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'D램'통합검색 결과 입니다. (342건)

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오픈엣지, HBM3 검증용 7나노 테스트 칩 출시

오픈엣지테크놀로지는 HBM3(4세대 고대역폭메모리)를 지원하는 PHY(물리계층) IP(설계자산) 테스트 칩을 성공적으로 출시 및 검증했다고 15일 밝혔다. 이번 검증은 오픈엣지의 자회사 더식스세미컨덕터(TSS)를 통해 진행됐다. 7나노미터(nm) 공정을 기반으로 한 HBM3 PHY IP 테스트 칩은 6.4Gbps로 출시됐으며, 추가 튜닝을 통해 현재 7.2Gbps의 오버클럭까지 검증을 마쳤다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. PHY는 메모리와 시스템반도체 사이에서 고속으로 데이터를 송수신할 수 있게 만드는 인터페이스다. 오픈엣지는 "현재까지 HBM3 메모리 서브시스템을 설계하고 시연해 낸 IP 공급업체는 극소수에 불과하다"며 "해당 반도체를 테스트할 수 있는 환경이 매우 제한적이기 때문"이라고 설명했다. 한편 오픈엣지가 HBM3 PHY IP 테스트 칩을 개발하는 데 활용된 접근법은 향후 칩렛 설계에도 활용될 전망이다. 칩렛이란 각기 다른 기능을 가진 반도체를 하나의 칩으로 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 오픈엣지는 "HBP3 PHY IP 테스트 칩의 성공적인 검증과 완벽한 메모리 서브시스템 IP를 바탕으로, 회사는 칩렛 기술용 IP 공급업체로도 자리매김하고 있다"고 밝혔다. 한편, 해당 PHY IP는 과학기술정보통신부가 지원한 차세대지능형반도체기술개발사업 '고성능 AI 서버용 HBM3급 이상 인터페이스 기술 개발 과제'를 통해 개발한 결과물이다.

2024.07.15 18:11장경윤

마이크론 HBM 불량 이슈, 사실은..."성능 우수" vs "수율 불안" 엇갈려

올해 HBM(고대역폭메모리) 시장 진입을 본격화한 미국 마이크론에 국내 메모리 업계의 시선이 쏠리고 있다. 주요 경쟁사 대비 전력 소모량 등 특성이 우수하다는 긍정적인 평가와 수율 문제가 발생하는 등 안정성을 지켜볼 필요가 있다는 지적이 동시에 제기된다. 12일 업계에 따르면 마이크론은 지난달 HBM3E(5세대 HBM) 8단 제품의 불량 이슈가 발생해 문제 해결에 나서고 있다. 마이크론은 미국 주요 메모리 반도체 제조업체로, 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E D램 양산을 공식 발표한 바 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, HBM3E는 가장 최신 제품에 해당한다. 마이크론의 HBM3E는 엔비디아가 올해 중반 상용화하는 고성능 GPU H200과 결합된다. 이를 위해 마이크론은 지난 2분기부터 HBM3E의 양산을 본격화한 바 있다. 그러나 마이크론은 지난달 HBM3E의 패키징 과정에서 불량 문제가 발생한 것으로 알려졌다. 이 사안에 정통한 관계자는 "마이크론의 HBM3E 제품이 발열 등에서 문제를 일으켜 지난달 양산에 큰 차질을 겪게 됐다"며 "패키징 단의 문제로, 현재 대응에 총력을 기울이고 있는 것으로 안다"고 밝혔다. 다만 이번 불량이 HBM 제품 자체가 아닌 패키징 단에서 발생한 만큼, 마이크론의 책임은 훨씬 덜할 것이라는 시각도 있다. 엔비디아의 AI 가속기는 HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 TSMC의 2.5D 패키징 기술인 'CoWos'로 연결해 만들어진다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 또 다른 관계자는 "여전히 문제를 파악하고 있으나, TSMC 패키징 공정에서 활용된 소재 일부가 오류를 일으킨 것이라는 분석이 나오고 있다"며 "마이크론 측이 우려 대비 빨리 제품 인증을 받을 가능성도 있다"고 설명했다. 마이크론의 HBM3E 사업 확대는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 경쟁사에게는 경계 1호로 작용한다. 특히 마이크론은 경쟁사 대비 전력소모량이 적다는 점을 무기로 적극 내세우고 있다. 업계 관계자는 "최근 평가 기준으로 마이크론의 HBM3E 제품이 경쟁사 대비 전력소모량이 20% 가량 적은 것으로 기록됐다"며 "당장 마이크론의 HBM 생산능력이 적기는 하지만, HBM3E 상용화 초입부터 공급망에 발빠르게 진입할 수 있다는 점에서는 큰 의미"라고 평가했다. 한편 마이크론은 지난달 27일 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 실적을 발표하면서 처음으로 HBM 매출을 별도로 집계했다. 당시 마이크론은 "해당 분기 HBM3E 매출이 1억 달러 이상 발생했다"며 "회계연도 2024년에는 HBM에서 수억 달러의 매출을 일으킬 것"이라고 발표했다.

2024.07.12 14:10장경윤

SK하이닉스, 美서 'AI 반도체' 인재 확보 총력

SK하이닉스가 오는 12일부터 14일까지(미국시간) 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에서 그룹 주요 관계사들과 함께 '2024 SK 글로벌 포럼'을 연다고 11일 밝혔다. 이 포럼은 SK가 반도체, AI, 에너지 등 사업 분야에서 일하는 미국 내 인재들을 초청해 그룹의 성장 전략을 공유하고, 최신 기술과 글로벌 시장 동향을 논의하는 자리로, 2012년부터 매년 열리고 있다. 그룹 관계사들은 이 포럼을 현지에서 우수 인재를 발굴하는 기회로도 활용하고 있다. 올해 행사에는 SK하이닉스, SK이노베이션, SK텔레콤 등 3개사가 참여한다. SK하이닉스는 "HBM 기술개발을 선도하면서 'AI 메모리 글로벌 리더'로 회사의 위상이 높아지고, 미국 인디애나에 첨단 후공정 투자를 하기로 하면서 현지 우수 인재들로부터 큰 관심을 받고 있다”며 “이에 따라 올해는 포럼 초청 대상을 반도체 및 AI 분야에서 일하는 전문 인력은 물론, 미국 대학에서 박사 과정을 밟고 있는 인재들로까지 확대했다”고 설명했다. 이번 포럼에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(DRAM개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 최정달 부사장(NAND개발 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원 담당), 최우진 부사장(P&T 담당) 등 SK하이닉스 경영진이 대거 참석한다. 곽노정 사장은 12일 포럼 개막 기조연설에 나선다. 이 자리에서 그는 회사의 세계 1위 AI 메모리 기술력을 소개하고, 미래 시장을 이끌어 갈 비전을 제시할 예정이다. 곽 사장은 또, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 공장을 비롯, 용인 반도체 클러스터, 청주 M15X 등 회사가 추진하고 있는 국내외 차세대 생산기지 구축 계획도 공유하기로 했다. 이어 김주선 사장 등 경영진은 ▲첨단 메모리 설계(Advanced Memory Design) ▲첨단 패키지(Advanced Package) ▲공정과 소자(Process & Device) ▲낸드 기술과 솔루션(NAND Tech. & Solution) 등 회사의 핵심 사업별로 세션을 열고 미래 메모리 반도체 기술 발전 방향에 대해 포럼 참석자들과 논의할 계획이다. 신상규 SK하이닉스 부사장(기업문화 담당)은 “회사가 글로벌 경쟁력과 기술 리더십을 공고히 하기 위해서는 이와 같은 포럼을 통해 현지 우수 인재들을 확보하는 일이 매우 중요하다”며 “이에 따라 CEO를 포함한 다수 경영진이 참여할 만큼 이번 포럼에 공을 들였고, 매년 정례적으로, 그리고 수시로 이런 기회를 만들어 갈 것”이라고 말했다.

