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'CXMT'통합검색 결과 입니다. (16건)

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中 CXMT, DDR5 시장서 급성장…연말 점유율 7% 전망

중국 CXMT(창신메모리테크놀로지)가 지난해에 이어 올해에도 D램 출하량을 크게 늘릴 계획이다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 기업들이 선점해 온 DDR5·LPDDR5 시장에서도 점유율을 빠르게 늘려나갈 것으로 관측된다. 20일 카운터포인트리서치에 따르면 올해 중국 CXMT의 D램 출하량 점유율은 1분기 6%에서 연말 8%까지 확대될 전망이다. 지난 2016년 설립된 CXMT는 중국 최대 D램 제조업체다. 현지 정부의 전폭적인 지원 하에 생산능력을 확대하는 추세로, 올해 생산능력은 전년 대비 50% 가까이 증가한 월 30만장에 이를 것으로 예상된다. 특히 CXMT는 최근 DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙) 메모리에서 벗어나, DDR5· LPDDR5 등 선단 메모리로의 전환을 가속화하고 있다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "CXMT의 성장세는 출하량에서도 나타나는데, 1분기 1%도 채 되지 않는 DDR5 및 LPDDR5 시장 점유율이 4분기에는 7~9%까지 상승할 것"이라고 말했다. 다만 CXMT는 최선단 D램 제조에 필요한 HKMG(High-k Metal Gate) 공정에서 어려움을 겪고 있다. HKMG 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해, 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 기술이다. 최 연구원은 "따라서 CXMT의 차세대 D램은 1b(5세대 10나노급) 대비 상대적으로 공정 난이도가 낮은 1a(4세대) 기반으로 제조될 가능성이 커지고 있다"며 "그러나 CXMT는 '3D D램' 혁신에 중점을 두고, 지속적인 증설이 예상되므로 중국의 성장세를 주목해야 한다"고 밝혔다.

2025.06.20 11:20장경윤

"中 CXMT, 2027년 HBM3E 출시 목표"...美 장비 수출 제한 변수

중국 D램 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 기술 개발에 박차를 가하고 있다. 대만 매체 디지타임스는 CXMT가 2027년 HBM3E(5세대) 시장 진입을 노린다고 18일 보도했다. 회사는 2025년 내 HBM3 샘플을 출시하고, 2026년에는 양산 체제를 구축한 후 HBM3E로 진입할 계획이다. 다만 미국 상무부의 첨단 장비 수출 제한이 변수가 될 전망이다. 고도화된 EUV, 식각장비, TSV(실리콘관통전극) 공정 등이 타깃이 되면서 CXMT와 중국 전체가 여전히 장비 확보에 어려움을 겪고 있다. 한편, CXMT는 DDR4 생산을 조만간 종료하고 DDR5, HBM 등 고부가 제품을 강화한다. DDR4는 2026년 중반 이후 점진적으로 생산을 끝낼 계획이다. DDR5의 경우 생산 비중을 연내 전체 D램의 60% 이상으로 확대하겠다는 목표다. 하지만 기술적인 난관도 존재한다. CXMT DDR5 샘플 일부는 고온(60°C) 조건에서 불안정성을 보였으며, 수율 또한 업계 기준에 비해 낮은 수준으로 평가된다. 반면, 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM3E 개발을 한층 앞서 진행 중이다. SK하이닉스는 HBM3E 관련 설비를 확대해 인증을 준비하고 있으며, 삼성전자는 엔비디아 인증 절차 중 일부에서 지연을 겪기도 했지만 재도전 중이다.

2025.06.18 16:20전화평

中 DUV 공정 고도화…국내 부품업계도 매출 확대 '수혜'

중국 메모리·파운드리 업계가 DUV(심자외선) 공정을 지속적으로 고도화하고 있다. 이에 따라 에프에스티, 에스앤에스텍 등 국내 주요 반도체 부품업계도 지난해 중국향 매출이 확대되는 수혜를 입은 것으로 관측된다. 25일 업계에 따르면 중국 반도체 기업들은 국내 DUV 공정용 부품을 적극 주문하고 있다. DUV는 반도체에 회로를 새기는 노광 공정에 활용되는 광원이다. 반도체 업계 전반에서 가장 널리 활용되는 소재로, 특히 중국 반도체 기업들은 DUV 기반의 공정 고도화 및 생산능력 확대에 주력하고 있다. 미국의 수출 규제로 EUV(극자외선)와 같은 첨단 공정에 접근할 수 없다는 점이 주요 배경으로 꼽힌다. 일례로 중국 최대 D램 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 올해 초 'G5' 공정을 통해 16나노급 DDR5 상용화에 성공했다. 이전 세대인 G4(18나노급) 대비 선폭을 크게 줄였다. 또한 CXMT는 D램 생산능력을 지난 2022년 월 7만장 수준에서 지난해 월 20만장까지 끌어올린 것으로 알려졌다. 올해에도 중국 상하이 지역에 신규 공장을 설립할 계획이다. 신규 공장의 최대 생산능력은 월 10만장 정도로 추산된다. 중국 주요 파운드리 SMIC 역시 지난해 연 매출이 80억3천만 달러(한화 약 11조6천억원)로 전년 대비 27% 급증한 바 있다. 이 회사는 DUV 공정만으로 화웨이의 7나노 시스템반도체 양산하는 등, 기술력을 빠르게 끌어 올렸다는 평가를 받고 있다. 이에 따라 국내 관련 반도체 부품업계도 최근까지 중국향 매출 비중이 확대되는 등의 효과를 거뒀다. 에프에스티는 최근 공시를 통해 지난해 연매출 약 2천374억원, 영업이익 23억원을 기록했다고 밝혔다. 전년 대비 매출은 20% 증가했으며, 영업손익은 흑자전환했다. 주력 사업인 DUV 펠리클(반도체 마스크를 보호하는 얇은 막) 및 칠러 장비 매출이 증가한 데 따른 영향이다. 에프에스티 관계자는 "중국 내에서 DUV 공정 수요가 증가하고 있고, 제품군이 다양화되면서 펠리클에 대한 주문도 더 늘어나고 있다"며 "구체적으로 언급할 수는 없으나 시장이 확대되고 있는 건 사실"이라고 밝혔다. 국내 또 다른 부품기업 에스앤에스텍도 중국향 DUV 블랭크마스크(반도체에 회로를 새기는 마스크의 본 판) 매출이 지속 견조한 것으로 관측된다. 이 회사는 지난해 중국 고객사들로부터 로우·미들엔드급 DUV 블랭크마스크 물량을 선제적으로 수주 받았다. 이에 특정 제품의 경우 가격을 50% 이상 인상하기로 한 바 있다. 이에 따라 에스앤에스텍은 올 3분기까지 블랭크마스크 누적 수출액을 601억원 기록했다. 지난해 연간 수출액인 620억원과 맞먹는 규모다.

