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'DDR5 D램'통합검색 결과 입니다. (12건)

유럽서 DDR5 가격 급등 틈타 메모리 바꿔치기 '극성'

DDR5 메모리 가격이 지난해 11월 이후 급격히 상승하면서, 온라인에서 상대적으로 저렴한 제품을 구매하려는 소비자들을 노린 사기 사례가 유럽을 중심으로 잇달아 발생하고 있다. 정상 유통 제품으로 판매된 메모리를 개봉했더니 구형 제품이 발견되거나 배송 과정에서 물품이 도난당하는 등 수법도 점점 교묘해지고 있다. 22일(미국 현지시간) 톰스하드웨어 등 주요 IT 매체에 따르면, 영국에 거주하는 한 소비자는 조립 PC에 사용할 DDR5 메모리를 아마존에서 구매했다가 피해를 입었다. 제품은 아마존이 직접 매입해 판매한 '새 상품'이었지만, 실제로 메인보드에 장착하려 하자 규격이 맞지 않았다. 확인 결과 방열판 아래 장착돼 있어 외관상 식별이 어려운 메모리 모듈이 DDR5가 아닌 DDR4로 바꿔치기된 상태였다. 유통 과정에서 누군가 고의로 제품을 교체했을 가능성이 크다. 영국 아마존은 해당 제품을 반품 처리한 뒤 전액 환불했다. 유사한 사례는 스페인에서도 보고됐다. 고성능 DDR5-6000 32GB 메모리 키트(16GB×2)를 주문한 한 소비자는 밀봉된 박스를 개봉했지만, 내부에는 DDR5 대신 약 20여 년 전 처음 등장한 DDR2 메모리와 무게추가 들어 있었다. 배송 과정에서 범죄도 발생하고 있다. 11월 말 영국에서는 노트북용 DDR5 메모리 모듈을 주문한 소비자의 제품을 배달 기사가 가로채는 사건이 벌어졌다. 이 같은 사기 확산의 배경에는 메모리 반도체 시장의 수급 불균형이 자리하고 있다. 빅테크 기업들의 대규모 AI 인프라 투자로 D램과 SSD 수요가 급증하면서, 일반 소비자용 메모리 모듈 공급은 상대적으로 위축됐다. 그 결과 한국을 비롯해 미국, 일본, 대만, 유럽 등 주요 시장에서 DDR5를 포함한 소비자용 메모리 가격이 빠르게 오르고 있다. 톰스하드웨어는 "온라인에서 PC 부품을 주문할 경우, 택배 상자를 개봉하는 순간부터 영상을 촬영해 두는 것이 분쟁 발생 시 소비자를 보호하는 데 도움이 된다"고 조언했다.

2025.12.23 09:19권봉석

AI 열풍 속 메모리 슈퍼사이클…"2026년까지 호황 지속"

