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'GAN'통합검색 결과 입니다. (37건)

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TI·델타, 전기차 온보드 충전 솔루션 위한 '장기 협력' 발표

텍사스인스트루먼트(TI)는 전력 및 에너지 관리 제조업체인 델타일렉트로닉스와 차세대 전기차 온보드 충전 및 전력 솔루션을 개발하기 위해 장기적으로 협력한다고 28일 밝혔다. 이런 개발 협력은 대만 핑전 시에 설립한 TI와 델타 일렉트로닉스의 공동 혁신 연구소에서 전력 관리 및 전력 공급에 대한 양사의 연구 개발 역량을 접목함으로써 이루어질 예정이다. TI와 델타 일렉트로닉스는 함께 전력 밀도, 성능 및 크기를 최적화해 더 안전하고, 더 빠르게 충전되며, 더 저렴한 전기차 실현을 가속화하는 것을 목표로 한다. 아미카이 론 TI 임베디드 프로세싱 부문 수석 부사장은 "전기차로 전환은 보다 지속가능한 미래를 실현하는 데 핵심"이라며 "델타 일렉트로닉스와 함께 TI 반도체를 사용하여 더 작고 효율적이며 안정적인 온보드 충전기 및 DC/DC 컨버터와 같은 전기차 전력 시스템을 개발하여 주행 거리를 늘리고 전기차의 광범위한 도입을 장려할 것"이라고 말했다. 양사의 차세대 차량용 전력 솔루션을 위한 개발은 총 3단계로 구성된다. 첫 단계에서는 델타 일렉트로닉스의 최신 C2000 실시간 마이크로컨트롤러(MCU)와 TI의 독점적인 액티브 전자기 간섭(EMI) 필터 제품을 사용해서 더 가볍고 비용 효율적인 11kW 온보드 충전기를 개발하는 데 중점을 두고 있다. 양사는 TI의 제품을 사용해서 충전기의 크기를 30% 줄이면서 최대 95%의 전력 변환 효율을 달성하기 위해 협력하고 있다. 두번째 단계에서 TI와 델타 일렉트로닉스는 차량용 애플리케이션을 위한 최신 C2000 실시간 MCU를 활용해 자동차 제조업체가 가장 엄격한 자동차 안전 요구 사항을 나타내는 ASIL D까지 자동차 안전 무결성 수준(ASIL)을 달성할 수 있도록 지원한다. 고도로 통합된 차량용 절연 게이트 드라이버는 온보드 충전기의 전력 밀도를 더욱 향상시키는 동시에 전체 솔루션 크기를 최소화한다. 3단계에서는 양사가 협력하여 질화 갈륨(GaN) 기술을 사용한 제품 개발 및 제조 분야에서 10년 이상 쌓아온 TI의 경험을 바탕으로 차세대 차량용 전력 솔루션을 개발할 예정이다.

2024.06.28 10:10장경윤

화합물 전력반도체 韓 점유율 2%...삼성·SK도 뛰어든다

새로운 먹거리로 떠오른 화합물 전력반도체 시장에서 글로벌 경쟁이 가열되고 있는 가운데 우리 정부와 기업도 시장 선점을 위해 뛰어들었다. 글로벌 기업에 비해 후발주자에 속하는 국내 기업은 정부와 함께 생태계를 구축해 기술 개발에 총력을 기울인다는 목표다. 업계에서는 한국이 현대·기아차, 삼성전자, LG전자 등 글로벌 자동차 및 가전 기업을 보유하고 있다는 점에서 전력반도체 시장에서 승산이 있을 것으로 전망한다. 전력반도체는 전자제품에 필수적으로 들어가는 칩이다. 최근 전기차, 태양광 인버터 시장이 확대되면서 기존 실리콘(si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어난 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 화합물 전력반도체에 대한 수요가 커지고 있다. ■ 민관, 화합물 전력반도체 R&D에 1384.6억원 투입 그동안 우리나라는 화합물 전력반도체 수요 대부분을 수입에 의존해 왔다. 국가별 화합물 전력반도체 시장 점유율은 유럽(54%), 미국(28%), 일본(13%) 순으로 차지하며 이들 국가의 합산 점유율은 95%에 달한다. 반면 한국은 1~2% 점유율로 미비하다. 이 분야의 강자는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스, 독일 인피니언, 미국 온세미와 울프스피드, 일본 로옴 등이 대표적이다. 정부는 국내 화합물 전력반도체 기술 고도화를 위해 올해부터 2028년까지 4년간 총 1천384억원을 투입하기로 결정했다. 개발비는 민간 445억8천만원과 국비 938억8천만 원으로 구성된다. 이와 관련해 지난 20일 화합물 전력반도체 관련 소재-소자-IC(집적회로)-모듈 등 기업은 국내 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하며 본격적으로 기술을 협력하기로 했다. 협력에는 웨이퍼를 생산하는 SK실트론(소재분야), 칩을 생산하는 DB하이텍(파운드리), 어보브반도체(팹리스) 등이 참여한다. 반도체 업계 관계자는 “화합물 젼력반도체 시장에서 한국은 후발주자이지만, 파운드리와 뛰어난 설계 기술을 보유하고 있기 때문에 정부의 지원이 더해지면 경쟁력을 갖출 것으로 기대된다”고 말했다. 글로벌 1위 SiC 반도체 업체인 ST마이크로일렉트로닉스 수장인 프란체스코 무저리 부사장은 “한국 기업이 글로벌 기업과 경쟁이 가능하다”고 진단했다. 그는 “한국은 전세계에 자동차를 수출하는 현대자동차와 삼성전자, LG전자 등 글로벌 가전업체를 보유하고 있는데, 여기에는 고성능 전력 반도체가 반드시 필요하다. 수요 업체와 공급업체가 파트너십을 맺는다면 성공하지 못할 이유는 없다”라며 “IP(설계자산) 특허 부분에서는 어려움이 따를 수 있지만, 한국은 혁신적인 국가이고, 우수한 인재가 많아서 장점이다”고 덧붙였다. ■ "수익성 3배 이상"…SK·삼성·DB하이텍부터 팹리스까지 총력 SK그룹은 전력반도체 개발에 많은 관심을 보이고 있다. SK실트론은 2020년 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 4억5천만 달러로 인수해 현지에 SK실트론CSS라는 자회사를 설립했다. SK실트론CSS는 SiC에 수년간 6억 달러 투자를 계획하고 있으며, 1차 투자 격인 미국 베이시티 공장을 2022년에 완공해 6인치(150㎜) SiC 웨이퍼를 연간 12만장을 생산한다. SK실트론CSS는 2022년 11월 미국 RF 반도체 업체 코보와 올해 1월 독일 인피니언과 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 체결하기도 했다. 파운드리 업체 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체 생산에 주력하고 있다. 2022년 정식 GaN 개발팀을 구성하고, 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보해 생산 준비를 마쳤다. SK키파운드리는 올 하반기부터 청주 팹에서 GaN 반도체를 생산하며, 향후 SiC까지 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 변화한다는 목표다. SiC 전력반도체에 주력하는 SK파워텍은 SK가 2022년 예스파워테크닉스 지분 95.8%를 1천200억원에 인수한 업체다. SK는 2023년 사명을 SK파워텍으로 바꾸면서 기존 포항 공장을 부산으로 이전하며 사업을 확장했다. 삼성전자 파운드리도 전력반도체 생산 준비에 한창이다. 삼성전자는 컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작한다고 밝혔다. DB하이텍도 수익성이 높은 화합물 전력반도체 생산업체로 체질개선에 나선다. DB하이텍은 2022년 말부터 8인치 GaN 공정을 개발에 들어가 올해 말에 생산에 들어갈 예정이다. 또 SiC 전력반도체 생산을 위해 충북 음성 상우공장에 핵심 장비를 도입하며 생산을 위한 준비 작업도 진행 중이다. 아울러 회사는 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시키고 있다. 파운드리 업체가 전력 반도체로 전환하는 이유는 수익성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "SiC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼보다 5~10배 더 비싸서, 같은 용량을 생산하더라도 더 높은 이익을 낼 수 있다"고 말했다. 그 밖에 어보브반도체, 아이큐랩, 칩스케이, 파워큐브세미, 쎄닉 등도 화합물 전력반도체 공급 기업으로 주목받고 있다. 한편, 시장조사업체 올디벨롭먼트에 따르면 SiC 반도체는 2021년 10억 달러에서 2027년 62억 달러로 연평균 34% 성장할 전망이다. GaN 반도체는 2021년 1억2천만 달러에서 2027년 20억 달러로 연평균 59% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.26 17:24이나리

