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'D램'통합검색 결과 입니다. (265건)

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조립 PC 시장, 메모리 가격 폭등에 DDR4로 '역주행'

D램과 SSD 등 주요 부품 가격 상승과 수급난이 국내 조립 PC 시장에서 '역주행' 현상을 일으키고 있다. DDR5만 지원하는 최신 프로세서 대신 DDR4를 사용할 수 있는 이전 세대 프로세서와 메인보드가 다시 주목받고 있다. 제조사들은 구세대 플랫폼을 유지하거나, DDR4와 DDR5를 모두 지원하는 절충형 제품을 검토하는 등 시장 수요에 대응하는 움직임을 보이고 있다. DDR4 메모리, DDR5 대비 30% 저렴 PC용 DDR5 메모리 모듈 가격은 작년 9월을 전후해 급상승했다. 9일 커넥트웨이브 가격비교서비스 다나와에 따르면 DDR5-5600MHz 16GB 모듈 평균가는 30만원 초반으로 작년 8월 7만원대 대비 5배 가까이 올랐다. 반면 DDR4-3200MHz 16GB 모듈 평균가는 20만원 초반으로 DDR5 대비 30% 가량 저렴하다. 8GB 두 개로 16GB 메모리를 구성할 경우 20만원으로 초기 비용 부담을 대폭 줄일 수 있다. 이 때문에 PC 업그레이드나 신규 조립을 원하는 소비자들 사이에서 신제품으로의 자연스러운 전환 대신 구세대 플랫폼 수요가 늘고 있다. DDR5 메모리만 지원하는 인텔 코어 울트라 200S나 AMD 라이젠 9000 시리즈 대신 한 세대 전 제품을 찾는 것이다. 인텔 "14세대 코어 프로세서 지속 공급" 로버트 할록 인텔 클라이언트 AI 및 기술 마케팅 총괄은 지난 6일(현지시간) 영국 IT매체 '클럽386'과 인터뷰에서 "14세대 코어 프로세서는 인텔 전략에서 큰 부분을 차지하고 있다"고 설명했다. 그는 "14세대 코어 프로세서는 여전히 뛰어나며 여러 PC 제조사가 이를 탑재한 제품을 여러 세대에 걸쳐 내놓고 있어 사라지지 않을 것이다. 14세대 코어 프로세서가 시장에 지속적으로 공급될 것이라는 것을 이해해 주기 바란다"고 설명했다. 이는 DDR4 기반 기존 플랫폼 수요가 당분간 유지될 것이라는 시장 판단과 맞물린다. DDR4/5 메모리 모두 지원하는 메인보드도 등장 일부 메인보드 제조사도 DDR4/DDR5 메모리 규격을 모두 지원하는 제품을 투입하기 위해 준비중이다. 대만 애즈락이 3월 공개한 'H610M 콤보Ⅱ'는 12~14세대 코어 프로세서를 지원하는 LGA 1700 소켓 기반 메인보드로 DDR4/DDR5 모듈을 모두 쓸 수 있다. 이는 DDR5 전환 부담을 완화하려는 과도기적 해법으로 풀이된다. DDR4 메모리와 DDR5 메모리를 동시에 쓰는 것은 불가능하며 DDR4 모듈은 하나만 꽂을 수 있다. 게임이나 콘텐츠 제작 등 고성능 대신 비용 절감에 중점을 뒀다. 단 이런 시도가 보편화 될 지는 미지수다. 9일 대만계 메인보드 제조사 국내 법인 관계자는 "근본 원인인 메모리와 SSD 가격이 의미 있는 수준으로 내려가지 않는 한 큰 효과를 얻기 힘들 것"이라고 설명했다. 인텔 "소켓 호환성 장기 과제로 해결" 업계에서는 메모리 가격이 안정되지 않는 한 DDR4 '역주행' 흐름이 올해 내내 지속될 것으로 본다. 이런 흐름이 이어질 경우 인텔 플랫폼에 더 불리하다. AMD는 DDR4 메모리를 쓸 수 있는 소켓 AM4 메인보드의 프로세서 지원 범위를 최대한 넓히면서 기존 사용자 업그레이드 비용을 낮췄다. 반면 인텔은 12~14세대 코어 프로세서용 LGA 1700 메인보드에서만 DDR4 메모리를 쓸 수 있다. 인텔 역시 이런 소비자들의 불만을 알고 있지만 현재 시점에서는 바로 해결이 어렵다는 입장이다. 에린 마이오리노 인텔 CPU 기술 마케팅 디렉터는 최근 지디넷코리아와 인터뷰에서 ""커뮤니티와 소비자들의 불만과 피드백을 진지하게 경청하고 신경쓰고 있다. 여러 세대에 걸쳐 중요한 과제를 해결하기 위해 노력할 것"이라고 밝혔다.

2026.04.09 15:15권봉석 기자

삼성전자 모바일, 2분기가 '진짜 고비'…적자 전환 우려도

삼성전자 모바일경험(MX) 사업부가 지난 1분기 예상을 웃도는 수익성을 거뒀다. 신제품의 가격 인상과 더불어, 기존 보유한 메모리 반도체 재고 활용으로 원가 상승을 최대한 억제한 데 따른 효과로 풀이된다. 그러나 메모리 반도체 가격은 올 2분기에도 큰 폭의 상승세를 이어가고 있어, 스마트폰 업계의 부담을 키우고 있다. 이에 업계에서는 삼성전자 MX사업부가 곧바로 적자전환할 수 있다는 우려도 제기된다. 9일 업계에 따르면 2분기 삼성전자 MX 사업부의 수익성은 전분기 대비 큰 폭의 감소세가 예상된다. 앞서 삼성전자는 지난 7일 발표한 잠정실적을 통해 매출액 133조원, 영업이익 57조2000억원을 거뒀다고 밝힌 바 있다. 이 중 MX사업부의 영업이익은 3~4조원 수준으로 관측된다. 당초 2조원대로 예상되던 업계 전망을 크게 웃도는 수준이다. 이번 호실적은 복합적인 요인이 작용한 결과다. 당초 업계는 MX사업부가 스마트폰에 탑재되는 저전력 D램(LPDDR) 가격의 상승, 전쟁에 따른 IT 시장의 불확실성 확대 등의 영향을 크게 받을 것으로 분석해 왔다. 이에 삼성전자는 올 1분기 출시한 최신형 플래그십 스마트폰 '갤럭시S 26'의 가격 인상을 단행하면서 수익성 방어에 나섰다. 또한 기존 보유한 메모리 재고를 최대한 활용해, 원가 상승을 최대한 억제한 것으로 알려졌다. 다만 2분기에는 메모리 가격 상승 여파를 피하기 힘들다는 의견이 지배적이다. LPDDR 가격이 매 분기마다 큰 폭으로 상승하고 있고, 기존 보유한 재고 활용 전략도 지속하기 어렵기 때문이다. 최악의 경우 MX사업부가 해당 분기 곧바로 적자에 전환할 수 있다는 우려도 제기된다. IT업계 관계자는 "MX사업부의 1분기 수익성이 예상보다 너무 높아, 2분기에는 기저효과가 크게 나타날 것"이라며 "2분기까지 지속되는 D램 가격의 상승세를 반영하면 이번 분기 적자전환의 가능성을 배제할 수 없다"고 설명했다. D램 시장은 전세계 IT 기업들의 공격적인 AI 인프라 투자 확대로 극심한 공급난을 겪어 왔다. 동시에 메모리 공급사들은 마진이 높은 서버용 D램, 고대역폭메모리(HBM) 양산 비중을 높이고 있다. 글로벌 빅테크인 엔비디아 주도로 서버용 LPDDR 수요도 늘어났다. 이로 인해 스마트폰 등 IT 시장용 LPDDR의 수급 불균형은 심화되는 추세다. 일례로 주요 스마트폰 제조사인 애플은 1분기 삼성전자, SK하이닉스로부터 공급받는 LPDDR 가격을 전분기 대비 2배 가량 인상한 바 있다. 올 2분기에도 최소 전분기 대비 50% 상승의 추가적인 가격 인상이 논의된 것으로 파악된다. 삼성전자 MX사업부도 이와 유사한 수준의 메모리 가격 인상을 받아들여야 하는 상황이다. 디바이스솔루션(DS)사업부를 통해 D램을 내부 수급할 수 있는 유리한 구조를 갖추고 있으나, 시황을 크게 벗어나기는 어렵다는 평가다. DS사업부가 MX사업부에 D램을 지나치게 저렴하게 주는 경우 특혜 논란이 있을 수 있어서다.