AI 열풍이 메모리 반도체 시장의 사이클을 근본적으로 바꾸고 있다. 올해 D램, 낸드플래시 가격이 잇따라 급등하며 강한 회복세를 보인 데 이어, 내년에도 호황이 이어질 것이란 전망에 힘이 실리고 있기 때문이다. 업계 안팎에서는 수요에 비해 공급이 부족할 것이라는 진단을 내놓으며 슈퍼사이클 지속 가능성을 강조하고 있다. 9일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 메모리 가격은 1분기 바닥을 찍은 뒤 3분기 급등, 4분기까지 높은 가격대를 유지하는 흐름을 보였다. D램은 HBM(고대역폭메모리)과 DDR5 중심의 공급 전환으로 레거시 DDR4 부족 현상이 심화되면서 가격이 예상보다 가파르게 올랐다. 3분기에는 주요 세트업체의 재고 확보 수요가 겹치는 양상까지 나타났으며, 4분기에는 서버·PC D램 전반으로 인상 흐름이 확산됐다. 낸드플래시는 1분기까지 공급과잉에 시달렸지만, 감산과 투자 축소 효과로 3분기부터 반등하기 시작했다. 특히 SSD·데이터센터향 제품의 주문이 늘면서 4분기에는 구조적인 타이트 구간에 접어들었다. 트렌드포스는 올해 완제품 기준 BOM(부품원가)이 8~10% 증가한 것으로 분석했다. 韓 메모리 양사 “AI 메모리 수요가 공급 앞선다” 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 메모리 양사도 2026년까지 메모리 수요가 유지될 것으로 전망했다. AI용 메모리인 HBM, DDR5, SSD 중심의 전략을 이어가겠다는 것이다. 삼성전자는 최근 컨퍼런스콜에서 “HBM3E와 차세대 HBM4 공급을 확대하더라도 2026년까지는 수요가 공급을 웃도는 구조가 유지될 것”이라고 밝혔다. 아울러 DDR5·LPDDR5X, 고용량 QLC SSD 등 고부가 제품군 비중도 지속 확대할 계획이다. SK하이닉스 역시 주요 고객사와의 협의를 근거로 “내년 HBM 공급 물량은 이미 상당 부분 소진됐다”고 밝혔다. 회사는 HBM과 서버용 DRAM, 고성능 SSD 생산 능력 강화를 위해 내년 설비투자(Capex)를 상향 조정할 방침이다. 해외 매체들은 SK하이닉스의 HBM 공급이 2027년까지 사실상 예약 완료 상태라고 보도하기도 했다. 증권가 “2026년까지 호황 지속 전망” 이에 국내 증권업계는 내년 메모리 업황에 대해 매우 낙관적인 전망을 내놓고 있다. 대신증권은 최근 보고서를 통해 “D램과 낸드 모두 2026년까지 호황이 이어질 가능성이 크다”고 분석했다. 보고서에 따르면 D램 수요 증가율은 30% 이상, 서버 D램은 40%대 성장까지 예상된다. 반면 D램 비트 공급 증가율은 20% 수준, 낸는 17% 안팎에 그쳐 수요를 따라가지 못할 것으로 봤다. 메모리 재고도 D램은 2~3주, 낸드는 약 6주로 추정돼 공급이 빠듯한 상황이라는 분석이다. 해외에서도 비슷한 전망이 나오고 있다. 노무라증권은 “메모리 슈퍼사이클이 최소 2027년까지 이어질 것”이라며 SK하이닉스를 최대 수혜주로 제시했다. D램과 낸드 가격 상승률 전망도 내년 기준 각각 50%, 60%대로 상향했다. 다만 HBM 가격 조정 가능성이 변수로 지적된다. 하나증권은 “AI 서버 수요가 견조하더라도 HBM 가격은 2026년 이후 두 자릿수 조정이 나타날 수 있다”며 “물량은 부족하지만 가격은 피크아웃 국면에 접어들 수 있다”고 분석했다.