알엔투테크놀로지, '유로사토리 2024'서 AESA 레이더용 MCP 소개

알엔투테크놀로지는 지난 17일부터 21일까지 5일간 프랑스 파리에서 열린 '2024 유로사토리(Eurosatory) Paris'를 성황리에 마쳤다고 24일 밝혔다. 유로사토리는 글로벌 3대 방산 전시회 중 하나로 꼽히는 세계 최대 규모의 지상 무기체계 방산 전시회다. 1967년부터 격년으로 개최되며, 올해는 60여개국에서 2천여개 업체가 참석했다. 국내에서는 육군, 방위사업청 국방과학연구소와 한국방위산업진흥회를 중심으로 한국관을 구성해 28개의 방산업체가 참가했다. 이번 전시회에서 알엔투테크놀로지는 ▲AESA 레이더를 포함한 방위산업용 레이더 ▲스마트 안테나 ▲위성통신 등 다양한 방위산업 제품에 사용되는 MCP(다층 세라믹 PCB) 제품을 공개했다. AESA 레이더는 현대 공중전의 핵심이라 불리는 최첨단 레이더 장치다. AESA 레이더의 설계 및 제조 기술은 일부 선진국만 보유 중이며, 국내에서는 KF-21사업을 통해 첫 국산화에 성공했다. 이미 알엔투테크놀로지는 작년부터 중동 방산업체과 함께 MCP 제품 양산 테스트를 시작해 진행하고 있다. 앞으로 공급될 MCP 제품은 공중 위협에 대응하기 위한 방산제품인 '근거리 대공 방어용 정밀 유도 시스템'에 대량으로 적용될 계획이다. 회사 관계자는 “이번 전시를 통해 유럽 소재 기업 3곳과 질화갈륨(GaN) 반도체 파운드리 업체, PCB 업체 등에서 당사의 MCP 제품에 깊은 관심을 표명했다”며 “특히 AESA 레이더용 MCP 제품이 관심을 많이 받았으며, 세계 20위권의 유럽 방산기업에서는 구체적인 협업 논의를 위해 공급사 관리 시스템에 RN2의 계정 등록을 요청했다”고 말했다. 이어 그는 “알엔투테크놀로지는 이번 전시회에서 당사의 기술력을 알리고 수출 마케팅 활동과 협력 방안을 논의할 수 있는 좋은 기회였다”며 “끊임없이 신사업 개발을 위해 노력하며 사업을 확대시킬 것"이라고 강조했다.

