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'AI 메모리'통합검색 결과 입니다. (259건)

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SK하이닉스 "고객사와 CXL 2.0 인증 중…CXL 컨트롤러 개발 착수"

SK하이닉스가 차세대 메모리 'CXL(컴퓨트익스프레스링크)' 2.0 양산 준비에 속도가 붙였다. 또 그동안 중국 팹리스업체 몬타지테크놀로지로부터 구매해서 쓰던 CXL 컨트롤러를 자사 제품으로 대체하기 위해 CXL 컨트롤러 IC 자체 개발에도 착수했다. 박경 SK하이닉스 시스템아키텍처 담당 부사장은 27일 최종원학술원에서 주최한 'AI 대전환 반도체가 이끈다' 세미나 전에 기자들을 만나 “CXL 메모리 모듈은 이미 제품화가 완료된 상태로, 고객이 요청해야 양산이 가능하다”라며 “현재 샘플이 안정화돼 주요 고객사와 시스템 연동을 체크하는 이네이블링(인증)을 진행 중이다”고 밝혔다. 경쟁사인 삼성전자가 지난달 미디어 간담회에서 올해 하반기 중 CXL 2.0 양산을 시작한다고 공식 발표한 것과 달리 SK하이닉스는 아직까지 구체적인 양산 소식이 들려오지 않았다. 하지만 SK하이닉스가 고객사와 활발히 인증 단계를 진행하고 있는 만큼, 양산 준비에 속도가 붙은 것으로 보인다. 박 부사장은 “양산 예정인 CXL 2.0에는 몬타지의 컨트롤러 IC가 탑재되지만, SK하이닉스는 자체 기술을 확보하기 위해 CXL 컨트롤러 IC 개발을 진행 중이다”라고 덧붙였다. 이는 차세대 CXL 메모리에는 자사에서 개발한 컨트롤러 IC를 탑재하겠다는 목표다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 2023년 기준 CXL 컨트롤러 가격은 약 60달러다. SK하이닉스가 CXL 메모리에 자체 개발한 CXL 컨트롤러를 탑재하면, 전체 생산 비용을 절감할 수 있게 된다. CXL은 생성형 AI, 데이터센터 등 처리해야 할 데이터양이 기하급수적으로 증가하면서 최근 HBM과 함께 차세대 메모리로 주목받고 있는 제품이다. SK하이닉스는 CXL을 HBM(고대역폭메모리)에 이어 '차세대 메모리의 새로운 기회'로 보고 생태계 확장에 적극적으로 나서고 있다. SK하이닉스는 2022년 8월 CXL 2.0을 지원하는 96GB D램 샘플을 선보였고, 같은해 10월에는 업계 최초 CXL 기반 연산 기능을 통합한 메모리 솔루션 CMS을 개발했다. 지난해 10월 SK하이닉스는 미국 캘리포니아에서 열린 'OCP 글로벌 서밋 2023'에 참가해 CXL 기반 CMS(컴퓨테이셔널 메모리 솔루션) 메모리 솔루션을 시연하며 기술을 입증했다. 올해 8월에는 미국 산타클라라에서 열린 메밀 행사 'FMS 2024'에서 AI 메모리 제품과 함께 CXL 기능을 통합한 CMS 2.0 제품을 공개했다.

2024.08.27 16:01이나리

SK하이닉스, 10월 HBM4 '테이프아웃'…엔비디아 공략 고삐

SK하이닉스의 HBM4(6세대 HBM) 상용화 계획이 가시권에 접어들었다. 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM4 설계가 마무리 단계에 접어들어, 4분기 초에 설계 도면을 제조 공정에 넘기는 '테이프아웃'을 진행할 것으로 파악됐다. 26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 10월 엔비디아향 HBM4에 대한 '테이프아웃'을 완료할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화된 상태로, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기부터 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개 집적한 것이 특징이다. D램 적층 수는 제품 개발 순서에 따라 12단·16단으로 나뉜다. 엔비디아의 경우 2026년 출시 예정인 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 채용할 것으로 관측된다. 이에 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4를 공급하기 위한 개발팀을 꾸리고 설계를 진행해 왔다. 최근에는 설계가 마무리 단계에 접어들어, 오는 10월 테이프아웃 일정을 확정했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 실제 제조 환경에서 양산용 개발이 이뤄지기 때문에, 칩 상용화를 위한 핵심 과정으로 꼽힌다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 AMD를 위한 HBM4 개발팀을 각각 꾸려 제품을 개발해 왔다"며 "엔비디아향 HBM4 테이프아웃은 10월에 진행될 예정이며, AMD향 테이프아웃은 연말이 목표"라고 설명했다. 한편 SK하이닉스는 HBM4의 코어다이로 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 활용한다. HBM은 D램을 집적한 코어다이와 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 로직다이로 나뉜다. 앞서 SK하이닉스는 올해 상용화를 시작한 HBM3E에도 1b D램을 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 삼성전자는 HBM4에 1c D램(10나노급 6세대 D램) 적용을 추진하는 등 기술적 변혁을 시도하고 있으나, SK하이닉스는 안정성에 무게를 둔 것으로 풀이된다. 로직다이의 경우 주요 파운드리인 TSMC의 공정을 통해 양산한다. 현재 SK하이닉스가 채택한 TSMC의 공정은 12나노미터(nm)와 5나노급 공정으로 알려져 있다.

2024.08.26 14:23장경윤

마우저, AMD의 최신 AI·엣지 반도체 제공

반도체 및 전자부품 유통기업 마우저일렉트로닉스는 AMD의 최신 AI(인공지능) 및 엣지용 반도체를 공급한다고 밝혔다. 마우저는 AMD 알베오 V80 컴퓨팅 가속기 카드 판매를 시작했다. 이 가속기는 대규모 데이터 세트를 가진 메모리 의존적 애플리케이션을 위해 HBM2E D램을 통합한 AMD 버설 HBM 적응형 SoC(adaptive system-on-chip)를 기반으로 한다. 또 FPGA의 적응형 기능을 제공한다. 마우저가 공급 중인 알베오 MA35D 미디어 가속기는 고밀도, 초저지연 스트리밍을 위해 설계된 ASIC(application-specific integrated circuit)을 기반의 AI 지원 비디오 프로세싱 PCIe 카드다. 이 가속기는 비디오 품질 전용 엔진과 통합 AI 프로세서를 갖추고 있어, 비트 전송률을 최소화하면서도 인식되는 시각적 품질을 향상할 수 있다. AMD 크리아 SOM(시스템온모듈)은 징크 울트라스케일+ MPSoC(multiprocessor systems-on-chip)을 기반으로 한다. 크리아 SOM은 커넥터 호환이 가능한 상호 보완적인 두 종의 제품으로 공급된다. 비용에 최적화된 디지털 신호 처리(DSP) 애플리케이션과 중간급 비전 AI 및 로보틱스에 활용될 수 있다. 크리아 SOM에는 DDR 메모리와 비휘발성 메모리, 보안 모듈 및 방열 솔루션이 포함됐다. 솔루션별로 특화된 주변장치와 함께 캐리어 카드에 삽입할 수 있도록 설계됐다. 마우저는 비전 AI, 로보틱스 및 모터 제어 등 애플리케이션별로 특화된 스타터 키트(starter kit)도 공급한다. 버설 HBM 시리즈 VHK158 평가 키트는 AMD 버설 HBM VH1582 적응형 SoC가 탑재됐다. 이 키트는 데이터센터, 유선 네트워킹, 테스트 및 측정, 우주항공 애플리케이션 등 컴퓨팅 집약적인 메모리 의존적 애플리케이션에서 필요로 하는 대용량 메모리를 지원한다.

