• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 생활/문화
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
AI페스타
배터리
양자컴퓨팅
IT'sight
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'D'통합검색 결과 입니다. (885건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

SK, HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현...마이크론 발등에 불?

SK하이닉스가 12일 내년 시장이 본격 개화되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 완료하고 세계 첫 양산 체제를 구축했다고 발표하면서 기술 경쟁력을 한껏 뽐내고 있다. 경쟁사 대비 빠른 속도로, 동작속도 역시 업계 표준을 웃도는 10Gbps 이상을 구현한 것도 SK하이닉스의 시장 지배력 지속을 위한 긍정 신호로 평가되는 대목이다. 또한 주요 고객사인 엔비디아가 최근 HBM4에 필요한 동작속도 요구치를 올린 데 따른 대응으로 풀이된다. 반면 주요 경쟁사인 미국 마이크론은 위기를 맞았다는 평가다. HBM의 동작속도를 높이기 위해서는 '베이스 다이'의 성능이 중요한데, 마이크론의 경우 SK하이닉스, 삼성전자 대비 공정의 기술적 수준이 낮기 때문이다. 이에 업계는 마이크론이 오는 23일(현지시간) 진행하는 회계연도 4분기(6~8월) 실적발표에서 어떠한 대응책을 제시할 지 주목하고 있다. HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현…개발 속도 올려 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM4는 6세대 제품으로, 엔비디아가 내년 출시할 최신 AI 가속기인 '루빈' 칩에 채택될 예정이다. SK하이닉스의 이번 HBM4 개발 완료 발표는 업계의 예상을 앞서는 수준이다. 당초 엔비디아 측이 메모리사와 논의한 공식적인 퀄(품질) 테스트 시점은 내년 초쯤이다. 이에 따라 각 메모리 기업들은 올 3분기 엔비디아에 샘플을 대량으로 공급하며 개발 일정을 소화해 왔다. 다만 SK하이닉스는 이와 별개로 최근까지 HBM4에 대한 내부 인증을 마무리 수순까지 끌어올렸다. 이를 기반으로 개발 완료 일정을 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. HBM4에 구현한 동작속도도 눈에 띈다. SK하이닉스는 HBM4에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작속도를 구현했는데, JEDEC(국제반도체표준화기구)의 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘은 성과다. SK하이닉스가 동작속도를 강조한 이유는 바로 엔비디아에 있다. HBM4는 엔비디아가 내년 출시할 AI 가속기 '루빈(Rubin)' 칩에 채택될 예정이다. 당초 엔비디아는 HBM4에 8~9Gbps 수준의 동작속도를 요구했으나, 최근에는 기준을 10Gbps 이상으로 높인 것으로 알려졌다. 베이스 다이서 '열위' 평가 받는 마이크론…실적 발표서 대응 주목 HBM의 동작 속도 향상을 위해서는 HBM의 베이스(로직) 다이 성능이 중요하다는 게 업계 전문가들의 시각이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이전까지 HBM의 로직 다이를 D램 공정에서 제조해 왔다. 그러나 HBM4부터는 대만 주요 파운드리인 TSMC의 12나노미터(nm) 공정에 로직다이 양산을 맡겼다. 삼성전자도 자사 파운드리 사업부의 4나노 공정을 활용해, 성능 우위를 꾀하고 있다. 반면 마이크론은 HBM4에서도 D램 공정에서 로직 다이를 자체 제작하는 방안을 고수하기로 했다. 때문에 업계에서는 마이크론이 삼성전자·SK하이닉스 대비 엔비디아의 HBM4 동작속도 요구치에 부합하기 힘들 것이라는 전망이 우세해지고 있다. 이 경우 마이크론은 엔비디아의 하이엔드 제품향 HBM4 공급에 제한이 생길 수밖에 없다. 마이크론의 공식 대응이 주목되는 이유다. 마이크론은 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업보다 한 달 앞서 분기 실적 발표를 진행한다. 마이크론의 회계연도 4분기 실적발표는 오는 23일로 예정돼 있다.

2025.09.12 13:29장경윤

SK하이닉스, HBM4 개발 완료…'세계 최초' 양산 체제 구축

SK하이닉스가 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 성공적으로 마무리하고, 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 당사의 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 밝혔다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것”이라며 “고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현할 것”이라고 밝혔다. AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 최근 급증하고 있다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션(Solution)이 될 것으로 내다봤다. 새롭게 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2천48개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것이다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했다. 회사는 또 이 제품에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었다. 회사는 HBM4 개발에 시장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라(Infra) 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했다.

2025.09.12 08:51장경윤

램리서치, 첨단 패키징용 증착 장비 'VECTOR TEOS 3D' 공개

램리서치는 첨단 패키징을 지원하는 혁신적 증착 장비 'VECTOR TEOS 3D'를 공개했다고 11일 밝혔다. 이 장비는 첨단 패키징 생산 과정에서 발생하는 주요 기술적 난제를 해결하며, 고중량 및 휘어진 웨이퍼를 정밀하고 안정적으로 처리할 수 있도록 설계됐다. 나노스케일 수준의 정밀도로 다이 사이에 최대 60마이크론 두께의 특수 유전체 필름을 증착할 수 있으며, 100마이크론 이상의 두께까지도 확장이 가능하다. 이 필름은 박리와 같은 일반적인 패키징 불량을 방지하기 위해 구조적·열적·기계적 지지대 역할을 수행한다. 또한 램리서치의 혁신적인 클램핑 기술과 최적화된 페디스탈 설계를 적용해 두꺼운 웨이퍼 가공 시에도 높은 안정성을 확보하고, 심하게 휘어진 웨이퍼에도 균일한 필름 증착이 가능하다. 클램핑 기술은 웨이퍼를 공정 중 흔들림 없이 고정하는 역할을 하며, 페디스탈 설계는 하부 지지 구조를 통해 열과 기계적 스트레스를 균일하게 분산시킨다. 이를 통해 VECTOR TEOS 3D는 매우 두껍고 균일한 다이 간 충진을 구현하며, 현재 전 세계 주요 로직 및 메모리 반도체 제조 공정에서 활용되고 있다. 세샤 바라다라잔 램리서치 글로벌 제품 그룹 수석 부사장은 “VECTOR TEOS 3D는 업계 최대 두께의 공극 없는 다이 간 충진 필름을 증착하고, 극심한 스트레스와 휨이 있는 웨이퍼에서도 첨단 다이 적층 공정의 까다로운 기준을 안정적으로 충족할 수 있도록 설계됐다”고 밝혔다. 그는 이어 “이는 무어의 법칙을 넘어 AI 시대로 나아가기 위한 반도체 칩 제조업체들의 요구에 부응하는 차별화된 혁신을 제공하며, 램리서치의 첨단 패키징 포트폴리오에 강력한 솔루션을 추가하는 것”이라고 덧붙였다.