2025.12.09 16:08전화평

삼성전자, 4분기 D램 평균판가 10% 후반 넘본다

삼성전자, SK하이닉스가 AI 산업 주도로 촉발된 D램 '슈퍼 사이클'의 수혜를 톡톡히 보고 있다. 고부가 및 레거시 D램에 대한 고객사 주문이 폭증하면서, 4분기 삼성전자의 D램 평균판매가격(ASP)이 전분기 대비 10% 후반까지, SK하이닉스는 한 자릿수 후반까지 상승할 것이라는 관측이 나온다. 21일 업계에 따르면 국내 주요 메모리 공급사의 올 4분기 D램 ASP는 당초 예상 대비 크게 증가할 전망이다. 최근 메모리 시장은 글로벌 빅테크의 공격적인 AI 인프라 확장에 따라 수요가 급증하고 있다. 특히 서버용 D램, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 주문이 활발했다. PC, 스마트폰 등에 탑재되는 범용 D램도 극심한 수급난에 시달리고 있다. 주요 메모리 공급사가 D램 생산능력의 대부분을 HBM에 할당하고, 신규 양산라인 구축 대신 전환투자 등에 집중한 결과다. 또한 메모리 공급사가 DDR4 등 구형(레거시) 제품의 비중을 크게 줄이면서, 해당 D램의 가격도 천정부지로 치솟고 있다. 이에 주요 IT 기업들은 더 많은 비용을 감수하고서라도 메모리 수급을 우선하는 전략을 펼치고 있다. 중국 샤오미·알리바바 등은 전분기 대비 50% 이상의 가격 상승을 받아들였으며, 레노버는 공급망 안정을 위해 내년도 메모리에 대한 장기 공급 계약을 체결했다고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "4분기 가격 협상은 상당 부분 진행됐으나, 고객사 별로 계약 시점이 다르기 때문에 올 연말까지 삼성전자·SK하이닉스의 메모리 공급 계약이 지속 체결될 전망"이라며 "특히 삼성전자가 범용 D램에서 경쟁사 대비 더 공격적인 인상 전략을 펼치고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 국내 메모리 업계의 올 4분기 D램 ASP 인상폭도 당초 예상 대비 증가할 가능성이 매우 높다. 앞서 삼성전자는 올 3분기 D램 ASP가 전분기 대비 10% 중반, SK하이닉스는 한 자릿수 중반 상승했다고 밝힌 바 있다. 올 4분기 삼성전자는 10% 후반대의 ASP 상승이 예상된다. 3분기 컨퍼런스콜이 진행된 지난달에는 증가폭이 10% 초중반 수준으로 추산됐으나, 최근 진행된 계약 등을 반영하면 인상폭 상향 조정이 불가피하다는 게 업계의 중론이다. SK하이닉스는 한 자릿수 후반대 증가가 예상된다. 범용 D램의 매출 비중이 상대적으로 적어 삼성전자 대비로는 상승세가 완만할 수밖에 없는 구조다. 업계 또 다른 관계자는 "아직 계약이 마무리되지 않았지만, 지금 분위기에선 양사의 D램 사업 수익성을 더 높게 조정해야 할 것"이라며 "내년 1분기에도 가격이 지속 인상될 것이기 때문에 양사가 얼마나 속도조절을 시행할 지가 관건"이라고 말했다.

2025.11.21 11:26장경윤

가격 오르지만 의미는 없다…저무는 DDR4 시대

한때 D램 시장의 대표 지표로 불리던 DDR4(Double Data Rate 4) 메모리 가격이 시장 흐름을 설명하는 역할을 잃고 있다. PC와 서버 시장에서 DDR5로의 세대 교체가 본격화되면서 글로벌 메모리 제조사들이 DDR4 생산 비중을 낮추고 있기 때문이다. 따라서 최근 DDR4 가격 급등은 시장 회복 신호가 아니라 공급 축소에 따른 일시적 현상으로 분석된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 D램 제조사들은 DDR4 생산량을 지속적으로 줄이고 있다. 서버와 PC 시장에서 DDR5를 지원하는 제품 출시가 늘어나면서 생산 구조도 DDR5 중심으로 재편되고 있는 것이다. DDR5, AI 타고 서버 시장서 확산… “올해 하반기 전체 D램 출하 절반 이상” 특히 서버 시장에서 DDR5 채택이 빠르게 확산되고 있다. 서버용 CPU 시장 90%를 점유하고 있는 인텔은 2023년 출시한 4세대 제온 스케일러블 프로세서(사파이어 래피즈) 를 기점으로 DDR4 지원을 완전히 종료했다. 이후 등장한 에메랄드 래피즈와 그라나이트 래피즈 등 모든 서버용 프로세서 역시 DDR5만 지원한다. AMD 역시 제노아(Genoa) 플랫폼부터 DDR5를 기본 지원하면서, 서버 시장은 사실상 DDR5 전용 구조로 전환된 상태다. DDR5 전환의 핵심 배경에는 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요의 폭발적 성장이 있다. DDR5는 기존 DDR4 대비 전송 속도 약 1.5~2배, 전력 효율 약 30% 개선의 성능을 제공한다. 더 넓은 대역폭과 낮은 전력 소모를 요구하는 AI에 더 적합한 셈이다. 서버뿐 아니라 PC 시장에서도 DDR5 채택이 빠르게 확대되고 있다. 인텔과 AMD의 최신 CPU 대부분이 DDR5를 기본 지원하면서, DDR4는 구형 플랫폼 중심의 잔여 수요만 남게 됐다. 시장조사업체 트렌드포스는 올해 하반기 전체 PC·서버용 D램 출하량의 절반 이상을 DDR5가 차지할 것으로 전망했다. 메모리 3사, 고부가제품으로 투자 집중...DDR4 가격 상승 일시적 현상 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 업체들은 DDR4 생산 라인을 줄이고 DDR5 및 HBM(고대역폭 메모리) 중심으로 투자 방향을 옮기고 있다. DDR4는 이미 단가가 낮고 수익성이 떨어지는 성숙기 제품군으로 분류되며, EUV(극자외선) 기반의 미세공정을 적용하는 DDR5·HBM 제품군에 비해 효율성이 낮다. 같은 장비를 써도 DDR5·HBM을 생산할 때 훨씬 높은 매출과 이익을 낼 수 있는 것이다. 결국 제조사들은 생산 설비를 고부가 제품으로 집중시키고 있으며, 이 과정에서 DDR4 공급이 줄면서 일시적인 가격 상승이 발생하고 있다. 하지만 이 같은 가격 급등은 수요 증가가 아닌 공급 축소의 결과로, 시장 회복을 의미하지는 않는다. 메모리 업체 관계자는 “물량이 떨어지는데 수요가 아직 그만큼 떨어지지 않으면 어떤 재화든 사실 다 가격이 상승한다”며 “DDR4 역시 마찬가지”라고 말했다.

