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'EUV'통합검색 결과 입니다. (54건)

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SK하이닉스 "1c D램서 EUV 적층 수 5개층 이상 적용"

SK하이닉스가 차세대 D램 개발서 EUV(극자외선) 공정을 적극 활용하고 있다. 올 하반기 전환투자가 시작되는 1c(6세대 10나노급) D램의 경우, EUV 적용 층 수를 이전 세대 대비 2개 늘어난 5개 이상까지 적용하기로 했다. 차세대 EUV 기술을 위한 소재 개발도 지속하고 있다. 11일 업계에 따르면 SK하이닉스는 1c D램에 EUV 레이어 수를 총 5개 이상 적용할 계획이다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 다만 기술적 난이도 및 설비 도입 비용이 높아, 초미세 회로 구현이 필요한 특정 층(레이어)에만 적용되고 있다. 나머지 층에는 DUV(심자외선) 등 기존 레거시(성숙) 공정이 쓰인다. SK하이닉스의 경우, 1a(4세대 10나노급) D램의 1개 레이어에 EUV를 처음 적용한 바 있다. 이후 1b D램에서는 이를 4개까지 확대했다. 나아가 1c D램에서는 EUV 레이어 수를 5개 이상 늘린다. 1c D램은 아직 본격적인 상용화 궤도에 오르지 않은 차세대 D램으로, SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 바 있다. 올 하반기부터는 1c D램의 전환투자를 시작할 예정이다. 박의상 SK하이닉스 TL은 이날 수원컨벤션센터에서 열린 '차세대 리소그래피+패터닝 학술대회'에서 "1c D램에 EUV 레이어를 5개 이상 적용하고, 1d·0a 등 차세대 제품에도 EUV를 모두 사용할 것"이라며 "이에 맞춰 SK하이닉스는 EUV 공정의 생산성을 증가시킬 수 있는 방안에 초점을 두고 많은 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 향후 도입될 High-NA(고개구수) EUV 기술에 대해서도 적극 대응하고 있다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33 수준이나, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. SK하이닉스는 이르면 내년 High-NA EUV 설비를 도입할 계획이다. 특히 High-NA EUV용 마스크 개발이 주요 난제가 될 것으로 관측된다. 마스크는 웨이퍼에 반도체 회로를 새기기 위해 사용되는 소재다. EUV는 거의 모든 물질에 흡수되는 성질을 지녀, 거울을 통해 웨이퍼에 빛을 반사시키는 방식을 활용한다. 그런데 High-NA에서는 빛이 더 넓은 각도로 퍼져, 입사각과 반사각이 겹치는 문제가 발생하게 된다. 이에 업계는 빛의 세로 방향을 가로 대비 2배 더 축소시켜 빛이 겹치지 않게 하는 '아나모픽' 기술을 고안해냈다. 마스크에서 웨이퍼로 투사되는 빛이 기존에는 가로 세로 모두 4배 축소됐다면, 아나모픽에서는 가로는 4배 그대로, 세로는 8배로 축소하는 방식이다. 웨이퍼에 투사되는 면적이 줄어드는 만큼, 마스크는 2개를 사용해야 한다. 다만 마스크를 2개 사용하는 과정에서, 마스크끼리 맞닿은 부분이 겹치는 문제가 발생하게 된다. SK하이닉스는 이를 '스티칭(Stiching)' 영역이라고 부른다. 박 TL은 "스티칭 영역에 대한 제어가 상당히 어렵기 때문에, 당사도 현재 High-NA EUV용 마스크는 개발을 못한 상황"이라며 "어떠한 물질로 만들어야할 지 계속 시도는 하고 있는 상태"라고 말했다.

2025.08.11 16:53장경윤

인피니티시마, ASML 등 협력사와 계측 성능 고도화 프로젝트 착수

인피니티시마는 ASML을 비롯한 파트너사들과 함께 3년에 걸친 공동 개발 프로젝트에 착수한다고 23일 밝혔다. 이번 프로젝트에서 'Metron3D' 300mm 인라인 웨이퍼 계측 시스템은 하이브리드 본딩, 고개구율(high-NA) EUV 리소그래피, 그리고 상보성 전계효과 트랜지스터(CFET)와 같은 차세대 3D 로직 반도체 구조 등 첨단 애플리케이션을 위한 계측 솔루션을 최적화하고 탐색하는 데 활용될 예정이다. 이 프로젝트는 인피니티시마의 RPM(Rapid Probe Microscope) 기술과 각 파트너사의 전문 역량을 결합해 고속 이미징, 간섭계 수준의 정밀도, 그리고 깊이 있는 3차원(3D) 표면 분석을 가능하게 하는 것이 목표다. 이를 통해 관련 업계가 고속, 대량 생산 환경에서도 소자 전 구조에 걸쳐 정밀한 3D 계측 데이터를 확보해야 하는 시급한 요구에 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 이번 프로젝트의 일환으로, 인피니티시마는 나노일렉트로닉스 및 디지털 기술 분야의 세계적인 연구·혁신 허브인 imec에 장비를 설치할 예정이다. 해당 시스템은 ASML을 포함한 파트너사들이 차세대 디바이스 개발을 가속화하고, high-NA EUV 레지스트의 이미징 특성 분석 및 기술 개발을 지속하는 데 활용된다. 인피니티시마는 imec과의 긴밀한 협력을 통해 새로운 장비 기능을 개발 및 향상해 나갈 계획이다. 이번 협력은 미래형 반도체 디바이스 제조를 위한 핵심 기술인 진정한 3D 공정 제어 구현을 목표로 하고 있다. 인피니티시마와 imec의 파트너십은 인피니티시마의 특허 받은 RPM 기술을 활용한 팁 유도 나노스케일 단층 촬영 감지 기능의 연구 및 고장 분석 분야에 대한 적용 프로젝트로 2021년에 처음 시작됐다. 이번에 새롭게 시작한 협력은 인피니티시마와 imec 간 파트너십을 고속 인라인 생산 계측 분야로 확장하는 것으로, 나노미터 이하 수준의 특성과 점점 더 복잡해지는 3D 구조에 대한 반도체 업계의 정밀 검사 및 계측 요구에 대응하기 위한 것이다. 피터 젠킨스 인피니티시마 회장 겸 CEO는 “imec과의 기존 협력을 확장해 차세대 반도체 공정의 핵심 단계에서 직면하는 중요한 계측 과제들을 지원하게 되어 매우 기쁘다”고 밝혔다.

2025.07.23 13:25장경윤

ASML, 2분기 실적 호조세…"High-NA EUV 장비 첫 출하"

주요 반도체 장비기업 ASML이 올 2분기 견조한 실적을 거뒀다. 또한 차세대 EUV 장비 첫 출하, 신규 수주액 증가 등 중장기적 성장동력 확보도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 나타났다. ASML은 올 2분기 매출액 76억9천만 유로(한화 약 12조4천억원), 순이익 23억 유로(약 3조7천억원)를 기록했다고 16일 밝혔다. 전년동기 대비 매출은 24.2%, 순이익은 43.8% 증가했다. 매출총이익률은 53.7%다. 이번 매출과 수익성은 증권가 컨센서스를 상회하는 수치다. 서비스 매출 증가와 일회성 이익이 영향을 끼쳤다. 또한 고부가 제품인 EUV(극자외선) 장비 매출액이 전년동기 대비 크게 늘어났는데, 차세대 EUV 기술인 High-NA(고개구수) EUV 장비가 해당 분기 첫 출하됐다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "특히 D램 분야에서 공정 미세화가 진전을 보이고 있고, 신규 EUV 장비인 'NXE:3800E'의 도입이 이러한 추세를 강화하고 있다"며 "이번 분기 High-NA EUV 장비인 'EXE:5200B' 시스템을 처음으로 출하했다"고 밝혔다. 3분기 총 순매출은 74억~79억 유로, 매출총이익률은 50%~52%로 전망했다. 올해 연간 총 순매출은 전년 대비 15% 성장을, 매출총이익률은 약 52% 수준으로 내다봤다. 3분기 전망치는 업계 예상을 하회하나, 연간 전망치는 대체로 컨센서스에 부합하는 수준이다. 다만 신규 수주액이 증가했다는 점은 고무적이다. ASML의 올 2분기 신규 수주액은 55억 유로로, 증권가 컨센서스인 48억 유로를 크게 웃돌았다.

