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유니셈, HBM·극저온으로 성장 기대감 '쑥쑥'

지디넷코리아가 한국경제의 든든한 버팀목인 소·부·장(소재·부품·장비), 반도체·디스플레이, 배터리 등 핵심 기반 산업을 이끄는 [소부장반디배] 기업 탐방 시리즈를 새롭게 시작합니다. 유망 기업들의 정확하고 깊이 있는 정보를 전달해 드리겠습니다. [편집자주] 국내 스크러버·칠러 장비업체 유니셈이 사업 다각화를 위해 지난해 말부터 주요 고객사의 HBM(고대역폭메모리) 제조 공정에 스크러버를 공급한 데 이어, 전공정에서도 신규 적용을 추진하고 있다. 칠러 사업 역시 새로운 기회를 얻을 것으로 기대된다. 현재 반도체 장비업계에서는 낸드의 핵심 공정인 식각의 성능을 끌어올릴 수 있는 극저온 장비가 도입될 전망으로, 이에 따라 칠러 역시 고성능 제품이 요구되는 상황이다. 경기 화성시 소재의 유니셈 본사에서 최근 기자와 만난 회사 관계자는 "회사의 플라즈마 스크러버는 현재 반도체 업계에서 환경적 이유로 도입이 확대되는 추세"라며 "냉매식 쿨러도 낸드 시장을 중심으로 성장세가 예견된다"고 설명했다. 유니셈은 반도체, 디스플레이 등에 필요한 스크러버와 칠러를 전문으로 개발하는 기업이다. 주요 고객사로 삼성전자, SK하이닉스 등을 두고 있다. 지난해 기준 매출액 2천321억원, 영업이익 174억원을 기록했다. 스크러버는 제조 공정에서 발생하는 각종 가스, 화합물 등을 정제하는 장비다. 정제 방식에 따라 습식(wet), 건식(dry), 직접 연소식(burn-wet), 흡착식, 플라즈마식 등으로 분류된다. 이 중 유니셈은 플라즈마 스크러버에 집중하고 있다. 기존 반도체 공정에 주류로 쓰여 온 직접 연소식이 LNG 가스를 활용하는 데 반해, 플라즈마는 전기를 기반으로 해 친환경적이다. 현재 플라즈마 스크러버 시장의 확대가 기대되는 배경은 HBM과 친환경으로 크게 두 가지다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 첨단 패키징 기술인 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리다. 이 TSV 공정에서는 기존 패키징과 달리 가스 처리 과정이 요구된다. 덕분에 유니셈은 지난해 하반기부터 TSV 공정에 스크러버를 처음 도입하면서, 패키징 시장에 발을 들이게 됐다. 삼성전자와 SK하이닉스가 올해부터 내년까지 HBM 생산능력을 꾸준히 확장할 계획인 만큼, 스크러버도 지속적인 수주가 나올 것으로 예상된다. 또한 플라즈마 스크러버는 산업 트렌드인 친환경에 가장 부합하는 스크러버다. SK하이닉스는 2013년경 스크러버 타입을 기존 연소식에서 플라즈마로 변경했으며, 삼성전자도 지난해 HBM 공정에 플라즈마 스크러버를 처음으로 도입했다. 특히 삼성전자의 경우, 향후 있을 제4 평택캠퍼스(P4) 등 전공정 투자에서도 플라즈마 스크러버로의 전환을 추진할 것으로 예상된다. 실제로 이를 위한 장비 테스트가 P3에서 진행 중인 것으로 알려졌다. 유니셈 관계자는 "주요 고객사의 투자 계획에 따라 공급량은 다르겠으나, TSV 공정용 스크러버 장비는 향후에도 지속적인 매출이 나올 것"이라며 "특히 유니셈은 플라즈마 스크러버 분야에서 경쟁사 대비 기술적으로 우위를 점하고 있다"고 밝혔다. 칠러 사업은 극저온 식각장비 도입에 따른 수혜가 예상된다. 고적층의 낸드 제조를 위해서는 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫는 식각 공정이 필요한데, 기존에는 최저 -20~30°C의 환경에서 작업이 이뤄졌다. 그러나 차세대 낸드에서는 식각 공정을 -60°C~-70°C도의 극저온 환경에서 진행할 가능성이 높다. 현재 주요 장비업체인 TEL(도쿄일렉트론)이 국내 주요 메모리 기업들과 해당 장비에 대한 테스트를 진행 중이며, 또 다른 경쟁사 램리서치도 차세대 식각장비의 방향을 극저온으로 설정했다. 이에 공정 상의 온도를 낮추는 칠러 장비도 기존보다 더 성능을 높인 제품이 필요하다. 칠러는 작동 방식에 따라 냉매식·전기식 등으로 나뉘며, 이 중 극저온 환경을 구현하는 데에는 냉매(쿨런트)식이 유리하다. 냉매식은 국내 업계에서는 유니셈, 에프에스티가 사업을 영위하고 있다. 극저온 식각에 대응하는 만큼, 신규 칠러 장비의 가격도 매우 높을 것으로 전망된다. 업계에서는 신규 칠러 장비의 가격이 기존 대비 4배 가량 높아질 것으로 추산하고 있다. 유니셈 관계자는 "최선단 낸드 개발이 극저온 식각으로 나아가고 있어, 칠러 장비도 -80°C 수준까지 대응이 필요하다"며 "극저온 식각장비의 챔버 수가 늘어나는 만큼 사업을 확대할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 한편 이외에도 유니셈은 신규 소재를 활용한 칠러 개발에도 적극 나서고 있다. 가장 유력한 후보는 CO2(이산화탄소)다. 현재 칠러에 쓰이는 쿨런트 소재는PFAS(과불화화합물) 기반으로 한다. 이 물질은 환경오염물질 및 유해화학물질로 분류돼, 유럽·북미를 중심으로 산업에서 퇴출 압박이 거세지고 있다.

2024.06.24 16:27장경윤

SEMI "세계 반도체 생산능력, 올해 6%·내년 7% 성장할 것"

