검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'D램'통합검색 결과 입니다. (338건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

"1b D램 풀가동 상태"…SK하이닉스, 내년 초 M16·M14 투자 본격화

SK하이닉스가 내년 초부터 최선단 D램의 생산 비중을 늘리기 위한 투자에 적극 나선다. 현재 복수의 협력사에 1a 및 1b 나노미터(nm) D램 장비 발주를 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 최선단 D램 제조의 핵심 장비인 EUV(극자외선) 장비도 들여올 것으로 알려졌다. 21일 업계에 따르면 SK하이닉스는 내년 경기도 이천 M16 및 M14 공장에 최선단 D램 생산능력을 확대할 계획이다. M16은 SK하이닉스의 첨단 D램 생산기지다. 지난 2021년 준공돼, 1a 및 1b나노 D램을 주력으로 생산하고 있다. 10나노급 D램은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대) 순으로 진화해 왔다. SK하이닉스는 이 중 2021년 첫 양산한 1a D램부터 일부 레이어에 EUV(극자외선) 공정을 적용했다. EUV는 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 노광공정에 쓰이는 광원 중 하나다. 기존 광원인 불화아르곤(Arf) 대비 빛의 파장이 짧아, 미세 회로를 구현하는 데 용이하다. 1b D램은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램이다. 내년 상반기 본격 양산에 돌입하는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)에도 활용된다. SK하이닉스는 올해 중반부터 1b D램의 양산 준비를 마치고, 수율 향상 및 제품 검증에 집중해 왔다. 다만 양산 초기인 만큼 1b D램의 캐파는 월 1만5천~2만장 수준에 불과한 것으로 추산된다. SK하이닉스의 전체 D램 캐파가 월 40만장 이상임을 감안하면 아직 비중이 낮다. 이에 SK하이닉스는 내년 초부터 M16 및 M16와 인접한 M14 팹에서 1a 및 1b D램용 설비투자를 시작할 계획이다. 일부 협력사의 경우 이미 장비 발주가 진행돼, 내년 초부터 곧바로 공급을 시작하는 것으로 파악됐다. 현재까지 구체적으로 논의된 투자 규모는 월 2만장 수준으로, 특히 1b D램에 많은 비중이 할당될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SK하이닉스의 1b D램 공정은 풀가동을 유지하고 있다"며 "HBM 분야에 배정된 부분까지 고려하면 현재 생산량을 늘리고 싶어도 캐파가 없는 상태"라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "최선단 D램 제조의 핵심 요소인 EUV 장비도 이미 발주를 준비하고 있는 것으로 안다"며 "내부적으로 1b D램 생산능력 확대를 적극 논의하고 있어, 향후 생산능력을 더 확충할 가능성도 있다"고 말했다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "내년 1a 및 1b D램 중심의 공정 전환과 HBM 캐파 확보를 위한 TSV(실리콘관통전극) 투자가 최우선적으로 고려되고 있다"고 밝힌 바 있다.

2023.12.21 14:11장경윤

기술 혁신에 '정년' 없다…SK하이닉스 올해의 전문가 3人은

SK하이닉스는 박승민·최종덕 기성을 2023년 '마스터'로, 미래기술연구원 박철환 TL을 2023년 '아너드 엔지니어(Honored Engineer, 이하 HE)'로 선정했다고 21일 밝혔다. 지난해 처음 도입한 마스터는 정년 없이 근무하는 현장 최고의 기술 전문가다. 장비 유지 및 보수를 담당하는 메인트(Maintenance) 직군 내에서 가장 높은 직책에 해당한다. 회사는 제조∙생산 분야에서도 고도의 지식과 노하우가 필요하다는 판단 하에, 현장 기술자의 경험과 역량을 활용하고 계승하기 위해 '명장'과 '마스터' 직책을 도입한 바 있다. 명장은 현장 최고 수준의 기술 전문가로 여러 난제를 해결하는 역할을 맡는다. 여기서 나아가 마스터는 명장 중에서도 가장 뛰어난 역량과 전문성을 지닌 구성원 중에서 선발된다. 이들은 난제 해결은 물론 지식을 문서화하고 다음 세대 명장과 마스터를 기르기 위한 롤모델 역할을 수행하며, 경영진과 함께 의사 결정에도 참여한다. 이번에 마스터로 선정된 기반기술센터 박승민 기성은 주로 전자현미경으로 반도체의 내부를 계측해 구조적인 오차를 줄이는 업무를 맡고 있다. 수많은 난제를 해결하며 명장 of The Year Challenge상, VWBE(Voluntarily Willingly Brain Engagement) 실천상, 우수사원상 등 다양한 수상 기록을 세웠다. 28년차인 그는 2018년 명장이 된 후에도 굵직한 프로젝트를 여럿 성공시켰다. 2019년에는 전자현미경의 고질적 문제였던 오측정 이슈를 해결했으며, 이후에는 장비간 계측 수치에 오차가 생기는 문제를 해결하는 시스템을 개발해 냈다. 올해 26년차인 D램개발담당 최종덕 기성은 2019년 명장에 선발된 이후 명장 of The Year 특별상과 우수사원상을 각각 두 번이나 받았다. 1997년 입사해 19년 동안 D램 웨이퍼 테스트 업무를 해온 그는 2017년부터는 패키지 테스트 업무를 맡아 두 가지 분야에 통달한 전문가로 인정받는다. HE는 SK하이닉스 기술사무직군 내 엔지니어 중에서 최고의 경력과 전문성을 갖춘 이에게 부여되는 직책이다. 정년 없이 반도체 연구 개발에 매진해 본인의 역량을 지속 발휘할 수 있다. SK하이닉스는 사내 엔지니어를 대상으로 DE(Distinguished Engineer)와 HE라는 전문가 트랙을 운영하고 있다. 오랜 기간 쌓아온 전문 지식을 활용해 기술 개발 및 노하우 전수에 기여할 수 있는 우수 엔지니어를 먼저 DE로 선발하고, 그중에서도 최고의 역량과 전문성을 지닌 엔지니어를 HE로 선발해 오고 있다. 2023년 HE로 선정된 박철환 TL은 1996년 입사 후 D램 캐패시터(Capacitor) 연구에 매진해 왔다. D램에 데이터를 저장하려면 D램 내부의 캐패시터라는 곳에 일정량 이상의 전자(정전용량)가 담겨 있어야 하는데, 최근 공정 미세화로 캐패시터의 크기가 매우 작아져 이를 유지하기가 어려워졌다. 박 TL은 정전용량을 확보하고 전자가 빠져나가는 것을 막기 위한 연구 활동을 꾸준히 수행해 왔다. 그 결과 전자를 저장하는 능력(유전률)이 높은 High-K 소재의 캐패시터 유전막을 3개월 만에 제품화하는 데 성공하며 사내 SKMS 실천상을 수상하기도 했다. 또한 최근 3년 동안 개발 프로젝트 TF에서 유전막 개발을 주도하고 AI 메모리인 HBM3E 등의 캐패시터 특성을 개선하는 데 기여했다. 이와 같은 성과를 기반으로 박 TL은 2018년 DE로 선발된 데 이어 올해 최고의 엔지니어 전문가인 HE 직책을 부여받았다.

