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美 마이크론, 2세대 '소캠' 샘플 출하…엔비디아향 저전력 D램 시장 공략

미국 마이크론이 AI 서버용 차세대 저전력 메모리인 소캠(SOCAMM, Small Outline Compression Attached Memory Module)의 2세대 샘플을 출하하는 데 성공했다. 마이크론은 192GB(기가바이트) 용량 및 최대 동작속도 9.6Gbps의 소캠2 샘플을 주요 고객사에 전달했다고 22일 밝혔다. 소캠은 엔비디아가 독자 표준으로 개발해 온 차세대 메모리 모듈이다. 저전력 D램인 LPDDR을 4개씩 집적해 전력 효율성을 높였으며, 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 694개로 대역폭이 비교적 높다. 기존 LPDDR 단품을 온보드(납땜)로 붙이는 방식과 달리 메모리를 탈부착할 수 있어 성능 업그레이드 및 유지보수에도 용이하다. 마이크론이 이번에 발표한 샘플은 2세대 소캠에 해당한다. 이전 세대 대비 동일한 크기에서 50% 더 많은 용량을 구현했다. 또한 이번 소캠2에는 마이크론의 1γ(감마) LPDDR5X가 탑재됐다. 1γ는 국내 반도체 업계에서는 1c(6세대 10나노급) D램에 대응하는 공정으로, 현재 개발된 D램 중 가장 최신 세대에 해당한다. 마이크론은 "소캠2의 향상된 용량은 실시간 추론 워크로드에서 최초 토큰 생성 시간(TTFT)을 80% 이상 단축시킬 수 있어 성능 향상에 크게 기여한다"며 "최첨단 1γ D램은 이전 세대 대비 20% 이상 전력 효율을 향상시켜, 대규모 데이터센터 클러스터의 전력 설계 최적화를 더 강화한다"고 설명했다. 마이크론은 이번 소캠2 샘플 공급으로 엔비디아와의 협력을 더욱 강화할 것으로 전망된다. 현재 엔비디아는 차세대 AI 반도체인 '루빈'에 소캠을 적용할 계획으로, 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등도 소캠2 양산화를 준비 중이다. 라즈 나라시만 마이크론 클라우드 메모리 사업부 수석 부사장은 "마이크론은 저전력 D램 분야에서 입증된 리더십을 바탕으로 소캠2 모듈이 차세대 AI 데이터센터 구동에 필수적인 데이터 처리량, 에너지 효율, 용량 등을 제공할 수 있도록 보장한다"고 밝혔다.

2025.10.23 09:28장경윤

곽노정 SK하이닉스 사장 "HBM4, 고객 요구 모두 만족 시켜...내년 업황 나쁘지 않아"

SK하이닉스가 HBM4(6세대 고대역폭 메모리)에서도 고객 요구를 만족시키며, 차세대 AI용 메모리 시장 리더 자리를 유지할 것으로 전망된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사(사장)은 22일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르네스에서 진행된 제18회 반도체의 날 기념식에 앞서 기자들과 만나 HBM4에 대한 자신감을 드러냈다. 곽 사장은 “HBM4는 고객들이 요구하는 성능과 속도 기준을 모두 충족했으며, 양산성까지 확보됐다”고 말했다. 그러면서 “현재 수립된 계획이 차질 없이 진행되고 있다”며 “HBM4는 이미 고객 검증을 마치고 본격적인 양산 체계에 들어섰다”고 설명했다. 다만 구체적인 공급 일정과 고객사 관련 내용에 대해서는 “다음 주 실적 발표에서 보다 자세히 말씀드릴 수 있을 것”이라고 말을 아꼈다. 아울러 “AI 산업이 빠르게 성장하면서 메모리의 역할과 중요성이 갈수록 커지고 있다”며 “SK하이닉스는 단순한 칩 공급자를 넘어, 고객 맞춤형 솔루션을 함께 설계하는 진정한 파트너로 진화할 것”이라고 강조했다. 곽 사장은 “고객의 니즈를 충족시키는 과정 자체가 곧 기업 가치 상승으로 이어질 것”이라며 “시가총액보다는 고객 중심의 기술 경쟁력이 더 중요하다”고 전했다. 업황 전망에 대해서는 낙관적인 시각을 내비쳤다. 그는 “내년 반도체 시장은 나쁘지 않을 것으로 본다”며 “HBM뿐 아니라 D램과 낸드 등 전 제품군에서 올해 못지않은 성과를 이어갈 수 있도록 준비하고 있다”고 말했다. 한편, 곽 사장은 이날 금탑산업훈장 수상 소감으로 “큰 상을 주셔서 감사드린다”며 “그룹의 지원과 SK하이닉스 구성원들의 헌신이 만들어낸 결과”라며 공을 돌렸다.

2025.10.22 18:17전화평

"中 시장 점유율 0%"…엔비디아 규제에 메모리 업계도 한숨

엔비디아의 중국 내 AI 반도체 시장 입지가 휘청이고 있다. 미중간 AI 반도체 패권 경쟁이 심화되면서 현지 칩 판매가 사실상 불가능해졌기 때문이다. 엔비디아에 제품을 공급하는 메모리 업계에도 부정적인 영향이 미치고 있다. 19일 업계에 따르면 AI 반도체를 둘러싼 미중갈등의 여파로 HBM(고대역폭메모리) 등 엔비디아향 메모리 수요가 일시 감소할 수 있다는 우려가 제기된다. 앞서 젠슨 황 엔디비아 최고경영자(CEO)는 지난 6일 뉴욕에서 열린 시타델 증권 행사에서 "미국의 반도체 수출 규제에 따라 중국 본토 기업에 첨단 제품을 판매할 수 없게 되면서, 중국 내 첨단 반도체 시장 점유율이 95%에서 0%로 떨어졌다"고 밝혔다. 그는 이어 "현재 우리는 중국에서 완전히 철수했다"며 "정책 변화에 대한 희망을 갖고 설명 및 정보 제공을 지속할 수 있기를 바란다"고 덧붙였다. 엔비디아는 지난 2022년부터 A100, H100 등 고성능 AI 반도체의 중국 수출에 대한 규제를 받아 왔다. 중국 시장을 겨냥해 성능을 낮춘 'H20' 등의 반도체도 지난 7월 미국 정부로부터 수출 승인을 받아냈지만, 반대로 중국 인터넷 규제 당국은 보안 우려를 근거로 현지 기업들에 엔비디아 칩을 사용하지 말라고 권고하는 등 맞불을 놓고 있다. 이에 젠슨 황 CEO는 "미국의 제재는 중국의 AI 반도체 자립화 속도를 오히려 부추기는 것"이라며 반대 입장을 견지해 왔다. 엔비디아의 중국향 AI 반도체 수출 규제는 국내 메모리 업계에도 부정적인 여파를 미친다. 특히 SK하이닉스는 엔비디아의 중국향 AI 반도체에 주력으로 HBM(고대역폭메모리)을 공급하고 있어, 영향이 더 크다. 반도체 업계 관계자는 "최근 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품용 소재·부품 발주가 예상보다 빠르게 둔화된 것으로 파악된다"며 "향후 정책 변화에 따라 내용이 달라질 순 있지만, 지금 당장은 업계 우려가 커지는 상황"이라고 설명했다.

