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'DDR5'통합검색 결과 입니다. (53건)

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역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다. 특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다. 호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속 다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다. 특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다. SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다. 지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다. 올해도 HBM 등 AI 메모리 전환 집중 이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다. 최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다. SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다. 설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점 SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다. 올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다. M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다. SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 12:06장경윤

새해 엔비디아 선점할 승자는...삼성·SK 'HBM4' 양산 준비 박차

한국 경제가 대통령 탄핵정국과 트럼프 2기 정부 출범을 앞두고 을사년 새해를 맞게 됐습니다. 비상 계엄 해제 이후에도 환율과 증시가 출렁이는 불확실성 속에 우리 기업들이 새해 사업과 투자 전략을 짜기가 더욱 어려워졌습니다. 정책 혼돈과 시시각각 변화는 글로벌 경제 환경에 어떻게 대처해야 하는지 지디넷코리아가 각 산업 분야별 새해 전망을 준비했습니다. [편집자주] 메모리반도체 시장이 2025년 을사년 새해에도 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 세계반도체무역통계기구(WSTS)가 최근 발간한 보고서에 따르면, 전 세계 메모리 시장 규모는 올해 1천670억 달러(약 238조원)에서 내년 1천894억 달러(약 270조원)로 13.4%의 성장세가 예상된다. 다만 제품별 상황은 '극과 극'으로 나뉠 전망이다. 먼저 AI 데이터센터에 필요한 HBM(고대역폭메모리), 고용량 eSSD(기업용 SSD) 등 부가가치가 큰 첨단 메모리 제품은 내년에도 수요가 견조한 분위기다. 해당 제품은 국내 삼성전자·SK하이닉스가 주도하는 시장이기도 하다. 반면 범용 메모리, 특히 레거시 제품의 공급 과잉은 심화되는 추세다. 올 4분기 들어 이들 제품의 가격은 이미 하락세로 접어든 바 있다. IT 수요가 여전히 부진하고, 중국 후발주자들의 공격적인 사업 확대 등이 위기 요소로 다가오고 있다. ■ 내년도 답은 AI…삼성·SK, HBM4 준비 박차 이러한 상황에서 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 돌파구는 HBM 등 AI 메모리가 될 것으로 관측된다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4(6세대 HBM) 양산을 위한 준비에 나서고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM인 HBM3E(5세대)의 뒤를 이을 제품이다. 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 시리즈 등에 탑재될 예정이다. 삼성전자의 HBM4에는 10나노급 6세대 D램인 1c D램을 기반으로 한다. 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론이 HBM4에 5세대 D램인 1b D램을 채용한다는 점을 고려하면 한 세대 앞선다. 차세대 HBM 시장에서의 경쟁력 확보를 위해, 성능을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이 깔려 있다. 이를 위해 삼성전자는 올 연말부터 평택 P4에 1c D램용 양산 라인을 설치하기 위한 투자를 진행하고 있다. 관련 협력사들과 구체적인 장비 공급을 논의한 상황으로, 이르면 내년 중반에 라인 구축이 마무리될 것으로 전망된다. 동시에 삼성전자는 HBM3E(5세대 HBM)의 회로를 일부 수정해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 그간 삼성전자는 엔비디아와 HBM3E 8단 및 12단에 대한 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔으나, 성능 등의 문제로 대량 양산 공급에 이르지는 못했다. SK하이닉스는 올 4분기 HBM4의 '테이프아웃'을 목표로 연구개발을 지속해 왔다. 테이프아웃은 연구소에서 진행되던 칩 설계를 완료하고 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 제품의 양산 단계 진입을 위한 주요 과정이다. SK하이닉스는 HBM4에 HBM3E와 마찬가지로 1b D램을 적용한다. 제품의 안정성 및 수율에 무게를 둔 선택이다. 때문에 업계는 SK하이닉스가 경쟁사 대비 HBM4를 순탄하게 개발할 수 있을 것으로 보고 있다. 현재 SK하이닉스의 1b D램 투자는 이천 M16 팹을 중심으로 이뤄지고 있다. 기존 레거시 D램 생산라인을 1b D램용으로 전환하는 방식으로, 내년까지 생산능력을 최대 월 14~15만장 수준으로 끌어올릴 것으로 알려졌다. ■ 범용 메모리 공급 과잉 우려…中 추격, 삼성 HBM 등이 관건 최선단 D램은 주요 메모리 기업들의 HBM 출하량 확대에 따른 여파로 내년에도 견조한 흐름을 보이겠지만, 범용 레거시 D램 시장은 공급과잉이 지속될 것으로 전망된다. 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. PC를 비롯한 IT 수요가 부진하다는 증거다. 여기에 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등도 레거시 D램의 출하량 확대를 꾀하고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 웨이퍼 투입량 기준 D램 생산능력을 올해 말까지 월 20만장 수준으로 끌어올릴 계획이다. 내년에도 중국 상하이 팹에 최소 월 3만장 수준의 설비투자를 진행하기로 했다. 다만 CXMT가 미칠 파급력이 제한적이라는 분석도 제기된다. CXMT의 수율이 비교적 낮은 수준이고, 생산 제품이 18~16나노미터(nm)급의 DDR4·LPDDR4 등에 집중돼 있기 때문이다. 한편 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 12단 공급 여부가 범용 D램에 영향을 미칠 수 있다는 의견도 제기된다. 미즈호증권은 최근 리포트를 통해 "엔비디아향 HBM3E 12단 공급이 계속 지연되는 경우, 삼성전자는 HBM에 할당된 D램 생산량을 범용 제품으로 전환할 것"이라며 "이에 따라 D램 공급이 증가해 내년 상반기 D램 가격 하락이 가속화될 것으로 예상된다"고 밝혔다. ■ 낸드 투자, QLC 중심으로 신중하게 접근 낸드 시장 역시 AI 데이터센터 분야로 수요가 몰리는 추세다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠에 따르면 비트(Bit) 기준 전체 낸드 수요에서 데이터센터가 차지하는 비중은 2023년 18%에서 내년 28%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 고용량 데이터를 처리해야 하는 데이터센터용으로는 QLC(쿼드레벨셀) 낸드가 각광을 받고 있다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장한다. 2비트를 저장하는 MLC나 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량을 높이는 데 유리하다. 이에 삼성전자는 지난 9월 업계 최초의 V9 QLC 낸드 양산에 돌입했다. 낸드는 세대를 거듭할수록 더 높은 단을 쌓는다. V9는 280단대로 추정된다. SK하이닉스 역시 최근 QLC 기반의 61TB(테라바이트) SSD를 개발했다. PCIe 5세대 적용으로 데이터 전송 속도를 최대 32GT/s로 구현했으며, 순차 읽기 속도를 4세대 적용 제품 대비 2배 향상시킨 것이 특징이다. SK하이닉스는 해당 신제품의 샘플을 곧 글로벌 서버 제조사에 공급해 제품 평가를 진행할 계획이다. 또한 내년 3분기에는 제품군을 122TB로 확대하고, 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반의 244TB 제품도 개발에 들어가기로 했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스는 내년 낸드용 설비투자에 매우 보수적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 경우 당초 낸드 생산라인으로 계획했던 P4 페이즈1 라인을 낸드·D램 혼용 양산라인으로 전환했다. 라인명 역시 P4F(플래시)에서 P4H(하이브리드)로 변경됐다. 이에 따라 당초 예상 대비 낸드용 신규 설비투자 규모가 축소될 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 새해 낸드에 대한 신규 투자를 진행할 가능성이 낮은 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스의 설비투자가 HBM 및 최선단 D램에 집중돼 있고, 낸드 설비를 들일 만한 여유 공간도 많지 않다"며 "신규보다는 기존 설비를 활용한 전환 투자에 무게를 둘 것"이라고 설명했다.