2023.12.21 11:13장경윤

SK하이닉스 "HBM4 본격 개발…내년 하반기 CXL 상용화"

SK하이닉스가 인공지능(AI)를 지원하는 차세대 메모리 고대역폭메모리(HBM), CXL(컴퓨트익스프레스링크), PIM(프로세싱 인 메모리) 시장에서 기술 선도를 이어갈 계획이다. 내년에 HBM4 개발을 본격화하고, 하반기에는 CXL 메모리를 상용한다는 목표다. HBM 1위, 기술 초격차로 경쟁 우위 지킨다 SK하이닉스는 21일 자사 뉴스룸를 통해 올해 HBM 경쟁 우위를 굳건히 지켰다고 자평하며 내년에도 경쟁우위는 지속된다고 자신감을 내비쳤다. 김왕수 SK하이닉스 GSM(Global Sales&Marketing) 팀장은 "내년에는 HBM3E의 양산·판매가 계획되어 있어, 자사의 시장 지배력이 다시 한번 극대화할 것"이라며 "후속 제품인 HBM4 개발도 본격화할 예정이기에 내년은 SK하이닉스의 HBM이 새로운 국면을 맞는 한 해가 될 것이다"고 말했다. 김 팀장은 이어 "AI 산업이 빠르게 성장하는 만큼 HBM 제품도 현재 AI 서버에 국한된 것을 뛰어넘어 AI와 관련된 모든 영역으로 확장하겠다"며 "이 시점에 자사의 HBM 제품은 AI 산업을 이끄는 매우 중요한 역할을 맡을 것"이라고 전망을 밝혔다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 내년부터 5세대(HBM3E) 양산을 앞두고 있다. SK하이닉스는 선행 기술을 도입해 성능 향상에도 앞장서고 있다고 밝혔다. 회사는 2013년 세계 최초로 TSV((Through Silicon Via) 기술로 D램 칩 사이사이에 수천 개의 데이터 이동 통로를 만들어 고용량, 고대역폭 HBM을 구현했다. 이후 MR-MUF(Mass Reflow-Molded UnderFill) 기술로 D램 칩을 쌓고 포장해 생산성을 높였다. 최근에는 어드밴스드 MR-MUF까지 개발해, 더 작은 크기로 고용량 패키지를 만들고 열방출 성능도 개선했다. 이 같은 기술력을 바탕으로 지난 8월 세계 최고 성능의 HBM3E 개발을 마치고 고객사에 샘플을 공급했다. 이 제품의 핀당 처리 속도는 초당 9.2Gb 이상이며, 데이터 처리량은 초당 1.15TB(테라바이트)에 달한다. 용량은 12단 HBM3와 같지만, 층수는 8단으로 더 적다. 12단 개발 시 더 많은 용량을 확보할 수 있는 셈이다. CXL 상용화 초읽기…AiMX 성능 높인다 SK하이닉스는 내년에 CXL 상용화에도 주력할 방침이다. CXL은 PCIe 기반으로 CPU, GPU, 가속기 등 여러 장치와 메모리를 연결하는 통합 인터페이스 기술이다. PCIe 기반의 CXL을 사용하면 모듈을 추가하는 방식으로 메모리 용량과 대역폭을 크게 늘릴 수 있다. CMS 2.0은 CXL 메모리에 연산 기능을 통합한 솔루션이다. SK하이닉스는 지난해 10월 CMS 2.0개발에 성공한 이후, 올해 기술을 고도화해 델 테크놀로지스 월드 2023, 슈퍼컴퓨팅 2023 등에서 성능을 시연했다. 최원하 SK하이닉스 GSM TL은 "96GB와 128GB 제품을 중심으로 내년 상반기에는 고객 인증을 마치고, 하반기에 상용화할 예정"이라며 "CXL 2.0 메모리 확장 솔루션을 적용한 고객은 DDR5만 탑재한 기존 시스템 대비 최대 50% 대역폭 향상을 기대할 수 있고, 용량 확장도 최대 50~100%까지 가능하다"고 설명했다. 아울러 SK하이닉스는 본격적인 AiMX 상용화를 위해 내년에 성능과 활용 범위를 더욱 높일 계획이다. PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더한 지능형 메모리 반도체다. AiMX는 GDDR6-AiM 여러 개를 연결해 성능을 높인 가속기 카드로, GPU 대신 AI 연산에 활용할 수 있다. 권용기 솔루션개발 팀장은 "SK하이닉스의 AiM은 AI 추론 분야에서의 핵심인 가격 경쟁력을 갖춘 유일한 AI 솔루션"이라며 "데이터센터부터 온디바이스(On-Device) AI를 탑재한 모바일까지 AI 추론 영역에서 폭넓게 활용될 전망이다"고 말했다. 이어 "수백 GB급 거대언어모델(LLM)에 대응하기 위해 고용량 AiMX 시제품을 내놓고, OPT 13B보다 더욱 큰 규모의 LLM을 시연하겠다"고 계획을 밝혔다.

2023.12.21 11:10이나리

美 마이크론, D램 덕에 호실적…"내년 HBM3E 투자 집중"

미국 주요 메모리업체 마이크론이 하반기 시장 예상을 상회하는 실적을 거뒀다. D램 의 출하량 및 가격이 동반 상승한 데 따른 효과로, 회사는 내년에도 HBM(D램 기반의 고대역폭메모리) 분야에 집중 투자할 계획이다. 20일(현지시간) 마이크론은 회계연도 2024년 1분기(2023년 9월~11월) 매출 47억2천600만 달러를 기록했다고 밝혔다. 해당 매출은 전분기 대비 18%, 전년동기 대비 16% 증가한 수치다. 증권가 전망치(45억5천만 달러)도 상회했다. 영업손실은 11억2800만 달러를 기록했으나, 전분기 대비 적자폭을 21%가량 줄였다. 사업별로는 D램의 비트 출하량이 전분기 대비 20% 초반대로 상승했다. 전년동기 대비로는 한 자릿 수 후반대 상승했다. 평균판매가격(ASP)는 전분기 대비 한 자릿 수 초반 증가했다. 낸드의 비트 출하량은 전분기 대비 한 자릿 수 중반 감소했으나, 전년동기 대비로는 10% 후반대로 상승했다. 특히 ASP는 전분기 대비 20%나 증가했다. 다음 분기(12월~2월)에 대한 실적 전망치로는 51억~55억달러(중간값 53억 달러), 주당순손실 0.38~0.52달러를 제시했다. 회계연도 2024년 설비투자(CAPEX)에는 총 75억~85억 달러를 투자할 계획이다. 전년 대비 소폭 증가한 수치로, 마이크론은 주로 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 양산에 집중할 것이라고 밝혔다.