2025.09.11 15:04장경윤

삼성전자, HBM4 '1C D램' 생산 확대...P4 설비·전환투자 속도

삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점을 위한 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력 확보에 주력하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리하는 것은 물론, P3 등 기존 공장에서도 전환투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 초부터 P4 마지막 양산라인에 대한 투자를 집행할 예정이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로, 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 낸드와 D램 양산을 병용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 ph3는 설비투자가 완료됐다. 현재 ph4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있다. 해당 라인은 모두 1c(6세대 10나노급) D램을 주력으로 양산한다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 가장 최신 세대의 D램이다. 특히 삼성전자는 내년 본격적인 상용화를 앞둔 HBM4에 1c D램을 채택할 계획으로, 선제적인 생산능력 확보에 열을 올리고 있다. 남은 ph2는 이르면 올 연말이나 내년 초부터 클린룸 구축이 시작될 예정이다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 양산 설비를 도입하기 바로 직전 도입된다. 용도는 아직 확정되지 않았으나, 업계는 ph2 역시 D램 양산라인으로 구축될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4 상용화를 대비해 1c D램의 생산능력 확대에 미리 나서고 있다"며 "낸드나 파운드리의 경우 생산능력을 확장할 만큼 확실한 수요가 없어, 투자 계획에서 밀리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또한 삼성전자는 화성 17라인에도 1c D램에 대한 전환투자를 추진 중이다. 이를 고려한 삼성전자의 올해 1c D램 생산능력은 최대 월 6만장 수준에 도달할 것으로 관측된다. 나아가 내년 상반기에도 1c D램 생산능력은 지속 확대될 전망이다. P4의 마지막 양산라인에 대한 투자가 마무리되는 것은 물론, 기존 평택캠퍼스 내에서 1c D램에 대한 설비투자가 진행될 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자가 내년 P3 등에서 1c D램에 대한 전환투자를 진행하는 방안을 협력사들과 논의 중인 것으로 안다"며 "1c D램 및 HBM4의 수율 및 성능이 빠르게 안정화될수록 관련 설비투자에도 속도가 붙을 것"이라고 설명했다.

2025.09.11 14:18장경윤

램리서치, 5년 연속 '메모리 아카데미' 단독 후원 감사패 수상

램리서치코리아는 5년째 단독 후원해온 '대학(원)생 메모리 아카데미'에 대해 한국반도체디스플레이기술학회로부터 감사패를 수여했다고 10일 밝혔다. 이번 수여식은 경기도 성남시에 위치한 타운홀 코사이어티에서 열린 '2025년 제5회 대학(원)생 메모리 아카데미' 1차 행사 중 특별 순서로 진행됐다. 램리서치는 2021년부터 매년 메모리 아카데미를 후원하며 반도체 산업에 관심 있는 대학(원)생들에게 전문 강연과 실무 지식을 제공해왔다. 지난 4년간 누적 수료자는 2천78명에 달하며, 램리서치는 수료생을 채용하는 등 인재 육성에도 적극 기여하고 있다. 한국반도체디스플레이기술학회는 반도체·디스플레이 기술 발전과 산업, 학계, 연구 협력 촉진을 목표로 설립되어, 반도체·디스플레이 산업 과학기술발전에 기여하고자 다양한 학술 활동을 도모하고 있다. 이번 1차 아카데미에는 약 700명의 대학(원)생이 온·오프라인으로 참여해 성황을 이뤘다. 참가자들은 한양대학교 남인호 교수와 송윤흡 교수로부터 디램과 낸드 플래시 메모리의 원리와 구조를 심층적으로 학습했으며, 램리서치 어드밴스드 패키징 디렉터 윤민승 박사는 최신 패키징 기술을 소개하는 시간을 가졌다. 또한 김현중 램리서치 세미버스 솔루션(Semiverse Solutions) 엔지니어는 반도체 교육 현장에서의 세뮬레이터3D(SEMulator3D)의 역할과 기대효과를 설명했다. 박준홍 램리서치코리아 총괄 대표이사는 “램리서치는 반도체 산업의 차세대 인재 양성을 위해 메모리 아카데미뿐만 아니라, 반도체 장비 교육 테크 아카데미, 세미버스 솔루션을 활용한 반도체 제조 공정 통합 교육, WISET 글로벌 멘토링 등 다양한 교육 사업을 학생들에게 제공하고 있다”며 “메모리 아카데미에 참여하는 학생들이 반도체 산업의 최신 트렌드를 학습하고, 실무와 연결된 경험을 쌓을 수 있는 유용한 기회가 되길 바란다”고 말했다. 송윤흡 한양대학교 교수는 “램리서치의 후원과 한국반도체디스플레이기술학회의 노력으로 전국에 있는 많은 대학(원)생들이 누구나 쉽게 메모리 반도체에 대해서 배울 수 있는 자리가 마련됐다"며 "메모리 아카데미를 통해 교육생들이 반도체 산업에 대한 이해는 물론 더 넓은 시야를 갖는 계기가 되길 바란다”고 밝혔다. 한편 '2025년 제5회 대학(원)생 메모리 아카데미'는 2회차에 걸쳐 총 1천100여 명을 대상으로 진행한다. 2차 프로그램 등록 신청은 10월 1일부터 21일까지 (한국반도체디스플레이기술학회) 홈페이지를 통해 진행되며, 수업은 10월 31일 금요일 오전 9시 30분 온라인으로 진행될 예정이다.