2025.02.25 15:29장경윤

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

새해 엔비디아 선점할 승자는...삼성·SK 'HBM4' 양산 준비 박차

한국 경제가 대통령 탄핵정국과 트럼프 2기 정부 출범을 앞두고 을사년 새해를 맞게 됐습니다. 비상 계엄 해제 이후에도 환율과 증시가 출렁이는 불확실성 속에 우리 기업들이 새해 사업과 투자 전략을 짜기가 더욱 어려워졌습니다. 정책 혼돈과 시시각각 변화는 글로벌 경제 환경에 어떻게 대처해야 하는지 지디넷코리아가 각 산업 분야별 새해 전망을 준비했습니다. [편집자주] 메모리반도체 시장이 2025년 을사년 새해에도 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 세계반도체무역통계기구(WSTS)가 최근 발간한 보고서에 따르면, 전 세계 메모리 시장 규모는 올해 1천670억 달러(약 238조원)에서 내년 1천894억 달러(약 270조원)로 13.4%의 성장세가 예상된다. 다만 제품별 상황은 '극과 극'으로 나뉠 전망이다. 먼저 AI 데이터센터에 필요한 HBM(고대역폭메모리), 고용량 eSSD(기업용 SSD) 등 부가가치가 큰 첨단 메모리 제품은 내년에도 수요가 견조한 분위기다. 해당 제품은 국내 삼성전자·SK하이닉스가 주도하는 시장이기도 하다. 반면 범용 메모리, 특히 레거시 제품의 공급 과잉은 심화되는 추세다. 올 4분기 들어 이들 제품의 가격은 이미 하락세로 접어든 바 있다. IT 수요가 여전히 부진하고, 중국 후발주자들의 공격적인 사업 확대 등이 위기 요소로 다가오고 있다. ■ 내년도 답은 AI…삼성·SK, HBM4 준비 박차 이러한 상황에서 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 돌파구는 HBM 등 AI 메모리가 될 것으로 관측된다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4(6세대 HBM) 양산을 위한 준비에 나서고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM인 HBM3E(5세대)의 뒤를 이을 제품이다. 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 시리즈 등에 탑재될 예정이다. 삼성전자의 HBM4에는 10나노급 6세대 D램인 1c D램을 기반으로 한다. 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론이 HBM4에 5세대 D램인 1b D램을 채용한다는 점을 고려하면 한 세대 앞선다. 차세대 HBM 시장에서의 경쟁력 확보를 위해, 성능을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이 깔려 있다. 이를 위해 삼성전자는 올 연말부터 평택 P4에 1c D램용 양산 라인을 설치하기 위한 투자를 진행하고 있다. 관련 협력사들과 구체적인 장비 공급을 논의한 상황으로, 이르면 내년 중반에 라인 구축이 마무리될 것으로 전망된다. 동시에 삼성전자는 HBM3E(5세대 HBM)의 회로를 일부 수정해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 그간 삼성전자는 엔비디아와 HBM3E 8단 및 12단에 대한 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔으나, 성능 등의 문제로 대량 양산 공급에 이르지는 못했다. SK하이닉스는 올 4분기 HBM4의 '테이프아웃'을 목표로 연구개발을 지속해 왔다. 테이프아웃은 연구소에서 진행되던 칩 설계를 완료하고 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 제품의 양산 단계 진입을 위한 주요 과정이다. SK하이닉스는 HBM4에 HBM3E와 마찬가지로 1b D램을 적용한다. 제품의 안정성 및 수율에 무게를 둔 선택이다. 때문에 업계는 SK하이닉스가 경쟁사 대비 HBM4를 순탄하게 개발할 수 있을 것으로 보고 있다. 현재 SK하이닉스의 1b D램 투자는 이천 M16 팹을 중심으로 이뤄지고 있다. 기존 레거시 D램 생산라인을 1b D램용으로 전환하는 방식으로, 내년까지 생산능력을 최대 월 14~15만장 수준으로 끌어올릴 것으로 알려졌다. ■ 범용 메모리 공급 과잉 우려…中 추격, 삼성 HBM 등이 관건 최선단 D램은 주요 메모리 기업들의 HBM 출하량 확대에 따른 여파로 내년에도 견조한 흐름을 보이겠지만, 범용 레거시 D램 시장은 공급과잉이 지속될 것으로 전망된다. 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. PC를 비롯한 IT 수요가 부진하다는 증거다. 여기에 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등도 레거시 D램의 출하량 확대를 꾀하고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 웨이퍼 투입량 기준 D램 생산능력을 올해 말까지 월 20만장 수준으로 끌어올릴 계획이다. 내년에도 중국 상하이 팹에 최소 월 3만장 수준의 설비투자를 진행하기로 했다. 다만 CXMT가 미칠 파급력이 제한적이라는 분석도 제기된다. CXMT의 수율이 비교적 낮은 수준이고, 생산 제품이 18~16나노미터(nm)급의 DDR4·LPDDR4 등에 집중돼 있기 때문이다. 한편 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 12단 공급 여부가 범용 D램에 영향을 미칠 수 있다는 의견도 제기된다. 미즈호증권은 최근 리포트를 통해 "엔비디아향 HBM3E 12단 공급이 계속 지연되는 경우, 삼성전자는 HBM에 할당된 D램 생산량을 범용 제품으로 전환할 것"이라며 "이에 따라 D램 공급이 증가해 내년 상반기 D램 가격 하락이 가속화될 것으로 예상된다"고 밝혔다. ■ 낸드 투자, QLC 중심으로 신중하게 접근 낸드 시장 역시 AI 데이터센터 분야로 수요가 몰리는 추세다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠에 따르면 비트(Bit) 기준 전체 낸드 수요에서 데이터센터가 차지하는 비중은 2023년 18%에서 내년 28%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 고용량 데이터를 처리해야 하는 데이터센터용으로는 QLC(쿼드레벨셀) 낸드가 각광을 받고 있다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장한다. 2비트를 저장하는 MLC나 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량을 높이는 데 유리하다. 이에 삼성전자는 지난 9월 업계 최초의 V9 QLC 낸드 양산에 돌입했다. 낸드는 세대를 거듭할수록 더 높은 단을 쌓는다. V9는 280단대로 추정된다. SK하이닉스 역시 최근 QLC 기반의 61TB(테라바이트) SSD를 개발했다. PCIe 5세대 적용으로 데이터 전송 속도를 최대 32GT/s로 구현했으며, 순차 읽기 속도를 4세대 적용 제품 대비 2배 향상시킨 것이 특징이다. SK하이닉스는 해당 신제품의 샘플을 곧 글로벌 서버 제조사에 공급해 제품 평가를 진행할 계획이다. 또한 내년 3분기에는 제품군을 122TB로 확대하고, 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반의 244TB 제품도 개발에 들어가기로 했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스는 내년 낸드용 설비투자에 매우 보수적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 경우 당초 낸드 생산라인으로 계획했던 P4 페이즈1 라인을 낸드·D램 혼용 양산라인으로 전환했다. 라인명 역시 P4F(플래시)에서 P4H(하이브리드)로 변경됐다. 이에 따라 당초 예상 대비 낸드용 신규 설비투자 규모가 축소될 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 새해 낸드에 대한 신규 투자를 진행할 가능성이 낮은 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스의 설비투자가 HBM 및 최선단 D램에 집중돼 있고, 낸드 설비를 들일 만한 여유 공간도 많지 않다"며 "신규보다는 기존 설비를 활용한 전환 투자에 무게를 둘 것"이라고 설명했다.