2023.12.21 10:47장경윤

시총 2위 굳힌 SK하이닉스...내년 흑자전환 전망

SK하이닉스가 지난 14일부터 코스피 시가총액 100조원을 돌파하며 1년 9개월 만에 LG에너지솔루션을 제치고 시총 2위에 올랐다. SK하이닉스의 시가총액이 100조원을 넘은 것은 2021년 4월 이후 처음이다. 지난해 4분기부터 적자를 기록 중인 SK하이닉스는 내년에 흑자전환한다는 전망이 나온다. 한국거래소에 따르면 SK하이닉스 주가는 15일 고가 14만원으로 시총 약 102조원을 달성하고, 18일에도(오후 3시 기준) 14만원으로 시총 101조9천억원을 이어갔다. 전문가들은 SK하이닉스가 당분간 코스피 시총 2위 자리를 지킬 것이라고 전망한다. 반면 130조원까지 달했던 LG에너지솔루션은 최근 전기차 시장 둔화와 투자 지연으로 100조원(18일 장 마감기준 98조7천억원) 아래로 하락한 상황이다. 이 같은 추세는 메모리 업황이 내년에 회복된다는 전망과 함께 SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 시장에서 고대역폭메모리(HBM)을 주요 고객사에 공급하며 강세를 보이고 있기 때문이다. 지난주 국제 신용평가사 스탠더드앤드푸어스(S&P)는 SK하이닉스의 전망을 종전의 '부정적(Negative)'에서 '안정적(Stable)'으로 한 단계 상향한 것도 주가에 영향을 준 것으로 분석된다. ■ 'HBM 고맙다'…내년에도 HBM3E 공급하며 점유율 1위 전망 HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 내년부터 5세대(HBM3E) 양산을 앞두고 있다. SK하이닉스는 HBM3를 선제적으로 개발해 엔비디아에 독점 공급하고 있다. 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 90% 점유율로 사실상 독점하고 있다. SK하이닉스는 내년에 HBM 공급 물량이 더 늘어날 전망이다. 스탠더드앤드푸어스(S&P)는 SK하이닉스의 D램 매출 내 HBM 비중은 올해 약 10%~15%에서 내년에 약 30%로 늘어날 것으로 추정했다. 최근 업계에 따르면 SK하이닉스는 AMD가 내년 상반기에 출시하는 'MI300' GPU에도 삼성전자와 함께 HBM3 수주를 확정 지었다. 그 밖에 SK하이닉스는 AWS 등에도 HBM을 공급하는 것으로 알려져 있다. 또 내년 상반기와 하반기에 엔비디아가 업계 최초로 HBM3E를 탑재한 H200과 B100 GPU 출시를 앞둔 가운데, SK하이닉스를 비롯해 삼성전자, 마이크론은 수주를 위한 샘플 공급을 올해 하반기에 순차적으로 진행했다. 업계에서는 HBM3 공급 이력이 있는 SK하이닉스가 HBM3E 수주에서도 유리할 것으로 내다보고 있다. 18일 김동원 KB증권 연구원은 “내년 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM 생산능력을 올해보다 2.5배 증설해도 북미 클라우드(CSP) 업체들의 서버 증설과 AI 서비스 확대, 52주를 넘어선 GPU 대기 수요 등을 감안하면 HBM 공급부족은 적어도 2025년까지 지속되고, 2026년에도 HBM 공급량은 충분치 않을 것으로 추정된다”고 말했다. 이어 “2027년까지 HBM 비트 수요 증가율은 연평균 70% 증가로 D램 증가율(+20%)을 +3.5배 상회할 전망이다”고 덧붙였다. 또 SK하이닉스는 고부가 메모리의 독점 공급구조 확보로 인해 HBM과 RDIMM(고용량 서버 모듈)의 판가(ASP)는 경쟁사 대비 두 자릿수 이상의 프리미엄을 당분간 유지할 것으로 예상된다"고 말했다. ■ 메모리 업황 회복 기대…내년 흑자전환 전망 지난해 하반기부터 침체기를 겪었던 메모리 시장은 내년에 소폭 성장해 회복세에 들어선다는 전망이 나온다. 이에 SK하이닉스의 내년 실적에 대한 기대감도 커지고 있다. 세계반도체시장통계기구(WSTS)는 지난달 28일 보고서에서 내년 반도체 시장 규모가 올해보다 11.8% 성장한 5천883억 달러(약 762억 달러)가 예상된다고 밝혔다. 그중 메모리 부문은 올해 대비 40% 이상 증가한 1천200억 달러(약 168조원)를 기록해 2022년 수준으로 회복될 전망이다. 스탠더드앤드푸어스(S&P)는 고부가 제품의 판매량 증가 및 글로벌 D램 업황 개선으로 SK하이닉스의 상각 전 영업이익(EBITDA)이 올해 약 6조원에서 내년에 약 21조원으로 늘어날 것으로 추정했다. 또 연간 영업현금흐름은 올해 약 4조원에서 내년 약 16조원으로 증가하고, 영업이익은 올해 약 8조원에 달하는 손실을 기록했지만, 내년에는 7조원 수준의 흑자를 낼 것으로 전망했다. 또 증권가에서는 메모리 업황 회복에 따라 SK하이닉스의 우시 공장 가동률은 3분기 말 70% 수준에서 연말 75~80%로 상승하고, 이천 M16 공장에 월 20만장 수준의 신규 장비 투자가 집행될 것으로 예상한다. 증권가 컨센서스에 따르면 SK하이닉스 4분기 실적은 매출 10조3천억원으로 5개 분기 만에 10조원대로 회복될 전망이다. 4분기 영업손실은 2천703억원으로 올해 3개 분기(1분기 3.4조원, 2분기 2.8조원, 3분기 1.7조원) 보다 대폭 축소될 것으로 내다봤다. 내년 SK하이닉스 연간 매출은 46조4천억원으로 올해 전망치(44조6천억원) 보다 증가하고, 영업이익은 9조6천억원으로 흑자전환이 예상된다. 박유악 키움증권 연구원은 “매크로 불확실성이 여전하고, 메모리 업사이클 과정에서 '공급 업체들의 가동률 상승'을 소화해야 하는 부담이 상존하기는 하지만, 현시점에서는 지난 2년여간 괴롭혀왔던 업계 내 재고부담이 완화되고 있다는 점에 주목해야 한다”고 진단했다.

