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D램·낸드 가격 '반등'…삼성·SK 숨통 틔우나

PC용 D램·낸드 시장 가격이 회복세에 접어들고 있다. AI 산업 발달에 따라 낸드 가격이 올 1분기 전반적인 상승세를 보였으며, D램의 경우 고용량 제품인 DDR5를 중심으로 가격이 상승한 것으로 나타났다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 3월 메모리카드·USB향 범용 MLC(멀티레벨셀) 128Gb 16Gx8 낸드 평균 고정거래가격은 전월 대비 9.61% 증가한 2.51달러로 집계됐다. 해당 낸드 제품의 가격은 지난해 말까지 크게 하락해 2.08달러까지 떨어졌으나, 올해 들어 3개월 연속 가격이 상승하고 있다. 대용량 TLC(트리플레벨셀) 및 QLC(쿼드레벨셀) 낸드의 감산 효과가 본격적으로 나타난 데 따른 영향이다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "공급업체들이 6개월 연속 낸드 가격 하락세 이후 전략을 조정했고, AI 산업이 발전하면서 데이터센터용 eSSD 및 HDD 수요는 올 하반기 회복될 것으로 예상된다"며 "이에 따라 3월 MLC 낸드 가격은 평균 9.9% 상승했다"고 설명했다. 특히 중국 AI 시장에서 낸드 수요가 증가할 것으로 예상된다. 최근 중국은 저비용·고효율 AI 모델인 '딥시크' 출시하고 자체적인 데이터센터를 구축하는 등 미국의 규제 속에서도 AI 인프라 구축에 열을 올리고 있다. 트렌드포스는 "데이터센터용 낸드 수요 증대로 버퍼 스토리지로 사용되는 SLC(싱글레벨셀) 낸드 수요도 증가할 것"이라며 "동시에 엣지 AI 산업이 발전하면서, SLC 낸드도 2분기부터는 가격 하락을 멈추고 반등할 가능성도 있다"고 내다봤다. PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)의 3월 고정거래 가격은 전월과 동일한 수준을 나타냈다. 1분기 10~15%의 가격 하락세가 발생한 뒤 안정세에 접어든 것으로 관측된다. 2분기 D램 시장도 당초 예상 대비 견조한 흐름을 보일 전망이다. 트렌드포스는 2분기 PC D램 가격을 기존 3~8% 하락에서 가격 안정세로 변경했다. DDR4의 경우 비교적 수요가 약하나, 고부가 제품인 DDR5는 가격 상승 추세를 보이고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "올 상반기 메모리 공급사들이 서버용 D램 생산에 집중하면서, PC용 DDR5 공급의 제한이 예상된다"며 "특히 SK하이닉스의 고성능 DDR5 공급 부족 현상이 가격 협상에 영향을 미칠 것"이라고 밝혔다. 실제로 DDR5의 현물거래가격은 지난 2월부터 2개월 연속 상승세를 보이고 있다. 16Gb 제품의 3월 고정거래가격도 중국 게이밍 노트북 수요 증가, SK하이닉스의 공급 부족 등이 반영돼 12% 상승했다.

2025.04.01 11:06장경윤

한화세미텍, SK하이닉스에 210억 규모 HBM용 TC본더 추가 공급

한화비전은 자회사 한화세미텍이 SK하이닉스와 210억원 규모의 HBM(고대역폭메모리) 제조용 반도체 장비 공급 계약을 체결했다고 27일 공시를 통해 밝혔다. 이번에 공급하는 장비는 HBM 패키징의 핵심 축인 TC 본더다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 기술을 뜻한다. 앞서 한화세미텍은 SK하이닉스의 TC본더 공급망 진입을 위해 지속적으로 품질 평가를 거쳐 왔으며, 이달 중순 첫 공식 PO(구매주문)을 받았다. 당시 공급 규모는 이번 수주와 동일한 210억원으로, 장비 대수로는 7대에 해당한다. 한화세미텍 관계자는 "이달 첫 시장 진입에 이어 추가 수주를 하게 됐다"며 "기술력과 품질의 우수성을 다시 한 번 인정받은 것으로 지속적으로 시장을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

2025.03.27 15:31장경윤

SK하이닉스, 세계 최초 'HBM4' 12단 샘플 공급 시작

SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4 12단 샘플을 세계 최초로 주요 고객사들에 제공했다고 19일 밝혔다. SK하이닉스는 "HBM 시장을 이끌어온 기술 경쟁력과 생산 경험을 바탕으로 당초 계획보다 조기에 HBM4 12단 샘플을 출하해 고객사들과 인증 절차를 시작한다"며 "양산 준비 또한 하반기 내로 마무리해, 차세대 AI 메모리 시장에서의 입지를 굳건히 하겠다"고 강조했다. 이번에 샘플로 제공한 HBM4 12단 제품은 AI 메모리가 갖춰야 할 세계 최고 수준의 속도를 갖췄다. 12단 기준으로 용량도 세계 최고 수준이다. 우선 이 제품은 처음으로 초당 2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 대역폭을 구현했다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB=5기가바이트) 400편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준으로, 전세대(HBM3E) 대비 60% 이상 빨라졌다. HBM 제품에서 대역폭은 HBM 패키지 1개가 초당 처리할 수 있는 총 데이터 용량을 뜻한다. 아울러 회사는 앞선 세대를 통해 경쟁력이 입증된 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 HBM 12단 기준 최고 용량인 36GB를 구현했다. 이 공정을 통해 칩의 휨 현상을 제어하고, 방열 성능도 높여 제품의 안정성을 극대화했다. SK하이닉스는 2022년 HBM3를 시작으로 2024년 HBM3E 8단, 12단도 업계 최초 양산에 연이어 성공하는 등 HBM 제품의 적기 개발과 공급을 통해 AI 메모리 시장 리더십을 이어왔다. 김주선 SK하이닉스 AI Infra(인프라) 사장(CMO)은 “당사는 고객들의 요구에 맞춰 꾸준히 기술 한계를 극복하며 AI 생태계 혁신의 선두주자로 자리매김했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험에 기반해 앞으로 성능 검증과 양산 준비도 순조롭게 진행할 것”이라고 말했다.

2025.03.19 09:58장경윤

SK하이닉스, 엔비디아 연례 행사서 HBM4·SOCAMM 등 공개

SK하이닉스는 17일부터 21일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 엔비디아가 주최하는 글로벌 AI 컨퍼런스인 'GTC 2025'에 참가해, 'Memory, Powering AI and Tomorrow(메모리가 불러올 AI의 내일)'를 주제로 부스를 운영한다고 18일 밝혔다. 회사는 HBM을 포함해 AI 데이터센터, 온디바이스, 오토모티브 분야 메모리 설루션 등 AI 시대를 이끌 다양한 메모리 제품을 전시한다. 회사는 "HBM3E 12단 이외에 새로운 AI 서버용 메모리 표준으로 주목받고 있는 SOCAMM(저전력 D램 기반의 AI 서버 특화 메모리 모듈)도 함께 전시해, 선도적인 AI 메모리 기술력을 선보이겠다"고 말했다. 이번 행사에는 곽노정 대표이사 사장(CEO), 김주선 AI Infra(인프라) 사장(CMO), 이상락 부사장(Global S&M 담당) 등 회사 주요 경영진이 참석해 글로벌 AI 산업 리더들과의 협력을 공고히 할 예정이다. 세계 최초로 5세대 HBM(HBM3E) 12단 제품을 양산해 고객사에 공급 중인 SK하이닉스는 올 하반기 내로 HBM4 12단 제품 양산 준비를 마치고, 고객이 원하는 시점에 맞춰 공급을 시작한다는 방침이다. 이번 전시에는 개발중인 HBM4 12단의 모형도 함께 전시될 예정이다. 김주선 SK하이닉스 사장은 “이번 GTC에서 AI 시대의 선도 제품을 선보여 뜻 깊게 생각한다”며 “차별화된 AI 메모리 경쟁력을 통해 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)'로서의 미래를 앞당길 것”이라고 말했다.

