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'D램'통합검색 결과 입니다. (342건)

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류병훈 SK하이닉스 부사장 "HBM 전망 청신호…그래도 투자 신중해야"

"AI 서비스가 고도화될 수록 HBM(고대역폭메모리)의 수요는 더더욱 증가할 것으로 예상됩니다. 다만 전방산업의 변동성과 AI 데이터센터 구축 속도를 감안하면 신중하게 투자를 늘려야 할 것입니다." SK하이닉스는 4일 공식 뉴스룸을 통해 류병훈 미래전략 담당 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. 미래전략은 장기적인 관점에서 회사의 성장 방향을 고민하고 지원하는 조직이다. 시황, 트렌드, 경쟁 환경 등을 파악하고 회사의 성장 전략에 반영하여 수익성을 높이는 것이 조직의 주 역할이다. 이에 미래전략은 다양한 부서와 협업해 정보를 폭넓게 수집하고 시장 변화에 기민하게 대응해 나가고 있다. 올해 류 부사장은 생산·판매를 최적화하고, 제조와 R&D의 원가 효율을 높이기 위해 조직을 재편했다. 특히 그는 전사 ESG 활동을 지원하기 위한 조직을 미래전략 산하에 새롭게 편입하고, 기존 조직을 경영전략과 경영기획으로 이원화해 전문성을 높였다. 류 부사장은 회사의 목표 달성을 위한 필수 요소로 '원팀 스피릿(One Team Spirit)'을 지목했다. 경영 환경 전반과 수많은 기술 트렌드를 익히고, 현장 목소리까지 반영해 사업 전략을 수립하는 조직 특성상 전사 구성원과의 협업이 무엇보다 중요하다는 시각에서다. 류 부사장은 “R&D 조직에서 접한 업계 정보, 선행기술연구 조직에서 파악한 실리콘밸리 하드웨어 변화 등 데이터와 인사이트를 펼쳐 놓고 함께 논의해야 글로벌 경쟁력을 높일 수 있다"며 "때문에 전사적 차원에서 트렌드를 읽을 수 있도록 원팀 스피릿을 추구해야 한다"고 밝혔다. 원팀 스피릿의 대표적인 사례가 SSD다. 최근 AI가 급부상하면서 HBM과 함께 AI 데이터센터에 탑재되는 고용량 기업용 SSD의 수요가 급증하고 있다. 류 부사장은 “현업에서 이 수요를 빠르게 읽고 전략 부서에 공유해 주면서 사업 전략에 즉시 반영해 선제적으로 대응할 수 있었다”며 “전사가 유기적으로 움직이며 실시간 정보를 공유하는 문화가 정착되면 이것만으로 수천억 원에 달하는 효과를 낼 수 있다”고 말했다. 류 부사장은 지난해 1월 SK하이닉스에 합류한 이래 줄곧 협업의 장을 조성하기 위해 힘써왔다. 또한 미래전략에서 직접 개발한 '시황 분석 툴(Tool)'도 적극 활용할 계획이다. 시황 분석 툴은 전후방 산업 데이터로 회귀 분석해 메모리 시황을 내다보는 모델이다. 미래전략의 분석에 따르면, 올해 HBM 시장도 청신호다. PC용, 모바일용, 서버용 메모리에 이어 전도유망한 제품군으로 확실히 자리매김할 전망이다. 물론 장밋빛 미래만 기대하는 것은 아니다. 류 부사장은 앞으로 고려해야 할 변수도 많다고 덧붙였다. 류 부사장은 "단기적으로는 성장이 확실하지만, 전방 산업이 탄탄히 자리 잡기 전까진 변동성을 염두에 두어야 한다"며 "때문에 AI 데이터센터의 구축 속도까지 감안해 신중하게 투자를 늘려야 할 것이다. 우리는 이 모든 시그널을 유심히 살피며 수요를 전망하고 가장 효율적이고 효과적인 전략을 세워나갈 것"이라고 설명했다. 마지막으로 류 부사장은 "지정학적 상황, 공급망 변화, 기업 간 합종연횡 영향으로 미래 반도체 시장은 급격히 변할 것"이라며 이에 대응할 수 있는 진일보한 운영 체계를 강조했다. 이를 위해 그는 큰 그림부터 보고 세부적으로 채워나가는 '탑다운(Top Down) 관점'에서 통찰력과 예지력을 키우겠다고 밝혔다. 류 부사장은 “AI 시장 전체를 보면, 전방 사업자들이 지출을 최소화하면서 효율을 높이려는 흐름이 있다"며 "여기서 고객 맞춤형 제품의 수요가 증가한다는 인사이트가 나오기 때문에, 앞으로는 경쟁 환경을 고려한 합종연횡과 고객 밀착 서비스가 더욱 중요해질 것이라 보고, 미래전략을 고민할 것"이라고 말했다.

2024.06.04 10:12장경윤

5월 메모리 가격 보합세…D램, 3분기 추가 상승 전망

지난달 가격이 큰 폭으로 상승했던 D램 시장이 이달에는 보합세를 기록했다. 오는 3분기에는 이전보다 완만한 수준의 가격 상승이 예상된다. 31일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 5월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월과 동일한 2.10 달러로 집계됐다. D램 가격은 지난해 10월부터 상승세로 전환된 뒤, 지난 4월에도 전월 대비 16.67%의 큰 폭의 성장세를 기록한 바 있다. 이후 5월에는 제품 전반이 보합세를 나타냈다. 3분기 PC D램 계약 가격은 전분기 대비 3~8% 인상될 것으로 예상된다. 제품별로는 DDR4가 5~10% 상승, DDR5가 0~5%의 상승폭을 기록할 전망이다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "현재 PC OEM 업체들의 평균 D램 재고 수준은 12주 이상으로 DDR4가 DDR5보다 높다"며 "동시에 DDR5는 주요 기업들의 HBM(고대역폭메모리) 비중 확대로 웨이퍼 투입량이 계속 줄어들고 있다"고 설명했다. 같은 기간 낸드 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 전월과 동일한 4.90 달러를 기록했다. 트렌드포스는 "중국 주요 통신 사업자들의 수요가 예상보다 부진해 낸드 제품 전반의 가격 변동이 크지 않았다"며 "6월까지 가격이 안정세를 보일 것"이라고 밝혔다.

