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삼성전자, 올해 HBM 공급량 전년 대비 '2배 성장' 목표

삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 용량 기준으로 전년 대비 2배 수준으로 확대하겠다고 밝혔다. 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 판매량은 전분기 대비 1.9배 성장했다. 삼성전자의 당초 전망치를 소폭 하회한 수준이다. 다만 최선단 HBM 제품인 HBM3E(5세대 HBM)의 매출 비중이 해당 분기 HBM3를 앞지르는 등의 성과도 거뒀다. 삼성전자는 올해에도 첨단 HBM 전환에 집중할 계획이다. 지난해 하반기부터 준비 중인 HBM3E 12단 개선품을 일부 고객사에 1분기 말부터 양산 공급해, 2분기부터 판매를 본격화할 계획이다. 또한 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사에 발맞춰 HBM3E 16단 샘플을 제작해 고객사에 전달했다. 실제 고객사의 상용화 수요는 없을 것으로 보이나, 기술적 검증 차원에서다. 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM)는 기존 계획대로 올 하반기 양산을 목표로 하고 있다. 나아가 고객사와 차세대 제품인 HBM4E의 상용화를 위한 기술적 협의도 지속하고 있다. 다만 올 1분기 삼성전자의 HBM 사업은 당초 예상 대비 부진한 모습을 보일 가능성도 제기된다. 삼성전자는 "올 2분기 이후 HBM3E 8단에서 12단으로 빠르게 수요가 전환되면서, 올해 HBM의 비트(Bit) 공급량은 전년 대비 2배 수준으로 확대될 것"이라며 "다만 미국의 첨단 반도체 수출 통제와 HBM3E 12단 개선품 발표 이후 기존 고객사의 수요 이동으로 1분기 일시적이 수요 공백이 발생할 것"이라고 밝혔다.

2025.01.31 11:15장경윤

삼성전자 "올해 HBM·2나노 강화하겠다"

삼성전자가 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올 1분기 반도체 사업의 약세가 지속될 것으로 내다봤다. 특히 시스템반도체 분야가 부진할 전망으로, 엑시노스 2500의 상용화 지연이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 이에 삼성전자는 올해 메모리 분야에서는 첨단 공정 기반의 고용량 메모리 비중을 확대하고, HBM(고대역폭메모리) 사업을 강화할 계획이다. 시스템반도체 분야에서는 플래그십 SoC(시스템온칩)의 적기 개발, 2나노 공정 양산 및 안정화 등을 추진할 계획이다. ■ 1분기 첨단 메모리 전환 집중…파운드리·LSI는 부진 지속 올 1분기는 반도체 분야 약세가 지속되면서 전사 실적 개선은 제한적일 것으로 예상되나, 세트 부문에서 AI 스마트폰과 프리미엄 제품군 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. DS부문의 경우, 메모리는 모바일 및 PC 제품의 경우 고객사 재고 조정이 지속될 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 고사양 및 고용량 제품 수요 대응을 위한 첨단 공정 전환을 가속화할 방침이다. D램은 1b 나노 전환을 가속화해 DDR5 및 LPDDR5X(저전력 D램) 공급 비중을 확대하고, 낸드는 V6에서 V8로 공정 전환을 진행하고 서버용 V7 QLC(쿼드레벨셀) SSD 판매를 확대할 계획이다. 시스템LSI는 실적 부진이 지속될 것으로 전망된다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 시장 진입 실기가 주된 영향을 끼쳤다. 다만 플래그십 스마트폰 출시로 이미지센서, DDI(디스플레이구동칩) 등 제품 수요는 증가할 것으로 예상된다. 파운드리는 모바일 수요 부진 및 가동률 저하에 따라 실적 부진 지속이 예상되지만, AI·HPC 등 응용처 및 첨단 공정 수주 확대를 위해 공정 성숙도 향상에 집중할 계획이다. DX부문의 경우, MX는 신모델 출시 효과로 스마트폰 출하량 및 평균판매단가가 상승할 전망이다. 태블릿 출하량은 전분기 대비 동등 수준을 유지할 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 갤럭시 S25 등 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 새로운 AI 경험과 제품 경쟁력을 적극 소구하고, 거래선과 협업을 강화해 AI 스마트폰 시장을 주도할 계획이다. 네트워크는 국내 이동통신사의 망 투자 축소로 매출은 전분기 대비 소폭 감소할 전망이다. VD는 계절적 비수기 진입으로 수요 감소가 예상되는 가운데 ▲QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 고부가가치 제품 시장 수요는 견조할 것으로 전망된다. 차별화된 개인화 경험을 제공하는 '삼성 비전 AI'를 적용해 전략 제품 중심으로 판매를 확대하고 수익성을 강화할 계획이다. 생활가전은 비스포크 AI 프리미엄 제품 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. 또한 하만은 오디오 제품 중심으로 판매를 확대해 전년 대비 매출 성장을 추진할 방침이다. 디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 시장 수요 약세가 예상됨에 따라 실적은 보수적으로 전망하고 있으며, 대형은 향상된 성능의 TV와 고해상도 모니터 등 신제품들을 본격 출시할 예정이다. ■ 올해 반도체 사업 경쟁력, HBM·2나노 등에 초점 메모리는 2분기부터 메모리 수요가 회복세를 보일 것으로 예상되는 가운데, D램과 낸드 모두 시장 수요에 맞춰 레거시 제품 비중을 줄이고 첨단 공정으로의 전환을 가속화할 방침이다. 또한 첨단 공정 기반 ▲HBM ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲GDDR7(그래픽 D램) ▲서버용 SSD 등 고부가가치 제품 비중을 늘려 사업 경쟁력 강화에 집중할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 SoC를 적기에 개발해 고객사의 주요 모델에 신규 적용을 추진할 계획이다. 센서 부문은 2억 화소 등 고화소 수요에 적극 대응해 다양한 응용처로 사업을 확장해 나갈 예정이다. 파운드리는 2나노 공정 양산과 안정화를 통해 고객 수요를 확보하고, 4나노 공정도 경쟁력 있는 공정과 설계 인프라를 강화해 나갈 방침이다. MX는 갤럭시 S25 시리즈의 출시를 통해 차별화된 AI 경험으로 모바일 AI 리더십을 공고히 하고 폴더블은 S25의 AI 경험을 최적화하고 라인업을 강화해 판매를 확대할 방침이다. ▲태블릿 ▲노트 PC ▲웨어러블 ▲XR(eXtended Reality)도 고도화된 갤럭시 AI 기능을 적용해 더욱 풍부한 고객 경험을 제공할 계획이다. 제품 경쟁력 강화와 스펙 향상 등으로 주요 원자재 가격 상승이 예상되나, 갤럭시 AI 고도화와 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성 개선에 집중할 방침이다. 네트워크는 주요 사업자의 추가 망 증설과 신규사업자 수주를 확보하고 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 도입을 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. VD는 주요 이머징 마켓 중심으로 TV 수요가 소폭 증가할 것으로 전망된다. 'Home AI' 비전 아래, 스마트싱스(SmartThings) 기반 연결 경험에 AI 기술을 결합하고 보안 솔루션인 '삼성 녹스(Samsung Knox)'를 확대 적용해 AI 스크린 시장을 주도해 나갈 계획이다. 생활가전은 2025년형 AI 혁신 제품 론칭과 사업구조 개선 등을 통해 수익성 개선에 집중할 계획이다. 하만은 전장 고객사를 다변화하고 성장세가 높은 오디오 제품군 판매 확대를 통해 매출 성장을 추진할 계획이다. 디스플레이는 중소형의 경우 제품 경쟁력 강화로 프리미엄 스마트폰 시장 리더십을 유지하고 대형은 다양한 고성능 TV와 모니터의 판매를 확대할 계획이다.

2025.01.31 10:12장경윤

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다. 특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다. 호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속 다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다. 특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다. SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다. 지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다. 올해도 HBM 등 AI 메모리 전환 집중 이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다. 최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다. SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다. 설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점 SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다. 올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다. M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다. SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 12:06장경윤

SK하이닉스, 'HBM4' 상용화 자신…16단도 내년 하반기 공급 예상

SK하이닉스가 내년 인공지능(AI) 메모리 시장의 주류가 될 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 안정적인 개발 및 상용화 준비를 자신했다. 올 하반기 12단 제품 양산 준비를 마무리하는 한편, 16단 제품은 내년 하반기 공급을 내다보고 있다. SK하이닉스는 23일 2024년도 4분기 실적발표에서 내년 하반기부터 HBM4 16단 제품 양산이 진행될 것으로 예상된다고 밝혔다. 현재 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)를 중심으로 사업 확대에 나서고 있다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 나아가 SK하이닉스는 내년 주력 제품이 될 HBM4 상용화 준비도 착실히 진행하고 있다. HBM4는 12단 및 16단 제품으로 구성된다. SK하이닉스는 "HBM4는 기술 안정성과 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용해 개발하고 있고, 올 하반기 중에 개발 및 양산 준비를 마무리하고 공급을 시작하는 것이 목표"라며 "12단 제품으로 공급을 시작해, 16단 제품은 고객 요구 시점에 맞춰 공급할 예정으로 내년 하반기를 예상하고 있다"고 밝혔다.

