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'D램'통합검색 결과 입니다. (368건)

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삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

삼성전자 "1분기에 전체 메모리 흑자전환...수익성 개선에 집중"

삼성전자가 지난해 반도체 사업에서 4개 분기 연속 적자를 기록한 가운데, 지난해 4분기 D램 사업에서 흑자전환을 이뤘다. 삼성전자는 올해 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환이 예상된다고 밝혔다. 김재준 삼성전자 메모리 전략마케팅실장(부사장)은 31일 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다"라며 "업계 메모리 생산 전반의 비트그로스가 제한적일 것으로 예상되는 만큼 당사는 고객의 재고 비축 수요보다는 진성 수요 위주로 공급에 대응하겠다"고 말했다. 이어서 김 부사장은 "PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다"며 "다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 할 것으로 보인다. 또 그는 "선단 제품에 대한 고객사들의 요청은 강하게 이어질 것으로 보이며, 또 재고 비축을 위한 수요 또한 지속 발생할 것으로 예상된다"라며 "삼성전자는 생성형 AI 관련 HBM(고대역폭메모리), 서버 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다"고 말했다. PC와 모바일은 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 전망되고 있다. 서버는 AI향 수요 견조세가 지속되는 가운데 작년 긴축 기조 하에서 미루어져 왔던 서버 교체가 신규 플랫폼 전환과 맞물려서 진행되면서 서버 수요가 점진적으로 회복될 전망이다. 한편, 지난해 4분기 삼성전자의 메모리 비트그로스는 전반적인 수요 환경 개선으로 인해 시장을 상회했다. D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다. 김재준 부사장은 "특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다"고 말했다. 이어서 "낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다"고 밝혔다.

2024.01.31 12:34이나리

삼성전자 "감산 당분간 지속...상반기 중 낸드 재고 정상화 전망"

삼성전자가 메모리 감산과 관련해 올해 상반기에도 재고 정상화를 위한 선별적 생산 조정을 이어가겠다고 밝혔다. 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 "재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다"라며 "4분기 출하량 증가 및 지금까지의 생산 하향 조정 영향으로 특히 시황 개선의 속도가 상대적으로 빠른 D램 중심으로 재고 수준이 상당 부분 감소했다"고 말했다. 이어서 "D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정"이라며 "D램 재고는 1분기를 지나면서 정상 범위에 도달할 것으로 보이며, 낸드의 경우도 수요나 시장 환경에 따라 시점 차이는 있을 수 있으나 늦어도 상반기 내에는 정상화가 기대된다"고 밝혔다. 삼성전자는 "수요과 재고 수준을 상시 점검하고 사업 전략을 유연하게 추진할 것"이라고 덧붙였다. 한편, 삼성전자는 지난해 4월 2023년 1분기 컨퍼런스콜에서 메모리 생산량을 조정하기 위해 감산을 시작했다고 밝힌 바 있다.

2024.01.31 12:03이나리

삼성전자 "HBM 판매량 전년比 3.5배 성장...커스텀 HBM로 차별화"

삼성전자가 AI 서버 시장 상승세에 힘입어 지난해 4분기 HBM(고대역폭메모리) 공급이 전년 보다 3.5배 늘었다고 밝혔다. 앞으로 삼성전자는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 삼성전자는 31일 2023년 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다"며 "HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다"고 말했다. 이어서 "HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM 제품인 HBM4를 2026년에 양산할 계획이다. 회사는 "HBM3E의 사업화도 계획대로 진행해 1280기가바이트(GB) 대역폭의 8단 제품을 주요 고객사들에게 샘플 공급 중이고, 올해 상반기 내 당사의 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "12단 적증 기술 기반으로 36GB의 고용량 제품을 구현해 더욱 높아지는 AI향 메모리 성능 및 용량 니즈에 적극 대응해 1분기 내 샘플 공급 예정이다. 그다음 세대인 HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 말했다. 삼성전자는 고객 맞춤형 HBM 공급을 차별화로 내세웠다. 회사는 "생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하고 있는 상황에서 당사는 표준 제품뿐만 아니라 로직 칩을 추가해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM제품도 함께 개발 중으로 현재 주요 고객사들과 세부 스펙에 대해 협의 중"이라며 "시스템 반도체 업체와의 협업이 중요해질 앞으로의 커스텀 HBM 시장에서 당사는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징 사업팀과의 종합 시너지를 강점으로 더욱 경쟁력 있는 시장 대응을 통해 업계를 선도해 나가겠다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:41이나리

SKH가 게임 체인저로 꼽은 '이 기술' …3D D램·400단 낸드서 쓴다

"미래 메모리 산업에서 하이브리드 본딩은 '게임 체인저'로 급부상하고 있다. 3D D램은 물론, 400단급 낸드에서도 하이브리드 본딩 기술을 채택해 양산성을 높이는 차세대 플랫폼을 개발하고 있다." 3일 김춘환 SK하이닉스 부사장은 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 기술 개발 방향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 김 부사장은 '메모리 디바이스의 집적 한계를 극복하기 위한 기술 변화 트렌드(Changes in Technology Trend to Overcome the Integration Limit of Memory Devices)'를 주제로 차세대 D램, 낸드 개발의 주요 과제를 소개했다. 먼저 D램은 선폭이 10나노미터(nm) 이하까지 미세화되면서, 기술적 변혁이 요구되고 있다 대표적으로 트랜지스터 내 핵심 요소인 게이트를 수직으로 세우는 버티컬(Vertical) 게이트, D램 내 트랜지스터와 커패시터를 수직으로 적층하는 3D D램이 가장 유망한 차세대 플랫폼으로 지목된다. 김 부사장은 "각 메모리 업체들의 차세대 플랫폼 개발 전략에 따라 향후 D램 시장의 판세가 바뀌게 될 것"이라며 "이외에도 High-NA EUV, 저항성을 낮춘 신물질 도입 등의 기술적 과제가 남아있다"고 밝혔다. 낸드에서도 더 높은 단수를 적층하기 위한 신기술이 활발히 연구되고 있다. 현재 SK하이닉스는 낸드 게이트의 물질인 텅스텐을 몰리브덴으로 대체하는 방안, 고종횡비(HARC) 식각의 높은 비용 부담을 줄이기 위해 일부 공정을 통합(Merged) 진행하는 방안 등을 개발하고 있다. 특히 김 부사장은 차세대 D램 및 HBM(고대역폭메모리), 낸드 제조의 핵심 기술로 하이브리드 본딩을 꼽았다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 활용되던 범프를 쓰지 않고, 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. 패키지 두께를 최소화하는 데 유리하다. 김 부사장은 "차세대 HBM과 D램, 낸드 분야에서 하이브리드 본딩이 게임 체인저로 급부상하고 있다"며 "3D D램에서도 하이브리드 본딩을 접목하는 연구개발이 진행되고 있고, 특히 낸드에서도 400단급 제품에서 하이브리드 본딩 기술로 경제성 및 양산성을 높인 차세대 플랫폼을 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:40장경윤

