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'D램'통합검색 결과 입니다. (342건)

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"엔비디아, 내년 HBM3E 물량 중 85% 이상 차지할 듯"

8일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 엔비디아의 내년 HBM3E 소비량은 전체 물량의 85%를 넘어설 전망이다. 엔비디아가 시장을 주도하고 있는 AI 서버용 칩은 고성능 GPU와 HBM 등을 함께 집적한 형태로 만들어진다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 데이터 처리 성능이 일반 D램에 비해 월등히 높다. 엔비디아는 지난 2022년 말 '호퍼' 아키텍처 기반의 H100 칩을 출시했으며, 올해에는 HBM3E 탑재로 성능을 더 강화한 H200 양산을 시작했다. H200에 채택된 HBM3E는 현재 SK하이닉스와 마이크론이 공급하고 있다. 이에 따라 엔비디아의 HBM3E 소비 점유율은 올해 60% 이상으로 예상된다. 나아가 엔비디아는 '블랙웰' 아키텍처 기반의 'B100', 'B200' 등의 제품을 내년부터 출시할 계획이다. 해당 제품에는 HBM3E 8단 및 12단 제품이 탑재된다. 이에 따라 내년 엔비디아의 HBM3E 소비 점유율은 85% 이상을 기록할 전망이다. 트렌드포스는 "블랙웰 울트라, GB200 등 엔비디아의 차세대 제품 로드맵을 고려하면 HBM3E 12단 제품의 비중이 내년 40%를 넘어걸 것으로 추산된다"며 "현재 공급사들이 HBM3E 8단 제품에 집중하고 있으나, 내년에 12단 제품 생산량이 크게 증가할 것"이라고 밝혔다. 트렌드포스는 이어 "현재 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 모두 제품 검증을 거치고 있으며, 특히 삼성전자가 시장 점유율을 늘리는 데 적극적"이라며 "검증 순서가 주문량 할당에 영향을 미칠 수 있다"고 덧붙였다.

2024.08.09 08:40장경윤

유니테스트, CXL 2.0 검사장비 개발 완료

유니테스트는 차세대 메모리 솔루션인 CXL 2.0 검사장비 개발을 완료하고 고객 인증을 위한 장비 출하를 완료했다고 8일 밝혔다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. PCIe(PCI 익스프레스)를 기반으로 다수의 장치를 하나의 인터페이스로 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 또한 유니테스트는 CXL 3.0을 지원하는 검사 장비도 개발 중인 것으로 알려졌다. CXL은 2019년 CXL 1.1, 2020년 CXL 2.0을 거쳐 2023년 CXL 3.0 표준이 제정됐다. CXL 3.0은 PCIe 6.0 기반으로 CXL 2.0 이하 버전의 기반이 된 PCIe 5.0 대비 대역폭이 2배 증가하며, 스위치 간의 연결까지 가능해진다. 2026년 CXL 3.0 도입이 본격화되면 CXL 시장이 급격하게 성장할 것으로 전망된다.

2024.08.08 09:30장경윤

SK하이닉스, S&P 신용등급 'BBB'로 상향…"HBM 선도 기업"

국제 신용평가사 스탠더드앤푸어스(S&P)는 SK하이닉스의 기업신용등급을 기존 'BBB-'에서 'BBB'로 한 단계 상향했다고 7일 밝혔다. 전망은 '안정적(Stable)'로 유지됐다. BBB는 S&P가 SK하이닉스에 부여한 신용등급 중 역대 가장 높은 등급이다. S&P는 AI 시대 필수 메모리인 HBM 분야 시장 주도권을 확보한 SK하이닉스의 시장 가치에 주목하며, 향후 전망되는 실적 성장세와 안정적인 현금흐름을 근거로 회사의 신용등급을 'BBB'로 상향했다. 또한 S&P는 SK하이닉스가 신중한 재무정책을 바탕으로 향후 2년간 지속적인 잉여현금흐름을 창출해 차입금 규모를 줄이고 우수한 신용지표를 유지할 것으로 전망했다. S&P는 "SK하이닉스는 HBM 시장을 선도하고 있고, 향후에도 우월한 기술력과 제품 경쟁력을 바탕으로 1위 자리를 수성할 것으로 예상된다"며 "D램과 낸드 시장에서도 견고한 2위를 기록하고 있어 업황 반등 시 실적에 긍정적"이라고 밝혔다. 이에 따라 S&P가 추정한 SK하이닉스의 올해 및 내년 연간 EBITDA 규모는 지난해(5조5천억원; 마진 17%) 대비 크게 개선된 34조~38조 원(마진 56%) 수준이다. 한편 주요 경쟁사의 시장 진입에 대해서는 "삼성전자가 많은 노력에도 불구하고 HBM 최대 고객사인 엔비디아와 공급계약을 체결하는데 있어 아직 유의미한 돌파구를 마련하지 못하고 있는 것으로 알려졌다"며 "삼성전자를 포함한 경쟁사와의 격차가 2026년 중하반기 경에는 좁혀질 것"이라고 평가했다.

2024.08.08 08:15장경윤

삼성전자, 0.65mm 두께 12나노급 LPDDR5X D램 양산

삼성전자가 업계 최소 두께 12나노급 LPDDR5X D램 12∙16GB(기가바이트) 패키지 양산을 시작하며 저전력 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 했다. 이번 제품의 두께는 0.65mm로 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇다. 삼성전자는 이번 제품을 모바일 애플리케이션 프로세서 및 모바일 업체에 공급할 계획이다. 삼성전자는 업계 최소 크기 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 쌓는 패키지 기술, 패키지 회로 기판 및 EMC(Epoxy Molding Compound) 기술 등 최적화를 통해 이전 세대 제품 대비 두께를 약 9% 감소, 열 저항을 약 21.2% 개선했다. EMC는 수분,열,충격 등 다양한 외부환경으로부터 반도체 회로를 보호하는 회로 보호재다. 또한 패키지 공정 중 하나인 백랩(Back-lap) 공정의 기술력을 극대화해 웨이퍼를 최대한 얇게 만들어 최소 두께 패키지를 구현했다. 백랩은 웨이퍼 뒷면을 연마하여 두께를 얇게 만드는 공정을 뜻한다. 이번 제품은 얇아진 두께만큼 추가로 여유 공간 확보를 통해 원활한 공기 흐름이 유도되고, 기기 내부 온도 제어에 도움을 줄 수 있다. 일반적으로 높은 성능을 필요로 하는 온디바이스 AI는 발열로 인해 기기 온도가 일정 구간을 넘기면 성능을 제한하는 온도 제어 기능(Throttling)이 작동한다. 신제품 D램을 탑재하면 발열로 인해 해당 기능이 작동하는 시간을 최대한 늦출 수 있어 속도, 화면 밝기 저하 등의 기기 성능 감소를 최소화할 수 있다. 삼성전자는 향후 6단 구조 기반 24GB, 8단 구조 32GB 모듈도 가장 얇은 LPDDR D램 패키지로 개발해 온디바이스 AI시대 고객의 요구에 최적화된 솔루션을 지속 공급할 예정이다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 배용철 부사장은 "고성능 온디바이스 AI의 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 성능뿐만 아니라 온도 제어 개선 역량 또한 중요해졌다"며 "삼성전자는 기존 제품 대비 두께가 얇은 저전력 D램을 지속적으로 개발하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 최적화된 솔루션을 제공하겠다"고 밝혔다.