2025.01.23 11:03장경윤

SK하이닉스, 작년 영업익 23조원 '역대 최대'…HBM·eSSD 효과

SK하이닉스가 HBM, eSSD 등 AI용 고부가 메모리 사업의 확대로 분기, 연간 모두 최대 실적을 달성하는 데 성공했다. SK하이닉스가 지난해 연 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조 4천673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7천969억원(순이익률 30%)으로 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 23일 밝혔다. 매출은 기존 최고였던 2022년(약 44조원)보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(약 20조원)의 성과를 넘어섰다. 특히 4분기 매출은 전 분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 메모리 반도체 수요 강세가 두드러진 가운데 업계 선두의 HBM 기술력과 수익성 중심의 경영을 통해 사상 최고의 실적을 달성했다”고 설명했다. 회사는 이어 “4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD)도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요 성장에 따라 고성능, 고품질 중심의 메모리 시장으로 전환되는 상황을 설명하며 “이번 실적은 고객의 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급할 수 있는 경쟁력을 갖추면 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다는 점에서 의미가 있다”고 강조했다. 이 같은 실적을 바탕으로 2024년 말 SK하이닉스의 현금성 자산은 14조2천억원으로 전년 말 대비 5조2천억원 증가했으며, 차입금은 22조7천억원으로 같은 기간 6조8천억원 감소했다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 31%와 12%로 크게 개선됐다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼, 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 회사는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, 안정적인 수요가 이어지는 가운데 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나갈 방침이다. 낸드는 작년에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 한편 SK하이닉스는 연간 고정배당금을 기존 1천200원에서 1천500원으로 25% 상향해 총 현금 배당액을 연간 1조 원 규모로 확대했다. 이에 회사는 향후 배당시 고정배당금만 지급하고, 기존 배당정책에 포함됐던 연간 잉여현금흐름(FCF, Free Cash Flow)의 5%는 재무건전성을 강화하는데 우선 활용할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고부가가치 제품 매출 비중을 크게 늘리면서 시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다”며 “앞으로도 수익성이 확보된 제품 위주로 투자를 이어간다는 원칙을 유지하면서 시장 상황 변화에 맞춰 유연하게 투자를 결정할 것”이라고 말했다.

2025.01.23 08:55장경윤

디아이 등 HBM4 대응 분주...내달 새 장비 고객사 도입

올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 상용화를 앞두고, 디아이·유니테스트 등 국내 테스트 장비업체들의 대응이 분주해졌다. 이들은 올 1분기 SK하이닉스에 HBM4용 신규 테스터 샘플을 납품해 양산 적용을 위한 테스트를 진행할 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 국내 반도체 테스트 장비업계는 주요 고객사와 이르면 다음달 HBM4용 신규 장비에 대한 테스트를 진행할 예정이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. HBM4는 이르면 올 하반기 상용화되는 최신 HBM 제품으로, 데이터를 송수신하는 입출력단자(I/O) 수가 2024개로 이전 세대 대비 2배 많다. HBM4는 글로벌 팹리스인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '루빈' 시리즈에 탑재된다. 이에 맞춰 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업들은 HBM4 시장 선점을 위한 기술 개발에 주력하고 있다. 국내 테스트 장비업계도 준비에 한창이다. 디아이의 자회사 디지털프론티어, 유니테스트 등은 내달 SK하이닉스에 HBM4용 신규 번-인(Burn-in) 테스터를 도입해 퀄(품질) 테스트를 진행할 예정이다. 번인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품의 불량 여부를 판별하는 장비다. 현재 SK하이닉스는 메모리 기업 중 HBM4 개발 속도가 가장 빠른 것으로 평가받는다. SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 샘플을 엔비디아에 출하하고, 이르면 10월께 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스를 비롯한 메모리 기업들이 HBM의 안정적인 양산을 위해 테스트 분야에 보다 많은 관심을 기울이고 있다"며 "SK하이닉스의 경우 올 3분기에는 HBM4용 테스터에 대한 공급망 구성을 마무리할 것"이라고 밝혔다. 이번 디아이, 유니테스트의 HBM4용 신규 번-인 테스터는 국산화 측면에서도 의미가 있다. HBM 테스트 시장은 일본 어드반테스트가 주도해 왔으나, 최근에는 디아이, 테크윙, 와이씨 등 국내 기업들이 HBM3E용 장비를 납품하는 등 저변을 확대하고 있다. 어드반테스트는 번-인 외에도 HBM의 데이터 전송 속도를 확인하는 고속 검사 등 다양한 테스터를 개발하고 있다. 그만큼 개별 장비에 대한 대응이 느려, 국내 기업들이 진입할 수 있는 틈이 있다는 평가다.

2025.01.21 10:40장경윤

삼성전자, 'HBM 사업 확대' 컨콜 목표 지켰을까

삼성전자가 오는 31일 2024년 4분기 실적발표를 앞둔 가운데, 지난해 제시했던 HBM(고대역폭메모리) 사업 관련 전망치를 얼마나 현실화했을지 귀추가 주목된다. 현재 업계에서 추산하는 삼성전자의 해당 분기 HBM 출하량은 20억Gb(기가비트) 초반 수준으로, 목표치인 30억Gb에는 미치지 못했을 것으로 관측된다. 20일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 목표로 했던 HBM 총 출하량을 달성하지 못했을 가능성이 높은 것으로 분석된다. 지난해 삼성전자는 HBM 사업에서 전반적으로 부진을 면치 못했다. 주요 고객사인 엔비디아에 HBM3E(5세대 HBM) 8단을 늦어도 3분기까지 양산 공급하는 계획을 세웠으나, 실제 뚜렷한 성과를 거두지 못했다. HBM3E 12단 역시 경쟁사 대비 양산화 준비가 더딘 상황이었다. 이에 삼성전자는 지난해 4분기 첨단 제품을 중심으로 HBM 사업을 적극 확대하겠다고 발표한 바 있다. 삼성전자는 지난해 10월 말 진행한 2024년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "3분기 전체 HBM 매출에서 HBM3E의 비중은 10% 초중반 수준까지 증가했다"며 "특히 4분기 HBM3E 비중은 50%가 될 것으로 예상한다"고 밝혔다. 또한 "예상 대비 주요 고객사향 HBM3E 사업화가 지연됐으나, 현재 주요 고객사 퀄 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 강조하기도 했다. ■ 지난해 HBM 사업 목표 미달 가능성 높아 당시 삼성전자의 HBM3E 매출 비중 목표는 엔비디아를 제외한 다른 고객사에 물량을 확대하는 시나리오를 상정한 것으로 알려졌다. 지난해 하반기 반도체 업계에서는 엔비디아를 추격 중인 AMD와 구글·메타 등 거대 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들의 칩을 설계해주는 브로드컴, 자체 AI 추론 및 학습용 칩을 개발해 온 AWS(아마존웹서비스) 등이 유망한 HBM 수요처로 떠올랐다. 다만 삼성전자가 이 같은 전망에 부합하는 실적을 달성했을 가능성은 현재로선 낮은 것으로 관측된다. 반도체 산업을 분석하는 국내 한 증권가 연구원은 "삼성전자의 지난해 HBM 목표 판매량은 50억Gb 수준이고, 4분기에만 30억Gb를 출하했어야 했다. 이에 따라 HBM3E 매출 비중도 50%에 이르지는 못했을 것"이라며 "실제로 출하량이 전분기 대비 늘어나기는 했으나, 출하량이 20억Gb 내외 수준으로 제시했던 목표에는 이르지 못한 것으로 분석된다"고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 연간 HBM 판매량, HBM3E 매출 비중 확대 등은 하반기 제품 개발 및 사업 현황을 봤을 때 현실적으로 달성이 어려웠던 목표"라며 "엔비디아와 브로드컴 등으로의 HBM 출하가 기대치에 못 미치고, 중국향 HBM 사업도 국제 정세로 인해 목표를 충족하지 못했을 것으로 보인다"고 설명했다. ■ 4분기 컨콜서 확실한 목표·비전 제시해야 삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 앞두고 있다. 지난해 삼성전자가 컨퍼런스콜에서 밝힌 HBM 사업 전망이 대체로 현실화되지 못한 만큼, 이번에는 보다 면밀한 분석을 기반으로 2025년 올 한해 명확한 목표를 제시해야 한다는 지적이 제기된다. 현재 삼성전자는 HBM 사업의 반등을 위한 전략을 다각도로 펼치고 있다. 우선 HBM3E 12단의 경우, 엔비디아향 공급을 위해 제품의 회로를 일부 개조해 성능을 끌어올리는 작업을 진행 중이다. 개선품은 이르면 올 3분기께 양산 공급이 이뤄질 수 있을 것으로 전망된다. 동시에 삼성전자는 브로드컴 등 비(非) 엔비디아 고객사와의 협력 확대를 추진하고 있다. 이들 고객사는 엔비디아만큼 HBM에 하이엔드급 성능을 요구하지 않기 때문에, 삼성전자의 진입이 비교적 수월하다. 다만 현재까지 삼성전자가 이들 고객사에 HBM3E 양산 공급을 확정지었는지는 확인되지 않았다. 차세대 HBM인 HBM4(6세대 HBM)의 상용화도 준비하고 있다. 삼성전자의 HBM4는 1c D램(6세대 10나노급 D램)을 기반으로 한다. SK하이닉스, 마이크론 등은 안정성을 고려해 한 세대 전인 1b D램을 채용한다. 현재 삼성전자는 1c D램의 초도 양산을 위한 투자를 진행 중이며, 수율 향상에 전념하고 있는 것으로 전해진다.

