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美 마이크론, 前 TSMC 회장 영입…HBM 역량 강화 포석

미국 마이크론이 파운드리 업계 1위 TSMC의 회장직을 역임한 마크 리우를 신임 이사로 영입했다. 차세대 HBM(고대역폭메모리)에서 로직 다이(HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩)의 중요성이 높아지는 만큼, 관련 기술력을 강화하기 위한 전략이라는 분석이 제기된다. 5일(현지시간) 마이크론은 마크 리우 TMSC 전 회장과 딜로이트의 수석 감사인 크리스티 시몬스를 신규 이사로 임명했다고 밝혔다. 리우 전 TSMC 회장은 지난 1993년 TSMC에 합류해 30년 이상 회사의 성장을 이끈 인물이다. 창립자 모리스 창 박사가 은퇴한 2018년부터 회장직을 맡았으며, 지난해 퇴진했다. 리우 전 회장은 기술 리더십, 디지털 우수성, 글로벌 입지 분야에서 기업 거버넌스와 경쟁력을 강화하는 데 중점을 두고 TSMC를 이끌어 왔다. 특히 12인치 웨이퍼 사업의 기반을 마련했다는 평가를 받는다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "리우는 기술 전문성과 사업 통찰력을 갖춘 비전 있는 리더로, 세계에서 가장 진보적인 반도체 기업 중 하나를 이끌었다"며 "그의 경험은 마이크론이 데이터센터에서 엣지에 이르는 AI 산업을 확장하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 이에 대해 시장조사업체 트렌드포스는 "이번 결정은 맞춤형 HBM의 로직 다이 설계에서 마이크론과 TSMC간의 긴밀한 협력을 나타낸다"며 "메모리 분야에서 TSMC의 영향력이 더욱 커지고 있음을 보여주는 것"이라고 평가했다. 오는 5월 딜로이트에서 은퇴할 예정인 시몬스 감사는 딜로이트의 글로벌 반도체 센터 책임자로 활동해 왔다. 산제이 CEO는 "시몬스가 글로벌 기술 및 금융 분야에서 쌓은 경험은 마이크론의 사업을 최적화하는 데 귀중한 통찰력을 제공할 것"이라며 "마이크론 이사회가 앞으로의 기회에 대처하기 위한 전략을 형성하는 데 큰 자산이 될 것"이라고 강조했다.

2025.03.06 15:28장경윤

SK하이닉스, CIS 사업서 철수…"AI 메모리에 역량 집중"

SK하이닉스가 회사의 비주력인 CMOS 이미지센서(CIS) 사업에서 손을 뗀다. 관련 시장의 수요 감소, 중국 후발주자들의 진입 등으로 사업성이 미미하다는 분석이 작용한 것으로 관측된다. SK하이닉스는 6일 CIS 사업부문 구성원 소통 행사에서 "글로벌 AI 중심 기업으로서의 입지를 굳건히 하기 위해 동 사업부문이 지닌 역량을 AI 메모리 분야로 전환한다"고 밝혔다. SK하이닉스는 이날 "CIS 사업부문은 2007년 출범한 이후 여러 어려움을 극복하고 모바일 시장에 진입해 소기의 성과를 달성했다"며 "여기서 우리는 메모리만으로는 경험할 수 없는 로직 반도체 기술과 커스텀(Custom) 비즈니스 역량을 얻게 됐다"고 말했다. 이어 "최근 AI 시대가 도래하며 회사는 AI 메모리 분야에서 큰 성과를 거뒀고, 현재는 AI 산업의 핵심 기업으로 거듭나기 위한 대전환기를 맞이했다"고 강조하며 "CIS 사업부문이 보유한 기술과 경험은 회사의 AI 메모리 경쟁력을 강화하는데 꼭 필요한 만큼 전사의 역량을 한데 모으기 위해 이번 결정을 했다"고 설명했다. 앞서 SK하이닉스는 2008년 CIS 개발업체 실리콘화일을 인수하면서 이미지센서 시장에 진출한 바 있다. 2019년에는 일본에 CIS 연구개발(R&D) 센터를 개소하고, 같은해 이미지센서 브랜드 '블랙펄'을 출시했다. 이후 삼성전자의 폴더블폰 시리즈인 '갤럭시Z3'와 중국 스마트폰에 CIS를 납품하는 등 성과를 거뒀으나, 사업을 크게 확장시키지는 못했다. 스마트폰 시장의 수요 감소, 중국 후발주자들의 추격 등이 작용한 것으로 풀이된다. SK하이닉스는 "이번 결정이 회사의 AI 메모리 경쟁력을 한단계 성장시키며 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)'로서 회사의 위상을 공고히 하는데 기여할 것으로 기대한다"며 "또한 이를 통해 주주 가치도 극대화하고자 한다"고 밝혔다. 임직원들의 전환 과정에서 대해서는 "기존 CIS 소속 구성원들이 새로운 조직으로 이동하는 데 있어 각 개인의 전문 역량을 충분히 발휘할 수 있도록, '원팀 마인드' 차원에서 지원을 아끼지 않을 방침"이라고 설명했다.

2025.03.06 15:06장경윤

가격 반등 성공한 DDR5…딥시크·HBM 등이 향후 변수

고성능 PC용 D램 가격이 지난달 반등에 성공한 것으로 집계됐다. 중국의 저비용·고효율 AI 모델인 딥시크의 등장으로 PC 수요가 덩달아 증가하면서, 이에 대응하는 메모리 판매량도 늘어난 것으로 분석된다. 지난달 28일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난달 DDR5 16Gb(기가비트) 제품의 평균 고정거래가격은 전월 대비 1% 상승한 3.80달러로 집계됐다. 올 1분기 PC용 D램의 고정거래가격은 전분기 대비 10~15% 하락할 것으로 관측된다.지난해 4분기에 이어 하락세를 이어간 것으로, 1분기 초 D램 공급업체들의 재고 수준이 상대적으로 증가한 것이 주된 영향으로 풀이된다. 다만 지난달에는 고정거래가격의 추가 하락이 나타나지 않았다. 미국의 추가 관세 정책에 따른 우려로 PC 제조사들이 D램 재고를 미리 확보한 데 따른 영향이다. 또한 삼성전자, SK하이닉스 등이 HBM(고대역폭메모리) 및 모바일 D램 양산에 집중하면서, PC D램의 공급이 일시적으로 제한되고 있다. 특히 DDR5 16Gb(기가비트)의 경우 지난달 고정거래가격이 1% 상승한 것으로 나타났다. 지난해 8월 이후 지속되던 가격 하락세가 반전으로 돌아섰다. 이전 세대인 DDR4는 가격이 변동하지 않았다. 트렌드포스는 "중국 딥시크의 영향으로 고성능 GPU가 탑재된 PC 수요가 증가하면서, 5600MT/s(초당 5600만회의 데이터 전송) 이상을 구현하는 16Gb DDR5의 수요가 늘어났다"며 "주로 SK하이닉스가 공급하는 제품이나, 현재 서버 및 모바일 D램 양산에 집중하고 있어 PC용 DDR5 D램 공급에 제한이 있다"고 설명했다. 향후에도 PC용 D램 시장은 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델, 주요 메모리 기업들의 HBM 양산 전략 등에 따라 영향을 받을 것으로 전망된다. 노트북·태블릿 등 IT기기에 AI 기능이 활성화될수록, 관련 로직 및 메모리 반도체 수요를 촉진할 수 있기 때문이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면, 2023~2027년 생성형 AI 노트북 출하량은 연평균 59%의 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 전체 노트북 출하량의 연평균 성장률이 3%로 예상된다는 점을 고려하면 가파른 성장세다.