2024.08.06 09:04이나리

FHD 영화 300편 1초에...SK하이닉스, 세계 최고성능 그래픽D램 3분기 양산

SK하이닉스가 세계 최고 수준의 성능이 구현된 차세대 그래픽 메모리 제품인 GDDR7을 공개했다고 30일 밝혔다. GDD은 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 D램의 표준 규격 명칭이다. 그래픽을 빠르게 처리하는데 특화한 규격으로, 3-5-5X-6-7로 세대가 진화해 왔다. 최신 세대일수록 빠른 속도와 높은 전력 효율성을 가지며, 최근에는 그래픽을 넘어 AI 분야에서도 활용도가 높은 고성능 메모리로 주목 받고 있다. SK하이닉스는 “그래픽 처리에 특화된 성능과 빠른 속도를 동시에 충족시키는 D램인 GDDR에 대한 글로벌 AI 고객들의 관심이 매우 커지고 있다”며 “당사는 이에 맞춰 현존 최고 성능의 GDDR7을 3월 개발 완료한 후 이번에 공개했고, 3분기 중 양산을 시작할 계획”이라고 밝혔다. SK하이닉스의 GDDR7은 이전 세대보다 60% 이상 빠른 32Gbps(초당 32기가비트)의 동작속도가 구현됐고, 사용 환경에 따라 최대 40Gbps까지 속도가 높아지는 것으로 확인됐다. 이 제품은 최신 그래픽카드에 탑재돼 초당 1.5TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있게 해주며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 300편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 GDDR7은 빠른 속도를 내면서도 전력 효율은 이전 세대 대비 50% 이상 향상됐다. SK하이닉스는 이를 위해 제품 개발 과정에서 초고속 데이터 처리에 따른 발열 문제를 해결해주는 신규 패키징 기술을 도입했다. 회사 기술진은 제품 사이즈를 유지하면서 패키지에 적용하는 방열기판을 4개층(Layer)에서 6개 층으로 늘리고, 패키징 소재로 고방열 EMC를 적용했다. 이를 통해 기술진은 제품의 열 저항을 이전 세대보다 74% 줄이는데 성공했다. EMC는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하는 반도체 후공정 필수 재료다. 이상권 SK하이닉스 부사장(D램 PP&E 담당)은 “압도적인 속도와 전력 효율로 현존 그래픽 메모리 중 최고 성능을 갖춘 SK하이닉스의 GDDR7은 고사양 3D 그래픽은 물론, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 자율주행까지 활용범위가 확대될 것“이라며 “뛰어난 기술 경쟁력을 바탕으로 프리미엄 메모리 라인업을 한층 강화하면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.07.30 09:30장경윤

와이씨, 삼성에 HBM용 검사장비 공급 시작…1017억원 규모

와이씨는 삼성전자와 1천17억원 규모의 반도체 검사장비 공급계약을 체결했다고 29일 공시했다. 와이씨가 이번에 공급한 장비는 HBM(고대역폭메모리)용 웨이퍼 테스터다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리로, 일반 D램보다 기술적 난이도가 높아 테스트 공정에 대한 중요성이 높아지는 추세다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 와이씨는 해당 장비를 삼성전자에 공급하기 위한 퀄(품질)테스트를 진행해 왔으며, 이번 공급계약으로 실제 상용화에 성공하게 됐다. 공급계약 규모는 와이씨의 지난해 연 매출의 39.85% 수준이다. 계약기간은 이달 28일부터 내년 1분기 말까지다. 삼성전자가 HBM의 생산능력 확장에 적극 나서고 있다는 점을 고려하면, 내년에도 HBM 관련 후공정 장비에 대한 추가 투자가 나올 가능성이 유력하다. 실제로 삼성전자는 오는 3분기 말 주요 협력사들과 내년 3분기까지에 대한 장비공급 논의를 진행할 예정인 것으로 알려졌다.