2025.01.20 11:19장경윤

SK하이닉스, 엔비디아에 'HBM4' 조기 공급...6월 샘플·10월 양산할 듯

SK하이닉스가 이르면 올해 6월 엔비디아에 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 출하할 계획인 것으로 파악됐다. 이르면 3분기말께부터 제품 공급이 시작될 것으로 관측된다. 당초 하반기 공급에서 일정을 다소 앞당긴 것으로, SK하이닉스는 차세대 HBM 시장을 선점하기 위해 양산화 준비를 서두르고 있다. 15일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 커스터머 샘플(CS)을 고객사에 조기 공급하는 것을 목표로 세웠다. HBM4는 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 이르렀다. HBM4는 이르면 내년 하반기 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개로 집적해 성능을 극대화했다. 엔비디아의 경우 당초 2026년 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 탑재하기로 했었으나, 계획을 앞당겨 올 하반기 출시를 목표로 하고 있다. 이에 따라 SK하이닉스도 HBM4 개발에 속도를 내고 있다. 회사는 엔비디아향 HBM4 공급을 위한 전담 개발팀을 꾸리고, 지난해 4분기 HBM4 테이프아웃을 완료했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 과정이다. 이후 SK하이닉스는 HBM4의 샘플을 고객사에 보내는 일정도 당초 올 하반기에서 6월로 앞당겼다. 해당 샘플은 고객사에 제품을 양산 공급하기 전 인증을 거치기 위한 커스터머 샘플로 알려졌다. HBM4 양산화를 위한 마지막 단계에 돌입한다는 점에서 의미가 있다. 사안에 정통한 관계자는 "엔비디아도 올해 하반기로 시험 양산을 당길만큼 루빈에 대한 초기 출시 의지가 생각보다 강한 것으로 보인다"며 "이에 맞춰 SK하이닉스 등 메모리 기업도 샘플의 조기 공급을 추진하고 있다. 이르면 3분기 말께는 제품 공급이 가능할 것"이라고 설명했다. HBM4는 주요 메모리 기업들의 차세대 고부가 메모리 시장의 격전지가 될 전망이다. 삼성전자는 HBM4에 탑재되는 D램에 1c(6세대 10나노급 D램)을 탑재할 계획이다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 1b D램을 기반으로 하는 것과 달리, 한 세대 앞선 D램으로 성능에서 차별점을 두겠다는 전략으로 풀이된다. 마이크론 역시 최근 진행한 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표에서 "오는 2026년 HBM4의 본격적인 양산 확대를 진행할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.01.15 13:29장경윤

팹 투자 앞당긴 日 키오시아, 삼성·SK와 첨단 낸드 전면전 선언

일본 키오시아가 첨단 낸드 생산능력 확대에 속도를 낸다. 당초 올 상반기 진행하기로 했던 설비투자 계획을 앞당겨, 지난해 말부터 장비 발주를 시작한 것으로 파악됐다. 또한 키오시아는 올 하반기 차세대 낸드에 대한 투자 계획도 수립했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 경쟁사를 빠르게 추격하기 위한 전략으로, 국내 낸드 업계와의 기술력 경쟁이 심화될 것으로 전망된다. 13일 업계에 따르면 키오시아는 지난해 말부터 낸드 생산능력 확장을 위한 설비투자를 진행하고 있다. 키오시아는 일본 주요 낸드 기업으로, 지난해 2분기 기준 전 세계 낸드 시장 점유율 3위를 차지하고 있다. 생산거점은 일본 미에현 욧카이치와 이와테현 기타카미 등에 위치해 있다. 키오시아는 지난해 12월 도쿄증권거래소 프라임시장에 상장하면서 1천200억엔(한화 약 1조1천억원)을 조달했다. 회사는 이 자금을 차세대 낸드 개발 및 생산능력 확대에 활용하겠다고 밝힌 바 있다. 일본 정부 역시 키오시아에 2천430억엔의 보조금을 지원하기로 했다. 실제로 키오시아는 최신급인 8세대 낸드를 중심으로 설비투자를 적극 진행 중이다. 당초 키오시아는 욧카이치 'Y7' 팹의 마지막 유휴공간을 채우기 위한 설비투자를 올해 1월 시작하기로 했다. 그러나 지난해 4분기에 이미 관련 협력사에 발주를 시작한 것으로 파악됐다. 투자 규모는 월 1만5천장 수준이다. 기타카미 'K2' 팹에 대한 투자도 당초 올 1분기 진행할 예정이었으나, 지난해 말 설비발주가 일부 시작됐다. 올 연말까지 총 2만5천장의 생산능력을 확보하기 위한 투자가 꾸준히 진행될 것으로 전망된다. 올 하반기부터 10세대 낸드에 대한 투자도 진행될 전망이다. 10세대(400단대 추정)는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 낸드인 9세대를 뛰어넘는 제품이다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업도 이르면 올 하반기 10세대 낸드 양산을 시작할 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "키오시아가 상장 전 공유한 투자 계획 상으로는 올 하반기부터 2026년까지 월 5만장 규모의 10세대 낸드 투자가 진행될 예정"이라며 "차세대 낸드 기술력에 대해 상당한 자신감이 있는 것으로 보인다"고 설명했다. 키오시아의 계획이 순항할 경우, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들과의 경쟁 심화가 불가피할 것으로 전망된다. 키오시아는 낸드 제품에 자체 개발한 'BiCS' 기술을 적용하고 있다. BiCS는 셀을 수직(3D)으로 적층하는 기술로, 200단 이상의 제품부터는 주변 회로와 셀을 각각의 웨이퍼에서 제조한 뒤 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 채용하고 있다. 삼성전자, SK하이닉스도 400단 이상 적층하는 낸드부터 하이브리드 본딩을 적용하기로 하는 등 차세대 기술 개발을 서두르고 있다. 다만 실제 양산 투자에 대한 계획은 아직 명확하게 나오지 않았다. AI 데이터센터를 제외한 낸드 시장이 부진하고, 차세대 제품의 시장성이 뚜렷하지 않기 때문인 것으로 관측된다. 또 다른 관계자는 "현재 국내 메모리 업계는 차세대 낸드에 대한 신규 투자보다는 효율성을 극대화한 전환 투자에만 집중하고 있다"며 "낸드의 세대를 높이기보다 QLC(쿼드레벨셀) 등 AI 산업을 위한 고용량 제품 개발에 더 무게를 두고 있다"고 밝혔다.

