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반도체 핵심 EUV 장비, 도입 검사소요기간 34일→9일로 단축

반도체 핵심 공정에 필수적인 극자외선(EUV) 노광장비 국내 도입 절차가 기존 34일에서 9일로 최대 25일 빨라진다. 산업통상부는 2일 국무회의에서 글로벌 안전기준을 충족한 반도체 제조장비에 대해 고압가스 일반제조시설이 아닌 '특정설비' 기준을 적용하도록 하는 것을 주요 내용으로 하는 '고압가스 안전관리법 시행령' 일부개정안이 의결됐다고 밝혔다. 이번 제도 개선으로 EUV 장비 도입 기간은 장비당 최대 25일 단축되고, 해외 공인검사기관 내압·기밀 검사비용도 장비당 약 5억원 절감될 전망이다. 산업부는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업이 첨단 제조장비를 적기에 도입하고 신속하게 가동함으로써 반도체 산업 초격차 유지에 기여할 것으로 기대했다. 반도체 공정에 필수적인 EUV 장비는 내부에 고압가스 배관·장치가 포함돼 현행 법령상 '고압가스 제조설비'로 분류돼 왔다. EUV 장비를 설치할 때마다 기술검토와 검사를 받아야 하고 이 과정에서 장비 도입이 지연되고 기업 부담이 발생한다는 현장의 의견이 제기돼 왔다. 산업부는 제도 개선을 위해 반도체 업계와 여러 차례 협의를 거쳐 의견을 수렴하고, 글로벌 안전기준과 국내 안전관리 체계 간 정합성을 면밀하게 검토해 EUV 장비를 기존 '고압가스 제조시설'에서 '특정설비'로 전환해 안전성을 관리하는 개정안을 마련했다. 산업부는 시행령과 함께 시행규칙 개정도 함께 추진, EUV 장비 규제 합리화 외에도 물과 세탁세제 대신 이산화탄소를 사용해 세탁하는 친환경 '액화 이산화탄소 세정설비'를 국내 최초 상용화할 수 있도록 맞춤형 검사기준을 신설하는 등 규제를 합리화하고, '위험성이 낮은 고압가스시설'의 안전관리자 선임기준을 현실에 맞게 정비하는 내용도 포함했다. 개정안은 다음 주 중 공포 직후 시행된다. 김정관 산업부 장관은 “이번 법령 개정은 안전 확보와 첨단산업 경쟁력 강화를 동시에 달성하기 위한 대표적인 규제혁신 사례”라며 “앞으로도 글로벌 기준에 부합하는 합리적 안전관리 체계를 통해 첨단산업 투자를 적극 지원해 나가겠다”고 밝혔다.

2026.06.02 14:07주문정 기자

파크시스템스, "최첨단 패키징서 연내 성과 기대…AFM 장비 공급 논의"

파크시스템스가 원자현미경(AFM) 장비로 최첨단 반도체 시장을 공략한다. AFM은 수 나노미터(nm)대 초정밀 계측이 가능한 기술로, 최첨단 반도체 전공정은 물론 후공정에서 수요가 확대되고 있다. 올해는 2.5D 패키징향으로 양산 장비 수주가 예상된다. 박상일 파크시스템스 대표는 29일 과천 본사에서 개최한 기업설명회에서 이러한 내용을 밝혔다. AFM은 미세한 크기의 탐침을 시료 표면에 원자 단위까지 근접시킨 뒤, 탐침과 표면 간 상호작용으로 시료 구조를 측정하는 장비다. 전자현미경(SEM) 대비 더 정밀한 나노미터 수준 계측이 가능하고, 시료의 전자기·기계 특성을 확인할 수 있다. 덕분에 AFM은 첨단연구소와 극자외선(EUV) 등 초미세 반도체 공정에서 수요가 증가해 왔다. 현재 국내외 메모리·파운드리 제조사가 파크시스템스의 AFM 장비를 연구 및 양산용으로 적용하고 있다. 'NX-하이브리드(Hybrid) WLI' 장비가 대표적이다. 백색광 간섭계(WLI)는 넓은 영역을 빠르게 계측하는 광학 기술이다. 정밀하지만 계측 속도가 느린 AFM 단점을 보완할 수 있다. 박 대표는 "파크시스템스는 AFM 업계에서 지난 2022년 1등을 기록한 뒤, 경쟁사와 계속 격차를 벌려 왔다"며 "회사 매출도 2015년 상장한 이래 한 번도 하락한 적 없이 매년 20~30%가량 성장해 왔다"고 설명했다. 2.5D 등 최첨단 패키징향 계측장비 'NX-TSH'도 본격 수주가 기대된다. NX-TSH는 대형 및 중량 샘플 계측이 가능한 AFM 장비다. 당초 디스플레이용으로 개발됐으나 대면적 패키징에서도 활용이 가능하다. 2.5D 패키징은 반도체와 기판 사이에 얇은 막 형태 인터포저를 삽입해, 칩 성능을 향상시키는 기술이다. 현재 대만 TSMC가 시장을 주도하고 있다. 엔비디아·AMD 등 글로벌 빅테크의 초고성능 AI 가속기도 모두 TSMC의 2.5D 패키징을 통해 만든다. 현재 파크시스템스는 전세계 최대 파운드리 기업과 NX-TSH 장비 양산 공급을 논의 중이다. 최근 최첨단 패키징 설비투자 규모가 확대되는 만큼, 올해를 시작으로 수주 규모가 지속 확대될 전망이다. 이동춘 파크시스템스 전무는 "최근 개발한 최첨단 패키징 영역은 2마이크로미터 이하 계측을 다뤄, 기존 광학 장비로는 대처할 수 없다"며 "고객들과 AFM 장비 공급을 논의 중이고, 수요는 계속 늘어날 것"이라고 기대했다. 인텔이 2.5D 패키징 사업을 확대하고 있는 점도 기대요소다. 인텔은 파크시스템스의 주요 고객 중 하나로, 최첨단 패키징 분야에서 협력을 이어오고 있다. 인텔은 자체 2.5D 패키징 기술 EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)를 통해 구글 등 글로벌 빅테크를 고객사로 확보했다. 본격 양산 시점은 내년으로 전망된다. 박 대표는 "파크시스템스는 지금까지 성장세를 중장기에도 충분히 지속할 수 있는 여건에 있다"며 "인수합병(M&A) 역시 현재 전세계 5개 정도 기업을 후보로 검토 중이고, 빠르면 올해 안에 성과를 낼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2026.05.29 17:51장경윤 기자

워트 "내년 7월 삼성전자 P5에 THC 반입"