2024.07.29 11:08장경윤

드림텍, 인도 메모리 모듈 팹 준공…4분기 양산 시작

드림텍은 종속회사인 '드림텍 인디아'가 그레이터 노이다에 제1공장을 건설하고 준공식을 개최했다고 28일 밝혔다. 이날 준공식에는 박찬홍 드림텍 대표이사, 장재복 주 인도대사, Ravi Kumar N.G 인도 GNIDA 대표, 우타르 프라데시주 관계자 및 삼성전자 인도법인 관계자 등이 참석했다. '북인도의 디트로이트'로 불리는 그레이터 노이다는 글로벌 제조업의 허브로 부상하고 있는 지역이다. 드림텍 인도공장은 수도 뉴델리에서 52km, 삼성전자 인도 법인(SIEL)에서는 27km 거리에 위치해 있다. 드림텍은 글로벌 기업이 포스트 차이나 제조 허브로 인도를 주목하는 흐름에 발맞춰 제조 경쟁력을 갖춘 인도 생산거점을 조기에 확보, 고객사 수요에 적시 대응하고자 인도 진출을 결정한 바 있다. 이를 위해 드림텍은 851억원을 투입해 축구장 11개 규모인 8만942㎡의 부지 및 설비 시설을 마련했다. 이 중 제1공장은 2만4천472㎡ 규모다. 드림텍은 지난 20여년간 축적해 온 '맞춤형 대량생산' 노하우와 경제 성장률 7%를 웃도는 인도의 잠재력이 시너지를 낼 것으로 기대하고 있다. 연간 매출액은 5천억 원에 이를 것으로 전망된다. 드림텍은 인도에 진출한 글로벌 제조 기업들과의 협력을 강화하고 신규 고객을 확보, 다양한 세트 업체의 IT부품 수요에 대응하면서 사업 다각화를 추진한다는 방침이다. 특히 인도공장은 드림텍의 메모리 모듈 사업을 전담하게 된다는 측면에서 주목받는다. 4차 산업혁명과 함께 급증하고 있는 AI 반도체 수요에 대응하기 위한 것으로, 드림텍은 반도체 생산 라인에 인도법인 전체 투자금의 40%을 들였다. 오는 4분기부터 메모리 반도체 D램 모듈과 SSD 완제품을 생산할 계획이며 전체 양산 라인이 가동되는 내년부터는 연간 1000억원 수준의 매출이 발생하게 될 것으로 기대된다. 스마트폰 모듈 부문에서는 삼성전자 인도 법인 물량을 대응, 삼성전자의 스마트폰 물량 증가에 맞춰 연간 물량의 20~25%를 생산하는 것을 목표로 한다. 드림텍 인도공장은 생산 라인을 100% 가동할 경우, 연간 최대 1억개의 스마트폰 부품 모듈을 생산할 수 있는 규모로, 삼성전자의 물량 확대에 유연한 대응이 가능하다. 또한 드림텍은 인도 내 바이오센서 수요 증가에 발맞춰 인도 현지에서 '바이오센서 1Ax, 2A' 등을 생산·공급해 2030년 500억 달러(68.8조원) 규모로 전망되는 인도 의료기기 시장도 공략할 계획이다. 인도 의료기기 시장은 의료 서비스와 인프라가 열악한 데다 지역간 접근성 격차가 커 환자의 건강 상태를 모니터링하고 분석, 진단할 수 있는 웨어러블·빅데이터·로봇공학 분야가 선도하고 있다. 드림텍의 바이오센서는 환자의 가슴 부위에 부착해 심전도, 심박수 등 주요 생체 정보들을 실시간으로 모니터링하는 의료기기로 향후 인도공장을 통해 월 1백만개 수준의 생산능력을 구축, 병원을 중심으로 한 인도 의료시장을 대상으로 제품을 공급한다는 목표다. 이 외에도 인도공장에는 자동화 시스템 및 AI 딥러닝을 적용한 검사 장비가 도입될 예정으로, 생산 효율성 향상과 균일한 품질 수준 유지가 기대된다. 특히, 검사 공정에는 드림텍의 자회사인 '에이아이매틱스'와 협업해 개발한 AI 딥러닝 기반 자동화 검사 장비가 도입된다. 사람이 놓칠 수 있는 불량까지 잡아내 불량 검출력을 획기적으로 향상시킬 뿐만 아니라, 공정 검사 인력을 절감하는 데 크게 기여할 것으로 기대된다. 이창직 드림텍 관리본부장은 “드림텍은 현지의 인프라와 정책적 지원을 바탕으로 글로벌 고객사 요구에 적시에 대응, 신속하고 안정적인 공급망을 제공해 글로벌 ODM기업으로서의 경쟁력과 입지를 강화하겠다”며 “궁극적으로는 다양한 산업군에서의 성장 잠재력을 보유한 인도에서 고부가가치 산업을 중심으로 밸류업 할 것”이라고 말했다.

2024.07.29 06:00장경윤

SK하이닉스, 용인클러스터 1호 팹에 9.4兆 투자…HBM 등 생산

SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다. SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이고, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다. 경기도 용인 원삼면 일대 415만 제곱미터 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다. 회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다. 이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다. 회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다. 이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다. 김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

2024.07.26 17:14장경윤

'낸드냐 D램이냐' 삼성電, P4 설비투자 전략 고심...QLC에 달렸다

삼성전자가 최선단 메모리 투자 방향을 두고 고심하고 있다. 데이터센터·스마트폰 등에서 수요가 강한 9세대 'QLC(쿼드 레벨 셀)' 낸드용 설비 투자 계획이 불투명해졌기 때문이다. 이에 삼성전자 내부에서는 낸드가 아닌 D램향 투자를 늘리는 방안까지 거론되고 있다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 반도체 제4공장(P4)의 향후 투자 방향을 두고 여러 전략을 검토하고 있다. P4는 지난 2022년부터 착공에 들어간 삼성전자의 신규 팹이다. 기존 P3와 동일하게 D램·낸드 등 메모리, 파운드리를 동시에 생산하는 복합동으로 설계됐다. 세부 구축 순서에 따라 페이즈(Ph)1은 낸드, 페이즈2는 파운드리, 페이즈3·4는 D램 제조라인에 해당한다. 그러나 올해 상반기에 들어 P4 투자 계획에 변동이 생겼다. 삼성전자가 7나노미터(nm) 이하의 대형 파운드리 고객사 확보에 부침을 겪으면서, 최선단 파운드리 공정 투자를 서둘러 진행할 필요가 없어졌기 때문이다. 이에 삼성전자는 페이즈2 대신 메모리 투자에 우선순위를 두기로 했다. 다만 이 계획마저도 현재로선 변동성이 상당히 큰 상황이다. 당초 삼성전자는 P4 페이즈1을 순수 낸드 제조라인으로 구성하려고 했으나, 최근 여기에서도 D램을 양산하자는 논의가 제기된 것으로 파악됐다. 가장 큰 원인은 P4 페이즈1의 주력 생산제품이 될 'V9' 낸드다. V9는 280단대로 추정되며, 삼성전자의 경우 지난 4월에 TLC(트리플 레벨 셀) 제품의 본격적인 양산에 들어갔다. TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 구조를 뜻한다. 반면 최선단 낸드 시장은 TLC 대비 고용량 스토리지 구현에 용이한 QLC(셀 하나에 4비트 저장)에 대한 수요가 증가하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 QLC가 올해 낸드 출하량에서 차지하는 비중은 20%에 육박할 것으로 관측된다. AI 서버는 물론, 모바일 시장에서도 QLC 제품 채택이 활발히 일어나고 있다. 삼성전자 역시 이 같은 추세에 맞춰 올 하반기 내로 QLC V9 낸드를 양산하겠다고 밝힌 바 있다. 그러나 이달 기준으로 QLC에 대한 PRA(양산승인)은 아직 떨어지지 않았다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "삼성전자가 V9 양산 소식을 알리기 위해 TLC를 전면적으로 내세우긴 했으나, 실제 최선단 낸드 수요는 TLC가 아닌 QLC에 집중돼 있다"며 "삼성전자가 PRA가 확정되지 않은 이상 낸드에 당장 투자를 진행하기는 어렵다는 판단을 하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "구체적인 사유는 밝히지 않았지만, 삼성전자는 이전 세대인 V8에서도 QLC 낸드 출시를 취소한 바 있다"며 "급하게 QLC 낸드를 준비해야 하는 상황인 만큼 개발이 원활히 진행될 것이라고 장담하기 어렵다"고 평가했다. 실제로 삼성전자는 P4 페이즈1의 낸드 설비 투자를 현재까지 월 1만장 규모로만 확정했다. 물론 이를 내년 4만5천장 수준으로 키우기 위한 투자 전략을 내부적으로 수립한 상황이나, QLC V9 낸드가 적기에 양산승인을 받지 못한다면 D램에 자리를 뺏기는 상황을 맞게 될 수도 있다. 한편 이와는 별개로, 삼성전자의 P4 내 D램 생산능력이 당초 예상보다 확대될 가능성은 매우 높은 것으로 관측된다. QLC가 주요 변수로 작용하고 있는 페이즈1과 달리, 당초 파운드리 라인이었던 페이즈2는 D램으로의 전환 가능성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "D램은 범용 제품의 공급량 부족, HBM 활황 등으로 D램 증설에 대한 목소리가 높다"며 "현실화되는 경우 1a·1b 등 선단 D램의 생산능력이 확대될 수 있다"고 말했다.