2024.08.23 12:19이나리

SK하이닉스 "핵심 소재·부품 빠르게 수급해 AI 메모리 리더십 지키겠다"

김성한 SK하이닉스 부사장이 22일 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 'HBM(고대역폭메모리) 1위 수성'이라는 전사 목표 달성을 지원하기 위해 구매 본연의 업(業)에 집중하고 있다고 강조했다. 그는 "우리의 목표는 핵심 소재·부품을 빠르게 수급해 회사의 AI 메모리 시장 리더십을 지키고, 설비투자비(CapEx)와 유지보수비를 효율적으로 관리해 경영 목표를 달성하는 데 기여하는 것"이라며 "장기적으로는 총소유비용(TCO)을 줄이면서 미래 반도체 개발을 원활히 수행하도록 지원하는 것이 목표다"고 밝혔다. 김성한 부사장은 SK하이닉스에서 FE구매 담당을 총괄한다. FE구매는 전공정(Front-End)에 필요한 소재·부품·장비를 구매해 현업에 공급하는 조직이다. 품질, 비용, 기술은 기본이며, 배송 전반을 관리하고 수요까지 예측해 업무 간 유기적인 연결을 최적화하는 역할을 맡는다. 이 과정에서 FE구매 구성원들은 총소유비용 절감 전략 수립, 생산능력(CAPA) 확보, 공급업체 최적화, 물량 배분 등을 통해 구매 경쟁력을 높이고 있다. 김 부사장은 "FE구매를 비롯한 구매 조직은 양질의 소부장을 확보하면서도 원가는 절감해 제품 경쟁력을 높이는 일을 한다"라며 "과거 조달구매 중심이었던 조직의 역할이 최근에는 기술구매, 글로벌 소싱, 공급망 생태계 관리 등으로 확대되면서 대내외적으로 중요성이 커졌다. 그 중에서도 FE구매는 웨이퍼 생산에 필요한 필수 소재, 극자외선(EUV) 노광 장비 같은 핵심 장비를 적시에 공급하는, 중요한 역할도 수행하고 있다"고 설명했다. SK하이닉스는 확대된 역할을 한층 효과적으로 해내기 위해 최근 조직 개편을 진행했다. FAB원자재 구매의 경우 개발과 양산 조직을 통합해 유기적으로 협업할 환경을 조성했다. 또 장비·부품구매 조직의 역할을 명확히 하는 한편, 공급망 관리 및 준법 활동을 담당하는 '구매Compliance전략 조직'도 신설했다. 이를 통해 FE구매는 전문성과 유연성을 높이며 다양한 이슈를 해결해 나갈 기반을 갖추게 됐다는 평가가 나온다. 김 부사장은 "구매의 역할이 다양해지고 비중이 커지고 있지만 결국 가장 중요한 것은 기본으로 돌아가(Back To The Basic) 구매 본연의 업무를 충실히 하는 것"이라고 강조했다. 이어서 그는 "다운턴 당시, 구매는 투자를 줄이고 원가 경쟁력을 높여 전사적 비용 절감에 힘을 보탰다. 또 수시로 단가 협상을 했고, 제조·기술 조직과 협업 아이템을 발굴하며 유지보수비(OpEx)를 줄인 것이 주효했다"라며 "동시에 불안정한 국제정세, AI 붐과 같은 변수들에도 대처하면서 공급망 확보, 지속적인 납기 점검, 생산능력 확충 등을 통해 요동치는 메모리 수요에 안정적으로 대응할 수 있었다"고 말했다. SK하이닉스는 공급망을 다변화해 원가를 낮추고 단일 공급망에서 발생할 수 있는 리스크를 줄이는 데 힘썼다. 이를 위해 협력사에 ESG 컨설팅을 제공하고 탄소 저감 관련 현장 평가를 수행하는 등 공급망 ESG 관리도 시행했다. 유관부서 협업, 협력사 교류를 통해 다방면의 마켓 인텔리전스(MI)를 확보하고 시황 예측 체계도 고도화했다. 김 부사장은 "이 모든 것은 '경쟁력 있는 구매를 실현한다'는 본연에 집중했기에 가능했다"고 밝혔다. 그는 현재의 반도체 시장을 '장밋빛'으로만 바라볼 수 없다고 진단하며, 다가올 미래를 대비하는 데 계속해서 힘쓰겠다는 뜻을 전했다.

2024.08.22 09:46이나리

SK하이닉스, 구글 웨이모 로보택시에 'HBM2E' 공급…"HBM3도 적용 가능"

"자동차 산업에서 자율주행 기술이 활발히 도입되면서, 고성능 메모리 솔루션도 증가하고 있습니다. SK하이닉스도 구글 웨이모의 로보택시에 유일하게 HBM2E 제품을 공급했습니다. HBM3도 이제는 자동차 응용 산업에서 채용이 될 수 있어, 상용화를 위한 준비를 하고 있습니다." 14일 강욱성 SK하이닉스 부사장은 JW메리어트 서울에서는 열린 '제7회 인공지능반도체포럼'에서 최첨단 차량용 메모리 솔루션에 대해 이 같이 밝혔다. 현재 자동차 산업은 자율주행 기술 및 인-비하이클 AI 기술을 적극 도입하고 있다. 이에 따라 차량용 시스템 아키텍처도 변화가 일어나고 있으며, 고성능 반도체의 필요성이 대두되고 있다. 강 부사장은 "과거에는 30개에서 100개 이상의 기능별 ECU(전자제어장치)가 탑재됐으나, 미래에는 1~2개의 중앙 컴퓨터가 다양한 기능을 모두 수행하는 '조널 아키텍처'가 요구된다"며 "소프트웨어 업데이트 만으로도 신규 기능을 추가하거나 조절할 수 있는 SDV(소프트웨어 정의 차량)도 이러한 추세를 부추기고 있다"고 설명했다. 자동차가 처리하는 데이터 처리량 증가는 메모리 수요의 확대를 촉진할 것으로 예상된다. 예를 들어 자율주행 3단계 수준의 ADAS(첨단운전자보조시스템)에서 D램은 최대 128GB(기가바이트), 1TB(테라바이트)의 낸드가 탑재된다. 자율주행 4단계에서는 최대 384GB D램, 4TB 낸드가 채용될 전망이다. SK하이닉스 역시 차량 및 자율주행 기술을 위한 다양한 메모리 솔루션을 개발해 왔다. 저전력 특성의 LPDDR D램, UFS(유니버설 플래시 스토리지) 등이 대표적이다. HBM(고대역폭메모리)도 자율주행 시장에서 채용이 확대될 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 데이터 처리 성능을 일반 D램 대비 크게 끌어 올렸다. 강 부사장은 "구글 웨이모의 로보택시에도 이미 SK하이닉스의 HBM2E(3세대 HBM)가 탑재된 바 있다"며 "현재 AI와 HPC(고성능컴퓨팅)에서 주목받는 HBM3(4세대 HBM)도 차량용 분야에서 채용이 될 수 있어 인증 등 상용화 준비를 하고 있다"고 설명했다. 그는 또 "LPDDR의 경우 현재는 LPDDR4 제품이 주류이나, 향후에는 LPDDR5와 개선 버전의 채용이 확대될 것"이라며 "UFS는 차량용으로 3~4년 전부터 도입됐고, 차량용 고성능 SSD도 최근 상용화가 시작됐다"고 설명했다.