2026.04.09 13:56장경윤 기자

삼성전자, 1분기 메모리 매출 74.5조원 '역대 최대'

삼성전자가 올해 1분기 D램, 낸드플래시 등 메모리 반도체에서 역대 최대 매출을 기록했다. 8일 카운터포인트리서치 메모리 트래커에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 메모리 매출 504억 달러(약 74조5819억원)를 기록하며 1위를 기록했다. 세부적으로 D램이 370억달러, 낸드플래시가 134억달러를 각각 기록했다. 두 분야 모두 사상 최고 매출이다. 이전 사이클과 비교하면 고점이었던 2018년 3분기 189억달러 대비 167% 상승했다. 카운터포인트는 삼성전자의 실적이 2분기에 더 높아질 것이라고 예상했다. 공급대비 메모리 수요가 높아 2분기 모바일은 80%이상, PC는 50% 이상의 가격 상승이 예상되기 때문이다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 “삼성의 호조는 당분간 이어질 예정이다. 전방위로 메모리 수요가 거세어 범용 D램에서 높은 가격으로 이익을 창출하고 있고, 이는 공급물량의 확대가 가시화되는 2027년까지 이어질 예정"이라며 "HBM4에서는 1c 나노 공정 기반 코어 다이와 4나노 파운드리 기반 베이스 다이를 채택하여 리더십을 공고히 했고, 다가올 HBM4e 에서도 경쟁사들보다 유리한 위치에 있다고 할 수 있다”고 말했다. 그러면서도 “메모리 산업의 패러다임이 범용 제품의 대량 양산에서 고객 밀착형 비즈니스 모델로 바뀌고 있다. 차세대 HBM부터는 맞춤형 HBM이 대세가 될 것이며, 범용D램 역시 주요 고객은 장기 공급 계약(LTA)을 통해 최적화된 물량을 안정적으로 확보하려는 경향이 강해질 것"이라며 "삼성은 현재의 실적 호조에 안주하지 않고, 초격차 유지를 위한 핵심 인재 이탈 방지와 차세대 기술 투자에 전력을 다해야 한다. 삼성은 이제 다시 한단계 도약을 할 시점”이라고 덧붙였다.

2026.04.08 10:39전화평 기자

메모리 가격, 2분기도 상승세…삼성전자 '최대 실적' 이어진다

삼성전자가 올 1분기 사상 최대 매출과 영업이익을 거뒀다. 인공지능(AI) 산업 주도로 메모리 수요가 급증하면서, D램·낸드 가격이 전 분기 대비 80~90% 수준까지 상승한 것으로 관측된다. 2분기 전망 역시 밝다. 1분기 메모리 가격 상승폭이 예상을 웃돌았지만, 2분기에도 견조한 추가 상승세가 이어질 가능성이 크기 때문이다. 삼성전자는 경쟁사 대비 가장 많은 생산능력을 보유하고 있어, 메모리 가격 상승에 따른 수익성 증대 효과를 가장 크게 볼 수 있다. 7일 삼성전자는 2026년 1분기 잠정실적 발표에서 연결기준 매출 133조원, 영업이익 57조2000억원을 기록했다고 밝혔다. 분기 기준 사상 최대 실적이다. 매출은 전년 동기 대비 68.06%, 전 분기 대비 41.73% 증가했다. 영업이익은 전년 동기 대비 755.01%, 전 분기 대비 185% 증가했다. 증권가 컨센서스(매출 118조3000억원, 영업이익 38조4977억원)도 크게 상회하며 어닝 서프라이즈를 기록했다. 이번 호실적은 전례 없는 메모리 슈퍼사이클 효과로 풀이된다. 현재 전세계 주요 IT 기업들이 AI 인프라 구축을 위해 공격적으로 투자하면서, 서버용 고부가 D램·낸드 수요가 크게 증가했다. 반면 공급업체들의 생산량 증가는 제한돼, 평균판매가격(ASP) 상승을 부추겼다. 범용 D램·낸드도 덩달아 공급난이 심화됐다. 이에 따라 1분기 D램의 ASP는 전 분기 대비 90%가량 상승한 것으로 추산된다. 낸드 역시 비슷한 수준의 가격 상승세가 실현됐을 가능성이 크다. 김선우 메리츠증권 연구원은 "삼성전자의 D램과 낸드 공히 90% 이상 판가 상승율을 기록했을 것으로 추정한다"며 "선두업체로서 경험에 기반한 적극적이고 과감한 가격 정책과 유리한 가격구조 설정이 전략적으로 작동했을 것"이라고 설명했다. 향후 전망도 밝다. 1분기 D램·낸드 ASP가 예상보다 크게 증가하기는 했으나, 2분기에도 가격 상승세가 견조할 것이라는 시각이 우세하기 때문이다. 삼성전자는 주요 메모리 기업 중 가장 많은 D램·낸드 생산능력을 보유하고 있다. 덕분에 범용 메모리 가격 상승에 따른 수혜를 가장 크게 입을 수 있다. 업계에선 삼성전자가 2분기에도 D램과 낸드 모두 전 분기 대비 최소 30% 수준의 ASP 상승률을 기록할 것이란 전망이 나온다. 반도체 업계 관계자는 "범용 메모리 생산능력이 가장 큰 삼성전자가 메모리 슈퍼사이클의 최대 수혜자가 될 것"이라며 "글로벌 빅테크들과 장기공급계약(LTA)도 활발히 진행되고 있어, 메모리 수요가 지속될 것이라는 전망에 힘을 보탠다"고 말했다.