2025.07.16 17:19장경윤

EUV 공정서 수천억 손실 막는다...반도체 '톱5' 중 4곳이 쓴다는 '이것'

반도체 공정이 2나노미터(nm) 수준까지 미세화되면서, 기존 공정 제어로는 해결할 수 없는 '스토캐스틱(Stochasitcs)' 문제가 대두되고 있다. 해당 오류는 EUV(극자외선) 공정 팹(Fab) 당 수천억원 규모의 수율 손실을 일으킬 수 있는 것으로 알려졌다. 미국 소프트웨어 기업 프랙틸리아는 독자 알고리즘을 기반으로 스토캐스틱 문제를 해결할 수 있는 솔루션을 보유하고 있다. 실제로 현재 상위 5대 반도체 기업 중 4곳이 프랙틸리아의 솔루션을 도입한 상황이다. High-NA(고개구수) EUV 등 차세대 공정에도 이미 활용되고 있다. 프랙틸리아는 16일 국내에서 기자간담회를 열고 반도체 수율 혁신을 위한 기술 로드맵을 발표했다. 스토캐스틱 못 잡으면 EUV 공정서 '수천억원' 손실 스토캐스틱은 원자 수준의 미세한 패터닝 오류를 뜻한다. 노광 공정(반도체에 회로를 새기는 공정)에 활용되는 광자·감광액(PR) 등 여러 소재를 완벽하게 정밀 제어할 수 없기 때문에, 실제 양산 과정에서 무작위적으로 발생하게 된다. 스토캐스틱은 특히 EUV 등 초미세 공정에서 심각한 문제로 떠오르고 있다. 반도체 회로 선폭이 최소 3~2나노미터까지 줄어들면서, 미세한 결함으로도 반도체 수율이 저하되는 현상이 대두됐기 때문이다. 이로 인해 팹당 수천억원 규모의 수율 손실, 초미세 공정 전환의 지연 등이 발생하고 있다는 게 프랙틸리아의 입장이다. 에드웨드 샤리에 프랙틸리아 최고경영자(CEO)는 "연구개발 단계에서는 최소 12나노의 피처(웨이퍼 상의 미세한 구조물) 구현이 가능하나, 실제 양산에서는 보통 16~18나노 수준의 피처만 안정적으로 생산할 수 있어 스토캐스틱의 해상도 격차 문제가 발생하게 된다"며 "만약 스토캐스틱을 줄이고자 피처 사이즈를 키우면, 칩 면적이 2배까지 증가해 제품 생산성이 떨어지게 된다"고 설명했다. 독자 알고리즘으로 스토캐스틱 정밀 측정 이에 프랙틸리아는 주사전자현미경(SEM) 이미지에서 고정밀 데이터를 추출해 스토캐스틱을 정확히 측정할 수 있는 소프트웨어 'FAME(Fractilia Inverse Linescan Model)를 개발해냈다. 일반 SEM은 노이즈(잡음) 현상이 발생해, 정밀한 이미지를 얻을 수 없다는 단점이 있다. 예를 들어 SEM 이미지 상에 검은 반점이 보이는 경우 이것이 실제 패터닝 오류인지, SEM에서 발생한 노이즈인지 구분하기가 어렵다. 반면 프랙틸리아의 FAME은 SEM 이미지에서 고정밀 데이터를 추출하는 물리 기반 알고리즘을 활용해, 실제 피처(웨이퍼 상의 미세한 구조물)와 노이즈를 정확히 구분 및 제거할 수 있다. 해당 알고리즘은 프랙틸리아의 독자적인 특허 기술이다. 이를 통해 반도체 제조업체들은 보다 정확한 공정 진단 및 개선이 가능해진다. 상위 5대 반도체 기업 중 4곳 채택…"High-NA EUV서도 활용" 이 같은 장점 덕분에, 프랙틸리아의 FAME 솔루션은 상위 5대 반도체 소자업체 중 4곳, 5대 부품업체 중 4곳, 12개 이상의 감광액 제조사, 유럽 주요 반도체연구소인 아이멕(Imec)에 도입되고 있다. 구체적인 고객사 명을 밝히지는 않았으나, 국내 반도체 기업들과도 긴밀한 협의를 진행 중인 것으로 관측된다. 현재 국내 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업들은 EUV를 활용해 첨단 시스템반도체 및 메모리반도체를 제조하고 있다. 향후 High-NA EUV가 도입되는 시점에서 프랙틸리아 솔루션의 중요도는 더욱 높아질 전망이다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올린 기술이다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 덕분에 High-NA EUV는 2나노 이하의 차세대 파운드리 공정에 적용될 것으로 기대되고 있다. 크리스 맥 프랙틸리아 최고기술책임자(CTO)는 "스토캐스틱은 High-NA EUV에서 더 중대한 문제가 될 수 있다"며 "해당 기술을 도입하려는 고객사들이 프랙틸리아의 솔루션에 많은 관심을 가지고 있고, 실제로 이를 도입해 활용 중"이라고 말했다.

2025.07.16 15:38장경윤

"인텔, 이스라엘 반도체 생산시설 인력도 감원 예고"