반도체 공정용 초정밀 온습도 제어장비(THC)가 주력인 워트가 2027년 7월 삼성전자 평택캠퍼스 5공장(P5)에 THC를 반입할 예정이라고 밝혔다. 삼성전자의 P5 목표 가동 시점은 2028년이다. 평택캠퍼스 내 다른 공장(2개층·4개 클린룸)보다 규모가 큰 P5(3개층·6개 클린룸)에선 고대역폭메모리(HBM)를 주로 만들 예정이다. THC는 반도체 환경 제어 시스템이다. 주로 전공정인 노광 공정과 후공정인 HBM 공정용 트랙 장비에 장착해 사용한다. THC는 감광액 코팅과 현상 공정 챔버에 정제된 공기를 공급하고, 이를 통해 파티클과 온습도, 미량 가스를 정밀하게 제어한다. 5일 업계에 따르면 워트는 최근 공개한 1분기 보고서에서 "삼성전자의 경우 극자외선(EUV) 공정용 THC 평가를 위해 2025년 말 팹에 장비를 반입했다"며 "2026년 1분기 기준 설치(셋업)가 완료돼 웨이퍼 투입 평가 중"이라고 밝혔다. 이어 "2026년 2분기 평가 완료가 목표"라고 덧붙였다. 이어 "고객사(삼성전자) 설비투자 확대로 P4용 장비를 수주해 납품 중"이라며 "(중략) P5는 2027년 7월 장비(THC) 반입이 예정돼 있고, 중장기로 추가 수주 기회 확대를 예상한다"고 밝혔다. 워트는 지난 3월 공개한 2025년 사업보고서에서도 THC 평가 등과 관련한 일정을 소개했지만, 1분기 보고서에서 일정이 보다 구체화됐다. 워트는 또 다른 주요 고객사 SK하이닉스에 대해선 "2024년 주요 고객사(SK하이닉스)의 HBM 공정용 트랙 설비에 THC를 공급해 성능 검증을 마쳤고, 이후 관련 공정에 제품을 지속 공급하고 있다"고 밝혔다. 이어 "EUV 공정에 대해서도 2025년 말 평가했고, 2026년 1분기 평가 인증을 마쳐 EUV 공정용 THC를 수주해 관련 프로젝트를 수행 중"이라고 덧붙였다. 또, 워트는 "차세대 반도체 공정으로 주목받는 웨이퍼투웨이퍼(W2W) 적층 기술 확산으로 하이브리드 본더 수요가 늘고 있다"며 "이 장비에도 워트 THC 적용이 예정돼있다"고 밝혔다. 다만, 대만 반도체 업체에 대한 장비 납품은 밀리고 있다. 워트는 3월 공개한 2025년 사업보고서에선 "2025년 말부터 대만 사이트에서 에이전트를 통해 유명 칩 제조사 후공정 라인에서 평가 중이고, (중략) 2026년 상반기 양산 수주를 목표로 영업 활동 중"이라고 밝혔는데, 4월 공개한 1분기 보고서에선 "2026년 하반기 양산 수주 확보가 목표"라고 밝혔다. 워트의 주요 고객사는 삼성전자와 SK하이닉스, 세메스 등이다. 올해 워트가 체결한 단일판매공급계약은 ▲3월 삼성전자 70억원 ▲3월 유니램 8억원 ▲4월 SK하이닉스 20억원 등이다. 1분기 실적은 매출 43억원, 영업이익 9억6000만원 등이다. 전년 동기보다 매출은 5.8%, 영업이익은 6.9% 줄었다. 지난해 실적은 매출 152억원, 영업이익 25억원 등이다. 전년비 매출은 0.2%, 영업이익은 22.3% 늘었다. 매출 구성은 ▲초정밀 온습도 제어장비(THC) 73% ▲공기정화장치(FFU) 13% ▲항온기장치(TCU) 3% 등이다.

2026.05.05 08:00이기종 기자

TEL코리아, 2026년 전 부문 공개채용

반도체 장비업체 도쿄일렉트론(TEL)코리아는 2026년도 신입 및 경력사원을 공개 채용한다고 13일 밝혔다. 서류는 13일부터 26일까지 접수한다. 도쿄일렉트론코리아는 "지난 1993년 한국 진출 후 외국계 반도체 장비사 중 국내 최대 규모 연구개발(R&D) 센터와 8개 지역 거점을 운영 중"이라며 "내년 1월 용인 R&D 센터(TEL Technology Center Korea-Y, TTCK-Y) 신규 가동과 기존 거점 인프라 고도화 등으로 성장을 함께 이끌 실무 인재를 확보할 계획"이라고 설명했다. 이번 공채는 차세대 반도체 공정 연구와 인프라 강화를 주도할 필드 엔지니어(FE), 프로세스 엔지니어(PE) 등 핵심 기술 직무는 물론 안전, 소방, 시설 등 주요 인프라 직군까지 전 부문에서 전개한다. 반도체 전공자뿐 아니라, 인프라와 지원 직무에 요구되는 실무 역량과 반도체 산업 이해도를 갖춘 다양한 인재를 영입한다. 채용 전형 초점은 직무와 조직 적합성 검증이다. 신입 지원자는 인공지능(AI) 역량검사와 1·2차 면접을 거친다. 경력직은 실무 역량 중심 면접으로 선발한다. 서류 접수 기간인 이달 20일에는 현직 선배가 참여하는 온라인 채용 설명회 '텔인(TEL-IN) 잡토크'을 개최한다. 지원자는 회사 비전과 직무 상세 내용을 직접 파악할 수 있다. 합격 이후에는 지원자의 안정적 조직 안착과 중장기 커리어 성장을 돕는 체계적 온보딩 시스템을 가동한다. 신입 최종 합격자를 대상으로 첫 출근 전 '프리 온보딩 런치(Pre-Onboarding Lunch)'를 열어 소속감을 고취한다. 입사 후에는 2주간 집체교육 '텔십(TEL-SHIP)'과 4주간 일본어 연수 프로그램을 이수한 뒤 6개월간 현업 멘토링이 이어진다. 경력직도 비전 내재화를 위한 맞춤형 '텔 컬쳐 프로그램'을 이수한다. 도쿄일렉트론코리아는 "전세계 점유율 100%인 극자외선(EUV)용 트랙 장비를 비롯해 반도체 4대 핵심공정(증착·포토·식각·세정) 장비 기술력으로 시장을 선도하는 배경에는 '사람이 가장 큰 자산'이라는 경영 철학이 있다"고 밝혔다. 도쿄일렉트론코리아는 "신규 R&D 센터 가동 및 주요 거점 인프라 고도화 등 새로운 도약기를 이끌 핵심 동력은 결국 사람"이라며 "실질적 직무 역량과 조직 적합성을 최우선으로 검증해 우수 인재를 발굴하고, 이들이 최고 근무 환경에서 차세대 반도체 혁신을 견인하는 전문가로 성장하도록 최적의 무대를 제공할 것"이라고 말했다.

2026.04.13 09:20장경윤 기자

동진쎄미켐, "美신너 공장 하반기 양산 가동"...삼성전자와 특허 공동 출원

동진쎄미켐이 올해 하반기 미국 텍사스 신너 공장을 양산 가동한다고 밝혔다. 이곳은 삼성전자 테일러 팹에 대응할 예정이다. 동진쎄미켐은 삼성전자와 신너 특허도 한국과 미국 등에 공동 출원(신청)했다. 동진쎄미켐은 지난 9일 기업설명회에서 '미국 시장 진출과 중장기 성장동력'과 관련해 "2600억원을 투자해 텍사스주에 건설한 신너 및 고순도 황산 공장을 통해 글로벌 반도체 공급망 입지를 강화하고 있다"며 "2026년 하반기 양산 예정인 신너 공장은 이미 대형 수주를 확보한 파운드리 고객사의 현지 공장에 납품할 예정"이라고 밝혔다. 또, 동진쎄미켐은 "삼성물산 및 마틴과 합작 설립한 고순도 황산 공장은 미국 정부 소재 자립화 정책에 따른 수혜를 누릴 것"이라고 기대했다. 동진쎄미켐이 텍사스 신너 공장에서 만들어 납품할 예정이라고 밝힌 파운드리 고객사의 현지 공장은, 삼성전자가 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 파운드리 공장(테일러 팹)을 말한다. 삼성전자는 사업보고서에서 "반도체(DS) 부문 파운드리 사업부가 테슬라로부터 165억달러(약 24조5000억원) 반도체 위탁생산을 수주했다"고 밝혔다. 계약 체결일은 2025년 7월, 계약 종료일은 2033년 12월이다. 삼성전자는 테일러 팹을 2022년에 착공했고, 올해 가동할 예정이다. 동진쎄미켐은 기업설명회 자료에서 신너에 대해 "감광액 회전 도포(스핀 코팅) 후 웨이퍼 가장자리의 불필요한 감광액을 없애는 공정(EBR:Edge Bead Removal)에 사용한다"며 "감광액 사용량 절감 코팅(RRC:Resist Reduced Coating) 공정으로 (중략) 감광액 사용량을 줄일 때도 사용한다"고 설명했다. 이어 "일반 신너보다 감광액 사용량을 50%까지 줄일 수 있고, 감광액이 불룩하게 솟아오른 높이(Hump Height)를 낮춰 생산수율을 높일 수 있다"고 덧붙였다. 감광액 사용량이 줄면 삼성전자 파운드리 공정 가격 경쟁력을 높일 수 있다. 신너에 대한 설명은 동진쎄미켐이 삼성전자와 공동 출원한 특허 '신너 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판의 표면처리 방법'(출원번호 10-2023-0039213)에서도 볼 수 있다. 특허명세서에서 동진쎄미켐과 삼성전자는 "이 특허는 RRC와 EBR 성능을 개선한 신너 조성물과 배관 세정 능력이 우수한 신너 조성물 및 이를 이용한 기판 표면처리 방법을 제공한다"며 "불화크립톤(KrF) 및 불화아르곤(ArF)용 감광액뿐만 아니라 극자외선(EUV)용 감광액까지 범용적으로 사용할 수 있다"고 밝혔다. 동진쎄미켐 등은 이 특허의 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용' 중 '실험예 3. EUV 감광액 사용량 절감 평가'에서 "(중략) 신너 조성물로 RRC 공정을 진행한 경우 감광액 절감 효과가 각각 50%와 57%로 나타났다"고 설명했다. 동진쎄미켐이 지난 9일 기업설명회에서 소개한 "일반 신너보다 감광액 사용량을 50%까지 줄일 수 있다"와 비슷한 내용이다. 특허 출원 시점은 2023년 3월이다. 그 이전부터 동진쎄미켐과 삼성전자가 관련 기술을 함께 연구한 것으로 보인다. 두 기업은 해당 특허에 대해 지난달 심사를 청구했다. 한국에선 특허 출원 후 최장 3년까지 심사 청구를 늦출 수 있다. 미국과 중국에도 패밀리 특허를 출원했다. 연도별 동진쎄미켐 매출에선 삼성전자 매출과 비중이 커지고 있다. 지난해 동진쎄미켐 전체 매출 1조1941억원 중 59%인 7061억원이 삼성전자에서 나왔다. 지난해 매출 감소에 대해 동진쎄미켐은 "중국 디스플레이 법인 매각 예정에 따른 중단영업손익을 반영했다"고 설명했다. 동진쎄미켐은 지난 2022년 국내 최초로 EUV 감광액을 상용화했다. 지난 2019년 일본 정부의 소재 수출 규제 이후 한국 정부의 소부장 국산화 지원 속에 동진쎄미켐은 삼성전자 등과 EUV 감광액 국산화를 위해 노력했다.

