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'GAA'통합검색 결과 입니다. (20건)

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LG전자, 인공위성 기반 차세대 차량 음성통신 솔루션 첫 시연

LG전자는 현지시간 15일 프랑스 파리에서 진행 중인 5GAA 제34차 총회에서 운전자 안전을 획기적으로 혁신할 인공위성 기반의 차세대 음성통신 솔루션을 최초 시연했다고 16일 밝혔다. 인공위성 등 대기권 밖에서 운영되는 비지상 통신망(NTN)을 이용해 차량 내에서 대화 수준의 음성통신을 구현하는 차세대 솔루션이다. 짧은 음성전송 이상의 쌍방향 커뮤니케이션이 가능한 정도로 음성통신을 선보인 것은 LG전자가 처음이다. NTN 기반 통신은 사막·산악 지대 등 네트워크 연결이 원활하지 않은 지역에 있거나 재난·자연재해로 인프라가 마비된 상황에도 비지상 통신망을 통한 연결을 가능하게 해 운전자 안전을 위한 핵심 기술 중 하나로 꼽힌다. LG전자는 기존 NTN 기반 통신기술에 인공지능(AI) 음성처리 기술을 더해 음성 메시지의 크기를 대폭 감축, 현재는 전송 시 필요한 데이터 용량 문제로 긴급 문자 메시지에만 제한적으로 활용되는 위성통신 서비스 영역을 음성으로 확장할 수 있는 차세대 솔루션을 내놨다. 이를 통해 음성 메시지 전송 속도는 10배 이상 빨라진다. 단순한 음성 메시지 송수신을 넘어 대화를 주고받는 것까지 가능한 수준이다. 위기에 처한 탑승자가 차량 내부 화면의 긴급통화 버튼만 누르면 문자 입력 등 추가 조작 없이도 음성만으로 위성통신이 가능한 장비를 갖춘 구조센터 등에 메시지를 보내고 상황을 설명할 수 있다. LG전자는 실시간으로 차량의 위치와 정보를 파악해 네트워크 환경 변화에도 적절한 통신망을 연결해주는 소프트웨어 플랫폼도 구축했다. 지상 통신망이 연결되지 않는 곳에 진입하면 자동으로 비지상 통신망에 연결되는 식이다. LG전자는 이번 5GAA 총회에서 차세대 음성통신 기술이 적용된 자동차로 파리 시내를 주행하며 네트워크 환경 전환에도 끊김 없는 음성통신 서비스를 최초로 시연했다. 관람객들은 비지상 통신망을 통해 보낸 음성 메시지를 지상 통신망이 연결된 구역에서 확인하는 등 LG전자의 혁신 기술이 구현한 커넥티드 모빌리티를 체험했다. LG전자는 텔레매틱스, V2X, IV 시스템 커넥티비티 등 SDV 전환의 핵심인 커넥티드 기술 분야를 선도하고 있다. 2003년 텔레매틱스 시장에 본격 진출한 이후 세계 최초로 보안 안정성에 대한 국제공통평가기준(CC) 인증을 획득한 V2X 등으로 글로벌 완성차 업체의 신뢰받는 파트너로 자리매김했다. 시장조사업체 스트레티지 애널리틱스의 발표를 토대로 한 자체 추정치에 따르면 LG전자는 텔레매틱스 시장에서 글로벌 1위를 지키고 있다. 5G 기술 기반의 자율주행차, 커넥티드 카 등 미래 자동차를 연구하고 상용화하기 위해 2016년 설립된 글로벌 차량통신 연합체 5GAA에도 초기부터 회원사로 함께하며 미래 모빌리티 핵심 기술을 선보이고 있다. 5GAA에는 주요 완성차 업체, 전장부품사, 통신사업자, 칩셋 및 통신 장비 제조사 등 110개 이상 기업이 참여한다. 이상용 LG전자 VS사업본부 VS연구소장 부사장은 "상황과 장소의 제약 없는 자동차 연결성을 위한 차세대 음성통신 기술을 통해 커넥티드 모빌리티의 혁신을 앞당길 것"이라고 말했다.

2025.05.16 10:03신영빈

삼성·인텔 지붕 쳐다보나...TSMC "2028년 1.4나노 공정 양산"

대만 주요 파운드리 TSMC가 1.4나노미터(nm)급 공정을 오는 2028년 양산 개시할 계획이다. 삼성전자·인텔 등 경쟁사들과의 기술 격차를 유지하기 위한 초미세 공정 개발에 속도를 내려는 전략으로 풀이된다. TSMC는 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 '2025 북미 테크 컨퍼런스'를 열고 회사의 차세대 기술 로드맵을 공개했다. 이날 TSMC는 A14(1.4나노) 공정을 공개하면서 "오는 2028년 양산될 것으로 예상한다"고 밝혔다. 1.4나노는 초미세 공정의 영역으로, 주요 파운드리 기업들은 올해 하반기부터 2나노급 공정 양산에 돌입한다. 또한 후면전력공급(BSPDN)을 적용한 A14 공정은 2029년 출시할 예정이다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. A14은 2나노 공정인 N2 대비 성능은 최대 15% 향상되며, 전력 소모량은 30% 저감할 수 있다. 칩의 집적도는 최소 1.2배 높아진다. 세부적으로 A14에는 TSMC의 2세대 GAA(게이트-올-어라운드) 나노시트 트랜지스터가 적용된다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다.

2025.04.24 09:58장경윤

램리서치, 첨단 식각 장비 '아카라' 공개…"D램·파운드리서 채택"

램리서치는 가장 진보된 컨덕터 식각 장비인 '아카라'(Akara)를 발표했다고 11일 밝혔다. 아카라는 획기적인 플라즈마 처리 기술을 기반으로 3D 칩 제조에 필수적인 식각 정밀도와 성능을 구현함으로써 반도체 제조사들이 직면한 확장성 문제를 극복할 수 있도록 지원한다. 아카라는 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터와 6F2 D램 및 3D 낸드를 비롯한 차세대 반도체 소자의 확장을 지원한다. 4F2 D램, CFET, 3D D램 등 보다 진보된 기술에도 적용될 예정이다. 이러한 차세대 소자들은 복잡한 3D 구조를 필요로 하며, 극자외선(EUV) 리소그래피 패터닝과 초미세 식각 공정이 필수적이다. 특히 고종횡비(high aspect ratio) 구조의 미세 패턴을 구현하기 위해 옹스트롬 단위의 정밀한 식각 제어가 요구된다. 아카라는 이를 위한 독자적인 식각 솔루션을 보유하고 있다. 다이렉트드라이브(DirectDrive)는 업계 최초의 고체 상태 플라즈마 소스로, 기존 플라즈마 소스 대비 100배 더 빠른 반응 속도로 구현해 EUV 패터닝 결함 발생을 줄인다. TEMPO 플라즈마 펄싱은 플라즈마 종을 정밀 제어해 향상된 식각 선택성과 마이크로 로딩 성능을 제공한다. SNAP은 최첨단 이온 에너지 제어 시스템으로 원자 단위의 정밀한 식각 프로파일을 형성한다. 아카라는 최고 수준의 생산성과 공정 수율을 고려해 설계됐다. 밀리초(ms) 단위의 빠른 응답 속도를 통해 웨이퍼 생산량을 극대화하고, 정밀한 식각 균일성 제어를 통해 웨이퍼 간 반복성을 보장한다. 또한 램리서치의 '센스아이(Sense.i)' 플랫폼과 통합된 'Equipment Intelligence' 기반의 자동화 솔루션을 지원함으로써 장비 유지 관리 비용을 절감한다. 이를 통해 칩 제조업체는 생산 장비의 운영 효율을 극대화할 수 있다. 미위제 TSMC 수석 부사장 겸 공동 최고운영책임자(COO)는 “반도체 수요가 지속적으로 증가함에 따라, 더 강력하고 새로운 반도체 소자를 개발하기 위해 파트너사들의 혁신적인 기술적 해결책이 필요하다”며 "차세대 반도체 제조 공정에서 플라즈마 식각 기술이 핵심적인 역할을 하게 될 것”이라고 말했다. 현재 아카라는 고급 평면 D램 및 파운드리 GAA 응용 분야에서 주요 반도체 제조업체들의 장비로 채택되고 있다.