2025.10.19 03:11장경윤

마이크론은 어떻게 HBM4 속도를 빠르게 구현했을까

내년 엔비디아의 루빈 플랫폼에 탑재될 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 시장 경쟁이 본격화하는 가운데 최근 미국 마이크론이 삼성전자, SK하이닉스에 준하는 HBM4 핀당 속도(동작속도)를 구현했다고 발표해 주목된다. 당초 업계에서는 HBM 후발주자로 여겨지는 마이크론의 HBM4 핀당 속도를 8Gbps 수준으로 예상했지만 마이크론은 지난 실적발표 콘퍼런스콜에서 핀당 속도가 11Gbps에 달한다고 공개한 바 있다. 15일 학계와 업계에서는 만약 마이크론의 이같은 동작속도 구현이 사실이라면 그 이유로 설계·신호품질 등 최적화를 지목한다. 물리적 속도 대신 시스템적 최적화를 극대화해 시장 리더들에 버금가는 속도를 구현했다는 분석이다. 마이크론의 인하우스 전략 마이크론은 메모리 3사 중 유일하게 외부 파운드리에 로직 다이 제조를 위탁하지 않았다. 삼성전자는 자사 파운드리 4nm(나노미터, 10억분의 m) 공정, SK하이닉스는 TSMC 14나노 공정을 통해 HBM4에 탑재될 로직 다이를 생산한다. 복잡한 회로를 프로세서 수준의 트랜지스터 속도로 구현하는 셈이다. 반면 마이크론은 HBM4에 탑재되는 로직 다이를 자체 D램 공정으로 직접 제조한다. 당초 업계에서 마이크론 HBM4 속도를 8Gbps로 예상한 이유다. 마이크론, HBM4 효율 극대화로 11Gbps 속도 구현 마이크론은 효율을 극대화하는 설계로 방향을 틀었다는 평가다. 핵심은 속도를 무리하게 끌어올리기보다, 같은 속도에서 오류와 변동을 줄여 실효 성능을 확보하는 접근이다. 같은 11Gbps급 속도를 두고 삼성전자와 SK하이닉스가 정면돌파를 선택했다면, 마이크론은 정밀 보정을 통한 우회로를 택한 셈이다. 먼저 마이크론은 I/O(입출력) 인터페이스의 신호 품질을 강화했다. 회사는 현지시간 지난달 23일 진행된 2025 회계연도 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 HBM의 I/O(신호 입출력) 회로를 칩 내부(베이스 다이)에 더 똑똑하고 강하게 넣었다고 밝혔다. 로직의 속도를 올리기보다 신호 품질을 극단적으로 높여 같은 주파수에서 나타나는 BER(비트에러율)을 낮췄다는 주장이다. 신현철 반도체공학회 학회장은 “선(라인) 하나당 속도는 메모리 셀 자체보다 시리얼 인터페이스(통신 회로)가 좌우한다”며 “신호 품질을 끌어올려 속도를 구현한 걸로 보인다”고 분석했다. 아울러 칩 내부의 시간 맞춤과 보정 기능을 강화했을 것으로 관측된다. 온도·전압 변화에 따라 데이터와 클럭을 자동으로 재정렬하는 미세 트레이닝을 채널 단위로 적용해 링크 안정성을 끌어올렸다는 평가다. 파운드리 공정을 쓰지 않더라도, 운영 구간에서의 오차 허용폭을 넓혀 체감 처리량을 지켰다는 설명이다. 공정 한계를 회로 레벨에서 상쇄했을 것으로 전문가들은 보고 있다. 이를 통해 로직 다이 트랜지스터 절대 속도가 빠르진 않더라도, 연결된 D램 어레이(배열)의 신호 전파 지연이 짧고, 부하를 적게 만들었다. 빠른 트랜지스터 대신 정확한 보정으로 효율을 높인 셈이다. 다만 마이크론의 이러한 접근법이 HBM 수율에 부정적 영향을 미칠 수 있다는 우려도 제기된다. 마이크론처럼 로직 다이를 인하우스 D램 공정에서 직접 제조하고, 신호 품질을 높이기 위해 로직 다이에 복잡한 회로를 더 깊게 집적할 경우 미세한 불량 발생 가능성이 커질 수 있다는 지적이다. 이종환 상명대학교 시스템반도체공학과 교수는 “마이크론 방식대로라면 수율 저하 등 여러 문제에서 자유롭지 못할 것”이라고 말했다.

2025.10.16 09:09전화평

삼성전자, SK하이닉스 제치고 메모리 시장 1위 탈환

삼성전자가 올 3분기 메모리 사업에서 호실적을 기록하며 시장점유율 1위 자리를 되찾은 것으로 나타났다. 14일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 3분기 메모리 시장에서 삼성전자는 194억 달러(한화 약 27조7천억원)의 매출을 기록해 시장 점유율 1위를 기록했다. SK하이닉스는 175억 달러로 2위를 차지했다. 삼성전자 메모리 매출은 전분기 대비 25% 상승하며 그동안의 부진을 만회했다. 앞서 삼성전자는 1분기 D램 시장에서, 2분기에는 메모리 시장 전체에서 SK하이닉스에 밀려 2위를 기록한 바 있다. 다만 3분기에는 범용 D램과 낸드 부문의 선전으로 다시 시장 점유율 1위에 올라서게 됐다. 스마트폰 분야에서는 갤럭시Z폴드7·Z플립7 시리즈 출시로 인한 폴더블 스마트폰 비중 확대가 큰 역할을 했다. 카운터포인트리서치의 월간 스마트폰 판매량 트래커에 따르면, 삼성의 스마트폰 전체 판매량도 3분기 첫 두 달 동안 전년대비 증가하는 등 좋은 성적을 내고 있다. 최정구 카운터포인트리서치 책임 연구원은 “삼성전자는 메모리 분야에서 상반기 HBM 부진 등으로 어려움을 겪었으나 품질 회복을 위한 강도 높은 노력의 효과로 반격에 성공하며 이번 분기 1위를 탈환했다"며 "아쉽게도 D램 시장은 근소한 차이로 1위를 탈환하지 못했으나, 내년 HBM3E의 선전과 HBM4의 확판을 기대하고 있다“고 말했다.

