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"TSMC 2나노 공정 주문 급증"…2028년까지 월 20만장 생산 체제 구축

세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC가 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정의 고객사 주문이 급격히 늘어남에 따라, 오는 2028년까지 관련 생산능력을 월 웨이퍼 20만장 수준으로 확대할 계획인 것으로 알려졌다. 디지타임스는 TSMC가 2나노 공정의 높은 단가(웨이퍼당 최대 3만 달러)에도 불구하고 고객 수요가 예상보다 빠르게 증가하고 있으며, 이에 따라 생산량 확대에 속도를 내고 있다고 24일(현지시간) 보도했다. TSMC는 2나노 공정을 올 하반기부터 양산에 돌입할 예정이다. 초기에는 월 4만장 수준이 생산될 것으로 보이며, 고객 수요 증가에 따라 점진적으로 증설을 추진해 2028년에는 월 20만장 규모에 도달할 전망이다. 이는 TSMC가 현재 양산 중인 3나노 공정 생산 능력을 추월하는 수준이다. 보도에 따르면 TSMC 3나노 공정은 올해 생산량이 전년 대비 60% 이상 증가할 것으로 예측되고 있다. 그러나 AI 반도체 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장의 성장세에 힘입어, 2나노 공정 수요가 3나노 이상으로 확대될 것으로 평가된다. 특히, 2나노 공정은 차세대 AI 가속기, 데이터센터용 GPU, 모바일 애플리케이션 프로세서 등 고성능 반도체에 주로 적용될 예정으로, 엔비디아, AMD, 애플 등 주요 고객사들의 초기 주문이 집중되고 있는 것으로 전해졌다. TSMC는 자사의 2나노 공정이 기존 핀펫(FinFET) 방식에서 벗어나 게이트올어라운드(GAA) 기술을 도입한 첫 공정이 될 예정이라고 밝혔다. 이는 회로 밀도와 전력 효율을 동시에 개선할 수 있는 차세대 기술로, 업계의 주목을 받고 있다.

2025.07.25 09:38전화평 기자

위로 쌓는 3D 반도체 시대 도래...핵심은 '극저온 식각'

지난날 반도체는 수평으로 배치됐다. 현재 상보형 금속 산화 반도체(CMOS) 공정 기반 칩이 단층의 수평 평면에 트랜지스터를 배치하는 데 최적화됐기 때문이다. 또, 전류가 흐를 때도 수평 배치된 금속 배선이 더 짧고 균일하게 설계 가능하다는 점도 반도체가 수평 배치되던 이유다. 그러나 오늘날 수평 배치는 집적도의 한계에 부딪혔다. 동일한 평면 위에 넣을 수 있는 트랜지스터 수에 물리적 제한이 걸린 탓이다. 3D 반도체, 평면의 끝에서 시작된 입체 전쟁 이에 반도체 업계에서 주목하는 기술이 3D 반도체다. 3D 반도체는 칩을 쌓아올린 기술이다. 기존 평면(2D) 반도체보다 집적도와 성능이 향상되면서도 전력 효율이 좋다. 3D 기술은 D램, 낸드플래시, SoC(시스템 온 칩) 등 다양한 반도체에 적용될 전망이다. 국내외 기업의 경우 제조업체를 중심으로 3D 반도체 개발에 한창이다. 삼성전자는 로직(시스템 반도체), 메모리, 패키징 전 영역에서 3D 반도체를 구현하려는 유일한 기업이다. 특히 3나노 이하 로직 반도체에 세계 최초로 적용한 GAA(게이트 올 어라운드) 기술에 3D 구조를 적용한다. GAA는 트랜지스터 핵심 구성요소인 채널 4개면을 게이트가 둘러싼 형태로, 기존 3개면이 접합된 핀펫(FinFET) 대비 고성능·저전력 반도체를 쉽게 구현할 수 있다. 삼성전자가 현재 연구 중인 3D GAA 구조는 '3DSFET'으로 불리며, 3D 적층과 GAA를 결합하고 있다. SK하이닉스의 경우 최근 실적을 견인하고 있는 HBM(고대역폭 메모리)이 D램 다이를 적층하고 TSV(실리콘 관통전극)로 연결한 3D 메모리다. 시장 1위인 HBM 기술력을 앞세워 단순 D램, 낸드 등 메모리 제조에서 벗어나, AI·고성능 연산에 적합한 프리미엄 메모리 중심의 기술 리더십 확보에 집중하고 있다. TSMC는 세계 1위 파운드리 기업답게, 3D 패키징과 칩렛 아키텍처에서 독보적인 경쟁력을 보여주고 있다. SoIC(system on Integrated Chips)이 TSMC의 대표적인 수직 적층 3D 기술이다. SoIC는 다양한 기능의 칩을 수직 방향으로 연결해 성능을 높이고 전력 손실을 줄이는 기술로 애플, AMD, 브로드컴 등 글로벌 기업들이 SoIC 기술을 활용하고 있다. 아울러 TSMC는 공정 미세화와 3D 패키징 결합을 통해 파운드리 경쟁력을 유지하며, 고부가가치 설계 기업들과의 파트너십을 적극 강화 중이다. 3D 반도체 핵심 기술 '극저온 식각' 이를 위해 필요한 기술이 바로 '극저온 식각' 기술이다. 식각은 반도체 웨이퍼 표면을 원하는 패턴대로 깎아내는 공정으로, 극저온 식각은 영하 60~70°C 환경에서 식각을 진행한다. 기존 식각 대비 30~40°C 가량이 더 낮은 환경에서 식각을 진행하는 것이다. 이처럼 낮은 온도에서 극저온 식각을 진행하는 이유는 정밀한 식각이 가능하기 때문이다. 해당 기술이 적용될 때 플라즈마는 실리콘 표면을 화학적으로 반응해 깎아낸다. 이후 산소가 산화막을 형성해, 저온 상태에서 고체 보호막으로 표면에 남는다. 이 보호막이 식각 방향성을 제어하며 옆면이 깎이지 않도록 보호하는 것이다. 보호막은 식각 후 온도를 올리거나 플라즈마로 제거한다. 반도체 장비 업계 관계자는 “극저온 식각은 반도체에서 금속간 연결을 담당하는 비아(Via)를 더 일정하고 깊게 팔 수 있도록 돕는다”며 “3D 기술 상용화를 위한 필수 기술”이라고 강조했다. 한편 삼성전자 등 제조사는 램리서치와 도쿄일렉트론(TEL)의 극저온 식각 장비를 테스트하고 있다.

