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'D램'통합검색 결과 입니다. (342건)

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[단독] SK하이닉스, 지난달 엔비디아에 '12단 HBM3E' 샘플 공급

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리)인 12단 D램 적층 HBM3E(5세대 HBM)의 초기 샘플을 지난달 엔비디아에 공급한 것으로 파악됐다. 지난해 8월 8단 제품의 샘플 공급에 이은 성과로, 주요 고객사와의 AI 반도체 협업을 보다 공고히할 수 있을 것으로 전망된다. 6일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난달 엔비디아에 12단 D램 적층 HBM3E의 초기 샘플을 제공했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 현재 4세대 제품인 HBM3까지 상용화 궤도에 올랐으며, 다음 세대인 HBM3E는 올 상반기 상용화가 예상된다. HBM3E는 D램을 몇 개 적층하느냐에 따라 8단(24GB)과 12단(36GB) 제품으로 나뉜다. SK하이닉스의 경우 8단 HBM3E는 지난해 하반기에 샘플을 공급해 최근 테스트를 통과했다. 공식적인 일정을 밝히지는 않고 있으나, 이르면 이달부터 양산이 시작될 예정이다. 나아가 SK하이닉스는 지난달 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급했다. 해당 샘플은 극 초창기 버전으로, 주로 신규 제품의 표준 및 특성을 확립하기 위해 활용된다. SK하이닉스는 이를 UTV(유니버셜 테스트 비하이클)이라는 명칭으로 부른다. 이미 하이닉스가 8단 HBM3E의 성능 검증을 마무리한 만큼, 12단 HBM3E 테스트에는 많은 시간이 소모되지 않을 것으로 관측된다. D램의 적층 수가 늘어난 데 따른 일부 디바이스 특성과 신뢰성 검증만 해결하면 될 것으로 업계는 보고 있다. 한편 세계 메모리 업계는 AI 반도체 시장의 급격한 성장세에 발맞춰, 엔비디아·AMD에 최선단 HBM 제품을 공급하기 위한 경쟁을 치열하게 전개하고 있다. 삼성전자는 지난달 27일 12단 HBM3E 개발에 성공했다고 밝혔다. 삼성전자는 해당 제품에 어드밴스드 TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)를 적용해, D램 사이사이의 간격을 7마이크로미터(um)까지 줄이는 데 성공했다. 마이크론 지난달 26일(현지시간) 8단 HBM3E의 대량 생산을 시작했다고 밝혔다. 최선단 10나노급(1b) D램을 적용한 것이 특징으로, 마이크론은 "자사의 8단 HBM3E가 경쟁사 대비 전력 효율이 30% 우수하다"고 강조한 바 있다. SK하이닉스는 12단 HBM3E 샘플 공급과 관련한 질문에 "고객사와 관련한 내용은 어떠한 것도 확인해줄 수 없다"고 전했다.

2024.03.06 13:32장경윤

삼성전자, 작년 4분기 D램 점유율 1위 45.7%...7년만에 최고치

삼성전자의 작년 4분기 D램 점유율이 45.7%로 1위를 기록한 것으로 집계됐다. 이는 2016년 3분기(48.2%) 이후 최대 점유율이다. 27일 시장조사업체 옴디아에 따르면 작년 4분기 D램 시장에서 삼성전자는 45.7% 점유율을 기록했다. 1위 삼성전자는 2위인 SK하이닉스와 점유율 격차를 벌렸다. SK하이닉스는 지난해 3분기 점유율 34.4%에서 4분기 31.7%로 줄어들었다. 이에 따라 양사의 점유율 격차는 4%포인트에서 14%포인트로 벌어졌다. 즉, 4분기 격차가 3분기 대비 10%포인트가 늘어난 것이다. 3위 마이크론은 지난해 4분기 19.1% 점유율로 3분기(22.8%) 보다 3.7%포인트 감소했다. 삼성전자의 4분기 D램 시장 매출은 전 분기 대비 21%, 전년 동기 대비 39% 증가하며 6분기 만에 처음으로 상승세를 보였다. 지난해 4분기 D램 평균 가격은 모바일 D램 가격 상승에 힘입어 전 분기 대비 12% 상승했으며, 출하량은 전 분기 대비 16% 증가했다. 특히 DDR5와 고대역폭 메모리(HBM) 등 고부가 제품의 매출 증가가 전체 매출 상승을 이끈 것으로 분석된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM 시장에서 양분하고 있다. HBM 시장은 올해도 상승세를 이어갈 전망이다. 옴디아는 올해 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중이 지난해 9%에서 18%를 넘을 것으로 내다봤다.

2024.02.27 17:21이나리

삼성전자, 세계 첫 36GB 12단 HBM3E 개발...상반기 양산

삼성전자가 세계 최초로 36GB(기가바이트) 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 12H(12단 적층) D램을 개발했다고 27일 밝혔다. 삼성전자는 12단 HBM3E의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다. 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다. 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8단 적층 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF' 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화 할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다고 설명한다. 삼성전자는 NCF 소재 두께도 지속적으로 낮춤으로써, 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8단 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다. 특히, 칩과 칩사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용했다. 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다. 또 삼성전자는 NCF로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈를 다양하게 하면서 동시에 공극(Void)없이 적층하는 업계 최고 수준의 기술력도 선보였다. 삼성전자가 개발에 성공한 12단 HBM3E은 AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에게 활용도가 높을 것으로 보인다. 특히, 성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있다. 예를 들어 서버 시스템에 12단 HBM3E를 적용하면 8단 HBM3를 탑재할 때 보다 평균 34% AI 학습 훈련 속도 향상이 가능하다. 추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대된다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 "삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.02.27 11:00이나리

손호영 SK하이닉스 부사장 "토털 AI 메모리 프로바이더로 나아갈 것"