2024.12.22 09:50장경윤

中 CXMT 'DDR5' 개발 파급력은…전문가 "수율 80% 수준 가능"

최근 중국 주요 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 최첨단 D램 영역인 DDR5를 독자 개발한 정황이 포착됐다. 그간 중국이 DDR4 이하의 레거시 D램만을 양산해 왔다는 점을 감안하면, 기술의 발전 속도가 업계 예상을 뛰어넘는 것으로 관측된다. 메모리 업계 전문가 역시 "실제 중국이 DDR5 개발에 성공했다면 메모리 시장에 미칠 파급력을 주시할 필요가 있다"며 "CXMT가 DDR5 개발에 활용한 공정 수율은 80% 정도로 상당히 성숙돼 있다"고 진단했다. 19일 업계에 따르면 중국 킹뱅크, 글로웨이 등은 온라인 전자상거래 플랫폼을 통해 32GB(기가바이트) DDR5 D램의 판매를 개시했다. DDR5에 첫 '중국산' 명시…CXMT 유력 두 제조사는 해당 D램의 상품 설명에 '국산 DDR5'라는 문구를 붙였다. 구체적인 제조사를 명시하지는 않았으나, 업계에서는 해당 제품을 CXMT가 제조했을 것으로 보고 있다. 지난 2016년 설립된 CXMT는 중국 정부의 전폭적인 지원으로 성장한 현지 최대 D램 제조업체다. 기술력 및 생산능력 모두 중국 내에서 최고로 평가받는다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X(저전력 모바일 D램 규격)로, 지난해 11월에는 자국 최초의 LPDDR5를 공개하기도 했다. DDR5는 국내 삼성전자·SK하이닉스와 미국 마이크론 등 소수의 D램 제조업체만이 양산할 수 있는 첨단의 영역으로 인식돼 왔다. 만약 CXMT가 DDR5를 성공적으로 양산하는 경우, 메모리 시장에 미칠 파장은 꽤나 클 것으로 관측된다. 실제로 레거시 D램인 DDR4·LPDDR4 등은 중국 업체들의 공격적인 출하량 확대로 가격 하락 압박을 받고 있다. 반면 일각에서는 중국산 메모리에 대한 우려가 너무 과도하다는 해석도 제기된다. 중국 기업들이 생산능력을 적극 확대하는 데 비해 아직까지 수율이 낮고, 향후 미국의 추가 규제로 최첨단 D램 개발에 난항을 겪게 될 것이라는 게 주요 근거다. "G3 공정 적용됐을 것…수율 80% 가능" 이와 관련, 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 "곧 해당 DDR5에 대한 분석을 진행할 예정"이라며 "시장에 미칠 파급력에 대해 주시할 필요는 있어 보인다"고 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 오타와에 위치한 반도체 전문 분석기관이다. 지난해 화웨이가 출시한 플래그십 스마트폰 '메이트 60 프로'에 탑재된 AP(어플리케이션프로세서)를 분석해 중국 파운드리 SMIC가 제조했다는 사실을 밝혀내기도 했다. 최 박사는 이곳에서 시니어 테크니컬 펠로우 직책을 맡고 있는 반도체 업계 전문가다. 최 박사는 "CXMT가 외부에 DDR5 개발 계획을 공식적으로 밝히지는 않았으나, G3 공정(선폭 17.5나노)로 DDR5 개발을 진행했던 것으로 안다. LPDDR5에도 G3 공정이 적용됐다"며 "이미 DDR4는 G1(22나노)로 상용화에 성공했고, LPDDR4X는 G1과 G3 두 공정 제품의 기반으로 생산 중"이라고 설명했다. CXMT가 얼마나 안정적인 수율로 DDR5를 양산할 수 있는지도 삼성전자·SK하이닉스 등 업계가 주목하는 사안이다. 현재 CXMT는 업계 예상 대비 높은 수율을 주장하고 있는 것으로 전해진다. 최 박사는 "이미 CXMT가 더 진보된 G5 공정을 개발하고 있는 상황에서, G3 공정은 상당히 성숙(matured) 돼 있다"며 "CXMT의 G1 및 G3 공정은 80% 정도의 수율에 도달한 것으로 알고 있다"고 밝혔다. 최 박사는 이어 "해당 DDR5이 정말 CXMT의 제품일 경우, 시중에서 가장 많이 유통되고 있는 제품이 32GB이기 때문에 중국 내에서 만큼은 상당히 큰 영향이 있을 것"이라며 "D램 모듈의 종류도 다양하기 때문에 앞으로 주시할 필요가 있어 보인다"고 덧붙였다.