2024.07.11 09:26장경윤

삼성전자 2분기 '어닝 서프라이즈'…'반도체 훈풍' 강했다

삼성전자가 지난 2분기 수익성 측면에서 증권가 예상치를 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 달성했다. 메모리 업황 회복에 따른 가격과 출하량 확대, 디스플레이 사업 호조세 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 삼성전자는 지난 2분기 연결기준 매출 74조원, 영업이익 10조4천억원을 기록했다고 5일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 23.31%, 전분기 대비 2.89% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 1452.24%, 전분기 대비 57.34% 증가했다. 특히 이번 2분기 실적은 증권가의 예상치를 크게 뛰어넘는 수익성을 달성했다는 점에서 주목된다. 이달 초 증권가 실적 전망(컨센서스)에 따르면, 삼성전자는 2분기 매출 73조6천598억 원, 영업이익 8조2천613억원을 기록할 것으로 예상돼 왔다. 실제 매출은 컨센서스와 비슷하나, 영업이익은 예상치를 2조 원 이상 웃돌았다. 또한 삼성전자가 분기 영업이익을 10조원 이상 달성한 것은 7개 분기 만에 처음이다. 삼성전자가 호실적을 달성할 수 있었던 주요 배경으로는 메모리 업황의 급격한 회복세가 꼽힌다. 2분기 메모리의 비트(Bit) 출하량 증가율은 D램이 4%, 낸드가 1% 수준인 것으로 추산된다. 평균판매가격(ASP)는 D램이 16%, 낸드가 18%가량 상승했다. 이에 맞춰 삼성전자도 메모리 생산량을 적극 확대하는 추세다. 2분기부터 국내외 D램, 낸드 팹의 가동률을 끌어올리고 있으며, 지난달에는 각 제조라인에 '정지 로스(Loss)'를 다시 관리하라는 지시를 내린 것으로 파악됐다. 정지 로스는 라인 내 설비가 쉬거나 유지보수 등의 이유로 가동을 멈추는 데 따른 손실이다. 삼성전자는 메모리 업계 불황으로 가동률이 낮았던 지난해 정지 로스 관리를 중단한 바 있다. 정지 로스 관리의 재개는 설비의 가동률을 다시 끌어올리겠다는 신호로 풀이된다. 디스플레이 역시 주요 고객사의 신제품 출시 효과로 견조한 흐름을 보이고 있다. 2분기부터 삼성전자의 최신형 폴더블폰 시리즈인 갤럭시Z폴드·Z플립 시리즈용 패널 양산이 시작됐으며, 애플의 첫 OLED 아이패드와 아이폰16용 패널 공급도 활발히 진행되고 있다. 계절적 비수기에 해당하나, 스마트폰 및 가전을 담당하는 DX사업부도 당초 예상보다 높은 수익성을 달성한 것으로 추정된다. 김선우 메리츠증권 연구원은 "삼성전자의 2분기 영업이익은 반도체 6조1천억원, 디스플레이 1조원, MX 2조5천억원, VD 6천억원, 하만 등이 2천억원으로 분석된다"며 "7개 분기만에 10조원 이상의 영업이익을 달성했다는 측면에서 시장 내 큰 환영을 받을 수 있다"고 설명했다.

2024.07.05 09:41장경윤

삼성전자, 'HBM 개발팀' 신설…전영현 체제서 첫 조직개편

삼성전자가 HBM(고대역폭메모리) 개발팀을 새로 꾸린다. 차세대 메모리 경쟁력 강화를 위한 조치로 전영현 부회장 체제 하에서 이뤄지는 첫 조직개편이다. 4일 업계에 따르면 삼성전자 DS부문은 HBM 개발팀을 신설하는 내용의 조직개편을 단행했다. 이번에 신설되는 HBM 개발팀은 삼성전자가 상용화 및 개발에 주력하는 HBM3E(4세대 HBM), HBM4(5세대 HBM) 등을 담당할 것으로 관측된다. 팀장은 손영수 부사장이 맡는다. 현재 삼성전자는 AI 산업의 거대 팹리스인 엔비디아에 HBM 제품을 공급하기 위해 노력하고 있다. 특히 올해엔 HBM3E 8단 및 12단 제품에 대한 퀄테스트에 돌입했다. 어드밴스드 패키징(AVP) 개발팀과 설비기술연구소도 개편한다. 전영현 부문장 직속으로 AVP 사업팀을 재편해 AVP 개발팀을 배치했다. 반도체 업계에서 중요성이 높아지고 있는 2.5D, 3D 등 최첨단 패키징 기술력을 강화하기 위한 전략으로 풀이된다. 설비기술연구소는 반도체 공정의 효율성을 높이는 데 집중한다. 반도체 공정 전반과 양산 장비에 대한 기술 지원 등을 담당할 것으로 예상된다. 한편 삼성전자는 지난 5월 DS 사업부문 반도체 수장을 기존 경계현 사장에서 전영현 부회장으로 교체하는 등 반도체 사업의 혁신을 단행하고 있다. 이달에는 800여 개 직무를 대상으로 DS 부분 경력사원도 채용 중이다.

2024.07.04 16:09장경윤

삼성전자, CXL 2.0 양산용 검사장비 도입…엑시콘·네오셈 공급

삼성전자가 차세대 메모리 솔루션인 CXL(컴퓨티 익스프레스 링크) 양산 준비를 본격화한다. 이를 위해 주요 장비 협력사로부터 CXL 양산용 검사장비를 수급해 3분기 중으로 평가를 진행할 예정이다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 3분기 CXL 2.0 양산용 테스터(검사) 장비를 도입해 테스트를 진행한다. 삼성전자의 주요 협력사인 엑시콘과 네오셈은 벤더로 선정돼 각자 자체 개발한 CXL 2.0 D램 양산용 테스터 장비를 공급하는 것으로 파악됐다. 엑시콘은 2022년 CXL 1.1테스터를 개발한데 이어 올해 1분기 CXL 2.0 테스터 개발을 완료했다. 네오셈도 올해 상반기에 CXL 2.0 메모리 검사장비를 개발한 것으로 확인됐다 업계에서는 삼성전자가 CXL 장비 평가에 나서면서 빠르면 올해 4분기 중에 CXL 메모리를 양산할 것으로 내다보고 있다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 기존에는 각각의 칩들은 별도의 인터페이스가 존재해 원활한 상호연결이 어려웠지만, CXL은 PCIe(PCI 익스프레스)를 기반으로 다수의 장치를 하나의 인터페이스로 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 이런 장점으로 CXL은 AI·서버 시장에서 HBM(고대역폭메모리)의 뒤를 이을 차세대 메모리 솔루션으로 주목받고 있다. 삼성전자는 메모리 시장에서 CXL에서 주도권을 확보하기 위해 개발에 총력을 기울이고 있다. 삼성전자는 2019년 엔비디아, AMD, 메타, 마이크로소프트 등과 CXL 컨소시엄을 구축하고, 2022년 5월 CXL 1.1 D램에 이어 지난해 5월 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB D램을 개발했다. 같은해 12월 ▲삼성 CMM-D ▲삼성 CMM-DC ▲삼성 CMM-H ▲삼성 CMM-HC 등 총 4개의 상표를 한 번에 출원하면서 CXL 제품 출시를 예고했다. 올해 6월에는 화성캠퍼스에 위치한 삼성 메모리 리서치 센터(SMRC)에서 엔터프라이즈 리눅스 업체 레드햇으로부터 CXL(CMM-D 제품) 인증에 성공하는 등 양산 준비에 박차를 가하고 있다. 아울러 삼성전자는 그동안 중국 팹리스 업체 몬타지테크놀로지로부터 CXL 컨트롤러를 구매해 사용해 왔지만, 향후 자사 제품으로 대체하기 위해 해당 기술 개발에 주력하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "CXL 제품의 실제 양산을 위해서는 전용 테스터에 대한 평가 및 투자가 선행돼야 한다"며 "삼성전자가 최선단 메모리 시장에서의 경쟁력 확보가 절실한 만큼, 이번 CXL 양산 준비에 만전을 기하는 분위기"라고 설명했다. CXL IP 업계 관계자는 "데이터센터에서 CXL 도입을 결정해야 CXL 메모리가 양산되고 시장이 커질 수 있는 것"이라며 "최근 미국 빅테크 데이터센터이 자사의 서버에 CXL 테스트를 요청하는 등 CXL 시장이 개화하려는 움직임이 일어나고 있다"고 덧붙였다. 시장조사업에 욜디벨롭먼트가 지난해 9월 발표한 자료에 따르면 CXL 시장은 2022년 170만 달러(23억원)에서 2026년 21억 달러(3조원)로 성장할 전망이다. 특히 2026년 CXL 3.0 도입이 본격화되면 CXL 시장이 급격히 성장할 것으로 보인다.