2025.03.11 10:39장경윤

40년 삼성 반도체 역사 쓴 정은승 "AI-반도체, 상호 진화…AI 적용 후 생산성 ↑"

"반도체와 인공지능(AI)은 상호진화하는 관계로, 생산성 극대화를 위해선 AI가 필수적입니다. 반도체가 어떻게 진화하느냐에 따라 AI가 진화될 것이고, AI가 요구하는 방향에 따라 반도체가 진화할 것입니다." 정은승 삼성전자 DS(반도체) 부문 상근고문이 향후 반도체가 AI 산업 발전에 맞춰 패키지와 소프트웨어(SW)가 결합된 융복합 형태로 진화해 나갈 것으로 전망했다. 이 과정에서 삼성전자가 그간 기술 변곡점을 만드는 도전을 꾸준히 해 왔던 만큼, 향후에도 AI 기술 발전에 맞춰 반도체 시장을 이끌어 갈 수 있을 것이라고 자신했다. 정 고문은 13일 오후 2시 서울시 중구 앰배서더 풀만 호텔에서 진행된 'AI의 도전과 인간지성 대응 세미나'에 강연자로 참여해 이처럼 강조했다. 정 고문은 1985년 삼성전자 반도체연구소에 입사해 40년 동안 반도체 분야에서 일한 전문가다. 삼성전자 반도체연구소장과 파운드리사업부 사업부장, DS부문 최고기술책임자(CTO)를 거치며 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 이날 '인공지능 어디까지 갈 것인가'를 주제로 발표한 정 고문은 'AI 칩' 시장 강자로 떠오른 엔비디아를 사례로 들며 AI가 ▲AI 컴퓨터 ▲로봇 ▲자율주행 등과 접목해 더 빠르게 진화할 것으로 예측했다. 또 엔비디아의 최신 AI 칩인 '블랙웰'을 소개한 후 AI가 버추얼에서 피지컬 시대로 접어 든 만큼 반도체도 이에 맞춰 진화할 것으로 전망했다. 정 고문은 "반도체는 AI 시대에 맞춰 앞으로 에코 시스템을 만들어 가야 한다"며 "패블리스(주문생산반도체)는 아키텍처 및 설계를, 반도체 제조사는 웨이퍼 가공, 패키징, 테스트로 이어지는 일련의 과정을 나눠 수행해야 할 것"이라고 말했다. 이어 "더블데이터레이트(DDR)는 고대역폭메모리(HBM)로 전환되고, 공정은 GPU(그래픽처리장치)의 발전에 맞춰 핀펫(FinFET, 4나노 이상), GAA(Gate-All-Around, 3나노 이하) 등으로 진화될 것"이라며 "이에 맞춰 이종 집적으로 고성능, 고용량, 저전력, 소형화를 구현한 어드밴스드 패키지(Adv PKG)가 결합되면서 고객이 원하는 가치를 구현할 수 있어야 한다"고 강조했다. 이날 정 고문은 삼성전자가 이미 AI를 반도체 생산 과정에 도입해 생산성을 높이고 있다고도 설명했다. 공장 1개를 건설할 경우 30조~40조원이 투입되는 반도체 산업에서 개발 제품을 완벽하게 양산하고 생산 효율을 극대화하기 위해선 AI가 필수라고 강조했다. 정 고문은 "칩 복잡도 증가에 따라 반도체 설계 및 생산 설비 신축 비용은 크게 증가한다"며 "반도체 수율은 파티클(미세이물질) 개수에 반비례하고, 수익에 영향을 준다는 점에서 철저한 관리가 필요하다"고 말했다. 이어 "파티클이나 잘못된 공정조건의 원인을 찾는 방법으로 그동안 학습을 통해 패턴을 찾거나, 빅데이터를 활용하는 수준에서 AI의 등장 이후 진화하기 시작했다"며 "삼성전자도 최근 빅데이터 등으로도 해결이 안된다고 보고 AI를 도입했다"고 설명했다. 정 고문에 따르면 삼성전자는 설비, 계측, 생산, EDS 테스트(완성 칩 양·불량 테스트 데이터) 등 대부분의 반도체 공정에 AI를 적용시켰다. 센서, 계측, 설비 로그, 보관기간 증가 등에 따른 생산 라인이 2배 증가할 때 반도체 데이터가 10배씩 증가하자, 이를 감당하기 어려워진 탓이다. 이에 삼성전자는 3~6개월가량 소요되는 1천 개 이상의 생산 과정에 'AI 모니터링 모델'을 도입해 품질 이슈 조기 탐지로 운영 비용 절감 및 열화 웨이퍼 수량을 최소화 할 수 있었다. 또 이전 데이터로 AI 모델을 훈련, 개선시켜 공정 최적화도 실현시켰다. 정 고문은 "제조 공정의 디지털 트윈 구축을 통해 수율 예측, 불량 원인을 확인하는 데도 AI를 적용하고 있다"며 "그 결과 개발 사이클 및 수율 램프업(가동률 향상) 가속화를 이룰 수 있었다"고 밝혔다. 그러면서 "AI의 발전은 인간의 두뇌를 모방한 반도체 없이는 불가능하다"며 "그동안 사업·기술 변곡점에 편승하는 것이 아닌 변곡점을 만들어 가며 진화하는 반도체를 선보인 삼성전자가 4차 산업 혁명 속에 필요한 메모리, 시스템 LSI, 파운드리, 패키지를 한 곳에서 만드는 종합 반도체 회사로 발전해 왔던 만큼 향후 시장을 이끌 수 있을 것"이라고 덧붙였다. 또 그는 "반도체가 HBM을 개발하지 못했다면 AI도 현재의 모습으로 발전할 수 없었을 것"이라면서도 "미국, 중국 등이 적극적으로 AI 시장에서 경쟁을 벌이는 상황에서 국내 반도체 산업이 더 발전하기 위해선 정부의 적극적인 지원이 반드시 필요하다"고 강조했다.