2024.12.22 09:50장경윤

中 CXMT 'DDR5' 개발 파급력은…전문가 "수율 80% 수준 가능"

최근 중국 주요 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 최첨단 D램 영역인 DDR5를 독자 개발한 정황이 포착됐다. 그간 중국이 DDR4 이하의 레거시 D램만을 양산해 왔다는 점을 감안하면, 기술의 발전 속도가 업계 예상을 뛰어넘는 것으로 관측된다. 메모리 업계 전문가 역시 "실제 중국이 DDR5 개발에 성공했다면 메모리 시장에 미칠 파급력을 주시할 필요가 있다"며 "CXMT가 DDR5 개발에 활용한 공정 수율은 80% 정도로 상당히 성숙돼 있다"고 진단했다. 19일 업계에 따르면 중국 킹뱅크, 글로웨이 등은 온라인 전자상거래 플랫폼을 통해 32GB(기가바이트) DDR5 D램의 판매를 개시했다. DDR5에 첫 '중국산' 명시…CXMT 유력 두 제조사는 해당 D램의 상품 설명에 '국산 DDR5'라는 문구를 붙였다. 구체적인 제조사를 명시하지는 않았으나, 업계에서는 해당 제품을 CXMT가 제조했을 것으로 보고 있다. 지난 2016년 설립된 CXMT는 중국 정부의 전폭적인 지원으로 성장한 현지 최대 D램 제조업체다. 기술력 및 생산능력 모두 중국 내에서 최고로 평가받는다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X(저전력 모바일 D램 규격)로, 지난해 11월에는 자국 최초의 LPDDR5를 공개하기도 했다. DDR5는 국내 삼성전자·SK하이닉스와 미국 마이크론 등 소수의 D램 제조업체만이 양산할 수 있는 첨단의 영역으로 인식돼 왔다. 만약 CXMT가 DDR5를 성공적으로 양산하는 경우, 메모리 시장에 미칠 파장은 꽤나 클 것으로 관측된다. 실제로 레거시 D램인 DDR4·LPDDR4 등은 중국 업체들의 공격적인 출하량 확대로 가격 하락 압박을 받고 있다. 반면 일각에서는 중국산 메모리에 대한 우려가 너무 과도하다는 해석도 제기된다. 중국 기업들이 생산능력을 적극 확대하는 데 비해 아직까지 수율이 낮고, 향후 미국의 추가 규제로 최첨단 D램 개발에 난항을 겪게 될 것이라는 게 주요 근거다. "G3 공정 적용됐을 것…수율 80% 가능" 이와 관련, 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 "곧 해당 DDR5에 대한 분석을 진행할 예정"이라며 "시장에 미칠 파급력에 대해 주시할 필요는 있어 보인다"고 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 오타와에 위치한 반도체 전문 분석기관이다. 지난해 화웨이가 출시한 플래그십 스마트폰 '메이트 60 프로'에 탑재된 AP(어플리케이션프로세서)를 분석해 중국 파운드리 SMIC가 제조했다는 사실을 밝혀내기도 했다. 최 박사는 이곳에서 시니어 테크니컬 펠로우 직책을 맡고 있는 반도체 업계 전문가다. 최 박사는 "CXMT가 외부에 DDR5 개발 계획을 공식적으로 밝히지는 않았으나, G3 공정(선폭 17.5나노)로 DDR5 개발을 진행했던 것으로 안다. LPDDR5에도 G3 공정이 적용됐다"며 "이미 DDR4는 G1(22나노)로 상용화에 성공했고, LPDDR4X는 G1과 G3 두 공정 제품의 기반으로 생산 중"이라고 설명했다. CXMT가 얼마나 안정적인 수율로 DDR5를 양산할 수 있는지도 삼성전자·SK하이닉스 등 업계가 주목하는 사안이다. 현재 CXMT는 업계 예상 대비 높은 수율을 주장하고 있는 것으로 전해진다. 최 박사는 "이미 CXMT가 더 진보된 G5 공정을 개발하고 있는 상황에서, G3 공정은 상당히 성숙(matured) 돼 있다"며 "CXMT의 G1 및 G3 공정은 80% 정도의 수율에 도달한 것으로 알고 있다"고 밝혔다. 최 박사는 이어 "해당 DDR5이 정말 CXMT의 제품일 경우, 시중에서 가장 많이 유통되고 있는 제품이 32GB이기 때문에 중국 내에서 만큼은 상당히 큰 영향이 있을 것"이라며 "D램 모듈의 종류도 다양하기 때문에 앞으로 주시할 필요가 있어 보인다"고 덧붙였다.