2025.01.13 11:12장경윤

모바일 낸드 '新표준' 제정…삼성·SK, AI 스마트폰 공략 속도

모바일용 차세대 낸드 표준이 정해졌다. 기존 대비 고용량 메모리 구현에 용이한 성능으로, 향후 AI 스마트폰 등에서 활용도가 증가할 것으로 기대된다. 삼성전자, SK하이닉스도 관련 기술에 깊은 관심을 기울이고 있는 것으로 전해진다. 11일 업계에 따르면 국제반도체표준화기구(JEDEC)는 최근 'UFS 4.1'에 대한 표준을 발표했다. UFS는 유니버설 플래시 스토리지의 약자다. 스마트폰, 태블릿 PC 등 모바일 기기에 초점을 맞춘 낸드 제품으로, 전력 효율성과 신뢰성을 높인 것이 특징이다. 2011년 첫 표준이 제정돼, 현재까지도 고부가 제품에 적극 채용되고 있다. UFS는 1.0을 시작으로 꾸준히 표준이 개선돼, 지난 2022년 4.0 버전까지 제정됐다. 나아가 JEDEC은 지난해 말 차세대 표준인 UFS 4.1와 이에 호응하는 인터페이스를 만들고, 이달 구체적인 성능을 공개했다. UFS 4.1은 더 효율적인 메모리 관리와 시스템 처리량을 높일 수 있는 신규 기능이 도입됐으며, 승인되지 않은 데이터의 접근을 방지하는 RPMB(보호된 메모리 블록 재생) 인증이 적용됐다. 특히 UFS 4.1은 메모리 회로 성능 강화를 위해 정밀도가 높아졌다. 이를 통해 QLC(쿼드레벨셀) 구현을 위한 길이 마련됐다는 것이 JEDEC의 설명이다. 낸드는 셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 하나에 비트(Bit)를 얼마나 저장하는지에 따라 SLC(싱글레벨셀; 1개)·MLC(멀티레벨셀; 2개)·TLC(트리플레벨셀; 3개)·QLC 등으로 나뉜다. QLC가 더 많은 비트를 저장하므로, 고용량 제품 구현에 용이하다. 다만 기술적 난이도 역시 높다. 현재 IT 산업은 AI 기술의 발달로 더 많은 데이터 저장 및 처리를 요구하고 있다. 때문에 데이터센터용 SSD(eSSD) 산업에서는 이미 QLC 낸드가 각광받는 추세다. 삼성전자·애플이 차세대 스마트폰에 온디바이스AI 성능을 강화하고 있는 만큼, 모바일 낸드 시장에서도 향후 QLC가 채택될 것으로 기대된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 이번 UFS 4.1 표준 제정에 관심을 기울이고 있다. 현재웅 삼성전자 상무는 "UFS는 고성능 및 저전력 소모, 소형 패키지를 제공하는 메모리로 에지 AI와 모바일·자동차 산업에 적합하다"며 "UFS 4.1에 도입된 개선 사항은 UFS의 성능과 보안, QLC 지원 등을 개선하는 데 효과적"이라고 말했다. 윤재연 SK하이닉스 부사장은 "UFS 4.1은 단순한 스토리지 솔루션이 아니라 차세대 AI 기반 모바일 혁신의 촉매제"라며 "보안을 크게 강화하고 지연 시간을 최소화함으로써 온디바이스AI가 사용자 경험의 새로운 차원에 도달할 수 있도록 지원한다"고 밝혔다. 실제로 SK하이닉스는 지난해 하반기 V9(9세대) TLC 낸드 기반의 UFS 4.1 샘플을 선제적으로 공개한 바 있다. V9은 SK하이닉스의 낸드 중 가장 최근 상용화된 낸드로, 적층 수는 321단이다.

2025.01.11 15:00장경윤

SK하이닉스·SKT·펭귄솔루션스, 'AI 데이터센터' 사업 확장에 맞손

SK하이닉스는 미국 라스베이거스에서 SK텔레콤, 펭귄 솔루션스와 'AI 데이터센터 솔루션 공동 R&D 및 사업 추진'을 위한 협약을 체결했다고 10일 밝혔다. 협약식에는 유영상 SKT CEO, 마크 아담스(Mark Adams) 펭귄 솔루션스 CEO, 김주선 SK하이닉스 AI Infra(인프라) 사장 등 각사 주요 인사가 참석했다. 펭귄 솔루션스는 미국의 AI 데이터센터 통합 솔루션 대표 기업이다. 이 회사는 AI 서비스를 제공하는 기업에게 맞춤형 데이터센터를 구축해주고 관리하는 사업을 하고 있다. 이번 협약을 통해 3사는 AI 데이터센터의 글로벌 확장을 위해 신규 시장을 개척하고 솔루션 공동 연구개발(R&D) 및 상용화에 나서기로 했다. 데이터센터용 차세대 메모리 제품 개발에서도 긴밀히 협력해 SK하이닉스의 차별적인 HBM 경쟁력을 확대해 나갈 방침이다. SK하이닉스는 “AI 데이터센터의 효율적 운영을 위해 메모리 반도체 기술 혁신은 필수적이며, 특히 전력 효율과 방열 성능 향상은 핵심 과제”라며 “SK텔레콤, 펭귄 솔루션스와의 협력을 통해 메모리 기술의 한계를 극복하고, 글로벌 AI 생태계 확장을 선도하겠다”고 밝혔다.

2025.01.10 09:19장경윤

'저전력' AI칩에 힘 주는 엔비디아…삼성·SK, LPDDR 성장 기대감

엔비디아가 인공지능(AI) 반도체 시장 영역을 자율주행·로봇·개인용 PC 등으로 적극 확장하기로 하면서 고성능 데이터 연산과 동시에 '저전력' 특성이 중요한 삼성전자, SK하이닉스의 고부가 메모리 사업에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 관측된다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 지난 6일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 IT 박람회 'CES 2025′ 기조연설을 진행했다. 이날 젠슨 황 CEO는 ▲ 휴머노이드 로봇 및 자율주행용 컴퓨터인 '젯슨 토르' ▲ 물리적 AI 개발 플랫폼인 '코스모스' ▲ 개인용 AI 슈퍼컴퓨터를 위한 'GB10' 슈퍼칩 등 차세대 AI 시장을 선점하기 위한 솔루션을 대거 공개했다. 엔비디아 신규 솔루션, 물리적 AI 등 '저전력' 초점 물리적 AI는 실제 물리적 환경에서 센서와 구동기를 통해 작업을 수행하는 AI를 뜻한다. 자율주행과 로봇 등이 대표적인 응용처다. 기존 서버 중심의 LLM(거대언어모델) 대비 빠른 응답 속도와 다양한 환경 변수 처리 성능이 필요하다. 물리적 AI를 제대로 구현하기 위해서는 기기 자체에서 AI 연산을 처리하는 온디바이스 AI가 필수적이다. 이에 일반 메모리 대비 전력 효율성이 높은 LPDDR(저전력 D램)의 수요가 촉진될 것으로 관측된다. 구체적으로 엔비디아는 올 상반기 중 젯슨 시리즈의 신규 제품 '토르'를 출시할 예정이다. 젯슨은 엔비디아가 로보틱스 및 엣지 컴퓨팅 시장을 겨냥해 개발한 제품군이다. 토르의 경우 최대 800테라플롭스(1테라플롭스는 초당 1조번 연산 수행)의 AI 처리 성능과 엔비디아의 차세대 GPU인 블랙웰을 탑재한다. 젯슨 시리즈가 LPDDR을 채용해온 만큼, 토르 역시 최첨단 LPDDR 제품이 쓰일 것으로 전망된다. GB(그레이스블랙웰)10 슈퍼칩은 엔비디아가 대만 주요 팹리스 미디어텍과 개발한 개인용 AI 슈퍼컴퓨터 '프로젝트 디지트(Digits)'에 채용된다. 프로젝트 디지트는 오는 5월 출시 예정이다. GB10 슈퍼칩은 FP4 정밀도에서 최대 1페타플롭스(1초당 1천조번 연산)의 AI 성능을 제공한다. 또한 GB10 내부의 '그레이스' CPU는 128GB(기가바이트) 용량의 LPDDR5X를 채용했다. 그레이스는 엔비디아가 서버 시장을 겨냥해 자체 개발한 CPU다. 향후 노트북 등 개인용 PC에도 적용될 예정이다. 메모리반도체 업계 관계자는 "엔비디아가 이전부터 AI 시장의 영역을 슈퍼컴퓨팅에서 온디바이스AI, 물리적 AI 등 에지 영역으로 확장하겠다는 계획을 발표해 왔다"며 "현재로선 저전력 구동에 LPDDR 제품이 필수불가결하기 때문에 수요가 늘어날 것이고, 향후 AI 기술이 고도화되면 이에 맞춰 차세대 메모리가 상용화될 것"이라고 설명했다. LPDDR·LPCAMM 중요성 높아져…삼성·SK 기회 이 같은 추세는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업의 고부가 메모리 사업에도 긍정적인 영향을 미칠 전망이다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔다. 가장 최근 상용화된 7세대 LPDDR5X은 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론만이 상용화에 성공한 고부가 제품에 해당한다. CXMT(창신메모리) 등 후발 주자들은 지난 2023년 말 기준 LPDDR5 양산에 돌입했다. LPCAMM도 차세대 메모리로서 상용화가 기대된다. LPCAMM은 기존 LPDDR 모듈 방식인 So-DIMM(탈부착)과 온보드(직접 탑재)의 장점을 결합한 기술이다. 기존 방식 대비 패키지 면적을 줄이면서도 전력 효율성을 높이고, 탈부착 형식으로 제작하는 것이 가능하다. 이에 주요 메모리 기업들은 지난 2023년께 2세대 LPCAMM인 LPCAMM2을 앞다퉈 개발하는 등 시장 선점을 준비해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "젠슨 황 CEO의 이번 발표는 엔비디아가 GB 플랫폼의 중심을 저전력으로 변화시키고 있다는 것을 보여준다"며 "엔비디아도 PC 시장을 위한 차세대 솔루션에서 LPCAMM을 채용하는 방안을 검토하고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2025.01.09 13:57장경윤

