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SK하이닉스 "12단 HBM3E 내년 공급...고객사와 장기 프로젝트 논의중"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품을 3분기에 개발 완료한 후 내년에 고객사에 공급할 예정이다. 아울러 지난해 예측 보다 HBM 수요가 더 증가함에 따라 고객사들과 내년 이후의 장기 프로젝트를 논의 중에 있다고 밝혔다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라며 "HBM3E12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰서 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 다음에 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급을 준비하고 있다"고 말했다. 이어 "HBM3E 가격은 상대적으로 높은 성능, 원가 상승분 등을 고려해서 기존 HBM3 대비에서는 가격 프리미엄이 반영돼 있다"라며 "우리는 업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 생산성, 1b나노 테크 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업도 순조롭게 진행하고 있다. 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진 중이다"고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품 순으로 공급됐으며, 올해 상반기부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다. SK하이닉스도 지난 1월 CES 2024에서 처음으로 12단 HBM3E 실물을 공개한 바 있다. SK하이닉스는 HBM 공급 과잉에 대한 시장의 우려에 대해서 일축했다. SK하이닉스는 "작년 10월 실적 설명회에서 올해 늘어나는 HBM 캐파는 고객과 협의해서 투자의사결정을 진행한 것으로 이미 솔드아웃(판매완료)됐고, 중장기 관점에서 다양한 AI 플레이어 그리고 잠재 고객들과 사업 영역을 확대하는 논의도 하고 있다고 밝힌 바 있다"라며 "최근 상황을 말씀드리면 CSP(클라우드 서비스 제공) 업체들의 AI 서버 투자 확대, AI 서비스 품질 개선을 위한 추가 수요 등으로 HBM 수요가 더욱 큰 폭으로 증가하고 있다. 이는 불과 반년 전에 대비해서 HBM 수요 가시성이 더욱 명확해지고 있는 모습이다"고 강조했다. 이어서 "올해 이후 HBM 시장은 여전히 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, 모델리티 확대, AI 서비스 공급자 확대, 무엇보다 엔드 고객단에서 유지 케이스 증가와 같은 다양한 요인으로 인해서 급격한 성장을 지속할 것으로 전망한다"라며 "SK하이닉스는 제품 경쟁력과 대규모 양산 경험을 기반으로 상당수의 기존 고객 그리고 잠재 고객들과 함께 2025년 그리고 그 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다"고 전했다. 이어 "2025년 캐파 규모는 장비 리드타임 등을 고려해서 현재 고객들과 협의를 진행하고 있다"고 덧붙였다.

2024.04.25 10:45이나리

SK하이닉스, 1분기 영업익 2.8조 '어닝 서프라이즈'..."AI 메모리 덕분"

SK하이닉스가 올해 1분기 실적에서 영업이익 2조8860억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 1조8550억원)를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 수치다. 이번 실적은 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 빠르게 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 25일 올해 1분기 매출 12조4296억원으로 전년 동기 대비 144.3%가 증가하고, 전기 대비 9.9% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대다. 1분기 영업이익 2조8860억원(영업이익률 23%)으로 전년 동기(영업손실 3조4023억원) 대비 흑자전환했고, 전기 대비 734% 늘었다. 순이익은 1조9170억원(순이익률 15%)의 경영실적을 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속돼 온 다운턴에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "HBM 등 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량을 늘리는 한편, 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다"며 "낸드 역시 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하며 흑자 전환에 성공해 큰 의미를 두고 있다"고 강조했다. 회사는 AI 메모리 수요가 지속적으로 늘어나고, 하반기부터는 일반 D램 수요도 회복돼 올해 메모리 시장은 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 또 일반 D램보다 큰 생산능력(Capacity, 이하 캐파)이 요구되는 HBM과 같은 프리미엄 제품 위주로 생산이 늘어나면서 범용 D램 공급은 상대적으로 축소돼, 공급사와 고객이 보유한 재고가 소진될 것으로 업계에서는 보고 있다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E 공급을 늘리는 한편 고객층을 확대해나갈 계획이다. 10나노 5세대(1b) 기반 32Gb DDR5 제품을 연내 출시해 회사가 강세를 이어온 고용량 서버 D램 시장 주도권도 강화하겠다는 계획이다. 낸드의 경우 실적 개선 추세를 지속하기 위해 제품 최적화를 추진할 계획이라고 SK하이닉스는 밝혔다. 회사가 강한 경쟁력을 보유하고 있는 고성능 16채널 eSSD와 함께 자회사인 솔리다임의 QLC 기반 고용량 eSSD 판매를 적극적으로 늘리고, AI향 PC에 들어가는 PCIe 5세대 cSSD를 적기에 출시해 최적화된 제품 라인업으로 시장 수요에 대응하겠다는 것이다. 한편, SK하이닉스는 24일 발표한 대로 신규 팹(Fab)인 청주 M15X를 D램 생산기지로 결정하고 건설을 가속화하는 등 캐파 확대를 위한 적기 투자를 해나가기로 했다. 회사는 중장기적으로 용인 반도체 클러스터, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 공장 등 미래 투자도 차질없이 진행할 계획이다. 이로 인해 올해 투자 규모는 연초 계획 대비 다소 증가할 것으로 보인다. 이에 대해 회사는 고객 수요 증가 추세에 따라 투자를 확대하기로 한 것이며, 이를 통해 HBM뿐 아니라 일반 D램 공급도 시장 수요에 맞춰 적절히 늘려갈 것이라고 설명했다. 이 과정에서 글로벌 메모리 시장이 안정적으로 커 나가게 하는 한편, 회사 차원에서는 투자효율성과 재무건전성을 확보할 수 있을 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "HBM을 중심으로 한 글로벌 1위 AI 메모리 기술력을 바탕으로 당사는 반등세를 본격화하게 되었다"며 "앞으로도 최고 성능 제품 적기 공급, 수익성 중심 경영 기조로 실적을 계속 개선하겠다"고 말했다.