2025.03.19 05:00장경윤

브로드컴, AI 반도체 사업 훈풍…삼성·SK도 HBM 성장 기대감

미국 브로드컴의 AI 사업이 지속 확대될 전망이다. 구글을 비롯한 핵심 고객사가 자체 데이터센터용 AI 반도체를 적극 채용한 데 따른 영향이다. 나아가 브로드컴은 추가 고객사 확보 논의, 업계 최초 2나노미터(nm) 기반 AI XPU(시스템반도체) 개발 등을 추진하고 있다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 6일 브로드컴은 회계연도 2025년 1분기에 매출 약 149억 달러를 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전년동기 대비 25%, 전분기 대비로는 6% 증가했다. 증권가 컨센서스(147억 달러)도 소폭 상회했다. 해당 분기 순이익 역시 GAAP 기준 55억 달러로 전년동기(13억 달러) 대비 크게 증가했다. 브로드컴은 "AI 반도체 솔루션과 인프라 소프트웨어 부문의 성장으로 1분기 사상 최대 매출을 기록했다"며 "특히 AI 매출은 전년 대비 77% 증가한 41억 달러를 기록했고, 2분기에도 44억 달러의 매출을 예상한다"고 밝혔다. AI 매출은 브로드컴의 반도체 솔루션 사업 부문에서 AI용 주문형반도체(ASIC), AI 가속기, 서버 네트워크 칩 등을 포함한 매출이다. 브로드컴은 자체적인 반도체 설계 역량을 바탕으로, 구글·메타 등 글로벌 IT 기업들의 AI 반도체 개발 및 제조를 지원하고 있다. 현재 브로드컴을 통해 AI 반도체의 대량 양산에 이른 고객사는 3곳이다. 브로드컴은 이들 고객사의 AI 반도체 출하량이 지난해 200만개에서 오는 28년에는 700만개로 늘어날 것으로 보고 있다. 나아가 4개의 잠재 고객사와도 양산 논의를 진행하고 있다. 브로드컴의 AI 사업 확대는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들에게도 수혜로 작용한다. AI 가속기에 필수적으로 활용되는 HBM의 수요가 증가하기 때문이다. 기존 HBM의 수요처는 엔비디아·AMD 등 고성능 GPU를 개발하는 팹리스가 주를 이뤘다. 그러나 최근에는 구글·메타 등도 전력효율성, 비용 등을 고려해 자체 AI ASIC 탑재량을 적극적으로 늘리는 추세다. 특히 구글은 브로드컴의 핵심 고객사로 자리 잡았다. 구글은 자체 개발한 6세대 TPU(텐서처리장치) '트릴리움(Trillium)'에 HBM3E 8단을 채용하며, 이전 세대 대비 생산량을 크게 확대할 계획이다. 구글 최신형 TPU에 HBM을 양산 공급하기로 한 기업은 SK하이닉스, 마이크론으로 알려져 있다. 삼성전자도 공급망 진입을 위한 테스트를 꾸준히 진행하고 있다. 경쟁사 대비 진입이 늦어지고 있으나, 최근 테스트에서는 기존 대비 긍정적인 결과를 얻어낸 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "최근 데이터센터 업계의 트렌드는 고가의 엔비디아 AI 가속기 대신 자체 칩을 개발하는 것"이라며 "구글과 AWS(아마존웹서비스) 등이 대표적인 대항마로 떠오르고 있어, 올해부터 HBM의 수요 비중을 늘려나갈 것으로 관측된다"고 설명했다.

2025.03.07 10:13장경윤

SK하이닉스, CIS 사업서 철수…"AI 메모리에 역량 집중"

SK하이닉스가 회사의 비주력인 CMOS 이미지센서(CIS) 사업에서 손을 뗀다. 관련 시장의 수요 감소, 중국 후발주자들의 진입 등으로 사업성이 미미하다는 분석이 작용한 것으로 관측된다. SK하이닉스는 6일 CIS 사업부문 구성원 소통 행사에서 "글로벌 AI 중심 기업으로서의 입지를 굳건히 하기 위해 동 사업부문이 지닌 역량을 AI 메모리 분야로 전환한다"고 밝혔다. SK하이닉스는 이날 "CIS 사업부문은 2007년 출범한 이후 여러 어려움을 극복하고 모바일 시장에 진입해 소기의 성과를 달성했다"며 "여기서 우리는 메모리만으로는 경험할 수 없는 로직 반도체 기술과 커스텀(Custom) 비즈니스 역량을 얻게 됐다"고 말했다. 이어 "최근 AI 시대가 도래하며 회사는 AI 메모리 분야에서 큰 성과를 거뒀고, 현재는 AI 산업의 핵심 기업으로 거듭나기 위한 대전환기를 맞이했다"고 강조하며 "CIS 사업부문이 보유한 기술과 경험은 회사의 AI 메모리 경쟁력을 강화하는데 꼭 필요한 만큼 전사의 역량을 한데 모으기 위해 이번 결정을 했다"고 설명했다. 앞서 SK하이닉스는 2008년 CIS 개발업체 실리콘화일을 인수하면서 이미지센서 시장에 진출한 바 있다. 2019년에는 일본에 CIS 연구개발(R&D) 센터를 개소하고, 같은해 이미지센서 브랜드 '블랙펄'을 출시했다. 이후 삼성전자의 폴더블폰 시리즈인 '갤럭시Z3'와 중국 스마트폰에 CIS를 납품하는 등 성과를 거뒀으나, 사업을 크게 확장시키지는 못했다. 스마트폰 시장의 수요 감소, 중국 후발주자들의 추격 등이 작용한 것으로 풀이된다. SK하이닉스는 "이번 결정이 회사의 AI 메모리 경쟁력을 한단계 성장시키며 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)'로서 회사의 위상을 공고히 하는데 기여할 것으로 기대한다"며 "또한 이를 통해 주주 가치도 극대화하고자 한다"고 밝혔다. 임직원들의 전환 과정에서 대해서는 "기존 CIS 소속 구성원들이 새로운 조직으로 이동하는 데 있어 각 개인의 전문 역량을 충분히 발휘할 수 있도록, '원팀 마인드' 차원에서 지원을 아끼지 않을 방침"이라고 설명했다.

2025.03.06 15:06장경윤

한권환 SK하이닉스 부사장 "HBM 안정적 수요 대응...차세대 양산 준비"