"고객별로 특화된 AI 메모리를 개발하기 위해서는 기술의 유연성과 확장성이 중요하다. 고객의 어떠한 니즈도 충족할 수 있는 토털 AI 메모리 프로바이더가 되어야할 때다." 27일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 2024년 신임 임원으로 선임된 손호영 어드밴스트(Advanced) PKG개발 담당 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. 손 부사장은 최근 반도체 업계 전체의 뜨거운 관심을 받고 있는 HBM(고대역폭메모리) 개발 과정에서 중요한 역할을 맡고 있다. HBM의 핵심 기술이라 불리는 TSV(실리콘관통전극)와 SK하이닉스 독자 기술인 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)의 도입 초기 단계부터 개발을 이끌어 오며, 회사 AI 메모리 기술 리더십을 공고히 하는 데 큰 역할을 했다. 손 부사장은 "회사 기여도를 떠나 개인적으로 생각하는 가장 큰 성과는 10여 년 전 1세대 HBM을 개발한 것"이라며 "수 많은 시행착오와 실패 속에서도 포기하지 않고, 위기를 전환점으로 삼아 더 나은 방향으로 이끌어 온 덕분에 지금의 5세대 HBM3E와 첨단 패지키 기술을 성공적으로 개발할 수 있었다"고 밝혔다. 또한 손 부사장은 급변하는 AI 시대에서 SK하이닉스의 역할도 점차 변화하고 있다고 말했다. 지금까지의 단순 제품 공급자를 넘어 '토털 AI 메모리 프로바이더(Total AI Memory Provider)'로 자리매김해야 한다는 것이다. 손 부사장은 "고객별로 특화된 AI 메모리를 개발하기 위해서는 기술의 유연성과 확장성이 중요해지고 있어 기존 방식을 벗어난 접근법이 필요하다"며 "우리는 이러한 변화에 대응할 수 있는 다양한 첨단 패키지 기술력을 보유해 고객의 어떠한 니즈도 충족할 수 있는 차별화된 솔루션을 제공할 계획"이라고 강조했다. 신임 임원으로서 포부를 묻자, 손 부사장은 구성원들이 창의성을 마음껏 발휘하며 성장하고 발전할 수 있는 환경을 만들고 싶다고 밝혔다. 특히, 학계 및 산업계와의 다양한 교류를 통한 외연 확장의 중요성을 강조했다. 손 부사장은 "당장의 성과도 중요하지만, 장기적인 관점에서 기술력을 확보하는 것이 더욱 중요하다"며 "저 역시 처음 TSV 기술과 HBM을 개발할 때 자유로운 환경에서 학계 등 외부와의 교류를 통해 많은 도움을 받았고, 그것이 저에게 큰 자산이 됐다"고 말했다.

2024.02.27 10:32장경윤

美 마이크론, HBM3E 양산 개시...삼성·SK 보다 빨라

미국 마이크론이 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 양산을 시작한다. HBM 시장에서 후발주자인 미국 마이크론은 HBM3 양산을 건너뛰고 HBM3E 대량 생산체제를 갖추면서 SK하이닉스, 삼성전자와 전면 경쟁체제에 돌입했다. 특히 마이크론은 SK하이닉스와 삼성전자보다 먼저 엔비디아에 HBM3E 공급을 공식 발표하고, 대만 파운드리 업체 TSMC와 패키징 분야에서 협력한다는 점에서 주목된다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. 마이크론은 26일(현지시간) 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E D램 대량 생산을 시작했다고 알리면서 "해당 D램은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 전했다. 마이크론 HBM3E는 초당 9.2기가비트(Gb/s) 이상의 핀 속도를 갖췄고, 초당 1.2테라바이트(TB/s ) 이상의 메모리 대역폭을 제공한다. HBM3E는 10나노급(1b) 제품을 적용했고 첨단 실리콘관통전극(TSV) 기술로 적층했다. 회사는 8단 HBM3E가 경쟁사 제품 보다 전력 효율이 30% 우수하다는 점을 내세웠다. 마이크론은 다음달 36GB 12단 HBM3E 샘플 공급도 시작할 예정이라고 밝혔다. 마이크론은 내달 18일 개최되는 엔비디아의 AI 컨퍼런스 GTC에서 AI 메모리 제품과 로드맵을 상세히 발표할 예정이다. 마이크론은 본격적으로 HBM을 생산하기 위해 지난해 6월 대만 타이중에 차세대 D램 생산 및 테스트 신규 공장 가동을 시작했다. 이 곳은 마이크론 HBM3E 생산의 거점으로 운영된다. 또 대만에 위치해 현지 TSMC와 협력 강화에도 이점이 있다. 마이크론은 "TSMC의 3D 패브릭 얼라이언스(3D 적층 패키징) 파트너를 맺었다"며 "HBM3E 제품 개발의 일환으로 TSMC와 협력하고 있으며, 이는 AI와 고성능컴퓨팅(HPC) 설계 애플리케이션의 원활한 통합의 기반을 마련할 것"이라고 전했다. 마이크론은 HBM3E 양산을 시작으로 매출 성장에 자신감을 보이고 있다. 앞서 지난해 9월 산자이 메토트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM은 2024년 실적에서 7억 달러(9천509억원) 매출을 달성할 수 있을 것"이라며 "향후 HBM 시장에서 점차 점유율을 높일 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다. HBM 3파전 본격화…엔비디아·AMD 고객사 확보에 주력 후발주자 마이크론의 참여로 HBM 경쟁은 더욱 심화될 전망이다. SK하이닉스는 지난해 8월 엔비디아에 24GB 8단 HBM3E 샘플을 공급했으며, 올해 3월 HBM3E 양산을 시작해 엔비디아에 공급할 예정이다. 삼성전자 또한 지난해 10월 24GB 8단 HBM3E 샘플을 공급했으며, 올해 상반기 양산을 앞두고 있다. 더 나아가 삼성전자는 오늘(27일) 36GB 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 제공하기 시작해 상반기 중에 양산을 앞두고 있다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔지만, 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 메모리 업체 간 경쟁이 치열해졌다. 또 다른 대형 고객사인 AMD도 올해 하반기 HBM3E가 탑재된 'MI350'을 출시할 계획이다. 그 밖에 메타, 구글, 아마존웹서비스(AWS) 등도 HBM 수급에 발 벗고 나서고 있다. 김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 부사장은 지난 21일 뉴스룸을 통해 "올해 HBM은 이미 완판됐다"며 "시장 선점을 위해 벌써 2025년을 준비하고 있다"고 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스는 HBM3E 공급에 힘입어 올해 D램 매출에서 HBM 비중이 더욱 높아질 전망이다. 한국투자증권은 SK하이닉스 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 올해 사상 첫 20%를 넘을 것으로 분석했다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 지난 1월 2023년 4분기 실적 발표에서 "HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다"고 말했다. 시장조사업체 가트너에 따르면 HBM 시장규모는 지난해 11억 달러(약 1조4천억원)에서 2027년 51억7700만 달러(6조8천억원)으로 연평균 36% 성장할 전망이다. 옴디아는 올해 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 9%에서 18%를 넘을 것으로 내다봤다.