2024.12.19 16:29장경윤

中, 첨단 D램 DDR5 온라인 출시...양산 성공?

중국이 첨단 D램으로 분류되는 더블데이터레이트(DDR)5를 국산화한 것으로 알려져 주목된다. 중국 최대 메모리 반도체 회사 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 개발한 것으로 보인다. DDR은 정보를 읽고 쓰는 데 특화된 고사양 D램이다. 뒤에 붙는 숫자가 클수록 정보를 빠르게 처리한다. DDR5는 이전 세대 DDR4보다 정보 처리 속도가 2배 빠르다. 18일(현지시간) 중국 정보통신 매체 IT홈에 따르면 중국 저장장치 업체 킹뱅크와 글로웨이는 전날 32기가바이트(㎇) 용량 DDR5를 내놨다. 16㎇ 2개가 한 묶음이다. 예약 구매 가격은 499위안(약 9만9천원)이다. 이들 업체는 메모리 반도체 회사로부터 D램을 사서 컴퓨터(PC)나 서버에 꽂을 수 있게 조립해 판다. 이들 업체는 '중국산 DDR5 칩'이라고 제품을 소개했다. 상품 설명서에는 창신메모리가 칩을 만들었다고 쓰였다. IT홈은 중국 기술 경쟁력이 또 한 번 도약했다고 강조했다. 이 제품 성능이 아직 강력하지 않더라도 중국산 첨단 D램이 나왔다는 사실 자체가 중국 반도체 기술이 역사적으로 전진했다는 뜻이라고 평가했다. DDR5는 2020년 SK하이닉스가 세계에서 처음으로 출시했다. 삼성전자는 2021년 처음 들고 나왔다. 중국이 3~4년 만에 따라온 셈이다.

2024.12.19 15:24유혜진

삼성·SK, 연말 메모리 부진 불안감...마이크론 실적에 '눈길'

미국 주요 메모리 기업 마이크론의 실적 발표가 임박했다. 최근 메모리 시장이 레거시 제품을 중심으로 공급 과잉 우려가 심화된 가운데, 마이크론이 어떠한 전망을 내놓을 지 업계의 귀추가 주목된다. 미국 마이크론은 오는 19일 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표를 진행할 예정이다. 앞서 마이크론은 지난 6~8월 77억 5천만 달러의 매출로 '어닝 서프라이즈'를 기록한 바 있다. 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 93% 증가한 수치다. 마이크론은 이번 분기에도 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 영향으로 매출 성장세가 이어질 것으로 예상하고 있다. 회사가 제시한 이번 분기 매출 전망치 중간값은 87억 달러로, 전년동기 대비 84% 높다. 마이크론은 전분기 실적발표 당시 "회계연도 기준 HBM 시장은 2023년 40억 달러에서 2025년 250억 달러로 성장할 것"이라며 "HBM 비중 증가와 차세대 낸드 공정 전환 등으로 내년 메모리 업계의 공급 수요 균형은 건전할 것"이라고 밝혔다. 다만 최근 반도체 업계에서는 메모리 시장에 대한 불확실성이 더욱 커졌다는 우려를 제기하고 있다. 인공지능(AI)을 제외한 범용 메모리의 수요 부진이 지속되고 있고, CXMT·YMTC 등 중국 후발주자들이 생산량을 공격적으로 확대하고 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 제품의 고정거래가격은 지난 9월 말 전월 대비 17.07% 하락한 데 이어, 지난달 말에도 20.59% 하락한 바 있다. 낸드 가격 역시 9월부터 3개월 연속 두 자릿수로 하락했다. 이러한 상황에서 마이크론의 이번 실적 발표 및 전망은 국내 메모리 업계의 향후 실적을 가늠하는 주요 지표로 활용될 전망이다. 현재 증권가에서는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업의 목표 주가를 하향 조정하는 추세다. NH투자증권은 삼성전자의 목표 주가를 기존 9만 원에서 7만5천원으로 16.67% 하향했다. 예상보다 가파르게 하락하는 레거시 반도체 가격과 중국 메모리 기업의 추격, HBM 비중 등을 반영했다. JP모건은 최근 삼성전자의 목표주가를 8만3천원에서 6만원으로 낮췄다. 투자 의견도 '중립'으로 하향했다. SK하이닉스에 대한 목표주가도 26만 원에서 21만 원으로 낮췄다.