2025.03.01 08:10장경윤

한권환 SK하이닉스 부사장 "HBM 안정적 수요 대응...차세대 양산 준비"

"2025년 가장 중요한 과제는 늘어나는 시장 수요에 안정적으로 대응하고, 동시에 차세대 HBM 양산을 위한 기술적 준비를 탄탄히 하는 것이다. 다양한 변수를 사전에 예측하고 철저한 대응 전략을 마련하는 데 집중할 계획이다." 26일 한권환 SK하이닉스 HBM융합기술 부사장은 AI 메모리 반도체 시장을 선도할 HBM 기술 혁신 전략과 앞으로의 목표에 대해 이같이 밝혔다. 2002년 SK하이닉스에 입사한 한 부사장은 초기 HBM 개발부터 참여해, 이후 모든 세대 HBM 제품 개발과 양산을 이끌며 1등 리더십을 구축해 온 주역이다. 올해 SK하이닉스의 신임인원으로 선임됐다. 한 부사장은 "HBM이 처음 출시될 당시 생산 규모나 제품 수요는 지금과 비교할 수 없을 정도로 미미했으나, 지난 2023년 챗GPT의 등장과 함께 AI 시장이 폭발적으로 성장하기 시작했다"며 "이에 대응하기 위해 기존의 라인보다 훨씬 규모가 큰 생산 라인을 단기간에 구축해야 하는 과제가 주어졌고, 일부 수요에 대해서는 다른 제품의 생산 라인 일부를 HBM 생산 라인으로 전환하며 대규모 양산 체계를 구축했다"고 밝혔다. 한 부사장의 전략적 대응은 SK하이닉스의 HBM 시장 점유율을 높이고, 세계 최고 수준의 생산 능력과 품질을 확보하는 기반이 됐다. 그는 이러한 경험과 역량을 바탕으로 HBM융합기술 조직을 총괄하며, 제품 양산성을 높이고 차세대 HBM으로의 원활한 전환을 위해 새로운 기술적 토대를 마련하는 중책을 수행할 예정이다. 한 부사장은 “HBM 시장 경쟁에서 우위를 점하기 위해서는 기술력은 기본이고, 최상의 제품을 적시에 고객에게 공급할 수 있어야 한다"며 "기술 및 운영 혁신을 통해 시장과 고객 요구에 기민하게 대응할 수 있는 협업 체계를 구축하고, 안정적인 양산까지 이어질 수 있도록 맡은 바 최선을 다하겠다"고 강조했다. 또한 한 부사장은 “2025년 가장 중요한 과제는 늘어나는 시장 수요에 안정적으로 대응하고, 동시에 차세대 HBM 양산을 위한 기술적 준비를 탄탄히 하는 것”이라고 강조했다. 올해 주력으로 생산될 12단 HBM3E 제품은 기존 8단 HBM3E 제품에 비해 공정 기술의 난이도가 높다. 또한 차세대 HBM 제품은 진화하는 제품 세대에 따라 기술적인 과제가 더욱 늘어날 것으로 예상된다. 한 부사장은 "개발 과정에서 많은 기술적 도전을 극복하고 양산을 시작하겠지만, 생산량을 급격히 늘려가는 과정에서 예상치 못한 변수가 추가로 발생할 수 있고 해결도 매우 어렵다"며 "HBM융합기술 조직은 이를 사전에 예측하고 철저한 대응 전략을 마련하는 데 집중할 계획”이라고 말했다. 특히 최근 AI 메모리 반도체 수요가 늘면서, 글로벌 빅테크 기업을 중심으로 고객 맞춤형(Customized) 제품에 대한 요구도 점차 증가하고 있다. 해당 HBM은 다른 제품보다 공정 수가 많고 생산 과정도 복잡해, 이에 대응하는 것이 쉽지 않다. 한 부사장은 “단순히 생산량을 늘리는 것이 아니라 효율적인 운영 체계를 구축하는 것이 더욱 중요해졌다”며 “생산 라인의 유연성을 높이고 고객과의 협력을 강화해 자사 HBM 경쟁력을 극대화하겠다”고 밝혔다. 끝으로 한 부사장은 급변하는 시장 환경에서도 가장 중요한 가치는 '안전'이라고 당부하며, 자신감을 갖고 함께 나아가자고 구성원들을 격려했다. 한 부사장은 “우리는 지금 빠르게 성장하고 있고, 목표를 달성하는 데 집중해야 하는 상황이지만 안전보다 중요한 것은 없다"며 "이를 위해 리더들이 앞장서겠다. 그리고 우리가 세계 최고라는 사실을 잊지 않았으면 한다. 앞으로도 구성원들과 함께 소통하고 협력하면서, 더욱 강한 SK하이닉스를 만들어가겠다"고 강조했다.

2025.02.26 16:02장경윤

SEMI "지난해 웨이퍼 출하량 전년比 2.7% 감소…올해는 반등"

글로벌 전자 산업 공급망을 대표하는 산업 협회인 SEMI는 지난해 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량이 전년 대비 2.7% 감소한 122억6천600만 제곱인치를 기록했다고 26일 밝혔다. 매출액은 6.5% 줄어든 115억 달러로 집계됐다. 지난해에는 더딘 재고 조정으로 인해 웨이퍼 출하량과 매출액 모두가 다소 하락했다. 하지만 올해부터 웨이퍼 출하량의 회복세가 시작될 것으로 보이며, 특히 하반기부터는 강한 반등이 예상된다. 리 청웨이 SEMI SMG(실리콘 제조업체 그룹) 회장 겸 글로벌웨이퍼스 부사장은 “생성형 AI 및 신규 데이터센터가 첨단 파운드리와 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 메모리 반도체 수요를 견인하고 있지만, 대부분의 다른 최종 소비자 시장은 여전히 과잉 재고로부터 회복 중”이라고 밝혔다. 그는 이어 “많은 고객사의 실적 발표에서도 언급된 바와 같이, 산업용 반도체 시장은 여전히 강한 재고 조정 국면에 있으며, 이는 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량에 영향을 미치고 있다”고 설명했다. 실리콘 웨이퍼는 반도체 제조의 핵심 소재이기 때문에 컴퓨터, 통신제품, 소비가전제품 등 사실상 모든 전자제품에 필수적인 요소다. 정밀하게 가공된 실리콘 디스크는 1인치에서 12인치에 이르기까지 다양한 직경으로 생산되며 기판 소재로 사용돼 그 위에 대부분의 반도체 칩을 생산한다. SEMI 실리콘 제조 그룹(SMG)은 SEMI 안에서 전문 위원회 그룹(SIG)으로 활동하며, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 및 실리콘 웨이퍼 생산에 관련된 회사들로 구성돼 있다. 이 그룹의 목적은 실리콘 산업과 반도체 시장에 대한 시장 정보와 통계 개발 및 실리콘 산업에 관련된 주요 사안에 대해 공동의 노력을 촉진시키는 데 있다.