2024.07.04 14:01장경윤

삼성전자, 2분기 영업익 8조원대 예상…메모리 수요 상승 덕분

삼성전자가 AI 반도체 수요 중심의 메모리 업황 개선에 힘입어 2분기 매출이 1분기에 이어 70조원대를 유지하고 영업이익은 8조원대로 회복한다는 전망이 우세하다. 지난해 반도체를 담당하는 DS부문에서 15조원대의 적자를 기록한 삼성전자는 올해 1분기 흑자전환에 성공한데 이어 2분기에도 실적 개선을 이루면서 하반기에 상승세를 이어갈 전망이다. 삼성전자는 오는 5일 잠정실적 발표를 앞두고 있다. 2일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 삼성전자는 2분기 매출 73조6천598억원, 영업이익 8조2천613억원을 기록하며 전년 보다 각각 22.7% 증가, 1135.7% 증가할 전망이다. 이는 삼성전자의 분기 영업이익이 10조원 밑으로 떨어진 2022년 4분기 이후 처음으로 8조원대 회복이라는 점에서 주목된다. 증권가에서는 삼성전자의 2분기 영업이익을 지난 4월 6조원대, 5월 7조원대로 예상했지만, 최근 8조원대로 상향했다. ■ 메모리 업황 회복세...수요 늘고, 가격 상승 삼성전자의 이 같은 실적 호조는 반도체 업황의 회복에 따른 영향이 크다. 메모리 수요가 증가하면서 가격이 상승으로 이어졌고, 특히 서버향 메모리에 대한 수요가 예상치를 넘어선 것으로 집계된다. 그 결과 삼성전자 DS 부문 2분기 실적은 매출이 27조3천억원, 영업이익이 4조5천억 원~5조원을 기록할 전망이다. 대신증권에 따르면 메모리에서 D램 영업이익은 3조9천억원, 낸드 1조원, 비메모리(시스템LSI, 파운드리)는 4천800억원이 예상된다. 증권가에 따르면 2분기 D램은 비트그로스가 4%, 평균판매가격(ASP)이 16% 상승했다. 낸드의 경우 비트그로스가 1% 상승, ASP가 18% 상승하며 수익성이 개선됐다. KB증권 연구원은 "D램과 낸드의 평균판매가격(ASP) 상승으로 2분기 영업이익은 전분기대비 2.3배 증가가 전망된다"고 말했다. 최근 시장조사업체인 트렌드포스는 2분기 D램 평균판매가격이 13~18% 증가했고, 3분기에는 5~-10% 상승한다고 전망했다. 그 중 고대역폭메모리(HBM)은 3분기 8~13% 오를 전망이다. 또 낸드는 2분기 평균판매가격이 15~20%, 3분기에는 5~10% 인상된다고 예상했다. 디스플레이 실적 개선도 눈에 띈다. 2분기 삼성디스플레이 영업이익은 6천210억원으로 전분기(3천400억원) 보다 82% 증가가 예상된다. 삼성디스플레이는 고객사인 삼성전자가 7월 출시하는 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈에 패널 공급했고, 아이폰15 판매 호조에 따라 가동률이 증가한 것으로 전해진다. 그 밖에 모바일과 네트워크를 담당하는 MX사업부의 2분기 영업이익은 2조1천억원으로 전분기 (3조5천100억원) 보다 감소할 전망이다. 정통적인 비수기인 2분기에 스마트폰 판매량이 줄어든 탓이다. 가전과 TV를 담당하는 VD가전사업부의 2분기 영업이익은 4천억원으로 전분기 보다 20% 감소할 전망이다. 에어컨 성수기 효과에도 불구하고 TV 판매량이 당초 예상치를 하회하면서 실적 부진을 보였다. ■ 연간 영업이익 40조원 전망...HBM3E 공급 가능성에 주목 삼성전자의 영업이익은 상반기 38%(14조7천억원) 하반기 62% (24조5천억원) 비중으로 연간 39조2천억원을 기록할 전망이다. 일부 증권사는 연간 영업이익을 40조원 이상으로 전망하기도 한다. 연간 매출 전망치는 309조6천474억원이다. 삼성전자는 고객사 엔비디아로부터 올 하반기 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 제품 승인을 이루면서 실적 상승을 기대하고 있다. 박유학 키움증권 연구원은 "엔비디향 HBM3E에 대한 제품 승인이 가시화되면서 그 동안 상대적으로 눌려왔던 주가의 상승 탄력이 강해질 수 있을 것"이라며 "올 하반기 삼성전자는 9세대 V낸드를 양산하며 QLC 기반의 eSSD 판매를 본격화하고, 1b나노 D램을 양산하며 128GB 서버 DIMM의 판매를 확대할 전망이다"라고 말했다. 박강호 대신증권 연구원은 "하반기 메모리 가격 상승은 상반기 대비 축소될 것으로 예상하나 여전히 강한 수준이다"라며 "삼성전자는 AI 시대에서 HBM3E 공급 타임라인이 지연되며 소외되는 모습이나, 12단 HBM3E 공급에 대한 모멘텀은 여전히 존재한다"고 밝혔다. 노근창 현대차증권 리서치센터장은 "삼성전자가 엔비디아에 HBM3을 공급하지 않고도 (2분기) 이 정도의 영업이익을 창출할 수 있는 경쟁력에 대한 재평가가 필요해 보인다"며 "엔비디아에 HBM3을 납품하지 못한 것이 주가에 노이즈였다면 이제부터는 현재 실적에 추가될 수 있는 '+α'로 접근하는 전략이 유효할 것"이라고 했다. 그 밖에 MX사업부는 이달 10일 프랑스 파리에서 열리는 갤럭시 언팩에서 차세대 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈를 비롯해 갤럭시워치7, 갤럭시버즈, 새로운 폼팩터 갤럭시링 등을 출시함에 따라 하반기 실적 개선을 이룰 전망이다. 삼성디스플레이는 하반기 삼성전자 뿐 아니라 아이폰16 시리즈에 패널 공급을 앞두고 있다.