2024.06.24 10:44장경윤

韓 최초 GaN 전력반도체 양산 앞둔 칩스케이…"2026년 IPO 추진"

"칩스케이는 650V급 8A 및 15A GaN(질화갈륨) 전력반도체를 개발해냈습니다. GaN 전력반도체는 그간 전량 수입에 의존해 온 제품이죠. 올 하반기 본격적인 양산에 돌입하게 되면, 차세대 전력반도체를 국산화하는 첫 사례가 됩니다" 곽철호 칩스케이 대표는 최근 경기 안양시 소재의 본사에서 기자들과 만나 올해 회사의 핵심 사업 전략에 대해 이같이 설명했다. GaN은 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 밴드갭(전기전도도)이 넓은 'WBG(와이드밴드갭)' 소재다. 밴드갭이 넓어질수록 전자의 움직임이 자유로워져, 고전압 및 고온, 고주파수 환경에서의 동작이 유리하다. 전기의 흐름을 제어하는 스위칭 속도도 빠르다. 다만 GaN은 설계 및 제조공정 면에서 기술적 진입장벽이 높다. 때문에 GaN 전력반도체는 인피니언 등 해외 기업들로부터 전량 수입에 의존할 수밖에 없었다. 곽철호 대표와 차호영 최고기술책임자(CTO)는 GaN 전력반도체 국산화를 목표로 지난 2017년 칩스케이를 공동 설립했다. 곽철호 대표는 20년 이상 아날로그 회로 및 화합물 반도체 설계를 맡아 왔다. 홍익대학교 전자전기공학부 교수로도 재임 중인 차호영 CTO는 GaN 소자 관련 최고의 권위자로 꼽힌다. 곽 대표는 "GaN 전력반도체는 초기 시장 형성 단계이기 때문에 빠른 시장 선점이 필요한데, 중국 등에 비해 국내 업계의 투자가 많이 부족한 상황"이라며 "칩스케이는 자체 GaN 소자 설계 기술을 바탕으로 국내는 물론, 해외 시장에 진출할 예정"이라고 밝혔다. 칩스케이는 이를 위해 GaN 소자 제품군을 확장 개발하고 있다. 회사 설립 후 5G·6G 등 무선통신을 위한 RF(무선주파수) 트랜지스터 개발을 완료했으며, 지난 달에는 650V급 8A 및 15A GaN 전력반도체 개발에 성공했다. 해당 GaN 전력반도체는 고속충전기용으로 올해 하반기 상용화를 앞두고 있다. 국내 팹리스 이미지스와 지난해 공급계약을 체결하는 등 여러 업체들과의 공급 논의도 이미 활발히 진행되고 있다. 나아가 칩스케이는 데이터센터용 기술 개발을 위한 100V급 제품과 전기차 온보드충전기를 위한 650V 이상의 고전압 제품을 개발하고 있다. 상용화 목표 시기는 각각 2025년, 2027년이다. 이외에도 구동회로가 패키지에 일체화된 SiP(시스템인패키지), GaN 기반의 SoC(시스템온칩) 등을 출시할 예정이다. 차 CTO는 "칩스케이는 GaN과 관련한 차별화된 IP(설계자산)와 특허를 다수 보유하고 있다"며 "전력소자의 핵심인 발열에 대한 전문성 있는 설계, 경쟁사 대비 칩을 소형으로 구현할 수 있다는 점도 칩스케이의 경쟁력"이라고 설명했다. 칩스케이는 이 같은 기술력과 사업 전략을 기반으로 회사의 매출 성장세를 자신했다. 칩스케이의 지난해 매출은 77억원으로, 대부분 RF 트랜지스터 분야에서 발생했다. 올해에는 GaN 전력반도체 초도 물량 공급으로 매출이 128억원으로 성장할 것으로 관측된다. 2026년에는 매출을 380억원까지 끌어올리는 것이 목표다. IPO(기업공개)에 대한 밑그림도 그리고 있다. 2026년 말에 기술특례상장으로 코스닥 시장에 입성하는 방안이 가장 유력하다. 곽 대표는 "칩스케이는 지속적인 기술개발에 대한 성과를 인정받아 지금까지 105억 원의 투자를 유치했고, 앞으로도 GaN 전력반도체를 중심으로 성장세를 이룰 것"이라며 "또한 국내 GaN 공급망 강화를 위해 향후 삼성전자, DB하이텍, SK키파운드리 등 국내 파운드리를 활용하는 방안도 추진할 것"이라고 강조했다.

2024.06.19 13:55장경윤

SK키파운드리, 차세대 전력반도체 GaN 소자 특성 확보...연내 개발 완료

8인치 파운드리 기업 SK키파운드리는 차세대 전력반도체 GaN(질화갈륨)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발을 완료할 계획이라고 19일 밝혔다. 앞서 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 지난 2022년 정식 팀을 구성한 바 있다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어, 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. SK키파운드리는 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아, 실리콘 기반 제품 대비 방열 기구의 비용을 감소시킨다. 이 같은 장점 덕분에 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 다양한 제품 개발에 활용될 것으로 기대된다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 고객에게 프로모션을 적극 진행한다는 방침이다. 또한 회사는 650V GaN HEMT를 기반으로, 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며 "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다. 한편 시장조사기관 옴디아에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억 달러에서 2032년 64억 달러까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망된다.

2024.06.19 09:07장경윤

TI, 가전·공조 시장 겨냥한 초소형 'GaN IPM' 공개

텍사스인스트루먼트(TI)는 13일 미디어 간담회를 통해 업계 최초로 250W 모터 드라이브 애플리케이션을 위한 650V 3상 질화갈륨(GaN) IPM을 소개했다. 니콜 나빈스키(Nicole Navinsky) TI 모터 드라이브 부문 매니저는 "TI의 새로운 DRV7308 GaN IPM은 99% 이상의 인버터 효율, 최적화된 음향 성능, 솔루션 크기 감소 및 시스템 비용을 절감한다"라며 "이런 특징은 가전제품과 난방, 환기 및 공조(HVAC) 시스템을 설계할 때 직면하는 설계 및 성능 저하 문제를 해결할 것으로 기대한다"고 전했다. 최근 가전제품과 HVAC 시스템은 전 세계적으로 계절별 에너지 효율 비율(SEER) 최저 소비효율 기준(MEPS), 에너지 스타(Energy Star) 및 에너지 효율 목표관리제(Top Runner)와 같은 표준이 엄격해지고 있다. TI의 DRV7308은 GaN 기술을 활용해서 기존 솔루션 대비 전력 손실을 50%가량 줄이면서 99% 이상의 효율을 제공한다. 또 열 성능을 개선해서 엔지니어가 에너지 표준을 충족할 수 있도록 지원한다. 또 DRV7308은 업계에서 가장 낮은 데드 타임과 낮은 전파 지연(모두 200ns 미만)을 달성해서 가청 잡음과 시스템 진동을 줄이도록 더 높은 펄스 폭 변조(PWM) 스위칭 주파수를 구현한다. 더불어 높은 전력 효율 및 통합 기능은 모터 발열을 절감해서 안정성을 높이고 시스템 수명을 연장할 수 있다. 초소형 크기도 특징이다. GaN 기술로 구현된 IPM은 12mm×12mm 패키지로 높은 전력 밀도를 제공한다. 150W~250W 모터 드라이브 애플리케이션을 지원하는 IPM 중에서 가장 작다. 또 DRV7308은 높은 효율성으로 별도의 외부 방열판이 필요하지 않아 모터 드라이브 인버터 인쇄회로기판(PCB) 크기를 경쟁사 IPM 솔루션 대비 최대 55%까지 축소할 수 있다. 전류 감지 증폭기, 보호 기능 및 인버터 스테이지를 통합해서 솔루션 크기와 비용을 더욱 절감했다. DRV7308 3상, 650V 통합 GaN IPM은 12mm×4.5mm, 60핀 쿼드 플랫 무연(QFN) 패키지로 제공된다. DRV7308EVM 평가 모듈도 판매한다.