2025.02.13 18:06장유미

삼성전자, "올해 2나노 1세대 공정 양산…2세대는 내년"

삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 2나노미터(nm) 파운드리 공정 제품의 양산을 추진하겠다고 밝혔다. 2나노 공정은 반도체 올해 본격적인 상용화를 앞둔 최첨단 파운드리 공정이다. 삼성전자는 모바일 및 HPC(고성능컴퓨팅) 응용처에 최적화된 2나노 공정을 개발해 왔다. 2나노 1세대 공정은 성숙도 개선을 기반으로 지난해 상반기 1.0 버전의 PDK(프로세스 설계 키트)를 배포했다. PDK는 파운드리의 고객사인 팹리스가 반도체 설계에 필요한 정보 전반을 담은 소프트웨어다. 또한 삼성전자는 성능을 개선한 2나노 2세대 공정의 1.0 버전 PDK도 올 상반기 고객사에 배포할 예정이다. 해당 공정의 양산 목표 시기는 2026년이다. 삼성전자는 "현재 주요 고객사와 제품 PPA(성능·전력·면적) 평가 및 MPW(멀티프로젝트웨이퍼)를 진행 중으로, 일부 고객사의 경우 제품 수준의 설계를 시작했다"며 "모바일, HPC, 오토 등 다양한 응용처의 티어 1 고객과 수주를 논의 중"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "당사의 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 경쟁력을 기반으로 차별화된 어드벤스 패키지 기술과 관련 요소 기술로 확대 추진 중"이라고도 밝혔다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 기존 핀펫(FinFET)과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성을 높인 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 이를 3나노 공정에 선제 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC는 2나노부터 GAA를 적용하기로 했다.

2025.01.31 12:31장경윤

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

한진만 삼성 파운드리 사장 "2나노 수율 획기적 개선해야"

삼성전자 파운드리 신임 사업부장인 한진만 사장이 파운드리 경쟁력 회복에 대한 강한 의지를 드러냈다. 9일 업계에 따르면 한 사장은 이날 오전 임직원에게 첫 메시지를 보내 2나노미터(nm) 공정 수율 개선 등의 과제를 제시했다. 그는 "삼성전자는 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 전환을 가장 먼저 이뤄냈으나 사업화에 있어서 아직 부족함이 많다"며 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다"고 밝혔다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 전력 효율성을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 GAA를 업계 최초로 자사 파운드리 공정에 도입해, 지난 2022년 3나노 공정에서부터 양산에 나선 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC의 경우 2나노에 GAA를 적용할 계획이다. 다만 삼성전자의 3나노 공정은 엔비디아, 퀄컴 등 해외 주요 팹리스 고객사의 선택을 받지 못했다. 선제적 기술 도입에 따른 불안정한 성능, 수율 등이 주요 문제로 지적된다. 이와 관련 한 사장은 "공정 수율의 획기적 개선만이 아니라 PPA(전력, 성능, 면적) 향상을 위해 모든 방안을 찾아내야 한다"고 강조했다. 성숙 공정에서의 고객사 확보에 대해서도 언급했다. 성숙 공정은 통상 28나노 이상의 공정을 뜻한다. 최첨단 공정에 비해 수익성은 낮지만, 다양한 산업 분야에서 수요가 있어 중요도가 낮지 않다. 한 사장은 "타 기업에 비해 기술력이 뒤처지는 것을 인정해야 하지만, 언젠가는 극복할 수 있을 것"이라며 "단기간 따라잡을 수는 없겠으나, 현장에서 영업 및 기술을 지원하는 분들이 자신있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아가자"고 말했다. 한 사장은 또 "가까운 미래에 우리 사업부가 삼성전자의 중요한 사업부로 성장하리라 확신한다"며 "사업부 리더들은 임직원들이 불필요한 보고와 보고서 작성에 귀중한 시간을 허비하지 않도록 신경써줄 것을 부탁한다. 엔지니어들이 실험과 생각하는 데 많은 시간을 사용할 수 있게 해달라"고 덧붙였다. 한편 삼성전자는 지난달 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 바 있다.

2024.12.09 15:02장경윤

삼성 파운드리, 美 팹리스 공략 시동…현지서 첫 '커넥트' 행사

삼성전자 파운드리 사업부와 핵심 파트너사들이 최근 미국에서 현지 고객사와의 접점을 확대하기 위한 행사를 진행한 것으로 확인됐다. 삼성전자가 이 같은 행사를 진행한 것은 이번이 처음이다. 첨단 파운드리 사업 확장에 난항을 겪는 가운데, 잠재 고객사가 밀집한 미국 시장 공략을 가속화하기 위한 전략으로 풀이된다. 실제로 삼성전자는 지난달 인사를 통해 미국 사업을 총괄하던 한진만 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시킨 바 있다. 6일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 이번 주 미국에서 'DSP(디자인솔루션파트너) 커넥트' 행사를 진행했다. DSP는 삼성전자의 공식 파트너 디자인하우스 기업을 뜻한다. 디자인하우스는 파운드리와 파운드리의 고객사인 팹리스 사이에서 반도체 설계, 공정 최적화 등을 돕는 역할을 맡고 있다. 미국 산호세에 위치한 삼성 파운드리 미국법인에서 개최된 이번 DSP 커넥트는 삼성 파운드리의 잠재 고객사와 DSP간 접점을 확대하기 위해 마련됐다. 삼성 파운드리를 비롯해 가온칩스, 에이디테크놀로지, 세미파이브, 코아시아세미 등 국내 디자인하우스 주요 인사들이 대거 참여한 것으로 알려졌다. 각 DSP는 프레젠테이션 발표 및 행사장 내 부스를 통해 현지 팹리스와 접촉했다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 미국 파운드리 사업을 본격적으로 추진하기 위해 이번 행사를 처음 기획한 것으로 알고 있다"며 "미국 팹리스 시장 규모가 크고, 삼성전자도 현지에 파운드리 공장을 건설하고 있는 만큼 삼성 측에서도 행사에 상당히 힘을 준 분위기"라고 설명했다. 이와 관련 삼성전자는 지난달 말 2025년 정기 사장단 인사에서도 파운드리 사업 강화를 위한 인적 쇄신을 단행한 바 있다. 삼성전자는 이번 인사에서 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 지난 2022년 말부터 DSA총괄 자리에 올라 현지 고객사와의 파트너십 확대, R&D 센터 설립 등을 주도해 왔다. 또한 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정하는 등 기술력 보강에도 만전을 기하고 있다. 남 사장은 메모리 사업부에서 제품 수율을 올리는 데 가장 핵심적인 역할을 해 온 것으로 알려져 있다. 현재 삼성전자는 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 대비 2.2%p 하락했다. 매출액도 전분기 38억3천300만 달러(한화 약 5조4천억원)에서 3분기 33억5천700만 달러(한화 약 4조7천억원)로 줄었다. 당초 예상보다 4나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에서 고객사 확보가 부족했고, 2세대 3나노 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 모바일 AP(어플리케이션 프로세서)인 '엑시노스 2500' 양산도 수율 문제로 차질을 겪은 것이 주된 영향으로 풀이된다. 미국 테일러시에 건설 중인 파운드리 팹도 설비투자 계획이 지속 연기되는 추세다.

