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中 D램 물량 공세 심상치 않다…삼성·SK도 동향 파악 '분주'

창신메모리(CXMT) 등 중국 메모리 업체가 공격적인 생산능력과 생산량 확대에 나서고 있어 예의주시되고 있다. 레거시 D램 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 이들의 동향 파악에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 5일 업계에 따르면 중국 메모리 기업의 급격한 생산능력 확대에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 레거시 D램 사업에 수익성 저하가 우려되고 있다. 현재 중국은 레거시 D램을 중심으로 생산능력을 확대하는 추세다. 중국 주요 D램 제조업체로는 창신메모리(CXMT), 푸젠진화반도체(JHICC) 등이 있다. 특히 CXMT는 2016년 설립된 이래로 중국 정부의 지원 하에 현지 최대 D램 제조업체로 성장했다. 최근에는 HBM(고대역폭메모리) 양산 준비에도 나서고 있다. 업계 및 증권가가 추산하는 CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4 등이다. 현재 양산되는 최선단 D램이 12나노 공정 기반의 DDR5·LPDDR5X 등임을 고려하면 성숙(레거시) 제품에 해당한다. 그럼에도 업계는 CXMT의 생산능력 확대에 상당한 관심을 기울이고 있다. CXMT가 당초 예상보다 D램 공급을 공격적으로 전개하면서, 국내 레거시 메모리 매출 및 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 16Gb(기가비트) 기준 DDR4 현물 가격은 지난해 하반기 3달러 선에서 올해 상반기 3.5달러까지 오른 뒤, 올 하반기 3.3달러 선으로 하락했다. DDR5의 경우 지난해 10월 4.2달러 선에서 올 상반기 4.5달러를 넘겨, 올 하반기에는 5달러에 근접한 수준이다. 이에 따라 DDR4 대비 DDR5에 붙은 가격 프리미엄도 지난달 말 기준 53.9%로 6개월 전인 36.9% 대비 크게 증가했다. 노무라증권은 최근 보고서를 통해 "중국 업체들의 급격한 생산 확대로 메모리 업계가 수익성에 훨씬 더 부정적인 영향을 받을 것으로 예상돼, 이에 대한 대비가 필요한 상황"이라며 "특히 CXMT는 막대한 설비 투자로 이미 월 16만 개의 생산능력을 확보하고 있으며, 이는 전체 D램 시장에서 웨이퍼 기준 약 10%, 비트(bit) 기준 약 5%에 해당하는 수치"라고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 소자업체는 12나노 수준의 DDR5 등 최선단 D램으로의 전환 투자를 서두르고 있다. 동시에 중국 메모리 업계의 투자 동향 파악에도 적극적으로 나서는 분위기다. 국내 반도체 업계 관계자는 "올해 CXMT으로부터 상당한 양의 제품 수주를 확정지은 상황"이라며 "국내 메모리 업체에서도 CXMT의 투자 동향에 깊은 관심을 가지고 있어, 최근 관련된 문의가 왔다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "올해 CXMT와 YMTC 등 중국 메모리 기업들의 설비투자가 매우 활발하다"며 "특히 CXMT의 경우 올 상반기까지 중국 베이징 팹에 당초 업계 예상을 뛰어넘는 규모의 설비를 도입했다"고 밝혔다. 한편 중국 메모리 업계의 급격한 생산능력 확대는 미국의 반도체 수출 규제에 따른 영향이 크다는 분석이다. 앞서 미국 정부는 지난 2022년 10월 자국의 반도체 장비 및 기술이 중국으로 유입되는 것을 사실상 금지하는 규제안을 시행했다. 범위는 18나노미터(nm) 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노 이하 시스템반도체 등이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 중국 반도체 기업들은 미국 규제 강화를 우려해 설비투자를 서둘러 진행하려는 추세"라며 "미국 대선 등 향후 다가올 영향을 가늠하기 힘들어 중장기적인 로드맵보다는 단기적인 투자에 집중하고 있다"고 설명했다.

2024.09.05 10:04장경윤

SK하이닉스, 이달 말부터 'HBM3E 12단' 제품 양산 시작

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 양산을 차질없이 진행한다. 올해 초 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급한 데 이어, 이달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 예정이다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra 담당)은 4일 '세미콘 타이완'에서 'AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다'를 주제로 키노트를 진행했다. 이날 김 사장은 AI 산업 발전에 대응하기 위한 메모리 반도체의 중대한 요소로 전력 문제를 짚었다. 오는 2028년에는 데이터센터가 현재 소비하는 전력의 최소 두 배 이상을 사용할 것으로 추정되며, 충분한 전력 공급을 위해 소형모듈원전 같은 새로운 형태의 에너지가 필요할 수도 있다. 또한 데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼, 효과적인 방열 솔루션을 찾아야 한다. 이를 위해 SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다. 김 사장은 "AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "챗GPT가 도입되기 전까지 대역폭과 관련된 문제는 그다지 중요하지 않았으나, AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다"고 설명했다. 이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 현재 HBM3E, 고용량 서버 DIMM, QLC 기반 고용량 eSSD와 LPDDR5T를 시장에 공급하고 있다. SK하이닉스는 올해 초부터 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급 중이며, 이번달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획이다. 한편 일반 서버와 비교해 AI 서버는 4배 이상의 메모리 용량이 필요한데, 이를 위해 회사는 TSV 기술 기반 서버용 256GB DIMM을 공급 중이다. 또한 SK하이닉스는 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체로, 향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120TB 모델을 선보일 계획이다. 마지막으로 LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품이다. 미래를 위한 제품과 기술 개발도 순조롭게 진행하고 있다. SK하이닉스는 HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중이다. 베이스다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정이다. 낸드 분야에서도 SK하이닉스는 최첨단 제품을 지속 개발할 예정이다. 또한 SK하이닉스는 최대 40Gbps를 지원하는 업계 최고 성능의 GDDR7을 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰으며, 혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다. 제품, 기술 개발을 위한 R&D 투자뿐만 아니라 인프라 투자도 계획대로 진행할 예정이다. 김 사장은 "SK하이닉스는 부지조성 공사가 순조롭게 진행 중인 용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축할 예정으로, 이곳을 기반으로 글로벌 여러 파트너들과 긴밀한 협력을 나누게 될 것"이라며 "SK하이닉스는 2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획으로, 주요 고객 및 파트너들과의 협력을 강화하는데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.

2024.09.04 17:30장경윤

삼성전자, 갤럭시S25향 모바일 '1b D램' 공급 난항

삼성전자가 최선단 모바일용 D램 사업에 난항을 겪고 있다. 최근 갤럭시S25 시리즈에 공급하기 위한 1b D램(5세대 10나노급 D램) 샘플이 저조한 수율 문제로 적기에 공급되지 못한 것으로 파악됐다. 4일 지디넷코리아 취재를 종합하면 삼성전자 MX사업부는 지난달 DS사업부에 1b 기반 LPDDR(저전력 D램) 샘플 공급 차질에 따른 우려를 전달했다. 1b D램은 선폭이 12나노미터(nm) 수준인 D램으로, 현재 양산되고 있는 D램 중 가장 최선단에 해당한다. 삼성전자의 경우 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5 양산을 시작했다. 이후 삼성전자는 HPC(고성능컴퓨팅) 시장을 겨냥해 지난해 9월 32Gb 1b D램을 개발하고, 수율을 끌어올리는 데 집중해 왔다. 동시에 삼성전자는 모바일에 탑재되는 1b LPDDR 제품을 개발해 왔다. 주 적용처는 갤럭시S25 시리즈다. 갤럭시S25는 삼성전자가 내년 1분기 출시할 예정인 최신형 플래그십 스마트폰이다. 그러나 최근 해당 계획에 차질이 생겼다. DS사업부는 12·16Gb 등 다양한 성능의 1b LPDDR 샘플을 지난달까지 MX사업부에 전달하기로 했으나, 수율 문제로 필요한 물량을 공급을 하지 못했다. 통상 반도체는 80% 이상의 수율을 확보해야 안정적이고 경제적인 양산·공급이 가능하다. 삼성전자의 모바일용 1b D램의 구체적인 수율은 밝혀지지 않았으나, 내부에서 충분한 물량 확보가 어렵다는 판단이 나온 만큼 수율이 목표치에 크게 미치지 못 했을 것이라는 게 업계의 시각이다. 사안에 정통한 관계자는 "모바일용 1b D램 수율이 당초 예상보다 개선되지 않아 공급 일정이 늦아지고 있다"며 "이에 MX 측이 항의했고, D램 탑재 계획을 점검하고 있는 상황"이라고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "고성능컴퓨팅(HPC)용 1b D램의 수율 향상은 그간 상당한 진전이 있었으나, 모바일용 D램의 수율이 상대적으로 저조하다"며 "문제가 해결되지 않으면 3분기 삼성전자 모바일 D램의 단가에 부정적인 영향이 갈 수 있다"고 설명했다. 물론 삼성전자가 모바일용 1b D램의 수율을 개선할 수 있는 여지는 남아 있다. 모바일용 1b D램의 성능을 검증하고 있는 시스템LSI사업부도 현재까지 연구개발에 별다른 변동사항은 없는 것으로 알려졌다. 다만 갤럭시S25 출시가 반년도 채 남지 않은 만큼, 문제 해결을 위한 시간이 촉박한 것으로 관측된다. 이에 삼성전자 관계자는 "해당 내용은 사실과 다르다"고 밝혔다.