2024.07.02 15:47이나리

'반도체 훈풍' 삼성·SK, 2분기 메모리 영업익 나란히 5兆 돌파 기대

국내 주요 메모리 기업인 삼성전자와 SK하이닉스가 올 2분기 나란히 호실적을 거둘 것으로 관측된다. HBM(고대역폭메모리) 전환에 따른 범용 D램의 생산능력 감소, 고용량 낸드 판매 증가로 메모리 시장이 호황을 이어간 데 따른 영향이다. 2일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 2분기 반도체 부문에서 수익성이 전분기 및 전년동기 대비 대폭 개선될 전망이다. 메모리반도체의 두 축인 D램, 낸드는 지난해 하반기부터 가격이 완연한 회복세에 접어들었다. 주요 공급사들의 감산 전략으로 고객사 재고 수준이 정상화됐고, AI 산업의 발달로 고부가 메모리 수요가 급증하고 있기 때문이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 D램의 평균판매가격은 올 1분기와 2분기 각각 13~18% 가량 상승했다. 낸드 역시 1분기 23~28%, 2분기 13~18% 수준의 가격 상승이 이뤄진 것으로 알려졌다. 이 같은 메모리 업황 개선에 힘입어 증권가는 삼성전자 반도체(DS) 부문이 올 2분기 매출 27조원대, 영업이익 4조5천억원 수준을 달성할 수 있을 것으로 보고 있다. 영업이익의 경우 전년동기(영업손실 약 4조3천억원) 대비로는 흑자 전환, 전분기(영업이익 1조9천억) 대비 2배 이상의 성장을 이뤄낼 전망이다. 특히 적자 지속이 예상되는 파운드리 사업을 제외하면 수익성의 개선세가 더 뚜력해진다. 박강호 대신증권 연구원은 "삼성전자 메모리 사업부만 보면 2분기 영업이익은 5조원으로, D램과 낸드 모두 출하량과 가격이 상승하며 수익성이 개선될 전망"이라며 "하반기에도 범용 D램 공급 부족 심화 및 고용량 eSSD 수요 증가로 호조세가 지속될 것"이라고 설명했다. SK하이닉스의 올 2분기 증권가 컨센서스는 매출 16조원, 영업이익 5조억원 수준이다. 다만 신영증권, 하이투자증권, 한국투자증권 등 최근 보고서를 발행한 증권의 경우 SK하이닉스의 영업이익을 5조4천억원 이상으로 추산하기도 했다. 박상욱 신영증권 연구원은 "SK하이닉스의 2분기 영업이익은 5조5천억원으로 전년동기대비 흑자전환, 전분기 대비 91.2% 증가할 것으로 추정된다"며 "2분기부터 HBM3e(5세대 HBM)의 판매 본격화로 D램의 가격 상승폭이 컸고, 낸드는 AI 서버 및 데이터센터 수요 증가로 자회사 솔리다임 등의 고용량 SSD 매출 증가가 컸다"고 밝혔다. 채민숙 한국투자증권 연구원은 "SK하이닉스는 그간 삼성전자 대비 영업이익률이 뒤처졌으나, 지난해 4분기부터는 D램과 낸드 모두 영업이익률이 업계 1위로 올라섰다"며 "2분기에도 D램과 낸드의 평균판매가격 증가율도 전분기 대비 20%에 가까운 수준을 기록하면서 당초 증권가 컨센서스를 상회할 것"이라고 말했다. 한편 미국 주요 메모리 기업인 마이크론은 지난달 27일 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 실적을 발표했다. 마이크론은 해당 분기 매출 68억1천만 달러, 영업이익 9억4천만 달러를 기록했다. 각각 전분기 대비 16.9%, 361% 증가한 수치로, 모두 증권가 컨센서스를 상회해 메모리반도체 시장의 회복세가 견조함을 보여준 바 있다.

2024.07.02 15:05장경윤

中 화웨이, HBM도 '공급망 자립화' 시도…美 제재 정면돌파

중국 화웨이가 현지 파운드리인 XMC(우한신신)과 협력해 HBM(고대역폭메모리)를 개발하고 있다고 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 1일 보도했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 획기적으로 끌어올린 메모리다. 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 필수적인 요소로 자리잡고 있다. 다만 기술적 난이도가 높아 현재까지 국내 기업인 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론만이 양산 가능하다. SCMP는 익명의 소식통을 인용해 "화웨이와 우한신신 외에도 현지 패키징 기업인 장전과기(JCET), 통푸마이크로일렉트로닉스도 HBM 개발 협력체에 참여했다"며 "이들은 GPU와 HBM을 단일 패키지로 집적하는, 소위 'CoWoS' 패키징을 개발하도록 지시받았다"고 설명했다. CoWoS는 대만 주요 파운드리 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징 기술이다. CoWoS는 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높인다. 화웨이는 지난 2019년부터 미국의 무역 블랙리스트 명단에 이름을 올리고 있다. SMIC도 지난 2022년 미국의 수출 규제로 첨단 반도체 장비에 대한 수입이 사실상 불가능해졌다. 그럼에도 화웨이와 SMIC는 지난해 하반기 출시한 플래그십 스마트폰 '메이트 60 프로'에 자체 개발한 고성능 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)를 탑재하는 등 반도체 공급망 자립화를 지속하고 있다. 해당 AP는 선단 공정에 해당하는 7나노미터(nm)를 기반으로 한다. 미국은 지난 2019년 국가 안보상의 이유로 화웨이를 무역 블랙리스트에 올린 바 있다. 또한 지난 2022년에는 중국에 대한 첨단 반도체 장비 수출을 금지하면서, SMIC 등 화웨이의 주요 제조 파트너들에 대해서도 지속적인 압박을 펼쳐왔다.

2024.07.02 10:35장경윤

"내년 메모리 캐파 역성장할 수도"…삼성전자, 생산량 확대 선제 대응

삼성전자가 메모리 생산량을 적극 확대하려는 움직임을 보이고 있다. HBM(고대역폭메모리)와 최선단 제품으로 공정 전환을 적극 추진하면서, 내년 레거시 메모리 생산능력이 매우 이례적으로 감소하는 현상이 나타날 수 있다는 전망 때문이다. 실제로 삼성전자는 메모리 제조라인에 최대 생산, 설비 가동률 상승 등을 적극 주문하고 있는 것으로 파악됐다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 메모리 라인 전반을 최대로 가동하는 방안을 추진하고 있다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "이달부터 삼성전자 메모리사업부 내에서 D램과 낸드 모두 최대 생산 기조로 가야한다는 논의가 계속 나오고 있다"며 "메모리 가격 변동세와 무관하게 우선 생산량을 확대하는 것이 주요 골자"라고 설명했다. 실제로 삼성전자는 이달 중순 메모리 생산라인에 '정지 로스(Loss)'를 다시 관리하라는 지시를 내린 것으로 파악됐다. 정지 로스란 라인 내 설비가 쉬거나 유지보수 등의 이유로 가동을 멈추는 데 따른 손실을 뜻한다. 삼성전자는 메모리 업계 불황으로 가동률이 낮았던 지난해 정지 로스 관리를 중단한 바 있다. 정지 로스 관리의 재개는 설비의 가동률을 다시 끌어올리겠다는 의미다. 삼성전자가 메모리를 최대 생산 기조로 전환하려는 이유는 생산 능력에 있다. 현재 삼성전자는 내부적으로 내년 비트(bit) 기준 레거시 메모리 생산능력이 역성장할 수 있다는 전망을 제시하고 있는 것으로 알려졌다. 내년 메모리 생산능력의 역성장을 촉진하는 가장 큰 요소는 '공정 전환'이다. 삼성전자는 올해 초부터 HBM을 위한 투자에 대대적으로 나서고 있으며, 국내외 공장에서 기존 레거시 D램 및 낸드를 최선단 제품으로 전환하기 위한 작업에 착수했다. 먼저 D램의 경우, 삼성전자는 주력 제품인 1a(4세대 10나노급) D램을 HBM 생산에 투입하고 있다. 삼성전자가 올해 말까지 HBM의 최대 생산능력을 월 17만장 수준까지 확대할 것으로 예상되는 만큼, HBM향을 제외한 1a D램의 생산은 더 빠듯해질 전망이다. 또한 삼성전자는 최선단 D램 제품인 1b D램(5세대 10나노급)의 생산량 확대를 계획하고 있다. 이를 위해 평택 P2와 화성 15라인의 기존 1z D램(3세대 10나노급) 공정이 1b D램용으로 전환될 예정이다. 올해까지 생산능력을 월 10만장가량 확보하는 게 목표다. 낸드의 경우 중국 시안 팹에서 기존 V6 낸드 공정을 V8로 전환하기 위한 투자가 올 1분기부터 진행되고 있다. 시안 낸드팹은 총 2개 라인으로 구성돼 있는데, 이 중 1개 라인부터 전환이 이뤄지고 있다. 반면 메모리 수요는 올해 내내 공급을 웃도는 수준을 보일 것으로 관측된다. 최근 실적을 발표한 마이크론도 "2024년 비트 수요 증가율은 D램과 낸드 모두 10%대 중반이 될 것으로 예측된다"며 "반면 공급은 D램과 낸드 모두 수요를 밑돌 것"이라고 밝혔다. 업계 관계자는 "삼성전자가 올해 초까지 메모리 재고를 상당 부분 비웠고, 내년 메모리 빗그로스가 감소하면 공급이 빠듯할 수 있다는 우려를 표하고 있다"며 "생산라인 전반에 걸쳐 생산량 확대를 종용하는 분위기"라고 설명했다.

