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"내년 D램서 HBM 매출비중 30% 돌파...가격도 오른다"

AI 산업에서 강력한 수요를 보이고 있는 HBM(고대역폭메모리) 시장이 내년에도 성장세를 지속할 것으로 관측된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 내년 30%를 넘어설 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리 반도체다. 고용량·고효율 데이터 처리 성능을 요구하는 AI 산업에서 수요가 폭발적으로 증가하는 추세다. 트렌드포스의 예측에 따르면 HBM 수요 연간성장률은 올해 200%, 내년 100% 수준이다. 첨단 제품에 해당하는 만큼 HBM의 가격은 기존 D램(DDR5) 대비 약 5배 가량 비싸다. 나아가 HBM의 공급부족 현상이 지속되면서, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 제조업체들은 최근 내년도 HBM의 가격을 5~10% 가량 인상한 것으로 알려졌다. 이에 따라 전체 D램 매출 비중에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 8%에서 올해 21%, 내년 30% 이상으로 급증할 것으로 예상된다. 전체 D램 비트 출하량 내 HBM 비중도 지난해 2%에서 올해 5%, 내년 10% 이상으로 높아질 전망이다. 트렌드포스가 진단한 HBM의 가격 상승의 주 원인은 크게 세 가지다. 먼저 수요 측면에서는 구매자들이 AI 수요에 대해 높은 전망치를 유지하면서, 가격 인상을 충분히 수용하고 있다. 공급 측면에서는 수율이 핵심 요소로 떠오르고 있다. 트렌드포스가 추산한 HBM3E의 TSV 공정 수율은 현재 40~60%대에 불과하다. 나아가 모든 공급업체가 HBM3E의 양산 승인을 받지 않은 상황이기 때문에, HBM3E 가격에 프리미엄이 붙고 있는 상황이다. 또한 주요 제조업체의 신뢰성, 생산능력에 따라 Gb(기가비트)당 메모리 가격이 달라질 수 있다는 점도 변수다. 트렌드포스는 "HBM 시장이 높은 가격 프리미엄과 AI 반도체에 대한 용량 요구 증가로 인해 강력한 성장을 이룰 준비가 됐다"며 "특히 내년에는 HBM 시장이 12단 HBM3E로의 전환이 가속화될 것"이라고 설명했다.

2024.05.07 13:11장경윤

삼성전자 "올해 HBM 누적 매출 100억 달러...종합 반도체 역량 집결"

"삼성전자는 업계에서 단시간에 따라올 수 없는 종합 반도체 역량을 바탕으로 AI 시대에 걸맞은 최적의 솔루션을 지속적으로 선보일 예정이다." 김경륜 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 상무는 2일 삼성전자 뉴스룸에서 기고문을 통해 이 같이 밝혔다. 삼성전자는 AI 시대에 발맞춰 HBM(고대역폭메모리), 3D D램, LLW, CXL 등 다양한 메모리 솔루션을 적기에 공급한다는 목표다. 삼성전자는 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하며, AI용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다고 밝혔다. 2016년부터 2024년까지 예상되는 삼성전자의 총 HBM 매출은 100억 달러가 넘을 것으로 전망된다. 김 상무는 "삼성전자는 HBM3E 8단 제품에 대해 지난달부터 양산에 들어갔으며, 업계 내 고용량 제품에 대한 고객 니즈 증가세에 발맞추어 업계 최초로 개발한 12단 제품도 2분기 내 양산할 예정으로 램프업(Ramp-up) 또한 가속화할 계획"이라며 "앞으로 삼성전자는 성장하는 생성형 AI용 수요 대응을 위해 HBM 캐파 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 것이다"고 전했다. 삼성전자는 고객 맞춤형 HBM으로 경쟁력을 확보했다고 자신했다. 김 상무는 "최근 HBM에는 맞춤형(Custom) HBM이라는 표현이 붙기 시작했다. 이는 AI 반도체 시장에서 메모리 반도체가 더 이상 범용 제품이 아니라는 것을 의미한다고 볼 수 있다"라며 "삼성전자는 고객별로 최적화된 '맞춤형 HBM' 제품으로 주요 고객사들의 수요를 충족시킬 계획이다"고 말했다. HBM 제품은 D램 셀을 사용해 만든 코어 다이와 시스템온칩(SoC)와의 인터페이스를 위한 버퍼 다이로 구성되는데, 고객들은 버퍼 다이 영역에 대해 맞춤형 IP 설계를 요청할 수 있다. 이는 HBM 개발 및 공급을 위한 비즈니스 계획에서부터 D램 셀 개발, 로직 설계, 패키징 및 품질 검증에 이르기까지 모든 분야에서 차별화 및 최적화가 주요 경쟁 요인이 될 것임을 의미한다. 김 상무는 "변화무쌍한 AI 시대에서 고객들이 원하는 시스템 디자인을 완벽히 이해하고, 미래 기술 환경까지 고려해 시스템의 발전을 예측하고 주도하기 위해서는 종합 반도체 역량을 십분 활용해야 한다"라며 "삼성전자는 차세대 HBM 초격차 달성을 위해 메모리뿐만 아니라 파운드리, 시스템LSI, AVP의 차별화된 사업부 역량과 리소스를 총 집결해 경계를 뛰어넘는 차세대 혁신을 주도해 나갈 계획이다"고 전했다. 이를 위해 삼성전자는 올 초부터 각 사업부의 우수 엔지니어들을 한데 모아 차세대 HBM 전담팀을 구성해 맞춤형 HBM 최적화를 위한 연구 및 개발에 박차를 가하고 있다. 삼성전자는 LLW, CXL, 3D D램 개발에도 한창이다. 삼성전자는 온디바이스 AI(On-Device AI) 관련 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 LPCAMM2를 2023년 9월 업계 최초로 개발했다. 또 기존 LPDDR 대비 고대역폭을 가지고 있어 기기에서 생성되는 데이터를 실시간으로 처리할 수 있는 LLW(Low Latency Wide I/O)를 개발 중에 있다. 이 밖에도 미래 AI 시대를 대비하기 위해 컴퓨테이셔널 메모리(Computational Memory), 첨단 패키지(Advanced Package) 기술 등을 통해 새로운 솔루션 발굴을 추진하고 있다. 아울러 삼성전자는 D램 기술 초격차 유지를 위해 10나노미터(nm) 이하 D램에 수직 채널 트랜지스터(VCT, Vertical Channel Transistor)를 활용하는 새로운 구조에 대한 선제적인 연구 개발을 진행하고 있으며, 2030년 3D D램 상용화에 나설 계획이다. 김 상무는 "삼성전자는 1992년부터 30년 이상 메모리 제품 기술 분야에서의 리더십을 바탕으로 선제적인 투자를 했으며, 이를 바탕으로 적시에 최고 품질의 제품을 공급해왔다"며 '종합 반도체' 역량을 다시금 강조했다.

