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SK, HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현...마이크론 발등에 불?

SK하이닉스가 12일 내년 시장이 본격 개화되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 완료하고 세계 첫 양산 체제를 구축했다고 발표하면서 기술 경쟁력을 한껏 뽐내고 있다. 경쟁사 대비 빠른 속도로, 동작속도 역시 업계 표준을 웃도는 10Gbps 이상을 구현한 것도 SK하이닉스의 시장 지배력 지속을 위한 긍정 신호로 평가되는 대목이다. 또한 주요 고객사인 엔비디아가 최근 HBM4에 필요한 동작속도 요구치를 올린 데 따른 대응으로 풀이된다. 반면 주요 경쟁사인 미국 마이크론은 위기를 맞았다는 평가다. HBM의 동작속도를 높이기 위해서는 '베이스 다이'의 성능이 중요한데, 마이크론의 경우 SK하이닉스, 삼성전자 대비 공정의 기술적 수준이 낮기 때문이다. 이에 업계는 마이크론이 오는 23일(현지시간) 진행하는 회계연도 4분기(6~8월) 실적발표에서 어떠한 대응책을 제시할 지 주목하고 있다. HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현…개발 속도 올려 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM4는 6세대 제품으로, 엔비디아가 내년 출시할 최신 AI 가속기인 '루빈' 칩에 채택될 예정이다. SK하이닉스의 이번 HBM4 개발 완료 발표는 업계의 예상을 앞서는 수준이다. 당초 엔비디아 측이 메모리사와 논의한 공식적인 퀄(품질) 테스트 시점은 내년 초쯤이다. 이에 따라 각 메모리 기업들은 올 3분기 엔비디아에 샘플을 대량으로 공급하며 개발 일정을 소화해 왔다. 다만 SK하이닉스는 이와 별개로 최근까지 HBM4에 대한 내부 인증을 마무리 수순까지 끌어올렸다. 이를 기반으로 개발 완료 일정을 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. HBM4에 구현한 동작속도도 눈에 띈다. SK하이닉스는 HBM4에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작속도를 구현했는데, JEDEC(국제반도체표준화기구)의 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘은 성과다. SK하이닉스가 동작속도를 강조한 이유는 바로 엔비디아에 있다. HBM4는 엔비디아가 내년 출시할 AI 가속기 '루빈(Rubin)' 칩에 채택될 예정이다. 당초 엔비디아는 HBM4에 8~9Gbps 수준의 동작속도를 요구했으나, 최근에는 기준을 10Gbps 이상으로 높인 것으로 알려졌다. 베이스 다이서 '열위' 평가 받는 마이크론…실적 발표서 대응 주목 HBM의 동작 속도 향상을 위해서는 HBM의 베이스(로직) 다이 성능이 중요하다는 게 업계 전문가들의 시각이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이전까지 HBM의 로직 다이를 D램 공정에서 제조해 왔다. 그러나 HBM4부터는 대만 주요 파운드리인 TSMC의 12나노미터(nm) 공정에 로직다이 양산을 맡겼다. 삼성전자도 자사 파운드리 사업부의 4나노 공정을 활용해, 성능 우위를 꾀하고 있다. 반면 마이크론은 HBM4에서도 D램 공정에서 로직 다이를 자체 제작하는 방안을 고수하기로 했다. 때문에 업계에서는 마이크론이 삼성전자·SK하이닉스 대비 엔비디아의 HBM4 동작속도 요구치에 부합하기 힘들 것이라는 전망이 우세해지고 있다. 이 경우 마이크론은 엔비디아의 하이엔드 제품향 HBM4 공급에 제한이 생길 수밖에 없다. 마이크론의 공식 대응이 주목되는 이유다. 마이크론은 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업보다 한 달 앞서 분기 실적 발표를 진행한다. 마이크론의 회계연도 4분기 실적발표는 오는 23일로 예정돼 있다.

2025.09.12 13:29장경윤

SK하이닉스, HBM4 개발 완료…'세계 최초' 양산 체제 구축

SK하이닉스가 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 성공적으로 마무리하고, 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 당사의 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 밝혔다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것”이라며 “고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현할 것”이라고 밝혔다. AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 최근 급증하고 있다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션(Solution)이 될 것으로 내다봤다. 새롭게 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2천48개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것이다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했다. 회사는 또 이 제품에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었다. 회사는 HBM4 개발에 시장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라(Infra) 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했다.

2025.09.12 08:51장경윤

삼성전자, HBM4 '1C D램' 생산 확대...P4 설비·전환투자 속도

삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점을 위한 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력 확보에 주력하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리하는 것은 물론, P3 등 기존 공장에서도 전환투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 초부터 P4 마지막 양산라인에 대한 투자를 집행할 예정이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로, 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 낸드와 D램 양산을 병용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 ph3는 설비투자가 완료됐다. 현재 ph4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있다. 해당 라인은 모두 1c(6세대 10나노급) D램을 주력으로 양산한다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 가장 최신 세대의 D램이다. 특히 삼성전자는 내년 본격적인 상용화를 앞둔 HBM4에 1c D램을 채택할 계획으로, 선제적인 생산능력 확보에 열을 올리고 있다. 남은 ph2는 이르면 올 연말이나 내년 초부터 클린룸 구축이 시작될 예정이다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 양산 설비를 도입하기 바로 직전 도입된다. 용도는 아직 확정되지 않았으나, 업계는 ph2 역시 D램 양산라인으로 구축될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4 상용화를 대비해 1c D램의 생산능력 확대에 미리 나서고 있다"며 "낸드나 파운드리의 경우 생산능력을 확장할 만큼 확실한 수요가 없어, 투자 계획에서 밀리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또한 삼성전자는 화성 17라인에도 1c D램에 대한 전환투자를 추진 중이다. 이를 고려한 삼성전자의 올해 1c D램 생산능력은 최대 월 6만장 수준에 도달할 것으로 관측된다. 나아가 내년 상반기에도 1c D램 생산능력은 지속 확대될 전망이다. P4의 마지막 양산라인에 대한 투자가 마무리되는 것은 물론, 기존 평택캠퍼스 내에서 1c D램에 대한 설비투자가 진행될 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자가 내년 P3 등에서 1c D램에 대한 전환투자를 진행하는 방안을 협력사들과 논의 중인 것으로 안다"며 "1c D램 및 HBM4의 수율 및 성능이 빠르게 안정화될수록 관련 설비투자에도 속도가 붙을 것"이라고 설명했다.