2025.10.14 15:30장경윤

'반도체 훈풍' 맞은 삼성전자, 4분기도 수익 성장 예고

삼성전자가 올 3분기 업계 예상을 웃도는 호실적을 기록했다. 전 세계 AI 인프라 투자 확대에 따라 고부가 D램 수요가 확대되는 한편, 파운드리 가동률도 점진적인 회복세를 보이고 있다. 4분기에도 메모리 가격 상승 및 출하량 확대가 예상되는 만큼, 삼성전자 반도체 사업의 수익성은 더 개선될 전망이다. 14일 삼성전자는 올 3분기 연결기준으로 매출 86조원, 영업이익 12조1천억원의 잠정 실적을 기록했다고 공시했다. 전기 대비 매출은 15.33%, 영업이익은 158.55% 증가했으며, 전년동기 대비 매출은 8.72%, 영업이익은 31.81% 증가했다. 또한 이번 실적은 증권가 컨센서스인 10조1천419억원을 크게 상회하는 수준이다. 업계는 이번 호실적의 배경으로 주요 사업인 DS(반도체) 분야의 수익성 확대를 지목하고 있다. DS부문의 3분기 영업이익은 7조원 내외로 추산된다. 해당 분기 AI 서버를 중심으로 D램 가격 및 출하량이 증가했으며, HBM(고대역폭메모리)도 용량 기준으로 10억 초중반대의 Gb(기가비트) 출하량으로 전분기 대비 성장을 기록한 것으로 분석된다. 지난해 4분기 이후 3개분기 연속 2조원대의 적자를 기록했던 비메모리 사업도 올 3분기 적자폭이 1조원대로 축소되는 등 회복세를 보이고 있다. 7나노미터(nm) 등 주력 공정의 고객사 확보, 내부 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서) 생산량 확대로 가동률이 상승한 덕분이다. 4분기에는 반도체 부문의 수익성이 더 크게 개선될 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 4분기 전체 D램의 평균판매가격은 전분기 대비 13~18%의 상승세가 예상된다. 트렌드포스는 "주요 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들이 내년 서버용 D램 수급을 크게 늘릴 것으로 예상된다"며 "반면 공급업체들은 HBM4(6세대 HBM)에 생산능력을 크게 할당하고 있어, DDR5 공급은 여전히 불안정한 상황"이라고 설명했다. 반도체 업계 관계자는 "4분기에도 D램·낸드 시장이 성장할 것으로 예상되고, HBM은AMD 등 주요 고객사향 출하량이 전분기 대비 상승할 전망"이라며 "올 하반기 뿐만이 아니라 내년까지 메모리 사업의 구조적인 호황이 예상되는 상황"이라고 말했다.

2025.10.14 11:02장경윤

삼성전자, 3분기 수익성 대폭 개선…메모리·파운드리 '쌍끌이'

삼성전자가 업계 예상을 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주력 사업인 메모리가 AI 서버 주도로 가격 및 수요 회복세가 두드러졌고, 비메모리 분야도 기존 대비 적자 폭을 크게 줄인 데 따른 효과로 풀이된다. 14일 삼성전자는 올 3분기 연결기준으로 매출 86조원, 영업이익 12조1천억원의 잠정 실적을 기록했다고 공시했다. 전기 대비 매출은 15.33%, 영업이익은 158.55% 증가했으며, 전년동기 대비 매출은 8.72%, 영업이익은 31.81% 증가했다. 또한 이번 실적은 증권가 컨센서스인 10조1천419억원을 크게 상회하는 수준이다. 메모리·비메모리 사업 모두 약진…어닝 서프라이즈 견인 이번 호실적은 회사의 주요 사업인 DS(반도체)사업부문의 수익성 개선이 큰 영향을 미친 것으로 풀이된다. 메모리의 경우, AI 서버 주도로 고부가 제품 판매가 확대되는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스는 지난달 보고서를 통해 올 3분기 범용 D램의 평균판매가격이 전분기 대비 10~15% 상승할 것으로 전망한 바 있다. 낸드 가격 역시 5~10%의 상승세가 예상된다. HBM(고대역폭메모리) 분야도 상반기 대비 출하량이 늘어났을 것으로 관측된다. 삼성전자의 2분기 HBM 출하량은 10억Gb(기가비트)를 밑돌았으나, 3분기에는 10억대 초중반 Gb 수준을 출하했을 것으로 업계는 보고 있다. 특히 비메모리 분야에서 성과가 두드러졌을 것으로 분석된다. 삼성전자는 지난 2분기 시스템LSI 및 파운드리 사업부에서 2조원 초중반대의 영업손실을 기록한 바 있다. 올 3분기에는 적자 폭을 1조원 초반대까지 줄인 것으로 알려졌다. 주력 공정인 7나노미터(nm) 급에서 고객사를 추가로 확보했고, 내부 시스템LSI의 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 및 CIS(CMOS 이미지센서) 출하량 확대로 가동률이 개선된 데 따른 영향으로 풀이된다. 스마트폰(MX) 사업도 3조원 이상의 영업이익을 기록했을 가능성이 유력하다. 지난 7월 출시된 갤럭시Z폴드7·Z플립7의 견조한 판매량 덕분이다. 디스플레이 부문도 중소형 OLED 출하량 증가로 수익성 개선이 예상된다.

2025.10.14 09:09장경윤

가격 오르지만 의미는 없다…저무는 DDR4 시대

한때 D램 시장의 대표 지표로 불리던 DDR4(Double Data Rate 4) 메모리 가격이 시장 흐름을 설명하는 역할을 잃고 있다. PC와 서버 시장에서 DDR5로의 세대 교체가 본격화되면서 글로벌 메모리 제조사들이 DDR4 생산 비중을 낮추고 있기 때문이다. 따라서 최근 DDR4 가격 급등은 시장 회복 신호가 아니라 공급 축소에 따른 일시적 현상으로 분석된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 D램 제조사들은 DDR4 생산량을 지속적으로 줄이고 있다. 서버와 PC 시장에서 DDR5를 지원하는 제품 출시가 늘어나면서 생산 구조도 DDR5 중심으로 재편되고 있는 것이다. DDR5, AI 타고 서버 시장서 확산… “올해 하반기 전체 D램 출하 절반 이상” 특히 서버 시장에서 DDR5 채택이 빠르게 확산되고 있다. 서버용 CPU 시장 90%를 점유하고 있는 인텔은 2023년 출시한 4세대 제온 스케일러블 프로세서(사파이어 래피즈) 를 기점으로 DDR4 지원을 완전히 종료했다. 이후 등장한 에메랄드 래피즈와 그라나이트 래피즈 등 모든 서버용 프로세서 역시 DDR5만 지원한다. AMD 역시 제노아(Genoa) 플랫폼부터 DDR5를 기본 지원하면서, 서버 시장은 사실상 DDR5 전용 구조로 전환된 상태다. DDR5 전환의 핵심 배경에는 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요의 폭발적 성장이 있다. DDR5는 기존 DDR4 대비 전송 속도 약 1.5~2배, 전력 효율 약 30% 개선의 성능을 제공한다. 더 넓은 대역폭과 낮은 전력 소모를 요구하는 AI에 더 적합한 셈이다. 서버뿐 아니라 PC 시장에서도 DDR5 채택이 빠르게 확대되고 있다. 인텔과 AMD의 최신 CPU 대부분이 DDR5를 기본 지원하면서, DDR4는 구형 플랫폼 중심의 잔여 수요만 남게 됐다. 시장조사업체 트렌드포스는 올해 하반기 전체 PC·서버용 D램 출하량의 절반 이상을 DDR5가 차지할 것으로 전망했다. 메모리 3사, 고부가제품으로 투자 집중...DDR4 가격 상승 일시적 현상 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 업체들은 DDR4 생산 라인을 줄이고 DDR5 및 HBM(고대역폭 메모리) 중심으로 투자 방향을 옮기고 있다. DDR4는 이미 단가가 낮고 수익성이 떨어지는 성숙기 제품군으로 분류되며, EUV(극자외선) 기반의 미세공정을 적용하는 DDR5·HBM 제품군에 비해 효율성이 낮다. 같은 장비를 써도 DDR5·HBM을 생산할 때 훨씬 높은 매출과 이익을 낼 수 있는 것이다. 결국 제조사들은 생산 설비를 고부가 제품으로 집중시키고 있으며, 이 과정에서 DDR4 공급이 줄면서 일시적인 가격 상승이 발생하고 있다. 하지만 이 같은 가격 급등은 수요 증가가 아닌 공급 축소의 결과로, 시장 회복을 의미하지는 않는다. 메모리 업체 관계자는 “물량이 떨어지는데 수요가 아직 그만큼 떨어지지 않으면 어떤 재화든 사실 다 가격이 상승한다”며 “DDR4 역시 마찬가지”라고 말했다.