인텔이 각종 프로세서를 설계·생산하는 서아시아 중요 거점인 이스라엘 내 반도체 생산시설(팹)에서도 대규모 감원을 진행할 예정이다. 하이파(Haifa) 소재 각종 프로세서를 설계하는 이스라엘 개발 센터(IDC)에서 감원한 데 이어 키르얏 갓(Kiryat Gat) 소재 제조 시설에서도 감원을 진행한다. 키르얏 갓 소재 반도체 생산 시설 '팹28'(Fab 28)에서는 10나노급 공정을 개선한 인텔 7(Intel 7) 공정 기반으로 2023년까지 주력 제품을 생산했다. 그러나 2025년 현재는 이들 공정 활용도가 떨어졌다. 극자외선(EUV) 장비를 들여올 예정이었던 '팹38'(Fab 38) 건설 계획도 지난 해 6월 중단됐다. 이스라엘 현지 언론을 중심으로 활용도가 떨어진 팹28 폐쇄설도 나오는 상황이다. 인텔, 키르얏 갓 '팹28'에서 주력 제품 생산 인텔은 이스라엘 내 두 지역에서 각종 프로세서 설계와 생산을 진행했다. 이스라엘 서부 최대 도시, 텔아비브에서 약 90km 떨어진 북부 항구도시 하이파(Haifa)에서는 각종 프로세서를 설계하는 이스라엘 개발 센터(IDC)를 운영한다. 이 곳에서는 1979년 PC용 8088 프로세서, 2003년에는 노트북용 프로세서에 와이파이를 통합한 센트리노 플랫폼을 만들었다. 키르얏 갓(Kiryat Gat)에서는 인텔 7(Intel 7) 공정 반도체 생산시설 '팹28'(Fab 28)을 운영했다. 2021년경부터 팹28 인근에 극자외선(EUV)을 이용할 차세대 생산 시설인 '팹38'(Fab 38)과 신규 사무동 등 부대 시설도 함께 건설중이었다. 지난 해 6월 팹38 확장 계획 돌연 중단 인텔은 2022년 하반기 당시 팹38 관련 총 소요 예산을 100억 달러(약 13조 6천억원) 규모로 추정했다. 2023년 12월에는 이스라엘 정부에서 32억 달러(약 4조 3천964억원) 규모 보조금을 확보하기도 했다. 그러나 인텔은 지난 해 중순 팹38 건립을 중단했다. 당시 인텔은 "팹38 중단은 사업, 시장 상황, 자본 상황을 바탕에 둔 결정이며 이스라엘은 여전히 인텔 연구개발 중심지다. 이스라엘 관련 투자는 지속될 것"이라고 설명했다. "팹28서 원격 운영 인력 포함 200여 명 감원" 인텔은 이스라엘 정부의 보조금과 팹38 확장 등을 고려해 이들 시설을 인력 감원 대상에서 제외했다. 그러나 지난 3월 립부 탄 신임 CEO 취임 이후 이스라엘 역시 감원 대상 지역에 올랐다. 이스라엘 매체 칼칼리스트(Calcalist)는 인텔 이스라엘 법인 임직원을 인용해 "인텔이 키르얏 갓 팹28에서 근무하는 200여 명의 인력을 감원할 예정"이라고 보도했다. 칼칼리스트에 따르면 해고 대상자들은 중간 관리자, 일선 감독관, 그리고 원격운영센터(ROC) 기술자들이다. 특히 ROC 소속 기술자들은 공장 현장이 아닌 원격지에서 컴퓨터 시스템을 통해 생산 시설을 운영하고 모니터링하는 업무를 담당한다. 인텔 관계자는 칼칼리스트에 "이번 조치는 더욱 날렵하고 빠르며 효율적인 기업이 되기 위한 조치"라며 "조직의 복잡성을 제거하고 엔지니어들에게 권한을 부여함으로써 고객의 요구를 더 잘 충족하고 실행력을 강화할 것"이라고 설명했다. 팹28 주력 공정 '인텔 7' 활용도 감소 키르얏 갓 소재 팹28은 10나노급 공정을 개선한 심자외선(DUV) 기반 '인텔 7'(Intel 7) 공정을 활용해 데스크톱PC용 12-14세대 코어 프로세서, 서버용 4-5세대 제온 프로세서 등을 생산했다. 그러나 2023년부터는 거의 모든 제품이 EUV 기반 새 공정에서 생산된다. 코어 울트라 시리즈1(메테오레이크)은 미국 오레곤과 아일랜드에서 인텔 4(Intel 4) 공정을 활용해 생산됐다. 6세대 제온 프로세서는 이를 개선한 인텔 3(Intel 3) 공정을 활용했다. 지난 해 출시된 코어 울트라 200V/S/H/HX 등 프로세서의 CPU에 해당하는 컴퓨트 타일은 생산 비용 절감을 위해 전량 대만 TSMC 3나노급 N3B 공정에서 생산됐다. 올 연말 출시될 차세대 노트북용 프로세서 '팬서레이크'(Panther Lake)의 컴퓨트 타일도 인텔 18A(Intel 18A) 공정에서 생산된다. 이스라엘 현지 언론서 '팹28 폐쇄설' 대두 인텔은 한 발 더 나아가 팹28 폐쇄도 고려하는 상황이다. 이스라엘 언론 Y네트는 "인텔이 키르얏 갓 팹28의 장기적 생존 가능성에 의문을 제기하고 있다"고 보도했다. 인텔 7 공정을 활용하는 주요 제품도 최근 2년간 계속해 단종되고 있다. 지난 해 6월에는 13세대 코어 프로세서 7종, 올해 3월 말에는 4세대 제온 프로세서도 단종됐다. 현재 인텔 7 공정에서 생산되는 제품은 5세대 제온 스케일러블 프로세서와 14세대 코어 프로세서 등이며 인텔 이외 외부 고객사 현황은 불분명하다. 팹28까지 가동하지 않아도 관련 수요를 충분히 감당할 수 있는 상황이다. 팹28이 경쟁력을 갖추려면 현재 4년 전 수준 공정인 인텔 7을 대신할 새로운 장비를 반입하고 시설을 업그레이드해야 한다. 그러나 인텔은 이스라엘 뿐만 아니라 독일 마그데부르크, 미국 오하이오 등에서 진행하던 시설 투자를 중단하고 있다.

2025.07.10 16:21권봉석

마이크론, 저전력 D램서 삼성·SK '선제 타격'…1c 공정 샘플 최초 출하

마이크론이 6세대 10나노급 D램 기반의 최신 저전력 D램 샘플을 출하했다. 해당 제품의 샘플 출하를 공개한 것은 마이크론이 처음으로, 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사와의 차세대 D램 경쟁에 박차를 가하고 있다. 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 LPDDR5X 샘플을 세계 최초로 고객사에 출하한다고 3일(현지시간) 밝혔다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 1c D램이라고 표현한다. LPDDR5X는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 저전력 D램으로, 주로 모바일에 활용된다. 마이크론에 따르면 이번 LPDDR5X는 10.7Gbps(초당 10.7기가비트)의 데이터 처리 속도와 최대 20%의 전력 저감 효과를 갖췄다. 패키지 두께는 0.61mm다. 마이크론은 "업계에서 가장 얇은 크기로, 경젱 제품에 비해 6% 더 얇아졌고, 이전 세대 대비 높이도 14% 줄었다"며 "이러한 소형 칩은 스마트폰 제조업체가 초슬림, 혹은 폴더블 스마트폰을 설계할 수 있는 더 많은 가능성을 열어준다"고 설명했다. 마이크론은 현재 일부 파트너사를 대상으로 1γ LPDDR5X 16GB(기가바이트) 제품 샘플링을 진행 중이다. 이르면 내년 플래그십 스마트폰에 탑재될 예정이다. 마이크론은 지난 2월에도 차세대 CPU용 1γ DDR5의 샘플을 출하한 바 있다. 주요 잠재 고객사는 AMD, 인텔 등으로 알려졌다. 한편 국내 삼성전자와 SK하이닉스도 1c D램 개발에 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 지난해 8월 세계 최초로 1c D램 기반의 16Gb(기가비트) DDR5를 개발하는 데 성공했다. 삼성전자는 올해 중반 및 하반기 1c D램 기반의 LPDDR과 DDR5를 순차적으로 개발하는 것을 목표로 하고 있다.

2025.06.04 10:28장경윤

ASML, 1분기 실적 견조…"수주 부진·관세 불확실성 우려"

세계 유일의 EUV(극자외선) 노광장비 업체 ASML이 1분기 견조한 실적을 거뒀다. 다만 해당 분기 신규 수주액은 기대에 못 미치는 상황으로, 최근 불거진 관세 정책도 불확실성을 더하고 있다. ASML은 올 1분기 매출액 77억4천만 유로, 영업이익 27억4천만 유로를 기록했다고 16일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 46.4% 증가했으며, 전분기 대비로는 16.4% 감소했다. 영업이익은 전년동기 대비 96.8% 증가했으며 전분기 대비 18.4% 감소했다. 장비별로는 EUV 분야의 성장세가 두드러졌다. EUV 장비 매출액은 32억1천만 유로로, 전년동기 대비 76.2%, 전분기 대비 7.6% 증가했다. 이외에도 EUV의 하위 기술인 이머전 ArF(불화아르곤)은 매출 18억9천만 유로 등을 기록했다. 이번 ASML의 1분기 실적은 증권가 컨센서스에 대체로 부합하는 실적이다. 또한 연간 매출 가이던스는 300억~350억 유로로, 최근 불거진 미국과 중국 간의 관세 정책 속에서도 기존과 동일한 전망을 유지했다. 다만 올 1분기 신규 수주액은 기대치에 미치지 못했다. ASML은 1분기 신규 수주액으로 39억3천600만 유로를 제시했다. 블룸버그의 예상치인 48억2천200만 유로를 크게 밑도는 수치다. 크리스토프 푸케 ASML CEO는 "최근 떠오른 관세 정책이 새로운 불확실성을 만들고 있고, 잠재적인 시장 수요에 간접적인 영향을 미칠 수 있어 동향을 매우 주의 깊게 지켜봐야할 필요가 있다"며 "다만 현 시점에서는 여전히 올해 매출을 300억~350억 유로 사이로 보고 있다"고 말했다.