SEMI(국제반도체장비재료협회)는 최근 보고서를 통해 전 세계 반도체 업계 생산능력은 올해 6%, 내년 7% 성장해 내년 기준 월 3천370만 장(8인치 웨이퍼 환산)에 도달할 것이라고 24일 밝혔다. 5나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에 대한 생산능력은 AI를 위한 칩의 수요를 맞추기 위해 올해 13% 증가할 것으로 예상된다. 특히 인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 주요 공급사들은 특히 반도체의 전력 효율성을 높이기 위해 2nm 공정에서 GAA(게이트-올-어라운드)를 도입하고 있다. 이에 따라 내년에는 첨단 반도체 분야에 대한 생산능력이 17% 증가할 것으로 예상된다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 “클라우드 컴퓨팅에서 엣지 디바이스에 이르기까지 AI의 확산은 고성능 칩 개발 경쟁을 촉진하고 글로벌 반도체 제조 역량의 확장을 주도하고 있다”며 "이는 결국 AI가 더 많은 반도체 수요를 이끌어내어 반도체 산업에 투자를 장려하고, 다시 이 투자가 더 발전된 AI 칩을 만들 수 있는 선순환 구조를 창출하고 있다”고 말했다. 지역별로는 중국이 올해 15%, 내년 14% 성장해 내년 1천10만 장까지 생산능력을 확보할 것으로 전망된다. 과잉 공급의 잠재적 위험에도 불구하고, 중국 제조사들은 지속적으로 생산능력 확대에 투자하고 있다. 특히 화홍그룹, 넥스칩, 시엔, SMIC, CXMT 등이 이러한 흐름을 주도하고 있다. 대부분의 다른 지역은 내년 5% 이하의 생산 능력 증가세를 보일 것으로 예상된다. 대만은 내년에 4% 성장한 월 580만 장으로 2위를 차지할 것으로 예상되며, 한국은 올해 처음으로 월 5백만 장을 넘긴 후 내년 7% 성장한 월 540만 장으로 3위를 차지할 것으로 보인다. 산업별로는 파운드리 부문의 생산능력이 올해 11%, 내년 10% 성장한 뒤, 2026년에는 월 1천270만 장에 이를 것으로 예상된다. 메모리 부문은 AI 서버의 증가세에 따라 고대역폭 메모리(HBM) 등에서 대규모 투자가 발생하고 있다. 이에 따라 D램은 올해와 내년 모두 9%의 성장세를 보이겠다. 반면 3D낸드의 시장 회복세는 아직 저조해 올해에는 생산능력 증가는 없으며, 내년에는 5% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.24 11:34장경윤

삼성·SK, 후공정 업계와 장비공급 논의…D램·HBM 수혜 본격화

삼성전자·SK하이닉스가 이달 국내 메모리 후공정 장비업체들과 장비 공급 위원회를 열고 관련 논의를 마친 것으로 파악됐다. 이번 위원회는 내년 중반까지의 D램·HBM(고대역폭메모리)용 투자를 구체화하기 위한 자리로, 올 3분기부터 실제 장비 발주가 시작될 전망이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 최근 국내 후공정 장비업체와 D램·HBM용 투자와 관련한 공급 논의를 마무리했다. 통상 삼성전자·SK하이닉스는 국내 장비 협력사들과 분기, 혹은 반기별로 향후 있을 장비 공급에 대한 논의를 나누고 있다. 이번 장비 공급 위원회는 내년 2분기말까지 투자 규모를 정하기 위한 자리다. 상반기 장비 공급 위원회가 업계에서 특히 화두가 되고 있는 이유는 HBM에 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. AI 산업의 급격한 확장에 맞춰 수요가 증가하는 추세로, 국내 메모리 제조업체들도 올해 설비투자의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 이에 HBM, 1a(4세대 10나노급)·1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램의 생산량 확대에 대응하기 위한 후공정 장비들이 필요한 상황이다. HBM 및 D램 후공정에 대응하는 국내 주요 협력사로는 디아이·와이씨·테크윙 등이 있다. 협력사들은 이달 중순 각 밸류체인에 따라 삼성전자·SK하이닉스와 장비 공급 위원회를 가졌다. 이 자리에서 삼성전자·SK하이닉스는 그간 논의됐던 HBM 및 D램 후공정 투자 규모를 구체화했으며, 그 물량이 당초 업계 예상 대비 큰 수준인 것으로 알려졌다. 장비업계 한 관계자는 "HBM용 신규 후공정 장비가 올해 말부터 본격적으로 매출이 발생하기 시작할 것"이라며 "다음 위원회에서 변동사항이 생길 수 있으나, 삼성전자가 HBM 생산능력 확대에 적극 나서고 있어 공급량 확대를 기대하고 있다"고 밝혔다. 또 다른 장비업계 관계자는 "SK하이닉스가 최선단 메모리용 후공정 장비를 당초 예상 대비 10% 더 많이 도입하겠다는 뜻을 전달했다"며 "내년 HBM 생산능력 확대를 위해서 올해 하반기 분주한 움직임이 일어날 것"이라고 설명했다. 이번 장비 공급 논의에 따른 실제 장비 발주는 올 3분기부터 진행될 것으로 관측된다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 향후 1년간 메모리 관련 후공정 투자 속도가 드러날 전망이다.

2024.06.24 11:15장경윤

美 마이크론, 1분기 D램 매출 '껑충'…삼성·SK 추격

미국 주요 메모리 공급업체 마이크론의 1분기 D램 매출이 전분기 대비 두 자릿 수로 상승했다. 이에 따라 업계 1·2위인 삼성전자, SK하이닉스와의 시장 점유율 격차도 좁혀졌다. 13일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 1분기 전 세계 D램 매출 규모는 전분기 대비 5.1% 증가한 183억5천만 달러로 집계됐다. 매출 확대의 주요 원인은 ASP(평균거래단가)의 상승이다. 메모리 공급사들이 가격 인상에 적극적인 의지를 보이면서, D램 가격은 지난해 4분기부터 올 1분기까지 꾸준히 상승해 왔다. 특히 모바일 D램이 중국 스마트폰 판매 호조로 가장 높은 가격 상승률을 기록했다. 반면 소비자용 D램 가격은 여전히 높은 고객사의 재고 수준으로 가장 부진한 흐름을 보였다. 기업 별로는 마이크론이 가장 큰 성장세를 기록했다. 1분기 마이크론의 D램 매출은 39억5천만 달러로 전분기 대비 17.8% 증가했다. 시장점유율도 전분기 19.2%에서 1분기 21.5%로 확대됐다. 트렌드포스는 "마이크론은 해당 분기 ASP가 23% 상승한 반면 출하량은 4~5% 감소하는 데 그쳤다"며 "미국 고객사의 주문량 증가, 서버용 D램 출하량 확대 등이 성장을 주도했다"고 설명했다. 삼성전자는 1분기 매출이 80억5천만 달러로 전분기 대비 1.3% 증가했다. 출하량이 한 자릿수 중반 대로 감소했으나, 가격이 20%가량 오르면서 이 같은 영향을 상쇄했다. 다만 시장 점유율은 43.9%로 전분기 대비 1.6%p 하락했다. SK하이닉스는 1분기 매출이 전분기 대비 2.6% 증가한 57억 달러로 집계됐다. 다만 삼성전자와 마찬가지로 시장 점유율은 전분기 대비 0.7%p 감소해 31.1%를 기록했다. 한편 D램 시장은 올 2분기 출하량 면에서도 회복세가 예상된다. 트렌드포스는 "지난 4월 발생한 대만 지진에 따른 불확실성으로 일부 PC OEM 업체들이 당초보다 가격 인상을 수용하는 분위기"라며 "최종 D램 고정거래가격이 13~18% 상승할 것으로 추정된다"고 밝혔다.