2024.05.02 09:12이나리

삼성전자 "2Q 서버용 D램 50%, 낸드 100% 이상 출하량 확대"

삼성전자가 올 2분기 실수요가 높은 서버용 D램 및 낸드 출하량을 전년동기 대비 각각 50%, 100% 이상 확대할 계획이다. 삼성전자는 30일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 D램, 낸드의 올 2분기 출하량과 가격 전망에 대해 이같이 밝혔다. 앞서 삼성전자의 1분기 D램과 낸드 출하량은 전분기 대비 각각 10% 중반, 한 자릿 수 초반대 감소했다. 반면 ASP(평균거래가격)의 경우 D램은 약 20%, 낸드는 30% 초반대로 시장 기대치를 상회하는 상승폭을 기록했다. 생성형 AI 산업 발달에 따른 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD 비중이 확대된 데 따른 영향이다. 삼성전자는 올 2분기에도 HBM 등 실수요가 높은 선단 공정 D램 및 서버용 SSD 생산에 집중할 예정이다. 이에 따라 2분기 삼성전자의 D램 비트그로스(비트 단위 출하량 증가율)는 한 자릿수 초반에서 중후반 증가하고, 낸드는 전 분기와 유사한 수준을 유지할 것으로 전망된다. 삼성전자는 "생성형 AI향 첨단제품 수요에 적극 대응하면서 2분기 서버용 D램은 전년동기 대비 50% 이상, 서버용 SSD는 100% 이상의 비트 성장을 기대하고 있다"며 "이를 통해 2분기에도 수익성 회복을 지속할 수 있게 노력할 것"이라고 강조했다.

2024.04.30 11:11장경윤

삼성전자, 1분기 시설투자 11.3조원…HBM·DDR5 적극 대응

삼성전자가 첨단 메모리 및 파운드리 경쟁력 확보와 IT용 OLED 시장 대응에 집중적으로 투자한 것으로 나타났다. 삼성전자는 올 1분기 시설투자 규모가 11조3천억원으로 집계됐다고 30일 밝혔다. 전년동기 대비 6천억원 증가한 규모다. 사업별로는 반도체(DS)에 9조7천억원, 디스플레이에 1조1천억원이 할당됐다. 메모리의 경우 기술 리더십 강화를 위한 R&D 투자를 지속하고 특히 HBM·DDR5 등 첨단 제품 수요 대응을 위한 설비 및 후공정 투자에 집중했다. 파운드리는 중장기 수요에 기반한 인프라 준비 및 첨단 R&D를 중심으로 투자를 지속했으며, 설비 투자의 경우 시황을 고려해 탄력적으로 운영했다. 디스플레이는 IT OLED 및 플렉시블 제품 대응 중심으로 투자가 집행됐다. 삼성전자는 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자와 R&D 투자를 꾸준히 이어갈 방침"이라고 밝혔다.

2024.04.30 09:14장경윤

차세대 패키징 시장, 2.5D가 핵심…SK하이닉스도 "HBM 위해 공부 중"

"차세대 패키징 시장에서는 융복합 기술이 핵심 요소가 될 것이라고 생각한다. 메모리와 로직, 컨트롤러 등이 하나의 패키지로 연결되는 2.5D, 3D 패키징 등이 대표적이다. SK하이닉스도 HBM을 보다 잘 만들기 위해 내부적으로 공부를 하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 26일 서울 코엑스에서 열린 '첨단 전자실장 기술 및 시장 세미나'에서 SK하이닉스의 HBM용 패키징 기술 동향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 문 부사장은 "2010년대까지 패키징 기술은 얼마나 칩을 많이 쌓아 메모리 밀도를 높일 수 있는지(스태킹)에만 주력했다"며 "이제는 어떠한 패키징을 적용하느냐에 따라 칩의 특성이 바뀔 수 있다는 퍼포먼스 관점으로 나아가고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "차세대 패키징 기술은 2.5D와 같이 메모리와 로직·컨트롤러 등이 융복합되는 방향으로 나아가고 있어 우리나라도 차근차근 기술을 확보해나가야 한다"며 "SK하이닉스도 HBM을 더 강건하게 만들기 위해 이러한 기술을 내부적으로 공부하고 있다"고 덧붙였다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 대표적으로 대만 주요 파운드리 TSMC는 자사의 2.5D 패키징에 'CoWoS'라는 브랜드를 붙이고, AI반도체와 HBM을 하나의 칩에 집적하는 공정을 수행하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 기존 D램 대비 크게 끌어올린 차세대 메모리다. 각 D램을 연결하기 위해서는 칩에 미세한 구멍을 뚫은 뒤, 수천 개의 TSV(실리콘관통전극)를 통해 상하단의 구멍을 연결하는 공정이 활용된다. TSV는 기존 칩을 연결하는 와이어 본딩 대비 데이터 처리 속도와 소비전력을 향상시키는 데 유리하다. 문 부사장은 "HBM은 매우 고속으로 작동하기 때문에 서멀(열)을 얼마나 잘 배출하는 지가 패키징에서 가장 중요한 요소가 될 것"이라며 "이에 SK하이닉스는 HBM2E부터 MR-MUF 공법을 적용하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 또 다른 본딩 기술인 NCF 대비 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 평가를 받고 있다. 다만 MR-MUF는 웨이퍼의 끝단이 휘는 워피지 현상에 취약하다는 단점이 있다. 특정 영역에서 보호재가 골고루 발리지 않는 보이드 현상도 MR-MUF의 신뢰성에 악영향을 미치고 있다. 문 부사장은 "다행히 HBM 개발 초창기보다 워피지 현상을 줄이는 데 성공했고, 현재도 이를 극복하기 위한 기술을 개발 중"이라며 "보이드를 줄이는 것도 SK하이닉스의 기술적인 당면 과제"라고 설명했다.

2024.04.26 13:35장경윤

SK하이닉스, TSMC 테크 행사서 'HBM·패키징 협력 관계' 강조

SK하이닉스는 24일(미국시간) 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열린 'TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄'에 참가했다고 25일 밝혔다. SK하이닉스는 이번 행사에서 AI 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 선도적인 경쟁력을 알리고, TSMC의 첨단 패키지 공정인 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 협업 현황 등을 공개했다. CoWoS는 칩들을 실리콘 기반의 인터포저 위에 올려 한꺼번에 패키징하는 기술이다. TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄은 TSMC가 매년 주요 파트너사들을 초청해 각 사의 신제품 및 신기술을 공유하는 자리다. SK하이닉스는 이 행사에서 'Memory, The Power of AI'라는 슬로건을 걸고 업계 최고 성능인 HBM3E를 선보여 많은 관심을 끌었다. 이 제품은 최근 AI 시스템에 탑재해 평가했을 때 I/O(입출력 통로)당 최대 10Gb/s(기가비트/초)의 데이터 전송 속도를 기록하는 등 업계 최고 수준을 보인 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 TSMC와 협력존을 열고 회사가 HBM 리더십을 확보하는 데 CoWoS 분야에서의 협력이 중요했다고 강조하며, 차세대 HBM 등 신기술을 개발하기 위해 양사가 더 긴밀하게 협업해 나갈 계획이라고 밝혔다. 이 밖에도 SK하이닉스는 AI 산업을 지원할 다양한 고성능 제품군을 선보였다. 인터페이스를 하나로 통합한 CXL 메모리, 서버용 메모리 모듈인 MCRDIMM 및 3DS RDIMM, 온디바이스 AI에 최적화된 LPCAMM2 및 LPDDR5T, 그리고 차세대 그래픽 D램인 GDDR7 등 다양한 라인업을 공개했다. 본 행사에 앞서 22일(미국시간) 진행된 워크숍에서는 권언오 SK하이닉스 부사장(HBM PI 담당), 이재식 부사장(PKG Engineering 담당)이 'HBM과 이종 집적 기술' 등에 관해 발표를 진행했다. SK하이닉스는 AI 메모리 선도 경쟁력을 강화하기 위해 기술, 비즈니스, 트렌드 등 다방면에서 파트너와의 협력 관계를 지속해 나간다는 계획이다.

