로 QLC 기업용 SSD에 대한 수요가 증가하면서 일부 공급업체 사이에 급격한 재고 고갈이 발생하고, 판매를 주저하게 했다. 트렌드포스는 "소비자 제품 수요의 불확실한 회복으로 인해 메모리 공급업체는 일반적으로 비 HBM 웨이퍼 생산 능력, 특히 낸드플래시에 대한 자본 투자에 대해 보수적이다"고 말했다.

2024.05.08 16:34이나리

삼성전자 "HBM3E 8단, 2분기 말부터 매출 발생"

삼성전자가 지난 4월 양산을 시작한 5세대 HBM(고대역폭메모리) 'HBM3E 8단' 제품이 2분기 말부터 매출이 발생한다고 밝혔다. 아울러 올해 HBM 공급이 전년보다 3배 증가하고, 내년에는 올해 보다 2배 이상 공급을 계획하고 있다고 밝혔다. 삼성전자는 30일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 사업화는 고객사 타임라인에 맞춰 순조롭게 진행 중이며 8단 제품은 이미 초기 양산을 개시해 빠르면 2분기말부터 매출이 발생할 전망이다"라며 "업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품도 2분기 중 양산 예정이다"고 덧붙였다. 이어 "36GB 고용량을 지원하는 12단은 고단 스택 강점이 있는 TN-NCF 기술을 기반으로 선도적인 경쟁력을 갖췄다고 판단한다"라며 "하반기 HBM3E로 급격한 전환을 통해 고용량 HBM 수요 선점에 주력할 것이며 HBM3E 비중은 연말 기준 판매수량의 3분의 2 이상 이를 것으로 예상된다"고 말했다. 회사는 "올해 당사의 HBM 공급규모는 비트 기준 전년 대비 3배 이상으로 지속 늘려가고 있고 해당 물량은 이미 고객사와 공급 합의를 완료했다"라며 "내년에도 올해 대비 최소 2배 이상 공급 계획이다"고 말했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 삼성전자에 따르면 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 36GB 용량을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 8단 HBM3 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현했다. NCF 소재 두께는 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'다.

2024.04.30 11:07이나리

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