2024.06.13 17:40이나리

인피니언, 8인치 공정 기반 'CoolGaN 트랜지스터' 출시

인피니언테크놀로지스는 고전압 및 중전압 CoolGaN 신제품 2종을 출시한다고 밝혔다. 두 제품군은 쿨림(말레이시아)과 필라흐(오스트리아) 공장에서 고성능 8인치 인하우스 파운드리 공정으로 제조된다. 이 제품은 다양한 애플리케이션에서 40V부터 700V에 이르는 갈륨 나이트라이드(GaN) 디바이스를 사용할 수 있다. 새로운 650V G5 제품군은 컨슈머, 데이터 센터, 산업용, 태양광 등의 애플리케이션에 적합하다. 이들 제품은 인피니언의 차세대 GIT(gate injection transistor) 기반 고전압 제품이다. 중전압 G3 디바이스로 60V, 80V, 100V, 120V CoolGaN 트랜지스터와 40V 양방향 스위치(BDS) 제품을 포함한다. 중전압 G3 제품은 모터 드라이브, 텔레콤, 데이터 센터, 태양광, 컨슈머 애플리케이션에 적합하다. CoolGaN 650V G5는 올해 4분기에 공급을 시작하고, 중전압 CoolGaN G3는 올해 3분기에 공급을 시작한다. 샘플은 현재 공급하고 있다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 디바이스 시장은 향후 5년간 연평균 46%성장하는 시장이다. 인피니언은 GaN 디바이스 시장에서 공급을 강화한다는 목표다.

2024.06.04 14:40이나리

'주총' DB하이텍 "팹 가동률 75%로 견조…상반기 흑자 지속"

"현재 DB하이텍의 팹 가동률은 75% 수준으로 경쟁사 대비 높은 수준을 나타내고 있습니다. 올해 상반기 수익성 측면에서도 지난해 수준의 이익을 얻고 있습니다." DB하이텍은 경기 부천 소재 본사에서 제71기 정기주주총회를 열고 회사의 올해 사업 현황 및 전망에 대해 이같이 밝혔다. 이날 조기석 DB하이텍 대표이사 사장은 8인치 파운드리 사업 현황에 대해 "현재 DB하이텍의 팹 가동률은 75% 수준"이라며 "생산능력이 지난해 14만 장에서 올해 15만4천 장까지 증가하는 상황에서도 가동률을 비슷하게 유지하고 있다. 이는 경쟁사들과 15~20%p의 격차"라고 밝혔다. 8인치 파운드리 시장은 코로나19 사태로 아날로그 반도체 수요가 증가하면서 호황을 맞았다. 당시 DB하이텍을 비롯한 공급사들의 가동률은 100%에 육박한 바 있다. 그러나 지난해에는 세계적인 경기 침체로 8인치 파운드리 시장이 큰 타격을 받았다. 이에 DB하이텍의 지난해 연결기준 매출액은 1조1천578억원으로 전년 대비 30.89% 감소했다. 영업이익도 2천663억원으로 전년 대비 65.36% 줄어들었다. 시장의 회복세는 아직 뚜렷하지 않으나, DB하이텍은 올해 상반기 수익성을 강화할 수 있을 것으로 내다봤다. 조 사장은 "지난해 사업계획 수립 시에는 올해 1분기, 2분기 적자를 예상할 정도로 업황이 좋지 않았다"며 "그러나 지금은 지난해 수준의 이익을 얻고 있다"고 설명했다. 신사업 추진 전략에 대해서는 "SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 사업경쟁력 확보를 위해 역량을 집중하도록 할 것"이라고 밝혔다. SiC, GaN은 기존 실리콘 대비 전력 효율성 및 고온·고압에 대한 내구성이 높은 소재다. 이와 관련, DB하이텍은 지난해 하반기 SiC·GaN 전력반도체 제조를 위한 핵심장비를 반입한 바 있다.