2026.04.11 22:22이기종 기자

인텔, 머스크 손 잡았다...36조 프로젝트 '테라팹' 참여 공식화

인텔이 7일(현지시간) X를 통해 일론 머스크가 추진하는 250억 달러(약 36조원) 규모 반도체 생산 프로젝트 '테라팹' 프로젝트 합류를 공식화했다. 테슬라는 테라팹을 통해 국제 정세와 관세 문제와 무관한 미국 내 안정적인 반도체 공급망을 얻는 것이 목표다. 인텔은 테라팹에 참여해 대형 고객사를 확보하고 미국 내 생산 역량을 강화할 수 있다. 다만 양사의 협업 형태와 250억 달러(약 36조원)에 이르는 투자 비용 마련 방안, 장비 수급 문제 등 현실적인 제약도 여전히 남아 있다. 테라팹 구상이 실제로 실현될 수 있을지는 여전히 미지수다. 일론 머스크, 3월 '테라팹' 구상 구체화 테라팹은 일론 머스크가 주도하는 초대형 반도체 생산 프로젝트로 테슬라와 스페이스X 등 관련 기업이 이용하는 반도체를 직접 조달하려는 구상에서 시작됐다. 지난 1월 말 실적발표에서 일론 머스크는 "3~4년 내 반도체 공급 부족이 예상되는 상황에서 이를 막으려면 반도체 생산과 패키징을 모두 처리할 수 있는 자체 시설이 반드시 필요하다"고 밝힌 바 있다. 이어 지난 3월 21일에는 미국 텍사스 주 오스틴에서 테라팹 프로젝트를, 22일에는 반도체 공장 건설 계획을 공개했다. 그러나 반도체 생산에 반드시 필요한 각종 장비 도입 계획과 이를 활용한 공정 기술에 대한 구체적인 내용은 내놓지 못했다. 인텔 "테라팹 프로젝트 참여" 공식화 테슬라는 테라팹 핵심 요소인 공정 기술과 생산 역량을 공급할 파트너로 인텔 파운드리를 선택했다. 인텔은 7일(현지시간) 공식 X 계정에 립부 탄 CEO와 일론 머스크가 함께 찍은 사진을 공개하고 "스페이스X, xAI, 테슬라와 함께 테라팹 프로젝트에 참여해 실리콘 제조 기술 재구성을 지원하게 됐다"고 밝혔다. 이어 "대규모로 초고성능 칩을 설계, 제조 및 패키징할 수 있는 인텔의 역량은 테라팹이 인공지능 및 로봇 공학의 미래 발전을 뒷받침할 연간 1테라와트(TW)급 컴퓨팅 성능을 생산하려는 목표를 가속화하는 데 도움이 될 것"이라고 설명했다. 테슬라는 공급망, 인텔은 외부 고객사 확보 인텔은 현재 미국 내에서 2나노 이하급 반도체를 대량 생산 가능한 유일한 회사다. 미국 애리조나 주에 2023년 완공한 '팹52'에서 1.8나노급 '인텔 18A' 공정을 활용해 코어 울트라 시리즈3, 제온6+ 등 PC/서버용 프로세서를 생산중이다. 반도체 직접 생산 경험이 없는 테슬라는 인텔의 공정 기술과 대규모 생산 역량을 활용해 시행착오와 시간, 비용을 최소화할 수 있다. 인텔 역시 테슬라와 스페이스X, xAI 등 대규모 고객사를 확보하고 미국 내 생산 역량을 확대할 수 있다. 테슬라는 이미 지난 해 슈퍼컴퓨터용 칩 '도조(Dojo)' 생산 공정 중 패키징에서 인텔 파운드리 의사를 밝히기도 했다. 테슬라 입장에서는 안정적인 칩 공급망 확보, 인텔 입장에서는 대형 고객 확보라는 이해관계가 맞아 떨어진 결과다. 재원·장비 확보 여전히 과제로 남아 테라팹 프로젝트는 가장 큰 변수였던 반도체 공정기술을 인텔 참여로 해결했다. 그러나 250억 달러(약 36조원) 가량의 재원 확보와 함께 반도체 생산에 반드시 필요한 극자외선(EUV) 노광장비 공급 상황 등이 여전히 해결할 과제로 남아있다. 현재 EUV 노광장비 공급사는 네덜란드 ASML이 유일하다. 2나노급 이하 초미세 공정 실현에는 ASML이 생산하는 '트윈스캔 EXE:5200B' 등 최신 장비가 반드시 필요하다. 하지만 파운드리에 이어 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 반도체 제조사들이 주문을 늘리며 공급 역량에 큰 압박을 받고 있다. 실제 장비 반입부터 생산 가능한 시점을 고려하면 2028년 이후가 될 것으로 보인다. 립부 탄 "테라팹, 반도체 제조 근본적인 변화" 평가 립부 탄 인텔 CEO는 "일론 머스크는 산업 전반을 재구성해온 입증된 혁신가"라며 "테라팹은 반도체 제조 방식에 근본적인 변화를 가져올 프로젝트”라고 평가했다. 이어 "인텔은 해당 전략적 프로젝트의 파트너로 참여하게 된 것을 자랑스럽게 생각하며 향후 긴밀히 협력할 것"이라고 덧붙였다. 다만 인텔과 테슬라 모두 구체적인 협력 방식이나 일정까지 공개하지는 않았다. 인텔 주가는 전날(6일) 대비 4.19% 오른 52.91달러로 마감했다. 이후 장외 거래에서 2.8% 상승한 54달러 선에서 거래되고 있다. 반면 테슬라 주가는 1.75% 내린 346.65 달러로 마감했다. 8일 인텔 관계자는 "X에 공개한 사진과 메시지 이외에 별도 설명하거나 답변할 내용이 없다"고 밝혔다.