2024.04.25 08:34이나리

엘비세미콘, '메모리' 패키징 수주 추진…사업 다각화 노린다

국내 반도체 후공정(OSAT) 기업 엘비세미콘이 사업 영역을 기존 시스템반도체에서 메모리로 확장하기 위한 움직임에 나섰다. 국내 메모리 업체가 HBM(고대역폭메모리) 투자에 집중하면서, 생산능력이 부족해지는 일반 D램의 패키징을 대신 수행하겠다는 전략으로 풀이된다. 김남석 엘비세미콘 대표는 최근 경기 평택 소재의 본사에서 기자들과 만나 올해 회사의 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 엘비세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 고객사로부터 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등을 수주해 패키징 및 테스트를 진행한다. 특히 엘비세미콘의 전체 매출에서 DDI가 차지하는 비중은 지난해 기준 60%에 달한다. DDI는 디지털 신호를 빛 에너지로 변환해 디스플레이 패널이 특정 화면을 출력하도록 만드는 칩으로, 스마트폰·TV 등 IT 시장 수요에 크게 영향을 받는다. 이에 엘비세미콘은 첨단 패키징 기술 개발과 더불어 올해 레거시 메모리 분야로의 진출을 꾀하고 있다. 배경은 국내 메모리 시장의 급격한 변화에 있다. 현재 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들은 AI(인공지능) 산업에 대응하기 위한 HBM 생산능력 확보에 주력하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리로, 첨단 패키징 기술이 필수적으로 요구된다. 때문에 삼성전자는 천안에, SK하이닉스는 청주를 중심으로 첨단 패키징 설비를 도입해 왔다. 김 대표는 "현재와 같이 제품 생산 및 설비투자가 HBM 분야로 집중되면, 일반 D램에 할당되는 생산능력은 줄어들 수 밖에 없다"며 "때문에 기업이 소화하지 못하는 물량이 OSAT 쪽으로 이관될 가능성이 높다"고 설명했다. 김 대표는 이어 "엘비세미콘이 보유한 범핑, EDS, 패키징 테스트 기술력을 적용하면 사업 규모가 적지 않을 것"이라며 "HBM이 향후 얼마나 빠르게 성장하느냐가 관건"이라고 덧붙였다.

2024.04.24 14:55장경윤

이재연 SK하이닉스 부사장 "이머징 메모리, AI 시대 이끌 패러다임 제시"

SK하이닉스가 AI 시대를 이끌어 갈 차세대 메모리의 선제적 개발 및 폭넓은 협력 관계 구축의 중요성을 강조했다. 22일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이재연 글로벌 RTC 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. SK하이닉스는 지난 연말 있었던 2024년 임원 인사에서 차세대 반도체를 연구·개발하는 조직인 '글로벌 RTC(Revolutionary Technology Center)'의 신임임원으로 이재연 부사장을 선임했다. 이 부사장은 DRAM 선행 프로젝트 연구를 시작으로 ReRAM, MRAM, PCM, ACiM을 비롯한 '이머징 메모리(Emerging Memory)' 개발을 이끌어온 반도체 소자 전문가다. 특히 이 부사장은 국내외 반도체 기업, 대학, 연구기관과의 풍부한 협업 경험을 토대로 ORP(Open Research Platform)를 구축하는 등 회사의 글로벌 경쟁력 향상을 위한 주춧돌을 마련하는 데 크게 기여했다는 평가를 받고 있다. ORP는 기술 혁신 파트너십 강화를 통해 선제적 연구·개발 생태계를 구축하기 위한 플랫폼이다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 미래 반도체 산업이 진화해 나갈 패러다임을 제시하고자 한다"며 "구체적으로 보면, 다음 세대 기술의 가치를 창출할 수 있는 이머징 메모리를 개발하고, 기존 반도체 기술의 한계를 극복할 차세대 컴퓨팅에 대한 기반 연구를 이어가고 있다"고 밝혔다. 또한 이 부사장은 이머징 메모리가 AI 시대를 이끌 새로운 패러다임을 제시할 것이라는 기대감을 내비쳤다. 이머징 메모리는 기존 메모리의 한계를 돌파할 새로운 솔루션으로 주목받고 있다. SK하이닉스는 현재 SOM, Spin, 시냅틱(Synaptic) 메모리, ACiM 등을 통해 이머징 메모리 솔루션을 구현하고 있다. SOM은 데이터를 빠르게 처리하는 D램과 데이터를 저장하고 삭제할 수 있는 낸드플래시의 특성을 모두 보유하고 있어, 향후 메모리 반도체 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 기대된다. 이와 함께 글로벌 RTC 조직은 자성(磁性)의 특성을 이용해 이머징 메모리 중 가장 빠른 Spin 소자의 동작을 구현하는 등 미래를 위한 다양한 기술을 개발하고 있다. 이 부사장은 "사람의 뇌를 모방한 AI 반도체인 시냅틱 메모리 분야의 연구 역시 발 빠르게 진행 중"이라며 "AI 연산 시 메모리와 프로세서 사이의 데이터 이동을 줄이고 에너지 사용을 절감할 수 있는 ACiM 역시 우리의 연구 분야이며, 이 기술은 최근 학계와 산업계에 큰 관심을 받고 있다"고 말했다. 급변하는 글로벌 시장에서 SK하이닉스가 경쟁력을 높일 수 있는 방안으로는 세계 각계각층과 협업 체계 강화를 꼽았다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 개방형 협력 연구 플랫폼인 ORP를 구축하고 있다. 이는 다양한 미래 기술 수요에 대응하기 위한 협력의 장(場)으로, 우리는 현재 외부 업체, 연구 기관과 협업을 논의하고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "미래 반도체 시장에서는 단일 회사만의 노력으로는 성공할 수 없을 것"이라며 "산·학·연 등 다양한 기관과의 협업이 필수적이고, 환경 변화에 맞춰 유연한 논의가 가능한 새로운 체계가 중요하다"고 강조했다.