2024.08.14 10:02장경윤

SK하이닉스 임원진, 5개 공과대학서 반도체 인재 확보 나서

SK하이닉스는 오는 20일부터 9월 10일까지 반도체 우수 인재 확보를 위해 국내 5개 공과대학을 돌며 '테크 데이(Tech Day) 2024'를 진행한다고 12일 밝혔다. 테크 데이는 SK하이닉스가 국내 반도체 관련 분야 석·박사 과정 대학원생들을 대상으로 매년 진행해온 채용 행사로, 회사의 주요 임원진이 학교를 직접 찾아 미래 인재들에게 회사의 비전과 기술 리더십을 공유하고 최신 기술 동향을 논의한다. SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더로 회사의 위상이 높아지고, 구성원 중심의 기업문화도 젊은 층의 호응을 얻으면서 회사에 대한 국내 우수 인재들의 관심이 뜨겁다”며 “올해는 사장급 주요 경영진까지 나서 학생들과 직접 소통하며 반도체 분야 인재들과 접점을 넓히기로 했다”고 설명했다. 이번 행사에는 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(DRAM개발 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 송창록 부사장(CIS개발 담당) 등 SK하이닉스 경영진이 학교별 메인 강연자로 번갈아 참석해 기조 연설을 진행한다. 회사는 8월 20일 서울대를 시작으로 포항공대, 한국과학기술원(KAIST), 연세대, 고려대에서 차례로 테크 데이 행사를 갖는다. ▲설계 ▲소자 ▲공정 ▲시스템 ▲어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 등 5개 세션(Session)을 학교별 특성에 맞게 구성해 SK하이닉스 최고 기술 임원진과 학생들간 소통의 시간을 가질 계획이다. 재학생들이 자신의 전공과 연구 분야에 적합한 직무를 선택하는데 도움이 되도록, 회사에 재직중인 동문 선배들과의 일대일 멘토링(Mentoring)도 함께 진행한다. 회사는 행사 이후에도 현직 팀장들이 주관하는 소규모 기술 세미나를 수시로 가질 계획이다. 이를 통해 재학생들이 미래 반도체 인재로 성장하는데 필요한 최신 기술 인사이트와 인적 네트워크를 확보하는데 기여할 것으로 기대하고 있다. SK하이닉스는 미래 AI 메모리 시장 주도권을 이어가기 위해 용인 반도체 클러스터와 청주 M15X, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 생산과 R&D 시설 등 핵심 기반 시설을 구축해 나갈 계획인 만큼, 우수한 반도체 인력들이 적기에 투입될 수 있도록 인재 채용을 강화해 나간다는 방침이다. 신상규 SK하이닉스 부사장(기업문화 담당)은 “반도체 산업은 첨단 기술이 집적된 분야인 만큼 우수 인재 확보가 곧 기술경쟁력으로 이어진다”며 “SK하이닉스는 AI 인프라 선도 기업으로서 인재 영입에 적극 임해 글로벌 일류 경쟁력과 기술 리더십을 공고히 할 것”이라고 말했다.

2024.08.12 11:15장경윤

AI로 희비...SK하이닉스 신용등급 상향, 인텔은 하향

최근 반도체 기업 SK하이닉스과 인텔의 신용등급이 각각 상향, 하향으로 상반된 평가를 받으면서 희비를 보였다. 두 기업의 신용등급은 AI(인공지능) 반도체의 성장에 어떻게 대비했느지에 따라 달라진 결과를 보였다. ■ S&P, SK하이닉스 'BBB-'에서 'BBB'로 상향…HBM 기대 반영 메모리 반도체 SK하이닉스는 7일(현지시간) 국제 신용평가사 스탠더드앤푸어스(S&P)로부터 기업신용등급을 종전의 'BBB-'에서 'BBB'로 한 단계 상향 평가를 받았다. 이는 S&P가 SK하이닉스에 부여한 신용등급 중 역대 가장 높은 등급이다. 등급 전망은 '안정적'을 유지했다. 이번 신용등급 상향은 AI 반도체에 필수적인 고대역폭 메모리(HBM) 분야에서 SK하이닉스가 시장 주도권을 확보한 점이 높이 평가된 결과다. S&P는 SK하이닉스에 대해 “메모리 반도체 시장에서 우수한 경쟁 지위를 유지할 것”이라며 “높은 수익성과 성장세를 기록 중인 HBM 시장을 선도하고 있으며 향후에도 우월한 기술력과 제품 경쟁력을 바탕으로 1위 자리를 수성할 것“이라고 예상했다. SK하이닉스는 지난해 HBM 시장에서 53%의 점유율을 기록하며 1위에 올랐고, 대형 고객사인 엔비디아에 HBM3를 독점 공급하는 등 성공적인 성과를 거두고 있다. ■ 무디스, 인텔 'A3'에서 'Baa1'로 하향…수익성 약화 우려 글로벌 신용평가사 무디스는 8일(현지시간) 인텔의 선순위 무담보채권 등급을 기존 A3에서 Baa1로 하향 조정했으며, 등급 전망도 '안정적'에서 '부정적'으로 변경했다. 이번 조치는 인텔의 수익성이 향후 12~18개월 동안 상당히 약화될 것이라는 예상에 따른 것이다. 무디스는 “인텔의 EBITDA 비율이 올해 말 7배에 달할 것으로 보고 있으며, 2025년에는 4배로 회복될 것으로 예상하고 있다”고 밝혔다. 인텔은 3일(현지시간) 2분기 실적에서 시장 예상치를 크게 밑돌면서 주가가 약 26% 이상 하락했다. 이는 1974년 이후 50년 만에 가장 큰 하락 폭이다. 인텔은 2분기 16억1천만달러(약 2조2천200억원)의 적자를 기록했고, 매출은 전년 동기 대비 1% 감소한 28억 달러(약 17조 5천488억원)로 집계됐다. 이에 따라 인텔은 비용 절감을 위해 연말까지 직원 수를 15% 이상(1만5천명)을 줄이고, 4분기부터 배당금 지급을 중단할 계획이다. 업계에서는 인텔의 부진이 AI 반도체 시장에 대비하지 못한 전략적 실패 때문이라고 분석하고 있다. 중앙처리장치(CPU) 시장에서 1위인 인텔은 AI 반도체 분야에서는 엔비디아에 뒤처지면서 주도권을 잃었다. 또한 지난 8일 로이터통신은 인텔이 7년 전 챗GPT 개발사 오픈AI의 지분을 취득할 기회를 포기했다고 보도하면서 인텔의 AI 전략 문제점이 또 다시 수면위로 떠올랐다. 인텔은 2017년 현금 10억 달러에 오픈AI의 지분 15%를 매입하는 방안을 논의했으나, 결국 협상을 중단했다. 로이터는 “오픈AI 지분 포기는 인텔이 AI 시대에서 뒤처지게 된 전략적 실패 중 하나”라고 지적했다.