2024.02.27 10:24이나리

오픈엣지, 올 하반기 LX세미콘향 22나노 메모리IP 양산

반도체 설계자산(IP) 플랫폼 전문회사 오픈엣지테크놀로지는 LX세미콘에 제공했던 22나노미터(nm)용 LPDDR4 메모리 표준을 지원하는 PHY(PHY: 물리 계층) IP의 제품 양산을 하반기 실시할 예정이라고 27일 밝혔다. LX세미콘은 디스플레이에 적용되는 DDI(디스플레이구동칩)을 전문으로 개발해 온 국내 주요 팹리스다. 최근 차량 및 가전용 시스템 반도체를 개발하는 등 다양한 신규 사업에 투자해, 사업 범위를 확장하고 있다. 오픈엣지의 22나노 LPDDR4 PHY IP는 LX세미콘의 프리미엄급 시스템반도체에 탑재 및 양산된다. 하나의 시스템반도체에는 수십에서 수백 개 이상의 IP가 사용되며 최소 수십억에서 수백억 원 이상의 비용이 소요된다. 오픈엣지에서 제공하는 메모리 시스템 IP는 인체의 척추와 유사한 역할을 하고 있어, 다른 어떤 IP보다도 높은 신뢰성과 안정성이 요구된다. 이는 핵심 IP의 오류로 전체 칩 동작을 위태롭게 할 수 있기 때문이다. 국내 팹리스 업체들은 고가의 IP 도입 비용과 부족한 기술 지원으로 인해 칩 개발에 어려움을 겪고 있으나, 검증된 IP를 사용할 수밖에 없는 업계 특성상 주로 해외 IP 업체에 의존해 왔다. 오픈엣지의 메모리 시스템 IP는 LX세미콘을 비롯한 국내 시스템반도체 업체에 라이선스되어 생산적이고 건강한 국내 반도체 밸류체인을 구축하는데 크게 기여하고 있다. 오픈엣지가 비교적 짧은 이력에도 불구하고 LX세미콘의 까다로운 IP선정 기준을 충족하고 인정받을 수 있던 이유는 PHY IP의 ▲효율적이고 편리한 적용(integration), ▲펌웨어(firmware)를 통한 유연한 확장성 제공, ▲적극적인 기술 지원 등 차별화된 서비스가 뒷받침되어 서다. 특히 해외IP 대비 우수한 성능을 작은 면적으로 구현하여 원가를 절감하고 프리미엄급 칩을 개발하는데 큰 기여를 한 것으로 평가받고 있다. 박진우 LX세미콘 T-Con 개발 리더는 "오픈엣지의 고성능 PHY IP 덕분에 생산 과정에서 설계 자원을 최소화하고 시스템 성능을 극대화하면서도 효율성을 크게 향상시킬 수 있었다"며 "이는 당사 제품의 경쟁력을 한층 더 강화하는 결과를 가져왔으며, 오픈엣지와의 파트너십을 전략적으로 확대해 나갈 계획"이라고 덧붙였다. 이성현 오픈엣지 대표는 “LX세미콘과의 협력을 통해 메모리 시스템 IP의 기술력을 입증할 수 있어 기쁘게 생각하고, 이번 양산 성공은 기술의 신뢰성과 시장 내 입지를 강화하는 중요한 이정표가 됐다"며 “앞으로도 지속적인 기술 혁신과 새로운 IP 라인업 확대로 국내외 시스템반도체 업체와 다양한 협력관계를 구축해나갈 것”이라고 강조했다. 한편 오픈엣지는 LPDDR4 PHY 외에도 LPDDR5x, GDDR6, HBM3 PHY 기술을 보유하고 있으며 2024년에 확정되는 차세대 메모리 표준인 LPDDR6 개발도 서두르고 있다. 2023년에는 라이센스 매출 건수의 절반 이상이 해외 계약이며 2024년에는 해외 비중을 70~80% 선까지 더욱 끌어올릴 계획이다.

2024.02.27 09:43장경윤

곽노정 SK하이닉스 사장 "HBM3E 상반기 양산"...엔비디아 공급 임박

SK하이닉스가 이르면 내달 3월 중으로 5세대 고대역폭메모리 HBM3E 양산을 본격 시작해 고객사에 공급할 예정이다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 26일 오전 서울 중구 대한상공회의소 열린 '민·관 반도체 전략 간담회'에 참석한 후 취재진의 질문에 "HBM3E는 저희가 계획한 일정대로 양산 중이다"라고 말했다. 이어서 그는 '3월 양산설에 대한 질문에 "(웃음) 꼭 특정해서 말씀드려야 하냐"며 "올해 상반기 내 양산할 것 같다"고 말을 아꼈다. 곽 사장이 공식적으로 HBM3E 양산에 대해 언급한 것은 이번이 처음이다. 그가 3월 양산에 대해 부정하지 않은 만큼 3월 양산이 유력한 것으로 관측된다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품을 거쳐 현재 5세대(HBM3E)까지 개발된 상태다. SK하이닉스는 지난해 8월 고객사인 엔비디아에 HBM3E 샘플을 보냈으며, 통상적으로 HBM 검증은 복잡성 때문에 약 6개월이 소요된다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 엔비디아로부터 HBM3E 성능평가와 최종 품질 인증을 완료하고 본격적으로 양산에 돌입할 예정이다. 이에 따라 SK하이닉스는 엔비디아가 올해 2분기 출시하는 AI용 그래픽처리장치(GPU) 가속기 'H200'와 하반기 출시하는 'B100'에 HBM3E를 공급할 것으로 알려진다. H200에는 HBM3E가 6개, B100에 8개가 탑재되기에 SK하이닉스의 공급 물량 확대가 기대되는 부분이다. 앞서 SK하이닉스는 엔비디아 H100에 HBM3을 독점 공급하며 글로벌 HBM 시장 점유율 1위를 기록할 수 있었다. 엔비디아는 AI용 GPU 시장에서 90% 점유율을 차지한다. 김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 부사장은 지난 21일 뉴스룸을 통해 "올해 HBM은 이미 완판"됐다며 "시장 선점을 위해 벌써 2025년을 준비하고 있다"고 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스는 지난달 25일 2023년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다"라며 "AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다"고 말했다. SK하이닉스는 HBM3E 공급에 힘입어 올해 D램 매출에서 HBM 비중이 더욱 높아질 전망이다. 한국투자증권은 SK하이닉스 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 올해 사상 첫 20%를 넘을 것으로 분석했다. 시장조사업체 가트너에 따르면 HBM 시장규모는 지난해 11억 달러(약 1조4천억 원)에서 2027년 51억7700만 달러(6조8천억 원)으로 연평균 36% 성장할 전망이다. 옴디아는 올해 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 9%에서 18%를 넘을 것으로 내다봤다.

