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'절치부심' 삼성 1b D램 수율 향상 본궤도...HBM 로드맵엔 없어

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 현재 국내 D램 업계는 중국 후발주자들로부터 거센 추격을 받고 있다. DDR5·LPDDR5X(저전력 D램) 등 최선단 분야에서는 여전히 기술 격차가 공고하지만, DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙)는 현지 중국 정부의 막대한 지원 하에 생산량을 확대해 왔다. 특히 중국 최대 메모리 제조업체로인 창신메모리(CXMT)의 약진이 눈에 띈다. CXMT는 D램 생산능력을 2022년 월 7만장에서 2023년 12만장, 올해 20만장 수준으로 늘릴 계획이다. 중국이 D램 출하량을 급격히 확대하는 경우, 삼성전자·SK하이닉스 등 기존 업체들의 매출 및 수익성은 감소할 수밖에 없다. 실제로 삼성전자는 최근 발표한 3분기 잠정실적 자료에서 "중국 메모리 업체의 레거시 제품 공급 증가에 따른 실적 하락"을 언급한 바 있다. ■ 中 추격에 최선단 1b D램 공정 전환 속도 삼성전자는 이 같은 상황을 타개하기 위한 방안으로 '1b D램(5세대 10나노급 D램)'에 주목하고 있다. 해당 D램은 삼성전자가 개발에 어려움을 겪었던 이전 세대 제품, 1a D램의 부진을 만회하기 위해 절치부심의 심정으로 개발한 메모리다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공했다. 생산능력 역시 빠르게 확대할 전망이다. 올해 말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확대하기 위한 투자가 진행되고 있다. 업계 관계자는 "삼성전자도 협력사에 중국 D램 제조기업의 동향을 물어볼 만큼 관련 사안에 관심이 많다"며 "현재 1b D램으로 공정 전환을 서두르는 이유 중 하나가 중국 기업들 때문"이라고 설명했다. 1b D램이 삼성전자에게 더욱 중요한 이유는 AI 산업 확대에 있다. 삼성전자의 32Gb D램은 서버 시장을 메인 타깃으로 개발된 제품으로, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있도록 설계됐다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. ■ 수율 향상 본궤도 올랐지만…HBM 로드맵엔 배제 메모리 경쟁력의 핵심인 수율은 비교적 견조한 수준으로 끌어올린 것으로 관측된다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 올 3분기 말 기준으로 삼성전자 1b D램의 평균 수율은 60%를 넘어선 것으로 전해졌다. 세부적으로 16Gb 제품의 수율은 더 높고, 32Gb 제품 수율은 아직 60% 수준에는 미치지 못한 것으로 알려졌다. 통상 D램 양산에 이상적인 수율(80~90%)보다는 낮지만, 올해 초중반 대비 수율을 향상시키는 데에는 성공했다는 평가다. 다만 삼성전자 1b D램이 HBM(고대역폭메모리) 로드맵에서 배제돼 있다는 점은 한계로 지적된다. 삼성전자는 HBM3와 HBM3E에 1a D램을 채용하고 있다. 경쟁사인 SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램을 채용하고 있다는 점을 감안하면 한 세대 뒤쳐졌다. 반대로 내년 말 양산을 목표로 하고 있는 HBM4와 관련해, 삼성전자는 차세대 1c D램을 적용할 계획이다. 성능 극대화를 위한 전략으로도 볼 수 있으나, 기술적인 면에서도 1b D램이 HBM에 적용될 가능성은 현재로선 매우 낮은 것으로 관측된다. 사안에 정통한 관계자는 "1b D램은 설계 당시부터 HBM 적용을 고려하지 않아, 현재 계획 상에서는 HBM향 개조 등이 어려운 상황"이라며 "범용 D램 쪽에서 수율 향상에 집중하고 있다"고 말했다.

2024.10.17 14:06장경윤

4분기 D램 가격 '주춤'...낸드 가격 8% 하락 전망

4분기 HBM(고대역폭메모리)을 제외한 D램 가격 오름세가 둔화된다는 전망에 이어 낸드플래시 가격이 8% 하락한다는 전망이 추가로 나왔다. 스마트폰, PC 등 소비 시장이 위축되면서 메모리 수요가 감소했기 때문이다. 당분간 메모리 업계는 정체기를 보일 것으로 전망된다. 17일 시장조사업체 트렌드포스는 낸드 평균판매 가격(ASP)은 3분기 5~10% 인상됐지만 4분기에는 3~8% 하락할 것으로 전망했다. 엔터프라이즈 SSD 가격은 유일하게 최대 5% 인상되지만, 성장 동력이 둔화됐다. 이는 지난 3분기 가격이 15~20% 인상된 점과 대조된다. 클라이언트 SSD 가격은 4분기 5~10% 하락할 전망이다. 트렌드포스는 “일부 고객사들의 AI 서버 구축 지연으로 4분기 서버향 SSD 주문이 지난 3분기 대비 줄어들었다”라며 “AI 수요로 인해 엔터프라이즈 SSD는 다른 낸드 제품에 비해 수익성이 더 높기 때문에 낸드 공급업체는 적극적으로 주문을 추진하고 있다”고 말했다. 소비자용 낸드의 가격 하락폭이 가장 크다. 프리미엄 및 플래그십 스마트폰에 주로 사용되는 eMMC와 UFS 가격은 4분기 8~13% 하락할 전망이다. 글로벌 경기 침체로 평균 스마트폰 교체 주기가 2년 미만에서 3년으로 늘어났으며, 시장에는 스마트폰을 교체할 획기적인 애플리케이션이 부족하다. 따라서 스마트폰과 노트북 제조업체는 재고 감소 전략을 채택해 보다 보수적인 낸드 주문으로 이어졌다. 낸드 웨이퍼 가격도 3분기 3~8% 하락한데 이어 4분기에도 10~15% 추가 하락할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 “모듈 제조업체가 과도한 재고를 보유하고 있고 일부 공급업체가 경쟁력을 유지하기 위해 가격 인하 전략에 참여함에 따라 낸드 웨이퍼 가격 하락으로 이어졌다”고 진단했다. 4분기 D램 가격도 침체기를 보일 전망이다. 트렌드포스는 범용 D램 평균가격이 3분기 8~13% 인상됐지만, 4분기에는 전 분기보다 0~5% 증가에 그칠 것으로 내다봤다. 반면 HBM은 AI 서버 시장에서 높은 수요로 4분기 8~13% 인상될 전망이다. 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 3분기 6%에서 4분기에 7%로 증가할 것으로 전망된다. 4분기 PC용 D램과 그래픽용 D램 가격은 전분기와 유사한 수준을 유지하고, 서버용 D램 DDR5는 전분기 대비 0~5% 상승할 전망이다. 스마트폰 수요 감소로 모바일용 D램 가격은 4분기 5~10% 하락이 예상된다. 소비자용 D램 중 DDR5는 4분기 0~5% 하락하고, DDR4 가격은 유지될 전망이다.

2024.10.17 12:40이나리

삼성전자, 업계 최초 12나노급 '24Gb GDDR7 D램' 개발…내년초 상용화

삼성전자가 업계 최초로 12나노급 '24Gb GDDR7(Graphics Double Data Rate) D램' 개발을 완료했다고 17일 밝혔다. 24Gb GDDR7 D램은 업계 최고 사양을 구현한 제품으로, PC, 게임 콘솔 등 기존 그래픽 D램의 응용처를 넘어 AI 워크스테이션, 데이터센터 등 고성능 제품을 필요로 하는 분야까지 다양하게 활용될 것으로 기대된다. 이번 제품은 24Gb의 고용량과 40Gbps 이상의 속도를 갖췄고, 전작 대비 ▲용량 ▲성능 ▲전력 효율이 모두 향상됐다. 삼성전자는 이번 제품에 12나노급 미세 공정을 적용해 동일한 패키지 크기에 셀 집적도를 높였고, 전작 대비 50% 향상된 용량을 구현했다. 또한 PAM3 신호 방식을 통해 그래픽 D램 중 업계 최고 속도인 40Gbps를 구현했으며, 사용 환경에 따라 최대 42.5Gbps까지 성능을 자랑한다. PAM3 신호 방식이란 '-1'과 '0' 그리고 '1'로 신호 체계를 구분해 1주기마다 1.5비트 데이터를 전송하는 방식이다. 삼성전자는 이번 제품부터 저전력 특성이 중요한 모바일 제품에 적용되는 기술들을 도입해 전력 효율을 30% 이상 크게 개선했다. 제품 내 불필요한 전력 소모를 줄이는 클럭(Clock) 컨트롤 제어 기술과 전력 이원화 설계 등을 통해 제품의 전력 효율을 극대화했다. 또한 고속 동작 시에도 누설 전류를 최소화하는 파워 게이팅 설계 기법을 적용해 제품의 동작 안정성도 향상됐다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 부사장은 "삼성전자는 작년 7월 '16Gb GDDR7 D램'을 개발한데 이어 이번 제품도 업계 최초로 개발에 성공해 그래픽 D램 시장에서의 기술 리더십을 공고히 했다"며 "AI 시장의 빠른 성장에 발맞춰 고용량∙고성능 제품을 지속 선보이며 시장을 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 이번 24Gb GDDR7 D램을 연내 주요 GPU 고객사의 차세대 AI 컴퓨팅 시스템에서 검증을 시작해, 내년 초 제품을 상용화할 계획이다.