2025.09.11 14:18장경윤

"美, 삼성·SK 中 공장 장비 반출 연간 승인 검토"

미국 상무부가 자국 반도체 제조장비의 삼성전자·SK하이닉스 중국 공장 수출에 대해 매년 승인을 내리는 안건을 검토하고 있다고 블룸버그통신이 7일 보도했다. 블룸버그통신은 미 상무부 관계자를 인용해 "이전 한국 반도체 제조업체들이 확보했던 무기한 허가 대신, 연간으로 승인을 받는 방안을 한국 정부에 제시했다"며 "바이든 정부 시절의 면제 조치를 철회한 후 글로벌 전자 산업의 혼란을 막기 위한 타협안"이라고 설명했다. 기존 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에 속해 왔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 그러나 최근 도널드 트럼프 미국 대통령은 삼성과 SK 등 국내 기업들에게 부과된 VEU를 철회하겠다고 밝혔다. VEU 철회 시점은 내년 초부터다. VEU 철회 대신 연간 승인 제도가 도입되는 경우, 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 내 공장 운영에 대한 압박감은 다소 줄어들 전망이다. 그러나 미국 정부의 입장에 따라 사업에 큰 변수가 상존한다는 점에서는 여전히 악재다. 블룸버그는 "트럼프 행정부의 제안은 한국의 두 기업이 1년 치의 장비, 부품, 소재에 대한 정확한 수량으로 승인을 받도록 요구한다"며 "또한 설비의 업그레이드 혹은 생산능력 확장에 사용될 수 있는 장비의 운송은 승인하지 않을 것"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다.

2025.09.08 17:26장경윤

SK하이닉스, 하반기 HBM용 TC본더 추가 발주 '잠잠'...왜?

SK하이닉스의 하반기 HBM 설비투자가 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. 최근까지 핵심 후공정 장비인 TC(열압착) 본더에 대한 발주 논의가 매우 소극적으로 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 60대 이상의 TC 본더를 설치할 것이라는 기대감도 있었으나, 최대 40여대 수준에 그칠 가능성이 높아졌다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM용 TC 본더 투자를 계획 대비 다소 늦출 것으로 전망된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣은 뒤, 열과 압착을 가해 연결하는 방식으로 제조되고 있다. 때문에 TC본더는 HBM 양산에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 SK하이닉스는 주요 협력사인 한미반도체와 더불어 국내 한화세미텍, 싱가포르 ASMPT를 TC 본더 공급망으로 두고 있다. 지난 5월에는 한미반도체와 한화세미텍에 각각 TC 본더를 대량으로 발주한 바 있다. 이를 기반으로 한 SK하이닉스의 올 상반기 HBM용 TC 본더 총 주문량은 30대 이상으로 추산된다. 당초 업계는 SK하이닉스가 올 하반기에도 상당량의 TC 본더 발주를 진행할 것으로 예상해 왔다. SK하이닉스가 엔비디아용 HBM3E 공급을 본격화한 데 이어, 차세대 제품인 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있어서다. 일각에서는 SK하이닉스의 올해 총 TC 본더 주문량이 60대를 넘어설 것이라는 기대감이 나오기도 했다. 다만 SK하이닉스는 올 3분기 말까지 TC 본더 투자 논의에 보수적인 입장을 취하고 있는 것으로 파악됐다. 4분기에 추가 발주가 진행될 수는 있으나, 올해 총 발주량은 40여대에 불과할 것이라는 게 업계 중론이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 작년 하반기에만 50여대의 장비를 발주했었고, 올해도 최소 비슷한 수준의 발주를 예상해 왔다"며 "그러나 현재 추가 발주를 위한 움직임이 전혀 없는 상황으로, 사실상 하반기에 셋업(Set-up)되는 장비가 매우 적을 것으로 보고 있다"고 설명했다. 주요 배경은 투자 효율성에 있다는 분석이 나온다. 현재 SK하이닉스는 기술력 축적을 통한 수율 상승으로 장비 당 생산 가능한 HBM 수량을 증대시키고 있다. 또한 HBM3E에 활용하던 장비를 일부 개조해, HBM4에 대응하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이 경우 추가 설비투자 없이도 첨단 HBM 생산능력을 점진적으로 늘려나가는 것이 가능해진다. 내년 출하량을 확정하지 못한 것도 영향을 미쳤을 것으로 풀이된다. 현재 SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 내년 HBM 연간 공급량에 대한 협의를 꾸준히 진행 중이다. 내년 사업에 대한 불확실성이 남아있는 상황에서 섣불리 투자를 진행하기란 어렵다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 당초 계획 대비 TC 본더 발주 시점을 뒤로 미루고 있는 것으로 안다"며 "본격적인 추가 투자가 빨라야 연말에 구체화될 것이기 때문에, 본격적인 TC 본더 셋업은 내년에 진행될 전망"이라고 설명했다.

2025.09.08 14:36장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM 상용화 총력…범용 D램 가격 상승 '압박'

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 총력을 기울이고 있다. 이에 따라 범용 D램 생산능력 및 웨이퍼 투입량이 줄어들면서 가격 상승 압박을 받고 있다. 4일 업계에 따르면 올해 하반기 및 내년 초 범용 D램 가격은 당초 예상보다 상승할 것으로 전망된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 올해부터 엔비디아향 HBM4(6세대 HBM) 공급 준비에 집중하고 있다. 올 3분기 엔비디아가 HBM4 샘플을 대량으로 요청함에 따라, 두 회사 모두 HBM4 샘플 제작을 위한 웨이퍼 투입량을 늘리고 있는 것으로 파악됐다. 추산 규모는 월 1만~2만장 수준으로, 샘플인 점을 고려하면 매우 많은 양에 해당한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 상용화된 HBM3E는 8단과 12단 적층으로 제작된다. 현재 샘플 단계에서 테스트가 진행 중인 HBM4 역시 12단이다. 다만 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 많고, D램 크기가 확대되는 등 기술적 진보가 많아 초기 수율 확보에 불리하다. 수율이 낮을 경우, 고객사 조건을 맞추기 위해선 웨이퍼 투입량을 더 늘릴 수밖에 없다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들이 내년 엔비디아향 HBM 사업 확대를 위한 준비에 사활을 걸고 있다"며 "HBM에 투입되는 웨이퍼가 많아질수록 범용 D램 수급은 더 타이트해지고, 올 하반기와 내년 가격 인상을 부추길 수 있다"고 설명했다. 설비투자도 대부분 HBM에 집중되면서, 범용 D램 생산능력이 점차 줄어드는 추세다. 삼성전자는 HBM4에 탑재될 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력을 올해 월 6만장까지 늘리기 위한 투자를 집행 중이다. SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 생산능력 확대를 위한 전환투자를 꾸준히 진행해 왔다. 실제로 시장조사업체 옴디아는 최근 서버용 64GB(기가바이트) DDR5의 올 4분기 가격 전망치를 당초 255달러에서 276달러로 상향 조정했다. 모바일 8GB DDR5도 18.7달러에서 19.2달러, PC 16GB DDR5는 44.7달러에서 46.5달러로 높였다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "설비투자가 사상 최고 수준임에도 웨이퍼 캐파는 HBM이 점점 더 많이 잠식하고 있어 레거시(성숙) D램은 구조적으로 제약을 받는다"며 "범용 D램의 수요가 증가해도 생산을 공격적으로 확대하지 못하는 구조적 불균형이 내년에도 재현될 수 있어, 시장이 급격한 가격 상승에 직면할 수 있다"고 밝혔다.