2025.07.14 16:12전화평 기자

LG전자, 인공위성 기반 차세대 차량 음성통신 솔루션 첫 시연

LG전자는 현지시간 15일 프랑스 파리에서 진행 중인 5GAA 제34차 총회에서 운전자 안전을 획기적으로 혁신할 인공위성 기반의 차세대 음성통신 솔루션을 최초 시연했다고 16일 밝혔다. 인공위성 등 대기권 밖에서 운영되는 비지상 통신망(NTN)을 이용해 차량 내에서 대화 수준의 음성통신을 구현하는 차세대 솔루션이다. 짧은 음성전송 이상의 쌍방향 커뮤니케이션이 가능한 정도로 음성통신을 선보인 것은 LG전자가 처음이다. NTN 기반 통신은 사막·산악 지대 등 네트워크 연결이 원활하지 않은 지역에 있거나 재난·자연재해로 인프라가 마비된 상황에도 비지상 통신망을 통한 연결을 가능하게 해 운전자 안전을 위한 핵심 기술 중 하나로 꼽힌다. LG전자는 기존 NTN 기반 통신기술에 인공지능(AI) 음성처리 기술을 더해 음성 메시지의 크기를 대폭 감축, 현재는 전송 시 필요한 데이터 용량 문제로 긴급 문자 메시지에만 제한적으로 활용되는 위성통신 서비스 영역을 음성으로 확장할 수 있는 차세대 솔루션을 내놨다. 이를 통해 음성 메시지 전송 속도는 10배 이상 빨라진다. 단순한 음성 메시지 송수신을 넘어 대화를 주고받는 것까지 가능한 수준이다. 위기에 처한 탑승자가 차량 내부 화면의 긴급통화 버튼만 누르면 문자 입력 등 추가 조작 없이도 음성만으로 위성통신이 가능한 장비를 갖춘 구조센터 등에 메시지를 보내고 상황을 설명할 수 있다. LG전자는 실시간으로 차량의 위치와 정보를 파악해 네트워크 환경 변화에도 적절한 통신망을 연결해주는 소프트웨어 플랫폼도 구축했다. 지상 통신망이 연결되지 않는 곳에 진입하면 자동으로 비지상 통신망에 연결되는 식이다. LG전자는 이번 5GAA 총회에서 차세대 음성통신 기술이 적용된 자동차로 파리 시내를 주행하며 네트워크 환경 전환에도 끊김 없는 음성통신 서비스를 최초로 시연했다. 관람객들은 비지상 통신망을 통해 보낸 음성 메시지를 지상 통신망이 연결된 구역에서 확인하는 등 LG전자의 혁신 기술이 구현한 커넥티드 모빌리티를 체험했다. LG전자는 텔레매틱스, V2X, IV 시스템 커넥티비티 등 SDV 전환의 핵심인 커넥티드 기술 분야를 선도하고 있다. 2003년 텔레매틱스 시장에 본격 진출한 이후 세계 최초로 보안 안정성에 대한 국제공통평가기준(CC) 인증을 획득한 V2X 등으로 글로벌 완성차 업체의 신뢰받는 파트너로 자리매김했다. 시장조사업체 스트레티지 애널리틱스의 발표를 토대로 한 자체 추정치에 따르면 LG전자는 텔레매틱스 시장에서 글로벌 1위를 지키고 있다. 5G 기술 기반의 자율주행차, 커넥티드 카 등 미래 자동차를 연구하고 상용화하기 위해 2016년 설립된 글로벌 차량통신 연합체 5GAA에도 초기부터 회원사로 함께하며 미래 모빌리티 핵심 기술을 선보이고 있다. 5GAA에는 주요 완성차 업체, 전장부품사, 통신사업자, 칩셋 및 통신 장비 제조사 등 110개 이상 기업이 참여한다. 이상용 LG전자 VS사업본부 VS연구소장 부사장은 "상황과 장소의 제약 없는 자동차 연결성을 위한 차세대 음성통신 기술을 통해 커넥티드 모빌리티의 혁신을 앞당길 것"이라고 말했다.