2025.10.10 14:49전화평

中 CXMT, DDR5 시장서 급성장…연말 점유율 7% 전망

중국 CXMT(창신메모리테크놀로지)가 지난해에 이어 올해에도 D램 출하량을 크게 늘릴 계획이다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 기업들이 선점해 온 DDR5·LPDDR5 시장에서도 점유율을 빠르게 늘려나갈 것으로 관측된다. 20일 카운터포인트리서치에 따르면 올해 중국 CXMT의 D램 출하량 점유율은 1분기 6%에서 연말 8%까지 확대될 전망이다. 지난 2016년 설립된 CXMT는 중국 최대 D램 제조업체다. 현지 정부의 전폭적인 지원 하에 생산능력을 확대하는 추세로, 올해 생산능력은 전년 대비 50% 가까이 증가한 월 30만장에 이를 것으로 예상된다. 특히 CXMT는 최근 DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙) 메모리에서 벗어나, DDR5· LPDDR5 등 선단 메모리로의 전환을 가속화하고 있다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "CXMT의 성장세는 출하량에서도 나타나는데, 1분기 1%도 채 되지 않는 DDR5 및 LPDDR5 시장 점유율이 4분기에는 7~9%까지 상승할 것"이라고 말했다. 다만 CXMT는 최선단 D램 제조에 필요한 HKMG(High-k Metal Gate) 공정에서 어려움을 겪고 있다. HKMG 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해, 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 기술이다. 최 연구원은 "따라서 CXMT의 차세대 D램은 1b(5세대 10나노급) 대비 상대적으로 공정 난이도가 낮은 1a(4세대) 기반으로 제조될 가능성이 커지고 있다"며 "그러나 CXMT는 '3D D램' 혁신에 중점을 두고, 지속적인 증설이 예상되므로 중국의 성장세를 주목해야 한다"고 밝혔다.