2024.12.15 06:58장경윤

韓 반도체 장비업계, 대중국 수출 규제에도 "기회 요소 충분"

미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위가 갈수록 높아지고 있다. 이에 따라 우리나라도 내년부터 중국 기업에 대한 반도체 장비 규제 대상에 포함될 예정이다. 다만 국내 반도체 장비기업들은 일부 최첨단 분야를 제외하면 영향은 적을 것으로 관측된다. 또한 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 규제 제외에 따른 단기적 수혜도 예상된다. 3일 업계에 따르면 국내 반도체 장비기업은 미국의 신규 대중(對中) 반도체 수출 규제에 따른 영향을 면밀히 파악하고 있다. 불확실성 높아지지만…"세부사항 따라 영향 無" 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 국내 반도체 장비업계도 이번 미국의 결정을 예의주시하고 있다. 미국이 중국에 대한 반도체 장비 규제 대상국가에 한국, 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만을 포함했기 때문이다. 구체적으로 미국은 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴을 규제품에 명시했다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 사실상 주요 공정 대부분이 포함됐다. 반도체 업계 고위 관계자는 "이번 미국의 규제는 HBM과 HBM의 근간이 되는 D램용 전공정 분야에 특히 초점이 맞춰져 있다"며 "국내 투자가 위축된 상황에서 중국으로 활로를 찾았던 국내 장비업계로서는 사업에 대한 불확실성이 높아질 수 있다"고 설명했다. 다만 반도체 장비업계는 규제에 따른 여파를 면밀히 살펴봐야 한다는 입장이다. 미국의 규제가 공정 전반을 다루고는 있으나, 대체로 첨단 반도체 제조에만 국한돼 있기 때문이다. 중국 반도체 기업들은 국내 장비 협력사로부터 주로 레거시 반도체 제조용 장비를 수급하고 있다. 일례로 미국은 계측 장비에 대한 규제로 "21나노미터(nm) 이하의 결함을 검사할 수 있는 장비"라는 기준을 제시했다. 넥스틴 등 국내 기업이 상용화한 제품은 30나노급으로 계측이 가능해, 규제 기준에 포함되지 않는다. 21나노 급은 계측장비 업계 1위인 미국 KLA의 제품 중에서도 하이엔드급만 성능을 충족하는 것으로 알려져 있다. CXMT 규제 제외…내년도 수혜 지속 오히려 이번 미국의 대중 반도체 수출 규제에 안도의 한숨을 내쉰 기업들도 있다. 미국이 중국 내 반도체 및 제조장비 140여곳을 '우려거래자(Entity List)'에 포함시켰으나, CXMT는 명단에서 제외했기 때문이다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 레거시 제품의 생산능력을 지난해 월 12만장에서 올해 월 20만장으로 확장하고 있다. 이를 위해 국내 복수의 반도체 전공정, 인프라 장비업체로부터 설비를 발주해 왔다. 나아가 CXMT는 내년에도 중국 상하이 지역에 신규 공장을 건설할 계획이다. 최근 국내 장비업계와 구체적인 장비 도입을 논의한 것으로 파악됐다. 구체적인 설비 공급 시기나 규모는 각 장비업체마다 다르지만, CXMT는 신규 공장을 통해 최대 월 10만장 규모의 생산능력을 확충할 것으로 관측된다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 주요 고객사들이 투자에 소극적으로 나서면서 중국 시장의 비중이 커진 협력사들이 여럿 있다"며 "CXMT가 규제 명단에 올라가지 않으면서 국내 기업들도 장비를 지속 공급할 수 있게 됐다는 기대감이 나오고 있다"고 설명했다. 中 내재화 빨라질수도…장기적으론 '악재' 다만 중국 장비 기업의 기술 자립화가 빨라지고 있다는 점은 국내 반도체 장비업계의 장기적 악재로 지목된다. 현재 중국에는 중웨이반도체(AMEC), 나우라(Naura) 등이 첨단 반도체 제조장비 개발에 열을 올리고 있다. 식각 공정에 강점을 둔 AMEC는 대만 주요 파운드리 TSMC에 5나노 공정용 건식 식각장비를 공급했으며, 나우라 역시 14나노급 식각장비 개발에 성공한 바 있다. 이들 기업은 현지 정부의 지원과 탄탄한 내수 시장을 바탕으로 급격한 성장세를 기록해 왔다. 특히 미국의 규제를 의식해, 기술력 향상에 온 힘을 쏟고있다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "아직 성과가 나오려면 시간이 걸리는 분야도 있지만, 중국 반도체 장비기업들은 반도체 공정 전 분야에 걸쳐 기술 내재화를 적극 추진하고 있다"며 "장비 업계에서도 중장기적으로는 중국향 매출이 점차 줄어들 것으로 예측하는 곳이 많다"고 밝혔다.