2024.08.11 10:45이나리

"엔비디아, 내년 HBM3E 물량 중 85% 이상 차지할 듯"

8일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 엔비디아의 내년 HBM3E 소비량은 전체 물량의 85%를 넘어설 전망이다. 엔비디아가 시장을 주도하고 있는 AI 서버용 칩은 고성능 GPU와 HBM 등을 함께 집적한 형태로 만들어진다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 데이터 처리 성능이 일반 D램에 비해 월등히 높다. 엔비디아는 지난 2022년 말 '호퍼' 아키텍처 기반의 H100 칩을 출시했으며, 올해에는 HBM3E 탑재로 성능을 더 강화한 H200 양산을 시작했다. H200에 채택된 HBM3E는 현재 SK하이닉스와 마이크론이 공급하고 있다. 이에 따라 엔비디아의 HBM3E 소비 점유율은 올해 60% 이상으로 예상된다. 나아가 엔비디아는 '블랙웰' 아키텍처 기반의 'B100', 'B200' 등의 제품을 내년부터 출시할 계획이다. 해당 제품에는 HBM3E 8단 및 12단 제품이 탑재된다. 이에 따라 내년 엔비디아의 HBM3E 소비 점유율은 85% 이상을 기록할 전망이다. 트렌드포스는 "블랙웰 울트라, GB200 등 엔비디아의 차세대 제품 로드맵을 고려하면 HBM3E 12단 제품의 비중이 내년 40%를 넘어걸 것으로 추산된다"며 "현재 공급사들이 HBM3E 8단 제품에 집중하고 있으나, 내년에 12단 제품 생산량이 크게 증가할 것"이라고 밝혔다. 트렌드포스는 이어 "현재 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 모두 제품 검증을 거치고 있으며, 특히 삼성전자가 시장 점유율을 늘리는 데 적극적"이라며 "검증 순서가 주문량 할당에 영향을 미칠 수 있다"고 덧붙였다.

2024.08.09 08:40장경윤

SK하이닉스, S&P 신용등급 'BBB'로 상향…"HBM 선도 기업"

국제 신용평가사 스탠더드앤푸어스(S&P)는 SK하이닉스의 기업신용등급을 기존 'BBB-'에서 'BBB'로 한 단계 상향했다고 7일 밝혔다. 전망은 '안정적(Stable)'로 유지됐다. BBB는 S&P가 SK하이닉스에 부여한 신용등급 중 역대 가장 높은 등급이다. S&P는 AI 시대 필수 메모리인 HBM 분야 시장 주도권을 확보한 SK하이닉스의 시장 가치에 주목하며, 향후 전망되는 실적 성장세와 안정적인 현금흐름을 근거로 회사의 신용등급을 'BBB'로 상향했다. 또한 S&P는 SK하이닉스가 신중한 재무정책을 바탕으로 향후 2년간 지속적인 잉여현금흐름을 창출해 차입금 규모를 줄이고 우수한 신용지표를 유지할 것으로 전망했다. S&P는 "SK하이닉스는 HBM 시장을 선도하고 있고, 향후에도 우월한 기술력과 제품 경쟁력을 바탕으로 1위 자리를 수성할 것으로 예상된다"며 "D램과 낸드 시장에서도 견고한 2위를 기록하고 있어 업황 반등 시 실적에 긍정적"이라고 밝혔다. 이에 따라 S&P가 추정한 SK하이닉스의 올해 및 내년 연간 EBITDA 규모는 지난해(5조5천억원; 마진 17%) 대비 크게 개선된 34조~38조 원(마진 56%) 수준이다. 한편 주요 경쟁사의 시장 진입에 대해서는 "삼성전자가 많은 노력에도 불구하고 HBM 최대 고객사인 엔비디아와 공급계약을 체결하는데 있어 아직 유의미한 돌파구를 마련하지 못하고 있는 것으로 알려졌다"며 "삼성전자를 포함한 경쟁사와의 격차가 2026년 중하반기 경에는 좁혀질 것"이라고 평가했다.

2024.08.08 08:15장경윤

엔비디아, AI 칩 '블랙웰' 설계 결함 발견...공급 내년으로 지연

엔비디아가 차세대 AI 가속기 '블랙웰(코드명)'이 설계 결함으로 공급이 내년 1분기로 지연된다는 보도가 나왔다. 3일(현지시간) 미국 테크 전문매체인 디인포메이션은 소식통 2명을 인용해 "블랙웰이 설계 결함으로 인해 3개월 이상 출시가 지연될 수 있다"고 보도했다. 같은날 블룸버그 또한 해당 소식을 인용 보도하며 큰 이슈로 다뤘다. 디인포메이션은 "블랙웰 GPU를 연결하는 프로세서 다이에서 문제가 발생했다"라며 "엔비디아는 칩 생산을 담당하는 TSMC와 문제를 해결하고 있는 중이다. 2025년 1분기까지 블랙웰의 대량 양산이 쉽지 않을 것으로 보인다"고 덧붙였다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 GTC 행사에서 공개한 차세대 AI 가속기다. 제품명은 'B100', 'B200'으로 올 하반기부터 순차적 출시를 앞두고 있었다. 블랙웰은 2080억개 트랜지스터가 집적돼 있어 전작인 'H100' 보다 AI 성능이 4배 개선되고 에너지 비용을 절감할 수 있어 데이트센터의 업체의 주문이 쏟아졌다. 그러나 이번 공급 지연으로 브랙웰을 선주문한 마이크로소프트, 메타, 구글 등이 큰 피해를 입을 것으로 보인다. 익명을 요청한 마이크로소프트 직원은 "엔비디아가 이번주에 블랙웰 시리즈가 결함으로 생산이 지연됐음을 알렸다"고 전했다. 이번 생산 지연은 고대역폭메모리(HBM)을 공급하는 메모리 업계에도 영향을 줄 것으로 보인다. AI 가속기는 그래픽처리장치(GPU)에 HBM을 패키징해서 만드는 반도체다. 블랙웰 출시 지연은 메모리 업체의 HBM 공급 물량 계획에 차질을 초래할 수 있기 때문이다. 블랙웰은 엔비디아의 AI 가속기 중에서 처음으로 5세대 HBM(HBME3E) 8단 제품이 탑재될 예정이었다. 엔비디아에 가장 많은 물량을 공급하는 SK하이닉스는 올해 상반기부터 HBM3E 8단을 공급해 왔으며, 삼성전자는 하반기 공급 확정을 목표로 현재 퀄테스트(품질테스트)를 받는 중이다. 이번 사건은 엔비디아의 주가에도 부정적 영향을 미칠 것으로 예상된다. 아울러 엔비디아는 미국 범무부로부터 독점금지법 위반 혐의에 대해 조사받고 있어 업계의 주목을 받고 있다. 이번 조사에서 법무부는 엔비디아가 AMD 같은 경쟁사로부터 AI 칩을 구매하기를 원하는 고객들에게는 더 높은 가격을 부과했는지 여부에 초점을 맞추고 있다.