"2025년 가장 중요한 과제는 늘어나는 시장 수요에 안정적으로 대응하고, 동시에 차세대 HBM 양산을 위한 기술적 준비를 탄탄히 하는 것이다. 다양한 변수를 사전에 예측하고 철저한 대응 전략을 마련하는 데 집중할 계획이다." 26일 한권환 SK하이닉스 HBM융합기술 부사장은 AI 메모리 반도체 시장을 선도할 HBM 기술 혁신 전략과 앞으로의 목표에 대해 이같이 밝혔다. 2002년 SK하이닉스에 입사한 한 부사장은 초기 HBM 개발부터 참여해, 이후 모든 세대 HBM 제품 개발과 양산을 이끌며 1등 리더십을 구축해 온 주역이다. 올해 SK하이닉스의 신임인원으로 선임됐다. 한 부사장은 "HBM이 처음 출시될 당시 생산 규모나 제품 수요는 지금과 비교할 수 없을 정도로 미미했으나, 지난 2023년 챗GPT의 등장과 함께 AI 시장이 폭발적으로 성장하기 시작했다"며 "이에 대응하기 위해 기존의 라인보다 훨씬 규모가 큰 생산 라인을 단기간에 구축해야 하는 과제가 주어졌고, 일부 수요에 대해서는 다른 제품의 생산 라인 일부를 HBM 생산 라인으로 전환하며 대규모 양산 체계를 구축했다"고 밝혔다. 한 부사장의 전략적 대응은 SK하이닉스의 HBM 시장 점유율을 높이고, 세계 최고 수준의 생산 능력과 품질을 확보하는 기반이 됐다. 그는 이러한 경험과 역량을 바탕으로 HBM융합기술 조직을 총괄하며, 제품 양산성을 높이고 차세대 HBM으로의 원활한 전환을 위해 새로운 기술적 토대를 마련하는 중책을 수행할 예정이다. 한 부사장은 “HBM 시장 경쟁에서 우위를 점하기 위해서는 기술력은 기본이고, 최상의 제품을 적시에 고객에게 공급할 수 있어야 한다"며 "기술 및 운영 혁신을 통해 시장과 고객 요구에 기민하게 대응할 수 있는 협업 체계를 구축하고, 안정적인 양산까지 이어질 수 있도록 맡은 바 최선을 다하겠다"고 강조했다. 또한 한 부사장은 “2025년 가장 중요한 과제는 늘어나는 시장 수요에 안정적으로 대응하고, 동시에 차세대 HBM 양산을 위한 기술적 준비를 탄탄히 하는 것”이라고 강조했다. 올해 주력으로 생산될 12단 HBM3E 제품은 기존 8단 HBM3E 제품에 비해 공정 기술의 난이도가 높다. 또한 차세대 HBM 제품은 진화하는 제품 세대에 따라 기술적인 과제가 더욱 늘어날 것으로 예상된다. 한 부사장은 "개발 과정에서 많은 기술적 도전을 극복하고 양산을 시작하겠지만, 생산량을 급격히 늘려가는 과정에서 예상치 못한 변수가 추가로 발생할 수 있고 해결도 매우 어렵다"며 "HBM융합기술 조직은 이를 사전에 예측하고 철저한 대응 전략을 마련하는 데 집중할 계획”이라고 말했다. 특히 최근 AI 메모리 반도체 수요가 늘면서, 글로벌 빅테크 기업을 중심으로 고객 맞춤형(Customized) 제품에 대한 요구도 점차 증가하고 있다. 해당 HBM은 다른 제품보다 공정 수가 많고 생산 과정도 복잡해, 이에 대응하는 것이 쉽지 않다. 한 부사장은 “단순히 생산량을 늘리는 것이 아니라 효율적인 운영 체계를 구축하는 것이 더욱 중요해졌다”며 “생산 라인의 유연성을 높이고 고객과의 협력을 강화해 자사 HBM 경쟁력을 극대화하겠다”고 밝혔다. 끝으로 한 부사장은 급변하는 시장 환경에서도 가장 중요한 가치는 '안전'이라고 당부하며, 자신감을 갖고 함께 나아가자고 구성원들을 격려했다. 한 부사장은 “우리는 지금 빠르게 성장하고 있고, 목표를 달성하는 데 집중해야 하는 상황이지만 안전보다 중요한 것은 없다"며 "이를 위해 리더들이 앞장서겠다. 그리고 우리가 세계 최고라는 사실을 잊지 않았으면 한다. 앞으로도 구성원들과 함께 소통하고 협력하면서, 더욱 강한 SK하이닉스를 만들어가겠다"고 강조했다.

2025.02.26 16:02장경윤

마이크론, '6세대 10나노급' D램 샘플 공급…삼성·SK보다 빨랐다

미국 마이크론이 최근 6세대 10나노미터(nm)급 D램 샘플을 고객사에 공급하는 데 성공했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사에 한 발 앞선 성과로, 차세대 메모리 시장에서 국내 메모리 업계와의 치열한 경쟁이 예상된다. 26일 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔, AMD 등 잠재 고객사에 출하했다고 발표했다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 이를 1c D램이라고 부른다. 마이크론은 "업계 최초로 차세대 CPU용 1γ DDR5 샘플을 일부 협력사와 고객사에 출하했다"며 "우선 16Gb(기가비트) DDR5에 활용되고, 이후 AI용 고성능 및 고효율 메모리 수요에 대응하도록 할 것"이라고 밝혔다. 이번 1γ 기반 16Gb DDR5는 최대 9200MT/s의 데이터 처리 속도를 구현한다. 이전 세대 대비 속도는 최대 15% 증가했으며, 전력 소모량은 20% 이상 줄었다. 새롭게 적용된 제조 공정도 눈에 띈다. 마이크론은 1γ D램에서부터 EUV(극자외선) 공정을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. EUV는 반도체 회로를 새기기 위한 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 DUV(심자외선) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정에 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스도 이미 첨단 D램에 EUV를 적용 중이다. 마이크론은 "1γ D램은 EUV 노광 기술과 고종횡비 식각 기술 등 최첨단 공정을 적용함으로써 업계를 선도하는 비트 밀도를 지원한다"며 "여러 세대에 걸쳐 입증된 마이크론의 D램 기술 및 제조 전략 덕분에 최적화된 공정을 만들 수 있었다"고 자신했다. 마이크론의 1γ D램 샘플은 AMD, 인텔 등 고객사에 출하돼, 현재 평가 과정을 거치고 있는 것으로 알려졌다. 한편 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 6세대 10나노급 D램의 상용화를 준비하고 있다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 적용할 계획이다. 이에 따라 현재 기존 설계 대비 칩 사이즈를 키워, 수율 및 안정성을 높이는 방향으로 재설계를 진행 중인 것으로 파악됐다. 개선품은 이르면 1~2달 내로 구체적인 성과를 확인할 수 있을 전망이다. 동시에 삼성전자는 1c D램 양산을 위한 설비투자도 진행하고 있다. 지난해 말부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 소규모 제조라인 구축을 위한 장비 발주가 시작됐다. 1c D램의 개발 현황에 따라 추가 투자 가능성도 거론된다. SK하이닉스는 지난달 내부적으로 1c D램에 대한 양산 인증을 마무리한 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 이전 세대인 1b D램에서의 공정 기술력을 기반으로, 1c D램의 수율을 비교적 안정적으로 끌어 올렸다는 평가를 받고 있다.

2025.02.26 09:03장경윤

이강욱 SK하이닉스 부사장 "올해 HBM용 패키징 고도화·칩렛 기술 확보"