2024.04.22 11:00장경윤

삼성전자, 업계 최고 속도 LPDDR5X 개발 성공...온디바이스 AI 최적화

삼성전자가 업계 최고 동작속도 10.7Gbps LPDDR5X D램 개발에 성공했다고 17일 밝혔다. 삼성전자는 신제품 LPDDR5X D램을 애플리케이션 프로세서∙모바일 업체와의 협업을 통해 제품 검증 후 하반기 양산할 예정이다. AI 시장이 본격적으로 활성화 되면서 기기 자체에서 AI를 구동하는 '온디바이스 AI(On-device AI)' 시장이 빠르게 확대되고 있어 저전력∙고성능 LPDDR의 역할이 그 어느 때보다 커지고 있다. 이번 제품은 12나노급 LPDDR D램 중 가장 작은 칩으로 구현한 저전력∙고성능 메모리 솔루션으로 온디바이스 AI 시대에 최적화됐다. 향후 모바일 분야를 넘어 ▲AI PC ▲AI 가속기 ▲서버 ▲전장 등 다양한 응용처에 확대 적용될 것으로 기대된다. 전 세대 제품과 비교해서는 ▲성능 25% ▲용량 30% 이상 각각 향상됐고, 모바일 D램 단일 패키지로 최대 32기가바이트(GB)를 지원한다. 삼성전자는 이번 제품에 저전력 특성을 강화하기 위해 성능과 속도에 따라 전력을 조절하는 '전력 가변 최적화 기술'과 '저전력 동작 구간 확대 기술'등을 적용해 전 세대 제품보다 소비전력을 약 25% 개선했다. 전력 가변 최적화 기술은 전력 절감 기술 중 하나, 프로세서에 공급되는 전압과 주파수를 동적으로 변경하여 성능과 전력소모를 함께 조절해 준다. 저전력 동작 구간 확대는 저전력으로 동작하는 저주파수 구간을 확대하여 전력소모 개선하는 기술이다. 삼성전자는 해당 기술을 통해 모바일 기기에서는 더 긴 배터리 사용 시간을 제공하고 서버에서는 데이터를 처리하는 데 소요되는 에너지를 감소시킬 수 있어 총 소유 비용(TCO, Total Cost of Ownership) 절감이 가능하다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 "저전력, 고성능 반도체의 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 응용처가 기존 모바일에서 서버 등으로 늘어날 것"이라며 "삼성전자는 앞으로도 고객과의 긴밀한 협력을 통해 다가오는 온디바이스 AI시대에 최적화된 솔루션을 제공하며 끊임없이 혁신해 나가겠다"고 밝혔다.

2024.04.17 11:00이나리

삼성전자, 'NRD-K' 구축 본격화…첨단 반도체 R&D 힘준다

삼성전자가 올해부터 최선단 반도체 연구개발을 위한 신규 라인 구축을 본격화한다. 현재 대규모 클린룸 구축이 진행되고 있는 상황으로, 이르면 내년부터 가동이 시작될 수 있을 것으로 전망된다. 업계 역시 삼성전자가 이번 투자로 CXL(컴퓨터 익스프레스 링크), PIM(프로세싱 인 메모리) 등 차세대 반도체 경쟁력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 초부터 기흥 'NRD-K' 프로젝트의 R&D(연구개발) 팹용 클린룸 구축을 시작했다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입할 예정이다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)에 대한 클린룸 구축에 나서고 있다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 대기 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 시설이다. 반도체 R&D 및 양산 팹의 필수 요소로, 클린룸이 완비된 이후에야 부대 설비 및 제조장비의 반입이 가능하다. 이에 따라 삼성전자가 NRD-K 라인에 장비를 반입하는 시기는 이르면 올해 말로 예상된다. 설치 시점까지 고려하면 내년부터는 라인 가동을 시작할 수 있을 것으로 관측된다. 업계는 삼성전자가 이번 NRD-K 라인 신설로 최선단 반도체 기술력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 일반적인 R&D 팹보다 설비투자 규모가 최소 2배 이상 크고, 페이즈1에 이어 페이즈2 구축도 몇년 내로 시작될 예정이기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "논의되고 있는 클린룸 규모 및 제조장비에 대한 발주량이 R&D 팹 치고는 상당한 수준인 것으로 안다"며 "최선단 반도체 기술력 확보에 대한 삼성전자의 의지가 절실한 것으로 보인다"고 말했다. 최근 삼성전자는 최선단 파운드리 및 메모리 사업에서 고전을 면치 못하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 전체 파운드리 시장에서 삼성전자가 차지하는 매출 비중은 11.3%로 전분기(12.4%) 대비 줄었다. 반면 업계 1위 대만 TSMC는 시장 점유율이 57.9%에서 61.2%로 상승했다. TSMC는 올 1분기에도 거대 팹리스 기업들의 AI 반도체 양산 수주에 힘입어 시장 기대치를 상회하는 실적을 거둔 바 있다. 메모리 시장 역시 최선단 제품의 상용화가 절실한 상황이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스는 주요 AI 반도체 기업 엔비디아와 HBM3(4세대 고대역폭메모리) 독점 공급 체제를 구축해오는 등, 관련 시장에서 가장 앞섰다는 평가를 받는다. 서버용 128GB D램 등 고부가 제품도 SK하이닉스가 강세를 보이고 있다. 이에 삼성전자는 CXL, HBM-PIM 등 차세대 기술로 경쟁력 회복을 꾀하고 있다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 삼성전자는 지난해 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발하는 데 성공했다. PIM은 시스템반도체의 데이터 연산 기능을 메모리에 구현한 기술이다. 삼성전자는 이를 HBM에 적용한 HBM-PIM을 업계 최초로 개발해, AMD 등 주요 고객사에 제품을 공급한 바 있다.

2024.04.15 14:34장경윤

[단독] HBM 투자 나선 美 마이크론, 韓 장비업계 찾아와 '러브콜'