2024.12.06 10:51장경윤

LG전자, 獨서 자체 개발 'V2X 교통안전 솔루션' 시연

LG전자가 미래형 솔루션인 하이브리드(Hybrid) V2X 시장' 진출에 박차를 가한다. LG전자가 독일 베를린에서 지난 21일(현지시간)부터 나흘간 진행된 '5GAA(5G Automotive Association)' 회의에 참가해 미래 모빌리티의 핵심 기술 중 하나인 '소프트 V2X(Soft V2X)' 등 교통안전 통합 솔루션을 선보였다. V2X(차량·사물간 통신, Vehicle to Everything) 기술을 활용한 소프트 V2X는 클라우드 기반 서비스로, LG전자가 독자 개발한 5G V2X 교통안전 솔루션이다. 보행자 및 차량의 위치, 방향, 속도 등의 데이터를 익명화해 수집하고 이 데이터를 차량과 보행자 간 상호 공유 및 분석해 위험이 예측되는 사용자에게 실시간으로 위험 가능성을 알려준다. 5GAA는 글로벌 차량통신 연합체로 LG전자를 포함해 ▲메르세데스-벤츠, BMW, GM 등 완성차업체 ▲보다폰과 도이치텔레콤 등 통신사 ▲콤시그니아 등 V2X 기업 ▲보쉬와 콘티넨탈, 덴소 등 자동차 부품업체가 참여하고 있다. 소프트 V2X는 도로에 설치된 스마트 RSU(노변기지국, Road Side Unit)와 연동해 인근 도로상황이나 교통신호 등 안전 운행에 필요한 교통안전 정보를 제공한다. 뿐만 아니라 임베디드 소프트웨어를 활용하면 자율주행차량 및 배송로봇 등 미래 모빌리티에도 탑재가 가능하다. LG전자는 2016년 설립한 5GAA에 창립 멤버로 참여해 글로벌 기업과 자율주행 및 교통안전 기반 기술 개발을 위한 협력을 지속하고 있다. 회의 기간 중에는 우수한 LG전자의 V2X 기술을 글로벌 기업 및 전문가를 대상으로 선보여 리더십을 구축하고 있다. LG전자는 이번 회의 기간 중 베를린 시내 도로에서 소프트 V2X를 활용한 교통안전 통합 솔루션을 시연했으며, 회의 참석자와 전문가들은 직접 이 솔루션을 체험했다. 체험객들은 실제 환경에서 일반인들을 대상으로 제공되는 LG전자의 우수한 교통안전 통합 솔루션의 효과와 완성도를 크게 호평했다. 베를린 내 5.6km 길이의 도로를 오가는 차량과 셔틀버스에 탄 탑승객들은 다양한 LG전자의 V2X 기술을 체험했다. 주행 중인 차량이 신호등 없는 횡단보도를 지날 때 보행자나 자전거가 빠른 속도로 다가오면 교차로에 설치된 스마트 RSU나 Soft V2X 앱 단말로 정보를 수집·분석하고, 이를 소프트 2X 솔루션으로 운전자와 보행자에게 빠르게 알려 감속 등 사고 회피를 유도한다. 도로 내에 작업자가 있는 상황, 응급 차량이 다가오는 상황에서도 차량 운전자가 속도를 줄이거나 방향을 전환할 수 있도록 실시간 알림을 제공한다. 이번에 선보인 LG전자의 교통안전 통합 솔루션은 유럽에서 주로 활용하는 ETSI(유럽전기통신표준협회, European Telecommunications Standards Institute) V2X 표준에 호환되는 기술을 적용한 점이 특징이다. 앞서 LG전자는 지난해 10월 미국 디트로이트에서 열린 5GAA 회의에서 북미 지역에서 주로 사용하는 SAE(미국자동차기술자협회, Society of Automotive Engineers) V2X 표준을 적용한 Soft V2X 솔루션을 선보인 바 있다. 이와 함께 LG전자는 5GAA 회원사와 완성차업체 관계자 및 전문가 등과 네트워크를 강화하는 활동을 진행했다. LG전자 CTO부문 C&M표준연구소 김학성 연구위원이 'V2X의 진화를 위해 나아가야 할 단계(Steps Forward for V2X Evolution)'를 주제로 발표하며 현재 진행 중인 실증 사업의 성과를 기반으로 향후 V2X 기술의 궁극적인 진화 방향성을 제시했다. LG전자는 국내에서도 실증 사업을 시작했다. 서울시 강서구 소재 초등학교 및 유치원 주변 어린이보호구역 3곳과 강원도 강릉시 성산면 일대, 세종시 나성동 소재 초·중학교 및 유치원 주변 어린이 보호구역에서 지역별로 특화된 실증 사업을 진행하고 있다. 최근에는 인천 송도에서도 민-관 협력 체험형 서비스 실증 사업도 추진했다. 한편 LG전자는 소프트 V2X 핵심 기술인 소프트 V2X 및 스마트 RSU 기술을 고도화하고 미래형 솔루션인 하이브리드(Hybrid) V2X 시장을 선도한다는 계획이다. 하이브리드 V2X는 단거리 전용통신망과 원거리 이동통신망을 통합해 운영하는 기술로, 서비스 접근성과 기술의 효용성을 높인 차세대 V2X 솔루션이다. LG전자 CTO부문 제영호 C&M표준연구소장은 “Soft V2X를 포함해 교통안전 및 자율주행 관련 솔루션을 지속 연구·개발해 글로벌 시장을 이끄는 리더십을 확보해 나가겠다”고 말했다.

2024.10.27 10:04이나리

TSMC '1.6나노' 공정, 애플 이어 오픈AI도 선제 주문

대만 주요 파운드리 TSMC의 최선단 공정인 'A16' 공정이 애플, 오픈AI 등 주요 기업들로부터 수주했다고 대만 연합보 등이 지난 2일 보도했다. A는 옹스트롬으로, 원자 수준인 0.1나노미터(nm)를 뜻한다. A16은 1.6나노 공정에 해당한다. TSMC는 오는 2026년 하반기 A16 공정을 양산하는 것을 목표로 두고 있다. 연합보는 "애플이 TSMC의 A16 공정의 1차 물량을 예약했고, 오픈AI도 자체 개발 칩의 장기적 수요를 고려해 A16 공정을 예약했다"며 "AI칩이 TSMC의 주문 가시성을 높이는 중요한 요인이 되고 있다"고 밝혔다. 오픈AI는 AI 챗봇인 '챗GPT'의 개발사로, 브로드컴·마벨 등 미국 기업과 협력해 자체 주문형반도체(ASIC)를 개발해 왔다. 또한 TSMC 등과 전용 웨이퍼 공장 구축을 논의하기도 했으나, 이 같은 계획은 보류하기로 했다. 한편 TSMC의 A16 공정은 선폭 미세화 외에도 GAAFET(게이트-올-어라운드), BSPDN(후면전력공급) 등 첨단 기술이 적용된다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. BSPDN은 기존 웨이퍼 전면에 배치하던 전류 배선층을 후면으로 보내, 전력 공급의 효율성을 높이고 신호간 간섭을 줄이는 기술이다.