2025.04.16 17:06장경윤

"원자현미경(AFM)으로 글로벌 계측장비 기업 도약"

"파크시스템스의 AFM 장비는 기존 반도체 전공정에 이어 첨단 패키징으로 영역을 확장하고 있습니다. 대만 T사에 장비를 공급했고, 국내 기업과도 협업이 진행되고 있죠. 광학 기술 강화를 위한 M&A 등도 준비하고 있습니다." 박상일 파크시스템스 대표는 최근 경기 수원에 위치한 본사에서 기자들과 만나 회사의 향후 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. AFM 후공정 시장 진출…"대만 T사 이어 국내 기업과도 협업" 파크시스템스는 국내 유일의 AFM(원자현미경) 제조 기업이다. AFM은 미세한 크기의 탐침을 시료 표면에 원자 단위까지 근접시킨 뒤, 탐침과 표면 간의 상호작용으로 시료의 구조를 측정하는 장비다. 전자현미경(SEM) 대비 더 정밀한 나노미터(nm) 수준의 계측이 가능하고, 시료의 전자기적·기계적 특성 등을 확인할 수 있다는 장점이 있다. 덕분에 AFM은 EUV(극자외선)와 같은 최첨단 반도체 공정에서 수요가 꾸준히 증가해 왔다. 최근에는 반도체 후공정 산업에서도 기회를 잡았다. 현재 글로벌 빅테크들이 설계하는 AI·HPC(고성능컴퓨팅)용 반도체에는 2.5D와 같은 최첨단 패키징 기술이 필수적이다. 2.5D는 칩과 기판 사이에 얇은 인터포저를 삽입하는 기술로, 회로의 집적도가 높아 AFM의 필요성이 높아지고 있다. 실제로 파크시스템스는 대만 T사의 요청에 따라, 최첨단 패키징 공정향으로 복수의 AFM 장비를 공급한 것으로 알려졌다. 박 대표는 "매우 정밀한 수준의 계측이 필요한 첨단 패키징에서 현재 AFM이 유일한 솔루션으로 주목받고 있다. 파크시스템스 입장에서는 새로운 블루오션 시장이 열리는 것"이라며 "국내 기업들과도 협업이 진행되고 있다"고 말했다. 기술 저변 확대 위해 적극 투자…"추가 M&A 준비" 파크시스템스의 또다른 성장동력은 '제품 다변화'다. AFM에 다양한 광학 기술을 결합해, 각 수요에 따라 유연한 대응을 펼치겠다는 전략이다. AFM은 계측 성능이 뛰어나지만 기존 계측 기술들에 비해 생산성(쓰루풋)이 낮다. 이에 파크시스템스는 AFM의 속도를 높이는 한편, AFM에 WLI(백색광 간섭계)를 접목한 'NX-Hybrid WLI' 장비를 개발해냈다. WLI는 넓은 영역을 빠르게 계측할 수 있는 광학 기술로, AFM의 단점을 보완할 수 있다. 적극적인 M&A(인수합병)도 진행 중이다. 파크시스템스는 지난 2022년에는 이미징 분광 타원계측기(ISE) 및 제진대(AVI) 기술을 보유한 독일 '아큐리온'을 인수했으며, 올해 1월에는 디지털 홀로그래픽 현미경(DHM) 선도기업인 스위스 '린시테크'를 인수했다. DHM은 홀로그램으로 활용해 시료를 3D 스캔하지 않고도 다각도에서 스캔할 수 있는 기술이다. 기존 간섭계 광학 프로파일링 대비 이미징 속도가 100배 이상 빠르다. 박 대표는 "지속적으로 연관 기업을 인수할 예정으로, 현재도 활발하게 논의하고 있는 회사가 국내외에서 5개가 넘는다"며 "이외에도 광학 검사의 핵심인 광원 개발 기업에 지분 투자를 진행하고, 리니어 모터 기업과도 투자를 추진하는 등 협업을 강화하고 있다"고 강조했다. "글로벌 계측장비 기업으로 거듭날 것" 파크시스템스의 지난해 매출은 1천751억원, 영업이익은 385억원으로 집계됐다. 전년 대비 각각 20%, 39% 증가했다. 반도체를 비롯한 산업 전반의 설비투자가 위축된 상황에서도 매출액이 꾸준히 상승하고 있다. 나아가 박 대표는 파크시스템스를 글로벌 계측장비 기업으로 성장시키겠다는 포부를 드러냈다. 박 대표는 "계측장비의 수요가 한정돼 있다는 인식 때문에 대기업으로 성장할 수 없다는 인식이 깔려있는 것 같다"며 "그러나 써모피셔 사이언티픽, 칼 자이스, KLA 등 주요 기업들이 조 단위의 매출을 기록하고 있어, 이들과 같은 글로벌 기업으로 성장하는 것이 목표"라고 밝혔다. 회사의 성장을 위한 신사옥도 과천지식정보타운 내에 건설되고 있다. 총 641억원이 투입됐으며, 연먼적 5만4천173㎡ 규모에 지상 15층 및 지하 5층으로 지어진다. 올해 말 완공을 목표로 하고 있다.

2025.04.14 12:00장경윤

유럽 최대 반도체연구소 회장 "이재용 만날 것…삼성·SK 협력 강화"

유럽 최대 반도체 연구소인 아이멕(imec)이 국내 반도체 생태계와의 협력을 강화한다. 이재용 삼성전자 회장, 곽노정 SK하이닉스 사장 등 주요 기업들을 만나는 한편, 나노종합기술원과 함께 국내 반도체 인재 양성도 지원할 예정이다. 루크 반 덴 호브 아이멕 회장 겸 최고경영자(CEO)는 18일 서울 파르나스 호텔에서 열린 'IMEC 테크놀로지 포럼(ITF) 코리아' 기자간담회에서 국내 반도체 생태계와의 협업 계획에 대해 이같이 밝혔다. 지난 1984년 설립된 아이멕은 유럽 최대 규모의 종합 반도체 연구소다. 첨단 반도체 기술과 실리콘 포토닉스, 인공지능, 5G 등 다양한 분야에서 개발을 진행하고 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업과도 활발히 협력 중이다. 이날 반 덴 호브 아이멕 회장은 "반도체 산업의 혁신적 성과를 실현하기 위해서는 협업과 상호 교류가 핵심"이라며 "한국 파트너들과 함께 미래를 논의하고 혁신을 이끌어갈 만남을 기대한다”고 말했다. 특히 아이멕은 최첨단 반도체 노광기술인 EUV(극자외선) 분야에서 주목받고 있다. 아이멕은 EU 반도체법의 지원 하에 6천 평방미터 이상의 클린룸과 ASML의 차세대 EXE:5200 High-NA EUV 장비를 포함한 첨단 설비에 투자할 예정이다. 국내 기업들과도 첨단 반도체 기술과 관련한 협업을 진행할 예정이다. 반 덴 호브 회장은 "2년 전 이재용 회장을 만난 후 현재 뿐만 아니라 미래 협력 방안에 대해서도 지속적으로 논의하고 있다"며 "이 회장과 이번에도 만날 예정이고, 곽노정 SK하이닉스 사장도 만날 것"이라고 밝혔다. 그는 또 "한국 주요 기업들과 향후 5~10년 뒤 상용화할 차세대 반도체 기술을 연구하고 있다"며 "차세대 소자 및 트랜지스터, CFET 등이 주요 협력 분야"라고 덧붙였다. 한편 아이멕은 국내 나노인프라 기관인 나노종합기술원과도 협력각서(MOC)를 체결할 예정이다. 이를 통해 한국 반도체 생태계와의 협력을 더욱 강화한다는 방침이다. 박흥수 나노종합기술원 원장은 “아이멕과 협력각서 체결로 지난해 시작한 인턴십 프로그램을 공식화하고 뛰어난 국내 인재들이 아이멕 본사에서 귀중한 경험을 쌓을 기회를 제공하게 됐다”며 “이번 협약은 국제 협력이 차세대 반도체 전문가 육성에 중요한 역할을 한다는 것을 보여주는 사례”라고 말했다.