2024.08.04 08:51이나리

램리서치, 1000단 3D 낸드 지원...극저온 식각 기술 'Lam Cryo 3.0' 출시

램리서치가 3세대 극저온 유전체 식각 기술인 'Lam Cryo 3.0'을 출시하며 3D 낸드 플래시 메모리(이하 3D 낸드) 개발을 지원한다. Lam Cryo 3.0은 극저온의 공정 온도, 고출력 파워 고밀도 플라즈마 리액터 기술과, 표면 화학의 혁신이 결합된 결과물로 업계 최고 수준의 정밀도와 프로파일 제어를 달성했다. 세샤 바라다라잔(Sesha Varadarajan) 램리서치 글로벌 제품 사업부 수석 부사장은 "Lam Cryo 3.0을 제공해 고객들의 3D 낸드 1000단 달성을 지원하고 있다"라며 "램리서치의 극저온 식각 장비를 통해 이미 500만 장이 넘는 웨이퍼가 제조됐으며, 이번에 소개하는 최신 기술은 3D 낸드 생산에 있어 또 다른 혁신의 기점이다"고 말했다. 오늘날까지 3D 낸드 스케일링은 주로 메모리 셀을 수직으로 적층하는 방식으로 이루어져 왔으며 이를 위해 깊고 좁게 파는 고종횡비 메모리 채널 식각 기술이 사용됐다. 이 과정에서 구조의 목표 프로파일에 원자 수준의 미세한 편차가 발생하면 소자의 전기적 특성은 물론 수율에까지 부정적인 영향을 미쳤다. Lam Cryo 3.0은 스케일링에 있어서 이러한 문제를 포함한 식각 공정에서의 다양한 난제들을 극복하는데 최적화됐다. 3D 낸드 제조사들은 Lam Cryo 3.0 사용으로 상단부에서 하단부까지 구조의 임계치수 편차를 0.1% 미만으로 유지하며 최대 10마이크론(µm) 깊이의 메모리 채널을 식각할 수 있다. 또 기존 유전체 공정 대비 2.5배의 식각률을 달성하고, 옹스트롬(angstrom) 수준의 정밀도로 고종횡비 피처를 일정하게 구현한다. Lam Cryo 3.0은 램 고유의 고출력 파워 고밀도 플라즈마 리액터와 공정 개선, 새로운 식각 가스 사용이 가능한 초저온 환경을 제공한다. 기존 식각 공정보다 웨이퍼당 에너지 소비를 40% 절감하고 새로운 식각 가스를 사용해 탄소 배출량을 최대 90%까지 감축하는 등 지속가능성 측면에서도 개선됐다. 글로벌 리서치 기업 카운터포인트리서치의 공동 설립자이자 연구 담당 부사장인 닐 샤(Neil Shah)는 "AI는 클라우드와 엣지 컴퓨팅은 플래시 메모리 성능과 용량의 수요를 폭발적으로 증가시키고 있다. 칩 제조사들은 2030년까지 3D 낸드 1000단 도달 경쟁에서 낸드 플래시를 확장하고 있다"며 "램리서치의 Lam Cryo 3.0은 첨단 3D 낸드의 수율과 전반적 성능을 크게 개선하고 AI 시대 칩 제조사들의 경쟁력을 강화시킬 것"이라고 강조했다.

2024.08.01 12:27이나리

SK하이닉스, 'FMS 2024'서 321단 낸드·HBM3E 12단 실물 공개

SK하이닉스가 오는 6~8일(미국시간) 캘리포니아주 산타클라라(Santa Clara)에서 열리는 글로벌 메모리 반도체 행사인 'FMS 2024'에 참가해 321단 낸드, HBM3E 12단 등 최신 AI 메모리 기술과 제품을 선보이고 미래 비전을 제시한다. FMS는 지난해까지 낸드 기업들이 주로 참여하는 세계 최대 낸드 플래시 행사로 진행됐으나, AI 시대가 본격화되면서 주최 측이 D램을 포함한 메모리, 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다. 이에 따라 행사명이 기존 'Flash Memory Summit(플래시 메모리 서밋)'에서 'Future Memory and Storage(미래 메모리 및 저장장치)'로 리브랜딩(Re-branding)됐다. SK하이닉스는 "FMS 영역 확대에 발맞춰 올해는 제품 전시뿐 아니라 기조연설을 통한 회사 비전 발표 등 많은 준비를 했다"며 "AI 메모리 솔루션 미래를 선도하는 당사 경쟁력을 업계 전반에 알리는 기회로 이번 행사를 적극 활용하겠다"고 강조했다. 회사는 지난해 FMS에서 세계 최고층 321단 낸드를 최초로 공개하는 등 이 행사를 통한 글로벌 소통에 공을 들여왔다. 행사 첫날인 6일 SK하이닉스 권언오 부사장(HBM PI 담당)과 김천성 부사장(WW SSD PMO)이 'AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전(AI Memory & Storage Solution Leadership and Vision for AI Era)'을 주제로 기조연설을 진행한다. 이들은 AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D램, 낸드 제품 포트폴리오와 AI 메모리 솔루션을 소개하며, 권 부사장이 D램, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 맡는다. 회사는 발표 주제에 맞춰 이번 행사에서 3분기 양산 계획인 HBM3E 12단, 내년 상반기 양산을 목표로 준비 중인 321단 낸드 샘플 등 차세대 AI 메모리 제품들을 선보인다. 그 밖에 ▲온디바이스AI용 낸드 솔루션 'ZUFS 4.0' ▲온디바이스 AI PC용 SSD 'PCB01' ▲PCIe Gen5 E3.S, PCIe Gen4 U.2 기반 서버향 SSD 'PS1010' ▲모바일용 D램 'LPDDR5T' ▲머신러닝, 빅데이터 연산에 활용되는 PiM 메모리 'GDDR6-AiM' ▲고용량 메모리를 확장할 수 있는 CXL의 장점에 머신러닝 및 데이터 필터링 연산 기능이 포함된 'CMS 2.0' 등을 공개한다. 이와 함께 SK하이닉스는 자사 주력 제품들이 탑재된 고객사의 시스템 제품도 함께 전시, 빅테크 고객들과의 긴밀한 파트너십도 강조할 계획이다. 회사는 또, 메모리 업계에서 두각을 나타내고 있는 여성 리더들을 알리기 위해 진행되는 'FMS 슈퍼우먼 컨퍼런스'에 올해 공동 스폰서로 참여하기로 했다. 이에 따라, 7일 오후 열리는 컨퍼런스에서 회사의 최초 여성 연구위원인 오해순 부사장(Advanced PI 담당)이 'SK하이닉스의 미래 기술 혁신과 다양성에 대한 이해'를 주제로 발표를 진행한다. SK하이닉스 김주선 사장(AI Infra 담당)은 “AI 시대가 본격화되면서 D램, 낸드 단품보다는 여러 제품을 결합해 성능을 높인 메모리 솔루션의 중요성이 점차 커지고 있다”며,“이번 FMS를 통해 이 분야를 선도하는 당사의 1등 경쟁력과 기술력을 글로벌 시장에 각인시키도록 할 것”이라고 말했다.