2024.05.31 17:02장경윤

SK하이닉스, HBM 고삐 죈다..."내년 공급 계획도 이미 논의 중"

"빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다. 이에 SK하이닉스는 차세대 HBM(고대역폭메모리)를 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지 계획을 미리 논의하는 중이다." 30일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 신임 임원들과 첨단 메모리 기술력을 논의하는 좌담회를 열었다. 이번 좌담회에는 SK하이닉스 뉴스룸의 2024 임원 인터뷰 시리즈에 함께한 권언오 부사장(HBM PI), 길덕신 부사장(소재개발), 김기태 부사장(HBM S&M), 손호영 부사장(Adv. PKG개발), 오해순 부사장(낸드 Advanced PI), 이동훈 부사장(321단 낸드 PnR), 이재연 부사장(Global RTC)이 참석했다. 좌담회 사회는 원정호 부사장(Global PR)이 맡았다. SK하이닉스는 지난 3월부터 AI 메모리인 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)를 세계 최초로 양산한 바 있다. 또한 회사는 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기고 글로벌 투자와 기업간 협력을 통해 차세대 기술력을 확보해 나가는 등 AI 메모리 업계 위상을 강화하고 있다. 권언오 부사장은 "시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다"며 "이를 바탕으로 우리는 AI 인프라에 필수적인 HBM과 함께, 다양한 분야에서 쓰이게 될 고성능 메모리를 개발하는 등 탄탄하게 경쟁력을 축적해 올 수 있었다"고 밝혔다. 손호영 부사장은 "HBM의 성공은 고객과의 협력은 물론, 내부 부서간 협업 과정에서도 이전보다 열린 방식으로 일해왔기에 가능했던 일"이라며 "앞으로 더 다양해질 시장의 요구에 부응하려면 고객과 한 차원 더 높은 협력 관계를 맺고, 메모리와 시스템, 전공정과 후공정의 경계가 허물어지는 이종간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다"고 말했다. AI 메모리가 이처럼 각광을 받게 된 데 대해 임원들은 HBM, CXL, eSSD, PIM 등 고성능 솔루션들이 기존 메모리의 데이터 병목 현상을 해결하고, AI의 동작 속도를 높여주고 있기 때문이라고 진단했다. 또한 이들은 미래 산업과 기술 변화상에 대해 선제적으로 대응하기 위해 회사가 주목해야 할 부분에 대해서도 다양한 의견을 제시했다. 김기태 부사장은 “현재 시장 상황을 보면, 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"며 "이에 맞춰 우리는 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중”이라고 밝혔다. 이재연 부사장은 "MRAM, RRAM, PCM 외에도 우리는 초고속·고용량·저전력 특성을 동시에 지닌 SOM(Selector Only Memory), Spin Memory, Synaptic Memory 등 이머징 메모리에 주목하고 있으며, 앞으로도 다양한 미래 기술에 대한 연구개발을 지속 강화할 필요가 있다"고 강조했다.

2024.05.30 13:23장경윤

中, 반도체 굴기에 64조원 펀드 조성 '역대 최대'

미국의 대중(對中) 수출 규제가 갈수록 심화되는 가운데, 중국이 반도체 굴기 실현을 위한 대규모 투자를 단행한다. 28일 중국 기업 정보 플랫폼 텐옌차에 따르면 지난 주 국가집적회로산업투자기금은 3천440억 위안(한화 약 64조5천870억 원) 규모의 3차 펀드를 조성했다. 해당 기금은 중국의 현지 반도체 산업 강화를 위해 조성된 투자기금이다. 2014년 1차 펀드는 1천400억 위안, 2019년 2차 펀드는 2천억 위안이 투입됐다. 이번 3차 펀드는 1·2차 펀드를 합한 규모와 맞먹는다. 펀드 지분은 중국 재무부가 17%를 보유해 최대 주주로 올랐다. 이어 국영개발은행이 10%, 상하이 정부 산하의 투자회사가 또 다른 국유기업과 함께 9%를 보유하고 있다. 펀드의 구체적인 목표나 방향성은 공개되지 않았다. 다만 업계는 중국이 최근 자생력 강화에 힘쓰고 있는 AI반도체 및 관련 첨단 제조기술에 투자가 집중될 것으로 전망하고 있다. 앞서 미국은 지난 2022년부터 자국 기업들이 중국에 14나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시용 제조장비를 사실상 수출하지 못하도록 조치한 바 있다. 또한 미국은 국가 안보상의 이유로 최첨단 AI반도체의 중국 수출을 금지하고 있다.

2024.05.28 09:00장경윤

SK하이닉스, 작년 사회적가치 4.98兆...업황 부진 탓 34% ↓

SK하이닉스가 지난해 4조9천845억원의 사회적 가치(SV, Social Value)를 창출했다고 27일 발표했다. SK하이닉스는 "다운턴의 영향으로 2023년 SV 창출액은 전년(7조5천845억원) 대비 34% 감소했다"며 "SV 측정 항목 전반적으로 부진했으나 HBM, DDR5 등 전력 효율을 극대화한 고성능 제품 개발을 통해 생산 과정에서 환경 영향을 줄이고, 협력사들과의 동반성장 활동을 통해 국내 반도체 생태계의 기술경쟁력을 강화한 결과, 관련 측정 항목에서는 의미 있는 실적을 거뒀다”고 밝혔다. SK그룹 공통의 산식이 적용되는 SV 측정 카테고리별로 보면, SK하이닉스는 지난해 '경제간접 기여성과' 5조452억 원, '환경성과' -8천258억 원, '사회성과' 7천651억 원을 기록했다. 경제간접 기여성과는 납세액 감소의 영향이 커 2022년 대비 35% 줄어들었다. 환경성과는 전력 고효율 제품 개발, 온실가스 배출 총량 저감을 통해 부정적 영향이 전년 대비 21% 감소했다. SK하이닉스는 2050년까지 '넷제로' 달성을 목표로 2022년 사내에 탄소관리위원회를 조직하고, 탄소 배출을 줄이기 위해 전사적으로 노력하고 있다. 사회성과는 회사가 다운턴으로 투자 규모를 축소하면서 국내 소부장 기업으로부터 구매한 금액이 줄어 전년 대비 9% 감소했다. 하지만 회사는 사회적기업을 통해 취약계층 지원에 힘쓰면서 제품·서비스(삶의 질) 항목에서는 전년 대비 19% 증가한 SV 실적을 기록했다. SV 측정을 시작한 2018년부터 회사의 6년간 성과 추이를 보면 업황에 영향을 많이 받는 배당과 납세 영역을 제외한 SV 창출액은 꾸준한 상승세를 보이고 있다. 이 기준에 따른 지난해 SK하이닉스의 SV 창출액은 3조9천73억 원으로 최대 영업 실적을 달성했던 2018년 2조7천591억 원 대비 42% 증가했다. 한편 SK하이닉스는 국내 반도체 생태계 전반의 ESG 역량을 높이기 위해 2022년부터 협력사를 포함해 SV 측정을 해오고 있다. 2023년에는 19개 협력사가 참여했고, 총 1조6천74억 원의 SV가 창출된 것으로 집계됐다. 이병래 SK하이닉스 부사장(지속경영담당)은 "다운턴의 여파로 지난해 SV 창출 규모가 전년 대비 부진했지만 연초부터 반도체 업황이 반등 추세에 접어들었고, 회사가 ESG와 상생협력에 지속적으로 힘쓰고 있는 만큼 올해는 SV를 크게 높일 수 있을 것으로 기대한다"며 "앞으로도 SK하이닉스는 국내 반도체 생태계 전반의 가치 창출을 위해 노력하겠다"고 말했다.

