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中 CXMT, 고유전율 D램 소재 양산 적용...삼성·SK '맹추격'

D램 업계 후발주자인 중국 창신메모리(CXMT)의 기술 추격이 거세다. 기존 메모리 선두업체들의 전유물처럼 여겨지던 고유전율(High-k) 소재를 최신 D램 제품에 성공적으로 양산 적용한 것으로 확인됐다. 이에 삼성전자·SK하이닉스 등은 초격차를 통한 경쟁력 우위를 위해 4F스퀘어, 3D D램 등 차세대 구조 개발에 박차를 가하고 있다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 27일 메모리 산업 동향 웨비나에서 최첨단 D램 기술 개발 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 반도체 전문 분석기관이다. 中, 고성능 D램 소재 'High-k'도 본격 도입…선두 업체 맹추격 글로벌 D램 시장은 국내 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론 등 소위 빅3 기업이 주도해 왔다. 이들 기업은 12나노미터(nm)급 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 상용화로 AI용 고부가 메모리 출하량을 적극 늘리는 추세다. 그러나 중국 기업들의 추격도 거세다. 현재 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT는 G4(16나노급) 공정을 기반으로 DDR5 및 LPDDR5 제품 상용화에 성공한 상황이다. 최근에는 D램 내 트랜지스터에 기존 선두업체들만 적용하던 고성능 소재도 활용하기 시작한 것으로 나타났다. 최 부사장은 "중요한 점은 당사 조사 결과 CXMT가 G4 공정 및 LPDDR5X 제품에 High-k 메탈 게이트(HKMG) 기술을 성공적으로 도입했다는 것"이라고 강조했다. High-k는 회로 간 누설 전류를 막는 절연막에 쓰이는 소재다. 동일한 전압에서 더 많은 전하(전자의 흐름)을 저장할 수 있어, 기존 절연막 소재(실리콘산화물, SiO2) 대비 초미세 공정을 구현하는 데 용이하다. 때문에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 4~5년 전부터 이 소재를 도입하고 있다. HBM 기술 역시 고도화하고 있다. 현재 CXMT는 G3(18나노급) 공정을 사용해 HBM2E(3세대 HBM)의 리스크 양산(초도생산) 단계에 진입한 것으로 알려졌다. G4 공정 기반의 HBM3는 샘플링을 진행 중이다. 최 부사장은 "CXMT는 선두업체보다 약 2세대 정도 기술이 뒤쳐져 있으나, 더 높은 성능의 메모리 솔루션을 향해 HBM 로드맵을 꾸준히 발전시키고 있다"며 "G5(15나노급) D램 공정도 개발되고 있다"고 평가했다. D램 3강, 4F스퀘어·3D D램으로 기술 변혁 시도 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 10나노미터 미만의 차차세대 D램(D0A) 개발로 기술 초격차를 꾀하고 있다. 특히 기존 D램의 구조를 바꾼 4F스퀘어, 3D D램을 가장 유력한 후보로 보고 있다. 최 부사장은 "현재 당사 평가로는 삼성전자와 SK하이닉스는 4F스퀘어 D램을 추진할 가능성이 높다"며 "반면 마이크론은 3D D램으로 바로 이동할 가능성이 더 높아 보인다"고 말했다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다. 기존 D램은 6F스퀘어 구조를 갖추고 있다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도가 높아져, 데이터 처리 성능 및 전력 효율성을 향상시킬 수 있다. 업계가 4F스퀘어 구조에 주목하는 이유다. 3D D램은 비트라인 혹은 워드라인을 세워, 기존 수평으로 집적되던 셀을 수직으로 적층하는 기술이다. 비트라인과 워드라인은 셀 내 트랜지스터를 동작하게 하는 구성 요소다. 3D D램 구조에서는 같은 면적에 더 많은 셀을 넣을 수 있고, 트랜지스터 간격이 넓어져 간섭 현상도 줄어든다. 다만 3D D램은 새로운 소재와 본딩 기술을 도입해야 하는 등 4F스퀘어 대비 기술적 난이도가 높다고 평가받는다. 최 부사장은 "3D D램은 여전히 기술적으로 매우 도전적인 과제로, D0A에서 상용화되기에는 상당한 공정 복잡성과 수율 문제를 야기한다"며 "이러한 이유로 4F스퀘어 D램이 D0A 세대에서 보다 실용적인 후보로 떠오르고 있다"고 설명했다.

2026.08.27 14:02장경윤 기자

PC 업계, 성수기 실종에 체험 마케팅 강화…"일단 써봐"

D램과 SSD, CPU 등 핵심 부품 가격 인상으로 노트북 가격이 예년 수준을 훌쩍 넘어선 지 오래다. 글로벌 PC 제조사도 애플 맥북네오와 비슷한 가격대의 보급형 노트북 출시를 서두르고 있지만 실제 출시까지는 조금 더 시간이 필요한 상황이다. 주요 제조사 관계자들은 "각급 학교 개학을 앞둔 매년 12월~이듬해 3월과 7월 말~9월 말 등 국내 노트북 시장 성수기는 더 이상 통하지 않는 상식"이라고 말한다. 이에 주요 PC 제조사들은 노트북 실제 수요층인 20~30대 소비자 대상으로 팝업스토어 운영, 대학교 방문 등으로 제품과 브랜드 인지도 높이기로 선회했다. 레노버, 국내 소비자 대상 '요가' 브랜드 확장 한국레노버는 지난 20일을 시작으로 오는 30일까지 서울 종로구 '오늘의집 북촌'에서 '요가' 브랜드 노트북과 태블릿 등을 전시하고 체험할 수 있는 '레노버 AI 팝업스토어'를 운영중이다. 26일 오후 찾은 팝업스토어는 입구에 975g 초경량 노트북 '요가 슬림 7i 울트라 아우라 에디션'을, 중앙에 요가 노트북을 형상화한 대형 모형을 중심으로 노트북과 태블릿을 여러 대 배치했다. 혼자서, 혹은 친구나 지인과 둘러보는 방문객이 눈에 띄었다. 이날 현장에서 만난 한국레노버 관계자는 "국내 시장에서는 게임용 고성능 PC '리전', 전문가용 노트북 '씽크패드' 대비 '요가' 브랜드 인지도가 상대적으로 낮아 이를 보완하기 위한 시도"라고 설명했다. 일러스트레이터 '몬드킴'이 그린 밑그림을 바탕으로 태블릿을 이용해 색칠 후 마그넷을 받아갈 수 있는 드로잉 스튜디오 체험자도 적지 않았다. 한국레노버 관계자는 "예상보다 사람들이 태블릿 드로잉에 오래 집중한다"고 설명했다. 작년 성수동 이어 올해는 북촌 선택 한국레노버는 작년 11월부터 한 달간 서울 성수동 'LCDC 서울'에서 PC 제품과 판매 기능을 갖춘 팝업스토어를 열었다. 또 같은 장소에서 지난 6월까지 '레노버 성수 스토어'를 운영하기도 했다. 한국레노버 관계자는 "올해는 판매보다는 브랜드 인지도 강화에 방점을 뒀다. 북촌 역시 성수동 못지 않게 유동인구가 많고 평일에도 수백 명, 주말에는 1천명 가까이 찾아 적지 않은 편"이라고 설명했다. 요가 슬림 7i 울트라 아우라 에디션, 아이디어탭 프로 2세대 등 전시제품 판매는 팝업스토어 운영에 참가한 커넥트웨이브 가격비교서비스 다나와가 담당한다. 스마트폰으로 제품별 QR코드를 찍으면 구매 가능 별도 페이지로 이동한다. 가격 상승에 버티거나 기다리는 소비자들 한국레노버 관계자는 "메모리 반도체 수급난이 본격화된 작년 말부터 소비자들의 구매 패턴에도 뚜렷한 변화가 있다. 기존 PC를 그대로 이용하거나 가격이 내려갈 때까지 기다리는 것으로 파악된다"고 설명했다. 단 메모리 반도체 수급난이 단기간에 해소되기는 어렵다. 노트북 가격이 단기간에 다시 떨어지기도 쉽지 않다. 때문에 문서 작성이나 콘텐츠 소비 등 노트북이 담당하던 역할을 보완할 수 있고 가격 상승 폭이 상대적으로 적은 태블릿 판매량도 늘고 있다. 한국레노버 관계자는 "태블릿 역시 키보드를 장착해 쓸 수 있지만 장시간 작업시 고정된 키보드를 갖춘 노트북을 완전히 대체할 수 없다. 노트북 등 일부 수요가 태블릿 등으로 분산되는 양상에 가깝다"고 설명했다. AI PC도 결국 PC...기능보다 가격이 문제 주요 PC 제조사들은 작년부터 CPU와 GPU, NPU를 이용해 각종 AI 작업을 클라우드 없이 처리하는 AI PC를 새로운 돌파구로 내세웠다. 그러나 이를 위해 필요한 최소 16GB 이상의 넉넉한 메모리는 현재 상황에서 가장 큰 가격 상승 요인 중 하나다. 노트북 성수기마다 적용하던 제품 가격 할인도 여의치 않다. 이미 큰 폭으로 가격을 조정했지만 D램·SSD 공급가가 분기 단위, 혹은 달 단위로 바뀌고 있기 때문이다. 이는 현재 메모리 수급난에 시달리는 PC 제조사들의 공통된 고민이다. 26일 또다른 글로벌 제조사 관계자는 "소비자 입장에서는 AI 기능이 얼마나 좋아졌는가보다 '지금 이 가격으로 노트북을 사야 하는지'에 대한 근본적인 의문을 가질 수 밖에 없다. 현재로서는 제조사도 브랜드와 제품에 대한 관심을 확보하는 것 이외에 다른 방법이 없다"고 설명했다.