2024.08.01 09:48이나리

삼성전자, 하반기도 메모리가 이끈다..."AI 서버향 적극 대응"

삼성전자가 올해 2분기 반도체를 담당하는 DS 부문의 영업이익이 6조4천600억원으로 시장 전망치를 웃도는 실적을 낸 가운데, 하반기에도 메모리 수요 강세가 지속됨에 따라 실적 향상을 보일 전망이다. 삼성전자는 "메모리는 주요 클라우드 서비스 공급자와 일반 기업체의 AI 서버 투자가 확대되면서 시장 내 AI 서버 구축을 위해 HBM·DDR5·SSD 등 서버용 메모리 제품의 수요 강세가 지속될 것으로 전망된다"고 밝혔다. 회사는 AI 서버용 고부가가치 제품 수요에 적극 대응하기 위해 고대역폭메모리(HBM) 생산 능력 확충을 통해 HBM3E 판매 비중을 확대할 예정이다. 서버용 D램 분야에서도 1b나노 32Gb DDR5 기반의 128GB, 256GB 모듈 등 고용량 제품을 기반으로 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 낸드의 경우 서버·PC·모바일 전 분야에 최적화된 QLC SSD 라인업을 기반으로 고객 수요에 적기 대응할 계획이다. 시스템LSI는 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 플래그십 제품용 '엑시노스 2500'의 안정적 공급을 위해 사업부 역량을 집중할 계획이다. 업계 최초 3나노 SoC가 적용된 웨어러블 제품의 초기 시장 반응이 호조를 보이고 있고, 하반기 주요 거래선의 시스템온칩(SoC) 채용 모델 확대가 예상된다. 파운드리는 모바일 제품군의 수요 회복세에 따라 AI와 고성능 컴퓨팅 분야 제품 수요가 증가할 것으로 예상된다. 선단 노드 중심으로 시장이 성장할 전망이다. 삼성전자는 선단 공정 사업 확대와 게이트올어라운드(GAA) 3나노 2세대 공정 본격 양산을 통해 올해 시장 성장률을 상회하는 매출 신장을 기대하고 있다. 하반기에도 AI와 고성능 컴퓨팅 분야 수주를 지속 확대할 계획이다. DX(디바이스 경험)부문에서 MX(모바일 경험) 사업부는 AI 수요 확대와 신규 폼팩터 제품 출시 등에 힘입어 프리미엄 제품을 중심으로 시장 성장세를 견인할 것으로 전망된다. 파리 올림픽 연계 마케팅 전략으로 시장과 고객의 초기 관심을 이끌어내고, 폴더블과 웨어러블 신제품 경쟁력을 바탕으로 특화된 갤럭시 AI 경험을 적용한 갤럭시 생태계 중심의 매출 성장을 추진할 계획이다. VD(비쥬얼 디스플레이)는 프리미엄 제품의 수요 성장과 대형화 트렌드 지속으로 전체 TV 시장 수요가 회복될 것으로 전망한다. 이에 삼성전자는 Neo QLED와 OLED 등 주력 제품 판매를 중심으로 시장 성장세를 주도할 계획이다. 삼성전자는 AI·보안·디자인과 연계한 당사만의 특장점과 스마트싱스(SmartThings) 기반의 차별화된 고객 경험을 집중 소구해 시장 성장을 주도하고, 서비스 플랫폼 사업을 강화해 사업 성장 동력을 지속 강화해 나갈 방침이다. 생활가전은 비스포크 AI 신제품 글로벌 판매 확대를 추진해 AI 가전 리더십을 강화하는 동시에, 시스템에어컨과 빌트인 등 B2B 매출 확대를 바탕으로 사업 구조 개선을 지속해 나갈 계획이다. 하만은 전장 부문 신규 분야 수주 확대를 통해 사업 역량을 강화할 예정이다. 소비자 오디오 시장에서는 성수기에 대응해 제품 포트폴리오를 강화하고 차별화된 제품을 선보여 시장 리더십을 공고히 할 계획이다. 삼성디스플레이는 중소형의 경우 주요 고객사인 삼성전자, 애플의 신제품 출시와 최근 증가 중인 AI 스마트폰 교체 수요로 판매 확대가 기대되지만, 업체 간 경쟁은 상반기보다 심화될 전망이다. 대형은 고수익 제품 중심의 운영과 생산성 향상을 통해 매출 확대와 손익 개선을 추진하고 다양한 모니터 신제품을 라인업에 추가해 판매를 확대할 계획이다.

2024.07.31 09:54이나리

FHD 영화 300편 1초에...SK하이닉스, 세계 최고성능 그래픽D램 3분기 양산

SK하이닉스가 세계 최고 수준의 성능이 구현된 차세대 그래픽 메모리 제품인 GDDR7을 공개했다고 30일 밝혔다. GDD은 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 D램의 표준 규격 명칭이다. 그래픽을 빠르게 처리하는데 특화한 규격으로, 3-5-5X-6-7로 세대가 진화해 왔다. 최신 세대일수록 빠른 속도와 높은 전력 효율성을 가지며, 최근에는 그래픽을 넘어 AI 분야에서도 활용도가 높은 고성능 메모리로 주목 받고 있다. SK하이닉스는 “그래픽 처리에 특화된 성능과 빠른 속도를 동시에 충족시키는 D램인 GDDR에 대한 글로벌 AI 고객들의 관심이 매우 커지고 있다”며 “당사는 이에 맞춰 현존 최고 성능의 GDDR7을 3월 개발 완료한 후 이번에 공개했고, 3분기 중 양산을 시작할 계획”이라고 밝혔다. SK하이닉스의 GDDR7은 이전 세대보다 60% 이상 빠른 32Gbps(초당 32기가비트)의 동작속도가 구현됐고, 사용 환경에 따라 최대 40Gbps까지 속도가 높아지는 것으로 확인됐다. 이 제품은 최신 그래픽카드에 탑재돼 초당 1.5TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있게 해주며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 300편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 GDDR7은 빠른 속도를 내면서도 전력 효율은 이전 세대 대비 50% 이상 향상됐다. SK하이닉스는 이를 위해 제품 개발 과정에서 초고속 데이터 처리에 따른 발열 문제를 해결해주는 신규 패키징 기술을 도입했다. 회사 기술진은 제품 사이즈를 유지하면서 패키지에 적용하는 방열기판을 4개층(Layer)에서 6개 층으로 늘리고, 패키징 소재로 고방열 EMC를 적용했다. 이를 통해 기술진은 제품의 열 저항을 이전 세대보다 74% 줄이는데 성공했다. EMC는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하는 반도체 후공정 필수 재료다. 이상권 SK하이닉스 부사장(D램 PP&E 담당)은 “압도적인 속도와 전력 효율로 현존 그래픽 메모리 중 최고 성능을 갖춘 SK하이닉스의 GDDR7은 고사양 3D 그래픽은 물론, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 자율주행까지 활용범위가 확대될 것“이라며 “뛰어난 기술 경쟁력을 바탕으로 프리미엄 메모리 라인업을 한층 강화하면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.07.30 09:30장경윤