2024.02.26 17:25이나리

삼성·SK, HBM4용 본딩 기술 '저울질'…'제덱' 협의가 관건

오는 2026년 상용화를 앞둔 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 두고 업계의 고심이 깊어지고 있다. HBM4 제조의 핵심인 패키징 공정에 기존 본딩(접합) 기술을 이어갈지, 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용해야 할지 명확한 결론이 나지 않아서다. 메모리 업계는 비용 문제 상 기존 본딩 방식을 고수하자는 기류다. 그러나 그간 고객사가 요구해 온 HBM4의 두께 조건을 충족하기 위해서는, 패키징 축소에 유리한 하이브리드 본딩 도입이 필요하다는 의견이 다수였다. 하지만 메모리 업계가 기존 본딩 방식을 고수할 수 있는 가능성도 충분한 상황이다. 현재 HBM4의 규격을 정하는 표준화기구 '제덱(JEDEC)'에서 HBM4의 패키징 두께 요건을 완화하는 합의가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 21일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스를 비롯한 주요 반도체 기업들은 HBM4의 두께를 이전 세대와 비슷한 720㎛(마이크로미터), 혹은 이보다 두꺼운 775마이크로미터로 정하는 방안을 논의 중이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 메모리다. 기존 D램 대비 데이터 처리 성능이 월등히 높아 AI 산업의 핵심 요소로 자리잡고 있다. 현재 HBM은 4세대인 HBM3까지 상용화에 이른 상태다. 올해에는 5세대인 HBM3E가, 오는 2026년에는 6세대인 HBM4가 본격 양산될 예정이다. 특히 HBM4는 정보를 주고받는 통로인 입출력단자(I/O)를 이전 세대 대비 2배 많은 2024개로 집적해, 메모리 업계에 또다른 변혁을 불리 일으킬 것으로 기대된다. 적층되는 D램 수도 최대 16개로 이전 세대(12개)보다 4개 많다. ■ HBM4 성능 뛰어나지만…패키징 한계 다다라 문제는 HBM 제조의 핵심인 패키징 기술의 변화다. 기존 HBM은 각 D램에 TSV 통로를 만들고, 작은 돌기 형태의 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결해주는 구조로 만들어진다. 세부적인 공법은 각 사마다 다르다. 삼성전자는 D램 사이사이에 NCF(비전도성 접착 필름)을 집어넣고 열압착을 가하는 TC 본딩을 활용한다. SK하이닉스는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 채택하고 있다. 다만 HBM4에서는 기존 마이크로 범프를 통한 본딩 적용이 어렵다는 평가가 지배적이었다. D램을 16단으로 더 많이 쌓으면서 발생하는 워피지(휨 현상), 발열 등의 요소들도 있지만, 기존 12단 적층과 같은 720마이크로미터 수준의 높이를 맞춰야 하는 것이 가장 큰 난관으로 꼽힌다. D램을 더 많이 쌓으면서도 높이를 일정하게 유지하려면 각 D램 사이에 위치한 수십㎛ 크기의 마이크로 범프를 제거하는 것이 효과적이다. 각 D램의 표면을 갈아 얇게 만드는 기술(씨닝)도 방법 중 하나지만, 신뢰성을 담보하기가 어렵다. 때문에 업계는 하이브리드 본딩을 대안으로 주목해 왔다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술로, 범프를 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이는 데 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스 역시 이 같은 관점에서 공식행사 등을 통해 하이브리드 본딩 기술의 HBM4 적용 계획에 대해 언급한 바 있다. ■ HBM4 본딩 '투트랙' 전략의 배경…기술·비용적 난관 다만 삼성전자, SK하이닉스가 HBM4에 하이브리드 본딩 기술을 100% 적용하려는 것은 아니다. 양사 모두 기존 본딩, 하이브리드 본딩 기술을 동시에 고도화하는 투트랙 전략을 구사 중이다. 이유는 복합적이다. HBM4용 하이브리드 본딩 기술이 아직 고도화되지 않았다는 주장과, 기존 본딩 대비 생산단가가 지나치게 높다는 의견 등이 업계에서 제기되고 있다. 반도체 장비업계 관계자는 "하이브리드 본딩과 관련한 장비, 소재 단에서 일부 제반 기술이 아직 표준도 정해지지 않아 개발이 힘들다"며 "현재 국내 주요 메모리 업체들과 테스트를 진행하고 있으나, HBM4부터 해당 기술이 적용될 가능성이 명확하지 않은 이유"라고 설명했다. 일례로 하이브리드 본딩 공정은 진공 챔버 내에서 D램 칩에 플라즈마를 조사해, 접합부 표면을 활성화시키는 과정을 거친다. 기존 패키징 공정에서는 쓰이지 않던 기술로, 하이브리드 본딩의 난이도를 높이는 데 기인하고 있다. 시장 측면에서는 제조 비용의 증가가 가장 큰 걸림돌이다. 하이브리드 본딩을 양산화하려면 신규 패키징 설비투자를 대규모로 진행해야 하고, 초기 낮은 수율을 잡기 위한 보완투자가 지속돼야 한다. 실제로 국내 한 메모리 제조업체는 최근 진행한 비공개 NDR(기업설명회)에서 "기존 본딩과 하이브리드 방식 모두 개발 중이지만, 하이브리드 본딩은 단가가 너무 비싸다"고 토로하기도 했다. 결과적으로 메모리 제조업체들은 고객사의 요구 조건을 모두 충족한다는 전제 하에, HBM4에서의 하이브리드 본딩 도입을 가능하다면 피하고 싶어하는 입장이다. 한 반도체 업계 관계자는 "고객사가 요구하는 HBM4 높이의 제한(720마이크로미터)이 풀리면, 공급사로서는 굳이 기존 인프라를 버려가면서까지 기술을 바꿀 이유가 없다"며 "사업적인 측면을 고려하면 당연한 수순"이라고 설명했다. ■ HBM4용 본딩 기술의 향방, '제덱' 협의서 갈린다 이와 관련 업계의 시선은 '제덱(JEDEC)'에 쏠리고 있다. 제덱은 반도체 표준 규격을 제정하는 민간표준기구다. HBM4와 관련한 표준도 이 곳에서 논의되고 있다. 현재 제덱에서는 HBM4의 높이를 720마이크로미터와 775마이크로미터 중 하나를 채택하는 방안이 검토되고 있는 것으로 파악됐다. 표준이 775마이크로미터로 정해지는 경우, 기존 본딩 기술로도 충분히 16단 HBM4를 구현 가능하다는 게 업계 전언이다. 해당 표준안을 정하는 주체로는 메모리 공급사는 물론, HBM의 실제 수요처인 팹리스들도 포함돼 있다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 3사는 공급사 입장 상 775마이크로미터를 주장한 것으로 전해진다. 다만 일부 참여 기업이 이견을 제시하면서, 1차 협의는 명확한 결론없이 종료됐다. 현재 업계는 2차 협의를 기다리는 상황이다. 이 협의의 향방에 따라 HBM4를 둘러싼 패키징 생태계의 방향성이 정해질 가능성이 유력하다. 업계 관계자는 "앞으로의 HBM 로드맵을 고려하면 하이브리드 본딩이 중장기적으로 가야할 길이라는 점에는 업계의 이견이 없을 것"이라면서도 "HBM4 자체만 놓고 보면 기존 본딩을 그대로 적용할 수 있는 가능성이 열려 있어, 각 메모리 공급사들이 촉각을 곤두세우는 분위기"라고 밝혔다.