2025.02.18 15:06장경윤

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

삼성전자, 'High-NA EUV' 설비 평가 중…차세대 파운드리 시대 준비

삼성전자가 2나노미터(nm) 이하 파운드리 공정 구현을 위한 'High-NA(고개구율) EUV(극자외선)' 기술 개발에 주력하고 있다. 올해 본격적인 설비 도입을 앞두고, 지난해부터 실제 공정 적용을 위한 평가를 진행해 온 것으로 알려졌다. 관련 내용은 다음달 세계적인 학술대회에서 공개될 예정이다. 업계에 따르면 삼성전자는 다음달 23일(현지시간)부터 27일까지 미국 산호세에서 개최되는 'SPIE 첨단 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에서 High-NA EUV를 비롯한 첨단 기술을 공개할 예정이다. 삼성전자는 이번 학술대회에서 High-NA EUV를 비롯한 차세대 노광 기술을 대거 발표할 예정이다. 노광은 빛을 통해 반도체 웨이퍼에 회로(패턴)를 새기는 공정으로, 반도체 제조에서 가장 높은 비중을 차지하고 있다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노 이하의 첨단 파운드리 공정에서 사실상 필수적으로 도입되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올린 기술이다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 덕분에 High-NA EUV는 2나노 이하의 차세대 파운드리 공정에 적용될 것으로 기대되고 있다. 삼성전자도 이르면 올해 상반기 ASML의 첫 High-NA EUV 설비인 'EXE 5000'를 1대 도입할 것으로 전망된다. 해당 장비는 가격이 5천억 원을 호가할 정도로 비싸다. 이에 앞서 삼성전자는 지난해부터 High-NA EUV 설비에 대한 공정 적용 평가 등을 진행해온 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이번에 발표하는 'High-NA EUV를 이용해 차세대 로직 소자의 패터닝 장애물 뛰어넘기' 논문 초록에서 "지난해 EXE 5000을 사용해 기본적인 장비 성능과 마진 등을 실험해보고 있다"며 "또한 EXE 5000 장비를 레지스트, 현상 등 관련 공정과 연동해보고 있다"고 설명했다. 삼성전자는 이를 기반으로 High-NA EUV 설비가 향후 어떤 제품 로드맵에 적용될 수 있을 지 소개할 예정이다. 현재 삼성전자는 첨단 파운드리 시장에서 대형 고객사를 확보하지 못하고 있는 상황으로, 차세대 공정을 위한 기술력 강화가 절실한 상황이다. 반도체 업계 관계자는 "설비 투자 이전에도 ASML이 보유한 High-NA EUV 설비를 통해 관련 기술을 미리 테스트해볼 수 있다"며 "이를 통해 장비를 보다 안정적으로 도입할 수 있다"고 설명했다. 한편 해당 학술대회는 세계적인 권위를 갖춘 국제광공학회(SPIE)가 주최하는 행사다. 삼성전자, SK하이닉스, 인텔, 마이크론 등 주요 반도체 기업들과 연구기관들이 모여 첨단 노광 기술을 주제로 발표를 진행한다.

2025.01.29 09:26장경윤

TSMC, 삼성電 반도체 또 넘었다...작년 年매출액 128조원 '폭풍 질주'

대만 주요 파운드리 TSMC가 지난해 130조원에 육박하는 연간 매출을 기록한 것으로 나타났다. 이는 역대 최대 실적으로 2년 연속 삼성전자 반도체(DS) 부문을 뛰어넘는 호실적이다. 종합반도체(IDM) 회사를 표방하는 삼성전자는 지난해 메모리·파운드리 등 반도체 부문에서 연간 110조원 수준의 매출을 기록한 것으로 관측된다. 당초 기대치를 뛰어넘는 TSMC의 실적은 글로벌 빅테크 고객사들의 견조한 AI 수요로 최첨단 공정 출하량이 증가한 덕분으로 풀이된다. 10일 TSMC는 지난해 12월 매출이 전년동월 대비 57.8% 증가한 2천781억 대만달러(한화 약 12조3천600억원)를 기록했다고 밝혔다. 전월 대비로는 0.8% 늘었다. 이로써 TSMC는 지난해 2조8943억 대만달러(약 128조6천700억원)의 연간 매출을 올렸다. 전년 대비로는 33.9% 증가한 수치다. TSMC의 지난해 실적은 회사의 기대치를 뛰어넘는 수준이다. 앞서 TSMC는 지난해 매출 전망치를 전년 대비 20% 중반대 상향으로 제시했으나, 이후 이를 30%로 상향 조정한 바 있다. TSMC는 AI 산업의 성장에 따른 수혜 효과를 톡톡히 보고 있다. 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI, HPC(고성능컴퓨팅)용 반도체는 가장 첨단 영역의 공정을 활용해야 한다. 글로벌 빅테크인 애플, 엔비디아, 퀄컴 등이 모두 TSMC에 제품을 의뢰하는 이유다. 실제로 TSMC의 지난해 3분기 전체 매출에서 3나노미터(nm) 공정이 차지하는 비중은 20%로 전분기 대비 5%p 늘었다. 5나노와 7나노 비중도 각각 32%, 17%로 높은 수준을 차지했다. TSMC의 매출 성장세는 올해에도 지속될 것으로 관측된다. 글로벌 CSP(클라우드서비스제공자)들의 적극적인 AI 데이터센터 투자가 이어지고 있고, 스마트폰 시장의 선도업체인 애플과의 협력도 공고하기 때문이다.

2025.01.10 17:21장경윤

에스티아이, 반도체 EUV 클리너 장비 첫 수주

에스티아이가 글로벌 반도체 업체로부터 EUV(극자외선) POD 클리너 장비를 수주했다고 2일 밝혔다. 에스티아이가 수주한 EUV POD 클리너 장비는 EUV 노광 장비의 레티클(RETICLE)을 보관하는 전용 POD를 세정하는 장비다. 레티클 POD 클리너 시장은 북미에서 높은 시장점유율을 차지하고 있었던 만큼 에스티아이가 독자 기술로 국산화에 성공해 첫 수주를 달성했다는 점에서 의미가 크다. 에스티아이는 EUV POD에 최적화된 전용 세정 장비를 구현하기 위해 자체 특허 기술을 적용해 장비의 성능을 검증 받았다. 회사는 이 기술을 기반으로 타사대비 경쟁력 있는 양산성을 확보하는 것이 목표다. EUV 공정은 기존의 DUV(심자외선) 보다 훨씬 짧은 파장의 빛을 사용하여 웨이퍼에 더욱 세밀한 회로를 형성한다. 이를 통해 반도체 칩의 크기를 줄이고 집적도를 높여 전력 효율성과 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 특히 EUV 공정은 차세대 반도체 기술의 핵심으로 고성능 모바일 기기, 데이터센터, 인공지능 등 다양한 첨단 산업에서 요구되는 고효율, 고집적 반도체를 구현하는 데 필수적이다. 반도체 파운드리 및 메모리 공정에서 EUV 노광 장비의 수요가 지속적으로 확대되는 가운데, 이와 관련된 EUV 레티클 전용 POD 클리너 장비 또한 레티클의 청정상태를 최상으로 관리하는 것이 중요하다는 관점에서 수요가 증가할 것으로 예상된다. 시장조사기관 비즈니스리서치인사이트에 따르면 레티클 POD 클리너 시장 규모는 2028년까지 6천100만 달러에 도달할 것으로 예상된다. 에스티아이 관계자는 "인공지능 서버 및 모바일용 메모리 등의 수요 증가로 반도체 산업의 업황이 전반적으로 개선될 것으로 예상되며, 이에 따라 당사 수주 실적 개선 또한 가시화 될 것"이라고 전했다. 이어 "국내 고객사에게 기술력을 인정 받은 신규 장비인 HBM(High Bandwidth Memory)용 플럭스 리플로어와 플럭스리스 리플로어의 수주 또한 순조롭게 진행 중이며, 차세대 리플로우 개발을 통해 국내외 다양한 고객사에 영업을 활발히 하고 있다"고 밝혔다.