2024.12.04 16:21장경윤

美 규제 비껴간 中 CXMT, 내년 신규 팹 증설…삼성·SK에 위협

중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 미국의 새로운 대중(對中) 반도체 수출 규제 여파를 비껴갔다. 이에 따라 중국의 레거시 D램 생산능력은 지속적으로 확대될 것으로 보여, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업에게는 일부 악영향을 끼칠 것으로 분석된다. 실제로 CXMT는 내년에도 신규 D램 제조공장을 건설할 계획이다. 이를 위해 최근 협력사들과 구체적인 장비 공급 논의를 진행 중인 것으로 파악됐다. 3일 업계에 따르면 CXMT는 내년 중국 상하이 지역에 신규 팹을 마련해 D램 생산능력을 확대할 계획이다. CXMT는 지난 2016년 설립된 중국 주요 D램 제조업체다. 중국 정부의 막대한 지원 하에 기술력과 생산능력을 빠르게 끌어올렸다는 평가를 받고 있다. CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 생산품목이 18~16나노미터(nm)급의 레거시 D램에 집중돼있기는 하나, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업에게도 수익성 악화를 초래할 수 있을 정도의 규모로 분석된다. CXMT의 적극적인 투자 기조는 내년에도 지속될 것으로 관측된다. 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 내년 초부터 시행되는 이번 규제로 중국 내 반도체 및 제조장비 140여 곳이 미국의 강력한 수출규제를 받는 '우려거래자(Entity List)'에 포함됐다. 다만 CXMT는 업계의 예상과 달리 명단에서 제외됐다. 삼성증권은 관련 리포트를 통해 "미국이 원론적으로 CXMT의 저가 D램 기술이 국가 안보를 위협할 만한 수준은 아니라고 판단했을 것"이라며 "2~3년 뒤 1a(14나노급) D램이나 HBM(고대역폭메모리)를 생산하기 시작하면 규제 대상에 오를 수 있으나, 당장 내년에는 규제가 없을 가능성이 높아 (우리나라 등)메모리 경쟁사에 위협으로 느껴질 수 있다"고 설명했다. 실제로 CXMT는 내년 중국 상하이 지역에 신규 D램 제조공장을 설립할 계획이다. 올 4분기 관련 협력사들과 구체적인 설비 도입 논의를 시작한 상황으로, 내년 상반기부터 본격적인 설비투자에 나설 것으로 파악됐다. 현재 업계가 추산하는 CXMT 신규 D램 공장의 생산능력은 월 최대 10만장이다. 기존 생산능력을 고려하면 중장기적으로 최대 월 30만장의 생산능력을 확보하게 되는 셈이다. 반도체 업계 관계자는 "CXMT가 올해에 이어 내년에도 D램 생산능력 확장에 적극적인 모습을 보이고 있다"며 "다만 삼성전자와 SK하이닉스는 1a D램 이상의 고부가 제품 전환에 집중하고 있어, 국내 메모리 시장에 미칠 악영향은 우려 대비 축소될 수 있다"고 말했다.

2024.12.03 15:01장경윤

주성 등 반도체 장비업계 3Q 실적 선방…中서 활로 찾아

국내 반도체 전공정 장비업계가 올 3분기 예상보다 견조한 실적을 기록한 것으로 나타났다. 국내 주요 고객사의 투자 지연 및 축소, HBM(고대역폭메모리)용 후공정 투자 집중 등으로 업황이 부진하지만 중국 등 대체 시장을 적극 공략한 데 따른 효과로 풀이된다. 20일 업계에 따르면 피에스케이, 주성엔지니어링, 테스 등은 중국향 장비 공급 확대로 3분기 매출 및 수익성이 개선됐다. 올해 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 제조업체들은 IT 시장의 전반적인 부진, 불확실성 확대 등으로 투자에 보수적인 기조를 보이고 있다. 신규 설비 투자보다는 비용 효율성이 높은 전환투자에 집중하고 있으며, 최선단 D램과 HBM 등 특정 분야에 투자 쏠림 현상이 심화되는 추세다. 특히 삼성전자의 경우, 당초 계획했던 미국 테일러 파운드리 신규 팹에 대한 투자 계획이 일시적으로 보류된 상태다. 국내 제4 평택캠퍼스(P4)도 계획이 지속적으로 조정되고 있다. 파운드리 라인에 대한 투자를 보류했으며, 낸드 전용 라인은 D램을 함께 생산하는 '하이브리드' 라인으로 전향했다. 이에 국내 반도체 전공정 장비업계는 중국 등 대체 시장에서 활로를 찾고 있다. 피에스케이는 올 3분기 매출 1천180억원, 영업이익 291억원을 기록했다. 전년동기 대비 각각 25.6%, 14.4% 늘었다. 영업이익은 증권가 컨센서스(254억원)도 크게 상회했다. 남궁현 신한투자증권 연구원은 "피에스케이의 국내 매출 비중은 29%로, 이전 대비 3%p 축소된 것으로 분석된다"며 "대신 중화권 중심의 해외 고객사 수요가 증가하면서 수익성이 개선됐을 것"이라고 밝혔다. 주성엔지니어링은 올 3분기 매출 1천472억원, 영업이익 522억원을 기록했다. 전년동기 대비 매출은 71%, 영업이익은 744% 늘었다. 이민희 BNK투자증권 연구원은 "주성엔지니어링의 반도체 분야 매출은 942억원으로 수익성이 높은 중국 수출 비중이 이번 분기에도 4분의 3가량을 차지했다"며 "이에 수익성이 호조세를 보였다"고 설명했다. 테스는 올 3분기 매출 507억원, 영업이익 40억원을 기록했다. 증권가 컨센서스(매출 467억원, 영업이익 35억원)를 소폭 상회했다. 국내 주요 고객사의 장비 입고 일정 지연으로 전분기 대비 실적이 감소하기는 했으나, 지난해 말 확보한 중국 신규 고객사향 매출 확대가 본격화된 데 따른 영향으로 풀이된다. 실제로 중국 CXMT 등 메모리 기업들은 올해까지 범용 메모리 생산능력 확대를 위한 적극적인 투자를 진행해 왔다. CXMT 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 크게 성장할 전망이다. 반도체 장비업계 관계자는 "올해 중국 기업들의 적극적인 설비투자로 국내 전공정 장비 기업 중 상당수가 수익성을 확보할 수 있었다"며 "다만 내년에는 국내 기업들의 밀렸던 투자가 재개되고, 중국 메모리 기업들의 투자 속도가 줄어들면서 다시 비중이 조정될 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.11.20 12:53장경윤

내년 D램 비트 생산량 25% 증가…"메모리 업계 전략 잘 짜야"