2024.09.04 14:32장경윤

박문필 SK하이닉스 부사장 "HBM 1등 사수...백엔드 미래 기술 확보"

"SK하이닉스는 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후, 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 바 있다. 나아가 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것이다." 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 4일 회사 공식 뉴스룸과의 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다. SK하이닉스는 올 초 전사적으로 HBM 경쟁력을 강화하기 위해 관련 역량과 기능을 결집한 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 산하 조직인 HBM PE 조직 역시 ▲HBM 제품 테스트 및 검증을 통해 품질 관리를 담당하는 프로덕트 엔지니어링(Product Engineering)팀 ▲시스템 레벨에서 제품을 평가하는 어플리케이션 엔지니어링(application Engineering)팀 ▲제품 적기 개발 및 사업화 추진을 위해 고객과 회사간 협업을 주도하는 프로젝트 매니지먼트(Project Management)팀을 산하에 배치해 전문성을 강화했다. 박 부사장은 'HBM 1등' 리더십을 수성하기 위해 가장 중요한 것으로 '적기(適期)'를 꼽으며 "제품을 적시에 개발하고 품질을 확보해 고객에게 전달하는 것이 가장 중요하다"고 설명했다. 또한 그는 “HBM PE 조직은 품질 경쟁력뿐만 아니라 제품 생산성까지 극대화하는 데 많은 노력을 기울이고 있다”고 덧붙였다. HBM은 적층되는 칩의 수가 많은 만큼 여러 품질 문제가 발생할 수 있다. 또한 GPU와 결합하는 SiP(시스템 인 패키지) 등 다양한 조건에서 성능을 종합적으로 확인해야 하기에 테스트 과정이 오래 걸릴 수밖에 없다. 때문에 제품을 빠르게 검증하고, 고품질을 확보할 수 있는 테스트 베이스라인을 만드는 것이 중요하다. 박 부사장은 "HBM PE 조직은 제품의 개선점을 빠르게 찾아 양산 역량까지 확보할 수 있는 기술 노하우를 보유하고 있다"며 "대표적으로 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 사례가 이를 입증한다"고 설명했다. 고객의 목소리에 귀 기울여 HBM의 품질을 더 높이고, 신제품 기획 및 개발 일정을 조율하는 것 또한 HBM PE 조직의 주요 임무다. 이를 위해 박 부사장은 HBM 주요 고객사를 위한 오픈랩(Open Lab)을 운영 중이며, 이 랩은 대내외 소통 창구 역할을 하며 주어진 과제에 기민하게 대응하고 있다. 박 부사장은 입사 후 약 15년간 D램 설계 직무를 수행한 후 2018년 D램 PE 직무로 전환했다. 당시 4명의 소수 구성원으로 출발했던 팀은 5년여 만에 70여 명의 조직으로 성장했다. PE 업무에 자신이 보유한 D램 설계 노하우를 접목시키며 혁신을 불어넣은 박 부사장의 노력 덕분이었다. 그동안 사내 SKMS 실천상을 4번이나 수상하며 능력을 인정받았던 박 부사장은 가장 난이도가 높았던 제품으로 HBM을 꼽았다. 박 부사장은 "지난 2022년 쉽지 않았던 HBM3 고객 인증을 잘 해결해냈던 일이 기억에 남는다"며 "고객 시스템 레벨에서 적용할 수 있는 솔루션까지 확보하며 대응 역량의 수준을 한층 높이는 성과도 얻었다"고 밝혔다. 박 부사장의 다음 목표는 12단 HBM3E와 HBM 6세대 제품인 HBM4의 성공적인 사업화다. 그는 "객관적인 데이터를 바탕으로 우리 제품의 압도적인 성능과 경쟁력을 고객이 이해할 수 있도록 기술 협업 및 신뢰 관계를 잘 구축해 나가겠다"며 "특히 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것"이라고 강조했다. 마지막으로 박 부사장은 "HBM이 고객별 맞춤형 커스텀(Custom) 제품으로 다양하게 변모하면서, 새로운 제품 설계 방식이 도입되고 테스트 관점에서도 기존 패러다임의 전환이 이루어질 것으로 예측하고 있다"며 "HBM PE 조직은 이에 대비해 다양한 이해관계자들과 협업 프로세스를 구축하며 관련 인프라를 확충하고, 이 분야 인재들을 발굴·육성하기 위해 노력할 것"이라고 강조했다.

2024.09.04 09:51장경윤

삼성전기, 'KPCA쇼 2024'서 첨단 패키지기판 기술력 공개

삼성전기는 'KPCA Show 2024'에 참가해 차세대 반도체기판 기술력을 공개한다고 4일 밝혔다. KPCA Show(국제PCB 및 반도체패키징산업전)는 국내외 기판, 소재, 설비 업체들이 참가하는 국내 최대 기판 전시회로 4일부터 6일까지 인천 송도컨벤시아에서 개최된다. 삼성전기는 국내 최대 반도체 패키지기판 기업으로, 이번 전시회에서 대면적·고다층· 초슬림 차세대 반도체기판을 전시하며 기술력을 과시했다. 반도체 패키지기판은 고집적 반도체 칩과 메인보드를 연결하여 전기적 신호와 전력을 전달하는 제품이다. 서버, AI, 클라우드, 전장 등 산업 패러다임 변화에 따라 반도체기판이 반도체 성능 차별화의 핵심이 되고 있으며, 반도체 고성능화에 따라 반도체기판도 내부 층수 증가, 미세회로 구현, 층간 미세 정합, 두께 슬림화 등 고난도 기술이 요구되고 있다. 삼성전기는 이번 전시회에서 2가지 테마에 따라 ▲어드밴스드 패키지기판존 ▲온 디바이스 AI 패키지기판존으로 전시부스를 구성했다. 전시 부스 중앙에는 반도체기판이 적용된 제품분해도를 전시하여 반도체 패키지기판 실제 적용분야에 대한 이해도를 높였다. 어드밴스드 패키지기판존에서는 현재 삼성전기가 양산중인 하이엔드급 AI/서버용 FCBGA의 핵심 기술을 선보였다. 이번에 소개하는 AI·서버용 FCBGA는 신호를 고속으로 처리하기 위해 제품 크기(면적)는 일반 FCBGA의 6배, 내부 층수는 2배인 20층 이상을 구현한 최고난도 제품이다. 삼성전기는 국내 유일 서버용 FC-BGA 양산 업체로써 업계 최고 수준의 기술을 보유하고 있다. 또한 삼성전기는 반도체 고성능화 트렌드에 맞춰 발전하고 있는 차세대 패키지기판 기술을 소개했다. 반도체와 기판 사이에 실리콘 인터포저를 사용하지 않고 반도체와 반도체를 직접 연결하는 2.1D 패키지기판기술, SoC와 메모리를 하나의 기판에 통합한 Co-Package 기판 등을 공개했다. 특히 삼성전기는 기판 코어에 글라스 소재를 적용해 대면적 기판에서 발생하는 휨특성과 신호 손실을 혁신적으로 개선한 글라스 기판을 처음으로 공개했다. 글라스 기판에 대한 핵심기술과 주요 사양 소개를 통해 삼성전기가 차세대 기판 시장에서 기술 경쟁력 확보에 주력하고 있음을 밝혔다. 온 디바이스 AI 패키지기판존에서는 AI시대에 맞춰 현재 삼성전기가 양산하는 제품을 전시했다. 삼성전기는 세계 1위를 자랑하는 AI 스마트폰 AP용 FCCSP(Flip Chip Chip Scale Package) 기판과 메모리용 UTCSP(Ultra Thin chip Scale Package) 기판, AI 노트북용 박형 UTC(Ultra Thin Core) 기판, 수동소자 내장기술을 통해 반도체 성능을 높인 임베디드 기판 등을 소개했다. 김응수 삼성전기 패키지솔루션사업부장 부사장은 “삼성전기는 세계 최고 수준의 패키지기판 기술력을 바탕으로 글로벌 주요 고객들과의 협력을 확대해 나가고 있다”며 “삼성전기는 차세대 반도체기판 시장에서 요구하는 요소 기술을 확보해 서버, AI, 자율주행 등 하이엔드 기판 시장을 집중 공략해 나가겠다”고 밝혔다. 1991년 기판사업을 시작한 삼성전기는 차별화된 기술력으로 세계 유수의 기업들로 제품을 공급하며 기판업계를 이끌고 있다. 특히 최고사양 모바일 AP용 반도체기판은 점유율, 기술력으로 독보적인 1위를 차지하고 있다. 최근에는 미래 주도기술로 초대면적·초고다층, 초미세회로 및 Glass 소재 활용 기술 등 차세대 핵심기술 확보에 역량을 집중하고 있다.