온디바이스 AI 시대, HBM도 '저전력' 맞춤 설계 주목

최근 IT 시장에 온디바이스 AI 기술이 빠르게 도입되면서, 미래 HBM(고대역폭메모리) 시장에도 변화가 감지된다. HBM의 성능을 다소 낮추더라도 저전력(LP)에 특화된 맞춤 제품에 대한 수요가 최근 증가하고 있는 것으로 파악된다. 29일 업계에 따르면 일부 IT 기업들은 온디바이스AI 시장을 겨냥해 저전력 특성을 높인 HBM 설계를 요청하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 첨단 메모리다. 전기 신호를 통하게 하는 입출력 단자(I/O)를 1천24개로 기존 D램(최대 32개) 대비 크게 늘려, 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. 대역폭이 높으면 데이터 처리 속도가 빨라진다. 현재 HBM은 고용량 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 엔비디아·AMD 등이 설계하는 서버용 GPU(그래픽처리장치)와 여러 개의 HBM을 집적한 AI 가속기가 대표적인 사례다. 나아가 HBM 시장은 향후 온디바이스 AI 등 저전력 특성이 강조되는 시장에 맞춰 설계될 수 있을 것으로 기대된다. 반도체용 소프트웨어 업계 관계자는 "최근 복수의 잠재 고객사들이 HBM의 대역폭을 낮추더라도 저전력 특성을 강화하는 방안을 제시해 왔다"며 "서버 만큼의 성능은 아니지만, 일부 엣지 단에서 HBM을 쓰고자 하는 요청이 적지 않다"고 밝혔다. 온디바이스 AI는 클라우드 및 데이터센터를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술이다. 삼성전자, 퀄컴, 인텔 등이 최근 온디바이스 AI 성능이 강조된 칩셋 및 제품을 잇따라 공개하면서 시장 안착에 속도를 붙이고 있다. 온디바이스 AI의 실제 구동 환경에서는 클라우드와 엣지 네트워크를 동시에 활용하는 '하이브리드 AI' 운용이 필요할 것으로 관측된다. 이에 전 세계 주요 IT기업들도 엣지 분야에서 HBM을 활용할 수 있는 방안을 강구하고 있다. AI 반도체 기업 고위 임원은 "모바일이나 오토모티브 등을 겨냥한 엣지용 AI 칩셋도 향후 HBM과 결합될 가능성이 충분히 높다고 본다"며 "아직까진 설계 초기 단계이기는 하나 막연하게 먼 미래가 아닌 시장에서 가시적으로 실체가 나타나고 있는 상황"이라고 말했다.

2024.01.29 14:48장경윤

'흑전' SK하이닉스, AI향 고성능 HBM으로 미래 성장 다진다

SK하이닉스가 지난해 4분기 3천460억원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자의 늪을 5분기만에 벗어난 것이다. SK하이닉스는 메모리 반도체 업황 반등과 수익성 높은 고대역폭메모리(HBM) 공급 물량 확대에 따라 실적이 개선된 것으로 분석된다. 올해도 SK하이닉스는 AI와 온디바이스 AI 시장을 겨냥한 고성능 제품 공급을 늘리고 투자에 집중한다는 계획이다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고, 지난해 4분기 매출 11조3천55억원으로 전년 보다 25% 증가하고, 영업이익은 3천460억원으로 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 3%이며 순손실은 1조3천795억원, 순손실률 12%이다. 지난해 연간 매출은 32조7천657억원으로 전년 보다 27% 감소했고, 연간 영업손실 7조7천303억원(영업손실률 24%)으로 적자전환했다. 이는 증권가 전망치(연간 영업적자 8조242억원)를 밑도는 실적이다. 연간 순손실은 9조1천375억원(순손실률 28%)을 기록했다. SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “특히 지난해 주력제품인 DDR5와 HBM3 연 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다”고 말했다. 낸드 또한 지난 1년여 이상 공급사들의 고강도 감산에 따른 영향으로 작년 4분기부터 가격 상승에 따른 수익성이 개선되고 있다. 낸드는 프리미엄 제품 비중이 높이면서 지난해 4분기 ASP(평균판매가)가 전분기 대비 40% 이상 상승했다. 올해 메모리 수요 본격 상승세…AI향 메모리 공급에 주력 SK하이닉스는 올해 메모리 시장 환경은 여전히 불확실성이 존재하지만 작년 하반기부터 수급 상황이 개선되며 극심했던 불황기를 벗어나 본격적인 성장세로 전환했다고 밝혔다. 그러면서 올해 D램과 낸드 수요 증가율은 각각 10% 주후반대로 예상했다. 또 메모리 재고가 정상화되는 시점으로 D램은 올해 상반기, 낸드는 하반기로 내다봤다. 아울러 수급 상황에 따라서 2025년까지 메모리 시장의 상승세가 유지될 가능성도 기대된다. SK하이닉스는 시장 성장에 맞춰 탄력적으로 대응할 계획이다. 감산이 필요했던 레거시 제품의 생산은 계속 감소하는 반면 수요가 증가하는 프리미엄 제품 중심으로는 투자를 지속해 생산량을 증가시킨다는 목표다. 김우현 SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “고성능 D램 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E를 올해 상반기에 양산하고, HBM4 개발을 순조롭게 진행할 계획”이라며 “서버와 모바일 시장에 DDR5는 128GB뿐 아니라 최근 수요가 증가하고 있는 256GB까지 제공하고, LPDDR5T도 16GB에서 24GB에 이르는 고용량 제품을 적기에 공급하겠다”고 말했다. 또 SK하이닉스는 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스 AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다. AI PC의 경우 기존 PC 보다 2배 이상 D램 용량이 탑재돼야 하고, AI 스마트폰은 기존 스마트폰 보다 최소 4GB D램 용량이 필요하다. SK하이닉스는 “온디바이스 AI 출시로 시장은 올해부터 증가하나 실질적인 출하량 증가는 내년 이후로 전망한다”고 말했다. 낸드의 경우, 회사는 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다. SK하이닉스는 “AI형 메모리 수요가 본격화되면서 당사는 앞으로의 경쟁은 물량 기반의 점유율보다는 고객에게 필요한 가치를 시기적절하게 제공해 주면서 그에 상응하는 합리적인 가격을 통해 지속적으로 매출과 이익을 성장시키는 데 있다고 생각한다”라며 “토탈 AI 메모리 프로바이더(공급업체)로 입지를 강화해 나가겠다”고 강조했다. HBM 수요 연평균 60% 성장 전망… TSV 캐파 2배 확대 SK하이닉스는 작년에 이어 올해도 투자비용(CAPEX) 증가를 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다. 다만 상대적으로 수요가 높은 HBM, DDR5 등에는 투자를 아끼지 않겠다는 방침이다. SK하이닉스는 "올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 TSV(실리콘관통전극) 생산능력을 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. HBM은 일반 D램 제품과 달리 TSV 공정이 추가적으로 필요하고, 여러 칩을 적층에서 패키징을 해야 하는 등 완제품 생산까지 필요한 과정이 훨씬 복잡하고 까다롭다. 또 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 캐파가 최소 2배 이상 증가한다. SK하이닉스는 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다”고 말했다. 이어서 “당사는 HBM에 투입되는 R&D 그리고 캐파 투자 비용, 라이프 사이클 그리고 일반 D램 제품의 가격 등을 종합적으로 고려해서 최소 연간 베이스로 가격을 협상하고 있다”라며 “이런 결정으로 HBM 가격의 안정성은 일반 제품 대비 높고, 향후 HBM 시장이 확대될수록 D램 사업의 가격 안정성은 높아질 것으로 예상된다”고 덧붙였다. 中 우시 공장 '1a D램' 전환 추진 중국 우시 공장의 D램 생산라인을 4세대(1a) 나노미터(nm)로 전환하는 방안도 추진한다. 지금까지 우시 공장은 1a D램 보다 1, 2세대 뒤처진 레거시 제품을 생산해왔다. SK하이닉스는 “우시 팹은 1a 나노 전환을 통해 DDR5, LPDDR5 등 제품 양산이 가능하도록 할 것"이라며 "공장의 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각을 가지고 있다"고 밝혔다. 우시 공장은 지난해 하반기 미국 정부로부터 예외적으로 장비 반입을 허용하는 '검증된 최종사용자(VEU)'로 지정된 데 따라 선단공정 생산이 기능해졌다. SK하이닉스는 "과거와 달리 생산능력 증가를 위한 투자보다는 전환 투자 및 공정 효율화에 집중할 것"이라며 "이러한 기조 하에 국내는 M15와 M16 내 유휴 공간을 활용하겠다”고 밝혔다.