2026.08.26 17:13권봉석 기자

삼성·SK, HBM4 8단 출하 비중 늘린다…엔비디아 공급망 변화 예고

삼성전자와 SK하이닉스가 엔비디아향 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 출하량에서 8단 비중을 확대할 것으로 파악됐다. 발열 및 공급망 안정성을 고려해, 다양한 HBM 메모리 옵션을 확보하려는 엔비디아의 수급 전략이 주된 영향을 미쳤다. 차세대 제품인 HBM4E도 8단이 주력 제품이 될 가능성이 높아진 상황이다. 26일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 올 하반기 엔비디아향 HBM4 8단 공급을 늘릴 계획이다. 앞서 양사는 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '베라-루빈' 시리즈용으로 HBM4 12단 제품을 공급해 왔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 12단은 D램을 12개 쌓았다는 의미다. 해당 제품의 본격적인 양산 공급 시점은 삼성전자가 올 1분기, SK하이닉스가 2분기로 관측된다. 그러나 최근 엔비디아 HBM 공급망 기조가 변화하고 있다. 삼성전자·SK하이닉스 양사 안팎의 이야기를 종합하면, 올 하반기 양사는 엔비디아향 HBM4 출하량에서 12단 대신 8단 공급 비중을 점차 확대할 계획이다. 메모리 반도체 업계 관계자는 "최근 엔비디아로부터 HBM4 주력 공급 제품을 12단에서 8단으로 변경해달라는 요청이 있었다"며 "이에 맞춰 올 하반기 공급 계획이 수정된 것으로 안다"고 말했다. 또 다른 관계자는 "당초 HBM4 8단에 대한 수요가 일부 있었는데, 올 하반기 해당 제품용 수요가 늘어나 관련 소재·부품 쪽에도 발주 영향이 있었다"며 "정확한 비중은 아직 판단하기 이르나, 엔비디아향 HBM4에서 8단 비중이 늘어나는 추세는 뚜렷해질 것"이라고 설명했다. 업계는 이 같은 변화에는 복합적인 요인이 작용했을 것으로 보고 있다. 성능 면에서는 발열 문제가 대두됐다. HBM4의 경우 이전 세대 대비 데이터 전송통로인 입출력단자(I/O) 수가 2048개로 2배 늘면서, 개별 칩뿐만 아니라 서버 랙 시스템 전체의 발열이 크게 증가했다. 공급망적인 측면도 영향을 미친 것으로 알려졌다. 현재 HBM은 글로벌 빅테크의 공격적인 AI 인프라 투자로 극심한 공급난에 빠져 있다. 반면 HBM4는 성능 및 집적도 향상으로 수율 향상에 불리하다. HBM의 코어 다이인 D램의 수율은 비교적 빠르게 끌어올릴 수 있으나, 이를 12단으로 적층하고 본딩 및 패키징 하는 과정에서 수율은 크게 저하된다. 이에 엔비디아는 기존 HBM4 12단 외에도 8단 제품 수급량을 늘려, 향후 AI 가속기에 탑재되는 메모리 용량에 대한 여러 선택지를 확보하려는 것으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "엔비디아가 최신 AI 플랫폼을 설계하는 과정에서 발열 관리를 제일 중요하게 보고 있다"며 "개별 칩 스펙을 하향 조정한다기보다는, 최적의 조합을맞추는 과정이므로 시장 전체 수요에는 큰 변동이 없을 것"이라고 강조했다. HBM4의 차기 버전인 HBM4E도 당초 12단에서 8단 출하가 유력해진 상황이다. HBM4E는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '루빈-울트라'에 탑재될 예정인 제품이다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "HBM4E 12단 및 16단 샘플 역시 논의는 되고 있으나, 고객사와의 논의 상황을 보면 당장 내년 공급될 HBM4E는 8단이 주력으로 공급될 가능성이 높다"며 "다만 당장은 루빈-울트라도 HBM4E를 쓰느냐, HBM4를 쓰느냐 등의 이슈가 있어 업계 전반의 불확실성이 높다"고 말했다.

2026.08.26 14:04장경윤 기자

국내 반도체 장비업계 '방긋'...삼성·SK 증설에 수주잔고 2배 급증

국내 반도체 장비업계가 삼성전자, SK하이닉스의 대규모 반도체 설비투자에 따른 수혜를 보고 있다. 올 상반기 말 기준 주요 장비 기업들의 수주 잔고가 지난해 말 대비 2배가량 증가한 것으로 집계됐다. 올 하반기부터 본격적인 매출 확대가 기대된다. 21일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 제조장비 기업들은 올 상반기 말 수주 잔고가 크게 증가하고 있다. 수주 잔고는 고객사로부터 구매주문(PO)을 받고, 아직 공급하지 않은 제품의 규모를 뜻한다. 통상 금액이 클수록 기업의 중·단기 실적에 긍정적인 영향을 끼친다. 이에 반도체 장비기업들도 수주 잔고를 통해 회사의 향후 매출을 가늠하고 있다. 올 상반기 말 기준 국내 반도체 장비기업들의 수주 잔고는 꾸준히 증가하는 추세다. 특히 연 매출 2000억원 이상의 주요 기업들의 경우, 지난해 말 대비 수주 잔고가 2배 이상 증가한 사례도 다수 있는 것으로 집계됐다. 증착 장비를 주력으로 공급하는 원익IPS의 수주 잔고는 지난해 말 2982억원에서 올 상반기 말 6346억원으로 증가했다. 테스는 지난해 말 972억원에서 반년새 2069억원으로 증가했다. 주성엔지니어링의 경우 반도체 제조장비 부문 수주잔고가 지난해 말 885억원에서 올 상반기 말 2144억원으로 크게 올랐다. 이외에도 계측장비 기업인 파크시스템스가 지난해 말 636억원에서 올 상반기 말 1125억원으로 증가했다. 이들 기업의 수주잔고가 크게 늘어난 데에는 핵심 고객사인 삼성전자·SK하이닉스의 적극적인 설비 발주가 영향을 미쳤다는 분석이다. AI 산업 주도로 고성능 반도체에 대한 수요가 폭증하면서, 삼성전자·SK하이닉스는 국내외 팹 증설 및 전환투자를 서두르고 있다. 현재 삼성전자는 주요 반도체 생산거점인 평택 제4캠퍼스(P4)에 D램 생산능력 확대를 위한 투자를 진행 중이다. 낸드의 경우 중국 시안 팹에서 최첨단 제품인 V9(9세대) 낸드용 전환 투자가 집행되고 있다. SK하이닉스는 올 1분기 고대역폭메모리(HBM)를 주력으로 양산할 신규 팹 M15X 가동을 시작하고, 생산능력을 지속 확대해 왔다. M14·M16 등 기존 공장에서 최첨단 D램용 전환투자도 진행되고 있다. 용인 대규모 반도체 클러스터의 첫 번째 팹인 Y1에서도 지난달 설비 발주가 시작됐다. 중장기 성장동력도 이미 확보한 상태다. 삼성전자와 SK하이닉스는 광주에 신규 반도체 팹을 각각 2기씩 건설하고, 용인 반도체 클러스터 구축 일정을 앞당기기로 했다. 완공 목표 시점은 삼성전자가 당초 2047년에서 2040년으로, SK하이닉스가 2045년에서 2033년으로 조정됐다.

