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SK키파운드리, 차량용 반도체 신뢰성 높인 온칩 솔루션 개발

SK키파운드리가 차량용 반도체의 전자기내성(EMC)를 크게 강화할 수 있는 기술을 개발했다. 외부 부품 없이도 칩 신뢰성을 극대화할 수 있어, 시스템 보호 및 공간 효율성을 극대화할 수 있을 것으로 기대된다. 파운드리 반도체 기업 SK키파운드리는 'Bi-SCR(양방향 실리콘 제어 정류기) 기반 온-칩 EMC 보호 기술'을 개발하고, 0.13마이크로미터(㎛) BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 제품에 적용해 양산에 돌입했다고 25일 밝혔다. 최근 차량 내 전장 부품 탑재가 급증하면서 극심한 전기적 스트레스 환경에서도 오작동 없는 반도체 신뢰성 확보가 핵심 과제로 떠오르고 있다. 기존 ESD(정전기 방전) 보호 소자는 주로 칩 제조나 조립 과정에서 발생하는 순간적인 방전 제어에 머물렀던 것에 비해, 이번 기술은 ISO 10605 규격 등 에서 요구되는 차량 운행 중 지속 발생하는 가혹한 수준의 시스템 레벨 EMC 환경까지 칩 내부에서 자체적으로 완벽 제어할 수 있도록 구현된 설계 솔루션이다. SK키파운드리가 구현한 'Bi-SCR' 구조는 자유로운 트리거 전압 조절 능력과 우수한 고전류 처리 능력을 갖추고 있으며, 특히 높은 면적 효율성을 동시에 갖춰 공간 제약이 커 고집적도가 요구되는 차량용 전력 반도체(IC)의 보호 성능을 최적화하는 데 탁월한 성능을 발휘한다. 무엇보다 기존 시스템 설계에서 필수적이었던 외부 보호 부품 'TVS(과전압 포착) 다이오드' 없이 칩 내부에서 EMC 스트레스를 효과적으로 제어할 수 있는 온-칩 솔루션이라는 점에서 의미가 크다. 이를 통해 SK키파운드리 고객사는 시스템 보호 성능은 최고 수준으로 끌어올리면서 회로 설계와 공간 효율성을 극대화할 수 있을 것으로 기대된다. 이번 성과는 SK키파운드리가 축적해 온 독보적인 차량용 BCD 공정 기술력과 고도화된 EMC·ESD 보호 설계 역량이 결합된 결실로 평가된다. 회사는 이번 양산 성공을 발판 삼아 고전압 LDMOS, BJT, SCR, Diode 기반의 보호 소자 포트폴리오를 지속적으로 확대해, 차량용 PMIC(전력관리반도체), 모터 드라이버, 전원 제어 IC 등 높은 신뢰성이 요구되는 다양한 차량용 응용 분야로 시장에서의 경쟁력을 넓혀 나갈 계획이다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “최근 차량용 반도체 시장에서는 단순한 부품 레벨의 ESD 성능을 넘어, 실제 가혹한 차량 전장 시스템 환경에서의 'EMC 견고성(Robustness)'이 핵심 경쟁력으로 부각되고 있다”며 “이번 Bi-SCR 기반 온-칩 EMC 보호 기술의 성공적인 양산 적용은 차량용 반도체 제품의 신뢰성과 시스템 안정성을 한 차원 높인 중대한 기술적 이정표”라고 강조했다.