2024.06.14 09:52장경윤

美, 中에 'GAA·HBM' 등 AI반도체 기술 수출 규제 논의

미국 정부가 최첨단 반도체 기술인 GAA(게이트-올-어라운드)에 대한 중국의 접근을 막는 추가 조치를 고려하고 있다고 블룸버그통신이 11일 보도했다. 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "미국 상무부 산업보안국(BIS)이 최근 GAA 기술과 관련된 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술 자문위원회에 보냈다"며 "다만 규제는 아직 확정된 사안이 아니고, 업계 관계자들은 초안의 규제가 지나치게 광범위하다고 비판했다"고 설명했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 현재 GAA는 최첨단 파운드리 공정을 중심으로 상용화가 진행되고 있다. 대표적으로 삼성전자가 지난 2022년 6월 세계 최초로 GAA 공정 기반의 3나노미터(nm) 칩 양산을 시작한 바 있다. 주요 파운드리 TSMC도 내년 양산 예정인 2나노 공정에 GAA를 첫 적용하기로 했다. 미국의 GAA 관련 규제 논의는 중국의 인공지능(AI) 산업 발전을 견제하기 위한 수단으로 풀이된다. 엔비디아와 AMD, 인텔 등 주요 반도체 기업들은 향후 GAA를 적용한 AI 반도체를 양산할 계획이다. 블룸버그통신은 "미국의 목표는 중국이 AI 모델을 구축하고 운영하는 데 필요한 정교한 컴퓨팅 시스템을 조립하는 것을 더 어렵게 만드는 것"이라며 "기술이 상용화 초기에 이른 지금, 중국의 굴기를 사전에 차단하려고 하고 있다"고 밝혔다. GAA 만큼 진전된 것은 아니지만, HBM(고대역폭메모리)의 중국향 수출을 제한하는 방안도 초기 단계에서 논의되고 있는 것으로 알려졌다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 빠르게 수요가 증가하는 추세로, 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 소수의 기업만이 양산에 성공했다.

2024.06.12 10:06장경윤

삼성전자, '1b D램' 양산에 사활…수율 잡을 TF 가동

삼성전자가 데이터센터용 최선단 D램 사업 확대에 사활을 걸고 있다. 최근 1b(5세대 10나노급) D램의 수율을 끌어올리기 위한 조직을 만들고, 연내 생산량을 크게 확대하기 위한 계획을 세운 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자 메모리사업부는 지난달 1b D램의 수율을 높이기 위한 별도의 TF(태스크포스)를 구성했다. 1b D램은 선폭이 12나노 수준인 5세대 10나노급 D램을 뜻한다. 앞서 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공한 바 있다. 특히 삼성전자는 32Gb 1b D램을 향후 주력 제품으로 내세울 계획이다. 해당 D램이 16Gb 제품과 동일한 패키지 크기로 구현된 것은 물론, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있기 때문이다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. 삼성전자는 32Gb 1b D램의 퀄(품질) 테스트를 지난 3월 완료하고 본격적인 양산 준비를 해왔다. 그러나 해당 계획에 가장 큰 발목을 잡고 있는 요소가 바로 '수율'이다. 수율은 웨이퍼 투입량 대비 산출되는 반도체 양품의 비율을 뜻한다. 현재 삼성전자의 1b D램 수율은 통상적인 D램의 목표 수율인 80~90%에 아직 도달하지 못한 것으로 추산된다. 수율이 일정 수준까지 도달하지 않으면 제조사 입장에서는 생산성 및 수익성을 담보하기가 어렵다. 이에 삼성전자는 지난달 1b D램의 수율을 최대한 빨리 끌어올리기 위한 TF를 만들었다. 해당 조직은 메모리사업부 내 전공정 담당 직원들로 구성된 것으로 알려졌다. 동시에 삼성전자는 1b D램의 생산량도 적극 확대하기로 했다. 올 상반기까지 생산능력을 월 4만장 수준에서 3분기 7만장, 4분기 10만장으로 확대하고, 내년에는 이를 20만장까지 늘릴 계획을 세운 것으로 파악됐다. 1b D램의 주요 생산거점은 평택 P2와 화성 15라인이 될 것으로 관측된다. 특히 P2는 메모리 불황 시절 감산이 적극적으로 진행된 1z(3세대 10나노급 D램) 라인으로, 공정 전환이 활발히 진행될 예정이다. 업계 관계자는 "경쟁사 대비 생산능력을 충분히 갖출 수 있고, HBM(고대역폭메모리)과 달리 TSV를 활용하지 않기 때문에 삼성전자가 1b D램 확대에 사활을 걸고 있다"며 "새로 부임한 전영현 DS부문장도 1b D램 수율 향상에 주목하고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2024.06.11 14:59장경윤

류병훈 SK하이닉스 부사장 "HBM 전망 청신호…그래도 투자 신중해야"

"AI 서비스가 고도화될 수록 HBM(고대역폭메모리)의 수요는 더더욱 증가할 것으로 예상됩니다. 다만 전방산업의 변동성과 AI 데이터센터 구축 속도를 감안하면 신중하게 투자를 늘려야 할 것입니다." SK하이닉스는 4일 공식 뉴스룸을 통해 류병훈 미래전략 담당 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. 미래전략은 장기적인 관점에서 회사의 성장 방향을 고민하고 지원하는 조직이다. 시황, 트렌드, 경쟁 환경 등을 파악하고 회사의 성장 전략에 반영하여 수익성을 높이는 것이 조직의 주 역할이다. 이에 미래전략은 다양한 부서와 협업해 정보를 폭넓게 수집하고 시장 변화에 기민하게 대응해 나가고 있다. 올해 류 부사장은 생산·판매를 최적화하고, 제조와 R&D의 원가 효율을 높이기 위해 조직을 재편했다. 특히 그는 전사 ESG 활동을 지원하기 위한 조직을 미래전략 산하에 새롭게 편입하고, 기존 조직을 경영전략과 경영기획으로 이원화해 전문성을 높였다. 류 부사장은 회사의 목표 달성을 위한 필수 요소로 '원팀 스피릿(One Team Spirit)'을 지목했다. 경영 환경 전반과 수많은 기술 트렌드를 익히고, 현장 목소리까지 반영해 사업 전략을 수립하는 조직 특성상 전사 구성원과의 협업이 무엇보다 중요하다는 시각에서다. 류 부사장은 “R&D 조직에서 접한 업계 정보, 선행기술연구 조직에서 파악한 실리콘밸리 하드웨어 변화 등 데이터와 인사이트를 펼쳐 놓고 함께 논의해야 글로벌 경쟁력을 높일 수 있다"며 "때문에 전사적 차원에서 트렌드를 읽을 수 있도록 원팀 스피릿을 추구해야 한다"고 밝혔다. 원팀 스피릿의 대표적인 사례가 SSD다. 최근 AI가 급부상하면서 HBM과 함께 AI 데이터센터에 탑재되는 고용량 기업용 SSD의 수요가 급증하고 있다. 류 부사장은 “현업에서 이 수요를 빠르게 읽고 전략 부서에 공유해 주면서 사업 전략에 즉시 반영해 선제적으로 대응할 수 있었다”며 “전사가 유기적으로 움직이며 실시간 정보를 공유하는 문화가 정착되면 이것만으로 수천억 원에 달하는 효과를 낼 수 있다”고 말했다. 류 부사장은 지난해 1월 SK하이닉스에 합류한 이래 줄곧 협업의 장을 조성하기 위해 힘써왔다. 또한 미래전략에서 직접 개발한 '시황 분석 툴(Tool)'도 적극 활용할 계획이다. 시황 분석 툴은 전후방 산업 데이터로 회귀 분석해 메모리 시황을 내다보는 모델이다. 미래전략의 분석에 따르면, 올해 HBM 시장도 청신호다. PC용, 모바일용, 서버용 메모리에 이어 전도유망한 제품군으로 확실히 자리매김할 전망이다. 물론 장밋빛 미래만 기대하는 것은 아니다. 류 부사장은 앞으로 고려해야 할 변수도 많다고 덧붙였다. 류 부사장은 "단기적으로는 성장이 확실하지만, 전방 산업이 탄탄히 자리 잡기 전까진 변동성을 염두에 두어야 한다"며 "때문에 AI 데이터센터의 구축 속도까지 감안해 신중하게 투자를 늘려야 할 것이다. 우리는 이 모든 시그널을 유심히 살피며 수요를 전망하고 가장 효율적이고 효과적인 전략을 세워나갈 것"이라고 설명했다. 마지막으로 류 부사장은 "지정학적 상황, 공급망 변화, 기업 간 합종연횡 영향으로 미래 반도체 시장은 급격히 변할 것"이라며 이에 대응할 수 있는 진일보한 운영 체계를 강조했다. 이를 위해 그는 큰 그림부터 보고 세부적으로 채워나가는 '탑다운(Top Down) 관점'에서 통찰력과 예지력을 키우겠다고 밝혔다. 류 부사장은 “AI 시장 전체를 보면, 전방 사업자들이 지출을 최소화하면서 효율을 높이려는 흐름이 있다"며 "여기서 고객 맞춤형 제품의 수요가 증가한다는 인사이트가 나오기 때문에, 앞으로는 경쟁 환경을 고려한 합종연횡과 고객 밀착 서비스가 더욱 중요해질 것이라 보고, 미래전략을 고민할 것"이라고 말했다.