2025.09.04 13:23장경윤

SK하이닉스, 임금협상 타결…매년 영업익 10% 성과급 지급

SK하이닉스는 임금인상률 6%와 새로운 PS(성과급) 기준을 담은 임금 교섭 잠정 합의안이 노동조합 대의원 투표를 통해 타결됐다고 4일 밝혔다. 이로써 SK하이닉스는 지난 5월부터 진행된 임금 교섭을 마무리 했다. 이날 투표는 95.4%의 역대 최고 찬성률로 통과됐다. 이번에 타결된 합의안은 매년 영업이익의 10%를 성과급으로 지급하되, 개인별 성과급 산정 금액의 80%는 당해년도 지급, 나머지 20%는 2년에 걸쳐 매년 10%씩 지급하는 방식을 골자로 한다. 특히 10년간 기준을 유지하기로 정한 새로운 성과급 기준의 의미를 살펴보면, 회사의 경영 성과와 개인의 보상 간 직접적 연계를 명확하고 투명한 기준으로 정립함으로써 시스템 경영을 통한 보상의 내적 동기부여를 극대화했다. 또한 성과급의 일부는 2년에 걸쳐 이연 지급해 회사의 재무건전성과 보상 안정성을 동시에 추구하는 윈-윈(Win-Win) 효과를 얻게 됐고, 이는 회사와 구성원 모두가 장기적 성장 관점에서 접근한 사례다. 10년간 기준을 유지한다는 원칙으로 제도의 장기적인 지속가능성과 회사와 구성원 간 신뢰도 확보했다. 이를 통해 매년 반복되는 논란을 원천적으로 제거하고 구성원이 일에 몰입할 수 있는 환경을 조성할 수 있게 됐다. 이번 합의는 내부적으로 회사 성과의 파이(규모)를 키우자는 동기 부여 효과와 더불어 고성과자에 대한 보상 확대 등 성과주의에 기반한 보상 체제를 강화해, 우리 사회의 의대 선호 현상을 전환시키며 국내외 이공계 우수 인재를 확보, 유지하는 계기를 마련했다는 평가가 나오고 있다. SK의 성과에 대한 보상 철학은 성과급 수준 자체에 집중하거나 회사가 일방적으로 결정해서 지급하는 것이 아닌, 기준에 합의해 함께 파이를 키워서 공유하는 것이라는 의미로 해석된다. 한편 SK하이닉스 노사는 5일 임금협상 조인식을 진행할 예정이다.

2025.09.04 10:11장경윤

SK하이닉스, 양산용 '하이(High) NA EUV' 장비 도입

SK하이닉스는 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다. 삼성전자 등 주요 메모리 경쟁사도 관련 장비를 이미 도입했지만, 해당 장비는 연구용에 해당한다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다. SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다. 회사는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다. 이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다. SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다. 이로써 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 기대했다. 김병찬 ASML코리아 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 말했다. SK하이닉스 차선용 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

2025.09.03 09:52장경윤

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

美, 삼성·SK 中 반도체 투자 규제…"장비 개별 허가 받아라"

내년부터 삼성전자·SK하이닉스의 중국 첨단 메모리 전환투자에 극심한 제약이 생길 전망이다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부가 그간 중국향 설비 도입에 적용됐던 간소화 절차를 폐지하겠다고 밝혔기 때문이다. 29일(현지시간) 미국 상무부는 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 삼성전자, SK하이닉스, 인텔의 중국 내 반도체 사업체를 제외하겠다고 관보를 통해 밝혔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 현재 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 미국 상무부는 VEU가 철회되는 시점을 9월 2일로부터 120일 후라고 밝혔다. 이에 따라 해당 기업들은 내년 1월부터 미국산 장비를 반입할 때마다 미국 정부의 개별 허가를 받아야 할 것으로 전망된다. 이번 조치는 삼성전자, SK하이닉스의 첨단 메모리 생산능력 확대에 악재로 작용한다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, KLA 등 미국 주요 반도체 장비기업들의 중국 사업 역시 위축될 가능성이 크다.

2025.08.30 10:42장경윤

SK하이닉스, 신소재 기반 '고방열' 모바일 D램 공급 개시

SK하이닉스가 업계 최초로 'High-K EMC' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔다. EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할도 하는 반도체 후공정 필수 재료다. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도도를 높인 것을 뜻한다. 열 전도도는 물질이 열을 얼마나 잘 전달하는지를 나타내는 물리적 특성으로, 단위 시간 동안 특정 물질을 통해 얼마나 많은 열이 이동하는지를 뜻한다. 회사 측은 "온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다"며 "이번 제품으로 고사양 플래그십(Flagship) 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 밝혔다. 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 위에 D램을 적층하는 PoP(패키지온패키지) 방식을 적용하고 있다. PoP는 각각 다른 종류의 반도체 패키지를 위아래로 쌓아 공간 효율, 성능 향상, 조합 유연성을 꾀하는 방식이다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시키는 장점을 제공한다. 하지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 야기한다. SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했다. 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발한 것이다. 이를 통해 열전도도를 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰으며, 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다. 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여한다. 이러한 효과로 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망된다. 이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.