2026.04.08 08:48권봉석 기자

인텔, 아일랜드 3나노 팹 되샀다...아폴로와 JV 해지

인텔이 1일(미국 현지시간) 아일랜드 킬데어 주 리슬립(Leixlip)에 위치한 4/3나노급 반도체 생산시설 팹34(Fab 34)의 소유권을 완전히 되찾아오겠다고 밝혔다. 2024년 미국 자산운용사인 아폴로 글로벌 매니지먼트(이하 아폴로)와 구성했던 조인트벤처(JV)도 해지한다. 인텔은 파운드리 누적 적자로 현금 흐름 제약이 심했던 당시 팹34 지분 중 49%를 아폴로에 넘기고 112억 달러(약 16조 9456억원) 투자를 유치한 바 있다. 인텔은 이 지분을 142억 달러(약 21조 4846억원)에 되사오며 조인트벤처(JV)를 해소하기로 결정했다고 밝혔다. 아폴로 역시 원금의 26%에 달하는 30억 달러(약 4조 5390억원)의 이익을 거두고 투자를 마치게 됐다. 인텔의 이번 결정은 팹34에서 운용 중인 인텔 4/인텔 3 공정이 안정 궤도에 올랐다는 판단 아래, 이익을 온전히 회수해 수익률을 극대화하기 위한 전략으로 해석된다. 팹34, 인텔 첫 EUV 기반 반도체 생산 시설 팹34는 인텔이 2019년부터 2022년까지 아일랜드 리슬립 소재 캠퍼스에 170억 유로(약 29조 8520억 원)를 들여 세운 반도체 생산 시설이다. 건설 기간 중 코로나19 범유행 여파로 공사가 지연되는 등 여러 차례 고비를 겪기도 했다. 이 곳에서는 팻 겔싱어 전 CEO가 2021년 취임 이후 줄곧 강조한 '5N4Y(4년 안에 5개 공정 실현)' 로드맵의 중간 단계에 위치한 인텔 4(4나노급)/인텔 3(3나노급) 공정을 이용한다. 팹 34는 10나노급 이후 정체기에 빠졌던 인텔이 기존 심자외선(DUV) 공정 대신 극자외선(EUV)으로 공정을 전환해 실제 대량 생산에 성공한 첫 시설이기도 하다. 2023년 코어 울트라 시리즈1(메테오레이크)을 시작으로 Xe3 GPU 등을 생산한다. 인텔, 현금흐름 개선 위해 2024년 아폴로와 JV 구성 2024년 3월, 인텔과 미국 상무부는 미국 내 신규 반도체 생산 시설 및 공정 개발을 위해 85억 달러(약 12조 8605억원) 규모의 보조금 양해 각서 초안에 서명했다. 그러나 실제 보조금 지급이 지연되면서 인텔의 현금 흐름에 적지 않은 문제가 발생했다. 인텔은 이를 해결하기 위해 2022년부터 시작한 반도체 공동투자 프로그램(SCIP)을 적극 활용했다. 반도체 생산시설 건립에 드는 막대한 비용을 외부 투자자나 자산운용사와 분담해 재무 부담을 줄이는 것이 목적이다. 아폴로는 그해 6월 팹34 지분의 약 49%에 달하는 112억 달러를 투자해 인텔과 JV를 구성했다. 당시 계약은 시설 운영 주도권은 인텔이 갖되, 발생하는 수익 중 절반 가량을 아폴로와 나누는 구조였다. AI 인프라 투자에 팹34 생산 제온6도 호조 인텔은 당초 아폴로가 투자한 112억 달러 원금에 더해 30억 달러(약 4조 5390억원)의 웃돈까지 얹어주며 팹34의 소유권을 되찾았다. 또 추가 시설 투자나 공정 전환 과정에서 겪을 수 있는 의사결정 장애물도 해소했다. 이런 결정의 배경에는 글로벌 빅테크의 AI 인프라 확대와 맞물린 서버 시장의 수요가 있다. 향후 수 년간 인텔 3 공정으로 충분한 수익을 거둘 수 있다는 계산이 선 것으로 보인다. 팹34는 현재 주력인 인텔 3 공정으로 서버용 제온6 프로세서를 주로 생산하고 있다. 인텔의 작년 4분기 실적 중 데이터센터 및 AI(DCAI) 그룹 매출은 서버 수요 증가로 인해 2024년 동기 대비 9% 상승한 47억 달러(약 7조 1111억원)를 기록했다. 1월 진행된 실적발표 당시 립부 탄 인텔 CEO는 "제한된 웨이퍼 공급량을 수익성이 높은 데이터센터용 제온6 생산에 우선 배정하고 있다"고 설명한 바 있다. 아폴로, 인텔 지분 매입으로 30억 달러 차익 인텔은 단기적으로는 추가 부담을 감수하지만 장기적으로는 팹34에서 발생하는 수익을 온전히 확보하는 쪽을 선택했다. 아폴로에 지급할 142억 달러 중 77억 달러(약 11조 6501억원)는 사내 잉여 현금으로, 나머지 65억 달러(약 9조 8345억원)는 신규 대출을 통해 조달하겠다고 밝혔다. 이 대출은 올해를 기점으로 내년까지 모두 갚을 수 있다는 것이 인텔 측 설명이다. 아폴로는 JV 해지로 향후 팹34에서 발생하는 수익은 포기해야 하지만 실제로는 이익이 더 크다. 투자 원금의 약 26%에 달하는 30억 달러의 차익을 얻었으며, 이를 연간 수익률로 환산하면 13.76%나 된다. 인텔에게 아폴로와 구성한 JV는 현금 흐름 위기를 넘기기 위해 어쩔 수 없이 선택해야 했던 비싼 대출이었던 셈이다. 팹34 되찾은 인텔, 1.8나노급 '팹52'도 되살까 인텔은 SCIP를 통해 유치했던 투자금을 되돌려주고 생산 시설 소유권을 되찾는 행보를 이어갈 것으로 보인다. 가장 유력한 곳으로는 팹34와 비슷한 지분 구조를 지난 미국 애리조나주 오코틸로 소재 '팹52'가 꼽힌다. 인텔은 2022년 8월 말, 캐나다 브룩필드자산운용으로부터 150억 달러(약 22조 6950억 원)를 받고 애리조나 주에 건설 중이던 팹52와 팹62의 지분 절반가량을 넘긴 바 있다. 이는 인텔이 팹34에서 아폴로와 구성했던 JV와 동일한 구조다. 2023년 완공된 팹52에서는 인텔 18A 공정을 활용해 노트북용 코어 울트라 시리즈3(팬서레이크)와 서버용 제온6+(클리어워터포레스트) 프로세서를 생산중이다. 인텔이 외부 고객사 추가 확보와 수율 안정화를 통해 충분한 수익을 거둘 수 있다고 판단한다면 팹52에서도 투자금 상환 등으로 소유권 회복과 수익 극대화에 나설 가능성이 있다. 이번 발표 이후 인텔 주가는 전 거래일(44.13달러) 대비 9% 이상 올라 장중 48달러선을 오갔다.

2026.04.02 08:58권봉석 기자

SK하이닉스, EUV 장비에 12조원 투자…차세대 D램·HBM 양산 준비

SK하이닉스가 최첨단 반도체 제조를 위한 극자외선(EUV) 설비에 대규모로 투자한다. 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 양산을 위한 움직임으로, 현재 구축 중인 신규 팹에 장비가 순차 도입될 전망이다. SK하이닉스는 24일 유형자산취득결정 공시에서 11조 9496억원 규모 극자외선(EUV) 장비를 도입한다고 밝혔다. 투자 규모는 SK하이닉스 자산총액의 9.97%에 해당한다. 취득예정일자는 이달부터 내년 12월 31일까지다. SK하이닉스는 "취득가액은 EUV 스캐너 도입과 운영을 위한 신규 기계장치, 설치, 재고에 소요되는 총 예상금액"이라며 "취득물건은 총 2년에 걸쳐 취득할 예정으로, 개별 장비 취득 시마다 분할해 대금을 집행할 예정"이라고 밝혔다. EUV는 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이하다. 현재 EUV 장비는 네덜란드 반도체 장비기업 ASML이 독점 생산하고 있다. 기술 난도가 매우 높아 장비도 비싸다. 최신 설비 가격은 3000억원 수준인 것으로 알려졌다. 이를 고려하면 SK하이닉스는 내년까지 EUV 설비를 최소 30대 이상 도입할 것으로 예상된다. 현재 SK하이닉스는 청주 M15X 팹을 건설하고, 올해부터 설비를 본격 도입하고 있다. 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹은 내년 2월 클린룸 오픈 후 설비 반입이 목표다. EUV 공정의 핵심 적용처는 1c(6세대 10나노급) D램이다. 앞서 SK하이닉스는 1a(4세대 10나노급) D램의 1개 레이어에 EUV를 처음 적용한 바 있다. 이후 1b D램에서는 이를 4개까지 확대했으며, 1c D램에는 더 많은 EUV 레이어를 적용한다. 1c D램은 SK하이닉스의 차세대 모바일·서버용 D램은 물론, 인공지능(AI) 데이터센터의 핵심 요소인 고대역폭메모리(HBM)에도 적용된다. 내년 양산이 본격화될 HBM4E(7세대 HBM)부터 1c D램을 첫 채택할 계획이다.