2024.06.28 11:34장경윤

3분기 D램 가격 8~13% 상승 전망…HBM·DDR5 효과

D램 가격이 2분기에 이어 3분기에도 최선단 제품을 중심으로 가격 상승세를 이어갈 것으로 예상된다. 27일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 D램의 ASP(평균판매가격)은 8~13% 증가할 전망이다. 현재 주요 D램 공급업체들은 HBM(고대역폭메모리) 생산량 비중을 확대하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 일반 D램 대비 수율이 낮아 막대한 양의 웨이퍼 투입이 필요하다. 수요 측면에서는 그간 부진한 흐름을 보인 일반 서버에서 DDR5에 대한 주문량이 확대되는 추세다. 또한 스마트폰 고객사들도 성수기를 대비해 재고를 활발히 보충하려는 기조가 나타나고 있다. 그 결과 D램의 ASP는 2분기 13~18% 증가한 데 이어, 3분기에도 8~13%의 상승세가 예견된다. 다만 HBM향을 제외한 레거시 D램 기준으로는 ASP가 5~10%가량 상승할 전망이다. 또한 전체 D램 내에서 HBM이 차지하는 비중은 2분기 4%에서 3분기 6%로 소폭 확대될 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "3대 공급사(삼성전자, SK하이닉스, 마이크론)가 HBM 등을 이유로 가격 인상에 대한 분명한 의지를 드러내고 있다"며 "4분기에도 이러한 추세가 지속되면서 가격 상승세에 힘을 더할 것"이라고 설명했다.

2024.06.28 09:22장경윤

SK하이닉스 "자체 기술로 HBM 성공…경쟁사 출신 영입설 '사실무근'"

"SK하이닉스의 HBM(고대역폭메모리)는 업계 최고의 속도, 성능을 갖췄습니다. 온전히 회사 개발진들이 오랜 시간 갈고 닦아 온 자체 기술을 기반으로 하고 있죠. 당시 경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없었습니다." 27일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 HBM 기술개발의 주역인 박명재 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. SK하이닉스의 경우 지난 3월부터 5세대 HBM 제품인 HBM3E를 양산하고 있으며, 차세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 당초 내후년에서 내년으로 앞당긴 바 있다. SK하이닉스는 "2~3년 전부터 생성형 AI가 업계 판도를 뒤흔들면서 SK하이닉스의 HBM이 '벼락 성공'을 맞았다고 보는 시각도 있다"며 "그러나 회사는 지난 2013년부터 최고의 기술진이 15년 이상 연구·개발에 집중해 얻은 기술력으로 HBM 분야의 정상에 올랐다"고 설명했다. HBM설계 담당을 맡고 있는 박명재 부사장 역시 HBM이 시장의 주목을 받지 못하던 2010년대를 '위기 속에서 기회를 발견한 시기'라고 표현했다. 박 부사장은 "2010년대 중후반 HBM설계 조직은 공공연히 오지로 불렸다"며 "회사가 HBM2를 개발하는 과정에서 어려움을 겪고 있었고, 무엇보다 시장 성장이 예상보다 더뎠던 탓"이라고 설명했다. 그는 이어 "그러나 우리는 HBM이 SK하이닉스 고유의 기술력을 보여줄 기회이며, 최고의 제품만 개발하면 이를 활용할 서비스는 자연스레 생길 것이라고 확신했다"며 "이것이 HBM2E를 비롯해 후속 제품들의 개발을 밀고 나가는 원동력이 됐다"고 강조했다. 박 부사장은 이 과정에서 '성공의 키(Key)는 고객과 시장이 요구하는 것보다 월등히 높은 수준의 1등 성능을 확보하는 것'이라는 교훈을 얻었다. 그리고 이를 위해 절치부심하며 HBM2E 개발에 나섰다고 회상했다. 박 부사장은 "HBM2E부터는 외부 기대치보다 훨씬 높은 수준을 목표로 잡고 협업을 강화했다"며 "덕분에 MR-MUF, HKMG, Low-K IMD 등 주요 요소 기술과 현재의 기틀이 된 설계 및 테스트 기술들이 모두 이때 기반을 다지게 됐다”고 밝혔다. 이후 SK하이닉스는 세계 최고 용량 12단 HBM3를 개발한 지 4개월 만인 2023년 8월 HBM3E를 공개하며 제품이 시장에 나오기까지 걸리는 시간(Time to Market)을 획기적으로 단축했다. 지난 3월에는 HBM3E 양산에 이어 고객에게 가장 먼저 제품을 공급하기도 했다. 박 부사장은 이 같은 성공의 비결은 '성능, 품질, 시장 대응력'임을 강조했다. 그는 "SK하이닉스의 HBM은 업계 최고의 속도, 성능을 갖췄다"며 "특히 여기에 적용된 당사 고유의 MR-MUF 기술은 고성능으로 인한 발열을 가장 안정적으로 줄여 세계 최고 성능 구현에 기여했다"고 말했다. 또한 박 부사장은 얼마 전 HBM 개발과 관련돼 항간에 돌았던 루머에 대해 '사실무근' 이라고 명확히 짚으면서 앞으로도 경쟁 우위를 확고히 지켜가겠다는 의지를 다졌다. 앞서 지난해 국내 일부 언론에서는 SK하이닉스가 경쟁사 출신의 개발자들을 영입해 HBM을 개발했다고 주장한 바 있다. 박 부사장은 "얼마 전 경쟁사의 HBM팀이 당사로 넘어와 기술을 개발했다는 사실무근의 루머가 있었는데, 온전히 우리 힘으로 기술 개발을 해낸 당사 구성원들로서는 자존심에 상처를 받을 수밖에 없었다"며 "SK하이닉스 HBM은 명확하게 당사 자체 기술이며, 당시 경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없다"고 설명했다.

