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'EPIC'통합검색 결과 입니다. (2건)

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美 어플라이드, TSMC와 차세대 반도체 기술 공동 개발

어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)는 대만 파운더리 TSMC와 30년 이상의 협력 관계를 바탕으로 차세대 AI 시대를 위한 반도체 기술 개발과 상용화를 가속화하는 새로운 혁신 파트너십을 체결했다고 12일 발표했다. 양사는 실리콘밸리에 위치한 어플라이드 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터에서 데이터센터부터 엣지까지 에너지 효율적인 성능을 구현하기 위한 재료공학, 장비 혁신, 공정 통합 기술을 공동으로 개발할 계획이다. 게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 “어플라이드와 TSMC는 반도체 기술의 최전선에서 혁신을 이끌겠다는 공동의 신뢰와 의지를 바탕으로 오랜 기간 긴밀히 협력해왔다”며 “EPIC 센터에서 양사의 팀을 한데 모아 파트너십을 더욱 강화하고, 반도체 제조 로드맵의 전례 없는 복잡성에 대응하기 위한 기술 개발을 가속화할 것”이라고 말했다. 미위제 TSMC 수석 부사장 겸 공동 최고운영책임자(Co-COO)는 “반도체 디바이스 아키텍처가 세대를 거듭하며 진화함에 따라 재료공학과 공정 통합에 대한 요구 수준이 높아지고 있다”며 “글로벌 규모의 AI 과제에 대응하기 위해서는 업계 전반의 협력이 필수적이다. 어플라이드 머티어리얼즈의 EPIC 센터는 차세대 기술을 위한 장비와 공정 준비를 가속하는 데 이상적인 환경을 제공한다”고 밝혔다. 양사는 EPIC 센터 협력을 통해 첨단 로직 스케일링의 핵심 과제 해결을 위한 재료공학 혁신을 공동 추진한다. 우선 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 증가에 대응해 첨단 로직 노드 전반에서 전력·성능·면적을 지속 개선하는 공정 기술을 개발한다. 또한 복잡해지는 3D 트랜지스터 및 인터커넥트 구조를 정밀하게 형성하는 신소재와 차세대 제조 장비를 선보일 계획이다. 이와 함께 디바이스 아키텍처가 수직 적층 및 고도 스케일링화됨에 따라 수율과 변동성 제어, 신뢰성을 높이는 첨단 공정 통합 기술 혁신에도 집중할 방침이다. 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹(SPG) 사장은 “첨단 파운드리 기술 발전을 위해서는 새로운 협력 및 혁신 모델이 필요하다”며 “TSMC는 EPIC 센터의 창립 파트너로서 어플라이드의 혁신 팀과 차세대 장비에 우선적으로 접근해 기술 개발에서 양산으로의 전환을 가속화할 수 있을 것”이라고 강조했다. 실리콘밸리에 위치한 어플라이드의 신규 EPIC 센터는 약 50억 달러 규모로 미국 내 역대 최대 첨단 반도체 장비 R&D 투자 시설로 평가된다. 올해 가동을 목표로 하는 이 센터는 초기 연구 단계부터 대규모 양산까지 혁신 기술의 상용화 기간을 획기적으로 단축하도록 설계됐다. 칩 제조사들은 안전한 협업 환경에서 어플라이드의 R&D 포트폴리오에 조기 접근하고 학습 주기를 단축해 차세대 기술의 양산 전환을 앞당길 수 있다. 또한 EPIC 센터의 공동 혁신 프로그램은 어플라이드에 멀티 노드 관점의 가시성을 제공해 R&D 투자 방향을 정교화하고 R&D 생산성과 가치 창출을 동시에 높인다.