2026.03.24 15:09장경윤 기자

"중국판 ASML 만들어야"…현지 반도체 업계, 정부에 지원 촉구

중국 반도체 업계 최초 경영진들이 향후 5년간 반도체 제조의 핵심인 노광(리소그래피) 시스템 개발을 위한 국가 차원의 노력을 촉구했다고 로이터통신이 최근 보도했다. 보도에 따르면 자오진룽 나우라 회장, 천난샹 YMTC 회장, 류웨이핑 엠피리언 회장 등 중국 주요 반도체 기업 경영진은 최근 현지 과학기술 전문 학술지에 이 같은 내용을 기고했다. 최근 중국이 '제15차 국가 경제사회발전 5개년(2026~2030년) 계획' 초안을 발표한 데 따른 행동이다. 이들은 "노광 장비의 경우, ASML의 극자외선(EUV) 장비는 5000개 공급업체가 제공하는 10만개 부품으로 구성돼 있고 ASML은 이를 통합하는 역할을 수행한다"며 "중국판 ASML을 구축하기 위해 자금, 인력 등 자원을 집중시킬 수 있는 계획을 정부가 즉시 수립해야 한다"고 강조했다. ASML은 네덜란드에 본사를 둔 전 세계 유일의 EUV 노광장비 제조기업이다. 노광은 빛을 이용해 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 공정으로, 다양한 광원을 소재로 활용한다. 이 중 EUV는 가장 고도화된 광원으로서 7나노미터(nm) 이하의 미세 공정 구현의 필수 요소로 평가받고 있다. 다만 중국 반도체 기업들은 ASML의 EUV 장비는 물론, 한 단계 아래 급인 심자외선(DUV) 장비도 일부 도입할 수 없다. 미국의 제재 때문이다. 미국 정부는 지난 2020년부터 국가 안보상의 이유로 중국 반도체 기업들이 최첨단 노광장비를 수입하지 못하도록 규제하고 있다. 이에 중국 기업들은 기존 DUV 장비의 고도화를 통한 미세 공정 개발 등을 추진해 왔다. 현지 주요 파운드리 SMIC가 DUV 장비로 화웨이의 7나노 칩을 양산한 것이 대표적인 사례다. 또 이들은 중국 기업들이 EUV 광원, 웨이퍼, 광학 시스템 등 개별 기술 분야에서 여러 진전을 이뤘으나, 이를 완전한 시스템으로 통합하는 기술이 해결해야할 과제라고 지적했다. 전자설계자동화(EDA), 화학 소재 등도 국가 차원의 조정이 필요한 핵심 분야로 지목했다. 로이터통신은 "이는 기술 자립을 강화하려는 중국 정부의 의지를 강조하는 것"이라며 "중국은 최근 최신 정부 업무 보고서에서 항공, 생명공학 등과 더불어 반도체를 신흥 산업의 핵심 축으로 지정했다"고 평가했다.

2026.03.08 08:51장경윤 기자

ASML코리아, '글로벌 트레이닝 센터 코리아' 개소

세계 최대의 노광장비 기업 ASML의 한국 지사인 ASML코리아는 지난해 오픈한 화성캠퍼스 내에 '글로벌 트레이닝 센터 코리아'를 개소했다고 23일 밝혔다. ASML 글로벌 트레이닝 센터 코리아는 DUV ·EUV 장비와 모듈, 클린룸이 모두 갖춰져 있는 시설로, 전문 CS 엔지니어 양성과 국내 반도체 산업 기술 발전을 위한 핵심 거점 역할을 담당할 예정이다. 이번 개소식에는 최한종 ASML코리아 대표이사, 김남윤 글로벌 트레이닝 센터 코리아 매니저 등 주요 임원진과 업계 관계자들이 참석해 자리를 빛냈다. ASML 글로벌 트레이닝 센터 코리아는 기존 ASML 화성오피스와 용인에서 각각 운영되던 두 트레이닝 센터를 ASML 화성캠퍼스 B동 총 3100㎡ 규모로 통합 집약한 공간이다. 이는 단순히 교육 인프라를 한 곳에 모았다는 것을 넘어, 반도체 공정 고도화로 장비·운영 난이도가 높아지는 환경 속에서 국내 첨단 노광장비 교육을 상시·체계적으로 제공하는 인프라를 구축했다는 데 의미가 있다. 김남윤 ASML 코리아 글로벌 트레이닝 센터 코리아 매니저는 “ASML과 고객사 교육생 수를 합치면 연간 약 4,000명이 글로벌 트레이닝 센터 코리아에서 교육을 받게 된다”며 “국내에서도 양질의 교육을 신속하게 받을 수 있어 시간 및 비용 절감은 물론, 반도체 기술 고도화 속도에 맞춰 엔지니어의 역량과 전문성을 제고하는 중요한 기반이 될 것”이라고 설명했다. ASML 글로벌 트레이닝 센터 코리아에는 20여개의 강의실과 25명의 전담 강사가 상주하며, 최고 수준의 EUV 장비 심화 과정인 Fab ready2을 포함해 총 130개 이상의 교육 프로그램을 제공한다. 또한 DUV·EUV 장비와 모듈, 클린룸과 함께 실제 가동 중인 EUV 모듈도 보유해 교육생들이 Fab 현장과 동일한 조건에서 부품을 다루며 실무 중심의 교육을 받을 수 있다. 향후에는 차세대 반도체 제조 핵심 장비로 평가받는 High-NA EUV 장비 교육도 커리큘럼에 추가해, ASML CS 엔지니어는 물론 고객사에게도 첨단 반도체 강의 및 실습 교육을 지속 제공할 예정이다. 최한종 ASML 코리아 대표이사는 “반도체 경쟁력은 개별 기업의 노력만이 아니라 생태계 전반의 기술·인재 역량이 함께 올라갈 때 강화된다”며 “ASML은 글로벌 트레이닝 센터 코리아를 거점으로 교육·실습 인프라를 확대해 고객사의 기술 고도화를 지원하고, 충분한 교육과 훈련을 갖춘 전문 인재 양성에도 지속적으로 투자해 나갈 것”이라고 밝혔다. ASML은 2010년, 한국에 자사의 장비 설치 및 업그레이드를 담당하는 엔지니어의 역량 개발과 숙련된 엔지니어 배출을 위한 교육 시설인 '핸즈 온 아카데미(Hands on Academy)'를 개소한 바 있다. 이후 반도체 장비 분야 엔지니어 교육 및 전문성 개발에 지속 투자하며 고객사들의 성공과 한국 반도체 생태계의 발전에 기여해왔다. ASML 코리아는 2018년 동탄 본사에 기본 교육을 위한 첫 글로벌 EUV 트레이닝 센터를 개소했고, 2023년에는 용인에 어드밴스드 EUV 장비 교육에 특화된 글로벌 트레이닝 센터를 추가 확장한 바 있다.

2026.02.23 09:25장경윤 기자

자이스코리아, '세미콘 코리아'서 EUV 등 최신 반도체 솔루션 공개

독일계 광학 전문 기업인 자이스 코리아는 오는 2월 11일부터 13일까지 서울 코엑스에서 열리는 '세미콘 코리아 2026'에 참가한다고 4일 밝혔다. 자이스는 첨단 리소그래피 광학, 포토마스크 솔루션, 공정 제어 시스템, 현미경 기술 등 반도체 산업 전반에 걸쳐 혁신적인 광학 솔루션을 제공하는 글로벌 기업이다. 이번 행사에서 자이스는 최첨단 광학 기술을 기반으로 한 리소그래피 광학 렌즈부터 포토마스크를 위한 다양한 솔루션, 정밀 검사 및 계측을 위한 최신 반도체 솔루션 등을 선보일 예정이다. 자이스 코리아는 D홀 226 부스에서 만나볼 수 있다. 자이스는 독보적인 기술력을 바탕으로 EUV 포토마스크를 위해 리뷰(AIMS EUV), 수리(MeRiT LE), 보정(Fortune EUV)에 이르는 통합 솔루션을 제공하며, 이를 통해 고객들이 EUV 포토마스크의 높은 완성도를 지속적으로 유지할 수 있도록 지원한다. 특히 이번 전시에서 가장 주목할 것은 EUV 포토마스크 수리 장비인 'ZEISS MeRiT LE'다. 이 제품은 EUV 선단 공정에서 발생하는 포토마스크의 결함을 정밀하게 보정하여 미세화 패턴 구현을 돕는다. 이러한 고난도 포토마스크 패턴 결함 수리 솔루션은 고객들의 생산 효율 향상에 기여하고 있다. 또한 올해도 포토마스크 보정 시스템인 'ZEISS Fortune EUV' 장비를 선보인다. 이는 EUV 공정에서 웨이퍼 패턴 정렬(Overlay)을 개선해 반도체의 품질과 수율 향상에 핵심적인 역할을 한다. 자이스 부스에서는 반도체 분석과 자동화된 현미경 솔루션도 함께 확인할 수 있다. 투과 전자현미경(TEM) 시료 전처리와 분석 자동화 솔루션을 비롯해, 'ZEISS Crossbeam' 시리즈를 통해 반도체 소자의 특정 영역을 정확하게 분석하는 기술을 소개한다. 이미지 획득부터 분석, 후처리까지 전자 현미경의 전 과정을 지원하는' ZEISS EM Toolkit'을 통해서는, 반도체 소재 분석 및 패키징, 공정 품질 평가 등 다양한 응용 분야에서 생산성과 정밀도를 높이는 솔루션을 제시한다. 이번 전시에서는 한국의 반도체 장비 부품 제조사의 설비 생산공정에 활용 가능한 'ZEISS O-INSPECT 듀오' 역시 만나볼 수 있다. 정밀 측정 기술과 고해상도 현미경 검사를 결합하여 하나의 장비로 측정 및 분석이 가능한 장비로, 크고 작은 부품을 모두 검사할 수 있다. PCB를 포함한 반도체 장비 부품 제조 적용 사례도 함께 공유할 예정이다.