2025.01.02 13:44이나리

머크, 日 시즈오카에 신규 첨단 패터닝 소재 센터 설립

과학기술기업 머크는 일본 시즈오카 지역에 새 첨단 소재 개발 센터(AMDC) 설립을 위해 7천만 유로(약 1050억원) 이상을 투자할 계획이라고 20일 밝혔다. 이로써 시즈오카 지역에 대한 머크의 총 투자액은 2021년 첫 투자 이후 1억2천만 유로가 넘는다. 머크의 이번 투자는 기존 첨단 패터닝 역량을 강화하고 반도체 기술 발전을 위한 연구개발 역량을 확대를 통해 글로벌 전자 산업의 성장에 기여할 예정이다. 새로운 첨단 소재 개발 센터의 시설 면적은 5천500㎡로, 최첨단 클린룸과 고도화된 연구공간을 갖출 예정이다. 확장성에 초점을 맞추어 건설될 첨단 소재 개발 센터는 점점 진화하는 산업 요구를 충족하기 위한 향후 시설 확장을 포함한다. 기존 시즈오카의 패터닝 전문 센터를 토대로 하는 머크의 새로운 첨단 소재 개발 센터가 증축되면 최신 반도체 노드를 위한 최첨단 솔루션과 엄격한 환경 표준을 충족하는 혁신 소재 개발이 가능해진다. 머크는 시설 확장과 주요 R&D 활동의 통합으로 혁신을 가속화하고 효율을 개선하며 더 효과적으로 고객사 니즈를 지원할 계획이다. 케빈 고만 머크 패터닝 솔루션 비즈니스 헤드 겸 수석 부사장은 “새로운 첨단 소재 개발 센터를 시즈오카에 짓기로 한 머크의 결정은 혁신, 그리고 글로벌 시장에 중대한 기여자인 일본의 반도체 산업에 대한 머크의 확신을 반영한 것”이라며 “패터닝 소재 혁신의 선구자인 머크의 시즈오카 투자는 전세계 고객에 대한 머크의 소재 인텔리전스 제공 역량을 향상시켜, 일본과 전 세계적으로 반도체 산업의 성장을 지원할 것"이라고 말했다. 일본은 머크 패터닝 비즈니스의 핵심 시장이다. 주요 고객과의 비즈니스 외에도, 머크는 선도적인 장비 제조업체들과 강력한 파트너십을 다져왔다. 이러한 머크의 협업은 산업이 마주친 가장 까다로운 난제를 해결하는 데 큰 역할을 담당했다. 머크는 기술 로드맵을 진전시키기 위해 이와 같은 파트너 관계를 발전시키는 데 전념하고 있다. 첨단 소재 개발 센터 설립은 칩 기술의 진전 및 지속가능한 혁신을 발전시키기 위한 머크의 헌신에 기반하고 있다. 첨단 소재 개발 센터는 EUV(극자외선) 소재, DSA(자기유도조립) 등 최첨단 소재 및 솔루션에 집중함으로써 환경 문제를 해결하는 동시에 AI 칩, 첨단 노드 등 차세대 애플리케이션에 따른 요구사항을 충족하는 것을 그 목표로 한다. 새로운 첨단 소재 개발 센터는 2026년 운영을 개시할 것으로 예상되며, 기술적 발전 선도와 산업 성장 지원에 대한 머크의 전념을 한 차원 강화할 것으로 기대된다.

2024.12.20 08:34장경윤

美, 中 첨단 반도체 전·후공정 옥죈다…"韓, 수출 요건 면밀히 봐야"

미국이 연일 중국에 대한 첨단 반도체 수출규제를 강화하고 있다. 최근엔 반도체 장비에 대한 규제범위를 확대하고, EUV(극자외선)을 대체할 첨단 노광기술 분야에 대한 접근을 차단하는 등 규제를 시행했다. 국내 반도체 장비업계 역시 중국 사업 확대에 제동이 걸릴 수 있다는 우려가 제기된다. 이와 대해 전문가들은 먼저 추가된 규제 요건을 면밀히 파악하고, 상황에 맞는 대비책을 세울 필요가 있다고 제언했다. 16일 서울 스페이스쉐어 삼성역센터에서는 '미국의 대중국 반도체 수출통제 강화 설명회'가 진행됐다. 미국산 IC칩 활용 안돼…FDPR 범위 넓힌다 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 지난 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표한 바 있다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 장비 수출규제 범위에는 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴이 포함됐다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 주요 공정 전반을 다룬다. 특히 이번 규제에서는 한국을 비롯해 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만 등이 FDPR(해외직접생산품규칙) 면제국에 포함되지 않았다. FDPR은 미국이 아닌 타 국가에서 만든 제품도 미국산 소프트웨어나 장비, 기술 등이 적용되면 특정 국가로의 반입을 금지하는 제재다. FDPR의 조건도 2종이 추가됐다. 기존 FDPR은 미국 기술이나 소프트웨어로 생산된 외국산 제품, 또는 미국 기술이나 소프트웨어가 사용된 해외 시설에서 생산된 외국산 제품을 통제했다. 이번 규제에서는 미국 기술이나 소프트웨어가 사용된 생산품(특히 IC칩)을 포함하는 경우도 통제 대상으로 삼기 때문에 범위가 더 넓다. 예를 들어 반도체 장비기업 A사가 미국산 IC 칩을 단 한개라도 활용해, FDPR 규제에 포함된 반도체 장비를 한국에서 제조하는 경우에도 통제 대상에 오르게 된다. 인텔 등 미국산 IC칩은 사실상 반도체 장비에 필수적으로 활용된다. 이에 설명회에 참석한 반도체 장비업계 관계자들은 중국향 수출에 미칠 여파에 우려를 표했다. 이와 관련해 강은희 무역안보관리원 정책연구팀 팀장은 "먼저 수출품의 목적지 및 거래자, 수출 품목 등이 FDPR 규제 대상에 포함되는지 살펴볼 필요가 있다"며 "미국 기술을 활용하더라도 거래처나 제품군이 규제 대상이 아니면 영향을 받지 않기 때문"이라고 설명했다. EUV 대체 기술도 차단…첨단 노광 기술 접근 '원천봉쇄' 규제 품목에 새롭게 오른 장비들도 눈에 띈다. 미국은 반도체에 회로를 새기는 노광 공정용 장비에 고성능 나노 임프린트 노광(NIL) 장비를 추가했다. NIL은 웨이퍼에 감광액(PR)을 도포하고 그 위로 특정 패턴이 각인된 스탬프를 찍어 회로를 형성하는 기술이다. EUV 등 기존 노광 공정과 달리 렌즈를 쓰지 않기 때문에 비용이 저렴하다. NIL은 기존 통제 품목인 EUV의 대체재로 평가받는다. 7나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에서도 향후 활용될 가능성이 있어, 일본 캐논 등이 관련 기술을 적극적으로 개발해 왔다. 결과적으로, 해당 규제는 중국이 대체재를 활용해 첨단 노광기술에 접근하려는 시도까지 막기 위한 전략으로 풀이된다. HBM 등 첨단 패키징에서 활용되는 TSV(실리콘관통전극) 식각장비도 규제 대상에 올랐다. TSV는 층층이 쌓인 각 D램이 데이터를 주고받을 수 있도록 하는 일종의 통로다. 이를 위해선 식각장비로 D램에 균일하고 미세한 구멍을 뚫어야 한다.