2024.06.27 10:36장경윤

마이크론, 'HBM3E' 매출 발생 시작…삼성·SK와 경쟁 본격화

마이크론이 인공지능(AI) 특수에 힘입어 '어닝 서프라이즈'를 달성했다. D램과 낸드 모두 ASP(평균거래가격)이 20% 가량 증가한 것으로 나타났다. 특히 HBM(고대역폭메모리) 부문이 역시 올해 및 내년 제품이 모두 매진되는 등 호조세를 보여 기대를 모았다. HBM3E(5세대 HBM) 8단 제품은 최근 1억 달러의 매출을 올렸으며, HBM3E 12단 제품은 내년부터 대량 양산될 예정이다. 27일 마이크론은 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 68억1천만 달러의 매출을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 16.9%, 전년동기 대비 81.5% 증가한 수치다. 증권가 컨센서스인 66억7천만 달러도 넘어섰다. 같은 기간 영업이익은 9억4천만 달러다. 전분기 대비 361% 증가했으며, 전년동기 대비 흑자전환했다. 또한 증권가 컨센서스(8억6천만 달러)를 상회했다. 마이크론의 이번 호실적은 각각 20%에 달하는 D램·낸드의 ASP 상승이 영향을 미쳤다. D램 매출은 47억 달러로 전분기 대비 13%, 전년동기 대비 75.9% 증가했다. 낸드는 21억 달러로 각각 32%, 107% 증가했다. 마이크론은 "데이터센터에서 AI 수요가 빠르게 증가하면서 매출이 연속적으로 크게 성장할 수 있었다"며 "HBM, 고용량 DIMM(듀얼 인라인 메모리 모듈), 데이터센터 SSD 등 고부가 AI 메모리 제품의 비중이 확대됐다"고 설명했다. 특히 HBM의 경우 해당 분기부터 출하량이 본격적으로 증가하기 시작했다. 마이크론이 가장 최근 발표한 HBM3E(5세대 HBM)도 이번 분기 1억 달러 이상의 매출을 발생시켰다. 앞서 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작한 바 있다. 해당 제품은 엔비디아의 최신 GPU인 'H200'용으로 공급됐다. 현재 마이크론은 HBM3E 12단까지 샘플을 진행한 상태로, 내년에 해당 제품의 대량 생산을 계획하고 있다. 마이크론은 "회계연도 2024년에는 HBM에서 수억 달러, 2025년에는 수십억 달러의 매출을 일으킬 것"이라며 "당사의 HBM은 2024년 및 2025년까지 이미 매진됐으며, 2025년에는 전체 D램 시장 점유율에 상승하는 HBM 시장 점유율을 달성할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 회계연도 2024년 4분기(2024년 6월~8월) 매출 전망치로는 중간값 76억 달러를 제시했다. GPM(매출총이익률)은 34.5%다. 증권가 컨센서스인 매출 75억9천만 달러, GPM 34.5%에 부합하는 수준이다. 마이크론은 "2024년 산업의 D램과 낸드 공급은 모두 수요를 따라가지 못할 것"이라며 "특히 DDR5 대비 웨이퍼를 3배나 소비하는 HBM의 생산량 증가가 D램 증가를 제한하고, 향후 있을 HBM4의 거래 비중도 HBM3E보다 높을 것"이라고 예상했다. 한편 마이크론의 회계연도 2024년 설비투자(Capex) 규모는 최대 80억 달러에 이를 것으로 전망된다. 이 중 전공정(WFE) 분야 투자는 전년 대비 줄이기로 했다. 회계연도 2025년 설비투자는 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상되며, 해당 기간 매출의 30% 중반 내에서 자본 지출이 이뤄질 예정이다. 자본은 대부분 미국 아이다호 및 뉴욕 팹 건설, HBM용 설비투자에 집중된다.

2024.06.27 08:36장경윤

SK하이닉스, CEO 지원 조직 신설…담당에 송현종 사장 선임

SK하이닉스가 곽노정 최고경영자(CEO)의 의사결정을 지원하기 위해 '코퍼레이트 센터(Corporate Center)'를 신설한다고 24일 밝혔다. CEO 직속으로 신설하는 이 조직은 전략, 재무, 기업문화, 구매 부문 등을 편제해 전사 지원 조직 기능을 통합적으로 조율하게 된다. 코퍼레이트 센터 담당에는 송현종 담당이 사장으로 승진해 선임됐다. 7월 1일자로 코퍼레이트 센터 담당을 맡는 송 사장은 SK(주)에서 SK그룹의 반도체 사업 관련 의사결정 지원과 인사이트 제공 업무를 수행해 왔다. 송 사장은 1965년생으로 서울대와 동 대학원 경제학과, 미국 매사추세츠공과대학 경영대학원을 졸업했다. 2003년 SK텔레콤에 입사해 IR실장, 성장전략그룹장, 미래경영실장, 경영지원단장을 역임했다. 2012년부터는 SK하이닉스로 이동해 미래전략본부장, 마케팅·영업 담당 등을 맡아 경영 전반에 대한 지식과 경험이 풍부한 것으로 알려져 있다.

2024.06.24 17:40장경윤

유니셈, HBM·극저온으로 성장 기대감 '쑥쑥'

지디넷코리아가 한국경제의 든든한 버팀목인 소·부·장(소재·부품·장비), 반도체·디스플레이, 배터리 등 핵심 기반 산업을 이끄는 [소부장반디배] 기업 탐방 시리즈를 새롭게 시작합니다. 유망 기업들의 정확하고 깊이 있는 정보를 전달해 드리겠습니다. [편집자주] 국내 스크러버·칠러 장비업체 유니셈이 사업 다각화를 위해 지난해 말부터 주요 고객사의 HBM(고대역폭메모리) 제조 공정에 스크러버를 공급한 데 이어, 전공정에서도 신규 적용을 추진하고 있다. 칠러 사업 역시 새로운 기회를 얻을 것으로 기대된다. 현재 반도체 장비업계에서는 낸드의 핵심 공정인 식각의 성능을 끌어올릴 수 있는 극저온 장비가 도입될 전망으로, 이에 따라 칠러 역시 고성능 제품이 요구되는 상황이다. 경기 화성시 소재의 유니셈 본사에서 최근 기자와 만난 회사 관계자는 "회사의 플라즈마 스크러버는 현재 반도체 업계에서 환경적 이유로 도입이 확대되는 추세"라며 "냉매식 쿨러도 낸드 시장을 중심으로 성장세가 예견된다"고 설명했다. 유니셈은 반도체, 디스플레이 등에 필요한 스크러버와 칠러를 전문으로 개발하는 기업이다. 주요 고객사로 삼성전자, SK하이닉스 등을 두고 있다. 지난해 기준 매출액 2천321억원, 영업이익 174억원을 기록했다. 스크러버는 제조 공정에서 발생하는 각종 가스, 화합물 등을 정제하는 장비다. 정제 방식에 따라 습식(wet), 건식(dry), 직접 연소식(burn-wet), 흡착식, 플라즈마식 등으로 분류된다. 이 중 유니셈은 플라즈마 스크러버에 집중하고 있다. 기존 반도체 공정에 주류로 쓰여 온 직접 연소식이 LNG 가스를 활용하는 데 반해, 플라즈마는 전기를 기반으로 해 친환경적이다. 현재 플라즈마 스크러버 시장의 확대가 기대되는 배경은 HBM과 친환경으로 크게 두 가지다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 첨단 패키징 기술인 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리다. 이 TSV 공정에서는 기존 패키징과 달리 가스 처리 과정이 요구된다. 덕분에 유니셈은 지난해 하반기부터 TSV 공정에 스크러버를 처음 도입하면서, 패키징 시장에 발을 들이게 됐다. 삼성전자와 SK하이닉스가 올해부터 내년까지 HBM 생산능력을 꾸준히 확장할 계획인 만큼, 스크러버도 지속적인 수주가 나올 것으로 예상된다. 또한 플라즈마 스크러버는 산업 트렌드인 친환경에 가장 부합하는 스크러버다. SK하이닉스는 2013년경 스크러버 타입을 기존 연소식에서 플라즈마로 변경했으며, 삼성전자도 지난해 HBM 공정에 플라즈마 스크러버를 처음으로 도입했다. 특히 삼성전자의 경우, 향후 있을 제4 평택캠퍼스(P4) 등 전공정 투자에서도 플라즈마 스크러버로의 전환을 추진할 것으로 예상된다. 실제로 이를 위한 장비 테스트가 P3에서 진행 중인 것으로 알려졌다. 유니셈 관계자는 "주요 고객사의 투자 계획에 따라 공급량은 다르겠으나, TSV 공정용 스크러버 장비는 향후에도 지속적인 매출이 나올 것"이라며 "특히 유니셈은 플라즈마 스크러버 분야에서 경쟁사 대비 기술적으로 우위를 점하고 있다"고 밝혔다. 칠러 사업은 극저온 식각장비 도입에 따른 수혜가 예상된다. 고적층의 낸드 제조를 위해서는 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫는 식각 공정이 필요한데, 기존에는 최저 -20~30°C의 환경에서 작업이 이뤄졌다. 그러나 차세대 낸드에서는 식각 공정을 -60°C~-70°C도의 극저온 환경에서 진행할 가능성이 높다. 현재 주요 장비업체인 TEL(도쿄일렉트론)이 국내 주요 메모리 기업들과 해당 장비에 대한 테스트를 진행 중이며, 또 다른 경쟁사 램리서치도 차세대 식각장비의 방향을 극저온으로 설정했다. 이에 공정 상의 온도를 낮추는 칠러 장비도 기존보다 더 성능을 높인 제품이 필요하다. 칠러는 작동 방식에 따라 냉매식·전기식 등으로 나뉘며, 이 중 극저온 환경을 구현하는 데에는 냉매(쿨런트)식이 유리하다. 냉매식은 국내 업계에서는 유니셈, 에프에스티가 사업을 영위하고 있다. 극저온 식각에 대응하는 만큼, 신규 칠러 장비의 가격도 매우 높을 것으로 전망된다. 업계에서는 신규 칠러 장비의 가격이 기존 대비 4배 가량 높아질 것으로 추산하고 있다. 유니셈 관계자는 "최선단 낸드 개발이 극저온 식각으로 나아가고 있어, 칠러 장비도 -80°C 수준까지 대응이 필요하다"며 "극저온 식각장비의 챔버 수가 늘어나는 만큼 사업을 확대할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 한편 이외에도 유니셈은 신규 소재를 활용한 칠러 개발에도 적극 나서고 있다. 가장 유력한 후보는 CO2(이산화탄소)다. 현재 칠러에 쓰이는 쿨런트 소재는PFAS(과불화화합물) 기반으로 한다. 이 물질은 환경오염물질 및 유해화학물질로 분류돼, 유럽·북미를 중심으로 산업에서 퇴출 압박이 거세지고 있다.