2026.02.04 09:33장경윤 기자

인텔, 워크스테이션용 제온 600 프로세서 공개

인텔이 3일 워크스테이션용 고성능 프로세서 신제품인 제온 600(그래나이트래피즈-WS) 프로세서 11종을 공개했다. 제온 600은 2024년 8월 말 공개된 전세대 제품인 제온W 3500 프로세서 대비 최대 코어 수를 30% 가량 높이고 극자외선(EUV) 기반 인텔 3(Intel 3) 공정을 활용해 전력 효율성을 개선했다. 최상급 제품인 제온 698X 프로세서는 고성능 P(퍼포먼스) 코어 레드우드코브+를 86개 내장했다. 전 세대 최상위 제품인 제온 w9-3595X(60코어) 대비 싱글스레드 성능은 최대 9%, 다중작업 성능은 최대 61% 향상됐다. 최대 소비 전력은 350W로 전 세대(385W) 대비 30W 가량 줄었다. 각종 AI GPU 가속기나 추론 모듈, SSD 등 고성능 입출력을 위해 PCI 익스프레스 5.0 레인(통로) 최대 128개를 지원한다. 메모리는 DDR5-6400MHz를 최대 8채널로 구성 가능하다. AI 처리에 자주 쓰이는 행렬 연산을 가속하는 AMX 명령어에는 FP16 자료형 지원이 추추가됐다. 내장 와이파이6E, 혹은 외장 와이파이7(802.11be) 지원으로 무선 속도 연결성을 강화했고 원클릭 복구, 자산 관리 등 v프로 기술도 지원한다. 워크스테이션 제조사나 공급사 필요에 따라 최대 작동 클록, 공급 전압 등을 세밀하게 조절할 수 있는 튜닝 기능도 지원했다. 인텔은 공식 발표에 앞선 2일(미국 현지시간) 다쏘시스템이 미국 텍사스 주 휴스턴에서 진행하는 '3D익스피리언스 월드 2026' 기간 중 제온 600 프로세서를 최초 공개했다. 제온 600 프로세서는 오는 3월 말부터 주요 워크스테이션 제조사와 시스템 통합 파트너사를 통해 공급된다. 제온 696X(64코어), 678X(48코어), 676X(32코어), 658X(24코어), 654(18코어) 등 총 5개 제품은 전체 워크스테이션 시장의 약 15% 가량을 차지하는 직접 구축(조립) 수요를 위해 일반 소비자에 박스 패키지로 판매할 예정이다.

2026.02.03 15:29권봉석 기자

ASML, 작년 매출 56조원 기록 '사상 최대'

글로벌 반도체 장비 업체인 ASML이 인공지능(AI) 반도체 수요 확대에 힘입어 지난해 연간 기준 사상 최대 실적을 기록했다. 차세대 EUV(극자외선) 장비, 특히 하이(High) NA EUV 매출이 본격 반영되면서 수익성도 개선됐다. ASML은 2025년 4분기 및 연간 실적에서 연간 총 순매출 327억 유로(약 56조원), 순이익 96억 유로(약 16조4천억원)를 기록했다고 28일(현지시간) 밝혔다. 매출총이익률은 52.8%로 전년 대비 상승했다. 4분기 매출 97억유로…하이 NA EUV 2대 판매 2025년 4분기 실적만 보면 총 순매출은 97억 유로, 순이익은 28억 유로다. 매출총이익률은 52.2%로 회사 전망치에 부합했다. 특히 이번 분기에는 하이 NA EUV 시스템 2대의 매출 인식이 반영되며 분기 실적을 견인했다. 4분기 예약매출은 132억 유로(약 22조6천억원)로, 이 중 EUV 장비가 74억 유로를 차지했다. 연말 기준 수주잔고는 388억 유로(약 66조3천억원)에 달한다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "AI 관련 수요의 지속성에 대한 고객 신뢰가 더욱 강화됐다"며 "많은 고객들이 중기 시장 전망을 상향 조정했고, 이는 전례 없는 수주 규모로 이어졌다"고 설명했다. 실제로 글로벌 빅테크와 파운드리 업체들은 AI 가속기, 고성능 컴퓨팅(HPC)용 첨단 공정 투자를 확대하고 있으며, 이는 EUV 장비 수요로 직결되고 있다. ASML은 이러한 흐름 속에서 EUV 및 설치 장비 관리 사업이 2026년 성장의 핵심 동력이 될 것으로 보고 있다. 올해 2026년 매출 최대 390억 유로 전망 ASML은 올해에도 성장세가 이어질 것으로 내다봤다. 2026년 1분기 예상 매출은 82억~89억 유로(약 14조~15조2천억원), 매출총이익률은 51~53% 수준이다. 연간 기준으로는 총 순매출 340억~390억 유로(약 58조~67조원), 매출총이익률 51~53%를 전망했다. 연구개발(R&D) 투자도 지속한다. ASML은 올해 1분기 R&D 비용을 약 12억 유로로 예상하며, 기술·IT 조직 효율화를 통해 엔지니어링과 혁신 역량을 핵심 영역에 집중할 방침이다. ASML은 "반도체 생태계는 향후 수년간 의미 있는 성장을 경험할 것"이라며 "AI, 첨단 로직, 메모리 전반에서의 기술 전환이 회사의 중장기 성장 기회를 뒷받침할 것"이라고 강조했다.

2026.01.28 16:14전화평 기자

인텔 "2세대 고개구율 EUV 노광장비 오레곤 반입"