2024.06.04 10:12장경윤

5월 메모리 가격 보합세…D램, 3분기 추가 상승 전망

지난달 가격이 큰 폭으로 상승했던 D램 시장이 이달에는 보합세를 기록했다. 오는 3분기에는 이전보다 완만한 수준의 가격 상승이 예상된다. 31일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 5월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월과 동일한 2.10 달러로 집계됐다. D램 가격은 지난해 10월부터 상승세로 전환된 뒤, 지난 4월에도 전월 대비 16.67%의 큰 폭의 성장세를 기록한 바 있다. 이후 5월에는 제품 전반이 보합세를 나타냈다. 3분기 PC D램 계약 가격은 전분기 대비 3~8% 인상될 것으로 예상된다. 제품별로는 DDR4가 5~10% 상승, DDR5가 0~5%의 상승폭을 기록할 전망이다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "현재 PC OEM 업체들의 평균 D램 재고 수준은 12주 이상으로 DDR4가 DDR5보다 높다"며 "동시에 DDR5는 주요 기업들의 HBM(고대역폭메모리) 비중 확대로 웨이퍼 투입량이 계속 줄어들고 있다"고 설명했다. 같은 기간 낸드 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 전월과 동일한 4.90 달러를 기록했다. 트렌드포스는 "중국 주요 통신 사업자들의 수요가 예상보다 부진해 낸드 제품 전반의 가격 변동이 크지 않았다"며 "6월까지 가격이 안정세를 보일 것"이라고 밝혔다.

2024.05.31 17:02장경윤

SK하이닉스, HBM 고삐 죈다..."내년 공급 계획도 이미 논의 중"

"빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다. 이에 SK하이닉스는 차세대 HBM(고대역폭메모리)를 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지 계획을 미리 논의하는 중이다." 30일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 신임 임원들과 첨단 메모리 기술력을 논의하는 좌담회를 열었다. 이번 좌담회에는 SK하이닉스 뉴스룸의 2024 임원 인터뷰 시리즈에 함께한 권언오 부사장(HBM PI), 길덕신 부사장(소재개발), 김기태 부사장(HBM S&M), 손호영 부사장(Adv. PKG개발), 오해순 부사장(낸드 Advanced PI), 이동훈 부사장(321단 낸드 PnR), 이재연 부사장(Global RTC)이 참석했다. 좌담회 사회는 원정호 부사장(Global PR)이 맡았다. SK하이닉스는 지난 3월부터 AI 메모리인 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)를 세계 최초로 양산한 바 있다. 또한 회사는 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기고 글로벌 투자와 기업간 협력을 통해 차세대 기술력을 확보해 나가는 등 AI 메모리 업계 위상을 강화하고 있다. 권언오 부사장은 "시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다"며 "이를 바탕으로 우리는 AI 인프라에 필수적인 HBM과 함께, 다양한 분야에서 쓰이게 될 고성능 메모리를 개발하는 등 탄탄하게 경쟁력을 축적해 올 수 있었다"고 밝혔다. 손호영 부사장은 "HBM의 성공은 고객과의 협력은 물론, 내부 부서간 협업 과정에서도 이전보다 열린 방식으로 일해왔기에 가능했던 일"이라며 "앞으로 더 다양해질 시장의 요구에 부응하려면 고객과 한 차원 더 높은 협력 관계를 맺고, 메모리와 시스템, 전공정과 후공정의 경계가 허물어지는 이종간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다"고 말했다. AI 메모리가 이처럼 각광을 받게 된 데 대해 임원들은 HBM, CXL, eSSD, PIM 등 고성능 솔루션들이 기존 메모리의 데이터 병목 현상을 해결하고, AI의 동작 속도를 높여주고 있기 때문이라고 진단했다. 또한 이들은 미래 산업과 기술 변화상에 대해 선제적으로 대응하기 위해 회사가 주목해야 할 부분에 대해서도 다양한 의견을 제시했다. 김기태 부사장은 “현재 시장 상황을 보면, 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"며 "이에 맞춰 우리는 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중”이라고 밝혔다. 이재연 부사장은 "MRAM, RRAM, PCM 외에도 우리는 초고속·고용량·저전력 특성을 동시에 지닌 SOM(Selector Only Memory), Spin Memory, Synaptic Memory 등 이머징 메모리에 주목하고 있으며, 앞으로도 다양한 미래 기술에 대한 연구개발을 지속 강화할 필요가 있다"고 강조했다.