2026.04.07 12:19장경윤 기자

역대 최대 실적 경신한 삼성전자, 메모리 영업익만 50조원 돌파

삼성전자가 올 1분기 매출과 영업이익 모두 사상 최대 실적을 경신했다. AI 산업 주도로 D램·낸드 가격이 크게 상승하고, 새로 출시한 '갤럭시S26' 시리즈가 흥행에 성공한 덕분으로 풀이된다. 환율 역시 긍정적인 영향을 미쳤다. 7일 삼성전자는 2026년 1분기 잠정 실적 발표를 통해 연결기준 매출 133조원, 영업이익 57조2000억원을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 68.06%, 전분기 대비 41.73% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 755.01%, 전분기 대비 185% 증가했다. 또한 증권가 컨센서스(매출 118조원, 영업이익 38조4977억원)을 크게 상회하면서, 어닝 서프라이즈를 기록했다. 이번 역대급 실적의 핵심 배경은 메모리 슈퍼사이클에 있다는 평가다. 전세계 주요 IT 기업들이 공격적인 AI 인프라 투자 확대에 나서면서, 서버용 고부가 D램·낸드의 수요가 크게 증가했다. 반면 공급업체들의 생산량 증가는 제한돼, 평균판매가격(ASP)의 상승을 부추겼다. 범용 D램·낸드도 덩달아 공급난이 심화됐다. 특히 D램의 가격 상승세가 강했다. 현재 업계가 추산하는 D램의 전분기 대비 ASP 증가율은 90%에 달한다. 낸드 역시 D램에 준하는 수준의 가격 상승세를 기록한 것으로 알려졌다. 이에 따라 삼성전자의 D램·낸드를 합산한 삼성전자의 메모리 분야 영업이익은 53조~54조원에 달할 전망이다. 제품별로는 D램이 40조원대, 낸드가 10조원대의 영업이익을 기록했을 것으로 관측된다. 디바이스솔루션(DS) 전체 영업이익은 비메모리(파운드리, 시스템LSI)의 적자 영향으로 이보다는 소폭 낮은 52조~53조원으로 추산된다. 모바일경험(MX) 사업부도 이번 분기 업계 예상을 뛰어넘는 수익성을 거뒀을 가능성이 유력하다. 올 1분기 출시한 최신형 플래그십 스마트폰 갤럭시S26 시리즈가 높은 판매량을 기록하면서, 해당 기간 4조원에 육박하는 영업이익을 기록한 것으로 관측된다.

2026.04.07 08:58장경윤 기자

프라임마스, 삼성전자·ETRI와 CXL 공동 개발 착수

국내 팹리스(반도체 설계전문) 프라임마스가 삼성전자, 한국전자통신연구원(ETRI)과 함께 AI 시대의 데이터 처리 한계를 극복하는 초거대용량 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 메모리 솔루션 공동 개발에 본격 착수했다고 6일 밝혔다. 이번 협력은 CXL 기반의 메모리 중심 컴퓨팅 아키텍처를 실제 시스템으로 구현하는 전략적 파트너십이다. 프라임마스는 삼성전자와 지난 2024년 8월 어드밴스드 CXL 솔루션의 공동 연구개발을 위한 MOU를 체결하고, CXL 메모리 생태계의 확장을 위한 협력을 지속해왔다. 이번 협력에는 ETRI가 새롭게 합류하면서 업계에서 차세대 CXL 트렌드로 부상 중인 초거대용량 메모리 솔루션을 공동 개발하는 단계로 확장된 것이다. 이를 통해 메모리 용량의 확장을 넘어 메모리 중심의 컴퓨팅을 실제 시스템 솔루션으로 구체화한다. 이번 협력에서 삼성전자는 글로벌 OCP 행사에서 선보인 CXL 기반 데이터센터 메모리 패브릭 관리 기술을 토대로, 최신 DDR DIMM 및 대용량 D램 기술과 메모리 오케스트레이션 소프트웨어 역량을 제공한다. 프라임마스는 세계 최초 CXL 3.0 실리콘 확보 경험에 기반해 칩렛 기반 CXL 컨트롤러 SoC '팔콘(Falcon)'을 활용한 AIC(Add-in Card) 타입 대용량 메모리 확장 솔루션을 담당한다. ETRI는 양사의 기술을 집약해 초거대용량 메모리 샤시 형태의 완성형 시스템으로 구현함으로써, 개별 기술을 통합한 시스템 수준의 혁신을 이끈다. 구본태 ETRI 지능형반도체연구본부 본부장은 “초거대용량 메모리 기반 아키텍처는 향후 AI 및 데이터센터 인프라 혁신의 핵심이 될 기술이다. 이번 협력을 통해 국내 CXL 메모리 기술 경쟁력을 한 단계 끌어올리고, 메모리 강국으로서 한국이 글로벌 시장에서 의미 있는 생태계를 구축하는 계기가 되기를 기대한다”고 밝혔다. 프라임마스 관계자는 “이번 협력으로 칩렛 기반 CXL 컨트롤러 기술을 보유한 프라임마스, 글로벌 D램 기술을 선도하는 삼성전자, 시스템 통합 역량을 갖춘 ETRI가 각자의 핵심 강점을 결합했다”며, “초거대용량 CXL 메모리 시장의 방향성을 국내에서 선도적으로 구현하고, 메모리 중심 컴퓨팅 구조를 통해 차세대 데이터센터 전환을 가속화하겠다”고 말했다. 한편 이들은 이번 협업을 통해 △대규모 메모리 풀링 기술 실증 △메모리 오케스트레이션 및 관리 기술 고도화, △AI 워크로드 대응을 위한 메모리 중심 아키텍처 구현을 공동으로 추진한다. 이를 통해 국내 CXL 생태계의 기술 자립도를 높이고, 글로벌 메모리 반도체 시장에서 한국의 기술 주도권 확보에 기여할 예정이다.

2026.04.06 15:38전화평 기자

삼성전자, P4 최종 라인까지 설비 발주…HBM 양산 속도 '고삐'