2024.12.16 18:07장경윤

제이오, 인하대와 기술 이전 협약…EUV 펠리클용 CNT 기술 고도화

글로벌 탄소나노튜브(CNT) 선도 기업 제이오는 지난 9일 인하대학교와 고투과도와 고결정성을 가지는 탄소나노튜브(CNT) 멤브레인 기술 이전 협약을 체결했다고 10일 밝혔다. 이번에 이전하는 기술은 인하대 화학공학과 양승재 교수 연구팀이 개발한 CNT 멤브레인 기술로 기술 이전료는 2억원 규모다. 지난 20년간 탄소나노튜브 연구개발에 매진해 온 제이오는 10년 전부터 탄소나노튜브 시트를 개발해 공급해 왔다. 회사는 이를 응용해 현재 산학협력 연구과제로써 반도체 분야 EUV 펠리클용 탄소나노튜브를 개발하고 있으며, 핵심기술 완성도를 높이기 위해 이번 기술이전 계약을 체결하게 됐다. 제이오는 이번 협약 체결을 통해 고투과도와 고결정성을 강화한 EUV 팰리클용 CNT 멤브레인 개발에 속도를 내면서 이차전지 산업 중심인 탄소나노튜브의 시장을 반도체 산업으로 확대하고, 차세대 반도체 혁신 소재기업으로 시장 내 지위를 더욱 공고히 할 것으로 기대하고 있다. 펠리클은 EUV 공정에서 회로를 새겨 넣는 판인 포토마스크를 이물질로부터 보호하는 역할을 한다. EUV 공정은 광투과를 통해 노광을 진행하게 되는데, 펠리클이 이 과정에서 발생되는 파티클(이물질)에 의한 마스크 손상 등의 공정 손실을 최소화해 제품의 수율을 높일 수 있어 개당 가격이 수천만원에서 비싸게는 1억원에 육박하는 고부가가치 제품으로 평가받는다. 특히 현재 상용화된 EUV 펠리클은 EUV 노광 장비 출력인 300~400W에 적합하지만, 향후 도입될 하이-NA EUV 장비는 출력이 높아 600W 이상의 내구성을 갖춘 새로운 펠리클이 필요한 상황이다. 탄소나노튜브 펠리클은 기존 실리콘 소재의 EUV 펠리클보다 내구성이 2배 강해 향후 도입될 하이-NA EUV 공정에 최적화되었다는 평가를 받는다. 강득주 제이오 대표는 “제이오는 이번 기술 이전 협약을 통해 유관기관들과의 협력을 공고히 하고, 차세대 반도체 연구에 기여함으로써 탄소나노튜브 분야 독보적인 선도기업으로 자리매김 할 것”이라며 “탄소나노튜브는 이차전지와 반도체 산업에 이어 향후 방산과 전장 및 건자재 산업 등에서도 혁신 소재로 자리매김하게 될 것이며, 이를 주도하는 제이오는 글로벌 모든 산업에 탄소나노튜브를 적용해 탄소나노튜브 월드를 세워 갈 것“라고 말했다. 양승재 인하대학교 교수는 “이번 기술이전이 대학 연구 성과의 산학협력 모범 사례이자 국가 산업 부흥의 초석이 되길 바란다”고 말했다. 한편 제이오는 지난 20년간 탄소나노튜브 개발을 통해 업계 최초 다중벽탄소나노튜브(MWCNT) 대량생산 성공에 이어, 2014년 세계 최초 비철계 탄소나노튜브 개발 및 소수벽탄소나노튜브(TWCNT) 개발 성공, 2023년 단일벽탄소나노튜브(SWCNT) 개발 성공 등 세계 최고 수준의 CNT 개발 기술력을 갖춘 기업이다.

2024.12.10 09:55장경윤

삼양엔씨켐, EUV·HBM 시장 잡는다…"PR용 소재 개발"

국내 포토레지스트(PR, 감광액)용 소재 기업 삼양엔씨켐이 최첨단 반도체 시장 진입에 따른 회사 성장을 자신했다. 고난이도 노광 기술인 EUV(극자외선)용 소재의 상용화를 성공했으며, 차세대 메모리로 각광받는 HBM(고대역폭메모리) 분야에서도 내년 신규 소재를 상용화할 수 있을 것으로 기대된다. 정회식 삼양엔씨켐 대표는 6일 서울 여의도에서 IPO 기자간담회를 열고 회사의 핵심 사업 및 향후 전략에 대해 이같이 밝혔다. 지난 2008년 설립된 삼양엔씨켐은 반도체 포토레지스트용 재료를 전문으로 개발하는 기업이다. 포토레지스트는 반도체 웨이퍼 위에 반도체 회로를 새기는 노광 공정에 필수적으로 활용되는 소재다. 빛에 반응해 화학적 변화를 일으키고, 이를 통해 웨이퍼에 특정한 패턴을 만들어낸다. 삼양엔씨켐은 이 포토레지스트를 만드는 데 필요한 폴리머(고분자), PAG(광산발생제)를 양산하고 있다. 두 소재 모두 기존 일본이 주도해 온 시장이었으나, 삼양엔씨켐이 지난 2012년경 국산화에 성공했다. 현재 국내외 복수의 포토레지스트 제조업체를 통해, 삼성전자·SK하이닉스 등에 제품을 공급하고 있다. 정회식 대표는 "삼양엔씨켐은 높은 정제 기술을 기반으로 국내는 물론 국내 시장에 진출한 해외 기업들과도 거래를 확대하고 있다"며 "지난해 986억원 수준의 매출을 오는 2030년까지 3천억원으로 끌어올리고, ArF와 EUV향 비중을 기존 10%에서 30%로 높이는 것이 목표"라고 강조했다. 포토레지스트는 노광 방식에 따라 KrF(불화크립톤), ArF(불화아르곤), EUV 등으로 나뉜다, 후순으로 갈수록 기술적 난이도가 높고, 첨단 반도체 공정에서 활용된다. 특히 EUV는 7나노미터(nm) 이하의 최첨단 공정, 1a(4세대 10나노급) D램 등에서 활용도가 높다. 이를 위해 삼양엔씨켐은 국내 포토레지스트 제조업체와 협력해 EUV용 포토레지스트 소재를 개발했다. 국내 메모리기업 2곳 중 한 곳에는 공급을 시작했고, 다른 한 곳은 공급을 추진 중이다. 또한 해외 협력사와 함께 파운드리용 EUV용 소재를 개발하고 있다. 해당 소재는 내년 양산 공급할 예정이다. 또한 삼양엔씨켐은 차세대 메모리로 각광받는 HBM 분야에도 진출했다. 지난 2020년부터 HBM용 범프 폴리머 협업을 시작해, 주요 고객사와 품질 테스트를 거치고 있다. 이르면 내년부터 상용화에 들어갈 수 있을 것으로 전망된다. 해당 제품 역시 기존에는 일본 기업이 시장을 독과점해 왔었다. 정 대표는 "국내 최대 반도체 PR 소재 전문기업으로서 EUV 및 HBM BUMP 폴리머 등 차세대 반도체 핵심 소재 개발을 진행하고 있다”며 “상장 이후 회사는 시장의 수요에 발맞춘 혁신적인 소재 개발을 통해 반도체 산업의 지속 가능한 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다. 한편 삼양엔씨켐은 이번 상장에서 110만주를 공모한다. 희망 공모가는 1만6천원~1만8천원으로 총 공모금액은 176억원~198억원이다. 수요예측은 2025년 1월 6일~10일 5일간 진행, 같은 달 16일~17일 양일간 일반 청약을 거쳐 2월 3일 코스닥 상장을 목표로 하고 있다. 상장 주관은 KB증권이 맡았다.

2024.12.06 14:29장경윤

에스앤에스텍, EUV용 검사장비 시설투자...양산 대응

반도체, 디스플레이 공정 핵심 부품인 블랭크마스크 전문 기업 에스앤에스텍은 경기도 용인 반도체 산업단지에 위치한 공장에 신규 투자를 진행한다고 4일 밝혔다. 에스앤에스텍은 회사 유보자금 약 417억원을 투자해 극자외선(EUV)용 블랭크마스크 양산을 위한 시설 투자와 신규 장비를 도입한다. 이번 투자는 EUV용 블랭크마스크 검사 장비 투자에 집중되며 이는 지난 2020년부터 약 4년간의 연구 개발에 대한 결실로 시장의 수요 및 진입의 신호탄이라고 회사 측은 설명했다. 특히 신규 투자 계획은 용인 반도체 벨트에 위치한 고객사의 요구에 신속히 대응하기 위해 개발과 양산 라인을 구축하는 것이다. EUV용 블랭크마스크는 EUV 노광 공정에서 웨이퍼에 회로를 새기는 데 활용되는 패턴 마스크의 원판으로 나노미터 수준의 얇은 다층막(멀티 레이어) 위에 흡수체인 기반 합금을 다시 적층하는 과정을 거쳐 제작된다. 에스앤에스텍 관계자는 "2025년 준공 시점 전까지 EUV 제품에 대한 수요는 대구사업장에 투자한 장비로 대응이 가능하며 용인 사업장은 증가하는 시장 수요에 대응해 양산 생산라인을 마무리할 계획"이라고 밝혔다.