미국 마이크론이 지난달 국내 복수의 반도체 장비기업들을 만나 협업을 논의한 것으로 확인됐다. 현재 마이크론은 미국 등에서 설비투자를 진행 중으로, 국내 신규 공급망 확보와 협력 강화에 적극 나서고 있다. 실례로 한미반도체는 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM(고대역폭메모리) 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 첫 수주했다고 11일 공시한 바 있다. 향후 마이크론과 국내 장비업체 간 장비 수주가 더 확대될지 기대되는 상황이다. 12일 업계에 따르면 마이크론 임원진은 지난달 방한해 국내 반도체 장비업체들과 접촉했다. 이번 방문단은 부사장급 임원을 비롯한 마이크론 주요 관계자들로 구성됐다. 이들은 국내 반도체 장비 기업들을 찾아 협업 및 공급망 구축에 대해 논의했으며, 기존 거래 관계가 없던 기업들도 최소 2~3곳 포함된 것으로 파악됐다. 반도체 장비업계 관계자는 "마이크론이 지난달 말 국내 장비업계를 찾아 공장을 구경하는 등 적극적인 움직임을 보였다"며 "메모리 제조와 관련해 인프라부터 제조공정까지 다양한 분야에 관심을 둔 것으로 안다"고 설명했다. 마이크론은 미국의 주요 메모리 제조업체다. 전 세계 D램 시장에서 삼성전자, SK하이닉스에 이어 점유율 3위를 차지하고 있다. 또한 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 HBM를 양산할 수 있는 3개 기업 중 한 곳이기도 하다. 현재 마이크론은 본사를 둔 미국을 비롯해 일본, 대만, 싱가포르 등 아시아 지역에도 생산거점을 두고 있다. 올해에는 설비투자(CAPEX)에 약 80억 달러(10조9천435억원)를 투자할 계획으로, 주로 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 생산능력 확대에 집중하고 있다. 미국 뉴욕주에 건설할 예정인 신규 메모리반도체 제조공장도 국내 장비기업들과 협력과 성장을 촉진할 수 있는 기대 요소다. 현재 협력사들과 장비 납품 계획을 논의 중인 것으로 알려졌다. 앞서 마이크론은 2030년까지 총 200억 달러를 투입해, 뉴욕에 대규모 생산 거점을 마련하기로 했다. 업계 또 다른 관계자는 "최근 마이크론이 뉴욕 신규 팹 구축에 어느 정도로 대응이 가능한 지 문의한 상황"이라며 "마이크론이 미국 설비투자를 본격화하고 있어, 협력사들도 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.04.12 15:07장경윤

대만 팹, 지진 피해 정상화...삼성·SK하이닉스 반사익 '제한적'

대만에서 이달 3일에 발생한 지진이 글로벌 D램 가격 상승에 미치는 영향이 제한적이라는 전망이 나왔다. 아울러 삼성전자와 SK하이닉스에 반사익 가능성 또한 낮을 것이란 전망이다. 11일 시장조사업체 트렌드포스는 대만에 위치한 마이크론, 난야, PSMC, 윈본드 등 D램 기업들이 지난 8일 팹 운영을 정상 수준으로 회복했다고 밝혔다. 업계에서는 대만 지진으로 생산량이 줄어들어 D램 평균 가격이 상승할 것으로 예상했지만, 공장 가동이 예상보다 빠르게 회복하면 2분기 D램 가격에 주는 영향은 1%로 제한될 전망이다. 이는 대만에 위치한 팹 중에서 마이크론을 제외한 D램 제조업체들은 여전히 25나노미터(nm)~38나노 공정을 사용하면서 전체 생산량에서 기여도가 낮기 때문이다. 트렌드포스는 "대만 지진 이후 D램 계약 및 현물 가격 견적이 일시 중단됐다가, 최근 현물가격 시장이 재개됐고, 계약가격 시장은 완전히 재개되지 않은 상태다"고 전했다. 2분기 모바일 D램의 계약 가격은 약 3~8% 인상될 것으로 예상된다. 지진 발생 당일 마이크론과 삼성전자는 모바일 D램 견적 발행을 완전히 중단했으며, 지난 8일 기준으로 업데이트가 제공되지 않았다. 반면 SK하이닉스는 지진 발생 당일 스마트폰 고객을 대상으로 견적을 재개하는 등 선제적인 조치를 취했다. SK하이닉스가 제안한 2분기 모바일 D램 가격 조정은 다른 공급업체에 비해 눈에 띄게 완만하며, 이는 업계 전반의 가격 전략을 완화할 가능성이 높다. 서버 D램 시장에서는 이번 지진이 마이크론의 첨단 제조 공정에 영향을 미친 것으로 파악된다. 결과적으로 마이크론의 서버 D램의 최종 판매 가격이 상승할 수 있다. 다만, 마이크론의 고대역폭메모리(HBM)은 가격 변동이 없을 것으로 보인다. 마이크론은 HBM 1베타 및 TSV(실리콘관통전극) 생산 대부분을 일본 히로시마에 기반을 두고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "DDR3 재고 부족을 감안할 때 가격 상승 가능성은 여전히 남아 있는 반면, DDR4와 DDR5의 풍부한 재고 수준과 부진한 수요는 지진으로 인한 소폭의 가격 상승이 빠르게 정상화될 것으로 예상된다"고 전했다.

2024.04.11 11:40이나리

한미반도체, 美 마이크론에 226억원 규모 HBM용 본딩장비 공급

한미반도체는 미국 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 수주했다고 11일 공시했다. 이번 계약은 한미반도체의 지난해 연간 매출액(1천590억원)의 14.21%에 해당하는 규모다. 계약기간은 오는 7월 8일까지다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)를 제조하는 데에도 쓰인다. 한미반도체는 그동안 SK하이닉스에 HBM용 TC본더를 공급해 왔으나, 최근 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보하는 데 성공했다. 이에 이달 초 마이크론에 맞춰 최신 기술을 적용한 신규 TC본더 모델인 '듀얼 TC본더 타이거'를 상용화하기도 했다.

2024.04.11 10:01장경윤

삼성·SK HBM3E 수율 경쟁에 新장비 개발 '후끈'