2024.05.27 09:29장경윤

삼성전자 HBM3E '공급 난항설'…좀더 지켜봐야 하는 이유

삼성전자의 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급 여부가 최근 연일 화두에 오르고 있다. 24일 엔비디와의 퀄테스트가 실패했다는 외신 보도에 대해 삼성전자는 "테스트가 순조롭게 진행되고 있다"며 즉각 반박하고 나섰다. 양측에 상반된 주장에 대해 업계는 유보적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 HBM 사업이 난항을 겪고 있는 것은 업계 내에서 대부분 인지하고 있는 사실이나, 시기상 HBM3E의 테스트 결과를 단순히 실패로 표현하거나 단정짓기에는 아직 이르다는 지적이 제기된다. 이날 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자는 지난해부터 HBM3 및 HBM3E에 대한 엔비디아향 테스트를 통과하려고 노력했다"며 "그러나 지난 4월 삼성전자의 8단 및 12단 HBM3E에 대한 테스트 실패 결과가 나왔다"고 밝혔다. 이에 삼성전자는 입장문을 통해 "다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라며 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력해 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 맞섰다. 해당 보도 이전에도 삼성전자 HBM이 성능 부족으로 테스트에 난항을 겪고 있다는 업계 관계자들의 증언은 꾸준히 제기돼 왔다. 대표적으로 삼성전자는 지난해부터 엔비디아에 4세대 HBM인 HBM3 공급을 추진 중이지만, 아직까지 샘플 공급을 넘어 실제 양산 공급을 최종 확정하지 못한 상황이다. 또한 삼성전자는 AMD, 브로드컴 등 또 다른 주요 팹리스 기업과 HBM3E에 대한 테스트를 진행하고 있다. 특히 브로드컴은 올해 초부터 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 8단 적층 HBM3E을 동시에 테스트하고 있다. 여기에서도 삼성전자의 HBM은 경쟁사 대비 성능 면에서 우위에 서지 못하고 있다는 평가다. SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 적용한 반면, 삼성전자는 이보다 한 세대 뒤쳐진 1a D램(10나노급 4세대 D램)을 활용한 것이 주요 원인으로 지목된다. 이 같은 관점에서 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 테스트도 당초 예상보다 많은 시간이 소요될 것이라는 관측이 우세했다. 다만 이번 외신 보도처럼 삼성전자 HBM3E의 엔비디아향 테스트를 '실패(Fail)'로 표현하는 것은 적절치 않다는 의견도 나온다. 통상 신규 반도체 칩을 공급하기 위해서는 무수히 많은 공정 조율과 개선을 거치기 때문이다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 엔비디아와 8단 HBM3E에 대한 테스트를 진행해 왔다. 올해 상반기 내로 테스트를 통과하는 것이 최상의 시나리오이기는 하나, 테스트 시기 상 올 하반기까지 성능을 개선할 여지는 여전히 남아 있다. 익명을 요구한 반도체 업계 관계자는 "삼성 내부에서는 엔비디아향 8단 HBM3E 양산 공급 여부를 10월에 판가름할 수 있을 것으로 전망하고 있다"며 "테스트가 시간이 걸리고 부진한 것은 맞으나 동시에 기회 역시 남아있다"고 밝혔다. 12단 HBM3E는 지난 3월부터 엔비디아에 샘플 공급이 시작된 것으로 파악된다. 테스트가 극 초기 단계인 만큼 벌써부터 통과 판정을 받기란 사실상 불가능에 가깝다는 게 업계의 중론이다. 또 다른 관계자는 "사실상 삼성전자는 HBM3E에서 8단이 아닌 12단을 전략 제품으로 내세우고 있고, 이제야 테스트가 진행되는 수순"이라며 "물론 삼성전자가 대외적으로 삼은 목표에 도달하기 위해서는 일정이 상당히 빠듯한 것이 사실"이라고 설명했다. 김영건 미래에셋증권 연구원도 이날 보고서를 통해 "HBM 테스트 과정에서 일부 결점이 발견될 수는 있으나, 이는 상호간 협의의 영역으로 계약 조건에 따라 상황이 변할 수 있다"며 "12단 HBM3E에 대한 수급난이 예상되는 상황에서 아직 기한이 남은 시점에 퀄테스트를 조기졸업 시키는 경우는 상식적이지 않다"고 지적했다.

2024.05.24 15:40장경윤

삼성전자 "HBM 테스트 순조롭게 진행"…엔비디아 공급 실패 보도 반박

엔비디아와의 HBM(고대역폭메모리) 퀄테스트가 실패했다는 외신 보도에 삼성전자가 정면 반박했다. 24일 삼성전자는 입장문을 통해 "삼성전자는 다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라며 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 밝혔다. 또한 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고도 덧붙였다. 앞서 이날 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자가 엔비디아와 진행한 HBM3E 8단 및 12단 제품에 대한 퀄테스트에서 4월 실패 결과가 나왔다"고 보도한 바 있다. 삼성전자는 "모든 제품에 대해 지속적인 품질 개선과 신뢰성 강화를 위해 노력하고 있으며, 이를 통해 고객들에게 최상의 솔루션을 제공할 예정"이라고 말했다.

2024.05.24 09:42장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 수율 80% 근접"…업계 예상 뛰어넘어

SK하이닉스의 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 수율이 80%에 근접한 것으로 나타났다. 22일 파이낸셜타임스에 따르면, 권재순 SK하이닉스 수율 담당임원은 매체와의 인터뷰를 통해 "HBM3E 생산에 필요한 시간을 50% 단축할 수 있었다"며 "해당 칩이 목표 수율인 80%에 거의 도달했다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해부터 본격적으로 상용화 궤도에 올랐다. HBM은 높은 기술적 난이도로 인해, 수율을 높이는 것이 주요 메모리 기업들의 과제로 지목돼 왔다. 수율은 반도체 웨이퍼 투입량 대비 양품이 얼마나 나오는 지를 나타내는 수치다. 100개의 칩 중 양품이 60개라면, 수율은 60%가 된다. 그동안 업계는 SK하이닉스의 HBM3E 수율을 60~70% 내외로 추정해 왔다. 그러나 SK하이닉스는 외신과의 인터뷰에서 수율이 이보다 높은 80%에 근접했음을 공식적으로 밝혔다. SK하이닉스는 견조한 수율을 토대로 최선단 HBM 사업의 경쟁력 유지에 적극 나설 것으로 관측된다. 현재 SK하이닉스는 AI 반도체 시장의 강자인 엔비디아에 HBM3E를 양산 공급하고 있다. 권재순 담당임원은 "올해 고객사들이 가장 원하는 제품은 8단 적층 HBM3E로, 회사도 이 제품 생산에 주력하고 있다"며 "AI 시대를 앞서가기 위해서는 수율 향상이 더 중요해지고 있다"고 말했다.