2024.12.19 16:29장경윤

中, 첨단 D램 DDR5 온라인 출시...양산 성공?

중국이 첨단 D램으로 분류되는 더블데이터레이트(DDR)5를 국산화한 것으로 알려져 주목된다. 중국 최대 메모리 반도체 회사 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 개발한 것으로 보인다. DDR은 정보를 읽고 쓰는 데 특화된 고사양 D램이다. 뒤에 붙는 숫자가 클수록 정보를 빠르게 처리한다. DDR5는 이전 세대 DDR4보다 정보 처리 속도가 2배 빠르다. 18일(현지시간) 중국 정보통신 매체 IT홈에 따르면 중국 저장장치 업체 킹뱅크와 글로웨이는 전날 32기가바이트(㎇) 용량 DDR5를 내놨다. 16㎇ 2개가 한 묶음이다. 예약 구매 가격은 499위안(약 9만9천원)이다. 이들 업체는 메모리 반도체 회사로부터 D램을 사서 컴퓨터(PC)나 서버에 꽂을 수 있게 조립해 판다. 이들 업체는 '중국산 DDR5 칩'이라고 제품을 소개했다. 상품 설명서에는 창신메모리가 칩을 만들었다고 쓰였다. IT홈은 중국 기술 경쟁력이 또 한 번 도약했다고 강조했다. 이 제품 성능이 아직 강력하지 않더라도 중국산 첨단 D램이 나왔다는 사실 자체가 중국 반도체 기술이 역사적으로 전진했다는 뜻이라고 평가했다. DDR5는 2020년 SK하이닉스가 세계에서 처음으로 출시했다. 삼성전자는 2021년 처음 들고 나왔다. 중국이 3~4년 만에 따라온 셈이다.

2024.12.19 15:24유혜진

삼성전자, '1c D램' 양산 투자 개시…차세대 HBM4 본격화

삼성전자가 '1c D'램 양산 투자를 시작한다. 최근 관련 협력사에 제조설비를 발주해, 내년 2월께 설치 작업에 돌입할 것으로 파악됐다. 1c D램이 삼성전자의 차세대 HBM4 경쟁력을 좌우할 핵심 요소인 만큼, 제품을 적기에 양산하기 위한 준비에 나서는 것으로 보인다. 9일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 양산라인을 구축하기 위한 장비 발주를 시작했다. 1c D램은 6세대 10나노급 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 1b(5세대) D램보다 한 세대 앞선 제품으로, 내년부터 본격적인 상용화에 이를 것으로 예상된다. 때문에 그동안 삼성전자도 1c D램 개발에 주력해 왔다. 지난 3분기에는 처음으로 1c D램의 '굿 다이'(Good die; 정상적으로 작동하는 칩)를 확보하는 등 가시적인 성과도 얻었다. 나아가 삼성전자는 1c D램을 본격 양산하기 위한 준비에 나섰다. 최근 P4 내 신규 D램 라인에 1c D램 양산용 설비투자를 진행한 것으로 파악됐다. 그간 1c D램은 파일럿(시생산) 라인에서만 제조돼 왔다. 이에 따라 램리서치 등 주요 장비업체의 설비가 내년 1분기부터 반입될 예정이다. 당장의 투자 규모는 전체 D램 생산량 대비 그리 크지 않은 수준으로 추산된다. 다만 삼성전자 안팎에서는 추가 투자에 대한 논의도 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 내년 2월경 1c D램 양산용 설비 도입을 시작할 것으로 안다"며 "추가 투자는 1c D램의 수율 안정화가 어느 정도 이뤄진 후에 나오게 될 것"이라고 설명했다. 삼성전자의 1c D램은 차세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM4(6세대 HBM) 공급 경쟁에서도 큰 의미를 가진다. 삼성전자는 5세대 HBM인 HBM3E까지 1a(4세대) D램을 채용했으나, HBM4에서는 1c D램을 활용할 계획이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론은 HBM3E에 이어 HBM4에서도 1b D램을 유지한다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. 때문에 코어 다이인 D램의 성능이 HBM의 성능에 큰 영향을 미친다. 삼성전자가 HBM4에 1c D램을 성공적으로 적용하는 경우, 차세대 HBM 시장에서 주도권을 회복할 수 있다는 기대감이 나오는 이유도 여기에 있다. 다만 삼성전자가 1c D램 및 HBM4를 성공적으로 양산할 수 있을 지는 아직 판단하기 어렵다. 삼성전자가 1c D램 개발에 총력을 기울이고는 있으나, 아직 안정적인 수율을 구현하지는 못했기 때문이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 하반기 HBM4 양산을 목표로 둔 만큼 이를 위한 설비투자를 진행하는 것으로 보인다"며 "관건은 D램 및 HBM의 수율을 얼마나 빠르게 향상시킬 수 있는가가 될 것"이라고 말했다.