2025.08.28 09:21장경윤

삼성·SK, 올 상반기 R&D에 '적극 투자'…AI 시대 준비

삼성전자, SK하이닉스가 올 상반기 공격적인 연구개발(R&D) 투자에 나선 것으로 집계됐다. AI 산업 발전에 따라 최첨단 가전·반도체 수요가 급증하고 있는 만큼, 경쟁력을 선제적으로 확보하기 위한 전략으로 풀이된다. 14일 각 사 사업보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기 R&D 비용을 전년동기 대비 크게 늘렸다. 삼성전자는 올 상반기 R&D에 18조641억원을 투자했다. 매출액 대비 11.8%에 해당하는 규모다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 R&D에 15조8천965억원을 투자한 바 있는데, 이보다 2조원 넘게 투자 규모를 늘린 셈이다. SK하이닉스의 올 상반기 R&D 투자비용은 3조456억원으로 집계됐다. 전년동기(2조3075억원) 대비 7천억원 가량 증가했다. 이처럼 국내 주요 IT기업들은 차세대 제품 개발 및 선도 기술 확보를 위한 공격적인 투자를 이어가고 있다. 삼성전자의 경우, 주요 사업인 스마트폰에서 초슬림·초경량 디자인의 '갤럭시S25 엣지' 제품을 출시한 바 있다. 또한 모니터, 사이니지, 프로젝터 등 신규 가전제품 라인업을 확대했다. 반도체 사업부문에서는 지난 6월 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 준비를 마쳤다. 해당 제품은 이전 세대 대비 생산성은 30% 이상 향상됐으며, 저전력 특성이 10%가량 개선됐다. 삼성전자는 이를 HBM(고대역폭메모리)에 적용해 AI 시장에 대응할 예정이다. SK하이닉스도 올 2분기 1c 공정 기반의 LPDDR5X(저전력 D램) 개발에 성공했다. 향후 AI 서버 및 PC 시장을 위한 차세대 메모리 모듈에 적용될 계획이다.

2025.08.14 18:13장경윤

SK하이닉스, '1c D램' LPDDR5X 개발 성공…SoCAMM 등 AI 메모리 겨냥

SK하이닉스가 올 2분기 차세대 공정 기반의 저전력 D램 개발에 성공했다. SoCAMM(소캠) 등 신규 AI용 메모리가 주요 타겟으로, 향후 엔비디아와 같은 글로벌 빅테크 수요에 적기 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 14일 SK하이닉스 반기보고서에 따르면 이 회사는 올 상반기 1c(6세대 10나노급) 공정 기반의 LPDDR5X 개발에 성공했다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램이다. 스마트폰, 태블릿 등 IT 기기에서 수요가 높다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔으며, 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 4분기부터 1b(5세대 10나노급) LPDDR5X 양산에 성공한 바 있다. 나아가 이번 1c LPDDR5X 개발로 AI용 저전력 D램 시장 확대에 선제적으로 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 1c D램은 아직 상용화 궤도에 오르지 않은 차세대 D램으로, SK하이닉스의 경우 올 하반기부터 1c D램의 전환투자를 시작할 계획이다. SK하이닉스는 "AI 산업을 위한 1c 24Gb(기가비트) LPDDR5X 제품을 개발했으며, 최대 10.7Gbps의 동작속도 구현이 가능하다"며 "SoCAMM 및 LPCAMM 형태로 AI용 서버 및 PC 시장에 대응할 예정"이라고 설명했다. LPCAMM은 기존 LPDDR 모듈 방식인 So-DIMM(탈부착)과 온보드(직접 탑재)의 장점을 결합한 기술이다. 기존 방식 대비 패키지 면적을 줄이면서도 전력 효율성을 높이고, 탈부착 형식으로 제작하는 것이 가능하다. SOCAMM 역시 LPDDR 기반의 차세대 모듈이다. LPCAMM과 마찬가지로 탈부착이 가능하지만, 데이터를 주고받는 I/O(입출력단자) 수가 694개로 LPCAMM(644개) 대비 소폭 증가했다. LPCAMM 및 SOCAMM은 이 같은 장점을 무기로 글로벌 빅테크와 주요 메모리 기업들의 주목을 받고 있다. 현재 AI 산업을 주도하고 있는 엔비디아도 차세대 AI PC에 이들 제품을 채택할 것으로 알려졌다.

