SK키파운드리, 4세대 200V 고전압 180nm BCD 공정 출시

파운드리 반도체 기업 SK키파운드리는 최근 4세대 200V 고전압 0.18micron(180나노미터) BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 출시하고, 연내 양산을 목표로 국내외 주요 고객과 본격적인 제품 개발에 나선다고 28일 밝혔다. 최근 자동차 전동화와 AI데이터센터의 확산으로 고전압·고효율 전력 반도체에 대한 시장 수요가 급증하고 있다. 특히 자동차 전압 체계가 기존 12V에서 48V로 전환되고 있으며, AI 서버 및 데이터센터 역시 전력 효율과 밀도를 극대화 하기 위해 380V DC에서 최대 800V DC까지 전압을 높이고 있는 추세다. 이에 따라 100V 이상의 고전압을 안정적으로 견디면서 전력을 효율적으로 제어할 수 있는 공정 기술의 중요성이 어느때 보다 커지고 있다. SK키파운드리가 이번에 선보인 4세대 200V 고전압 0.18micron BCD 공정은 기존 3세대 대비 전력 효율성과 고온 내구성을 나타내는 Rsp(특성온저항), BVDSS(항복전압) 특성을 20%이상 개선한 것이 특징이다. 또한 동작 전압별 낮은 온저항(On-Resistance) 소자를 제공해, 칩 면적과 전력 손실을 최소화해 공정 경쟁력을 확보했다. 특히 BCD, HV MOSFET을 사용하는 고전압·고전류의 PMIC 반도체 사이에 디지털 신호는 안전하게 전송하면서 원치 않는 고전압이나 노이즈는 차단하는 Thick IMD 옵션을 제공하며, SRAM·ROM·MTP·OTP 등 다양한 내장 메모리 옵션과 정밀 모터 제어용 홀 센서를 제공해 고전압 IC 설계의 확장성을 더욱 높였다. SK키파운드리의 이번 공정은 고전압 전력 관리 및 변환 칩, 모터 드라이버, LED 드라이버, 전원 공급 게이트 드라이버 등 다양한 제품 개발에 적용 가능하며, 무엇보다 까다로운 자동차용 부품 신뢰성 평가 규격 'AEC-Q100 Grade 0'을 충족해, 극한의 환경에서도 높은 신뢰성이 요구되는 차량용 전장 부품에도 즉시 적용할 수 있다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “AI 서버와 차량 전장 시스템의 고전력화로 100V 이상 BCD 공정 수요가 빠르게 증가하고 있다.”며 “특히 벌크 실리콘 기반에서 고전압 BCD 공정을 제공하는 파운드리가 드문 상황에서 200V 고전압 0.18micron BCD 공정 양산은 의미 있는 성과”라고 밝혔다.