SK하이닉스가 미래 메모리 시장을 주도하기 위한 핵심 과제로 HBM(고대역폭메모리) 패키징 기술 고도화, 칩렛 기반의 이종 결합 기술 확보 등을 제시했다. 14일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)이 지난 13일 강원도 정선에서 열린 제32회 한국반도체학술대회(KCS)에서 제8회 강대원상(소자/공정 분야)을 수상했다고 밝혔다. 모스펫, 플로팅게이트 개발 등 반도체 산업에 기념비적 발자취를 남긴 故 강대원 박사의 업적을 기리고자 제정된 이 상은 그동안 반도체 전공정인 소자 및 공정 분야의 저명한 교수들에게 수여돼 왔다. 올해는 후공정인 '반도체 패키징 분야의 기업인'에게 최초로 수여돼 많은 관심을 받고 있다. 이 부사장은 글로벌 학계 및 업계에서 3차원 패키징 및 집적 회로 분야에 대한 연구 개발을 27년 이상 이어 온 반도체 패키징 분야의 최고 기술 전문가다. 2000년 일본 도호쿠 대학에서 박사 학위를 받은 그는 미국 렌슬리어 공과대학 박사 후 연구원, 일본 도호쿠 대학 교수를 거쳐 2018년 SK하이닉스에 합류했다. 국내 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술 개발에 성공한 이 부사장은 SK하이닉스 입사 후 HBM2E(3세대 고대역폭메모리)에 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 적용하며 'AI 메모리 성공 신화'의 기틀을 마련했다는 평가를 받는다. 이 부사장은 "SK하이닉스의 독자적 패키징 기술인 MR-MUF는 고난도의 HBM 제품을 높은 제조 수율과 양산성을 가지고 안정적으로 대량 생산할 수 있도록 해줬고, 핵심 특성인 열 방출 성능도 개선해 줬다"며 "HBM3 및 HBM3E에도 성공적으로 적용되면서, SK하이닉스가 HBM 시장 우위를 굳건히 하는 데 큰 힘이 됐다"고 밝혔다. 그는 굵직한 공적만큼 특출한 수상 이력도 자랑한다. 지난해에는 한국인 최초로 'IEEE EPS 어워드 전자제조기술상'을 받기도 했다. 올해는 강대원상이라는 이력을 추가했는데, 그는 이번 수상이 특히 각별하다는 소감을 전했다. 이 부사장은 “업계에서도 의미가 큰 상을 받게 돼 영광이다. 무엇보다 SK하이닉스의 위상 그리고 PKG개발 조직의 높은 역량을 인정받은 듯해 보람차다"며 "과분한 상이지만 반도체 산업 발전에 더 많이 기여하라는 뜻으로 생각하고, 함께 노력해 준 PKG개발 구성원분들에게도 감사 인사를 전한다"고 말했다. 한편 이 부사장은 미래 시장에 대응하기 위해 두 가지 계획을 마련해 뒀다. ▲HBM 패키징 기술 고도화 ▲칩렛 기반 이종 결합 기술의 확보 등이다. 이 부사장은 “AI 시스템의 대용량·고성능·에너지 효율화 요구를 충족하려면 HBM 패키징 기술의 지속적 혁신이 필요하다. 이를 위해 MR-MUF 기술 고도화, 하이브리드 본딩 등 차세대 기술 개발에 역량을 쏟고 있다"며 "중장기적으로는 칩렛 기술로 2.5D, 3D SiP(시스템-인-패키지) 등을 구현해 메모리 센트릭에 대응할 것"이라고 강조했다. 그는 이어 "이 과정에서 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징, 하이브리드 본딩 등으로 칩 간 연결성을 높여 성능을 향상시키고 에너지 효율을 높이는 '첨단 패키징 기술'을 확보해 나가고자 한다"고 덧붙였다.

2025.02.14 14:34장경윤

삼성電, 차세대 D램 '칩 사이즈' 키운다…HBM 수율 향상 최우선

삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략으로, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 안정적인 양산에 역량을 집중하려는 전략으로 풀이된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 기존 대비 키워 개발을 진행하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 한 차세대 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 이전 세대인 1b(5세대) D램은 12~13나노 대로 추산된다. 삼성전자는 1c D램을 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선적으로 적용할 계획이다. 주요 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램으로 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 의도가 깔려 있다. SK하이닉스·마이크론 등은 HBM4에 1b D램을 채택하기로 했다. 다만 삼성전자의 1c D램은 개발 초기부터 수율 개선에 난항을 겪어 왔다. 지난해 하반기 첫 양품을 확보했으나, 수율을 만족스러운 수준까지 구현하지는 못한 것으로 알려졌다. 주요 배경은 생산성이다. 당초 삼성전자는 경쟁사를 의식해 1c D램의 칩 사이즈를 당초 계획 대비 줄이기로 했다. 칩 사이즈가 작아질수록 웨이퍼 투입량 대비 생산량이 많아져, 제조 비용 효율화에 유리하다. 다만 이로 인해 안정성이 떨어진다는 지적이 제기돼 왔다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 설계를 일부 수정하기로 했다. 핵심 회로의 선폭은 최소한으로 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화해 수율을 빠르게 끌어올리는 것이 주 골자다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 칩 사이즈를 키우는 쪽으로 설계를 변경한 뒤, 올해 중순을 목표로 수율 향상에 열을 올리고 있다"며 "비용이 더 들더라도 차세대 메모리의 안정적 양산에 초점을 맞춘 것으로 보인다"고 설명했다. 설계가 변경된 1c D램의 유의미한 수율을 논하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자 안팎에서는 오는 5~6월께 구체적인 결과가 도출될 것으로 기대하고 있다. 한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

2025.02.10 17:05장경윤

42년만에 뒤바뀌나...SK하이닉스, D램 매출도 삼성 추월 전망

삼성전자의 올 1분기 D램 매출 규모가 크게 위축될 전망이다. 전반적인 IT 수요 약세로 D램 공급량이 줄어드는 한편, HBM 매출 비중의 급격한 감소로 D램 ASP(평균판매단가)가 전분기 대비 '두 자릿수'로 하락할 가능성이 유력해졌다. 이에 일각에서는 1분기 삼성전자 D램 매출액이 SK하이닉스에 따라잡힐 것이라는 관측도 조심스레 나온다. 올 1분기 양사의 D램 매출 추정치는 모두 12~13조원 수준이다. 이 경우 국내 D램 업계가 태동한 지 약 40여년만에 양사의 D램 매출 점유율 순위가 바뀌는 초유의 사태가 발생하게 된다. 1983년 첫 사업을 시작한 SK하이닉스는 올해 10월 창립 42주년을 맞는다. 실제로 양사의 D램 매출 격차는 지난해 4분기 기준으로 이미 1조원 내외까지 줄어든 것으로 집계되고 있다. SK하이닉스 역시 올 1분기 메모리 업황 부진으로 매출은 감소하겠지만, HBM 등 고부가 메모리 사업이 견조해 삼성전자 대비 ASP 하락세 방어에 유리하다. 업계가 올 1분기 양사의 D램 매출액 격차가 최소한 더 줄어들고, 시황에 따라 역전 가능성을 거론하는 이유다. SK하이닉스는 이미 지난해 연간 영업이익에서 삼성전자 반도체 부문을 넘어섰다. 삼성전자, 1분기 D램 ASP·매출 '두 자릿수' 하락 유력 3일 업계에 따르면 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액은 당초 예상보다 하락세가 심화될 가능성이 높은 것으로 분석된다. 앞서 삼성전자는 지난달 31일 열린 2024년 4분기 실적발표에서 올 1분기 D램의 공급량 및 가격이 모두 하락할 것으로 전망한 바 있다. 삼성전자는 "올 1분기 D램은 모바일 및 PC 수요 약세로 비트그로스가 전분기 대비 한 자릿 수 후반 수준으로 감소할 전망"이라며 "HBM은 AI향 반도체 수출 규제와 같은 지정학 이슈와 개선품 도입에 따른 수요 이연 등으로 판매가 일정 수준 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "결론적으로 1분기에는 컨벤셔널 제품의 시장 가격 하락, HBM 매출 비중 일시 감소 등으로 D램 ASP와 실적이 전분기 대비 다소 하락할 것으로 판단된다"고 덧붙였다. 특히 업계는 삼성전자 D램 ASP의 하락폭에 주목하고 있다. 당초 업계는 해당 분기 삼성전자 D램 ASP가 한 자릿수 초중반대로 감소할 것으로 전망해 왔으나, 이번 실적발표 이후 하락폭이 10% 이상으로 확대될 가능성이 거론되고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 DDR4 등 레거시 D램의 매출 비중을 올해 한 자릿수까지 가파르게 줄일 예정임에도, 올 1분기 D램 ASP 하락세는 예상보다 더 커질 것으로 보인다"며 "그만큼 지난해 4분기 HBM, DDR5 등 고부가 제품의 재고를 적극적으로 밀어냈기 때문"이라고 설명했다. HBM 공급량 감소가 주요 원인 이 같은 추세에는 중국 기업들의 HBM 사재기 현상도 한몫을 했을 것으로 관측된다. 지난해 하반기 화웨이·바이두 등 중국 주요 IT 기업들은 점차 강화되는 미국의 AI반도체 수출 규제를 우려해, 삼성전자 등으로부터 HBM을 선제적으로 구매한 바 있다. 그러나 미국은 올해 초부터 주요 D램 제조업체의 중국향 HBM 수출을 직접적으로 금지했다. 이에 따라 삼성전자의 올 1분기 HBM 공급량은 크게 줄어들 전망이다. 업계에서 추산하는 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 공급량은 20억기가비트(Gb) 초중반 수준이다. 올 1분기에는 최대 10억Gb 초중반대의 공급이 예상되며, 최악의 경우 10억Gb를 밑돌 가능성도 점쳐진다. 또 다른 업계 관계자는 "삼성전자의 지난해 4분기 D램 ASP가 전분기 대비 20% 수준으로 상승한 데에는 HBM의 판매 확대가 주요했는데, 올 1분기에는 HBM 공급량이 반토막 이상으로 줄어들 수도 있다"며 "결과적으로 D램 ASP 및 매출 규모가 전분기 대비 두 자릿 수로 하락하게 될 가능성이 높다"고 밝혔다. SK하이닉스에 매출 1위 내주나…"초유의 사태 발생할 수도" 주요 경쟁사인 SK하이닉스에 근소한 차이로 D램 매출 규모가 역전당할 수 있다는 우려도 제기된다. SK하이닉스는 지난해 4분기 D램 영업이익이 7조원 이상으로 추산되는 등 수익성 면에서는 이미 삼성전자(4분기 D램 영업이익 5조원 내외 추정)를 넘어선 바 있다. 매출 규모는 생산능력이 월등히 높은 삼성전자가 줄곧 점유율 1위를 지켜왔으나, 최근들어 이마저도 양사의 격차가 크게 줄어들었다는 평가다. 증권가에서 추산하는 지난해 4분기 삼성전자 D램 매출액 추정치는 13조~15조원 수준이다. SK하이닉스의 추정치는 14조원 내외다. 때문에 업계에서는 이미 삼성전자와 SK하이닉스가 D램 매출 규모가 동등한 수준에 도달했다는 분석을 내놓고 있다. SK하이닉스 역시 1분기 D램 비트그로스가 10% 초반 감소할 것으로 예상되는 등 메모리 업황 부진의 여파를 맞을 전망이다. 다만 SK하이닉스는 공고한 엔비디아향 HBM 공급, 고부가 DDR5 매출 등으로 ASP 하락세는 삼성전자 대비 견조할 것이라는 게 업계의 중론이다. 익명을 요구한 반도체 부문 애널리스트는 "SK하이닉스는 올 1분기 HBM 매출이 10%가량 증가할 것으로 관측된다. 덕분에 범용 제품의 부진에도 전체 D램 매출 규모는 한 자릿수 정도만 감소할 것"이라며 "반면 삼성전자는 전체 D램 매출이 20% 넘게 줄어들어, 업계 역사상 처음으로 양사 매출 규모가 뒤바뀌는 상황이 공식적으로 집계될 수도 있다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계 및 증권가가 추정하는 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액 추정치는 10조~13조원대 수준이다. SK하이닉스의 D램 매출액은 12조~13조원대로 추산되고 있다.