2024.01.25 13:55이나리

SK하이닉스, 中 우시 공장 '1a D램' 전환 추진

SK하이닉스가 중국 우시 공장의 D램 생산라인을 1a 나노미터(nm)로 전환하는 방안을 추진한다. SK하이닉스는 25일 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 "우시 팹은 궁극적으로 1a 나노 전환을 통해 DDR5, LPDDR5 등 제품 양산이 가능하도록 할 것"이라며 "공장의 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각을 가지고 있다"고 밝혔다. 1a D램은 4세대 10나노급 D램으로, 비교적 선단 공정에 속하는 D램이다. SK하이닉스는 1a D램부터 일부 레이어에 첨단 반도체 제조기술인 EUV(극자외선) 공정을 적용하고 있다. SK하이닉스의 우시 공장은 1a D램에 1, 2세대 뒤처진 레거시 제품을 주력 생산하고 있다. 선단 공정으로의 전환이 필요한 시점이지만, 미국 정부는 지난 2022년 10월부터 중국에 18나노 공정 이하 D램 제조를 위한 첨단 장비 기술 수출을 금지하고 있다. EUV 장비 역시 2019년부터 중국 수출이 불가능하다. 다만 SK하이닉스는 지난해 하반기 미국 정부로부터 예외적으로 장비 반입을 허용하는 '검증된 최종사용자(VEU)'로 지정됐다. EUV 장비는 여전히 반입할 수 없으나, EUV 공정만 국내에서 처리하는 등의 대안을 선택할 수 있다. SK하이닉스는 "과거와 달리 생산능력 증가를 위한 투자보다는 전환 투자 및 공정 효율화에 집중할 것"이라며 "이러한 기조 하에 국내는 M15와 M16 내 유휴 공간을 활용하고, 중국 우시 팹도 1a 전환을 추진할 것"이라고 밝혔다.

2024.01.25 11:30장경윤

SK하이닉스 "HBM 수요 연평균 60% 성장...HBM3E 상반기에 공급"

SK하이닉스는 AI 응용처 확대로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 연평균 60% 성장이 예상된다고 밝혔다. 아울러 SK하이닉스는 올해 상반기 중으로 HBM3E를 공급하고, 응용처를 다양하게 확대할 계획이다. 25일 SK하이닉스는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다"라며 "AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다"고 말했다. SK하이닉스는 이런 수요에 대비해 HBM 캐파를 늘리고 신제품 HBM3E 공급을 확대한다는 전략이다. SK하이닉스는 "올해 수요가 본격적으로 발생하는 HBM3E는 양산 준비가 순조롭게 되고 있어 상반기 중에 공급을 시작할 예정이다"라며 "AI 시장의 리딩 플레이어뿐만 아니라 AI 시장에서 큰 비중을 차지할 CSP(클라우드 서비스 제공업체), AI 칩셋 업체를 포함한 잠재 고객까지 비즈 영역을 확장할 계획이다"고 전했다. HBM 생산을 위해서는 높은 기술력과 일반 D램 보다 많은 캐파가 필요하다. 이런 특징으로 HBM은 가격 경쟁력에서도 우위를 보인다. 회사는 "HBM의 경우 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 캐파가 최소 2배 이상 증가한다"라며 "캐파를 늘리지 않는다고 가정한다고 하면 HBM 생산을 늘릴수록 일반 D램에 할당 가능한 웨이퍼 캐파가 상당히 축소된다. 이에 따라 HBM 양산 확대 수준에 따라 일반 D램의 수급이 매우 타이트해질 가능성이 있다"고 진단했다. HBM은 대표적인 AI향 제품으로 스펙의 표준화는 되어 있지만 일반 D램 제품과 달리 TSV(실리콘관통전극) 공정이 추가로 필요하고, 여러 칩을 적층에서 패키징을 해야 하는 등 완제품 생산까지 필요한 과정이 훨씬 복잡하고 까다롭다. 이에 SK하이닉스는 "수요 가시성 확보 하에 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 계획이며, 추가 투자에 대해서는 중장기 수요와 시장 환경 그리고 서플라이체인 현황 등을 종합적으로 고려해서 신중하게 결정할 것"이라고 말했다. HBM은 완제품이 생산되더라도 이를 GPU와 결합하는 패키징 단계가 추가로 필요하다. 아울러 고객과 메모리 업체 간의 협업뿐만 아니라 후공정 업체와의 협업도 필요하기 때문에 원활한 수요 충족을 위해서는 서플라이 체인 간 병목이 없어야 한다. 또 HBM 제품을 생산하는 데 투입되는 높은 비용과 상대적으로 긴 제조 시간을 고려해 시적절한 수요 대응을 위해서는 고객과 긴밀한 사전 협의가 필요하다 SK하이닉스는 "당사는 HBM에 투입되는 R&D 그리고 캐파 투자 비용, 라이프 사이클 그리고 일반 D램 제품의 가격 등을 종합적으로 고려해서 최소 연간 베이스로 가격을 협상하고 있다"라며 "이런 결정으로 HBM 가격의 안정성은 일반 제품 대비 높고, 향후 HBM 시장이 확대될수록 D램 사업의 가격 안정성은 높아질 것으로 예상된다"고 덧붙였다. 이어서 "올해는 일반 D램 제품의 급격한 가격 상승으로 작년에 비해서는 HBM 가격 프리미엄이 다소 줄어들 수는 있지만, 올해 신규 출시로 판매가 확대되는 HBM3E는 HBM3 대비 개발 난이도가 증가하고 투입 비용이 증가되는 점을 고려해서 가격 프리미엄이 반영될 것"이라며 "HBM 제품 내에 믹스 변화로 인한 프리미엄 수준을 유지해 나갈 수 있을 것으로 예상한다"고 전했다.