2026.08.21 11:05장경윤 기자

MS, 메모리 대란에 윈도11 '8GB 노트북 최적화' 방향 선회

메모리 가격 상승으로 노트북 제조사의 원가 부담이 커지는 가운데, 8GB 메모리를 탑재한 보급형 PC가 다시 주목받고 있다. 마이크로소프트는 8GB 이상 메모리를 탑재한 PC에서 보다 원활하게 작동하도록 PC용 운영체제 '윈도11'의 메모리 이용량을 줄이는 최적화 작업에 나섰다. 애플이 8GB 메모리를 탑재한 보급형 노트북 '맥북네오'는 맥OS와 하드웨어를 함께 설계하는 애플의 접근 방식으로 제한된 메모리에서 성능을 확보했다. 올 3분기 윈도11 기반 보급형 노트북 출시가 예정된 가운데, 윈도 진영에서도 메모리 절약 필요성이 커졌다. "윈도11, 8GB 이상 시스템 메모리 최적화" 마이크로소프트는 지난 7월 말 공식 블로그에서 윈도11 품질 개선 계획을 공개하고 메모리 최적화 대상으로 8GB 이상 메모리를 탑재한 시스템을 명기했다. 파반 다불루리 윈도 및 서피스 총괄 부사장은 "8GB 이상 메모리를 탑재한 PC의 메모리 최적화를 진행할 예정이며 소비자들이 일상 작업에서 보다 민첩하게 반응할 수 있도록 윈도 메모리 이용량을 줄일 것"이라고 설명했다. 과거에는 PC 제조사가 더 많은 메모리를 탑재하는 방식으로 대응할 수 있었다. 그러나 메모리 가격이 전년 대비 큰 폭으로 오른 현 상황에서는 이런 방식이 더 이상 통하지 않는다. 마이크로소프트는 이미 구체적인 작업에도 착수했다고 설명했다. 응용프로그램과 구성요소의 부담을 줄일 수 있도록 보다 효율적으로 메모리를 활용하는 한편 웹브라우저 '엣지' 구동을 위한 구성요소인 크로뮴 개선도 병행한다고 설명했다. 5월엔 "32GB 권장"...소비자 반발에 물러나 이 같은 움직임은 마이크로소프트가 불과 수개월 전 제시했던 메모리 권장 기준과 비교하면 더욱 눈에 띈다. 마이크로소프트는 지난 5월 공식 블로그를 통해 "윈도11 탑재 PC의 기본 메모리 하한선으로 16GB가 적합하며 게임용 고성능 PC의 기본 메모리는 32GB가 적합하다"고 안내했다. 마이크로소프트가 제시한 윈도11 최소 사양은 4GB 메모리다. 32GB는 고성능·게임 등 특정 사용 환경을 염두에 둔 권장 수준이었다. 그러나 해당 권고가 현 상황에 맞지 않다는 지적이 이어지자 마이크로소프트는 해당 게시물을 내렸다. 최소 16GB를 하한선으로 제시했던 것과 달리 8GB 이상 시스템의 메모리 효율성 개선을 공식적인 품질 개선 과제로 제시했다는 점은 주목할 만하다. 운영체제가 쓰는 메모리를 줄이는 방식으로 방향이 바뀌었기 때문이다. 8GB 맥북네오 등장...보급형 PC 경쟁도 본격화 여기에 애플이 지난 3월 출시한 '맥북네오'도 상황을 변화시켰다. 맥북네오는 8GB 통합 메모리를 탑재한 보급형 제품이지만 맥OS와 애플 실리콘을 함께 최적화하는 애플의 하드웨어·소프트웨어 통합 설계로 제한된 메모리를 보다 효율적으로 활용한다. 애플은 맥북네오 발표 당시 8GB 통합 메모리 모델과 8GB 메모리를 탑재한 윈도11 PC의 성능을 직접 비교하기도 했다. 애플 이외 주요 PC 제조사도 3분기 중 인텔 코어 시리즈3(와일드캣 레이크), 퀄컴 스냅드래곤C 등 보급형 PC를 겨냥한 프로세서 기반 노트북을 일제히 출시할 예정이다. 이들 중 다수는 맥북네오와 마찬가지로 8GB 메모리를 탑재한다. 윈도 PC 제조사에도 같은 가격대에서 경쟁할 수 있는 제품을 요구하는 압력이 커질 수밖에 없다. AI 투자 확대에 메모리 가격 급등…제조사 부담 커져 글로벌 빅테크의 AI 투자 확대에 따른 D램 부족 현상과 가격 상승도 PC 시장 상황을 크게 바꿨다. AI 데이터센터가 대규모 메모리를 필요로 하면서 PC용 메모리를 포함한 메모리 시장 전반의 수급 환경이 변하고 있다. 메모리 가격이 상승하면 PC 제조사가 동일한 판매가격을 유지하면서 고용량 메모리를 탑재하기가 어려워진다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 1분기 출하된 노트북 원가에서 D램과 낸드 플래시메모리(SSD) 비중은 30%를 이미 넘어섰다. 또 2분기 D램 계약 가격이 1분기 대비 58~63% 상승했다고 밝혔다. '더 많은 메모리'에서 '더 효율적인 메모리'로 경쟁 변화 트렌드포스는 "메모리 가격 상승으로 노트북 제조사가 가격 인상과 사양 조정 사이에서 선택해야 하는 상황이 나타나고 있다"고도 분석했다. 노트북 제조사는 메모리 용량을 유지하면서 제품 가격을 올리거나, 가격 인상을 최소한으로 유지하기 위해 메모리 용량을 줄여야 한다. 운영체제와 응용프로그램이 쓸 수 있는 자원도 줄어든다. 마이크로소프트는 이런 상황에서 운영체제의 메모리 사용량 자체를 줄여 상대적으로 적은 메모리를 탑재한 PC에서도 사용성을 확보하려는 것으로 보인다. 메모리 가격 상승과 보급형 PC 경쟁이 맞물리면서 한정된 메모리를 얼마나 아껴쓰느냐가 새로운 경쟁 요소로 부각된 것이다.

2026.08.18 17:24권봉석 기자

삼성전자, 삼성D 차입금 '20조' 미리 다 갚았다…AI 메모리 효과

삼성전자가 과거 삼성디스플레이로부터 빌렸던 차입금 20조원을 전액 조기 상환했다. 인공지능(AI) 산업 주도로 메모리 슈퍼사이클이 본격화하면서 삼성전자가 보유한 현금성 자산도 급증한 결과다. 18일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자는 삼성디스플레이로부터 차입한 무담보차입금 20조원을 올 2분기 중 전액 상환했다. 삼성전자 반기보고서에 기록된 만기일은 지난 5월 29일이다. 전 분기 말까지 총 20조원의 장기차입금이 기록돼 있었으나, 이번 보고서에서 전액 삭제됐다. 앞서 삼성전자는 지난 4월 23일 해당 차입금을 10조원 상환한 바 있다. 이를 고려하면 삼성전자는 5월 하순 나머지 10조원 추가 상환한 것으로 분석된다. 삼성전자가 삼성디스플레이로부터 20조원의 장기차입금을 빌린 건 지난 2023년이다. 당시 차입기간은 2023년 2월부터 2025년 8월까지로, 이자율은 연 4.60%였다. 2023년은 삼성전자의 반도체 사업이 부진했던 시기다. 디바이스솔루션(DS) 부문의 연간 적자 규모만 해도 14조원 이상으로 집계됐다. 삼성전자는 안정적인 유동성 확보를 위해, 그간 유지해 온 '무차입 경영' 기조에서 벗어나 삼성디스플레이로부터 자금을 수혈했다. 이후 삼성전자는 자금 대여기간을 당초 2025년 8월에서 2028년 2월까지로 한 차례 연장하기도 했으나, 올 2분기 두 차례에 걸쳐 차입금을 전액 상환했다. 삼성전자의 이번 차입금 조기 상환은 메모리 슈퍼사이클 효과로 풀이된다. 글로벌 빅테크의 AI 인프라 투자로 고부가 D램과 낸드 수요가 급증하면서, 삼성전자는 올 상반기에만 DS부문에서 142조 8593억원에 달하는 영업이익을 거뒀다. 삼성전자의 현금·현금성 자산 및 단기금융상품도 지난해 말 125조 8214억원에서 올해 상반기 말 189조 9530억원으로 약 64조원가량 증가했다.

2026.08.18 09:47장경윤 기자

SK하이닉스, EUV 공정 고도화…신소재 'PSM' 도입 시작

SK하이닉스가 차세대 D램 양산을 위한 극자외선(EUV) 기술 고도화에 집중하고 있다. 지난해 고개구율(High-NA) EUV 장비를 처음 도입해, 올해부터 관련 기술 연구개발에 본격 착수했다. EUV 성능을 높일 수 있는 '위상변위 마스크(PSM)' 등 신규 소재도 채용 중인 것으로 알려졌다. 박사로한 SK하이닉스 부사장은 10일 경기 수원 컨벤션센터에서 열린 '2026 차세대 리소그래피+패터닝 학술대회(NGL 2026)'에서 "EUV에서 극한의 성능 향상을 위해 PSM을 본격 도입하기 시작했다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계는 인공지능(AI) 산업 발전에 따라 고용량·고성능 제품 수요가 급증하고 있다. 메모리 반도체 기업들도 전공정과 후공정 기술 고도화를 통해 차세대 D램·낸드를 개발하고 있다. 대표 기술이 최신 노광 기술인 EUV다. 노광은 빛을 통해 반도체 웨이퍼에 회로(패턴)를 새기는 공정으로, 반도체 제조에서 가장 높은 비중을 차지하고 있다. EUV는 기존 반도체 노광 공정 소재인 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준(13.5나노미터)으로 짧다. 덕분에 ArF로 여러 번 노광(멀티 패터닝)해야 하는 초미세 공정을 더 적은, 혹은 단일(싱글 패터닝) 공정으로 구현할 수 있다. 패터닝 수가 줄면 제조비용 저감 및 생산성 향상에 유리하다. SK하이닉스는 차세대 제품 개발을 위해 지난해 하반기 양산용 High-NA EUV 장비를 첫 도입했다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어올린 기술이다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치가 높을수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV 렌즈 수차는 0.33, High-NA EUV는 0.55다. 박 부사장은 "극한의 미세공정 양산을 위해 EUV를 멀티 패터닝하거나, High-NA 싱글 패터닝을 도입하는 등 방안을 모두 고민 중"이라며 "High-NA EUV 장비는 지난해 말 도입해, 올해부터 이를 통한 연구개발을 시작했다"고 밝혔다. EUV 성능 강화를 위한 위상변위 마스크(PSM:Phase Shift Mask)도 채용한 것으로 파악된다. 마스크는 특정 회로가 새겨진 판이다. EUV용 마스크의 경우 들어오는 광원을 반사해 웨이퍼에 회로를 새긴다. PSM은 인접한 회로 모양을 만드는 빛에 위상의 차이를 발생시키는 물질로 구성된다. 덕분에 회로에 도달하는 빛에 각기 다른 위상 차를 주면서, 미세한 회로에서도 명확한 명암비를 가질 수 있도록 만든다. 박 부사장은 "이전 ArF 영역에서 그랬듯, EUV에서도 해상도 향상을 위해 PSM이 본격 도입되기 시작했다"며 "향후에는 High-NA EUV 측면에서도 PSM이 어떻게 발전할 수 있을까에 대한 고민을 같이 하고 있다"고 말했다.