2024.12.09 11:09장경윤

DDR5 '가격 프리미엄' 확대…삼성·SK, 최선단 공정 전환 속도

올 하반기 범용 D램 시장이 수요 부진, 경쟁 심화 등으로 가격 하락 압박을 받고 있다. 다만 국내 기업이 주력하는 DDR5는 레거시 제품 대비 견조한 수익성을 유지하고 있는 것으로 나타났다. 29일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "중국을 비롯한 여러 시장의 PC 교체 수요가 부진했고, 공급사들도 재고 수준을 낮추기 위한 움직임에 나서며 D램 가격의 하락세가 당초 예상 대비 심화됐다"고 설명했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 제조업체의 매출 비중이 높은 DDR5 시장이 비교적 안정적인 흐름을 보였다는 점은 고무적이다. 같은 기간 8GB DDR5 모듈 가격은 25.5달러로, 전월 대비 5.56% 감소했다. 이에 따라 이달 DDR5 모듈의 DDR4 대비 가격 프리미엄은 38% 수준으로, 3분기 기록인 29% 대비 확대됐다. 반도체 업계 관계자는 "PC용 DDR4 제품은 구형이기 때문에 업그레이드용으로만 수요가 있다. 실제 수요나 거래 비중이 높은 제품은 DDR5"라며 "국내 기업들에게 미치는 영향도 DDR5를 중심으로 봐야 한다"고 밝혔다. 실제로 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a(4세대 10나노급), 1b(5세대) 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. SK하이닉스도 중국 우시 소재의 D램 양산라인을 기존 1z(3세대)에서 1a D램으로 전환하고 있다. 이들 첨단 D램은 대부분 DDR5로 양산된다. 이들 기업이 DDR5의 비중을 확대하는 이유는 수익성에 있다. DDR4의 경우 성숙 공정에 해당돼 부가가치가 낮고, 중국 CXMT 등 후발주자들의 급격한 생산능력 확대로 시장성이 크게 감소하는 추세다. 한편 소비자용 SLC(싱글레벨셀), MLC(멀티레벨셀) 낸드 범용제품의 가격도 하락세가 지속되고 있다. 메모리카드, USB용 128Gb 16Gx8 MLC 낸드 평균 가격은 이달 2.16달러로 전월 대비 29.8% 감소했다.

2024.11.29 15:12장경윤

대원씨티에스, 크루셜 DDR5 고성능 메모리 국내 출시

대원씨티에스가 25일 데스크톱PC용 '크루셜 프로 DDR5-6400 오버클록 게이밍 메모리'를 국내 시장에 출시했다. 이 메모리는 정규 작동 클록 DDR5-6400MHz, 기본 램 타이밍은 38-40-40-84로 작동한다. 인텔 XMP 3.0, AMD EXPO 등 각 프로세서와 메인보드 내 기능 활성화로 작동 클록 향상이 가능하다. 마이크론 1B 공정(10나노대)에서 생산한 DDR5 메모리 모듈과 전력제어회로(PMIC)로 저전력 고성능 작동을 구현했다. 장시간 작동시 열 방출을 돕는 알루미늄 재질 방열판을 추가했다. 국내에는 16GB 메모리 모듈 2개를 조합한 32GB 패키지가 유통되며 방열판 색상은 화이트/블랙 중 선택할 수 있다. 제품 이상 발생시 단종 전까지 교환과 수리 서비스를 제공한다. 가격은 15만원 전후.

2024.11.25 09:40권봉석

내년 D램 비트 생산량 25% 증가…"메모리 업계 전략 잘 짜야"

용량을 기준으로 한 내년 전 세계 D램 공급량 증가율이 25%에 달할 전망이다. 중국 후발주자들의 생산량 확대, AI 산업 발전에 따른 HBM(고대역폭메모리) 수요 증가가 주요 원인으로 지목된다. 다만 중국 기업 및 HBM용을 제외한 D램 용량 증가율은 크지 않을 것으로 보여, D램 제조업체들은 각 산업에 따라 신중한 공급 전략을 짜야 할 것으로 분석된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 내년 전 세계 D램 비트(bit) 생산량은 전년대비 25% 증가할 것으로 전망된다. 이는 올해 증가 예상치인 17%보다 8%p 높다. 이 같은 추세는 중국 기업들의 급격한 설비투자 확대, HBM 등 고부가 제품 수요 증가에 따른 효과다. 특히 HBM 사업에 중점을 두고 있는 SK하이닉스가 내년 비트 생산량을 가장 크게 늘릴 것으로 예상된다. 이에 따라 트렌드포스는 D램 공급업체들이 내년 D램 견조한 수익성 유지를 위해 생산량 확대에 신중히 접근해야 한다고 내다봤다. D램 가격 상승세가 올 4분기 약화되고, D램 시장의 구조가 점차 복잡해지고 있기 때문이다. 실제로 내년 전망치에서 중국 기업들을 제외하면, D램 비트 생산량 증가율은 21%로 낮아진다. HBM에 공급되는 물량까지 배제하면 증가율은 15%로 더 떨어진다. 이는 역사적 추세에서 비교적 낮은 수준에 해당된다. 이에 각 D램 제조업체들은 DDR4·LPDDR4와 같은 레거시 제품과, DDR5·LPDR5X와 같은 첨단 제품 생산에 있어 보다 면밀한 전략을 펼칠 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "내년 D램 공급이 풍부할 것으로 예상됨에 따라 가격 하락에 대한 압박이 있을 수 있다"며 "레거시 D램은 중국 기업들을 중심으로 공급이 증가할 것으로 예상되는 반면, HBM은 내년에도 공급이 촉박할 것"이라고 설명했다.

2024.11.07 10:37장경윤

서린씨앤아이, 에이데이터 DDR5 메모리 출시

서린씨앤아이가 29일 에이데이터 DDR5 메모리 4종을 국내 출시했다. 신제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 DDR5 표준을 따르는 제품이며 방열판이나 RGB LED 등 튜닝 요소를 제외한 보급형 제품이다. 작동 클록은 DDR5-5600MHz(44800MB/s)이며 타이밍은 CL46-45-45이다. 인텔 XMP나 AMD 엑스포 OC 등은 지원하지 않는다. 용량은 16GB/32GB 2종이며 데스크톱PC와 노트북용 등 총 2종류로 시장에 공급된다. 공급가는 16GB 용량 기준 데스크톱PC용 제품이 5만 6천원, 노트북용 제품이 5만 8천원.

2024.10.29 10:29권봉석

서린씨앤아이, 대만 에이데이터와 국내 유통 계약 체결

서린씨앤아이는 15일 대만 메모리·스토리지 제조사 에이데이터(ADATA)와 국내 유통 계약을 맺었다고 밝혔다. 에이데이터는 2001년 5월 설립된 PC 하드웨어와 반도체 제조 전문업체로 D램 모듈과 SSD, USB 플래시 메모리를 전세계 시장에 공급하고 있다. 게이밍 PC용 고성능 하드웨어 전문 브랜드인 XPG도 운영중이다. 서린씨앤아이는 XPG DDR5 메모리 중 최상위 제품인 랜서 네온 RGB, 랜서 RGB, 캐스터 RGB 등 제품을 국내 시장에 순차 공급 예정이다. 이들 제품은 SK하이닉스 고품질 IC 모듈을 적용해 호환성과 안정성을 높였다. 김태왕 서린씨앤아이 이사는 "이번 에이데이터 유통 계약을 통해 국내 판매자와 이용자의 피드백을 전달하는 가교 역할을 수행하고 브랜드가 국내 시장에 정착하도록 노력하겠다"고 밝혔다.