2024.02.21 15:12장경윤

SK하이닉스, 16단 HBM3E 기술 첫 공개…1등 자신감

SK하이닉스가 이달 20일 국제고체회로학회(ISSCC) 2024 컨퍼런스에서 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다. 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위인 SK하이닉스는 선단 기술을 공개함으로써 기술 리더십을 입증할 계획이다. 이달 18일부터 22일까지 미국 샌프란시스코에서 개최되는 ISSCC는 반도체 집적회로 설계 기술의 올림픽으로 불린다. 세계 각국 3000여 명의 반도체 공학인들이 참여해 연구 성과를 공유하는 자리다. SK하이닉스는 ISSCC 2024 기간 중 당일 오전 열리는 메모리 세션에서 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 16단 48기가바이트(GB) HBM3E를 업계 최초로 공개한다. 16단은 현존하는 최고층 12단 HBM3E 보다 향상된 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 공급했고 올해 상반기에 본격 양산할 계획이다. 또 올해 16단 HBM4를 개발해 2026년 양산에 돌입할 예정이다. 이에 앞서 SK하이닉스는 컨퍼런스에서 16단 HBM3E 기술을 먼저 선보인다. HBM은 여러 개의 D램 칩을 TSV(실리콘관통전극) 공정으로 수직 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 제품이다. HBM은 D램 칩을 쌓을수록 용량이 커진다. 16단은 12단과 동일한 높이에 더 많은 D램 다이를 적층해야 하기 때문에 D램 두께를 얇게 만드는 혁신 기술이 요구된다. 또 D램 칩을 붙이는 과정에서 압력이 가해져 생기는 웨이퍼의 휨 (Warpage) 현상도 방지해야 한다. SK하이닉스는 이런 기술적 난제를 극복하기 위해 3세대 HBM 제품인 HBM2E부터 신공정인 MR-MUF 기술을 적용했고, 지난해 양산에 들어간 12단 HBM3부터는 어드밴스드 MR-MUF(F(Mass Reflow Molded Underfill)를 적용해, 더 작은 크기로 고용량 패키지를 만들어 열방출 성능을 개선했다. SK하이닉스는 이번에 공개하는 16단 HBM3E는 적층을 최적화하기 위해 저전력을 강화한 TSV 설계를 새롭게 적용했다고 밝혔다. 다만, 향후 16단 HBM4에는 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용할 것으로 보인다. 앞서 김춘환 SK하이닉스 부사장은 지난달 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 반도체인 HBM4(D램 16단 적층)와 400단 이상 낸드에 하이브리드 본딩을 활용해 상용화한다는 계획을 언급한 바 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 기판의 연결 통로인 범프(가교)를 없애고 구리(Cu)로 직접 연결하는 차세대 본딩 기술이다. 이 기술을 사용하면 기존 방식 대비 입·출력(I·O) 수를 획기적으로 늘릴 수 있어 데이터처리 속도가 빨라진다. 한편, SK하이닉스는 올해 HBM에 투자를 아끼지 않는다는 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 지난달 말 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 AI 수요 확대에 힘입어 HBM 시장은 앞으로 5년간 연평균 최소 40% 성장할 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 2022년 글로벌 HBM 시장점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를, 2위는 삼성전자(40%), 3위는 마이크론(10%)이 차지했고 올해는 SK하이닉스와 삼성전자 점유율이 47~49%로 엇비슷해지고 마이크론이 3~5%를 기록한다고 내다봤다.

2024.02.14 10:06이나리

삼성·SK, 최선단 D램에 주목하는 이유…"가격 프리미엄 최대 4배"

고용량 서버용 D램의 가격이 올해까지 매우 높은 수준의 가격을 유지할 것이라는 분석이 나왔다. 해당 D램은 최첨단 패키징 기술이 적용되는 메모리로, 가격 프리미엄이 일반 제품 대비 3~4배에 달하는 것으로 알려졌다. 9일 시장조사업체 옴디아에 따르면 서버용 256GB(기가바이트) DDR5의 가격은 지난해 4분기 기준 3천328달러(한화 약 410만 원)를 기록했다. DDR5는 현재 사용화된 가장 최신 규격의 D램이다. 이전 세대(DDR4) 대비 동작 속도 및 전력 효율성이 높아 PC, 스마트폰, 서버 등에서 전환 수요가 증가하고 있다. 특히 높은 데이터 처리 성능이 요구되는 서버 시장에서 최선단 공정 기반의 고용량 D램이 활발히 적용되는 추세다. 현재 가격 프리미엄이 붙은 서버용 D램은 128GB DDR5, 256GB DDR5 두 모델이다. 지난해 4분기 기준으로 가격이 각각 920달러, 3천328달러에 달한다. 이보다 한 단계 용량이 작은 64GB DDR5의 가격이 150달러임을 고려하면 큰 차이다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "128GB D램은 일반 제품의 3배, 256GM D램은 4배 정도의 가격 프리미엄을 받는 상황"이라며 "이 중 256GB D램은 TSV(실리콘관통전극)으로만 구현이 가능한 제품으로 SK하이닉스가 독무대를 차지하고 있는 것으로 보인다"고 밝혔다. TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단의 구멍을 전극으로 연결하는 패키징 기술이다. 서버용 D램에서는 126GB 용량에서부터 일부 업체가 적용하고 있다. 특히 SK하이닉스가 고용량 D램 상용화에 가장 앞선 것으로 평가 받는다. TSV는 기술적 난이도가 높고, 현재 제조업체의 생산능력이 충분치 않아 공정 가격이 높다. 때문에 옴디아는 두 고부가 D램이 올해 내내 높은 가격을 유지할 것으로 내다봤다. 128GB DDR5은 올해 연말 기준으로 760달러, 256GB DDR5은 2천200달러를 기록할 전망이다. 제조업체 입장에서는 고부가 D램의 가격 하락세가 오히려 긍정적인 영향으로 다가올 수 있다. 상용화 초창기에 지나치게 높은 가격으로 인해 구매를 보류하던 고객사들의 대기 수요가 증가하기 때문이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스도 고용량 D램으로의 공정 전환에 적극 나서는 중이다. 삼성전자는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "지난해 4분기 DDR5가 1a(4세대 10나노급) 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과했다"며 "올해 D램 사업은 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량의 1b(5세대 10나노급) 32기가비트 DDR5 도입으로 고용량 D램 시장의 리더십을 제고할 것"이라며 SK하이닉스는 "올해 고객들의 투자가 증가하며 AI향 서버 수요와 더불어 일반 서버의 수요도 회복할 것으로 전망된다"며 "이에 맞춰 고용량 DDR5는 128GB 제품뿐 아니라 최근 수요가 증가하고 있는 256GB까지 고객사 요구에 맞게 제공할 것"이라고 밝혔다.