2026.08.10 15:50장경윤 기자

"SK하이닉스, 4조원대 中 충칭공장 지분 매각 검토"

SK하이닉스가 중국 충칭 공장의 지분 매각을 포함한 복수의 방안을 검토 중이라는 외신 보도가 나왔다. 용인과 청주에 대규모 생산시설 투자를 추진하고 있는 만큼 향후 투자 재원 확보와 자산 효율화 차원의 행보인지 주목된다. 9일 블룸버그에 따르면 SK하이닉스는 중국 충칭 공장에 외부 투자자를 유치하는 방안을 포함해 다양한 선택지를 검토하고 있다. 이를 위해 자문사 선정 작업에도 나선 것으로 전해졌다. 거래가 성사될 경우 충칭 공장의 기업가치는 약 30억달러(약 4조2000억원) 수준으로 평가될 것으로 예상된다. 잠재적 투자자로는 중국계 펀드와 현지 기업 등이 거론된다. SK하이닉스가 거래 이후에도 충칭 공장에 소수 지분을 유지하는 방안도 검토 대상인 것으로 알려졌다. 다만 논의는 아직 초기 단계로 실제 거래로 이어지지 않을 가능성도 있다. 충칭 공장은 SK하이닉스의 중국 내 주요 반도체 후공정 거점이다. SK하이닉스는 20여 년 전 중국 장쑤성 우시와 협약을 맺고 첫 대규모 해외 웨이퍼 생산 공장을 건설하며 중국 시장에 진출했다. 이후 충칭에 반도체 패키징·테스트 공장을 구축해 낸드플래시 후공정 생산능력을 확대해왔다. 이번 매각 검토는 SK하이닉스가 국내 생산시설에 대규모 투자를 추진하는 시점에 나왔다는 점에서 주목된다. SK하이닉스는 지난 6월 용인 반도체 클러스터에 총 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투자한다는 계획을 밝혔다. 총 700조원 규모다. 이어 이달 6일에는 후속 투자로 용인 'Y2' 팹과 청주 'M17' 팹 건설에 각각 35조 2000억원과 19조 1000억원을 투입하기로 결정했다. 두 생산시설에 들어가는 투자액만 총 54조 3000억원이다. 용인 클러스터의 두 번째 D램 생산 거점인 Y2는 연면적 34만 1000평 규모로 조성된다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열 계획이다. 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 생산을 담당한다. 연면적 20만 6000평 규모인 청주 M17은 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 번째 클린룸을 가동할 예정이다. SK하이닉스가 생산시설 확충에 속도를 내는 배경에는 AI 확산에 따른 메모리 반도체 수요 증가가 있다. 시장조사업체 옴디아는 지난해부터 2030년까지 D램과 낸드 시장이 각각 연평균 19% 성장할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 용인 Y2와 청주 M17 투자 결정 당시 "메모리는 일시적 호황이 아닌 AI 성능을 결정짓는 핵심 인프라로서 구조적 성장에 진입했다"고 설명했다. 대규모 설비투자가 이어지는 만큼 투자 재원을 어떻게 확보할지도 관심사다. SK하이닉스는 국내 생산능력 확대를 위한 다양한 자금 조달 방안을 추진하고 있다. 지난달에는 미국 증시 상장을 통해 265억달러를 조달했다. 외국 기업이 미국 증권거래소에서 진행한 기업공개(IPO) 가운데 사상 최대 규모다. 충칭 공장에 대한 외부 투자 유치나 지분 매각이 현실화할 경우 SK하이닉스는 중국 생산 거점의 운영 효율을 높이는 동시에 국내 생산시설 확대에 필요한 재무적 여력을 추가로 확보할 수 있을 것으로 보인다.

2026.08.09 09:39진운용 기자

SK하이닉스, 용인 Y2·청주 M17에 54조원 투입…AI 메모리 신규 팹 건설

SK하이닉스가 급증하는 인공지능(AI) 메모리 수요에 대응하기 위해 경기도 용인과 충북 청주에 총 54조원 규모 신규 반도체 공장(팹)을 건설한다. SK하이닉스는 7일 이사회를 열고 용인 'Y2' 팹과 청주 'M17' 팹 건설에 각각 35조 2000억원, 19조 1000억원을 투자하기로 의결했다고 밝혔다. 이번 투자는 지난 6월 발표한 중장기 투자 전략 일환이다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 총 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입한다는 구상 아래 현재 용인 1기 팹(Y1)을 건설 중이다. 이번 결정으로 후속 팹 구축에 착수한다. SK하이닉스가 이 같은 결정을 내린 배경에는 메모리 반도체 시장 급성장이 있다. 시장조사기관 옴디아는 지난해부터 2030년까지 D램과 낸드 시장이 모두 연평균 19% 성장할 것이라고 전망했다. SK하이닉스는 "일시 호황이 아닌 메모리가 AI 성능을 결정짓는 핵심 인프라로 자리 잡으면서 구조적으로 성장하고 있다"고 설명했다. 용인 클러스터의 두 번째 D램 생산 거점이 될 Y2는 연면적 34만 1000평 규모로 조성된다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 오픈할 계획이다. 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산한다. 이번 투자액에는 지원동, 연구개발통합센터, 용수·변전시설 등 주요 부대시설 건설 비용도 포함됐다. Y2 전체 투자는 2031년 10월까지 순차적으로 집행된다. 현재 용인 클러스터는 Y2 가동에 필요한 1단계 전력 및 용수 인프라 구축 공정률은 99%다. 회사는 팹 건설과 인프라 조성을 병행해 온 만큼, Y2도 계획된 일정에 맞춰 차질 없이 건설한다는 방침이다. 새로운 낸드 생산 거점으로는 인프라 조기 확보가 가능한 청주캠퍼스가 낙점됐다. 청주는 M11, M12, M15 등 기존 팹과 연계 효율성이 높고 전력·용수 부지가 상당 부분 확보돼 있다. 연면적 20만 6000평 규모 청주 M17은 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 가동할 예정이다. 투자는 2031년 4월까지 단계적으로 이뤄진다. SK하이닉스는 팹 건설 일정은 예정대로 진행하되, 실제 클린룸 증설과 장비 투입은 시장 수요 흐름에 맞춰 유연하게 집행해 투자 효율을 높일 계획이다. 이번 대규모 투자를 통해 협력사 동반성장, 고용 창출, 지역경제 활성화 등 국내 반도체 생태계 전반의 경쟁력 제고도 기대하고 있다. SK하이닉스 관계자는 "이번 투자는 AI 시대 성장 기회를 적기에 포착하기 위한 전략적 결정"이라며 "선제적 생산기반 확보로 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 핵심 파트너가 되겠다"고 말했다.

2026.08.07 16:46진운용 기자

삼성전자, 'HBM5 성능 8배' zHBM·z낸드-O 목업 첫 공개

삼성전자가 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 z낸드-O 목업을 'FMS 2026'에서 세계 최초로 선보였다. 삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 미래 인공지능(AI) 메모리 기술 방향과 포트폴리오를 발표했다. 4일 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무는 'AI 혁신의 물결을 이끌다: 메모리 및 스토리지 아키텍처의 3D 혁신'을 주제로 발표했다. 차세대 3D 메모리를 활용해 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라 수요에 대응하고 시스템 전력효율을 극대화하는 기술 로드맵을 공유했다. 이날 업계 최초로 목업을 공개한 zHBM은 AI 가속기(xPU) 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 3D 아키텍처다. 메모리와 가속기 간 데이터 이동거리를 크게 줄여 대역폭과 전력효율을 극대화하도록 설계했다. zHBM 적용 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 짧아진 데이터 경로 덕분에 전성비는 최대 3배 향상되며, 열 저항은 절반 이하로 줄어든다. 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장과 가속기 성능 최적화를 지원하는 고객 맞춤형 솔루션이다. D램과 함께 선보인 z낸드-O는 온디바이스 AI 환경에 특화한 고성능 낸드플래시 솔루션이다. V낸드 수직 적층 기술과 실리콘관통전극(TSV) 기술을 결합해 4단 또는 8단 칩을 3D 패키징했다. 높은 공간 효율성과 응답 속도를 바탕으로 모바일 및 에지 기기에서 실시간 대규모 데이터 처리를 지원한다. 삼성전자는 이번 행사에서 400단 이상 10세대 V낸드 'V10 BV(Bonding Vertical)-낸드'도 세계 최초로 실물을 공개했다. BV 기술은 셀과 회로를 분리 제조한 뒤 수직으로 접합하는 방식이다. 여기에 3개 스택을 분할 제조해 연결하는 3 스택 기술을 결합해 400단 이상 적층을 구현했다. 메모리 집적도는 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상됐다. 전시 부스에서는 고성능 컴퓨팅과 데이터센터용 차세대 솔루션도 다수 소개됐다. HBM4E를 적용한 AI 플랫폼, 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용한 HBM5 목업, 연산 기능을 내장한 LPDDR5X-PIM이 대표적이다. 차세대 기업용 SSD인 PM1763과 BM1773 등 스토리지 라인업도 함께 배치했다. 삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 모두 내재화한 '원스톱 솔루션' 역량을 기반으로 시장 공략을 강화할 방침이다. 고객사 제품 설계 단계부터 통합 서비스를 제공해 개발기간을 단축하고 맞춤형 AI 반도체 공급을 확대한다. 삼성전자 관계자는 "차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화 솔루션을 통해 AI 시대 반도체 리더십을 강화하겠다"라고 말했다.