2024.10.15 13:53권봉석

데스크톱 PC용 고성능 DDR5 메모리, 'CUDIMM' 통해 한계 돌파

데스크톱 PC용 프로세서의 성능 향상 폭이 더뎌지면서 이를 보완하기 위한 고성능 메모리 관련 기술이 상용화를 앞두고 있다. 올 4분기부터 DDR5 메모리의 작동 속도와 안정성을 동시에 높이는 CUDIMM 규격 기반 고성능 메모리가 시장에 등장한다. CUDIMM은 작동 클록을 제어하는 집적회로인 '클록 드라이버'(CKD)를 메모리 모듈에 직접 내장해 외부 전기적 간섭(노이즈) 없이 상대적으로 정확한 신호를 전달한다. 작동 클록을 끌어올리면서 안정성도 높일 수 있다. AMD X870/X870E 메인보드와 함께 곧 시장에 공급될 인텔 코어 울트라 200S(애로우레이크) 프로세서와 Z890 메인보드가 CUDIMM을 지원한다. 대만 에이데이터도 최근 CUDIMM 기반 제품을 시장에 투입하겠다고 밝혔다. ■ 프로세서 오버클록, 소모전력·발열에 영향 데스크톱 PC용 프로세서의 처리 속도를 끌어올리는 방법은 크게 두 가지가 있다. 첫 번째는 CPU 코어의 작동 속도 자체를 끌어올리는 것이다. 인텔 코어 울트라9 285K 등 K시리즈 프로세서, AMD 라이젠 9 9950X 프로세서 등 X시리즈 프로세서는 이를 위한 오버클록을 지원한다. 단 프로세서를 구성하는 실리콘 특성에 따라 이용자가 인위적으로(혹은 자동으로) 끌어올릴 수 있는 클록도 제약을 받는다. 전력 소모도 이에 비례해 높아지며 발열을 억제하고 안정적인 작동을 위해 일체형 수랭식 냉각 장치까지 동원해야 한다. ■ 프로세서·메인보드 특성에 영향받는 고성능 메모리 또다른 방법은 프로세서와 연결된 외부 메모리 작동 클록을 끌어올리는 것이다. 외부 메모리는 프로세서에 내장된 레지스터(Register)나 캐시 메모리 대비 데이터를 읽고 쓰는 속도가 느리다. 이를 끌어 올리면 자연히 시간 당 처리 가능한 데이터와 대역폭이 늘어나는 구조다. 에이데이터, 지스킬, 에센코어 등 외부 메모리 제조사는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 DDR5 메모리 제조사의 제품 중 높은 작동 클록에 잘 버티는 칩을 따로 모아 고성능 메모리를 제조한다. 그러나 메모리 작동 클록이 프로세서에서 직접 공급되기 때문에 이를 전달하는 메인보드 특성이나 프로세서에 내장된 메모리 컨트롤러 성능에 큰 영향을 받는다. ■ JEDEC, 올 초 새 메모리 표준 'CUDIMM' 확정 국제반도체표준협의기구(JEDEC)는 올 초 고성능 메모리 작동을 위한 새로운 메모리 규격인 CUDIMM(클록드 언버퍼드 DIMM) 표준을 완성했다(JESD323). CUDIMM은 기존 데스크톱PC용 메모리와 큰 차이가 없지만 작동 클록을 제어하는 집적회로인 '클록 드라이버'(CKD)를 메모리 모듈에 직접 내장했다. 외부에서 발생하는 전기적 잡음(노이즈)에 영향을 받지 않는 정확한 신호를 공급할 수 있다는 것이 가장 큰 장점이다. CUDIMM을 지원하지 않는 기존 메인보드와 하위 호환성도 확보했다. ■ 최신 프로세서·메인보드, DDR5 CUDIMM 지원 대만 메모리 제조사 에이데이터는 지난 10일 고성능 게이밍 PC용 메모리 브랜드 'XPG' 라인업에 DDR5 CUDIMM 제품군을 추가한다고 밝혔다. 에이데이터는 "DDR5 CUDIMM 신제품 작동 속도는 DDR5-6400MHz부터 시작하며 Z890 칩셋 메인보드와 조합해 최대 9000MHz(9000MT/s)까지 성능을 끌어올릴 수 있다"고 설명했다. AMD가 라이젠 9000 시리즈 등 소켓 AM5 기반 고성능 프로세서용으로 시장에 공급중인 X870/X870E 메인보드는 CUDIMM을 지원한다. 인텔은 25일부터 공급될 코어 울트라 200S(애로우레이크) 프로세서와 Z890 칩셋 메인보드에서 CUDIMM을 지원할 예정이다. ■ "고성능 메모리, 향후 CUDIMM으로 전환 전망" 외국계 PC용 메모리 모듈 제조사 관계자는 "고성능 메모리가 반드시 CUDIMM일 필요는 없지만 작동 클록을 6000MHz 이상을 끌어올릴 경우 프로세서 자체 메모리 컨트롤러에만 의존할 수 없는 상황"이라고 설명했다. 이 관계자는 이어 "인텔 코어 울트라 200S 기본 작동 클록이 DDR5-6400으로 향상된데다 AMD 라이젠 프로세서 역시 차기 제품에서 작동 클록을 향상시킬 전망이 크다. 이에 따라 고성능 메모리 중 대부분은 CUDIMM으로 전환될 것"이라고 전망했다.