2025.02.04 14:30장경윤

삼성전자, HBM 공급량 2배 확대...'AI 반도체'에 사활

삼성전자가 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 전년 대비 2배 확대하겠다는 목표를 제시했다. 또한 메모리 및 IT 시장을 둘러싼 불확실성이 높은 상황 속에서도, 최첨단 메모리를 중심으로 투자를 이어나가겠다는 뜻을 밝혔다. 삼성전자는 2024년 4분기 연결 기준 매출 75조8천억원, 영업이익 6조5천억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 11.82% 증가했으나, 전기 대비 4.19% 감소했다. 영업이익도 전년동기 대비 129.85% 증가했으나 전기 대비로는 29.30% 감소했다. 이로써 삼성전자의 지난해 연 매출은 300조8천709억원으로 집계됐다. 전년 대비 16.2% 증가한 규모로, 지난 2022년에 이어 역대 두 번째로 높은 매출을 기록했다. 연간 영업이익은 32조7천억원으로 전년보다 398.34% 증가했다. 다만 증권 전망치(34조원)를 하회하는 실적으로, 반도체 사업의 전반적인 부진 및 연구개발비용 증가 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. ■ 올해 HBM·2나노 등 첨단 반도체 양산 집중 삼성전자는 올 1분기에도 반도체 사업이 약세를 보일 것으로 전망했다. 대외적인 불확실성이 지속되고 있고, PC·스마트폰 등 IT 시장 전반에서 수요 회복이 더디기 때문이다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 상용화도 당초 계획 대비 속도가 더디다. 다만 2분기부터는 메모리 수요가 회복될 것으로 전망된다. 고객사 재고 조정이 마무리되면 온디바이스 AI 기반의 신제품이 출시되고, 서버 업계의 인프라 투자 역시 지속될 전망이다. AI 산업 발전에 따른 고성능 시스템반도체 수요도 견조할 것으로 보인다. 이에 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리 비중 확대, GAA(게이트-올-어라운드) 기반의 2나노 공정 상용화 등의 전략을 추진할 계획이다. 특히 올해 HBM 공급량을 전년 대비 2배 늘리겠다는 목표를 세웠다. 삼성전자는 "D램은 HBM3E 개선제품 판매를 확대하고, 올 하반기 내 HBM4를 개발 및 양산해 AI 시장 내 경쟁력을 강화할 것"이라며 "DDR5는 128·256Gb(기가비트) 등으로 고용량화 추세에 대응하고, 낸드는 고용량 eSSD 수요 대응 및 V8·V9로의 전환을 통해 경쟁력을 재고할 것"이라고 밝혔다. 이에 따라 삼성전자의 레거시 메모리 비중은 올해 들어 크게 축소될 것으로 관측된다. 삼성전자는 지난해 DDR4, LPDDR4 매출 비중이 30%대에 달했으나, 올해에는 이를 한 자릿수까지 축소할 계획이다. 최첨단 파운드리 사업을 이끌 2나노 공정은 올해 양산을 시작한다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 2나노 1세대 공정의 1.0 버전 PDK(프로세스 설계 키트)를 고객사에 배포한 바 있다. 나아가 2나노 2세대 공정의 1.0 버전 PDK도 올 상반기 고객사에 배포할 예정이다. 해당 공정의 양산 목표 시기는 2026년이다. ■ 美 트럼프, 中 딥시크 등 변수에 긴밀하게 대응 삼성전자는 전 세계 IT 시장의 최대 변수로 떠오르는 주요 이슈에 대해서도 발빠르게 대응하겠다는 의지를 드러냈다. 삼성전자는 "트럼프 행정부 출범으로 글로벌 통상 환경에 많은 변화가 있을 것으로 예상된다"며 "당사는 전 세계 각지에서 비즈니스를 영위하고 공급망을 운영하는 만큼 이러한 변화에 영향을 받을 수밖에 없다"고 말했다. 회사는 이어 "당사는 미국 대선뿐만 아니라 다양한 지정학적 환경 변화에 따른 기회와 리스크에 대해 다양한 시나리오를 기반으로 분석하고 대비해 왔다"며 "트럼프 행정부 출범 첫날 수십 개의 행정명령과 메모가 발표되는 등 다양한 정책 아젠다와 방향이 제시되고 있는데 당사는 향후 구체적인 정책 입안 과정을 면밀히 지켜보면서 사업 방향을 사업 영향을 분석하고 대응 방안을 마련할 예정이다"고 강조했다. 최근 높은 효율로 주목받은 중국의 AI 모델 '딥시크(Deepseek)'에 대해서는 "당사도 GPU에 들어가는 HBM을 여러 고객사들에게 공급하고 있는 만큼 다양한 시나리오를 두고 업계 동향을 살피고 있다"고 밝혔다. 회사는 "신기술 도입에 따른 업계의 다이나믹스는 항상 변화 가능성이 있고, 현재 제한된 정보로 판단하기는 이르나 시장 내 장기적 기회 요인 및 단기적 위험 요인이 공존할 것으로 예상된다"며 "이에 당사는 업계 동향을 주시하며 급변하는 AI 시장에 적기 대응할 수 있도록 하겠다"고 덧붙였다. ■ 올해도 메모리에 적극 투자…로봇 등 신사업도 준비 삼성전자는 지난해 연간 설비투자 규모로 53조6천억원을 투입했다. 역대 최대 규모였던 지난 2022년(53조1천153억원)을 넘어선 규모다. 사업별로는 DS에 46조3천억원, 디스플레이에 4조8천억원이 투자됐다. 특히 첨단 메모리와 중소형 OLED 디스플레이 경쟁력 강화에 투자가 집중된 것으로 풀이된다. 삼성전자는 HBM에 대한 연구개발 및 생산능력 확대에 주력하고 있으며, 기존 레거시 메모리 공정을 1b(6세대 10나노급) D램, V8·V9 등 첨단 제품으로 전환하고 있다. 삼성전자는 올해에도 메모리에 적극적인 투자를 이어간다는 방침이다. 회사는 "2025년 세부적인 투자 계획은 아직 확정되지 않았으나, 메모리 투자는 전년 수준과 유사할 것으로 전망된다"며 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 연구개발비 투자를 꾸준히 이어갈 것"이라고 밝혔다. 로봇 등 미래 신사업 준비에도 만전을 기하고 있다. 삼성전자는 지난해 12월 31일 국내 최초로 2족 보행 로봇 '휴보'를 개발한 레인보우로보틱스의 최대주주 지위를 확보한 바 있다. 삼성전자는 "레인보우로보틱스를 연결 재무제표상 자회사로 편입해 미래 로봇 개발 가속화를 위한 기반을 구축하게 됐으며, 당사의 AI 및 소프트웨어 기술과 레인보우로보틱스의 로봇 기술을 접목해 지능형 휴머노이드와 같은 첨단 미래 로봇 개발을 신속하고 체계적으로 준비해 나갈 예정"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "당사의 젊고 유능한 로봇 인력을 배치해 글로벌 탑티어 수준의 휴머노이드 개발에 박차를 가하고 있다"며 "로봇 AI가 핵심 기술로 부상하며 미래 로봇의 경쟁력을 좌우할 가능성이 높아짐에 따라 당사 자체적으로 역량을 강화함과 동시에 국내 유망 로봇 AI 플랫폼 업체에 대한 투자 협력을 통해 기술 역량을 확보하고 지속적으로 고도화해 나갈 계획"이라고 강조했다.