2025.06.20 11:20장경윤

DDR4 3분기까지 가격↑…삼성·SK 등 단종 효과

DDR4 등 레거시 메모리 가격이 올 3분기까지 가파르게 상승할 것으로 관측된다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업이 해당 제품의 출하량을 단종 수준까지 줄이면서, 일시적으로 수요가 대두된 데 따른 영향이다. 31일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)의 5월 평균 고정거래가격은 2.10 달러로 전월 대비 27.27% 증가했다. 반면 DDR5 16Gb 2Gx8 가격은 4.80 달러로 전월 대비 4.35% 오르는 데 그쳤다. 이에 따라, DDR5 및 DDR4 모듈 간의 가격 프리미엄은 지난 1분기 40%대에서 5월 26%로 크게 축소됐다. 이는 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업이 구형 메모리 제품의 생산량을 급격히 줄인 데 따른 영향이다. 이들 기업은 현재 최선단 공정을 활용한 D램 및 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 주력하고 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "주요 D램 공급업체들이 PC 제조사들에 DDR4 모듈 제품의 단종 일정을 통보하면서 모듈 가격도 인상됐다"며 "수요 측면에서는 PC 제조사들이 보급형 CPU와 호환되는 DDR4 모듈의 주문을 크게 늘렸다"고 설명했다. 단종에 따른 DDR4 가격 인상 효과는 단기적으로 지속될 것으로 전망된다. 트렌드포스는 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격의 가격 상승률을 전분기 대비 3~8%에서 13~18%로 상향 조정했다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 조정했다. 레거시 메모리 가격 상승이 국내 주요 기업들에게 미칠 영향은 제한적이다. 삼성전자·SK하이닉스는 올해까지 DDR4 등 레거시 메모리 비중을 최대 한 자릿수까지 줄이겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 낸드는 저용량 제품을 중심으로 가격 상승세가 나타났다. 메모리카드용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 5월 평균 고정거래가격은 2.92 달러로 전월 대비 4.84% 증가했다. 낸드는 셀 하나에 데이터를 저장하는 수에 따라 1개(SLC), 2개(MLC), 3개(TLC), 4개(QLC) 등으로 나뉜다. 비트를 더 많이 저장할수록 고용량 낸드 구현에 용이하다. 반대로 비트 저장량이 적을 수록 데이터 처리 속도와 신뢰성이 뛰어나다. SLC의 경우 산업용 장비와 엣지 AI 컴퓨팅, 중국 통신 인프라 등을 중심으로 수요가 증가했다. 특히 스마트 모니터링, 스마트 팩토리 등을 위한 이미지 인식 분야에서 채택량이 늘어난 것으로 알려졌다. 또한 삼성전자는 다음달부터 소비자용 MLC 낸드 시장에서 철수하고, 자동차 및 산업 제어 용으로의 전환을 추진하고 있다. 이에 따라 공급업체들이 MLC 가격 인상을 추진하게 돼, 낸드의 가격 상승세를 주도했다.

2025.05.31 08:20장경윤

SK하이닉스, 'CXL 2.0' D램 고객 인증 완료…데이터센터 시장 공략

SK하이닉스가 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 2.0 기반 D램 설루션 CMM(CXL Memory Module)-DDR5 96GB(기가바이트) 제품의 고객 인증을 완료했다고 23일 밝혔다. CXL은 컴퓨팅 시스템 내 CPU와 GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 기술이다. PCIe 인터페이스에 기반해 데이터 전송 속도가 빠르고, 메모리를 효율적으로 활용할 수 있는 풀링(Pooling) 기능을 갖췄다. SK하이닉스는 "서버 시스템에 이 제품을 적용하면 기존 DDR5 모듈 대비 용량이 50% 늘어나고, 제품 자체의 대역폭도 30% 확장돼 초당 36GB의 데이터를 처리할 수 있다"며 "이는 데이터센터를 구축하고 운영하는 고객이 투입하는 총소유비용을 획기적으로 절감하는데 기여할 수 있다"고 강조했다. 회사는 96GB 제품 인증에 이어 128GB 제품도 다른 고객과 인증 절차를 진행하고 있다. 이 제품은 10나노급 5세대(1b) 미세 공정을 적용한 32Gb(기가비트) DDR5 D램을 탑재해 전성비가 높다. 회사는 이 인증도 빠른 시일 내에 마무리 해 고객이 원하는 시점에 제품을 적기 공급할 수 있는 포트폴리오를 구축할 계획이다. SK하이닉스는 CXL D램 개발과 더불어 CXL 생태계 확장을 위한 노력도 함께 진행하고 있다. 회사는 이 제품과 최적화된 소프트웨어인 HMSDK를 자체 개발해 작년 9월 세계 최대 오픈소스 운영체제 리눅스(Linux)에 탑재하며 CXL이 적용된 시스템의 성능을 개선했다. HMSDK(Heterogeneous Memory S/W Development Kit)는 SK하이닉스 고유의 이종(異種) 메모리 소프트웨어 개발 도구다. D램 모듈과 CMM-DDR5 간의 효율적인 교차 배열을 통해 대역폭을 넓히고, 데이터 사용 빈도에 따라 적합한 메모리 장치로 데이터를 재배치해 시스템 성능을 개선할 수 있다. 강욱성 SK하이닉스 부사장(차세대상품기획 담당)은 "당사는 비용이 많이 들어가고 확장에 한계가 있는 기존 시스템을 극복하는 옵티멀 이노베이션을 실현하기 위해 다양한 설루션 제품을 개발하고 있다"며 "고객들의 다양한 응용 요구에 부합하면서도 메모리의 확장성과 유연성을 획기적으로 개선해 고객에게 최적화된 가치를 제공하겠다"고 말했다.