2024.10.14 16:33권봉석

서린씨앤아이, 지스킬 트라이던트 Z5 로얄 네오 메모리 출시

서린씨앤아이가 10일 데스크톱PC용 지스킬 트라이던트 Z5 로얄 네오 DDR5 메모리를 국내 출시했다. 트라이던트 Z5 로얄 네오는 AMD 라이젠 9000 시리즈에 최적화된 제품이며 메모리 오버클록 기능인 엑스포 OC를 지원해 최대 성능을 끌어낸다. DDR5-6000MHz, 램타이밍 28-36-36-96을 지원하는 CL28 모델과 DDR5-6400MHz, 램타이밍 30-39-39-102를 지원하는 CL30 모델 2종이 공급된다. 알루미늄 소재 방열판은 전기 도금을 적용해 주위 하드웨어나 냉각팬 등 LED를 반사하며 내장 LED 바는 조명을 분산시키는 효과를 적용했다. 방열판 색상은 골드와 실버 중 선택 가능하며 용량은 16GB 모듈 2개로 구성한 32GB 키트 1종만 공급된다. 가격은 CL28 32GB 실버 패키지가 24만 9천원, CL30 32GB 실버 패키지가 24만 4천원(직판가 기준).

2024.10.10 11:29권봉석

기세 꺾인 메모리…D램·낸드 가격 '두 자릿 수' 하락

D램·낸드 등 메모리의 고정거래가격이 지난달 전월 대비 두 자릿 수 하락한 것으로 나타났다. IT 시장의 수요 회복세가 부진한 데 따른 영향으로, 올 4분기 D램 가격은 보합세에 접어들 전망이다. 30일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 9월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 평균 1.70 달러로 전월 대비 17.07% 감소했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락했다. 앞서 D램·낸드 가격은 지난해 중반까지 가격이 지속 하락한 뒤, 4분기부터 본격적인 반등세에 접어들었다. 그러나 지난달 D램 가격은 전월 대비 -2.38% 하락했으며, 낸드는 지난 3월부터 지난달까지 보합세를 유지한 바 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "PC 제조사들은 수요 반등이 부족하다는 점을 반영해 여전히 전체 재고 수준을 상대적으로 높게 유지하고 있다"며 "4분긴 PC 출하량은 전분기 대비 3.8% 감소할 것으로 예상되며, 이는 당초 예상치인 0.8% 감소에 비해 하향 조정된 수치"라고 설명했다. 이에 따라 트렌드포스는 올 4분기 PC용 D램 모듈의 가격 전망을 당초 전분기 대비 3~8% 증가에서 '보합세(Flat)'로 하향했다. 이는 DDR4와 DDR5 모두 해당된다. PC 제조사들의 재고 감축 기조와 국내 D램 제조업체들의 점유율 확대 전략 등이 영향을 미치고 있다. 낸드의 경우 TLC(트리플 레벨 셀)의 계약 및 현물 가격 하락으로 SLC(싱글), MLC(멀티) 제품까지 연쇄적인 하락세가 나타났다. 트렌드포스는 "중국 내 경제 부진과 지방 정부의 지출 둔화 등으로 10월에도 SLC 및 MLC 제품의 가격이 지속 하락할 가능성이 높다"고 밝혔다.

2024.10.01 12:00장경윤

SK하이닉스, TSMC 포럼서 HBM3E·엔비디아 H200 나란히 전시...동맹 강조

SK하이닉스가 25일(미국시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 TSMC OIP 에코시스템 포럼 2024(이하 OIP 포럼)에서 HBM3E와 엔비디아 H200 칩셋 보드를 함께 전시해 TSMC와 전략적 파트너십을 강조했다. 아울러 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(이하 DDR5 RDIMM(1cnm))을 세계 최초로 공개해 주목을 받았다. OIP는 TSMC가 반도체 생태계 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다. TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 미국, 일본, 대만 등 세계 각국에서 OPI 행사를 개최한다. SK하이닉스는 올해 처음으로 이 행사에 참여했다. 'MEMORY, THE POWER OF AI'를 주제로 ▲글로벌 No.1 HBM ▲AI·데이터센터 솔루션 등 두 개 섹션을 꾸리고 HBM3E, DDR5 RDIMM(1cnm), DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리를 선보였다. 특히 글로벌 No.1 HBM 섹션에서는 'HBM3E'와 엔비디아 'H200'을 공동 전시하며 '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. 'HBM3E 12단'은 36GB(기가바이트) 용량과 초당 1.2TB(테라바이트) 속도를 자랑하는 AI 메모리다. 성능 검층을 마친 HBM3E 12단은 H200의 성능을 크게 향상시킬 것으로 기대된다. AI/데이터센터 솔루션 섹션에서는 'DDR5 RDIMM(1cnm)' 실물을 처음으로 공개해 많은 관심을 모았다. DDR5 RDIMM(1cnm)은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 낸다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대를 모은다. 이외에도 회사는 128GB 용량 및 초당 8.8Gb 속도의 'DDR5 MCRDIMM*'과 256GB 용량 및 초당 6.4Gb 속도의 'DDR5 3DS RDIMM' 등 고성능 서버용 모듈을 전시했다. 또, LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 'LPCAMM2', 세계 최고속 모바일 D램 'LPDDR5T' 등 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품과 함께 차세대 그래픽 D램 'GDDR7'까지 선보였다. MCRDIMM은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품이다. 이병도 SK하이닉스 TL(HBM PKG TE)은 'OIP 파트너 테크니컬 토크' 세션에서 "TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 계획"이라고 설명했다. 한편, SK하이닉스는 이번 행사를 'AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리'라고 평가했다. 회사는 앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침이다.