2024.09.04 08:57장경윤

SK하이닉스, "16단 HBM에도 '어드밴스드 MR-MUF' 적용 가능성 확인"

"오는 2025년 양산 예정인 HBM4는 이전 세대 대비 성능 및 에너지 효율이 높을 것으로 기대하고 있다. 특히 16단 제품의 경우, 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술의 적용 가능성을 확인했다." SK하이닉스 이강욱 부사장(PKG개발 담당)은 3일 '세미콘 타이완'에서 회사의 HBM 경쟁력에 대해 이같이 말했다. 이날 'AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'을 주제로 세션 발표를 진행한 이 부사장은 HBM 시장의 가파른 성장세를 예견했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 기존 D램에 비해 데이터 처리 성능이 뛰어나다. HBM은 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 성공했다. 8단, 12단 HBM3E는 초당 1.18TB 이상의 데이터를 처리하며 최대 36GB 용량을 지원한다. HBM4는 12, 16단으로 공급되며 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 성능이 발전한다. HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용함으로써, 성능 및 에너지 효율 향상을 기대하고 있다. 이와 같은 시장 성장세에 맞춰 HBM 분야 리더인 SK하이닉스는 2015년 업계 최초로 HBM 제품을 양산한 후, 연이어 최고 성능의 HBM 제품들을 세계 최초로 출시하면서 업계를 선도하고 있다. 오는 2025년에는 HBM4 12단 제품도 출시할 예정이다. 특히 SK하이닉스는 독자적으로 개발한 혁신적인 패키징 기술을 통해 HBM 제품의 에너지 효율 및 열 방출(방열 성능) 측면에서 경쟁력을 갖추고 있다. SK하이닉스가 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력, 온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 다른 공정보다 유리하다. 또한 높은 열전도 특성을 갖는 Gap-Fill 물질(빈 공간을 채우는 물질) 및 높은 밀도의 메탈 범프 형성이 가능해. 타 공정 대비 열 방출 면에서 30% 이상의 성능 장점을 가진다. SK하이닉스는 HBM3와 3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 Advanced MR-MUF기술을 적용해 양산을 하고 있으며, 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 Advanced MR-MUF를 적용해 양산할 계획이다. 16단 제품을 위해서는 Advanced MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며, 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획이다. 특히 SK하이닉스는 16단 제품 대응을 위한 기술을 개발 중인데, 최근 연구에서 16단 제품에 대한 Advanced MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다. 하이브리드 본딩 기술을 적용할 경우 제품 성능, 용량 증가 및 열 방출 측면에서 장점이 있으나, 기술 완성도 및 양산 인프라 준비 측면에서 해결해야 할 여러 선결 과제들이 있다. 두 가지 방식에 대한 기술 완성도를 빠르게 높여, 메모리 고용량화에 대한 고객 니즈에 선제적으로 대응하겠다는 전략으로 풀이된다. SK하이닉스는 HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비하고 있으며, 대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(시스템 인 패키지) 패키징 등을 포함 다양한 대응 방안을 검토하고 있다. 또한 HBM4E 부터는 커스텀(Custom) 성격이 강해질 것으로 예상돼, SK하이닉스는 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화해 가고 있다.

2024.09.03 14:36장경윤

KIAT, 우즈벡 희소금속 공급망 다변화 지원

한국산업기술진흥원(KIAT·원장 민병주)은 지난 2일 오후 인천 송도 한국생산기술연구원 국가희소금속센터(KORAM·센터장 박경태)에서 우즈베키스탄 희소금속 공급망 다변화 지원을 위한 유관기관 간담회를 개최했다고 3일 밝혔다. KORAM은 현재 산업통상자원부 산업통상개발지원(산업ODA) 사업 지원을 받아 우즈베키스탄 치르치크시에 있는 '한-우즈벡 희소금속센터' 구축·운영을 전담하고 있다. 한-우즈벡 희소금속센터는 생산기술연구원과 우즈베키스탄 국영기업 알말릭 광업공사 주관으로 양국 정부 지원하에 KORAM을 참고해 지난 2019년 4월에 문을 열었다. 한-우즈벡 희소금속센터는 KORAM과 유사한 연구 환경과 공정 장비, 정보 시스템을 도입해 운영 중이다. 올해 연말 시험생산동 가동을 앞두고 있어 앞으로 우즈벡 고품질 희소금속 소재 상용화 연구개발과 양산에 필요한 실질적 기반이 마련될 전망이다. 이날 간담회는 산업ODA 참여 기관과 함께 글로벌 희소금속 산업 생태계 구축 전략과 지원 방안을 논의하기 위해 마련됐다. 희소금속은 반도체·이차전지 등 첨단산업 발달로 수요가 계속 증가하고 있어, 수급 안정에 국가 전략적 노력이 필요한 분야다. 특히 광물 대부분이 일부 국가에 편중돼 있어서 공급망 다변화 추진이 시급하다. 한-우즈벡 희소금속센터는 현지 매장량이 풍부한 텅스텐·몰리브덴 등 희소금속을 대상으로 원료 순도를 높이는 제련 기술 고도화 연구에 착수했다. 앞으로 반도체·전자부품에 활용할 수 있는 고부가가치 희소금속 소재 개발에 주력할 계획이다. KIAT는 향후 한-우즈벡 희소금속센터에서 고품질 희소금속 소재 생산을 위한 연구개발(R&D) 지도, 전문가 교류, 인력 양성 등을 추진해 희소금속 신규 공급망 확보를 위한 방편으로 활용할 계획이다. 민병주 KIAT 원장은 “우즈베키스탄의 고순도 희소금속 소재 생산을 위한 상용화 기술 지원, 인증, 실증 기반을 탄탄하게 구축해 희소금속 공급망 안정화에 기여하겠다”고 말했다. 한편, 국가희소금속센터는 지난 2010년 희소금속의 공급 안정과 공동 연구 기반 구축 및 기술 지원을 위해 설립된 기관으로 전략 희소금속 선정과 핵심 원천기술 과제 발굴, 관련 인력 교육, 국제협력 체계 구축 업무를 수행한다.