2025.02.26 14:42장경윤

마이크론, '6세대 10나노급' D램 샘플 공급…삼성·SK보다 빨랐다

미국 마이크론이 최근 6세대 10나노미터(nm)급 D램 샘플을 고객사에 공급하는 데 성공했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사에 한 발 앞선 성과로, 차세대 메모리 시장에서 국내 메모리 업계와의 치열한 경쟁이 예상된다. 26일 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔, AMD 등 잠재 고객사에 출하했다고 발표했다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 이를 1c D램이라고 부른다. 마이크론은 "업계 최초로 차세대 CPU용 1γ DDR5 샘플을 일부 협력사와 고객사에 출하했다"며 "우선 16Gb(기가비트) DDR5에 활용되고, 이후 AI용 고성능 및 고효율 메모리 수요에 대응하도록 할 것"이라고 밝혔다. 이번 1γ 기반 16Gb DDR5는 최대 9200MT/s의 데이터 처리 속도를 구현한다. 이전 세대 대비 속도는 최대 15% 증가했으며, 전력 소모량은 20% 이상 줄었다. 새롭게 적용된 제조 공정도 눈에 띈다. 마이크론은 1γ D램에서부터 EUV(극자외선) 공정을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. EUV는 반도체 회로를 새기기 위한 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 DUV(심자외선) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정에 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스도 이미 첨단 D램에 EUV를 적용 중이다. 마이크론은 "1γ D램은 EUV 노광 기술과 고종횡비 식각 기술 등 최첨단 공정을 적용함으로써 업계를 선도하는 비트 밀도를 지원한다"며 "여러 세대에 걸쳐 입증된 마이크론의 D램 기술 및 제조 전략 덕분에 최적화된 공정을 만들 수 있었다"고 자신했다. 마이크론의 1γ D램 샘플은 AMD, 인텔 등 고객사에 출하돼, 현재 평가 과정을 거치고 있는 것으로 알려졌다. 한편 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 6세대 10나노급 D램의 상용화를 준비하고 있다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 적용할 계획이다. 이에 따라 현재 기존 설계 대비 칩 사이즈를 키워, 수율 및 안정성을 높이는 방향으로 재설계를 진행 중인 것으로 파악됐다. 개선품은 이르면 1~2달 내로 구체적인 성과를 확인할 수 있을 전망이다. 동시에 삼성전자는 1c D램 양산을 위한 설비투자도 진행하고 있다. 지난해 말부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 소규모 제조라인 구축을 위한 장비 발주가 시작됐다. 1c D램의 개발 현황에 따라 추가 투자 가능성도 거론된다. SK하이닉스는 지난달 내부적으로 1c D램에 대한 양산 인증을 마무리한 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 이전 세대인 1b D램에서의 공정 기술력을 기반으로, 1c D램의 수율을 비교적 안정적으로 끌어 올렸다는 평가를 받고 있다.

2025.02.26 09:03장경윤

SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 1기 팹 본격 착공

SK하이닉스는 지난 21일 용인시의 건축 허가가 승인됨에 따라 용인 반도체 클러스터에 건설되는 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다고 25일 밝혔다. 용인 반도체 클러스터는 총 415만m2(약 126만평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라 부지 12만평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지다. 이곳에 SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이며, 첫 번째 팹은 2027년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 예정이다. SK하이닉스 용인캠퍼스는 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다. 이와 더불어, 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다.

2025.02.25 09:52장경윤

머크, GAA·HBM 등 첨단 반도체용 소재 솔루션 선봬

머크(Merck)는 세미콘 코리아 2025에서 '머티리얼즈 인텔리전스 플랫폼'을 통해 AI 기반 소재 솔루션과 디지털화 역량을 선보였다고 20일 밝혔다. 올해는 특히 첨단 로직, 메모리 및 패키징을 위한 차세대 소재와 제품 포트폴리오를 집중 소개했다. 아난드 남비아 머크 일렉트로닉스 비지니스 수석부사장 겸 최고상업책임자(CCO)는 "AI를 구동하려면 강력하지만 작고 에너지 효율적인 칩이 필요한데, 이는 칩 아키텍처와 제조 프로세스 양쪽에서 복잡성을 증가시킨다"며 "머크는 머티리얼즈 인텔리전스 플랫폼을 통해 공정 미세화의 핵심인 게이트올어라운드(GAA), 고밀도 메모리 및 HBM과 같이 AI 지원 기술을 위한 새로운 소재 솔루션을 개발한다"고 강조했다. 세미콘코리아에서 머크는 D램 및 3D 낸드의 첨단 로직 및 3D 고밀도화를 위한 소재를 소개했다. 최첨단 노드 공정을 위한 원자층 증착, 갭 충진 기술을 위한 SOD 소재, 핀펫 아키텍처 D램을 위한 유기 금속 솔루션, 확장된 특수 가스 포트폴리오 및 고급 CMP 포트폴리오의 향상된 기능 등이 포함된다. 또한 확률적 결함을 해결하고 전기적 신뢰성을 개선해 장치 성능을 크게 향상시킬 수 있는 잠재력을 가진 DSA 기술의 발전과 함께 반도체 산업을 위한 신소재 및 지속가능 대체옵션을 포함한 지속 가능 솔루션 및 메모리 응용 분야에서 확장 가능한 전구체 수요 증가에 대응할 수 있도록 설계된 턴키 딜리버리 시스템 및 서비스를 선보였다. 한국머크는 1989년부터 한국에서 입지를 확대해 왔다. 일렉트로닉스 부문은 한국 전역에 걸쳐 9개의 사이트를 운영하며, 박막, 포뮬레이션, 특수 가스, 딜리버리 시스템 및 서비스, 디스플레이용 옵트로닉스 소재를 위한 현지 생산 및 R&D 시설을 갖추고 있다. 김우규 한국머크 대표는 "머크는 글로벌 반도체 공급망에서 핵심적인 역할을 지속하고 있는 한국을 우리의 필수 소재 R&D 및 생산을 위한 글로벌 핵심 허브 중 하나로 생각한다"며 "실제로 작년 하반기 안성에 개관한 한국 SOD 어플리케이션센터와 음성 사업장의 신제품 라인에 대한 지속적인 투자 등 지난 36년 동안 한국고객사의 미래 성장을 지원하는 혁신 파트너로서 최선을 다하고 있다"고 말했다.

2025.02.21 08:31장경윤

AMAT, '업계 유일' 계측 장비로 3D·2나노 시장 공략…"이미 상용화 시작"