2025.10.10 14:49전화평

SK하이닉스, 시총 '300조원' 첫 돌파…AI 메모리로 주가 고공행진

SK하이닉스가 처음으로 시가총액 300조원을 돌파했다. 지난 6월 회사의 당초 목표였던 시가총액 200조원을 기록한 지 4개월 만이다. 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리에 대한 수요 증가 기대감이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 10일 오전 9시15분 기준 SK하이닉스는 전일 대비 7.21% 상승한 42만4천원에 거래되고 있다. 이를 기반으로 한 시가총액은 308조원에 달한다. SK하이닉스가 시가총액 300조원을 돌파한 것은 이번이 처음이다. SK하이닉스의 총 상장주식수는 7억2천800만2천365주로, 시가총액 300조원에 도달하기 위해서는 주가가 41만2천원을 넘어서야 한다. 기존 SK하이닉스의 종가 기준 최고가는 지난 2일 39만5천500원, 장중 최고 거래가는 40만4천500원 수준이었다. SK하이닉스는 오늘 신고가 경신을 통해 시가총액 300조원을 상회하게 됐다. SK하이닉스의 주가는 올해 들어 매우 가파른 성장세를 보이고 있다. 앞서 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 지난해 1월 미국 'CES 2024' 행사에서 "3년 내 시가총액 200조원을 달성하겠다"고 밝힌 바 있다. 이후 회사는 1년 반만인 지난 6월, 시가총액 200조원을 처음으로 돌파했다. 나아가 SK하이닉스는 약 4개월 만에 시가총액을 100조원 가까이 늘리는 데 성공했다. D램과 낸드를 비롯한 메모리 시장이 AI·HPC(고성능컴퓨팅) 등을 중심으로 견조한 수요를 기록하고 있고, 엔비디아향 HBM와 SoCAMM 양산 공급에 대한 기대감이 반영된 것으로 풀이된다. 또한 SK하이닉스는 최근 오픈AI와 '스타게이트' 인프라 구축을 위한 대규모 메모리 공급 협력을 발표한 바 있다. 오픈AI가 요청한 고부가 D램 웨이퍼 물량은 월 90만장으로, SK하이닉스의 현재 전체 D램 생산능력인 50만~55만장 수준을 크게 뛰어넘는다.

2025.10.10 09:53장경윤

D램·낸드 시장, 2026년 '완만한 둔화' 속 안정 국면…HBM은 경쟁 심화로 성장세 둔화

글로벌 메모리 반도체 시장이 2026년 완만한 경기 둔화 속에서도 비교적 안정적인 흐름을 이어갈 전망이다. 최근 몇 년간 업황을 이끌었던 HBM(고대역폭 메모리)은 경쟁 심화로 성장세가 둔화되는 반면, D램과 낸드플래시는 수요와 생산이 균형을 이루며 양호한 실적이 기대된다. 6일 iM증권이 발표한 보고서에 따르면 2025년 D램 수요 증가율은 19.3%로 상향 조정됐다. 이는 업계 생산 증가율(18.1%)을 소폭 웃도는 수준이다. 2026년에는 세계 경제 둔화를 반영해 D램 수요 증가율 14.1%, 생산 증가율 14.2%로 전망됐다. 낸드플래시 역시 유사한 흐름을 보인다. 2026년 수요 증가율은 13.8%, 생산 증가율은 14.0%로 예측돼 공급과 수요가 균형을 이루는 모습이다. 송명섭 iM증권 애널리스트는 “HBM은 2024~2025년 폭발적 성장을 경험했지만, 2026년에는 경쟁사 진입과 공급 확대에 따라 성장 속도가 둔화될 가능성이 크다”고 지적했다. 반면 “오랜 기간 가격 하락을 겪어온 낸드는 이미 바닥권에 도달해 상대적으로 가격 강세를 보일 여지가 있다”고 분석했다. 스마트폰·서버 수요가 핵심 변수 수요 측면에서는 스마트폰과 서버가 핵심 변수로 꼽힌다. 2025년 글로벌 스마트폰 출하량은 당초 예상치(-0.4%)보다 개선된 +0.7% 증가가 전망된다. 미국과 인도 시장의 견조한 수요, 반도체 관세 부과 연기 등이 긍정적으로 작용했다. 서버 시장은 빅테크 기업들의 공격적인 설비투자(Capex)가 이어지며 2026년 출하 증가율이 4.7%에 달할 것으로 예상된다. 이는 AI 확산과 데이터센터 확장 수요가 뒷받침하고 있다는 분석이다. 다만 리스크 요인도 적지 않다. 현재 무관세인 반도체에 고율 관세가 부과될 경우 IT 기기 가격 상승과 수요 둔화로 이어질 수 있다는 점이다. 송 애널리스트는 “관세 정책 변화는 메모리 업황에 큰 충격을 줄 수 있는 외부 변수”라며 “특히 스마트폰과 서버 수요에 직접적인 영향을 미칠 수 있다”고 경고했다.