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들의 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 수율 확보 경쟁이 치열해지고 있다. 이에 따라 국내 반도체 후공정 장비 기업들도 연내 상용화를 목표로 신규 장비 개발에 나섰다. 8일 업계에 따르면 국내 반도체 테스트 장비업체들은 최선단 HBM용 테스터 개발에 주력하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어올린 고부가 메모리다. 올해에는 5세대 제품인 HBM3E가 본격적인 상용화 궤도에 올랐다. 이에 유니테스트는 최근 HBM용 웨이퍼 테스터 개발을 위한 TF(태스크포스)를 구성했다. 주요 메모리 고객사의 요청에 대응하기 위한 행보다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 유니테스트는 기존 개발이나 성능 검증을 진행해 온 D램용 웨이퍼 테스터를 업그레이드하는 방향으로 HBM용 웨이퍼 테스터를 개발하고 있는 것으로 알려졌다. 상용화 목표 시기는 이르면 올 하반기다. 디아이도 올해부터 고객사의 요청에 따라 HBM3E용 웨이퍼 테스터 개발을 추진하기 시작했다. 신규 장비는 자회사 디지털프론티어를 통해 개발 중으로, 연내 개발을 마무리하는 것을 목표로 하고 있다. 테크윙은 HBM의 프로브 테스트를 위한 테스트 핸들러 장비를 개발해, 복수의 반도체 기업과 테스트를 진행 중이다. 이르면 올 3분기부터 상용화에 나설 예정이다. 프로브 테스트란 웨이퍼 상의 개별 칩의 전기적 특성을 전수조사하는 공정이다. 이처럼 HBM용 테스트 장비의 수요가 발생한 주된 이유는 주요 메모리 기업들의 개발 경쟁에 있다. 현재 상용화된 가장 최신 HBM 제품인 HBM3(4세대 HBM)의 경우 SK하이닉스가 사실상 시장을 독과점해 왔다. 그러나 HBM3E부터는 삼성전자와 마이크론도 앞다퉈 상용화를 준비하고 있어, 제품 신뢰성 및 수율이 매우 중요해질 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "그간 HBM 시장에서 테스트는 후순위에 해당했으나, HBM3E부터 메모리 3사의 경쟁 과열로 수요가 증가하는 추세"라며 "기존 후공정 장비 기술을 기반으로 하기 때문에 국내 기업들도 개발 성과에 따라 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.04.08 14:46장경윤

삼성전자, 1분기 '어닝 서프라이즈'…반도체 兆단위 흑자 전환

삼성전자가 올 1분기 수익성 부문에서 업계 예상을 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리 시장이 회복세에 접어들면서 D램과 낸드 가격이 모두 크게 상승한 것이 실적 개선의 주된 영향으로 풀이된다. 삼성전자는 올해 1분기 연결 기준 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원의 잠정 실적을 기록했다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했고, 전년 동기 대비 매출은 11.37%, 영업이익은 931.25% 증가했다. 업계에서는 삼성전자가 올 1분기 당초 예상을 뛰어넘는 호실적을 기록할 것이라는 관측을 제기해 왔다. 최근 증권가 평균 전망치는 매출 71조8천억원, 영업이익 5조4천억 원 수준이었다. 삼성전자는 수익성 부분에서 예상치를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리반도체 시장이 지난해 말부터 급격한 회복세에 접어들었고, 스마트폰 판매량이 견조한 흐름을 보인 데 따른 효과로 풀이된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 D램의 평균고정거래가격은 지난해 4분기와 올 1분기에 각각 13~18%가량 상승했다. 낸드 가격 역시 지난해 4분기 13~18%, 올 1분기 15~20% 수준의 상승세를 이뤄낸 것으로 알려졌다. 김선우 메리츠증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "HBM(고대역폭메모리) 등에서는 여전히 의미 있는 결과가 도출되지 않고 있으나, 레거시 메모리 판가 상승이 실적 개선 및 재고평가손실 충당금 환입까지 발생시켰다"며 "스마트폰·갤럭시S24 출하량도 기존 5천700만·1천320만 대에서 6천만·1천350만 대로 상향 조정한다"고 설명했다. 이승우 유진투자증권 연구원도 "D램과 낸드의 평균거래가격이 각각 10%대 후반, 20%대 후반 상승했을 것으로 보인다"며 "메모리 손익은 4개 분기 연속 적자에서 벗어나 조 단위의 흑자를 기록할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 1분기 이후에도 삼성전자가 호실적을 지속할 것이라는 전망이 나온다. HBM3E(5세대 HBM)의 본격적인 양산, 파운드리 사업의 흑자 전환 등이 실적을 가를 핵심 요소로 떠오른다. 신석환, 박강호 대신증권 연구원은 "12단 HBM3E는 퀄 테스트가 진행되고 있어 올 하반기 본격 양산에 돌입할 것으로 예상된다"며 "파운드리 사업은 지난해 대규모 적자를 기록했으나 올해 최대 수주 달성 및 하반기 흑자 전환이 예상된다"고 밝혔다.

2024.04.05 09:12장경윤

[1보] 삼성전자, 1분기 영업이익 6.6조원…전년比 931% 증가

삼성전자가 연결기준 올해 1분기 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원의 잠정 실적을 기록했다고 5일 공시했다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했다. 전년동기 대비로는 매출이 11.37%, 영업이익은 931.25% 늘었다.

2024.04.05 08:41장경윤

네패스, 자체 개발한 도금액 HBM 공정에 양산 적용

네패스는 2년 전부터 초도 생산을 시작한 도금액이 HBM(고대역폭메모리)용 TSV(실리콘관통전극) 공정에 적용된다고 3일 밝혔다. 이정영 네패스 전자재료 사업부장은 "네패스는 기존 전량 수입에 의존하고 있던 기능성 반도체 재료인 도금액을 자체 연구개발과 협업으로 국산화한 바 있다"며 "올해부터는 TSV 공정용으로 본격적인 양산에 돌입한다"고 설명했다. 네패스가 국산화한 도금액은 미세 공정용으로 DDR5 이후 제품과 HBM 등에 사용된다. 성능과 공정성, 제품의 균일성이 우수해 10나노미터(nm) 이하 미세공정에 특화된 제품으로 인정받고 있다. 올해 도금액 매출은 450억 원 규모로 예상되며, 매년 30~40% 이상의 높은 성장률을 기록할 것으로 회사는 기대하고 있다. 네패스 전자재료 사업부가 제시한 올해 매출 전망치는 950억 원이다. 오는 2026년에는 고성능 D램과 AI반도체의 성장세에 힘입어 1천900억 원의 매출을 올리는 것이 목표다. 한편 네패스는 도금액과 함께 핵심 기능성 재료 중 하나인 PSPI(Photosensitive Polyimide)의 1차 개발도 완료했다. 현재는 고객사 제품 특성에 맞게 조율하는 과정을 거치고 있다. 층간 절연물질인 PSPI 재료는 고온용(375 ℃)와 저온용(200도 ℃)이 사용된다. 네패스는 "특히 저온 제품은 특성이 좋아 대만 기업들에 샘플을 제공하기 시작했다"며 "곧 가시적인 효과가 나오기를 기대한다"고 밝혔다.