2024.09.03 08:23주문정

안동·경주에 글로벌 백신허브·SMR 국가산단 들어선다

안동과 경주에 바이오·생명과 소형모듈원전(SMR) 국가산업단지가 각각 들어서 1조원 규모 생산유발 효과를 내며 지역경제에 새로운 활기를 불어넣을 전망이다. 안동 바이오생명 국가산단과 경주 SMR 국가산단은 정부가 국가첨단전략산업 육성을 위해 지난해 3월 선정한 신규 국가산단 15개 후보지 가운데 두 곳이다. LH(대표 이한준)는 안동과 경주에 신규 국가첨단산업단지를 조성해 바이오·SMR 산업 육성을 지원한다는 계획이다. LH는 최근까지 안동시·경주시와 산단 사업규모와 업무분담 등 세부 사항 협의를 마무리하고, 사업 착수에 돌입했다. ■ 글로벌 바이오·백신 생산거점 산단 조성 안동 바이오 첨단산단(105만㎡)은 지난 6월 한국개발원(KDI) 예비타당성 조사 신청을 완료했고, 경주 SMR 첨단산단(150만㎡)은 연내 예비타당성 조사 신청을 마무리할 예정이다. LH 관계자는 “2015년 이후 지역경제 실질성장률이 전국 평균을 밑돌고 있는 경북 지역은에 국가 첨단산단 2곳이 완공되고, 관련 기업과 연구소 입주가 완료되면 1조원 이상의 생산유발 효과를 거둘 수 있어 지역경제의 새로운 동력으로 기대가 높아지고 있다”고 설명했다. LH는 안동시 풍산읍에 바이오산업 인프라를 구축해 바이오·의약품 핵심 생산지로 조성할 계획이다. 코로나19 팬데믹 이후 세계 백신시장 규모가 연평균 10.2% 성장하며 2026년에는 1천492억 달러에 이를 것으로 추정되고 고령 인구 증가로 바이오 시장도 확대될 것이라는 전망이 배경이다. 이미옥 LH 대구경북지역본부 지역개발팀 차장은 “안동은 중부 내륙권에 위치해 중앙고속도로·중앙선(철도)·국도 34호선 등 광역접근성이 우수하고 바이오 관련 시설들이 두루 갖춰져 있다”며 “SK바이오사이언스·SK플라즈마 등 산업시설과 경북 바이오산업연구원·국제백신연구소 안동분원 등 연구시설이 이미 들어서 있고 안동시 입주수요 조사에서 172개 기업이 입주 희망 의사를 표할 만큼 수요도 탄탄하다”고 설명했다. 안동 국가첨단산단에는 바이오 인프라 집적화를 통해 기술개발·임상시험·생산·시장 출시 등의 과정을 원스톱으로 추진하는 산업지원 시스템이 구축된다. 바이오·제약산업과 전·후방 산업, 지원기관이 연계되는 선순환 생태계가 조성된다. 생산시설 외에도 상업⸱주거⸱문화⸱편의시설이 구비된 복합용지를 도입해 산업단지 내에서도 주거와 문화생활이 가능해진다. 이 차장은 “지난 6월 안동은 산업통상자원부의 경북 바이오·백신 산업 특화단지로 선정돼 국가첨단산업단지 조성이 탄력을 받을 것”이라며 “민간투자 활성화를 위한 인·허가 신속 처리, 산업 기반 시설 설치 및 입주기업 지원, 세액 공제 등의 혜택이 추가로 부여될 예정”이라고 밝혔다. 안동시 자료에 따르면 첨단 국가산단이 조성되면 3천38억원의 생산유발효과와 1천264억원의 부가가치유발효과, 1천833명의 고용유발효과가 발생할 전망이다. LH는 안동시와 기본협약을 마무리하고 지난 6월 지방권 국가첨단산단 최초로 KDI에 예비타당성조사를 신청했다. 11월 예비타당성 조사를 마치고, 2025년에 산업단지계획 승인을 완료한 후 2026년 상반기부터 보상에 착수한다는 계획이다. ■ 원자력 산업·R&D 인프라 연계 글로벌 SMR 허브 조성 경주시 문무대왕면 일원에는 경주 SMR(Small Modular Reactor) 국가산업단지가 들어선다. LH는 경주를 중심으로 갖춰진 기존 원자력 시설과 연계해 신규 글로벌 SMR 제품 생산 허브를 조성한다는 계획이다. SMR은 부품을 공장에서 모듈형으로 생산해 현장에서 쉽게 조립할 수 있도록 설계한 출력 300MW 이하 원자로다. 기술개발과 상용화를 위해 미국을 비롯한 선진국에서 연구를 진행하고 있으며, 국내에서는 2028년 표준설계 인가를 목표로 하고 있다. 한국수력원자력에 따르면 SMR은 초기 투자비가 적고 건설 기간이 짧아 자금회수도 빠르고 기술발전에 따라 경량화 및 발전용량 증가도 가능하다. 앞으로 수소생산·선박·자동차 등에 다양하게 활용될 전망이다. 경주 첨단국가산단은 한국형 SMR 생산·수출이 가능한 특화산단으로 조성된다. 기업특구형 산업단지와 글로벌 국제협력산업단지로도 거듭날 전망이다. 경주시 추산자료에 따르면 7천300억원의 생산유발효과와 4천410억원의 부가가치유발효과, 5천399명의 취업유발효과가 새롭게 생길 것으로 보인다. SMR 국가산단이 들어서면 경주는 6기의 원전과 한수원·한국원자력환경공단·중저준위방폐장을 포함해 현재 건설 중인 문무대왕과학연구소, 중수로 해체기술원까지 원자력 산업 메카로 발돋움하게 된다. LH는 지자체와 사업규모·업무분담 등의 세부사항을 협의해 이달 말까지 관련 내용을 확정하고 기본협약을 체결할 계획이다. 입주 수요조사와 LH 내부 투자심의를 거쳐 연내 KDI에 예비타당성조사를 신청할 예정이다. 김재경 LH 지역균형본부장은 “안동과 경주에 들어설 첨단산단은 향후 지역경제를 이끌어 나갈 초석이 될 것”이라면서 “LH는 지자체와의 협력을 바탕으로 사업준비 기간을 3분의 1 가량 단축해 조기 착공할 수 있도록 노력하겠다”고 말했다.

2024.09.02 17:09주문정

OCI, SK하이닉스 반도체 '인산' 공급사 진입…첫 출하 완료

핵심소재 기업 OCI는 국내 인산 제조사 최초로 SK하이닉스의 반도체 인산 공급자로 선정됐다고 2일 밝혔다. OCI는 금번 SK하이닉스 수주를 통해 반도체 인산 국내 시장점유율(M/S) 1위 기업으로서의 지위를 더욱 공고히 하고, 반도체 소재 기업으로의 입지를 강화해 나갈 방침이다. OCI는 SK하이닉스의 강도 높은 품질 테스트를 거쳐 반도체 인산 제품 공급에 대한 승인을 획득하고, 지난달 21일 군산공장에서 초도품 출하 기념식을 진행했다. 이번에 OCI가 SK하이닉스에 공급하는 반도체 인산은 반도체 생산에 필요한 핵심소재 중 하나로, 반도체 웨이퍼의 식각 공정에 사용된다. OCI의 반도체 인산은 D램과 낸드플래시, 파운드리까지 모든 반도체 공정에 사용되는 범용 소재로 HBM의 성장 및 반도체 시황 회복에 따라 그 수요가 꾸준히 증가할 것으로 기대되고 있다. OCI는 2007년 반도체 인산 사업에 진출한 이후, 현재 연간 2만5천 톤 규모의 생산능력을 보유하고 있다. 삼성전자, SK키파운드리, DB하이텍 등 국내 주요 반도체 업체를 대상으로 지난 17년간 반도체 인산을 안정적으로 공급하며 국내 M/S 1위를 유지하고 있다. OCI는 이번에 SK하이닉스를 신규 고객사로 추가함으로써 국내 모든 반도체 제조사에 인산을 공급하는 유일한 업체가 됐다. OCI는 신규 고객사 확보 및 기존 고객사의 수요 증가에 따라 단계적으로 반도체 인산 생산능력을 증설할 계획이며, 반도체 소재의 국산화 및 공급망 안정화에 기여해 나갈 예정이다. 한편 OCI는 반도체 생산 과정 중에 세정 공정을 위해 필수적으로 사용되는 과산화수소 제품에서도 향후 매출 성장이 이뤄질 것으로 전망하고 있다. OCI는 1979년부터 과산화수소를 생산해 온 업체로 연산 7만 5000톤의 생산능력을 보유하고 있으며, 오랜 업력과 기술력을 바탕으로 경쟁력을 확보하고 있다. 올해 반도체 업황이 회복세에 접어들면서 삼성전자와 SK하이닉스가 다시 증설을 계획하고 있는 만큼 업계에서는 이에 맞춰 전자급 과산화수소에 대한 수요 또한 지속해서 증가할 것으로 전망한다. 이밖에도 OCI는 반도체급 과산화수소를 일본 낸드플래시 기업 키옥시아에 직접 공급 중에 있는데, 지난 7월 키옥시아가 이와테현에 월 2만 5000개의 웨이퍼를 생산할 수 있는 신규 공장을 완공함에 따라 OCI의 추가적인 수주가 기대되는 상황이다. OCI는 최근 피앤오케미칼의 지분을 인수하기로 결정하면서 연산 5만톤 규모의 과산화수소 생산 능력이 증대될 것으로, 고객사 증설에 따른 수요 증가에 선제적으로 대응할 수 있게 되었다. 김유신 OCI 사장은 “국내 M/S 1위의 기술력을 바탕으로 품질 테스트를 무사히 통과하고, 국내 인산 제조사 중 최초로 SK하이닉스에 반도체 인산을 공급하게 되어 매우 고무적”이라며 “앞으로도 OCI는 반도체 수요 증가에 발맞춰 반도체 소재 사업을 성공적으로 확대하고 경쟁력을 강화하여, 반도체 소재 기업으로서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다.