2024.04.25 18:21장경윤

최태원 회장, 젠슨 황 엔비디아 CEO 만나 'AI 파트너십' 논의

최태원 SK그룹 회장이 미국 주요 팹리스 기업인 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)와 만남을 가졌다. 업계는 두 인사가 AI 반도체 분야에서의 협력 강화 방안을 논의했을 것으로 보고 있다. 최태원 회장은 25일 사회관계망서비스(SNS) 인스타그램에 젠슨 황 엔비디아 CEO와 함께 찍은 사진을 게재했다. 장소는 미국 산타클라라 엔비디아 본사로 추정된다. 사진에서 최 회장과 황 CEO는 함께 엔비디아의 브로슈어에 적힌 황 CEO의 자필 메시지를 보며 대화를 나누는 모습이 담겼다. 황 CEO는 최 회장의 영어 이름인 토니(Tony)를 지칭하며 "AI와 인류의 미래를 함께 만들어가는 파트너십을 위해!"라는 내용의 자필 편지를 전했다. 업계는 두 인사가 이번 만남으로 AI 산업에서의 협력 강화를 모색했을 것으로 관측하고 있다. 엔비디아는 미국 주요 팹리스 기업으로, AI 산업에 필수적으로 활용되고 있는 고성능 GPU(그래픽처리장치) 및 AI 가속기를 개발하고 있다. AI용 반도체 시장에서 엔비디아가 차지하는 점유율은 80% 이상으로 압도적이다. SK하이닉스는 지금까지 엔비디아의 AI반도체에 고대역포메모리(HBM)을 독점 공급하며 주도권을 쥐고 있다. 지난 3월에는 4세대 HBM 제품인 8단 HBM3E를 가장 먼저 공급하면서 양사는 공고한 협력 체계를 유지하고 있다. 한편, 업계에서는 최태원 회장이 HBM 경쟁사인 삼성전자와 마이크론을 의식하고 젠승 황 CEO를 만난 것이란 해석이 나온다. 지난해 SK하이닉스는 엔비디아에 HBM3을 독자 공급해 왔는데, 엔비디아가 HBM3E부터 공급망 다각화에 나서면서 경쟁이 심화되고 있기 때문이다. 앞서 젠승 황 CEO는 지난달 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에서 삼성전자 부스를 방문했으며, 전시된 삼성의 12단 HBM3E에 "젠슨 승인(JENSEN APPROVED)"이라고 사인하기도 했다. '승인'에 대한 구체적인 의미는 알려지지 않았지만, 업계에서는 삼성전자가 엔비디아에 HBM3E 공급한다는 기대감이 높아진 상태다.

2024.04.25 18:10장경윤

AI메모리 날개 단 SK하이닉스, 1Q 깜짝실적..."HBM 투자 늘린다"

SK하이닉스가 올해 1분기 실적에서 영업이익 2조8천860억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 1조8550억원)를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 수치다. 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 빠르게 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 수요 개선에 힘입어 2분기 및 하반기에도 실적 성장세를 이어나갈 전망이다. 아울러 빠르게 상승하는 HBM 수요에 대응하기 위해 연초 계획보다 올해 투자 규모를 늘리기로 결정했다. ■ SK하이닉스, 영업이익 2.8조원 '어닝 서프라이즈'...하반기도 상승세 SK하이닉스는 25일 실적발표를 통해 1분기 매출 12조4296억원으로 전년 동기 대비 144.3%가 증가하고, 전기 대비 9.9% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대다. 1분기 영업이익 2조8860억원(영업이익률 23%)으로 전년 동기(영업손실 3조4023억원) 대비 흑자전환했고, 전기 대비 734% 늘었다. 순이익은 1조9170억원(순이익률 15%)의 경영실적을 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속돼 온 다운턴에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "HBM 등 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량을 늘리는 한편, 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다"며 "낸드 역시 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하며 흑자 전환에 성공해 큰 의미를 두고 있다"고 강조했다. SK하이닉스에 따르면 1분기 D램 ASP는 전 분기 대비 20% 이상 상승했다. 낸드 ASP는 30% 이상 오르면서 흑자전환에 성공했다. SK하이닉스는 "D램은 2개 분기 연속 전 제품의 가격이 상승했다. 낸드는 엔터프라이즈 SSD 제품 위주로 판매를 확대하면서 전 분기 수준의 출하량을 유지했으며, ASP는 전 제품의 가격이 크게 올랐다. 특히 프리미엄 제품인 엔터프라이즈 SSD의 판매 비중 확대와 지난해 4분기부터 이어진 높은 ASP 상승률로 인해 흑자로 전환됐다"고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요가 지속적으로 늘어나고, 하반기부터는 일반 D램 수요도 회복돼 올해 메모리 시장은 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 또 일반 D램보다 큰 생산능력(Capacity, 이하 캐파)이 요구되는 HBM과 같은 프리미엄 제품 위주로 생산이 늘어나면서 범용 D램 공급은 상대적으로 축소돼, 공급사와 고객이 보유한 재고가 소진될 것으로 업계에서는 보고 있다. ■ 올해 HBM3E 8단 공급 본격화... 내년에 HBM3E 12단 공급 SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E 8단 공급을 늘리는 한편 고객층을 확대해나갈 계획이다. 아울러 HBM3E 12단 제품을 3분기에 개발 완료한 후 내년에 고객사에 공급할 예정이다. SK하이닉스는 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라며 "HBM3E12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰서 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 다음에 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급을 준비하고 있다"고 말했다. 이어 "HBM3E 가격은 상대적으로 높은 성능, 원가 상승분 등을 고려해서 기존 HBM3 대비에서는 가격 프리미엄이 반영돼 있다"라며 "우리는 업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 생산성, 1b나노 테크 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업도 순조롭게 진행하고 있다. 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진 중이다"고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. AI 반도체 시장 성장에 따라 올해 HBM 수요는 지난해 말 전망치 보다 더 늘어날 것으로 전망된다. 회사는 "최근 CSP(클라우드 서비스 제공) 업체들의 AI 서버 투자 확대, AI 서비스 품질 개선을 위한 추가 수요 등으로 HBM 수요가 더욱 큰 폭으로 증가하고 있다"라며 "이는 불과 반년 전에 대비해서 HBM 수요 가시성이 더욱 명확해지고 있는 모습이다"고 강조했다. 이어 "기존 고객 그리고 잠재 고객들과 함께 2025년 그리고 그 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다"며 "2025년 캐파 규모는 장비 리드타임 등을 고려해서 현재 고객들과 협의를 진행하고 있다"고 덧붙였다. HBM 패키징 기술과 관련해서는 16단 HBM4(6세대 HBM)까지 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 유지해 나간다는 계획을 밝혔다. 회사는 "차세대 HBM 패키징의 높이 기준이 완화되면 하이브리드 본딩 적용 시점이 다소 늦어질 것으로 예상된다"고 전했다. SK하이닉스는 이달초 협력사인 TSMC와 2026년 양산 예정인 HBM4를 공동 개발하기로 양해각서(MOU)를 체결하기도 했다. SK하이닉스는 HBM뿐 아니라 10나노 5세대(1b) 기반 32Gb DDR5 제품을 연내 출시해 회사가 강세를 이어온 고용량 서버 D램 시장 주도권도 강화한다는 계획도 밝혔다. 낸드의 경우 실적 개선 추세를 지속하기 위해 제품 최적화를 추진할 계획이라고 SK하이닉스는 밝혔다. 회사가 강한 경쟁력을 보유하고 있는 고성능 16채널 eSSD와 함께 자회사인 솔리다임의 QLC 기반 고용량 eSSD 판매를 적극적으로 늘리고, AI향 PC에 들어가는 PCIe 5세대 cSSD를 적기에 출시해 최적화된 제품 라인업으로 시장 수요에 대응하기로 했다. ■ 올해 투자 규모 늘린다...청주 M15X·용인 클러스터·美 인디애나 팹 투자 SK하이닉스는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 올해 전체 투자 규모를 연초 계획보다 늘리기로 결정했다. 회사는 "올해 투자 규모는 연초 계획보다는 증가할 것으로 생각한다"라며 "예상보다 급증하고 있는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 추가적인 클린룸 공간 확보 필요하다고 판단한다"고 언급했다. 올초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스의 올해 투자 규모는 12조원 이상이 예상된다. SK하이닉스는 어제(24일) 청주에 신규 팹 M15X을 건설한다고 발표했다. M15X 팹은 건설비 약 5조2천962억원을 포함해 총 20조원이 투입되며, 이달 말부터 건설에 나서 내년 11월에 양산을 시작할 예정이다. 또 이달 초에는 미국 인디에나에 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 2028년 차세대 HBM 등을 생산하는 후공정 팹을 건설한다고 밝혔다. 아울러 용인 클러스터 첫 팹은 2027년 오픈을 목표로 한다. 이를 통해 HBM뿐 아니라 일반 D램 공급도 시장 수요에 맞춰 적절히 늘려갈 계획이다. 이 과정에서 글로벌 메모리 시장이 안정적으로 커 나가게 하는 한편, 회사 차원에서는 투자효율성과 재무건전성을 확보할 수 있을 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "HBM을 중심으로 한 글로벌 1위 AI 메모리 기술력을 바탕으로 당사는 반등세를 본격화하게 됐다"며 "앞으로도 최고 성능 제품 적기 공급, 수익성 중심 경영 기조로 실적을 계속 개선하겠다"고 말했다.