2025.10.06 12:00전화평

"최대 월 120만장인데"...오픈AI, 삼성·SK에 HBM용 D램 90만장 요청

글로벌 빅테크 기업 오픈AI가 삼성전자·SK하이닉스와 핵심 AI 인프라 구축을 위한 전방위적 협력 체계를 구축했다. 오픈AI의 핵심 프로젝트인 '스타게이트'에 고성능 메모리를 공급하는 것이 주 골자로, D램 및 HBM(고대역폭메모리) 수요를 강하게 촉진할 것으로 기대된다. 1일 샘 알트만 오픈AI 대표는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장 등과 만나 메모리 공급과 관련한 LOI(의향서)를 체결했다. 삼성·SK에 손 내민 오픈AI…K-메모리 성장동력 '기대감' 오픈AI는 미국 클라우드 기업 오라클, 일본 투자 회사 소프트뱅크와 함께 초거대 데이터센터를 건설하는 스타게이트 프로젝트를 추진하고 있다. 오는 2029년까지 약 5천억 달러(한화 약 700조원)의 거금이 투입될 예정이다. 데이터센터 구축에는 방대한 양의 데이터 처리를 위한 고성능·고효율 메모리가 필수적으로 탑재된다. 기업용 낸드인 eSSD는 물론, 서버용 D램과 HBM(고대역폭메모리) 등 제품 전반이 필요하다. 특히 HBM의 경우, 기존 D램 대비 메모리를 전송하는 통로인 대역폭이 높아 고부가 제품으로 각광받고 있다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 중장기적 매출 성장을 위한 추가 동력을 확보하게 됐다. 삼성전자는 "회사는 스타게이트 프로젝트를 진행하고 있는 오픈AI가 고성능·저전력 메모리를 원활하게 공급받을 수 있도록 지원할 계획"이라며 "오픈AI가 메모리 솔루션 수급에 어려움을 겪지 않도록 지원할 방침"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 "스타게이트 프로젝트에서 HBM 반도체 공급 파트너로 참여한다"며 "이번 메모리 공급 의향서 체결은 올해 상반기 기준 D램 글로벌 매출 1위인 SK하이닉스의 AI 전용 메모리반도체 기술력과 공급 역량을 인정받은 결과"라고 설명했다. D램 최대 월 90만장 요구…삼성·SK 총 생산능력 120만에 필적 업계의 이목을 끈 또 하나의 대목은 오픈AI가 요구한 D램 물량이다. 샘 알트만 오픈AI 대표는 양사와의 만남에서 월 90만장에 이르는 D램 공급량을 요구한 것으로 알려졌다. 삼성·SK 역시 각사 보도자료에 해당 물량을 명시했다. 현재 삼성전자의 전체 D램 생산능력(CAPA; 캐파)은 월 60만~65만장으로 추산된다. SK하이닉스는 월 50만장 수준이다. 이를 고려하면 오픈AI는 양사의 도합 D램 생산능력에 필적하는 수준의 물량을 요청한 셈이다. 반도체 업계 관계자는 "오픈AI가 자체 AI 가속기 등을 개발하면서 국내 메모리사에 HBM 샘플을 요청하는 등 메모리 수급에 지대한 관심을 가지고 있는 것으로 안다"며 "당장 오픈AI가 요구한 메모리 물량은 양사의 총 생산능력과 맞먹어 현실과는 괴리가 있다"며 "중장기적 관점에서 AI 인프라 구축에 상당한 메모리가 필요하다는 관점으로 보는 것이 더 적절할 것"이라고 말했다.

2025.10.01 18:47장경윤

삼성, 오픈AI와 'AI 인프라' 구축…메모리·데이터센터 전방위 협력

삼성은 오픈AI와 삼성전자 서초사옥에서 글로벌 AI 핵심 인프라 구축을 위해 상호 협력하는 LOI(Letter of Intent, 의향서) 체결식을 거행했다고 1일 밝혔다. 오픈AI와 LOI를 체결한 삼성 관계사는 삼성전자, 삼성SDS, 삼성물산, 삼성중공업 등 4개사다. 삼성은 오픈AI의 전략적 파트너사로서 반도체, 데이터센터, 클라우드, 해양 기술 등 각사의 핵심 역량을 결집시켜 전방위적인 협력 체계를 구축할 예정이다. LOI 체결식에는 ▲전영현 삼성전자 부회장 ▲최성안 삼성중공업 부회장 ▲오세철 삼성물산 사장 ▲이준희 삼성SDS 사장이 참석했다. 오픈AI 고성능 D램 '월 90만장' 필요…삼성 반도체 역량 총동원 삼성전자는 스타게이트 프로젝트를 진행하고 있는 오픈AI가 고성능· 저전력 메모리를 원활하게 공급받을 수 있도록 지원할 계획이다. 스타게이트 프로젝트는 오픈AI가 글로벌 기술·투자 기업들과 함께 슈퍼컴퓨터와 데이터센터를 건설하는 대규모 프로젝트다. 삼성전자는 오픈AI의 전략적 파트너로서 오픈AI가 메모리 솔루션 수급에 어려움을 겪지 않도록 지원할 방침이다. 오픈AI는 웨이퍼 기준 월 90만 장의 대량의 고성능 D램이 필요할 것으로 전망하고 있다. 삼성전자는 ▲메모리 반도체 ▲시스템반도체 ▲파운드리 사업 역량을 모두 보유하고 있는 종합반도체 회사로, AI 학습과 추론 전 과정에 필요한 다양한 제품 포트폴리오를 갖추고 있다. 또한 패키징 기술, 메모리·시스템반도체 융복합 기술 측면에도 오픈AI에 차별화된 솔루션을 제공할 수 있다. 삼성SDS는 오픈AI와 AI 데이터센터 공동 개발, 기업용 AI 서비스 제공에 대한 파트너십을 맺었다. 삼성SDS는 첨단 데이터센터 기술을 기반으로 오픈AI 스타게이트 AI 데이터센터의 ▲설계 ▲구축 ▲운영 분야에서 협력할 예정이다. LOI를 통해 삼성SDS는 오픈AI 모델을 사내 업무시스템에 도입하길 원하는 기업들을 대상으로 ▲컨설팅 ▲구축 ▲운영 사업을 진행할 수 있게 됐다. 또한 삼성SDS는 국내 최초로 OpenAI 기업용 서비스를 판매하고 기술지원할 수 있는 리셀러 파트너십을 체결해, 향후 국내 기업들이 오픈AI 챗GPT 엔터프라이즈 서비스를 사용할 수 있도록 지원할 예정이다. 차세대 플로팅 데이터센터 분야 개발 협력 삼성물산과 삼성중공업은 글로벌 AI 데이터센터의 진보와 발전을 위해 오픈AI와 협업하고, 특히 플로팅 데이터센터 공동 개발을 위해 협력할 예정이다. 플로팅 데이터센터는 해상에 설치하는 첨단 데이터센터로, 육지에 데이터센터를 설치할 때보다 공간 제약이 적고 열 냉각 비용을 절감할 수 있으며 탄소 배출량도 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 다만 기술적 난도가 높아 몇몇 국가에서 상용화를 위한 연구 개발이 진행되고 있는 단계다. 삼성물산과 삼성중공업은 독자 기술을 바탕으로 ▲플로팅 데이터센터 ▲부유식 발전설비 ▲관제센터 개발을 추진할 예정이다. 삼성은 오픈AI와의 협력을 시작으로 한국이 글로벌 인공지능 분야에서 3대 강국으로 도약하는 데 핵심적인 역할을 수행할 계획이다. 삼성전자는 ▲메모리 기술력 ▲글로벌 반도체업계 1위 생산능력 ▲안정적인 글로벌 생산 거점을 기반으로 OpenAI와 같은 글로벌 AI 선도 기업과의 협력을 강화할 예정이다. 또한 미래 AI 경쟁력을 제고하기 위해 ▲대규모 R&D 투자 ▲선제적 국내외 시설 투자 ▲국내외 우수인재 육성과 유치를 지속할 방침이다. 삼성SDS, 삼성물산, 삼성중공업도 AI 사업 기회를 확대해 한국이 AI 분야에서 글로벌 인공지능 3대 강국으로 도약하는 데 기여할 계획이다. 한편, 삼성은 임직원들의 기술 개발 생산성을 높이고 혁신 속도에 박차를 가하기 위해 챗GPT 사내 확대 도입도 검토하고 있다.