2025.09.10 17:06장경윤

한미반도체, 2.5D 빅다이 TC·FC 본더 첫 소개

한미반도체가 오늘(10일)부터 12일까지 대만 타이페이에서 열리는 '2025 세미콘 타이완' 전시회에서 AI 반도체용 신규 장비인 '2.5D 빅다이 TC 본더'와 '빅다이 FC 본더' 2종을 처음으로 소개하며 공식 스폰서로 참가한다고 10일 밝혔다. 이번에 선보이는 신규 장비는 한미반도체가 급성장하고 있는 AI 반도체 2.5D 패키징 시장에 본격 진출한다는 점에서 의미가 있다. 2.5D 패키징은 실리콘 인터포저(Interposer) 위에 GPU, CPU, HBM 등 여러 칩을 하나의 패키지로 통합하는 첨단 패키징 기술이다. 칩 간 대역폭 확장, 전송 속도 향상, 전력 효율 개선을 실현해 엔비디아, AMD 등 글로벌 AI 반도체 기업들이 적극 채택하고 있다. TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)는 대표적인 2.5D 패키징 기술로 AI 반도체와 고성능 컴퓨팅 분야에서 핵심 기술로 자리잡고 있다. 한미반도체 '2.5D 빅다이 TC 본더'와 '빅다이 FC 본더'는 기존의 범용 반도체인 20mm x 20mm 와 달리 120mm × 120mm 크기의 대형 인터포저 패키징을 지원한다. 고객사는 반도체 특성에 따라 TC 본더 또는 FC 본더를 선택할 수 있다. 한미반도체는 HBM4 생산용 신규 장비인 'TC 본더 4'도 전시회에서 처음으로 소개한다. 주요 글로벌 메모리 기업들이 2026년 초 HBM4 양산을 계획하고 있어 'TC 본더 4' 수요 증가가 예상된다. 또한 '7세대 마이크로 쏘 비전 플레이스먼트(MSVP) 6.0 그리핀' 등 다양한 주력 장비를 홍보할 예정이다. MSVP는 반도체 패키지를 절단-세척-건조-검사-선별-적재해 주는 반도체 제조공정의 필수 장비다. 한미반도체는 HBM용 TC 본더 시장에서 전세계 1위로 시장을 주도하고 있으며, MSVP 시장에서도 2004년부터 21년 연속 전세계 1위를 차지하고 있다. 한미반도체는 2015년부터 세미콘타이완 전시회에 공식 스폰서로 참가하고 있다. 이번 전시회에서 팝아티스트 필립 콜버트(Philip Colbert)와 협업한 아트워크를 함께 선보이며 새로운 마케팅 활동도 전개할 예정이다. 한미반도체 관계자는 “세미콘 타이완은 첨단 반도체 패키징과 AI 반도체 기술이 집결하는 글로벌 행사”라며 “이번 전시회에서 2.5D 패키징 본더 장비를 선보이면서, AI 반도체 시장에서 HBM뿐 아니라 시스템반도체의 경쟁력을 더욱 강화해 나가겠다”고 밝혔다.

2025.09.10 12:56장경윤

네이버D2SF, 음성 AI 모델 평가 스타트업 '포도노스' 신규 투자

네이버D2SF는 음성 인공지능(AI) 모델 평가 솔루션을 개발한 스타트업 '포도노스'에 신규 투자했다고 10일 밝혔다. 이번 프리 시드 라운드는 미국의 세락 벤처스가 리드한 포도노스의 첫 기관 투자 유치로, 국내에서는 네이버 D2SF와 카이스트청년창업투자지주가 함께 참여했다. 포도노스가 집중하고 있는 음성 AI는 ▲음성 인식 및 합성 ▲고객 대응 ▲콘텐츠 산업 등에 빠르게 확산 중이고, AI 에이전트 인터페이스로서의 성장 가치도 높다고 회사 측은 평가했다. 또한 ▲단순 발음의 정확도뿐만 아니라 ▲억양 ▲감정 표현 ▲페르소나 ▲선호도 ▲노이즈 등 평가 요소가 다양다. 포도노스는 전 세계 15만명의 평가 인력과 자체 개발한 AI 자동화 솔루션을 활용해 고객의 요구를 고려한 음성 AI 모델 평가 결과를 12시간 내에 제공한다. 포도노스의 고객은 AI 밸류체인에서 AI 모델 개발 기업, AI를 활용해 서비스를 만드는 기업 모두를 아우른다. AI 모델 기업은 성능 입증 및 개선 도구로, AI를 활용하는 기업은 목적과 타겟에 최적화한 모델 탐색 및 모니터링 도구로 포도노스 솔루션을 활용 중이다. 실제로 포도노스는 리셈블 AI, 플레이 AI 등 글로벌 AI 스타트업들로부터 가치와 품질을 인정받고 있으며, 테크 전문 커뮤니티 및 미디어에서도 포도노스의 평가 결과를 인용하고 있다. 향후 포도노스는 헬스케어·금융·게임·광고 등 음성AI 수요가 다양한 분야 중심으로 고객사를 확장하고 다양한 모달리티로 평가 범위를 넓혀갈 계획이다. 양상환 네이버 D2SF 센터장은 “AI 모델이 쏟아지는 가운데 AI를 잘 활용하기 위한 AI, 즉 AI를 위한 AI의 중요성은 점차 커지고 있다”며 “포도노스는 음성 AI 성능을 정량적으로 평가 및 검증하는 희소한 팀으로 음성 AI의 성장과 함께 글로벌 시장에서 존재감을 확고히 다지는 한편 네이버와도 협업 시너지가 클 것”이라고 말했다.

2025.09.10 10:21박서린

"美, 삼성·SK 中 공장 장비 반출 연간 승인 검토"

미국 상무부가 자국 반도체 제조장비의 삼성전자·SK하이닉스 중국 공장 수출에 대해 매년 승인을 내리는 안건을 검토하고 있다고 블룸버그통신이 7일 보도했다. 블룸버그통신은 미 상무부 관계자를 인용해 "이전 한국 반도체 제조업체들이 확보했던 무기한 허가 대신, 연간으로 승인을 받는 방안을 한국 정부에 제시했다"며 "바이든 정부 시절의 면제 조치를 철회한 후 글로벌 전자 산업의 혼란을 막기 위한 타협안"이라고 설명했다. 기존 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에 속해 왔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 그러나 최근 도널드 트럼프 미국 대통령은 삼성과 SK 등 국내 기업들에게 부과된 VEU를 철회하겠다고 밝혔다. VEU 철회 시점은 내년 초부터다. VEU 철회 대신 연간 승인 제도가 도입되는 경우, 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 내 공장 운영에 대한 압박감은 다소 줄어들 전망이다. 그러나 미국 정부의 입장에 따라 사업에 큰 변수가 상존한다는 점에서는 여전히 악재다. 블룸버그는 "트럼프 행정부의 제안은 한국의 두 기업이 1년 치의 장비, 부품, 소재에 대한 정확한 수량으로 승인을 받도록 요구한다"며 "또한 설비의 업그레이드 혹은 생산능력 확장에 사용될 수 있는 장비의 운송은 승인하지 않을 것"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다.

2025.09.08 17:26장경윤

SK하이닉스, 하반기 HBM용 TC본더 추가 발주 '잠잠'...왜?