2024.10.17 08:44장경윤

삼성, 1a D램 재설계 고심…HBM 경쟁력 회복 '초강수' 두나

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 위기를 맞았다. 반도체를 비롯해 가전, MX, SDC 등 전 사업부가 난항을 겪고 있지만, 주력 사업인 메모리 분야가 올 3분기 호황 사이클에서도 빛을 발하지 못했다는 점이 특히 뼈아프다. 그 중에서도 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대한 시장의 실망감은 컸다. 삼성전자는 당초 엔비디아향 HBM3E 공급을 올해 3분기부터 본격화하기 위한 물밑 작업을 진행해 왔다. 그러나 아직까지 8단 제품의 퀄 테스트도 통과하지 못한 상황이며, 12단의 경우 내년 2·3분기까지 지연될 가능성이 농후하다. 삼성전자의 HBM 사업화 지연에는 복합적인 이유가 작용한다. 그러나 근본적으로 HBM의 문제는 코어(Core) 다이인 D램의 문제라는 게 전문가들의 지적이다. 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 연결하는 HBM 구조 상, D램의 성능이 HBM 성능으로 직결될 수밖에 없다. EUV 선제 적용했지만…1a D램 경쟁력 흔들 이러한 관점에서 삼성전자가 D램 기술력 1위의 지위가 크게 흔들린 시점은 '1a D램' 부터로 지목된다. 10나노급 D램은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대) 순으로 진화해 왔다. 1a D램은 선폭이 14나노미터(nm) 수준이다. 삼성전자의 경우 지난 2021년 하반기부터 양산을 시작했다. 삼성전자는 1a D램을 경쟁사 대비 빠르게 양산하지는 못했으나, EUV(극자외선) 등 첨단 기술을 더 적극적으로 도입하는 방식으로 경쟁력을 높이고자 했다. 삼성전자가 1a D램에 적용한 EUV 레이어 수는 5개로, 경쟁사인 SK하이닉스(1개) 대비 많았다. 그러나 이 같은 시도는 현재로선 성공적인 결과로 이어지지 않았다는 평가가 지배적이다. EUV는 기존 노광(반도체에 회로를 새기는 공정) 공정인 ArF(불화아르곤) 대비 선폭 미세화에 유리하다. 때문에 공정 효율성을 높여, 메모리의 핵심인 제조 비용을 저감할 수 있다는 게 EUV가 지닌 장점이었다. 다만 EUV는 기술적 난이도가 높아, 실제 양산 적용 과정에서 공정의 안정성을 떨어뜨리는 요인으로 작용했다. 이로 인해 삼성전자 1a D램의 원가가 당초 예상대로 낮아지지 않았다. D램 설계 자체도 완벽하지 못했다는 평가다. 특히 서버용 제품 개발에서 차질을 겪어, 경쟁사 대비 DDR5 적용 시점이 늦어진 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 지난해 1월 인텔로부터 1a D램 기반의 서버용 DDR5 제품을 가장 먼저 인증받기도 했다. HBM 사업화 지연 속 '재설계' 논의…대변혁 시도하나 삼성전자가 최근 부진을 겪고 있는 엔비디아향 HBM3E 양산 공급에도 1a D램의 성능이 발목을 잡고 있다는 지적이 나온다. 최근 삼성전자는 평택캠퍼스에서 엔비디아와 HBM3E 8단 제품에 대한 실사를 진행한 바 있다. 엔비디아 측은 실사 자체에 대해 별 문제없이 마무리했다. 그러나 HBM의 데이터 처리 속도가 타 제품 대비 낮다는 평가를 내린 것으로 알려졌다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 삼성전자 HBM3E 8단의 데이터 처리 속도(Gbps)는 SK하이닉스·마이크론 대비 10%대 수준으로 떨어진다. 구체적인 수치는 테스트 결과 및 고객사에 따라 차이가 있으나, 1b D램을 활용하는 두 경쟁사 대비 성능이 부족하다는 데에는 이견이 없다. 이에 삼성전자는 전영현 부회장 체제 하에서 서버용 D램 및 HBM의 근원적인 경쟁력 회복을 위한 '초강수'를 고려하고 있다. 전 부회장은 최근 3분기 잠정실적 발표 후 사과문을 통해 "무엇보다, 기술의 근원적 경쟁력을 복원하겠다"며 "기술과 품질은 우리의 생명이며, 결코 타협할 수 없는 삼성전자의 자존심"이라고 언급했다. 또 "단기적인 해결책 보다는 근원적 경쟁력을 확보하겠다"며 "더 나아가, 세상에 없는 새로운 기술, 완벽한 품질 경쟁력만이 삼성전자가 재도약하는 유일한 길이라고 생각한다"고 했다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 최근 삼성전자는 1a D램의 회로 일부를 재설계(revision)하는 방안을 내부적으로 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 한 관계자는 "메모리 전략을 고심 중인 삼성전자가 1a D램을 재설계해야한다는 결론을 내놓고 있다"며 "다만 최종 결정은 나오지 않았고, 이를 위해서는 여러 위험 부담을 안아야하기 때문에 과감한 결단력이 필요한 상황"이라고 설명했다. 실제로 삼성전자가 1a D램을 재설계하는 경우, 제품이 완성되려면 최소 6개월 이상이 소요될 것으로 전망된다. 내년 2분기는 돼야 양산이 가능해지는 셈이다. 재설계가 문제없이 마무리 되더라도, 시장 상황을 고려하면 제품을 적기에 공급하기가 사실상 쉽지 않다. 또 다른 관계자는 "일정이 늦더라도 HBM3E 공급망 진입을 끝까지 시도하느냐, 아니면 HBM3E를 사실상 포기하느냐는 1a D램 개조 여부에 달려있다"며 "전영현 부회장도 이러한 문제점을 인식하고 있기 때문에, 조만간 구체적인 변화가 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

2024.10.15 16:55장경윤

삼성 반도체 위기론에...전직 장관들 "조직문화 바꾸고, 기술 매진해야"