2025.10.01 18:42장경윤

"AI·자동차가 메모리 시장 성장 이끈다"

전통적인 PC·모바일 메모리 시장이 정체 국면에 머무는 반면, 데이터센터와 자동차용 메모리가 차세대 성장 동력으로 부상하고 있다. 22일 업계에 따르면 글로벌 D램 시장이 데이터센터와 자동차를 중심으로 성장할 전망이다. 시장조사업체 테크인사이츠는 글로벌 D램 수요가 지난 2023년 203Eb(엑사비트, 1Eb는 100만 테라비트)에서 2030년 722Eb까지 3.5배 이상 확대될 것으로 전망했다. 연평균성장률(CAGR)은 19.9%로 자동차와 데이터센터가 각각 27.6%, 26.6% 성장률 기록하며 전체 성장을 주도할 것으로 관측된다. 데이터센터 수요 급증...D램 시장 연평균 28.2% 성장 특히 데이터센터 수요는 AI 서버 확산에 힘입어 폭발적으로 증가할 전망이다. AI가 다양한 산업에 깊숙이 침투하면서, 이를 뒷받침할 고성능 AI 서버 시장이 가파른 성장세를 기록하고 있기 때문이다. 시장조사기관 글로벌 마켓인사이츠에 따르면 2024년 기준 1천280억달러(약 178조7천264억원)였던 전 세계 AI 서버 시장 규모는 올해 1천672억달러(약 233조5천억원)으로 급상승할 것으로 예상된다. 이후 2034년까지 연평균 28.2%의 성장세를 기록하며 1조5천600억달러(약 2천178조원)를 기록할 전망이다. 특히 주목할만한 점은 서버당 D램 탑재 용량이다. 테크인사이츠는 2024년에서 2030년까지 D램 탑재 용량이 평균 1TB(테라바이트)에서 2.5TB(테라바이트)로 2.5배 이상 확대되면서 전체 비트 수요를 끌어올릴 것으로 봤다. 이에 따라 데이터센터 DRAM 매출은 2024년 480억 달러에서 2030년 1천540억달러로 급증, 전체 D램 매출의 70%를 차지할 것으로 전망된다. 차량용 메모리, 전장·자율주행 타고 급상승 차량용 메모리 수요 역시 고도화된 전장 시스템과 자율주행 기술 확산으로 빠르게 확대되고 있다. 차량 한 대당 탑재되는 메모리 용량이 늘어나면서, 자동차는 데이터센터와 함께 향후 메모리 시장의 '쌍두마차'로 부상할 것으로 보인다. 시장조사기관들은 차량용 메모리 시장이 상승할 것으로 내다봤다. 리서치앤마케츠는 2025년부터 2033년까지 연평균 11.11% 성장할 것으로 관측했으며, 그로우스마케츠리포츠는 같은 기간 13.2% 성장세를 기록할 것으로 점쳤다. 데이터인텔로는 2024년부터 2032년까지 10.9% 성장할 것으로 예상했다. 리서치앤마케츠는 “자동차가 스마트 기술과 더욱 긴밀하게 연결됨에 따라 고용량 메모리 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있다”며 “이는 시장 성장에 긍정적인 요인”이라고 분석했다. 그러면서 “배터리 관리 및 에너지 효율 향상을 위한 첨단 메모리 시스템이 필요한 전기차(EV) 및 하이브리드 자동차의 보급 확대 또한 시장 성장을 촉진하고 있다”고 덧붙였다. 모바일·PC, 전체 D램 평균 밑돌아...”2030년 전후가 분수령” 반면 모바일, PC는 낮은 성장률을 기록할 전망이다. 테크인사이츠는 모바일과 PC가 2023년부터 2030년까지 연평균 13%, 10.8%씩 성장세를 보일 것으로 봤다. 전체 D램 시장 연평균 성장률인 19.9%를 밑도는 규모다. 이는 시장이 성숙기에 접어들며 정체 양상을 보이고 있기 때문이다. 이는 신규 수요보다는 교체 수요에 의존하는 구조가 고착화되고 있음을 보여주는 셈이다. 업계 관계자는 “메모리 시장의 무게 중심이 PC와 모바일에서 데이터센터와 자동차로 이동하는 추세가 뚜렷하다”며 “AI와 자율주행이 본격화되는 2030년 전후가 메모리 산업의 분수령이 될 것”이라고 말했다.

2025.09.22 13:57전화평

탄력 받는 메모리 3강 '1c D램' 투자…AI·HBM 시장 겨냥

주요 메모리 기업들이 1c(6세대 10나노급) D램 투자에 속도를 낸다. 삼성전자는 올 상반기부터 이미 양산라인 구축을 시작했으며, SK하이닉스는 최근 전환투자를 위한 구체적인 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 마이크론 역시 이달 일본 정부로부터 1c D램 신설에 대한 보조금을 지급받았다. 21일 업계에 따르면 주요 메모리 기업들은 1c D램 양산을 위한 신규 및 전환투자에 집중하고 있다. 1c D램은 주요 메모리 기업들이 올 하반기 양산을 목표로 둔 차세대 D램이다. 삼성전자의 경우 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 1c D램을 채용하기로 했다. SK하이닉스·마이크론은 서버 등 범용 D램에서부터 1c D램을 활용할 계획이다. 삼성전자는 1c D램 생산능력 확대에 가장 공격적으로 나서고 있다. 현재 평택 제4캠퍼스(P4)에서 신규 1c D램 양산라인을 구축하고 있으며, 화성 17라인에서도 1c D램에 대한 전환 투자를 추진 중이다. 연말까지 확보할 생산능력은 최대 월 6만장으로 추산된다. SK하이닉스는 지난 7월 2025년 2분기 실적발표에서 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝힌 바 있다. 업계에 따르면 해당 전환투자는 이천 M14 팹에서 진행될 가능성이 유력하다. M14는 기존 일부 낸드 라인을 D램 양산으로 용도를 변경해 온 팹이다. 현재 SK하이닉스는 이곳의 구형 D램 설비를 들어내고 1c D램 라인을 도입하는 방안을 논의 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "1c 공정은 서버용 고부가 D램은 물론, HBM4E(7세대 HBM)에도 활용될 수 있어 SK하이닉스가 주목하고 있는 분야"라며 "아직 설비투자가 확정된 것은 아니나 내년 전공정 분야에 활발한 투자가 집행될 것으로 보고 있다"고 설명했다. 마이크론 역시 1c D램 투자에 속도를 낼 것으로 관측된다. 일본 경제산업성(METI)는 이달 중순 마이크론이 히로시마 지역에 신설 중인 D램 공장에 최대 5천360억엔(한화 약 4조7천억원)의 보조금을 지원한다고 발표했다. 해당 공장은 마이크론의 1γ(감마) 공정 양산을 주력으로 양산할 계획이다. 가동 목표 시기는 오는 2027년이다. 1γ는 국내 반도체 업계에서는 1c D램에 대응하는 공정으로, 마이크론 역시 HBM4E에 해당 공정을 채용할 것으로 예상된다.