2024.05.22 13:52장경윤

美 마이크론, HBM3E 12단 샘플 공급...설비투자 상향 조정

미국 메모리 업체 마이크론이 AI 반도체 수요 증가에 대응하기 위해 고대역폭메모리(HBM) 시설투자 규모를 늘린다. 마이크론은 지난 2월 HBM3E 8단 양산에 이어, 최근 HBM3E 12단 샘플 공급을 시작했다고 밝혔다. 21일(현지시간) 로이터통신에 따르면 마이크론 매튜 머피 CFO(최고재무관리자)는 "HBM 공급량을 늘리기 위해 올해 자본지출(CAPEX)을 75억 달러(10조2352억 원)에서 80억 달러(10조9176억 원)로 상향 조정했다"고 밝혔다. 또 최근 JP모선 컨퍼런스에 참석한 마니쉬 바하티아 COO(최고운영책임자)는 "2025년 회계연도에 HBM은 수십억 달러 규모의 사업이 될 것으로 기대한다"고 전했다. 앞서 마이크론은 지난 3월 "AI 반도체 개발에 사용되는 HBM 칩이 올해 매진됐고, 내년 공급량의 대부분도 할당되었다"고 밝혔다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3) 제품 공급에 이어 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다. HBM 시장에서 SK하이닉스가 선두를 달리고 있고, 삼성전자는 2위를 차지한다. HBM 후발주자인 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 이 제품은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재된다. 최근 마이크론은 고객사에 36GB 12단 HBM3E 샘플링을 시작했다. 마이크론은 본격적으로 HBM을 생산하기 위해 지난해 6월 대만 타이중에 차세대 D램 생산 및 테스트 신규 공장 가동을 시작했다. 이 곳은 마이크론 HBM3E 생산의 거점으로 운영된다. 또 대만에 위치해 파운드리 업체 TSMC와 협력 강화에도 이점이 있다. TSMC는 엔비디아의 AI 반도체를 생산한다. 또 마이크론은 지난 4월 미국 행정부로부터 8조4천 억원의 보조금을 통해 2025년말 가동될 아이다호 보이시와 2028년 가동될 뉴욕주 클레이에 최첨단 메모리 HBM용 팹을 건설할 계획이다. 아울러 일본 히로시마에도 2027년말 가동을 목표로 HBM 팹을 건설한다. 일본 정부는 마이크론에1조7천억 원의 보조금을 약속했다. 시장조사업체 트렌드포스는 20일 "마이크론의 대만 시설은 내년에 최대 용량으로 생산하고, 향후 확장은 미국에 초점을 맞출 예정이다"라며 "미국 보이시 공장은 내년 완공될 예정이며, 장비 설치를 거쳐 2026년 양산을 목표로 하고 있다"고 말했다.

2024.05.22 10:00이나리

SK하이닉스, '발명의 날' 정부 포상 수상…"HBM로 국가 경쟁력 높여"

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 메모리 기술 개발 성과를 인정 받아 '제59회 발명의 날 기념식'에서 정부 포상을 수상했다. 21일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제59회 발명의 날 기념식'에서 김종환 부사장(D램개발 담당)이 철탑산업훈장을, 김웅래 팀장(D램코어디자인)이 국무총리표창을 받았다. 특허청은 매년 발명의 날(5월 19일)을 맞아 국가 산업 발전을 이끈 유공자들에게 정부 포상을 시행하며, 공적에 따라 산업훈장·산업포장·대통령표창·국무총리표창 등을 시상한다. SK하이닉스 D램 기술 개발을 이끌고 있는 김종환 부사장은 AI 메모리를 개발했다. 2021년부터 회사의 D램 개발을 총괄하면서 2022년 6월 AI 메모리인 HBM(고대역폭 메모리) 4세대 제품 HBM3 양산에 성공하고 지난해 8월에는 5세대 제품인 HBM3E를 개발해냈다. 또 그는 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 지능형 메모리인 PIM(Processing-In-Memory)을 개발하고, 메모리와 다른 장치들 사이에 인터페이스를 하나로 통합해 제품 성능과 효율성을 동시에 높여주는 CXL(Compute eXpress Link) 메모리를 개발하는 데도 기여했다. 김 부사장은 “첨단 기술력 확보라는 큰 목표를 이루는 데 함께해 준 구성원들에게 감사의 뜻을 전한다”며 “SK하이닉스가 HBM3와 HBM3E 개발을 통해 글로벌 AI 메모리 시장을 선점하고 대한민국의 위상을 높였듯이, 차세대 AI 메모리 개발에도 박차를 가해 리더십을 이어 나가도록 노력하겠다”고 말했다. 국무총리표창을 수상한 김웅래 팀장은 D램 10나노급 미세공정에 도입되는 회로 관련 설계 기술을 개발해 제품 성능 향상과 원가 절감을 이루어낸 공로를 인정받았다. 또, 그는 모바일용 저전력 D램인 LPDDR4와 LPDDR5의 초고속·저전력 동작 기술을 개발하고 핵심 특허를 출원해 국가 IP(지식재산) 확보에 기여한 점을 높이 평가받았다. 김 팀장은 “회사의 아낌없는 투자와 함께, 구성원들이 원팀(One Team) 마인드로 합심해준 덕분에 이룬 성과”라며 “앞으로도 D램 분야에서 선도적인 기술력을 갖출 수 있도록 최선을 다할 것”이라고 소감을 밝혔다.

2024.05.22 09:26이나리

HBM 시장 '쑥쑥'..."올해 웨이퍼 투입량서 35% 차지"

HBM(고대역폭메모리)가 주요 메모리 기업들의 생산능력 및 수요 증가로 전체 메모리에서 차지하는 비중이 확대되고 있다. 이에 따라 일반 D램 제품 공급이 부족해질 것이라는 전망도 제기된다. 21일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM이 올해 말까지 전체 선단 메모리 공정용 웨이퍼 투입량에서 차지하는 비중은 35%에 이를 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 고성능 메모리다. 고용량·고효율 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 수요가 증가하면서, 주요 메모리 기업들은 HBM 생산능력 확대에 적극적으로 나서고 있다. 동시에 HBM은 높은 기술적 난이도로 인해 현재 50~60%대의 수율에 머물러 있다. 또한 칩 면적이 커 더 많은 웨이퍼 투입이 필요하다. 이에 따라 각 메모리 기업의 TSV 생산능력 기준 올해 말까지 HBM은 선단 공정용 웨이퍼 투입량의 35%를 차지할 전망이다. 나머지 웨이퍼 용량은 DDR5와 LPDDR5(저전력 D램)급 제품에 할당될 것으로 예상된다. 또한 1a나노미터 이상의 D램 공정에 대한 웨이퍼 투입량도 연말까지 전체 D램 웨이퍼 투입량의 40%를 차지할 것으로 관측된다. 1a는 10나노급 4세대 D램으로, 현재 다음 세대인 1b D램까지 상용화에 이르렀다. HBM은 5세대 제품인 HBM3E의 출하량이 올해 하반기 집중적으로 증가할 전망이다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 제품 양산을 시작했거나 양산을 추진 중이다. 트렌드포스는 "HBM3E에 1b D램을 활용한 SK하이닉스와 마이크론은 엔비디아에 제품을 공급하기로 했다"며 "1a D램을 활용하는 삼성전자는 올 2분기에 검증을 완료하고 올해 중반에 납품을 시작할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 한편 HBM의 웨이퍼 투입 비중 확대로 일반 D램은 출하량 증가에 어려움을 겪고 있다. 주요 메모리 기업들의 설비투자 속도에 따라 공급부족 현상이 발생할 가능성도 제기된다. 트렌드포스는 "삼성전자는 P4 공장을 내년 완공하며, 화성 15라인의 1y D램 설비는 1b D램 공정 전환을 거치게 된다"며 "SK하이닉스는 M16 공장을 내년 증설할 것으로 예상되고, M15X도 내년 완공해 다음해 말 양산을 시작할 예정"이라고 설명했다. 마이크론의 경우 대만 공장은 내년 풀가동 상태로 회복되며, 향후 생산능력 확장은 미국을 중심으로 이뤄질 전망이다.