2024.04.04 07:20장경윤

"美, 대중 반도체 장비 수출규제에 韓 동참 원해"

미국 정부가 한국에 첨단 메모리와 시스템반도체 제조 장비에 대한 중국 수출을 제한해 줄 것을 요청했다고 블룸버그통신이 2일(현지시간) 보도했다. 블룸버그통신은 정부 소식통을 인용해 "지난달 미국 관리들이 한국 윤석열 정부와 해당 문제에 대해 심도 있게 논의했다"며 "미국이 오는 6월 G7 정상회담 이전에 합의를 이루려고 노력하는 동안 한국 관리들도 미국의 요청을 받아들일 지에 대해 논의하고 있다"고 밝혔다. 앞서 미국은 지난 2022년 자국 기업들이 중국에 14나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시용 제조장비를 사실상 수출하지 못하도록 조치한 바 있다. 미국의 대중(對中) 수출규제는 주변국으로 점차 확대되는 추세다. 현재 자국에 주요 반도체 제조장비 업체를 보유한 네덜란드, 일본 등이 미국의 요청에 따라 대중 반도체 수출 규제를 시행하고 있다. 블룸버그통신은 "미국이 한국과 독일을 포함한 동맹국들에게 중국에 대한 기술 수출을 제한하라는 압력을 가했다"며 "한국은 반도체 제조와 제조장비용 부품 분야에서 선도적인 역할을 하고 있다"고 논평했다.

2024.04.03 08:55장경윤

권언오 SK하이닉스 부사장 "차세대 HBM, 전문화·맞춤화될 것"

"앞으로 HBM(고대역폭메모리)은 전문화, 맞춤화 성격이 강해질 것이다. 이를 위해 차세대 HBM은 기능적 우수함은 물론 고객별로 차별화한 스페셜티 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다." SK하이닉스 HBM 개발을 담당하는 권언오 부사장이 28일 자사 공식 뉴스룸을 통해 차세대 HBM의 진화 방향에 대해 이같이 공개했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 연말 시행한 2024년 조직개편 및 임원인사에서 AI 인프라 시장 경쟁력 강화를 위해 'AI Infra' 조직을 신설했으며, 산하에 HBM(고대역폭메모리) PI담당 신임 임원으로 권언오 부사장을 선임한 바 있다. 권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 2022년 세계 최초로 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG(고유전율 메탈게이트) 공정을 도입했으며, 초고속·초저전력 특성을 동시에 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 이러한 공로를 인정받아 지난해 SUPEX 추구상을 수상하기도 했다. SK하이닉스는 지난 연말 HBM 개발부터 제품화, 사업화까지 전 과정에 걸쳐 효율성과 완성도를 높이기 위해, 부문별로 흩어져 있던 기능을 한데 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 제품을 중심으로 조직을 구성하는 것은 흔치 않은 사례로, HBM 선도 기업 지위를 지키겠다는 회사의 의지가 담겨 있다. 권 부사장은 HBM 비즈니스 조직의 가장 큰 강점으로 높은 효율성을 꼽았다. 개발 초기 의사결정 과정을 단축해 빠른 조율과 실행이 가능하며, 개발 단계에서부터 직접 고객의 목소리를 듣고 고객이 원하는 가치를 반영할 수 있다는 시각에서다. 권 부사장은 "HBM이라는 하나의 목표를 공유하는 HBM 비즈니스 조직이 구성된 덕분에 기술 역량을 집중해서 발휘할 수 있는 환경이 마련됐다"며 "저 역시도 사업 관점에서 기술에 필요한 흐름을 읽을 수 있게 됐고, 이를 통해 더 많은 부분에 기여할 수 있을 거라 기대한다"고 밝혔다. 앞으로의 HBM 시장에 대해서는 "고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized)되고, 고객 맞춤화(Customized)될 것"이라고 예측했다. 또한 권 부사장은 차세대 HBM이 기능적 우수함은 기본이고, 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다고 강조했다. 권 부사장은 “AI 시대에 들어서며 변화를 예측하고 유연하게 대응하는 것이 무엇보다 중요해졌다"며 "AI 시대를 선도하고 1등 기술력을 이어가기 위해 HBM PI 조직 역시 요소 기술의 혁신과 빠른 제품화를 위한 기술 개발에 힘쓰고 있으며, 고객 및 외부 파트너와 적극적으로 소통하며 협업을 진행하고 있다"고 말했다. 그는 이어 "향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향(向) 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC(주문형반도체) 형태나 고객의 제품에 최적화한 온디바이스(On Device) 형태로 확대될 것"이라며 "HBM뿐만 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고, 전통적인 특성 외 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것"이라고 덧붙였다.

2024.03.29 14:17장경윤

곽노정 SK하이닉스 사장 "내년 HBM 수요 타이트해…美·中에 전략 대응"