2024.04.25 14:04이나리

SK하이닉스 "연말 일반 D램 캐파, 22년 피크 수준에 미치지 못할 것"

SK하이닉스가 AI 메모리 수요 급증으로 전체 메모리 업황이 개선되고 있지만, 연말 일반 D램 캐파는 과거 피크 수준에 미치지 못할 것으로 내다봤다. 따라서 일반 D램은 신중하게 가동률 회복을 결정한다는 입장이다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 이 같이 밝혔다. 회사는 팹이 100% 가동률을 회복한다 하더라도 2022년 하반기에 보았던 피크 수준의 카파에 도달할 수있는 지에 대한 질문에 "올해 연말에 D램 업계의 캐파는 과거 피크 수준에는 미치지 못할 것으로 전망된다"고 말했다. 이어 "지난 2년간 모든 메모리 업체들은 다운턴에 대응하기 위해서 과감한 투자 축소와 적극적인 감산을 진행했고, 현재는 신규 제품의 수요 증가에 대응하기 위해 가동률을 점진적으로 회복 회복시켜 나가는 중이다"며 "D램과 낸드는 AI로 인해서 수요 증가와 공급 측면 등 여러 면에서 차이가 있기에 가동률에 대한 접근도 다르게 대응해 나가는 것이 필요하다"고 말했다. 또 "하반기 일반 D램 제품의 수요 개선이 보다 명확해지는 시점에는 기존 계획보다 조금 빠른 속도로 가동률이 회복될 것으로 예상된다. 하지만 가동률을 100% 회복하더라도 선단 공정으로의 전환 과정의 웨이퍼 생산 캐파는 줄어들 수밖에 없는 상황"이라고 설명했다. 이어서 회사는 "D램은 강한 수요를 보이는 HBM(고대역폭메모리) 위주로 공급량을 확대 추진하고 있고, HBM 칩 사이즈로 인해서 웨이퍼 투입 확대에도 완제품 생산량 증가는 상당히 제한적인 상황"이라고 덧붙였다 낸드 또한 신중하게 가동률을 높이겠다는 전략이다. SK하이닉스는 "낸드는 AI로 인한 수요 수혜가 예상은 되지만 아직 일반 응용처의 수요 개선이 의미 있게 나타나지 않고 있다. HBM과 같은 공급상의 제약이 없는 점을 고려하면 D램에 비해서는 보다 신중하게 가동률 회복을 결정하겠다"고 말했다. 이어 "회사는 고용량 SSD와 같이 뚜렷하게 수요가 개선되고 있는 제품 중심으로 생산을 확대하기 위해서 가동률을 높이고 있고, 이에 따라서 해당 제품을 생산하는 팹은 감산에 따른 비용 부담도 점진적으로 줄어들 것으로 예상한다"고 설명했다. 솔리다임 또한 고용량 엔터프라이즈 SSD처럼 수요가 개선 중인 제품에 한해서 가동률을 점진적으로 회복시켜 나가고 있다. 회사는 "중국 데련 팹에 144단, 192단 제품 양산을 이어 나가면서 고용량 엔터프라이즈 SSD 수요 업사이드에 대응할 계획"이라며 "장기적 관점에서 대량 팹 활용 계획은 앞으로의 엔터프라이즈 SSD 시장 수요와 지정학적 상황, 본사 스페이스 운영 계획 등 모든 것들을 종합적으로 고려해서 결정할 예정이다"고 밝혔다.