2023.12.18 16:21이나리

S&P, SK하이닉스 신용등급 '안정적' 상향…"AI 반도체로 실적 개선"

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리), DDR5 등 고부가 D램을 중심으로 내년 수익성을 빠르게 개선할 수 있을 것으로 전망된다. 14일 국제 신용평가사 스탠더드앤드푸어스(S&P)는 SK하이닉스의 기업신용등급을 'BBB-'로 유지했고, 등급 전망을 당초 '부정적'에서 '안정적'으로 한 단계 상향했다고 밝혔다. S&P가 이번에 SK하이닉스의 등급 전망을 상향한 가장 주된 이유는 AI(인공지능) 반도체다. 현재 SK하이닉스는 AI 산업에 필수적으로 활용되는 HBM 분야에서 두각을 드러내고 있다. S&P는 "SK하이닉스가 급성장하는 생성형 AI 메모리 반도체 시장에서 향후 6~18개월 동안 추가적인 실적개선을 시현할 것"이라며 "경쟁사 대비 선도적인 입지, 생산량을 확보하고 있다"고 평가했다. SK하이닉스의 D램 내 HBM 매출 비중에 대해서는 2023년 10~15%에서 2024년 30%로 급증할 것으로 내다봤다. 현재 SK하이닉스는 주요 AI 반도체 팹리스인 엔비디아에 최신형 HBM 제품을 공급하고 있다. DDR5 등 고부가 D램의 매출 증대 및 시황 회복도 긍정적인 요소다. 덕분에 SK하이닉스의 EBITDA(이자, 세금, 감가상각비, 무형자산상각비 차감 전 이익)는 2023년 6조원에서 2024년 21조 원으로 크게 늘어날 것으로 추정된다. 같은 기간 EBITDA 마진도 18%에서 42%로 개선될 것으로 예상된다. S&P는 "HBM 생산능력 확대로 SK하이닉스의 설비투자 규모가 2023년 8조원에서 2024년 14조 원으로 늘어날 것"이라며 "그럼에도 불구하고 예상보다 빠른 수익성 개선에 힘입어 2024년 잉여영업현금흐름은 흑자 전환될 것으로 추정한다"고 밝혔다. 다만 D램 대비 업황이 좋지 않은 낸드 사업은 여전히 위기 요소로 꼽힌다. SK하이닉스의 낸드 사업은 올해 연간 기준 적자를 기록할 것으로 전망되며, 경기 둔화에 따른 소비수요 악화가 낸드 회복세를 저해할 가능성도 있다. 한편 S&P는 삼성전자의 기업신용등급을 AA, 등급 전망을 안정적으로 평가하고 있다. 마이크론은 BBB, 안정적이다.

2023.12.15 08:20장경윤

SK하이닉스, AI-HBM 인재 선점 나섰다...경력 채용 기준 완화

SK하이닉스가 회사의 핵심 사업인 AI(인공지능) 메모리 강화를 위한 변화에 나섰다. 최근 시행한 경력사원 채용 기준을 기존 5년에서 2년으로 낮춰, 채용의 기회를 대폭 확대하기로 했다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 2023 경력사원 채용 공고를 내고 이천캠퍼스에 근무할 인력을 모집하고 있다. SK하이닉스는 이번 경력사원 채용 공고를 통해 이천캠퍼스 내 D램 및 HBM(고대역폭메모리) 개발 인력을 모집할 예정이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리로, AI 산업의 필수 요소로 꼽힌다. 세부적인 채용 분야는 D램 및 HBM의 회로, 인터페이스, 모듈 설계 등을 담당하는 D램 설계와, HBM 등에 필요한 첨단 패키징 기술을 개발하는 패키지 개발 등으로 나뉜다. 특히 SK하이닉스는 이번 경력사원 채용 기준을 기존 5년 이상에서 2년 이상으로 낮췄다. 기존 5년 미만 경력자 채용은 2021년부터 시행된 '주니어 탤런트' 전형을 통해 진행해 왔다. SK하이닉스 관계자는 "이번 경력사원 채용에서 기준을 반도체 관련 경력 2년 이상 보유자로 완화했다"며 "경력을 인정해주는 범위를 넓히면서 인재 확보에 더 적극적으로 나설 계획"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 이번 경력 채용을 통해 회사의 핵심 사업인 AI 메모리 기술력을 강화할 것으로 관측된다. 앞서 SK하이닉스는 지난 7일 조직개편을 통해 'AI 인프라' 조직을 신설한 바 있다. AI 인프라 조직은 HBM 등 AI 메모리 기술 및 인프라를 강화하고자 만들어진 조직이다. 해당 조직에는 지금까지 부문별로 흩어져 있던 HBM 관련 역량과 기능을 결집한 'HBM 비즈니스'가 신설되고, 기존 'GSM(글로벌 세일즈 & 마케팅)' 조직도 함께 편제된다. AI 인프라 담당에는 GSM 김주선(57세) 담당이 사장으로 승진해 선임됐다.

2023.12.08 10:35장경윤

11월 D램·낸드 가격 나란히 인상…"내년도 상승 지속될 것"

30일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 11월 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월 대비 3.33% 증가한 1.55달러로 집계됐다. 앞서 D램 가격은 지난 2021년 7월 최고점을 기록한 뒤 줄곧 하락세를 겪어 왔다. 그러다 지난달 약 2년 4개월간의 하락세를 멈추고 반등을 시작한 바 있다. 디렘익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "그간의 가격 하락, 최신형 CPU 출시 등으로 PC 제조업체들이 DDR5 수급을 확대하기로 했다"며 "공급업체 중에서는 SK하이닉스가 가격 인상을 주도했다"고 설명했다. 또한 트렌드포스는 PC 제조업체들의 재고 확보 노력이 지속됨에 따라 내년 1분기에도 가격 상승세가 지속될 것으로 내다봤다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC) 11월 고정거래가격이 4.09달러로 전월 대비 5.41% 증가했다. 트렌드포스는 "중국 통신업체들을 제외한 나머지 고객사의 수요가 여전히 부진해 가격도 소폭 상승에 머물렀다"며 "다만 공급업체가 생산량을 조절하는 경우 낸드 가격은 내년 상반기 내내 계속 상승할 수 있다"고 밝혔다.

2023.11.30 19:04장경윤

삼성 갤럭시S24에 'LLW D램' 첫 탑재 전망...전력효율 70%↑

삼성전자가 갤럭시S24에 '온디바이스 AI'를 지원하기 위해 혁신 메모리 LLW(Low Latency Wide I/O) D램을 처음으로 탑재할 전망이다. 갤럭시S24는 내년 1분기에 출시되는 플래그십 스마트폰이다. 삼성전자는 내년에 LLW D램 양산을 앞두고 있다. 삼성전자 반도체는 30일(한국시간 기준) 자사의 SNS 'X(전, 트위터)'에 LLW D램을 소개하는 44초 광고 영상을 게시했다. 삼성전자가 LLW D램을 소개하는 게시물을 올린 것은 이번이 처음이다. 올해 1월 삼성전자는 반도체 기술 블로그 '테크데이'에서 LLW D램을 개발 중이라고 처음으로 발표했다. 지난 10월에는 미국 실리콘밸리에서 개최한 '메모리 테크 데이' 컨퍼런스에서 LLW D램을 간략하게 설명한 바 있다. LLW(Low Latency Wide I/O) D램은 온디바이스 AI(On-Device AI)에 특화된 D램이다. LLW D램은 입출력단자(I/O)를 늘려 기존 모바일용 D램 대비 데이터 처리 용량(대역폭)을 높인 기술로, 프로세서에 가깝게 배치하면 일반 D램 대비 전력 효율이 70% 정도 향상될 수 있다. 삼성전자가 이날 공개한 영상에서는 LLW D램은 기존 D램을 완전히 배치하는 것이 아니라 CPU와 함께 작동한다는 것을 시사한다. 또 LLW D램을 확장현실(XR), 스마트폰, 게이밍, PC 등에 적용한다는 계획을 밝혔다. 삼성전자가 LLW D램을 정확히 언제 사용할지 여부는 불분명하지만, 현재로서는 갤럭시S24에 첫 탑재할 가능성이 높아 보인다. 삼성전자는 지난 10월 3분기 실적발표 컨콜에서 내년부터 갤럭시 스마트폰에 생성형AI을 접목한 '온디바이스 AI' 기술을 적용한다는 계획을 공식적으로 밝힌 바 있다. 이달 초에는 향후 갤럭시에 온디바이스 AI 기술 기반으로 '실시간 통역 통화' 기능을 지원한다는 계획을 알렸다. 또 이달 말에는 유럽연합 지식재산청(EUIPO)과 영국 지식재산청(IPO)에 'AI 스마트폰'과 'AI 폰'에 대한 상표 등록 절차를 마쳤다. 한편 업계에 따르면 삼성전자는 내년 1월 17일 미국 산호세에서 '갤럭시 언팩'을 개최하고 갤럭시S24 시리즈를 발표할 것으로 전망된다.