“삼성의 위기는 인텔의 위기와 다르다.” ”삼성은 지난 30년간 D램의 성공을 즐기면서, 조직 긴장도가 떨어져 있었던 것 같다.” ”그동안 경각심이 부족했다. 오히려 지금의 위기가 기회가 될 수 있을 것이다.” 한국경제인협회(이하 '한경협')는 14일 역대 산업부 장관을 초청해 '반도체 패권 탈환을 위한 한국의 과제'란 주제로 특별 대담회를 열었다. 이날 대담회에서 '삼성전자의 위기와 극복을 위한 조언에 대한 질문에 역대 산업부 장관들은 삼성전자가 위기를 돌파하려면, 조직문화를 바꾸고, 기본으로 돌아가 기술 개발에 매진해야 한다고 조언했다. 대담회에는 이윤호 前지경부 장관, 윤상직 前산업부 장관(現법무법인율촌 고문), 성윤모 前산업부 장관(現김앤장 법률사무소 고문, 중앙대 석좌교수), 이창양 前산업부 장관(現카이스트 경영대학원 교수), 이종호 前과기부 장관(現서울대 전기정보공학부 교수) 등이 토론에 참가했고, 황철성 서울대학교 석좌교수가 주제발제와 함께 토론 사회를 맡았다. 이윤호 전 장관은 “삼성이 D램의 성공에 너무 오래 엔조이(enjoy)하면서 조직 긴장도가 많이 떨어져 있지 않나 생각한다”며 “최근 D램 쪽에서 압박을 받고 파운드리가 약화되는 것은 오히려 삼성에 경각심을 불러일으킬 수 있는 좋은 기회”라고 말했다. 이어서 그는 “아마 삼성도 준비하고 있지만 내부적으로 정비하고 새롭게 전략을 짠다면, (위기에서) 빠져나올 저력이 충분히 있다고 본다”고 덧붙였다. 윤상직 전 장관은 “삼성위 위기는 인텔의 위기와 다르다. 최근 삼성은 위기 극복을 위해 근원적인 기술 경쟁력을 제공하겠다고 밝혔는데, 이를 어디서부터 출발해야 하는 것인지 잘 진단해야 한다”고 말했다. 이어서 그는 “반도체는 생태계 싸움이다. 삼성은 생태계를 만들어야 하고, 무엇보다 조직문화를 바꿔야 한다”고 강조했다. 이창양 전 장관은 “삼성은 크게 도약하기 위한 내부 정리와 새로운 목표 설정들을 시도할 때다”라며 “삼성전자는 오픈 이노베이션이 취약하고, 개방된 혁신이 부족하다”고 지적했다. 이어 그는 “선두에 선 기업은 앞에 무슨 일이 벌어질지 모르기 때문에 경영 안테나가 필요하다. 안테나 능력이 취약하면 뒤에 무슨 일이 벌어지는지 예측하는 데 둔감해질 수 있다”고 말했다. 이 장관은 삼성은 안테나를 높게 세우고 경쟁사들이 뭘 하고 있는지 예시하면서, 그 중에서 좋은 기술이 있으면 받아 들어야 한다고 조언했다. 필요시에는 인수합병(M&A)과 협력을 발휘해야 한다는 주장이다. 이종호 전 장관은 협업을 강조했다. 그는 “삼성은 유의미한 산업협력을 제대로 해야한다. 앞으로 어떤 기술이 나올지, 어떻게 될지를 한 회사에서 다 하기는 어려운 시대가 됐다. 회사와 출연 연구소, 또는 대학 사이에 장벽을 낮추고 하나가 돼서 체계적으로 소통하고 협력한다면 어려움을 슬기롭게 잘 타개할 수 있을 것으로 생각한다”고 말했다. 성윤모 전 장관은 결국에는 기본으로 돌아가서 기술 개발에 매진해야 한다고 조언했다. 그는 “삼성은 D램 초격차를 가지고 30년 동안 1등을 해온 저력을 가지고 있는 기업이다. 어려움에 닥쳤을 때 우리가 선택하고 갈 수 있는 길은 기본으로 돌아가는 것”이라며 “현재 사업과 계획이 방향에 맞게 하고 있는 건지, 하고 있는 속도가 맞는 건지, 끊임없이 점검하고 반성하고 새로운 도전을 해야한다”고 강조했다. 한편, 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적에서 시장 기대치에 못미치는 실적을 내면서 반도체 위기론이 커지고 있다. AI 메모리로 부상한 고대역폭메모리(HBM)에서는 SK하이닉스에 밀렸고, 파운드리 사업에서는 1위인 대만 TSMC와 점유율 격차가 더 벌어진 상태다. 잠정실적 발표 후 반도체 사업 수장인 전영현 DS부문 부회장은 이례적으로 “시장의 기대에 미치지 못하는 성과로 걱정을 끼쳐 고객, 투자자, 임직원에게 송구하다”며 사과문을 직접 발표하며 “기술 경쟁력 복원해, 극복에 앞장서겠다”고 밝혔다.

2024.10.14 18:42이나리

"삼성·TSMC 모두 적용"…AMAT, 2나노향 최초 신기술 꺼냈다

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 2나노미터(nm) 이하 등 차세대 반도체 제조를 위한 공정 기술을 공개했다. 특히 AMAT가 업계 최초로 상용화한 구리 배선 기술의 경우, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 기업의 양산 공정에 이미 적용된 것으로 알려졌다. 14일 AMAT코리아는 서울 선릉 세바시X데마코홀에서 미디어 라운드 테이블을 열고 회사의 신규 구리 배선 및 저유전체 기술을 발표했다. ■ '초미세' 공정용 구리 배선 기술로 삼성전자·TSMC 공략 이날 AMAT는 2나노 공정 구현을 위한 구리 칩 배선 기술을 강조했다. 2나노 공정은 반도체 업계에서 '초미세' 영역에 해당하는 기술이다. 전 세계 주요 파운드리인 삼성전자, TSMC, 인텔 등이 내년부터 본격적으로 2나노 공정을 본격적으로 양산할 계획이다. AMAT는 이를 위해 '엔듀라 쿠퍼 배리어 써드 IMS'를 개발했다. 배선 공정은 반도체 회로 패턴에 전기가 잘 통하는 성질의 금속을 도금하는 공정을 뜻한다. 해당 금속으로는 구리가 주로 쓰이며, 구리가 잘 배선될 수 있도록 틀을 잡아주는 역할의 라이너·배리어 2개 층을 입힌다. 그러나 회로 선폭이 줄어들면서 배선 공정도 기술적인 한계점에 부딪히고 있다. 선폭이 미세화될수록 배선되는 구리의 두께도 얇아져야 하는데, 구리의 함량이 너무 많이 줄어들면 전기의 저항성이 높아지기 때문이다. 배리어 층의 간격이 짧아져 간섭이 발생한다는 문제도 있다. 이는 칩의 전력효율성 및 신뢰성을 감소시키는 결과로 이어진다. AMAT가 제시한 해결 방안은 라이너의 두께를 대신 줄이는 것이다. 기존 라이너에는 코발트 소재가 쓰였는데, 30옹스트롬(1옹스트롬 당 0.1나노미터) 정도의 두께다. 반면 AMAT는 라이너 소재로 기존 코발트에 '루테늄'을 더해 라이너 두께를 20옹스트롬 수준으로 줄였다. 이를 통해 표면 물성을 개선하고, 전기 배선 저항을 최대 25%까지 낮췄다. AMAT는 코발트, 루테늄 증착 등을 비롯한 6개의 공정을 하나의 고진공 시스템(IMS)으로 조합해, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 업체의 양산용 공정에 공급하는 데 성공했다. 이은기 AMAT 박막기술총괄은 "AMAT의 차세대 구리 배선 기술은 2나노 이하의 최선단 공정과 그 너머까지 지원할 수 있다"며 "학계에서 연구된 바는 있으나 이를 양산 공정에 적용한 것은 AMAT가 업계 최초"라고 설명했다. ■ 향상된 Low-k 소재 개발…"3나노서 이미 적용 중" 또한 AMAT는 차세대 반도체 기술인 3D 적층을 위한 신규 Low-k(저유전율) 유전체소재에 대해 발표했다. 유전체는 구리를 배선하기 전에 먼저 증착되는 소재로, 배선 사이의 간섭을 막는 역할을 담당한다. 3D 적층은 기존 수직으로 집적하던 트랜지스터를 수직으로 적층하는 기술이다. 기존 반도체 미세화 공정의 한계를 뛰어넘는 대안 기술로, 삼성전자가 2030년께 상용화를 목표로 한 3D D램, GAA(게이트-올-어라운드)를 한층 발전시킨 '3DSFET' 등이 대표적인 사례다. 3D 적층을 구현하기 위해서는 유전율을 낮추는 것이 핵심이다. 유전율이란 동일한 전압에서 전하를 얼마나 잡아둘 수 있는지 나타내는 척도다. 유전율이 낮으면 전기 저항이 낮아 전류를 빠른 속도로 흐르게할 수 있다. 이를 활용하면 전하의 축적량을 낮춰, 각 배선 사이에 발생할 수 있는 간섭 현상을 줄이고 전력 소비량을 줄일 수 있다. 덕분에 3D 칩과 같이 배선이 빼곡하게 들어서는 구조에 적합하다는 평가를 받고 있다. AMAT는 이 Low-k 유전체를 '블랙다이아몬드' 라는 브랜드명으로 개발해 왔다. 이번에 공개한 신규 물질은 실리콘과 탄소 등을 포함한 'SiCoH'를 기반으로 한다. 이은기 총괄은 "특정 고객사는 신규 블랙다이아몬드 물질을 3나노 파운드리 공정에 이미 적용해 사용 중"이라며 "선도적인 로직 및 D램 제조기업들의 채택되고 있음은 물론, 향후에는 BSPDN(후면전력공급)와 같은 차세대 기술에도 적용될 수 있다"고 설명했다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 삼성전자의 경우 차세대 2나노 공정, 3D D램 등에 적용할 것으로 기대된다. 한편 삼성전자, TSMC 등 고객사들도 AMAT의 차세대 공정 솔루션에 깊은 관심을 기울이고 있다. 김선정 삼성전자 파운드리 개발팀 상무는 "패터닝 발전이 소자의 지속적인 스케일링을 견인하고 있으나 인터커넥트 배선 저항, 정전용량, 신뢰성 등 풀어야 할 과제가 남아있다"며 "삼성은 이 문제를 해결하기 위해 스케일링의 이점을 가장 진보한 공정까지 확대하는 다양한 재료 공학 혁신을 채택하고 있다"고 밝혔다. 미위제 TSMC 수석부사장은 "AI 컴퓨팅의 지속 가능한 성장을 위해 반도체 업계는 에너지 효율적인 성능을 획기적으로 개선해야 한다"며 "인터커넥트 저항을 낮추는 신소재는 다른 혁신과 함께 전반적인 시스템 성능과 전력을 개선하며 반도체 산업에서 중요한 역할을 할 것"이라고 강조했다.