용량을 기준으로 한 내년 전 세계 D램 공급량 증가율이 25%에 달할 전망이다. 중국 후발주자들의 생산량 확대, AI 산업 발전에 따른 HBM(고대역폭메모리) 수요 증가가 주요 원인으로 지목된다. 다만 중국 기업 및 HBM용을 제외한 D램 용량 증가율은 크지 않을 것으로 보여, D램 제조업체들은 각 산업에 따라 신중한 공급 전략을 짜야 할 것으로 분석된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 내년 전 세계 D램 비트(bit) 생산량은 전년대비 25% 증가할 것으로 전망된다. 이는 올해 증가 예상치인 17%보다 8%p 높다. 이 같은 추세는 중국 기업들의 급격한 설비투자 확대, HBM 등 고부가 제품 수요 증가에 따른 효과다. 특히 HBM 사업에 중점을 두고 있는 SK하이닉스가 내년 비트 생산량을 가장 크게 늘릴 것으로 예상된다. 이에 따라 트렌드포스는 D램 공급업체들이 내년 D램 견조한 수익성 유지를 위해 생산량 확대에 신중히 접근해야 한다고 내다봤다. D램 가격 상승세가 올 4분기 약화되고, D램 시장의 구조가 점차 복잡해지고 있기 때문이다. 실제로 내년 전망치에서 중국 기업들을 제외하면, D램 비트 생산량 증가율은 21%로 낮아진다. HBM에 공급되는 물량까지 배제하면 증가율은 15%로 더 떨어진다. 이는 역사적 추세에서 비교적 낮은 수준에 해당된다. 이에 각 D램 제조업체들은 DDR4·LPDDR4와 같은 레거시 제품과, DDR5·LPDR5X와 같은 첨단 제품 생산에 있어 보다 면밀한 전략을 펼칠 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "내년 D램 공급이 풍부할 것으로 예상됨에 따라 가격 하락에 대한 압박이 있을 수 있다"며 "레거시 D램은 중국 기업들을 중심으로 공급이 증가할 것으로 예상되는 반면, HBM은 내년에도 공급이 촉박할 것"이라고 설명했다.

2024.11.07 10:37장경윤

中 D램 물량 공세 심상치 않다…삼성·SK도 동향 파악 '분주'

창신메모리(CXMT) 등 중국 메모리 업체가 공격적인 생산능력과 생산량 확대에 나서고 있어 예의주시되고 있다. 레거시 D램 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 이들의 동향 파악에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 5일 업계에 따르면 중국 메모리 기업의 급격한 생산능력 확대에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 레거시 D램 사업에 수익성 저하가 우려되고 있다. 현재 중국은 레거시 D램을 중심으로 생산능력을 확대하는 추세다. 중국 주요 D램 제조업체로는 창신메모리(CXMT), 푸젠진화반도체(JHICC) 등이 있다. 특히 CXMT는 2016년 설립된 이래로 중국 정부의 지원 하에 현지 최대 D램 제조업체로 성장했다. 최근에는 HBM(고대역폭메모리) 양산 준비에도 나서고 있다. 업계 및 증권가가 추산하는 CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4 등이다. 현재 양산되는 최선단 D램이 12나노 공정 기반의 DDR5·LPDDR5X 등임을 고려하면 성숙(레거시) 제품에 해당한다. 그럼에도 업계는 CXMT의 생산능력 확대에 상당한 관심을 기울이고 있다. CXMT가 당초 예상보다 D램 공급을 공격적으로 전개하면서, 국내 레거시 메모리 매출 및 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 16Gb(기가비트) 기준 DDR4 현물 가격은 지난해 하반기 3달러 선에서 올해 상반기 3.5달러까지 오른 뒤, 올 하반기 3.3달러 선으로 하락했다. DDR5의 경우 지난해 10월 4.2달러 선에서 올 상반기 4.5달러를 넘겨, 올 하반기에는 5달러에 근접한 수준이다. 이에 따라 DDR4 대비 DDR5에 붙은 가격 프리미엄도 지난달 말 기준 53.9%로 6개월 전인 36.9% 대비 크게 증가했다. 노무라증권은 최근 보고서를 통해 "중국 업체들의 급격한 생산 확대로 메모리 업계가 수익성에 훨씬 더 부정적인 영향을 받을 것으로 예상돼, 이에 대한 대비가 필요한 상황"이라며 "특히 CXMT는 막대한 설비 투자로 이미 월 16만 개의 생산능력을 확보하고 있으며, 이는 전체 D램 시장에서 웨이퍼 기준 약 10%, 비트(bit) 기준 약 5%에 해당하는 수치"라고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 소자업체는 12나노 수준의 DDR5 등 최선단 D램으로의 전환 투자를 서두르고 있다. 동시에 중국 메모리 업계의 투자 동향 파악에도 적극적으로 나서는 분위기다. 국내 반도체 업계 관계자는 "올해 CXMT으로부터 상당한 양의 제품 수주를 확정지은 상황"이라며 "국내 메모리 업체에서도 CXMT의 투자 동향에 깊은 관심을 가지고 있어, 최근 관련된 문의가 왔다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "올해 CXMT와 YMTC 등 중국 메모리 기업들의 설비투자가 매우 활발하다"며 "특히 CXMT의 경우 올 상반기까지 중국 베이징 팹에 당초 업계 예상을 뛰어넘는 규모의 설비를 도입했다"고 밝혔다. 한편 중국 메모리 업계의 급격한 생산능력 확대는 미국의 반도체 수출 규제에 따른 영향이 크다는 분석이다. 앞서 미국 정부는 지난 2022년 10월 자국의 반도체 장비 및 기술이 중국으로 유입되는 것을 사실상 금지하는 규제안을 시행했다. 범위는 18나노미터(nm) 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노 이하 시스템반도체 등이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 중국 반도체 기업들은 미국 규제 강화를 우려해 설비투자를 서둘러 진행하려는 추세"라며 "미국 대선 등 향후 다가올 영향을 가늠하기 힘들어 중장기적인 로드맵보다는 단기적인 투자에 집중하고 있다"고 설명했다.