삼성전자 제4 평택캠퍼스(P4)향 설비투자가 마무리 단계에 접어들었다. 총 4개 구역(페이즈·ph) 중 아직 투자가 집행되지 않았던 2개 구역에 대해 지난달 제조설비를 발주한 것으로 파악됐다. 해당 라인은 삼성전자의 최첨단 D램 공정인 1c(6세대 10나노급) D램 양산을 전담한다. 1c D램은 삼성전자 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 코어 다이로서, 엔비디아 등 글로벌 빅테크향 사업의 핵심 요소로 주목받고 있다. 6일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 최근 P4 내 ph2·ph4 2개 동에 대한 전공정 설비를 일괄 발주했다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹이다. 당초 D램과 낸드, 파운드리를 모두 양산하는 종합 팹으로 설계됐으나, 시황 등의 이유로 대부분의 생산능력이 D램에 할당됐다. 그 중에서도 가장 최첨단 공정 기반의 1c(6세대 10나노급) D램을 양산한다. P4는 총 4개의 ph로 나뉜다. 구축 순서는 1-3-4-2다. 가장 먼저 구축된 ph1은 이미 모든 투자가 완료됐다. ph3도 지난해 하반기부터 투자가 진행돼, 현재 대부분의 설비 셋업이 마무리된 상황이다. 올해에는 남은 ph4·ph2에 전공정(반도체 웨이퍼에 회로를 새기기 위한 공정) 설비투자가 활발히 진행될 예정이다. 복수의 장비업계 관계자에 따르면, 삼성전자는 지난달 말 ph4·ph2용 전공정 설비에 대한 구매주문(PO)서를 발행했다. 이에 따라 ph4에는 오는 5~6월부터 전공정 설비가 도입될 계획이다. ph2에는 11월께 설비 도입이 예정돼 있다. ph2에 설비 도입을 위한 클린룸 구축 작업도 올 1분기 이미 시작됐다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 오염도 등 제반 요소를 제어하는 인프라 시설이다. 전공정 설비를 투입하기 전에 필수적으로 설치해야 한다. 이번 PO 발주로 삼성전자 P4의 구축 일정이 명확해졌다. 삼성전자는 전세계 AI 인프라 투자로 촉발된 반도체 슈퍼사이클에 적기 대응하기 위해, 최근 신규 및 전환 설비투자에 속도를 내고 있다. 실제로 P4 ph2용 전공정 설비는 당초 연말 발주, 실제 도입은 내년에 이뤄질 것으로 관측돼 왔다. 이를 고려하면 실제 도입 일정이 2개월 가량 빨라진 셈이다. 특히 1c D램은 회사의 고부가 메모리 사업의 핵심 축을 맡고 있다. 삼성전자는 올해 양산을 본격화한 HBM4에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 채택했다. 덕분에 삼성전자는 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM4에서 가장 높은 성능을 달성했다는 평가를 받고 있다. 올해 삼성전자 1c D램의 생산능력은 P4 ph3 구축분까지 반영될 전망이다. 수치로는 월 13만~14만장 수준이다. ph2에 전공정 설비 셋업이 완료되는 시점은 내년 1분기께다. 내년 진행될 P3와 화성 17라인 내 1c D램 전환 투자까지 합산하면, 생산능력은 지속적으로 늘어날 것으로 전망된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 최근 협력사에 ph2용까지 설비를 미리 발주할 만큼 설비투자에 적극적인 의지를 보이고 있다"며 "고부가 D램이 AI 산업에서 각광받고 있고, 최근 발생한 전쟁에 따른 불확실성을 피하기 위해 미리 투자를 준비하는 분위기"라고 설명했다.

2026.04.06 11:21장경윤 기자

삼성·SK 반도체 슈퍼사이클인데…소재·부품 업계 '시름', 왜?

글로벌 반도체 빅2인 삼성전자, SK하이닉스가 전례 없는 메모리 슈퍼사이클 효과로 올해 역대 최대 수익성을 거둘 것으로 전망되고 있지만 이들과 협력 관계인 국내 소재·부품 협력사들의 시름은 오히려 깊어지고 있어 주목된다. 삼성전자와 SK하이닉스가 연말연초 성과급 잔치를 벌였지만 이들 기업이 반도체 호황에도 웃지 못하는 가장 큰 원인은 최근 진행된 공급 협상에서 지난해에 이어 올해에도 단가가 인하됐기 때문이다. 동시에 중동 전쟁 등 거시경제 불확실성이 높아지고 환율이 상승하는 등 제조 비용에 대한 부담도 커지고 있다. 소재·부품 업계는 국내 반도체 공급망의 '뿌리' 역할을 담당한다. 단기적으로는 개별 기업들의 실적 악화에 그치겠으나, 중장기적으로 국내 소재·부품 업계의 경쟁력 약화로까지 이어질 수 있다는 우려의 목소리가 나온다. 1일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 1분기까지 주요 반도체 소재·부품 기업과의 단가 협상을 완료했다. 통상 삼성전자, SK하이닉스는 연말연시께 소재·부품 기업들과 당해년도 제품 공급에 대한 단가 협상을 진행한다. 각 기업별로 차이는 있지만, 삼성전자·SK하이닉스가 주력으로 양산하는 메모리반도체용 소재·부품은 올해 전반적으로 단가가 인하됐다. 복수의 업계 관계자에 따르면 하락폭은 한 자릿수 수준이다. 지디넷코리아 취재에 따르면 전공정과 후공정 분야 모두 단가 인하가 결정된 기업이 있는 것으로 파악된다. 앞서 삼성전자, SK하이닉스는 지난해 초에도 복수의 협력사와 소재·부품 단가를 10% 이상 인하하기로 한 바 있다. 이를 고려하면 소재·부품 단가 인하폭은 다소 축소됐다는 평가다. 그러나 지난해와 올해 국내 반도체 업계의 환경은 크게 변화했다. 전세계 IT 기업들이 공격적인 AI 인프라 투자를 진행하면서, 메모리반도체 가격은 지난해 상반기부터 고부가 및 범용 제품을 가리지 않고 크게 상승했다. 이에 삼성전자(43조6000억원), SK하이닉스(47조2063억원)는 나란히 지난해 역대 최대 실적을 기록했다. 올해 역시 양사 영업이익이 도합 400조원에 달할 수 있다는 전망이 제기될 정도로 업황이 초호황이다. 반면 소재·부품 단가는 오히려 인하되면서, 국내 기업들은 반도체 슈퍼사이클 속에서도 낙수 효과를 제대로 누리기 힘들어졌다. 설상가상으로 대외적 불확실성은 높아졌다. 지속적인 환율 상승과 더불어, 최근 불거진 이란 전쟁의 여파로 금·은·구리·알루미늄·쿼츠 등 핵심 원자재 가격이 전반적으로 급등했기 때문이다. 물류비 역시 크게 오르고 있다. 익명을 요청한 국내 한 반도체 소재·부품 업계 임원은 "올해 단가 인하율이 전년 대비 줄어들기는 했으나, 최근 물가 및 원자재 비용의 상승 현상을 반영하면 국내 소재·부품의 실질적인 이익은 감소하는 것과 다름없다"며 "제도적으로 완충 장치가 필요한 상황"이라고 어려움을 토로했다. 매년 비용 효율화를 실현해야 하는 삼성전자, SK하이닉스 구매 부서 입장에서는 단가 인하가 핵심 과업에 속한다. 그러나 소재·부품의 수익성 하락 압박이 커질 경우, 중견 협력사들의 연구개발(R&D)에 투입되는 비용이 줄어드는 등 중장기적으로 국내 반도체 생태계가 약화될 가능성도 거론된다. 또 다른 업계 임원은 "원가 압박을 탈피하기 위해서는 결국 제품 개발이나 설비 투자에 필요한 재원을 줄이는 방향으로 나아가게 될 것"이라며 "중국 기업들의 추격이 거센 가운데, 국내 소재·부품 기업들이 경쟁력을 유지하기 위해서는 수요기업과 공급기업 간 균형 잡인 이익 분배가 실현돼야 한다"고 강조했다.