2024.02.11 09:31장경윤

김주선 SK하이닉스 사장 "AI 인프라로 첨단 메모리 'No.1' 공략"

"AI 중심의 시장 환경에서는 관성을 벗어난 혁신을 추구해야 한다. 앞으로 AI 인프라 조직이 SK하이닉스가 세계 1위 AI 메모리 공급사로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 할 수 있게 최선을 다하겠다." 7일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 'AI 인프라'를 담당하는 김주선 사장과의 인터뷰를 게재했다. 33년간의 현장 경험을 바탕으로 올해 사장으로 승진한 김주선 사장은 SK하이닉스의 신설 조직인 'AI 인프라'의 수장을 맡고 있다. AI 인프라 산하의 GSM(글로벌세일즈&마케팅) 담당도 겸하고 있다. AI 인프라는 AI 기반의 산업 및 서비스를 구축, 테스트, 학습, 배치하기 위해 필요한 하드웨어와 소프트웨어 전반 요소를 뜻한다. SK하이닉스는 AI 인프라 시장의 리더십을 확대하고자 올해 해당 조직을 구성했다. 산하로는 글로벌 사업을 담당하는 GSM, HBM(고대역폭메모리) 사업 중심의 HBM비즈니스, HBM 이후의 미래 제품·시장을 탐색하는 MSR(메모리시스템리서치) 조직이 있다. 이를 기반으로 AI 인프라는 고객별 요구에 맞춰 차별화한 스페셜티(Specialty) 제품을 적기에 공급하고, 거대언어모델(LLM)을 분석해 최적의 메모리를 개발하며, 커스텀 HBM의 콘셉트를 구체화해 차세대 메모리 솔루션을 제안하는 등의 업무를 추진한다. 김주선 사장은 "AI 중심으로 시장이 급격히 변하는 환경에서 기존처럼 일하면 아무것도 이룰 수 없다"며 "관성을 벗어난 혁신을 바탕으로 효율적으로 업무 구조를 재구성하고, 고객의 니즈와 페인 포인트(Pain Point)를 명확히 파악한다면 AI 시장을 우리에게 더 유리한 방향으로 끌고 갈 수 있다"고 밝혔다. 이와 관련해 김주선 사장은 지난 수 년간 GSM 조직을 이끌며 다양한 성과를 거뒀다. 시장 예측 툴 MMI(Memory Market Index)를 개발하고, HBM 수요에 기민하게 대응해 AI 메모리 시장에서 SK하이닉스의 입지를 확고하게 다진 점이 대표적인 사례로 꼽힌다. 김주선 사장은 "MMI 툴을 통해 6개월 이상 앞선 정보를 확보할 수 있었고, HBM 수요에도 적기에 대응할 수 있었다"며 "“AI 시장에서 영향력 있는 기업들과 우호적인 관계를 형성해 놓은 것도 HBM 시장 점유율 1위를 확보할 수 있었던 주요 원인"이라고 설명했다. SK하이닉스의 AI 리더십을 굳히기 위한 강한 의지도 드러냈다. 김주선 사장은 "앞으로도 'AI 메모리는 SK하이닉스'라는 명제에 누구도 의문을 품지 않도록 소통과 파트너십을 강화해 제품의 가치를 극대화하겠다"며 "아울러 SK하이닉스가 글로벌 No.1 AI 메모리 프로바이더로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 하는 조직을 만들겠다"고 강조했다.

2024.02.07 10:18장경윤

"올해 서버 내 D램 용량 17.3% 증가"…AI 덕분

AI 서버 업계의 활발한 투자가 고성능 메모리에 대한 수요를 촉진하고 있다. 올해 서버용 D램의 기기당 용량 증가율이 스마트폰, 노트북 등 타 IT 산업을 크게 앞설 것이라는 전망이 나왔다. 5일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 서버용 D램의 기기당 용량 증가율은 17.3%에 달할 것으로 예상된다. 현재 AI 서버 업계는 엔비디아·AMD 등 주요 팹리스의 최첨단 AI 가속기 확보에 열을 올리고 있다. 동시에 고용량·고효율 데이터 처리를 뒷받침해 줄 고성능 메모리에 대한 수요도 함께 증가하는 추세다. 이에 서버용 D램의 기기당 용량 증가율은 올해 17.3%를 기록할 전망이다. 전년 증가율(13.6%) 대비 3.7%p 상승한 수치로, 다른 IT 산업과 비교하면 가장 증가율이 높다. 스마트폰 및 노트북 분야의 올해 기기당 D램 용량 증가율은 각각 14.1%, 12.4%로 관측된다. 트렌드포스는 "지난해에 이어 올해에도 IT 산업이 AI에 초점을 맞추면서, 서버 부문 내 D램이 가장 큰 성장을 이룰 것"이라며 "아직 AI 기능 도입이 부족한 스마트폰과 PC의 경우 2025년부터 성장이 본격화될 것으로 보인다"고 설명했다. 낸드플래시 역시 AI 산업의 발달에 따라 고용량화를 지속하고 있다. 올해 기기당 SSD 용량 증가율은 서버가 13.2%로 가장 높으며, 스마트폰과 노트북은 각각 9.3%, 9.7% 수준일 것으로 예상된다.