2024.01.25 11:18이나리

'흑자전환' SK하이닉스, 임직원에 자사주 15주·격려금 200만원 지급

SK하이닉스는 구성원 격려를 위해 자사주 15주와 격려금 200만원 지급을 결정하고, 이를 사내에 공지했다고 25일 밝혔다. 격려금은 29일, 자사주는 추후 필요한 절차를 거쳐 각각 지급될 예정이다. 이와 관련, SK하이닉스는 자사주 47만7천390주를 처분 결정했다고 공시한 바 있다. SK하이닉스는 "특히 자사주는 회사의 핵심 경쟁력인 구성원들에게 미래기업가치 제고를 향한 동참을 독려하고자 지급하기로 했다"며 "이는 최근 곽노정 대표이사 사장이 밝힌 '3년 내 기업가치 200조원 달성 목표'라는 포부와도 궤를 같이 한다"고 설명했다. 구성원들과 달리 임원들은 지난해에 이어 올해에도 연봉 등 모든 처우에 대한 결정을 회사가 확실하게 연속적인 흑자전환을 달성하는 시점 이후로 유보하기로 했다. SK하이닉스는 "구성원이 회사의 핵심이라는 SK의 인재경영 철학을 바탕으로, 올해를 '전 세계 AI 인프라(Infra)를 이끄는 SK하이닉스의 르네상스 원년'으로 만들어 갈 계획"이라고 밝혔다.

2024.01.25 11:07장경윤

SK하이닉스 "D램 재고 정상화 상반기, 낸드는 하반기 전망"

SK하이닉스는 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 올해 상반기, 낸드는 하반기를 예상한다고 밝혔다. 아울러 메모리 상승세는 2025년까지 유지될 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 "최근 고객들의 구매 수요는 레거시 반도체 중심으로 살아나고 있다"고 말했다. 이어서 "공급단 쪽에서는 하반기로 갈수록 HBM, DDR5 같은 선단 제품으로 생산 전환이 가속화되면서, 레거시 제품들의 공급은 급격히 줄어들고 연말에는 고객뿐만 아니라 저희 공급사들의 재고도 상당한 수준으로 줄어들 것"이라며 "당사도 지난해 4분기 말 재고 수준은 지난 분기에 이어서 의미 있는 수준의 감소세를 이어갔다"고 덧붙였다. 또 "작년 내내 보수적인 생산 기조를 유지해왔고 그 결과 지난해 3분기부터 판매량이 생산을 상회하며 하반기 재고 수준의 개선이 분명히 나타났다"라며 "올해도 재고 정상화 시점까지 보수적 생산 기조를 유지하겠다. D램은 상반기 중, 낸드플래시는 하반기 중 정상 수준에 도달할 것으로 본다"고 전망했다. 응용처별 메모리 재고 전망에 대해서 "전통적으로 하반기 수요 강세를 보이는 PC와 모바일은 올해 출하량이 성장세로 돌아서고, 새로운 기능이 추가되는 하이엔드 제품이 수요를 견인하면서 채용량 증가율은 예년 수준인 10% 이상이 전망된다"고 말했다. 올해 서버도 기업들의 IT 투자가 증가하면서 AI 서버 추락 강세가 지속될 것으로 보이고, 또한 일반 서버의 회복으로 출하량이 플러스로 전환될 전망이다. 트레이닝 수요에 더해 새로운 CPU와 GPU가 지속 출시되면서 계속해서 채용량은 성장할 것으로 기대된다. 다만 공급업체들이 DDR5와 HBM 등 수요가 높은 제품 중심으로 생산 확대를 위해 가동률을 점진적으로 회복시키겠지만, 다이 사이즈, 패널티, 상대적으로 낮은 생산성 등의 효과 때문에 업계의 생산 증가는 제한적일 것으로 진단했다. 회사는 "올해 메모리 업황은 지속 개선되고, 재고는 꾸준히 줄어들어 연말에는 업계 내 재고가 낮은 수준일 것으로 예상한다"라며 "수급 상황에 따라서 2025년까지 메모리 시장의 상승세가 유지될 가능성도 기대하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.25 10:44이나리

SK하이닉스, 올해 TSV 생산능력 2배 확대…HBM에 투자 집중

SK하이닉스가 25일 지난해 4분기 실적발표에서 올해 설비투자(CAPEX)의 방향성을 AI 반도체 수요 대응에 집중할 것이라고 밝혔다. 이날 SK하이닉스는 "올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대, TSV(실리콘관통전극) 증설, 필수 인프라 투자에 우선순위를 고려할 것"이라며 "전년 대비 투자 규모는 증가하나, 증가분은 최대한 최소화할 계획"이라고 언급했다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 설비투자 규모를 전년 대비 50% 이상 축소한 바 있다. IT 및 반도체 시장의 부진이 계속되면서 가동률이 하락하고, 수익성이 악화됐기 때문이다. 다만 HBM(고대역폭메모리) 등 AI 산업용 메모리의 수요가 빠르게 증가하면서, 최근 SK하이닉스는 HBM 제조의 핵심 요소인 TSV에 대한 설비투자에 집중하고 있다. SK하이닉스는 "AI 사업에서 고객사 영역을 지속 확장하고, 올해 TSV 생산능력을 2배 확대할 것"이라고 말했다. 향후 시장 상황에 따른 추가 투자 가능성도 제시했다. SK하이닉스는 "추가 투자에 대해서는 중장기 수요와 시장 환경, 서플라이체인 현황 등을 종합적으로 고려해서 신중하게 결정하도록 할 것"이라며 "올해 이후의 투자 방향성에 대해서도 미래 성장에 대한 인프라 준비는 선제적으로 진행할 생각"이라고 밝혔다.

