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국내 최대 반도체 소재 컨퍼런스 'SMC 코리아 2025' 14일 개최

글로벌 전자 산업 공급망을 대표하는 산업 협회 SEMI는 국내 최대 규모의 반도체 소재 컨퍼런스인 'SMC(Strategic Materials Conference) Korea 2025'를 이달 14일 수원컨벤션센터에서 개최한다고 7일 밝혔다. 올해로 10회째를 맞이한 이번 행사에서는 국내외 주요 칩 메이커, 반도체 장비·재료 기업, 그리고 전문 리서치 기관이 한데 모여 업계의 최신 기술 이슈와 시장 전망 등을 심도 있게 논의할 예정이다. 올해 행사는 총 2개의 세션으로 나뉘어 진행된다. 첫 번째 세션에서는 3D DRAM, CFET 등 차세대 메모리 반도체 기술의 발전에 따른 소재 혁신을 다룬다. 삼성전자, imec, 한양대학교, 에어리퀴드 등 업계를 선도하는 기업 및 기관 전문가들이 최신 기술 트렌드와 과제를 공유할 예정이다. 두 번째 세션에서는 HBM(고대역폭메모리)과 같은 첨단 메모리 제조 공정에 요구되는 반도체 재료의 기술 혁신 로드맵에 대해 심도 있는 발표가 이어진다. 어플라이드 머티어리얼즈, Linx Consulting, 인테그리스, Chipmetrics, SK하이닉스 등 글로벌 주요 반도체 기업의 연사들이 AI 애플리케이션을 위한 소재 혁신, 웨이퍼 결함 제어, ALD 장비 검증, 차세대 공정 소재 등 다양한 주제를 다룬다. 행사의 하이라이트 중 하나는 '패널 토의' 시간이다. 첫 번째 세션 후반부에 진행되는 해당 토론에서는 연사가 직접 참여, 청중과의 질의응답을 통해 더욱 풍부한 인사이트를 제공할 예정이다. 또한 이 날 마련된 참석자 및 연사 간 교류의 장을 통해 소재 공급망 생태계 내 소통과 협력의 기회를 넓힐 수 있는 시간도 마련된다. 이번 행사는 SEMI Korea가 주관하고, 동우화인켐, 듀폰, TEMC, JSR, 동진쎄미켐, 인테그리스, 헌츠맨, SK트리켐, 에어리퀴드, 유피케미칼이 후원한다.

2025.05.07 15:06장경윤

삼성전자, 재고 리스크에도 HBM3E 12단 선제 양산 나선 이유는

삼성전자가 올 1분기부터 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 대량 양산 체제에 돌입한 이유는 제품의 적기 공급을 통해 뒤쳐진 HBM 사업을 본궤도에 올려놓기 위한 승부수로 보인다. 해당 고객사와 퀄(품질) 테스트가 아직 진행 중이지만, 공급 승인을 가정 하에 미리 제품을 확보해두려는 전략으로 파악된다. 그러나 자칫 엔비디아로부터 공급 승인이 또 다시 지연되는 경우, 해당 제품은 조 단위의 재고로 쌓이는 위험을 초래할 수 있다. 그럼에도 삼성전자가 선제적 양산에 돌입한 이유는 시장의 진입 시점을 최대한 앞당기기 위해서다. 내부적으로 HBM3E 12단에 대한 성능 및 안정성에 대한 자신감도 상당한 것으로 전해진다. 엔비디아향 공급 승인 전부터 선제 양산…시장 적기 진입 의지 2일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단을 대량 양산 체제로 전환했다. 1a D램을 채용한 이번 삼성전자의 HBM3E 12단은 현재 주요 고객사인 엔비디아와 퀄 테스트를 거치고 있다. 당초 삼성전자는 해당 제품을 지난해 하반기 공급하는 게 목표였다. 그러나 성능 문제로 테스트 일정이 지속 연기되자, 일부 성능을 개선한 제품으로 재공급을 추진 중이다. 삼성전자가 엔비디아로부터 HBM3E 12단 개선품에 대한 공급 승인을 받을 수 있는 시점은 빠르면 오는 6~7월경이다. 그럼에도 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단 생산량을 크게 늘렸다. 기존 개선품 개발로 인한 수요 공백으로 가동률이 극히 저조했으나, 최근엔 '풀가동'에 가까운 수준까지 높아진 것으로 파악된다. 기존 유휴 상태였던 설비들도 2월부터 일부 개조를 거쳐 가동이 시작됐다. 삼성전자가 엔비디아로부터 공급 승인을 받기도 전 제품을 양산하기 시작한 이유는 시장 진입 '타이밍'이 가장 큰 이유라는 해석이다. 엔비디아는 올해 1분기부터 HBM3E 12단의 수요를 크게 늘린 바 있다. 올 하반기에는 최신형 AI 가속기 양산 로드맵에 따라 HBM4 채용량을 확대할 계획이다. 만약 삼성전자가 6~7월경 공급망에 진입하더라도, 이후에 HBM3E 양산을 준비하면 이미 시장의 주류는 HBM4로 넘어가 있을 가능성이 크다. 통상 HBM 양산은 D램 제조부터 패키징까지 최대 5~6개월이 소요된다. 삼성전자로서는 올해 중반 HBM3E 12단을 곧바로 대량 공급해야 의미 있는 매출 효과를 거둘 수 있다. 조 단위 재고 발생 위험에도…"이번엔 반드시 성공" 자신감 다만 이같은 전략에는 잠재적 위험 요소가 존재한다. 만약 엔비디아향 퀄 테스트 일정이 또 다시 지연되는 경우, 미리 생산한 HBM3E 12단이 재고로 처리될 수 있기 때문이다. 올 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장으로 추산된다. 삼성전자가 엔비디아향으로 상정한 HBM3E 12단의 공급 규모는 밝혀지지 않았으나, 업계는 조 단위의 공급량이 준비될 것으로 보고 있다. 다만 삼성전자는 이같은 최악의 상황이 발생할 가능성을 낮게 보고 있다. 내부적으로 HBM3E 12단 개선품에 대한 긍정적인 평가를 내리고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM3E 12단에 대해 전략적으로 선행 생산에 들어간 건 해당 제품에 대한 강한 자신감이 반영된 것"이라며 "HBM3E 8단은 퀄이 통과되도 사실상 의미가 없기 때문에, 12단 제품에 중점을 두는 상황"이라고 설명했다. 또한 엔비디아향 공급이 좌절되더라도, 또다른 글로벌 빅테크향으로 제품을 공급할 수 있다는 계산도 깔려 있다. 현재 전 세계 주요 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들은 자체 AI 가속기 개발로 첨단 HBM에 대한 수요를 꾸준히 늘려가고 있다. AMD 역시 올해 삼성전자 HBM3E 8단에서 HBM3E 12단 개선품으로 주문을 변경한 것으로 알려졌다.