2024.06.24 16:27장경윤

SEMI "세계 반도체 생산능력, 올해 6%·내년 7% 성장할 것"

SEMI(국제반도체장비재료협회)는 최근 보고서를 통해 전 세계 반도체 업계 생산능력은 올해 6%, 내년 7% 성장해 내년 기준 월 3천370만 장(8인치 웨이퍼 환산)에 도달할 것이라고 24일 밝혔다. 5나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에 대한 생산능력은 AI를 위한 칩의 수요를 맞추기 위해 올해 13% 증가할 것으로 예상된다. 특히 인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 주요 공급사들은 특히 반도체의 전력 효율성을 높이기 위해 2nm 공정에서 GAA(게이트-올-어라운드)를 도입하고 있다. 이에 따라 내년에는 첨단 반도체 분야에 대한 생산능력이 17% 증가할 것으로 예상된다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 “클라우드 컴퓨팅에서 엣지 디바이스에 이르기까지 AI의 확산은 고성능 칩 개발 경쟁을 촉진하고 글로벌 반도체 제조 역량의 확장을 주도하고 있다”며 "이는 결국 AI가 더 많은 반도체 수요를 이끌어내어 반도체 산업에 투자를 장려하고, 다시 이 투자가 더 발전된 AI 칩을 만들 수 있는 선순환 구조를 창출하고 있다”고 말했다. 지역별로는 중국이 올해 15%, 내년 14% 성장해 내년 1천10만 장까지 생산능력을 확보할 것으로 전망된다. 과잉 공급의 잠재적 위험에도 불구하고, 중국 제조사들은 지속적으로 생산능력 확대에 투자하고 있다. 특히 화홍그룹, 넥스칩, 시엔, SMIC, CXMT 등이 이러한 흐름을 주도하고 있다. 대부분의 다른 지역은 내년 5% 이하의 생산 능력 증가세를 보일 것으로 예상된다. 대만은 내년에 4% 성장한 월 580만 장으로 2위를 차지할 것으로 예상되며, 한국은 올해 처음으로 월 5백만 장을 넘긴 후 내년 7% 성장한 월 540만 장으로 3위를 차지할 것으로 보인다. 산업별로는 파운드리 부문의 생산능력이 올해 11%, 내년 10% 성장한 뒤, 2026년에는 월 1천270만 장에 이를 것으로 예상된다. 메모리 부문은 AI 서버의 증가세에 따라 고대역폭 메모리(HBM) 등에서 대규모 투자가 발생하고 있다. 이에 따라 D램은 올해와 내년 모두 9%의 성장세를 보이겠다. 반면 3D낸드의 시장 회복세는 아직 저조해 올해에는 생산능력 증가는 없으며, 내년에는 5% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.24 11:34장경윤

삼성·SK, 후공정 업계와 장비공급 논의…D램·HBM 수혜 본격화

삼성전자·SK하이닉스가 이달 국내 메모리 후공정 장비업체들과 장비 공급 위원회를 열고 관련 논의를 마친 것으로 파악됐다. 이번 위원회는 내년 중반까지의 D램·HBM(고대역폭메모리)용 투자를 구체화하기 위한 자리로, 올 3분기부터 실제 장비 발주가 시작될 전망이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 최근 국내 후공정 장비업체와 D램·HBM용 투자와 관련한 공급 논의를 마무리했다. 통상 삼성전자·SK하이닉스는 국내 장비 협력사들과 분기, 혹은 반기별로 향후 있을 장비 공급에 대한 논의를 나누고 있다. 이번 장비 공급 위원회는 내년 2분기말까지 투자 규모를 정하기 위한 자리다. 상반기 장비 공급 위원회가 업계에서 특히 화두가 되고 있는 이유는 HBM에 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. AI 산업의 급격한 확장에 맞춰 수요가 증가하는 추세로, 국내 메모리 제조업체들도 올해 설비투자의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 이에 HBM, 1a(4세대 10나노급)·1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램의 생산량 확대에 대응하기 위한 후공정 장비들이 필요한 상황이다. HBM 및 D램 후공정에 대응하는 국내 주요 협력사로는 디아이·와이씨·테크윙 등이 있다. 협력사들은 이달 중순 각 밸류체인에 따라 삼성전자·SK하이닉스와 장비 공급 위원회를 가졌다. 이 자리에서 삼성전자·SK하이닉스는 그간 논의됐던 HBM 및 D램 후공정 투자 규모를 구체화했으며, 그 물량이 당초 업계 예상 대비 큰 수준인 것으로 알려졌다. 장비업계 한 관계자는 "HBM용 신규 후공정 장비가 올해 말부터 본격적으로 매출이 발생하기 시작할 것"이라며 "다음 위원회에서 변동사항이 생길 수 있으나, 삼성전자가 HBM 생산능력 확대에 적극 나서고 있어 공급량 확대를 기대하고 있다"고 밝혔다. 또 다른 장비업계 관계자는 "SK하이닉스가 최선단 메모리용 후공정 장비를 당초 예상 대비 10% 더 많이 도입하겠다는 뜻을 전달했다"며 "내년 HBM 생산능력 확대를 위해서 올해 하반기 분주한 움직임이 일어날 것"이라고 설명했다. 이번 장비 공급 논의에 따른 실제 장비 발주는 올 3분기부터 진행될 것으로 관측된다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 향후 1년간 메모리 관련 후공정 투자 속도가 드러날 전망이다.