2025.08.14 17:23장경윤

내년 HBM '완판' 자신한 마이크론…성과급 갈등 빚는 SK하이닉스

미국 마이크론이 내년 최첨단 HBM(고대역폭메모리) 공급물량의 완판 가능성을 언급해 주목된다. 글로벌 메모리 빅3 기업 중에선 처음으로 HBM 수율 개선과 고객사 협의에 강한 자신감을 내비친 셈이다. 반면 성과급 한도를 놓고 노사 갈등을 빚고 있는 SK하이닉스, 여전히 엔비디아에 HBM3E 공급 시점을 잡지 못하고 있는 삼성전자 등 국내 기업이 자칫 협상 선점에서 실기할 수 있어 시장 대응에 속도를 내야 한다는 목소리가 나온다. 13일 업계에 따르면 주요 메모리 공급업체들은 내년 주요 고객사용 HBM 공급 규모를 확정하기 위한 협의를 적극 진행하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 내년에는 현재 상용화된 가장 최신 제품인 HBM3E(5세대 HBM) 12단과 이르면 올 하반기부터 양산되는 HBM4(6세대 HBM) 12단이 주력으로 떠오를 전망된다. 특히 AI 반도체 시장을 선도하는 엔비디아가 HBM 핵심 고객사로서의 지위를 유지하고 있는 만큼, 엔비디아와의 내년 공급량 협의가 반도체 빅3에게는 향후 사업을 좌지우지할 매우 중대한 사안으로 떠오르고 있다. 마이크론은 지난 11일(현지시간) 미국 키뱅크가 주최한 기술 리더십 포럼에서 이와 관련한 질문에 "내년 HBM 물량에 대해 고객들과 논의를 진행해 왔으며, 지난 몇달 간 상당한 진전을 이뤘다"며 "이를 바탕으로 내년 HBM 물량을 모두 판매할 수 있을 것으로 확신한다"고 강조했다. 내년 전체 HBM 물량의 판매 가능성을 언급한 건 사실상 마이크론이 처음이다. 이어 HBM3E 12단 수율 역시 상당히 개선됐다고 자평했다. 마이크론은 "HBM3E 12단 수율의 램프업(ramp-up)은 이전 HBM3E 8단보다 훨씬 빠르게 진행됐다"며 "이미 HBM3E 12단 수율이 8단을 넘어섰다"고 밝혔다. 마이크론의 이같은 공격적인 HBM 사업 확장세는 국내 메모리 업계에 경계해야할 위험 요소로 다가온다. 특히 기존 엔비디아에 HBM을 주력으로 공급해 온 SK하이닉스가 가장 많은 영향을 받을 것으로 전망된다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "내년 HBM 공급에 대한 가시성이 확보됐다"고 밝혔으나, 구체적인 현황에 대해서는 말을 아꼈다. 지난해 상반기 "내년 HBM 물량이 이미 솔드아웃(완판) 됐다"고 공언한 것과는 대조적이다. 실제로 SK하이닉스는 당초 올해 중반까지 엔비디아와의 내년 HBM 공급량을 확정짓는 것을 목표로 했으나, 이달까지도 협상이 지연되고 있다. 양사 간 주요 임원진이 수 차례 만남을 가졌음에도 물량 담보와 HBM4 가격 등에서 좀처럼 이견을 좁히지 못하는 것으로 알려졌다. 더구나 이 같은 와중에 SK하이닉스 노사가 성과급 한도와 방식을 놓고 이견을 좁히지 못하고 있는 것도 불안 요소다. 노사는 지난 5월부터 총 10차례에 걸쳐 임금 교섭을 벌이고 있지만 합의점을 찾지 못하고 있다. 사측은 지난달말 성과급 지급률 기준을 1천%에서 1천700%로 상향하고 지급 뒤에도 남은 영업이익 10%의 재원 중 50%를 구성원들의 PS 재원으로 활용하는 방안을 제안했다. 나머지 절반은 미래 투자 등에 사용한다는 방침이다. 그러나 노조는 영업이익 10%를 전액 성과급으로 지급해야 한다며 총파업 투쟁 결의대회를 이어가고 있다. 내년 주력 제품으로 떠오를 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 증가하고, 코어 다이 면적 증가, 베이스(로직) 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. 때문에 업계는 HBM4 가격이 HBM3E 12단 대비 약 30% 증가한 500달러 수준을 형성해야 한다고 보고 있다.

2025.08.13 10:31장경윤

SK하이닉스 "1c D램서 EUV 적층 수 5개층 이상 적용"

SK하이닉스가 차세대 D램 개발서 EUV(극자외선) 공정을 적극 활용하고 있다. 올 하반기 전환투자가 시작되는 1c(6세대 10나노급) D램의 경우, EUV 적용 층 수를 이전 세대 대비 2개 늘어난 5개 이상까지 적용하기로 했다. 차세대 EUV 기술을 위한 소재 개발도 지속하고 있다. 11일 업계에 따르면 SK하이닉스는 1c D램에 EUV 레이어 수를 총 5개 이상 적용할 계획이다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 다만 기술적 난이도 및 설비 도입 비용이 높아, 초미세 회로 구현이 필요한 특정 층(레이어)에만 적용되고 있다. 나머지 층에는 DUV(심자외선) 등 기존 레거시(성숙) 공정이 쓰인다. SK하이닉스의 경우, 1a(4세대 10나노급) D램의 1개 레이어에 EUV를 처음 적용한 바 있다. 이후 1b D램에서는 이를 4개까지 확대했다. 나아가 1c D램에서는 EUV 레이어 수를 5개 이상 늘린다. 1c D램은 아직 본격적인 상용화 궤도에 오르지 않은 차세대 D램으로, SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 바 있다. 올 하반기부터는 1c D램의 전환투자를 시작할 예정이다. 박의상 SK하이닉스 TL은 이날 수원컨벤션센터에서 열린 '차세대 리소그래피+패터닝 학술대회'에서 "1c D램에 EUV 레이어를 5개 이상 적용하고, 1d·0a 등 차세대 제품에도 EUV를 모두 사용할 것"이라며 "이에 맞춰 SK하이닉스는 EUV 공정의 생산성을 증가시킬 수 있는 방안에 초점을 두고 많은 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 향후 도입될 High-NA(고개구수) EUV 기술에 대해서도 적극 대응하고 있다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33 수준이나, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. SK하이닉스는 이르면 내년 High-NA EUV 설비를 도입할 계획이다. 특히 High-NA EUV용 마스크 개발이 주요 난제가 될 것으로 관측된다. 마스크는 웨이퍼에 반도체 회로를 새기기 위해 사용되는 소재다. EUV는 거의 모든 물질에 흡수되는 성질을 지녀, 거울을 통해 웨이퍼에 빛을 반사시키는 방식을 활용한다. 그런데 High-NA에서는 빛이 더 넓은 각도로 퍼져, 입사각과 반사각이 겹치는 문제가 발생하게 된다. 이에 업계는 빛의 세로 방향을 가로 대비 2배 더 축소시켜 빛이 겹치지 않게 하는 '아나모픽' 기술을 고안해냈다. 마스크에서 웨이퍼로 투사되는 빛이 기존에는 가로 세로 모두 4배 축소됐다면, 아나모픽에서는 가로는 4배 그대로, 세로는 8배로 축소하는 방식이다. 웨이퍼에 투사되는 면적이 줄어드는 만큼, 마스크는 2개를 사용해야 한다. 다만 마스크를 2개 사용하는 과정에서, 마스크끼리 맞닿은 부분이 겹치는 문제가 발생하게 된다. SK하이닉스는 이를 '스티칭(Stiching)' 영역이라고 부른다. 박 TL은 "스티칭 영역에 대한 제어가 상당히 어렵기 때문에, 당사도 현재 High-NA EUV용 마스크는 개발을 못한 상황"이라며 "어떠한 물질로 만들어야할 지 계속 시도는 하고 있는 상태"라고 말했다.