2024.03.28 11:29장경윤

SK 반도체 계열사, 올해도 '신사업' 진출 사활

SK그룹이 반도체 사업 영역 확장에 속도를 낸다. 최근 반도체 소재를 담당하는 여러 계열사에 원천 기술이나 기존 사업과의 시너지 효과를 낼 수 있는 기술 확보를 주문한 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 SK그룹 내 반도체 계열사들은 신규 사업 진출을 위한 M&A 및 협업을 적극 검토하고 있다. SK그룹은 주요 메모리 기업인 SK하이닉스를 비롯해 SKC·SK머티리얼즈·SK실트론 등 반도체 소재 기업을 보유하고 있다. 근래에도 SK하이닉스가 키파운드리(8인치 파운드리)를, SKC가 아이에스시(후공정 부품)를, SK(주)가 에버텍(패키징용 특수접착소재)을 인수하는 등 반도체 사업 영역 확장에 적극적으로 나서 왔다. SK그룹의 이 같은 전략은 올해에도 지속 유지될 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SK그룹이 6~7개의 신사업 후보를 선정해, 이 중 몇 가지를 신사업으로 추진할 방침을 세운 것으로 안다"며 "해당 방침에 따라 관련 계열사들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 일례로 SK실트론은 올 1분기 국내 전력반도체 소재 관련 기업과 협업 관계를 수립하기 위한 논의에 들어간 것으로 파악됐다. SK실트론은 기존 주력 사업인 실리콘 웨이퍼 외에도 SiC(탄화규소) 웨이퍼 등 차세대 전력반도체 소재를 개발하고 있다. 이번 논의는 SiC와 마찬가지로 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 GaN(질화갈륨) 분야에 초점을 맞춘 것으로 전해진다. SiC와 GaN은 실리콘 기반의 반도체 대비 고온·고전압 내구성, 전력효율성 등이 높다. 특히 SiC는 고온·고전압 내구성이, GaN은 스위칭(전기 신호의 온오프 전환) 특성이 뛰어나 각 용도에 따라 시장 수요가 증가하는 추세다. 지난해 10월 SKC에 인수된 아이에스시도 현재 기존 후공정 부품 사업과 연계할 수 있는 기업의 인수를 검토 중이다. 구체적인 사업 분야 및 후보 기업은 공개되지 않았으나, 이르면 올 하반기에 인수합병이 성사될 것으로 알려졌다. 또 다른 반도체 업계 관계자는 "이 같은 계열사들의 최근 움직임에는 반도체 분야 생태계를 폭넓게 구축하려는 SK그룹의 의지가 반영된 것"이라며 "시너지 효과를 창출할 수 있는 분야나 원천기술 확보에 중점을 두고 있다"고 밝혔다.

2024.03.11 10:57장경윤

TI, 'GaN 반도체' 시장 공략 가속화

텍사스인스투르먼트(TI)가 차세대 화합물반도체인 GaN(질화갈륨) 시장을 적극 공략한다. 경쟁사 대비 뛰어난 성능의 신규 제품군을 지속 출시하는 한편, 생산성을 높이기 위한 설비투자를 미국, 일본 등에서 진행하고 있다. 5일 TI코리아는 서울 인터컨티넨탈호텔에서 미디어 브리핑을 열고 전력 변환장치 2종을 소개했다. 이번 TI의 100V GaN 전력계 'LMG2100R044·LMG3100R017'는 열적으로 향상된 양면 냉각 패키지 기술을 적용했다. 이를 통해 열 설계를 간소화하고, 중전압 애플리케이션에서 1.5kW/in³(세제곱인치 당 킬로와트) 이상의 최고 전력 밀도를 달성할 수 있다. 엔지니어는 이를 활용해 중전압 애플리케이션의 전원 공급 장치 크기를 40% 이상 축소하는 것이 가능해진다. 또한 기존 실리콘 기반 제품 대비 스위칭 전력 손실을 50% 저감해 에너지 효율성을 높인다. 예를 들어 태양광 인버터 시스템에서 전력 밀도 및 전력 효율이 높아지는 경우, 동일한 패널로 더 많은 전력을 저장하고 생산하는 동시에 전체 인버터 시스템 크기를 줄일 수 있다. 신주용 TI코리아 이사는 "이번 신규 100V 통합 GaN 전력계 제품군은 이미 여러 고객사들이 적용 검토를 적극적으 시작한 제품"이라며 "벅 컨버터, 부스트 컨버터 등에서 활발히 사용될 것으로 보인다"고 설명했다. TI는 전력계 외에도 다양한 GaN 제품을 보유하고 있다. 650V급의 GaN FET(전계 효과 트랜지스터), 100~200V급 하프 브리지 게이트 드라이버 및 FET 등이 대표적이다. GaN 제품의 경쟁력 강화를 위한 설비투자에도 적극 나서고 있다. 현재 TI는 미국 텍사스 댈러스, 일본 아이주와카마추 등에서 생산능력 확대를 꾀하고 있다. 신 이사는 "모든 증설이 완료되면 현재보다 훨씬 저렴한 가격에 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라며 "제품 성능도 자사 및 경쟁사 제품을 내부 분석한 결과, 자사 제품이 압도적인 것으로 보고 있다"고 밝혔다. TI는 이번 미디어 브리핑에서 차량 및 산업 시스템용 신규 1.5W 절연 DC/DC 모듈 'UCC33420-Q1·UCC33420'도 공개했다. 해당 모듈은 바이어스 전원 공급 장치 설계에서 외부 변압기가 필요 없는 TI의 차세대 통합 변압기 기술을 적용했다. 엔지니어는 이를 활용해 솔루션 크기를 89% 이상 축소하고 높이를 최대 75%까지 줄이면서, 개별 솔루션 대비 재료 사양서를 절반으로 줄일 수 있다. 안병남 TI코리아 상무는 "해당 모듈은 4mmx5mm 사이즈로, 유사한 크기의 경쟁사 제품 대비 출력 전압이 높아 여러 솔루션에 활용될 수 있다"며 "전력 밀도 역시 3배 이상"이라고 강조했다.