엔비디아 젠슨황 "삼성 HBM 성공 확신...설계는 새로 해야"

세계 최고 인공지능(AI) 반도체 기업 미국 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 삼성전자 고대역폭메모리(HBM)에 대해 “새로 설계해야 한다”고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 메모리 반도체다. SK하이닉스와 미국 마이크론이 엔비디아에 공급하고 있다. 삼성전자는 납품에 앞서 품질 테스트 중이다. 황 CEO는 7일(현지시간) 세계 최대 가전·정보기술(IT) 전시회 'CES 2025'가 개막한 미국 라스베이거스 퐁텐블루호텔에서 열린 기자간담회에서 '삼성전자 HBM을 왜 이리 오래 시험하느냐'는 물음에 “오래 걸리는 게 아니다”라며 “한국은 서두르려 한다”고 답했다. 황 CEO가 삼성전자 HBM을 공개적으로 지적한 일은 이번이 처음이다. 다만 그는 “엔비디아가 처음 쓴 HBM은 삼성전자가 만든 것이었다”며 “내일(8일)이 수요일이라고 확신할 수 있듯 삼성전자 성공을 확신한다”고 덧붙였다. 황 CEO는 소비자용 그래픽처리장치(GPU) 신제품 '지포스 RTX 50'에 마이크론 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7을 쓴다고 밝힌 이유도 언급했다. 그는 “삼성전자와 SK하이닉스는 그래픽 메모리가 없는 것으로 안다”며 “그들도 하느냐”고 되물었다. 이어 “삼성전자와 SK하이닉스는 엔비디아의 가장 큰 공급업체 중 두 곳”이라며 “매우 훌륭한 메모리 반도체 기업”이라고 평가했다. GDDR7은 영상과 그래픽을 처리하는 초고속 D램이다. 마이크론뿐 아니라 삼성전자와 SK하이닉스도 생산한다. 한편 황 CEO는 곧 최태원 SK그룹 회장과 만날 것으로 보인다. '이번 CES 기간 최 회장을 만나느냐'는 질문에 황 CEO는 “만날 예정”이라며 “기대하고 있다”고 답했다.

2025.01.08 11:13유혜진

'AI 인프라'에 수백조 쏟는 빅테크…삼성·SK AI 메모리 훈풍 불까

글로벌 빅테크 기업들이 새해 인공지능(AI) 인프라 확충에 적극 나서고 있다. 마이크로소프트, 아마존 등이 최근 조 단위의 AI 데이터센터용 설비투자 계획을 잇따라 발표했다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계도 긍정적인 효과를 거둘 수 있을 것으로 분석된다. 6일 업계에 따르면 해외 주요 클라우드서비스제공자(CSP)들은 새해 AI 데이터센터 구축에 막대한 비용을 투자할 계획이다. 마이크로소프트(MS)는 회계연도 2025년(지난해 7월~올해 6월)에만 800억 달러(한화 약 118조원)에 이르는 대규모 투자를 AI 데이터센터에 투자한다. 전년 전체 자본지출 규모인 557억 달러 대비 43% 가량 많다. 브래드 스미스 MS 부회장 겸 사장은 지난 3일 회사 블로그를 통해 "AI 모델을 훈련하고, 전 세계에 AI 및 클라우드 기반 서비스를 지원하기 위한 AI 데이터센터 구축에 약 800억 달러를 투자할 예정"이라며 "이 중 절반 이상이 미국에 투자될 것"이라고 밝혔다. 아마존도 올해 최소 800억 달러의 설비투자가 예상된다. 앤디 재시 아마존 최고경영자(CEO)는 지난해 "2024년 설비투자에 750억 달러를 지출하고, 2025년에는 더 많은 비용을 지출할 것"이라며 "생성형 AI에 의해 주도되는 투자로, 일생에 한 번 있을까 말까 한 기회"라고 강조한 바 있다. 지난해 12월에는 미국 오하이오주 소재의 AWS(아마존웹서비스) 데이터센터 구축에 100억 달러를 추가 투입하겠다고 발표했다. AWS는 오하이오주 데이터센터에 2020년까지 60억 달러를 투자했으며, 2023년에도 79억 달러의 추가 투자를 확정했다. 이번 발표로 해당 데이터센터에 대한 AWS의 투자 규모는 230억 달러를 넘어서게 된다. 이외에도 메타, 구글 등이 올해 자본지출 규모의 증가를 예상하고 있다. 이들 4대 CSP의 지난해 설비투자 규모는 2천억 달러를 넘을 것으로 관측되고 있다. 이를 고려하면 올해 역시 2천억 달러를 웃도는 설비투자가 이뤄질 전망이다. 글로벌 빅테크의 데이터센터를 비롯한 AI 인프라 투자는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업들에게도 수혜로 작용할 전망이다. 데이터센터에는 GPU, CPU 등의 시스템반도체와 D램, SSD 등 메모리반도체가 대거 탑재되기 때문이다. 최근 메모리반도체 시장은 스마트폰, PC 등 IT기기 수요 부진으로 범용 제품의 가격 하락세가 심화되는 추세다. 다만 서버용 고성능 DDR5, eSSD(기업용 SSD) 등은 비교적 견조한 수요를 나타내고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 1분기 서버용 D램 가격은 전분기 대비 3~8% 하락할 것으로 예상된다. 범용 D램이 8~13% 하락하는 데 비해 낙폭이 적다. 낸드는 범용 제품이 10~15% 하락하나, eSSD는 5~10% 수준으로 하락할 전망이다. 또한 삼성전자, SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에도 적극적으로 나서고 있다. HBM은 AI 업계를 주도하는 엔비디아와 자체 ASIC(주문형반도체)를 개발하는 CSP 기업들로 인해 수요가 급증하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "비용에 대한 부담으로 AI 관련 기업들이 설비투자를 줄일 수도 있다는 우려가 제기되기도 했으나, 낙관적인 전망이 꾸준히 확인되고 있다"며 "국내 메모리 기업들에게도 긍정적으로 작용할 것"이라고 말했다.

2025.01.06 10:58장경윤

SK하이닉스 자회사 솔리다임, 소비자용 SSD 시장 철수…AI용 낸드 집중

SK하이닉스 자회사 솔리다임이 지난해 말 소비자용 SSD 제품을 단종했다. 인공지능(AI) 산업 성장세에 맞춰 데이터센터용 고용량 SSD 사업에 집중하기 위한 전략으로 풀이된다. 3일 업계에 따르면 솔리다임은 소비자용 SSD 출하를 중단하고 데이터센터용 eSSD 사업에 집중할 계획이다. 솔리다임은 소비자용 SSD 제품군으로 'P44 프로', 'P41 플러스' 등을 제공해 왔다. 그러나 솔리다임은 지난해 10월께 이들을 비롯한 소비자용 SSD 제품을 모두 단종시켰다. 최근 공식 홈페이지에도 이 같은 사실을 명시했다. 솔리다임은 이번 소비자용 SSD 단종을 통해 AI 데이터센터 사업 강화에 역량을 집중할 것으로 관측된다. 현재 SSD 시장은 스마트폰·PC 등 IT 수요 부진으로 극심한 가격 하락 압박을 받고 있다. 그러나 AI 데이터센터용 고성능, 고용량 SSD 수요는 비교적 견조한 흐름을 유지하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 낸드의 ASP(평균판매가격)는 지난해 4분기에 전분기 대비 3~8% 하락하고, 올 1분기에도 10~15%의 하락이 예상된다. 반면 eSSD는 지난해 4분기 가격이 0~5% 상승하고, 올 1분기 5~10% 수준으로 하락할 전망이다. 이에 SK하이닉스는 솔리다임을 중심으로 AI 데이터센터용 QLC(쿼드레벨셀) 제품 개발에 주력해 왔다. QLC는 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀 하나에 4비트를 저장하는 방식이다. 1비트 저장은 SLC, 2비트는 MLC, 3비트는 TLC 등으로 불린다. QLC는 이들에 비해 데이터를 더 많이 저장할 수 있어, 막대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 각광받고 있다. 지난해 12월에도 SK하이닉스는 QLC 기반의 61TB(테라바이트) eSSD인 'PS1012 U.2' 공개하며 "당사와 솔리다임은 QLC 기반 고용량 SSD 라인업을 강화해 AI 낸드 솔루션 분야 기술 리더십을 확고히 하고 있다"고 밝힌 바 있다. 이와 관련, 솔리다임 관계자는 "지난해 P41 플러스와 P44 프로 제품을 마지막으로 소비자용 SSD 제품 라인업을 단종했다"며 "AI용 고용량 eSSD 제품 시장을 선도하고 있는 솔리다임은 향후 데이터센터용 SSD 제품에 집중할 예정"이라고 말했다. 한편 SK하이닉스는 지난 2020년 10월 인텔의 낸드 사업부를 약 11조원에 인수하기로 하고, 사명을 솔리다임으로 변경했다. 1차 대금은 지난 2021년 지급 완료했으며, 남은 2차 대금은 올해 3월까지 지급할 예정이다.