SK하이닉스는 작년에 이어 올해도 고대역폭메모리(HBM)가 매출 성장을 이끌 것으로 전망했다. 아울러 미국의 중국 반도체 제재와 관련해 SK하이닉스는 전략적으로 대응할 계획으로, 당분간 생산활동에 큰 차질이 없을 것으로 내다봤다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 27일 경기 이천 SK하이닉스 본사에서 열린 정기주주총회에서 “작년에는 전체 D램 판매량 중 AI향이 한 자릿수 퍼센트였지만, 올해는 전체 D램 판매량 중 HBM 판매 비트(bit) 수가 두 자릿수 퍼센트로 올라와 수익성에 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 그는 또 “내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다”고 덧붙였다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 고객사 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔다. SK하이닉스는 이달 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작하며 올해도 선두를 유지한다는 목표다. AI 시장 성장에 따라 올해 메모리 업황 개선도 기대된다. 곽 사장은 “AI 시장이 작년에 이어 올해도 계속 호조를 보이면서 메모리 매출과 수익을 견인하고 있고, 최근에 중국향 서버, 데이터센터 시장도 조금씩 살아나고 있는 모습을 보인다”라며 “D램 가격이 작년 4분기를 기점으로 턴어라운드한 후 올라가고 있어서 올해 전반적으로 수익 향상이 기대된다”고 말했다. 특히 SK하이닉스는 오토모티브향 제품에 대한 기대감을 내비쳤다. 곽 사장은 “유럽 같은 경우는 양대 시장으로 보고 있는 중국이나 미국보다는 상대적으로 작은 시장이지만, 오토모티브 쪽으로 강하고, 관심을 기울이고 있기에 고객 발굴 노력을 하고 있다”라며 “유럽 시장도 기타 시장 못지 않게 공략할 수 있도록 노력하겠다”고 전했다. 아울러 대중국 반도체 제재와 관련해 현재 생산에 차질이 없다는 점을 강조했다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장과 파운드리(8인치) 공장이 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. SK하이닉스는 D램의 40%, 낸드플래시의 20%를 중국에서 생산하고 있다. 곽 사장은 “우시 D램 팹이 대중국 제재 영향을 받고 있지만, 작년 10월에 1a나노미터까지 생산할 수 있는 VEU(검증된 최종 사용자) 라이선스를 (미국으로부터) 받은 상태여서 당장 큰 문제는 없고 정상적인 생산활동을 할 수 있는 상황이다”고 말했다. 이어 그는 “회사는 미국의 대중국 반도체 규제 동향을 선제적으로 파악하고 전사 TF를 만들어 발 빠르게 대처하고 있다”라며 “앞으로도 공급망의 잠재적 불안 요소들을 해결하기 위한 최적의 해법을 찾도록 노력하겠다”고 덧붙였다. 다만, EUV(극자외선) 공정 D램 생산과 관련해서 그는 “EUV 관련된 공정 수가 1공정뿐 이기에 앞으로 본사(한국)에서 진행한다는 전략이다”고 말했다. D램에 비해 사업이 부진한 낸드, CMOS 이미지센서(CIS), 파운드리 사업에 대해서는 노력하겠다는 입장을 밝혔다. 곽 사장은 “그동안 낸드 사업에서 과감한 투자로 점유율을 확대해 왔지만 성장 지연으로 재무 성과는 만족스럽지 못했다"며 "이에 기존 점유율 중심에서 수익성 중심으로 사업 방향을 전환하고자 한다"고 말했다. 또 “솔리다임은 출범 후 시황 악화로 실적이 부진했으나, 최근 빅테크 기업 중심으로 솔리다임 eSSD 구매가 큰 폭으로 증가하고 있어 실적 개선이 예상된다”고 강조했다. SK하이닉스는 파운드리 자회사로 시스템아이씨와 키파운드리 두 곳을 운영하고 있다. 곽 사장은 “작년에 파운드리 업황은 업계 전체 다운턴이라 올해는 같이 좋아지는 양상을 보인다”라며 “사업을 안정적으로 운영하면서 새로운 제품을 개발해 새로운 고객과 시장에 들어가기 위해 끊임없이 노력하겠다”고 말했다. 곽 사장은 CIS과 관련해서는 “CIS가 상대적으로 경쟁력이 약하다”라고 인정하며 “이를 어떻게 보완하고 강화해서 이른 시일 안에 경쟁 전략을 실행하기 위해 노력하고 있다”며 “CIS는 전열을 가다듬는 시기다”고 전했다. 한편 곽 사장은 주총 후 취재진의 'SK하이닉스가 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 짓는다는 최근 외신 보도와 관련된 질문에 ”확정되면 말씀드리겠다”며 말을 아꼈다. 앞서 월스트리트저널(WSJ)은 26일(현지시간) SK하이닉스가 40억달러(5조3천600억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라파옛에 첨단 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 보도한 바 있다.

2024.03.27 16:28이나리

[단독] 한미반도체, 美 마이크론에 HBM TC본더 공급 임박

한미반도체가 미국 주요 D램 제조업체 마이크론을 신규 고객사로 확보한 것으로 파악됐다. 구체적인 장비 발주는 올 2분기 공급 가능성이 유력하다. 27일 업계에 따르면 한미반도체는 최근 마이크론과 TC본더 장비 공급에 대한 협의를 맺었다. 양사는 올 2분기 중으로 장비 발주를 진행할 예정이다. 구체적인 PO(구매주문)는 확인되지 않았으나, 마이크론이 초도 계약부터 물량 확보에 적극 나설 것으로 알려졌다. 현재 업계가 추산하는 올해 전체 수주 규모는 1천억원 대 이상이다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 특히 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)을 제조하는 데 필수적으로 쓰인다. 기존 마이크론은 일본 신카와, 도레이 등의 TC본더를 활용해 온 것으로 알려져 있다. 두 기업 모두 TC본더 업계의 전통적인 강자다. 한미반도체는 이번 마이크론향 공급으로 주요 경쟁사들의 시장 점유율을 흡수할 수 있게 됐다. 또한 고객사 다변화 측면에서도 의미가 있다는 평가다. 마이크론도 한미반도체와의 거래로 HBM 생산능력 확대에 속도를 낼 수 있을 것으로 관측된다. 마이크론은 지난달 27일 삼성전자·SK하이닉스에 한 발 앞서 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E(5세대 HBM)의 양산을 공식화한 바 있다. 그러나 마이크론은 국내 주요 경쟁사 대비 생산능력이 미흡하다는 지적을 받아 왔다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 기업별 HBM 생산능력은 삼성전자가 최대 월 13만장, SK하이닉스가 월 12만5천장, 마이크론이 월 2만장 수준이다. 이와 관련해 한미반도체 측은 "확인해 줄 수 없다"고 밝혔다.

2024.03.27 14:40장경윤

SK하이닉스 "올해 D램 내 HBM 판매 비중, 두 자릿 수 돌파"

SK하이닉스가 올해 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대에 따른 수익성 개선에 대한 의지를 드러냈다. 27일 SK하이닉스는 온·오프라인 형식으로 제76기 정기주주총회를 열고 주주들과의 질의응답 시간을 가졌다. 이날 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "지난해 당사의 전체 D램 판매량 중 HBM의 비트(bit) 비중은 한 자릿 수였다"며 "다만 올해에는 HBM의 비중이 두 자릿 수로 올라오기 때문에, 상대적으로 수익성 측면에서 도움이 될 것"이라고 말했다. 수요에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 공식 뉴스룸을 통해 올해 HBM이 이미 전량 판매 완료됐음을 밝힌 바 있다. 곽 사장은 "고객사와 소통한 결과, 내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다고 말씀드릴 수 있다"며 "다만 구체적인 수치들은 말씀드리기 어렵다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램 대비 고용량·고효율 데이터 처리에 특화돼 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하는 추세다. SK하이닉스는 지난해 4월 업계 최초로 12단 HBM3(4세대 HBM)를 개발했으며, 8월에는 세계 최고 사양의 HBM3E를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다. 이러한 결과로 SK하이닉스의 지난해 HBM3 매출액은 전년 대비 5배 이상 성장한 것으로 알려졌다.