2024.03.05 13:07장경윤

RFHIC, 스위겐에 지분 투자…"GaN 반도체 사업 확대"

화합물 반도체 전문기업 RFHIC는 질화갈륨 반도체 사업 확대를 위해 스웨덴의 질화갈륨 반도체 에피웨이퍼 개발업체인 스위겐(SweGaN)에 전략적 지분 투자를 결정했다고 5일 밝혔다. 최근 질화갈륨(GaN) 및 실리콘카바이드(SiC) 등 화합물 반도체에 대한 시장의 관심이 확대되고 있다. 이에 따라 RFHIC는 스위겐에 전략적 지분투자를 단행함으로써 해당 분야에서 경쟁력을 확보해 나가겠다는 계획이다. 스위겐은 RF 및 전력반도체에서 최고의 성능을 갖는 6인치 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 에피웨이퍼를 개발하고 제조하는 기업이다. 특히 스위겐의 에피웨이퍼가 적용된 질화갈륨 반도체는 4GHz 이상의 초고주파 대역에서 전력 효율성이 높은 특성을 가지고 있다. 이러한 에피웨이퍼 개발 및 제조 기술은 질화갈륨 반도체 성능의 약 50% 이상 영향을 주는 핵심 요소다. 그만큼 시장에서 요구하는 초고주파 대역에서의 고출력, 고효율의 제품 수요를 스위겐 제품을 통해 적극 대응할 수 있을 것이라고 회사 측은 전망하고 있다. RFHIC 관계자는 “이번 전략적 지분투자를 통해 지속적으로 증가하고 있는 GaN 반도체 수요에 적극 대응하고, 4GHz 이상 주파수로 확대될 것이라 예상되는 5G, 6G 및 저궤도 위성통신 분야에서도 독보적인 제품을 출시할 수 있도록 연구개발에 주력할 계획”이라고 전했다. 관계자는 이어 “양사의 기술 등을 접목시켜 기존 RFHIC의 무선통신 및 방위산업 제품들의 경쟁력도 한 단계 업그레이드시키는 등 상호 전략적 협력관계를 통해 상생할 수 있는 다양한 방안을 모색할 예정이다”고 덧붙였다.

2024.03.05 09:00장경윤

ST, Si·GaN 컨버터 효율성 높이는 동기식 정류기 컨트롤러 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 실리콘 또는 GaN 트랜지스터로 구현되는 컨버터의 설계를 간소화하고 효율성을 향상시키는 'SRK1004' 동기식 정류기 컨트롤러를 출시했다고 4일 밝혔다. 감지 입력에서 최대 190V까지 견딜 수 있는 SRK1004는 하이사이드 또는 로우사이드 구성으로 연결이 가능하다. 사용자는 4종의 제품 중 5.5V 또는 9V 게이트 구동 전압 디바이스를 선택만 해도 로직 레벨 MOSFET이나 표준 MOSFET, GaN 트랜지스터를 사용해 설계를 최적화하면서 복잡한 계산을 피할 수 있다. 또한 SRK1004는 비상보형 능동 클램프와 공진형 및 유사공진형(QR: Quasi-Resonant) 플라이백 토폴로지에 적합하기 때문에, 차세대 턴오프 알고리즘을 도입해 동작을 간소화하고 에너지를 절감해준다. 컨트롤러의 이러한 기능을 통해 컨버터는 컴팩트한 크기로도 높은 정격 출력 파워를 제공할 수 있다. 최대 500kHz에 이르는 동작 주파수로 소형 마그네틱 부품을 이용할 수 있을 뿐만 아니라, GaN 트랜지스터 사용 시 와이드 밴드갭 기술의 이점을 극대화할 수 있다. 이 컨트롤러는 ST의 SOI(Silicon-on-Insulator) 공정 기술이 적용돼 초소형 2mm x 2mm DFN-6L 패키지로 강력한 성능을 보장한다. SRK1004는 4~36V에 이르는 공급 전압 범위에서 동작하므로 다양한 표준 산업용 버스 전압에서 전력을 공급받을 수 있다. 또한 입력 전압 범위가 넓어 유연하게 스텝-다운비를 조정하면서 최적의 효율을 달성한다. 이외에도 이 컨트롤러는 빠르게 동작하는 단락 감지 기능이 내장돼 견고하고 안정적인 장비를 구현하도록 지원한다. 출시된 4종의 제품 중 SRK1004A 및 SRK1004B는 5.5V 게이트 구동 전압으로 구성돼 있으며, 로직 레벨 MOSFET이나 GaN 트랜지스터와 함께 사용할 수 있다. 9V 게이트 구동 전압을 지원하는 SRK1004C 및 SRK1004D는 표준 게이트 구동 신호용으로 설계된 MOSFET에 적합하다. SRK1004x 동기식 정류기 컨트롤러 제품은 모두 현재 생산 중이다. 평가 보드인 EVLSRK1004A, EVLSRK1004B, EVLSRK1004C, EVLSRK1004D는 50달러의 예산가격으로 이용할 수 있다.

2024.03.04 11:19장경윤

로옴, 델타 AC 어댑터에 '650V GaN 제품' 공급

로옴(ROHM)이 자사의 'EcoGaN' 650V GaN(질화갈륨) 제품을 대만 델타일렉트로닉스의 브랜드 이너지(Innergie)의 45W 출력 AC 어댑터 'C4 Duo'에 채용됐다고 27일 밝혔다. 로옴이 이번 델타에 공급한 제품 모델명은 'GNP1150TCA-Z'다. 델타 측은 "로옴과의 협력 체제를 지속적으로 강화함으로써 한층 더 고출력, 고기능의 AC 어댑터를 제공할 수 있을 것으로 믿고 있다"고 밝혔다. 로옴은 GaN을 탑재한 기기를 'EcoGaN'이라는 브랜드로 전개하고 있다. 높은 잠재력을 지녔으나, 취급이 어려운 GaN의 완벽한 활용에 주목해 제품 개발과 솔루션 제공을 추진하고 있다. 디스크리트 제품으로는 2022년에 150V 내압 GaN HEMT의 양산을 개시했으며, 2023년에는 업계 최고 수준의 디바이스 성능을 실현한 650V 내압 GaN HEMT를 양산했다. 이번에 650V 내압 제품인 'GNP1150TCA-Z'에 내장된 ESD 보호 소자를 통해 정전 파괴 내량을 GaN HEMT 일반품 대비 약 75% 향상시켰다는 점에서, 어플리케이션의 고신뢰화로 연결될 수 있을 것으로 평가받고 있다.