2024.10.14 13:26장경윤

'HBM 부진' 인정한 삼성전자, 설비투자 눈높이도 낮춘다

삼성전자가 내년 말 HBM(고대역폭메모리)의 최대 생산능력(CAPA) 목표치를 당초 월 20만장에서 월 17만장 수준으로 하향 조정한 것으로 파악됐다. 최선단 HBM의 주요 고객사향 양산 공급이 지연되는 현실에 맞춰 설비투자 계획 또한 보수적으로 접근하려는 것으로 보인다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 내년도 말까지 확장하기로 한 HBM의 최대 생산능력 목표치를 10% 이상 낮출 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM의 생산능력을 확대하기 위해서는 이 TSV를 비롯한 첨단 패키징 설비가 필요하다. 지난 2분기까지만 해도 삼성전자는 HBM의 생산능력을 올해 말 월 14만~15만장으로, 내년 말 최대 월 20만장으로 늘리는 계획을 세웠다. SK하이닉스 등 주요 경쟁사가 HBM 생산량을 늘리는 데 따른 대응 전략, 엔비디아 등 주요 고객사향 퀄(품질) 테스트가 곧 마무리될 것이라는 긍정적인 전망 등을 반영한 결과다. 그러나 올 하반기 들어 상황이 변했다. 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 8단 및 12단 제품의 엔비디아향 퀄 테스트 통과가 당초 예상보다 지연되면서, 삼성전자는 올 연말 HBM 생산량 계획을 보수적으로 조정했다. HBM용 설비투자도 현재 상황을 반영해 안정적으로 잡았다. 내년 말까지 HBM 생산능력 목표치를 월 20만장에서 월 17만장으로 줄이고, 월 3만장 수준의 축소분은 추후에 투자하는 것으로 방향을 바꾼 것으로 파악됐다. 용량 기준으로는 내년 말까지의 HBM 생산능력이 130억대 후반 Gb(기가비트)에서 120억Gb 수준으로 낮아진 셈이다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 HBM 사업 부진에 따라 설비투자 속도를 늦추기로 한 것으로 안다"며 "향후 엔비디아향 양산 공급이 확정돼야 추가 투자에 대한 논의가 진행될 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "HBM3E 8단을 3분기 중 양산 공급하고, 12단은 여러 고객사의 양산 일정에 맞춰 하반기 공급할 예정"이라고 밝힌 바 있다. HBM 매출에서 HBM3E가 차지하는 비중도 3분기 10%, 4분기 60%로 빠르게 늘어날 것으로 내다봤다. 그러나 이 같은 전망은 엔비디아향 퀄 테스트 지연으로 사실상 달성이 어려워진 상황이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 마무리하는 등 진전을 이루기도 했으나, 여전히 확실한 성과는 나오지 않았다. 이에 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적 발표에서 "HBM3E의 경우 예상 대비 주요 고객사향 사업화 지연"을 공식화하기도 했다.

2024.10.10 10:07장경윤

4분기 HBM 가격만 오른다…나머지 D램은 '주춤'

올해 4분기 인공지능(AI) 반도체용 고대역메모리(HBM)를 제외한 D램 메모리 가격은 오름세가 둔화될 것으로 전망됐다. 10일 시장조사업체 트렌드포스는 4분기 PC, 모바일 등 범용 메모리 수요가 감소하면서 범용 D램 가격이 전분기 보다 0~5% 상승하는 데 그칠 것으로 전망했다. 반면 AI 서버 시장에서 높은 수요를 보이고 있는 HBM 가격은 4분기에 8~13% 인상될 전망이다. 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 3분기 6%에서 4분기에 7%로 증가할 것으로 전망된다. 트렌드포스는 “소비자용 메모리 수요가 약화되면서 AI 서버용 메모리가 성장을 주도하고 있다”며 “HBM 생산이 기존 D램 용량을 대체하면서 공급업체는 계약 가격 인상에 대한 강경한 입장을 유지하고 있다”고 말했다. 시장별 D램 가격을 살펴보면, PC용 D램 가격은 전분기와 유사한 수준을 유지할 것으로 보인다. 3분기 PC 시장은 인텔의 루나레이크 시리즈가 출시 지연과 소비 시장 위축으로 인해 전통적인 성수기에도 불구하고 침체기를 겪었다. 이로 인해 PC용 D램 재고가 많아지면서 4분기에도 구수요가 감소할 것으로 예상된다. 서버용 D램은 전분기 대비 0~5% 상승할 전망이다 미국 클라우드서비스업체(CSP)들은 재고가 많아지면서 서버용 D램 구매를 줄였고, 중국 시장은 회복세를 보이고 있지만 여전히 전반적인 수요를 견인하기에 부족한 상황이다. 다만 최근 DDR5 모멘텀이 개선됨에 따라 전체 서버 D램 비트 출하량이 4분기에 개선될 가능성이 있다. 모바일용 D램 가격은 4분기 5~10% 하락이 예상된다. 트렌드포스는 스마트폰 브랜드는 3분기에 기존 모바일 D램 재고를 줄이면서, 지연된 조달 전략을 통해 공급업체 가격 조정에 저항했다”라며 “이로 인해 모바일 D램 수요가 순차적으로 30% 이상 감소했고, 이런 방식이 4분기에도 이어질 것”으로 내다봤다. 그래픽 D램 가격은 평년 수준을 유지할 것으로 보인다. 4분기 그래픽 수요는 여전히 부진한 가운데 메모리 공급업체는 그래픽 D램을 생산하던 캐파를 점점 HBM으로 할당하면서 GDDR 생산에 보수적인 전략을 유지하고 있다. 소비자용 D램 중 DDR5는 4분기 0~5% 하락하고, DDR4 가격은 유지될 전망이다. DDR3는 수요가 급격하게 감소하면서 시장에 과잉 공급이 발생했으며, 일부 공급업체는 출하 목표를 충족하기 위해 4분기에 가격을 인하할 가능성이 있다. DDR4는 중국 제조업체의 생산량 증가로 인해 가격 하락 가능성이 상존하고 있다.