2024.05.30 13:23장경윤

中, 반도체 굴기에 64조원 펀드 조성 '역대 최대'

미국의 대중(對中) 수출 규제가 갈수록 심화되는 가운데, 중국이 반도체 굴기 실현을 위한 대규모 투자를 단행한다. 28일 중국 기업 정보 플랫폼 텐옌차에 따르면 지난 주 국가집적회로산업투자기금은 3천440억 위안(한화 약 64조5천870억 원) 규모의 3차 펀드를 조성했다. 해당 기금은 중국의 현지 반도체 산업 강화를 위해 조성된 투자기금이다. 2014년 1차 펀드는 1천400억 위안, 2019년 2차 펀드는 2천억 위안이 투입됐다. 이번 3차 펀드는 1·2차 펀드를 합한 규모와 맞먹는다. 펀드 지분은 중국 재무부가 17%를 보유해 최대 주주로 올랐다. 이어 국영개발은행이 10%, 상하이 정부 산하의 투자회사가 또 다른 국유기업과 함께 9%를 보유하고 있다. 펀드의 구체적인 목표나 방향성은 공개되지 않았다. 다만 업계는 중국이 최근 자생력 강화에 힘쓰고 있는 AI반도체 및 관련 첨단 제조기술에 투자가 집중될 것으로 전망하고 있다. 앞서 미국은 지난 2022년부터 자국 기업들이 중국에 14나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시용 제조장비를 사실상 수출하지 못하도록 조치한 바 있다. 또한 미국은 국가 안보상의 이유로 최첨단 AI반도체의 중국 수출을 금지하고 있다.

2024.05.28 09:00장경윤

SK하이닉스, 작년 사회적가치 4.98兆...업황 부진 탓 34% ↓

SK하이닉스가 지난해 4조9천845억원의 사회적 가치(SV, Social Value)를 창출했다고 27일 발표했다. SK하이닉스는 "다운턴의 영향으로 2023년 SV 창출액은 전년(7조5천845억원) 대비 34% 감소했다"며 "SV 측정 항목 전반적으로 부진했으나 HBM, DDR5 등 전력 효율을 극대화한 고성능 제품 개발을 통해 생산 과정에서 환경 영향을 줄이고, 협력사들과의 동반성장 활동을 통해 국내 반도체 생태계의 기술경쟁력을 강화한 결과, 관련 측정 항목에서는 의미 있는 실적을 거뒀다”고 밝혔다. SK그룹 공통의 산식이 적용되는 SV 측정 카테고리별로 보면, SK하이닉스는 지난해 '경제간접 기여성과' 5조452억 원, '환경성과' -8천258억 원, '사회성과' 7천651억 원을 기록했다. 경제간접 기여성과는 납세액 감소의 영향이 커 2022년 대비 35% 줄어들었다. 환경성과는 전력 고효율 제품 개발, 온실가스 배출 총량 저감을 통해 부정적 영향이 전년 대비 21% 감소했다. SK하이닉스는 2050년까지 '넷제로' 달성을 목표로 2022년 사내에 탄소관리위원회를 조직하고, 탄소 배출을 줄이기 위해 전사적으로 노력하고 있다. 사회성과는 회사가 다운턴으로 투자 규모를 축소하면서 국내 소부장 기업으로부터 구매한 금액이 줄어 전년 대비 9% 감소했다. 하지만 회사는 사회적기업을 통해 취약계층 지원에 힘쓰면서 제품·서비스(삶의 질) 항목에서는 전년 대비 19% 증가한 SV 실적을 기록했다. SV 측정을 시작한 2018년부터 회사의 6년간 성과 추이를 보면 업황에 영향을 많이 받는 배당과 납세 영역을 제외한 SV 창출액은 꾸준한 상승세를 보이고 있다. 이 기준에 따른 지난해 SK하이닉스의 SV 창출액은 3조9천73억 원으로 최대 영업 실적을 달성했던 2018년 2조7천591억 원 대비 42% 증가했다. 한편 SK하이닉스는 국내 반도체 생태계 전반의 ESG 역량을 높이기 위해 2022년부터 협력사를 포함해 SV 측정을 해오고 있다. 2023년에는 19개 협력사가 참여했고, 총 1조6천74억 원의 SV가 창출된 것으로 집계됐다. 이병래 SK하이닉스 부사장(지속경영담당)은 "다운턴의 여파로 지난해 SV 창출 규모가 전년 대비 부진했지만 연초부터 반도체 업황이 반등 추세에 접어들었고, 회사가 ESG와 상생협력에 지속적으로 힘쓰고 있는 만큼 올해는 SV를 크게 높일 수 있을 것으로 기대한다"며 "앞으로도 SK하이닉스는 국내 반도체 생태계 전반의 가치 창출을 위해 노력하겠다"고 말했다.

2024.05.27 09:29장경윤

삼성전자 HBM3E '공급 난항설'…좀더 지켜봐야 하는 이유

삼성전자의 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급 여부가 최근 연일 화두에 오르고 있다. 24일 엔비디와의 퀄테스트가 실패했다는 외신 보도에 대해 삼성전자는 "테스트가 순조롭게 진행되고 있다"며 즉각 반박하고 나섰다. 양측에 상반된 주장에 대해 업계는 유보적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 HBM 사업이 난항을 겪고 있는 것은 업계 내에서 대부분 인지하고 있는 사실이나, 시기상 HBM3E의 테스트 결과를 단순히 실패로 표현하거나 단정짓기에는 아직 이르다는 지적이 제기된다. 이날 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자는 지난해부터 HBM3 및 HBM3E에 대한 엔비디아향 테스트를 통과하려고 노력했다"며 "그러나 지난 4월 삼성전자의 8단 및 12단 HBM3E에 대한 테스트 실패 결과가 나왔다"고 밝혔다. 이에 삼성전자는 입장문을 통해 "다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라며 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력해 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 맞섰다. 해당 보도 이전에도 삼성전자 HBM이 성능 부족으로 테스트에 난항을 겪고 있다는 업계 관계자들의 증언은 꾸준히 제기돼 왔다. 대표적으로 삼성전자는 지난해부터 엔비디아에 4세대 HBM인 HBM3 공급을 추진 중이지만, 아직까지 샘플 공급을 넘어 실제 양산 공급을 최종 확정하지 못한 상황이다. 또한 삼성전자는 AMD, 브로드컴 등 또 다른 주요 팹리스 기업과 HBM3E에 대한 테스트를 진행하고 있다. 특히 브로드컴은 올해 초부터 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 8단 적층 HBM3E을 동시에 테스트하고 있다. 여기에서도 삼성전자의 HBM은 경쟁사 대비 성능 면에서 우위에 서지 못하고 있다는 평가다. SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 적용한 반면, 삼성전자는 이보다 한 세대 뒤쳐진 1a D램(10나노급 4세대 D램)을 활용한 것이 주요 원인으로 지목된다. 이 같은 관점에서 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 테스트도 당초 예상보다 많은 시간이 소요될 것이라는 관측이 우세했다. 다만 이번 외신 보도처럼 삼성전자 HBM3E의 엔비디아향 테스트를 '실패(Fail)'로 표현하는 것은 적절치 않다는 의견도 나온다. 통상 신규 반도체 칩을 공급하기 위해서는 무수히 많은 공정 조율과 개선을 거치기 때문이다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 엔비디아와 8단 HBM3E에 대한 테스트를 진행해 왔다. 올해 상반기 내로 테스트를 통과하는 것이 최상의 시나리오이기는 하나, 테스트 시기 상 올 하반기까지 성능을 개선할 여지는 여전히 남아 있다. 익명을 요구한 반도체 업계 관계자는 "삼성 내부에서는 엔비디아향 8단 HBM3E 양산 공급 여부를 10월에 판가름할 수 있을 것으로 전망하고 있다"며 "테스트가 시간이 걸리고 부진한 것은 맞으나 동시에 기회 역시 남아있다"고 밝혔다. 12단 HBM3E는 지난 3월부터 엔비디아에 샘플 공급이 시작된 것으로 파악된다. 테스트가 극 초기 단계인 만큼 벌써부터 통과 판정을 받기란 사실상 불가능에 가깝다는 게 업계의 중론이다. 또 다른 관계자는 "사실상 삼성전자는 HBM3E에서 8단이 아닌 12단을 전략 제품으로 내세우고 있고, 이제야 테스트가 진행되는 수순"이라며 "물론 삼성전자가 대외적으로 삼은 목표에 도달하기 위해서는 일정이 상당히 빠듯한 것이 사실"이라고 설명했다. 김영건 미래에셋증권 연구원도 이날 보고서를 통해 "HBM 테스트 과정에서 일부 결점이 발견될 수는 있으나, 이는 상호간 협의의 영역으로 계약 조건에 따라 상황이 변할 수 있다"며 "12단 HBM3E에 대한 수급난이 예상되는 상황에서 아직 기한이 남은 시점에 퀄테스트를 조기졸업 시키는 경우는 상식적이지 않다"고 지적했다.