2026.08.05 08:47전화평 기자

반도체 제조장비 시장도 호황…글로벌 기업들 실적 눈높이 상향

램리서치·TEL(도쿄일렉트론) 등 글로벌 반도체 장비 기업들이 역대 최고 분기 실적을 경신하고 있다. 인공지능(AI) 반도체 수요 급증 결과로, 이들 기업은 일제히 올해 장비 시장 규모가 당초 예상 대비 커질 것으로 내다봤다. 1일 업계에 따르면 글로벌 반도체 장비 기업들은 최근 실적발표에서 관련 시장 규모 전망치를 1500억달러(약 213조원)로 상향했다. 램리서치는 지난달 29일(현지시간) 2026회계연도 4분기(4~6월) 실적발표에서 매출 67억 2000만달러, 영업이익 25억 8100만달러를 기록했다고 밝혔다. 분기 기준 사상 최대 실적이다. 매출은 전년 동기 대비 30.0%, 전 분기 대비 15.1% 증가했다. 영업이익은 각각 45.1%, 26.1% 증가했다. 실적 전망도 밝다. 회사가 제시한 다음 분기 실적 전망치는 매출액 77억~85억달러다. 중간값(81억달러) 기준으로 전 분기 대비 20% 증가한 규모다. 시장 예상치인 71억달러도 큰 폭으로 상회했다. 램리서치는 이번 실적발표에서 올해 반도체 전공정 장비 시장 규모를 기존 1400억달러에서 1500억달러 초반대로 상향했다. 2027년에 대해서도 "8~10개의 신규 반도체 공장이 가동되고, AI 관련 투자가 지속될 것"이라며 "업황이 매우 긍정적"이라고 내다봤다. 팀 아처 램리서치 최고경영자(CEO)는 "반도체 장비업계 입장에서는 내년에도 D램 분야가 가장 빠르게 성장하고, 그 다음 파운드리와 로직, 낸드 순으로 성장세가 나타날 것"이라고 말했다. 도쿄일렉트론도 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 회사는 지난달 30일(현지시간) 2027회계연도 1분기(4~6월) 실적발표를 통해 매출 7323억엔, 영업이익 2114억엔을 기록했다고 밝혔다. 도쿄일렉트론이 전망한 전공정 장비 시장 규모는 올해 1500억달러 이상, 내년 1900억달러 이상이다. 이전 전망치(2026~2027년 내 1500억~1700억달러) 대비 구체화 및 상향 조정됐다. 도쿄일렉트론은 "AI 인프라 투자를 위한 전공정 장비 지출액이 전체에서 50%를 초과하는 수준으로 성장하고 있다"며 "반도체 수요가 그래픽처리장치(GPU), 고대역폭메모리(HBM)만 아니라 범용 메모리와 중앙처리장치(CPU) 등으로 넓게 확산하고 있다"고 설명했다.

2026.08.01 14:00장경윤 기자

최태원 회장, SK하이닉스 지분 3620주 매수…기업가치 제고 의지

최태원 SK그룹 회장이 SK하이닉스 주식을 처음으로 직접 매입했다. 규모는 약 48억원 수준이다. 최근 AI 메모리 수요 폭증으로 SK하이닉스 실적이 급성장하고 있는 만큼, 회사의 기업가치 제고에 적극 나서려는 의지로 풀이된다. SK하이닉스는 30일 최대주주등소유주식변동신고서를 통해 최 SK회장이 SK하이닉스 주식 3620주를 장내매수했다고 밝혔다. 이날 SK하이닉스 주식은 종가 기준으로 131만8000원이다. 총 매수 규모는 47억7116만원으로 추산된다. 최 회장이 본인 명의로 SK하이닉스 지분을 확보한 것은 이번이 처음이다. 그간에는 계열사를 통한 간접 지배구조로 SK하이닉스를 경영해 왔다. 최 회장은 SK 지분 17.9%를 보유하고 있으며, SK가 SK스퀘어 지분을 약 32%, SK스퀘어가 SK하이닉스 지분을 20.5% 보유하는 구조로 돼 있다. 이번 공시는 SK하이닉스의 기업가치 제고를 위한 최 회장의 의지를 보여주는 행보로 풀이된다. 최 회장은 지난 17일 제주에서 열린 대한상의 하계포럼에서 "메모리는 앞으로도 계속 필요하기 때문에 시간을 두면 우상향으로 간다"며 "이런 종류의 주식을 투자하려면 샀다 팔았다 하지 마시고 그냥 가만히 갖고 계셔야 한다"고 말한 바 있다. 실제로 SK하이닉스는 올 2분기 매출 79조 3187억원, 영업이익 60조 5426억원으로 역대 최고 분기 실적을 기록한 바 있다. AI 인프라 투자로 D램·낸드 등 고부가 메모리 수요가 확대된 덕분으로, 회사는 내년 이후에도 AI 인프라 투자가 견조하게 지속될 것으로 보고 있다.

2026.07.30 19:24장경윤 기자

삼성전자 "메모리 부족 2028년까지 지속…60~70% 장기계약"

삼성전자가 생성형 인공지능(AI) 확산에 따른 메모리 반도체 공급 부족이 2028년까지 지속될 것으로 전망했다. 삼성전자는 장기공급계약(LTA) 비중을 전체 물량의 60~70%까지 대폭 늘려 사업 안정성을 확보하고, 파운드리와 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 등 선단 공정 중심의 실적 개선을 가속할 방침이다. 삼성전자는 30일 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "에이전틱 AI 확산과 토큰 소비량 급증으로 메모리 공급 부족이 내년에 더욱 심화되고 2028년까지 지속될 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 "업계 설비투자(CAPEX) 확대에도 불구하고 신규 팹 건설부터 웨이퍼 생산까지 3년 반이 넘는 긴 리드타임을 감안하면 증설을 통한 공급 확대는 한계가 있다"며 "올해 공급 부족으로 인한 미충족 수요가 내년으로 이연되면서 2027년에는 공급 부족이 올해보다 심화되고 2028년에도 부족 현상이 지속될 것으로 전망된다"고 말했다. 2028년까지 공급부족 지속… 캐파 70% 장기계약으로 묶는다 삼성전자는 메모리 부문에서 LTA 체결을 적극 추진하고 있다. 이번 LTA는 5년 단위 롤링 계약 방식을 적용한다. 현재 AWS, 마이크로소프트(MS) 등으로 추정되는 글로벌 상위 5대 하이퍼스케일러 고객사와 계약을 체결했다. 롤링 계약은 기본 5년 계약에 매년 물량을 재협상하는 방식이다. 삼성전자 목표는 전체 생산능력(CAPA)의 60~70%를 장기계약 물량으로 운영하는 것이다. 이미 계약을 맺은 LTA 중 4분의 1 물량에 대해서는 선수금을 받아 계약이행 구속력을 높였다. 이번 계약 구조에는 메모리 가격 급락 시 실적 하락을 방어할 수 있는 가격 하한선 조건을 포함했다. D램에 이어 낸드플래시 분야에서도 LTA 체결이 본격 시작됐다. 삼성전자는 "다년공급계약을 통해 중장기 수요 가시성을 확보했고 투자를 탄력적으로 진행할 수 있는 여건이 조성됐다"며 "과거 수급 사이클에 지나치게 영향을 받던 사업 구조를 보다 안정적이고 예측 가능한 방향으로 전환할 것"이라고 강조했다. HBM4 하반기 매출 비중 60% 돌파 HBM 사업에서는 최신 규격 HBM4 성과가 가시화되고 있다. 삼성전자는 HBM4의 주요 고객 평가가 대부분 마무리 단계에 접어들었고, 하반기 고객사의 램프업(증산) 일정에 맞춰 공급을 확대할 계획이다. 올해 3분기 HBM4 매출은 전 분기 대비 3배 이상 증가할 전망이다. 하반기 전체 HBM 매출에서 차지하는 비중도 60%를 넘어설 것으로 예상된다. 삼성전자는 "올해 하반기 중 전체 D램 시장 점유율과 동등한 수준의 HBM 시장 점유율을 확보하면서 균형 잡힌 D램 사업 포트폴리오를 실현할 수 있을 것으로 전망한다"고 설명했다. 선단 공정 가동률 '최대'… 2나노 수주 2배 확대 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부는 8nm(나노미터, 10억분의 1m) 이하 선단 공정 가동률이 최대 수준에 도달하며 가파른 회복세를 보이고 있다. 특히 차세대 2나노 공정 수주 건수가 전년비 2배 확대됐다. 현재 2나노 공정은 수율 안정화 작업이 진행 중이며, 주요 수주 고객은 대부분 AI 및 고성능컴퓨팅(HPC) 기업들이다. 최근에는 브로드컴 등 글로벌 대형 고객사들과 신규 프로젝트 논의에 착수했다. 삼성전자는 "8나노 이하 선단 공정은 고성장 수요 강세 제품 중심 판매 극대화를 통해 가동률이 최대 수준에 도달했다"며 "가동률과 수율 개선, 가격 인상 효과가 복합적으로 작용하며 전년비 큰 폭의 수익성 개선과 함께 가까운 시일 내 흑자 전환이 가능할 것"이라고 기대했다. 글로벌 생산 인프라 구축도 차질 없이 진행 중이다. 미국 테일러 팹1(Fab 1)은 계획대로 가동 준비를 진행하고 있다. 테일러 팹2(Fab 2)는 올해 말 착공 준비에 들어가 오는 2030년 양산이 목표다. 고객사의 1.4나노 공정 관련 수요 증가에 맞춰 추가 생산능력 확보 역시 검토하고 있다. 한편 이날 삼성전자는 2분기 연결기준 영업이익은 전년 동기 대비 1813% 증가한 89조 4924억원을 기록했다고 공시했다. 매출은 같은 기간 130% 오른 171조 4995억원을 달성했다. 매출과 영업이익 모두 역대 분기 최대 실적이다. 상반기 누적 매출은 305조원, 영업이익은 146조7000억원으로 집계됐다.