2024.04.25 12:18이나리

SK하이닉스 "12단 HBM3E 내년 공급...고객사와 장기 프로젝트 논의중"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품을 3분기에 개발 완료한 후 내년에 고객사에 공급할 예정이다. 아울러 지난해 예측 보다 HBM 수요가 더 증가함에 따라 고객사들과 내년 이후의 장기 프로젝트를 논의 중에 있다고 밝혔다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라며 "HBM3E12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰서 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 다음에 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급을 준비하고 있다"고 말했다. 이어 "HBM3E 가격은 상대적으로 높은 성능, 원가 상승분 등을 고려해서 기존 HBM3 대비에서는 가격 프리미엄이 반영돼 있다"라며 "우리는 업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 생산성, 1b나노 테크 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업도 순조롭게 진행하고 있다. 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진 중이다"고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품 순으로 공급됐으며, 올해 상반기부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다. SK하이닉스도 지난 1월 CES 2024에서 처음으로 12단 HBM3E 실물을 공개한 바 있다. SK하이닉스는 HBM 공급 과잉에 대한 시장의 우려에 대해서 일축했다. SK하이닉스는 "작년 10월 실적 설명회에서 올해 늘어나는 HBM 캐파는 고객과 협의해서 투자의사결정을 진행한 것으로 이미 솔드아웃(판매완료)됐고, 중장기 관점에서 다양한 AI 플레이어 그리고 잠재 고객들과 사업 영역을 확대하는 논의도 하고 있다고 밝힌 바 있다"라며 "최근 상황을 말씀드리면 CSP(클라우드 서비스 제공) 업체들의 AI 서버 투자 확대, AI 서비스 품질 개선을 위한 추가 수요 등으로 HBM 수요가 더욱 큰 폭으로 증가하고 있다. 이는 불과 반년 전에 대비해서 HBM 수요 가시성이 더욱 명확해지고 있는 모습이다"고 강조했다. 이어서 "올해 이후 HBM 시장은 여전히 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, 모델리티 확대, AI 서비스 공급자 확대, 무엇보다 엔드 고객단에서 유지 케이스 증가와 같은 다양한 요인으로 인해서 급격한 성장을 지속할 것으로 전망한다"라며 "SK하이닉스는 제품 경쟁력과 대규모 양산 경험을 기반으로 상당수의 기존 고객 그리고 잠재 고객들과 함께 2025년 그리고 그 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다"고 전했다. 이어 "2025년 캐파 규모는 장비 리드타임 등을 고려해서 현재 고객들과 협의를 진행하고 있다"고 덧붙였다.

2024.04.25 10:45이나리

SK하이닉스, 1분기 영업익 2.8조 '어닝 서프라이즈'..."AI 메모리 덕분"

SK하이닉스가 올해 1분기 실적에서 영업이익 2조8860억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 1조8550억원)를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 수치다. 이번 실적은 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 빠르게 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 25일 올해 1분기 매출 12조4296억원으로 전년 동기 대비 144.3%가 증가하고, 전기 대비 9.9% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대다. 1분기 영업이익 2조8860억원(영업이익률 23%)으로 전년 동기(영업손실 3조4023억원) 대비 흑자전환했고, 전기 대비 734% 늘었다. 순이익은 1조9170억원(순이익률 15%)의 경영실적을 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속돼 온 다운턴에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "HBM 등 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량을 늘리는 한편, 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다"며 "낸드 역시 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하며 흑자 전환에 성공해 큰 의미를 두고 있다"고 강조했다. 회사는 AI 메모리 수요가 지속적으로 늘어나고, 하반기부터는 일반 D램 수요도 회복돼 올해 메모리 시장은 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 또 일반 D램보다 큰 생산능력(Capacity, 이하 캐파)이 요구되는 HBM과 같은 프리미엄 제품 위주로 생산이 늘어나면서 범용 D램 공급은 상대적으로 축소돼, 공급사와 고객이 보유한 재고가 소진될 것으로 업계에서는 보고 있다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E 공급을 늘리는 한편 고객층을 확대해나갈 계획이다. 10나노 5세대(1b) 기반 32Gb DDR5 제품을 연내 출시해 회사가 강세를 이어온 고용량 서버 D램 시장 주도권도 강화하겠다는 계획이다. 낸드의 경우 실적 개선 추세를 지속하기 위해 제품 최적화를 추진할 계획이라고 SK하이닉스는 밝혔다. 회사가 강한 경쟁력을 보유하고 있는 고성능 16채널 eSSD와 함께 자회사인 솔리다임의 QLC 기반 고용량 eSSD 판매를 적극적으로 늘리고, AI향 PC에 들어가는 PCIe 5세대 cSSD를 적기에 출시해 최적화된 제품 라인업으로 시장 수요에 대응하겠다는 것이다. 한편, SK하이닉스는 24일 발표한 대로 신규 팹(Fab)인 청주 M15X를 D램 생산기지로 결정하고 건설을 가속화하는 등 캐파 확대를 위한 적기 투자를 해나가기로 했다. 회사는 중장기적으로 용인 반도체 클러스터, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 공장 등 미래 투자도 차질없이 진행할 계획이다. 이로 인해 올해 투자 규모는 연초 계획 대비 다소 증가할 것으로 보인다. 이에 대해 회사는 고객 수요 증가 추세에 따라 투자를 확대하기로 한 것이며, 이를 통해 HBM뿐 아니라 일반 D램 공급도 시장 수요에 맞춰 적절히 늘려갈 것이라고 설명했다. 이 과정에서 글로벌 메모리 시장이 안정적으로 커 나가게 하는 한편, 회사 차원에서는 투자효율성과 재무건전성을 확보할 수 있을 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "HBM을 중심으로 한 글로벌 1위 AI 메모리 기술력을 바탕으로 당사는 반등세를 본격화하게 되었다"며 "앞으로도 최고 성능 제품 적기 공급, 수익성 중심 경영 기조로 실적을 계속 개선하겠다"고 말했다.

2024.04.25 08:34이나리

엘비세미콘, '메모리' 패키징 수주 추진…사업 다각화 노린다

국내 반도체 후공정(OSAT) 기업 엘비세미콘이 사업 영역을 기존 시스템반도체에서 메모리로 확장하기 위한 움직임에 나섰다. 국내 메모리 업체가 HBM(고대역폭메모리) 투자에 집중하면서, 생산능력이 부족해지는 일반 D램의 패키징을 대신 수행하겠다는 전략으로 풀이된다. 김남석 엘비세미콘 대표는 최근 경기 평택 소재의 본사에서 기자들과 만나 올해 회사의 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 엘비세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 고객사로부터 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등을 수주해 패키징 및 테스트를 진행한다. 특히 엘비세미콘의 전체 매출에서 DDI가 차지하는 비중은 지난해 기준 60%에 달한다. DDI는 디지털 신호를 빛 에너지로 변환해 디스플레이 패널이 특정 화면을 출력하도록 만드는 칩으로, 스마트폰·TV 등 IT 시장 수요에 크게 영향을 받는다. 이에 엘비세미콘은 첨단 패키징 기술 개발과 더불어 올해 레거시 메모리 분야로의 진출을 꾀하고 있다. 배경은 국내 메모리 시장의 급격한 변화에 있다. 현재 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들은 AI(인공지능) 산업에 대응하기 위한 HBM 생산능력 확보에 주력하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리로, 첨단 패키징 기술이 필수적으로 요구된다. 때문에 삼성전자는 천안에, SK하이닉스는 청주를 중심으로 첨단 패키징 설비를 도입해 왔다. 김 대표는 "현재와 같이 제품 생산 및 설비투자가 HBM 분야로 집중되면, 일반 D램에 할당되는 생산능력은 줄어들 수 밖에 없다"며 "때문에 기업이 소화하지 못하는 물량이 OSAT 쪽으로 이관될 가능성이 높다"고 설명했다. 김 대표는 이어 "엘비세미콘이 보유한 범핑, EDS, 패키징 테스트 기술력을 적용하면 사업 규모가 적지 않을 것"이라며 "HBM이 향후 얼마나 빠르게 성장하느냐가 관건"이라고 덧붙였다.