2024.05.24 15:40장경윤

삼성전자 "HBM 테스트 순조롭게 진행"…엔비디아 공급 실패 보도 반박

엔비디아와의 HBM(고대역폭메모리) 퀄테스트가 실패했다는 외신 보도에 삼성전자가 정면 반박했다. 24일 삼성전자는 입장문을 통해 "삼성전자는 다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라며 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 밝혔다. 또한 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고도 덧붙였다. 앞서 이날 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자가 엔비디아와 진행한 HBM3E 8단 및 12단 제품에 대한 퀄테스트에서 4월 실패 결과가 나왔다"고 보도한 바 있다. 삼성전자는 "모든 제품에 대해 지속적인 품질 개선과 신뢰성 강화를 위해 노력하고 있으며, 이를 통해 고객들에게 최상의 솔루션을 제공할 예정"이라고 말했다.

2024.05.24 09:42장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 수율 80% 근접"…업계 예상 뛰어넘어

SK하이닉스의 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 수율이 80%에 근접한 것으로 나타났다. 22일 파이낸셜타임스에 따르면, 권재순 SK하이닉스 수율 담당임원은 매체와의 인터뷰를 통해 "HBM3E 생산에 필요한 시간을 50% 단축할 수 있었다"며 "해당 칩이 목표 수율인 80%에 거의 도달했다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해부터 본격적으로 상용화 궤도에 올랐다. HBM은 높은 기술적 난이도로 인해, 수율을 높이는 것이 주요 메모리 기업들의 과제로 지목돼 왔다. 수율은 반도체 웨이퍼 투입량 대비 양품이 얼마나 나오는 지를 나타내는 수치다. 100개의 칩 중 양품이 60개라면, 수율은 60%가 된다. 그동안 업계는 SK하이닉스의 HBM3E 수율을 60~70% 내외로 추정해 왔다. 그러나 SK하이닉스는 외신과의 인터뷰에서 수율이 이보다 높은 80%에 근접했음을 공식적으로 밝혔다. SK하이닉스는 견조한 수율을 토대로 최선단 HBM 사업의 경쟁력 유지에 적극 나설 것으로 관측된다. 현재 SK하이닉스는 AI 반도체 시장의 강자인 엔비디아에 HBM3E를 양산 공급하고 있다. 권재순 담당임원은 "올해 고객사들이 가장 원하는 제품은 8단 적층 HBM3E로, 회사도 이 제품 생산에 주력하고 있다"며 "AI 시대를 앞서가기 위해서는 수율 향상이 더 중요해지고 있다"고 말했다.

2024.05.22 13:52장경윤

美 마이크론, HBM3E 12단 샘플 공급...설비투자 상향 조정

미국 메모리 업체 마이크론이 AI 반도체 수요 증가에 대응하기 위해 고대역폭메모리(HBM) 시설투자 규모를 늘린다. 마이크론은 지난 2월 HBM3E 8단 양산에 이어, 최근 HBM3E 12단 샘플 공급을 시작했다고 밝혔다. 21일(현지시간) 로이터통신에 따르면 마이크론 매튜 머피 CFO(최고재무관리자)는 "HBM 공급량을 늘리기 위해 올해 자본지출(CAPEX)을 75억 달러(10조2352억 원)에서 80억 달러(10조9176억 원)로 상향 조정했다"고 밝혔다. 또 최근 JP모선 컨퍼런스에 참석한 마니쉬 바하티아 COO(최고운영책임자)는 "2025년 회계연도에 HBM은 수십억 달러 규모의 사업이 될 것으로 기대한다"고 전했다. 앞서 마이크론은 지난 3월 "AI 반도체 개발에 사용되는 HBM 칩이 올해 매진됐고, 내년 공급량의 대부분도 할당되었다"고 밝혔다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3) 제품 공급에 이어 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다. HBM 시장에서 SK하이닉스가 선두를 달리고 있고, 삼성전자는 2위를 차지한다. HBM 후발주자인 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 이 제품은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재된다. 최근 마이크론은 고객사에 36GB 12단 HBM3E 샘플링을 시작했다. 마이크론은 본격적으로 HBM을 생산하기 위해 지난해 6월 대만 타이중에 차세대 D램 생산 및 테스트 신규 공장 가동을 시작했다. 이 곳은 마이크론 HBM3E 생산의 거점으로 운영된다. 또 대만에 위치해 파운드리 업체 TSMC와 협력 강화에도 이점이 있다. TSMC는 엔비디아의 AI 반도체를 생산한다. 또 마이크론은 지난 4월 미국 행정부로부터 8조4천 억원의 보조금을 통해 2025년말 가동될 아이다호 보이시와 2028년 가동될 뉴욕주 클레이에 최첨단 메모리 HBM용 팹을 건설할 계획이다. 아울러 일본 히로시마에도 2027년말 가동을 목표로 HBM 팹을 건설한다. 일본 정부는 마이크론에1조7천억 원의 보조금을 약속했다. 시장조사업체 트렌드포스는 20일 "마이크론의 대만 시설은 내년에 최대 용량으로 생산하고, 향후 확장은 미국에 초점을 맞출 예정이다"라며 "미국 보이시 공장은 내년 완공될 예정이며, 장비 설치를 거쳐 2026년 양산을 목표로 하고 있다"고 말했다.