2023.11.30 10:59이나리

中 CXMT, '자국 최초' LPDDR5 상용화…메모리 맹추격

중국 메모리 업체 CXMT(창신메모리)가 저전력 D램의 세대를 한 단계 높였다. 중국이 해당 제품을 상용화한 사례는 이번이 처음으로, 중국 메모리 기술력이 꾸준히 성장하고 있다는 평가가 나온다. 28일 CXMT는 자사 공식 홈페이지를 통해 LPDDR5 D램을 출시했다고 밝혔다. DDR은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 제정한 D램 규격이다. 스마트폰·태블릿 등 전력효율성이 중요한 IT기기용으로 설계되는 경우, 앞에 LP(Low Power)를 붙여 LPDDR이라고 칭한다. 회사 설명에 따르면 CXMT의 LPDDR5는 이전 세대(LPDDR4X) 대비 성능은 50% 향상됐으며, 전력 소모량은 30% 감소했다. 또한 실시간 오류 수정 기능으로 제품 안정성을 높였다. 또한 샤오미, 트랜션 등 현지 주요 스마트폰 제조업체에서 검증을 마쳤다. CXMT는 "중급 및 고급형 모바일 기기를 위해 LPDDR5를 출시했다"며 "해당 제품의 상용화를 통해 CXMT의 D램 제품군이 더욱 개선될 것"이라고 밝혔다. CXMT는 중국 내에서 가장 기술력이 높다고 평가받는 D램 업체지만, 지금까지 LPDDR5의 이전 세대인 LPDDR4X 생산에 머물러 왔다. 그러나 이번 제품 개발로 세대를 한 단계 높이게 됐다. 물론 CXMT의 LPDDR5는 국내 주요 메모리 업체들과 비교하면 여전히 기능이나 속도면에서 부족한 상황이다. 현재 삼성전자·SK하이닉스는 LPDDR5의 다음 세대인 LPDDR5X를 생산하고 있으며, 속도 및 용량 측면에서 모두 CXMT를 크게 앞선다.

2023.11.29 08:58장경윤

한미반도체, HBM용 하이퍼 모델 'TC 본더 그리핀' 첫 장비 출고

한미반도체는 HBM(고대역폭메모리) 필수 공정 장비인 3세대 하이퍼 모델 '듀얼 TC 본더 그리핀'의 글로벌 반도체 기업 납품을 위해 첫 장비를 출고했다고 28일 밝혔다. 듀얼 TC 본더 그리핀은 최신 기술이 적용된 3세대 하이퍼 모델로, TSV 공법으로 제작된 반도체 칩을 웨이퍼에 적층하는 본딩 장비다. 곽동신 한미반도체 부회장은 "HBM 생산을 위한 반도체 칩 적층(stacking)의 생산성과 정밀도가 크게 향상됐다"며 "향후 듀얼 TC 본더는 하이퍼 모델인 그리핀과 프리미엄 모델인 드래곤이 고객의 니즈와 사양에 맞춰 판매되며 내년 매출에 크게 기여하는 주력 장비가 될 것으로 예상하고 있다”고 강조했다. 최근 곽동신 부회장은 2024년 4천500억원, 2025년 연매출 6천500억원의 연매출 전망을 발표한 바 있다. 기존 엔비디아, AMD에 이어 인텔, 구글, 아마존 등도 서버용 AI 반도체를 위한 HBM 수요를 늘리고 있고, 이에 따라 글로벌 반도체 제조사들도 패키징 라인을 증설하는 등 생산량 확대를 기획하고 있기 때문이다. 한편 한미반도체는 지난 13일 "2023회계년도에 주당 420원, 총 약 407억원의 창사 최대 배당 규모를 공표하며 앞으로도 주주친화적인 배당성향을 계속 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2023.11.28 13:37장경윤

삼성, 'HBM' 투자 활기…예스티 장비 123억원 규모 발주

삼성전자가 차세대 메모리로 각광받는 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 열을 올리고 있다. 반도체 장비업체인 예스티는 HBM용 가압장비를 123억원 규모로 삼성전자에 공급한다고 27일 공시를 통해 밝혔다. 예스티는 HBM의 언더필 공정을 위한 차세대 웨이퍼 가압장비를 개발해 왔다. 언더필 공정은 D램 사이에 절연수지를 넣어 칩을 고정하고 외부 오염으로부터 보호하는 기술로, 가압장비를 통해 절연수지를 빈틈없이 고르게 굳히는 과정을 거친다. 예스티는 해당 장비를 삼성전자의 천안 패키징 라인에 공급할 것으로 알려졌다. 계약 종료 기간은 내년 7월 30일까지다. 앞서 삼성전자는 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "내년 HBM 공급량을 업계 최고 수준 유지하는 차원에서 올해 대비 2.5배 이상 확보할 계획"이라고 밝힌 바 있다. HBM 생산능력 확장은 천안캠퍼스에서 이뤄진다. 삼성전자는 삼성디스플레이의 LCD 생산라인 일부 공간을 임대해 패키징 라인으로 활용해 왔다. 이달 3일에는 HBM 생산능력 확대를 위해 삼성디스플레이 천안사업장 내 부지를 약 105억원에 매입하는 계약을 체결하기도 했다.