2025.01.31 14:57장경윤

삼성전자, 올해 HBM 공급량 전년 대비 '2배 성장' 목표

삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 용량 기준으로 전년 대비 2배 수준으로 확대하겠다고 밝혔다. 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 판매량은 전분기 대비 1.9배 성장했다. 삼성전자의 당초 전망치를 소폭 하회한 수준이다. 다만 최선단 HBM 제품인 HBM3E(5세대 HBM)의 매출 비중이 해당 분기 HBM3를 앞지르는 등의 성과도 거뒀다. 삼성전자는 올해에도 첨단 HBM 전환에 집중할 계획이다. 지난해 하반기부터 준비 중인 HBM3E 12단 개선품을 일부 고객사에 1분기 말부터 양산 공급해, 2분기부터 판매를 본격화할 계획이다. 또한 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사에 발맞춰 HBM3E 16단 샘플을 제작해 고객사에 전달했다. 실제 고객사의 상용화 수요는 없을 것으로 보이나, 기술적 검증 차원에서다. 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM)는 기존 계획대로 올 하반기 양산을 목표로 하고 있다. 나아가 고객사와 차세대 제품인 HBM4E의 상용화를 위한 기술적 협의도 지속하고 있다. 다만 올 1분기 삼성전자의 HBM 사업은 당초 예상 대비 부진한 모습을 보일 가능성도 제기된다. 삼성전자는 "올 2분기 이후 HBM3E 8단에서 12단으로 빠르게 수요가 전환되면서, 올해 HBM의 비트(Bit) 공급량은 전년 대비 2배 수준으로 확대될 것"이라며 "다만 미국의 첨단 반도체 수출 통제와 HBM3E 12단 개선품 발표 이후 기존 고객사의 수요 이동으로 1분기 일시적이 수요 공백이 발생할 것"이라고 밝혔다.

2025.01.31 11:15장경윤

삼성전자 "올해 HBM·2나노 강화하겠다"

삼성전자가 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올 1분기 반도체 사업의 약세가 지속될 것으로 내다봤다. 특히 시스템반도체 분야가 부진할 전망으로, 엑시노스 2500의 상용화 지연이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 이에 삼성전자는 올해 메모리 분야에서는 첨단 공정 기반의 고용량 메모리 비중을 확대하고, HBM(고대역폭메모리) 사업을 강화할 계획이다. 시스템반도체 분야에서는 플래그십 SoC(시스템온칩)의 적기 개발, 2나노 공정 양산 및 안정화 등을 추진할 계획이다. ■ 1분기 첨단 메모리 전환 집중…파운드리·LSI는 부진 지속 올 1분기는 반도체 분야 약세가 지속되면서 전사 실적 개선은 제한적일 것으로 예상되나, 세트 부문에서 AI 스마트폰과 프리미엄 제품군 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. DS부문의 경우, 메모리는 모바일 및 PC 제품의 경우 고객사 재고 조정이 지속될 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 고사양 및 고용량 제품 수요 대응을 위한 첨단 공정 전환을 가속화할 방침이다. D램은 1b 나노 전환을 가속화해 DDR5 및 LPDDR5X(저전력 D램) 공급 비중을 확대하고, 낸드는 V6에서 V8로 공정 전환을 진행하고 서버용 V7 QLC(쿼드레벨셀) SSD 판매를 확대할 계획이다. 시스템LSI는 실적 부진이 지속될 것으로 전망된다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 시장 진입 실기가 주된 영향을 끼쳤다. 다만 플래그십 스마트폰 출시로 이미지센서, DDI(디스플레이구동칩) 등 제품 수요는 증가할 것으로 예상된다. 파운드리는 모바일 수요 부진 및 가동률 저하에 따라 실적 부진 지속이 예상되지만, AI·HPC 등 응용처 및 첨단 공정 수주 확대를 위해 공정 성숙도 향상에 집중할 계획이다. DX부문의 경우, MX는 신모델 출시 효과로 스마트폰 출하량 및 평균판매단가가 상승할 전망이다. 태블릿 출하량은 전분기 대비 동등 수준을 유지할 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 갤럭시 S25 등 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 새로운 AI 경험과 제품 경쟁력을 적극 소구하고, 거래선과 협업을 강화해 AI 스마트폰 시장을 주도할 계획이다. 네트워크는 국내 이동통신사의 망 투자 축소로 매출은 전분기 대비 소폭 감소할 전망이다. VD는 계절적 비수기 진입으로 수요 감소가 예상되는 가운데 ▲QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 고부가가치 제품 시장 수요는 견조할 것으로 전망된다. 차별화된 개인화 경험을 제공하는 '삼성 비전 AI'를 적용해 전략 제품 중심으로 판매를 확대하고 수익성을 강화할 계획이다. 생활가전은 비스포크 AI 프리미엄 제품 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. 또한 하만은 오디오 제품 중심으로 판매를 확대해 전년 대비 매출 성장을 추진할 방침이다. 디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 시장 수요 약세가 예상됨에 따라 실적은 보수적으로 전망하고 있으며, 대형은 향상된 성능의 TV와 고해상도 모니터 등 신제품들을 본격 출시할 예정이다. ■ 올해 반도체 사업 경쟁력, HBM·2나노 등에 초점 메모리는 2분기부터 메모리 수요가 회복세를 보일 것으로 예상되는 가운데, D램과 낸드 모두 시장 수요에 맞춰 레거시 제품 비중을 줄이고 첨단 공정으로의 전환을 가속화할 방침이다. 또한 첨단 공정 기반 ▲HBM ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲GDDR7(그래픽 D램) ▲서버용 SSD 등 고부가가치 제품 비중을 늘려 사업 경쟁력 강화에 집중할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 SoC를 적기에 개발해 고객사의 주요 모델에 신규 적용을 추진할 계획이다. 센서 부문은 2억 화소 등 고화소 수요에 적극 대응해 다양한 응용처로 사업을 확장해 나갈 예정이다. 파운드리는 2나노 공정 양산과 안정화를 통해 고객 수요를 확보하고, 4나노 공정도 경쟁력 있는 공정과 설계 인프라를 강화해 나갈 방침이다. MX는 갤럭시 S25 시리즈의 출시를 통해 차별화된 AI 경험으로 모바일 AI 리더십을 공고히 하고 폴더블은 S25의 AI 경험을 최적화하고 라인업을 강화해 판매를 확대할 방침이다. ▲태블릿 ▲노트 PC ▲웨어러블 ▲XR(eXtended Reality)도 고도화된 갤럭시 AI 기능을 적용해 더욱 풍부한 고객 경험을 제공할 계획이다. 제품 경쟁력 강화와 스펙 향상 등으로 주요 원자재 가격 상승이 예상되나, 갤럭시 AI 고도화와 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성 개선에 집중할 방침이다. 네트워크는 주요 사업자의 추가 망 증설과 신규사업자 수주를 확보하고 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 도입을 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. VD는 주요 이머징 마켓 중심으로 TV 수요가 소폭 증가할 것으로 전망된다. 'Home AI' 비전 아래, 스마트싱스(SmartThings) 기반 연결 경험에 AI 기술을 결합하고 보안 솔루션인 '삼성 녹스(Samsung Knox)'를 확대 적용해 AI 스크린 시장을 주도해 나갈 계획이다. 생활가전은 2025년형 AI 혁신 제품 론칭과 사업구조 개선 등을 통해 수익성 개선에 집중할 계획이다. 하만은 전장 고객사를 다변화하고 성장세가 높은 오디오 제품군 판매 확대를 통해 매출 성장을 추진할 계획이다. 디스플레이는 중소형의 경우 제품 경쟁력 강화로 프리미엄 스마트폰 시장 리더십을 유지하고 대형은 다양한 고성능 TV와 모니터의 판매를 확대할 계획이다.