2024.03.27 13:26장경윤

2분기 D램 가격 인상폭 완화…"예상보다 수요 부진"

지난해 말부터 이어진 D램 가격의 공격적인 상승세가 올 2분기에는 다소 누그러질 것으로 보인다. 예상보다 약한 고객사 수요가 주 원인으로 지목된다. 26일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 D램의 평균 고정거래가격은 전분기 대비 3~8% 상승할 전망이다. 이는 1분기 가격 상승폭(최대 20%)에 비해 크게 줄어든 수치다. D램 공급사들이 점차 가동률을 높이고 있는 데 반해, 고객사들의 재고 수준이 충분히 개선되지 않은 것이 주된 영향으로 풀이된다. 트렌드포스는 "올해 전반적인 D램 수요 전망이 여전히 미온적"이라며 "또한 지난해 4분기 이후 D램 가격이 크게 상승하면서 재고 비축에 대한 의지가 더욱 약화될 것으로 예상된다"고 설명했다. 2분기 D램 가격 상승세는 PC, 모바일, 서버, 그래픽 등 전 분야에서 고르게 나타날 것으로 관측된다. PC의 경우, DDR5를 지원하는 최신 CPU의 출시에 따른 수혜를 입고 있다. 모바일 D램은 공급사 재고가 낮은 수준이나, 고객사 역시 수요가 크게 늘지 않아 완만한 가격 상승세가 예상된다. 서버 업계는 DDR5 재고 축적에 지속적인 관심을 보이고 있으나, 올해 1분기 수요가 충분히 개선되지 않았다. 이에 따라 공급사가 DDR5 생산량 확대 및 묶음 판매 전략에 나서면서 DDR5 가격 인상의 점진적인 약화를 일으키고 있다.

2024.03.27 09:11장경윤

삼성·SK하이닉스, 이번엔 CXL 기술 경쟁...제 2의 HBM 노린다

삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI)을 위한 차세대 메모리 CXL(Compute Express Link, 컴퓨트 익스프레스 링크) 신기술을 대거 공개한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 이달 26일, 27일 양일간 미국 캘리포니아 마운테인뷰에서 열리는 세계적인 반도체 학회인 'MemCon 2024'에 참가할 예정이다. 양사는 지난주 미국 캘리포니아에서 개최된 엔비디아 연례 컨퍼런스 GTC 2024에서 차세대 메모리 HBM(고대역폭메모리)을 공개한데 이어 이번에는 CXL을 주력으로 선보이며 차세대 메모리 시장을 이끌겠다는 목표다. 최진혁 삼성전자 DS부문 미주 메모리연구소장(부사장), 황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)이 'AI를 위한 고용량 및 높은 메모리 대역폭을 갖춘 CXL 및 HBM과 같은 메모리 혁신' 주제로 키노트를 발표한다. 또 기양석 삼성전자 메모리 솔루션랩 부사장 겸 CTO(최고기술책임자)또 별도의 세션을 통해 기술을 공유할 예정이다. 삼성전자는 'MemCon 2024'의 메인 스폰서이기도 하다. SK하이닉스에서는 김호식 메모리 시스템아키텍처담당 부사장이 '인공지능용 CXL이 차세대 HBM이 될 것인가?'란 주제로 SK하이닉스의 CXL 기술 개발 현황을 발표할 예정이다. CXL은 생성형 AI, 데이터센터 등 처리해야 할 데이터양이 기하급수적으로 증가하면서 최근 HBM과 함께 차세대 메모리로 주목받고 있는 제품이다. CXL의 장점은 '메모리 용량의 유연한 증가'다. 이 기술은 고성능 컴퓨팅 시스템을 효율적으로 구축하기 위한 PCIe 기반의 통합 인터페이스 표준으로, 서버 시스템의 메모리 대역폭을 늘려 성능을 향상하고, 쉽게 메모리 용량을 확대할 수 있어 주목된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 CXL을 '차세대 메모리의 새로운 기회'로 보고 해당 기술을 2년 전부터 활발히 공개하며 시장 생태계 확장에 적극적으로 나서고 있다. 올해 하반기 인텔이 CXL 2.0 규격에 맞는 첫 중앙처리장치(CPU) 5세대 제온 프로세서 출시를 앞둔 가운데, 양사는 올해 CXL 2.0 메모리 제품을 양산해 본격적으로 공급을 확대한다는 목표다. 지난해 5월 삼성전자는 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB D램 개발 소식을 알린 데 이어 같은해 12월에는 ▲삼성 CMM-D ▲삼성 CMM-DC ▲삼성 CMM-H ▲삼성 CMM-HC 등 총 4개의 상표를 한 번에 출원하면서 CXL 제품 출시를 예고했다. CMM은 CXL Memory Module의 약자로, 삼성 내부에서는 CXL을 CMM으로 통칭해 부른다. 또 삼성전자는 지난해 12월 엔터프라이즈 리눅스 업체 레드햇과 CXL 메모리 동작 검증에 성공하기도 했다. 아울러 삼성전자는 그동안 중국 팹리스 업체 몬타지테크놀로지로부터 구매해서 쓰던 CXL 컨트롤러를 자사 제품으로 대체하기 위해 CXL 컨트롤러를 개발에 주력 중이다. SK하이닉스는 2022년 8월 CXL 2.0을 지원하는 96GB D램 샘플을 선보였고, 같은해 10월에는 업계 최초 CXL 기반 연산 기능을 통합한 메모리 솔루션 CMS을 개발했다고 밝혔다. 지난해 10월 SK하이닉스는 미국 캘리포니아에서 열린 'OCP 글로벌 서밋 2023'에 참가해 XL 기반 CMS, 풀드 메모리 솔루션을 시연하며 기술을 입증했다. 앞으로 CXL 메모리의 성장 가능성은 높다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트는 글로벌 CXL 시장은 2028년까지 150억 달러(19조5천 억원) 이상으로 증가한다고 전망했다. CXL 컨트롤러 시장은 2022년 9천600만 달러에서 2029년까지 7억6천270만 달러(9천888억 원) 증가가 예상된다.

2024.03.25 17:29이나리

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