2024.09.26 15:57이나리

SK하이닉스, 최선단 D램 시대 열었다..."1c D램 개발은 시작일 뿐"

SK하이닉스가 최근 업계 최선단 공정 기반의 D램을 가장 먼저 개발하는 성과를 거뒀다. 회사는 이에 그치지 않고 3D 셀, 이종접합 등 기술 혁신으로 차세대 D램 시대에 대응한다는 전략이다. SK하이닉스는 지난달 29일 10나노급 6세대(1c) 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 주역들과 좌담회를 진행했다고 10일 밝혔다. 해당 자리에는 1c 기술 개발을 주도한 오태경 SK하이닉스 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했다. 1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며, 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. 성능뿐만 아니다. SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화했으며 원가 절감까지 이루어냈다. SK하이닉스는 1c 개발 가속화를 위해 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택하고, 기존의 3단계(테스트, 설계, 양산 준비) 개발 방식을 2단계(설계, 양산 준비)로 효율화했다. 오태경 부사장은 "1c 기술 개발을 총괄한 1c Tech TF의 가장 큰 목표는 '1등 개발'이었다"며 "커패시터(Capacitor) 모듈과 같은 고난도의 기술 요소를 양산 공정에서 바로 개발하는 방식을 택한 덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었다"고 설명했다. 정창교 부사장은 "공정이 미세화되면서 과거와는 다른 특성들이 더 중요해지고, 이로 인해 수율 저하 등 문제가 발생할 수 있다"며 "1c 기술에서 주요 성능의 수준을 높이는 트리밍 기술을 활용해 수율과 품질을 확보했다"고 밝혔다. 트리밍이란, 반도체 설계 변경 없이 전자식 퓨즈(eFuse)를 활용해 성능을 상향시키는 기술을 뜻한다. 나아가 SK하이닉스는 1c 이후의 차세대 D램 제품에서도 선두를 유지하기 위한 전략을 구상 중이다. 조영만 부사장은 "1c 기술을 넘어 D램 기술은 점점 더 미세화될 것이고, 특히 10나노 아래 한 자릿수 기술로 넘어가는 시점이 오면 기존 방식으로는 한계가 있을 것"이라며 "이를 극복하기 위해서는 소재 및 장비의 성능을 극대화하는 것뿐만 아니라 2D 셀에서 3D 셀로의 구조 변화, 이종접합 등과 같은 기술 혁신 역시 필요하다"고 강조했다. 한편 SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다.

2024.09.10 09:58장경윤

中 D램 물량 공세 심상치 않다…삼성·SK도 동향 파악 '분주'

창신메모리(CXMT) 등 중국 메모리 업체가 공격적인 생산능력과 생산량 확대에 나서고 있어 예의주시되고 있다. 레거시 D램 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 이들의 동향 파악에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 5일 업계에 따르면 중국 메모리 기업의 급격한 생산능력 확대에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 레거시 D램 사업에 수익성 저하가 우려되고 있다. 현재 중국은 레거시 D램을 중심으로 생산능력을 확대하는 추세다. 중국 주요 D램 제조업체로는 창신메모리(CXMT), 푸젠진화반도체(JHICC) 등이 있다. 특히 CXMT는 2016년 설립된 이래로 중국 정부의 지원 하에 현지 최대 D램 제조업체로 성장했다. 최근에는 HBM(고대역폭메모리) 양산 준비에도 나서고 있다. 업계 및 증권가가 추산하는 CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4 등이다. 현재 양산되는 최선단 D램이 12나노 공정 기반의 DDR5·LPDDR5X 등임을 고려하면 성숙(레거시) 제품에 해당한다. 그럼에도 업계는 CXMT의 생산능력 확대에 상당한 관심을 기울이고 있다. CXMT가 당초 예상보다 D램 공급을 공격적으로 전개하면서, 국내 레거시 메모리 매출 및 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 16Gb(기가비트) 기준 DDR4 현물 가격은 지난해 하반기 3달러 선에서 올해 상반기 3.5달러까지 오른 뒤, 올 하반기 3.3달러 선으로 하락했다. DDR5의 경우 지난해 10월 4.2달러 선에서 올 상반기 4.5달러를 넘겨, 올 하반기에는 5달러에 근접한 수준이다. 이에 따라 DDR4 대비 DDR5에 붙은 가격 프리미엄도 지난달 말 기준 53.9%로 6개월 전인 36.9% 대비 크게 증가했다. 노무라증권은 최근 보고서를 통해 "중국 업체들의 급격한 생산 확대로 메모리 업계가 수익성에 훨씬 더 부정적인 영향을 받을 것으로 예상돼, 이에 대한 대비가 필요한 상황"이라며 "특히 CXMT는 막대한 설비 투자로 이미 월 16만 개의 생산능력을 확보하고 있으며, 이는 전체 D램 시장에서 웨이퍼 기준 약 10%, 비트(bit) 기준 약 5%에 해당하는 수치"라고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 소자업체는 12나노 수준의 DDR5 등 최선단 D램으로의 전환 투자를 서두르고 있다. 동시에 중국 메모리 업계의 투자 동향 파악에도 적극적으로 나서는 분위기다. 국내 반도체 업계 관계자는 "올해 CXMT으로부터 상당한 양의 제품 수주를 확정지은 상황"이라며 "국내 메모리 업체에서도 CXMT의 투자 동향에 깊은 관심을 가지고 있어, 최근 관련된 문의가 왔다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "올해 CXMT와 YMTC 등 중국 메모리 기업들의 설비투자가 매우 활발하다"며 "특히 CXMT의 경우 올 상반기까지 중국 베이징 팹에 당초 업계 예상을 뛰어넘는 규모의 설비를 도입했다"고 밝혔다. 한편 중국 메모리 업계의 급격한 생산능력 확대는 미국의 반도체 수출 규제에 따른 영향이 크다는 분석이다. 앞서 미국 정부는 지난 2022년 10월 자국의 반도체 장비 및 기술이 중국으로 유입되는 것을 사실상 금지하는 규제안을 시행했다. 범위는 18나노미터(nm) 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노 이하 시스템반도체 등이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 중국 반도체 기업들은 미국 규제 강화를 우려해 설비투자를 서둘러 진행하려는 추세"라며 "미국 대선 등 향후 다가올 영향을 가늠하기 힘들어 중장기적인 로드맵보다는 단기적인 투자에 집중하고 있다"고 설명했다.