2024.04.24 14:55장경윤

이재연 SK하이닉스 부사장 "이머징 메모리, AI 시대 이끌 패러다임 제시"

SK하이닉스가 AI 시대를 이끌어 갈 차세대 메모리의 선제적 개발 및 폭넓은 협력 관계 구축의 중요성을 강조했다. 22일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이재연 글로벌 RTC 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. SK하이닉스는 지난 연말 있었던 2024년 임원 인사에서 차세대 반도체를 연구·개발하는 조직인 '글로벌 RTC(Revolutionary Technology Center)'의 신임임원으로 이재연 부사장을 선임했다. 이 부사장은 DRAM 선행 프로젝트 연구를 시작으로 ReRAM, MRAM, PCM, ACiM을 비롯한 '이머징 메모리(Emerging Memory)' 개발을 이끌어온 반도체 소자 전문가다. 특히 이 부사장은 국내외 반도체 기업, 대학, 연구기관과의 풍부한 협업 경험을 토대로 ORP(Open Research Platform)를 구축하는 등 회사의 글로벌 경쟁력 향상을 위한 주춧돌을 마련하는 데 크게 기여했다는 평가를 받고 있다. ORP는 기술 혁신 파트너십 강화를 통해 선제적 연구·개발 생태계를 구축하기 위한 플랫폼이다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 미래 반도체 산업이 진화해 나갈 패러다임을 제시하고자 한다"며 "구체적으로 보면, 다음 세대 기술의 가치를 창출할 수 있는 이머징 메모리를 개발하고, 기존 반도체 기술의 한계를 극복할 차세대 컴퓨팅에 대한 기반 연구를 이어가고 있다"고 밝혔다. 또한 이 부사장은 이머징 메모리가 AI 시대를 이끌 새로운 패러다임을 제시할 것이라는 기대감을 내비쳤다. 이머징 메모리는 기존 메모리의 한계를 돌파할 새로운 솔루션으로 주목받고 있다. SK하이닉스는 현재 SOM, Spin, 시냅틱(Synaptic) 메모리, ACiM 등을 통해 이머징 메모리 솔루션을 구현하고 있다. SOM은 데이터를 빠르게 처리하는 D램과 데이터를 저장하고 삭제할 수 있는 낸드플래시의 특성을 모두 보유하고 있어, 향후 메모리 반도체 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 기대된다. 이와 함께 글로벌 RTC 조직은 자성(磁性)의 특성을 이용해 이머징 메모리 중 가장 빠른 Spin 소자의 동작을 구현하는 등 미래를 위한 다양한 기술을 개발하고 있다. 이 부사장은 "사람의 뇌를 모방한 AI 반도체인 시냅틱 메모리 분야의 연구 역시 발 빠르게 진행 중"이라며 "AI 연산 시 메모리와 프로세서 사이의 데이터 이동을 줄이고 에너지 사용을 절감할 수 있는 ACiM 역시 우리의 연구 분야이며, 이 기술은 최근 학계와 산업계에 큰 관심을 받고 있다"고 말했다. 급변하는 글로벌 시장에서 SK하이닉스가 경쟁력을 높일 수 있는 방안으로는 세계 각계각층과 협업 체계 강화를 꼽았다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 개방형 협력 연구 플랫폼인 ORP를 구축하고 있다. 이는 다양한 미래 기술 수요에 대응하기 위한 협력의 장(場)으로, 우리는 현재 외부 업체, 연구 기관과 협업을 논의하고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "미래 반도체 시장에서는 단일 회사만의 노력으로는 성공할 수 없을 것"이라며 "산·학·연 등 다양한 기관과의 협업이 필수적이고, 환경 변화에 맞춰 유연한 논의가 가능한 새로운 체계가 중요하다"고 강조했다.

2024.04.22 11:00장경윤

삼성전자, 업계 최고 속도 LPDDR5X 개발 성공...온디바이스 AI 최적화

삼성전자가 업계 최고 동작속도 10.7Gbps LPDDR5X D램 개발에 성공했다고 17일 밝혔다. 삼성전자는 신제품 LPDDR5X D램을 애플리케이션 프로세서∙모바일 업체와의 협업을 통해 제품 검증 후 하반기 양산할 예정이다. AI 시장이 본격적으로 활성화 되면서 기기 자체에서 AI를 구동하는 '온디바이스 AI(On-device AI)' 시장이 빠르게 확대되고 있어 저전력∙고성능 LPDDR의 역할이 그 어느 때보다 커지고 있다. 이번 제품은 12나노급 LPDDR D램 중 가장 작은 칩으로 구현한 저전력∙고성능 메모리 솔루션으로 온디바이스 AI 시대에 최적화됐다. 향후 모바일 분야를 넘어 ▲AI PC ▲AI 가속기 ▲서버 ▲전장 등 다양한 응용처에 확대 적용될 것으로 기대된다. 전 세대 제품과 비교해서는 ▲성능 25% ▲용량 30% 이상 각각 향상됐고, 모바일 D램 단일 패키지로 최대 32기가바이트(GB)를 지원한다. 삼성전자는 이번 제품에 저전력 특성을 강화하기 위해 성능과 속도에 따라 전력을 조절하는 '전력 가변 최적화 기술'과 '저전력 동작 구간 확대 기술'등을 적용해 전 세대 제품보다 소비전력을 약 25% 개선했다. 전력 가변 최적화 기술은 전력 절감 기술 중 하나, 프로세서에 공급되는 전압과 주파수를 동적으로 변경하여 성능과 전력소모를 함께 조절해 준다. 저전력 동작 구간 확대는 저전력으로 동작하는 저주파수 구간을 확대하여 전력소모 개선하는 기술이다. 삼성전자는 해당 기술을 통해 모바일 기기에서는 더 긴 배터리 사용 시간을 제공하고 서버에서는 데이터를 처리하는 데 소요되는 에너지를 감소시킬 수 있어 총 소유 비용(TCO, Total Cost of Ownership) 절감이 가능하다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 "저전력, 고성능 반도체의 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 응용처가 기존 모바일에서 서버 등으로 늘어날 것"이라며 "삼성전자는 앞으로도 고객과의 긴밀한 협력을 통해 다가오는 온디바이스 AI시대에 최적화된 솔루션을 제공하며 끊임없이 혁신해 나가겠다"고 밝혔다.