SK하이닉스의 하반기 HBM 설비투자가 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. 최근까지 핵심 후공정 장비인 TC(열압착) 본더에 대한 발주 논의가 매우 소극적으로 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 60대 이상의 TC 본더를 설치할 것이라는 기대감도 있었으나, 최대 40여대 수준에 그칠 가능성이 높아졌다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM용 TC 본더 투자를 계획 대비 다소 늦출 것으로 전망된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣은 뒤, 열과 압착을 가해 연결하는 방식으로 제조되고 있다. 때문에 TC본더는 HBM 양산에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 SK하이닉스는 주요 협력사인 한미반도체와 더불어 국내 한화세미텍, 싱가포르 ASMPT를 TC 본더 공급망으로 두고 있다. 지난 5월에는 한미반도체와 한화세미텍에 각각 TC 본더를 대량으로 발주한 바 있다. 이를 기반으로 한 SK하이닉스의 올 상반기 HBM용 TC 본더 총 주문량은 30대 이상으로 추산된다. 당초 업계는 SK하이닉스가 올 하반기에도 상당량의 TC 본더 발주를 진행할 것으로 예상해 왔다. SK하이닉스가 엔비디아용 HBM3E 공급을 본격화한 데 이어, 차세대 제품인 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있어서다. 일각에서는 SK하이닉스의 올해 총 TC 본더 주문량이 60대를 넘어설 것이라는 기대감이 나오기도 했다. 다만 SK하이닉스는 올 3분기 말까지 TC 본더 투자 논의에 보수적인 입장을 취하고 있는 것으로 파악됐다. 4분기에 추가 발주가 진행될 수는 있으나, 올해 총 발주량은 40여대에 불과할 것이라는 게 업계 중론이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 작년 하반기에만 50여대의 장비를 발주했었고, 올해도 최소 비슷한 수준의 발주를 예상해 왔다"며 "그러나 현재 추가 발주를 위한 움직임이 전혀 없는 상황으로, 사실상 하반기에 셋업(Set-up)되는 장비가 매우 적을 것으로 보고 있다"고 설명했다. 주요 배경은 투자 효율성에 있다는 분석이 나온다. 현재 SK하이닉스는 기술력 축적을 통한 수율 상승으로 장비 당 생산 가능한 HBM 수량을 증대시키고 있다. 또한 HBM3E에 활용하던 장비를 일부 개조해, HBM4에 대응하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이 경우 추가 설비투자 없이도 첨단 HBM 생산능력을 점진적으로 늘려나가는 것이 가능해진다. 내년 출하량을 확정하지 못한 것도 영향을 미쳤을 것으로 풀이된다. 현재 SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 내년 HBM 연간 공급량에 대한 협의를 꾸준히 진행 중이다. 내년 사업에 대한 불확실성이 남아있는 상황에서 섣불리 투자를 진행하기란 어렵다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 당초 계획 대비 TC 본더 발주 시점을 뒤로 미루고 있는 것으로 안다"며 "본격적인 추가 투자가 빨라야 연말에 구체화될 것이기 때문에, 본격적인 TC 본더 셋업은 내년에 진행될 전망"이라고 설명했다.

2025.09.08 14:36장경윤

에이직랜드, 최선단 공정 개발 허브 '대만 R&D센터' 첫 돌

주문형 반도체(ASIC) 디자인 솔루션 대표기업 에이직랜드는 대만 신주(新竹)에 설립한 R&D센터가 개소 1주년을 맞이했다고 8일 밝혔다. 에이직랜드는 지난 1년간 대만 R&D센터를 통해 ▲최선단공정 설계 환경 구축 ▲TSMC 칩렛 프로젝트 수행 ▲CoWoS 전담 조직 구성 ▲20년차 이상의 엔지니어 확보 등 '글로벌 반도체 허브' 로 성장하고 있다. 에이직랜드의 대만 R&D센터는 반도체 산업의 심장부인 대만 신주에 위치해 있다. 이곳엔 TSMC 본사와 공장을 비롯해 IP·패키징·테스트 업체들이 모여 있어 반도체 연구개발의 최적지로 꼽힌다. 바로 이곳에서 에이직랜드는 글로벌 반도체 트렌드와 기술 동향을 보다 빠르게 파악하고, 다양한 비즈니스 기회를 창출하며 산업 내 입지를 확대하고 있다. 또한 TSMC와의 협력 프로젝트(CoWoS-R & 칩렛 기반)를 통해 기술적 도약을 앞당길 것으로 내다보고 있다. 국내에서는 3나노·5나노 공정을 수행하는 팹리스가 드문 만큼, 대만 현지에서의 노하우 축적은 중요한 자산으로 작용할 것으로 예상된다. 대만 R&D센터 앤디(Andy) 센터장은 “센터는 2·3·5나노 공정과 2.5D·3D 패키징 기술 연구에 집중하고 있으며, 올해는 2026년 프로젝트에 활용 가능한 3나노 디자인 플로우와 CoWoS 칩렛 설계 역량 내재화를 목표로 하고 있다”고 밝혔다. 한편 한국 본사는 TSMC VCA(Value Chain Alliance) 자격을 기반으로 소통과 테이프아웃을 총괄하고, 대만 R&D센터는 선단공정·첨단 패키징 트레이닝을 주도하고 있다. 양 측은 Virtual TF를 운영해 실시간 기술 교류와 공동 프로젝트를 추진함으로써 시너지를 극대화하고 있다. 이석용 글로벌전략본부장은 “대만은 반도체 산업의 핵심 거점이자, 선진기술의 보고”라며 “대만 R&D센터는 이곳의 지리적 이점을 취하는 동시에 글로벌 변화에 민첩하게 대응하는 전초기지다. 앞으로도 한국 본사와의 시너지를 기반으로 미국·유럽·중동 등 대형 고객 시장까지 사업을 확대할 것”이라고 밝혔다.