2023.11.27 16:56장경윤

SK하이닉스, D램 점유율 역대 '최고'…삼성과 거리 좁혀

올 3분기 D램 시장이 전반적인 회복세를 기록했다. 특히 SK하이닉스는 경쟁사 대비 매출이 큰 폭으로 상승하면서, 1위 삼성전자와의 격차를 좁힌 것으로 나타났다. 27일 시장조사업체 옴디아에 따르면 전 세계 D램 매출액은 지난 3분기 132억4천만 달러로 전분기 대비 19.2% 증가했다. 업체별 매출은 삼성전자가 52억 달러로 전분기 대비 17.1%가량 증가했다. 시장 점유율은 39.4%로 1위를 유지했다. 다만 전분기(40.0%) 대비로는 소폭 감소한 수치다. SK하이닉스는 46억3천만 달러로 전분기 대비 약 34.5% 증가했다. 시장점유율은 35.0%로 전분기(31.0%) 대비 4%p나 급등했다. 덕분에 SK하이닉스는 사상 최대 D램 시장 점유율을 기록하게 됐다. 이번 SK하이닉스의 호실적은 메모리 시장이 본격적인 회복세에 접어드는 상황에서 DDR5, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 판매가 늘어난 데 따른 영향으로 풀이된다. SK하이닉스는 3분기 컨퍼런스콜에서 "DDR5, HBM에 대한 계속된 수요 강세로 서버향 제품 판매가 크게 증가했다"며 "출하량은 전분기 대비 20% 수준으로 증가했고, ASP(평균판매가격)도 10%가량 상승했다"고 밝힌 바 있다.

2023.11.27 09:44장경윤

SK하이닉스, '슈퍼컴퓨팅 2023'서 AI·HPC 솔루션 대거 공개

SK하이닉스는 지난 12일부터 17일까지 미국 콜로라도주 덴버에서 열린 '슈퍼컴퓨팅 2023(SC23)'에서 인공지능(AI) 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 솔루션을 대거 선보였다고 20일 밝혔다. 미국 컴퓨터 학회(ACM)와 IEEE 컴퓨터 학회가 1988년부터 연례행사로 열고 있는 슈퍼컴퓨팅 콘퍼런스는 HPC, 네트워킹, 스토리지 그리고 데이터 분석 분야의 최신 기술을 공유하는 자리다. SK하이닉스는 올해 처음으로 SC23에 참가해 제품 시연과 함께 다양한 주제로 발표를 진행했다. SK하이닉스 부스에는 AI 메모리 기술 리더십을 공고히 하기 위한 다양한 차세대 제품이 전시됐다. 특히, AI와 HPC에 특화된 HBM3E(5세대 HBM)는 속도와 용량, 방열성, 전력 효율 등에서 업계 최고 수준을 구현한 솔루션으로 많은 관심을 받았다. 특히 HBM3E는 SK하이닉스의 HBM3가 적용된 AI용 고성능 그래픽처리장치(GPU)인 엔비디아 H100과 함께 전시됐다. 아울러 SK하이닉스는 생성형 AI 가속기인 AiMX도 시연했다. AiMX는 대규모 언어모델(LLM) 구현에 특화된 제품으로 프로세싱-인-메모리(PIM) 기반 GDDR6-AiM 칩을 탑재했다. 이 제품은 기존 GPU 중심의 생성형 AI 시스템보다 AI 데이터 추론 시간을 대폭 단축하는 동시에 더 낮은 전력으로 구동 가능하다는 장점이 있다. SK하이닉스의 CXL(Compute Express Link) 역시 큰 관심을 받았다. CXL은 PCIe를 기반으로 표준화된 인터페이스다. 유연한 메모리 확장 기능을 통해 AI와 데이터 분석 등에 활용되는 HPC 시스템의 효율성을 극대화할 수 있다. 특히 이번 SC23에서 공개한 '나이아가라(Niagara): CXL 분리형 메모리 솔루션' 플랫폼 시제품은 AI와 빅데이터 분산처리 시스템에서 높은 수준의 성능 향상을 기대할 수 있는 풀드 메모리 솔루션으로 호응을 얻었다. 풀드 메모리 솔루션은 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들어 여러 호스트가 효과적으로 용량을 나누어 사용할 수 있도록 해 전력 효율성을 높이는 기술이다. 회사는 CXL 기반 CMS(Computational Memory Solution)도 선보였다. CMS는 미국 로스앨러모스 국립연구소(LANL)와 협업해 개발된 솔루션으로, HPC 물리 서버에 활용되는 응용 프로그램의 성능을 개선하고 에너지 사용량을 줄여준다. 또한 이 솔루션은 간접 메모리 접근을 가속화하는 동시에 데이터 이동을 크게 줄일 수 있는 기능을 갖추고 있다. 또, SK하이닉스는 이번 행사에서 DDR5 RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)을 포함해 다양한 데이터센터 솔루션도 선보였다. DDR5 RDIMM은 5세대 10nm(나노미터) 공정 기술인 1b를 적용한 제품으로 업계 최고 수준인 초당 6,400Mb(메가비트)의 전송 속도를 지원한다. 이와 함께 최대 초당 8천800Mb의 데이터 처리 속도를 구현한 MRDIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module)도 함께 전시되며 관심을 받았다. 마지막으로 최신 기업용 SSD(eSSD) 제품인 PCIe Gen5 기반 PS1010 E3.S와 PS1030 등의 제품도 만나볼 수 있었다. 이중 PS1030은 빅데이터와 머신러닝 등에 특화된 제품으로 초당 1만4천800MB(메가바이트)의 순차 읽기 속도가 구현되며 이는 업계 최고 속도다.

2023.11.20 11:14장경윤

中 화웨이, 스마트폰 부품 '90%'가 중국산

중국 화웨이가 스마트폰에 장착한 부품의 대부분을 중국산으로 대체한 것으로 나타났다. 14일 대만 리서치회사 트렌드포스에 따르면 화웨이의 신규 스마트폰에 쓰인 부품의 90%가 중국산으로 채워진 가운데 SK하이닉스의 D램 등 일부 부품에만 외산이 쓰인 것으로 나타났다. 미국 제재 이전까지만해도 화웨이의 해외 부품 의존도는 매우 높았다. RF 안테나, 베이스밴드, 메모리, 센서 등 여러 부품을 해외에서 공급받아왔다. 하지만 미국 제재가 본격화하면서 과거 3년 간 중국 공급업체를 확대하기 시작했고 공급망도 발전시켰다. 미국 제재 이후 화웨이의 부품 공급업체를 정리한 트렌드포스 보고서에 따르면 디스플레이 모듈은 BOE와 비전옥스, 커버글래스는 렌즈테크놀로지, 창신커지, RF 안테나는 썬웨이커뮤니케이션, RF 부품은 맥센드·밴칩·스마터마이크로, 위성 통신 부품은 화크리에이트와 마이크로웨이브시그널, SoC 칩은 SMIC, 카메라 모듈은 옴니비전·오필름 등에서 공급받았다. 앞서 일본 닛케이와 시장조사업체 포말하우트테크노솔루션의 '메이트 60 프로' 분해 결과에 따르면, 이 폰에 탑재된 중국산 부품 가치가 47%를 차지했으며 같은 가격의 메이트 40 보다 18%P 높은 수치였다.