2025.05.16 10:03신영빈 기자

삼성·인텔 지붕 쳐다보나...TSMC "2028년 1.4나노 공정 양산"

대만 주요 파운드리 TSMC가 1.4나노미터(nm)급 공정을 오는 2028년 양산 개시할 계획이다. 삼성전자·인텔 등 경쟁사들과의 기술 격차를 유지하기 위한 초미세 공정 개발에 속도를 내려는 전략으로 풀이된다. TSMC는 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 '2025 북미 테크 컨퍼런스'를 열고 회사의 차세대 기술 로드맵을 공개했다. 이날 TSMC는 A14(1.4나노) 공정을 공개하면서 "오는 2028년 양산될 것으로 예상한다"고 밝혔다. 1.4나노는 초미세 공정의 영역으로, 주요 파운드리 기업들은 올해 하반기부터 2나노급 공정 양산에 돌입한다. 또한 후면전력공급(BSPDN)을 적용한 A14 공정은 2029년 출시할 예정이다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. A14은 2나노 공정인 N2 대비 성능은 최대 15% 향상되며, 전력 소모량은 30% 저감할 수 있다. 칩의 집적도는 최소 1.2배 높아진다. 세부적으로 A14에는 TSMC의 2세대 GAA(게이트-올-어라운드) 나노시트 트랜지스터가 적용된다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다.

2025.04.24 09:58장경윤 기자

램리서치, 첨단 식각 장비 '아카라' 공개…"D램·파운드리서 채택"

램리서치는 가장 진보된 컨덕터 식각 장비인 '아카라'(Akara)를 발표했다고 11일 밝혔다. 아카라는 획기적인 플라즈마 처리 기술을 기반으로 3D 칩 제조에 필수적인 식각 정밀도와 성능을 구현함으로써 반도체 제조사들이 직면한 확장성 문제를 극복할 수 있도록 지원한다. 아카라는 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터와 6F2 D램 및 3D 낸드를 비롯한 차세대 반도체 소자의 확장을 지원한다. 4F2 D램, CFET, 3D D램 등 보다 진보된 기술에도 적용될 예정이다. 이러한 차세대 소자들은 복잡한 3D 구조를 필요로 하며, 극자외선(EUV) 리소그래피 패터닝과 초미세 식각 공정이 필수적이다. 특히 고종횡비(high aspect ratio) 구조의 미세 패턴을 구현하기 위해 옹스트롬 단위의 정밀한 식각 제어가 요구된다. 아카라는 이를 위한 독자적인 식각 솔루션을 보유하고 있다. 다이렉트드라이브(DirectDrive)는 업계 최초의 고체 상태 플라즈마 소스로, 기존 플라즈마 소스 대비 100배 더 빠른 반응 속도로 구현해 EUV 패터닝 결함 발생을 줄인다. TEMPO 플라즈마 펄싱은 플라즈마 종을 정밀 제어해 향상된 식각 선택성과 마이크로 로딩 성능을 제공한다. SNAP은 최첨단 이온 에너지 제어 시스템으로 원자 단위의 정밀한 식각 프로파일을 형성한다. 아카라는 최고 수준의 생산성과 공정 수율을 고려해 설계됐다. 밀리초(ms) 단위의 빠른 응답 속도를 통해 웨이퍼 생산량을 극대화하고, 정밀한 식각 균일성 제어를 통해 웨이퍼 간 반복성을 보장한다. 또한 램리서치의 '센스아이(Sense.i)' 플랫폼과 통합된 'Equipment Intelligence' 기반의 자동화 솔루션을 지원함으로써 장비 유지 관리 비용을 절감한다. 이를 통해 칩 제조업체는 생산 장비의 운영 효율을 극대화할 수 있다. 미위제 TSMC 수석 부사장 겸 공동 최고운영책임자(COO)는 “반도체 수요가 지속적으로 증가함에 따라, 더 강력하고 새로운 반도체 소자를 개발하기 위해 파트너사들의 혁신적인 기술적 해결책이 필요하다”며 "차세대 반도체 제조 공정에서 플라즈마 식각 기술이 핵심적인 역할을 하게 될 것”이라고 말했다. 현재 아카라는 고급 평면 D램 및 파운드리 GAA 응용 분야에서 주요 반도체 제조업체들의 장비로 채택되고 있다.