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 차세대 전자빔 시스템으로 2나노미터(nm), 3D D램 등 첨단 반도체 시장을 공략한다. 해당 장비는 업계 유일의 CFE(냉전계 방출) 기술과 AI를 결합한 것이 특징으로, 이미 유수의 고객사 공정에 도입된 것으로 알려졌다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 20일 오전 파크 하얏트 서울에서 'SEM비전 H20' 발표회를 열고 회사의 계측 기술력에 대해 소개했다. 장만수 AMAT코리아 이미징 및 프로세스 제어 기술 디렉터는 "반도체 공정이 초미세화되면서, 이제는 옹스트롬(Angstrom; 0.1나노미터)과 3D 트랜지스터 구조 등 첨단 기술이 도입되고 있다"며 "그러나 기존 계측 시스템으로는 이에 대응하기 힘들어, AMAT는 고도의 전자빔 기술과 AI를 결합한 새로운 장비를 개발해냈다"고 설명했다. SEM은 전자현미경의 일종으로, 전자빔을 주사해 표본을 계측하는 기술이다. AMAT의 'SEM비전 H20'은 업계에서 가장 높은 수준의 감도 및 분해능을 구현한 전자빔과 회사의 2세대 CFE 기술을 갖췄다. 전자빔은 빛보다 파장이 짧아 깊은 홈까지 정밀하게 관찰할 수 있다. 덕분에 수 나노미터(nm) 대의 미세 공정과, 트랜지스터를 수직으로 쌓는 3D 구조에도 대응이 가능하다는 게 AMAT의 설명이다. 장 디렉터는 "해당 장비는 이미 실제로 상용화해 고객사들이 활용 중"이라며 "현존하는 모든 최선단 공정에 다 활용이 가능하다고 보면 된다"고 말했다. CFE란 기존 1천500도 이상에서 작동하는 고온전계 방출형 대비 낮은 온도 환경에서 작동하는 기술이다. 온도가 낮아지면 빔 폭이 좁아지고 전가 개수가 많아져, 분해능이 샹항되고 이미징 속도가 크게 빨라진다. 특히 2세대 CFE의 경우, 1세대 대비 이미징 속도가 2배 빠른 것으로 나타났다. 고온전계 방출형 대비로는 3배 빠르다. CFE가 지닌 불순물 취약 관련 문제도 2세대에서는 고진공, 자가 세정 기술 등을 도입해 보완했다. 장 디렉터는 "AMAT가 CFE 기술 상용화를 위해 쏟은 개발기간만 해도 10년이 넘는다"며 "현재 업계에서 이를 상용화한 기업은 AMAT이 유일하다"고 강조했다. AI 역시 SEM비전 H20의 주요 특성 중 하나다. 기존 SEM을 통해 얻은 이미지 상에는 실제 결함과 계측 오류로 인한 노이즈 등이 뒤섞여 있다. 때문에 SEM 이미지를 여러 장 찍어야 하는데, 초미세공정에서는 결함 크기가 줄어들어 육안으로 둘을 구분하기가 힘들다. 이에 AMAT는 AI 기술로 실제 결함과 노이즈를 구분하는 시스템을 도입했다. 실제 회로 설계도에서 얻은 데이터를 추출해 신뢰성을 높였다. 장 디렉터는 "기존 전자빔 기반의 SEM 계측은 3시간 수준의 쓰루풋에도 결함을 완전하게 잡아내지 못하는 문제가 있었다"며 "이번 SEM비전 H20은 1시간 이내로 더 많은 결함을 정확하게 잡아내기 때문에, 첨단 반도체 수율 향상에 상당한 도움을 줄 수 있을 것"이라고 말했다.

2025.02.20 11:49장경윤

中 '딥시크' 등장에도…곽노정 SK하이닉스 "결국 반도체 시장에 큰 기회"

곽노정 SK하이닉스 사장이 중국 '딥시크'와 같은 저비용 인공지능(AI) 모델의 등장이 장기적으로는 반도체 시장에 큰 기회를 가져올 것으로 전망했다. 곽 사장은 19일 오후 서울 코엑스에서 기자들과 만나 향후 AI 및 메모리 시장에 대한 견해를 밝혔다. 이날 곽 사장은 한국반도체산업협회 회장으로서의 마지막 공식 일정을 소화했다. 곽 사장은 지난 2022년 제 13대 협회장으로 선출돼 지금까지 국내 반도체 산업 발전을 위한 활동에 힘써왔다. 임기는 이번달까지로, 송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장 사장이 자리를 이어받는다. 이와 관련해 곽 사장은 "반도체산업협회 회장직을 맡게 돼 개인적으로 굉장히 큰 영광이었다"며 "반도체 산업이 전례없는 다운턴과 AI로 촉발된 큰 기회를 맞았는데, 협회장을 관두더라도 반도체 업계의 한 사람으로서 최선을 다해 업황 극복을 돕도록 할 것"이라고 밝혔다. 최근 저비용·고성능 LLM(거대언어모델)로 주목받은 중국 딥시크의 등장에 대해서도 긍정적인 견해를 내놨다. 반도체 업계에서는 딥시크와 같은 AI 모델이 확산될 경우 거대 IT 기업들의 AI 서버 투자가 감소하고, HBM(고대역폭메모리) 등 메모리 시장에도 악영향이 올 수 있다는 우려가 제기된 바 있다. 곽 사장은 "단기적으로는 하나의 변수가 될 수는 있겠으나, 결과적으로는 AI 보급에 큰 도체 역할을 할 것"이라며 "장기적으로는 결국 반도체 수요를 자극해 훨씬 더 큰 기회가 올 것이라고 생각한다"고 답변했다. 또한 낸드 시장에 대해서는 "올 연말 정도 쯤이면 좋아지지 않을까 생각한다"며 "업계가 시장 안정화를 위해 전체적으로 노력을 하고 있으니 조금 지나면 좋아지지 않을까 한다"고 말했다.

2025.02.19 21:03장경윤

송재혁 삼성전자 CTO "AI, 인간 뇌에 아직 배울 점 많아…반도체 진화 계속"

"34억년간 생존을 위해 에너지 효율을 높인 우리 인간의 뇌는 AI 기술보다 엄청나게 앞서 있다. AI 기술을 지탱하려면 반도체 기술이 필수이고, 반도체 역시 성능 향상과 전력 소모 저감 두 요소를 그대로 추구하며 발전하고 있다" 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장 사장은 19일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2025' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '더 나은 삶을 위한 반도체 혁신'을 주제로 발표를 진행한 송재혁 사장은 "80년간 AI가 발전하면서, 거대언어모델(LLM)의 정확도는 2019년 32%에서 불과 5년만에 92%로 성장했다"며 "그럼에도 AI는 34억년간 발전해 온 사람의 뇌(휴먼 브레인)에 비해 연산 속도, 에너지 효율 등이 크게 떨어져, 여전히 배울 점이 있다"고 말했다. 때문에 반도체 기술은 연산 속도를 높이는 동시에 전력 소모량을 줄이는 방향으로 지속 발전해 왔다. 기존에는 회로의 선폭을 줄이는 전공정 기술이 주류를 이뤘으나, 최근에는 후공정 역시 반도체 성능을 높일 수 있는 대안점으로 떠올랐다. 특히 송 사장은 칩렛 플랫폼을 예로 들며 협업의 중요성을 강조했다. 칩렛은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 첨단 패키징 기술로, 수많은 반도체 전공정, 후공정 기술이 융합돼야 한다. 송 사장은 "칩렛 플랫폼을 잘 구현하기 위해서는 반도체 소자업체는 물론 설비, 소재, 소프트웨어 툴 기업들과 전 세계 연구소, 학교, 컨소시엄 등의 역할도 모두 중요하다"며 "포스트 AI 시대에서 반도체 기술이 여전히 중요한 만큼, 협업을 통해 더 나은 삶을 이뤄낼 수 있을 것이라고 보여진다"고 강조했다.