2025.08.11 16:53장경윤

빅테크 AI 인프라 투자 확대 지속…삼성·SK 메모리 사업에 '단비'

마이크로소프트(MS), 메타, 구글 등 글로벌 빅테크들이 올해 공격적인 AI 인프라 투자를 예고했다. 이에 따라 HBM(고대역폭메모리), 고용량 D램·낸드 등을 양산하는 국내 반도체 기업들도 실적 개선에 긍정적인 영향을 얻을 것으로 기대된다. 1일 업계에 따르면 글로벌 빅테크 기업들의 올해 AI 인프라 투자 성장률은 당초 예상보다 확대될 전망이다. 이번 주 실적 발표를 진행한 메타는 올해 연간 설비투자(Capex) 전망치를 기존 640억~720억 달러에서 660억~720억 달러로 최저치를 상향 조정했다. 중간값인 690억 달러를 기준으로, 전년 대비 약 300억 달러가 증가하는 수준이다. 메타는 해당 설비투자의 대부분을 서버 및 데이터센터, 네트워크 인프라 분야에 집중할 예정이다. 나아가 내년 설비투자에 대한 전망에 대해서도 "올해와 비슷한 규모의 투자 증가가 이어질 것으로 예상한다"고 밝혔다. 같은 날 마이크로소프트는 2026 회계연도 1분기(2025년 7~9월) AI 서비스 지원을 위한 데이터센터 확충에 300억 달러 이상의 자본을 지출할 것이라고 발표했다. 전년 대비 50% 이상 증가한 규모이자, 증권가 예상치인 237억 달러를 크게 상회했다. 로이터통신은 "이러한 추세라면 마이크로소프트는 이번 회계연도 AI에 약 1천200억 달러를 지출하게 된다"고 설명했다. 이처럼 글로벌 빅테크의 AI 인프라 투자는 당초 예상보다 증가할 것으로 기대된다. 황수욱 메리츠증권 연구원은 "구글·메타·마이크로소프트 세 회사의 올해 설비투자 성장률은 추정치는 이전 48.8%에서 58.8%로 높아졌다"며 "전년 성장률이 53.4%였던 점을 고려하면 작년보다 올해 성장률이 높아진 것"이라고 밝혔다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업에게도 AI 인프라 투자 확대는 긍정적인 요소다. 이들 기업은 AI 데이터센터에 필요한 D램·낸드 등 고부가 메모리를 공급하고 있다. 특히 HBM은 AI 가속기와 함께 강력한 성장세를 나타내고 있다. 실제로 SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원으로 역대 최대 실적을 기록했다. 글로벌 빅테크의 AI 메모리 수요 증가에 따라 D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록한 것이 주요 배경이다. 이에 맞춰 SK하이닉스는 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 주력하고 있다. 서버용 LPDDR 기반 최신형 모듈인 'SoCAMM(소캠)'의 공급을 연내 시작하며, AI GPU용 GDDR7은 용량을 24Gb(기가비트)로 확대한 제품을 준비한다. 올해 설비투자 규모를 늘려 HBM 생산능력 확대에도 나선다. 삼성전자도 올 3분기 소캠 양산을 시작하고, HBM3E의 비중을 적극 확대할 예정이다. 올 하반기에는 전체 HBM 사업에서 HBM3E가 차지하는 비중이 90%를 넘어설 것으로 전망된다. 또한 차세대 AI 시장을 겨냥한 HBM4용 1c D램의 양산 전환 승인을 완료하고, HBM4 샘플을 고객사에 공급했다.

2025.08.01 10:45장경윤

바닥 다진 삼성전자, 하반기 HBM·파운드리 사업 확대 '올인'