2025.05.02 10:41장경윤

삼성전자, 엔비디아향 'HBM3E 12단' 선제 양산 나섰다

삼성전자가 올 1분기부터 HBM3E 12단 생산량 확대에 본격 나섰다. 그동안 가동률이 저조하던 제조 라인을 '대량 양산' 체제로 전환시킨 것으로 파악됐다. 이르면 상반기 내 엔비디아로부터 공급 승인이 완료되는 시점에 맞춰 선제적으로 HBM3E 12단 제품을 양산, 적기에 공급하려는 전략으로 풀이된다. 하지만 만약 엔비디아의 퀄 테스트가 또 다시 지연될 경우 재고품을 상당량 떠안게 되는 위험을 초래할 수 있다는 우려도 함께 나온다. 그럼에도 삼성전자는 이번 HBM3E 12단 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 2일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 HBM3E 12단 제품에 대한 선제 양산에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전자, HBM4 이전 HBM3E 12단 적기 공급 서둘러 HBM3E 12단은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 1a D램(5세대 10나노급)을 채용했다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 HBM3E 12단을 엔비디아에 공급하려 했으나, 성능 문제로 계획이 지연된 바 있다. 이에 삼성전자는 개선(리비전) 제품을 만들어 엔비디아의 공급망 재진입을 추진하고 있다. 개선품에 대한 퀄(품질) 테스트는 오는 6~7월경 완료하는 것이 목표다. 동시에 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단에 대한 선제 양산 체제에 들어간 것으로 파악됐다. 당초에는 HBM3E 8단 및 12단 수요 부재로 해당 라인 가동률이 저조했으나, 현재는 사실상 '풀가동' 체제로 전환된 분위기다. 올해 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장 수준으로 추산된다. 실제로 삼성전자는 지난해 중반 라인에 투입하고도 보관만 하고 있던 TSV(실리콘관통전극; HBM 제조의 핵심 공정) 관련 설비를 1분기부터 가동하기 시작했다. 비슷한 시점에 HBM용 1a D램 웨이퍼 투입량도 늘렸다. 삼성전자가 엔비디아와의 퀄 테스트를 완료하기도 전에 HBM3E 12단 생산량을 급격히 확대한 건 제품의 상용화 시점을 고려한 전략으로 해석된다. 통상 HBM은 코어 다이인 D램 제조부터 패키징까지의 전 과정을 수행하는 데 5~6개월이 소모된다. 만약 삼성전자가 엔비디아로부터 6~7월경 HBM3E 12단에 대한 양산 승인을 받더라도, 이후 공급을 준비하면 시장을 시기적절하게 공략하기가 어렵다. 엔비디아가 올 하반기부터 신규 AI 가속기 '루빈' 출시에 따라 차세대 HBM4로 수요를 옮기기 시작할 계획이기 때문이다. 자칫 HBM3E 12단 적기 타이밍에 한발 늦어질 수 있다는 것이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자 내부적으로는 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 양산 승인이 문제없이 이뤄질 것이라고 보고 있다"며 "이에 따라 2월부터 생산량을 늘리고, 공급 승인 뒤 곧바로 매출 효과를 거두기 위한 준비에 나서는 중"이라고 말했다. 한편 삼성전자는 올해 HBM 공급량을 "전년 대비 2배 확대하겠다"는 목표를 세운 바 있다. 지난해 HBM 공급량 목표가 40억 Gb(기가비트)였다는 점을 고려하면 올해 80억 Gb(기가비트)의 공급이 필요하다. 다만 삼성전자는 지난 1분기 HBM 공급량이 6~8억 Gb에 그쳐, 이번 엔비디아향 HBM3E 12단의 적기 공급이 매우 절실한 상황이다.

2025.05.02 10:40장경윤

삼성전자, 내년 커스텀 HBM4 상용화 목표…"복수 고객사 협의"

삼성전자 메모리 사업이 수익성 부진을 겪고 있다. 고부가 메모리 공급량 감소, 첨단 파운드리 및 시스템반도체 수요의 감소가 겹친 데 따른 영향이다. 이에 삼성전자는 HBM3E 12단 및 고용량 DDR5 제품으로 AI 시장 공략을 가속화할 계획이다. 또한 커스텀 HBM4 및 HBM4E 상용화 준비를 위해 복수의 고객사와 협의를 이어가고 있는 것으로 알려졌다. 30일 삼성전자는 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 개선품은 샘플 공급을 완료해 2분기부터 점진적으로 판매 기여 폭이 증가될 것"이라며 "HBM4의 경우 고객사 과제 일정에 맞춰 하반기 양산 목표로 개발을 진행 중"이라고 밝혔다. 삼성전자의 지난 1분기 DS(반도체) 부문 매출은 25조1천억원, 영업이익은 1조1천억원으로 집계됐다. 매출은 전년동기 대비 증가했으나, 영업이익은 43%가량 감소했다. 주요 원인은 HBM 등 고부가 제품의 판매 위축에 있다. 지난해 하반기까지 이어진 중국향 HBM 판매가 미국의 첨단 반도체 수출 규제로 차질을 빚었으며, HBM3E 12단 리비전(개선) 제품 개발에 따른 수요 공백이 발생했다. '엑시노스 2500' 등 신규 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)의 상용화 지연, 파운드리 전반의 부진 등도 영향을 끼쳤다. 올해 HBM3E 12단 판매 확대…HBM4도 상용화 채비 이에 삼성전자는 2분기 HBM3E 12단 개선 제품의 초기 수요 대응을 확대할 계획이다. 또한 첨단 영역에 속하는 8세대 낸드의 생산 전환을 가속화한다. 나아가 하반기에는 AI 서버 및 온디바이스 AI 시장을 집중 공략한다. HBM3E 12단 개선 제품 및 128GB 이상 고용량 DDR5 판매를 확대하며, 10.7Gbps LPDDR5x 등 고사양 제품을 늘릴 계획이다. 커스텀 HBM4 및 HBM4E는 복수의 고객사들과 과제를 협의하고 있다. 삼성전자는 "HBM4와 커스텀 HBM4는 2026년부터 판매에 기여할 것으로 기대된다"며 "HBM4 및 HBM4E 고객사 수요 대응을 위해 필요한 투자를 지속 집행해나가고 있다"고 말했다. 시스템LSI의 경우, 올 2분기 주요 고객사 플래그십 제품향으로 엑시노스 2500 공급 확대에 나선다. 삼성전자는 올 3분기 공개되는 '갤럭시Z' 시리즈 일부에 엑시노스 2500를 탑재하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 파운드리는 차세대 공정으로 꼽히는 2나노 공정에 주력한다. 삼성전자는 올해 하반기 1세대 2나노 공정인 'SF2' 양산을 목표로 하고 있다. 현재 국내 리벨리온과 딥엑스, 일본 PFN 등을 고객사로 확보한 상황이다.

2025.04.30 11:21장경윤

삼성전자, '갤S25' 덕에 사상 최대 분기 매출…반도체 악화 지속

삼성전자가 올 1분기 사상 최대 분기 매출을 기록했다. 영업이익 또한 시장의 예상을 크게 웃돌았다. 반도체 실적 부진에도, 갤럭시S25 등 신규 플래그십 스마트폰 시리즈의 판매가 확대된 덕분이다. 30일 삼성전자는 2025년 1분기 연결 기준으로 매출 79조1천400억원, 영업이익 6조7천억원을 기록했다고 밝혔다. 전사 매출은 전분기 대비 4% 증가했으며, 사상 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전분기 대비 2.9%가량 증가했다. 사업별로는 DS(반도체) 부문 매출이 25조1천억원으로 집계됐다. 영업이익은 1조1천억원으로 다소 부진한 모습을 보였다. 전년동기(1조9천100억원), 전분기(2조9천억원) 대비 모두 하락했다. 해당 분기 메모리는 서버용 D램 판매 확대 및 낸드의 추가적인 구매 수요가 발생했다. 다만 HBM(고대역폭메모리)는 반도체 수출 규제 여파로 중국향 공급에 차질이 생기면서, 판매량이 감소했다. 시스템LSI 및 파운드리 사업도 핵심 고객사향 공급이 부진했다. 반면 스마트폰, TV 등을 포함한 DX부문은 매출 51조7천억원, 영업이익 4조7천억원으로 견조한 실적을 거뒀다. MX는 갤럭시 S25 시리즈 판매 호조로 매출 및 영업이익이 성장했으며, 부품 가격 하락과 리소스 효율화를 통해 견조한 두 자리 수익성을 달성했다. VD는 ▲Neo QLED ▲OLED 등 전략 제품 판매를 확대하고 재료비 절감 등을 통해 전분기 대비 수익성을 개선했다.