2025.01.03 10:10장경윤

SK하이닉스, CES에 경영진 총출동...AI 메모리 프로바이더 청사진 제시

SK하이닉스는 오는 7일부터 10일(현지 시간)까지 미국 라스베이거스에서 열리는 'CES 2025'에 참가해 혁신적인 AI 메모리 기술력을 선보인다고 3일 밝혔다. 이번 행사에는 곽노정 대표이사 사장(CEO)과 함께 김주선 AI Infra(인프라) 사장(CMO), 안현 개발총괄 사장(CDO) 등 SK하이닉스 'C-Level'(C레벨) 경영진이 참석한다. 김주선 SK하이닉스 사장은 “이번 CES에서 HBM, eSSD 등 대표적인 AI 메모리 제품을 비롯해 온디바이스 AI에 최적화된 솔루션과 차세대 AI 메모리를 폭 넓게 선보일 것”이라며 “이를 통해 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)'로서 미래를 준비하는 당사의 기술 경쟁력을 널리 알리겠다”고 강조했다. SK하이닉스는 '혁신적인 AI 기술로 지속가능한 미래를 만든다(Innovative AI, Sustainable tomorrow)'를 주제로 SK텔레콤, SKC, SK엔무브 등 SK 관계사들과 공동 전시관을 운영한다. 전시관은 SK그룹이 보유한 AI인프라와 서비스가 세상을 변화시키는 모습을 빛의 파도 형태로 구성했다. 세계 최초로 5세대 HBM(HBM3E) 12단 제품을 양산해 고객에게 공급하고 있는 SK하이닉스는 작년 11월에 개발을 공식화한 5세대 HBM(HBM3E) 16단 제품 샘플을 이번 전시에 선보인다. 이 제품은 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 업계 최고층인 16단을 구현하면서도 칩의 휨 현상을 제어하고 방열 성능을 극대화했다. 또한 회사는 AI 데이터센터 구축이 늘면서 수요가 급증하고 있는 고용량, 고성능 기업용 SSD(eSSD) 제품도 전시한다. 여기에는 자회사인 솔리다임(Solidigm)이 작년 11월 개발한 'D5-P5336' 122TB(테라바이트) 제품도 포함된다. 이 제품은 현존 최대 용량에 높은 전력, 공간 효율성까지 갖춰 AI 데이터센터 고객들로부터 큰 관심을 받고 있다. 안현 SK하이닉스 사장은 "솔리다임에 이어 SK하이닉스도 지난 12월 QLC(쿼드러플 레벨 셀) 기반 61TB 제품 개발에 성공한 만큼 고용량 eSSD 시장에서 양사 간 균형 잡힌 포트폴리오를 바탕으로 시너지를 극대화할 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다. SK하이닉스는 PC나 스마트폰 같은 엣지(Edge)디바이스에서 AI를 구현하기 위해 데이터 처리 속도와 전력 효율을 개선한 'LPCAMM2', 'ZUFS 4.0' 등 온디바이스 AI용 제품도 전시한다. LPCAMM2는 LPDDR5X 기반의 모듈 솔루션 제품으로, 기존 DDR5 SODIMM 2개를 LPCAMM2 1개로 대체하는 성능 효과를 가지면서 공간을 절약하고 저전력과 고성능 특성을 구현한다. ZUFS는 플래시 메모리 제품인 UFS의 데이터 관리 효율을 향상시킨 제품으로, 유사한 특성의 데이터를 동일한 구역(Zone)에 저장하고 관리해 운용 시스템과 저장 장치간의 데이터 전송을 최적화한다. 차세대 데이터센터의 핵심 인프라로 자리잡을 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크)과 PIM(프로세싱 인 메모리), 그리고 각각 이를 적용해 모듈화 시킨 CMM(CXL 메모리모듈)-Ax와 AiMX도 함께 전시한다. AiMX는 SK하이닉스의 PIM 제품인 GDDR6-AiM 기반 가속기 카드다. 특히 CMM-Ax는 고용량 메모리를 확장할 수 있는 CXL의 장점에 연산 기능을 더해 차세대 서버 플랫폼의 성능과 에너지 효율 향상에 기여할 수 있는 획기적인 제품이다. 곽노정 SK하이닉스 CEO는 “AI가 촉발한 세상의 변화는 올해 더욱 가속화할 전망으로, 당사는 올해 하반기 6세대 HBM(HBM4)을 양산해 고객들의 다양한 요구에 부합하는 맞춤형(Customized) HBM 시장을 선도하겠다”며 “SK하이닉스는 앞으로도 기술 혁신을 바탕으로 AI 시대에 새로운 가능성을 제시하고, 고객들에게 대체 불가능한 가치를 제공할 수 있도록 최선을 다하겠다”고 밝혔다.

2025.01.03 09:28장경윤

삼성·SK, 낸드 불황에 원가절감 전력…구세대 설비로 개조로 'V9' 대응

삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 업계가 낸드 불황에 '원가 절감' 투자 전략을 추진한다. 최근 레거시 낸드의 생산량을 크게 줄이는 동시에, 가동률이 저조한 구형 설비를 최신형 설비로 개조하기 위한 작업에 착수한 것으로 파악된다. 26일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 올 하반기 주요 협력사에 기존 낸드용 설비의 개조를 의뢰했다. 최근 낸드 시장은 PC·스마트폰 등 IT 수요의 부진으로 가격 하락세에 놓여있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 메모리카드·USB용 낸드플래시 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 11월 평균 고정거래가격은 전월 대비 29.80% 하락한 2.16달러로 집계됐다. 특히 7세대 등 구형 낸드의 공급 과잉이 심각한 상황이다. IT 수요 감소와 더불어 일본 키오시아, 중국 YMTC 등 후발주자들이 경쟁에 뛰어들고 있기 때문이다. 7세대(V7) 낸드는 메모리를 저장하는 셀(Cell)을 170단 내외로 적층한 낸드다. 낸드는 셀을 더 많이 쌓을수록 성능이 좋아진다. 삼성전자·SK하이닉스가 7세대 낸드 양산을 본격화한 시기는 2021년 말부터다. 이에 국내 메모리 업계는 7세대 낸드 가동률을 낮추는 한편, 유휴 설비를 8·9세대 낸드용 설비로 활용할 수 있도록 협력사에 개조를 의뢰했다. 또한 기존 최선단 낸드에 대한 신규 설비투자 계획은 보류하거나 축소하기로 했다. 업계 한 관계자는 "삼성전자가 평택 공장에 낸드용 신규 설비를 도입하기로 했던 계획을 취소하고, 기존 설비를 개조해 9세대(V9) 이상의 낸드에 대응하도록 지침을 내렸다"며 "낸드 제조의 핵심인 식각장비도 성능을 향상시키면 7세대급 장비로도 9세대 낸드 양산이 가능하다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 청주 M15팹에서 기존 7세대 양산용 설비를 9세대로 전환하기 위한 작업을 진행 중"이라며 "설비투자가 HBM(고대역폭메모리)에 집중돼 있고, 유휴 공간이 많지 않은 만큼 투자의 효율성을 최대한 중시하는 분위기"라고 설명했다.