2024.05.21 09:50장경윤

삼성전자, 차세대 '3D D램' 개발 열공…셀 16단 적층 시도

삼성전자가 차세대 D램으로 주목받는 VCT(수직 채널 트랜지스터) D램과 3D D램 개발에 열을 올리고 있다. VCT D램은 내년 초기 제품 개발을 완료할 예정이며, 3D D램은 셀을 16단까지 적층하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이시우 삼성전자 부사장은 지난 14일 서울 광진구 그랜드 워커힐 호텔에서 열린 '국제 메모리 워크숍(IMW) 2024' 행사에서 회사의 차세대 D램 기술력에 대해 발표했다. 이날 '메모리 산업을 위한 첨단 채널 물질' 토론에 참석한 이 부사장은 "하이퍼스케일러 AI와 온디멘드 AI 등 산업 발전은 많은 메모리 처리능력을 요구한다"며 "반면 기존 D램의 미세 공정 기술이 한계에 다다르면서, 셀(데이터가 저장되는 단위) 구조에 새로운 혁신이 일어날 것으로 예상된다"고 밝혔다. 새로운 셀 구조의 D램은 크게 '4F스퀘어(4F²) VCT D램'과 '3D D램'으로 구분할 수 있다. D램의 셀은 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성된다. 트랜지스터는 전기 스위칭과 전압 증폭을 위한 소자다. 전류가 흐르는 방향에 따라 소스·게이트·드레인 순으로 구성된다. 드레인 위에 위치한 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자를 뜻한다. 이 셀을 동작시키기 위해서는 게이트 단자로 전압이 인가되는 워드라인(WL)과, 드레인 단자로 인가되는 비트라인(BL)이 바둑판 형식으로 배열된다. 초창기 D램의 셀 구조는 비트라인 4칸, 워드라인 2칸으로 구성된 8F스퀘어였다. 그러다 80나노급 D램부터는 6F스퀘어(비트라인 3칸, 워드라인 2칸)가 적용됐다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도 및 성능을 끌어올릴 수 있다. 4F스퀘어로 나아가기 위해서는 셀 구조가 크게 변화해야 한다. 기존 D램은 트랜지스터를 수평으로 배치했으나, 4F스퀘어 구현을 위해서는 이를 수직으로 배치하는 VCT구조가 필요하다. 이 부사장은 "많은 기업들이 4F스퀘어 VCT D램으로의 전환을 위해 노력하고 있다"며 "다만 이를 위해서는 산화물 채널 물질, 강유전체 등 새로운 소재 개발이 선행돼야 한다"고 설명했다. 이와 관련해, 삼성전자는 내년 4F스퀘어 VCT D램에 대한 초기 샘플을 개발할 예정인 것으로 알려졌다. 나아가 삼성전자는 2030년 상용화를 목표로 3D D램도 개발 중이다. 3D D램은 비트라인, 혹은 워드라인을 수직으로 세워 셀을 수직으로 적층하는 기술이다. 해당 D램에도 새로운 소재는 물론, 웨이퍼와 웨이퍼를 직접 붙이는 웨이퍼본딩(W2W) 기술이 도입돼야 한다. 현재 3D D램을 개발하는 주요 메모리 기업들은 셀을 16단까지 적층해 상용화 가능성을 검토 중인 것으로 전해진다. 미국 마이크론의 경우 8단 적층을 시도 중인 것으로 관측된다.

2024.05.20 15:26장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM4 경쟁력 승부처 '1c D램' 주목

이르면 내년부터 양산이 시작되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 대한 기술 경쟁이 뜨겁다. 삼성전자가 최근 HBM4에 탑재될 D램을 한 세대 진화된 제품으로 변경하는 방안을 검토 중인 가운데, SK하이닉스도 시황에 따라 유동적인 전략을 펼칠 것으로 관측된다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 HBM4에 1c D램을 적용하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리다. 때문에 D램 완제품의 성능이 HBM의 성능에 직접적인 영향을 끼친다. 당초 삼성전자는 내년부터 양산화되는 HBM4에 10나노급 5세대 D램인 1b D램을 적용하려고 했었다. 1b D램은 선폭이 12나노 수준으로, 삼성전자가 지난해 5월 첫 양산에 나선 제품이다. 삼성전자가 올해 양산에 나서는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 경우 1a D램이 적용됐다. 그러나 삼성전자는 최근 내부적으로 HBM4에 탑재될 D램을 1c D램으로 변경하는 방안을 수립했다. SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E에 1b D램을 적용했던 만큼, HBM4는 전공정 영역에서부터 앞서 나가겠다는 전략으로 풀이된다. 사안에 정통한 관계자는 "현재 HBM4는 12단, 16단 적층에 관계없이 1c D램으로 가는 방향"이라며 "한 세대 뒤쳐진 D램으로 전력사용량 문제가 발생한다는 우려가 많아 개발에 속도를 더하고 싶은 것으로 안다"고 밝혔다. 다만 삼성전자가 실제로 해당 방안을 실현할 지에 대해서는 아직 지켜봐야 한다는 관측도 나온다. 삼성전자가 1c D램의 초도 양산라인을 구축하는 시점은 올해 연말로, 생산능력은 월 3천장 수준으로 추산된다. 목표로 한 HBM4 양산 시점과 차이가 크지 않다. 통상 메모리 업계는 최선단 D램을 컴퓨팅·모바일용으로 순차적으로 개발하고, 이후 안정성을 확보한 뒤에 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 이를 고려하면 HBM4 양산 시점에 1c D램에 대한 수율을 담보하기 어려울 수 있다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 임원진 및 실무단에서 HBM4에 1c D램을 적용하고, 양산 목표 시점 역시 내년 말에서 내년 중후반으로 앞당기는 등의 논의가 오가고 있다"며 "다만 수율이 받쳐줘야 하기 때문에 확정된 사안이 아닌, 계획 단계로 봐야한다"고 밝혔다. 한편 SK하이닉스는 삼성전자의 초기 전략과 마찬가지로 HBM4에는 1b D램을, HBM4E부터는 1c D램을 적용하는 계획을 세운 바 있다. 다만 SK하이닉스도 시황에 따라 적용 기술을 유동적으로 변경할 여지를 여전히 남겨두고 있는 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용되는 D램을 앞당기는 경우, 현재 업계 선두인 SK하이닉스 입장에서도 위기의식을 느낄 수 밖에 없다"며 "SK하이닉스도 로드맵은 세워 둔 상황이나 내부적으로 변경에 대한 여지를 계속 남겨두고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2024.05.17 14:56장경윤