2026.07.30 12:14전화평 기자

PC 메인보드 제조사, 中 CXMT DDR5 메모리 지원 확대

에이수스, 기가바이트, MSI 등 PC용 메인보드를 주로 생산하는 대만계 메인보드 제조사가 중국 최대 D램 업체인 창신메모리(CXMT)의 DDR5 메모리 공식 지원을 확대하고 있다. 이들 업체는 최근 메인보드용 UEFI 펌웨어(바이오스) 업데이트를 통해 CXMT DDR5 모듈이 적용된 메모리의 호환성 강화에 나섰다. PC용 메인보드의 절대 다수를 차지하는 글로벌 제조사 3곳이 모두 CXMT 메모리를 공식 지원하면서 중국산 D램이 사실상 PC 생태계 주류에 편입되는 단계에 진입했다. 주요 메인보드 3사, CXMT 메모리 지원 확대 대만에 본사를 둔 제조사인 기가바이트는 최근 AMD 600·800 시리즈와 인텔 700·800 시리즈 메인보드에서 CXMT의 16Gb(2GB)/24Gb(3GB) 모듈 기반 DDR5 메모리 지원을 확대한다고 밝혔다. AMD 플랫폼은 라이젠 프로세서의 동작을 제어하는 펌웨어인 AGESA 1.3.0.1c 업데이트를 통해 지원되며 속도는 최대 8200MT/s(DDR5-8200)까지 지원한다. 인텔 코어 프로세서용 메인보드는 별도 업데이트 없이 기존 UEFI 펌웨어에서 CXMT 메모리를 지원한다. 기가바이트는 "이번 지원 확대를 통해 소비자들에게 새로운 메모리 공급원을 제공하고, 최근 이어지는 D램 공급 부족 문제를 완화하는 데 도움이 될 것"이라고 설명했다. 또다른 대형 제조사인 에이수스와 MSI 역시 CXMT DDR5 메모리에 대한 최적화와 공식 지원을 잇달아 발표한 바 있다. D램 빅3 HBM 집중... 빈틈 파고 드는 CXMT 그동안 글로벌 D램 시장은 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 이른바 '빅3'가 대부분을 점유해 왔다. 그러나 AI 서버 확산으로 HBM(고대역폭 메모리) 수요가 폭증하면서 주요 업체들이 생산능력을 HBM 중심으로 전환하고 있다. 그 결과 PC용 DDR5 공급은 상대적으로 빠듯해졌고 가격 역시 상승세를 이어가고 있다. 특히 대형 제조사 대비 가격 결정력이 상대적으로 미약한 개인 조립PC 시장에서는 수요 감소가 뚜렷하다. 이러한 상황에서 CXMT는 부족한 범용 D램 공급을 메우는 새로운 공급자로 주목받고 있다. 에이수스와 기가바이트, MSI 등은 "CXMT 메모리가 소비자들에게 환영받을 추가 공급원이 될 것"이라고 평가했다. 성능·안정성 향상... 모듈 제조사도 채용 확대 과거 중국산 메모리는 호환성과 안정성 측면에서 한계를 지적받았지만 최근에는 상황이 달라지고 있다. 기가바이트는 "AMD AM5 플랫폼에서 CXMT 기반 DDR5 메모리를 8200MT/s까지 안정적으로 구동했으며, 테스트 시스템에서는 약 65ns 수준의 메모리 지연시간을 기록했다"고 밝혔다. 생태계 확장도 빠르게 진행되고 있다. 현재 렉사를 비롯한 중국 메모리 모듈 업체들은 물론 일부 글로벌 브랜드 역시 중국 시장을 중심으로 CXMT 칩을 적용한 제품 출시를 검토하고 있다. D램 생산 역량 당분간 정체... CXMT 점유율 상승 가능성 ↑ 주요 D램 업체들은 신규 생산능력 확대를 위해 투자에 나서고 있지만 이것이 현실화되려면 빨라도 2028년 이후여야 한다. PC와 일반 서버 시장에서는 새로운 공급자의 역할이 더욱 중요해질 전망이다. 이러한 환경은 CXMT에게 시장 점유율 확대의 기회로 작용할 가능성이 크다. 또 메인보드 제조사의 공식 지원은 메모리 모듈 업체들의 CXMT 채택을 촉진하는 요인으로 작용할 가능성이 높다. 단 CXMT는 미국 정부의 대중국 반도체 규제와 지정학적 리스크에 영향을 받을 가능성이 있으며, 글로벌 시장 확대 과정에서 정치적 변수 역시 무시하기 어렵다. 또한 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 기술 경쟁력과 생산 규모에서 여전히 우위를 유지하고 있다는 점도 변함없는 사실이다.

2026.07.29 16:22권봉석 기자

'최대 실적' SK하이닉스, 중장기 메모리 수요 확신…장기공급·투자 확대 나선다

SK하이닉스가 분기 사상 최대 경영실적을 기록했다. 인공지능(AI) 인프라 투자에 따른 D램·낸드 제품 가격이 크게 증가한 덕분으로, 회사는 내년 이후에도 고부가 메모리 수요가 견조할 것으로 내다봤다. 이에 따라 고객사와 장기공급계약(LTA) 논의 및 설비투자 규모 확대를 적극 추진할 계획이다. 핵심 사업인 고대역폭메모리(HBM) 사업 역시 성장세를 자신했다. HBM4(6세대 HBM)은 올 2분기 양산 공급을 시작해, 현재 양산을 확대하고 있다. 양산 수율과 품질은 이전 세대 제품과 근접한 수준까지 올라온 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 2분기 매출 79조 3187억원, 영업이익 60조 5426억원, 순이익 93조 9226억원을 기록했다고 29일 밝혔다. 시장 컨센서스는 매출 83조 9400억원, 영업이익 63조 9900억원, 순이익 51조 5800억원이었다. 컨센서스 대비 매출과 영업이익은 하회했고, 순이익은 상회했다. 전년 동기보다 매출은 257%, 영업이익은 557% 증가했다. 전 분기 대비로는 각각 51%, 61% 증가했다. AI 서버용 고성능 제품이 가격 상승세를 주도하면서, 회사는 지난 분기에 기록한 역대 최고 실적을 다시 한번 넘어섰다. SK하이닉스는 "D램과 낸드 모두 전 분기에 이어 큰 폭의 가격 상승을 기록했다"며 "HBM과 AI 서버용 D램, eSSD 등 고부가가치 제품 중심으로 판매를 늘려 최고의 수익성을 창출했다"고 설명했다. 해당 분기 SK하이닉스의 메모리 평균판매가격(ASP)은 전 분기 대비 D램이 30%, 낸드가 50% 중반 상승했다. 빗그로스(출하량 증가율)은 전 분기 대비 D램이 한 자릿수 후반, 낸드가 10% 중반 상승했다. 고객사 10여곳과 LTA 체결…"내년 이후에도 AI 인프라 투자 견조" 중장기 수요 역시 견조할 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 올해 연간 D램 수요 빗그로스를 전년비 20% 중반 성장, 낸드는 10% 후반 성장할 것으로 예상했다. SK하이닉스는 이 같은 수요 전망을 바탕으로 고객들과 중장기 공급 안정성을 확보하기 위한 다년 계약 논의를 확대하고 있다. 핵심 고객을 포함해 10여개 고객과 장기공급계약(LTA) 협상을 마무리했고, 주요 고객들과 추가 논의도 이어가고 있다. SK하이닉스는 "LTA는 고객사 별로 구체적 조건은 다르나 통상 5년을 기본으로 하고 있다"며 "전체 매출에서 LTA가 차지하는 비중은 시장 환경 및 수요를 고려해 적정 수준에서 운영할 계획"이라고 설명했다. 최근 제기된 AI 인프라 투자 감소 가능성에 대해서도 "클라우드서비스제공자(CSP) 간 AI 경쟁과 서비스 확대가 이어지는 만큼, 내년 이후에도 AI 인프라 투자는 견조하게 지속될 것으로 보고 있다"고 밝혔다. HBM4 하반기 램프업…양산수율·품질, 전 세대 근접 HBM 사업은 올 하반기 본격 확대될 전망이다. SK하이닉스는 "HBM4는 주요 고객향으로 2분기부터 양산 공급을 시작했다. 지금은 안정적으로 램프업 중"이라며 "양산 수율과 품질이 성숙 단계에 진입한 이전 세대(HBM3E) 제품과 근접한 수준"이라고 밝혔다. 차세대 제품 HBM4E도 고객사에 샘플 공급을 마쳤다. 회사는 해당 제품에 기술 성숙도와 양산 안정성을 확보한 최적 공정을 적용해, 내년 본격 양산하는 것을 목표로 하고 있다. 하이브리드 본딩, iHBM 등 차세대 기술도 개발하고 있다. 하이브리드 본딩은 각 D램을 직접 연결해 HBM 성능을 높이는 차세대 본딩 기술이다. iHBM은 패키지 내부에 냉각 요소를 넣어, 열 저항을 기존 대비 30% 이상 낮출 수 있다. SK하이닉스는 "주요 고객들과 2027년 공급 물량 및 가격을 협의 중으로, 논의가 순조롭게 진행되고 있다"며 "향후에도 HBM 사업의 견조한 수익성을 유지하고, 제품 세대 전환과 고객가치 확대를 통해 AI 시장에서 고객사와 공동 성장할 수 있는 핵심 파트너로서 자리매김할 것"이라고 밝혔다. 올해 설비투자 40조원 후반…고객사 수요 적기 대응 SK하이닉스는 고부가 메모리 수요 확대에 따라 설비투자를 적극 집행할 계획이다. 회사가 예상하는 올해 연간 투자 규모는 40조원 후반 수준이다. 전년(30조 1730억원) 투자규모를 고려하면 최소 15조원 이상 증가하는 셈이다. SK하이닉스는 M15X 양산 일정을 앞당기는 한편, 내년 초 용인 1기 팹(Y1) 클린룸 오픈 이후 생산능력을 신속하게 확대할 수 있는 투자도 진행하고 있다. SK하이닉스는 이달 일부 주요 협력사를 대상으로 Y1 ph1에 도입할 장비 발주를 시작한 것으로 파악됐다. 내년 2월 시생산(원패스) 라인 구축을 시작하고, 곧바로 3~4월께 월 2만장 규모 생산능력 확대를 위한 본격적인 장비 셋업이 진행될 예정이다. 최근 발표한 첨단 패키징 공장 P&T7과 낸드 생산기지 M17, 신규 반도체 클러스터 조성 등 중장기 투자계획도 고객 수요와 투자 효율을 고려해 단계적으로 추진할 방침이다. SK하이닉스는 "중장기 성장 기회를 차질 없이 준비하는 동시에 설비투자 원칙을 유지함으로써, 생산능력과 재무 건전성을 함께 강화할 계획"이라고 설명했다.