2025.09.08 09:21장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM 상용화 총력…범용 D램 가격 상승 '압박'

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 총력을 기울이고 있다. 이에 따라 범용 D램 생산능력 및 웨이퍼 투입량이 줄어들면서 가격 상승 압박을 받고 있다. 4일 업계에 따르면 올해 하반기 및 내년 초 범용 D램 가격은 당초 예상보다 상승할 것으로 전망된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 올해부터 엔비디아향 HBM4(6세대 HBM) 공급 준비에 집중하고 있다. 올 3분기 엔비디아가 HBM4 샘플을 대량으로 요청함에 따라, 두 회사 모두 HBM4 샘플 제작을 위한 웨이퍼 투입량을 늘리고 있는 것으로 파악됐다. 추산 규모는 월 1만~2만장 수준으로, 샘플인 점을 고려하면 매우 많은 양에 해당한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 상용화된 HBM3E는 8단과 12단 적층으로 제작된다. 현재 샘플 단계에서 테스트가 진행 중인 HBM4 역시 12단이다. 다만 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 많고, D램 크기가 확대되는 등 기술적 진보가 많아 초기 수율 확보에 불리하다. 수율이 낮을 경우, 고객사 조건을 맞추기 위해선 웨이퍼 투입량을 더 늘릴 수밖에 없다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들이 내년 엔비디아향 HBM 사업 확대를 위한 준비에 사활을 걸고 있다"며 "HBM에 투입되는 웨이퍼가 많아질수록 범용 D램 수급은 더 타이트해지고, 올 하반기와 내년 가격 인상을 부추길 수 있다"고 설명했다. 설비투자도 대부분 HBM에 집중되면서, 범용 D램 생산능력이 점차 줄어드는 추세다. 삼성전자는 HBM4에 탑재될 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력을 올해 월 6만장까지 늘리기 위한 투자를 집행 중이다. SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 생산능력 확대를 위한 전환투자를 꾸준히 진행해 왔다. 실제로 시장조사업체 옴디아는 최근 서버용 64GB(기가바이트) DDR5의 올 4분기 가격 전망치를 당초 255달러에서 276달러로 상향 조정했다. 모바일 8GB DDR5도 18.7달러에서 19.2달러, PC 16GB DDR5는 44.7달러에서 46.5달러로 높였다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "설비투자가 사상 최고 수준임에도 웨이퍼 캐파는 HBM이 점점 더 많이 잠식하고 있어 레거시(성숙) D램은 구조적으로 제약을 받는다"며 "범용 D램의 수요가 증가해도 생산을 공격적으로 확대하지 못하는 구조적 불균형이 내년에도 재현될 수 있어, 시장이 급격한 가격 상승에 직면할 수 있다"고 밝혔다.

2025.09.04 13:23장경윤

SK하이닉스, 임금협상 타결…매년 영업익 10% 성과급 지급

SK하이닉스는 임금인상률 6%와 새로운 PS(성과급) 기준을 담은 임금 교섭 잠정 합의안이 노동조합 대의원 투표를 통해 타결됐다고 4일 밝혔다. 이로써 SK하이닉스는 지난 5월부터 진행된 임금 교섭을 마무리 했다. 이날 투표는 95.4%의 역대 최고 찬성률로 통과됐다. 이번에 타결된 합의안은 매년 영업이익의 10%를 성과급으로 지급하되, 개인별 성과급 산정 금액의 80%는 당해년도 지급, 나머지 20%는 2년에 걸쳐 매년 10%씩 지급하는 방식을 골자로 한다. 특히 10년간 기준을 유지하기로 정한 새로운 성과급 기준의 의미를 살펴보면, 회사의 경영 성과와 개인의 보상 간 직접적 연계를 명확하고 투명한 기준으로 정립함으로써 시스템 경영을 통한 보상의 내적 동기부여를 극대화했다. 또한 성과급의 일부는 2년에 걸쳐 이연 지급해 회사의 재무건전성과 보상 안정성을 동시에 추구하는 윈-윈(Win-Win) 효과를 얻게 됐고, 이는 회사와 구성원 모두가 장기적 성장 관점에서 접근한 사례다. 10년간 기준을 유지한다는 원칙으로 제도의 장기적인 지속가능성과 회사와 구성원 간 신뢰도 확보했다. 이를 통해 매년 반복되는 논란을 원천적으로 제거하고 구성원이 일에 몰입할 수 있는 환경을 조성할 수 있게 됐다. 이번 합의는 내부적으로 회사 성과의 파이(규모)를 키우자는 동기 부여 효과와 더불어 고성과자에 대한 보상 확대 등 성과주의에 기반한 보상 체제를 강화해, 우리 사회의 의대 선호 현상을 전환시키며 국내외 이공계 우수 인재를 확보, 유지하는 계기를 마련했다는 평가가 나오고 있다. SK의 성과에 대한 보상 철학은 성과급 수준 자체에 집중하거나 회사가 일방적으로 결정해서 지급하는 것이 아닌, 기준에 합의해 함께 파이를 키워서 공유하는 것이라는 의미로 해석된다. 한편 SK하이닉스 노사는 5일 임금협상 조인식을 진행할 예정이다.

2025.09.04 10:11장경윤

TEL코리아, 용인사무소 신축 기공식

도쿄일렉트론(TEL)의 한국법인 도쿄일렉트론코리아는 지난 3일 경기도 용인시 원삼면 죽능리 원삼일반산업단지에서 당사 및 본사 임원, 건설 관계자 등이 참석해 용인사무소 신축공사 기공식을 열었다고 4일 밝혔다. 용인사무소는 2027년 1월 준공을 목표로 하고 있으며, 종업원들이 근무하는 사무동과 팹(Fab)이 들어가는 R&D 센터(TEL Technology Center Korea-Y) 등으로 구성된다. 사무동은 건축면적 2천611m2, 연면적 1만4천422m2, 지상 6층 규모로 건립돼 최대 500명의 종업원들이 근무할 수 있다. 또한 R&D 센터는 건축면적 7천798m2, 연면적 2만8천168m2, 지상 5층 규모다. 용인사무소에 새로 들어서는 R&D 센터는 도쿄일렉트론코리아의 네 번째 센터로, 고객의 양산 팹과 같은 구조로 건설될 예정이다. 이는 최첨단 반도체 제조 환경에서는 작은 구조의 변화도 수율에 영향을 줄 수 있는 점을 고려한 것으로, 실제 양산 환경과 동일한 조건에서 기술 개발과 검증을 수행하겠다는 목적이 있다. 클린룸은 500평(약 1천650m2) 규모로 시작하고, 고객의 개발 요구에 따라 최대 1,000평까지 추가 확장이 가능하도록 유연성을 고려한 설계가 반영돼 있다. 회사는 넷 제로(Net Zero) 및 RE100(재생에너지 100% 사용) 달성을 목표로 용인사무소에 태양광 자가발전과 BEMS 도입을 계획 중인 한편, 재생 에너지 발전사업자와 직접 전력구매계약을 맺는 직접 PPA를 도입 준비 중에 있다. BEMS는 빌딩 내에서 사용하는 전력의 사용량 등을 계측하여 '가시화'를 도모하고, 공조나 조명 설비 등을 제어하는 에너지 관리 시스템이다. 노태우 도쿄일렉트론코리아 사장은 “이번 용인사무소의 건설은 고객 가치 최대화를 통해 한국 최고의 서플라이어(supplier)가 되겠다는 도쿄일렉트론코리아의 목표에 한 걸음 더 다가설 수 있게 해 주는 중요한 기점”이라며 “고객과의 긴밀한 협업을 바탕으로 한 지속적인 혁신을 통해 첨단 기술 개발을 선도하고, 한국 반도체 산업의 경쟁력 강화와 지역 경제 발전에 공헌하겠다”고 말했다.