삼성·SK, 반도체 호황에도 재고자산 증가…충당금 환입 영향

삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업의 재고자산이 메모리 시장의 회복세에도 증가한 것으로 나타났다. 업계는 실제 재고의 증가가 아닌, 재고자산평가 충당금의 환입이 발생한 데 따른 영향으로 보고 있다. 16일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자의 올 1분기 재고자산은 53조3천347억원으로 집계됐다. 지난해 말 재고자산 규모인 51조6천258억원 대비 3%가량 증가했다. 다만 이는 실제 재고의 증가가 아닌, 메모리반도체 가격 상승에 따른 재고자산평가 충당금이 증가한 데 따른 영향이다. 재고자산평가 충당금은 재고 가격이 취득원가보다 낮아질 경우를 상정해 미리 하락분을 반영하는 금액이다. 지난해 상반기까지 D램·낸드 가격이 지속 하락하면서, 국내 주요 반도체 기업들은 재고자산평가 충당금을 지속 증가시킨 바 있다. 그러나 지난해 하반기부터는 메모리 가격이 반등을 시작해, 올 1분기까지도 상승세를 이어갔다. 이에 재고자산평가 충당금이 환입되면서, 재고자산 규모가 표면적으로 증가하는 모습을 보였다. 업계 관계자는 "삼성전자의 재고 증가는 재고자산평가 충당금 등에 따른 영향이 크다"며 "실제로는 주요 사업인 메모리 반도체 중심으로 재고가 감소한 것으로 안다"고 밝혔다. SK하이닉스 역시 동일한 이유로 올 1분기 재고자산이 13조8천446억원으로 지난해 말(13조4천806억원) 대비 소폭 증가했다. SK하이닉스는 최근 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "다운턴 기간 동안 축적된 메모리 재고 수준은 적극적 감산으로 지난해 하반기부터 점진적으로 줄어들고 있다"며 "올 1분기도 평가가 큰 폭으로 상승한 낸드 제품 중심으로 재고자산평가 충당금 환입이 발생했다"고 밝힌 바 있다.

2024.05.17 11:31장경윤

中, HBM 자립화 속도…"샘플 개발 성공"

중국의 반도체 제조업체 2곳이 HBM(고대역폭메모리) 생산 초기 단계에 진입했다고 로이터통신이 15일 보도했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 AI 산업에서 고성능 시스템반도체와 결합돼 사용되고 있다. 다만 기술적 난이도가 높아 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 3개 업체만이 상용화에 성공했다. 로이터가 인용한 소식통에 따르면, 중국 최대의 D램 제조업체인 CXMT(창신메모리)는 현지 OSAT(외주반도체패키징테스트) 기업 통푸마이크로일렉트로닉스(Tongfu Microelectronics)와 협력해 HBM 샘플을 개발했다. 현재 해당 칩을 고객사에 시연하는 단계다. 또한 중국 최대 낸드플래시 업체인 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)의 자회사 XMC(우한신신)은 HBM용 12인치 웨이퍼를 월 3천장 생산할 수 있는 공장을 신설하고 있다. 해당 공장은 올해 2월 착공에 들어간 것으로 알려졌다. 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "중국 반도체 기업들도 HBM 개발에 필요한 장비 구매를 위해 한국, 일본 장비업체와 정기적인 미팅을 갖고 있다"며 "중국의 HBM 개발은 미국의 첨단 반도체 수출 규제 속에서 외산 의존도를 줄이려는 중요한 진전을 의미한다"고 밝혔다. 한편 중국의 또 다른 주요 IT 기업인 화웨이도 HBM을 개발하기 위한 노력을 지속하고 있다. 오는 2026년까지 HBM2(2세대 HBM)을 생산하는 것이 목표다.

2024.05.16 08:18장경윤

한미반도체, HBM용 TC본더 라인 증설…98.8억 규모 유형자산 취득

한미반도체가 주력 사업인 TC본더의 생산능력 확대를 위한 준비에 나선다. 한미반도체는 98억8천만원 규모의 인천 서구 가좌동 소재의 토지 및 건물을 취득한다고 14일 공시를 통해 밝혔다. 이번에 한미반도체가 취득하는 유형자산은 인천 서구 가좌동 552-31번지에 위치해 있다. 한미반도체 본사와 거리가 매우 가깝다. 토지 면적은 852평, 건물 면적은 707평이다. 한미반도체는 취득 목적에 대해 "HBM용 TC본더 생산 라인 증설"이라고 설명했다. 취득예정일자는 오는 6월 10일이다. 한미반도체는 반도체 후공정에서 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 TC본더를 주력으로 개발하고 있다. 특히 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)을 제조하는 데 필수적으로 쓰인다. 현재 HBM 시장이 빠르게 성장하는 만큼, 한미반도체는 TC본더 생산능력을 적극적으로 확대해 왔다. 지난달에는 인천 서구 주안국가산업단지에 6번째 공장을 개소해, 연 1조원 규모의 생산능력을 갖췄다. 또한 한미반도체는 최근 기존 SK하이닉스에 이어 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보하는 성과를 거두기도 했다. 지난달 11일 한미반도체는 미국 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 수주했다고 공시한 바 있다.

2024.05.14 15:46장경윤

SK하이닉스 "HBM4E, 2026년부터 양산"...1년 앞당긴다

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 2026년부터 양산한다. HBM4에 이어 HBM4E 또한 양산 시기를 1년 앞당겨 기술 초격차를 이어 나간다는 목표다. 6세대 HBM(HBM4)는 내년 양산한다. 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 13일 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 이같은 로드맵을 밝혔다. 김 팀장은 "HBM이 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 말했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2일 기자간담회에서 HBM 로드맵 장표를 통해 HBM4가 1년 앞당겨 내년에 양산한다고 처음으로 발표한 바 있다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3) 제품이 공급됐으며, 올해1분기부터 5세대(HBM3E) 8단을 양산해 엔비디아에 공급하고 있다. HBM3E 12단은 이달 샘플을 공급하고, 오는 3분기 중으로 양산할 계획이다. HBM4E는 16단~20단 제품이 될 전망이다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 1분기 컨퍼런스콜에서 HBM4는 12단, 16단 제품으로 개발이 진행중이라고 밝혔다. 또 SK하이닉스는 HBM3E까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 사용하지만, HBM4E 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 하이브리디 본딩을 적용할 수 있다는 가능성도 내비쳤다. 하이브리드 본딩은 칩 사이의 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 쌓을 수 있다. SK하이닉스는 컨콜에서 HBM4 16단까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 적용하겠다고 밝힌 바 있다. 김 팀장은 "HBM4에선 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구 중이지만 현재까진 수율이 높지 않다"며 "고객사가 20단 이상 제품을 요구했을 때에는 두께 한계 때문에 새로운 공정을 모색해봐야 한다"고 말했다.