드림텍, 인도 메모리 모듈 팹 준공…4분기 양산 시작

드림텍은 종속회사인 '드림텍 인디아'가 그레이터 노이다에 제1공장을 건설하고 준공식을 개최했다고 28일 밝혔다. 이날 준공식에는 박찬홍 드림텍 대표이사, 장재복 주 인도대사, Ravi Kumar N.G 인도 GNIDA 대표, 우타르 프라데시주 관계자 및 삼성전자 인도법인 관계자 등이 참석했다. '북인도의 디트로이트'로 불리는 그레이터 노이다는 글로벌 제조업의 허브로 부상하고 있는 지역이다. 드림텍 인도공장은 수도 뉴델리에서 52km, 삼성전자 인도 법인(SIEL)에서는 27km 거리에 위치해 있다. 드림텍은 글로벌 기업이 포스트 차이나 제조 허브로 인도를 주목하는 흐름에 발맞춰 제조 경쟁력을 갖춘 인도 생산거점을 조기에 확보, 고객사 수요에 적시 대응하고자 인도 진출을 결정한 바 있다. 이를 위해 드림텍은 851억원을 투입해 축구장 11개 규모인 8만942㎡의 부지 및 설비 시설을 마련했다. 이 중 제1공장은 2만4천472㎡ 규모다. 드림텍은 지난 20여년간 축적해 온 '맞춤형 대량생산' 노하우와 경제 성장률 7%를 웃도는 인도의 잠재력이 시너지를 낼 것으로 기대하고 있다. 연간 매출액은 5천억 원에 이를 것으로 전망된다. 드림텍은 인도에 진출한 글로벌 제조 기업들과의 협력을 강화하고 신규 고객을 확보, 다양한 세트 업체의 IT부품 수요에 대응하면서 사업 다각화를 추진한다는 방침이다. 특히 인도공장은 드림텍의 메모리 모듈 사업을 전담하게 된다는 측면에서 주목받는다. 4차 산업혁명과 함께 급증하고 있는 AI 반도체 수요에 대응하기 위한 것으로, 드림텍은 반도체 생산 라인에 인도법인 전체 투자금의 40%을 들였다. 오는 4분기부터 메모리 반도체 D램 모듈과 SSD 완제품을 생산할 계획이며 전체 양산 라인이 가동되는 내년부터는 연간 1000억원 수준의 매출이 발생하게 될 것으로 기대된다. 스마트폰 모듈 부문에서는 삼성전자 인도 법인 물량을 대응, 삼성전자의 스마트폰 물량 증가에 맞춰 연간 물량의 20~25%를 생산하는 것을 목표로 한다. 드림텍 인도공장은 생산 라인을 100% 가동할 경우, 연간 최대 1억개의 스마트폰 부품 모듈을 생산할 수 있는 규모로, 삼성전자의 물량 확대에 유연한 대응이 가능하다. 또한 드림텍은 인도 내 바이오센서 수요 증가에 발맞춰 인도 현지에서 '바이오센서 1Ax, 2A' 등을 생산·공급해 2030년 500억 달러(68.8조원) 규모로 전망되는 인도 의료기기 시장도 공략할 계획이다. 인도 의료기기 시장은 의료 서비스와 인프라가 열악한 데다 지역간 접근성 격차가 커 환자의 건강 상태를 모니터링하고 분석, 진단할 수 있는 웨어러블·빅데이터·로봇공학 분야가 선도하고 있다. 드림텍의 바이오센서는 환자의 가슴 부위에 부착해 심전도, 심박수 등 주요 생체 정보들을 실시간으로 모니터링하는 의료기기로 향후 인도공장을 통해 월 1백만개 수준의 생산능력을 구축, 병원을 중심으로 한 인도 의료시장을 대상으로 제품을 공급한다는 목표다. 이 외에도 인도공장에는 자동화 시스템 및 AI 딥러닝을 적용한 검사 장비가 도입될 예정으로, 생산 효율성 향상과 균일한 품질 수준 유지가 기대된다. 특히, 검사 공정에는 드림텍의 자회사인 '에이아이매틱스'와 협업해 개발한 AI 딥러닝 기반 자동화 검사 장비가 도입된다. 사람이 놓칠 수 있는 불량까지 잡아내 불량 검출력을 획기적으로 향상시킬 뿐만 아니라, 공정 검사 인력을 절감하는 데 크게 기여할 것으로 기대된다. 이창직 드림텍 관리본부장은 “드림텍은 현지의 인프라와 정책적 지원을 바탕으로 글로벌 고객사 요구에 적시에 대응, 신속하고 안정적인 공급망을 제공해 글로벌 ODM기업으로서의 경쟁력과 입지를 강화하겠다”며 “궁극적으로는 다양한 산업군에서의 성장 잠재력을 보유한 인도에서 고부가가치 산업을 중심으로 밸류업 할 것”이라고 말했다.

2024.07.29 06:00장경윤

SK하이닉스, 용인클러스터 1호 팹에 9.4兆 투자…HBM 등 생산

SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다. SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이고, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다. 경기도 용인 원삼면 일대 415만 제곱미터 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다. 회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다. 이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다. 회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다. 이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다. 김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

2024.07.26 17:14장경윤

'낸드냐 D램이냐' 삼성電, P4 설비투자 전략 고심...QLC에 달렸다

삼성전자가 최선단 메모리 투자 방향을 두고 고심하고 있다. 데이터센터·스마트폰 등에서 수요가 강한 9세대 'QLC(쿼드 레벨 셀)' 낸드용 설비 투자 계획이 불투명해졌기 때문이다. 이에 삼성전자 내부에서는 낸드가 아닌 D램향 투자를 늘리는 방안까지 거론되고 있다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 반도체 제4공장(P4)의 향후 투자 방향을 두고 여러 전략을 검토하고 있다. P4는 지난 2022년부터 착공에 들어간 삼성전자의 신규 팹이다. 기존 P3와 동일하게 D램·낸드 등 메모리, 파운드리를 동시에 생산하는 복합동으로 설계됐다. 세부 구축 순서에 따라 페이즈(Ph)1은 낸드, 페이즈2는 파운드리, 페이즈3·4는 D램 제조라인에 해당한다. 그러나 올해 상반기에 들어 P4 투자 계획에 변동이 생겼다. 삼성전자가 7나노미터(nm) 이하의 대형 파운드리 고객사 확보에 부침을 겪으면서, 최선단 파운드리 공정 투자를 서둘러 진행할 필요가 없어졌기 때문이다. 이에 삼성전자는 페이즈2 대신 메모리 투자에 우선순위를 두기로 했다. 다만 이 계획마저도 현재로선 변동성이 상당히 큰 상황이다. 당초 삼성전자는 P4 페이즈1을 순수 낸드 제조라인으로 구성하려고 했으나, 최근 여기에서도 D램을 양산하자는 논의가 제기된 것으로 파악됐다. 가장 큰 원인은 P4 페이즈1의 주력 생산제품이 될 'V9' 낸드다. V9는 280단대로 추정되며, 삼성전자의 경우 지난 4월에 TLC(트리플 레벨 셀) 제품의 본격적인 양산에 들어갔다. TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 구조를 뜻한다. 반면 최선단 낸드 시장은 TLC 대비 고용량 스토리지 구현에 용이한 QLC(셀 하나에 4비트 저장)에 대한 수요가 증가하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 QLC가 올해 낸드 출하량에서 차지하는 비중은 20%에 육박할 것으로 관측된다. AI 서버는 물론, 모바일 시장에서도 QLC 제품 채택이 활발히 일어나고 있다. 삼성전자 역시 이 같은 추세에 맞춰 올 하반기 내로 QLC V9 낸드를 양산하겠다고 밝힌 바 있다. 그러나 이달 기준으로 QLC에 대한 PRA(양산승인)은 아직 떨어지지 않았다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "삼성전자가 V9 양산 소식을 알리기 위해 TLC를 전면적으로 내세우긴 했으나, 실제 최선단 낸드 수요는 TLC가 아닌 QLC에 집중돼 있다"며 "삼성전자가 PRA가 확정되지 않은 이상 낸드에 당장 투자를 진행하기는 어렵다는 판단을 하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "구체적인 사유는 밝히지 않았지만, 삼성전자는 이전 세대인 V8에서도 QLC 낸드 출시를 취소한 바 있다"며 "급하게 QLC 낸드를 준비해야 하는 상황인 만큼 개발이 원활히 진행될 것이라고 장담하기 어렵다"고 평가했다. 실제로 삼성전자는 P4 페이즈1의 낸드 설비 투자를 현재까지 월 1만장 규모로만 확정했다. 물론 이를 내년 4만5천장 수준으로 키우기 위한 투자 전략을 내부적으로 수립한 상황이나, QLC V9 낸드가 적기에 양산승인을 받지 못한다면 D램에 자리를 뺏기는 상황을 맞게 될 수도 있다. 한편 이와는 별개로, 삼성전자의 P4 내 D램 생산능력이 당초 예상보다 확대될 가능성은 매우 높은 것으로 관측된다. QLC가 주요 변수로 작용하고 있는 페이즈1과 달리, 당초 파운드리 라인이었던 페이즈2는 D램으로의 전환 가능성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "D램은 범용 제품의 공급량 부족, HBM 활황 등으로 D램 증설에 대한 목소리가 높다"며 "현실화되는 경우 1a·1b 등 선단 D램의 생산능력이 확대될 수 있다"고 말했다.