인텔이 파운드리 경쟁사인 삼성전자나 대만 TSMC 대비 뒤처진 미세공정 경쟁력 강화를 위해 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV) 기술에 투자를 이어가고 있다. 인텔은 네덜란드 반도체 장비 업체 ASML의 첫 고개구율 EUV 장비 '트윈스캔 EXE:5000' 두 대를 미국 오레곤 주 힐스보로에 인도받은 데 이어, 지난 15일 2세대 장비인 '트윈스캔 EXE:5200B'의 인수 시험 절차에 들어간다고 밝혔다. 인텔은 이번 투자로 쌓은 기술력을 바탕으로 이르면 2027년부터 1.4나노급 '인텔 14A'(Intel 14A) 공정 생산에 나설 예정이다. 그러나 인텔이 이를 실제 양산까지 성공적으로 끌고 갈 수 있을지는 여전히 불투명하다. 인텔, 2023년 말 첫 고개구율 EUV 장비 도입 인텔은 ASML이 생산하는 고개구율 EUV 장비 최초 고객사다. 2022년 1분기 ASML과 도입 계약을 맺은 데 이어 2023년 말부터 미국 오레곤 주 힐스보로 D1X 팹(반도체 제조시설)에 ASML '트윈스캔 EXE:5000' 노광장비를 총 두 대 인도 받은 바 있다. 트윈스캔 EXE:5200은 0.55 NA(렌즈수차) 플랫폼으로 0.33 NA(렌즈수차) 플랫폼을 적용한 기존 기기에 비해 보다 정밀하고 미세한 회로도를 웨이퍼에 그릴 수 있다. ASML은 지난 7월 2분기 실적발표에서 "고개구율 EUV 2세대 장비인 '트윈스캔 EXE:5200B' 첫 제품을 출하했다"고 밝힌 바 있다. 당시 ASML은 고객사 이름을 밝히지 않았지만 업계 전반에서는 이 고객사가 인텔일 것으로 추측했다. 인텔 "ASML 2세대 장비 도입, 인수시험 절차 진행중" 인텔은 15일(미국 현지시간) 공식 블로그에 "2세대 고개구율 EUV 장비 '트윈스캔 EXE:5200B' 장비를 미국 오레곤에 인수받아 ASML과 함께 인수 시험 절차에 들어섰다"고 밝혔다. 트윈스캔 EXE:5200B는 시간당 최대 175장 웨이퍼를 처리할 수 있다. EUV 강도를 높여 회로 선명도를 높이는 한편 웨이퍼 이송/저장 관련 장치를 개선했다. 인텔은 "고개구율 EUV는 설계 유연성 강화, 공정 간소화로 수율과 생산 속도를 모두 높이며 아직 초기 단계지만 긍정적인 진전을 보이고 있다"고 설명했다. 2027년 '인텔 14A' 공정부터 본격 활용 인텔은 2022년 ASML 극자외선 EUV 장비 도입 계획을 밝힐 당시 이를 2025년부터 실제 제품 생산에 활용할 예정이었다. 그러나 2023년 말 '트윈스캔 EXE:5000' 인도를 앞두고 원가 상승 등 문제로 이 계획을 취소했다. 현재 미국 오레곤 주 힐스보로와 애리조나 주 피닉스 소재 '팹52'에서 생산중인 1.8 나노급 공정인 인텔 18A(Intel 18A)는 0.33 NA(렌즈수차) 플랫폼을 적용한 기존 EUV 장비를 활용하는 것으로 알려져 있다. 인텔이 고개구율 EUV 기술을 실제 제품 생산에 활용하는 것은 1.4나노급 인텔 14A(Intel 14A) 공정부터다. 인텔은 4월 말 '인텔 파운드리 다이렉트 커넥트' 행사에서 리스크 생산 시점을 이르면 2027년 정도로 예상했다. ASML 역시 고개구율 EUV를 활용한 실제 대량 생산이 2027년부터 2028년 사이에 실현될 것으로 보고 있다. 웨이퍼 생산 비용은 증가... 인텔 14A 고객사 확보가 관건 인텔은 지금까지 고개구율 EUV 개발에 투자한 비용은 대당 약 3억 달러인 ASML 노광장비 도입 비용인 10억 달러(약 1조 4천70억원)를 포함해 수십억 달러로 추산된다. 이 과정을 통해 파운드리 부문 경쟁사인 대만 TSMC나 삼성전자보다 한 발 앞서 고개구율 EUV 관련 기술력을 확보했다. 그러나 문제는 이런 투자가 실제 제품 생산으로 이어질 수 있느냐는 것이다. 9월 초 데이비드 진스너 인텔 최고재무책임자(CFO)는 "인텔 14A는 고개구율 EUV 활용으로 웨이퍼 생산 비용이 높아질 수 있다"고 설명했다. 생산 원가 대비 성능과 전력 소모 등 인텔 14A가 지닌 강점을 평가하고 이를 수용할 고객사를 확보하는 것이 가장 큰 문제다. 시장조사업체 '무어 인사이트' 대표인 패트릭 무어헤드는 이달 초 "인텔 두 고객사가 현재까지 인텔 14A 공정 진척 사항에 매우 만족하고 있으며, 데이터센터와 PC 뿐만 아니라 모바일 등 다양한 분야에서 높은 경쟁력을 가졌다고 평가했다"고 밝히기도 했다.

2025.12.18 16:32권봉석 기자

ASML, 화성캠퍼스 준공…첨단 반도체 기술 협력 강화

산업통상부 강감찬 무역투자실장은 12일 경기도 화성시에서 열린 ASML의 '화성캠퍼스 준공식'에 참석했다. ASML는 네덜란드에 본사를 둔 글로벌 반도체 장비 기업으로, 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산해 삼성전자, SK하이닉스, TSMC 등 국내외 반도체 기업에 공급하고 있다. EUV는 기존 노광공정에 쓰이던 광원인 심자외선(DUV) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정 구현에 용이하다. 이번에 준공된 ASML의 화성캠퍼스는 DUV, EUV 노광장비 등 첨단장비 부품의 재제조센터와 첨단기술 전수를 위한 트레이닝 센터 등을 통합한 ASML의 아시아 핵심 거점으로, 국내 반도체 산업의 공급망 안정성 강화와 기술 내재화에 기여할 것으로 기대된다. 5년간 총 2천400억원이 투자됐으며, 규모는 1만6천 제곱미터(㎡)에 이른다. 또한 ASML은 동 캠퍼스를 통해 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업과의 공정 협력 및 기술 교류를 강화하고, 국내 소재·부품·장비 기업과의 연계 생태계를 구축함으로써 한국 반도체 산업과의 상생형 협력 모델을 본격화할 계획이다. 강감찬 무역투자실장은 축사를 통해 “외국인투자는 우리 경제의 혁신과 성장의 핵심동력”이라며 “정부는 현금지원 확대, 입지·세제혜택 강화, 규제 개선 등 글로벌 기업이 투자하기 좋은 환경을 조성하기 위해 적극 노력하겠다”고 밝혔다. 또한 “한국 반도체 산업의 발전에는 지자체와 중앙정부, 국가 간의 긴밀한 협력이 중요하며, 오늘의 준공은 그 협력의 좋은 사례”라며 “앞으로도 한국과 네덜란드 양국 간의 반도체 기술 협력과 투자가 더욱 긴밀하게 이어지기를 기대한다”고 말했다.

2025.11.12 06:00장경윤 기자

에스앤에스텍, EUV 블랭크마스크·펠리클 국산화 양산 시동

블랭크마스크 전문 기업 에스앤에스텍은 경기도 용인 반도체 클러스터에 위치한 'EUV 전용 센터' 준공식을 개최했다고 15일 밝혔다. 해당 센터는 지난 2021년 7월 착공해, 연면적 1만809㎡에 지하 1층~지상 5층 규모로 조성됐다. 에스앤에스텍은 EUV 사업에 약 1천억원을 투자했다. 에스앤에스텍은 EUV 블랭크마스크와 펠리클의 안정적 생산과 고객 맞춤형 공급을 확대하고, 연구개발(R&D)과 양산을 유기적으로 연계해 기술 내재화와 글로벌 경쟁력 강화에 나설 계획이다. 특히 용인 거점 확보는 고객사와의 거리를 단축해 공급 안정성과 협력 효율성을 높이는 동시에 신규 고객 창출에 기여할 것으로 기대된다. 고객사와의 공동 개발 및 검증을 통해 외사 제품 대비 우수한 경쟁력을 확보했다고 회사측은 설명했다. 에스앤에스텍은 이미 대구공장에 있던 EUV용 블랭크마스크와 펠리클 양산시설을 이전 설치해 가동 중에 있다. 이번 용인 센터 준공으로 EUV 전용 생산 인프라까지 완성하며 그동안 일본 업체에서 독점해 왔던 EUV 제품 국산화로 수입 대체 효과도 기대된다. 에스앤에스텍은 본격적인 공급을 시작하면 확보된 기술력을 기반으로 EUV 라인의 추가 증설과 첨단 양산설비 구축을 단계적으로 추진해 안정적인 공급 역량을 지속적으로 확대할 계획이다. 정수홍 에스앤에스텍 대표는 "용인 EUV 센터는 국가 반도체 경쟁력 확보와 지역사회 기여를 동시에 실현하는 상징적 공간"이라며 "앞으로도 책임 있는 투자와 혁신을 통해 미래 성장을 선도하겠다"고 말했다. EUV 용 블랭크마스크는 EUV 노광 공정에서 웨이퍼에 회로를 새기는 데 활용되는 패턴 마스크의 원판으로 나노미터 수준의 얇은 다층막(멀티 레이어) 위에 흡수체인 기반 합금을 다시 적층하는 과정을 거쳐 제작된다. 현재 EUV 용 블랭크마스크와 펠리클은 전량 수입에 의존하고 있다.