2024.05.13 23:56이나리

"투자지원 긍정적, 국제정세 대응 '속도감' 더해야"…반도체 B학점

지디넷코리아는 오는 20일 창간 24주년을 맞아 윤석열 정부 정책 2년을 평가했습니다. 전년과 마찬가지로 통신·플랫폼·로봇·금융·반도체·SW·AI·자동차·배터리 디지털헬스케어·게임 등의 분야를 대상으로 했습니다. 현 정부 출범 이후 의욕을 갖고 시작한 정책들이 일관성 있게 효율적으로 추진되는지 살펴보았고, 정책의 실수요자들은 이를 어떻게 평가하고 있는지 들어보았습니다. 일부 분야를 제외하고는 전반적으로 평가 점수가 지난 해보다 하락한 것을 확인할 수 있었습니다. 아직 현 정부의 정책이 추진된 지 반환점조차 지나지 않은 시점이기 때문에 '중간평가'의 의미이지만 정책당국에서는 평가자들의 목소리를 귀담아들어야겠습니다. 이번 기획이 향후 정책이 좋은 평가로 발전하는데 보탬이 되기를 바랍니다. [편집자주] 세계 반도체 산업 판도가 급변하고 있다. 일부 국가에만 반도체 생산을 의존했던 기존 질서에서 벗어나기 위해 자국 내 반도체 공급망 강화에 힘을 썯고 있다. 이를 위해 미국·유럽·일본 등 세계 각국은 막대한 투자를 단행하기 시작했다. 아울러 AI 패권을 둘러싼 미국과 중국 간 반도체 기술·무역 경쟁도 갈수록 격화되는 추세다. 이제 반도체 산업은 단순히 경제적인 측면을 넘어, 국가 안보와 미래 경쟁력을 좌우할 핵심 요소로 자리 잡았다. 이러한 상황에서 국내 반도체 전문가들은 윤석열 정부의 지난 2년간 반도체 정책에 대해 다양한 견해를 내놓고 있다. 집권 초기 제시했던 대규모 정책들을 차질없이 구체화하고 있다는 펑가가 있는가 하면, 급변하는 정세 속에서 보다 발 빠른 대처가 필요하다는 지적이 동시에 제기된다. 반도체 투자지원·인력양성 정책, 이행도 '충실' 윤 정부는 지난 2022년과 지난해 국내 반도체 산업 육성을 위한 대규모 정책을 다수 수립했다. ▲반도체 등 국가전략기술에 대한 시설 투자 세액공제율 확대 (대기업·중견기업 8%→15%, 중소기업 16%→25%) ▲360조원 규모의 용인 첨단 시스템반도체 클러스터 구축 ▲10년간 반도체 핵심인력 15만명 양성 등이 주 골자다. 전문가들은 윤 정부 출범 1년차는 총론과 각론을 설계하는 세부 과제 수립 단계였다면, 2년차는 각 과제를 얼마나 성실히 이행했는 지가 중요하다고 보고 있다. 안기현 반도체산업협회 전무는 "정부가 초기 제시했던 대규모 반도체 설비투자 정책의 방향이나 내용은 차질없이 진행되고 있다고 생각된다"며 "(과거)전례가 없었기 때문에 아직까지 결과를 장담하기는 힘들지만, 인력양성 사업에도 비교적 많은 지원을 쏟고 있는 상황"이라고 밝혔다. 전 산업통상자원부 고위 관계자는 "용인 클러스터에서 발생하는 용수, 전력 문제 등을 정부 최고위급에서 지속적으로 관심을 가지고 있다는 점은 꽤 의미가 있다"며 "물론 지원책의 지속력을 위해 올해 만료되는 시설 투자 세액공제 혜택에 대한 연장 논의 등이 이뤄져야할 것"이라고 조언했다. 반도체 정세 급변…대응에 '속도감' 더해야 최근 전 세계적으로 변화하고 있는 반도체 공급망에 대해서는 우리 정부가 더 기민하게 대처해야 한다는 목소리가 나온다. 대표적인 것이 미국 정부가 지난 2022년 8월 자국 내 반도체 생산능력 확대를 위해 발효한 반도체지원법(칩스법)이다. 칩스법은 총 390억 달러의 보조금, 750억 달러의 대출 및 대출 보증금으로 구성된다. 이 법에 따라 인텔(85억 달러), 대만 TSMC(66억 달러) 등이 현지 투자에 따른 보조금을 받을 예정이다. 삼성전자도 지난달 64억 달러 보조금 수여를 확정지었다. 국내 주요 메모리업체인 SK하이닉스도 미국 인디애나주 신규 패키징 시설투자에 따른 보조금 혜택이 기대된다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "최근 미국과 일본, 대만 등이 반도체 산업에 막대한 투자를 진행하는 것을 보면 우리나라도 서둘러 추가적인 행동에 나서야 할 때로 느껴진다"며 "반도체 산업은 결국 속도전"이라고 말했다. 안기현 전무는 "우리나라 반도체 산업이 경쟁력을 유지하려면 기업의 제조시설 구축 및 운영에 대한 충분한 지원이 필요한데, 타국에 비해서는 지원 규모가 상대적으로 부족한 것이 위험 요소"라며 "당초 이번 정부가 제시했던 정책은 아니지만, 다른 나라의 움직임에 응해야 할 필요가 있다"고 강조했다. 'AI 강국' 도약 위해 국내 유망 팹리스 지원 필요 반도체 전문가들은 메모리 뿐만 아니라 국내 AI 산업과 시스템반도체 생태계 강화를 위해 팹리스 기업에게도 보다 적극적인 지원책이 필요하다고 입을 모으고 있다. 김용석 반도체공학회 고문은 "국내 기업들이 HBM(고대역폭메모리) 등은 잘하고 있으나, AI 반도체는 사실상 소수의 팹리스 기업만이 시장 진출에 적극 나서고 있다"며 "정부 차원에서 세액공제나 초기 연구개발 등 다양한 지원을 해야 하는데, 올해 들어서는 별다른 행동이 보이지 않는다"고 말했다. 김형준 단장은 "우리나라가 AI 산업에서 결코 순위권에 속하지 않는다는 지적들이 많아, 획기적인 지원책이 나와야 할 때"라며 "AI 반도체 개발에 들어가는 막대한 개발비를 일부 지원해주거나, MPW 서비스를 늘려주는 등 우리 정부가 발빠르게 움직여야 한다"고 강조했다. MPW는 웨이퍼 한 장에 다수의 칩 시제품을 제작하는 서비스다. 설계를 담당하는 팹리스는 양산 설비를 자체적으로 보유하고 있지 않아, MPW를 활용해 칩의 성능 검증을 진행하고 있다. 국내 소부장 업계, '온리 원' 기술로 경쟁력 높여야 한국무역협회에 따르면 국내 반도체 공급망 자립률은 30% 수준에 불과하다. 이에 정부는 오는 2030년 반도체 공급망 자립률을 50%까지 올리고, 매출 '1조원 클럽' 소부장 기업을 10개 육성하는 것을 목표로 하고 있다. 다만 업계는 정부의 정책이 국내 소부장 기업들에게 실제 효용으로 다가오려면 더 많은 시간과 노력이 필요하다고 보고 있다. 익명을 요구한 국내 반도체 장비기업 대표는 "우리나라가 반도체 산업을 시작한 지 40년이 넘었으나, 국산화율이 낮은 것은 구체적인 전략이 없었기 때문"이라며 "정부 정책이 제조 산업의 확대에 집중하면서 대기업들이 세계적인 경쟁력을 갖출 수는 있었으나, 소부장 기업들은 시장 초기 급격한 성장을 이루지 못했다"고 꼬집었다. 그는 이어 "세계 각국이 반도체 공급망 자립화를 추진하는 상황에서, 특정 기술을 해외에 전적으로 의존하면 생산이 멈추는 리스크까지 발생할 수 있다"며 "진정한 공급망 안정화를 이루려면 국내 소부장이 '온리 원(Only One)' 기술을 확보할 수 있도록 물꼬를 터줘야 한다"고 덧붙였다.