2025.04.23 11:02장경윤

장태수 SK하이닉스 부사장, '1c D램' 개발 공로 대통령 표창

SK하이닉스는 장태수 부사장이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제52회 상공의 날' 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다. 상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로, 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다. 이날 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다. 장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다. 특히 그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장(Saddle) 모양의 FinFET인 Saddle-Fin 구조를 개발, D램 셀(Cell) 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 훗날 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다. '1c D램 개발 TF'에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 AI 성장의 필수 기술로 여겨진다. 수상 소감을 묻는 최수현 앰버서더의 질문에 장 부사장은 "모두가 함께 이룬 성과"라며 구성원들에게 공을 돌렸다. 그는 “선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과입니다. 제가 모두를 대신해서 상을 받았다고 생각한다"며 "이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전한다"고 말했다. 이번 성과가 의미 있는 이유를 방승현 앰버서더가 묻자 장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했기 때문”이라고 설명했다. 그는 “메모리의 최소 회로 선폭을 먼저 개발했다는 것은 초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점한다는 점에서 의미가 있다"며 "이번 1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것”이라고 강조했다. 아울러 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다. D램 셀 크기를 줄이면, 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있다. 이를 통해 규격이 정해진 HBM의 칩 크기 및 높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있게 된다. 또한 셀 크기가 작아져 여유 공간이 생기므로 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수도 있다. 아울러 장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부도 밝혔다. 그는 “데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있다"며 "또한 데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중"이라고 설명했다.

2025.03.20 15:29장경윤

가격 반등 성공한 DDR5…딥시크·HBM 등이 향후 변수

고성능 PC용 D램 가격이 지난달 반등에 성공한 것으로 집계됐다. 중국의 저비용·고효율 AI 모델인 딥시크의 등장으로 PC 수요가 덩달아 증가하면서, 이에 대응하는 메모리 판매량도 늘어난 것으로 분석된다. 지난달 28일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난달 DDR5 16Gb(기가비트) 제품의 평균 고정거래가격은 전월 대비 1% 상승한 3.80달러로 집계됐다. 올 1분기 PC용 D램의 고정거래가격은 전분기 대비 10~15% 하락할 것으로 관측된다.지난해 4분기에 이어 하락세를 이어간 것으로, 1분기 초 D램 공급업체들의 재고 수준이 상대적으로 증가한 것이 주된 영향으로 풀이된다. 다만 지난달에는 고정거래가격의 추가 하락이 나타나지 않았다. 미국의 추가 관세 정책에 따른 우려로 PC 제조사들이 D램 재고를 미리 확보한 데 따른 영향이다. 또한 삼성전자, SK하이닉스 등이 HBM(고대역폭메모리) 및 모바일 D램 양산에 집중하면서, PC D램의 공급이 일시적으로 제한되고 있다. 특히 DDR5 16Gb(기가비트)의 경우 지난달 고정거래가격이 1% 상승한 것으로 나타났다. 지난해 8월 이후 지속되던 가격 하락세가 반전으로 돌아섰다. 이전 세대인 DDR4는 가격이 변동하지 않았다. 트렌드포스는 "중국 딥시크의 영향으로 고성능 GPU가 탑재된 PC 수요가 증가하면서, 5600MT/s(초당 5600만회의 데이터 전송) 이상을 구현하는 16Gb DDR5의 수요가 늘어났다"며 "주로 SK하이닉스가 공급하는 제품이나, 현재 서버 및 모바일 D램 양산에 집중하고 있어 PC용 DDR5 D램 공급에 제한이 있다"고 설명했다. 향후에도 PC용 D램 시장은 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델, 주요 메모리 기업들의 HBM 양산 전략 등에 따라 영향을 받을 것으로 전망된다. 노트북·태블릿 등 IT기기에 AI 기능이 활성화될수록, 관련 로직 및 메모리 반도체 수요를 촉진할 수 있기 때문이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면, 2023~2027년 생성형 AI 노트북 출하량은 연평균 59%의 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 전체 노트북 출하량의 연평균 성장률이 3%로 예상된다는 점을 고려하면 가파른 성장세다.