2024.02.27 13:43장경윤

DB하이텍, 작년 영업익 2663억…전년比 65% 감소

DB하이텍은 2023년 연결기준 매출액이 1조1천578억 원, 영업이익이 2천663억 원, 영업이익률이 23%로 잠정 집계됐다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 이번 실적은 전년 대비 매출은 30.89%, 영업이익은 65.36% 감소한 수치다. DB하이텍은 “세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진으로 반도체 파운드리 시장 회복이 지연되면서 전년에 비해 실적이 다소 하락했다"며 "다만 전력반도체 기술 격차를 지속 확대하는 동시에 차량용의 비중을 높이고, 차세대 전력반도체로 주목받는 GaN·SiC 등 고부가·고성장 제품을 확대하며 경쟁력을 강화할 계획"이라고 설명했다. 또한 DB하이텍은 "지속가능경영 체제를 확립하기 위해 전방위적으로 노력하고 있다"고 강조했다. DB하이텍은 지난해 12월 말 지배구조 개선과 주주친화정책 강화를 골자로 하는 경영혁신 계획을 발표한 바 있다. 대표이사·이사회 의장 분리를 통해 이사회의 독립성을 높이고, 자사주 매입·소각, 배당 등을 통해 순이익의 30% 이상을 주주들에게 환원하겠다는 것이 주요 내용이다. 한편 DB하이텍은 이달 5일과 6일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2023년 4분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2024.02.05 10:02장경윤

국내 최초 '다이아몬드 웨이퍼' 개발한 RFHIC…올 하반기 제품화 윤곽

국내 RF(무선통신) 부품기업 RFHIC가 최근 GaN(질화갈륨) 기반의 4인치 다이아몬드 웨이퍼 개발에 성공했다. 국내 기업으로선 최초 성과로, 자체 개발한 특허 기술을 적용했다는 점에서도 의미가 깊다. 다이아몬드 웨이퍼는 기존 웨이퍼 대비 방열 특성이 뛰어난 것이 특징이다. 향후 위성·방산 등 산업 전반에서 반도체 성능을 향상시킬 것으로 기대된다. RFHIC는 올 하반기 내로 해당 웨이퍼를 자사 제품에 적용해 회사의 경쟁력을 끌어 올리고, 향후 시장 영역을 확대할 계획이다. RFHIC는 통신용 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 및 전력증폭기를 전문으로 개발 및 생산하는 기업이다. GaN은 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 전력 효율성, 고온·고압에 대한 내구성이 뛰어나다. 또한 스위칭(전기 신호를 켜고 끄는 것) 속도가 빨라 위성, 방산 등의 산업에서 수요가 특히 강하다. 최근 RFHIC는 GaN 소자의 차세대 방열 소재인 다이아몬드 웨이퍼 분야에서 괄목할 만한 성과를 거뒀다. 이 회사는 지난해 말 국내 최초로 4인치 Diamond(다이아몬드) 웨이퍼를 개발해냈다. 관련 기술을 확보한 기업은 미국, 중국 등 전 세계에서 4~5곳에 불과하다. 현재 GaN 웨이퍼는 주로 실리콘, 혹은 실리콘카바이드(SiC) 위에 GaN 물질을 성장시켜 만든다. 다이아몬드는 이들 소재 대비 내구성이 높고, 열전도율이 뛰어나 방열에 유리하다는 장점이 있다. 지난 9일 경기 안양 소재의 RFHIC 본사에서 다이아몬드 웨이퍼 개발의 주역인 곽준식 RFHIC AGS본부장을 만났다. 이곳에서 곽 본부장은 RFHIC의 다이아몬드 웨이퍼가 지닌 경쟁력, 향후 사업 계획 등을 소개했다. 곽 본부장은 "방열성이 높으면 소자의 온도를 낮춰주기 때문에, 동일한 조건에서도 더 높은 성능을 낼 수 있게 된다"며 "기존 구리(Cu) 방열소재 적용 소자 대비 RF 출력을 최대 200%까지 높일 수 있다"고 설명했다. RFHIC는 올 하반기 내로 다이아몬드 웨이퍼 기반의 소자를 양산하는 것을 목표로 하고 있다. 먼저 자사 제품에 적용해 경쟁력을 높이고, 노하우가 충분히 쌓이면 대외 판매로 영역을 확장한다는 전략이다. 가장 유망하게 보고 있는 시장은 방산, 위성 분야다. 나아가 향후에는 양자 컴퓨팅으로의 진출을 위한 단결정(싱글-크리스탈) 다이아몬드 웨이퍼를 개발할 계획이다. 단결정은 현재 개발된 다결정(폴리-크리스탈) 대비 열전도율이 더 높다. 이를 위한 웨이퍼 제조 기술 연구개발(R&D)에도 많은 공을 기울이고 있다. 이번에 개발된 RFHIC의 다이아몬드 웨이퍼는 GaN 웨이퍼와 다이아몬드 웨이퍼를 각각 제조한 뒤, 다이(Die) 단에서 직접 본딩(붙이는)하는 공정을 거친다. 이보다 기술적 난이도가 높은 W2W(웨이퍼 투 웨이퍼) 본딩에 대한 연구개발도 추진 중이다. 곽 본부장은 "GaN 웨이퍼에 다이아몬드를 직접 증착하는 기술 역시 지속 개발하고 있으나, 실제 양산에 필요한 조건들이 매우 까다로운 상황"이라며 "본딩의 경우 다이아몬드 층을 더 두껍게 할 수 있어 방열 특성을 향상시킬 수 있다"고 밝혔다. 또한 RFHIC는 다이아몬드를 성장하는 과정에서 자체 개발한 특허 기술을 적용했다. 현재 주요 경쟁사가 고온·고압(HPHT) 공정을 채택한 것과 달리, RFHIC는 자체 개발한 마이크로웨이브(주파수가 0.3㎓ ~ 300㎓ 영역에 해당하는 전자파) CVD(화학기상증착) 장비로 다이아몬드를 성장시킨다. 곽 본부장은 "현재 국내외 위성, 가전 기업들이 RFHIC의 다이아몬드 웨이퍼에 관심을 표하고 있는 상황"이라며 "높은 특성을 요구하는 하이엔드 시장에 대응하기 위해 관련 기술을 지속 고도화해나갈 것"이라고 말했다.