2024.06.24 11:15장경윤

美 마이크론, 1분기 D램 매출 '껑충'…삼성·SK 추격

미국 주요 메모리 공급업체 마이크론의 1분기 D램 매출이 전분기 대비 두 자릿 수로 상승했다. 이에 따라 업계 1·2위인 삼성전자, SK하이닉스와의 시장 점유율 격차도 좁혀졌다. 13일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 1분기 전 세계 D램 매출 규모는 전분기 대비 5.1% 증가한 183억5천만 달러로 집계됐다. 매출 확대의 주요 원인은 ASP(평균거래단가)의 상승이다. 메모리 공급사들이 가격 인상에 적극적인 의지를 보이면서, D램 가격은 지난해 4분기부터 올 1분기까지 꾸준히 상승해 왔다. 특히 모바일 D램이 중국 스마트폰 판매 호조로 가장 높은 가격 상승률을 기록했다. 반면 소비자용 D램 가격은 여전히 높은 고객사의 재고 수준으로 가장 부진한 흐름을 보였다. 기업 별로는 마이크론이 가장 큰 성장세를 기록했다. 1분기 마이크론의 D램 매출은 39억5천만 달러로 전분기 대비 17.8% 증가했다. 시장점유율도 전분기 19.2%에서 1분기 21.5%로 확대됐다. 트렌드포스는 "마이크론은 해당 분기 ASP가 23% 상승한 반면 출하량은 4~5% 감소하는 데 그쳤다"며 "미국 고객사의 주문량 증가, 서버용 D램 출하량 확대 등이 성장을 주도했다"고 설명했다. 삼성전자는 1분기 매출이 80억5천만 달러로 전분기 대비 1.3% 증가했다. 출하량이 한 자릿수 중반 대로 감소했으나, 가격이 20%가량 오르면서 이 같은 영향을 상쇄했다. 다만 시장 점유율은 43.9%로 전분기 대비 1.6%p 하락했다. SK하이닉스는 1분기 매출이 전분기 대비 2.6% 증가한 57억 달러로 집계됐다. 다만 삼성전자와 마찬가지로 시장 점유율은 전분기 대비 0.7%p 감소해 31.1%를 기록했다. 한편 D램 시장은 올 2분기 출하량 면에서도 회복세가 예상된다. 트렌드포스는 "지난 4월 발생한 대만 지진에 따른 불확실성으로 일부 PC OEM 업체들이 당초보다 가격 인상을 수용하는 분위기"라며 "최종 D램 고정거래가격이 13~18% 상승할 것으로 추정된다"고 밝혔다.

2024.06.14 09:52장경윤

美, 中에 'GAA·HBM' 등 AI반도체 기술 수출 규제 논의

미국 정부가 최첨단 반도체 기술인 GAA(게이트-올-어라운드)에 대한 중국의 접근을 막는 추가 조치를 고려하고 있다고 블룸버그통신이 11일 보도했다. 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "미국 상무부 산업보안국(BIS)이 최근 GAA 기술과 관련된 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술 자문위원회에 보냈다"며 "다만 규제는 아직 확정된 사안이 아니고, 업계 관계자들은 초안의 규제가 지나치게 광범위하다고 비판했다"고 설명했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 현재 GAA는 최첨단 파운드리 공정을 중심으로 상용화가 진행되고 있다. 대표적으로 삼성전자가 지난 2022년 6월 세계 최초로 GAA 공정 기반의 3나노미터(nm) 칩 양산을 시작한 바 있다. 주요 파운드리 TSMC도 내년 양산 예정인 2나노 공정에 GAA를 첫 적용하기로 했다. 미국의 GAA 관련 규제 논의는 중국의 인공지능(AI) 산업 발전을 견제하기 위한 수단으로 풀이된다. 엔비디아와 AMD, 인텔 등 주요 반도체 기업들은 향후 GAA를 적용한 AI 반도체를 양산할 계획이다. 블룸버그통신은 "미국의 목표는 중국이 AI 모델을 구축하고 운영하는 데 필요한 정교한 컴퓨팅 시스템을 조립하는 것을 더 어렵게 만드는 것"이라며 "기술이 상용화 초기에 이른 지금, 중국의 굴기를 사전에 차단하려고 하고 있다"고 밝혔다. GAA 만큼 진전된 것은 아니지만, HBM(고대역폭메모리)의 중국향 수출을 제한하는 방안도 초기 단계에서 논의되고 있는 것으로 알려졌다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 빠르게 수요가 증가하는 추세로, 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 소수의 기업만이 양산에 성공했다.

2024.06.12 10:06장경윤

삼성전자, '1b D램' 양산에 사활…수율 잡을 TF 가동

삼성전자가 데이터센터용 최선단 D램 사업 확대에 사활을 걸고 있다. 최근 1b(5세대 10나노급) D램의 수율을 끌어올리기 위한 조직을 만들고, 연내 생산량을 크게 확대하기 위한 계획을 세운 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자 메모리사업부는 지난달 1b D램의 수율을 높이기 위한 별도의 TF(태스크포스)를 구성했다. 1b D램은 선폭이 12나노 수준인 5세대 10나노급 D램을 뜻한다. 앞서 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공한 바 있다. 특히 삼성전자는 32Gb 1b D램을 향후 주력 제품으로 내세울 계획이다. 해당 D램이 16Gb 제품과 동일한 패키지 크기로 구현된 것은 물론, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있기 때문이다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. 삼성전자는 32Gb 1b D램의 퀄(품질) 테스트를 지난 3월 완료하고 본격적인 양산 준비를 해왔다. 그러나 해당 계획에 가장 큰 발목을 잡고 있는 요소가 바로 '수율'이다. 수율은 웨이퍼 투입량 대비 산출되는 반도체 양품의 비율을 뜻한다. 현재 삼성전자의 1b D램 수율은 통상적인 D램의 목표 수율인 80~90%에 아직 도달하지 못한 것으로 추산된다. 수율이 일정 수준까지 도달하지 않으면 제조사 입장에서는 생산성 및 수익성을 담보하기가 어렵다. 이에 삼성전자는 지난달 1b D램의 수율을 최대한 빨리 끌어올리기 위한 TF를 만들었다. 해당 조직은 메모리사업부 내 전공정 담당 직원들로 구성된 것으로 알려졌다. 동시에 삼성전자는 1b D램의 생산량도 적극 확대하기로 했다. 올 상반기까지 생산능력을 월 4만장 수준에서 3분기 7만장, 4분기 10만장으로 확대하고, 내년에는 이를 20만장까지 늘릴 계획을 세운 것으로 파악됐다. 1b D램의 주요 생산거점은 평택 P2와 화성 15라인이 될 것으로 관측된다. 특히 P2는 메모리 불황 시절 감산이 적극적으로 진행된 1z(3세대 10나노급 D램) 라인으로, 공정 전환이 활발히 진행될 예정이다. 업계 관계자는 "경쟁사 대비 생산능력을 충분히 갖출 수 있고, HBM(고대역폭메모리)과 달리 TSV를 활용하지 않기 때문에 삼성전자가 1b D램 확대에 사활을 걸고 있다"며 "새로 부임한 전영현 DS부문장도 1b D램 수율 향상에 주목하고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2024.06.11 14:59장경윤

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