2025.04.30 09:52장경윤

美·中 관세 전쟁에 휩싸인 반도체…"내년 시장 전망 최대 34% 하향"

전 세계 반도체 시장이 미국 관세 정책에 따른 불확실성에 휩싸였다. 미·중 갈등 심화로 평균 관세율이 40%를 넘어서는 경우, 내년 반도체 시장 규모가 당초 예상 대비 34%가량 감소할 수 있다는 분석도 제기된다. 26일 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 전 세계 반도체 시장의 성장세는 미국 관세 영향에 따라 크게 변동될 것으로 예상된다. 앞서 테크인사이츠는 이달 중순 미국의 관세 정책 발표에 따라 전 세계 반도체 시장 규모를 하향 조정한 바 있다. 적용되는 관세율을 10% 수준으로 가정했을 경우의 시장 규모는 올해 7천770억 달러, 내년 8천440억 달러 수준이다. 그러나 중국에 대한 관세율이 30~40% 수준으로 상향되고, 전 세계 관세율이 20~40% 정도로 올라가게 되면 반도체 시장 규모는 크게 하락할 것으로 전망된다. 예상치는 올해 7천360억 달러, 내년 6천990억 달러다. 테크인사이츠는 "해당 가정 시 올해 상반기에는 스마트폰, PC, 반도체 등 고객사의 재고 확보 추세가 두드러질 것"이라며 "하반기에는 데이터센터용 반도체는 여전히 강세를 유지하겠지만, 전자제품 출하량이 둔화될 것"이라고 설명했다. 미중간 부과되는 관세가 100%를 넘어가면서, 관세율 전반이 40%를 넘어서는 경우 반도체 장비 시장의 하락세는 더욱 가파라질 전망이다. 예상치는 올해 6천960억 달러, 내년 5천570억 달러 수준이다. 관세율 10%의 기본 가정과 비교하면 최대 낙폭이 올해 10%, 내년 34%에 이를 수 있다는 분석이 나온다. 테크인사이츠는 "이 경우 하이퍼스케일러 수익이 압박을 받아 데이터센터 자본지출이 감소하게 되고, 올 하반기부터 GPU 및 HBM 수요가 감소하게 될 것"이라며 "미국과 EU 등도 전자제품에 대한 소비자 수요가 감소하게 된다"고 밝혔다.

2025.04.27 07:13장경윤

1분기 7.4조 쓸어담은 SK하이닉스, 2분기 '사상 최대' 영업익 쏜다

SK하이닉스의 영업이익 성장세가 2분기에도 지속될 전망이다. 주요 매출원인 D램의 출하량을 10% 이상 확대하고, 가장 최신의 HBM(고대역폭메모리) 판매 비중도 크게 늘어나기 때문이다. 기존 SK하이닉스의 분기 최대 영업이익(2024년 4분기 8조828억원)도 웃돌 가능성이 매우 유력하다. 25일 업계에 따르면 SK하이닉스는 올 2분기 최소 8조원 중후반대의 영업이익을 기록할 것으로 전망된다. 2분기 영업이익, 최소 8조원 중후반대 예상…최대 실적 예고 앞서 SK하이닉스는 올 1분기 매출액 17조6천391억원, 영업이익 7조4천405억원을 기록한 바 있다. 영업이익률은 42%로, SK하이닉스 기준 역대 최대의 수익성을 거뒀다. 주요 배경은 HBM을 비롯한 고부가 메모리 판매 확대다. 1분기 실적에 대해 SK하이닉스는 “1분기는 AI 개발 경쟁과 재고 축적 수요 등이 맞물리며 메모리 시장이 예상보다 빨리 개선되는 모습을 보였다”며 “이에 맞춰 HBM3E 12단, DDR5 등 고부가가치 제품 판매를 확대했다”고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 올 2분기 역대 최대 영업이익 경신이 확실시되는 상황이다. 메모리 출하량이 전분기 대비 두 자릿 수로 늘어나고, 최선단 HBM 출하량 비중이 크게 확대되기 때문이다. 업계가 추산하는 SK하이닉스의 해당 분기 영업이익은 8조원 중후반대에서 최대 9조원에 이른다. 현재 SK하이닉스의 최대 분기 영업이익은 지난해 4분기 기록한 8조828억원이다. D램 출하량·최선단 HBM 비중 확대가 요인 SK하이닉스는 해당 분기 D램 및 낸드 출하량을 전분기 대비 각각 10% 초반, 20% 이상 늘리겠다는 목표를 제시했다. 주요 매출원인 D램의 ASP(평균판매가격)는 제품별로 등락이 있겠으나, 전반적으로 보합세를 나타낼 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 올 2분기 미국 관세 정책에 따른 고객사의 재고 확보 노력으로 D램과 낸드 가격이 모두 3~8%가량 상승할 것으로 내다보기도 했다. 반도체 업계 관계자는 "D램 가격에 대한 불확실성은 다소 높지만, 빗그로스(비트 생산량 증가율)이 10% 이상 증가하면서 영업이익은 또 한번 성장세를 나타낼 것"이라며 "특히 SK하이닉스는 서버용 D램, HBM3E(5세대 HBM)의 비중이 높아 수익성 측면에서는 경쟁사 대비 유리한 입지에 놓여 있다"고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 올 상반기 현존하는 가장 최신 HBM인 HBM3E 12단 제품의 비중 확대에 주력하고 있다. 2분기에는 기존 계획대로 전체 HBM3E 출하량의 절반 이상을 12단으로 판매할 예정이다.

2025.04.25 08:59장경윤

SK하이닉스, 2분기도 D램·낸드 출하량 확대…"美 관세 영향 제한적"

SK하이닉스가 대외적인 경제 불확실성이 높아진 상황에서도 메모리 업계에 미칠 영향은 아직 제한적일 것으로 내다봤다. HBM(고대역폭메모리) 역시 수요 변동성이 없어, 기존 계획대로 올해 사업을 진행할 계획이다. SK하이닉스는 24일 2025년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 메모리 사업에 대한 전망 및 대응 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2분기 D램·낸드 출하량 확대…HBM 사업도 굳건 SK하이닉스가 제시한 2분기 메모리 빗그로스(비트 생산량 증가율)는 D램이 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 20% 이상이다. 올 1분기 D램 및 낸드의 출하량이 전분기 대비 감소했던 데 따른 기조 효과와 더불어, 단기적인 메모리 수요 증가가 영향을 끼친 것으로 풀이된다. 1분기에는 중국 이구환신 정책에 따른 시장 활성화, 미국 관세 정책을 우려한 일부 고객사들의 재고 축적 효과가 발생했다. HBM(고대역폭메모리) 역시 기존 전망대로 견조한 수요가 예상된다. SK하이닉스는 "올해 HBM 수요 전망은 전년대비 약 2배 성장할 것"이라며 "HBM3E 12단 전환도 순조롭게 진행되고 있어, 2분기에는 기존 계획대로 HBM3E 출하량의 절반 이상이 12단으로 판매될 예정"이라고 밝혔다. 미국 관세 정책, 저비용 AI 모델 확대 등 악영향 제한적 현재 업계는 중국 딥시크와 같은 고효율·저비용 AI 모델의 등장, 미국의 관세 정책에 따른 수요 불확실성 등을 우려하고 있다. 다만 SK하이닉스는 영향력이 제한것일 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 "오픈AI o3나 딥시크 R1은 정교한 결과 도출을 위해 더 많은 메모리를 요구하기 때문에, 추가적인 고용량 메모리 수요를 창출하는 원인 중 하나"라며 "당사도 DDR5 기반 96GB 모듈의 수요 증가를 경험했고, 올해 고용량 DIMM 수요는 지속 증가할 것으로 전망한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "관세의 경우 세부 내용이 정해지지 않아, 2분기 풀-인 수요가 하반기 재고조정 리스크를 야기할만큼 크지는 않을 것"이라며 "공급사들도 시장 불확실성을 반영해 계획을 조절하므로 팬데믹 때와 같은 변동성은 없을 것"이라고 덧붙였다.