2026.04.01 14:46장경윤 기자

삼성·SK HBM, 올해도 잘 팔린다...양사 도합 300억Gb 달할 듯

삼성전자, SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 출하량이 올해에도 큰 폭의 성장을 이어갈 전망이다. 삼성전자의 경우 엔비디아와 브로드컴, AMD 등 고객사 수요로 출하량이 100억Gb(기가비트)를 넘길 것으로 관측된다. SK하이닉스는 최근 엔비디아향 HBM4에서 성능 논란을 겪었지만, 적정한 성능 선에서 제품을 공급하는 데 무리가 없을 것이라는 평가가 중론이다. 결과적으로 양사 모두 연초 설정했던 HBM 출하량 계획에서 큰 변동은 없을 것으로 보인다. 27일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스의 올해 HBM 출하량은 용량 기준 도합 300억Gb에 달할 전망이다. 삼성전자, HBM 출하량 100Gb 돌파 전망…HBM4 성과 두각 삼성전자는 올해 HBM 생산량을 지난해 대비 3배 이상 확대하겠다는 목표를 세우고 있다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 지난 16일(현지시간) 미국에서 열린 'GTC 2026'에서 "HBM 생산을 빠르게 확대하고 있다. 올해는 지난해 대비 3배 이상 수준으로 늘릴 계획"이라고 밝힌 바 있다. 삼성전자의 지난해 총 HBM 출하량은 40억Gb 내외로 추산된다. 이를 고려하면 올해 출하량 목표치는 110억Gb 내외에 달할 전망이다. 실제로 삼성전자는 지난해 말께 올해 HBM 사업 전략을 구상하는 단계에서 이 같은 성장세를 자신한 것으로 전해진다. 당시 차세대 제품인 HBM4가 엔비디아로부터 긍정적인 피드백을 받았고, AMD와 브로드컴 등 타 고객사와의 공급 협의도 사실상 마무리 단계에 접어들어서다. 브로드컴은 구글, 오픈AI 등 빅테크의 AI 반도체를 위탁 생산하고 있다. 특히 엔비디아는 삼성전자 HBM4의 가장 큰 고객사가 될 전망이다. 삼성전자는 HBM의 코어 다이로 1c(6세대 10나노급) D램을, 컨트롤러 역할의 베이스 다이는 자사 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 채택했다. 두 다이 모두 경쟁사 대비 공정이 고도화됐다. 이를 토대로 삼성전자는 엔비디아가 높인 HBM4 성능 기준을 가장 먼저 충족했다는 평가를 받았다. 당초 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 HBM4의 성능은 8Gbps급이었으나, 엔비디아는 이를 11.7Gbps 수준까지 요구했다. HBM3E 제품에서는 브로드컴이 가장 큰 고객사로 꼽힌다. 구글은 자체 제작한 AI 반도체 TPU(텐서처리장치)에 HBM을 탑재하고 있으며, 올해는 HBM3E 기반의 v7p 버전의 물량을 크게 확대할 것으로 알려졌다. 반대로 삼성전자의 HBM 출하량이 더 늘어날 가능성은 높지 않다는 평가다. 올해 말까지 삼성전자가 확보 가능한 1c D램의 생산능력은 월 13만장 수준이다. 이 중 대부분이 HBM에 할당된 상태로, 추가적인 생산능력 확보가 어려운 상황인 것으로 관측된다. SK하이닉스, 성능 논란 속에서도 당초 출하량 계획 변동 無 SK하이닉스의 올해 HBM 출하량은 전년(120억Gb 수준) 대비 60%가량 증가한 200억Gb 내외에 달할 전망이다. 이 중 3분의 2가량이 엔비디아에 할당된 것으로 파악된다. 상반기에는 HBM3E를 주력으로 공급하고, 하반기부터 HBM4 공급량이 확대될 예정이다. 최근 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4 공급에 차질이 생길 수 있다는 우려에 휩싸인 바 있다. 엔비디아가 상향 조정한 HBM4 성능을 만족시키기 어렵다는 이유에서다. SK하이닉스의 HBM4는 코어다이로 1b(5세대 10나노급) D램을, 베이스다이로 TSMC의 12나노 공정을 채택했다. 삼성전자 대비 레거시(성숙) 공정에 해당한다. 실제로 SK하이닉스의 HBM4는 AI 가속기를 결합하는 2.5D 패키징 테스트 과정에서 최고 성능 도달에 난항을 겪었다. 코어 다이 최상부층까지 전력이 제대로 도달되지 않는 문제가 가장 큰 요인으로 지목된다. 이에 SK하이닉스는 일부 회로를 수정하는 방안으로 개선 작업을 진행해 왔다. 다만 SK하이닉스가 당초 계획한 엔비디아향 HBM 공급량에 변동이 생길 가능성은 극히 적은 것으로 관측된다. 엔비디아가 HBM4의 성능을 최대 11.7Gbps까지 요구하기는 했으나, 10Gbps 등 하위 성능의 제품도 동시에 수급하기 때문이다. 최상위 제품만 도입하는 경우 최첨단 최신 AI 칩인 '베라 루빈'을 충분히 양산하지 못할 수 있어, 이 같은 전략을 짠 것으로 풀이된다. 곽노정 SK하이닉스 사장도 최근 열린 SK하이닉스 정기 주주총회 현장에서 "고객사와의 협의로 약간의 믹스 조정은 하고 있으나, 당초 계획했던 전체 HBM 출하량에서 큰 변화는 없다"고 밝힌 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "HBM4가 상용화 시점에 접어들면서 다양한 성능, 고객사 관련 이슈들이 떠오르고 있으나, 삼성전자와 SK하이닉스 모두 당초 계획했던 HBM 출하량 변동에서 큰 조정은 없는 상황"이라며 "HBM 총 공급능력이 수요를 크게 밑도는 수준이라, 결국 양사 제품이 무난하게 잘 팔릴 것이라는 게 중론"이라고 설명했다.

2026.03.27 11:07장경윤 기자

SK하이닉스 "올해도 HBM 출하량 견조…HBM4E 샘플 연내 개발"

SK하이닉스가 올해 고대역폭메모리(HBM) 사업의 견조한 성장세를 자신했다. 올해 HBM 출하량은 당초 계획에서 변동이 없을 예정이며, 차세대 제품인 HBM4E(7세대 HBM) 샘플도 연내 개발이 완료될 전망이다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 25일 이천 본사에서 열린 제 78기 정기주주총회에서 이같이 밝혔다. 이날 곽 사장은 "SK하이닉스의 2025년도 HBM 매출은 전년 대비 2배 이상 확대됐다"며 "동시에 HBM4 기술 개발에 성공하고 선제적인 양산 기반을 확립하는 등 차세대 HBM에서도 업계 기술 리더십을 이어가고 있다"고 강조했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결해 데이터 처리 성능을 끌어올린 차세대 메모리다. 현재 6세대 제품인 HBM4까지 상용화에 이르렀다. 특히 SK하이닉스는 핵심 고객사인 엔비디아향으로 HBM4를 양산하고 있다. 올해 HBM 사업에 대해서도 견조한 성장세를 전망했다. 곽 사장은 "약간의 믹스 조정은 하고 있으나, 당초 계획했던 전체 HBM 출하량에서 큰 변화는 없다. 하반기부터 HBM4 점유율이 많이 올라올 것"이라며 "현재 고객들과 논의해 HBM을 비롯한 메모리반도체의 최적의 공급 비율을 맞추고 있다"고 설명했다. 차세대 제품인 HBM4E도 연구개발을 진행 중이다. HBM4E는 내년 양산이 본격화될 것으로 예상되는 HBM으로, 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '베라 루빈 울트라'에 탑재된다. 곽 사장은 "HBM4E는 정확한 시점을 말씀드릴 수 없으나 원래 계획하고 있던 대로 올해 안에 샘플을 만들어내기 위해 준비 중"이라고 말했다.