2024.07.26 10:26장경윤

SK하이닉스 "올해 HBM 매출 전년比 300% 성장할 것"

SK하이닉스가 AI 서버에서 수요가 강한 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 대한 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장할 것"이라고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 고용량 데이터 처리가 필요한 AI 서버에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 이에 SK하이닉스는 TSV의 생산능력을 올해 2배 이상 확대하기로 했다. 청주에 위치한 M15 팹을 중심으로 투자가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)에 쓰일 1b(5세대 10나노급 D램)으로의 공정 전환도 추진 중이다. 1b D램은 현재 상용화된 D램 중 가장 최선단에 위치한 제품으로, 연말까지 월 9만장 수준의 생산능력을 확보할 계획이다. SK하이닉스는 "늘어난 TSV 및 1b 생산능력을 기반으로 HBM 공급을 빠르게 확대할 것"이라며 "올해 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다"고 밝혔다.

2024.07.25 10:58장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 12단 공급량, 내년 상반기 8단 앞지를 것"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품의 출하량이 내년 상반기부터 8단 제품을 앞지를 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 HBM3E(5세대 HBM) 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 올해부터 5세대 제품인 HBM3E의 양산이 시작되며, 8단과 12단 적층 제품이 순차적으로 상용화될 예정이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했다. 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. SK하이닉스는 "12단 제품은 이번 분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 밝혔다. 차세대 제품인 HBM4에 대한 전망도 제시했다. SK하이닉스는 "HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF를 적용한 12단 제품부터 출하할 것"이라며 "16단은 2026년 수요가 발생할 것으로 예상돼, 이에 맞춰 기술을 개발하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. MR-MUF는 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있으나, SK하이닉스는 이를 칩 제어 기술과 신규 보호재 적용으로 신뢰성을 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술로 대응하고 있다.

2024.07.25 10:35장경윤

SK하이닉스, 2Q 영업익 5.5兆 6년만 재진입..."AI 메모리 덕분"

SK하이닉스가 올해 2분기 실적에서 영업이익 5조4천685억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 5조1923억원)을 크게 웃도는 어닝 서프라이즈를 기록했다. 이는 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 2분기(5조5천739억원) 이후 6년 만에 5조원대 재진입이다. 매출은 16조4천233억원으로 분기 기준 역대 최대 실적을 냈다. 기존 2022년 2분기 13조8천110억원을 크게 뛰어넘었다. 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 "HBM, eSSD 등 AI 메모리 수요 강세와 함께 D램과 낸드 제품 전반적으로 가격 상승세가 이어지며 1분기 대비 매출이 32% 증가했다"며, "이와 함께, 프리미엄 제품 중심으로 판매가 늘고 환율 효과도 더해지면서 2분기 영업이익률은 전분기보다 10%포인트 상승한 33%를 기록, 회사는 시장 기대에 부응하는 호실적을 거뒀다"고 설명했다. 세부적으로 D램에서는 회사가 지난 3월부터 양산에 들어가 공급을 본격화한 HBM3E와 서버 D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중이 확대됐다. 특히 HBM 매출은 전분기 대비 80% 이상, 전년 동기 대비 250% 이상 증가하며 회사의 실적 개선을 주도했다. 낸드는 2분기 연속 흑자를 기록했다. eSSD와 모바일용 제품 위주로 판매가 확대됐는데, 특히 eSSD는 1분기보다 매출이 약 50% 증가하며 가파른 성장세를 이어갔다. 회사는 "지난해 4분기부터 낸드 제품 전반에 걸쳐 평균판매단가(ASP, Average Selling Price) 상승세가 지속되면서 흑자를 기록했다"고 전했다. SK하이닉스는 하반기에도 메모리 수요가 상승할 것으로 내다봤다. AI 서버용 메모리 수요가 지속 증가하는 가운데, 온디바이스(On-Device) AI를 지원하는 새로운 PC와 모바일 제품들이 시장에 출시되며 여기에 들어가는 고성능 메모리 판매가 늘어날 전망이다. 또 일반 메모리 제품 수요도 완연한 상승세를 탈것으로 보인다. 이런 흐름에 맞춰, 회사는 주요 고객에게 샘플을 제공한 HBM3E 12단 제품을 3분기 내 양산해 HBM 시장에서의 리더십을 이어간다는 계획이다. 또, SK하이닉스는 업계에서 유일하게 최고 용량 256GB 서버용 제품을 공급하고 있는 DDR5 분야에서도 하반기에 32Gb DDR5 서버용 D램과 고성능 컴퓨팅용 MCRDIMM을 출시해 경쟁우위를 지켜간다는 방침이다. 낸드에서도 회사는 수요가 커지고 있는 고용량 eSSD 판매를 확대한다는 계획이다. 60TB 제품으로 하반기 시장을 선도해 나가며 eSSD 매출은 지난해 대비 4배 수준이 될 것으로 내다보고 있다. 이와 함께 낸드 제품 포트폴리오 전반에 걸쳐 고객에게 경쟁력 있는 솔루션을 선보임으로써 실적 상승 추세를 이어가겠다고 밝혔다. 한편, SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 대응하기 위해 얼마 전 착공한 청주 M15X를 내년 하반기 양산을 시작한다는 목표로 건설 작업을 진행 중이다. 또, 회사는 현재 부지 공사가 한창인 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹을 예정대로 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다. 이에 따라 올해 CAPEX(자본 지출)가 연초 계획보다 증가할 수 있다. 고객 수요와 수익성을 치밀하게 분석해 투자 계획을 수립하고, 영업현금흐름 범위 내에서 효율성 있게 집행함으로써 재무건전성을 확보하겠다고 회사는 밝혔다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “수익성 중심 투자 기조 하에 2분기 동안 필수 투자를 진행하면서도 회사는 1분기 대비 4조3천억 원 규모의 차입금을 줄일 수 있었다”며, “안정적인 재무구조를 기반으로 최선단 공정 기술과 고성능 제품 개발에 매진해 AI 메모리 선도기업의 지위를 더욱 공고히 할 것”이라고 말했다.