삼성전자가 올 하반기 실적 반등을 위해 AI 등 고부가 사업에 집중한다. 메모리는 첨단 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대 및 차세대 제품 개발을 진행 중이며, 파운드리는 2나노미터(nm) 고정 고도화와 함께 테슬라 등 글로벌 빅테크 고객사 확보에 열중하고 있다. 스마트폰 시장은 갤럭시Z폴드7·플립7 등 최신형 폴더블 스마트폰 출시 효과가 기대된다. 또한 차세대 혁신 제품인 XR 헤드셋, 3단 접이식 '트리폴드' 스마트폰 출시도 예고하며 향후 폼팩터 변화에 적극 대응할 계획이다. 삼성전자는 올 2분기 연결 기준으로 매출 74조6천억원, 영업이익 4조7천억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 0.67% 증가했으나, 전분기 대비 5.78% 감소했다. 영업이익은 전년동기 대비 55.23%, 전분기 대비 30.05% 감소했다. DS부문의 메모리 재고 충당금 등 일회성 비용과 대중 제재의 영향, DX부문의 매출 및 영업이익 감소 등이 영향을 미쳤다. 다만 갤럭시S25 등 주요 모바일 제품의 호조세는 비교적 견조했다. 올 하반기 '상저하고' 전망…관세 영향은 예의주시 하반기 역시 불확실성이 높은 상황이지만, 삼성전자는 '상저하고'의 실적 반등을 예상하고 있다. 삼성전자는 "글로벌 무역환경의 불확실성과 지정학적 리스크 등으로 전세계적인 성장 둔화가 우려된다"면서도 "AI와 로봇 산업을 중심으로 성장세가 확산되며 IT 시황도 점차 개선될 것으로 전망된다"고 밝혔다. 관세에 대한 영향도 예의주시하고 있다. 오는 8월 중순 발표가 예상되는 미국 상무부의 무역확장법 232조 조사는 반도체뿐만 아니라 스마트폰, 태블릿, PC, 모니터 등 완제품을 모두 포함하기 때문에, 삼성전자의 주요 사업에 광범위한 영향을 미칠 것으로 보인다. 삼성전자는 "232조 조사 과정에서 당사는 직간접적으로 의견을 개진해 왔고, 한미 관련 당국과도 긴밀히 소통해 왔다"며 "조사 결과에 따라 반도체 관련 양국 간 협의가 이어질 경우 사업 기회와 리스크를 다각도로 분석해 대응할 것"이라고 밝혔다. 적극적인 M&A 전략도 이어간다. 삼성전자는 "올 상반기 미래 신기술 및 유망 기업 발굴을 위한 벤처 투자에 AI, 로봇, 디지털 헬스 등을 중심으로 약 40여개 기업에 1억2천만 달러를 투자했다. 이는 삼성전자 역대 반기 기준 최대 규모"라며 "다양한 신성장 분야에서 기술 리더십 확보를 위해 다양한 후보 업체들을 검토 중"이라고 밝혔다. HBM4 샘플 공급…파운드리도 테슬라 넘어 고객사 추가 확보 기대 메모리의 경우 D램은 올 하반기부터 가격 상승폭의 확대가 예상된다. 낸드 역시 3분기부더 반등이 시작될 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 HBM과 최선단 D램 등 AI 서버용 제품 메모리 판매를 확대하고, 올 3분기 차세대 저전력 D램 모듈인 소캠(SoCAMM)의 양산을 시작할 계획이다. 특히 HBM은 HBM3E의 비중 확대가 예상된다. 올 2분기 삼성전자의 전체 HBM 사업에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80% 후반으로, 올 하반기에는 90%를 넘어설 전망이다. 또한 HBM4용 1c D램의 양산 전환 승인을 완료하고, HBM4 샘플을 고객사에 공급했다. 파운드리는 2나노미터(nm) 1세대 공정의 신뢰성 평가를 완료하는 등 양산 준비를 차질 없이 진행했다. 2세대 2나노 역시 기술 인프라를 구축해 대형 고객사 수주를 확대했다. 이를 통해 자사 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 엑시노스 2600의 경쟁력을 강화할 것으로 전망된다. 또한 삼성전자는 최근 테슬라로부터 약 22조원 규모의 반도체 위탁생산 계약을 수주했다. 해당 칩의 양산은 미국 테일러시에 건설 중인 신규 파운드리 팹에서 진행될 예정으로, 이를 위해 삼성전자는 올해 및 내년 해당 팹의 생산능력 확대를 위한 투자를 계획 중이다. 삼성전자는 "당사 선단 공정의 경쟁력을 입증하는 계기가 됐다"며 "이를 기점으로 향후 대형 고객사 추가 주수가 기대된다"고 밝혔다. 폴더블 등 프리미엄 시장 성장세…AI 기능 적극 도입 올해 하반기 스마트폰 시장에 대해서는 글로벌 경기 둔화와 선진국의 관세 리스크 등으로 인해 전년 대비 소폭 역성장할 것으로 전망했다. 다만 신흥 시장을 중심으로 프리미엄 세그먼트는 성장세를 이어갈 것으로 내다봤다. 이 같은 전망에 따라 삼성전자는 플래그십 중심 전략을 더욱 강화할 계획이다. 최근 공개된 7세대 폴더블 신제품 '갤럭시Z폴드7'과 '갤럭시Z플립7'은 기존 제품 대비 성능, 디자인, 내구성 전반에서 혁신을 이뤘다는 평가를 받으며 시장 반응도 긍정적이다. 이에 따라 삼성전자는 폴더블 제품군에서 전년 대비 두 자릿수 이상 성장세를 기대하고 있다. AI 전략도 본격화된다. 삼성전자는 자사 스마트폰 상호작용 방식을 기존 터치·앱 중심에서 멀티모달 기반 에이전트 중심 구조로 전환하고 있다. 구글과 협력해 S25 시리즈에는 크로스 앱 제어 기능을 도입했고, '제미나이 라이브' 실시간 화면 인식 및 반응 기능도 적용했다. 이같은 AI 기능은 새로운 폴더블 라인업에도 최적화돼 있다. 삼성전자 관계자는 "플래그십 중심 확판과 프리미엄 신제품 중심 에코 사업 기여도 확대를 추진하겠다"며 "프로세스 전반에 걸친 최적화도 지속하며 견조한 수익성을 유지할 수 있도록 노력하겠다"고 밝혔다.

2025.07.31 15:44장경윤

HBM3E '가격 하락' 가능성 언급한 삼성전자…속내는

삼성전자가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 가격이 하락할 수 있음을 암시했다. 공급이 시장 수요를 웃돌면서 수급의 변화가 예상된다는 게 주요 근거다. 다만 업계는 삼성전자가 주요 고객사향 HBM3E 12단 상용화를 위해 펼치고 있는 가격 인하 정책도 적잖은 영향을 끼쳤을 것으로 보고 있다. 31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 제품의 경우 수요 성장속도를 상회하는 공급 증가로 수급의 변화가 예상된다"며 "당분간 시장 가격에도 영향이 있을 것으로 전망한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "실제로 하반기 컨벤셔널 D램의 가격 상승세를 감안하면 앞으로 HBM3E와 컨벤셔널 D램 수익률 격차는 가파르게 축소될 것으로 판단된다"고 설명했다. HBM3E는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램이다. D램 적층 수에 따라 8단과 12단으로 나뉜다. 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크가 최신형 AI 가속기를 출시함에 따라, HBM3E 12단에 대한 수요 증가세가 올해 크게 두드러질 전망이다. 그럼에도 삼성전자는 HBM3E의 공급 과잉 가능성을 언급하며 수익성 최적화를 위한 운영 전략의 필요성을 강조했다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E 12단을 적극 양산하고 있다는 점을 반영한 것으로 풀이된다. 삼성전자의 공격적인 HBM3E 마케팅 전략도 큰 영향을 끼칠 것이라는 게 업계의 시각이다. 복수의 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 엔비디아향 HBM3E 12단 상용화가 지연되는 상황에서, 가격 인하 등 다양한 제안을 건넨 것으로 안다"며 "실제 공급 성공 여부에 따라 HBM 시장에 변화가 생길 것"이라고 밝혔다.

2025.07.31 13:23장경윤

삼성전자 "HBM4 샘플 이미 출하…내년 수요에 적기 대응"

31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4 제품은 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 이미 출하했다"며 "내년 HBM4 수요가 본격 확대되는 추세에 맞춰 적기에 공급을 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다. 삼성전자는 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4를 개발해 왔다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 앞선 D램을 채용해 성능 경쟁력 확보를 추진하고 있다. 삼성전자는 "당사 HBM4는 베이스다이에 선단 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해, HBM3E 대비 성능 및 에너지 효율을 크게 개선했다"고 설명했다. 1c D램의 생산능력 확대를 위한 설비투자도 진행 중이다. 삼성전자는 올 상반기부터 평택 및 화성캠퍼스에서 1c D램용 양산라인을 구축하고 있다. 올해만 최소 월 7~8만장 규모의 생산능력 확보가 기대된다. 한편 삼성전자는 올 하반기 HBM3E 판매 확대도 계획하고 있다. 삼성전자는 "올 2분기 HBM 출하량이 전분기 대비 30% 증가했고, 전체 HBM 수량에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80%까지 확대됐다"며 "추가적으로 수요를 지속 확보하고 있어 올 하반기 HBM3E 판매 비중은 90%를 상회할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.31 11:29장경윤