2025.10.15 14:38장경윤 기자

반도체 슈퍼을 ASML, 유럽판 오픈AI에 2.1조 베팅

세계 최대 노광장비 기업 ASML이 프랑스 기반 인공지능(AI) 기업 미스트랄 AI 최대 주주로 올라섰다. ASML은 미스트랄AI와 장기 협력 계약을 기반으로 전략적 파트너십을 체결했다고 9일 밝혔다. 미스트랄은 프랑스 AI 스타트업으로 유럽판 오픈AI로 불리기도 한다. 회사 측은 이번 파트너십을 통해 제품 포트폴리오뿐 아니라 연구, 개발 및 운영 과정에서 AI 모델을 활용해, ASML 고객에게 시장 출시 기간을 단축하고 더 높은 성능의 홀리스틱 리소그래피 시스템을 제공할 예정이라고 밝혔다. ASML은 미스트랄 AI의 시리즈 C 펀딩 라운드에 주투자자로서 13억 유로(약 2조1천억원)를 투자해 개발 지원 및 장기적인 파트너십 혜택 강화에 집중할 예정이다. 투자 완료 시 ASML은 완전 희석 기준으로 미스트랄 AI 지분 약 11%를 보유하게 된다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 미스트랄 AI와의 협력은 AI 기반 혁신적 제품과 솔루션을 통해 고객에게 확실한 이점을 제공하는 것을 목표로 한다”며 “공급업체·고객 관계를 넘어선 이번 전략적 파트너십이 중요한 기회를 포착하는 가장 좋은 방법이라 생각하며, 미스트랄 AI의 가치를 한층 높여줄 것이라 믿는다”고 말했다. 아서 멘쉬 미스트랄 AI 공동 창립자 겸 CEO는 "ASML과 장기적 파트너십을 맺게 돼 자랑스럽다”며 “미스트랄의 AI 전문성과 ASML의 글로벌 리더십·최첨단 엔지니어링 역량을 결합해 반도체 및 AI 밸류체인 전반의 기술 발전을 가속화할 것”이라고 밝혔다. ASML은 이번 투자로 미스트랄 AI 전략위원회 위원직을 확보했으며, 로저 다센 ASML CFO가 위원으로 참여해 미스트랄 AI의 미래 전략과 기술 결정 과정에 자문 역할을 맡는다.

2025.09.09 17:00장경윤 기자

자이스, 하반기 최신 'EUV 포토마스크' 검사 장비 국내 양산 적용

자이스(ZEISS)는 반도체 미세화에 필수적인 자사 포토마스크 검사 장비 'AIMS EUV 3.0'가 올 하반기부터 한국에서도 양산에 활용될 예정이라고 8일 밝혔다. AIMS는 포토마스크의 인쇄 성능을 평가하고 노광 이미징 특성을 재현하는 검사 장비다. 포토마스크는 집적회로 패턴을 실리콘 웨이퍼에 전달하는 역할을 하기 때문에 포토마스크 결함 검증은 필수적이며, 반도체 미세화에 따라 포토마스크의 정밀한 패턴 구현의 중요성도 더욱 커지고 있다. 자이스는 30여 년간 포토마스크 결함 검증을 위한 연구 개발에 매진하며 솔루션을 제공해왔다. 2017년 출시된 AIMS EUV를 통해 처음으로 심자외선(DUV) 공정을 넘어 극자외선(EUV) 공정에 맞는 솔루션을 선보였고, 현재는 AIMS EUV 3.0을 통해 최신 기술력을 제공한다. AIMS EUV 3.0의 경우, 포토마스크 처리 성능이 AIMS EUV 1.0 대비 약 3배 향상됐다. 이 시스템은 반도체 제조사의 기술적 요구를 충족하면서도 높은 가동성과 안정적인 성능을 제공한다. 또한 개선된 광학계를 통해 조명 설정 변화도 용이하다. AIMS EUV 3.0은 검증된 광학 설계를 기반으로 현재 양산에 적용된 Low-NA EUV 리소그래피(NA값 0.33) 뿐만 아니라 차세대 High-NA EUV 리소그래피(NA 값 0.55)에도 호환이 가능하다. 따라서 고객사의 로드맵 및 공정 변화에 유연하게 대응할 수 있어 반도체 업계가 요구하는 생산성과 경쟁력을 갖춘, 현 시점 최적화된 솔루션으로 평가된다. 클레멘스 노이엔한 자이스 글로벌 포토마스크 사업부 총괄은 “무결점 포토마스크는 반도체 생산 효율 향상과 불량 감소에 중요한 역할을 한다”며 “자이스 AIMS EUV 3.0은 마스크 결함을 신속하게 확인하고, 미세 패터닝 과정에서 발생할 수 있는 잠재적 문제를 조기에 검증, 수정할 수 있는 솔루션"이라고 밝혔다. 현재 자이스 AIMS EUV 3.0 시스템은 다수의 글로벌 반도체 제조사에서 활용되고 있으며, 올해 하반기부터 한국에서도 양산에 적용될 계획이다.

2025.09.08 11:28장경윤 기자

SK하이닉스, 양산용 '하이(High) NA EUV' 장비 도입

SK하이닉스는 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다. 삼성전자 등 주요 메모리 경쟁사도 관련 장비를 이미 도입했지만, 해당 장비는 연구용에 해당한다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다. SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다. 회사는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다. 이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다. SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다. 이로써 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 기대했다. 김병찬 ASML코리아 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 말했다. SK하이닉스 차선용 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

2025.09.03 09:52장경윤 기자

삼성 파운드리, '2세대 2나노' 존재감 커진다…국내·외 채택 가속

삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 2세대 2나노(SF2P) 공정의 존재감이 커지고 있다. 글로벌 빅테크인 테슬라와 국내 AI 반도체 팹리스 등이 올 하반기 SF2P 공정을 채택해, 내년부터 본격적인 개발 및 수율 향상이 가능할 것으로 관측된다. 26일 업계에 따르면, 삼성전자 파운드리 사업부는 SF2P에 대한 국내외 고객사 유치에 적극 나서고 있다. SF2P는 삼성전자가 내년 양산을 목표로 차세대 공정이다. 올 하반기 양산될 예정인 1세대 2나노(SF2) 공정 대비 성능은 12% 향상됐으며, 소비 전력은 25%, 면적은 8% 가량 줄일 수 있다. SF2P는 최근 PDK(공정 설계 키트) 등 칩 설계를 위한 기본 설계가 마무리됐다. 이에 따라 삼성전자는 최근 국내외 빅테크 및 팹리스 기업들을 대상으로 SF2P 공정 수주에 열을 올리는 추세다. 가장 대표적인 기업이 테슬라다. 앞서 삼성전자는 지난달 테슬라와 22조원 규모의 반도체 위탁생산 계약을 체결한 바 있다. 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등 전반에 활용될 수 있는 고성능 시스템반도체 'AI6' 양산이 주 골자다. AI6는 삼성전자의 SF2P 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 이에 삼성전자는 국내 파운드리 및 패키징 설비를 통해 AI6칩의 초도 샘플 제작을 진행하고, 이후 테일러시에 구축 중인 신규 파운드리 팹에서 본격적인 양산에 나설 계획이다. 테일러 파운드리 팹은 올해 말부터 양산용 설비투자가 시작돼, 내년부터 가동이 시작된다. AI 반도체 사업 확대를 노리는 국내 팹리스 기업들도 SF2P 공정에 주목하고 있다. 이달 중순 딥엑스는 삼성 파운드리 및 DSP(디자인솔루션파트너)인 가온칩스와 협력해 차세대 생성형 AI 반도체인 'DX-M2'를 개발하겠다고 밝혔다. DX-M2는 SF2P 공정을 기반으로 한다. DX-M2는 내년 상반기 시제품 생산 격인 MPW(멀티프로젝트웨이퍼)를 거쳐 2027년 양산될 예정이다. 삼성전자가 에이디테크놀로지, Arm, 리벨리온과 협력 개발하기로 한 차세대 AI 컴퓨팅 칩렛 플랫폼도 SF2P 공정을 채택했다. 반도체 업계 관계자는 "SF2P는 삼성전자의 최첨단 파운드리 공정의 성패가 걸린 공정으로, 자체 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)인 '엑시노스'와도 관련이 깊다"며 "당장 수율이 안정화된 단계는 아니지만, 지속적인 과제 수행을 통해 올 하반기 본격적으로 고도화될 것"이라고 설명했다.

2025.08.28 10:27장경윤 기자

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