2026.03.25 13:57장경윤 기자

곽노정 SK하이닉스 "순현금 100조 확보해 장기적 전략 투자 집행"

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 수요에 적기 대응하기 위한 준비에 나선다. 중장기적으로 안정적인 투자를 집행하기 위해 순현금 100조원 이상을 확보하는 것이 목표다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 25일 이천 본사에서 열린 제 78기 정기주주총회에서 이같이 밝혔다. 기존 메모리 수요는 IT 업황에 따라 하락과 상승을 반복하는 '사이클' 현상을 반복해왔다. 그러나 전세계 AI 기업들의 공격적인 인프라 투자에 따라, 고성능 AI 메모리 수요가 구조적인 공급 부족 현상에 직면할 수 있다는 시각이 제기되고 있다. 이에 SK하이닉스도 업황에 따라 설비투자 규모를 축소 및 확대하는 것이 아닌, 중장기적으로 안정적인 투자를 집행할 수 있는 재무건전성 확보에 나선다. 곽 사장은 "고객사 수요에 맞춰 안정적으로 투자를 집행할 수 있는 재무 건전성을 확보하는 것이 반드시 필요하다"며 "이에 회사는 순현금 100조원 이상을 확보하고자 한다. 이를 통해 어떠한 환경에서도 장기적이고 전략적으로 필요한 투자를 집행할 것"고 밝혔다. 이와 관련, SK하이닉스는 최첨단 메모리 생산능력 확대를 위한 투자를 적극 진행하고 있다. 올해 청주 M15X 팹 구축을 완료해 설비를 도입할 계획이며, 용인 대규모 반도체 클러스터 구축도 적극 추진 중이다.

2026.03.25 11:24장경윤 기자

SK하이닉스, 美 ADR 상장 추진…"연내 완료 목표"

SK하이닉스가 올해 미국 증시 상장을 위한 본격적인 준비에 돌입했다. SK하이닉스는 25일 공시에서 미국 증권거래소위원회(SEC)에 미국 주식예탁증서에 관한 상장 공모 관련 등록신청서를 비공개로 제출했다고 밝혔다. SK하이닉스는 "2026년 연내 상장을 목표로 추진하고 있으나, 현재 상장 공모의 규모, 방식, 일정 등 세부사항은 확정되지 않았다"고 밝혔다. 또 "최종 상장 여부는 SEC의 등록신청서 검토, 시장 상황, 수요예측 및 기타 제반 여건 등을 종합 고려하여 결정될 예정"이라며 "향후 구체적인 사항이 확정되는 시점 또는 6개월 이내에 재공시하겠다"고 밝혔다. ADR은 외국 기업이 미국 증시에서 자사 주식을 거래할 수 있도록 발행하는 증권이다. 글로벌 투자자 접근성을 확대하는 수단으로 활용되며, 국내 기업들의 기업가치 제고에도 유리하다는 평가를 받는다.

2026.03.25 08:26장경윤 기자

삼성전자 노사 교섭 재개…총파업 위기 해결 실마리 찾나

최근 깊어진 삼성전자 노사갈등이 잠시 소강 상태에 접어들 전망이다. 삼성전자노동조합 공동투쟁본부(이하 노조)는 사측과 교섭을 재개하기로 결정했다고 24일 밝혔다. 노사는 25일 실무교섭, 26~27일 집중교섭을 진행할 예정이다. 노조는 "오늘(24일) 오후 2시 노사 미팅을 했고, 사측은 OPI 제도 성과급 투명화 및 상한 폐지를 포함해 논의하자는 입장을 밝혔다"며 "교섭은 교섭대로, 투쟁은 투쟁대로 공동투쟁본부는 두 방향 모두 최선을 다하겠다"고 설명했다. OPI는 삼성전자의 대표적 성과급 제도다. 회사 실적이 목표를 초과할 경우 초과 이익의 20% 범위에서 연봉의 최대 50%까지 지급한다. 그간 노조는 OPI 폐지를 주요 요구사항으로 제시해왔으나, 사측은 이를 받아들이지 않았다. 이에 노조는 임금교섭 쟁의행위 찬반투표로 쟁의권을 확보했다. 다음달 23일 집회를 거쳐 5월 총파업에 돌입할 계획이다. 업계는 노조 파업이 현실화하면 삼성전자의 메모리 사업에 차질이 생길 것으로 우려해 왔다. 24시간 설비 가동과 유지보수가 필요한 메모리 산업 특성 상, 엔지니어가 장기간 부재할 경우 가동이 중단되는 사태가 발생할 수 있다.

2026.03.24 17:01장경윤 기자

SK하이닉스, EUV 장비에 12조원 투자…차세대 D램·HBM 양산 준비

SK하이닉스가 최첨단 반도체 제조를 위한 극자외선(EUV) 설비에 대규모로 투자한다. 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 양산을 위한 움직임으로, 현재 구축 중인 신규 팹에 장비가 순차 도입될 전망이다. SK하이닉스는 24일 유형자산취득결정 공시에서 11조 9496억원 규모 극자외선(EUV) 장비를 도입한다고 밝혔다. 투자 규모는 SK하이닉스 자산총액의 9.97%에 해당한다. 취득예정일자는 이달부터 내년 12월 31일까지다. SK하이닉스는 "취득가액은 EUV 스캐너 도입과 운영을 위한 신규 기계장치, 설치, 재고에 소요되는 총 예상금액"이라며 "취득물건은 총 2년에 걸쳐 취득할 예정으로, 개별 장비 취득 시마다 분할해 대금을 집행할 예정"이라고 밝혔다. EUV는 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이하다. 현재 EUV 장비는 네덜란드 반도체 장비기업 ASML이 독점 생산하고 있다. 기술 난도가 매우 높아 장비도 비싸다. 최신 설비 가격은 3000억원 수준인 것으로 알려졌다. 이를 고려하면 SK하이닉스는 내년까지 EUV 설비를 최소 30대 이상 도입할 것으로 예상된다. 현재 SK하이닉스는 청주 M15X 팹을 건설하고, 올해부터 설비를 본격 도입하고 있다. 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹은 내년 2월 클린룸 오픈 후 설비 반입이 목표다. EUV 공정의 핵심 적용처는 1c(6세대 10나노급) D램이다. 앞서 SK하이닉스는 1a(4세대 10나노급) D램의 1개 레이어에 EUV를 처음 적용한 바 있다. 이후 1b D램에서는 이를 4개까지 확대했으며, 1c D램에는 더 많은 EUV 레이어를 적용한다. 1c D램은 SK하이닉스의 차세대 모바일·서버용 D램은 물론, 인공지능(AI) 데이터센터의 핵심 요소인 고대역폭메모리(HBM)에도 적용된다. 내년 양산이 본격화될 HBM4E(7세대 HBM)부터 1c D램을 첫 채택할 계획이다.