2025.02.19 12:15장경윤

HBM 올해도 큰 폭 성장…"3년 뒤 전체 D램서 매출 비중 30% 돌파"

고대역폭메모리(HBM) 시장 규모가 올해 60% 이상 증가하는 등 견조한 성장세를 보일 전망이다. 또한 오는 2028년까지 매출이 꾸준히 증가하면서, 전체 D램에서 차지하는 매출 비중이 30.6%에 달할 것으로 관측된다. 가우라브 굽타 가트너 애널리스트는 19일 오전 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2025' 기자간담회에서 반도체 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. 올해 전 세계 반도체 시장은 7천50억 달러로 전년 대비 12.5% 성장할 전망이다. 2028년에는 시장 규모가 8천290억 달러에 달할 것으로 예상되다. 해당 기간 동안 시장 성장세를 주도할 분야로는 서버, 가속기 등 AI와 자율주행이 꼽힌다. 가우라브 굽타 가트너 수석 애널리스트는 "지난해 반도체 시장은 GPU와 메모리가 주도했고, 올해에는 이들 분야 외에도 아날로그 분야도 골고루 성장할 것"이라며" "반도체 시장은 지속 성장해, 규모가 1조 달러를 초과하는 시점은 2030~2031년이 될 것으로 관측된다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들이 주도하는 메모리 시장은 올해와 내년 각각 13.0%, 11.6% 성장할 전망이다. 그러나 2027년과 2028년에는 각각 4.6%, 7.5%의 감소가 예상된다. 굽타 애널리스트는 "중국 YMTC가 지난해 생산량을 50% 늘리고, 올해에도 더 성장하는 등 낸드 시장은 장기적으로 도전을 받고 있다"며 "D램 역시 올해까지는 가격이 상승했다가 내년부터 ASP(평균판매가격)이 꾸준히 하락하는 등 주기를 탈 것"이라고 설명했다. 다만 HBM(고대역폭메모리)는 공급 부족으로 성장세가 지속될 것으로 보인다. 올해 HBM 매출액은 198억 달러로 전년 대비 66.9% 성장한 뒤, 2028년에는 316억 달러에 도달할 전망이다. 2023년부터 2028년까지의 연평균 성장률은 62.0%에 달한다. 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 13.6%로 집계됐다. 오는 2028년에는 이 비중이 30.6%를 기록할 것으로 관측된다. 웨이퍼 출하량 기준으로는 비중이 지난해 8.0%에서 2028년 11.0%에 도달할 전망이다.

2025.02.19 09:47장경윤

EVG, '세미콘 코리아 2025'서 HBM·3D D램용 본딩 솔루션 공개

오스트리아에 본사를 둔 반도체 장비기업 EV그룹(EVG)은 오는 19일부터 21일까지 서울 코엑스에서 개최되는 '세미콘 코리아 2025'에서 업계 선도적인 'IR 레이어릴리즈(LayerRelease)' 템포러리 본딩 및 디본딩(TBDB) 솔루션 등을 선보인다고 17일 밝혔다. EVG는 인공지능(AI) 가속기와 고성능 컴퓨팅(HPC)의 핵심 구성요소인 HBM(고대역폭메모리) 및 3D DRAM의 개발 과 생산을 지원하는 TBDB 솔루션을 포함해, 업계에서 가장 포괄적인 웨이퍼 본딩 솔루션을 제공한다. 세미콘 코리아는 미래를 만들어 나가는 핵심 트렌드를 선보이는 세계 최고의 반도체 기술 전시회 중 하나로, 올해 행사에서는 AI와 함께 첨단 패키징, 지속 가능한 반도체 제조 등이 주요 주제로 다뤄질 전망이다. EVG의 IR 레이어릴리즈 기술은 완전한 프런트엔드 호환성을 갖춘 레이어 분리 기술로, 실리콘을 투과하는 파장대를 갖는 적외선(IR) 레이저를 사용하는 것이 특징이다. 이 기술은 특수하게 조성된 무기질 레이어와 함께 사용할 경우, 초박형 필름이나 레이어를 실리콘 캐리어로부터 나노미터 정밀도로 분리할 수 있으며, 업계 최고 수준의 디본딩 처리량을 제공한다. 토르스텐 마티아스 EVG 아태지역 세일즈 디렉터는 “차세대 HBM과 3D D램의 개발 및 양산을 가속화하는 것은 한국 반도체 업계의 최우선 과제이고, 이는 TBDB기술의 혁신을 필요로 한다"며 "EVG의 IR 레이어릴리즈 기술을 적용하면 더 얇은 두께의 다이를 구현함으로써 HBM을 더 높이 적층할 수 있기 때문에, 기계적 디본딩의 필요성을 없애 준다"고 밝혔다. 또한 IR 레이어릴리즈는 실리콘 캐리어 사용을 지원하면서, 기계적 디본딩 공정을 1:1 대체하여, 현재 및 차세대 적층 메모리 공정을 모두 지원한다. 뿐만 아니라 프런트엔드 호환성을 제공하므로 퓨전 및 하이브리드 본딩 공정과도 결합할 수 있어 차세대 메모리 및 비메모리 반도체에 필수적인 초박형 웨이퍼 및 필름 프로세싱에도 이상적이다. HBM과 3D D램은 높은 대역폭, 낮은 지연 시간, 저전력 특성을 최소형으로 제공하기 때문에, 점점 더 증가하는 AI 학습 애플리케이션의 수요에 대응하기 위한 유망한 반도체 기술로 부상하고 있다. TBDB는 이러한 첨단 메모리 칩 제조에 필수적인 칩 적층 공정 중에 핵심이다. 기계적 디본딩과 같은 기존의 디본딩 방식은 차세대 HBM과 같이 매우 복잡한 설계의 초박형 웨이퍼를 위한 충분한 정밀도를 제공하지 못한다. EVG의 IR 레이어릴리즈 솔루션은 정밀성, 더 높은 수율, 더 낮은 소유 비용, 환경에 대한 영향, 그리고 미래 대응 능력 측면에서 한국을 비롯한 전세계 메모리 반도체 및 기타 디바이스 제조사들에게 명확한 이점을 제공한다. IR 레이어릴리즈는 기존의 기계적 디본딩을 대체하며, EVG850 플랫폼을 기반으로 하는 EVG의 슬라이드 오프 및 UV 레이저 디본딩 솔루션들과 함께 EVG 디본딩 기술 포트폴리오를 더욱 강화한다.

2025.02.17 13:58장경윤

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

삼성電, 차세대 D램 '칩 사이즈' 키운다…HBM 수율 향상 최우선

삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략으로, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 안정적인 양산에 역량을 집중하려는 전략으로 풀이된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 기존 대비 키워 개발을 진행하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 한 차세대 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 이전 세대인 1b(5세대) D램은 12~13나노 대로 추산된다. 삼성전자는 1c D램을 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선적으로 적용할 계획이다. 주요 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램으로 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 의도가 깔려 있다. SK하이닉스·마이크론 등은 HBM4에 1b D램을 채택하기로 했다. 다만 삼성전자의 1c D램은 개발 초기부터 수율 개선에 난항을 겪어 왔다. 지난해 하반기 첫 양품을 확보했으나, 수율을 만족스러운 수준까지 구현하지는 못한 것으로 알려졌다. 주요 배경은 생산성이다. 당초 삼성전자는 경쟁사를 의식해 1c D램의 칩 사이즈를 당초 계획 대비 줄이기로 했다. 칩 사이즈가 작아질수록 웨이퍼 투입량 대비 생산량이 많아져, 제조 비용 효율화에 유리하다. 다만 이로 인해 안정성이 떨어진다는 지적이 제기돼 왔다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 설계를 일부 수정하기로 했다. 핵심 회로의 선폭은 최소한으로 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화해 수율을 빠르게 끌어올리는 것이 주 골자다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 칩 사이즈를 키우는 쪽으로 설계를 변경한 뒤, 올해 중순을 목표로 수율 향상에 열을 올리고 있다"며 "비용이 더 들더라도 차세대 메모리의 안정적 양산에 초점을 맞춘 것으로 보인다"고 설명했다. 설계가 변경된 1c D램의 유의미한 수율을 논하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자 안팎에서는 오는 5~6월께 구체적인 결과가 도출될 것으로 기대하고 있다. 한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