하반기 반등 노리는 삼성전자…"HBM·2나노 공정 적극 대응"

삼성전자가 올 2분기 수익성이 부진한 성적표를 내놨다. 주력 사업인 반도체 메모리 재고자산 평가 충당금과 대중 제재 영향에 따른 비메모리 재고 충당 발생한 탓이다. 스마트폰 신모델 출시 효과 감소와 부정적 환율 등도 영향을 미쳤다. 다만 올 하반기에는 AI·로봇 산업 확대로 IT 시황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 맞춰 삼성전자는 HBM 등 AI 서버용 메모리 판매 확대, 2나노 공정 기반의 모바일 AP(애플리케이션프로세서) 양산 등을 본격 추진할 계획이다. 삼성전자는 올 2분기 연결 기준으로 매출 74조6천억원, 영업이익 4조7천억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 0.67% 증가했으나, 전분기 대비 5.78% 감소했다. 영업이익은 전년동기 대비 55.23%, 전분기 대비 30.05% 감소했다. 반도체 부진 속 MX 수익성 '견조' 사업별로는 반도체를 담당하는 DS부문 매출이 27조9천억원, 영업이익 4천억원으로 집계됐다. 메모리는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)와 고용량 DDR5 제품 판매 비중 확대를 통해 서버 수요에 적극 대응했으며, 데이터센터용 SSD 판매도 증가했다. 그러나 재고 자산 평가 충당금 등 일회성 비용이 반영되면서 실적이 하락했다. 시스템 LSI는 주요 플래그십 모델에 GAA(게이트올어라운드) 공정을 적용한 SoC(시스템온칩)를 공급하며 견조한 매출을 달성했으나, 첨단제품 개발 비용 상승으로 수익성 개선은 제한적이었다. 파운드리는 전분기 대비 큰 폭의 매출 개선을 이뤘으나, 첨단 AI 칩에 대한 대중 제재 영향으로 재고 충당금이 발생했다. 또한 성숙(Mature) 공정 라인의 가동률 저하가 지속되면서 부진한 실적을 거뒀다. DX(디바이스경험)부문 매출은 43조6천억원, 영업이익 3조3천억원이다. MX(모바일경험)는 신모델이 출시된 1분기 대비 판매량은 감소했으나, 플래그십 스마트폰의 견조한 판매가 지속되면서 전년 동기 대비 매출과 영업이익이 모두 성장했다. 또한 리소스 효율화를 통해 견조한 두 자리 수익성을 유지했다. 네트워크는 해외 시장에서의 매출 증가와 리소스 효율화로 전분기 및 전년 동기 대비 수익성이 개선됐다. VD(영상디스플레이)는 ▲Neo QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 전략 제품의 판매 비중이 확대됐으나, 글로벌 경쟁 심화로 실적이 하락했다. 생활가전은 성수기에 진입한 에어컨 판매 호조와 고부가가치 AI 가전 제품 판매 확대에 힘입어 수익성이 개선됐다. 하만은 매출 3조8천억원, 영업이익 5천억원을 기록했다. 오디오 판매 호조와 전장 사업의 비용 효율화로 수익성이 개선됐다. 디스플레이(SDC)는 매출 6조4천억원, 영업이익 5천억원으로 집계됐다. 스마트폰 신제품 수요와 IT·자동차에 공급되는 중소형 패널 판매 확대로 전분기 대비 매출이 개선됐다. 대형은 게이밍 시장 중심으로 고성능 QD-OLED 모니터용 디스플레이 판매가 확대됐다. "하반기 IT 시황 개선…AI용 메모리 대응, 2나노 공정 양산 본격화" 삼성전자는 올 하반기 전망에 대해 "글로벌 무역환경의 불확실성과 지정학적 리스크 등으로 전세계적인 성장 둔화가 우려된다"면서도 "AI와 로봇 산업을 중심으로 성장세가 확산되며 IT 시황도 점차 개선될 것으로 전망된다"고 밝혔다. 먼저 DS부문은 HBM, 고용량 DDR5, LPDDR5x, 24Gb GDDR7 등으로 AI 서버용 제품 수요 강세에 적극 대응할 계획이다. 낸드는 8세대 V낸드 전환을 가속화하면서 서버 수요에 대응해 고용량, 고성능 SSD 판매를 확대할 방침이다. 시스템LSI는 내년도 플래그십 라인업 진입을 목표로 엑시노스의 경쟁력 강화에 집중하고, 이미지센서는 초고화소·저조도 화질 개선 기술인 나노프리즘을 적용한 신제품 판매 확대에 나설 계획이다. 파운드리는 GAA 2나노 공정을 적용한 모바일 신제품 양산을 본격화하고 주요 거래선 판매 확대를 통해 가동률 향상과 수익성 개선을 추진할 예정이다. DX부문은 MX는 갤럭시 Z 폴드7·Z 플립7 등 폴더블 신제품과 갤럭시 S25 시리즈 등 플래그십 중심으로 판매를 지속하고, AI가 강화된 A시리즈 신제품 출시를 통해 스마트폰 시장 점유율 확대를 추진할 방침이다. 태블릿과 웨어러블 제품은 AI 기능 강화에 집중하고, XR(확장현실) 헤드셋과 트라이폴드(Trifold) 등 혁신 제품들을 연내 출시해 갤럭시 생태계를 확장해 나갈 계획이다. 네트워크는 신규 사업 수주와 비용 효율화를 통해 사업 경쟁력 회복을 지속 추진해 나갈 방침이다. VD는 시청 경험이 향상된 AI TV 라인업으로 성수기 수요에 조기 대응해 매출 성장을 추진할 예정이다. 생활가전은 AI가전 판매 확대와 함께 냉난방공조 등 고부가가치 제품 중심으로 사업구조를 개선하는 동시에 공급지 최적화 등을 통해 관세 영향을 최소화할 계획이다. 하만은 관세 영향에 따른 불확실성이 존재하나 소비자용 오디오 제품 판매 확대와 전장 매출 증대를 통해 성장세를 유지해 나갈 계획이다. 디스플레이는 시장의 불확실성이 여전히 존재하지만, 중소형 부문은 주요 고객사의 신제품 출시로 판매 확대가 기대된다. 대형은 안정적인 TV 패널 공급과 모니터 라인업을 보강해 QD-OLED 확대를 가속화할 방침이다.

2025.07.31 09:32장경윤

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