2024.12.27 15:38장경윤

김남석 LB세미콘 대표 "세계 OSAT 10위권 진입…매출 1兆 달성 목표"

LB세미콘이 향후 3~4년 뒤 회사의 매출을 1조원까지 성장시키겠다는 목표를 제시했다. 글로벌 OSAT(외주반도체패키징테스트) 10위권에 진입할 수 있는 규모다. 동시에 해외 시장을 중심으로 고객사를 다변화한다는 전략이다. 이를 위해 LB세미콘은 LB루셈과의 합병을 통해 전력반도체 사업을 크게 확대할 계획이며, 메모리 및 플립칩 패키징 등 신규 사업으로의 진출도 준비하고 있다. 김남석 LB세미콘 대표는 26일 서울 양재 모처에서 기자들과 만나 회사의 향후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. ■ "DDI 의존 탈피…매출 1조원 및 해외 매출 비중 40% 달성할 것" LB세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 삼성전자를 비롯한 국내외 고객사로부터 의뢰를 받아 범핑·테스트·백엔드(Back-End) 등의 공정을 수행한다. 주력 사업 분야로는 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등이 있다. 특히 DDI는 LB세미콘의 전체 매출에서 60~70%를 담당할 정도로 비중이 높다. 다만 DDI 시장은 스마트폰 및 PC 시장의 부진으로 최근 수요가 감소하는 추세다. 이에 LB세미콘은 중장기적 관점에서 회사의 신(新)성장 동력을 확보하기 위한 준비에 나섰다. ▲ AI·자동차 등 고전력 산업에 필요한 전력반도체 패키징 ▲ D램 등 메모리용 범핑 ▲ 플립칩 패키징 등이 핵심으로 꼽힌다. 김 대표는 "패키징 사업 분야 확대와 신사업 추진 등으로 오는 2027~2028년 매출 1조원과 글로벌 OSAT 기업 순위 10위권에 진입하는 것이 목표"라며 "해외 고객사 영업도 적극적으로 진행하고 있어, 해외 매출 비중이 기존 10%에서 40% 수준으로 끌어올릴 수 있을 것으로 기대한다"고 강조했다. 그는 이어 "구체적인 고객사를 밝힐 수는 없으나, 해외 주요 고객사 몇 곳과 내년도부터 사업을 시작한다"며 "새해에는 소규모지만 내후년부터 사업이 굉장히 커질 것"이라고 덧붙였다. ■ LB루셈과 합병해 전력반도체 시장 공략…日 고객사 공급 유력 먼저 전력반도체 패키징은 자회사 LB루셈과의 합병으로 주요 고객사에 '턴키(Turn-key)' 솔루션을 제공할 계획이다. 앞서 LB세미콘은 지난 10월 사업 간 시너지 효과 도모, 재무 건전성 강화 등을 목적으로 LB루셈을 흡수합병하겠다고 밝힌 바 있다. LB루셈은 전력반도체 공정을 위한 ENIG(무전해 도금) 공정 설치와 타이코(TAIKO) 그라인딩 공정에 투자해 왔다. 타이코 그라인딩은 일본 디스코사가 개발한 기술로, 웨이퍼의 가장자리를 남기고 연삭해 웨이퍼의 강도를 높인다. 이를 기반으로 LB세미콘은 BGBM(Back Grinding Back Metal)·RDL(재배선)·ENIG·타이코 그라인딩·MOSFET 웨이퍼 테스트에 이르는 전력반도체용 턴키 공정을 구축해, 해외 고객사와 테스트를 진행하기로 협의했다. BGBM은 실리콘 웨이퍼를 얇게 연삭한 뒤, 후면에 전기회로 역할을 하는 금속을 증착해주는 공정이다. LB루셈의 BGBM은 웨이퍼를 30마이크로미터(um), 도금을 50마이크로미터 수준으로 매우 얇게 구현할 수 있다. SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 시장도 공략한다. 이달 국내 파운드리 기업 DB하이텍과 협력해, 이들 반도체를 위한 패키징 및 테스트 서비스를 제공하기로 했다. 김 대표는 "LB루셈과의 합병으로 전력반도체용 패키징 솔루션을 턴키로 고객사에 제공할 수 있게 됐는데, 현재 상용화와 관련해 굉장히 빠른 진전을 이루고 있다"며 "내후년 일본 주요 고객사로부터 양산이 시작될 것이고, 국내 기업들과도 협력해 공급량을 확대하도록 할 것"이라고 설명했다. ■ 메모리·플립칩 시장 진출 기대…"역량 충분" 향후 메모리 시장으로의 진출도 기대된다. 현재 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 AI 산업의 성장에 맞춰 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 주력하고 있다. 이를 위해 기존 범용 D램용 설비를 HBM에 할당하는 추세다. 이 경우 범용 D램의 패키징 공정은 외부에 맡기게 될 가능성이 크다. LB세미콘은 이러한 전망 하에 삼성전자·SK하이닉스로부터 DDR 및 GDDR(그래픽 D램) 모듈용 범프 공정을 수주하기 위한 논의를 진행 중이다. 플립칩 시장 진출은 국내 또 다른 OSAT인 하나마이크론과의 협력을 통해 추진하고 있다. 플립칩은 칩 위에 범프를 형성한 뒤 뒤집어 기판과 연결하는 패키징 기술로, 기존 와이어 본딩 대비 전기적 특성이 우수하다. 김 대표는 "국내 메모리 입장에서는 HBM 인프라를 효율적으로 늘리려면 기존 D램을 외주로 돌릴 수 밖에 없어, 윈-윈 효과를 기대하고 시장을 모니터링 중"이라며 "플립칩 패키징을 위한 범프 인프라를 충분히 갖춘 기업도 현재로선 국내에 LB세미콘 말고는 없다"고 밝혔다. 한편 LB세미콘은 기존 및 신사업 확대에 적기 대응하기 위한 설비투자도 준비하고 있다. 올해 평택 소재 일진디스플레이 공장을 인수해, 현재 라인 구축을 위한 설계를 진행하고 있다.