2025.02.10 17:05장경윤

42년만에 뒤바뀌나...SK하이닉스, D램 매출도 삼성 추월 전망

삼성전자의 올 1분기 D램 매출 규모가 크게 위축될 전망이다. 전반적인 IT 수요 약세로 D램 공급량이 줄어드는 한편, HBM 매출 비중의 급격한 감소로 D램 ASP(평균판매단가)가 전분기 대비 '두 자릿수'로 하락할 가능성이 유력해졌다. 이에 일각에서는 1분기 삼성전자 D램 매출액이 SK하이닉스에 따라잡힐 것이라는 관측도 조심스레 나온다. 올 1분기 양사의 D램 매출 추정치는 모두 12~13조원 수준이다. 이 경우 국내 D램 업계가 태동한 지 약 40여년만에 양사의 D램 매출 점유율 순위가 바뀌는 초유의 사태가 발생하게 된다. 1983년 첫 사업을 시작한 SK하이닉스는 올해 10월 창립 42주년을 맞는다. 실제로 양사의 D램 매출 격차는 지난해 4분기 기준으로 이미 1조원 내외까지 줄어든 것으로 집계되고 있다. SK하이닉스 역시 올 1분기 메모리 업황 부진으로 매출은 감소하겠지만, HBM 등 고부가 메모리 사업이 견조해 삼성전자 대비 ASP 하락세 방어에 유리하다. 업계가 올 1분기 양사의 D램 매출액 격차가 최소한 더 줄어들고, 시황에 따라 역전 가능성을 거론하는 이유다. SK하이닉스는 이미 지난해 연간 영업이익에서 삼성전자 반도체 부문을 넘어섰다. 삼성전자, 1분기 D램 ASP·매출 '두 자릿수' 하락 유력 3일 업계에 따르면 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액은 당초 예상보다 하락세가 심화될 가능성이 높은 것으로 분석된다. 앞서 삼성전자는 지난달 31일 열린 2024년 4분기 실적발표에서 올 1분기 D램의 공급량 및 가격이 모두 하락할 것으로 전망한 바 있다. 삼성전자는 "올 1분기 D램은 모바일 및 PC 수요 약세로 비트그로스가 전분기 대비 한 자릿 수 후반 수준으로 감소할 전망"이라며 "HBM은 AI향 반도체 수출 규제와 같은 지정학 이슈와 개선품 도입에 따른 수요 이연 등으로 판매가 일정 수준 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "결론적으로 1분기에는 컨벤셔널 제품의 시장 가격 하락, HBM 매출 비중 일시 감소 등으로 D램 ASP와 실적이 전분기 대비 다소 하락할 것으로 판단된다"고 덧붙였다. 특히 업계는 삼성전자 D램 ASP의 하락폭에 주목하고 있다. 당초 업계는 해당 분기 삼성전자 D램 ASP가 한 자릿수 초중반대로 감소할 것으로 전망해 왔으나, 이번 실적발표 이후 하락폭이 10% 이상으로 확대될 가능성이 거론되고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 DDR4 등 레거시 D램의 매출 비중을 올해 한 자릿수까지 가파르게 줄일 예정임에도, 올 1분기 D램 ASP 하락세는 예상보다 더 커질 것으로 보인다"며 "그만큼 지난해 4분기 HBM, DDR5 등 고부가 제품의 재고를 적극적으로 밀어냈기 때문"이라고 설명했다. HBM 공급량 감소가 주요 원인 이 같은 추세에는 중국 기업들의 HBM 사재기 현상도 한몫을 했을 것으로 관측된다. 지난해 하반기 화웨이·바이두 등 중국 주요 IT 기업들은 점차 강화되는 미국의 AI반도체 수출 규제를 우려해, 삼성전자 등으로부터 HBM을 선제적으로 구매한 바 있다. 그러나 미국은 올해 초부터 주요 D램 제조업체의 중국향 HBM 수출을 직접적으로 금지했다. 이에 따라 삼성전자의 올 1분기 HBM 공급량은 크게 줄어들 전망이다. 업계에서 추산하는 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 공급량은 20억기가비트(Gb) 초중반 수준이다. 올 1분기에는 최대 10억Gb 초중반대의 공급이 예상되며, 최악의 경우 10억Gb를 밑돌 가능성도 점쳐진다. 또 다른 업계 관계자는 "삼성전자의 지난해 4분기 D램 ASP가 전분기 대비 20% 수준으로 상승한 데에는 HBM의 판매 확대가 주요했는데, 올 1분기에는 HBM 공급량이 반토막 이상으로 줄어들 수도 있다"며 "결과적으로 D램 ASP 및 매출 규모가 전분기 대비 두 자릿 수로 하락하게 될 가능성이 높다"고 밝혔다. SK하이닉스에 매출 1위 내주나…"초유의 사태 발생할 수도" 주요 경쟁사인 SK하이닉스에 근소한 차이로 D램 매출 규모가 역전당할 수 있다는 우려도 제기된다. SK하이닉스는 지난해 4분기 D램 영업이익이 7조원 이상으로 추산되는 등 수익성 면에서는 이미 삼성전자(4분기 D램 영업이익 5조원 내외 추정)를 넘어선 바 있다. 매출 규모는 생산능력이 월등히 높은 삼성전자가 줄곧 점유율 1위를 지켜왔으나, 최근들어 이마저도 양사의 격차가 크게 줄어들었다는 평가다. 증권가에서 추산하는 지난해 4분기 삼성전자 D램 매출액 추정치는 13조~15조원 수준이다. SK하이닉스의 추정치는 14조원 내외다. 때문에 업계에서는 이미 삼성전자와 SK하이닉스가 D램 매출 규모가 동등한 수준에 도달했다는 분석을 내놓고 있다. SK하이닉스 역시 1분기 D램 비트그로스가 10% 초반 감소할 것으로 예상되는 등 메모리 업황 부진의 여파를 맞을 전망이다. 다만 SK하이닉스는 공고한 엔비디아향 HBM 공급, 고부가 DDR5 매출 등으로 ASP 하락세는 삼성전자 대비 견조할 것이라는 게 업계의 중론이다. 익명을 요구한 반도체 부문 애널리스트는 "SK하이닉스는 올 1분기 HBM 매출이 10%가량 증가할 것으로 관측된다. 덕분에 범용 제품의 부진에도 전체 D램 매출 규모는 한 자릿수 정도만 감소할 것"이라며 "반면 삼성전자는 전체 D램 매출이 20% 넘게 줄어들어, 업계 역사상 처음으로 양사 매출 규모가 뒤바뀌는 상황이 공식적으로 집계될 수도 있다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계 및 증권가가 추정하는 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액 추정치는 10조~13조원대 수준이다. SK하이닉스의 D램 매출액은 12조~13조원대로 추산되고 있다.