2025.09.04 09:29장경윤

연총 "PBS 폐지·R&D 예산 증액 환영"…연구자 의견 반영 제도화 제안도

(사)출연(연)과학기술인협의회총연합회(회장 김진수)가 3일 PBS(연구과제중심제도) 폐지와 2026년도 국가 R&D 예산 대폭 증액에 대해 환영하는 입장과 함께 확실한 이행을 촉구하는 요구 성명을 발표했다. 연총은 3대 요구사항으로 ▲PBS 폐지의 확실한 이행 ▲R&D 예산 확대에 따른 집행 구조 보완 ▲연구자 의견 반영 제도화를 제시했다. 연총은 "PBS 폐지에 관한 정부 결정은 연구자들을 혁신 주체로 인정한 역사적 전환점"으로 평가하며 "대한민국 과학기술 경쟁력 재건의 출발점이 될 것"으로 기대했다. 연총은 그동안 PBS 개선과 폐지를 꾸준히 요구해 왔다. 연총은 또 PBS 폐지로 생긴 빈자리는 안정적 인건비 지원과 연구 자율성 보장을 핵심 원칙으로 하는 새로운 제도로 채워 달라고 정부에 주문했다. 정부가 제시한 '임무 중심 연구 체제'가 연구 현장에서 실질적으로 작동하도록, 단계적 PBS 폐지 과정에서 연구자의 불안과 혼란을 최소화하고 안정적인 연구 환경을 조성하는 데 총력을 다할 것을 촉구했다. 이와함께 내년 R&D 예산 증액과 관련해서는 단순한 숫자 증가가 아니라 △연구자 처우 개선 △연구 환경 혁신 △도전적 연구 활성화로 이어져야 한다고 강조했다. 특히 기초연구(3.4조 원, 14.6% 증가), 출연연 예산(17.1% 증가, 약 4조 원), AI R&D(2.3조 원, 106% 증가), 전략기술(8.5조 원, 29.9% 증가) 등 핵심 분야 투자 강화는 미래 경쟁력 확보의 중요한 '긍정적' 신호로 평가했다. 연총 측은 또 과제비에 인건비 연동을 즉각 폐지하고, 안정적 인건비 100% 지원을 최우선으로 시행하는 등 연구 몰입 환경을 복원해야 한다는 입장도 내놨다. 김진수 회장은 "PBS 폐지와 R&D 예산 확대는 과학기술계의 숙원이자, 연구자의 권익 보호와 국가 경쟁력 강화를 위한 대전환"이라며 "이번 정책 변화가 연구 자율성과 창의성을 회복하는 새로운 연구 문화 정착으로 이어지도록 끝까지 목소리를 내고 정부와 협력할 것"이라고 밝혔다.

2025.09.03 17:49박희범

SK하이닉스, 양산용 '하이(High) NA EUV' 장비 도입

SK하이닉스는 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다. 삼성전자 등 주요 메모리 경쟁사도 관련 장비를 이미 도입했지만, 해당 장비는 연구용에 해당한다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다. SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다. 회사는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다. 이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다. SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다. 이로써 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 기대했다. 김병찬 ASML코리아 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 말했다. SK하이닉스 차선용 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

2025.09.03 09:52장경윤

디스플레이 업계 "내년 산업부 R&D 예산 확대 대환영"

한국디스플레이산업협회는 "디스플레이 업계는 지난 1일 발표된 '2026년 산업부 예산 편성 확대'에 대해 적극 환영의 뜻을 밝혔다. 앞서 산업통상자원부는 2026년 디스플레이 R&D 예산을 전년 본예산(380억원) 대비 104% 증액한 776억원으로 확대했다. 한때 세계 시장 점유율 1위를 굳건히 지켜온 한국 디스플레이 산업은 최근 들어 중국의 대규모 투자와 정부 지원을 앞세운 공세에 직면해 있다. 중국은 이미 LCD 시장을 장악했으며, 이제는 OLED와 마이크로디스플레이 등 차세대 핵심 분야까지 빠르게 잠식하고 있다. 과거 일본 디스플레이 산업이 기술 우위에도 불구하고 정책적 지원 부족과 시장 대응력 약화로 급격히 쇠퇴했던 사례는 우리나라에 중요한 교훈을 준다. 국내 업계에서는 이 같은 실수를 반복해서는 안된다는 평가가 나온다. 한국디스플레이산업협회는 "위기 상황에서 산업통상자원부가 2026년도 디스플레이 R&D 예산을 확대한 것은 매우 시의적절하며, 산업계가 환영할 만한 결정"이라고 밝혔다. 협회는 이어 "이번 예산 확대는 중국의 거센 추격과 치열한 가격 경쟁, 생산성 압박 속에서 우리 산업이 새로운 돌파구를 마련할 결정적 계기가 될 것"이라며 "특히 차별화된 제품 개발, 가격 경쟁력 강화, AI 제조혁신에 집중 투자함으로써, 한국 디스플레이 산업의 글로벌 경쟁력을 한층 더 공고히 할 수있을 것으로 기대된다"고 강조했다. 또한 "최근 수요 정체와 패널 기업들의 투자 축소로 어려움을 겪던 국내소부장 기업들에게 이번 조치는 단비와 같은 지원이자, 마치 기울어진 선박의 갑판에 평형수를 채워 안정성을 되찾아주는 역할을 할 것"이라고 덧붙였다. 디스플레이 업계는 이번 정부 지원을 적극 활용해 연구개발 성과를 실질적 경쟁력으로 연결하고, 대한민국이 세계 디스플레이 시장에서 중국의 추격을 따돌리며 선도적 위상을 지켜낼 수 있도록 총력을 다할 계획이다.