2025.04.24 10:45장경윤

SK하이닉스, 1분기 영업익 7.4조원 '어닝 서프라이즈'…HBM 효과

SK하이닉스가 올 1분기 증권가 컨센서스(영업이익 6조5천929억원)를 크게 웃도는 성적표를 내놨다. 메모리 시장이 예상보다 빠르게 회복되고 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 등 고부가 제품 판매가 확대된 덕분이다. SK하이닉스는 1분기 매출액 17조6천391억원, 영업이익 7조4천405억원(영업이익률 42%), 순이익 8조1천082억원을 기록했다고 24일 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 분기 기준으로 역대 최고 실적을 달성했던 지난 분기에 이어 두 번째로 높은 성과다. 영업이익률도 전 분기 대비 1%p 개선된 42%를 기록하며 8개 분기 연속 개선 추세를 이어갔다. SK하이닉스는 “1분기는 AI 개발 경쟁과 재고 축적 수요 등이 맞물리며 메모리 시장이 예상보다 빨리 개선되는 모습을 보였다”며 “이에 맞춰 HBM3E 12단, DDR5 등 고부가가치 제품 판매를 확대했다”고 설명했다. 회사는 이어 “계절적 비수기임에도 과거와 확연히 달라진 당사 경쟁력을 입증하는 실적을 달성했다”며 “앞으로 시장 상황이 조정기에 진입하더라도 차별화된 실적을 달성할 수 있도록 사업 체질 개선에 더욱 매진하겠다”고 강조했다. 이 같은 실적 달성에 힘입어 1분기 말 기준 회사의 현금성 자산은 14조3천억원으로, 지난해 말보다 2천억원 늘었다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 29%와 11%로 개선됐다. SK하이닉스는 "글로벌 불확실성 확대로 수요 전망의 변동성이 커지고 있다"며 "이러한 환경 변화에도 고객 요구를 충족시킬 수 있도록 공급망 내 협력을 강화하기로 했다"고 밝혔다. 회사는 HBM 수요에 대해 고객과 1년 전 공급 물량을 합의하는 제품 특성상 올해는 변함없이 전년 대비 약 2배 성장할 것으로 내다봤다. 이에 HBM3E 12단 판매를 순조롭게 확대해 2분기에는 이 제품의 매출 비중이 HBM3E 전체 매출의 절반 이상이 될 것으로 전망했다. 또한 AI PC용 고성능 메모리 모듈인 LPCAMM2를 올 1분기부터 일부 PC 고객에게 공급했고, AI 서버용 저전력 D램 모듈인 SOCAMM은 고객과 긴밀히 협업해 수요가 본격화되는 시점에 공급을 추진할 계획이다. 낸드에서도 회사는 고용량 eSSD 수요에 적극 대응하는 한편, 신중한 투자 기조를 유지하며 수익성 중심의 운영을 지속할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "설비투자 원칙(Capex Discipline)을 준수하며 수요 가시성이 높고 수익성이 확보된 제품 중심으로 투자효율성을 한층 더 강화할 것"이라며 "AI 메모리 리더로서 파트너들과 협력을 강화하고 기술 한계를 돌파해, 업계 1등 경쟁력을 바탕으로 한 지속적인 이익 창출을 위해 노력하겠다"고 말했다.

2025.04.24 08:14장경윤

SK하이닉스, 'CXL 2.0' D램 고객 인증 완료…데이터센터 시장 공략

SK하이닉스가 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 2.0 기반 D램 설루션 CMM(CXL Memory Module)-DDR5 96GB(기가바이트) 제품의 고객 인증을 완료했다고 23일 밝혔다. CXL은 컴퓨팅 시스템 내 CPU와 GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 기술이다. PCIe 인터페이스에 기반해 데이터 전송 속도가 빠르고, 메모리를 효율적으로 활용할 수 있는 풀링(Pooling) 기능을 갖췄다. SK하이닉스는 "서버 시스템에 이 제품을 적용하면 기존 DDR5 모듈 대비 용량이 50% 늘어나고, 제품 자체의 대역폭도 30% 확장돼 초당 36GB의 데이터를 처리할 수 있다"며 "이는 데이터센터를 구축하고 운영하는 고객이 투입하는 총소유비용을 획기적으로 절감하는데 기여할 수 있다"고 강조했다. 회사는 96GB 제품 인증에 이어 128GB 제품도 다른 고객과 인증 절차를 진행하고 있다. 이 제품은 10나노급 5세대(1b) 미세 공정을 적용한 32Gb(기가비트) DDR5 D램을 탑재해 전성비가 높다. 회사는 이 인증도 빠른 시일 내에 마무리 해 고객이 원하는 시점에 제품을 적기 공급할 수 있는 포트폴리오를 구축할 계획이다. SK하이닉스는 CXL D램 개발과 더불어 CXL 생태계 확장을 위한 노력도 함께 진행하고 있다. 회사는 이 제품과 최적화된 소프트웨어인 HMSDK를 자체 개발해 작년 9월 세계 최대 오픈소스 운영체제 리눅스(Linux)에 탑재하며 CXL이 적용된 시스템의 성능을 개선했다. HMSDK(Heterogeneous Memory S/W Development Kit)는 SK하이닉스 고유의 이종(異種) 메모리 소프트웨어 개발 도구다. D램 모듈과 CMM-DDR5 간의 효율적인 교차 배열을 통해 대역폭을 넓히고, 데이터 사용 빈도에 따라 적합한 메모리 장치로 데이터를 재배치해 시스템 성능을 개선할 수 있다. 강욱성 SK하이닉스 부사장(차세대상품기획 담당)은 "당사는 비용이 많이 들어가고 확장에 한계가 있는 기존 시스템을 극복하는 옵티멀 이노베이션을 실현하기 위해 다양한 설루션 제품을 개발하고 있다"며 "고객들의 다양한 응용 요구에 부합하면서도 메모리의 확장성과 유연성을 획기적으로 개선해 고객에게 최적화된 가치를 제공하겠다"고 말했다.

