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'CoolGaN 600V e-모드 HEMT'통합검색 결과 입니다. (7건)

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로옴, 고내압 GaN 소자용 절연 게이트 드라이버 IC 양산 돌입

로옴(ROHM) 주식회사는 600V 클래스의 고내압 GaN HEMT 구동에 최적인 절연 게이트 드라이버 IC 'BM6GD11BFJ-LB'를 개발했다고 15일 밝혔다. GaN 디바이스와 본 제품을 조합해 사용하면, GaN 디바이스의 고주파·고속 스위칭 시 안정적인 구동을 실현해 모터 및 서버 전원 등 대전류 어플리케이션의 소형화와 고효율화에 기여한다. 신제품은 로옴 최초의 고내압 GaN HEMT용 절연 게이트 드라이버 IC다. 급격한 전압 상승 및 강하를 반복하는 스위칭 동작 시 디바이스와 제어 회로를 분리해, 안전한 신호 전달을 실현한다. 독자적으로 개발한 온칩(on-chip) 절연 기술을 사용함으로써 기생 용량을 저감하고, 최대 2MHz의 고주파 구동을 실현했다. GaN 디바이스의 고속 스위칭 성능을 최대화시켜 어플리케이션의 저전력화와 고성능화에 기여할 뿐만 아니라, 주변부품을 소형화할 수 있어 실장 면적 삭감으로도 이어진다. 또한 절연 게이트 드라이버 IC의 노이즈 내성을 나타내는 공통 모드 과도 내압 (CMTI)은 기존품 대비 1.5배에 해당하는 150V/ns로, GaN HEMT 스위칭 시 우려되는 높은 슬루율(slew rate)에서의 오동작을 방지해 안정적인 제어를 서포트한다. 최소 펄스 폭은 기존품 대비 33% 축소, ON 시간은 최소 65ns로 단축했다. 이에 따라 고주파화 시에도 최소 Duty 비를 확보할 수 있어, 손실 저감을 최소한으로 억제할 수 있다. GaN 디바이스의 게이트 구동 전압 범위는 4.5V~6.0V, 절연 내압은 2500Vrms로, 로옴의 EcoGaN™ 시리즈의 새로운 라인업인 650V 내압 GaN HEMT 'GNP2070TD-Z'를 비롯해, 다양한 고내압 GaN 디바이스의 성능을 최대화시킬 수 있다. 출력 측의 소비전류는 0.5mA (최대)로 업계 최고 수준의 저소비전력 성능을 달성해 대기전력도 삭감할 수 있다.

2025.05.15 13:30장경윤

로옴, 무라타제작소 AI 서버용 전원에 'EcoGaN' 공급

로옴은 'EcoGaN' 제품인 650V 내압, TOLL 패키지 GaN HEMT가 일본 무라타 제작소 그룹인 무라타 파워 솔루션의 AI(인공지능) 서버용 전원에 채용됐다고 13일 밝혔다. 저손실 동작 및 고속 스위칭 성능을 실현한 로옴의 GaN HEMT는 무라타 파워 솔루션의 5.5kW 출력 AI 서버용 전원 유닛에 탑재돼, 전원의 고효율 동작과 소형화에 기여한다. 해당 전원 유닛은 2025년부터 양산을 개시할 예정이다. EcoGaN은 GaN의 성능을 최대화함으로써 어플리케이션의 저소비전력화와 주변 부품의 소형화, 설계 공수와 부품수 삭감을 동시에 실현하여 저전력·소형화에 기여하는 로옴의 GaN 디바이스다. 최근 AI(인공지능) 및 AR(증강현실) 등 IoT 분야의 진화에 따라 전 세계적으로 데이터 통신량이 증대하고 있다. 특히 AI에 의한 1회의 답변에 사용되는 전력 소비량은 통상적인 인터넷 검색의 수배에 해당한다고 알려져 있으며, 이러한 작업을 처리하는 고속 연산 디바이스 등에 전력을 공급하는 AI 서버용 전원에도 조속한 효율 개선이 요구되고 있다. 이러한 상황에서 낮은 ON 저항 및 고속 스위칭 성능을 특징으로 하는 GaN 디바이스는 전원의 고효율 동작 및 전원 회로에서 사용되는 인덕터 등 주변부품의 소형화에 기여할 수 있으므로 주목받고 있다. 로옴은 "EcoGaN이 전원의 글로벌 리더인 무라타 파워 솔루션의 AI 서버용 전원 유닛에 탑재돼 매우 기쁘게 생각한다"며 "이번에 탑재된 GaN HEMT는 업계 최고 수준의 스위칭 성능과 고방열 TOLL 패키지를 채용한 제품으로, 무라타 파워 솔루션의 전원 유닛에 있어서 고밀도화와 고효율화 실현에 기여한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "일렉트로닉스를 통해 사회에 기여하고자 하는 동일한 경영 비전을 가진 무라타 제작소와 향후 협업을 지속함으로써 전원의 소형화, 고효율화를 추진하여 인류의 풍요로운 생활에 기여할 수 있을 것으로 기대한다"고 덧붙였다.