2024.05.22 10:00이나리

SK하이닉스, '발명의 날' 정부 포상 수상…"HBM로 국가 경쟁력 높여"

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 메모리 기술 개발 성과를 인정 받아 '제59회 발명의 날 기념식'에서 정부 포상을 수상했다. 21일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제59회 발명의 날 기념식'에서 김종환 부사장(D램개발 담당)이 철탑산업훈장을, 김웅래 팀장(D램코어디자인)이 국무총리표창을 받았다. 특허청은 매년 발명의 날(5월 19일)을 맞아 국가 산업 발전을 이끈 유공자들에게 정부 포상을 시행하며, 공적에 따라 산업훈장·산업포장·대통령표창·국무총리표창 등을 시상한다. SK하이닉스 D램 기술 개발을 이끌고 있는 김종환 부사장은 AI 메모리를 개발했다. 2021년부터 회사의 D램 개발을 총괄하면서 2022년 6월 AI 메모리인 HBM(고대역폭 메모리) 4세대 제품 HBM3 양산에 성공하고 지난해 8월에는 5세대 제품인 HBM3E를 개발해냈다. 또 그는 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 지능형 메모리인 PIM(Processing-In-Memory)을 개발하고, 메모리와 다른 장치들 사이에 인터페이스를 하나로 통합해 제품 성능과 효율성을 동시에 높여주는 CXL(Compute eXpress Link) 메모리를 개발하는 데도 기여했다. 김 부사장은 “첨단 기술력 확보라는 큰 목표를 이루는 데 함께해 준 구성원들에게 감사의 뜻을 전한다”며 “SK하이닉스가 HBM3와 HBM3E 개발을 통해 글로벌 AI 메모리 시장을 선점하고 대한민국의 위상을 높였듯이, 차세대 AI 메모리 개발에도 박차를 가해 리더십을 이어 나가도록 노력하겠다”고 말했다. 국무총리표창을 수상한 김웅래 팀장은 D램 10나노급 미세공정에 도입되는 회로 관련 설계 기술을 개발해 제품 성능 향상과 원가 절감을 이루어낸 공로를 인정받았다. 또, 그는 모바일용 저전력 D램인 LPDDR4와 LPDDR5의 초고속·저전력 동작 기술을 개발하고 핵심 특허를 출원해 국가 IP(지식재산) 확보에 기여한 점을 높이 평가받았다. 김 팀장은 “회사의 아낌없는 투자와 함께, 구성원들이 원팀(One Team) 마인드로 합심해준 덕분에 이룬 성과”라며 “앞으로도 D램 분야에서 선도적인 기술력을 갖출 수 있도록 최선을 다할 것”이라고 소감을 밝혔다.

2024.05.22 09:26이나리

HBM 시장 '쑥쑥'..."올해 웨이퍼 투입량서 35% 차지"

HBM(고대역폭메모리)가 주요 메모리 기업들의 생산능력 및 수요 증가로 전체 메모리에서 차지하는 비중이 확대되고 있다. 이에 따라 일반 D램 제품 공급이 부족해질 것이라는 전망도 제기된다. 21일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM이 올해 말까지 전체 선단 메모리 공정용 웨이퍼 투입량에서 차지하는 비중은 35%에 이를 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 고성능 메모리다. 고용량·고효율 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 수요가 증가하면서, 주요 메모리 기업들은 HBM 생산능력 확대에 적극적으로 나서고 있다. 동시에 HBM은 높은 기술적 난이도로 인해 현재 50~60%대의 수율에 머물러 있다. 또한 칩 면적이 커 더 많은 웨이퍼 투입이 필요하다. 이에 따라 각 메모리 기업의 TSV 생산능력 기준 올해 말까지 HBM은 선단 공정용 웨이퍼 투입량의 35%를 차지할 전망이다. 나머지 웨이퍼 용량은 DDR5와 LPDDR5(저전력 D램)급 제품에 할당될 것으로 예상된다. 또한 1a나노미터 이상의 D램 공정에 대한 웨이퍼 투입량도 연말까지 전체 D램 웨이퍼 투입량의 40%를 차지할 것으로 관측된다. 1a는 10나노급 4세대 D램으로, 현재 다음 세대인 1b D램까지 상용화에 이르렀다. HBM은 5세대 제품인 HBM3E의 출하량이 올해 하반기 집중적으로 증가할 전망이다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 제품 양산을 시작했거나 양산을 추진 중이다. 트렌드포스는 "HBM3E에 1b D램을 활용한 SK하이닉스와 마이크론은 엔비디아에 제품을 공급하기로 했다"며 "1a D램을 활용하는 삼성전자는 올 2분기에 검증을 완료하고 올해 중반에 납품을 시작할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 한편 HBM의 웨이퍼 투입 비중 확대로 일반 D램은 출하량 증가에 어려움을 겪고 있다. 주요 메모리 기업들의 설비투자 속도에 따라 공급부족 현상이 발생할 가능성도 제기된다. 트렌드포스는 "삼성전자는 P4 공장을 내년 완공하며, 화성 15라인의 1y D램 설비는 1b D램 공정 전환을 거치게 된다"며 "SK하이닉스는 M16 공장을 내년 증설할 것으로 예상되고, M15X도 내년 완공해 다음해 말 양산을 시작할 예정"이라고 설명했다. 마이크론의 경우 대만 공장은 내년 풀가동 상태로 회복되며, 향후 생산능력 확장은 미국을 중심으로 이뤄질 전망이다.