2025.04.23 11:02장경윤

TSMC, AI칩 수요 견조 재확인…삼성·SK, HBM 사업 성장세 '쾌청'

대만 파운드리 업체 TSMC가 최근 높아진 거시경제 불확실성 속에서도 당초 계획한 첨단 패키징 투자를 유지했다. AI 반도체 수요가 중장기적으로 견조할 것이라는 전망에 따른 전략이다. 주요 메모리 기업들의 HBM(고대역폭메모리) 사업도 공급 과잉 우려를 덜었다는 평가와 전망이 제기된다. 21일 업계에 따르면 글로벌 빅테크의 지속적인 AI 가속기 투자에 따라 올해 삼성전자, SK하이닉스 등의 HBM 수요도 견조할 것으로 관측된다. AI 가속기 수요 굳건…TSMC, 2.5D 패키징 생산능력 2배 확대 앞서 TSMC는 지난 17일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 설비투자(CapEx) 규모를 380억~420억 달러를 제시했다. 최근 중국 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델의 등장, 미국의 관세 압박 등으로 AI 인프라 투자에 대한 불확실성이 높아졌으나, 지난해 발표한 계획을 그대로 유지했다. TSMC는 "이전보다는 상황이 개선됐으나, AI 수요가 여전히 공급을 초과하는 상황으로 많은 설비능력 확장이 필요하다"며 "관제 및 지정학적 이슈에 대해 고객사의 행동 변화가 관찰되지 않아 기존 수요를 유지한다"고 설명했다. TSMC가 전망하는 2024~2029년 AI 가속기 관련 매출의 연평균 성장률은 45%에 달한다. 올해 매출액도 전년 대비 2배 성장할 전망이다. 이에 TSMC는 'CoWoS' 생산능력을 2배(월 7만장)로 확장할 계획이다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징으로, 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해 반도체 성능을 높이는 기술이다. 특히 고성능 시스템반도체와 HBM 등을 함께 집적하는 AI 가속기의 필수 요소로 각광받고 있다. HBM 수요 불확실성 걷어…삼성·SK·마이크론 등 대응 분주 최첨단 패키징 투자 확대는 HBM을 공급하는 메모리 업계에도 수혜로 작용한다. 특히 SK하이닉스는 AI 산업을 주도하는 엔비디아는 물론, 구글·AWS(아마존웹서비스) 등 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들의 ASIC(주문형반도체)에 최신형 HBM을 공급하고 있다. 일례로 엔비디아는 올 1분기 '블랙웰' 시리즈의 최신 칩인 'GB200'를 출시했다. 구글의 경우 올해 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'를 올 하반기 출시할 예정이다. 두 제품 모두 HBM3E(5세대 HBM)이 탑재된다. 나아가 엔비디아는 올해 하반기 HBM4를 탑재한 '루빈' 칩을 출시한다. SK하이닉스도 이에 맞춰 올 상반기 고부가 HBM 생산 비중을 확대하고 있다. 올 상반기 전체 HBM3E의 출하량에서 12단 제품의 비중을 절반 이상으로 확대하는 것이 목표다. 실제로 SK하이닉스 내부에서는 최선단 제품의 생산능력을 확대하기 위한 준비에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "SK하이닉스의 HBM 입지는 올해에도 유지될 것으로 예상되며, 생산 능력도 글로벌 최대 규모 수준일 것"이라며 "올 하반기는 HBM3E 12단이 주력 제품이 될 것으로 기대된다"고 밝혔다. 한편 삼성전자·마이크론도 HBM 사업 확대에 매진하고 있다. 삼성전자는 HBM3E 개선품을 개발해 엔비디아와 재공급을 위한 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 올 2분기 중 결과가 나올 전망이다. 마이크론 역시 HBM3E 12단까지 개발을 완료해, 엔비디아향 공급을 추진 중이다.

2025.04.21 13:41장경윤

2분기 D램·낸드 가격, 3~8% 상승 전망…美 관세 영향

올 2분기 메모리 시장이 반등세에 접어들 것으로 예상된다. 최근 미국 정부의 관세 정책으로 업계 불확실성이 높아지면서, 메모리 고객사가 재고를 적극 확보하려고 나섰기 때문이다. 다만 이러한 수요는 단기적인 현상으로, 향후 반도체 관세 정책의 방향에 따라 올 하반기 메모리 시장이 크게 요동칠 전망이다. 17일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 D램 및 낸드의 평균판매가격(ASP)은 전분기 대비 3~8% 증가할 것으로 관측된다. 메모리 시장은 지난 1분기 전반적인 하락세를 보인 바 있다. 해당 분기 범용 D램 가격은 8~13%, HBM(고대역폭메모리)는 0~5% 가량 하락했다. 낸드는 15~20%로 하락폭이 더 컸다. 그러나 올 2분기에는 D램과 HBM, 낸드 모두 가격이 전분기 대비 3~8% 상승할 전망이다. 지난 9일 도날드 트럼프 미국 대통령이 전 세계를 대상으로 발표한 상호 관세 정책으로 업계의 불확실성이 높아지면서, 메모리 고객사들이 재고 확보에 적극적으로 나서고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "미국 정부가 대부분의 지역에 90일간의 상호 관세 유예 기간을 부여하면서, 메모리 공급사와 구매자 모두 거래를 서두르고 있다"며 "이에 따라 2분기 D램과 낸드의 가격 상승폭이 예상보다 확대될 것"이라고 밝혔다. 다만 이러한 상승세는 단기적인 영향에 머무를 것으로 분석된다. 트렌드포스는 "관세 변동에 더 민감한 미국 브랜드와 수출 업체의 수요가 올 상반기까지 크게 앞당겨지면서 계절적 추세가 흐트러질 것"이라며 "결과적으로 향후 미국 관세의 향방이 올 하반기 메모리 공급 및 수요 동향과 가격 추세를 형성하는 주요 요인이 될 것"이라고 설명했다.

2025.04.18 08:48장경윤

美 마이크론, HBM용 '플럭스리스 본딩' 도입 준비…TC본더 업계 격돌 예고

미국 메모리업체 마이크론이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 본딩 기술인 '플럭스리스'(Fluxless) 도입을 검토 중이다. 해당 기술은 주요 경쟁사인 삼성전자도 올 1분기부터 평가에 들어간 기술이다. 국내 및 해외 주요 본더들과 두루 평가를 거칠 예정으로, 본더 기업 간 치열한 수주전이 펼쳐질 것으로 전망된다. 16일 업계에 따르면 마이크론은 올 2분기부터 주요 후공정 장비업체와 플럭스리스 장비에 대한 품질(퀄) 테스트에 돌입한다. 현재 마이크론은 HBM 제조에 NCF(비전도성 접착 필름) 공법을 활용하고 있다. 이 공법은 각 D램을 쌓을 때마다 NCF라는 물질을 넣은 뒤, TC 본더로 열압착을 가해 연결한다. NCF가 열에 의해 녹으면서 D램 사이의 범프와 범프를 이어주고, 칩 전체를 고정해주는 원리다. 그러나 마이크론이 내년부터 양산할 예정인 HBM4(6세대)에서는 플럭스리스 본딩을 적용할 가능성이 높아지고 있다. 올 2~3분기께 플럭스리스 본더를 도입해, 퀄 테스트에 들어갈 것으로 파악됐다. 해당 테스트에는 세계 각국의 주요 본더 업체들이 참여할 계획이다. 국내 한미반도체를 비롯해 미국과 싱가포르에 본사를 둔 쿨리케앤소파(K&S), 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT 등이 대응에 나선 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론은 최대한 다양한 공급망을 염두에 두는 기업으로, 이번 플럭스리스 본더도 각 협력사별로 순차적인 테스트가 진행될 예정"이라며 "NCF 기술이 HBM4에서 여러 기술적인 한계에 부딪히고 있어 교체 수요가 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM 적층 수가 12단으로 증가하게 되면, NCF를 D램 사이의 좁은 틈으로 완벽히 도포할 수 없거나 압착 시 NCF 소재가 D램 가장자리로 삐져나오는 등의 과제가 발생하게 된다"며 "HBM4, HBM4E 등에서 플럭스리스가 유력한 대안으로 떠오른 이유"라고 말했다. 현재 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 공법 중 가장 진보된 기술이다. MR-MUF는 각 D램을 임시 접합한 뒤, D램이 모두 적층된 상태에서 열을 가해(리플로우) 완전히 접합하는 방식을 뜻한다. 이후 필름이 아닌 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용해 D램 사이를 채워준다. 기존 MR-MUF는 각 D램을 접합할 때 플럭스라는 물질을 사용한 뒤 씻어내는 과정을 거쳤다. D램 사이의 범프에 묻을 수 있는 산화막을 제거하기 위해서다. 그러나 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다. 이에 반도체 업계는 플럭스를 쓰지 않고 범프의 산화막을 제거하는 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 장비 업체에 따라 플라즈마, 포름산 등 다양한 공법을 활용하고 있다. 삼성전자 역시 지난 1분기 해외 주요 장비기업들과 플럭스리스 본딩에 대한 테스트에 들어갔다. 마이크론과 마찬가지로 HBM4 적용이 목표인데, 이르면 올 연말까지 평가를 마무리할 예정이다. 다만 삼성전자는 기존 NCF와 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩' 등 다각적인 방안을 모두 검토 중인 것으로 알려졌다.