2024.09.05 10:04장경윤

中 CXMT, 1~2년 앞당겨 HBM2 대량 생산...자립화에 속도

중국 대표 메모리 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 2세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM2' 대량 양산을 시작했다. CXMT HBM2의 수율은 아직 불확실하지만, 예상 일정보다 1~2년 앞당겨 양산을 시작했다는 점에서 주목된다. 대만 디지타임스에 따르면 CXMT가 최근 HBM2 대량 양산을 시작했다고 밝혔다. 앞서 올해 초 닛케이아시아는 CXMT가 HBM을 만드는 데 필요한 장비들을 확보하기 시작했다고 보도한 바 있다. 일반적으로 장비 도입 후 적절한 수율로 대량 생산을 시작하는 데 최소 1년에서 2년이 걸린다. CXMT는 미국과 일본 업체의 반도체 장비를 주문해 공급 받았다. 어플라이드머티어리얼즈와 램리서치 등은 중국에 수출하기 위해 미국 정부의 수출 허가를 받기도 했다. CXMT이 HBM 개발에 속도를 내는 것은 최근 미국이 대(對) 중국 수출규제에 HBM을 추가를 검토하자 HBM 자급 속도를 높이는 것으로 보인다. 중국 화웨이의 어센트 910 시리즈 프로세서에는 HBM2가 탑재될 전망이다. HBM 제조는 복잡한 공정이 필요하다. HBM은 일반적으로 생산하는 상용 D램 보다 크면서 기본 다이를 만들고 조립하는 것이 어렵다. CXMT가 생산한 HBM2는 핀당 데이터 전송 속도가 약 2GT/s~3.2GT/s로 알려졌다. 또 TSV(실리콘 관통전극) 기술을 통해 메모리를 수직으로 연결했다. CXMT의 HBM 기술은 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론보다 뒤처져 있다. SK하이닉스는 올해 상반기 HBM3E 8단 제품 양산을 시작했고, 올해 3분기 중으로 HBM3E 12단 양산에 돌입하고 4분기에 고객사에 공급한다. 삼성전자 또한 HBM3 양산을 시작했고, 고객사에 HBM3E 8단 및 12단 샘플을 공급한데 이어 올해 하반기 중으로 양산에 들어갈 계획이다. 또 양사는 내년 하반기 HBM4 양산도 시작한다.

2024.08.06 15:02이나리

中, HBM 자립화 속도…"샘플 개발 성공"

중국의 반도체 제조업체 2곳이 HBM(고대역폭메모리) 생산 초기 단계에 진입했다고 로이터통신이 15일 보도했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 AI 산업에서 고성능 시스템반도체와 결합돼 사용되고 있다. 다만 기술적 난이도가 높아 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 3개 업체만이 상용화에 성공했다. 로이터가 인용한 소식통에 따르면, 중국 최대의 D램 제조업체인 CXMT(창신메모리)는 현지 OSAT(외주반도체패키징테스트) 기업 통푸마이크로일렉트로닉스(Tongfu Microelectronics)와 협력해 HBM 샘플을 개발했다. 현재 해당 칩을 고객사에 시연하는 단계다. 또한 중국 최대 낸드플래시 업체인 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)의 자회사 XMC(우한신신)은 HBM용 12인치 웨이퍼를 월 3천장 생산할 수 있는 공장을 신설하고 있다. 해당 공장은 올해 2월 착공에 들어간 것으로 알려졌다. 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "중국 반도체 기업들도 HBM 개발에 필요한 장비 구매를 위해 한국, 일본 장비업체와 정기적인 미팅을 갖고 있다"며 "중국의 HBM 개발은 미국의 첨단 반도체 수출 규제 속에서 외산 의존도를 줄이려는 중요한 진전을 의미한다"고 밝혔다. 한편 중국의 또 다른 주요 IT 기업인 화웨이도 HBM을 개발하기 위한 노력을 지속하고 있다. 오는 2026년까지 HBM2(2세대 HBM)을 생산하는 것이 목표다.

2024.05.16 08:18장경윤

美, 中 최대 D램기업 'CXMT'도 수출규제 하나

중국 최대 D램 제조업체 창신메모리(CXMT) 등이 미국의 수출 규제 대상에 신규로 포함될 수 있다고 블룸버그통신이 지난 9일 보도했다. 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용, 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)이 현재 CXMT를 비롯한 중국 현지 기업 6곳을 '엔티티 리스트'에 추가하는 방안을 논의 중이라고 밝혔다. 앞서 미국 상무부는 지난 2018년부터 국가 안보 및 외교 정책 등의 이유로 특정 중국 기업과의 거래를 제한하는 엔티티 리스트를 운용해왔다. 해당 리스트에는 중국 주요 반도체 및 IT 기업인 화웨이, SMIC 등이 포함돼 있다. CXMT는 중국 최대 규모의 D램 제조업체다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사 대비 1~2세대 뒤처진 제품을 제조하고는 있으나, 중국 현지 기업 중에서는 기술력이 가장 높다는 평가를 받고 있다. CXMT는 성명을 통해 "당사는 자유롭고 공정한 경쟁을 적극 지지한다"며 "이 원칙에 대한 당사의 약속은 미국 수출 규정을 포함한 모든 법률 및 규정을 엄격하게 준수함으로써 입증된다"고 밝혔다. 또 "자사의 제품이 군사용이 아닌 일반 소비자 및 상업용에 초점을 맞추고 있다"고도 강조했다. 미국은 중국 기업에 대한 수출 규제 확대 이외에도 주변 동맹국을 통한 대중(對中) 압박을 강화하고 있다. 최근 미국 정부는 네덜란드와 일본, 독일은 물론 한국에도 중국의 반도체 기술 접근에 대한 차단을 더욱 강화하라는 압력을 가하고 있는 것으로 알려졌다.

2024.03.11 09:02장경윤

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