2024.09.03 08:25장경윤

베일 벗은 삼성 '엑시노스 W1000'…3나노·빅-리틀 구조가 핵심 무기

삼성전자가 최신 스마트워치에 탑재될 웨어러블 AP(애플리케이션 프로세서) 엑시노스 W1000을 공식 행사에서 처음으로 언급했다. 해당 칩은 3나노미터(nm) 공정과 '빅-리틀'이라는 새로운 아키텍처를 적용한 것이 특징이다. 삼성전자는 10일(현지시간) 프랑스 파리에서 '갤럭시 언팩' 행사를 열고 최신형 스마트워치인 '갤럭시 워치7·워치 울트라'를 공개했다. '갤럭시 워치7'은 갤럭시 워치 시리즈 중 최초로 '최종당화산물(AGEs) 지표)' 측정을 제공하는 것이 특징이다. 갤럭시 워치 라인업에 새롭게 추가된 '갤럭시 워치 울트라'의 경우 티타늄 프레임 적용, 10ATM 방수 기능, 절전 모드서 최대 100시간 사용 등 성능을 극대화했다. 두 개의 워치 제품은 모두 삼성전자가 자체 개발한 최첨단 웨어러블 AP 엑시노스 W1000을 탑재하고 있다. 엑시노스 W1000의 적용처가 공개된 것은 이번 행사가 처음이다. 엑시노스 W1000은 삼성전자의 GAA(게이트-올-어라운드) 기술이 적용된 2세대 3나노(SF3) 공정을 기반으로 한다. GAA는 전류가 흐르는 채널 4개면을 게이트(Gate)가 둘러 싼 트랜지스터 구조다. 채널 3개면을 감싸던 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 성능 및 효율성이 높다. 이날 발표를 진행한 톰 쿨리모어 삼성전자 제품 및 영업 담당은 "두 워치 제품의 뛰어난 성능은 하드웨어와 소프트웨어의 강력한 최적화를 통해 이뤄졌다"며 "3나노 공정과 '빅-리틀(Big-Little)' 아키텍처를 통해 CPU 성능이 이전 세대 대비 3배 빨라졌다"고 강조했다. 아키텍처는 반도체의 하드웨어와 소프트웨어간의 구동 방식을 표준화한 일종의 설계도다. 빅-리틀 구조는 삼성전자의 웨어러블 프로세서에는 처음 적용된 구조다. 고성능 작업은 빅코어를 통해, 그렇지 않은 작업은 리틀코어를 통해 분산 작업하는 기술을 뜻한다. 엑시노스 W1000의 경우 Arm 코어텍스-A78 칩 1개를 빅코어로 두고 있다. 리틀코어인 Arm 코어텍스-A55는 전작 대비 2배 늘린 4개를 집적했다. 삼성전자는 "이를 통해 전작 대비 싱글코어는 3.4배, 멀티코어는 3.7배 높은 성능을 제공한다"고 설명했다. 한편 엑시노스 W1000에는 첨단 패키징 기술인 FO-PLP(팬아웃-패널레벨패키징)도 적용됐다. FO-PLP는 기존 웨이퍼보다 넓은 사각형 패널을 사용해 생산성을 높일 수 있다. 또한 PMIC(전력관리반도체)와 메모리를 결합해 칩 크기를 줄이는 ePOP(임베디드 패키지 온 패키지)도 적용됐다.

2024.07.11 09:44장경윤

삼성전자, '엑시노스 2500' 수율 개선 총력…하반기 '갤S25' 명운 갈린다

삼성전자가 내년 출시할 갤럭시S25 시리즈용 모바일 AP(어플리케이션 프로세서) 개발에 총력을 기울이고 있다. 연말 본격적인 양산 여부를 결정하기 위해 수율 개선을 위한 방안 마련에 분주한 것으로 알려졌다. 20일 업계에 따르면 삼성전자 시스템LSI사업부는 올 하반기까지 엑시노스 2500의 수율 향상에 주력할 계획이다. 엑시노스 2500은 삼성전자가 개발 중인 차세대 모바일 AP다. 모바일 AP는 스마트폰의 성능을 좌우하는 핵심 칩셋으로, CPU와 GPU 등이 집적된 SoC(시스템온칩)다. 삼성전자는 엑시노스 2500을 삼성 파운드리 2세대 3나노 공정(SF3) 기반으로 개발해 왔다. SF3는 삼성전자가 업계 최초로 상용화한 GAA(게이트-올-어라운드)를 기반으로 한다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 삼성전자는 이 같은 장점을 무기로, 엑시노스 2500을 내년 출시할 신규 플래그십 스마트폰 갤럭시S25 시리즈에 탑재하기 위한 개발을 지속해 왔다. 프로젝트명은 '솔로몬'이다. 동시에 올해 출시되는 갤럭시 워치7용 칩셋인 엑시노스 W1000(프로젝트명 사파이어)도 개발해 왔다. 다만 삼성전자의 엑시노스 2500 개발은 그간 순탄치 않았다는 게 업계 전언이다. 실제로 엑시노스 2500의 수율은 올 1분기까지 한 자릿 수에 머물러, 2월까지 엔지니어링 샘플(ES)를 공급하는 초기 프로젝트가 연기된 바 있다. 이후 삼성전자는 엑시노스 2500의 수율 향상에 집중해, 2분기 기준 엑시노스 2500의 수율을 20%에 조금 못 미치는 수준까지 끌어올린 것으로 파악됐다. 다만 여전히 양산에 이르기에는 모자란 수치로, 통상 수율을 60% 이상으로 높여야 양산에 무리가 없다. 때문에 일각에서는 엑시노스 2500이 갤럭시S25에 탑재되지 않을 것이라는 주장도 제기됐다. 궈밍치 대만 TF인터내셔널증권 연구원은 최근 SNS를 통해 "예상보다 낮은 엑시노스 2500의 수율로 퀄컴이 갤럭시 S25 시리즈의 유일한 모바일 AP 공급처가 될 수 있다"고 언급했다. 다만 엑시노스 2500의 갤럭시S25 탑재 여부를 확정하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자가 목표로 하는 엑시노스 2500의 양산 시점은 올해 말부터다. 이를 고려하면 삼성전자는 오는 9~10월 경까지 수율을 개선할 수 있는 기간이 남아있기 때문이다. 업계 관계자는 "칩 개발을 맡은 삼성전자 시스템LSI사업부도 현재 상황이 녹록지 않다는 점을 인지하고 수율 개선에 총력을 기울이고 있는 것으로 안다"며 "갤럭시S23에서 엑시노스 칩이 탑재되지 않은 전례가 있었던 만큼, 실수를 되풀이하지 않고자 다양한 방안을 강구 중"이라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "엑시노스 2500의 개발 성숙도에 따라 지역에 따른 선별 탑재 등이 정해질 것으로 전망된다"며 "MX사업부와의 논의가 가장 큰 변수로, 하반기까지는 상황을 지켜봐야한다"고 밝혔다.

2024.06.21 11:23장경윤

美, 中에 'GAA·HBM' 등 AI반도체 기술 수출 규제 논의

미국 정부가 최첨단 반도체 기술인 GAA(게이트-올-어라운드)에 대한 중국의 접근을 막는 추가 조치를 고려하고 있다고 블룸버그통신이 11일 보도했다. 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "미국 상무부 산업보안국(BIS)이 최근 GAA 기술과 관련된 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술 자문위원회에 보냈다"며 "다만 규제는 아직 확정된 사안이 아니고, 업계 관계자들은 초안의 규제가 지나치게 광범위하다고 비판했다"고 설명했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 현재 GAA는 최첨단 파운드리 공정을 중심으로 상용화가 진행되고 있다. 대표적으로 삼성전자가 지난 2022년 6월 세계 최초로 GAA 공정 기반의 3나노미터(nm) 칩 양산을 시작한 바 있다. 주요 파운드리 TSMC도 내년 양산 예정인 2나노 공정에 GAA를 첫 적용하기로 했다. 미국의 GAA 관련 규제 논의는 중국의 인공지능(AI) 산업 발전을 견제하기 위한 수단으로 풀이된다. 엔비디아와 AMD, 인텔 등 주요 반도체 기업들은 향후 GAA를 적용한 AI 반도체를 양산할 계획이다. 블룸버그통신은 "미국의 목표는 중국이 AI 모델을 구축하고 운영하는 데 필요한 정교한 컴퓨팅 시스템을 조립하는 것을 더 어렵게 만드는 것"이라며 "기술이 상용화 초기에 이른 지금, 중국의 굴기를 사전에 차단하려고 하고 있다"고 밝혔다. GAA 만큼 진전된 것은 아니지만, HBM(고대역폭메모리)의 중국향 수출을 제한하는 방안도 초기 단계에서 논의되고 있는 것으로 알려졌다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 빠르게 수요가 증가하는 추세로, 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 소수의 기업만이 양산에 성공했다.