2025.04.16 13:50장경윤

美 반도체 추가 관세 '초읽기'...年 23조원 수출 타격

도널드 트럼프 미국 행정부가 이르면 다음 주 발표할 수입 반도체 추가 관세에 PC·서버용 D램과 SSD 등을 생산하는 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 업체들이 촉각을 곤두세우고 있다. 과학기술정보통신부가 집계한 연간 정보통신산업(ICT) 수출입 현황에 따르면 지난해 대미 수출액(296억 2천만 달러) 중 반도체 수출액은 107억 5천만 달러(약 15조 3천230원), 컴퓨터 본체와 SSD는 62억 2천만 달러(약 8조 8천660억원)로 전체 금액의 57% 가량을 차지한다. 미국 관세국경보호국(CBP)이 지난 12일 메모리와 SSD, 스마트폰 등 품목에 대한 관세 유예를 발표했지만, 하워드 러트닉 미국 상무부 장관은 13일(미국 현지시간) "관세 유예는 한두 달 내에 발표될 반도체 관세의 일부로 재검토될 것"이라고 밝혔다. 국내 D램·SSD 제조사, 대부분 국내서 최종 조립 PC·서버용 D램은 메모리 반도체와 저항 등 각종 부품을 기판에 부착해 국내에서 조립하는 방식으로 생산된다. 2010년 후반기 들어 PC의 표준 저장장치로 자리잡은 SSD는 낸드 플래시 메모리 기반으로 작동한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 낸드 플래시메모리와 컨트롤러, D램 등 국내에서 생산한 부품을 모아 SSD를 완성한다. 이 경우 한국산으로 분류돼 25%의 상호관세가 적용된다. 현재는 90일 관세 유예 조치에 따라 추가 관세 부여는 지연된 상황이다. 외장형 SSD 등 제품은 제조 경로에 따라 생산 국가가 달라진다. 한 국내 저장장치 제조사 관계자는 "국내에서 생산한 낸드 플래시 메모리를 공급받아 동남아시아 등에서 패키징한 후 이를 중국에서 조립해 판매하는 경우도 있다"고 설명했다. 부품으로 공급시 최종 생산 국가 따라 관세 달라 익명을 요구한 대형 제조사 관계자는 "GPU용 고대역폭 메모리(HBM) 등은 GPU 제조사로, 서버용 메모리는 주요 ODM 업체로, PC용 SSD는 주요 제조사에 공급되며 미국 시장에 바로 공급되는 물량은 극소수"라고 설명했다. 이 경우 미국 세관은 GPU 제조사나 ODM 업체, PC 제조사 등에서 조립돼 마지막으로 생산된 나라 국적에 따라 관세를 매긴다. 미국 CBP가 관보에서 밝힌 대로 90일이 지나면 최종 제품의 원가에 더해 베트남(46%), 대만(32%), 중국(125%) 등 생산 국가별 관세가 추가 부과된다. 반도체 추가 관세, 제품 원가 상승→수요 감소 영향 미국 관세국경보호국(CBP)이 지난 9일 메모리와 SSD 등 품목에 대한 관세 유예를 발표했지만 이는 최대 90일만 적용되는 임시 조치다. 도널드 트럼프 미국 대통령은 13일 대통령 전용기 '에어포스원' 안에서 "이르면 다음 주 안에 반도체 관련 추가 관세를 발표할 것"이라고 밝혔다. 반도체 추가 관세가 부가되면 원가는 그만큼 증가하며 수요 감소에 따라 제품에 탑재되는 메모리 및 시스템반도체 출하량도 줄어들 것으로 우려된다. 국내 반도체 업계 관계자들은 "개별 기업이 미국 정부 정책에 대응하는 것은 한계가 있으며 통상 정책에 책임이 있는 국가 차원에서 체계적인 대응이 시급하다"고 입을 모았다.

2025.04.14 16:05권봉석

SK하이닉스, 넥스틴에 HBM3E 검사장비 양산 발주…수율 확보 주력

SK하이닉스가 차세대 HBM(고대역폭메모리)의 수율 향상을 위한 설비투자에 나섰다. 주요 협력사인 넥스틴과의 신규 검사장비 평가를 마무리하고, 최근 양산 공정용 발주를 처음 진행한 것으로 파악됐다. 13일 업계에 따르면 넥스틴은 이달 초 SK하이닉스로부터 HBM3E 12단의 양산 공정용으로 신규 검사장비를 수주 받았다. 해당 장비의 모델명은 '크로키'로, 넥스틴이 HBM 시장을 겨냥해 새롭게 개발한 2D 매크로 검사장비다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 층층이 쌓은 구조로 이뤄져 있다. 그런데 각 D램을 본딩하고 자르는 과정에서 웨이퍼가 휘거나(워피지), 칩에 금이 가거나(크랙) 깨지는(칩핑) 현상이 발생할 수 있다. 크로키는 이러한 불량을 검사하는 역할을 맡고 있다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 공정 적용을 목표로 크로키 설비를 도입해 올 1분기까지 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔다. 이후 테스트가 순조롭게 마무리 돼, 이달 초 양산용으로 공식 주문(PO)을 받은 것으로 파악됐다. 첫 양산 PO인 만큼 당장의 주문량은 많지 않은 것으로 관측된다. 다만 SK하이닉스가 지난해 3분기부터 HBM3E 12단 양산을 시작해 올해 비중을 크게 확대할 계획인 만큼, 관련 검사장비의 수요는 꾸준히 이어질 전망이다. HBM3E 12단에서 워피지 현상이 심화된 것도 넥스틴에게는 기회다. 이 경우, 기존 검사 장비에서 주로 쓰이던 반사광 방식은 휘어진 부분을 검사하기가 힘들다. 반면 크로키는 산란광을 채용했다. 산란광은 빛이 여러 방향으로 흩어지기 때문에, 웨이퍼 가장자리의 굴곡진 부분을 검사하는 데 용이하다. 반도체 업계 관계자는 "기존 HBM 8단 공정까지는 캠텍·온투 등 주요 경쟁사들의 제품이 활용됐으나, 이번 발주로 넥스틴도 시장에 본격적으로 진입하게 됐다"며 "하이닉스가 첨단 HBM 수율 확보에 매진하고 있어 검사장비 시장도 기회를 잡을 수 있을 것"이라고 설명했다.