2024.02.06 10:04장경윤

D램·낸드 가격 4개월 연속 상승…삼성·SK 실적 개선 '청신호'

D램, 낸드플래시 등 메모리반도체 가격이 지난달 말까지 4개월 연속 증가세를 이어간 것으로 나타났다. 특히 D램의 경우 올 1분기 내에 추가적인 가격 상승도 가능할 것으로 관측된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 D램 1월 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월 대비 9.09% 증가한 1.80 달러로 집계됐다. 최신 D램 규격에 해당하는 DDR5도 이달 견조한 흐름을 보였다. 8GB(기가바이트) 모듈 기준, 평균 계약 가격이 전월 대비 약 17% 증가한 20.5 달러를 기록했다. 디렘익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "D램 공급사들이 모듈 가격 인상에 대한 확고한 입장을 유지하면서, PC용 D램의 1분기 계약 가격이 전분기 대비 10% 이상 상승했다"며 "이달 하순에 거래가 재개되면 추가 상승의 여력도 존재한다"고 설명했다. 같은 기간 낸드 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)는 전월 대비 8.87% 증가한 4.72 달러를 기록했다. 주요 공급사들의 적극적인 감산 전략과 저용량 제품의 수요가 일부 회복된 것이 영향을 미쳤다.

2024.02.01 08:36장경윤

삼성전자, 3D D램 상용화 임박...송재혁 사장 "최선 다하는 중"

송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장 사장이 "(3D D램 상용화에) 최선을 다하고 있다(do our best)"고 말했다. 송 사장은 31일 세미콘 코리아가 개최한 '인터스트리 리더십 디너' 행사에서 기자들을 만나 이 같이 답했다. 또 3D D램 분위기가 어떤지 묻는 질문에는 "전진을 하고 있다"고 말했다. 삼성전자가 개발하고 있는 3D D램은 칩 안에 있는 기억 소자를 아파트처럼 세로로 쌓는 차세대 D램이다. 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 한다. 앞서 삼성전자는 작년 10월 '메모리 테크 데이' 행사에서 차세대 10나노 이하 D램에 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조 도입 계획을 밝힌 바 있다. 현재 D램은 단일 평면에 데이터 저장 기본단위인 셀을 촘촘히 배치한 2D 구조다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 적층하면, 회로 축소 부담을 덜 수 있고 성능도 향상돼 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(GB) 이상 늘린 수 있다. 이달 초 삼성전자는 3D D램에서 선도적으로 기술을 개발하기 위해 미국 실리콘밸리에 위치한 반도체 미주총괄(DSA)에 'R&D-Dram Path Finding' 조직을 만들었다. 이 조직은 반도체연구소 산하 조직으로, 송재혁 사장이 직접 이끈다. 삼성전자는 이 곳에서 우수 개발인력을 적극 영입하고, 다양한 반도체 생태계와 협력한다는 방침이다. 한편, SEMI 인더스트리 리더십 디너는 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주최하는 행사로 국내 최대 반도체 소재·장비 전시회 '세미콘 코리아' 전시회 첫날에 개최됐다. 이날 행사에는 송재혁 사장을 비롯해 곽노정 SK하이닉스 사장(한국반도체산업협회 회장), 아짓 마노차 SEMI 회장 등 국내외 반도체 기업 대표 400명이 참석해 반도체 네트워크를 쌓고 공급망을 논의하는 시간을 가졌다. 이날 맥스 미르고리 아이멕(imec) 글로벌 파트너십 부사장, 이우경 ASML 코리아 대표 등 주요 반도체 리더들은 송재혁 사장과 곽노정 사장과 인사를 나누기 위해 줄은 선 모습이 눈길을 끌었다. 행사 축사에서 강경성 산업통상자원부 1차관은 "반도체 메가 클러스터 내 튼튼한 반도체 생태계를 조성하기 위해 첨단 테스트베드를 구축하겠다"며 "산업부는 올해도 반도체 동맹을 활용해 글로벌 반도체 공급망 안정화 노력을 강화해 나갈 예정"이라고 전했다.

2024.01.31 19:30이나리

삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

삼성전자 "1분기에 전체 메모리 흑자전환...수익성 개선에 집중"

삼성전자가 지난해 반도체 사업에서 4개 분기 연속 적자를 기록한 가운데, 지난해 4분기 D램 사업에서 흑자전환을 이뤘다. 삼성전자는 올해 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환이 예상된다고 밝혔다. 김재준 삼성전자 메모리 전략마케팅실장(부사장)은 31일 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다"라며 "업계 메모리 생산 전반의 비트그로스가 제한적일 것으로 예상되는 만큼 당사는 고객의 재고 비축 수요보다는 진성 수요 위주로 공급에 대응하겠다"고 말했다. 이어서 김 부사장은 "PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다"며 "다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 할 것으로 보인다. 또 그는 "선단 제품에 대한 고객사들의 요청은 강하게 이어질 것으로 보이며, 또 재고 비축을 위한 수요 또한 지속 발생할 것으로 예상된다"라며 "삼성전자는 생성형 AI 관련 HBM(고대역폭메모리), 서버 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다"고 말했다. PC와 모바일은 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 전망되고 있다. 서버는 AI향 수요 견조세가 지속되는 가운데 작년 긴축 기조 하에서 미루어져 왔던 서버 교체가 신규 플랫폼 전환과 맞물려서 진행되면서 서버 수요가 점진적으로 회복될 전망이다. 한편, 지난해 4분기 삼성전자의 메모리 비트그로스는 전반적인 수요 환경 개선으로 인해 시장을 상회했다. D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다. 김재준 부사장은 "특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다"고 말했다. 이어서 "낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다"고 밝혔다.

2024.01.31 12:34이나리

삼성전자 "감산 당분간 지속...상반기 중 낸드 재고 정상화 전망"

삼성전자가 메모리 감산과 관련해 올해 상반기에도 재고 정상화를 위한 선별적 생산 조정을 이어가겠다고 밝혔다. 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 "재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다"라며 "4분기 출하량 증가 및 지금까지의 생산 하향 조정 영향으로 특히 시황 개선의 속도가 상대적으로 빠른 D램 중심으로 재고 수준이 상당 부분 감소했다"고 말했다. 이어서 "D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정"이라며 "D램 재고는 1분기를 지나면서 정상 범위에 도달할 것으로 보이며, 낸드의 경우도 수요나 시장 환경에 따라 시점 차이는 있을 수 있으나 늦어도 상반기 내에는 정상화가 기대된다"고 밝혔다. 삼성전자는 "수요과 재고 수준을 상시 점검하고 사업 전략을 유연하게 추진할 것"이라고 덧붙였다. 한편, 삼성전자는 지난해 4월 2023년 1분기 컨퍼런스콜에서 메모리 생산량을 조정하기 위해 감산을 시작했다고 밝힌 바 있다.