2024.01.25 10:34장경윤

SK하이닉스, 1년만에 흑자전환…4분기 영업익 3460억원

SK하이닉스가 지난해 4분기 3천460억 원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 이로써 회사는 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자에서 1년 만에 벗어났다. SK하이닉스는 지난해 4분기 매출 11조3천55억 원, 영업이익 3천460억 원(영업이익률 3%), 순손실 1조 3천795억 원(순손실률 12%)의 경영실적을 기록했다고 25일 밝혔다. SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “이와 함께 그동안 지속해온 수익성 중심 경영활동이 효과를 내면서 당사는 1년 만에 분기 영업흑자를 기록하게 됐다”고 설명했다. 이에 따라 회사는 지난해 3분기까지 이어져온 누적 영업적자 규모를 줄여, 2023년 연간 실적은 매출 32조7천657억 원, 영업손실 7조7천303억 원(영업손실률 24%), 순손실 9조1천375억 원(순손실률 28%)을 기록했다. 지난해 SK하이닉스는 D램에서 시장을 선도하는 기술력을 바탕으로 고객 수요에 적극 대응한 결과, 주력제품인 DDR5와 HBM3 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다고 밝혔다. 다만 상대적으로 업황 반등이 늦어지고 있는 낸드에서는 투자와 비용을 효율화하는 데 집중했다고 언급했다. SK하이닉스는 고성능 D램 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E 양산과 HBM4 개발을 순조롭게 진행하는 한편, 서버와 모바일 시장에 DDR5, LPDDR5T 등 고성능, 고용량 제품을 적기에 공급하기로 했다. 또 회사는 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스(on-device) AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다. 낸드의 경우, 회사는 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다. 한편 올해 SK하이닉스는 지난해와 마찬가지로 고부가가치 제품 중심으로 생산을 늘리며 수익성과 효율성을 높이는 기조를 유지하는 한편, 투자비용(CAPEX) 증가는 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “장기간 이어져온 다운턴에서도 회사는 AI 메모리 등 기술 리더십을 공고히 하며 지난해 4분기 흑자 전환과 함께 실적 반등을 본격화하게 됐다”며 “새로운 도약의 시기를 맞아 변화를 선도하고 고객맞춤형 솔루션을 제시하면서 '토털 AI 메모리 프로바이더'로 성장해 갈 것”이라고 말했다.

2024.01.25 08:30장경윤

"HBM 수요, 예상보다 커…올해 삼성·SK 주문량만 12억GB"

"HBM(고대역폭메모리) 시장은 우리가 생각하는 것보다 더 빠르게 성장하고 있다. 올해 HBM 시장의 수요를 5.2억GB(기가바이트)로 전망하기도 하는데, 삼성전자·SK하이닉스에서 받은 수주를 더해보면 10억~12억GB에 달한다." 이승우 유진투자증권 리서치센터장은 18일 서울 양재 엘타워에서 열린 'AI-PIM(프로세싱-인-메모리) 반도체 워크숍'에서 AI 반도체 수요 현황에 대해 이같이 밝혔다. 최근 IT 시장은 서버 및 엣지 AI 산업의 급격한 발달로 고성능 시스템반도체에 대한 수요가 증가하고 있다. 글로벌 팹리스인 엔비디아와 AMD가 개발하는 고성능 GPU(그래픽처리장치)가 대표적인 사례다. GPU 대비 연산 효율성이 높은 NPU(신경망처리장치)도 국내외 여러 스타트업을 중심으로 개발되고 있다. 또한 서버 시장에서는 여러 개의 D램을 쌓아올려 데이터 처리 성능을 크게 높인 HBM이 각광받는 추세다. 관련 시장은 국내 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 등이 주도하고 있다. 이승우 센터장은 "AI 반도체에 대한 수요가 당초 예상보다 높아 기존 HBM에 대한 수요 전망도 뒤엎을 필요가 있다"며 "시장조사업체가 HBM 수요를 지난해 3.2억GB, 올해 5.2억GB(기가바이트)로 분석했는데, 삼성전자와 SK하이닉스가 받은 주문량만 더해도 이 수치가 10억~12억GB에 달한다"고 언급했다. PIM 시장도 향후 급격한 성장세가 기대된다. PIM은 메모리 내에서 자체적으로 데이터 연산 기능을 처리할 수 있는 차세대 반도체다. 기존 메모리에서 CPU·GPU 등 시스템반도체로 데이터를 보내는 과정을 줄일 수 있으므로, 전력 효율성을 높이는 데 용이하다. 덕분에 PIM은 저전력·고성능 연산이 필요한 온디바이스 AI(서버, 클라우드를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 처리하는 기술) 분야에 활발히 적용될 것으로 주목받고 있다. 이 센터장은 "AI 산업이 과거 데이터센터 중심에서 온디바이스 AI로 향하면서 초저지연·초저전력 특성이 핵심 요소로 떠올랐다"며 "AMD·삼성전자가 PIM 기능을 HBM에 추가해 처리 속도를 7%, 전력소모를 85% 개선한 사례를 보면 향후 PIM이 국내 반도체 산업의 돌파구가 될 것으로 생각한다"고 말했다. 한편 AI-PIM 워크숍은 세계 AI 반도체 및 PIM 시장 현황과 전망을 점검하고, 해댱 분야의 기술 현황 및 협력 방향 등에 대해 논의하기 위한 자리다. 과학기술정보통신부가 주최하고 정보통신기획평가원과 한국과학기술원의 PIM반도체설계연구센터가 주관한다.