2024.07.25 08:33이나리

[1보]SK하이닉스, 2분기 영업익 5.4조원…6년 만에 5조원대 진입

SK하이닉스는 2024년 2분기 연결기준 매출 16조4천233억 원, 영업이익 5조4천685억 원, 순이익 4조1천200억 원을 기록했다고 25일 밝혔다. 영업이익률은 33%다. 매출은 전분기 대비 32%, 전년동기 대비 125% 증가했다. 영업이익은 전분기 대비 89% 증가했으며, 전년동기 대비로는 흑자전환했다. 특히 영업이익은 지난 2018년 2분기(5조5천739억 원), 3분기(6조4천724억 원) 이후 6년 만에 5조 원대 실적을 달성했다.

2024.07.25 08:21장경윤

올해 메모리 시장 커진다…HBM·QLC가 성장 견인

22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 D램과 낸드 매출은 각각 907억 달러, 674억 달러로 전년 대비 각각 75%, 77%가량 크게 증가할 것으로 예상된다. 또한 메모리 시장의 성장세가 내년에도 지속되면서 해당 기간 D램은 51%, 낸드는 29% 증가해 사상 최고 매출을 기록할 전망이다. 특히 D램의 경우 평균판매가격이 올해 53%, 내년 35% 상승할 것으로 보인다. 트렌드포스는 D램 매출이 증가하는 요인을 ▲HBM(고대역폭메모리) 호황 ▲ 범용 D램의 차세대 제품 출시 ▲공급사의 제한된 자본 지출 ▲서버 수요 회복 등 네 가지로 꼽았다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. HBM은 올해 전체 D램 비트(bit) 출하량의 5%, 매출의 20% 비중을 차지할 것으로 예상된다. DDR5, 및 LPDDR5·5X 등 고부가 D램 수요도 호조세다. 트렌드포스는 "서버용 D램에서 DDR5가 차지하는 비트 출하량은 올해 40%, 내년 60~65%에 달할 것"이라며 "LPDDR5·5X는 모바일용 D램 출하량에서 올해와 내년 각각 50%, 60% 비중을 차지할 것"이라고 설명했다. 낸드는 QLC(쿼드 레벨 셀)이 매출 증가세를 주도할 것으로 예상된다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량이 많다. 덕분에 고용량 데이터를 다루는 서버 시장에서 수요가 증가하는 추세다. QLC가 올해 낸드 전체 비트 출하량에서 차지하는 비중은 20%로, 내년에도 해당 비중은 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "내년 서버용 QLC 낸드 수요 증가와 스마트폰 산업에서의 QLC 낸드 채택, 공급사의 생산능력 제약 등으로 낸드 시장이 내년 870억 달러에 도달할 것"이라며 "북미 CSP(클라우드서비스제공업체)는 이미 추론 AI 서버용으로 QLC 낸드를 주문하기 시작했다"고 밝혔다.

2024.07.23 10:21장경윤

차세대 HBM 개발에 소재도 '혁신'…SiC·레이저 주목

HBM(고대역폭메모리)의 D램 적층 수가 점차 증가하는 추세에 따라 이를 위한 포커스링·디본딩 기술도 향후 많은 변화와 발전이 일어날 것으로 예상된다. 주요 메모리 제조업체와 관련 협력사들도 관련 기술에 대한 선제 개발에 이미 뛰어든 것으로 알려졌다. 22일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 차세대 HBM용 TSV 공정의 소재를 변경하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. TSV는 층층이 쌓인 D램에 미세한 구멍(홀)을 뚫는 식각 공정을 진행한 뒤, 내부에 전도성 물질을 도금하는 공정을 뜻한다. D램에 홀을 뚫기 위해서는 포커스링이라는 부품이 활용된다. 포커스링은 웨이퍼를 고정하면서 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하고, 웨이퍼 측면의 오염을 방지하는 등의 역할을 맡고 있다. 기존에는 쿼츠(석영) 소재가 적용돼 왔다. 그러나 HBM이 현재 8단에서 12단·16단 등 보다 고적층 제품이 상용화되는 경우, 포커스링 소재도 쿼츠에서 실리콘 카바이드(SiC) 등으로 변경될 전망이다. SiC는 쿼츠 대비 고온 및 플라즈마에 대한 내성이 뛰어나다. 현재 전 세계 주요 식각 업체와 포커스링 제조업체가 HBM용 SiC 포커스링 개발을 추진 중이며, HBM 제조사인 삼성전자·SK하이닉스 등도 협력사 구성을 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 관계자는 "HBM 단수가 높게 쌓일수록 플라즈마 식각 환경에 노출되는 시간이 길어져, 관련 부품들의 소재 변경도 불가피한 것이 자명한 상황"이라며 "HBM 제조업체들도 이미 공급망 구성을 검토하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM4(6세대 HBM) 등 차세대 제품에서 SiC 포커스링이 활용될 것으로 전망된다"며 "일부 부품업체도 이에 대한 준비에 분주한 것으로 안다"고 밝혔다. HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 이상에 도달하는 경우, '디본딩' 기술에도 변화가 일어날 것으로 관측된다. HBM은 제한된 높이에 D램을 적층해야 하기 때문에 웨이퍼를 매우 얇게 만들어야 한다. 이 경우 워피지(휨) 현상이 발생할 수 있어, 웨이퍼를 받쳐주는 '캐리어 웨이퍼'가 임시로 부착된다. D램에 범프를 형성한 후에는 캐리어 웨이퍼를 다시 제거해야 하는 데, 이 공정을 디본딩이라고 부른다. 현재 디본딩은 얇은 휠로 직접 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 떼 내는 메커니컬(Mechanical peel-off) 기술이 활용된다. 그러나 향후에는 이를 레이저로 떼내는 기술이 채용될 예정으로, 복수의 장비업체들이 관련 장비 개발에 매진하고 있다. 업계 관계자는 "D램 웨이퍼 두께가 30마이크로미터 이하가 되면 메커니컬 디본딩으로는 크랙이 발생하는 등 문제가 생길 수 있다"며 "HBM이 20단으로 나아가면 D램 웨이퍼 두께가 25~28마이크로미터가량 돼야하기 때문에, 레이저를 활용할 수밖에 없다"고 말했다.