2025.04.13 08:31장경윤

SK하이닉스, 42년만에 삼성전자 제치고 D램 점유율 1위 등극

SK하이닉스가 창립 42년만에 삼성전자의 D램 매출액을 추월한 것으로 나타났다. 올 1분기 시장 점유율은 36%로, HBM(고대역폭메모리) 부문에서 70%에 달하는 점유율을 차지한 것이 주요 배경으로 지목된다. 9일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 1분기 전 세계 D램 시장에서 SK하이닉스가 매출액 기준 36%의 점유율로 1위를 차지했다. SK하이닉스가 삼성전자를 제치고 점유율 1위를 기록한 것은 이번이 처음이다. 같은 기간 삼성전자의 점유율은 34%로 집계됐다. 3위 마이크론의 점유율은 25% 수준이다. 카운터포인트 최정구 책임연구원은 “이번 성과는 SK하이닉스가 HBM 메모리에 대한 수요가 끊이지 않는 시장에서 D램을 성공적으로 공급하고 있다는 점에서 중요한 이정표가 됐다”며 “특화된 HBM D램 칩의 제조는 매우 까다로운 과정이었지만, 이를 초기부터 성공적으로 생산해온 기업들이 이제 큰 성과를 거두고 있다”고 말했다. 앞서 지난 8일 잠정실적을 발표한 삼성전자는 올 1분기 D램에서 약 12~14조원 안팎의 매출을 올렸을 것으로 관측된다. SK하이닉스 역시 이와 비슷한 수준의 매출액을 기록한 것으로 보인다. 실제로 업계는 올 1분기 SK하이닉스가 삼성전자의 D램 매출액을 처음으로 역전했을 거라는 분석을 제기해 왔다. 삼성전자의 HBM 공급량이 지난해 4분기 대비 크게 감소한 것과 달리, SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 고부가 HBM의 출하량을 견조하게 유지했기 때문이다. 카운터포인트는 올해 2분기에도 D램 시장의 성장 및 업체 점유율 양상은 비슷할 것으로 전망했다. 카운터포인트 황민성 연구위원은 “전세계가 관세 영향에 주목하고 있는 상황에서 관건은 'HBM D램이 과연 어떻게 될 것인가'라는 점”이라며 “적어도 단기적으로는 AI 수요가 강세를 유지하며 관세 충격의 영향을 덜 받을 가능성이 크다. 중요한 것은 HBM의 최종 제품이 AI 서버라는 사실이며, 이는 본질적으로 국경을 넘어선 시장”이라고 설명했다. 다만 황 연구위원은 "그럼에도 불구하고 장기적으로는 HBM D램 시장의 성장이 관세 충격으로 인한 구조적인 문제에 직면할 위험이 존재한다"며 "이는 경기 침체 또는 불황까지 초래할 수 있을 것으로 전망된다"고 덧붙였다.

2025.04.09 14:34장경윤

삼성전자, 1분기 실적 전망치 상회…갤S25·D램 효과 '톡톡'

글로벌 경기 침체로 올 1분기 실적 부진이 예상됐던 삼성전자가 증권가 컨센서스를 웃도는 성적표를 내놨다. 신규 플래그십 스마트폰 '갤럭시S25' 시리즈가 견조한 판매량을 보였고, 메모리 반도체 사업도 중국의 이구환신(以舊換新) 정책 등 영향으로 당초 대비 출하량이 늘어난 데 따른 영향으로 풀이된다. 삼성전자는 8일 잠정 실적공시를 통해 올 1분기 연결기준 매출 79조원, 영업이익 6조6천억원 기록했다고 밝혔다. 매출은 전분기 대비 4.24%, 전년동기 대비 9.84% 증가했다. 영업이익은 전분기 대비 1.69% 증가했으나, 전년동기 대비로는 0.15% 감소했다. 이번 실적은 증권가 전망치를 크게 웃도는 수치다. 당초 증권가는 삼성전자가 올 1분기 매출 77조1천177억원, 영업이익 5조1천565억원을 기록할 것으로 예측해 왔다. 올 1분기 초 메모리 시장은 더딘 IT 수요 회복과 여전히 낮은 평균거래가격(ASP), 계절적 비수기 등의 영향으로 D램과 낸드 시장 모두 부진한 모습을 보였다. 파운드리 및 시스템LSI 사업도 2조원 가량의 적자가 지속된 것으로 관측된다. HBM(고대역폭메모리)도 전분기 대비 출하량이 크게 감소한 것으로 분석된다. 삼성전자가 지난해 하반기 엔비디아 등 주요 고객사향으로 HBM3E 제품의 재설계에 돌입하면서, 일시적으로 수요 공백이 발생한 데 따른 영향이다. 다만 DDR5 등 일부 고부가 제품의 수요 강세와 중국 이구환신 등은 긍정적으로 작용했다. 이에 맞춰 삼성전자는 1분기 말 메모리 출하량을 크게 늘릴 수 있었던 것으로 관측된다. 또한 삼성전자가 지난 2월 전 세계에 출시한 플래그십 스마트폰 '갤럭시S25' 시리즈가 올 1분기 실적에 크게 기여했다는 평가다. 전자 업계 관계자는 "중국 이구환신 및 미국 관세 정책에 대한 공포로 일부 고객사들이 단기적으로 주문량을 크게 늘린 것으로 안다"며 "갤럭시S25 시리즈가 올 1분기 판매량이 집중된 것도 이번 실적에 큰 영향을 끼쳤을 것"이라고 설명했다.

2025.04.08 08:28장경윤

최준용 SK하이닉스 부사장 "HBM4E 적기 공급…리더십 공고히할 것"