2024.09.02 09:33장경윤

엠디바이스, 코스닥 상장 절차 돌입…"SSD로 회사 성장세 지속"

반도체 스토리지 전문기업 엠디바이스는 지난 8월 30일 코스닥 상장을 위한 예비심사 신청서를 한국거래소에 제출했다고 2일 밝혔다. 상장 주관사는 삼성증권이다. 2009년에 설립된 엠디바이스는 반도체 기반 스토리지 시스템을 설계하고 제작하는 전문기업이다. 글로벌 반도체 기업을 중심으로 형성된 시장에서 엠디바이스는 독보적인 기술력과 자체 생산능력을 통해 성장성을 이끌어 왔다. 초소형 및 고용량 저장장치에 대한 수요가 증가함에 따라 엠디바이스는 2017년 컨트롤러, 낸드플래시, D램 등을 하나의 칩 속에 넣은 'BGA SSD'를 세계에서 네 번째로 독자 개발에 성공했다. 이러한 반도체 기술력과 고용량 제품을 앞세워 중국과 유럽 시장 진출에도 성공했으며, 2021년 말부터는 반도체 스토리지 산업의 성장 가능성에 주목해 SSD 중심의 저장장치 사업을 본격적으로 확장시켰다. 글로벌 경기 둔화 및 반도체 업황 부진 등의 영향으로 2022년부터 2023년 상반기까지 실적이 부진했지만, 지난해 하반기부터 반도체 업황 반등과 함께 기업용 SSD 판매 증가로 실적 회복세가 나타나고 있다고 밝혔다. 특히 올해 상반기 매출액은 246억원을 달성했고, 영업이익은 13억원으로 흑자전환에 성공했다. 올해 본격적인 실적 턴어라운드가 진행되는 만큼 '이익미실현 특례(테슬라 요건)'를 활용해 상장에 나설 계획이며, 상장주관사인 삼성증권은 IPO 과정에서 일반투자자를 대상으로 환매청구권(풋백옵션)을 부여할 예정이다. 실적 회복세에 힘입어 엠디바이스는 기업의 대규모 데이터센터에 사용되는 고사양 SSD 양산과 중국 및 유럽 시장에서의 수주 확대에 주력해 수출 물량을 늘릴 계획이다. 또한 매출 다각화를 위해 첨단 패키징 사업을 추진하고 있으며, 내년 양산체제 구축 및 제품 테스트를 목표로 진행하고 있다고 밝혔다. 조호경 엠디바이스 대표는 “전 세계적으로 SSD 시장 규모가 확대됨에 따라 당사의 성장세도 지속될 것으로 전망한다”고 밝혔다. 조 대표는 이어 “반도체 저장장치 제품을 핵심 동력으로 삼아 지속적인 연구개발을 통해 경쟁력을 확보하고 업계를 선도해왔다”며 “앞으로도 반도체 스토리지 관련 기술 혁신과 함께 인공지능, 전기차, 빅데이터 등 다양한 미래 성장 산업에 당사의 기술력을 적용 및 확장해 사업을 더욱 고도화 시키겠다”고 덧붙였다.

2024.09.02 09:33장경윤

LG전자, 中 하얼빈서 첨단 히트펌프 컨소시엄 구축

LG전자는 북미, 유럽에 이어 아시아에 차세대 히트펌프 핵심 기술 개발을 위한 컨소시엄을 구축하며, HVAC(냉난방공조) 사업 확대를 위한 글로벌 R&D 트라이앵글을 완성했다고 1일 밝혔다. LG전자는 중국 하얼빈 공업대학교에서 현지시간 기준 8월 31일에 혹한에서 고성능을 구현하는 히트펌프 기술 확보를 위한 '중국 첨단 히트펌프 연구 컨소시엄(CCAHR)' 협약식을 가졌다. 이번 컨소시엄에는 LG전자와 하얼빈 공업대학교, 상해 교통대학교, 시안 교통대학교의 HVAC 기술 핵심 연구진들이 참여한다. 이들은 중국 하얼빈과 모허(漠河)에 새로운 연구 시설을 운영하며 강력한 성능과 신뢰할 수 있는 HVAC 솔루션 제공을 위한 연구를 진행한다. LG전자는 지난해 11월 미국 알래스카와 올해 6월 노르웨이 오슬로에 이어 중국 하얼빈에 세 번째 히트펌프 컨소시엄을 구축함으로써 북미, 유럽에 이어 아시아의 다양한 지역별 기후 특성과 주택 구조 등 환경까지 고려한 차세대 히트펌프 연구개발 인프라를 확보했다. 알래스카 연구실의 경우 실제 주거공간처럼 꾸미고 히트펌프 냉난방시스템, 히트펌프 온수기 등 제품 테스트를 진행하고 있다. 오슬로 연구실은 알래스카 지역과 기온은 비슷하지만 습도가 훨씬 높은 기후환경에 특화된 연구를 진행한다. 한랭지에서는 냉매를 압축시키는 압력이 줄어 난방 성능을 높이기 쉽지 않다. 특히 혹독한 겨울 환경으로 유명한 하얼빈과 최대 영하 50도를 기록한 바 있는 중국 최북단 모허는 한랭지에서 높은 효율 유지가 필수인 히트펌프 기술 연구∙발전에 이상적인 환경이다. 중국 첨단 히트펌프 연구 컨소시엄은 주거용 에어컨을 포함한 LG전자 HVAC 주요 제품을 테스트하며 극한의 환경에서 난방성능, 에너지효율 등 포괄적인 데이터를 수집한다. LG전자는 북미, 유럽, 아시아에서 지역 맞춤 냉난방 솔루션을 앞세워 HVAC 시장을 공략하고 있다. 특히 탄소배출을 줄일 수 있는 고효율 히트펌프는 글로벌 전기화, 친환경 트렌드에 수요가 급증하고 있다. 조주완 LG전자 최고경영자(CEO)는 8월 '인베스터 포럼'에서 ▲기존사업의 성장 극대화 ▲플랫폼 기반 서비스 사업 ▲B2B 가속화 ▲신사업 육성이라는 사업 포트폴리오 혁신 전략의 4대 방향성을 제시한 바 있다. 그 중 B2B 가속화의 중요한 축인 HVAC 사업은 인버터 기술이 접목된 압축기, 팬, 열교환기, AI 엔진 등 앞선 기술력의 핵심부품 내재화로 고효율·친환경 시장을 주도하고 있다. 최근 AI데이터센터 열관리 솔루션으로 주목 받는 칠러와 같은 냉각시스템 시장도 적극 공략하며 고속 성장을 이어가고 있다. 또한 '현지 완결형 체제' 구축을 본격화한다. 연구개발부터 판매와 유지·보수까지 이르는 전 단계를 현지에서 수행한다. 한국, 북미, 유럽, 인도에는 5개의 에어솔루션연구소를 운영 중이다. 세계 43개 국가, 62개 지역에 HVAC 아카데미를 갖추고 매년 3만 명이 넘는 엔지니어를 양성하고 있다. 시장조사기업 IBIS 월드에 따르면 2023년 글로벌 HVAC 시장 규모는 약 584억달러로 추정되며, 2028년에는 610억 달러까지 성장할 것으로 전망된다. 이재성 LG전자 H&A사업본부 에어솔루션사업부장(부사장)은 “전 세계 주요시장에 특화된 차세대 히트펌프 기술 개발을 통해 차별화된 솔루션을 제공하며 글로벌 공조 시장을 공략해 나갈 것”이라고 말했다.