2024.01.15 16:36장경윤

ST, 신규 200W·500W 'MasterGaN' 제품 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 차세대 통합 GaN(질화갈륨) 브리지 디바이스인 'MasterGaN1L' 및 'MasterGaN4L'을 출시한다고 15일 밝혔다. ST의 'MasterGaN' 제품군은 650V GaN HEMT(High Electron-Mobility Transistor)와 최적화된 게이트 드라이버, 시스템 보호 기능을 비롯해 시동 시 디바이스에 전원 공급을 지원하는 통합 부트스트랩 다이오드를 모두 내장하고 있다. 이러한 기능 통합으로 설계자는 GaN 트랜지스터의 복잡한 게이트 드라이브 요건을 손쉽게 해결한다. 또한 소형의 전력 패키지에 하우징된 이 디바이스로 신뢰성 향상 및 부품원가(BOM) 절감은 물론, 회로 레이아웃을 간소화할 수 있다. 최신 디바이스는 하프 브리지 구성으로 연결된 두 개의 GaN HEMT가 포함돼 있다. 이러한 배열은 능동 클램프 플라이백, 능동 클램프 포워드, 공진 컨버터 토폴로지 기반의 스위치 모드 전원공급장치, 어댑터 및 충전기를 구현하는 데 적합하다. MasterGaN1L 및 MasterGaN4L은 각각 MasterGaN1 및 MasterGaN4 디바이스와 핀 호환된다. 이전 디바이스에 비해 새롭게 최적화된 턴온 지연을 갖춰 특히 공진 토폴로지의 경우 낮은 부하에서도 더 높은 주파수와 효율성으로 동작이 가능하다. 또한 히스테리시스 및 풀 다운을 통해 3.3V~15V에 이르는 입력 신호 전압을 지원하므로 마이크로컨트롤러, DSP, 홀 효과 센서와 같은 제어 디바이스와 손쉽게 직접 연결한다. 설계자는 전용 셧다운 핀으로 시스템 전력소모를 줄이고, 인터로킹(Interlocking) 회로와 타이밍을 정확하게 매칭하는 두 개의 GaN HEMT를 통해 교차 전도 상황을 방지할 수 있다. MasterGaN1L HEMT는 150mΩ RDS(on) 및 10A의 정격 전류를 제공하며, 최대 500W의 애플리케이션에 이용할 수 있다. 무부하 전력에서 불과 20mW만 소모하고 높은 변환 효율을 지원하기 때문에 설계자는 산업 분야에 필요한 대기 전력 및 평균 효율의 엄격한 요건을 충족할 수 있다. MasterGaN4L HEMT는 225mΩ RDS(on) 및 6.5A의 정격 전류로 최대 200W의 애플리케이션을 지원한다. 각 디바이스의 기능을 평가하게 해주는 EVLMG1LPBRDR1 및 EVLMG4LPWRBR1 데모 보드도 제공된다. 이 보드에는 LLC 애플리케이션에서 동작하도록 정교하게 조정된 GaN 기반 하프 브리지 전력 모듈이 있다. 완벽하게 PCB를 설계하지 않아도 MasterGaN1L 및 MasterGaN4L 디바이스를 활용하면 새로운 토폴로지를 신속하게 구현한다.

2024.01.15 12:58장경윤

키파운드리, 'SK키파운드리'로 사명 변경

8인치 파운드리 기업 키파운드리는 사명을 'SK키파운드리'로 변경했다고 3일 밝혔다. 변경된 사명은 최근 주주총회에서 승인을 받았으며, 2024년 1월 1일부터 사용한다. SK키파운드리는 지난 해 말 국내 및 해외 상표권 출원을 마쳤다. SK키파운드리는 2020년 9월 매그나칩 반도체의 파운드리 사업부가 분사해 설립한 8인치 파운드리 기업으로, 2022년 8월 SK하이닉스의 자회사로 편입됐다. 이후 인수 후 통합(PMI) 과정을 진행하면서 사명 변경을 추진해 왔으며, 기존 고객과의 비즈니스 연속성을 고려하여 SK키파운드리로 최종 결정했다. SK키파운드리는 사명 변경을 계기로 대외 신인도를 향상시켜 비즈니스를 확대하는 데에 탄력을 받을 것으로 기대하고 있다. SK키파운드리는 청주에 위치한 월 10만장 규모의 팹에서 다품종 소량 생산에 적합한 8인치 웨이퍼 기반의 전력 반도체와 디스플레이구동칩(DDI), 마이크로컨트롤유닛(MCU) 등 비메모리 반도체를 주로 위탁 생산 중이다. 특히 최근 전력 반도체 시장에서 고속 전력 전달과 높은 전력 효율을 위해 100V 이상의 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 수요가 증가 중인데, SK키파운드리는 이러한 고전압 BCD 공정의 리딩 파운드리로서 차량용 산업용 전력 반도체 시장을 적극 공략하고 있다. 또한 SK키파운드리는 전력 반도체 공급의 연속성을 위해 차세대 전력 반도체로 언급되는 질화갈륨(GaN) 공정 개발을 이미 시작했으며, 실리콘카바이드(SiC) 개발도 적극 검토 중이다. 한편 SK키파운드리는 2024년을 성장과 변화의 본격적 추진을 위한 딥체인지의 해로 정하고 최근 조직 개편을 단행했다. 국내뿐만 아니라 미국과 중국 등 현지 영업력을 높여 고객을 확대하고, 차별화된 파운드리 공정 개발, 품질 강화 활동을 통해 고객 만족도를 높이는 것이 목표다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "사명 변경을 통해 SK 멤버사로 구성원들의 소속감을 고취하면서 더욱 강하고 빠른 회사로 거듭나겠다"며 "자동차용 전력 반도체 시장을 공략해 8인치 파운드리 시장에서의 점유율을 높여나가겠다"고 포부를 밝혔다.

2024.01.03 09:29장경윤

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