2024.06.12 10:06장경윤

삼성전자, 14나노 eMRAM 개발 완료…"8나노도 마무리 단계"

"자동차, 고성능컴퓨팅, AI 등에서 내장형 MRAM에 대한 필요성이 점점 더 높아지고 있다. 이에 삼성전자도 14나노미터(nm) 공정 개발을 완료했고, 8나노 공정도 거의 완료가 된 상태다." 정기태 삼성전자 부사장은 30일 양재 엘타워에서 열린 'AI-PIM 반도체 워크샵'에서 회사의 파운드리 개발 현황에 대해 이같이 밝혔다. 이날 정 부사장은 "파운드리 기술은 트랜지스터 구조 진화나 새로운 소자, 물질을 적용하는 방식으로 발전해왔다"며 "삼성전자도 지난 2022년 첫 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 양산을 시작했고, 2세대 공정이 올해 말 나올 예정"이라고 설명했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 삼성전자는 GAA 기술을 최선단 공정인 3나노에 세계 최초로 적용했다. 또한 삼성전자는 매그네틱 기반의 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory)에 주목하고 있다. 정 부사장은 "보안에 대한 중요성이 높아지면서, 시스템반도체에도 내부에서 데이터를 저장하고 처리하는 임베디드 메모리의 필요성이 점차 높아지고 있다"며 "삼성전자도 플래시와 매그네틱(Magnetic) 두 분야를 개발하고 있다"고 밝혔다. MARM은 낸드와 같이 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 동시에, 낸드 대비 데이터 쓰기 속도가 약 1천배 빠르고 전력 소모가 낮다는 장점이 있다. 특히 미래 자동차 산업에서 수요가 증가할 것으로 전망된다. 삼성전자는 지난 2019년부터 28나노미터 공정 기반의 eMRAM을 양산해, 스마트워치용으로 공급하고 있다. 향후에는 2027년까지 14나노, 8나노, 5나노로 공정 미세화를 지속 추진할 계획이다. 정 부사장은 "14나노 공정은 개발 완료됐고, 8나노도 거의 완료가 된 상태"라며 "이를 기반으로 5나노까지 계속 기술 개발을 진행해나갈 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자는 올해 완료를 목표로 AEC-Q100(자동차 안전 규격) 그레이드(Grade) 1에 맞춰 핀펫(FinFET) 공정 기반 14나노 eMRAM을 개발하겠다고 밝힌 바 있다. 이를 고려하면 해당 로드맵을 순탄하게 진행 중인 것으로 관측된다. 정 부사장은 "eMRAM의 주요 기술 개발 방향 중 하나는 온도에 대한 동작 신뢰성을 높이는 것"이라며 "첫 제품은 85도였으나, 현재 개발된 제품은 150~160도까지 대응이 가능해 자동차에도 들어갈 수 있는 정도가 됐다"고 덧붙였다.

2024.05.30 13:25장경윤

삼성전자, 美서 3·4나노 고객사 'AMD·그로크' 알린다

삼성전자가 내달 파운드리 포럼에서 고객사 AMD, 그로크(Groq)와 협업을 소개하며 첨단 공정 기술력을 알린다. 이들 업체는 삼성전자 3나노, 4나노(nm) 공정에서 칩을 생산하는 주요 고객사다. 삼성전자는 내달 12일, 13일 양일간 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼(SFF) 2024'와 'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼'을 개최한다. 삼성 파운드리 포럼은 고객사를 대상으로 최신 반도체 공정 기술과 향후 로드맵을 소개하는 연례 행사다. 또 파트너사와 고객사도 참석해 삼성전자와 협업을 소개할 예정이다. 특히 이번 포럼에는 빌 은 AMD 기업담당 부사장이 연사로 참석함에 따라 삼성전자의 AMD 신규 수주 가능성에 힘이 실린다. 앞서 지난 24일 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 벨기에 안트베르펜에서 열린 'ITF World 2024 컨퍼런스' 기조연설에서 "기존 핀펫(3차원 구조) 공정 대신 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정에서 신형 반도체를 양산하겠다"고 밝힌 바 있다. 3나노 공정에서 GAA 기술을 도입한 파운드리 업체는 전 세계에서 삼성전자 파운드리가 유일하며, 경쟁사인 TSMC는 2나노 공정부터 GAA 기술을 도입할 예정이다. 이에 업계에서는 삼성전자가 3나노 공정에서 AMD를 고객으로 유치했다는 관측이 나온다. 박상욱 신영증권 연구원은 28일 "AMD가 3나노 제품을 삼성전자 파운드리에 위탁할 가능성이 높아졌다고 판단한다"고 말했다. 또 올해 포럼에는 조나단 로스 그로크 창업자이자 최고경영자(CEO)가 참석해 자사의 AI 반도체를 소개한다. 미국 AI 반도체 스타트업 그로크는 지난해 8월 삼성전자 파운드리와 4나노(SF4X) 공정 생산을 체결한 업체다. 그로크는 구글 엔지니어 출신들이 2016년 창업했다. 그로크의 차세대 AI 칩은 기존 제품 대비 최고 4배가량 전력 효율이 높고, 성능도 우수한 것으로 알려졌다. 이 칩은 올해 말 또는 내년 초 양산될 예정이다. 이 밖에 삼성전자 파트너사들도 대거 참석해 반도체 기술 협력을 알린다. 반도체 IP(설계자산) 및 EDA(설계자동화) 분야에서는 ▲르네 하스 ARM 최고경영자(CEO) ▲마이크 엘로우 지멘스디지털인더스트리소프트웨어 부사장 ▲데이비드 라좁스키 셀레스트리얼AI CEO 등이 연사로 나선다. 삼성전자에서는 최시영 파운드리 사업부장(사장)이 기조연설에 나선다. 이번 포럼은 지난 21일 반도체(DS)부문장이 전영현 부회장으로 바뀐 뒤 처음 열리는 글로벌 행사인 만큼 업계의 관심이 쏠린다.