2024.09.01 13:04장경윤

'12단 HBM3E' 수급 다급해진 엔비디아…삼성·SK 대응 분주

엔비디아가 최근 생산 차질 논란이 불거진 최신형 AI 반도체 '블랙웰'을 당초 일정대로 양산하겠다고 밝혔다. 칩 재설계를 통한 대체품을 내놓는 것으로, HBM(고대역폭메모리) 역시 더 높은 용량의 제품을 탑재하기로 했다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업도 최선단 HBM의 인증을 서두르기 위한 대응에 나선 것으로 파악됐다. 29일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 엔비디아의 최신 GPU '블랙웰' 칩 설계 변경에 따라 HBM3E 12단 인증을 서두르고 있다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 총 2천80억개의 트랜지스터를 집적했다. 이는 기존 GPU 대비 2배가량 많은 것으로, 2개의 GPU 다이(Die)를 10TB(테라바이트)/s의 빠른 데이터 전송 속도로 연결했기 때문에 가능한 수치다. 세부적으로 블랙웰 GPU는 전력소모량에 따라 700W급인 B100, 최대 1200W급인 B200으로 나뉜다. 당초 엔비디아는 B100 GPU 2개와 '그레이스' CPU 1개를 결합한 구조의 AI 가속기 'GB200'을 회사 회계연도 기준 2025년 4분기(2024년 11월~2025년 1월) 출시할 예정이었다. ■ SoC 재설계로 HBM3E도 8단→ 12단 변경 그러나 최근 GB200의 양산 일정에 차질이 생겼다. 업계에서 분석하는 원인은 크게 두 가지다. 하나는 B100 칩 설계의 문제, 또 하나는 GB200에 필요한 TSMC의 최첨단 패키징 'CoWoS-L'의 용량 부족이다. CoWoS는 엔비디아가 자체 개발한 2.5D 패키징 기술로, 로직반도체와 HBM을 SiP(시스템 인 패키지) 형태로 묶는 것을 뜻한다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 활용되는 소재에 따라 종류가 나뉘며, CoWoS-L의 경우 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 채용한다. 이에 엔비디아는 즉각 대응책을 수립했다. 기존 B100을 개량한 'B102'를 대체품으로 재설계하고, 이를 기반으로 'GB200A'를 제작하기로 했다. A는 공랭(Air Cooling)의 의미다. 패키징 구조 역시 변경된다. GB200은 GPU 2개를 묶어 한 칩처럼 동작하게 하고, 주변에 HBM3E 8단(24GB)을 8개 집적하는 형태다. 반면 GB200A는 GPU를 묶지 않고 B102 칩 하나에 HBM3E 12단(36GB)를 4개 집적한다. 내장된 GPU 2개가 총 HBM 8개를 운용하는 것보다 효율이 떨어지기 때문에, 단일 HBM의 용량을 높이고자 12단을 채용한 것으로 분석된다. 엔비디아는 이 같은 칩 재설계를 통해 어제(29일 한국시간) 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당초 계획대로 블랙웰 GPU 양산 공급을 연말에 진행하겠다"는 뜻을 밝혔다. ■ HBM3E 12단 공급 빨라져야…삼성·SK 대응 분주 엔비디아가 블랙웰 GPU의 양산 일정을 고수하면서, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 제조업체들의 대응 또한 분주해지고 있다. 당초보다 빨리 HBM3E 12단 제품을 엔비디아에 공급해야 하는 상황에 놓였기 때문이다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해 상반기 8단 제품부터 상용화에 들어갔다. 더 많은 D램을 적층하는 12단 제품은 주요 메모리 3사 모두 고객사와의 퀄(품질) 테스트를 거치고 있으며, 아직까지 공식 승인을 받은 기업은 없다. 이에 엔비디아도 주요 메모리 제조사에 HBM3E 12단 승인을 앞당기기 위한 논의를 진행한 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "엔비디아의 요청에 따라 메모리 제조사들도 HBM3E 12단 물량을 급하게 늘리려는 움직임을 보이고 있다"며 "HBM3E 12단의 수율이 상대적으로 낮고, 긴급한 주문이기 때문에 메모리 제조사 입장에서도 더 높은 가격을 책정받을 수 있다는 이점을 누릴 수 있다"고 설명했다.

2024.08.30 10:04장경윤

SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 '1c DDR5' 개발

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 이로써 회사는 10 나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정기술을 세상에 내놓게 됐다. SK하이닉스는 2023년 2분기 10나노급(1B) D램을 양산한 이후 내년 약 2년 만에 1c DDR5 양산에 돌입한다. SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다”며, “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다. 또, EUV(극자외선) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다. 고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 또 전력효율은 9% 이상 개선됐다. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다. 김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM(고대역폭메모리), LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.

2024.08.29 09:13이나리

롯데 화학군, 인재 확보 적극…석·박사 연구원 130여명 초청

롯데그룹 화학군(롯데케미칼, 롯데정밀화학, 롯데에너지머티리얼즈) 경영진이 고급 연구 인력 유치에 적극 나선다. 롯데그룹 화학군은 27일 잠실 롯데월드타워에서 이공계 석·박사 연구원 130여 명을 초청해 R&D 콘퍼런스를 개최했다고 28일 밝혔다. R&D 콘퍼런스는 우수 인재를 유치하기 위해 롯데그룹 화학군이 이공계 분야 석∙박사 과정 연구원을 대상으로 진행하는 채용 행사다. 올해는 지난해 대비 참가자 인원을 늘리고, 롯데그룹 하반기 신입사원 채용 시기에 맞춰 연구 비전과 성과를 공유하며 인재 확보에 나섰다. 이번 행사에는 이훈기 롯데그룹 화학군 총괄대표, 황진구 기초소재사업 대표가 참석해 회사의 R&D 방향성과 인재 전략에 대해 소개했다. 12명의 연구원 멘토들은 전지소재, 수소, 친환경, 신소재 등 4가지 R&D 테마에 대해 발표를 진행했다. 구체적으로 ▲전지소재 테마에서는 차세대 이차전지, 고체 전해질 기술, 음극재의 미래 ▲수소 테마에서는 수소·암모니아 기술 개발 현황, 수소 탱크, 탄소포집 등 ▲친환경 테마에서는 폐플라스틱 기술, 셀룰로스 친환경 소재 ▲신소재 테마에서는 롯데케미칼의 R&D AI, 엔지니어링 플라스틱 소재, 미래 에너지 등 다양한 세부 기술과 산업을 소개했다. 특히 이번에 신설된 참여형 프로그램 '커리어 쇼케이스' 세션에서는 참가자가 본인의 연구 성과를 직접 발표하고 직무 기반 역량이 인정될 경우, 채용 우대 기회가 주어지는 등의 실질적인 채용 연계성을 강화했다. 취업 멘토링 세션에서는 참가자들의 연구 논문, 경력 기술서 등에 관한 상담과 면접 트렌드에 대한 코칭이 이뤄졌다. 네트워킹 세션에서는 멘토와 자유롭게 회사생활 전반에 대해 이야기를 나누는 소통의 시간을 가졌다. 이훈기 롯데그룹 화학군 총괄대표는 "지속 가능한 기업으로의 성장을 위한 변화와 도약을 이끌어갈 명실상부한 우수 연구인력 채용의 장으로 R&D 콘퍼런스를 발전시켜 나갈 것"이라고 밝혔다 롯데케미칼은 올해초 사업포트폴리오 트랜스포메이션 강화를 위해 R&D조직을 기초화학연구소와 미래기술연구소로 분리해 연구 범위를 확대하고 미래 신사업 관련 연구개발에 힘쓰고 있다.