2024.01.18 13:55장경윤

삼성전자 DS부문, 올해 임원 연봉 동결…"경영 정상화 결의"

지난해 1~4분기 연속으로 적자를 기록한 삼성전자 DS부문(반도체 사업)이 경영 정상화를 위한 특단의 조치를 시행한다. 삼성전자 DS부문은 오늘(17일) 긴급 임원회의를 열고 올해 임원 연봉을 동결하기로 결정했다고 밝혔다. 삼성전자는 "경영진과 임원들이 경영 실적 악화에 대해 특단의 대책 마련과 솔선수범이 절실한 시점이라는 공감대를 형성했다"며 "연봉 동결과 함께 조속한 경쟁력 확보와 경영정상화를 위한 결의를 다졌다"고 밝혔다. 한편 삼성전자는 지난해 4분기 연결 기준 매출 67조원, 영업이익 2조8천억원의 실적을 기록한 것으로 잠정 집계됐다. 전년동기 대비 각각 4.91%, 35.03% 감소한 수치다. 특히 삼성전자의 반도체 사업을 담당하는 DS부문은 지난해 1~3분기 연속 영업손실을 기록하면서 총 누적 적자액 12조6천900억원을 기록한 바 있다. 4분기에도 1조원대의 영업손실이 일어난 것으로 관측된다.

2024.01.17 17:57장경윤

부품 협력사, 삼성·SKH 납품단가 인하 요구에 '속앓이'

메모리 가격이 반등을 시작하면서 올해 삼성전자, SK하이닉스에 대한 '턴어라운드' 기대감이 커지고 있는 가운데 일부 부품 협력사들이 납품 단가 인하 압박을 받고 있는 것으로 전해졌다. 부품 업계는 올해 상반기에도 업황 회복에 대한 조짐을 체감하기 어려운 상황으로, 주요 고객사의 원가절감 요구에 따른 부담감이 상당한 것으로 알려졌다. 16일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 최근 국내 일부 전공정·후공정 메모리반도체 부품 협력사에 가격 인하를 요구하고 있다. 삼성전자, SK하이닉스 양사는 지난해부터 원가절감 및 비용 효율화를 주요 과제로 설정해 왔다. D램·낸드 등 메모리반도체 시장이 근 2년간 극심한 부진을 겪은 탓으로, 삼성전자 DS부문과 SK하이닉스는 지난해 1~3분기 연속 조 단위의 적자를 기록한 바 있다. 이후 메모리 반도체 가격이 지난해 4분기부터 다시 회복세에 접어들었지만 여전히 PC, 스마트폰, 일반 서버 등에 대한 수요 불확실성은 남아있는 상황이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스도 전체적인 생산량 증가보다는 시장 잠재력이 높은 1a·1b 나노미터(nm)의 최선단 D램, HBM(고대역폭메모리) 비중 확대에 집중하고 있는 실정이다. 그러나 국내 메모리 부품업계는 주요 고객사의 고부가가치 제품 전략에 아직 이렇다 할 반등의 기미를 찾지 못하고 있다. 최선단 D램, HBM이 고부가 제품에 속하기는 하나, 아직 절대적인 생산량이 크지 않아 부품업계로서는 매출에 기여하는 부분이 제한적이기 때문이다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 지난해 말부터 일부 전공정, 후공정 부품 협력사들에게 가격 인하를 요구하고 있는 것으로 파악됐다. 현재 제시된 인하 폭이 그간 논의된 수준을 크게 넘어서 압박을 받고 있다는 게 업계의 전언이다. 익명을 요구한 전공정 부품업체 관계자는 "삼성전자, SK하이닉스와 거래한 이래로 가장 강도가 센 단가 인하 논의가 오가고 있다"며 "업황이 좋았을 당시에 가격이 오른 제품도 아니기 때문에, 올해 사업에 부담이 가중되고 있다"고 전했다. 후공정 부품업계 관계자는 "삼성전자, SK하이닉스가 공급량 확대도 없이 단가만을 두 자릿수 비율로 인하하려고 하고 있다"며 "운영 상 도저히 수용할 수 없는 조건이기 때문에 내부적으로 비상 체제에 돌입한 상황"이라고 토로했다.

2024.01.16 14:32장경윤

경계현 삼성전자 사장 "CES에서 대부분 대화 주제는 AI"

경계현 삼성전자 DS(반도체)부문 대표이사 사장은 "CES에서 만난 대부분의 고객과의 대화 주제는 AI(인공지능)였다"고 말했다. 경 사장은 14일 자신의 사회관계망서비스(SNS)를 통해 CES 참석 소감을 이 같이 밝혔다. 경 사장은 "챗GPT의 등장으로 퍼블릭 클라우드 업체들이 노멀 서버의 투자를 줄이고 GPU(그래픽처리장치) 서버에 투자를 늘렸을 때 그것이 한정된 예산 탓이고, 시간이 지나면 다시 노멀 서버의 투자가 시작될 것으로 믿었던 적이 있었다”며 “그런데 그런 일은 생기지 않았다"며 "그 이유는 컴퓨팅에 근본적인 변화 생긴 것이다"고 진단했다. 이어서 그는 "노멀 서버는 전통적인 리트리벌 시스템(이미 존재하는 데이터에서 특정 정보를 찾는)을 위한 것이었는데, 컴퓨팅 환경이 주어진 입력에 새로운 정보를 생성하는 제너러티브 시스템으로 변한 것"이라며 "제너러티브 시스템이 되려면 메모리와 컴퓨트 셀들이 대규모로 상호 연결되어 있어야 한다"고 설명했다. 그러면서 그는 차세대 메모리의 중요성을 강조했다. 경 사장은 "메모리와 컴퓨트를 한 칩으로 만드는 것은 비싸다. 그래서 HBM(고대역폭메모리), GPU 가속기, 2.5D 패키지가 등장한 것"이라며 "더 고용량의 HBM, 더 빠른 인터페이스, PIM(프로세싱 인 메모리) HBM, 커스터마이즈 버퍼 HBM 등 메모리와 컴퓨트 사이의 거리를 줄이려는 시도가 계속될 것"이라고 내다봤다. 이어서 그는 "서버에서 시작된 이 시도는 PC로, 스마트폰으로 진화해갈 것”이라며 “새로운 기회가 왔다. AI의 시대와 트릴리온(Trillion·1조) 모델의 LLM(대규모언어모델)이 등장했지만, AGI(인공 일반 지능)는 쿼드릴리온(Quadrillion·1000조)의 파라미터를 필요로 할지도 모른다. 지금은 시작일 뿐일 수 있다"고 덧붙였다. 한편, 삼성전자는 AI 시대에 차세대 메모리를 지원하기 위해 올해 HBM 시설투자를 전년 보다 2.5배 이상으로 늘렸다. 또 내년에도 올해 규모로 HBM 시설투자를 단행한다는 계획이다. 삼성전자는 생성형AI와 온디바이스 AI에 최적화된 ▲12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램 ▲HBM3E D램 '샤인볼트' ▲CXL 메모리 모듈 제품 'CMM-D' 8.5Gbps 'LPDDR5X(Low Power DDR5X)' D램 ▲LPDDR5X-PIM ▲LLW(Low Latency Wide I/O) D램 등을 공급 또는 개발에 나서고 있다.