2025.09.21 09:40장경윤

"메모리 시장 내년까지 HBM 호황 후 3년 조정기 진입"

AI 메모리로 각광받는 HBM(고대역폭메모리) 수요 상승으로 메모리 업체들의 수익이 내년까지 급증한 이후 3년 간 조정기를 거칠 것이라는 분석이 나왔다. 다만, 2030년부터는 인공지능(AI)과 데이터센터를 중심으로 한 고성능 컴퓨팅 시장의 확산에 힘입어 또다시 가파른 성장세로 재진입할 것이라는 분석이 나온다. 글로벌 반도체 조사 전문기관 테크인사이츠는 18일 웨비나를 통해 HBM이 오는 2026년까지 메모리 가격과 수익성을 끌어올리는 핵심 동력이 될 전망이라고 밝혔다. 발표에 따르면 내년 글로벌 메모리 업계 매출은 1천700억달러(약 235조원)으로 예상된다. 지난해 글로벌 메모리 업계 매출인 980억달러(약 135조4천850억원)에서 2년 만에 70% 이상 성장하는 셈이다. 같은 기간 영업이익률도 34%에서 51%까지 치솟을 것으로 보인다. 다만 2027년 이후에는 HBM 공급 확대와 경쟁 심화로 가격이 하락하며 조정 국면에 들어설 것으로 관측된다. 2028년에는 가격이 25% 급락하면서 매출이 1천680억 달러로 줄고, 영업이익률도 37%까지 낮아질 것이라는 분석이다. 이후 2030년에는 시장 구조가 재편되며 가격과 수익성이 다시 회복세에 들어설 전망이다. 마이크 하워드 테크인사이츠 메모리 전문 연구원은 “2030년이 되면 메모리 산업은 2천200억달러(약 304조2천820억원)를 넘어설 것”이라고 내다봤다. HBM, 전체 D램 중 비중 15%까지 증가 전망 테크인사이츠는 전체 D램 중 HBM의 비중이 2030년 15%까지 확대될 것으로 봤다. 이는 지난해 전체 D램 중 HBM 비중이던 4%에서 4배 가까이 성장한 규모다. 이러한 변화는 주로 AI 가속 서버의 수요 폭증에 기인한다. AI 가속 서버가 전체 D램 비트 수요에서 차지하는 비중은 2024년 16%에서 2030년 36%로 두 배 이상 성장할 것으로 예측된다. AI 가속 서버 한 대당 필요한 메모리 용량 또한 2024년 2.0TB(테라바이트)에서 2030년에는 4.6TB까지 늘어날 것으로 전망되며, 이는 전통 서버(2030년 1.3TB) 대비 압도적인 수치로 HBM 수요를 강력하게 견인하고 있다. 이에 따라 예상되는 2030년 총 HBM 비트 출하량은 105Eb(엑사비트)다. 2024년 비트 출하량인 11Eb에서 연평균 57%씩 성장한 수치다. 메모리 업계는 HBM 중심의 시장 변화에 맞춰 생산 능력 확대를 서두르고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 2024년부터 2027년까지 월 수십만 장 규모로 HBM 전용 웨이퍼 생산 능력을 확대할 계획이며, 마이크론 또한 HBM 생산에 박차를 가하고 있다. 특히 SK하이닉스는 높은 HBM 출하 비중을 바탕으로 2025년 2분기 기준 웨이퍼당 영업이익이 경쟁사 대비 4천달러 이상 높은 수준을 기록하는 등, HBM을 통한 수익성 우위를 확고히 하고 있다. DDR4 고정거래가, 2026년 DDR5 추월 전망 한편, 범용 메모리 시장에서는 이례적인 현상도 나타나고 있다. 현재 단종이 진행되고 있는 DDR4가 2026년에는 DDR5보다 더 비싸게 판매된다는 전망이다. 이는 특정 레거시 수요 때문으로, 가격 추월은 빠르면 1분기 중 이뤄질 것으로 관측된다.

2025.09.18 15:17전화평

SK, HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현...마이크론 발등에 불?

SK하이닉스가 12일 내년 시장이 본격 개화되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 완료하고 세계 첫 양산 체제를 구축했다고 발표하면서 기술 경쟁력을 한껏 뽐내고 있다. 경쟁사 대비 빠른 속도로, 동작속도 역시 업계 표준을 웃도는 10Gbps 이상을 구현한 것도 SK하이닉스의 시장 지배력 지속을 위한 긍정 신호로 평가되는 대목이다. 또한 주요 고객사인 엔비디아가 최근 HBM4에 필요한 동작속도 요구치를 올린 데 따른 대응으로 풀이된다. 반면 주요 경쟁사인 미국 마이크론은 위기를 맞았다는 평가다. HBM의 동작속도를 높이기 위해서는 '베이스 다이'의 성능이 중요한데, 마이크론의 경우 SK하이닉스, 삼성전자 대비 공정의 기술적 수준이 낮기 때문이다. 이에 업계는 마이크론이 오는 23일(현지시간) 진행하는 회계연도 4분기(6~8월) 실적발표에서 어떠한 대응책을 제시할 지 주목하고 있다. HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현…개발 속도 올려 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM4는 6세대 제품으로, 엔비디아가 내년 출시할 최신 AI 가속기인 '루빈' 칩에 채택될 예정이다. SK하이닉스의 이번 HBM4 개발 완료 발표는 업계의 예상을 앞서는 수준이다. 당초 엔비디아 측이 메모리사와 논의한 공식적인 퀄(품질) 테스트 시점은 내년 초쯤이다. 이에 따라 각 메모리 기업들은 올 3분기 엔비디아에 샘플을 대량으로 공급하며 개발 일정을 소화해 왔다. 다만 SK하이닉스는 이와 별개로 최근까지 HBM4에 대한 내부 인증을 마무리 수순까지 끌어올렸다. 이를 기반으로 개발 완료 일정을 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. HBM4에 구현한 동작속도도 눈에 띈다. SK하이닉스는 HBM4에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작속도를 구현했는데, JEDEC(국제반도체표준화기구)의 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘은 성과다. SK하이닉스가 동작속도를 강조한 이유는 바로 엔비디아에 있다. HBM4는 엔비디아가 내년 출시할 AI 가속기 '루빈(Rubin)' 칩에 채택될 예정이다. 당초 엔비디아는 HBM4에 8~9Gbps 수준의 동작속도를 요구했으나, 최근에는 기준을 10Gbps 이상으로 높인 것으로 알려졌다. 베이스 다이서 '열위' 평가 받는 마이크론…실적 발표서 대응 주목 HBM의 동작 속도 향상을 위해서는 HBM의 베이스(로직) 다이 성능이 중요하다는 게 업계 전문가들의 시각이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이전까지 HBM의 로직 다이를 D램 공정에서 제조해 왔다. 그러나 HBM4부터는 대만 주요 파운드리인 TSMC의 12나노미터(nm) 공정에 로직다이 양산을 맡겼다. 삼성전자도 자사 파운드리 사업부의 4나노 공정을 활용해, 성능 우위를 꾀하고 있다. 반면 마이크론은 HBM4에서도 D램 공정에서 로직 다이를 자체 제작하는 방안을 고수하기로 했다. 때문에 업계에서는 마이크론이 삼성전자·SK하이닉스 대비 엔비디아의 HBM4 동작속도 요구치에 부합하기 힘들 것이라는 전망이 우세해지고 있다. 이 경우 마이크론은 엔비디아의 하이엔드 제품향 HBM4 공급에 제한이 생길 수밖에 없다. 마이크론의 공식 대응이 주목되는 이유다. 마이크론은 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업보다 한 달 앞서 분기 실적 발표를 진행한다. 마이크론의 회계연도 4분기 실적발표는 오는 23일로 예정돼 있다.