2025.09.02 16:59장경윤

국토부 내년 예산안 62.5조원 편성…AI 시대 선도 R&D 5336억원

국토교통부는 국토교통 안전·주거 및 교통 민생안정·균형발전 등을 지원하기 위해 2026년 예산안을 올해보다 7.4% 증가한 62조5천억원으로 편성했다고 2일 밝혔다. 국토부 관계자는 “2026년 예산은 국민주권정부 첫 예산으로 ▲국민안전 ▲건설경기회복 ▲민생안정 ▲균형발전 ▲미래성장 등 정부의 중점 투자과제와 국민 체감사업 등을 충분히 반영해 역대 최대 규모로 편성했다”고 설명했다. 국토부는 국민생명 보호를 위해 항공·철도·도로 등 교통망 전반의 선제적 안전조치 투자를 확대했다. 항공안전 강화를 위해 조류충돌예방 강화(13개 공항), 활주로이탈방지 시스템 설치(3개 공항), 종단안전구역 확보 등 시설개선(11개 공항)을 비롯해 '12·29 사고 후속 대응'을 위한 예산 1천204억원을 반영했다. 도로 분야는 겨울철 제설작업과 도로살얼음 예방 등에 배정한 예산은 올해 898억원보다 많은 923억원으로 확충하고 위험도로개선(102개소) 등 안전시설물 확충과 유지보수 투자도 올해와 같은 2조5천억원 규모로 맞췄다. 철도 분야도 노후 시설 개선과 안전시설 개량을 위해 2조4천억원에서 2조9천억으로 늘려 잡았다. GTX 등 철도건설과 고속·일반 국도 등 도로건설, 가덕도 신공항 등 8개 신공항 건설 등 주요 간선 교통망 확충에 8조5천억원을 투입한다. 수도권 광역급행철도의 적기개통 지원을 위해 예산을 올해 4천67억원에서 내년에는 4천361억원으로 늘리고 내년 개통을 앞둔 인천발·수원발 KTX, 동해선 북울산역 연장 등 계획된 철도 노선 투자를 3조1천억원에서 4조4천억원으로 확대한다. 도로 건설분야는 내년 신규 건설사업 21건(제천-영월고속, 천안 목천-삼룡국도, 공단고가교-서인천IC혼잡 등)과 함께 건설 중인 188건의 사업에 3조1천억원을 투입한다. 새만금·가덕도 신공항 건설 등 8개 신공항건설사업 예산도 집행 여건을 감안해 하여1조원을 반영했다. 주거안정과 교통지원 등 민생회복·약자보호에도 노력한다. 서민 주거안정을 위해 22조8천억원을 배정해 공적주택 19만4천호를 청년·신혼·고령자 등 취약계층 중심으로 공급한다. 특히, 저출생 반등을 위해 신혼부부 공공임대주택 공급을 3만1천호로 확대하고 76억원을 들여 육아특화형 공공임대인 육아친화 플랫폼 10곳을 조성한다. 예산 1천300억원을 확보해 저소득 무주택 청년에 대한 월세지원(월 20만원)을 상시 사업으로 전환하고, 주거급여도 152만호 대상으로 임차가구 기준임대료를 월 4.7~11% 상향(+1만7천원~3만9천원)했다. '12·29 여객기 참사' 피해자의 조속한 일상 회복을 위한 생활지원금과 추모행사 지원 등을 위한 예산도 27억원을 투입한다. 전세사기 피해지원을 위해 전세사기 피해주택 7천500호 매입과 함께 '지원→예방' 패러다임 전환을 위한 사전 안전계약 컨설팅·법률상담 등 업무(21억원)도 새로 추진한다. 국민 출퇴근 부담 완화를 위해 대중교통비 부담 경감과 대중교통 이용 불편 완화를 위한 지원도 강화한다. 대중교통비 환급 지원(K-패스)사업은 올해 2천374에서 5천274억원으로 대폭 늘려 충분한 환급을 보장하는 '정액패스'를 도입하고, 청년·어르신 등에 패스 비용 부담을 완화해 교통비 부담을 대폭 경감한다는 계획이다. 광역버스의 공공성 강화를 위해 준공영제 노선을 확대(신규 5개)하고 출퇴근시간대 증차운행 단가를 12만원에서 19만원으로 현실화해 안정적 광역버스 공급도 추진한다. 5극 3특 실현 등 국토 균형발전에 투자를 강화한다. 지자체의 예산 편성권을 확대하기 위해 국비 보조예산을 지자체가 자율적으로 편성하는 자율계정을 8천억원에서 1조3천억원으로 대폭 확대했다. 이에 따라 노후산단 재생사업, 도시재생사업(일부), 스마트시티 확산사업(일부), 민관협력 지역상생협약, 해안 및 내륙권 발전사업지원도 지자체가 자율적으로 편성할 수 있게 됐다. 또 미래 지역거점 육성을 위해 인공지능(AI)·탄소중립 등 미래 핵심기술을 기존도시에 적용시키는 한편, 지역정비를 위한 지원도 강화한다. AI 기술을 도시에 적용하는 AI시범도시를 신규 조성(40억원)하고, 산업단지의 탄소중립 실현을 위한 기후변화산단조성 예산을 올해 2억원에서 10억원으로 확대하는 한편, 경북대와 전남대에 캠퍼스혁신파크 도시첨단산업단지를 조성한다. 국민 누구나 어디에서든 동일한 교통서비스를 제공받을 수 있는 '보편적 교통 복지 실현'을 위한 투자도 확대한다. 대구·울산·광주·대전·인천 등 광역·도시철도 사업 15곳과 전국 BRT 6곳 지원을 대폭 확대해 지방 대중교통 이용 편의를 높인다는 계획이다. AI 시대를 선도해 시장에서 즉각 활용할 수 있는 제품개발을 위한 지원과 함께 원천기술 개발에 대한 투자를 강화한다. 국토교통 산·학·연 역량을 총집결해 AI 기반 제품·시스템을 단기간 내 개발해 국민이 혜택을 체감할 수 있도록 예산 880억원을 확보해 AI 응용제품 상용화 지원사업을 신규로 실시한다. R&D 투자를 올해 4천879억원에서 5천336억원으로 늘려 초연결 지능도시·지역특화형 자율주행·액체수소 저장탱크·초고속 하이퍼튜브 등 AI·첨단 모빌리티·탄소중립·미래 혁신 등 신규 연구개발사업 24건도 추진한다. 문성요 국토부 기획조정실장은 “2026년 예산안은 강력한 지출구조조정을 통해 낭비성 예산은 줄이고, 투자 효과를 극대화할 수 있도록 국민이 체감할 수 있는 사업에 대한 투자를 대폭 강화했다”면서 “국민주권정부의 첫 번째 국토부 예산이 진짜 성장의 마중물 역할을 할 수 있도록 최선을 다하겠다”고 밝혔다.