2024.04.17 11:00이나리

삼성전자, 'NRD-K' 구축 본격화…첨단 반도체 R&D 힘준다

삼성전자가 올해부터 최선단 반도체 연구개발을 위한 신규 라인 구축을 본격화한다. 현재 대규모 클린룸 구축이 진행되고 있는 상황으로, 이르면 내년부터 가동이 시작될 수 있을 것으로 전망된다. 업계 역시 삼성전자가 이번 투자로 CXL(컴퓨터 익스프레스 링크), PIM(프로세싱 인 메모리) 등 차세대 반도체 경쟁력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 초부터 기흥 'NRD-K' 프로젝트의 R&D(연구개발) 팹용 클린룸 구축을 시작했다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입할 예정이다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)에 대한 클린룸 구축에 나서고 있다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 대기 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 시설이다. 반도체 R&D 및 양산 팹의 필수 요소로, 클린룸이 완비된 이후에야 부대 설비 및 제조장비의 반입이 가능하다. 이에 따라 삼성전자가 NRD-K 라인에 장비를 반입하는 시기는 이르면 올해 말로 예상된다. 설치 시점까지 고려하면 내년부터는 라인 가동을 시작할 수 있을 것으로 관측된다. 업계는 삼성전자가 이번 NRD-K 라인 신설로 최선단 반도체 기술력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 일반적인 R&D 팹보다 설비투자 규모가 최소 2배 이상 크고, 페이즈1에 이어 페이즈2 구축도 몇년 내로 시작될 예정이기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "논의되고 있는 클린룸 규모 및 제조장비에 대한 발주량이 R&D 팹 치고는 상당한 수준인 것으로 안다"며 "최선단 반도체 기술력 확보에 대한 삼성전자의 의지가 절실한 것으로 보인다"고 말했다. 최근 삼성전자는 최선단 파운드리 및 메모리 사업에서 고전을 면치 못하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 전체 파운드리 시장에서 삼성전자가 차지하는 매출 비중은 11.3%로 전분기(12.4%) 대비 줄었다. 반면 업계 1위 대만 TSMC는 시장 점유율이 57.9%에서 61.2%로 상승했다. TSMC는 올 1분기에도 거대 팹리스 기업들의 AI 반도체 양산 수주에 힘입어 시장 기대치를 상회하는 실적을 거둔 바 있다. 메모리 시장 역시 최선단 제품의 상용화가 절실한 상황이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스는 주요 AI 반도체 기업 엔비디아와 HBM3(4세대 고대역폭메모리) 독점 공급 체제를 구축해오는 등, 관련 시장에서 가장 앞섰다는 평가를 받는다. 서버용 128GB D램 등 고부가 제품도 SK하이닉스가 강세를 보이고 있다. 이에 삼성전자는 CXL, HBM-PIM 등 차세대 기술로 경쟁력 회복을 꾀하고 있다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 삼성전자는 지난해 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발하는 데 성공했다. PIM은 시스템반도체의 데이터 연산 기능을 메모리에 구현한 기술이다. 삼성전자는 이를 HBM에 적용한 HBM-PIM을 업계 최초로 개발해, AMD 등 주요 고객사에 제품을 공급한 바 있다.

2024.04.15 14:34장경윤

[단독] HBM 투자 나선 美 마이크론, 韓 장비업계 찾아와 '러브콜'

미국 마이크론이 지난달 국내 복수의 반도체 장비기업들을 만나 협업을 논의한 것으로 확인됐다. 현재 마이크론은 미국 등에서 설비투자를 진행 중으로, 국내 신규 공급망 확보와 협력 강화에 적극 나서고 있다. 실례로 한미반도체는 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM(고대역폭메모리) 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 첫 수주했다고 11일 공시한 바 있다. 향후 마이크론과 국내 장비업체 간 장비 수주가 더 확대될지 기대되는 상황이다. 12일 업계에 따르면 마이크론 임원진은 지난달 방한해 국내 반도체 장비업체들과 접촉했다. 이번 방문단은 부사장급 임원을 비롯한 마이크론 주요 관계자들로 구성됐다. 이들은 국내 반도체 장비 기업들을 찾아 협업 및 공급망 구축에 대해 논의했으며, 기존 거래 관계가 없던 기업들도 최소 2~3곳 포함된 것으로 파악됐다. 반도체 장비업계 관계자는 "마이크론이 지난달 말 국내 장비업계를 찾아 공장을 구경하는 등 적극적인 움직임을 보였다"며 "메모리 제조와 관련해 인프라부터 제조공정까지 다양한 분야에 관심을 둔 것으로 안다"고 설명했다. 마이크론은 미국의 주요 메모리 제조업체다. 전 세계 D램 시장에서 삼성전자, SK하이닉스에 이어 점유율 3위를 차지하고 있다. 또한 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 HBM를 양산할 수 있는 3개 기업 중 한 곳이기도 하다. 현재 마이크론은 본사를 둔 미국을 비롯해 일본, 대만, 싱가포르 등 아시아 지역에도 생산거점을 두고 있다. 올해에는 설비투자(CAPEX)에 약 80억 달러(10조9천435억원)를 투자할 계획으로, 주로 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 생산능력 확대에 집중하고 있다. 미국 뉴욕주에 건설할 예정인 신규 메모리반도체 제조공장도 국내 장비기업들과 협력과 성장을 촉진할 수 있는 기대 요소다. 현재 협력사들과 장비 납품 계획을 논의 중인 것으로 알려졌다. 앞서 마이크론은 2030년까지 총 200억 달러를 투입해, 뉴욕에 대규모 생산 거점을 마련하기로 했다. 업계 또 다른 관계자는 "최근 마이크론이 뉴욕 신규 팹 구축에 어느 정도로 대응이 가능한 지 문의한 상황"이라며 "마이크론이 미국 설비투자를 본격화하고 있어, 협력사들도 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.04.12 15:07장경윤

대만 팹, 지진 피해 정상화...삼성·SK하이닉스 반사익 '제한적'

대만에서 이달 3일에 발생한 지진이 글로벌 D램 가격 상승에 미치는 영향이 제한적이라는 전망이 나왔다. 아울러 삼성전자와 SK하이닉스에 반사익 가능성 또한 낮을 것이란 전망이다. 11일 시장조사업체 트렌드포스는 대만에 위치한 마이크론, 난야, PSMC, 윈본드 등 D램 기업들이 지난 8일 팹 운영을 정상 수준으로 회복했다고 밝혔다. 업계에서는 대만 지진으로 생산량이 줄어들어 D램 평균 가격이 상승할 것으로 예상했지만, 공장 가동이 예상보다 빠르게 회복하면 2분기 D램 가격에 주는 영향은 1%로 제한될 전망이다. 이는 대만에 위치한 팹 중에서 마이크론을 제외한 D램 제조업체들은 여전히 25나노미터(nm)~38나노 공정을 사용하면서 전체 생산량에서 기여도가 낮기 때문이다. 트렌드포스는 "대만 지진 이후 D램 계약 및 현물 가격 견적이 일시 중단됐다가, 최근 현물가격 시장이 재개됐고, 계약가격 시장은 완전히 재개되지 않은 상태다"고 전했다. 2분기 모바일 D램의 계약 가격은 약 3~8% 인상될 것으로 예상된다. 지진 발생 당일 마이크론과 삼성전자는 모바일 D램 견적 발행을 완전히 중단했으며, 지난 8일 기준으로 업데이트가 제공되지 않았다. 반면 SK하이닉스는 지진 발생 당일 스마트폰 고객을 대상으로 견적을 재개하는 등 선제적인 조치를 취했다. SK하이닉스가 제안한 2분기 모바일 D램 가격 조정은 다른 공급업체에 비해 눈에 띄게 완만하며, 이는 업계 전반의 가격 전략을 완화할 가능성이 높다. 서버 D램 시장에서는 이번 지진이 마이크론의 첨단 제조 공정에 영향을 미친 것으로 파악된다. 결과적으로 마이크론의 서버 D램의 최종 판매 가격이 상승할 수 있다. 다만, 마이크론의 고대역폭메모리(HBM)은 가격 변동이 없을 것으로 보인다. 마이크론은 HBM 1베타 및 TSV(실리콘관통전극) 생산 대부분을 일본 히로시마에 기반을 두고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "DDR3 재고 부족을 감안할 때 가격 상승 가능성은 여전히 남아 있는 반면, DDR4와 DDR5의 풍부한 재고 수준과 부진한 수요는 지진으로 인한 소폭의 가격 상승이 빠르게 정상화될 것으로 예상된다"고 전했다.