2024.05.28 15:14이나리

삼성, 갤럭시S25용 '3나노 엑시노스 AP' 양산 임박

삼성전자가 삼성 파운드리의 3나노미터(nm) GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 사용한 엑시노스 애플리케이션 프로세서(AP) 시제품을 생산했다. 해당 칩은 곧 대량 양산에 돌입해 내년 상반기 출시되는 갤럭시S25 시리즈에 탑재될 가능성이 높다. 8일 업계에 따르면 삼성전자는 설계자동화(EDA) 협력사 시놉시스와 협업을 통해 3나노 공정으로 300MHz 속도의 고성능 모바일용 AP 설계의 생산 테이프아웃(Tape-Out·시제품 양산)을 성공적으로 마쳤다고 밝혔다. 테이프아웃은 반도체 설계의 마지막 단계다. 설계와 검증이 완료되면 파운드리로 데이터(DB)를 전송해 마스크를 제작할 수 있도록 하는 과정이다. 즉, 대량 생산에 임박했다는 의미다. 삼성 파운드리가 3나노 공정으로 고성능 모바일 칩을 생산하는 것은 이번이 처음이다. 앞서 삼성전자 파운드리는 2022년 6월 3나노 공정 양산을 시작하며 마이크로BT의 암호화폐 채굴용 칩(ASIC)을 생산한 바 있다. 시놉시스에 따르면 삼성전자는 이번 3나노 공정 모바일 AP에서 시놉시스의 EDA 소프트웨어를 사용해 칩 설계를 미세 조정하고 성능을 개선하며 수율을 최대화했다. 또 이 칩은 CPU, GPU, 시놉시스의 여러 IP 블록을 갖췄다. 홍기준 삼성전자 시스템 LSI사업부 부사장은 "시놉시스와 협력으로 최첨단 모바일 CPU 코어와 SoC 설계에서 최고의 성능, 전력 및 면적(PPA)을 달성했다"라며 "AI 기반 솔루션을 통해 가장 진보된 GAA 프로세스 기술의 PPA 목표를 성공적으로 달성할 수 있었다"고 전했다. 한편, 안드로이드 모바일 AP 시장에서 경쟁사인 퀄컴은 오는 10월 처음으로 3나노 공정을 적용한 '스냅드래곤8 4세대(가칭)'를 발표할 예정이다. 삼성전자 갤럭시S25 시리즈는 퀄컴의 스냅드래곤과 삼성의 엑시노스를 국가별로 교차해 탑재할 가능성이 관측된다.

2024.05.08 11:25이나리

AMAT, 서울 '국제 메모리 워크숍 2024'서 혁신 기술 소개

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 이달 12일부터 15일까지 서울 그랜드 워커힐 호텔에서 열리는 '국제 메모리 워크숍(IEEE IMW) 2024'에서 메모리 칩의 공정 장비 및 기술 발전에 대해 소개한다고 7일 밝혔다. IMW 2024는 IEEE 전자소자협회가 주최하는 권위 높은 메모리 기술 관련 연례 국제 학회다. 전 세계 엔지니어와 연구자들이 모여 메모리 소자 및 공정, 설계, 패키징 기술의 최신 발전을 논의한다. 올해 16회를 맞이했으며, 한국에서 두 번째로 개최된다. 어플라이드는 이번 워크숍에서 ▲게이트올어라운드(GAA) S램: Vccmin 스케일링을 위한 성능 조사 및 최적화 ▲메모리 기능을 갖춘 3D 낸드 차량에서 고속 성장률 에피택셜 성장 Si 채널의 시연 ▲자가 정류 비휘발성 터널링 시냅스: 멀티스케일 모델 증강 개발 ▲고대역폭 메모리를 위한 차세대 이기종 통합 문제를 해결할 수 있는 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 과제 등 재료 엔지니어링의 혁신을 강조하는 4건의 논문 발표를 진행한다. 또한 '메모리 애플리케이션을 위한 첨단 채널 재료' 주제의 패널 토론에도 참여한다. 어플라이드 머티어리얼즈는 10년 이상 IMW를 후원해 왔으며, 올해 행사에 프리미어 스폰서로 참여한다.

2024.05.07 10:36장경윤

삼성전자·Arm, 최첨단 파운드리 동맹 강화…'GAA' 경쟁력 높인다

성전자 파운드리 사업부가 글로벌 반도체 설계 자산(IP) 회사 Arm의 차세대 SoC(시스템온칩) 설계 자산을 자사의 최첨단 GAA(게이트-올-어라운드) 공정에 최적화한다고 21일 밝혔다. 삼성전자는 Arm과의 협력을 통해 팹리스 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화할 계획이다. 계종욱 삼성전자 파운드리 사업부 Design Platform개발실 부사장은 "Arm과의 협력 확대를 통해 양사 고객들에게 생성형 AI 시대에 걸맞은 혁신을 지원하게 됐다"며 "삼성전자와 Arm은 다년간 쌓아온 견고한 파트너십을 통해 최첨단 기술과 노하우를 축적해왔으며, 이번 설계 기술 최적화를 통해 팹리스 고객들에게 최선단 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 Cortex-CPU를 선보이겠다"고 말했다. 이번 협업은 다년간 Arm CPU IP를 삼성 파운드리의 다양한 공정에 최적화해 양산한 협력의 연장선이다. 양사간 협업으로 팹리스 고객들은 생성형 AI 시대에 걸맞는 SoC 제품 개발 과정에서 ARM의 최신형 CPU 접근이 용이해진다. 삼성전자의 최선단 GAA 공정을 기반으로 설계된 Arm의 차세대 Cortex-X CPU는 우수한 성능과 전력효율로 최고의 소비자 경험을 제공할 것으로 기대된다. 삼성전자와 Arm의 협력은 팹리스 기업에게 적기에 제품을 제공하면서도 우수한 PPA(소비전력, 성능, 면적)를 구현하는 것에 초점을 맞춘다. 양사는 이를 위해 협력 초기부터 설계와 제조 최적화를 동시에 처리하는 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 채택해 Arm의 최신 설계와 삼성전자의 GAA 공정의 PPA 개선 효과를 극대화했다. 생성형 AI는 새로운 소비자 경험을 제공하는 제품의 핵심 요소로 꼽히고 있다. 양사는 이번 파트너십으로 삼성전자의 GAA 공정을 기반으로 Arm의 차세대 Cortex-X CPU의 접근성을 극대화하고, 고객의 제품 혁신을 지원할 방침이다. 크리스 버기 Arm 클라이언트 사업부 수석 부사장 겸 총괄 매니저는 "삼성전자와의 오랜 협력관계를 통해 다년간 혁신을 지속할 수 있었다"며 "삼성 파운드리의 GAA 공정으로 Cortex-X와 Cortex-A 프로세서 최적화를 구현해 양사는 모바일 컴퓨팅의 미래를 재정립하고, AI 시대에 요구되는 성능과 효율을 제공하기 위해 혁신을 거듭할 것"이라고 말했다. 양사는 이번 협업을 계기로 다양한 영역에서 협력 확대를 위한 초석을 마련했다. 양사는 차세대 데이터센터 및 인프라 맞춤형 반도체를 위한 2나노 GAA와 미래 생성형 AI 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 획기적인 AI 칩렛 솔루션을 순차적으로 선보일 계획이다.