2024.01.31 12:03이나리

삼성전자 "HBM 판매량 전년比 3.5배 성장...커스텀 HBM로 차별화"

삼성전자가 AI 서버 시장 상승세에 힘입어 지난해 4분기 HBM(고대역폭메모리) 공급이 전년 보다 3.5배 늘었다고 밝혔다. 앞으로 삼성전자는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 삼성전자는 31일 2023년 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다"며 "HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다"고 말했다. 이어서 "HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM 제품인 HBM4를 2026년에 양산할 계획이다. 회사는 "HBM3E의 사업화도 계획대로 진행해 1280기가바이트(GB) 대역폭의 8단 제품을 주요 고객사들에게 샘플 공급 중이고, 올해 상반기 내 당사의 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "12단 적증 기술 기반으로 36GB의 고용량 제품을 구현해 더욱 높아지는 AI향 메모리 성능 및 용량 니즈에 적극 대응해 1분기 내 샘플 공급 예정이다. 그다음 세대인 HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 말했다. 삼성전자는 고객 맞춤형 HBM 공급을 차별화로 내세웠다. 회사는 "생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하고 있는 상황에서 당사는 표준 제품뿐만 아니라 로직 칩을 추가해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM제품도 함께 개발 중으로 현재 주요 고객사들과 세부 스펙에 대해 협의 중"이라며 "시스템 반도체 업체와의 협업이 중요해질 앞으로의 커스텀 HBM 시장에서 당사는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징 사업팀과의 종합 시너지를 강점으로 더욱 경쟁력 있는 시장 대응을 통해 업계를 선도해 나가겠다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:41이나리

SKH가 게임 체인저로 꼽은 '이 기술' …3D D램·400단 낸드서 쓴다

"미래 메모리 산업에서 하이브리드 본딩은 '게임 체인저'로 급부상하고 있다. 3D D램은 물론, 400단급 낸드에서도 하이브리드 본딩 기술을 채택해 양산성을 높이는 차세대 플랫폼을 개발하고 있다." 3일 김춘환 SK하이닉스 부사장은 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 기술 개발 방향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 김 부사장은 '메모리 디바이스의 집적 한계를 극복하기 위한 기술 변화 트렌드(Changes in Technology Trend to Overcome the Integration Limit of Memory Devices)'를 주제로 차세대 D램, 낸드 개발의 주요 과제를 소개했다. 먼저 D램은 선폭이 10나노미터(nm) 이하까지 미세화되면서, 기술적 변혁이 요구되고 있다 대표적으로 트랜지스터 내 핵심 요소인 게이트를 수직으로 세우는 버티컬(Vertical) 게이트, D램 내 트랜지스터와 커패시터를 수직으로 적층하는 3D D램이 가장 유망한 차세대 플랫폼으로 지목된다. 김 부사장은 "각 메모리 업체들의 차세대 플랫폼 개발 전략에 따라 향후 D램 시장의 판세가 바뀌게 될 것"이라며 "이외에도 High-NA EUV, 저항성을 낮춘 신물질 도입 등의 기술적 과제가 남아있다"고 밝혔다. 낸드에서도 더 높은 단수를 적층하기 위한 신기술이 활발히 연구되고 있다. 현재 SK하이닉스는 낸드 게이트의 물질인 텅스텐을 몰리브덴으로 대체하는 방안, 고종횡비(HARC) 식각의 높은 비용 부담을 줄이기 위해 일부 공정을 통합(Merged) 진행하는 방안 등을 개발하고 있다. 특히 김 부사장은 차세대 D램 및 HBM(고대역폭메모리), 낸드 제조의 핵심 기술로 하이브리드 본딩을 꼽았다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 활용되던 범프를 쓰지 않고, 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. 패키지 두께를 최소화하는 데 유리하다. 김 부사장은 "차세대 HBM과 D램, 낸드 분야에서 하이브리드 본딩이 게임 체인저로 급부상하고 있다"며 "3D D램에서도 하이브리드 본딩을 접목하는 연구개발이 진행되고 있고, 특히 낸드에서도 400단급 제품에서 하이브리드 본딩 기술로 경제성 및 양산성을 높인 차세대 플랫폼을 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:40장경윤

온디바이스 AI 시대, HBM도 '저전력' 맞춤 설계 주목

최근 IT 시장에 온디바이스 AI 기술이 빠르게 도입되면서, 미래 HBM(고대역폭메모리) 시장에도 변화가 감지된다. HBM의 성능을 다소 낮추더라도 저전력(LP)에 특화된 맞춤 제품에 대한 수요가 최근 증가하고 있는 것으로 파악된다. 29일 업계에 따르면 일부 IT 기업들은 온디바이스AI 시장을 겨냥해 저전력 특성을 높인 HBM 설계를 요청하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 첨단 메모리다. 전기 신호를 통하게 하는 입출력 단자(I/O)를 1천24개로 기존 D램(최대 32개) 대비 크게 늘려, 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. 대역폭이 높으면 데이터 처리 속도가 빨라진다. 현재 HBM은 고용량 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 엔비디아·AMD 등이 설계하는 서버용 GPU(그래픽처리장치)와 여러 개의 HBM을 집적한 AI 가속기가 대표적인 사례다. 나아가 HBM 시장은 향후 온디바이스 AI 등 저전력 특성이 강조되는 시장에 맞춰 설계될 수 있을 것으로 기대된다. 반도체용 소프트웨어 업계 관계자는 "최근 복수의 잠재 고객사들이 HBM의 대역폭을 낮추더라도 저전력 특성을 강화하는 방안을 제시해 왔다"며 "서버 만큼의 성능은 아니지만, 일부 엣지 단에서 HBM을 쓰고자 하는 요청이 적지 않다"고 밝혔다. 온디바이스 AI는 클라우드 및 데이터센터를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술이다. 삼성전자, 퀄컴, 인텔 등이 최근 온디바이스 AI 성능이 강조된 칩셋 및 제품을 잇따라 공개하면서 시장 안착에 속도를 붙이고 있다. 온디바이스 AI의 실제 구동 환경에서는 클라우드와 엣지 네트워크를 동시에 활용하는 '하이브리드 AI' 운용이 필요할 것으로 관측된다. 이에 전 세계 주요 IT기업들도 엣지 분야에서 HBM을 활용할 수 있는 방안을 강구하고 있다. AI 반도체 기업 고위 임원은 "모바일이나 오토모티브 등을 겨냥한 엣지용 AI 칩셋도 향후 HBM과 결합될 가능성이 충분히 높다고 본다"며 "아직까진 설계 초기 단계이기는 하나 막연하게 먼 미래가 아닌 시장에서 가시적으로 실체가 나타나고 있는 상황"이라고 말했다.

2024.01.29 14:48장경윤

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