2026.06.25 10:05장경윤 기자

8인치 파운드리 가격 상승세…DB하이텍도 2분기 본격 수혜

8인치 파운드리 업계가 전력반도체 수요 증가와 생산능력 제한으로 호황을 맞았다. 22일 DB하이텍은 올 2분기부터 8인치 파운드리 공정 가격을 본격적으로 인상할 계획인 것으로 파악됐다. 8인치 파운드리는 웨이퍼 직경이 200mm(밀리미터)인 공정이다. 주로 130나노미터(nm) 이상 성숙(레거시) 공정에 활용한다. 초미세 공정은 아니지만, 전력반도체(PMIC)·디스플레이구동칩(DDI)·CMOS이미지센서(CIS) 등 산업 전반에 필수로 쓰이는 반도체를 양산한다. 8인치 파운드리 업황은 지난해부터 본격 반등했다. 산업 전반에서 전력반도체 수요가 증가한 반면, 삼성전자·TSMC 등 주요 기업이 지난해부터 8인치 생산능력을 단계적으로 축소하고 있기 때문이다. 삼성전자는 8인치 파운드리를 양산하는 기흥 6-2 라인을 완전히 가동 중단하는 계획을 세우고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 8인치 파운드리에서 수익성이 안좋은 제품을 우선 정리하고 있다"며 "관련 생태계도 이미 영향권에 들어가 있다"고 설명했다. 8인치 공급난 심화로 8인치 파운드리도 가격 상승 압박을 받고 있다. 중국 SMIC는 이미 지난해 말 고객사에 8인치 BCD 공정 가격을 10% 인상하는 내용의 통지문을 보냈다. BCD는 서로 다른 세 가지(바이폴라·CMOS·DMOS) 전력 소자를 단일 칩에 구현해, 내구성과 전력 효율을 높인 전력반도체 공정이다. DB하이텍도 8인치 BCD 공정을 주력으로 양산한다. 고객들과 공정 가격 인상을 지속 협의해 왔다. 이르면 올 2분기부터 가격 인상분이 반영될 수 있다. 부천캠퍼스와 상우캠퍼스 가동률도 90% 이상으로 높다. DB하이텍의 1분기 사업보고서에 따르면, 이 회사 평균가동률은 91.96%다. 반도체 업계 관계자는 "8인치 공정이 다양하기 때문에 상황은 조금씩 다르나, 지난해 말부터 꾸준히 가격 인상 논의가 진행됐다"며 "고객사 재고 확보 기조가 지속되고 있어 올해 높은 가동률이 유지될 전망"이라고 밝혔다.

2026.04.22 10:52장경윤 기자

SK키파운드리, 4세대 200V 고전압 180nm BCD 공정 출시

파운드리 반도체 기업 SK키파운드리는 최근 4세대 200V 고전압 0.18micron(180나노미터) BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 출시하고, 연내 양산을 목표로 국내외 주요 고객과 본격적인 제품 개발에 나선다고 28일 밝혔다. 최근 자동차 전동화와 AI데이터센터의 확산으로 고전압·고효율 전력 반도체에 대한 시장 수요가 급증하고 있다. 특히 자동차 전압 체계가 기존 12V에서 48V로 전환되고 있으며, AI 서버 및 데이터센터 역시 전력 효율과 밀도를 극대화 하기 위해 380V DC에서 최대 800V DC까지 전압을 높이고 있는 추세다. 이에 따라 100V 이상의 고전압을 안정적으로 견디면서 전력을 효율적으로 제어할 수 있는 공정 기술의 중요성이 어느때 보다 커지고 있다. SK키파운드리가 이번에 선보인 4세대 200V 고전압 0.18micron BCD 공정은 기존 3세대 대비 전력 효율성과 고온 내구성을 나타내는 Rsp(특성온저항), BVDSS(항복전압) 특성을 20%이상 개선한 것이 특징이다. 또한 동작 전압별 낮은 온저항(On-Resistance) 소자를 제공해, 칩 면적과 전력 손실을 최소화해 공정 경쟁력을 확보했다. 특히 BCD, HV MOSFET을 사용하는 고전압·고전류의 PMIC 반도체 사이에 디지털 신호는 안전하게 전송하면서 원치 않는 고전압이나 노이즈는 차단하는 Thick IMD 옵션을 제공하며, SRAM·ROM·MTP·OTP 등 다양한 내장 메모리 옵션과 정밀 모터 제어용 홀 센서를 제공해 고전압 IC 설계의 확장성을 더욱 높였다. SK키파운드리의 이번 공정은 고전압 전력 관리 및 변환 칩, 모터 드라이버, LED 드라이버, 전원 공급 게이트 드라이버 등 다양한 제품 개발에 적용 가능하며, 무엇보다 까다로운 자동차용 부품 신뢰성 평가 규격 'AEC-Q100 Grade 0'을 충족해, 극한의 환경에서도 높은 신뢰성이 요구되는 차량용 전장 부품에도 즉시 적용할 수 있다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “AI 서버와 차량 전장 시스템의 고전력화로 100V 이상 BCD 공정 수요가 빠르게 증가하고 있다.”며 “특히 벌크 실리콘 기반에서 고전압 BCD 공정을 제공하는 파운드리가 드문 상황에서 200V 고전압 0.18micron BCD 공정 양산은 의미 있는 성과”라고 밝혔다.

2026.01.28 08:42장경윤 기자

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