2024.08.28 09:17류은주

내년 국가R&D 예산 29.7조 원…역대 최대 규모

내년 정부R&D 예산은 올해 26.5조 원 대비 11.8% 증가한 29.7조 원으로 편성됐다. 역대 최대 규모라는 것이 과기정통부 설명이다. 정부 총지출 증가율이 3.2%임을 감안할 때 다른 분야에 비해 큰 폭 확대됐다. 그러나 일각에서는 정부 R&D 정책 전면 전환을 촉구하고 나서 오는 국회 상임위나 오는 10월 열릴 국정감사에서 이슈로 재부상할 가능성도 있다. 내년 정부 R&D 투자는 국가혁신 연구생태계 확보 기술혁신 국민안전 등 4개 방향에 맞췄다. 3대 게임 체인저 등에 3.5조원 투입 정부가 3대 게임체인저로 보는 AI-반도체와 첨단바이오, 양자 등에 3.5조원을 투입한다. 올해 대비 0.8조원 늘어난 규모다. 또 연구현장의 과감하고 혁신적인 도전을 적극 지원하기 위해 혁신 도전형 연구개발 과제 투자액을 올해 대비 0.3조원 늘려 내년 1,0조원 투입할 계획이다. 이를 통해 정부는 오는 2030년까지 3대 게임 체인저분야가 세계 3대 강국(G3)에 진입할 것으로 기대했다. 선도형 연구생태계 구축 강화나서 기초연구에 사상 최대 규모인 2.9조 원이 투입된다. 분야별·연구자별 특성에 맞는 맞춤형 지원 등 국내 기초연구 생태계를 두텁고 촘촘하게 지원하는 방향으로 예산을 편성했다. 최근 예타가 면제된 전일제 이공계 석,박사생을 위한 연구생활장려금 제도에 600억 원을 배정했다. 또 호라이즌 유럽(Horizon Europe) 참여 등 글로벌 협력에도 총 2.2조원을 투자한다. 인재 확보에도 0.2조 늘어난 1.0조원을 배정했다. 초격차 첨단기술 기술 주권 등 자생력 확보에 방점 반도체·디스플레이, 이차전지 등 첨단산업의 초격차 확보와 우주, 차세대 원자력 등 신성장 산업을 뒷받침할 수 있는 기술개발에도 투자를 확대한다. 기업 연구개발은 기술 스케일업과 딥테크 사업화에 대한 지원, 투·융자 연계 등 투자방식 다변화를 통해 혁신 역량 보유 기업의 기술혁신 가속화와 자생력 확보를 지원하기로 했다. 첨단기술 초격차 부문은 올해 대비 0.4조원 증가한 2.4조원을 내년에 쏟아 붓기로 했다. 기술주권 신성장 부문은 올해대비 0.5조원 증가한 3.3조원을 내년 투입한다, 기업 혁신사다리에도 내년 1.4조원을 투자한다. 국방 전력 첨단화 등 과학기술로 국민안전 확보 국방분야는 방산기술 경쟁력 제고 및 민·군 첨단기술 협력 등 국방의 첨단전력화에 투자를 강화하기로 했다. 국방 관련 예산은 올해 대비 0.2조원 증가한 3.1조 원을 투입한다 정부 국방 R&D에 3조원을 넘어서기는 이번이 처음이다. 또 디지털 범죄 등 국민생활과 직결된 새로운 형태의 위협에 신속대응하고 중대재해 현장 대응력 강화를 위한 재난·안전 R&D에 2.1조원을 투입하기로 했다. 이는 올해대비 0.2조원 늘어난 규모다. 2025년도 예산안 및 기금운용 계획안은 오는 9월 2일 국회에 제출될 예정이다. 정기국회에서 상임위 예비심사, 예결위 본심사와 본회의 의결을 통해 수정 및 최종 확정된다. 유상임 과기정통부 장관은 “R&D 시스템 전환 등 체질개선을 바탕으로, 선도형 R&D가 실질적으로 자리 잡기 위해 필요한 곳에 제대로 투자하는데 중점을 뒀다"며 “민간이 개발하기 어려운 유망기술에 과감히 투자하고 국가 경쟁력의 원천인 핵심인재를 육성, 내년을 대한민국 미래도약의 원년으로 만들 것"이라고 말했다. 한편 황정아 의원(더불어민주당)과 이해민 의원(조국혁신당)은 지난 26일 기자회견을 열어 "정부가 2022 년도 발표한 '2022~2026 중기 재정운용계획 '에 따르면, 내년 R&D 예산은 33.2 조원이어야 한다"는 지적과 함께 R&D 예산복원을 요구했다.

2024.08.28 09:01박희범

바커케미칼코리아, '2024 글로벌 탤런트 페어' 참가

바커(WACKER)의 한국 현지 법인인 바커케미칼코리아는 28일까지 서울 코엑스에서 개최되는 글로벌 탤런트 페어(Global Talent Fair)에 참가한다고 밝혔다. 글로벌 탤런트 페어는 KOTRA가 주관하고 산업통상자원부, 고용노동부가 주최하는 국내 최대 글로벌 채용 박람회다. 이번 행사에서는 국내 외국인투자기업의 채용, 국내 구직자의 해외 취업, 외국인 유학생의 국내 취업을 지원하는 3개의 박람회가 함께 진행된다. 바커케미칼코리아는 외국인투자기업 채용관에서 기업부스를 운영해 구직자 대상으로 채용 정보를 공유하고 인사 담당자와 1:1상담을 진행한다. 이번 행사에서는 현재 채용중인 포지션 안내와 더불어 바커케미칼코리아의 다양한 부서들에 대한 안내 및 진로에 대한 상담도 제공한다. 조달호 바커케미칼코리아 대표이사는 “바커는 회사가 지속적으로 성장할 수 있도록 인재 확보에 노력을 기울이고 있다”며 “이번 기회를 통해 글로벌 화학·바이오 기업인 바커를 알리고 우수 인재풀을 선제적으로 확보하고자 한다”고 말했다. 바커케미칼코리아는 모성보호 가이드를 포함 다양한 출산·육아 지원 프로그램, 시차 출근 및 재택근무 등 유연근무제도, 2시간 단위의 반반차 제도를 운영 중이다. 또한 남성직원도 육아휴직을 마음 편히 사용할 수 있는 문화를 조성하고, 그 외에도 자녀학자금과 미취학 자녀 지원금 확대, 임신 축하 복지포인트 제공, 첫돌 축하금, 출산 지원금을 확대하고 심리 상담 서비스도 지원하는 등 일과 가정이 양립할 수 있는 제도를 신설하며 가족친화경영을 꾸준히 실천해 왔다. 이러한 노력을 인정받아 지난 8월 6일에는 고용노동부 주최 '일·가정 양립 우수사례 공모전'에서 장려상을 수상했다.

2024.08.28 08:39장경윤

'韓 반도체' 미래기술 로드맵 나왔다…CFET·3D 메모리 주목

국내 반도체 산업의 경쟁력 강화를 위한 전략이 한층 고도화된다. 기존 선정된 45개 연구주제에 더해, CFET과 3D 적층 등 14개 핵심기술이 추가 과제로 선정됐다. 27일 '2024 반도체 미래기술 로드맵 발표회'가 양재 엘타워에서 진행됐다. 앞서 정부는 지난해 5월 반도체 초격차 기술 확보를 위한 반도체 미래기술 로드맵을 발표한 바 있다. 해당 로드맵에는 고집적 메모리·AI 반도체·첨단 패키징 및 소부장 등이 포함됐다. 추진 전략은 크게 설계 소자·설계·공정 등 세 가지로 나뉜다. 세부적으로는 ▲D램·낸드 신소자 메모리 및 차세대 소자 개발 ▲AI·6G·전력·차량용 반도체 설계 분야 원천기술 선점 ▲전·후공정 분야 핵심기술 확보로 소재·장비·공정 자립화 등이다. 이번 발표회에서는 지난해 추진 전략을 고도화한 신규 로드맵이 발표됐다. 반도체 기술이 나노미터(nm)를 넘어 옹스트롬(0.1nm)으로 넘어가는 추세에 선제 대응하기 위해, 연구주제를 기존 45개에서 59개로 총 14개 추가한 것이 주 골자다. 새롭게 추가된 주요 과제로는 CFET과 3D 메모리 등이 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직으로 쌓아 올리는 구조다. 3D 메모리는 기존 수평으로 집적하던 셀(Cell)을 수직으로 적층하는 기술을 뜻한다. 정부 역시 반도체 분야 R&D 투자에 더 많은 지원을 펼치고 있다. 정부의 예산 투자 규모는 지난해 5천635억원에서 올해 6천361억원으로 12.8% 증가했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "AI 반도체 시장이 부흥하고 있는 만큼 국내에서도 1페타바이트 급의 NPU(신경망처리장치) 개발을 추진할 것"이라며 "하이브리드 본딩과 고방열 소재, 광패키징 등 최첨단 패키징 분야도 새롭게 로드맵에 추가했다"고 밝혔다.