2024.01.15 11:14이나리

삼성전자, AI 시대 이끌 '차세대 반도체·첨단패키지' 공개

[라스베이거스(미국)=이나리 기자] 삼성전자가 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 진행되고 있는 'CES 2024'에서 인공지능(AI) 시대를 선도해 나갈 차세대 반도체 제품을 대거 선보였다. 삼성전자 DS부문은 매년 CES에 참가해 글로벌 IT 고객 및 파트너를 대상으로 최신 제품을 소개한다. 삼성전자는 앙코르 호텔 내 전시공간에 가상 반도체 팹(Virtual FAB)을 설치하고, 5개 주요 응용처별 솔루션 공간을 밀도 있게 구성했다. 주요 응용처는 ▲서버 ▲PC·그래픽 ▲모바일 ▲오토모티브 ▲라이프스타일로 구분된다. 특히 생성형 AI, 온디바이스 AI용 D램, 차세대 스토리지용 낸드플래시 솔루션, 2.5·3차원 패키지 기술 등 차세대 메모리 제품을 대거 전시하고 패키지 기술 등 차세대 기술을 대거 선보이며 기술 경쟁력을 강조했다. 이날 행사에서 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 "인공지능(AI), 머신러닝(ML), 클라우드 컴퓨팅 시장이 급격히 성장하고 있다"며 "삼성전자는 AI 시대에 최적화된 다양한 최첨단 메모리 솔루션을 적기에 개발해 패러다임 변화를 주도해 나가겠다"고 밝혔다. 삼성전자는 생성형 AI 시대에 최적화된 클라우드 D램 솔루션을 중심으로 선보였다. ▲12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램 ▲HBM3E D램 '샤인볼트' ▲CXL 메모리 모듈 제품 'CMM-D' 등이 대표적이다. 삼성전자가 지난해 9월 업계 최초로 개발한 단일칩 기준 현존 최대 용량의 32기가비트 DDR5 D램은 서버용 고용량 라인업이다. 동일 패키지 사이즈에서 실리콘 관통 전극(이하 TSV, Through Silicon Via) 기술 없이도 128기가바이트(GB) 고용량 모듈 구성이 가능하다. TSV(실리콘 관통 전극)까지 사용한다면 최대 1테라바이트(TB) D램 모듈을 구현할 수 있어 메모리 기술의 한계를 극복한 제품으로 평가받는다. HBM3E D램 '샤인볼트'는 기존 HBM3 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선 됐다. HBM3E는 12단(적층) 기술을 활용해 1초에 1,280기가바이트의 대역폭과 최대 36기가바이트의 고용량을 제공한다. 삼성전자 CMM-D(CXL Memory Module D램)는 기존 DDR 인터페이스 기반의 D램 모듈이 아닌 CXL 인터페이스 기반 모듈 제품이다. 이 제품은 서버 전면부(기존 SSD 장착 위치)에 여러 대를 장착할 수 있어 서버 한 대당 메모리 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다. 이를 통해, 대용량 데이터의 빠른 처리가 필수적인 생성형 AI 플랫폼 적용에 핵심적인 역할을 할 것으로 기대된다. 삼성전자는 2021년 세계 최초로 CMM-D 기술을 개발한데 이어, 업계 최고 용량의 512기가바이트 CMM-D 개발, CMM-D 2.0 개발 등에 성공했다. 현재 256기가바이트 CMM-D 샘플 공급이 가능한 유일한 업체로 차세대 메모리의 상용화 시대를 앞당기고 있다. 삼성전자는 온디바이스 AI 시장을 겨냥한 모바일 D램 솔루션으로 ▲8.5Gbps 'LPDDR5X(Low Power DDR5X)' D램 ▲ LPDDR5X-PIM ▲ 'LLW(Low Latency Wide I/O)' D램 등을 공개했다. 온디바이스 AI는 멀리 떨어진 클라우드 서버를 거치지 않고 스마트기기 자체적으로 정보를 수집하고 연산하는 기술로 올해부터 출시되는 스마트폰에 탑재될 것으로 기대된다. LPDDR 표준 기반 초당 8.5기가비트를 지원하는 LPDDR5X D램은 14나노미터(nm) 공정과 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정을 활용해 이전 세대 대비 전력 효율을 20% 개선했다. 또한 64기가바이트까지 대용량을 지원해 다양한 응용처별로 최적 솔루션을 제공한다. LPDDR5X-PIM(프로세싱 인 메모리)은 메모리 병목현상 개선을 위해 데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부에서 구현하는 PIM 기술을 LPDDR에 적용한 제품이다. LPDDR5X D램 대비 성능을 8배 높였고, 전력은 50% 절감됐다. LLW D램은 입출력단자(I/O)를 늘려 대역폭은 높이고 지연속도는 줄인 D램으로 삼성전자 'LLW D램'은 초당 128기가바이트의 빠른 처리 속도와 28나노 초(Nano second) 이하의 지연속도 특성을 가진 온디바이스 AI 맞춤형 D램이다. 삼성전자는 서버 스토리지 시장의 전력, 공간, 성능 등 3가지 영역 한계를 극복한 핵심 낸드플래시 솔루션 ▲PM9D3a ▲PBSSD(Petabyte Scale SSD) 등을 전시했다. 그 밖에 '첨단 패키지 기술도 눈에 띈다. 최근 여러 반도체를 수평으로 혹은 수직으로 연결하는 이종집적 기술에 대한 역할이 중요해지고 있다. 삼성전자 AVP(어드밴스드 패키지) 사업팀은 비욘드 무어 시대를 이끌 ▲2.5차원 패키지 I-Cube E, I-Cube S ▲3차원 패키지 X-Cube HCB(bumpless), TCB(micro bump) 기술 및 제품을 선보였다. 삼성전자는 "현재 u-Bump(micro Bump)형 X-Cube를 양산 중이며, 2026년에는 데이터 양을 더 많이 구현할 수 있는 범프리스형 X-Cube를 선보일 계획"이라며 로드맵을 밝혔다.