2025.03.11 10:39장경윤 기자

40년 삼성 반도체 역사 쓴 정은승 "AI-반도체, 상호 진화…AI 적용 후 생산성 ↑"

"반도체와 인공지능(AI)은 상호진화하는 관계로, 생산성 극대화를 위해선 AI가 필수적입니다. 반도체가 어떻게 진화하느냐에 따라 AI가 진화될 것이고, AI가 요구하는 방향에 따라 반도체가 진화할 것입니다." 정은승 삼성전자 DS(반도체) 부문 상근고문이 향후 반도체가 AI 산업 발전에 맞춰 패키지와 소프트웨어(SW)가 결합된 융복합 형태로 진화해 나갈 것으로 전망했다. 이 과정에서 삼성전자가 그간 기술 변곡점을 만드는 도전을 꾸준히 해 왔던 만큼, 향후에도 AI 기술 발전에 맞춰 반도체 시장을 이끌어 갈 수 있을 것이라고 자신했다. 정 고문은 13일 오후 2시 서울시 중구 앰배서더 풀만 호텔에서 진행된 'AI의 도전과 인간지성 대응 세미나'에 강연자로 참여해 이처럼 강조했다. 정 고문은 1985년 삼성전자 반도체연구소에 입사해 40년 동안 반도체 분야에서 일한 전문가다. 삼성전자 반도체연구소장과 파운드리사업부 사업부장, DS부문 최고기술책임자(CTO)를 거치며 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 이날 '인공지능 어디까지 갈 것인가'를 주제로 발표한 정 고문은 'AI 칩' 시장 강자로 떠오른 엔비디아를 사례로 들며 AI가 ▲AI 컴퓨터 ▲로봇 ▲자율주행 등과 접목해 더 빠르게 진화할 것으로 예측했다. 또 엔비디아의 최신 AI 칩인 '블랙웰'을 소개한 후 AI가 버추얼에서 피지컬 시대로 접어 든 만큼 반도체도 이에 맞춰 진화할 것으로 전망했다. 정 고문은 "반도체는 AI 시대에 맞춰 앞으로 에코 시스템을 만들어 가야 한다"며 "패블리스(주문생산반도체)는 아키텍처 및 설계를, 반도체 제조사는 웨이퍼 가공, 패키징, 테스트로 이어지는 일련의 과정을 나눠 수행해야 할 것"이라고 말했다. 이어 "더블데이터레이트(DDR)는 고대역폭메모리(HBM)로 전환되고, 공정은 GPU(그래픽처리장치)의 발전에 맞춰 핀펫(FinFET, 4나노 이상), GAA(Gate-All-Around, 3나노 이하) 등으로 진화될 것"이라며 "이에 맞춰 이종 집적으로 고성능, 고용량, 저전력, 소형화를 구현한 어드밴스드 패키지(Adv PKG)가 결합되면서 고객이 원하는 가치를 구현할 수 있어야 한다"고 강조했다. 이날 정 고문은 삼성전자가 이미 AI를 반도체 생산 과정에 도입해 생산성을 높이고 있다고도 설명했다. 공장 1개를 건설할 경우 30조~40조원이 투입되는 반도체 산업에서 개발 제품을 완벽하게 양산하고 생산 효율을 극대화하기 위해선 AI가 필수라고 강조했다. 정 고문은 "칩 복잡도 증가에 따라 반도체 설계 및 생산 설비 신축 비용은 크게 증가한다"며 "반도체 수율은 파티클(미세이물질) 개수에 반비례하고, 수익에 영향을 준다는 점에서 철저한 관리가 필요하다"고 말했다. 이어 "파티클이나 잘못된 공정조건의 원인을 찾는 방법으로 그동안 학습을 통해 패턴을 찾거나, 빅데이터를 활용하는 수준에서 AI의 등장 이후 진화하기 시작했다"며 "삼성전자도 최근 빅데이터 등으로도 해결이 안된다고 보고 AI를 도입했다"고 설명했다. 정 고문에 따르면 삼성전자는 설비, 계측, 생산, EDS 테스트(완성 칩 양·불량 테스트 데이터) 등 대부분의 반도체 공정에 AI를 적용시켰다. 센서, 계측, 설비 로그, 보관기간 증가 등에 따른 생산 라인이 2배 증가할 때 반도체 데이터가 10배씩 증가하자, 이를 감당하기 어려워진 탓이다. 이에 삼성전자는 3~6개월가량 소요되는 1천 개 이상의 생산 과정에 'AI 모니터링 모델'을 도입해 품질 이슈 조기 탐지로 운영 비용 절감 및 열화 웨이퍼 수량을 최소화 할 수 있었다. 또 이전 데이터로 AI 모델을 훈련, 개선시켜 공정 최적화도 실현시켰다. 정 고문은 "제조 공정의 디지털 트윈 구축을 통해 수율 예측, 불량 원인을 확인하는 데도 AI를 적용하고 있다"며 "그 결과 개발 사이클 및 수율 램프업(가동률 향상) 가속화를 이룰 수 있었다"고 밝혔다. 그러면서 "AI의 발전은 인간의 두뇌를 모방한 반도체 없이는 불가능하다"며 "그동안 사업·기술 변곡점에 편승하는 것이 아닌 변곡점을 만들어 가며 진화하는 반도체를 선보인 삼성전자가 4차 산업 혁명 속에 필요한 메모리, 시스템 LSI, 파운드리, 패키지를 한 곳에서 만드는 종합 반도체 회사로 발전해 왔던 만큼 향후 시장을 이끌 수 있을 것"이라고 덧붙였다. 또 그는 "반도체가 HBM을 개발하지 못했다면 AI도 현재의 모습으로 발전할 수 없었을 것"이라면서도 "미국, 중국 등이 적극적으로 AI 시장에서 경쟁을 벌이는 상황에서 국내 반도체 산업이 더 발전하기 위해선 정부의 적극적인 지원이 반드시 필요하다"고 강조했다.