2025.02.13 09:07장경윤

인피니언, GaN 전력 디스크리트 신제품 출시

인피니언테크놀로지스가 새로운 고전압 디스크리트 제품군인 'CoolGaN' 트랜지스터 650V G5를 출시했다고 10일 밝혔다. 이 새로운 제품군은 USB-C 어댑터 및 충전기, 조명, TV, 데이터 센터, 통신용 정류기 등 컨슈머 및 산업용 SMPS(switched-mode power supply) 뿐만 아니라 신재생 에너지 및 가전제품의 모터 드라이브에도 적합하다. 최신 CoolGaN 세대는 CoolGaN 트랜지스터 600V G1의 드롭인 교체용으로 설계돼 기존 플랫폼을 빠르게 재설계할 수 있도록 지원한다. 또한 향상된 FoM(figures of merit)을 제공해 주요 애플리케이션에서 경쟁력 있는 스위칭 성능을 보장한다. 주요 경쟁 제품 및 인피니언의 이전 제품군에 비해 CoolGaN 트랜지스터 650V G5는 출력 커패시턴스에 저장된 에너지(Eoss)가 최대 50퍼센트 낮다. 드레인-소스 전하(Qoss)는 최대 60퍼센트 향상됐으며, 게이트 전하(Qg)는 최대 60퍼센트 더 낮다. 이러한 기능이 결합돼 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 애플리케이션 모두에서 탁월한 효율을 제공한다. 기존 실리콘 기술에 비해 전력 손실이 특정 사용 사례에 따라 20~60 %까지 크게 감소한다. 여러 이점으로 디바이스는 전력 손실을 최소화하면서 고주파수에서 동작할 수 있어 전력 밀도가 우수하다. CoolGaN 트랜지스터 650V G5를 사용하면 SMPS 애플리케이션을 더 작고 가볍게 만들거나 주어진 폼팩터에서 출력 전력 범위를 늘릴 수 있다. 새로운 고전압 트랜지스터 제품군은 다양한 RDS(on) 패키지 조합을 제공한다. 10개의 RDS(on) 클래스가 ThinPAK 5x6, DFN 8x8, TOLL 및 TOLT와 같은 다양한 SMD 패키지로 제공된다. 모든 제품은 오스트리아 빌라흐와 말레이시아 쿨림의 고성능 8인치 생산 라인에서 제조되며, 향후 CoolGaN은 12인치 생산으로 전환될 예정이다. 인피니언은 "이를 통해 인피니언은 2029년까지 20억 달러에 달할 것으로 전망되는 GaN 전력 시장에서 CoolGaN 용량을 더욱 확장하고 강력한 공급망을 확보할 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.12.10 09:21장경윤

인피니언, CoolGaN 700V 전력 트랜지스터 제품군 출시

인피니언테크놀로지스는 새로운 CoolGaN 트랜지스터 700V G4 제품군을 출시한다고 밝혔다. 이 제품군은 최대 700V의 전압 범위를 가지고 있어 전력 변환에 매우 효율적이다. 시중에 출시된 GaN 제품 대비 입력 및 출력 FoM(figures-of-merit)이 20% 우수한 성능을 제공해 전력 손실을 줄였다. 전기적 특성과 패키징의 조합으로 컨슈머 충전기, 노트북 어댑터, 데이터센터 전원장치, 신재생 에너지 인버터, 배터리 스토리지 등 다양한 애플리케이션 시장을 겨냥한 제품이다. 이 제품 시리즈는 정격 전압이 700V이고 온-저항 범위가 20mΩ ~ 315mΩ인 13개의 디바이스로 구성됐다. 디바이스 사양이 세분화되고 PDFN, TOLL 및 TOLT를 포함한 다양한 산업 표준 패키지 옵션이 제공되므로 애플리케이션 요구 사항에 따라 RDS 저항과 패키지를 선택할 수 있다. 또 빠른 턴온 및 턴오프 속도와 스위칭 손실 최소화가 특징이다. 온 저항 범위는 20W~25,000W의 전력 시스템을 지원한다. 850V의 트랜지언트 전압을 가진 700V E-모드는 사용자 환경에서 발생하는 전압 피크와 같은 이상 현상에 대한 견고성을 높여 전체 시스템의 신뢰성을 높인다. 인피니언은 TOLL, PDFN 5x6 및 8x8 패키지의 CoolGaN 트랜지스터 700V G4 제품은 공급을 시작했다. 올해 말 더 다양한 RDS(on) 및 TOLT 패키지를 출시할 예정이다.