2026.07.29 12:29장경윤 기자

SK하이닉스, 올해 설비투자 40조원 후반 예상…생산능력 확대 '고삐'

SK하이닉스가 올해 40조원 후반 수준의 시설투자를 단행한다. 전년 대비 10조원 이상 확대된 규모다. AI용 고부가 메모리 수요에 적기 대응하기 위한 전략으로, 올 하반기 용인 신규 팹에 투자가 집중될 전망이다. SK하이닉스는 29일 실적발표 자료를 통해 회사의 설비투자 및 고부가 메모리 사업 전략에 대해 밝혔다. SK하이닉스는 고부가 메모리 수요 확대에 따라 적극적인 설비투자를 진행할 계획이다. 회사가 예상하는 올해 연간 투자규모는 40조원 후반 수준이다. 전년(30조 1730억원) 투자규모를 고려하면 최소 15조원 이상 증가하는 셈이다. SK하이닉스는 M15X 양산 일정을 앞당기는 한편, 내년 초 용인 1기 팹 클린룸 오픈 이후 생산능력을 신속하게 확대할 수 있는 투자도 진행하고 있다. 최근 발표한 첨단 패키징 공장 P&T7과 낸드 생산기지 M17, 신규 반도체 클러스터 조성 등 중장기 투자 계획도 고객 수요와 투자 효율성 등을 고려해 단계적으로 추진할 방침이다. SK하이닉스는 "중장기 성장 기회를 차질 없이 준비하는 동시에 설비투자 원칙을 유지함으로써, 생산능력과 재무 건전성을 함께 강화해 나갈 계획"이라고 설명했다. 고부가 메모리 제품의 경우, 올 2분기 HBM4의 양산 출하를 시작했다. 하반기 생산을 본격 확대할 계획이다. 또한 상반기 샘플 공급을 마친 HBM4E는 기술 성숙도와 양산 안정성을 갖춘 최적의 공정을 적용했다. SK하이닉스는 "HBM 분야에서 우수한 품질과 높은 수율 기반의 안정적인 공급 능력, 원가 경쟁력과 업계 최고 수준의 성능을 포함한 종합 경쟁력을 바탕으로 리더십을 지속 이어간다는 방침"이라고 밝혔다. 소캠(SOCAMM)2는 2분기 들어 판매가 크게 늘었으며, 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 제품 공급도 본격화됐다. 낸드는 선단 공정 전환을 가속화해 고용량·고성능 제품 중심으로 포트폴리오를 강화한다. 321단 제품은 이미 전체 생산량에서 가장 큰 비중을 차지했으며, 연말까지 국내 생산능력의 50% 수준으로 확대할 계획이다.

2026.07.29 08:51장경윤 기자

SK하이닉스, 2분기 영업익 60.5조 '사상 최대'…이익률 76%

SK하이닉스가 인공지능(AI) 메모리 수요 확대로 분기 사상 최대 실적을 경신했다. D램과 낸드 모두 큰 폭의 가격 상승이 이어지면서, 영업이익률도 76%로 최고치를 기록했다. SK하이닉스는 메모리 수요 성장세가 지속될 것으로 보고, 고객들과 중장기 공급 안정성을 확보하기 위한 다년 계약을 적극 논의 중이다. 현재 핵심 고객을 포함해 10여개 고객과 장기공급계약(LTA) 협상을 마무리했다. SK하이닉스는 2분기 매출 79조 3187억원, 영업이익 60조 5426억원, 순이익 93조 9226억원을 기록했다고 29일 밝혔다. 시장 컨센서스는 매출 83조 9400억원, 영업이익 63조 9900억원, 순이익 51조 5800억원이었다. 컨센서스 대비 매출과 영업이익은 하회했고, 순이익은 상회했다. 전년 동기보다 매출은 257%, 영업이익은 557% 증가했다. 전 분기 대비로는 각각 51%, 61% 증가했다. AI 서버용 고성능 제품이 가격 상승세를 주도하면서, 회사는 지난 분기에 기록한 역대 최고 실적을 다시 한번 넘어섰다. 이로써 상반기 누적 매출은 131조 8950억원대으로 사상 처음으로 100조원대를 넘어섰다. 같은 기간 누적 영업이익은 98조 1529억원을 기록했다. SK하이닉스는 "D램과 낸드 모두 전 분기에 이어 큰 폭의 가격 상승을 기록했다"며 "고대역폭메모리(HBM)와 AI 서버용 D램, eSSD 등 고부가가치 제품 중심으로 판매를 늘려 최고의 수익성을 창출했다"고 설명했다. 2분기 말 회사 현금성 자산은 전 분기 말 대비 33조6000억원 늘어난 88조원을 기록했다. 반면 차입금은 7000억원 줄어든 18조6000억원에 그치며 순현금은 69조4000억원으로 늘었다. 회사는 사상 최대 수준으로 확대된 이익과 현금 창출력을 바탕으로 재무 여력도 크게 강화됐다고 평가했다. SK하이닉스는 AI가 사용자를 대신해 복잡한 업무를 수행하는 에이전트 형태로 진화하고 다양한 서비스로 확산됨에 따라 메모리 수요 기반이 넓어지고 있다고 설명했다. 이에 따라 AI 메모리와 일반 메모리 수요가 함께 확대되는 구조적 변화가 나타나고 있다고 분석했다. 주요 빅테크 기업들의 AI 인프라 투자가 확대되면서 추가 공급 요청도 잇따르고 있다. 회사는 이러한 투자가 AI 서비스에서 창출한 수익을 기반으로 이뤄지고 있는 만큼, 메모리 수요 성장세가 지속될 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 이 같은 수요 전망을 바탕으로 고객들과 중장기 공급 안정성을 확보하기 위한 다년 계약 논의를 확대하고 있다. 핵심 고객을 포함해 10여개 고객과 장기공급계약 협상을 마무리했고, 주요 고객들과 추가 논의도 이어가고 있다. 이를 통해 회사 운영 효율을 높이고, 중장기 사업 안정성과 지속 가능한 성장 기반을 한층 강화하겠다는 방침이다. 또한 AI 모델 고도화로 메모리 경쟁력 범위가 시스템 아키텍처와 패키징으로 확대되고 있어, SK하이닉스는 폭넓은 제품 포트폴리오와 고객과 공동개발 역량을 바탕으로 시스템 관점의 메모리 혁신을 주도할 계획이다.