2024.01.12 03:52이나리

2008년 이래 최악 겪은 삼성전자, 올해 반등 '청신호'

삼성전자의 지난해 연간 영업이익이 전년 대비 85% 수준으로 크게 감소한 것으로 집계됐다. IT 전방 산업 시장의 전반적인 수요 부진과 이에 따른 메모리 수익성 감소가 악영향을 끼쳤다. 다만 올해의 성장 잠재력은 충분한 상황으로, 최선단 D램 및 HBM(고대역폭메모리) 시장의 성장이 기대된다. 삼성전자는 지난해 4분기 연결 기준 매출 67조원, 영업이익 2조8천억원의 잠정 실적을 기록했다고 9일 밝혔다. 이로써 삼성전자는 지난해 연간 매출 258조1천600억원, 영업이익 6조5천400억원을 올리게 됐다. 전년 대비 매출은 14.58%, 영업이익은 84.92% 감소한 수치다. 삼성전자가 연간 영업이익 10조원을 넘기지 못한 것은 금융위기로 최저 실적을 기록한 2008년 이후 처음이다. 삼성전자의 지난해 연간 실적이 부진했던 가장 큰 원인으로는 IT 및 메모리 시장의 하락세가 지목된다. 삼성전자의 메모리사업을 담당하는 DS부문의 영업손실은 지난해 1분기 4조5천800억원, 2분기 4조3천600억원, 3분기 3조7천500억원을 기록했다. 해당 분기 타 사업부인 SDC, MX/네트워크, VD/가전 등은 꾸준히 흑자를 달성해 왔다. 지난해 4분기 사업부별 실적은 아직 공개되지 않았으나, DS부문은 해당 분기에도 2조원대 수준의 적자를 기록한 것으로 관측된다. 김선우 메리츠증권 연구원은 "삼성전자가 경쟁사를 의식해 메모리 출하량을 급증시켰음에도 DS부문의 수익성이 부진했다"며 "판가보다 물량 증대에 집중한 전략, 시스템LSI 등 비메모리 매출 둔화가 걸림돌로 작용했다"고 설명했다. ■ 올해 성장 잠재력은 여전히 '유효'…업황 회복·HBM 등 기대 다만 DS부문은 올 1분기부터 흑자전환에 성공할 가능성이 유력하다. 삼성전자 DS부문은 지난해 하반기를 기점으로 고객사의 메모리 재고 수준이 줄어들고, 올해 상반기에도 가격이 크게 올라갈 것으로 전망되기 때문이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 1분기 D램 고정거래가격은 전분기 대비 약 13~18% 증가할 것으로 예상된다. 특히 스마트폰에 주로 탑재되는 모바일 D램의 경우 가격 상승폭이 18~23%에 달할 전망이다. 올해 초 주요 고객사에 본격적으로 공급될 것으로 예상되는 고부가가치 HBM 사업도 긍정적인 요소다. 앞서 삼성전자는 지난해 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "내년 HBM 생산능력을 2.5배 늘릴 계획"이라며 "이미 해당 물량에 대해 주요 고객사와 공급 협의를 마무리한 상태"라고 밝힌 바 있다. 류영호 NH투자증권 연구원은 최근 리포트를 통해 "전방산업 회복에 따른 가동률 회복과 일반 메모리 수요증가는 하반기 동사의 가파른 실적 개선으로 연결될 것"이라며 "그동안 디스카운트 요소였던 HBM과 선단 공정 제품 비중도 점진적으로 증가하며 시장의 우려를 해소할 것으로 기대된다"고 밝혔다. 이에 따른 삼성전자의 올해 연간 실적 전망치는 310조원, 영업이익 40조원 수준이다. 전년 대비로는 각각 1.2배, 6배가량 증가하는 규모다. 특히 DS부문의 경우 연간 15조원의 영업이익을 기록하며, 지난해 14조원 규모(추정)의 영엽손실을 만회할 것으로 예상된다.

2024.01.09 13:28장경윤

곽노정 SKH 사장이 3년 내 시총 200조원 자신하는 이유

[라스베이거스(미국)=신영빈 기자] 곽노정 SK하이닉스 사장이 회사의 성장성에 대해 강한 자신감을 드러냈다. HBM(고대역폭메모리), CXL(컴퓨트익스프레스링크) 등 AI 시대를 위한 첨단 메모리 시장에서 경쟁력을 갖췄다는 점을 근거로 내세웠다. 곽 사장은 9일부터 12일(현지시간)까지 미국 라스베이거스에서 열리는 세계 최대 IT·가전 전시회 'CES 2024' 개막 전날 열린 미디어 컨퍼런스에서 '토탈 AI 메모리 프로바이더'로서 비전을 제시하고 기자들과 질의응답을 나눴다. 이날 행사에는 곽 사장 외에도 김주선 AI 인프라 담당 사장, 김종환 D램 개발 담당 부사장, 김영식 제조기술 담당 부사장, 최우진 P&T 담당 부사장이 참석했다. 곽 사장은 "경쟁사를 구체적으로 언급할 수는 없으나, HBM 시장에서 SK하이닉스가 확실한 선두는 맞는것 같다"며 "자체적으로 꾸준히 기술을 성장시켜 왔고, 고객과의 밀접한 협업이 있었기 때문에 가능한 일"이라고 밝혔다. 곽 사장은 메모리 감산 효과에 대한 질문에 "D램은 최근 시황 개선 조짐이 보여 수요가 높은 제품을 중심으로 생산량을 확대하고 있다"며 "올 1분기 적극적인 감산 전략에 변화를 줘야할 지 고려하고 있다"고 밝혔다. 낸드에 대해서는 "개선 속도가 느리지만 최악의 상황은 벗어나는 것 같다"며 "올해 중반기가 지나면 낸드도 감산 전략에 대한 변화를 고려할 것"이라고 설명했다. HBM 생산능력 확대 계획은 탄력적으로 운용한다는 입장이다. 김영식 부사장은 "기본적으로 HBM 생산을 어느 공장에서 하는 지 특별하게 정하지는 않는다"며 "용인 공장, 청주 M15X 등의 신규 공장은 양산이 임박하는 시점에 맞춰 어떤 제품을 생산할 지 결정할 것"이라고 말했다. HBM과 더불어 또 하나의 차세대 메모리로 주목받는 CXL은 예정대로 올 하반기 상용화를 목표로 하고 있다. 김종환 부사장은 "CXL 2.0을 지원하는 인텔의 '그래나이트 래피즈' 제품이 올 연말에 출시되기 때문에 그에 맞춰 준비할 것"이라고 밝혔다. 끝으로 곽 사장은 향후 3년 안에 시가총액을 지금의 약 2배인 200조원으로 키우겠다는 목표도 제시했다. 그는 "기술과 제품을 잘 준비하고 투자 효율성과 재무 건전성을 높이면 현재 시가총액 100조원을 넘어 더 좋은 모습을 보일 것"이라고 전망했다. SK하이닉스는 9일 이 시각 현재 13만8천500원을 시현해 시가총액 100조원을 넘어섰다.

2024.01.09 10:52신영빈

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