2024.05.13 15:37장경윤

삼성·SK·마이크론 'HBM3E' 경쟁, 브로드컴으로 확전

삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업 간 HBM3E(5세대 HBM) 경쟁이 엔비디아에 이어 브로드컴으로 확전되면서 귀추가 주목되고 있다. 현재 3사의 8단 샘플에 대한 테스트가 진행 중인 것으로 알려졌다. 9일 업계에 따르면 브로드컴은 올 1분기부터 메모리 3사의 HBM3E 8단 샘플에 대한 테스트를 진행 중이다. 브로드컴은 매출 기준 전 세계 3위에 해당하는 주요 팹리스다. 통신용 반도체와 데이터센터용 네트워크 및 스토리지 솔루션을 주력으로 개발하고 있다. 특히 AI 산업에서는 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로, 구글·메타 등 AI 반도체를 탑재한 맞춤형 서버 인프라를 제공해왔다. 브로드컴은 올해 구글의 최신 TPU(텐서처리장치)를 기반으로 한 AI 서버 구축에 8단 HBM3E를 활용할 계획이다. 이를 위해 올 1분기부터 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 제조업체로부터 샘플을 공급받기 시작했다. 해당 샘플은 초기 버전으로, 현재 각 사 제품 성능에 대한 평가가 어느 정도 드러난 것으로 알려졌다. 나아가 삼성전자·SK하이닉스는 올 2분기 성능을 개선한 후속 샘플도 지속적으로 제출하고 있다. 브로드컴이 이들 메모리 3사의 샘플을 동시에 테스트 중인 만큼, 각 기업은 자사의 HBM3E 경쟁력 입증을 위한 경쟁을 더 치열하게 벌일 것으로 관측된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 획기적으로 끌어올린 고부가 메모리다. HBM3E의 경우 5세대 제품에 해당한다. 이전 세대인 HBM3의 경우에는 SK하이닉스가 주요 AI 반도체 기업인 엔비디아에 제품을 독점 공급하며 시장을 주도했으나, HBM3E의 경우 삼성전자·마이크론도 각각 개발 성과를 적극적으로 공개하며 추격 의지를 불태우고 있다. 삼성전자는 최근 열린 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 사업은 고객사의 타임라인에 맞춰 순조롭게 진행 중"이라며 "8단 제품은 이미 초기 양산을 개시했고, 빠르면 2분기 말부터 매출이 발생할 것"이라고 자신감을 내비췄다. SK하이닉스도 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E는 올해 고객 수요에 맞춰 공급량을 확대해 나갈 것이고, 작년 대비 증가한 공급 능력을 활용할 계획"이라며 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라고 밝힌 바 있다.

2024.05.09 15:57장경윤

D램 18%·낸드 20% 가격 상승...대만 지진 여파

대만 지진 여파로 2분기 메모리 가격이 연초 예상보다 상승한다는 전망이 나왔다. 또 인공지능(AI) 열풍으로 메모리 생산은 고대역폭메모리(HBM)에 집중될 것으로 보인다. 시장조사업체 트렌드포스는 2분기 D램 고정가격은 13~18%, 낸드플래시 고정가격은 15~20% 상승한다고 전망했다. 지난 4월 3일 발생한 대만 지진 이전에는 2분기 D램 고정 가격은 3~8% 인상, 낸드 고정가격은 13~18% 상승할 것으로 전망돼 왔는데, 인상폭이 상향된 것이다. 트렌드포스는 "현물 가격 지표에서 볼 수 있듯이 거래량이 감소하고 가격 모멘텀이 약해진 것으로 나타났다"며 "AI 애플리케이션을 제외한 노트북과 스마트폰의 수요가 둔화했고, 특히 PC OEM 업체의 재고가 늘어났다. 또 D램과 낸드 가격이 2~3분기 연속 상승하면서 추가적인 가격 인상을 수용하려는 구매자의 의지력이 줄어들었다"고 설명했다. 트렌드포스는 제조업체들이 HBM 캐파(생산 능력)에 대한 잠재적인 '크라우드 아웃(밀어내기)' 효과를 경계하고 있다고 진단했다. 1a 공정 노드를 사용하는 삼성전자의 HBM3E 제품은 올해 말까지 전체 용량의 60%를 사용할 것으로 예상된다. 특히 3분기 HBM3E 생산량이 크게 증가함에 따라 DDR5 공급업체를 위축시킬 것이란 전망도 나온다. 메모리 구매자들은 3분기부터 예상되는 HBM 부족에 대비하기 위해 전략적으로 2분기에 재고를 늘리고 있다. AI 추론 서버에서 에너지 효율성이 점점 더 중요해짐에 따라 북미 CSP(클라우드서비스제공업체)는 QLC 엔터프라이즈 SSD를 채택하고 있다. 이런 변화로 QLC 기업용 SSD에 대한 수요가 증가하면서 일부 공급업체 사이에 급격한 재고 고갈이 발생하고, 판매를 주저하게 했다. 트렌드포스는 "소비자 제품 수요의 불확실한 회복으로 인해 메모리 공급업체는 일반적으로 비 HBM 웨이퍼 생산 능력, 특히 낸드플래시에 대한 자본 투자에 대해 보수적이다"고 말했다.

2024.05.08 16:34이나리

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