2025.01.31 10:12장경윤

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다. 특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다. 호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속 다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다. 특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다. SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다. 지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다. 올해도 HBM 등 AI 메모리 전환 집중 이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다. 최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다. SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다. 설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점 SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다. 올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다. M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다. SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 12:06장경윤

SK하이닉스, 'HBM4' 상용화 자신…16단도 내년 하반기 공급 예상

SK하이닉스가 내년 인공지능(AI) 메모리 시장의 주류가 될 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 안정적인 개발 및 상용화 준비를 자신했다. 올 하반기 12단 제품 양산 준비를 마무리하는 한편, 16단 제품은 내년 하반기 공급을 내다보고 있다. SK하이닉스는 23일 2024년도 4분기 실적발표에서 내년 하반기부터 HBM4 16단 제품 양산이 진행될 것으로 예상된다고 밝혔다. 현재 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)를 중심으로 사업 확대에 나서고 있다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 나아가 SK하이닉스는 내년 주력 제품이 될 HBM4 상용화 준비도 착실히 진행하고 있다. HBM4는 12단 및 16단 제품으로 구성된다. SK하이닉스는 "HBM4는 기술 안정성과 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용해 개발하고 있고, 올 하반기 중에 개발 및 양산 준비를 마무리하고 공급을 시작하는 것이 목표"라며 "12단 제품으로 공급을 시작해, 16단 제품은 고객 요구 시점에 맞춰 공급할 예정으로 내년 하반기를 예상하고 있다"고 밝혔다.

2025.01.23 11:03장경윤

SK하이닉스, 작년 영업익 23조원 '역대 최대'…HBM·eSSD 효과

SK하이닉스가 HBM, eSSD 등 AI용 고부가 메모리 사업의 확대로 분기, 연간 모두 최대 실적을 달성하는 데 성공했다. SK하이닉스가 지난해 연 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조 4천673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7천969억원(순이익률 30%)으로 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 23일 밝혔다. 매출은 기존 최고였던 2022년(약 44조원)보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(약 20조원)의 성과를 넘어섰다. 특히 4분기 매출은 전 분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 메모리 반도체 수요 강세가 두드러진 가운데 업계 선두의 HBM 기술력과 수익성 중심의 경영을 통해 사상 최고의 실적을 달성했다”고 설명했다. 회사는 이어 “4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD)도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요 성장에 따라 고성능, 고품질 중심의 메모리 시장으로 전환되는 상황을 설명하며 “이번 실적은 고객의 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급할 수 있는 경쟁력을 갖추면 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다는 점에서 의미가 있다”고 강조했다. 이 같은 실적을 바탕으로 2024년 말 SK하이닉스의 현금성 자산은 14조2천억원으로 전년 말 대비 5조2천억원 증가했으며, 차입금은 22조7천억원으로 같은 기간 6조8천억원 감소했다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 31%와 12%로 크게 개선됐다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼, 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 회사는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, 안정적인 수요가 이어지는 가운데 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나갈 방침이다. 낸드는 작년에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 한편 SK하이닉스는 연간 고정배당금을 기존 1천200원에서 1천500원으로 25% 상향해 총 현금 배당액을 연간 1조 원 규모로 확대했다. 이에 회사는 향후 배당시 고정배당금만 지급하고, 기존 배당정책에 포함됐던 연간 잉여현금흐름(FCF, Free Cash Flow)의 5%는 재무건전성을 강화하는데 우선 활용할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고부가가치 제품 매출 비중을 크게 늘리면서 시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다”며 “앞으로도 수익성이 확보된 제품 위주로 투자를 이어간다는 원칙을 유지하면서 시장 상황 변화에 맞춰 유연하게 투자를 결정할 것”이라고 말했다.

2025.01.23 08:55장경윤

디아이 등 HBM4 대응 분주...내달 새 장비 고객사 도입

올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 상용화를 앞두고, 디아이·유니테스트 등 국내 테스트 장비업체들의 대응이 분주해졌다. 이들은 올 1분기 SK하이닉스에 HBM4용 신규 테스터 샘플을 납품해 양산 적용을 위한 테스트를 진행할 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 국내 반도체 테스트 장비업계는 주요 고객사와 이르면 다음달 HBM4용 신규 장비에 대한 테스트를 진행할 예정이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. HBM4는 이르면 올 하반기 상용화되는 최신 HBM 제품으로, 데이터를 송수신하는 입출력단자(I/O) 수가 2024개로 이전 세대 대비 2배 많다. HBM4는 글로벌 팹리스인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '루빈' 시리즈에 탑재된다. 이에 맞춰 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업들은 HBM4 시장 선점을 위한 기술 개발에 주력하고 있다. 국내 테스트 장비업계도 준비에 한창이다. 디아이의 자회사 디지털프론티어, 유니테스트 등은 내달 SK하이닉스에 HBM4용 신규 번-인(Burn-in) 테스터를 도입해 퀄(품질) 테스트를 진행할 예정이다. 번인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품의 불량 여부를 판별하는 장비다. 현재 SK하이닉스는 메모리 기업 중 HBM4 개발 속도가 가장 빠른 것으로 평가받는다. SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 샘플을 엔비디아에 출하하고, 이르면 10월께 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스를 비롯한 메모리 기업들이 HBM의 안정적인 양산을 위해 테스트 분야에 보다 많은 관심을 기울이고 있다"며 "SK하이닉스의 경우 올 3분기에는 HBM4용 테스터에 대한 공급망 구성을 마무리할 것"이라고 밝혔다. 이번 디아이, 유니테스트의 HBM4용 신규 번-인 테스터는 국산화 측면에서도 의미가 있다. HBM 테스트 시장은 일본 어드반테스트가 주도해 왔으나, 최근에는 디아이, 테크윙, 와이씨 등 국내 기업들이 HBM3E용 장비를 납품하는 등 저변을 확대하고 있다. 어드반테스트는 번-인 외에도 HBM의 데이터 전송 속도를 확인하는 고속 검사 등 다양한 테스터를 개발하고 있다. 그만큼 개별 장비에 대한 대응이 느려, 국내 기업들이 진입할 수 있는 틈이 있다는 평가다.