2024.07.22 13:49장경윤

삼성전자, CXL 2.0 D램 하반기 양산 시작…"1y D램 탑재"

삼성전자가 차세대 메모리 솔루션으로 주목받는 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 2.0 D램의 양산을 연내 시작한다. 해당 제품은 1y D램(10나노급 2세대)을 기반으로, 256GB(기가바이트)의 고용량을 구현한 것이 특징이다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장(상무)은 18일 서울 중구 소재의 삼성전자 기자실에서 열린 'CXL 기술 및 삼성전자 CXL 솔루션 설명회'에서 "올해 하반기부터 CXL 시장이 열릴 것이고, 삼성전자의 제품은 준비가 돼 있다"고 밝혔다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU, CPU, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 기존 각각의 칩들은 별도의 인터페이스가 존재해 빠른 상호연결이 어렵다는 문제점이 있었다. 반면 CXL은 PCIe(PCI 익스프레스; 고속 입출력 인터페이스)를 기반으로 각 칩의 인터페이스를 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 정해진 아키텍쳐에 따라 서버 내 칩을 구성해야 하는 기존 시스템과 달리, 용도에 따라 유연하게 서버를 설계할 수 있다는 것도 장점이다. 또한 CXL은 시스템 반도체와 메모리의 거리가 멀어져도 원활한 통신을 가능하게 해, 더 많은 메모리 모듈을 연결할 수 있게 만든다. 삼성전자는 이 CXL 인터페이스를 갖춘 D램, 'CMM-D(CXL 메모리 모듈 D램' 개발에 주력해 왔다. 최 상무는 "CMM은 한마디로 SSD를 장착할 자리에 메모리를 추가할 수 있는 제품"이라며 "기존 D램 등 메인 메모리의 주변에서 CPU의 고용량 데이터 전송을 도와주는 역할을 하게될 것"이라고 설명했다. 삼성전자는 지난 2021년 업계 최초로 CXL 기반 D램 제품을 개발했으며, 이후 업계 최고 용량 512GB CMM-D 개발, 업계 최초 CMM-D 2.0 개발 등에 성공한 바 있다. 특히 지난해 5월 개발 완료한 삼성전자의 'CXL 2.0 D램'은 업계 최초로 '메모리 풀링(Pooling)' 기능을 지원한다. 메모리 풀링은 서버 플랫폼에서 다수의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들고, 각각의 호스트가 풀에서 메모리를 필요한 만큼 나누어 사용할 수 있는 기술이다. 이를 이용하면 CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있어 데이터 전송 병목현상이 줄어든다. 또한 삼성전자는 올해 2분기 CXL 2.0을 지원하는 256GB(기가바이트) CMM-D 제품을 출시하고, 주요 고객사들과 검증을 진행하고 있다. 실제 양산은 연내 시작할 계획이다. 적용되는 D램은 1y D램으로, 가장 최신 세대인 1b(10나노급 6세대)와 비교하면 레거시 메모리에 해당한다. 최 상무는 "금년 256GB CMM-D 2.0 양산을 시작하고, CXL 3.1 버전과 풀링 기술이 지원되는 2028년 정도가 되면 CXL 시장이 본격적으로 개화할 것"이라며 "이번 CXL 2.0 D램은 고용량 구현 및 즉시 적용에 용이한 1y D램을 채용했다. 향후에는 탑재 D램을 바꿀 수 있다"고 밝혔다. 또한 최 상무는 CXL이 HBM(고대역폭메모리)을 대체하는 것이냐는 질문에 "서버 내 SoC(시스템온칩)에 최적화된 메모리 솔루션이 각각 다르기 때문에, AI 산업에서 두 제품의 쓰임새가 다를 것"이라며 "HBM의 다음 제품이 아닌 AI용 솔루션들 중 하나라고 보면 된다"고 답변했다. CXL 제품의 향후 로드맵에 대해서도 소개했다. 삼성전자는 CMM-D를 박스 형태로 만든 CMM-B, CMM-D에 컴퓨팅 기능을 더한 CMM-DC, CMM-D에 낸드를 결합하는 CMM-H 등 다양한 응용 제품을 연구하고 있다. 최 상무는 "CMM-DC 등은 당장 상용화 단계는 아니지만 연구 단계에서 프로젝트를 진행 중"이라며 "CMM-D을 시작으로 여기에 낸드, 컴퓨팅 기능 등을 어떻게 붙여야할 지 고민도 하고 있다"고 말했다. 한편 삼성전자는 CXL 컨소시엄을 결성한 15개 이사회 회원사 중 하나로, 메모리 업체 중 유일하게 이사회 멤버로 선정되어 CXL 기술의 고도화 및 표준화를 위한 역할을 수행하고 있다. CXL 컨소시엄은 CXL 표준화와 인터페이스의 진화 방향 등에 대해 논의하는 협회다. 삼성전자, 알리바바 그룹, AMD, Arm, 델, 구글, 화웨이, IBM, 인텔, 메타, MS, 엔비디아 등 빅테크 기업들이 이사회 회원사로 참여하고 있다.