2025.09.02 16:20주문정

K배터리, LMR로 재충전 목표…정부도 300억 투입

배터리 업계가 차세대 중저가 제품으로 '리튬망간리치(LMR)' 개발을 추진 중인 가운데, 정부도 LMR 배터리 기술 개발에 300억원 가량을 투자할 전망이다. 현재 중저가 배터리 시장은 리튬인산철(LFP) 수요가 강력하다. 우리나라 기업들은 삼원계 배터리 중심으로 성장해왔지만, LFP 수요 급증을 예상치 못해 이 수요를 중국 기업들에 내준 상황이다. LMR은 이런 LFP를 대체할 제품으로 주목을 받는다. 삼원계 배터리 생산 거점을 그대로 활용하면서도 LFP보다 에너지 밀도가 높고, 재활용 시 가격 경쟁에서도 승산이 있다는 평가다. 정부도 이런 상황을 감안해 LMR을 비롯한 중저가 배터리 기술개발을 다각도로 지원, 우리나라 기업들의 입지 회복을 지원한다는 계획이다. 2일 산업통상자원부에 따르면 내년 신규 R&D 사업으로 '하이망간 리튬이온이차전지 핵심 소재 및 셀 제조 기술 개발'이 편성됐다. 산업부 관계자는 “내년 예산 50억원을 포함해 4~5개년 사업으로 총 300억원 가량을 편성할 계획”이라고 설명했다. 신규 사업을 포함한 부처 예산안은 오는 3일 국회에 제출돼 상임위원회와 예산결산특별위원회 심사를 거쳐 연말 본회의를 통해 최종 확정될 예정이다. 고성능 LFP 배터리와 나트륨 배터리 외 중저가 배터리 기술개발 지원 사업이 추가된 것이다. 사업별 규모는 비슷한 편이다. 고성능 LFP 배터리 사업은 지난 2023년부터 4년간 233억원, 나트륨 배터리 사업은 작년부터 4년간 282억원 규모로 추진되고 있다. 산업부 관계자는 "전기차 수요를 이끌어내야 하는 반면 캐즘을 해소할 저가 전기차와 배터리는 부족한 상황과 더불어 LMR은 우리 산업계가 기술력을 가진 NCM 계열이란 점도 감안했다"고 덧붙였다. LMR 배터리 기반 전기차 시장은 2028년 이후 점차 개화할 전망이다. GM은 LG에너지솔루션과 함께 LMR 배터리를 개발해 2027년 시범 양산, 2028년 본격 양산해 전기트럭과 SUV 등에 탑재하겠다고 밝힌 바 있다. 이 기업들과 협력 중인 포스코퓨처엠도 지난 5월 LMR 배터리용 양극재 개발을 마쳤다고 밝혔다. 다만 LMR 배터리 상용화를 위한 기술 과제들은 아직 남아 있다. 첫 충전 시 용량 저하, 충방전 반복 시 출력 전압이 저하되는 현상, 양극재에서 망간이 용출되는 현상 등이 지목된다.

2025.09.02 16:03김윤희

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

삼성전자, 지난해 R&D 투자 증가율 71% '1위'

지난해 주요 반도체 기업들이 적극적인 연구개발(R&D) 투자를 집행한 것으로 나타났다. 특히 삼성전자의 투자 규모가 급격히 늘어나, 향후 실적에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대된다. 1일 반도체 전문분석기관 테크인사이츠에 따르면 지난해 R&D 투자 상위 20개 반도체 기업의 총 투자액은 986억8천만 달러(한화 약 128조원)로 전년 대비 17% 증가했다. 이는 전체 반도체 산업 R&D 지출의 약 96%를 차지한다. 상위 20개 기업의 매출 대비 R&D 지출은 평균 15.8%로 나타났다. 20개 기업 중 15개는 R&D 지출을 늘렸고, 5개 기업은 줄였다. 1위는 인텔로, 165억 5천만 달러의 R&D 투자를 기록했으나 증가율은 전년 대비 3.1% 늘어나는데 그쳤다. 2위인 엔비디아는 125억 달러, 증가율 47%를 기록했다. 3위인 삼성전자는 가장 큰 상승폭을 기록했다. 지난 2023년 R&D 투자액 7위(55억 달러)였던 삼성전자는 지난해 전년 대비 71.3% 증가한 95억 달러를 R&D에 투자함으로써 순위를 3위로 끌어올렸다. 삼성전자의 R&D 지출 상승은 향후 실적에도 긍정적인 영향을 끼칠 것으로 예상된다. SK하이닉스는 R&D 투자액은 지난해 10위를 유지했으나, 투자 증가율은 32.7%를 기록했다. 매출 대비 R&D 투자 비율은 6.9%로 상위 20개 기업 중 가장 낮았다. 지난해 상위 10개 R&D 지출 기업 가운데 6개는 미국, 2개는 대만, 2개는 한국에 본사를 두고 있다. 상위10개 중 5개 기업은 팹리스 반도체 기업이며, 퀄컴, 엔비디아, AMD, 브로드컴, 미디어텍이다. 4개는 IDM(인텔, 삼성전자, 마이크론, NXP)이다. R&D 투자 상위 11~20위 기업 중 IDM은 9개, 팹리스는 1개다. 7위를 차지한 TSMC는 10억 달러 이상 R&D를 투자한 기업 중 유일한 순수 파운드리이다. TSMC는 2010년에 처음으로 R&D 상위 10위 기업에 진입(10위)했다. 2010년 9억4천300만 달러였던 R&D 지출은 13년만인 2023년 63억6천만 달러로 574% 증가했다. 연평균 성장률(CAGR)은 14.6%에 이른다. TSMC는 1999년 이후 R&D 투자를 지속적으로 늘려오고 있다.

2025.09.01 10:41장경윤

  Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

"AI가 은행 업무 직접한다"…금융시장 타깃 웹케시, 기업형 AI 에이전트 강자로 '우뚝'

"최대 월 120만장인데"...오픈AI, 삼성·SK에 HBM용 D램 90만장 요청

야놀자 "글로벌 트래블 테크기업 관람객에 인식"

韓 AI 최대축제 한가운데 빛으로 꾸민 KT AI 기술

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현
  • COPYRIGHT © ZDNETKOREA ALL RIGHTS RESERVED.