2024.10.10 09:46이나리

메모리 사이클 둔화...삼성전자 3분기 영업익 전망치 하회할 듯

삼성전자 3분기 실적이 증권가 전망치 보다 하회해 매출 80조원대, 영업이익 10~11조원대를 기록할 전망이다. AI 메모리 수요 강세에도 불구하고 메모리 사이클 둔화, 하반기 플래그십 스마트폰 판매 부진 등이 요인으로 분석된다. 삼성전자는 오는 8일 잠정실적 발표를 앞두고 있다. 6일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 삼성전자는 3분기 매출 81조3천88억원, 영업이익은 11조379억원을 기록하며 전년 보다 각각 20.6%, 353% 증가할 전망이다. 하지만 최근 증권가에서는 삼성전자 실적 기대치를 계속 낮추고 있다. 지난 4일 IBK투자증권은 3분기 매출액 전망치를 기존 82조9천520억원에서 80조3천470억원으로, 영업이익은 13조1천480억원에서 10조1천580억원으로 각각 하향 조정했다. 앞서 지난 2일 신한투자증권은 3분기 매출액 81조원, 영업이익은 10조2천억원으로 기존 전망치 보다 낮췄다. 삼성전자는 2022년 4분기 영업이익이 10조원 밑으로 떨어진 이후, 메모리 업황 개선으로 지난 2분기 7개 분기 만에 10조원대로 회복한 바 있다. 당시 기대치를 크게 웃도는 어닝 서프라이즈였기에 이번 3분기에도 증권가의 기대감이 컸지만, 최근 범용 메모리 출히량 부진과 가격 하락에 따라 전망치를 조정했다. ■ 레거시 메모리 출하량 둔화…시스템LSI·파운드리 적자 지속 3분기 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5조4천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원)와 비교해서 16% 감소할 전망이다. 메모리를 제외한 시스템반도체, 파운드리 사업은 적자가 지속되고 있다. 증권가에 따르면 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 4조4억원, 낸드 1조5천억원을 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원으로 추정된다. 김형태 신한투자증권 연구원은 “구형(레거시) 메모리 수요 둔화, 전 분기 대비 비메모리 적자 폭 확대, 경쟁사 대비 늦은 고대역폭메모리(HBM) 시장 진입까지 반도체(DS) 부문 우려가 가중되고 있다"며 “3분기 DS 부문은 일회성 비용, 재고평가손실 충당금 환입 규모 축소로 전 분기 대비 영업이익이 감소했다”고 분석했다. 김동원 KB증권 연구원은 “3분기 스마트폰, PC 판매 부진으로 메모리 모듈 업체들의 재고가 12~16주로 증가하며 하반기 메모리 출하량과 가격 상승이 당초 기대치를 하회할 것으로 전망된다”며 “반면 HBM, DDR5 등 AI 및 서버용 메모리 수요는 여전히 견조한 것으로 파악된다”고 덧붙였다. 실제로 시장조사업체 램익스체인지가 지난 1일 발표한 메모리 고정거래가격에 따르면 9월 PC용 D램 범용 제품 'DDR4 1Gx8′의 평균 고정 거래가격은 전월 대비 17.7% 감소한 1.7달러를 기록했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락한 것으로 집계된다. 박유학 키움증권 연구원은 “높아진 고객 재고로 인해 3분기 메모리 출하량이 전분기 대비 D램 2%, 낸드 5% 감소가 예상되지만, 전체 가격상승이 이를 상쇄하며 실적 성장을 견인할 것으로 보인다”며 “D램 평균가격이 전분기 대비 8%, 낸드 3% 각각 증가했다”고 밝혔다. ■ 디스플레이·모바일 소폭 상승…가전·TV는 작년과 비슷 3분기 모바일(MXㆍNW) 영업이익은 2조6천억원으로 지난해(2조2천300억원)와 비슷할 전망이다. 다만, 삼성전자가 하반기 반등을 노리며 출시한 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈의 판매량은 기대치를 충족하지 못한 것으로 파악된다. 생활가전과 영상디스플레이 사업부문 영업이익은 4천억원으로 전년 동기와 유사하거나 소폭 성장이 예상된다. 삼성디스플레이는 아이폰16, 갤럭시Z6 등 고객사의 신제품 스마트폰 출시 효과로 3분기 영업이익이 1조4천억원으로 전년 동기 영업이익(1조1천억원) 보다 증가한 것으로 보인다. 하만 3분기 영업이익은 3천억원으로 전년(4천500억원)보다 감소할 전망이다.

2024.10.06 09:00이나리

삼성전자, 엔비디아향 HBM3E 공급 '칠전팔기'…평택서 실사 마무리

삼성전자와 엔비디아가 최근 진행된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 관련 실사(Audit)를 차질없이 마무리한 것으로 파악됐다. 제품의 양산 공급이 당초 예상보다 늦어지는 가운데, 기존 제기된 품질 문제를 해결했다는 점에서 긍정적인 평가가 나온다. 다만 이번 실사는 HBM 공급을 위한 중간 과정으로, 최종적인 퀄(품질) 테스트로 직결되는 사안은 아니다. 때문에 양사 간 HBM3E 사업 전망에 대해서는 조금 더 지켜봐야 한다는 의견도 적지 않다. 2일 업계에 따르면 엔비디아는 지난달 말 삼성전자 평택캠퍼스를 찾아 HBM에 대한 실사를 진행했다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "엔비디아가 최근 평택캠퍼스를 방문해 8단 HBM3E에 대한 실사를 진행했다"며 "최근 대두됐던 HBM 품질 문제는 이번 실사에서 해결이 된 것으로 가닥이 잡혔다"고 설명했다. HBM3E는 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 8단 및 12단 제품을 엔비디아에 공급하기 위한 퀄 테스트를 지속해 왔다. 당초 업계에서는 8단 제품이 8~9월 결과가 나올 것으로 예상해 왔으나, 공식적인 퀄 승인은 아직 나오지 않은 상황이다. 주로 전력(파워) 미흡이 발목을 잡은 것으로 알려졌다. 실사는 고객사가 제조사의 팹을 방문해 양산 라인 및 제품 등을 점검하는 행위다. 업계에서는 퀄 테스트 통과 이전에 거쳐야 하는 관례적인 수순으로 본다. 이번 실사로 삼성전자는 8단 HBM3E에 대한 내부적인 양산 준비를 차질없이 완료할 수 있을 것으로 관측된다. 다만 실사는 엔비디아향 퀄 테스트 결과와는 무관하다. 퀄 테스트에서는 HBM 자체만이 아니라 시스템반도체와 결합되는 패키징 단계에서의 수율·성능 등을 추가로 검증해야 한다. 때문에 삼성전자 HBM3E가 엔비디아의 고성능 AI 가속기인 'H200'·'B100' 등에 곧바로 대량 공급될 가능성은 현재까지 조금 더 두고 봐야한다는 분석된다. 이보다는 저가형 커스터머 칩 등 비(非) 주력 제품에 먼저 적용되는 방안이 유력하다는 게 업계 전언이다. 실제로 삼성전자는 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 H200에서 성능을 낮춘 'H20' 칩에 올해 HBM3를 공급한 바 있다. 업계 한 관계자는 "가장 최근 진행된 실사에서 HBM3E의 품질 문제를 해결한 것은 긍정적인 신호"라면서도 "본격적인 양산 공급을 위한 최종 퀄 테스트 통과는 지속 연기돼 온 만큼, 실제 영향은 조금 더 지켜봐야 한다"고 설명했다.

2024.10.02 15:13장경윤

기세 꺾인 메모리…D램·낸드 가격 '두 자릿 수' 하락

D램·낸드 등 메모리의 고정거래가격이 지난달 전월 대비 두 자릿 수 하락한 것으로 나타났다. IT 시장의 수요 회복세가 부진한 데 따른 영향으로, 올 4분기 D램 가격은 보합세에 접어들 전망이다. 30일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 9월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 평균 1.70 달러로 전월 대비 17.07% 감소했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락했다. 앞서 D램·낸드 가격은 지난해 중반까지 가격이 지속 하락한 뒤, 4분기부터 본격적인 반등세에 접어들었다. 그러나 지난달 D램 가격은 전월 대비 -2.38% 하락했으며, 낸드는 지난 3월부터 지난달까지 보합세를 유지한 바 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "PC 제조사들은 수요 반등이 부족하다는 점을 반영해 여전히 전체 재고 수준을 상대적으로 높게 유지하고 있다"며 "4분긴 PC 출하량은 전분기 대비 3.8% 감소할 것으로 예상되며, 이는 당초 예상치인 0.8% 감소에 비해 하향 조정된 수치"라고 설명했다. 이에 따라 트렌드포스는 올 4분기 PC용 D램 모듈의 가격 전망을 당초 전분기 대비 3~8% 증가에서 '보합세(Flat)'로 하향했다. 이는 DDR4와 DDR5 모두 해당된다. PC 제조사들의 재고 감축 기조와 국내 D램 제조업체들의 점유율 확대 전략 등이 영향을 미치고 있다. 낸드의 경우 TLC(트리플 레벨 셀)의 계약 및 현물 가격 하락으로 SLC(싱글), MLC(멀티) 제품까지 연쇄적인 하락세가 나타났다. 트렌드포스는 "중국 내 경제 부진과 지방 정부의 지출 둔화 등으로 10월에도 SLC 및 MLC 제품의 가격이 지속 하락할 가능성이 높다"고 밝혔다.