2025.01.21 10:40장경윤

삼성전자, 'HBM 사업 확대' 컨콜 목표 지켰을까

삼성전자가 오는 31일 2024년 4분기 실적발표를 앞둔 가운데, 지난해 제시했던 HBM(고대역폭메모리) 사업 관련 전망치를 얼마나 현실화했을지 귀추가 주목된다. 현재 업계에서 추산하는 삼성전자의 해당 분기 HBM 출하량은 20억Gb(기가비트) 초반 수준으로, 목표치인 30억Gb에는 미치지 못했을 것으로 관측된다. 20일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 목표로 했던 HBM 총 출하량을 달성하지 못했을 가능성이 높은 것으로 분석된다. 지난해 삼성전자는 HBM 사업에서 전반적으로 부진을 면치 못했다. 주요 고객사인 엔비디아에 HBM3E(5세대 HBM) 8단을 늦어도 3분기까지 양산 공급하는 계획을 세웠으나, 실제 뚜렷한 성과를 거두지 못했다. HBM3E 12단 역시 경쟁사 대비 양산화 준비가 더딘 상황이었다. 이에 삼성전자는 지난해 4분기 첨단 제품을 중심으로 HBM 사업을 적극 확대하겠다고 발표한 바 있다. 삼성전자는 지난해 10월 말 진행한 2024년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "3분기 전체 HBM 매출에서 HBM3E의 비중은 10% 초중반 수준까지 증가했다"며 "특히 4분기 HBM3E 비중은 50%가 될 것으로 예상한다"고 밝혔다. 또한 "예상 대비 주요 고객사향 HBM3E 사업화가 지연됐으나, 현재 주요 고객사 퀄 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 강조하기도 했다. ■ 지난해 HBM 사업 목표 미달 가능성 높아 당시 삼성전자의 HBM3E 매출 비중 목표는 엔비디아를 제외한 다른 고객사에 물량을 확대하는 시나리오를 상정한 것으로 알려졌다. 지난해 하반기 반도체 업계에서는 엔비디아를 추격 중인 AMD와 구글·메타 등 거대 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들의 칩을 설계해주는 브로드컴, 자체 AI 추론 및 학습용 칩을 개발해 온 AWS(아마존웹서비스) 등이 유망한 HBM 수요처로 떠올랐다. 다만 삼성전자가 이 같은 전망에 부합하는 실적을 달성했을 가능성은 현재로선 낮은 것으로 관측된다. 반도체 산업을 분석하는 국내 한 증권가 연구원은 "삼성전자의 지난해 HBM 목표 판매량은 50억Gb 수준이고, 4분기에만 30억Gb를 출하했어야 했다. 이에 따라 HBM3E 매출 비중도 50%에 이르지는 못했을 것"이라며 "실제로 출하량이 전분기 대비 늘어나기는 했으나, 출하량이 20억Gb 내외 수준으로 제시했던 목표에는 이르지 못한 것으로 분석된다"고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 연간 HBM 판매량, HBM3E 매출 비중 확대 등은 하반기 제품 개발 및 사업 현황을 봤을 때 현실적으로 달성이 어려웠던 목표"라며 "엔비디아와 브로드컴 등으로의 HBM 출하가 기대치에 못 미치고, 중국향 HBM 사업도 국제 정세로 인해 목표를 충족하지 못했을 것으로 보인다"고 설명했다. ■ 4분기 컨콜서 확실한 목표·비전 제시해야 삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 앞두고 있다. 지난해 삼성전자가 컨퍼런스콜에서 밝힌 HBM 사업 전망이 대체로 현실화되지 못한 만큼, 이번에는 보다 면밀한 분석을 기반으로 2025년 올 한해 명확한 목표를 제시해야 한다는 지적이 제기된다. 현재 삼성전자는 HBM 사업의 반등을 위한 전략을 다각도로 펼치고 있다. 우선 HBM3E 12단의 경우, 엔비디아향 공급을 위해 제품의 회로를 일부 개조해 성능을 끌어올리는 작업을 진행 중이다. 개선품은 이르면 올 3분기께 양산 공급이 이뤄질 수 있을 것으로 전망된다. 동시에 삼성전자는 브로드컴 등 비(非) 엔비디아 고객사와의 협력 확대를 추진하고 있다. 이들 고객사는 엔비디아만큼 HBM에 하이엔드급 성능을 요구하지 않기 때문에, 삼성전자의 진입이 비교적 수월하다. 다만 현재까지 삼성전자가 이들 고객사에 HBM3E 양산 공급을 확정지었는지는 확인되지 않았다. 차세대 HBM인 HBM4(6세대 HBM)의 상용화도 준비하고 있다. 삼성전자의 HBM4는 1c D램(6세대 10나노급 D램)을 기반으로 한다. SK하이닉스, 마이크론 등은 안정성을 고려해 한 세대 전인 1b D램을 채용한다. 현재 삼성전자는 1c D램의 초도 양산을 위한 투자를 진행 중이며, 수율 향상에 전념하고 있는 것으로 전해진다.

2025.01.20 11:19장경윤

SK하이닉스, 엔비디아에 'HBM4' 조기 공급...6월 샘플·10월 양산할 듯

SK하이닉스가 이르면 올해 6월 엔비디아에 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 출하할 계획인 것으로 파악됐다. 이르면 3분기말께부터 제품 공급이 시작될 것으로 관측된다. 당초 하반기 공급에서 일정을 다소 앞당긴 것으로, SK하이닉스는 차세대 HBM 시장을 선점하기 위해 양산화 준비를 서두르고 있다. 15일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 커스터머 샘플(CS)을 고객사에 조기 공급하는 것을 목표로 세웠다. HBM4는 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 이르렀다. HBM4는 이르면 내년 하반기 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개로 집적해 성능을 극대화했다. 엔비디아의 경우 당초 2026년 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 탑재하기로 했었으나, 계획을 앞당겨 올 하반기 출시를 목표로 하고 있다. 이에 따라 SK하이닉스도 HBM4 개발에 속도를 내고 있다. 회사는 엔비디아향 HBM4 공급을 위한 전담 개발팀을 꾸리고, 지난해 4분기 HBM4 테이프아웃을 완료했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 과정이다. 이후 SK하이닉스는 HBM4의 샘플을 고객사에 보내는 일정도 당초 올 하반기에서 6월로 앞당겼다. 해당 샘플은 고객사에 제품을 양산 공급하기 전 인증을 거치기 위한 커스터머 샘플로 알려졌다. HBM4 양산화를 위한 마지막 단계에 돌입한다는 점에서 의미가 있다. 사안에 정통한 관계자는 "엔비디아도 올해 하반기로 시험 양산을 당길만큼 루빈에 대한 초기 출시 의지가 생각보다 강한 것으로 보인다"며 "이에 맞춰 SK하이닉스 등 메모리 기업도 샘플의 조기 공급을 추진하고 있다. 이르면 3분기 말께는 제품 공급이 가능할 것"이라고 설명했다. HBM4는 주요 메모리 기업들의 차세대 고부가 메모리 시장의 격전지가 될 전망이다. 삼성전자는 HBM4에 탑재되는 D램에 1c(6세대 10나노급 D램)을 탑재할 계획이다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 1b D램을 기반으로 하는 것과 달리, 한 세대 앞선 D램으로 성능에서 차별점을 두겠다는 전략으로 풀이된다. 마이크론 역시 최근 진행한 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표에서 "오는 2026년 HBM4의 본격적인 양산 확대를 진행할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.01.15 13:29장경윤

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