2025.03.01 08:10장경윤

마이크론, '6세대 10나노급' D램 샘플 공급…삼성·SK보다 빨랐다

미국 마이크론이 최근 6세대 10나노미터(nm)급 D램 샘플을 고객사에 공급하는 데 성공했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사에 한 발 앞선 성과로, 차세대 메모리 시장에서 국내 메모리 업계와의 치열한 경쟁이 예상된다. 26일 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔, AMD 등 잠재 고객사에 출하했다고 발표했다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 이를 1c D램이라고 부른다. 마이크론은 "업계 최초로 차세대 CPU용 1γ DDR5 샘플을 일부 협력사와 고객사에 출하했다"며 "우선 16Gb(기가비트) DDR5에 활용되고, 이후 AI용 고성능 및 고효율 메모리 수요에 대응하도록 할 것"이라고 밝혔다. 이번 1γ 기반 16Gb DDR5는 최대 9200MT/s의 데이터 처리 속도를 구현한다. 이전 세대 대비 속도는 최대 15% 증가했으며, 전력 소모량은 20% 이상 줄었다. 새롭게 적용된 제조 공정도 눈에 띈다. 마이크론은 1γ D램에서부터 EUV(극자외선) 공정을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. EUV는 반도체 회로를 새기기 위한 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 DUV(심자외선) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정에 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스도 이미 첨단 D램에 EUV를 적용 중이다. 마이크론은 "1γ D램은 EUV 노광 기술과 고종횡비 식각 기술 등 최첨단 공정을 적용함으로써 업계를 선도하는 비트 밀도를 지원한다"며 "여러 세대에 걸쳐 입증된 마이크론의 D램 기술 및 제조 전략 덕분에 최적화된 공정을 만들 수 있었다"고 자신했다. 마이크론의 1γ D램 샘플은 AMD, 인텔 등 고객사에 출하돼, 현재 평가 과정을 거치고 있는 것으로 알려졌다. 한편 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 6세대 10나노급 D램의 상용화를 준비하고 있다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 적용할 계획이다. 이에 따라 현재 기존 설계 대비 칩 사이즈를 키워, 수율 및 안정성을 높이는 방향으로 재설계를 진행 중인 것으로 파악됐다. 개선품은 이르면 1~2달 내로 구체적인 성과를 확인할 수 있을 전망이다. 동시에 삼성전자는 1c D램 양산을 위한 설비투자도 진행하고 있다. 지난해 말부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 소규모 제조라인 구축을 위한 장비 발주가 시작됐다. 1c D램의 개발 현황에 따라 추가 투자 가능성도 거론된다. SK하이닉스는 지난달 내부적으로 1c D램에 대한 양산 인증을 마무리한 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 이전 세대인 1b D램에서의 공정 기술력을 기반으로, 1c D램의 수율을 비교적 안정적으로 끌어 올렸다는 평가를 받고 있다.

2025.02.26 09:03장경윤

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다. 특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다. 호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속 다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다. 특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다. SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다. 지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다. 올해도 HBM 등 AI 메모리 전환 집중 이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다. 최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다. SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다. 설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점 SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다. 올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다. M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다. SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 12:06장경윤

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