2024.10.01 12:00장경윤

SK하이닉스, TSMC 포럼서 HBM3E·엔비디아 H200 나란히 전시...동맹 강조

SK하이닉스가 25일(미국시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 TSMC OIP 에코시스템 포럼 2024(이하 OIP 포럼)에서 HBM3E와 엔비디아 H200 칩셋 보드를 함께 전시해 TSMC와 전략적 파트너십을 강조했다. 아울러 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(이하 DDR5 RDIMM(1cnm))을 세계 최초로 공개해 주목을 받았다. OIP는 TSMC가 반도체 생태계 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다. TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 미국, 일본, 대만 등 세계 각국에서 OPI 행사를 개최한다. SK하이닉스는 올해 처음으로 이 행사에 참여했다. 'MEMORY, THE POWER OF AI'를 주제로 ▲글로벌 No.1 HBM ▲AI·데이터센터 솔루션 등 두 개 섹션을 꾸리고 HBM3E, DDR5 RDIMM(1cnm), DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리를 선보였다. 특히 글로벌 No.1 HBM 섹션에서는 'HBM3E'와 엔비디아 'H200'을 공동 전시하며 '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. 'HBM3E 12단'은 36GB(기가바이트) 용량과 초당 1.2TB(테라바이트) 속도를 자랑하는 AI 메모리다. 성능 검층을 마친 HBM3E 12단은 H200의 성능을 크게 향상시킬 것으로 기대된다. AI/데이터센터 솔루션 섹션에서는 'DDR5 RDIMM(1cnm)' 실물을 처음으로 공개해 많은 관심을 모았다. DDR5 RDIMM(1cnm)은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 낸다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대를 모은다. 이외에도 회사는 128GB 용량 및 초당 8.8Gb 속도의 'DDR5 MCRDIMM*'과 256GB 용량 및 초당 6.4Gb 속도의 'DDR5 3DS RDIMM' 등 고성능 서버용 모듈을 전시했다. 또, LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 'LPCAMM2', 세계 최고속 모바일 D램 'LPDDR5T' 등 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품과 함께 차세대 그래픽 D램 'GDDR7'까지 선보였다. MCRDIMM은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품이다. 이병도 SK하이닉스 TL(HBM PKG TE)은 'OIP 파트너 테크니컬 토크' 세션에서 "TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 계획"이라고 설명했다. 한편, SK하이닉스는 이번 행사를 'AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리'라고 평가했다. 회사는 앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침이다.

2024.09.26 15:57이나리

SK하이닉스, 12단 HBM3E 세계 첫 양산…엔비디아 공략 속도

SK하이닉스가 현존 HBM(고대역폭메모리) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM3E는 5세대 제품에 해당된다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다. 회사는 양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한지 6개월만에 또 한번 괄목할 만한 성과를 거뒀다. SK하이닉스는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어HBM3E까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업”이라며 "높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 강조했다. 회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다. 우선 회사는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다. 회사는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV(실리콘관통전극) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. 여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. 회사는 자사 핵심 기술인 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 기술이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 우수해 안정적인 HBM 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 “당사는 다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.

2024.09.26 09:57장경윤

마이크론, '반도체 겨울' 전면 반박…"내년 HBM 등 성장"

미국 반도체기업 마이크론이 증권가 컨센서스를 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 시장이 약세를 보일 것이라는 우려를 뒤집은 것으로, 회사는 내년에도 고대역폭메모리(HBM) 등이 견조한 성장세를 거둘 것이라고 전망했다. 마이크론은 2024 회계연도 4분기(6~8월) 77억 5천만 달러 매출을 기록했다고 26일 발표했다. ■ D램·낸드 모두 호조세…어닝 서프라이즈 기록 이번 분기 매출은 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 93% 증가한 수치다. 이로써 마이크론의 2024 회계연도 전체 매출은 251억 달러로, 작년에 비해 62% 증가한 것으로 집계됐다. 4분기 매출도 시장 예상치를 크게 웃돌았다. 최근 증권가에서는 마이크론의 이번 분기 예상 매출액을 76억6천만 달러 수준으로 하향 조정한 바 있다. 인공지능(AI)을 제외한 범용 메모리 수요 부진, 중국 후발주자들의 생산량 확대 등이 주요 근거였다. 그러나 마이크론은 예상보다 견조한 매출을 달성했다. 해당 분기 주당 순이익(비GAAP 기준)도 1.18달러로 마이크론 및 증권가의 예상치였던 1.11달러를 모두 넘어섰다. 산제이 메흐로트라 최고경영자(CEO)는 "강력한 AI 수요가 서버용 D램과 HBM 등의 성장을 견인했고, 낸드 분야도 서버용 eSSD 매출이 처음 10억 달러를 돌파하는 등 호조세를 보였다"며 "2025 회계연도에도 기록적인 매출을 예상한다"고 밝혔다. 마이크론이 제시한 2025 회계연도 1분기(2024년 9~11월) 매출 전망치는 85억~89억 달러다. 시장 예상치였던 83억 달러를 넘어서는 범위다. 주당순이익도 시장 예상치인 1.52달러를 웃도는 1.68~1.82달러의 전망을 제시했다. 이외에도 마이크론은 EUV(극자외선) 공정 기반의 최선단 D램 시생산이 순조롭게 진행 중이며, 현재 1b(5세대 10나노급 D램), 9세대 낸드 생산 비중이 급증하고 있음을 강조했다. ■ HBM 등 메모리 공급 과잉 우려 '일축' 최근 모건스탠리, BNP파리바 등 해외 주요 증권사들은 메모리 시장에 '겨울'이 오고 있다는 의견을 내놨다. D램 가격이 내년 하락세로 전환하고, HBM 시장도 과잉 공급 체제로 기울 것이라는 게 핵심 근거였다. 그러나 마이크론은 향후 메모리 및 HBM 시장 전망에 대해 긍정적인 견해를 내비쳤다. 마이크론은 HBM 매출이 2023 회계연도 40억 달러 수준에서 2025 회계연도 250억 달러까지 성장할 것으로 내다봤다. HBM이 D램에서 차지하는 비중도 비트(Bit) 기준 1.5%에서 6%로 성장할 것으로 예상했다. 메모리 공급 전망에 대해서는 "올해 D램과 낸드 업계의 웨이퍼 용량이 2022년 최고치를 기록했을 때보다 낮을 것"이라며 "HBM 비중 증가와 차세대 낸드 공정 전환 등으로 내년 메모리 업계의 공급·수요 균형은 건전할 것"이라고 밝혔다. 한편 2024 회계연도 마이크론의 설비투자 규모는 약 81억 달러를 기록할 전망이다. 2025 회게연도 설비 투자는 매출 대비 약 30% 중반대의 비율로 의미 있는 수준으로 높아질 것으로 예상했다. 해당 설비투자의 대부분은 미국 그린필드 팹과 HBM 분야에 집중된다.

2024.09.26 09:07장경윤

삼성·SK '반도체 겨울' 보고서 논란…마이크론 실적 발표 주목

미국 마이크론이 곧 진행할 분기 실적발표에 업계의 이목이 쏠리고 있다. 모건스탠리가 최근 SK하이닉스를 중심으로 주요 메모리 제조 기업의 목표주가를 크게 하향조정하면서, 반도체 업계의 혼란이 가중되고 있기 때문이다. 모건스탠리가 내세운 주요 근거는 크게 범용 D램의 가격 하락세, 내년도 HBM 시장의 공급 과잉 등이다. 다만 업계에서는 모건스탠리의 주장이 과장됐다는 의견이 우세하다. 마이크론 역시 최근 실적발표에서 내년도 HBM 물량의 안정적인 공급 등을 강조한 바 있어, 이번 실적발표에서 어떠한 발언을 꺼낼지 귀추가 주목된다. 21일 업계에 따르면 미국 마이크론은 25일(현지시간) 2024 회계연도 4분기(6~8월) 실적발표를 진행할 예정이다. 마이크론은 D램에서 3위, 낸드에서 4~5위의 시장 점유율을 기록하고 있는 미국 주요 메모리 제조업체다. 특히 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업과 더불어 최선단 HBM(고대역폭메모리)를 제조할 수 있는 역량을 보유하고 있다. 때문에 마이크론의 실적 발표는 국내 메모리 업계의 동향을 미리 파악할 수 있는 지표로 활용돼 왔다. 특히 범용 메모리 및 HBM 시장에 대한 불확실성이 커진 지금, 마이크론의 매출 및 전망에 업계의 이목이 쏠리고 있다. 반도체 업계 관계자는 "최근 소비자용 IT 기기 수요 부진, 중국 후발 주자업체들의 진입 등으로 범용 D램 및 낸드에 대한 과잉 공급 우려가 커지고 있다"며 "이러한 상황에서 마이크론이 보수적인 설비투자 전략, HBM 시장 전망 등을 미리 언급한다면 업계의 불안도 상당 부분 줄어들 것"이라고 설명했다. 앞서 마이크론은 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 68억1천만 달러의 매출로 시장의 예상치 (66억7천만 달러)를 상회했다. 당시 마이크론은 "당사의 HBM은 2024년 및 2025년까지 이미 매진됐다", "2024년 산업의 D램과 낸드 공급은 모두 수요를 따라가지 못할 것", "DDR5 대비 웨이퍼를 3배나 소비하는 HBM의 생산량 증가가 D램 증가를 제한할 것"이라고 말하는 등 향후 시장 전망을 긍정적으로 발표한 바 있다. ■ 모건스탠리 '반도체 겨울'說 논란…마이크론 실적 발표 이목 집중 특히 모건스탠리는 지난 주 '겨울이 다가온다(Winter Looms)' 리포트를 발간하면서 메모리 시장이 당초 예상보다 부진할 것이라는 전망을 내놨다. 국내 SK하이닉스의 경우 투자 의견을 비율 확대(overweight)에서 비율 축소(underweight)로 두 단계 하향 조정했다. 목표 주가는 26만 원에서 12만 원으로 54% 낮췄다. 삼성전자의 목표주가도 10만5천 원에서 7만6천 원으로 27.6% 하향조정했다. 주요 근거는 ▲D램 가격의 내년 하락세 전환 전망 ▲내년 HBM 시장의 공급 과잉 우려다. 모건스탠리는 "AI향을 제외한 IT 수요 부진으로 D램 평균판매가격(ASP)이 올 4분기 고점을 찍고 내년 1분기부터 하락할 것"이라며 "HBM 시장도 내년 공급량이 250억Gb(기가비트)인 데 반해, 수요는 150Gb 수준으로 계약가격에 악영향을 미칠 것"이라고 밝혔다. 그러나 업계에서는 모건스탠리의 주장이 과도하다는 의견이 지속적으로 제기되고 있다. 김영건 미래에셋증권 연구원은 20일 리포트를 통해 "HBM3E 8단뿐 아니라 12단도 25년도 계약 물량에 대한 협의가 대부분 이뤄졌기 때문에 회사의 HBM 분야 영업이익은 올해 5조9천억원, 내년 10조7천억원으로 성장할 것"이라며 "설령 겨울이 오더라도 가장 돋보일 수 있다"고 밝혔다. 시장조사업체 트렌드포스는 "D램 가격이 최근 약세를 보이고는 있으나, 전반적인 평균판매가격은 내년까지 상승할 것으로 예상된다"며 "HBM 비중의 확대도 D램 시장을 안정화하는 데 일조하면서 내년 전망은 덜 비관적일 것"이라고 주장했다. 업계 관계자는 "마이크론도 최근 BNP파리바, 모건스탠리 등으로부터 목표 주가 하향 의견을 받고 있으나, HBM 공급 과잉 등에 대한 근거가 부족하다는 의견이 적지 않다"며 "가장 먼저 공식 발표를 앞둔 마이크론이 적극적인 대응을 펼칠 것으로 예상된다"고 말했다.