2024.04.11 11:40이나리

한미반도체, 美 마이크론에 226억원 규모 HBM용 본딩장비 공급

한미반도체는 미국 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 수주했다고 11일 공시했다. 이번 계약은 한미반도체의 지난해 연간 매출액(1천590억원)의 14.21%에 해당하는 규모다. 계약기간은 오는 7월 8일까지다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)를 제조하는 데에도 쓰인다. 한미반도체는 그동안 SK하이닉스에 HBM용 TC본더를 공급해 왔으나, 최근 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보하는 데 성공했다. 이에 이달 초 마이크론에 맞춰 최신 기술을 적용한 신규 TC본더 모델인 '듀얼 TC본더 타이거'를 상용화하기도 했다.

2024.04.11 10:01장경윤

삼성·SK HBM3E 수율 경쟁에 新장비 개발 '후끈'

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들의 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 수율 확보 경쟁이 치열해지고 있다. 이에 따라 국내 반도체 후공정 장비 기업들도 연내 상용화를 목표로 신규 장비 개발에 나섰다. 8일 업계에 따르면 국내 반도체 테스트 장비업체들은 최선단 HBM용 테스터 개발에 주력하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어올린 고부가 메모리다. 올해에는 5세대 제품인 HBM3E가 본격적인 상용화 궤도에 올랐다. 이에 유니테스트는 최근 HBM용 웨이퍼 테스터 개발을 위한 TF(태스크포스)를 구성했다. 주요 메모리 고객사의 요청에 대응하기 위한 행보다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 유니테스트는 기존 개발이나 성능 검증을 진행해 온 D램용 웨이퍼 테스터를 업그레이드하는 방향으로 HBM용 웨이퍼 테스터를 개발하고 있는 것으로 알려졌다. 상용화 목표 시기는 이르면 올 하반기다. 디아이도 올해부터 고객사의 요청에 따라 HBM3E용 웨이퍼 테스터 개발을 추진하기 시작했다. 신규 장비는 자회사 디지털프론티어를 통해 개발 중으로, 연내 개발을 마무리하는 것을 목표로 하고 있다. 테크윙은 HBM의 프로브 테스트를 위한 테스트 핸들러 장비를 개발해, 복수의 반도체 기업과 테스트를 진행 중이다. 이르면 올 3분기부터 상용화에 나설 예정이다. 프로브 테스트란 웨이퍼 상의 개별 칩의 전기적 특성을 전수조사하는 공정이다. 이처럼 HBM용 테스트 장비의 수요가 발생한 주된 이유는 주요 메모리 기업들의 개발 경쟁에 있다. 현재 상용화된 가장 최신 HBM 제품인 HBM3(4세대 HBM)의 경우 SK하이닉스가 사실상 시장을 독과점해 왔다. 그러나 HBM3E부터는 삼성전자와 마이크론도 앞다퉈 상용화를 준비하고 있어, 제품 신뢰성 및 수율이 매우 중요해질 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "그간 HBM 시장에서 테스트는 후순위에 해당했으나, HBM3E부터 메모리 3사의 경쟁 과열로 수요가 증가하는 추세"라며 "기존 후공정 장비 기술을 기반으로 하기 때문에 국내 기업들도 개발 성과에 따라 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.04.08 14:46장경윤

삼성전자, 1분기 '어닝 서프라이즈'…반도체 兆단위 흑자 전환

삼성전자가 올 1분기 수익성 부문에서 업계 예상을 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리 시장이 회복세에 접어들면서 D램과 낸드 가격이 모두 크게 상승한 것이 실적 개선의 주된 영향으로 풀이된다. 삼성전자는 올해 1분기 연결 기준 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원의 잠정 실적을 기록했다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했고, 전년 동기 대비 매출은 11.37%, 영업이익은 931.25% 증가했다. 업계에서는 삼성전자가 올 1분기 당초 예상을 뛰어넘는 호실적을 기록할 것이라는 관측을 제기해 왔다. 최근 증권가 평균 전망치는 매출 71조8천억원, 영업이익 5조4천억 원 수준이었다. 삼성전자는 수익성 부분에서 예상치를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리반도체 시장이 지난해 말부터 급격한 회복세에 접어들었고, 스마트폰 판매량이 견조한 흐름을 보인 데 따른 효과로 풀이된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 D램의 평균고정거래가격은 지난해 4분기와 올 1분기에 각각 13~18%가량 상승했다. 낸드 가격 역시 지난해 4분기 13~18%, 올 1분기 15~20% 수준의 상승세를 이뤄낸 것으로 알려졌다. 김선우 메리츠증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "HBM(고대역폭메모리) 등에서는 여전히 의미 있는 결과가 도출되지 않고 있으나, 레거시 메모리 판가 상승이 실적 개선 및 재고평가손실 충당금 환입까지 발생시켰다"며 "스마트폰·갤럭시S24 출하량도 기존 5천700만·1천320만 대에서 6천만·1천350만 대로 상향 조정한다"고 설명했다. 이승우 유진투자증권 연구원도 "D램과 낸드의 평균거래가격이 각각 10%대 후반, 20%대 후반 상승했을 것으로 보인다"며 "메모리 손익은 4개 분기 연속 적자에서 벗어나 조 단위의 흑자를 기록할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 1분기 이후에도 삼성전자가 호실적을 지속할 것이라는 전망이 나온다. HBM3E(5세대 HBM)의 본격적인 양산, 파운드리 사업의 흑자 전환 등이 실적을 가를 핵심 요소로 떠오른다. 신석환, 박강호 대신증권 연구원은 "12단 HBM3E는 퀄 테스트가 진행되고 있어 올 하반기 본격 양산에 돌입할 것으로 예상된다"며 "파운드리 사업은 지난해 대규모 적자를 기록했으나 올해 최대 수주 달성 및 하반기 흑자 전환이 예상된다"고 밝혔다.

2024.04.05 09:12장경윤

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