2025.09.12 13:29장경윤

SK하이닉스, HBM4 개발 완료…'세계 최초' 양산 체제 구축

SK하이닉스가 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 성공적으로 마무리하고, 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 당사의 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 밝혔다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것”이라며 “고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현할 것”이라고 밝혔다. AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 최근 급증하고 있다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션(Solution)이 될 것으로 내다봤다. 새롭게 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2천48개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것이다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했다. 회사는 또 이 제품에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었다. 회사는 HBM4 개발에 시장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라(Infra) 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했다.

2025.09.12 08:51장경윤

삼성전자, HBM4 '1C D램' 생산 확대...P4 설비·전환투자 속도

삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점을 위한 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력 확보에 주력하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리하는 것은 물론, P3 등 기존 공장에서도 전환투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 초부터 P4 마지막 양산라인에 대한 투자를 집행할 예정이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로, 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 낸드와 D램 양산을 병용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 ph3는 설비투자가 완료됐다. 현재 ph4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있다. 해당 라인은 모두 1c(6세대 10나노급) D램을 주력으로 양산한다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 가장 최신 세대의 D램이다. 특히 삼성전자는 내년 본격적인 상용화를 앞둔 HBM4에 1c D램을 채택할 계획으로, 선제적인 생산능력 확보에 열을 올리고 있다. 남은 ph2는 이르면 올 연말이나 내년 초부터 클린룸 구축이 시작될 예정이다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 양산 설비를 도입하기 바로 직전 도입된다. 용도는 아직 확정되지 않았으나, 업계는 ph2 역시 D램 양산라인으로 구축될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4 상용화를 대비해 1c D램의 생산능력 확대에 미리 나서고 있다"며 "낸드나 파운드리의 경우 생산능력을 확장할 만큼 확실한 수요가 없어, 투자 계획에서 밀리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또한 삼성전자는 화성 17라인에도 1c D램에 대한 전환투자를 추진 중이다. 이를 고려한 삼성전자의 올해 1c D램 생산능력은 최대 월 6만장 수준에 도달할 것으로 관측된다. 나아가 내년 상반기에도 1c D램 생산능력은 지속 확대될 전망이다. P4의 마지막 양산라인에 대한 투자가 마무리되는 것은 물론, 기존 평택캠퍼스 내에서 1c D램에 대한 설비투자가 진행될 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자가 내년 P3 등에서 1c D램에 대한 전환투자를 진행하는 방안을 협력사들과 논의 중인 것으로 안다"며 "1c D램 및 HBM4의 수율 및 성능이 빠르게 안정화될수록 관련 설비투자에도 속도가 붙을 것"이라고 설명했다.

2025.09.11 14:18장경윤

"美, 삼성·SK 中 공장 장비 반출 연간 승인 검토"

미국 상무부가 자국 반도체 제조장비의 삼성전자·SK하이닉스 중국 공장 수출에 대해 매년 승인을 내리는 안건을 검토하고 있다고 블룸버그통신이 7일 보도했다. 블룸버그통신은 미 상무부 관계자를 인용해 "이전 한국 반도체 제조업체들이 확보했던 무기한 허가 대신, 연간으로 승인을 받는 방안을 한국 정부에 제시했다"며 "바이든 정부 시절의 면제 조치를 철회한 후 글로벌 전자 산업의 혼란을 막기 위한 타협안"이라고 설명했다. 기존 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에 속해 왔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 그러나 최근 도널드 트럼프 미국 대통령은 삼성과 SK 등 국내 기업들에게 부과된 VEU를 철회하겠다고 밝혔다. VEU 철회 시점은 내년 초부터다. VEU 철회 대신 연간 승인 제도가 도입되는 경우, 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 내 공장 운영에 대한 압박감은 다소 줄어들 전망이다. 그러나 미국 정부의 입장에 따라 사업에 큰 변수가 상존한다는 점에서는 여전히 악재다. 블룸버그는 "트럼프 행정부의 제안은 한국의 두 기업이 1년 치의 장비, 부품, 소재에 대한 정확한 수량으로 승인을 받도록 요구한다"며 "또한 설비의 업그레이드 혹은 생산능력 확장에 사용될 수 있는 장비의 운송은 승인하지 않을 것"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다.

2025.09.08 17:26장경윤

SK하이닉스, 하반기 HBM용 TC본더 추가 발주 '잠잠'...왜?

SK하이닉스의 하반기 HBM 설비투자가 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. 최근까지 핵심 후공정 장비인 TC(열압착) 본더에 대한 발주 논의가 매우 소극적으로 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 60대 이상의 TC 본더를 설치할 것이라는 기대감도 있었으나, 최대 40여대 수준에 그칠 가능성이 높아졌다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM용 TC 본더 투자를 계획 대비 다소 늦출 것으로 전망된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣은 뒤, 열과 압착을 가해 연결하는 방식으로 제조되고 있다. 때문에 TC본더는 HBM 양산에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 SK하이닉스는 주요 협력사인 한미반도체와 더불어 국내 한화세미텍, 싱가포르 ASMPT를 TC 본더 공급망으로 두고 있다. 지난 5월에는 한미반도체와 한화세미텍에 각각 TC 본더를 대량으로 발주한 바 있다. 이를 기반으로 한 SK하이닉스의 올 상반기 HBM용 TC 본더 총 주문량은 30대 이상으로 추산된다. 당초 업계는 SK하이닉스가 올 하반기에도 상당량의 TC 본더 발주를 진행할 것으로 예상해 왔다. SK하이닉스가 엔비디아용 HBM3E 공급을 본격화한 데 이어, 차세대 제품인 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있어서다. 일각에서는 SK하이닉스의 올해 총 TC 본더 주문량이 60대를 넘어설 것이라는 기대감이 나오기도 했다. 다만 SK하이닉스는 올 3분기 말까지 TC 본더 투자 논의에 보수적인 입장을 취하고 있는 것으로 파악됐다. 4분기에 추가 발주가 진행될 수는 있으나, 올해 총 발주량은 40여대에 불과할 것이라는 게 업계 중론이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 작년 하반기에만 50여대의 장비를 발주했었고, 올해도 최소 비슷한 수준의 발주를 예상해 왔다"며 "그러나 현재 추가 발주를 위한 움직임이 전혀 없는 상황으로, 사실상 하반기에 셋업(Set-up)되는 장비가 매우 적을 것으로 보고 있다"고 설명했다. 주요 배경은 투자 효율성에 있다는 분석이 나온다. 현재 SK하이닉스는 기술력 축적을 통한 수율 상승으로 장비 당 생산 가능한 HBM 수량을 증대시키고 있다. 또한 HBM3E에 활용하던 장비를 일부 개조해, HBM4에 대응하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이 경우 추가 설비투자 없이도 첨단 HBM 생산능력을 점진적으로 늘려나가는 것이 가능해진다. 내년 출하량을 확정하지 못한 것도 영향을 미쳤을 것으로 풀이된다. 현재 SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 내년 HBM 연간 공급량에 대한 협의를 꾸준히 진행 중이다. 내년 사업에 대한 불확실성이 남아있는 상황에서 섣불리 투자를 진행하기란 어렵다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 당초 계획 대비 TC 본더 발주 시점을 뒤로 미루고 있는 것으로 안다"며 "본격적인 추가 투자가 빨라야 연말에 구체화될 것이기 때문에, 본격적인 TC 본더 셋업은 내년에 진행될 전망"이라고 설명했다.

2025.09.08 14:36장경윤

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