2024.09.21 08:00장경윤

삼성·SK, 고부가 'LPDDR5X'에 집중...애플·엔비디아도 수요 촉진

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체가 최선단 D램 기반의 'LPDDR5X' 공급 확대를 추진하고 있다. LPDDR5X는 중국 등 후발주자들도 아직 양산하지 못한 고부가 D램으로, 애플·엔비디아 등 글로벌 빅테크도 차세대 제품에 이를 적극 채용하는 추세다. 19일 업계에 따르면 올 하반기 스마트폰, 서버용 칩 시장에는 LPDDR5X를 탑재한 신규 제품이 잇따라 출시될 예정이다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램이다. CPU(중앙처리장치)는 물론 스마트폰, 태블릿 등 IT 기기에서 수요가 높다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔으며, 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. 삼성전자는 지난 4월 업계 최고 속도의 10.7Gbps LPDDR5X D램 개발에 성공했다. 업계 최선단인 1b D램(12나노급)을 기반으로, 이전 세대 대비 성능을 25%, 용량을 30% 높인 것이 특징이다. 나아가 삼성전자는 지난 8월 업계 최소 두께(0.65mm)의 LPDDR5X 양산을 시작했다. SK하이닉스의 경우 올해 초 최대 9.6Gbps의 동작속도를 갖춘 'LPDDR5T'를 개발하고, 고객사에 샘플을 공급한 바 있다. LPDDR5T는 SK하이닉스가 초기 LPDDR5X 대비 속도를 더 높였다는 점을 강조하기 위해, '터보(Turbo)'라는 이름을 붙인 브랜드명이다. LPDDR5X는 삼성전자와 SK하이닉스의 올 하반기 및 내년 메모리 실적을 끌어올릴 제품 중 하나가 될 것으로 예상된다. 현재 CXMT 등 중국 업체들은 레거시 제품인 LPDDR4의 생산능력을 빠르게 늘리고 있으며, 지난해 말 LPDDR5 상용화에 성공하는 등 거센 추격을 벌이고 있다. 반면 LPDDR5X는 현재로선 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 D램 제조업체 3개사만 양산 가능한 고부가 제품에 해당한다. 또한 AI 시대에 맞춰 고성능·저전력 메모리 수요가 증가하면서, 스마트폰 및 HPC(고성능컴퓨팅) 분야 모두 최신형 LPDDR5X의 채택률이 꾸준히 늘어나는 추세다. 일례로 애플은 올 3분기 출시하는 플래그십 스마트폰 '아이폰16' 시리즈에 LPDDR5X를 처음으로 탑재했다. 이전 세대인 '아이폰15'는 LPDDR5가 탑재됐다. 중국 화웨이도 올해 중반 출시한 '퓨라 70' 울트라 모델에 LPDDR5X를 채택한 바 있어, 향후 적용처가 확대될 것으로 예상된다. 인텔·엔비디아 등도 차세대 CPU(중앙처리장치)에 고성능 LPDDR5X를 지속 채용하고 있다. 인텔의 경우 올 하반기 최신형 모바일용 프로세서인 '루나레이크'와 PC·모바일용 프로세서인 '애로우레이크'를 잇따라 출시할 계획이다. 이 중 루나레이크는 최대 32GB(기가바이트) 용량의 LPDDR5X를 시스템반도체와 직접 통합하는 방식으로 제작된다. 엔비디아 역시 올 4분기부터 차세대 AI 가속기인 'GB200'를 양산한다. GB200은 두 개의 '블랙웰' GPU와 72코어의 '그레이스' CPU를 결합한 구조다. 이 그레이스 CPU는 LPDDR5X를 채용하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "서버와 온디바이스 AI 등에서 최선단 D램을 기반으로 한 LPDDR5X 수요는 견조한 분위기"라며 "최선단 공정에 해당하는 1a·1b D램(4·5세대 10나노급 D램)의 주요 적용처기 때문에, 국내 메모리 기업들의 수익성에 향후 상당한 영향을 미칠 것"이라고 설명했다.

2024.09.19 11:10장경윤

삼성전자, 차세대 D램 전환투자 전략 고심…연내 윤곽 나올 듯

삼성전자가 이르면 연내 제2평택캠퍼스(P2)의 차세대 D램 라인 구축 방안을 결정할 것으로 전망된다. 삼성전자는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램 대비 1세대, 혹은 2세대 앞선 공정까지 설비투자를 고려하고 있는 것으로 알려졌다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 올 연말까지 P2 내 D램 라인의 최선단 D램 전환투자 계획을 세울 예정이다. P2는 삼성전자가 지난 2020년 하반기부터 가동한 팹이다. D램 라인의 경우 1z D램(3세대 10나노급 D램)을 주력으로 생산해 왔다. 1z D램은 메모리 업계에서 레거시(성숙) 공정에 해당하는 제품으로, 지난해까지 이어진 메모리 불황 시기에 감산이 적극적으로 진행됐다. 이에 삼성전자는 P2를 최선단 D램의 생산기지로 전환하기 위한 준비에 나섰다. 올해 1b D램(5세대 10나노급 D램) 양산용 설비를 들이기 시작한 것으로 파악됐다. 1b D램은 상용화된 가장 최신 세대의 D램이다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) DDR5 제품부터 양산을 본격화했다. P2 외에도 P3, 화성 15·16 라인 등에서 1b D램에 대한 전환 투자가 진행되고 있다는 점을 고려하면, 삼성전자는 내년 초까지 월 10만장 수준의 1b D램 생산능력을 확보할 수 있을 것으로 전망된다. 나아가 삼성전자는 P2에 1b D램을 이을 '차세대 D램' 투자를 계획하고 있다. 1b D램 전환 뒤 남아있는 1z D램 양산 라인을 1c(6세대), 혹은 1d(7세대)로 전환하는 것이 주 골자다. 업계 관계자는 "P2의 전환 투자를 위한 라인 구성 설계가 오는 4분기 중에 완료될 예정"이라며 "이후 내년도에 관련 설비 발주가 진행될 것으로 안다"고 설명했다. 삼성전자가 구상 중인 P2 설비투자 전환 계획은 최선단 D램의 개발 현황에 따라 달라질 전망이다. 앞서 삼성전자는 1c D램을 연내 양산하겠다는 계획을 세우고, 하반기 초도 양산라인 구축을 준비하고 있다. 업계 관계자는 "1c D램의 수율이 견조할 경우, P2에 더 앞선 1d D램 라인을 선행 도입하는 방안이 거론되고 있다"며 "물론 1c D램의 개발이 저조해 P4 내 1c D램 투자가 미뤄지면 P2에서 1c D램 전환 투자가 진행될 것"이라고 밝혔다.