2024.07.01 11:03이나리

SK키파운드리, 차세대 전력반도체 GaN 소자 특성 확보...연내 개발 완료

8인치 파운드리 기업 SK키파운드리는 차세대 전력반도체 GaN(질화갈륨)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발을 완료할 계획이라고 19일 밝혔다. 앞서 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 지난 2022년 정식 팀을 구성한 바 있다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어, 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. SK키파운드리는 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아, 실리콘 기반 제품 대비 방열 기구의 비용을 감소시킨다. 이 같은 장점 덕분에 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 다양한 제품 개발에 활용될 것으로 기대된다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 고객에게 프로모션을 적극 진행한다는 방침이다. 또한 회사는 650V GaN HEMT를 기반으로, 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며 "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다. 한편 시장조사기관 옴디아에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억 달러에서 2032년 64억 달러까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망된다.

2024.06.19 09:07장경윤

인피니언, 8인치 공정 기반 'CoolGaN 트랜지스터' 출시

인피니언테크놀로지스는 고전압 및 중전압 CoolGaN 신제품 2종을 출시한다고 밝혔다. 두 제품군은 쿨림(말레이시아)과 필라흐(오스트리아) 공장에서 고성능 8인치 인하우스 파운드리 공정으로 제조된다. 이 제품은 다양한 애플리케이션에서 40V부터 700V에 이르는 갈륨 나이트라이드(GaN) 디바이스를 사용할 수 있다. 새로운 650V G5 제품군은 컨슈머, 데이터 센터, 산업용, 태양광 등의 애플리케이션에 적합하다. 이들 제품은 인피니언의 차세대 GIT(gate injection transistor) 기반 고전압 제품이다. 중전압 G3 디바이스로 60V, 80V, 100V, 120V CoolGaN 트랜지스터와 40V 양방향 스위치(BDS) 제품을 포함한다. 중전압 G3 제품은 모터 드라이브, 텔레콤, 데이터 센터, 태양광, 컨슈머 애플리케이션에 적합하다. CoolGaN 650V G5는 올해 4분기에 공급을 시작하고, 중전압 CoolGaN G3는 올해 3분기에 공급을 시작한다. 샘플은 현재 공급하고 있다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 디바이스 시장은 향후 5년간 연평균 46%성장하는 시장이다. 인피니언은 GaN 디바이스 시장에서 공급을 강화한다는 목표다.

2024.06.04 14:40이나리

로옴, 델타 AC 어댑터에 '650V GaN 제품' 공급

로옴(ROHM)이 자사의 'EcoGaN' 650V GaN(질화갈륨) 제품을 대만 델타일렉트로닉스의 브랜드 이너지(Innergie)의 45W 출력 AC 어댑터 'C4 Duo'에 채용됐다고 27일 밝혔다. 로옴이 이번 델타에 공급한 제품 모델명은 'GNP1150TCA-Z'다. 델타 측은 "로옴과의 협력 체제를 지속적으로 강화함으로써 한층 더 고출력, 고기능의 AC 어댑터를 제공할 수 있을 것으로 믿고 있다"고 밝혔다. 로옴은 GaN을 탑재한 기기를 'EcoGaN'이라는 브랜드로 전개하고 있다. 높은 잠재력을 지녔으나, 취급이 어려운 GaN의 완벽한 활용에 주목해 제품 개발과 솔루션 제공을 추진하고 있다. 디스크리트 제품으로는 2022년에 150V 내압 GaN HEMT의 양산을 개시했으며, 2023년에는 업계 최고 수준의 디바이스 성능을 실현한 650V 내압 GaN HEMT를 양산했다. 이번에 650V 내압 제품인 'GNP1150TCA-Z'에 내장된 ESD 보호 소자를 통해 정전 파괴 내량을 GaN HEMT 일반품 대비 약 75% 향상시켰다는 점에서, 어플리케이션의 고신뢰화로 연결될 수 있을 것으로 평가받고 있다.

2024.02.27 13:43장경윤

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