2025.02.13 18:06장유미 기자

삼성전자, "올해 2나노 1세대 공정 양산…2세대는 내년"

삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 2나노미터(nm) 파운드리 공정 제품의 양산을 추진하겠다고 밝혔다. 2나노 공정은 반도체 올해 본격적인 상용화를 앞둔 최첨단 파운드리 공정이다. 삼성전자는 모바일 및 HPC(고성능컴퓨팅) 응용처에 최적화된 2나노 공정을 개발해 왔다. 2나노 1세대 공정은 성숙도 개선을 기반으로 지난해 상반기 1.0 버전의 PDK(프로세스 설계 키트)를 배포했다. PDK는 파운드리의 고객사인 팹리스가 반도체 설계에 필요한 정보 전반을 담은 소프트웨어다. 또한 삼성전자는 성능을 개선한 2나노 2세대 공정의 1.0 버전 PDK도 올 상반기 고객사에 배포할 예정이다. 해당 공정의 양산 목표 시기는 2026년이다. 삼성전자는 "현재 주요 고객사와 제품 PPA(성능·전력·면적) 평가 및 MPW(멀티프로젝트웨이퍼)를 진행 중으로, 일부 고객사의 경우 제품 수준의 설계를 시작했다"며 "모바일, HPC, 오토 등 다양한 응용처의 티어 1 고객과 수주를 논의 중"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "당사의 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 경쟁력을 기반으로 차별화된 어드벤스 패키지 기술과 관련 요소 기술로 확대 추진 중"이라고도 밝혔다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 기존 핀펫(FinFET)과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성을 높인 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 이를 3나노 공정에 선제 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC는 2나노부터 GAA를 적용하기로 했다.

2025.01.31 12:31장경윤 기자

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