"올해 HBM4 12단 양산을 성공적으로 진행하는 것은 물론, 고객 요구에 맞춰 HBM4E도 적기에 공급함으로써 HBM 리더십을 더욱 공고히 하겠다. 시장을 선제적으로 준비하고 최적화된 사업 기획을 할 수 있도록 최선을 다하겠다." 최준용 SK하이닉스 부사장은 7일 SK하이닉스 공식 뉴스룸을 통해 진행한 인터뷰에서 HBM 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 최 부사장은 1982년생으로, HBM사업기획을 총괄하는 최연소 임원으로 선임됐다. 모바일 D램 상품기획 팀장을 거치고, HBM사업기획을 담당하는 등 주로 HBM 사업의 성장을 이끌어온 핵심 인물 인물로 평가받는다. 최 부사장은 HBM사업기획 조직의 원동력으로 '자부심'을 꼽았다. 그는 강한 책임감과 자부심으로 HBM 사업의 성장을 견인해 온 구성원들에게 새로운 에너지를 불어넣어 조직의 더 큰 성장을 이끌겠다는 강한 의지를 밝혔다. 그는 "HBM사업기획 조직은 막대한 규모의 투자와 전략적 방향을 결정하는 핵심 조직으로, 기술 개발 로드맵 수립부터 전 세계 고객들과의 협력에 필요한 전략을 마련하는 등 중요한 역할을 하고 있다"며 "새롭게 선임된 리더로서 구성원들이 원 팀 마인드로 뭉쳐 함께 성장하고 최고의 성과를 창출할 수 있도록 돕는 것이 제 역할이라고 생각한다"고 말했다. AI 기술이 눈부시게 진보하면서 반도체에 대한 수요가 그 어느 때보다 많아지고 있다. HBM은 AI 메모리가 가장 필요로 하는 전력 효율성(Power)과 성능(Performance)에 가장 최적화된 제품으로 앞으로도 그 중요성은 더욱 커질 것으로 전망된다. 최 부사장은 이를 바탕으로 더 먼 미래를 내다보며, 회사가 HBM 시장에서 주도적인 위치를 이어갈 수 있도록 선봉에서 최선을 다하겠다고 밝혔다. 최 부사장은 "올해 HBM4 12단 양산을 성공적으로 진행하는 것은 물론 고객 요구에 맞춰 HBM4E도 적기에 공급함으로써 HBM 리더십을 더욱 공고히 하겠다"며 "시장을 선제적으로 준비하고 최적화된 사업 기획을 할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 강조했다. 최 부사장은 끝으로 젊은(MZ) 구성원들을 'Motivated & Zealous(동기부여가 만드는 열정적인 인재들)'로 설명하며, 그들이 새로운 기회와 목표에 맞서 성장할 수 있도록 동기를 부여하는 리더가 되겠다고 강조했다. 이어서 그는 구성원들에게 한 가지를 약속했다. 최 부사장은 “저는 제 자신을 스스로 새장에 가두지 않는 소통의 리더가 되고자 한다. 다양한 관점이 담긴 구성원들의 아이디어를 경청하며, 함께 최적의 방향을 만들어 나가겠다"며 "구성원들이 부담 없이 많은 이야기를 들려주실 수 있도록 제 자리를 언제든 열어 놓겠다"고 말했다.

2025.04.07 15:10장경윤

美 트럼프 "반도체 관세도 곧 발표"…삼성·SK 영향권

도널드 트럼프 미국 대통령이 3일(현지 시간) 반도체에 대한 관세 부과가 '금방(Very soon)' 이루어질 것이라고 말했다. 4일 백악관 공동취재단에 따르면 트럼프 대통령은 이날 마이애미로 이동하는 기내에서 기자들과 만나 “반도체 관세가 곧 부과될 것. 의약품 관세는 별도의 범주"라며 "가까운 시일 내에 발표할 것이고, 현재 검토하는 과정에 있다"고 말했다. 앞서 트럼프 대통령은 지난 2일(현지시간) 세계 각국에 대한 상호관세를 발표하면서, 철강 및 알루미늄, 자동차 및 자동차 부품, 반도체 등을 관세 대상에서 제외했다. 이들 산업이 공급망적으로 매우 중요한 만큼 별도의 기준을 두기 위해서다. 트럼프 행정부는 지난달 철강·알루미늄에 25%의 관세를 부과했으며, 자동차에도 같은 비율의 관세를 부과하기로 했다. 자동차에 대한 관세는 한국시각 3일 오후 1시께 공식 발효됐다. 반도체에 대한 관세 정책은 발표된 바 없으나, 트럼프 대통령의 이번 발언으로 반도체 산업 역시 관세의 영향을 피해가기는 어려워졌다는 전망이 우세하다. 산업통상자원부와 한국무역협회에 따르면, 지난해 반도체 산업의 대미 수출액은 106억8천만 달러(한화 약 13조8천840억원)로 집계됐다. 전체 수출 품목 중 3위에 해당한다. 또한 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업은 국내뿐만 아니라 중국에서도 메모리 반도체를 생산하고 있다. 삼성전자는 중국 시안에, SK하이닉스는 우시·다롄 등 지역에 각각 제조공장을 두고 있다.

2025.04.04 08:56장경윤

SK하이닉스 "차세대 HBM 성패, 세 가지 과제가 중요"

SK하이닉스가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화를 위해 다방면의 기술 고도화가 필요하다고 강조했다. 특히 전력 효율성의 경우, 주요 파운드리 기업과의 협력이 보다 긴밀해질 것으로 관측된다. 이규제 SK하이닉스 부사장은 2일 인천 송도 컨벤시아에서 열린 'KMEPS 2025년 정기학술대회'에서 HBM의 개발 방향에 대해 발표했다. 이 부사장은 이날 SK하이닉스의 차세대 HBM 개발을 위한 과제로 ▲대역폭(Bandwith) ▲전력소모(Power) ▲용량(Capacity) 세 가지를 강조했다. 대역폭은 데이터를 얼마나 빨리 전송할 수 있는지 나타내는 척도다. 대역폭이 높을수록 성능이 좋다. 대역폭을 늘리기 위해선 일반적으로 I/O(입출력단자) 수를 증대시켜야 한다. 실제로 HBM4(6세대)의 경우, HBM3E(5세대) 대비 I/O 수가 2배 늘어난 2천48개가 된다. 이 부사장은 "고객사들은 SK하이닉스가 만들 수 있는 것보다 높은 대역폭을 원하고 있고, 일각에서는 I/O수를 4천개까지 얘기하기도 한다"며 "그러나 I/O 수를 무작정 늘린다고 좋은 건 아니기 때문에, 기존 더미 범프를 실제 작동하는 범프로 바꾸는 등의 작업이 필요할 것"이라고 설명했다. 결과적으로 차세대 HBM은 전력소모와 용량 면에서 진보를 이뤄야 할 것으로 관측된다. 특히 전력소모의 경우, 로직 공정과의 연관성이 깊다. HBM은 D램을 적층한 코어다이의 컨트롤러 기능을 담당하는 로직다이가 탑재된다. 기존에는 이를 SK하이닉스가 자체 생산했으나, HBM4부터는 이를 파운드리에서 생산해야 한다. 이 부사장은 "HBM의 로직 공정은 주요 파운드리 협력사와의 협업이 굉장히 중요한데, 이런 부분에서 긴밀한 설계적인 협업이 있다"며 "SK하이닉스도 패키지 관점에서 여러 아이디어를 내고 있다"고 설명했다. HBM의 용량은 D램의 적층 수와 직결된다. 현재 상용화된 HBM은 D램을 최대 12개 적층하나, 향후에는 16단, 20단 등으로 확대될 예정이다. 다만 차세대 HBM을 제한된 규격(높이 775마이크로미터) 내에서 더 많이 쌓기 위해서는 각 D램의 간격을 줄여야 하는 난점이 있다. 예를 들어, HBM이 12단에서 16단으로 줄어들게 되면 각 D램간의 간격은 절반으로 감소된다. 때문에 SK하이닉스는 기존 어드밴스드 MR-MUF와 더불어 하이브리드 본딩 기술을 고도화하고 있다. 하이브리드 본딩은 범프를 쓰지 않고 각 D램을 직접 연결하는 방식으로, 칩 두께를 줄이고 전력 효율성을 높이는 데 유리하다. 다만 하이브리드 본딩도 현재로선 상용화에 무리가 있다. 기술적 난이도가 높아, 양산성 및 신뢰성을 충분히 확보해야 한다는 문제가 남아있기 때문이다. 이 부사장은 "차세대 HBM 개발과 관련해 위와 같은 세가지 요소가 굉장히 복잡하게 얽혀있는 상황"이라며 "이외에도 차세대 HBM 시장에서는 메모리 기업들이 제조원가를 어떻게 줄이느냐가 가장 중요한 과제가 될 것으로 생각한다"고 설명했다.

2025.04.02 17:30장경윤

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