2024.02.21 08:46장경윤

삼성전자, 2세대 3나노 양산 임박...새로운 MBCFET 기술 공개

삼성전자가 올해 상반기 2세대 3나노미터(mn) 공정 칩 양산을 앞두고 2세대 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 기술을 내달 4일 세계 반도체 학회인 '전기전자공학자협회(IEEE EDTM) 2024'에서 발표한다. IEEE EDTM은 국제고체회로학회(ISSCC), VLSI와 함께 세계 3대 반도체 학술대회로 꼽힌다. IEEE EDTM은 2017년 일본 도야마에서 처음 시작해 1년에 한 번씩 세계 각지를 돌면서 반도체 최신 기술 동향을 발표하는 행사다. 올해 8회를 맞는 학회는 3월 3일부터 6일까지 인도 방갈루루 힐튼 호텔에서 개최된다. 지난해는 한국에서 개최된 바 있다. 삼성전자는 올해 학회에서 국내 기업으로는 유일하게 참가한다. 이상현 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 이번 학회에서 2세대 MBCFET 기술을 발표한다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 1세대 3나노 양산을 시작하면서 업계에서 처음으로 게이트올어라운드(GAA) 공정과 삼성 독자 기술인 MBCFET 구조를 적용했다. MBCFET은 4면을 채널로 하는 구조 변화를 통해 성능과 전력 효율을 핀펫(FinFET) 구조 보다 높일 수 있는 기술이다. 2세대 MBCFET은 1세대 보다 전력과 성능이 향상됐다. 앞서 삼성전자는 지난해 5월 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에 참가해 2세대 3나노 공정 스펙을 처음으로 공개한 바 있다. 당시 삼성전자는 2세대 3나노(SF3)는 1세대(SF3E) 보다 향상된 GAA 공정을 적용해 삼성전자의 이전 4나노 핀펫 공정 대비 성능이 22% 빨라지고, 전력 효율은 34% 향상됐으며, 로직 면적은 21% 더 작은 크기를 제공한다고 발표했다. 다만 1세대 3나노 공정 스펙과는 비교는 알려지지 않았다. 삼성전자는 올해 상반기 중으로 2세대 3나노 공정 양산을 개시할 계획이다. 앞서 지난 1월 말 4분기 컨퍼런스콜에서 삼성전자는 "우리는 수율 개선과 2세대 3나노 GAA 공정 최적화에 집중하고 있다"고 밝혔다. 한편, 경쟁사인 TSMC도 올해 상반기에 2세대 3나노(N3E) 공정을, 하반기에 고급 공정인 3나노(N3P)에서 칩 양산을 시작할 계획이다. 삼성전자가 3나노부터 GAA 공정을 적용했다면, TSMC는 3나노에서 핀펫(FinFET) 공정을 유지한다. TSMC는 2나노 공정부터 GAA 공정을 도입할 방침이다.

2024.02.18 10:20이나리

삼성 vs TSMC, 새해 '2세대 3나노 공정' 진검승부...수율이 관건

삼성전자와 대만 TSMC가 연내에 2세대 3나노미터(mn) 공정 양산을 시작하며 경쟁에 돌입할 예정이다. 두 회사는 2022년 1세대 3나노 공정에 이어 약 2년 만에 차세대 공정에서 칩을 생산한다는 점에서 주목된다. 2세대 3나노 공정은 성능뿐 아니라 수율 향상 여부에 따라 대형 고객사 확보에 영향을 미칠 것으로 보인다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 3나노(SF3E) 공정 양산을 시작한데 이어 올해 2세대 3나노(SF3) 공정 양산을 앞두고 있다. 앞서 삼성전자가 지난해 5월 일본 도쿄에서 개최된 글로벌 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에서 공개한 정보에 따르면 2세대 3나노 공정은 1세대(SF3E) 보다 향상된 게이트올어라운드(GAA) 공정을 적용했다. 그 결과 2세대 3나노 공정은 삼성전자의 이전 4나노 핀펫(FinFET) 공정 대비 성능이 22% 빨라지고, 전력 효율은 34% 향상됐으며, 로직 면적은 21% 더 작은 크기를 제공한다. 삼성전자는 2세대 3나노 공정에서 글로벌 서버향 업체를 고객사로 확보한 것으로 알려졌다. TSMC 또한 2022년 12월 3나노(N3) 공정 양산에 이어 올해 상반기 2세대 3나노(N3E) 공정을, 하반기에 고급 공정인 3나노(N3P)에서 칩 양산을 시작할 계획이다. TSMC에 따르면 1세대 3나노(N3) 공정이 5나노 공정(N5) 보다 성능이 10~15% 증가하고 전력소비가 25~30% 감소했다면, 2세대 3나노(N3E) 공정은 성능이 18% 증가하고 전력소비 32% 감소하며 업그레이드됐다. 또 N3P 공정은 N3E 보다 성능이 5% 향상, 전력소비가 5~10% 감소, 칩 밀도가 1.04배 증가했다. TSMC는 2세대 3나노 공정 고객사로 애플, 미디어텍, AMD, 엔비디아, 퀄컴 등을 확보한 것으로 알려져 있다. N3E 공정에서 생산되는 칩은 하반기에 출시되는 아이폰16용 모바일 프로세서(AP) 'A18 프로'가 대표적이다. 삼성 3나노부터 GAA 선제적 도입, TSMC 핀펫 유지…수율 확보 중요 3나노 공정은 삼성전자가 차세대 트랜지스터 구조인 GAA를 채택했고, TSMC는 기존 공정인 핀펫(FinFET) 구조를 유지하고 있다는 점에서 차이가 있다. GAA는 채널의 3개 면을 감싸는 기존 핀펫구조와 비교해, 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 기술로 꼽힌다. TSMC는 2나노 공정부터 GAA 구조를 적용할 계획이다. 삼성전자 파운드리 사업에 정통한 업계 관계자는 "삼성전자가 GAA를 일찍 도입한 결과 2세대 3나노 성능이 1세대 보다 안정화됐다"라며 "첨단 공정이 궁극적으로 GAA 구조로 가고 있는 만큼, 먼저 노하우를 쌓은 삼성전자가 유리할 수 있다"고 말했다. 이 관계자는 또 "삼성전자가 2세대 3나노 공정에서 수율을 높인다면, '반격'의 계기를 마련해 TSMC와 진검승부를 할 것"이라고 덧붙였다. TSMC도 2세대 3나노 공정에서 수율 확보가 절실한 상황이다. 그동안 TSMC는 수율이 70%를 넘어야 애플로부터 웨이퍼의 제값을 받아 왔는데, 1세대 3나노 공정 수율이 70%에 도달하지 못하자, 동작하는 칩(KGD·known good die)만 판매하기로 계약한 바 있다. TSMC 입장에서는 손해를 보더라도 애플과 같은 대형 고객사를 유지하는 것이 낫다고 판단했기 때문이라는 해석이다. 업계 관계자는 "작년에 TSMC가 3나노의 낮은 수율 때문에 투입된 웨이퍼 단위로 가격을 받지 않고, 양품의 칩만을 애플에 청구하는 방식으로 계약한 것은 이례적인 케이스"라며 "TSMC도 2세대 3나노 공정 수율을 높여 애플 외에 여러 고객사를 확보하는 것을 목표로 할 것이다"고 말했다. 한편, 삼성전자와 TSMC는 내년부터 2나노 공정 기반으로 칩 양산을 목표로 한다. 삼성전자는 오는 2025년 모바일 향 중심으로 2나노 공정(SF2)을 양산하고, 2026년 고성능 컴퓨팅(HPC)향 공정, 2027년 오토모티브향 공정으로 확대할 계획이다. 1.4나노 공정은 2027년 양산을 목표로 하고 있다. TSMC는 내년에 2나노 공정(N2), 2026년에는 업그레이드된 2나노 공정 N2P와 N2X를 각각 선보일 예정이다. 아울러 인텔도 가세해 올해 하반기에 인텔 20A(2나노급) 공정, 내년에 인텔 18A(1.8나노급) 공정으로 양산을 목표로 세웠다.

2024.01.03 13:09이나리

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