2024.07.18 14:00장경윤

"엔비디아 천하 영원하지 않아…韓 반도체 기회 잡아야"

"현재 AI 반도체 시장은 엔비디아가 주도하고 있지만, 전력소모 등의 문제로 NPU가 향후 대체재로 떠오를 것이다. 차세대 메모리 시장에도 많은 변화가 올 것이다. 국내 업계도 이러한 이러한 흐름에서 기회를 잡을 수 있다." 유회준 반도체공학회 회장은 최근 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 국내 반도체 산업이 나아가야 할 방향을 이 같이 평가했다. 유 회장은 서울대 전자공학과를 졸업한 후 한국과학기술원(KAIST)에서 전기전자공학 박사 학위를 취득했다. 이후 미국 벨사 연구원, SK하이닉스 반도체연구소 D램설계실장을 거쳐, 현재 KAIST 전기전자공학과 교수로 재직 중이다. ■ "엔비디아의 독과점 지속되지 않을 것…차세대 기술 대비해야" 현재 반도체 업계는 AI 시대의 부흥에 따라, HBM(고대역폭메모리)의 뒤를 이을 차세대 반도체 기술을 대거 개발하고 있다. CXL(컴퓨트 익스프레스 링크), PIM(프로세싱-인-메모리), 뉴로모픽, 실리콘 포토닉스 등이 대표적이다. 유 회장은 이 중 CXL이 가장 먼저 상용화 단계에 도달할 것으로 내다봤다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 유 회장은 "현재 전세계의 몇몇 기업들이 CXL 관련 칩을 개발하고 있는데 여러 차세대 기술 중 가장 빨리 상용화될 것"이라며 "특히 삼성전자도 CXL 시장이 이미 개화됐다고 이야기하면서, 실리콘밸리를 중심으로 연구를 활발히 진행하고 있다"고 밝혔다. 메모리 업계도 커스텀 방식이 대세가 될 것으로 전망된다. 기존 메모리는 공급사 중심의 소품종 대량 생산의 성격이 강했다. 그러나 향후에는 다양한 AI 애플리케이션이 출시되면서, 각 고객사의 요구에 맞춘 특수 메모리에 대한 수요가 증가하고 있다. 유 회장은 "HBM을 시작으로, 고객사의 시스템반도체 및 적용처에 맞춘 커스텀 메모리가 대세가 될 것"이라며 "범용 D램 등도 커스텀화가 될 가능성이 있다고 본다. 삼성전자와 SK하이닉스도 이러한 추세에 대비해야 할 것"이라고 말했다. 또한 유 회장은 "현재 업계를 뒤흔들고 있는 엔비디아의 AI 반도체는 범용 GPU이기 때문에 전력소모 등의 문제로 NPU(신경망처리장치)에 자리를 내줄 수 있다"며 "이 경우 메모리 업계도 HBM이 아닌 최신형 LPDDR, 3D 메모리 등이 더 각광받게 될 가능성이 있다"고 내다봤다. ■ "K-반도체 키우려면…인적 네트워크 강화·원천기술 확보 시급" 유 회장은 최근 미국과 중국을 둘러싼 반도체 패권 경쟁에 대해 "미국 제재에 협력하는 전략이 필요하지만, 동시에 중국 시장의 유지 및 진입에도 신경을 쓰는 전략이 필요하다"며 "미국 기업들도 중국향 매출이 30%가 넘는다. 이 상황에서 우리 기업들의 중국 입지는 반대로 좁아지고 있다"고 꼬집었다. 다만 이러한 전략은 개별 기업들의 대응만으로는 한계가 있다. 때문에 정부가 원칙적으로 미국을 따르돼 경제적으로는 중국과 연계하는 '정경분리'의 큰 가이드라인을 마련해야 한다는 게 유 회장의 시각이다. 또한 유 회장은 국내 기업들이 글로벌 경쟁력 확보를 위해 보완해야 할 가장 시급한 사항으로 ▲해외 인적 네트워크 강화 ▲원천기술 확보 등 두 가지를 꼽았다. 유 회장은 "예를 들어 일본은 미국과의 협력 강화를 위해 고위 관료가 미국 인사를 직접 만나 '탑-다운' 형식으로 계약을 맺어오거나, IBM과 같은 주요 기업과 관계를 튼다"며 "반면 우리나라 정부는 이러한 부분이 미흡하다. 국내 AI 반도체 스타트업들도 해외 유수의 학술행사에서 직접 네트워킹을 하지, 정부의 지원이 있었다는 말은 들은 바 없다"고 강조했다. 그는 이어 "반도체 업계는 항상 승자가 독식하는 구조로, 한국만의 독자적인 기술을 가지고 있어야 비로소 경쟁력을 갖출 수 있다"며 "개인적으로는 우리나라가 빠르게 대응할 수 있는 분야가 기존 강점인 메모리와 프로세서까지 함께 아우를 수 있는 AI SoC(시스템온칩)이라고 생각한다"고 덧붙였다. ■ "반도체공학회, 업계 경쟁력 강화에 집중할 것" 반도체공학회를 이끄는 리더로서, 유 회장은 국내 반도체 산업 경쟁력 강화를 위해 크게 네 가지의 활동을 중점적으로 전개할 계획이다. 유 회장은 "첫째로 반도체 업계의 15년 뒤를 내다보는 비전과 전략을 짜야한다. 그래야 기술 발전 및 투자에 대한 방향을 정할 수 있다"며 "두 번째는 외국과의 협력 체계 강화로, 현재 일본 전자공학회와 협약을 맺고 워크샵을 진행하는 등의 활동을 하고 있다"고 밝혔다. 세 번째는 실무적인 반도체 인재 양성 교육이다. 이와 관련, 반도체공학회는 최근 홍익대학교를 중심으로 200명의 학생들에게 케이던스의 소프트웨어 툴 교육을 시행한 바 있다. 네 번째는 산·학 협력 강화다. 반도체공학회는 향후 국내 기업이 제작한 NPU를 기반으로 학회에서 소프트웨어 제작, 경진대회 개최 등의 전략을 구상하고 있다. 유 회장은 "앞의 3개는 진척사항이 꽤 이뤄졌고, 산학 협력은 이제 막 시작한 단계"라며 "특히 반도체 인력양성이 시급하기 때문에, 관련 학생들의 취업을 위한 인턴 프로그램이나 경진대회 등을 진행할 생각"이라고 말했다.