2024.12.04 14:48장경윤

삼성電 파운드리, 두 마리 토끼 잡는다

삼성전자가 2025년 정기 사장단 인사를 통해 파운드리 사업의 근원적인 경쟁력을 강화한다. 시스템반도체 강국인 미국에서 사업 경험을 쌓은 한진만 사장과 메모리 수율 향상의 주역인 남석우 사장을 동시에 배치해 파운드리의 핵심 두 축인 '고객사 네트워크'와 '수율'을 모두 챙기겠다는 전략이다. 27일 삼성전자는 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 이와 더불어 삼성전자는 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정했다. 파운드리는 반도체를 설계하는 팹리스 고객사로부터 수주를 받아 칩을 대신 제작해주는 사업이다. 때문에 안정적인 양산 기술은 물론, 고객사와의 긴밀한 네트워크 형성이 경쟁력의 핵심이다. 다만 삼성전자는 최근 파운드리 사업에서 고전을 면치 못하고 있다. 선두업체인 TSMC에 비해 IP(설계자산) 등이 부족하고, EUV(극자외선) 등 첨단 기술을 안정적으로 도입하지 못한 것이 원인으로 지목된다. 이로 인해 삼성전자는 최선단 파운드리 영역에서 애플·엔비디아·퀄컴 등 주요 고객사를 TSMC에 내주고 있다. 올 3분기 파운드리 사업부가 기록한 적자 규모도 1조5천억원에 달하는 것으로 추산된다. 이러한 위기 상황을 극복하기 위해 삼성전자는 이번 인사를 통해 파운드리 사업의 핵심인 수율, 고객사 협업을 동시에 강화하려는 것으로 풀이된다. 삼성전자 출신의 반도체 업계 고위 임원은 "한진만 사장은 근래 미국 비즈니스를 담당하며 현지 기업들과 끈끈한 관계를 쌓아 왔다"며 "미국이 팹리스 강국인 만큼, 한진만 사장이 고객사 비즈니스를 주력으로 챙길 것으로 보인다"고 말했다. 이 관계자는 이어 "남석우 사장은 메모리 사업부에서 제품 수율을 올리는 데 가장 핵심적인 역할을 해 온 인물 중 하나"라며 "최근 삼성전자가 최선단 파운드리 공정 수율 확보에 어려움을 겪고 있어 남석우 사장이 투입됐을 것"이라고 덧붙였다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘하고 있다. 남석우 사장은 반도체 공정개발 및 제조 전문가로, 반도체연구소에서 메모리 전제품 공정개발을 주도한 바 있다. 메모리·파운드리 제조기술센터장, DS부문 제조&기술담당 등의 역할을 수행하며 선단공정 기술확보와 제조경쟁력 강화에 기여해 왔다.

2024.11.27 11:28장경윤

'반도체 소재' 삼양엔씨켐, 코스닥 상장 증권신고서 제출

국내 최대 반도체 포토레지스트(PR) 소재 전문기업 삼양엔씨켐은 금융위원회에 증권신고서를 제출하고 코스닥 상장을 위한 본격 공모 절차에 돌입한다고 18일 밝혔다. 삼양엔씨켐은 이번 상장에서 110만주를 공모한다. 희망 공모가는 1만6천원~1만8천원으로 총 공모금액은 176억원~198억원이다. 수요예측은 12월 5일~11일 5일간 진행, 같은 달 17일~18일 양일간 일반 청약을 거쳐 12월 내 코스닥 상장을 목표로 하고 있다. 상장 주관은 KB증권이 맡았다. 삼양엔씨켐은 2008년 '엔씨켐'이라는 이름으로 설립돼 반도체 포토레지스트(PR)용 핵심 소재를 국내 최초로 국산화한 기업이다. 회사는 PR의 주요 구성 요소인 폴리머(Polymer)와 광산발산제(PAG)를 개발·생산하고 있다. 포토레지스트(PR)는 빛에 반응하는 감광 재료로 반도체 공정에서 웨이퍼에 미세한 회로를 형성하는 역할을 한다. 회사는 PR을 구성하는 주요 구성 요소인 폴리머, PAG 등 광원별 다양한 소재 포트폴리오를 구축하며 고객의 다양한 요구를 충족할 수 있는 맞춤형 솔루션을 제공하고 있다. 회사가 개발·양산을 진행하고 있는 제품 중 폴리머는 PR의 패턴을 형성하는 핵심 구성 요소 중 하나로 폴리머의 품질에 따라 PR의 해상도와 감도가 달라지므로 고성능 반도체 제조에 필수적이다. 또한 PAG는 빛에 노출되면 산(acid)을 발생시키고 산이 폴리머와 반응해 원하는 패턴을 형성하도록 돕는 역할을 하고 있다. 두 소재 모두 PR의 핵심 구성 요소로 반도체 성능과 공정의 정밀성을 좌우하는 중요한 역할을 하고 있다. 회사는 반도체 제조에 필요한 고순도 화학 소재를 생산하기 위한 합성(synthesis), 중합(polymerization), 정제(purification)와 같은 고도화된 기술 역량을 보유하고 있다. 이러한 기술을 바탕으로 고객의 요구에 맞춘 KrF, ArF와 같은 소재 개발에 성공했으며 'ppb(10억분의 1)' 수준의 금속 관리와 99.9% 순도의 고품질 화학 물질을 안정적으로 대량 생산하고 있다. 특히 금속 관리는 화학 물질에 포함될 수 있는 금속 불순물의 농도를 엄격하게 제어해 반도체 회로의 전기적 특성과 안정성에 미치는 영향을 최소화하는 데 중요한 역할을 하고 있다. 이를 통해 회사는 반도체 PR 제조사의 까다로운 품질 요구를 충족하며 타사 대비 높은 기술 경쟁 우위를 선점하고 있다. 회사는 이러한 기술 역량을 바탕으로 대량 생산을 위한 생산능력도 선제적으로 확보한 바 있다. 회사는 이전 충남 내 정안공장과 탄천공장의 증설을 통해 생산 능력을 대폭 확충했으며 이를 통해 고순도 화학 소재를 안정적으로 공급할 수 있는 생산 인프라 체계 구축에 성공했다. 이러한 CAPA 확장은 원활한 공급망을 유지하면서도 고객의 요구에 맞춘 고품질 제품을 안정적으로 제공하는 것이 가능하다는 점에서 시장 내 높은 경쟁력을 확보하고 있다. 회사는 이번 상장으로 조달하는 자금을 차입금 상환을 통한 재무 건전성 제고와 및 생산 설비에 투자할 계획이다. 장기적인 성장 동력을 확보하기 위한 방침으로 회사는 반도체 PR의 하이엔드 제품인 EUV PR용 폴리머와 PAG, HBM용 BUMP 폴리머 개발을 진행하고 있으며 제품 개발이 완료될 시 필요한 시설 투자를 통해 더 높은 성장을 일굴 방침이다. 정회식 삼양엔씨켐 대표이사는 “회사는 설립 후 독자적인 기술력과 품질 경쟁력을 기반으로 반도체 핵심 소재 시장을 선도해왔다”며 “이번 상장을 통해 고수익 반도체 PR용 소재 개발과 양산 역량 강화에 집중하여 소재 시장 내 경쟁 우위를 더욱 공고히 할 것”이라고 밝혔다.

2024.11.18 16:39장경윤

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