2023.11.15 08:22유효정

中 YMTC, 美 마이크론 '3D 낸드' 관련 특허 침해 소송

중국 주요 메모리 제조업체 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)가 미국 경쟁사인 마이크론을 특허 침해 혐의로 고소했다고 로이터통신 등 외신들이 13일 보도했다. YMTC는 지난 9일 마이크론과 마이크론 소비자제품 그룹이 자사 특허권 8개를 침해했다면서 미국 캘리포니아 북부지방법원에 제소했다. YMTC는 로이터통신에 "마이크론이 3D 낸드 관련 디자인, 제조 및 기술 관련 특허를 침해한 것으로 확인된다"며 "이 문제가 신속히 해결될 것으로 확신한다"고 밝혔다. 낸드는 단수를 수직으로 더 많이 쌓는 방식으로 진화해왔다. 현재 삼성전자가 236단, SK하이닉스가 238단을 각각 최신 제품으로 상용화했다. YMTC는 올해 중순부터 232단 낸드를 상용화하면서, 국내 기업들에 필적할 기술력을 갖췄다는 평가를 받고 있다. 반면 마이크론은 중국발 리스크에 거듭 발목이 잡히고 있다. 중국 정부는 지난 5월 국기 안보상의 이유로 마이크론 제품의 중국 내 판매를 금지하는 명령을 내렸다. 이어 이번 YMTC의 특허 침해 소송으로 낸드 사업에 대한 견제를 받게 됐다.

2023.11.13 17:35장경윤

풀HD 영화 15편 1초에 처리...SKH 'LPDDR5T' D램 첫 상용화

SK하이닉스가 초당 9.6Gb(기가비트)의 데이터를 전송할 수 있는 현존 최고속 모바일용 D램인 'LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)'의 16GB(기가바이트) 패키지를 고객사에 공급하기 시작했다고 13일 밝혔다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격이다. 일반 D램 대비 저전압 동작 특성에 집중돼 있다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로, LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전이다. 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 높인 제품이다. SK하이닉스는 지난 1월 LPDDR5T 개발에 성공한 직후부터 글로벌 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 기업들과 성능 검증을 진행하며 제품 상용화를 준비해 왔다. SK하이닉스는 "역대 최고 속도가 구현된 LPDDR5T는 스마트폰의 성능을 극대화할 수 있는 최적의 메모리"라며 "당사는 앞으로 이 제품 활용 범위를 넓히면서 모바일 D램의 세대 교체를 이끌겠다"고 강조했다. LPDDR5T 16GB 패키지는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다. 또, 이 패키지의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. 최근 회사는 이 제품을 글로벌 스마트폰 제조사인 비보(vivo)에 납품하기 시작했다. 비보는 자사 최신 플래그십(Flagship) 스마트폰인 'X100'과 'X100 프로(Pro)'에 SK하이닉스의 최신 메모리 패키지를 탑재해 출시한다고 같은 날 발표했다. 이 스마트폰에는 LPDDR5T와 함께 미디어텍(MediaTek)의 최상위 모바일 AP 제품인 '디멘시티(Dimensity) 9300'이 탑재됐다. 앞서 SK하이닉스는 지난 8월 LPDDR5T를 미디어텍의 모바일 AP에 적용해 진행한 성능 검증을 성공적으로 완료했다고 발표한 바 있다. 박명수 SK하이닉스 부사장(DRAM마케팅담당)은 “AI 시대가 본격화되면서 스마트폰은 온디바이스 AI 기술이 구현되는 필수 기기로 부상하고 있다”며 “이에 따라 모바일 시장에서 고성능, 고용량 모바일 D램에 대한 수요가 늘고 있다”고 말했다. 박 부사장은 이어 “당사는 시장 수요를 잘 맞춰가는 한편, AI 메모리에서 확보한 기술 리더십을 바탕으로 프리미엄 D램 시장을 지속적으로 선도해 갈 것”이라고 덧붙였다.

2023.11.13 10:48장경윤

곽노정 SK하이닉스 사장 "제2, 제3의 HBM 될 차세대 제품 개발 노력"

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 2일 서울 성북구 고려대학교 서울캠퍼스에서 '메모리 반도체의 비전과 인재 육성'이라는 주제로 특별강연을 진행했다. 이날 곽 사장은 "고객별로 다양해지는 요구를 만족시킬 수 있는 SK하이닉스만의 '시그니처 메모리'를 만들어 갈 것"이라며 "이처럼 기존과는 차별화된 기술을 이루어내는 주체는 결국 사람이기 때문에, 회사는 인재 육성을 최우선 과제로 보고 꾸준히 힘을 쏟겠다"고 강조했다. 그간 메모리 반도체는 범용 제품으로서 더 작게, 높게 쌓는 형식의 경쟁이 주류를 이뤄 왔다. 그러나 AI 시대의 고객사 요구가 점차 다양화되면서, 메모리에 요구되는 성능 역시 다변화되기 시작했다. 이에 SK하이닉스는 고객사별 다양한 요구를 만족시키고자 시그니처 메모리라는 개념을 강조하고 있다. 곽 사장은 "HBM(고대역폭메모리) 처럼 SK하이닉스가 시장을 선도하고 있는 AI 분야의 시그니처 메모리 경쟁력을 더욱 강화해나갈 것"이라며 "제2, 제3의 HBM이 될 수 있는 PIM(프로세싱 인 메모리), CXL 기반 이머징 메모리 개발에도 많은 노력을 기울이고 있다"고 밝혔다. 이날 행사에서는 SK하이닉스가 구상 중인 D램, 낸드의 기술 개발 로드맵도 소개됐다. 곽 사장은 "D램의 경우 공정 미세화와 함께, 셀(Cell)을 낸드처럼 수직으로 쌓는 3D D램 기술을 준비 중"이라며 "낸드는 500단 이후가 어려운 도전이 될 것으로 보여, 고적층 기술과 함께 웨이퍼 본딩 기술 개발을 병행하고 있다"고 설명했다.

2023.11.02 22:25장경윤

삼성·SK하이닉스, 차세대 HBM 진검승부…"내년 주문 완판"