2024.07.26 10:26장경윤

SK하이닉스 "올해 HBM 매출 전년比 300% 성장할 것"

SK하이닉스가 AI 서버에서 수요가 강한 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 대한 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장할 것"이라고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 고용량 데이터 처리가 필요한 AI 서버에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 이에 SK하이닉스는 TSV의 생산능력을 올해 2배 이상 확대하기로 했다. 청주에 위치한 M15 팹을 중심으로 투자가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)에 쓰일 1b(5세대 10나노급 D램)으로의 공정 전환도 추진 중이다. 1b D램은 현재 상용화된 D램 중 가장 최선단에 위치한 제품으로, 연말까지 월 9만장 수준의 생산능력을 확보할 계획이다. SK하이닉스는 "늘어난 TSV 및 1b 생산능력을 기반으로 HBM 공급을 빠르게 확대할 것"이라며 "올해 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다"고 밝혔다.

2024.07.25 10:58장경윤

올해 메모리 시장 커진다…HBM·QLC가 성장 견인

22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 D램과 낸드 매출은 각각 907억 달러, 674억 달러로 전년 대비 각각 75%, 77%가량 크게 증가할 것으로 예상된다. 또한 메모리 시장의 성장세가 내년에도 지속되면서 해당 기간 D램은 51%, 낸드는 29% 증가해 사상 최고 매출을 기록할 전망이다. 특히 D램의 경우 평균판매가격이 올해 53%, 내년 35% 상승할 것으로 보인다. 트렌드포스는 D램 매출이 증가하는 요인을 ▲HBM(고대역폭메모리) 호황 ▲ 범용 D램의 차세대 제품 출시 ▲공급사의 제한된 자본 지출 ▲서버 수요 회복 등 네 가지로 꼽았다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. HBM은 올해 전체 D램 비트(bit) 출하량의 5%, 매출의 20% 비중을 차지할 것으로 예상된다. DDR5, 및 LPDDR5·5X 등 고부가 D램 수요도 호조세다. 트렌드포스는 "서버용 D램에서 DDR5가 차지하는 비트 출하량은 올해 40%, 내년 60~65%에 달할 것"이라며 "LPDDR5·5X는 모바일용 D램 출하량에서 올해와 내년 각각 50%, 60% 비중을 차지할 것"이라고 설명했다. 낸드는 QLC(쿼드 레벨 셀)이 매출 증가세를 주도할 것으로 예상된다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량이 많다. 덕분에 고용량 데이터를 다루는 서버 시장에서 수요가 증가하는 추세다. QLC가 올해 낸드 전체 비트 출하량에서 차지하는 비중은 20%로, 내년에도 해당 비중은 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "내년 서버용 QLC 낸드 수요 증가와 스마트폰 산업에서의 QLC 낸드 채택, 공급사의 생산능력 제약 등으로 낸드 시장이 내년 870억 달러에 도달할 것"이라며 "북미 CSP(클라우드서비스제공업체)는 이미 추론 AI 서버용으로 QLC 낸드를 주문하기 시작했다"고 밝혔다.

2024.07.23 10:21장경윤

파두, 메타·WD와 '美 FMS'서 공동 기조연설 진행

데이터센터 반도체 전문기업 기업 파두(FADU)는 8월 초 열리는 '2024 FMS(Future of Memory and Storage)'에서 인공지능(AI) 데이터센터에 최적화한 기업용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 컨트롤러 및 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 솔루션을 선보인다고 22일 밝혔다. 2024 FMS는 현지시간 기준 오는 8월 6일부터 8일까지 미국 캘리포니아 실리콘밸리 산타클라라컨벤션 센터에서 열리는 세계 최대규모 반도체 전시회다. 기존 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit)에서 올해부터 퓨처 오브 메모리 앤드 스토리지(Future of Memory and Storage)로 명칭이 변경됐다. 이 행사 개막일인 6일(현지시간) 파두 이지효 대표는 로스 스텐포트 메타 스토리지 엔지니어인와 에릭 스패넛 웨스턴디지털 마케팅 부사장과 함께 3사 공동 기조 연설에 나선다. 개막일 기조연설은 파두 외에도 삼성전자, SK하이닉스, 키옥시아 등 업계 대표 기업들이 참여하는 행사의 백미다. 이 대표는 “AI 혁명을 이끌다”라는 주제로 AI 시대에 요구되는 플래시 메모리 저장장치의 미래와 이에 따른 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 및 컨트롤러 기술 변화에 대해 진단하고 저전력 고효율 중심의 표준화를 제안할 예정이다. 이를 통해 ▲AI 시대 맞춤형 차세대 SSD 개발 ▲5세대(Gen5) 컨트롤러 리딩 기업 및 6세대(Gen 6) 컨트롤러 선도 기업으로 자리매김 ▲CXL을 중심으로 한 차세대 데이터센터 시스템 등 파두가 개척해 나아가야 할 미래를 제시할 계획이다. 파두는 이번 FMS를 통해 최근 데이터센터의 화두가 되고 있는 총 소요비용(TCO) 절감을 위한 저전력, 고효율 관점의 차별점을 중심으로 업계 최고 성능을 갖춘 5세대 및 6세대 컨트롤러와 함께 FDP(Flexible Data Placement), ATS(Address Translation Service) 등 차세대 SSD에 요구되는 혁신기술들을 대거 선보일 예정이다. 또한 CXL 스위치를 통해 GPU와 DRAM, SSD를 보다 효율적으로 연결함으로써 AI시대에 맞는 데이터센터 시스템을 제안한다. 이 대표는 “이번 FMS에서는 이미 경쟁우위가 확인된 5세대 SSD 컨트롤러에 이어 초고성능 6세대 컨트롤러 및 고효율 전력관리 반도체(PMIC)를 FDP와 같은 차세대 기술과 묶어 선보일 것"이라며 "본격 성장기에 들어서는 기업용 SSD 시장을 제패함은 물론 CXL 스위치를 통해 시스템 차원의 종합 반도체 업체로 발돋움하는 계기로 삼겠다”고 밝혔다.

2024.07.22 09:17장경윤

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