2026.03.24 15:09장경윤 기자

美 마이크론, 첫 5년 공급계약 따냈다…삼성·SK도 계약 준비

세계 3위 메모리 반도체 기업인 미국 마이크론이 창사 이후 처음으로 주요 고객사와 5년에 달하는 장기 공급 계약을 체결한 것으로 나타났다. 그간 메모리 산업은 분기, 혹은 최대 1년 수준의 공급계약 체결이 일반적이다. 그러나 전세계 AI 인프라 투자로 메모리 공급난이 극심해지면서, 수년 간의 물량 및 가격을 보장받으려는 고객사 수요가 늘어나고 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계도 글로벌 빅테크 기업들과 이미 3~5년 간의 장기 공급 계약을 추진 중인 것으로 파악된다. 마이크론, AI 수요로 D램·낸드 모두 '어닝 서프라이즈' 마이크론은 18일(현지시간) 회계연도 2026년 2분기(2월 종료) 매출액 238억6000만 달러, 영업이익 164억4000만 달러를 기록했다고 밝혔다. 이는 사상 최대 분기 매출이며 전년동기 대비 196.3%, 전분기 대비 74.9% 증가한 수치이다. 영업이익은 각각 719.9%, 156.3% 급증했다. 증권가 컨센서스(매출 197억 달러, 영업이익 121억 달러) 또한 크게 상회했다. 마이크론은 주요 사업군인 D램과 낸드에서 모두 견조한 성장을 거뒀다. 해당 기간 D램과 낸드의 평균판매가격(ASP)은 전분기 대비 각각 60% 중반, 70% 후반대로 증가했다. 다음 분기 전망치도 긍정적이다. 회사가 제시한 매출 가이던스는 중간값 기준 335억 달러로, 컨센서스인 236억6000만 달러를 앞섰다. 이번 호실적은 AI 인프라 투자 확장으로 서버용 D램, eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 수요가 폭증한 데 따른 효과로 풀이된다. 반면 메모리 제조업체의 생산능력 확대는 제한적인 상황으로, 극심한 공급난을 부추기고 있다. 메모리 산업지형 변화…삼성·SK도 3~5년간 장기공급 계약 추진 이에 마이크론은 메모리 사업에서 중요한 변곡점을 맞았다. 단기적인 수요·공급 구조에서 벗어나, 고객사와의 연간 단위의 장기 계약에 따른 주문 생산 방식으로 나아가고 있다. 마이크론은 "당사는 처음으로 5년짜리 전략적 고객 계약(SCA) 체결을 완료했다"며 "이는 기존 장기계약과 달리 수년간의 구체적인 약정을 포함해 사업 가시성과 안정성을 높이는 구조"라고 강조했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 업계도 이미 비슷한 동향을 보이고 있다. 전영현 삼성전자 부회장은 18일 정기 주주총회 현장에서 "고객사들과의 공급 계약을 분기, 연 단위가 아닌 3~5년간의 다년 공급 계약으로 전환하는 것을 추진하고 있다"고 밝힌 바 있다. SK하이닉스 역시 수년 간의 장기 공급을 논의 중인 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스가 글로벌 빅테크 기업들과 최소 3년 단위의 D램 공급 계약을 논의하고 있는 것으로 안다"며 "체결 시 공급 규모나 구체적인 계약 조건 등이 나오게 될 것"이라고 설명했다.

2026.03.19 09:03장경윤 기자

SK하이닉스, 작년 설비투자 30조…메모리 호황에 '사상 최대'

SK하이닉스가 지난해 설비투자(CAPEX)에 30조원 이상을 투입했다. 역대 최대 수준으로, 고대역폭메모리(HBM) 등 인공지능(AI) 메모리 생산능력 확대에 집중한 데 따른 효과로 풀이된다. 17일 SK하이닉스는 2025년도 사업보고서에서 지난해 설비투자에 30조1730억원을 투입했다고 밝혔다. 이는 전년비 68% 증가한 규모다. 앞서 SK하이닉스는 2024년 17조9560억원 규모 투자를 집행한 바 있다. SK하이닉스의 투자 규모 확대는 청주 M15X, P&T(패키징&테스트) 팹 등 신규 팹 추가와 최선단 메모리 생산능력 확대를 위한 전환투자를 활발히 진행한 결과로 풀이된다. 현재 반도체 산업은 전세계 IT 기업의 공격적인 AI 인프라 투자로 전례없는 호황을 맞았다. AI 가속기에 필요한 HBM을 비롯해, 서버용 D램과 eSSD(기업용 SSD) 수요가 크게 증가했다. 범용 메모리 재고 수준도 덩달아 낮아졌다. SK하이닉스는 반도체 호황 지속에 따라 올해도 설비투자 규모를 크게 확대할 계획이다. M15X와 P&T팹의 설비 도입 외에도, SK하이닉스는 용인 1기 팹 건설과 미국 인디애나주 신규 팹 설립 등 국내외 투자 프로젝트를 추진 중이다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1월 2025년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 투자 규모는 전년비 상당 수준 증가를 예상한다"며 "다만 설비투자 원칙(투자 규모가 연 매출액 대비 최대 30% 중반 수준을 넘지 않는 것)을 지속 준수하겠다"고 밝힌 바 있다.

2026.03.17 17:14장경윤 기자

최태원 "SK하이닉스, 美 ADR 상장 검토...반도체 공급 부족 지속"

최태원 SK그룹 회장이 글로벌 메모리 반도체 시장 공급난이 향후 4~5년은 더 이어질 것으로 전망하며, 조만간 시장 안정화를 위한 대책을 내놓겠다고 밝혔다. 또 SK하이닉스의 미국 주식예탁증서(ADR) 상장 추진도 공식화했다. 최 회장은 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 'GTC 2026'에서 "반도체 공급 부족의 핵심 원인은 웨이퍼 생산 능력의 한계"라고 지적했다. 그러면서 새로운 웨이퍼 시설을 갖추는 데 최소 4~5년이 소요되는 만큼, 2030년까지는 수요보다 공급이 약 20% 부족한 상황이 지속될 것으로 내다봤다. 공급 부족에 따른 가격 급등 우려에 대해 최 회장은 "곽노정 SK하이닉스 CEO가 D램 가격 안정화를 위한 새로운 전략을 곧 발표할 것"이라고 전했다. 아울러 일각에서 제기된 미국 내 공장 설립 가능성에 대해서는 "이미 기반이 잘 갖춰진 한국 생산 시설에 집중하는 것이 훨씬 효율적이고 빠른 대응이 가능하다"며 선을 그었다. 글로벌 기업으로의 도약을 위해 SK하이닉스의 미국 주식예탁증서(ADR) 상장 추진 사실도 공식화했다. 최 회장은 이를 통해 글로벌 투자자들과의 접점을 넓히겠다는 구상이다. 또한 젠슨 황 엔비디아 CEO와의 회동 가능성을 언급하며 "TSMC는 대체 불가능한 소중한 파트너"라고 치켜세우는 등 글로벌 AI 반도체 생태계 내 협력 의지를 분명히 했다. HBM(고대역폭메모리) 시장 지배력 유지에 대해서는 최선을 다하겠다는 원론적인 입장을 밝히면서도, "HBM에만 과도하게 집중할 경우 일반 D램 공급이 줄어 스마트폰이나 PC 등 기존 산업이 타격을 입을 수 있다"며 균형 있는 생산의 필요성을 역설했다. 부상하는 중국 메모리 기업들에 대해서는 새로운 경쟁 구도가 형성될 수 있음을 주시하고 있다고 덧붙였다.