삼성전자와 SK하이닉스가 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "고대역폭메모리(HBM)의 내년 물량이 모두 주문완료(솔드아웃, sould out) 됐다"고 나란히 밝히면서 차세대 고부가 메모리 시장을 놓고 진검승부에 나섰다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 최근 생성형 AI, 빅데이터 산업의 발전에 따라 HBM은 수요가 빠르게 증가하고 있다. 고부가가치 제품인 HBM은 일반 D램 보다 가격이 2~3배 비싸다. 이는 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM 기술 개발과 동시에 생산능력(CAPA) 확대에 힘을 쏟는 이유다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 글로벌 HBM 시장점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를, 2위는 삼성전자(40%), 3위는 마이크론(10%)이 차지했다. 내년에는 SK하이닉스와 삼성전자의 점유율이 47~49%로 엇비슷해지고 마이크론이 3~5%를 기록할 전망이다. SK하이닉스 "내년 HBM3, HBM3E 모두 주문 완료…내후년 물량 논의 중" SK하이닉스는 HBM 시장에서 선도적으로 뛰어들면서 엔비디아, AMD 등 고객사로부터 높은 신뢰를 쌓아오고 있다. 이에 힘입어 SK하이닉스는 내년에도 경쟁사보다 더 다양한 고객사를 확보했다는 점을 강조하며 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스는 지난달 26일 컨콜에서 "내년도 HBM3와 HBM3E 생산량(CAPA)이 모두 솔드아웃(완판)됐고 추가 고객 추가 문의도 들어오고 있는 상황"이라며 "내년을 포함해 중기적으로도 다양한 AI 플레이어들, 잠재고객, 프라이머 벤더(핵심 공급사) 등과 비즈니스 영역 확대를 논의하고 있다"고 말했다. 또 "대다수 고객사와 2024년뿐 아니라 2025년도 기술 협업 및 캐파 논의를 하는 상황"이라고 덧붙였다. SK하이닉스는 2013년 1세대 HBM을 세계 최초로 개발한 데 이어 2021년 4세대 HBM 제품인 HBM3를 세계 최초로 개발했다. 지난 4월에는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직으로 적층한 24기가바이트(GB) HBM3 신제품을 개발하는 데 성공했다. 또한 올해 8월부터 고객사에 5세대 제품인 HBM3E 샘플을 공급하고 있으며, 내년에 양산에 돌입할 계획이다. 2026년에는 6세대 제품인 HBM4를 내놓을 계획이다. SK하이닉스는 AI 서버 시장이 향후 5년간 40% 이상 꾸준히 증가하고, 이에 따라 HBM 시장은 5년간 60~80% 증가할 것으로 전망했다. 또 SK하이닉스는 "내년 글로벌 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 최소 10% 중후반이 예상되며, 당사 비중은 그것보다 훨씬 클 것"이라고 밝혔다. 실제로 지난 7월 SK하이닉스는 2분기 실적발표에서 "전체 D램 매출에서 HBM 비중이 20% 수준으로 높아진 상황이다"고 언급한 바 있다. 삼성전자 "내년 HBM 공급 2.5배 늘린다" 삼성전자는 HBM 시장에서 SK하이닉스보다 제품 출시는 조금 늦었지만, 기술력과 생산량 확대를 통해 내년부터 본격적으로 점유율을 늘리겠다는 목표를 내걸었다. 김재준 삼성전자 부사장은 지난달 31일 3분기 컨콜에서 "내년 HBM 공급을 올해 대비 2.5배 이상 확보할 계획이고, 이미 해당 물량에 대해 주요 고객사들과 내년 공급 협의를 완료한 상태"라며 "HBM3는 내년 상반기 회사 전체 HBM 판매 물량의 과반 이상을 넘어설 것으로 예상된다"고 말했다. 지난 8월 2분기 컨콜 당시 삼성전자는 내년 HBM 공급 물량을 올해보다 2배 이상 늘리겠다고 밝혔는데, 수요 강세에 따라 2.5배 확대하기로 전략을 수정했다. 삼성전자는 충남 천안사업장의 HBM 생산 능력을 내년 말까지 확대할 계획이다. 삼성전자는 2016년 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2 상용화를 시작으로 HBM2E, HBM3를 양산하고 있다. 올 하반기에는 업계 최고 수준 성능인 9.8Gbps로 HBM3E(샤인볼트)를 개발해 24GB(기가바이트) 샘플을 공급하고 있다. HBM3E 36GB 초고용량 제품은 내년 1분기에 샘플을 고객사에 공급하고, 내년 하반기에 대량 양산체제를 구축할 계획이다. 삼성전자는 또 2025년 6세대 HBM4 샘플 공급을 목표로 하고 있다. 삼성은 메모리와 파운드리, 패키지 기술을 모두 보유한 강점을 살려 HBM4에 고온 열특성에 최적화된 NCF(비전도성접착필름) 조립 기술과 HCB(하이브리드 본딩) 기술을 적용해 경쟁사와 차별화를 둔다는 전략이다. 한편 후발주자인 미국 마이크론도 HBM 시장에서 도전장을 내밀었다. 마이크론은 HBM3를 건너뛰고, 내년에 SK하이닉스, 삼성전자와 비슷한 일정으로 HBM3E를 양산하겠다고 밝혔다. 마이크론은 지난달 4일 3분기 컨콜에서 "내년 실적에서 HBM은 7억 달러(9천509억 원) 매출을 달성할 수 있을 것"이라며 "HBM 시장에서 점차 점유율을 높일 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

2023.11.02 09:14이나리

삼성·SK, 선단 공정 전환으로 메모리 회복세 '부채질'

오랜 시간 침체기를 겪어 온 메모리 시장이 올 하반기에 마침내 회복될 조짐을 보이기 시작했다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체도 고부가 제품의 비중을 적극 확대하는 등, 수익성 개선을 위한 움직임에 나서고 있다. 1일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 내년 메모리 사업에서 선단 제품 중심의 공정 전환에 집중할 계획이다. 메모리반도체 시장은 거시경제 악화 등으로 지난해 하반기부터 침체기를 겪기 시작했다. 이에 삼성전자 DS부문은 올해 1분기부터, SK하이닉스는 지난해 4분기부터 적자 전환했다. 이후 두 회사는 올 3분기까지 매 분기 조 단위의 막대한 영업손실을 기록해 왔다. 다만 메모리 가격이 올 하반기 바닥을 다지고, 감산 및 고객사 재고 감소 등으로 수요가 점차 회복되면서 양사의 적자폭은 줄어드는 추세다. 삼성전자 DS부문은 올 3분기 3조7천500억원의 영업손실로 전분기 대비 적자폭이 약 14% 줄었다. SK하이닉스는 3분기 1조7천900억원의 영업손실로 전분기 대비 적자폭을 38% 가량 줄였다. 이처럼 메모리 시장이 회복세를 보이는 가운데, 양사는 향후 선단 공정 제품의 비중 확대에 중점을 둘 계획이다. 삼성전자는 최근 열린 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "반도체 업계가 미리 시행한 생산능력 감축 영향으로 공급 확대는 제한적일 것"이라며 "다만 1anm, 1bnm D램과 V7, V8 낸드 등 선단 공정의 공급 비중을 지속 확대해나갈 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스도 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "내년 수요에 대응하기 위해 당사가 경쟁 우위를 가지고 있는 제품의 안정적 생산 확대를 계획하고 있다"며 "1anm, 1bnm 중심의 공정 전환을 지속할 것"이라고 말했다. 양사의 이 같은 행보는 메모리 시장의 안정화를 가속화하기 위한 전략이다. 올 하반기부터 메모리 수요가 점차 개선되고는 있으나, 증가세는 아직 완만한 상황이다. 또한 DDR4 등 레거시(성숙) D램 및 낸드의 고객사 재고도 상대적으로 높은 수준에 머물러 있다. 때문에 양사는 섣불리 출하량을 늘리기보다, 공정 전환으로 고객사의 재고 감소세를 가속화하려는 것으로 풀이된다. 또한 고부가가치에 속하는 선단 공정 제품 확대로 수익성 개선도 꾀할 수 있다.

2023.11.01 14:26장경윤

Prev 11 12 13 14 15 16 17 Next