2025.02.04 14:30장경윤

삼성전자, HBM 공급량 2배 확대...'AI 반도체'에 사활

삼성전자가 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 전년 대비 2배 확대하겠다는 목표를 제시했다. 또한 메모리 및 IT 시장을 둘러싼 불확실성이 높은 상황 속에서도, 최첨단 메모리를 중심으로 투자를 이어나가겠다는 뜻을 밝혔다. 삼성전자는 2024년 4분기 연결 기준 매출 75조8천억원, 영업이익 6조5천억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 11.82% 증가했으나, 전기 대비 4.19% 감소했다. 영업이익도 전년동기 대비 129.85% 증가했으나 전기 대비로는 29.30% 감소했다. 이로써 삼성전자의 지난해 연 매출은 300조8천709억원으로 집계됐다. 전년 대비 16.2% 증가한 규모로, 지난 2022년에 이어 역대 두 번째로 높은 매출을 기록했다. 연간 영업이익은 32조7천억원으로 전년보다 398.34% 증가했다. 다만 증권 전망치(34조원)를 하회하는 실적으로, 반도체 사업의 전반적인 부진 및 연구개발비용 증가 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. ■ 올해 HBM·2나노 등 첨단 반도체 양산 집중 삼성전자는 올 1분기에도 반도체 사업이 약세를 보일 것으로 전망했다. 대외적인 불확실성이 지속되고 있고, PC·스마트폰 등 IT 시장 전반에서 수요 회복이 더디기 때문이다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 상용화도 당초 계획 대비 속도가 더디다. 다만 2분기부터는 메모리 수요가 회복될 것으로 전망된다. 고객사 재고 조정이 마무리되면 온디바이스 AI 기반의 신제품이 출시되고, 서버 업계의 인프라 투자 역시 지속될 전망이다. AI 산업 발전에 따른 고성능 시스템반도체 수요도 견조할 것으로 보인다. 이에 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리 비중 확대, GAA(게이트-올-어라운드) 기반의 2나노 공정 상용화 등의 전략을 추진할 계획이다. 특히 올해 HBM 공급량을 전년 대비 2배 늘리겠다는 목표를 세웠다. 삼성전자는 "D램은 HBM3E 개선제품 판매를 확대하고, 올 하반기 내 HBM4를 개발 및 양산해 AI 시장 내 경쟁력을 강화할 것"이라며 "DDR5는 128·256Gb(기가비트) 등으로 고용량화 추세에 대응하고, 낸드는 고용량 eSSD 수요 대응 및 V8·V9로의 전환을 통해 경쟁력을 재고할 것"이라고 밝혔다. 이에 따라 삼성전자의 레거시 메모리 비중은 올해 들어 크게 축소될 것으로 관측된다. 삼성전자는 지난해 DDR4, LPDDR4 매출 비중이 30%대에 달했으나, 올해에는 이를 한 자릿수까지 축소할 계획이다. 최첨단 파운드리 사업을 이끌 2나노 공정은 올해 양산을 시작한다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 2나노 1세대 공정의 1.0 버전 PDK(프로세스 설계 키트)를 고객사에 배포한 바 있다. 나아가 2나노 2세대 공정의 1.0 버전 PDK도 올 상반기 고객사에 배포할 예정이다. 해당 공정의 양산 목표 시기는 2026년이다. ■ 美 트럼프, 中 딥시크 등 변수에 긴밀하게 대응 삼성전자는 전 세계 IT 시장의 최대 변수로 떠오르는 주요 이슈에 대해서도 발빠르게 대응하겠다는 의지를 드러냈다. 삼성전자는 "트럼프 행정부 출범으로 글로벌 통상 환경에 많은 변화가 있을 것으로 예상된다"며 "당사는 전 세계 각지에서 비즈니스를 영위하고 공급망을 운영하는 만큼 이러한 변화에 영향을 받을 수밖에 없다"고 말했다. 회사는 이어 "당사는 미국 대선뿐만 아니라 다양한 지정학적 환경 변화에 따른 기회와 리스크에 대해 다양한 시나리오를 기반으로 분석하고 대비해 왔다"며 "트럼프 행정부 출범 첫날 수십 개의 행정명령과 메모가 발표되는 등 다양한 정책 아젠다와 방향이 제시되고 있는데 당사는 향후 구체적인 정책 입안 과정을 면밀히 지켜보면서 사업 방향을 사업 영향을 분석하고 대응 방안을 마련할 예정이다"고 강조했다. 최근 높은 효율로 주목받은 중국의 AI 모델 '딥시크(Deepseek)'에 대해서는 "당사도 GPU에 들어가는 HBM을 여러 고객사들에게 공급하고 있는 만큼 다양한 시나리오를 두고 업계 동향을 살피고 있다"고 밝혔다. 회사는 "신기술 도입에 따른 업계의 다이나믹스는 항상 변화 가능성이 있고, 현재 제한된 정보로 판단하기는 이르나 시장 내 장기적 기회 요인 및 단기적 위험 요인이 공존할 것으로 예상된다"며 "이에 당사는 업계 동향을 주시하며 급변하는 AI 시장에 적기 대응할 수 있도록 하겠다"고 덧붙였다. ■ 올해도 메모리에 적극 투자…로봇 등 신사업도 준비 삼성전자는 지난해 연간 설비투자 규모로 53조6천억원을 투입했다. 역대 최대 규모였던 지난 2022년(53조1천153억원)을 넘어선 규모다. 사업별로는 DS에 46조3천억원, 디스플레이에 4조8천억원이 투자됐다. 특히 첨단 메모리와 중소형 OLED 디스플레이 경쟁력 강화에 투자가 집중된 것으로 풀이된다. 삼성전자는 HBM에 대한 연구개발 및 생산능력 확대에 주력하고 있으며, 기존 레거시 메모리 공정을 1b(6세대 10나노급) D램, V8·V9 등 첨단 제품으로 전환하고 있다. 삼성전자는 올해에도 메모리에 적극적인 투자를 이어간다는 방침이다. 회사는 "2025년 세부적인 투자 계획은 아직 확정되지 않았으나, 메모리 투자는 전년 수준과 유사할 것으로 전망된다"며 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 연구개발비 투자를 꾸준히 이어갈 것"이라고 밝혔다. 로봇 등 미래 신사업 준비에도 만전을 기하고 있다. 삼성전자는 지난해 12월 31일 국내 최초로 2족 보행 로봇 '휴보'를 개발한 레인보우로보틱스의 최대주주 지위를 확보한 바 있다. 삼성전자는 "레인보우로보틱스를 연결 재무제표상 자회사로 편입해 미래 로봇 개발 가속화를 위한 기반을 구축하게 됐으며, 당사의 AI 및 소프트웨어 기술과 레인보우로보틱스의 로봇 기술을 접목해 지능형 휴머노이드와 같은 첨단 미래 로봇 개발을 신속하고 체계적으로 준비해 나갈 예정"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "당사의 젊고 유능한 로봇 인력을 배치해 글로벌 탑티어 수준의 휴머노이드 개발에 박차를 가하고 있다"며 "로봇 AI가 핵심 기술로 부상하며 미래 로봇의 경쟁력을 좌우할 가능성이 높아짐에 따라 당사 자체적으로 역량을 강화함과 동시에 국내 유망 로봇 AI 플랫폼 업체에 대한 투자 협력을 통해 기술 역량을 확보하고 지속적으로 고도화해 나갈 계획"이라고 강조했다.