2024.09.12 13:33장경윤

美 마이크론, 12단 HBM3E 샘플 출하…"다수 고객사와 퀄 진행"

미국 마이크론이 최선단 HBM(고대역폭메모리) 제품인 12단 적층 HBM3E의 샘플을 개발해 주요 고객사와 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 11일 업계에 따르면 마이크론은 최근 자사 홈페이지를 통해 HBM3E 12단 샘플을 주요 고객사에 제공했다고 밝혔다. 마이크론은 "12단 HBM3E는 8단 제품 대비 용량이 50% 증가한 36GB(기가바이트)를 제공한다"며 "이를 통해 700억 개의 매개변수를 가진 'Llama 2'와 같은 거대언어모델을 단일 프로세서로 실행할 수 있다"고 설명했다. 동시에 마이크론은 자사 HBM의 전력 효율성도 강조했다. 마이크론은 "우리의 12단 HBM3E는 경쟁사의 8단 HBM3E 대비 상당히 낮은 전력 소모를 구현한다"며 "초당 1.2TB(테라바이트) 이상의 메모리 대역폭을 초당 9.2Gb(기가비트) 이상의 핀 속도로 제공한다"고 밝혔다. 이외에도 마이크론의 12단 HBM3E는 완전 프로그래밍이 가능한 'MBIST'를 통합해, 제품 출시 시간을 단축하고 시스템 안정성을 향상시킬 수 있다. MBIST란 메모리 내부 셀에 발생할 수 있는 오류를 자체 테스트하고 복구하는 기술이다. 마이크론은 "주요 파트너사에 양산 가능한 12단 HBM3E을 출하해 테스트를 진행하고 있다"며 "이 제품은 진화하는 AI 인프라의 데이터 수요를 충족하기 위한 마이크론의 혁신을 보여준다"고 강조했다.

2024.09.11 09:54장경윤

SK하이닉스, 최선단 D램 시대 열었다..."1c D램 개발은 시작일 뿐"

SK하이닉스가 최근 업계 최선단 공정 기반의 D램을 가장 먼저 개발하는 성과를 거뒀다. 회사는 이에 그치지 않고 3D 셀, 이종접합 등 기술 혁신으로 차세대 D램 시대에 대응한다는 전략이다. SK하이닉스는 지난달 29일 10나노급 6세대(1c) 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 주역들과 좌담회를 진행했다고 10일 밝혔다. 해당 자리에는 1c 기술 개발을 주도한 오태경 SK하이닉스 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했다. 1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며, 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. 성능뿐만 아니다. SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화했으며 원가 절감까지 이루어냈다. SK하이닉스는 1c 개발 가속화를 위해 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택하고, 기존의 3단계(테스트, 설계, 양산 준비) 개발 방식을 2단계(설계, 양산 준비)로 효율화했다. 오태경 부사장은 "1c 기술 개발을 총괄한 1c Tech TF의 가장 큰 목표는 '1등 개발'이었다"며 "커패시터(Capacitor) 모듈과 같은 고난도의 기술 요소를 양산 공정에서 바로 개발하는 방식을 택한 덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었다"고 설명했다. 정창교 부사장은 "공정이 미세화되면서 과거와는 다른 특성들이 더 중요해지고, 이로 인해 수율 저하 등 문제가 발생할 수 있다"며 "1c 기술에서 주요 성능의 수준을 높이는 트리밍 기술을 활용해 수율과 품질을 확보했다"고 밝혔다. 트리밍이란, 반도체 설계 변경 없이 전자식 퓨즈(eFuse)를 활용해 성능을 상향시키는 기술을 뜻한다. 나아가 SK하이닉스는 1c 이후의 차세대 D램 제품에서도 선두를 유지하기 위한 전략을 구상 중이다. 조영만 부사장은 "1c 기술을 넘어 D램 기술은 점점 더 미세화될 것이고, 특히 10나노 아래 한 자릿수 기술로 넘어가는 시점이 오면 기존 방식으로는 한계가 있을 것"이라며 "이를 극복하기 위해서는 소재 및 장비의 성능을 극대화하는 것뿐만 아니라 2D 셀에서 3D 셀로의 구조 변화, 이종접합 등과 같은 기술 혁신 역시 필요하다"고 강조했다. 한편 SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다.

2024.09.10 09:58장경윤

中 D램 물량 공세 심상치 않다…삼성·SK도 동향 파악 '분주'

창신메모리(CXMT) 등 중국 메모리 업체가 공격적인 생산능력과 생산량 확대에 나서고 있어 예의주시되고 있다. 레거시 D램 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 이들의 동향 파악에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 5일 업계에 따르면 중국 메모리 기업의 급격한 생산능력 확대에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 레거시 D램 사업에 수익성 저하가 우려되고 있다. 현재 중국은 레거시 D램을 중심으로 생산능력을 확대하는 추세다. 중국 주요 D램 제조업체로는 창신메모리(CXMT), 푸젠진화반도체(JHICC) 등이 있다. 특히 CXMT는 2016년 설립된 이래로 중국 정부의 지원 하에 현지 최대 D램 제조업체로 성장했다. 최근에는 HBM(고대역폭메모리) 양산 준비에도 나서고 있다. 업계 및 증권가가 추산하는 CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4 등이다. 현재 양산되는 최선단 D램이 12나노 공정 기반의 DDR5·LPDDR5X 등임을 고려하면 성숙(레거시) 제품에 해당한다. 그럼에도 업계는 CXMT의 생산능력 확대에 상당한 관심을 기울이고 있다. CXMT가 당초 예상보다 D램 공급을 공격적으로 전개하면서, 국내 레거시 메모리 매출 및 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 16Gb(기가비트) 기준 DDR4 현물 가격은 지난해 하반기 3달러 선에서 올해 상반기 3.5달러까지 오른 뒤, 올 하반기 3.3달러 선으로 하락했다. DDR5의 경우 지난해 10월 4.2달러 선에서 올 상반기 4.5달러를 넘겨, 올 하반기에는 5달러에 근접한 수준이다. 이에 따라 DDR4 대비 DDR5에 붙은 가격 프리미엄도 지난달 말 기준 53.9%로 6개월 전인 36.9% 대비 크게 증가했다. 노무라증권은 최근 보고서를 통해 "중국 업체들의 급격한 생산 확대로 메모리 업계가 수익성에 훨씬 더 부정적인 영향을 받을 것으로 예상돼, 이에 대한 대비가 필요한 상황"이라며 "특히 CXMT는 막대한 설비 투자로 이미 월 16만 개의 생산능력을 확보하고 있으며, 이는 전체 D램 시장에서 웨이퍼 기준 약 10%, 비트(bit) 기준 약 5%에 해당하는 수치"라고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 소자업체는 12나노 수준의 DDR5 등 최선단 D램으로의 전환 투자를 서두르고 있다. 동시에 중국 메모리 업계의 투자 동향 파악에도 적극적으로 나서는 분위기다. 국내 반도체 업계 관계자는 "올해 CXMT으로부터 상당한 양의 제품 수주를 확정지은 상황"이라며 "국내 메모리 업체에서도 CXMT의 투자 동향에 깊은 관심을 가지고 있어, 최근 관련된 문의가 왔다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "올해 CXMT와 YMTC 등 중국 메모리 기업들의 설비투자가 매우 활발하다"며 "특히 CXMT의 경우 올 상반기까지 중국 베이징 팹에 당초 업계 예상을 뛰어넘는 규모의 설비를 도입했다"고 밝혔다. 한편 중국 메모리 업계의 급격한 생산능력 확대는 미국의 반도체 수출 규제에 따른 영향이 크다는 분석이다. 앞서 미국 정부는 지난 2022년 10월 자국의 반도체 장비 및 기술이 중국으로 유입되는 것을 사실상 금지하는 규제안을 시행했다. 범위는 18나노미터(nm) 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노 이하 시스템반도체 등이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 중국 반도체 기업들은 미국 규제 강화를 우려해 설비투자를 서둘러 진행하려는 추세"라며 "미국 대선 등 향후 다가올 영향을 가늠하기 힘들어 중장기적인 로드맵보다는 단기적인 투자에 집중하고 있다"고 설명했다.

2024.09.05 10:04장경윤

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