2024.07.18 06:00장경윤

삼성전자, 차세대 'LLW D램' 애플 공급망 진입 시도

삼성전자가 애플의 차세대 XR기기에 LLW D램을 공급하기 위한 기술개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 애플향으로 LLW D램을 공급하기 위한 제품 개발을 진행하고 있다. LLW D램은 입출력(I/O) 단자를 늘려 데이터를 송수신하는 통로인 대역폭을 높인 차세대 D램이다. 이를 통해 128GB/s의 고성능, 저지연 특성을 갖췄다. 덕분에 기존 LPDDR을 대체해 온디바이스 AI 산업에 적용될 것으로 기대되고 있다. 애플도 LLW D램에 많은 관심을 두고 있는 것으로 전해진다. 실제로 애플은 지난해 6월 최첨단 XR기기인 '비전프로'를 공개하면서, SK하이닉스의 LLW D램을 도입한 바 있다. 삼성전자 역시 애플에 LLW D램을 공급하기 위한 기술개발을 지속해 온 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "지난 2022년 애플로부터 LLW D램 공급에 대한 제안을 받은 것으로 안다"며 "현재 제품을 소량 제작하는 등 사업화가 진행되고 있는 단계"라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 애플 LLW D램 공급망에서 SK하이닉스를 추격하기 위해 노력 중"이라며 "특수 메모리로서 차세대 비전 프로 등에서 쓰일 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.07.16 16:36장경윤

삼성전자 "1b·4F스퀘어 D램 사업 순항…메모리 초격차 유지할 것"

"삼성전자가 발표한 차세대 D램 로드맵은 모두 차질없이 개발되고 있습니다. 1b D램은 잘 양산되고 있고, 4F스퀘어도 개발이 순조롭습니다. 메모리 분야에서 초격차를 유지할 것입니다." 유창식 삼성전자 부사장(D램 선행개발팀장)은 16일 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 이같이 밝혔다. 이날 '더 나은 삶을 위한 D램'을 주제로 발표를 진행한 유 부사장은 "첨단 D램에게 요구되는 능력은 크게 고용량, 고대역폭, 저전력 특성 세 가지로 나눌 수 있다"며 "특히 마이크로소프트, 구글 등이 최근 D램 제조업체에 매우 낮은 수준의 전력소모를 요구할 만큼 전력효율성이 중요하다"고 설명했다. D램의 전력효율성을 높이기 위해서는 D램 내부의 셀을 더 촘촘히 만들어야 한다. 셀은 데이터를 저장하기 위한 최소 단위로, 각각 하나의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 다만 최근 들어 셀을 작게 만드는 시도가 기술적 한계에 다다르고 있다. D램에 적용되는 공정이 10나노미터(nm)까지 다다르면서, 구성 요소 간 거리가 너무 가까워 간섭 문제 등이 발생하고 있기 때문이다. 이를 해결하기 위한 유력한 대안은 4F스퀘어다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다. 현재 상용화된 D램은 6F스퀘어 구조다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도 및 성능이 높아지기 때문에, 주요 메모리 업체들은 4F스퀘어로 나아가기 위한 기술개발에 전념해 왔다. 삼상전자의 경우 내년 4F스퀘어 D램의 초기 샘플을 개발할 것으로 기대를 모으고 있다. 이외에도 삼성전자는 1b(5세대 10나노급 D램) D램의 양산 본격화, 업계 최고 동작속도의 LPDDR5X 검증 등 첨단 D램 솔루션 개발에 주력하고 있다. 특히 삼성전자는 올 1분기 1b D램에 대한 내부 품질 테스트를 마무리하고, 현재 본격적인 양산을 준비하고 있는 것으로 알려졌다. 이를 위해 올 연말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확충할 계획이다. 유 부사장은 "1b D램은 차질없이 양산하고 있고, 4F스퀘어 D램도 문제없이 개발이 순항 중"이라며 "지금까지 삼성전자가 발표한 메모리 로드맵에서 일정이 밀린 부분은 전혀 없다. 초격차를 계속 유지할 것"이라고 밝혔다.

2024.07.16 15:41장경윤

삼성전자, 미디어텍 최신 모바일 AP에 'LPDDR5X' 검증 완료

삼성전자는 대만 반도체 설계 기업인 미디어텍과 업계 최고 속도인 10.7Gbps LPDDR5X D램 동작 검증을 완료했다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 올해 하반기 출시 예정인 미디어텍 최신 플래그십 모바일AP '디멘시티(Dimensity) 9400'에 LPDDR5X 기반 16GB 패키지 제품 검증을 완료하고 고성능 모바일 D램 상용화를 추진한다. LPDDR은 저전력(Low Power)에 특화 설계된 D램을 뜻한다. 스마트폰·태블릿 등 전력효율성이 중요한 IT기기에 주로 탑재되고 있다. LPDDR의 규격은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 제정하고 있다. LPDDR5X는 현재 공개된 가장 최신 규격에 해당한다. 삼성전자가 지난 4월 개발한 10.7Gbps LPDDR5X는 이전 세대 대비 동작 속도와 소비 전력을 25% 이상 개선해 저전력∙고성능 특성이 요구되는 '온디바이스 AI(On-device AI)' 시대에 최적화됐다. 이번 제품을 통해 사용자는 모바일 기기에서 배터리를 더 오래 사용할 수 있으며, 서버나 클라우드에 연결하지 않은 상태에서도 뛰어난 성능의 온디바이스 AI 기능을 활용할 수 있다. JC 수 미디어텍 수석 부사장은 “삼성전자와의 긴밀한 협업을 통해 미디어텍의 차세대 고성능 프로세서인 디멘시티에 삼성전자의 고성능 10.7Gbps LPDDR5X를 탑재해 업계 최초로 동작 검증에 성공했다”며 “앞으로 사용자는 최신 칩셋을 탑재한 기기를 통해 배터리 성능을 최대화하고, 더 많은 AI 기능을 활용할 수 있게 될 것”이라고 밝혔다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 부사장은 “미디어텍과의 전략적 협업을 통해 업계 최고 속도 LPDDR5X D램의 동작을 검증하고, AI시대에 맞춤형 솔루션임을 입증했다”며 “고객과 유기적인 협력으로 향후 온디바이스 AI 시대에 걸맞은 솔루션을 제공해 AI 스마트폰 시장을 선도해 나갈 것”이라 말했다. 삼성전자는 고객과의 적극적인 협력을 바탕으로 향후 모바일 분야뿐만 아니라 ▲AI 가속기 ▲서버 ▲HPC ▲오토모티브 등 LPDDR D램 응용처를 적극 확장해 나갈 방침이다.

2024.07.16 08:34장경윤

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