2025.01.31 14:57장경윤

삼성전자, 올해 HBM 공급량 전년 대비 '2배 성장' 목표

삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 용량 기준으로 전년 대비 2배 수준으로 확대하겠다고 밝혔다. 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 판매량은 전분기 대비 1.9배 성장했다. 삼성전자의 당초 전망치를 소폭 하회한 수준이다. 다만 최선단 HBM 제품인 HBM3E(5세대 HBM)의 매출 비중이 해당 분기 HBM3를 앞지르는 등의 성과도 거뒀다. 삼성전자는 올해에도 첨단 HBM 전환에 집중할 계획이다. 지난해 하반기부터 준비 중인 HBM3E 12단 개선품을 일부 고객사에 1분기 말부터 양산 공급해, 2분기부터 판매를 본격화할 계획이다. 또한 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사에 발맞춰 HBM3E 16단 샘플을 제작해 고객사에 전달했다. 실제 고객사의 상용화 수요는 없을 것으로 보이나, 기술적 검증 차원에서다. 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM)는 기존 계획대로 올 하반기 양산을 목표로 하고 있다. 나아가 고객사와 차세대 제품인 HBM4E의 상용화를 위한 기술적 협의도 지속하고 있다. 다만 올 1분기 삼성전자의 HBM 사업은 당초 예상 대비 부진한 모습을 보일 가능성도 제기된다. 삼성전자는 "올 2분기 이후 HBM3E 8단에서 12단으로 빠르게 수요가 전환되면서, 올해 HBM의 비트(Bit) 공급량은 전년 대비 2배 수준으로 확대될 것"이라며 "다만 미국의 첨단 반도체 수출 통제와 HBM3E 12단 개선품 발표 이후 기존 고객사의 수요 이동으로 1분기 일시적이 수요 공백이 발생할 것"이라고 밝혔다.

2025.01.31 11:15장경윤

삼성전자 "올해 HBM·2나노 강화하겠다"

삼성전자가 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올 1분기 반도체 사업의 약세가 지속될 것으로 내다봤다. 특히 시스템반도체 분야가 부진할 전망으로, 엑시노스 2500의 상용화 지연이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 이에 삼성전자는 올해 메모리 분야에서는 첨단 공정 기반의 고용량 메모리 비중을 확대하고, HBM(고대역폭메모리) 사업을 강화할 계획이다. 시스템반도체 분야에서는 플래그십 SoC(시스템온칩)의 적기 개발, 2나노 공정 양산 및 안정화 등을 추진할 계획이다. ■ 1분기 첨단 메모리 전환 집중…파운드리·LSI는 부진 지속 올 1분기는 반도체 분야 약세가 지속되면서 전사 실적 개선은 제한적일 것으로 예상되나, 세트 부문에서 AI 스마트폰과 프리미엄 제품군 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. DS부문의 경우, 메모리는 모바일 및 PC 제품의 경우 고객사 재고 조정이 지속될 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 고사양 및 고용량 제품 수요 대응을 위한 첨단 공정 전환을 가속화할 방침이다. D램은 1b 나노 전환을 가속화해 DDR5 및 LPDDR5X(저전력 D램) 공급 비중을 확대하고, 낸드는 V6에서 V8로 공정 전환을 진행하고 서버용 V7 QLC(쿼드레벨셀) SSD 판매를 확대할 계획이다. 시스템LSI는 실적 부진이 지속될 것으로 전망된다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 시장 진입 실기가 주된 영향을 끼쳤다. 다만 플래그십 스마트폰 출시로 이미지센서, DDI(디스플레이구동칩) 등 제품 수요는 증가할 것으로 예상된다. 파운드리는 모바일 수요 부진 및 가동률 저하에 따라 실적 부진 지속이 예상되지만, AI·HPC 등 응용처 및 첨단 공정 수주 확대를 위해 공정 성숙도 향상에 집중할 계획이다. DX부문의 경우, MX는 신모델 출시 효과로 스마트폰 출하량 및 평균판매단가가 상승할 전망이다. 태블릿 출하량은 전분기 대비 동등 수준을 유지할 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 갤럭시 S25 등 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 새로운 AI 경험과 제품 경쟁력을 적극 소구하고, 거래선과 협업을 강화해 AI 스마트폰 시장을 주도할 계획이다. 네트워크는 국내 이동통신사의 망 투자 축소로 매출은 전분기 대비 소폭 감소할 전망이다. VD는 계절적 비수기 진입으로 수요 감소가 예상되는 가운데 ▲QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 고부가가치 제품 시장 수요는 견조할 것으로 전망된다. 차별화된 개인화 경험을 제공하는 '삼성 비전 AI'를 적용해 전략 제품 중심으로 판매를 확대하고 수익성을 강화할 계획이다. 생활가전은 비스포크 AI 프리미엄 제품 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. 또한 하만은 오디오 제품 중심으로 판매를 확대해 전년 대비 매출 성장을 추진할 방침이다. 디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 시장 수요 약세가 예상됨에 따라 실적은 보수적으로 전망하고 있으며, 대형은 향상된 성능의 TV와 고해상도 모니터 등 신제품들을 본격 출시할 예정이다. ■ 올해 반도체 사업 경쟁력, HBM·2나노 등에 초점 메모리는 2분기부터 메모리 수요가 회복세를 보일 것으로 예상되는 가운데, D램과 낸드 모두 시장 수요에 맞춰 레거시 제품 비중을 줄이고 첨단 공정으로의 전환을 가속화할 방침이다. 또한 첨단 공정 기반 ▲HBM ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲GDDR7(그래픽 D램) ▲서버용 SSD 등 고부가가치 제품 비중을 늘려 사업 경쟁력 강화에 집중할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 SoC를 적기에 개발해 고객사의 주요 모델에 신규 적용을 추진할 계획이다. 센서 부문은 2억 화소 등 고화소 수요에 적극 대응해 다양한 응용처로 사업을 확장해 나갈 예정이다. 파운드리는 2나노 공정 양산과 안정화를 통해 고객 수요를 확보하고, 4나노 공정도 경쟁력 있는 공정과 설계 인프라를 강화해 나갈 방침이다. MX는 갤럭시 S25 시리즈의 출시를 통해 차별화된 AI 경험으로 모바일 AI 리더십을 공고히 하고 폴더블은 S25의 AI 경험을 최적화하고 라인업을 강화해 판매를 확대할 방침이다. ▲태블릿 ▲노트 PC ▲웨어러블 ▲XR(eXtended Reality)도 고도화된 갤럭시 AI 기능을 적용해 더욱 풍부한 고객 경험을 제공할 계획이다. 제품 경쟁력 강화와 스펙 향상 등으로 주요 원자재 가격 상승이 예상되나, 갤럭시 AI 고도화와 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성 개선에 집중할 방침이다. 네트워크는 주요 사업자의 추가 망 증설과 신규사업자 수주를 확보하고 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 도입을 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. VD는 주요 이머징 마켓 중심으로 TV 수요가 소폭 증가할 것으로 전망된다. 'Home AI' 비전 아래, 스마트싱스(SmartThings) 기반 연결 경험에 AI 기술을 결합하고 보안 솔루션인 '삼성 녹스(Samsung Knox)'를 확대 적용해 AI 스크린 시장을 주도해 나갈 계획이다. 생활가전은 2025년형 AI 혁신 제품 론칭과 사업구조 개선 등을 통해 수익성 개선에 집중할 계획이다. 하만은 전장 고객사를 다변화하고 성장세가 높은 오디오 제품군 판매 확대를 통해 매출 성장을 추진할 계획이다. 디스플레이는 중소형의 경우 제품 경쟁력 강화로 프리미엄 스마트폰 시장 리더십을 유지하고 대형은 다양한 고성능 TV와 모니터의 판매를 확대할 계획이다.

2025.01.31 10:12장경윤

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다. 특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다. 호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속 다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다. 특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다. SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다. 지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다. 올해도 HBM 등 AI 메모리 전환 집중 이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다. 최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다. SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다. 설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점 SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다. 올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다. M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다. SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 12:06장경윤

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