2024.08.27 17:35장경윤

"폭염 지나면 전기요금 인상…이른 시일 정상화"

안덕근 산업통상자원부 장관은 26일 “폭염이 지나면 전기요금을 인상할 예정”이라고 밝혔다. 안 장관은 26일 정부세종청사 인근에서 개최한 간담회에서 “전기요금까지 인상하기 어려운 상황이지만 폭염 상황이 지나면 최대한 시점을 조정해서 전기요금을 웬만큼 정상화하도록 노력할 것”이라며 이같이 말했다. 안 장관은 “(전기요금 인상률은) 고민 많이 하고 있어서 찍어서 말씀 드리지 못 하지만 최대한 이른 시일 안에 정상화하려고 하고 있다”면서 “에너지 바우처 등 필요한 취약계층에 지원은 당에서도 확대하기로 했다”고 덧붙였다. 안 장관은 이어 “내년 산업부 예산은 11조5천10억원으로 명목상 218억원 증가했지만 금융위 예산으로 간 반도체·원전 성장 펀드를 감안하면 올해보다 3천418억원(3%) 정도 늘어났다”고 밝혔다. 안 장관은 “내년 예산에 가장 방점을 둔 것은 첨단산업 육성·수출·외국인투자 활성화·경제안보 강화·글로벌 중추 경제통상 ODA 예산 증액”이라며 “예산 자체 전체 규모는 줄어든 것처럼 보이지만 무탄소에너지·지역경제 활성화를 핵심 정책으로 해 예산을 집중 편성했다”고 덧붙였다. 반도체는 17.3% 증액했고 수출 활성화도 4.5% 늘려 잡았다. 연구개발(R&D) 예산은 올해보다 9.8% 늘어난 5조2천790억원으로 편성해 진난해 수준을 회복했다. 안 장관은 “무탄소에너지 부분은 전체적으로 3.7% 감소했지만 신재생 보증사업을 키워서 역점을 뒀고 지역 활성화는 최근 부동산 PF 문제가 된 있는 지식산업센터 같은 부분 펀드를 줄이면서 예산이 전체적으로 줄어든 것처럼 보이지만 기회발전특구 중심으로 수요가 집중된 분야 투자는 적극적으로 확대했다”고 설명했다. 안 장관은 전력수급과 관련해 “역대 전력수급 기준으로 1, 2, 3, 5위가 지난 2주 동안 발생했다”며 “이는 우리나라 전력수급 상황의 구조적 문제가 극명하게 드러난 것”이라고 말했다. 안 장관은 “폭염이 있는 여름철에 장마와 태풍이 오기 때문에 남부지방에 집중된 태양광 시설을 활용하지 못해 특수 상황이 계속 발생하고 있다”며 “(2011년) 9월 15일 순환정전처럼 (더위가) 지났다고 생각했을 때 늦더위에 터지는 것이어서 다시 한번 경각심을 끌어올려 전력수급에 만전을 기할 것”이라고 강조했다.

2024.08.27 16:10주문정

尹 "AI·바이오·양자 등 R&D 투자 29.7조원으로 확대"

윤석열 대통령은 27일 “AI, 바이오, 양자 등 3대 미래 게임체인저와 전략기술을 중심으로 R&D 재정투자를 올해 26조5천억 원에서 내년 29조7천억 원으로 3조2천억 원을 늘리겠다”고 밝혔다. 윤 대통령은 이날 대통령실 청사에서 2025년도 정부 예산안 의결을 위한 국무회의를 주재하고 “R&D 투자를 선도형으로 전면 개편하고 지원 규모도 대폭 확대했다”며 이같이 말했다. 그는 또 “국가전략산업이자 안보 자산인 반도체 산업에 대한 투자도 더욱 강화하겠다”면서 “반도체 메가클러스터 조성을 위해 저리 대출 4조3천억 원을 제공하고, 도로와 용수 등 관련 기반 시설을 적기에 확충하겠다”고 했다. 이어, “1천억 원 규모의 '원전 성장펀드'를 조성하고, 소형원자로(SMR) 기술개발, 투자 등에 힘쓰겠다”고 덧붙였다. 건전 재정의 중요성을 강조하면서도 “저출생, 지역 간 의료 격차 등 우리 사회의 구조적 문제를 해결하는데 재정이 적극적인 역할을 해야 한다”고 강조했다. 윤 대통령은 “실제 육아 현장에서 가장 필요로 하는 일 가정 양립, 자녀의 양육, 주거의 3대 핵심 분야를 중점 지원하겠다”며 “배우자 출산휴가를 20일로 확대하고 육아휴직 급여도 대폭 인상하겠다”고 밝혔다. 이어, “직장어린이집을 통한 긴급돌봄서비스를 신규로 제공하고 신생아 특례대출 소득요건을 2억5천만 원으로 상향해 신혼부부와 출산 부부의 주거 부담을 덜어드리겠다”고 설명했다. 지역의료와 필수 의료 재정 지원을 2조원 수준으로 확대한다는 방침이다. 윤 대통령은 “지역, 필수 의료를 살리는데 반드시 필요한 의료 인력의 확충, 필수진료의 제공, 지역의료의 육성, 의료사고 안전망 구축, 필수의료 R&D 등 5대 분야를 중심으로 차질 없이 재정을 투입하겠다”고 했다. 이밖에 외교 성과 극대화에 지원을 아끼지 않는다는 계획이다. 윤 대통령은 “20년 만에 우리나라에서 열리는 2025년 경주 APEC 정상회의를 전방위적으로 지원하고 아프리카, 중앙아시아를 비롯해서 전략적 중요성이 큰 지역을 중심으로 공적개발원조(ODA)를 계속 확대하겠다”고 말했다.

2024.08.27 11:10박수형

"HBM용 하이브리드 본딩은 아직 미완성"…기술적 난제는

"차세대 HBM에 하이브리드 본딩을 적용하면 여러 이점이 있으나, 이 기술은 아직 완성되지 않아 시간이 더 필요하다. 현재로선 CMP와 파티클이라는 두 가지 문제가 가장 큰 허들로 작용하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 지난 26일 한양대학교 'SSA(Smart Semiconductor Academy)'에서 HBM용 하이브리드 본딩 기술에 대해 이같이 말했다. 이날 '어드밴드스 패키징 기술과 미래 전망'을 주제로 발표를 진행한 문 부사장은 "AI 산업 발전에 따라 메모리 패키징 기술도 제품의 성능과 용량을 극대화하는 방식으로 발전해 왔다"며 "HBM도 현재 범프를 쓰고 있으나 결국 하이브리드 본딩으로 나아가기는 할 것"이라고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 각각의 D램은 수십 마이크로미터(㎛) 수준의 작은 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결된다. 이 때 층마다 형성되는 범프의 수는 20만개에 달한다. 다만 기존 본딩 기술은 HBM 분야에서 점차 한계에 직면하고 있다. HBM의 D램 적층 수가 8단, 12단, 16단 순으로 점차 많아지는 반면, HBM 패키지의 두께는 크게 늘어나고 있지 않기 때문이다. 내년 양산될 HBM4의 두께가 775마이크로미터로 이전 세대(720마이크로미터) 대비 늘어날 예정이기는 하나, 임시 방편의 성격이 강하다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. TSV의 간격을 줄일 수 있어 칩 사이즈 축소에도 유리하다. 당초 업계는 HBM4에 하이브리드 본딩 기술이 적용될 것이라고 예상해 왔다. 그러나 HBM4 패키지 두께 완화, 하이브리드 본딩 기술의 미성숙 등으로 여전히 기존 본딩 기술이 채택될 가능성이 높은 상황이다. 문 부사장은 "칩과 칩을 직접 붙이기 위해서는 표면이 굉장히 평평해야 하기 때문에 CMP(화학·기계적 연마) 공정을 거친다"며 "일반 제조 환경에서 요구하는 CMP의 평탄함 정도가 수십 나노미터(nm)인 데 반해, 하이브리드 본딩에서는 수 나노의 미세한 수준을 요구한다"고 설명했다. 그는 이어 "표면이 무작정 평탄해서도 안되고, 어떤 경우에는 디싱(오목하게 들어간 부분)을 고의적으로 수 나노 수준으로 형성하기도 한다"며 "웨이퍼 공정 이후의 패키징 공정에서 발생하는 파티클(미세오염)도 큰 문제"라고 덧붙였다. 패키징은 웨이퍼 상의 칩을 개별 다이(Die)로 분리하는 다이싱(Dicing) 공정을 거친다. 이 때 표면이 갈려나가면서 작은 파티클이 형성되는데, 이는 반도체 수율을 떨어뜨리는 악영향을 미친다. 문 부사장은 "기계적인 다이싱 공정에서는 기존 패키징 단에서는 상상도 할 수 없는 파티클이 발생하게 된다"며 "미세한 파티클을 계측하고, 이를 제거할 수 있는 기술이 필요해 공정적으로 수율 확보가 어려운 상황"이라고 밝혔다.

2024.08.27 09:00장경윤

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