2024.05.21 09:50장경윤

삼성전자, 차세대 '3D D램' 개발 열공…셀 16단 적층 시도

삼성전자가 차세대 D램으로 주목받는 VCT(수직 채널 트랜지스터) D램과 3D D램 개발에 열을 올리고 있다. VCT D램은 내년 초기 제품 개발을 완료할 예정이며, 3D D램은 셀을 16단까지 적층하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이시우 삼성전자 부사장은 지난 14일 서울 광진구 그랜드 워커힐 호텔에서 열린 '국제 메모리 워크숍(IMW) 2024' 행사에서 회사의 차세대 D램 기술력에 대해 발표했다. 이날 '메모리 산업을 위한 첨단 채널 물질' 토론에 참석한 이 부사장은 "하이퍼스케일러 AI와 온디멘드 AI 등 산업 발전은 많은 메모리 처리능력을 요구한다"며 "반면 기존 D램의 미세 공정 기술이 한계에 다다르면서, 셀(데이터가 저장되는 단위) 구조에 새로운 혁신이 일어날 것으로 예상된다"고 밝혔다. 새로운 셀 구조의 D램은 크게 '4F스퀘어(4F²) VCT D램'과 '3D D램'으로 구분할 수 있다. D램의 셀은 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성된다. 트랜지스터는 전기 스위칭과 전압 증폭을 위한 소자다. 전류가 흐르는 방향에 따라 소스·게이트·드레인 순으로 구성된다. 드레인 위에 위치한 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자를 뜻한다. 이 셀을 동작시키기 위해서는 게이트 단자로 전압이 인가되는 워드라인(WL)과, 드레인 단자로 인가되는 비트라인(BL)이 바둑판 형식으로 배열된다. 초창기 D램의 셀 구조는 비트라인 4칸, 워드라인 2칸으로 구성된 8F스퀘어였다. 그러다 80나노급 D램부터는 6F스퀘어(비트라인 3칸, 워드라인 2칸)가 적용됐다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도 및 성능을 끌어올릴 수 있다. 4F스퀘어로 나아가기 위해서는 셀 구조가 크게 변화해야 한다. 기존 D램은 트랜지스터를 수평으로 배치했으나, 4F스퀘어 구현을 위해서는 이를 수직으로 배치하는 VCT구조가 필요하다. 이 부사장은 "많은 기업들이 4F스퀘어 VCT D램으로의 전환을 위해 노력하고 있다"며 "다만 이를 위해서는 산화물 채널 물질, 강유전체 등 새로운 소재 개발이 선행돼야 한다"고 설명했다. 이와 관련해, 삼성전자는 내년 4F스퀘어 VCT D램에 대한 초기 샘플을 개발할 예정인 것으로 알려졌다. 나아가 삼성전자는 2030년 상용화를 목표로 3D D램도 개발 중이다. 3D D램은 비트라인, 혹은 워드라인을 수직으로 세워 셀을 수직으로 적층하는 기술이다. 해당 D램에도 새로운 소재는 물론, 웨이퍼와 웨이퍼를 직접 붙이는 웨이퍼본딩(W2W) 기술이 도입돼야 한다. 현재 3D D램을 개발하는 주요 메모리 기업들은 셀을 16단까지 적층해 상용화 가능성을 검토 중인 것으로 전해진다. 미국 마이크론의 경우 8단 적층을 시도 중인 것으로 관측된다.

2024.05.20 15:26장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM4 경쟁력 승부처 '1c D램' 주목

이르면 내년부터 양산이 시작되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 대한 기술 경쟁이 뜨겁다. 삼성전자가 최근 HBM4에 탑재될 D램을 한 세대 진화된 제품으로 변경하는 방안을 검토 중인 가운데, SK하이닉스도 시황에 따라 유동적인 전략을 펼칠 것으로 관측된다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 HBM4에 1c D램을 적용하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리다. 때문에 D램 완제품의 성능이 HBM의 성능에 직접적인 영향을 끼친다. 당초 삼성전자는 내년부터 양산화되는 HBM4에 10나노급 5세대 D램인 1b D램을 적용하려고 했었다. 1b D램은 선폭이 12나노 수준으로, 삼성전자가 지난해 5월 첫 양산에 나선 제품이다. 삼성전자가 올해 양산에 나서는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 경우 1a D램이 적용됐다. 그러나 삼성전자는 최근 내부적으로 HBM4에 탑재될 D램을 1c D램으로 변경하는 방안을 수립했다. SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E에 1b D램을 적용했던 만큼, HBM4는 전공정 영역에서부터 앞서 나가겠다는 전략으로 풀이된다. 사안에 정통한 관계자는 "현재 HBM4는 12단, 16단 적층에 관계없이 1c D램으로 가는 방향"이라며 "한 세대 뒤쳐진 D램으로 전력사용량 문제가 발생한다는 우려가 많아 개발에 속도를 더하고 싶은 것으로 안다"고 밝혔다. 다만 삼성전자가 실제로 해당 방안을 실현할 지에 대해서는 아직 지켜봐야 한다는 관측도 나온다. 삼성전자가 1c D램의 초도 양산라인을 구축하는 시점은 올해 연말로, 생산능력은 월 3천장 수준으로 추산된다. 목표로 한 HBM4 양산 시점과 차이가 크지 않다. 통상 메모리 업계는 최선단 D램을 컴퓨팅·모바일용으로 순차적으로 개발하고, 이후 안정성을 확보한 뒤에 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 이를 고려하면 HBM4 양산 시점에 1c D램에 대한 수율을 담보하기 어려울 수 있다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 임원진 및 실무단에서 HBM4에 1c D램을 적용하고, 양산 목표 시점 역시 내년 말에서 내년 중후반으로 앞당기는 등의 논의가 오가고 있다"며 "다만 수율이 받쳐줘야 하기 때문에 확정된 사안이 아닌, 계획 단계로 봐야한다"고 밝혔다. 한편 SK하이닉스는 삼성전자의 초기 전략과 마찬가지로 HBM4에는 1b D램을, HBM4E부터는 1c D램을 적용하는 계획을 세운 바 있다. 다만 SK하이닉스도 시황에 따라 적용 기술을 유동적으로 변경할 여지를 여전히 남겨두고 있는 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용되는 D램을 앞당기는 경우, 현재 업계 선두인 SK하이닉스 입장에서도 위기의식을 느낄 수 밖에 없다"며 "SK하이닉스도 로드맵은 세워 둔 상황이나 내부적으로 변경에 대한 여지를 계속 남겨두고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2024.05.17 14:56장경윤

삼성·SK, 반도체 호황에도 재고자산 증가…충당금 환입 영향

삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업의 재고자산이 메모리 시장의 회복세에도 증가한 것으로 나타났다. 업계는 실제 재고의 증가가 아닌, 재고자산평가 충당금의 환입이 발생한 데 따른 영향으로 보고 있다. 16일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자의 올 1분기 재고자산은 53조3천347억원으로 집계됐다. 지난해 말 재고자산 규모인 51조6천258억원 대비 3%가량 증가했다. 다만 이는 실제 재고의 증가가 아닌, 메모리반도체 가격 상승에 따른 재고자산평가 충당금이 증가한 데 따른 영향이다. 재고자산평가 충당금은 재고 가격이 취득원가보다 낮아질 경우를 상정해 미리 하락분을 반영하는 금액이다. 지난해 상반기까지 D램·낸드 가격이 지속 하락하면서, 국내 주요 반도체 기업들은 재고자산평가 충당금을 지속 증가시킨 바 있다. 그러나 지난해 하반기부터는 메모리 가격이 반등을 시작해, 올 1분기까지도 상승세를 이어갔다. 이에 재고자산평가 충당금이 환입되면서, 재고자산 규모가 표면적으로 증가하는 모습을 보였다. 업계 관계자는 "삼성전자의 재고 증가는 재고자산평가 충당금 등에 따른 영향이 크다"며 "실제로는 주요 사업인 메모리 반도체 중심으로 재고가 감소한 것으로 안다"고 밝혔다. SK하이닉스 역시 동일한 이유로 올 1분기 재고자산이 13조8천446억원으로 지난해 말(13조4천806억원) 대비 소폭 증가했다. SK하이닉스는 최근 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "다운턴 기간 동안 축적된 메모리 재고 수준은 적극적 감산으로 지난해 하반기부터 점진적으로 줄어들고 있다"며 "올 1분기도 평가가 큰 폭으로 상승한 낸드 제품 중심으로 재고자산평가 충당금 환입이 발생했다"고 밝힌 바 있다.

2024.05.17 11:31장경윤

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