2026.07.29 08:12장경윤 기자

삼성전자, 화성 '엔드팹' 가동 준비…D램 출하량 확대 탄력

삼성전자가 최첨단 D램 생산능력 확대를 위해 라인을 재편한다. 최근 화성 내 구형 낸드 팹 가동 중단 및 설비 이전 작업을 마무리했다. 이르면 올 하반기부터 D램 출하량 확대에 기여할 것으로 전망된다. 28일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 화성 12라인의 '엔드팹(End-fab)' 운영을 위한 준비 단계에 돌입했다. 화성 12라인은 기존 2D 낸드를 양산해 온 팹이다. 2D 낸드는 업계 내 비주류에 속하는 구형 메모리로, 삼성전자의 경우 올해 내 제품 출하를 중단키로 한 바 있다. 이에 맞춰 화성 12라인도 지난해 중반께 전환 투자가 결정됐다. 삼성전자는 해당 라인을 화성 15라인의 백엔드(BEOL:Back-End Of Line) 공정용으로 활용할 계획이다. 화성 15라인은 1b(5세대 10나노급)·1c(6세대 10나노급) D램 등 업계 최첨단 D램 양산을 맡고 있다. 라인 전환은 지난해 하반기부터 진행돼, 이달 작업이 마무리된 것으로 알려졌다. 이르면 하반기부터 백엔드 공정 수행이 가능할 것으로 전망된다. 반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자가 화성 12라인 내 설비 전환 작업을 순차적으로 진행해, 이달 2D 낸드 생산능력이 완전히 제로(0)가 됐다"며 "이달 EOL(End of Life: 생산중단)에 들어갔으므로, 올 하반기 15라인과 연계해 활용할 수 있을 것"이라고 설명했다. 이번 화성 12라인 전환으로 삼성전자의 D램 생산량 확대에 속도가 붙을 전망이다. 기존 화성 12라인은 월 10만장 수준의 2D 낸드 생산능력을 갖췄던 곳으로, 엔드팹 전환 시 D램 생산능력 증가에 큰 도움이 될 것이라는 기대가 나온다. 백엔드 공정은 트랜지스터 등 이미 형성된 소자를 금속 배선으로 연결하는 공정이다. 전공정 중 가장 후반 작업에 해당된다. 통상 백엔드 공정은 이전 공정들에 비해 처리 시간이 길어, 별도로 생산라인 마련 시 전체 전공정 내 병목현상을 완화할 수 있다. 현재 반도체 업계에서 최첨단 D램은 극심한 공급난에 시달리고 있다. 글로벌 빅테크의 인공지능(AI) 인프라 투자로 서버용 D램, 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리 수요가 급증했기 때문이다. 근래에는 엣지 AI 산업 발달로 전력효율이 높은 LPDDR도 수요가 커졌다.

2026.07.28 09:33장경윤 기자

K-메모리가 신중한 3D IC…中 CXMT, 틈새 전략 속도

AI 반도체 성능을 높이는 방식이 미세공정 경쟁에서 칩을 수직으로 쌓는 적층 기술 경쟁으로 옮겨가고 있다. 로직과 메모리를 하나의 패키지로 구현하는 3D IC가 차세대 AI 반도체 기술로 주목받으면서다. 엔비디아 중심의 범용 AI 칩뿐 아니라 주문형반도체(ASIC), 추론용 AI 칩 수요가 늘면서 고객별 요구에 맞춰 메모리와 로직을 통합하려는 움직임도 확산되고 있다. 24일 반도체 업계에 따르면 최근 글로벌 팹리스와 AI 반도체 업체들은 3D IC 적용 가능성을 적극 검토하고 있다. 특히 삼성전자 파운드리에는 관련 문의가 이어지고 있는 것으로 알려졌다. 한 팹리스 업계 관계자는 "삼성전자 파운드리에 3D IC 관련 문의를 하면 '요즘 오는 고객들은 모두 3D IC를 묻는다'는 이야기를 들을 정도"라며 "AI 칩 차별화 수요가 맞물리면서 관심이 빠르게 커지고 있다"고 말했다. 다만 업계에서는 최근 주목받는 3D IC 시장이 기존 D램 산업과는 사업 구조부터 다르다고 입을 모은다. 특히 D램 기반 3D IC는 고객 요구에 맞춰 메모리를 설계하는 커스텀 D램 성격이 강해 표준 제품을 대량 생산하는 기존 메모리 사업과는 결이 다르다는 설명이다. 반도체 업계 관계자는 "3D D램은 결국 커스터마이즈 D램이라고 보면 된다"며 "고객마다 원하는 메모리 구성과 적층 방식이 달라 표준 제품을 대량 생산하는 사업과는 성격이 다르다"고 설명했다. 이어 "삼성전자와 SK하이닉스는 표준 D램을 대량 생산하는 것이 핵심 사업 모델"이라며 "특정 고객만을 위한 커스터마이즈 D램을 만드는 것은 수지타산이 맞기 어려울 것"이라고 분석했다. 실제 업계에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 3D IC 관련 선행 연구는 이어가겠지만, 본격적인 사업화에는 신중한 행보를 보일 것으로 전망한다. 연구개발이나 신사업 차원의 검토는 가능하지만, 사업부 전체가 움직이는 수준까지 확대되기는 쉽지 않을 것이라는 게 업계의 중론이다. 이 때문에 업계에서는 대규모 양산보다 틈새 시장을 노리는 후발 메모리 업체들이 3D IC 시장을 먼저 공략할 가능성이 높다고 보고 있다. 대표적인 사례가 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)다. 미국의 대중 반도체 규제로 고대역폭메모리(HBM) 시장 진입이 쉽지 않은 CXMT는 차세대 AI 메모리 기술 가운데 하나로 3D IC 역량 확보에 힘을 쏟고 있는 것으로 알려졌다. 범용 D램 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스를 정면으로 추격하기보다 고객 맞춤형 메모리 시장을 공략하는 전략을 택했다는 분석이다. 반도체 업계 관계자는 "중국은 이미 글로벌보다 먼저 3D D램 샘플칩이 다수 나왔고 저희도 관련 프로젝트를 여러 건 진행하고 있다"며 "향후에는 CXMT나 윈본드처럼 니치 마켓을 노리는 업체들이 먼저 시장을 형성할 가능성이 크다"고 말했다.

2026.07.24 15:07전화평 기자

SK하이닉스, 또 쌓는다...온디바이스 AI용 '3D 적층 D램' 개발 시동

SK하이닉스가 온디바이스AI향 차세대 D램으로 평가되는 3D 적층(Stacked) D램 개발에 속도를 낸다. 최근 미국 고객사와 협력해 관련 기술을 공동 설계할 인재 채용을 시작한 것으로 파악됐다. 3D 적층 D램-온(on)-로직(Logic) 설계는 로직 반도체(시스템 반도체) 위에 메모리를 직접 쌓아올리는 차세대 반도체 기술이다. 생성형 AI 이후 피지컬 AI 시대 온디바이스 방식의 엣지 AI 기기의 핵심 반도체로 작동할 것으로 기대된다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 미국 산호세에 위치한 미주 법인을 통해 3D 적층(Stacked) D램-온(on)-로직(Logic) 설계 엔지니어를 채용하고 있다. SK하이닉스가 3D 적층 D램 분야의 전문 인력을 채용하는 것은 이번이 처음이다. 해당 기술이 온디바이스 AI 영역에서 차세대 메모리반도체로 주목받고 있는 만큼, 선제적으로 상용화 준비에 나서려는 것으로 풀이된다. 특히 SK하이닉스는 이미 특정 고객사와 해당 기술 적용을 위한 협력 관계를 맺은 것으로 파악된다. 회사는 이번 채용 공고에서 "미국 고객사와 긴밀히 협력해 3D 적층 D램 로직(logic) 다이 공동 설계를 주도할 수 있는 인재를 찾고 있다"며 "변화하는 기술 요구사항과 시장 수요에 부합하는 다이 설계 솔루션을 제공하는 것이 목표"라고 설명했다. 세부적으로 SK하이닉스는 3D 적층 D램-온-로직 디자인 설계를 담당할 인력을 모집한다. 3D 적층 D램-온-로직은 시스템반도체 위에 D램을 수직으로 직접 쌓아 올리는 최첨단 적층 기술이다. 단순히 두 칩을 위아래로 배치하는 PoP(패키지-온-패키지)보다 칩 간 연결 거리를 크게 줄일 수 있으며, 동일한 면적에서 더 많은 데이터 전송통로(I/O)를 구현할 수 있다. 덕분에 데이터 전송 지연을 줄이고 전력 효율과 공간 활용도를 높일 수 있다. SK하이닉스의 설명에 따르면 해당 기술은 주로 온디바이스 AI 시장을 타겟으로 개발되고 있다. 온디바이스 AI는 높은 메모리 대역폭과 저전력 특성을 동시에 요구하기 때문에 PoP 구조로는 성능 구현에 한계가 있다는 지적이 제기돼 왔다. 가장 유망한 적용처로는 모바일 AP(어플리케이션 프로세서) 등이 거론된다. 모바일 AP는 스마트폰의 두뇌 역할을 담당하는 시스템반도체로, 기기 내 온디바이스 AI 구현을 위해 가장 최첨단 파운드리 및 패키징 공정을 채용하는 분야다. 애플과 퀄컴 등이 대표적인 설계 기업이다. 이와 관련 안현 개발총괄 사장은 지난 4월 열린 'TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026'에서 "메모리와 로직 기술의 통합은 기존 구조의 한계를 뛰어넘어 AI 성능을 극대화할 기술적 돌파구"라며 "커스텀 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 고대역폭플래시(HBF), 3D 적층 D램-온-로직에 이르기까지 고객의 다양한 워크로드에 최적화된 솔루션을 제공할 것"이라고 밝힌 바 있다.

2026.07.24 11:03장경윤 기자

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