2024.12.26 16:28장경윤

새해 엔비디아 선점할 승자는...삼성·SK 'HBM4' 양산 준비 박차

한국 경제가 대통령 탄핵정국과 트럼프 2기 정부 출범을 앞두고 을사년 새해를 맞게 됐습니다. 비상 계엄 해제 이후에도 환율과 증시가 출렁이는 불확실성 속에 우리 기업들이 새해 사업과 투자 전략을 짜기가 더욱 어려워졌습니다. 정책 혼돈과 시시각각 변화는 글로벌 경제 환경에 어떻게 대처해야 하는지 지디넷코리아가 각 산업 분야별 새해 전망을 준비했습니다. [편집자주] 메모리반도체 시장이 2025년 을사년 새해에도 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 세계반도체무역통계기구(WSTS)가 최근 발간한 보고서에 따르면, 전 세계 메모리 시장 규모는 올해 1천670억 달러(약 238조원)에서 내년 1천894억 달러(약 270조원)로 13.4%의 성장세가 예상된다. 다만 제품별 상황은 '극과 극'으로 나뉠 전망이다. 먼저 AI 데이터센터에 필요한 HBM(고대역폭메모리), 고용량 eSSD(기업용 SSD) 등 부가가치가 큰 첨단 메모리 제품은 내년에도 수요가 견조한 분위기다. 해당 제품은 국내 삼성전자·SK하이닉스가 주도하는 시장이기도 하다. 반면 범용 메모리, 특히 레거시 제품의 공급 과잉은 심화되는 추세다. 올 4분기 들어 이들 제품의 가격은 이미 하락세로 접어든 바 있다. IT 수요가 여전히 부진하고, 중국 후발주자들의 공격적인 사업 확대 등이 위기 요소로 다가오고 있다. ■ 내년도 답은 AI…삼성·SK, HBM4 준비 박차 이러한 상황에서 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 돌파구는 HBM 등 AI 메모리가 될 것으로 관측된다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4(6세대 HBM) 양산을 위한 준비에 나서고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM인 HBM3E(5세대)의 뒤를 이을 제품이다. 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 시리즈 등에 탑재될 예정이다. 삼성전자의 HBM4에는 10나노급 6세대 D램인 1c D램을 기반으로 한다. 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론이 HBM4에 5세대 D램인 1b D램을 채용한다는 점을 고려하면 한 세대 앞선다. 차세대 HBM 시장에서의 경쟁력 확보를 위해, 성능을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이 깔려 있다. 이를 위해 삼성전자는 올 연말부터 평택 P4에 1c D램용 양산 라인을 설치하기 위한 투자를 진행하고 있다. 관련 협력사들과 구체적인 장비 공급을 논의한 상황으로, 이르면 내년 중반에 라인 구축이 마무리될 것으로 전망된다. 동시에 삼성전자는 HBM3E(5세대 HBM)의 회로를 일부 수정해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 그간 삼성전자는 엔비디아와 HBM3E 8단 및 12단에 대한 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔으나, 성능 등의 문제로 대량 양산 공급에 이르지는 못했다. SK하이닉스는 올 4분기 HBM4의 '테이프아웃'을 목표로 연구개발을 지속해 왔다. 테이프아웃은 연구소에서 진행되던 칩 설계를 완료하고 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 제품의 양산 단계 진입을 위한 주요 과정이다. SK하이닉스는 HBM4에 HBM3E와 마찬가지로 1b D램을 적용한다. 제품의 안정성 및 수율에 무게를 둔 선택이다. 때문에 업계는 SK하이닉스가 경쟁사 대비 HBM4를 순탄하게 개발할 수 있을 것으로 보고 있다. 현재 SK하이닉스의 1b D램 투자는 이천 M16 팹을 중심으로 이뤄지고 있다. 기존 레거시 D램 생산라인을 1b D램용으로 전환하는 방식으로, 내년까지 생산능력을 최대 월 14~15만장 수준으로 끌어올릴 것으로 알려졌다. ■ 범용 메모리 공급 과잉 우려…中 추격, 삼성 HBM 등이 관건 최선단 D램은 주요 메모리 기업들의 HBM 출하량 확대에 따른 여파로 내년에도 견조한 흐름을 보이겠지만, 범용 레거시 D램 시장은 공급과잉이 지속될 것으로 전망된다. 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. PC를 비롯한 IT 수요가 부진하다는 증거다. 여기에 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등도 레거시 D램의 출하량 확대를 꾀하고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 웨이퍼 투입량 기준 D램 생산능력을 올해 말까지 월 20만장 수준으로 끌어올릴 계획이다. 내년에도 중국 상하이 팹에 최소 월 3만장 수준의 설비투자를 진행하기로 했다. 다만 CXMT가 미칠 파급력이 제한적이라는 분석도 제기된다. CXMT의 수율이 비교적 낮은 수준이고, 생산 제품이 18~16나노미터(nm)급의 DDR4·LPDDR4 등에 집중돼 있기 때문이다. 한편 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 12단 공급 여부가 범용 D램에 영향을 미칠 수 있다는 의견도 제기된다. 미즈호증권은 최근 리포트를 통해 "엔비디아향 HBM3E 12단 공급이 계속 지연되는 경우, 삼성전자는 HBM에 할당된 D램 생산량을 범용 제품으로 전환할 것"이라며 "이에 따라 D램 공급이 증가해 내년 상반기 D램 가격 하락이 가속화될 것으로 예상된다"고 밝혔다. ■ 낸드 투자, QLC 중심으로 신중하게 접근 낸드 시장 역시 AI 데이터센터 분야로 수요가 몰리는 추세다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠에 따르면 비트(Bit) 기준 전체 낸드 수요에서 데이터센터가 차지하는 비중은 2023년 18%에서 내년 28%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 고용량 데이터를 처리해야 하는 데이터센터용으로는 QLC(쿼드레벨셀) 낸드가 각광을 받고 있다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장한다. 2비트를 저장하는 MLC나 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량을 높이는 데 유리하다. 이에 삼성전자는 지난 9월 업계 최초의 V9 QLC 낸드 양산에 돌입했다. 낸드는 세대를 거듭할수록 더 높은 단을 쌓는다. V9는 280단대로 추정된다. SK하이닉스 역시 최근 QLC 기반의 61TB(테라바이트) SSD를 개발했다. PCIe 5세대 적용으로 데이터 전송 속도를 최대 32GT/s로 구현했으며, 순차 읽기 속도를 4세대 적용 제품 대비 2배 향상시킨 것이 특징이다. SK하이닉스는 해당 신제품의 샘플을 곧 글로벌 서버 제조사에 공급해 제품 평가를 진행할 계획이다. 또한 내년 3분기에는 제품군을 122TB로 확대하고, 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반의 244TB 제품도 개발에 들어가기로 했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스는 내년 낸드용 설비투자에 매우 보수적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 경우 당초 낸드 생산라인으로 계획했던 P4 페이즈1 라인을 낸드·D램 혼용 양산라인으로 전환했다. 라인명 역시 P4F(플래시)에서 P4H(하이브리드)로 변경됐다. 이에 따라 당초 예상 대비 낸드용 신규 설비투자 규모가 축소될 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 새해 낸드에 대한 신규 투자를 진행할 가능성이 낮은 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스의 설비투자가 HBM 및 최선단 D램에 집중돼 있고, 낸드 설비를 들일 만한 여유 공간도 많지 않다"며 "신규보다는 기존 설비를 활용한 전환 투자에 무게를 둘 것"이라고 설명했다.

2024.12.22 09:50장경윤

비(非) 엔비디아 고객사 뜬다…내년 HBM 시장 변화 예고

엔비디아가 주도하던 HBM(고대역폭메모리) 시장이 내년 변혁을 맞는다. 자체 AI 반도체를 개발해 온 글로벌 빅테크 기업들이 최첨단 HBM 채용을 적극 늘리는 데 따른 영향이다. 이에 따라 TSMC·브로드컴 등 관련 생태계도 분주히 움직이는 추세로, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들도 수혜를 볼 것으로 관측된다. 22일 업계에 따르면 내년 초부터 구글·메타·아마존웹서비스(AWS) 등 글로벌 빅테크의 HBM 수요가 증가할 전망이다. ■ 마이크론 "3번째 대형 고객사" 언급…AWS·구글 등 떠올라 기존 HBM의 수요처는 엔비디아·AMD 등 HPC(고성능컴퓨팅)용 프로세서를 개발하는 팹리스가 주를 이뤘다. 이들 기업은 자사의 GPU(그래픽처리장치)와 HBM을 결합해 AI 가속기를 만든다. 다만 구글·메타·AWS 등도 내년부터 최첨단 HBM 채용을 늘릴 계획이다. AI 산업이 고도화되면서, GPU 대비 전력효율성이 높고 비용 절감이 가능한 자체 AI ASIC(주문형반도체)의 필요성이 높아졌기 때문이다. 이 같은 추세는 마이크론이 지난 19일 진행한 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표에서도 확인할 수 있다. 마이크론은 기존 HBM의 공급처로 엔비디아만을 언급해 왔으나, 이번 실적발표를 통해 추가 고객사를 확보했다고 밝혔다. 마이크론은 "이달 두 번째 대형 고객사에 HBM 공급을 시작했다"며 "내년 1분기에는 세 번째 대형 고객사에 양산 공급을 시작해 고객층을 확대할 예정"이라고 설명했다. 내년 HBM 시장 규모 또한 당초 250억 달러에서 300억 달러로 상향 조정했다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론이 언급한 2, 3번째 고객사는 구글과 아마존으로 분석하고 있다"며 "이들 기업이 올 연말부터 자체 AI칩 출하량을 늘리면서 HBM3E(5세대 HBM)을적극 주문하고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 일례로 구글은 자체 개발한 6세대 TPU(텐서처리장치) '트릴리움(Trillium)'에 HBM3E를 탑재한다. AWS는 AI 학습용으로 자체 개발한 '트레이니엄(Trainium)2' 칩셋에 HBM3 및 HBM3E를 활용할 것으로 알려져 있다. 두 칩 모두 올해 연말에 출시됐다. ■ TSMC·브로드컴 등 관련 생태계, 이미 움직였다 반도체 업계 고위 관계자는 "TSMC의 CoWoS 고객사 비중에 변동이 생겼다. 기존에는 엔비디아가 1위, AMD가 2위였으나, 최근에는 AWS가 2위로 올라섰다"고 밝혔다. CoWoS는 대만 주요 파운드리 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징이다. 2.5D 패키징이란 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입하는 기술로, HBM 기반의 AI 가속기 제작의 필수 요소 중 하나다. 브로드컴 역시 최근 AI 및 HBM 관련 시장에서 존재감을 키우고 있다. 브로드컴은 매출 기준 전 세계 3위에 해당하는 주요 팹리스다. 통신용 반도체 및 데이터센터 네트워크 사업과 더불어, 특정 고객사에 맞춘 서버 인프라 구축 사업을 영위하고 있다. 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글·메타 등의 AI 반도체 설계를 지원하고 있다. 이에 따라 올 상반기에는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 D램 제조업체와 HBM3E 8단에 대한 품질 테스트를 진행해 왔다. 현재 SK하이닉스와 마이크론이 진입에 성공한 것으로 파악된다. 최근 실적발표에서는 "대형 클라우드 고객사 3곳과 AI 반도체를 개발 중"이라고 밝히기도 했다. 해당 기업은 구글과 메타, 중국 바이트댄스로 알려져 있다. 국내 반도체 업계 관계자는 "구글의 경우 이전 5세대 TPU까지는 물량이 미미해 별다른 대응을 하지 않았다"며 "다만 6세대부터는 물량을 크게 늘릴 계획으로, 이에 따라 국내 협력사 공장을 직접 둘러보는 등 만반의 준비를 하고 있다"고 설명했다.

2024.12.22 09:35장경윤

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