2026.03.17 11:23전화평 기자

삼성전자, GTC서 'HBM4E' 최초 공개…엔비디아와 AI 동맹 강화

삼성전자가 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력을 강화한다. 엔비디아 연례 행사에서 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 실물을 첫 공개할 계획이다. 해당 칩은 핀당 속도 16Gbps·대역폭 4TB/s을 지원한다. 삼성전자는 3월 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가한다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 이번 전시에서 차세대 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 기술력과 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세운다. 먼저 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다. '엔비디아 갤러리(Nvidia Gallery)'를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다. 이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 AI 팩토리(AI 데이터센터), 로컬 AI(온-디바이스 AI), 피지컬 AI 세 개의 존으로 구성해 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다. 한편 행사 둘째 날인 3월 17일(현지시간)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다. 이를 통해 양사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다. 차세대 HBM4E 칩 및 코어 다이 웨이퍼 최초 공개 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월'을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다. 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 또한 삼성전자는 영상을 통해 TCB(열압착본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 본딩) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다. 하이브리드 본딩은 구리(Copper) 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술로, 열 저항을 낮추고 고적층 HBM 구현에 유리하다. 한편 삼성전자는 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다. 삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다. 삼성전자 "베라 루빈 플랫폼용 모든 메모리 솔루션 공급" 특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다. 삼성전자는 'Nvidia Gallery'를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시해, 양사의 협력을 강조했다. 삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다. SCADA는 GPU가 CPU 병목 현상을 우회해 스토리지 I/O를 직접 시작하고 제어할 수 있어 AI 워크로드 성능을 극대화할 수 있도록 설계된 기술이다. 뿐만 아니라 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이며, 부스 내 AI 팩토리 존에서 제품을 확인할 수 있다.

2026.03.17 05:30장경윤 기자

IDC "올해 PC 출하량, 전년比 11.3% 감소 전망"

시장조사업체 IDC가 12일(현지시간) 메모리 공급 부족과 부품 가격 상승, 공급망 차질 등의 영향으로 올해 PC 출하량 전망치를 크게 낮췄다. IDC는 작년 11월 메모리 반도체 수급난이 시작되자 올해 PC 출하량을 2.4% 낮춰 잡았다. 그러나 IDC는 이날 작년 대비 하락폭을 11.3%까지 늘려 잡았다. IDC는 메모리 부족과 부품 가격 상승, 전반적인 공급 제약이 맞물리며 생산 차질이 내년까지 이어질 것으로 전망했다. 라이언 레이스 IDC 디바이스·컨슈머 부문 그룹 부사장은 "현재 여러 변수들이 계속 늘어나며 기업들의 의사결정은 물론 일부 분야에서는 생존 자체가 어려운 상황"이라고 설명했다. 다만 평균단가 상승 영향으로 올해 PC 시장 규모는 작년 대비 1.6% 늘어난 2740억 달러(약 408조 1230억원)까지 확대될 것으로 보인다. 지테시 우브라니 IDC 모바일 디바이스 트래커 담당 매니저는 "저가 PC와 태블릿 시대는 당분간 끝났다. 제품 가격은 2028년부터 조금씩 내릴 수 있지만 2025년 수준으로 돌아가기 어렵다"고 전망했다. IDC는 앞으로 PC 제조사가 공급망 안정성 강화, 핵심 부품 조달처 다변화와 함께 메모리나 SSD 용량 등 제품 제원을 낮추면서 비용을 낮추기 위해 노력할 것으로 전망했다.

2026.03.13 10:03권봉석 기자

다이가 다르다...삼성·SK, 차세대 HBM '두뇌' 로직다이서 엇갈린 전략

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 로직(베이스) 다이(Die) 공정을 고도화하는 가운데, 다소 상이한 입장 차이를 보이고 있다. 삼성전자는 성능을 최우선으로 초미세 공정을 적극 채용할 계획이다. SK하이닉스 역시 고객사 요구에 맞춰 공정 미세화를 추진하고 있지만 기본적으로 비용 효율화에 무게를 두는 전략을 구사하고 있다. 양 사의 전략적 기술 판단이 향후 어떤 시장 판도 변화나 결과를 초래할지 관심이 쏠린다. 11일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 HBM용 로직 다이 공정 개발에서 다른 전략을 취하고 있다. ■ 삼성전자, 로직 다이 공정 고도화 '전념'…2나노까지 설계 로직 다이는 HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해 있다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해, 데이터를 고속으로 주고받을 수 있도록 만든다. HBM에서 로직 다이가 차지하는 중요도는 점차 높아지는 추세다. HBM 세대가 진화할수록 핀 당 처리 속도 향상, D램 적층 수 증가 등으로 로직 다이에 요구되는 성능도 올라가야 하기 때문이다. 이에 삼성전자·SK하이닉스는 HBM4부터 로직 다이를 기존 D램 공정에서 더 미세화된 파운드리 공정으로 옮겨 제조하고 있다. 로직 다이에서 선단 공정을 가장 적극적으로 채택하고 있는 기업은 삼성전자다. 앞서 삼성전자는 지난 2023년께 HBM4에 적용될 로직 다이 공정을 당초 8나노미터(nm)에서 4나노로 상향 조정한 바 있다. 나아가 삼성전자는 HBM4E부터 본격화될 커스텀 HBM 시대를 준비하기 위해, 로직 다이를 4나노에서 최대 2나노로 설계하고 있다. 2나노는 지난해 하반기부터 양산이 시작된 최첨단 파운드리 공정이다. 현재 시스템LSI사업부 내 커스텀SoC 팀에서 각 고객사에 최적화된 칩 개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "HBM 고객사들은 차세대 제품에 더 낮은 전력과 더 높은 대역폭을 동시에 달성하기 원하는데, 삼성전자 내부에서는 이에 대한 근원적 해법을 로직 다이 공정 고도화로 보고 있다"며 "올해 해당 연구개발에 대한 구체적인 성과가 나올 것"이라고 강조했다. ■ SK하이닉스, 미세 공정 준비하면서도 '비용 최적화'에 무게 SK하이닉스는 대만 주요 파운드리 TSMC를 통해 로직 다이를 양산하고 있다. HBM4에는 12나노 공정을 적용했다. SK하이닉스 역시 HBM4E에서는 최대 3나노 공정을 적용할 계획이다. 당초에는 최대 4나노 공정을 채택할 계획이었지만, 고객사 요구 및 성능 향상 등을 이유로 최근 상향 조정한 것으로 알려졌다. 다만 고객사 요구가 크게 반영되지 않는 HBM4E 제품은 기존 HBM4와 마찬가지로 12나노 공정을 채택할 계획이다. 최근 HBM4에서 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 로직 다이 성능이 뒤떨어진다는 지적이 제기돼 왔음에도 기존 공정을 고수하기로 했다. 업계는 SK하이닉스가 로직 다이의 무조건적인 성능 향상보다는 비용 최적화에 무게를 둔 것으로 해석하고 있다. 실제로 회사 안팎의 이야기를 종합하면, SK하이닉스는 HBM4E용 로직다이 공정 고도화에 다소 보수적인 입장을 취하고 있다. 그보다는 신규 패키징 공법 등 다른 분야에서 기술적 진보를 이뤄내겠다는 전략이다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 현재의 로직 다이 공정으로도 HBM4E 대응이 충분히 가능하다고 판단하고 있다. 성능에 심각한 문제가 있다고 인지했다면 공정에 변화를 줬을 것"이라며 "경쟁사와 달리 로직 다이 공정의 급격한 고도화가 효용이 떨어진다고 보고 있다"고 말했다.

2026.03.11 15:35장경윤 기자

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