2026.05.12 08:45장경윤 기자

美어플라이드-SK하이닉스, AI 최적화 차세대 D램·HBM 개발 장기 협력

미국 반도체 장비기업 어플라이드머티어리얼즈(이하 어플라이드)는 SK하이닉스와 AI 및 고성능 컴퓨팅에 필수적인 차세대 D램과 HBM(고대역폭메모리)의 개발 및 도입을 가속화하기 위한 장기 협력 계약을 체결했다고 11일 밝혔다. 이번 협력에 따라 양사 엔지니어들은 실리콘밸리에 위치한 어플라이드 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터에서 직접 협업한다. 메모리 아키텍처가 현재의 양산 공정을 넘어 차세대 노드로 발전함에 따라 재료 혁신과 공정 통합, 3D 첨단 패키징 전반에서 혁신을 추진할 계획이다. 게리 디커슨 어플라이드 회장 겸 최고경영자(CEO)는 "어플라이드 머티어리얼즈와 SK하이닉스는 재료공학 혁신을 통해 첨단 메모리 칩의 에너지 효율 성능을 개선해 온 오랜 협력의 역사를 공유하고 있다"며 "SK하이닉스를 EPIC 센터의 창립 파트너로 맞이하게 되어 기쁘며, AI 시대를 위한 차세대 D램과 HBM 기술의 상용화를 앞당기는 의미 있는 혁신을 함께 만들어가길 기대한다"고 말했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장(CEO)은 "AI 시스템의 지속적인 확장은 에너지 효율적인 메모리 기술에 대한 전례 없는 수요를 만들어내고 있다"며 "AI 발전의 가장 큰 과제는 메모리 속도와 프로세서 성능 간 격차가 점점 벌어지고 있다는 점”이라고 밝혔다. 그는 이어 “이러한 한계를 극복하기 위해 SK하이닉스의 첨단 메모리 기술은 더 빠르고 에너지 효율적인 데이터 처리를 가능하게 하고 있으며, 새로운 EPIC 센터에서 어플라이드 머티어리얼즈와의 협력을 통해 AI에 최적화된 차세대 메모리 솔루션을 구현할 혁신 로드맵을 제시할 수 있기를 기대한다"고 덧붙였다. 어플라이드와 SK하이닉스는 차세대 메모리를 위한 장기 반도체 R&D(연구개발) 과제를 공동으로 해결하기 위해 포괄적인 기술 개발 계약을 체결했다. 초기 공동 혁신 프로그램은 신소재 탐색, 복합 공정 통합 방식, HBM급 첨단 패키징 구현에 초점을 맞추며, 이를 통해 미래 메모리 아키텍처의 성능과 양산성을 동시에 향상시키는 것을 목표로 한다. 이번 협력은 EPIC 센터의 '고속 공동 혁신(High-velocity co-innovation)' 모델을 기반으로 진행된다. SK하이닉스 엔지니어들은 어플라이드 기술진과 함께 직접 협업하며 신기술 개발을 가속할 예정이다. 또한 SK하이닉스는 싱가포르에 위치한 업계 선도적인 어플라이드의 첨단 패키징 R&D 역량을 활용해 디바이스 수준의 혁신과 이종 집적(Heterogeneous integration)을 연계하며 3D 첨단 패키징 분야의 새로운 과제에 대응할 계획이다. 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 사장은 "메모리 기술의 지속적인 발전은 디바이스와 패키징 전반에 걸친 재료공학 혁신에 점점 더 의존하고 있다"며 "실리콘밸리 EPIC 센터와 싱가포르의 첨단 패키징 역량을 결합함으로써 SK하이닉스와의 협력은 전체 기술 스택을 공동 최적화하고 양산이 가능한 메모리 혁신으로 가는 길을 더욱 빠르게 열어줄 것"이라고 말했다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 "AI 시대 메모리 기술 발전을 위해서는 웨이퍼 팹 장비 개발에 대한 새로운 접근이 필요하다"며 "어플라이드 머티어리얼즈와의 공동 혁신 프로그램은 디바이스 엔지니어링과 첨단 패키징 전반에 걸쳐 신소재, 공정 통합, 열 관리 기술에 초점을 맞출 계획이다. EPIC 센터에서 어플라이드 엔지니어들과 작업함으로써 더 빠른 학습 주기와 양산 수준의 기술 검증을 통해 차세대 AI 메모리 개발을 앞당길 것"이라고 설명했다. 올해 가동을 앞둔 EPIC 센터에 업계 주요 기업들의 참여가 이어지고 있으며, SK하이닉스는 창립 파트너로 합류한다. 어플라이드의 신규 EPIC 센터는 50억 달러 규모로 미국 내 역대 최대 첨단 반도체 장비 R&D 투자다. 초기 연구 단계부터 대규모 양산에 이르기까지 혁신 기술의 상용화 기간을 획기적으로 단축하도록 설계됐으며, 칩 제조사들은 어플라이드의 R&D 포트폴리오에 보다 이른 시점부터 접근하고 빠른 학습 주기를 확보해 차세대 기술의 양산 전환을 앞당길 수 있다. EPIC 센터의 공동 혁신 프로그램은 어플라이드에 멀티 노드 관점의 가시성을 제공해 R&D 투자 방향을 정교화하고 R&D 생산성과 가치 창출을 동시에 높이는 역할을 한다.

2026.03.11 09:18장경윤 기자

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