2024.09.05 10:04장경윤

서린씨앤아이, 클레브 크라스 V RGB ROG 메모리 출시

서린씨앤아이가 3일 데스크톱PC용 DDR5 메모리 '에센코어 클레브 크라스(CRAS) V RGB ROG'를 국내 출시했다. 클레브 크라스 V RGB ROG는 에이수스 ROG(리퍼블릭오브게이머) 브랜드와 협업으로 개발된 제품이며 알루미늄 소재 방열판 옆에 ROG 로고를 각인했다. 작동 속도는 DDR5-7200MHz이며 에이수스 ROG 메인보드에 내장된 ROG 모드를 활성화하면 최대 DDR5-7400MHz로 작동한다. 방열판 위에는 고휘도 LED RGB 조명을 적용했고 에이수스, 기가바이트, 애즈락 등 주요 메인보드 제조사 RGB 제어 소프트웨어와 연동된다. 공급가는 32GB(16GB×2) 패키지가 20만원, 48GB(24GB×2) 패키지가 27만 5천원이며 제품 단종 후에도 재고 소진시까지 교환이 가능한 '라이프 타임 제한 품질 보증'이 적용된다.

2024.09.03 10:50권봉석

서린씨앤아이, 립죠스 M5 DDR5-6000MHz 메모리 추가 출시

서린씨앤아이가 14일 데스크톱PC용 지스킬 립죠스 M5 DDR5 RGB 메모리 제품군에 DDR5-6000MHz 지원 제품을 추가출시했다. 지스킬 립죠스 M5 RGB 메모리는 지난 6월 출시된 보급형 DDR5 메모리로 방열판과 RGB LED를 장착했다. 상단 RGB LED와 방열판 디자인에 일체성을 부여해 조명을 이용한 튜닝이 가능하다. 추가 출시 제품은 최대 작동 클록을 DDR5-6000MHz까지 확장했다. 램타이밍은 CL30-40-40-96이며 이외 디자인과 기능, 성능은 기존 출시 제품과 같다. 방열판 색상은 블랙, 화이트 두 종류이며 32GB(16GB 모듈 2개), 64GB(32GB 모듈 2개) 패키지로 공급된다. 가격은 32GB 패키지 기준 18만원.

2024.08.14 09:37권봉석

삼성전자 "1b·4F스퀘어 D램 사업 순항…메모리 초격차 유지할 것"

"삼성전자가 발표한 차세대 D램 로드맵은 모두 차질없이 개발되고 있습니다. 1b D램은 잘 양산되고 있고, 4F스퀘어도 개발이 순조롭습니다. 메모리 분야에서 초격차를 유지할 것입니다." 유창식 삼성전자 부사장(D램 선행개발팀장)은 16일 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 이같이 밝혔다. 이날 '더 나은 삶을 위한 D램'을 주제로 발표를 진행한 유 부사장은 "첨단 D램에게 요구되는 능력은 크게 고용량, 고대역폭, 저전력 특성 세 가지로 나눌 수 있다"며 "특히 마이크로소프트, 구글 등이 최근 D램 제조업체에 매우 낮은 수준의 전력소모를 요구할 만큼 전력효율성이 중요하다"고 설명했다. D램의 전력효율성을 높이기 위해서는 D램 내부의 셀을 더 촘촘히 만들어야 한다. 셀은 데이터를 저장하기 위한 최소 단위로, 각각 하나의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 다만 최근 들어 셀을 작게 만드는 시도가 기술적 한계에 다다르고 있다. D램에 적용되는 공정이 10나노미터(nm)까지 다다르면서, 구성 요소 간 거리가 너무 가까워 간섭 문제 등이 발생하고 있기 때문이다. 이를 해결하기 위한 유력한 대안은 4F스퀘어다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다. 현재 상용화된 D램은 6F스퀘어 구조다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도 및 성능이 높아지기 때문에, 주요 메모리 업체들은 4F스퀘어로 나아가기 위한 기술개발에 전념해 왔다. 삼상전자의 경우 내년 4F스퀘어 D램의 초기 샘플을 개발할 것으로 기대를 모으고 있다. 이외에도 삼성전자는 1b(5세대 10나노급 D램) D램의 양산 본격화, 업계 최고 동작속도의 LPDDR5X 검증 등 첨단 D램 솔루션 개발에 주력하고 있다. 특히 삼성전자는 올 1분기 1b D램에 대한 내부 품질 테스트를 마무리하고, 현재 본격적인 양산을 준비하고 있는 것으로 알려졌다. 이를 위해 올 연말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확충할 계획이다. 유 부사장은 "1b D램은 차질없이 양산하고 있고, 4F스퀘어 D램도 문제없이 개발이 순항 중"이라며 "지금까지 삼성전자가 발표한 메모리 로드맵에서 일정이 밀린 부분은 전혀 없다. 초격차를 계속 유지할 것"이라고 밝혔다.

2024.07.16 15:41장경윤

서린씨앤아이, 클레브 피트V DDR5 메모리 출시

서린씨앤아이가 2일 데스크톱PC용 DDR5 메모리 '에센코어 클레브 피트V'를 국내 출시했다. 클레브 피트V는 높이 33.2mm인 LP(로우 프로파일) 알루미늄 방열판을 기본 장착했다. PC 케이스 내 프로세서 냉각장치나 케이블 등 간섭을 최소화했고 장시간 작동시 열을 효과적으로 발산한다. SK하이닉스 DDR5 메모리 칩을 기반으로 구성했으며 작동 클록은 6000MHz, 램 타이밍은 32-38-38-78(CL32)이다. 기본 내장된 온도 센서로 각종 모니터링 프로그램을 통해 발열 상태 등을 실시간 확인할 수 있다. 에이수스, 기가바이트, MSI 등 주요 PC 메인보드 제조사 제품과 사전 호환성 테스트를 거쳤고 메모리 오버클록시 메인보드에 각종 수치를 전달하는 인텔 XMP 3.0, AMD EXPO 프로파일을 내장했다. 국내 제품 유통 기간 중 제품 이상 발생시 1:1 교환 가능하다. 단종 이후에는 국내 보유 재고 소진시까지 추가 보증을 제공한다. 용량은 32GB 단일 패키지(16GB×2)로 공급되며 공급가는 15만 4천원.

2024.07.03 11:00권봉석

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