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'AI 메모리'통합검색 결과 입니다. (260건)

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삼성전자 반도체 3위로 하락…인텔·엔비디아에 자리내줘

삼성전자가 지난해 전세계 반도체 시장 매출 순위에서 1위에서 3위로 내려왔다. 미국 반도체 기업인 인텔과 엔비디아는 삼성전자를 제치고 각각 1위와 2위를 차지했다. 삼성전자가 인텔과 1위를 두고 경쟁해 오다가 3위로 내려 온 것은 이례적이다. 28일 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 삼성전자의 반도체 사업을 담당하는 DS 부문의 연간 매출은 443억7400만달러(60조원)로 집계됐다. 이는 전년 670억5500만달러(90조7000억원) 보다 33.8% 감소한 실적이다. 지난해 메모리 반도체 업황 침체에 타격을 받아 실적이 감소한 것으로 분석된다. 그 결과 지난해 반도체 1위를 탈환한 삼성전자는 실적 악화로 순위가 3위로 하락했다. 인텔은 지난해 매출 511억9700만달러(69조원)로 전년 보다 15.8% 감소에도 불구하고 1위를 차지했다. 삼성전자 부진에 비해 상대적으로 매출 감소가 적었기 때문이다. 인텔은 2018년, 2022년 삼성전자에 1위 자리를 내준 바 있다. 엔비디아는 2022년 8위에서 작년 2위로 올라왔다는 점에서 주목된다. 엔비디아는 생성형 AI(인공지능) 성장으로 지난해 매출이 491억6100만달러(66조3673억원)로 전년 보다 133.6% 급등했다. 즉 엔비다이의 작년 매출은 전년 보다 2배 이상 증가한 셈이다. 옴디아는 "지난해 반도체 산업의 전반적인 침체에도 불구하고 AI에 주력한 기업들은 이익을 내면서 업계의 중요한 성장 동력으로 부상했다"라며 "엔비디아는 AI의 가장 큰 수혜자"라고 진단했다. 메모리 업체인 SK하이닉스와 마이크론도 상위 10개 기업 중 큰 폭의 실적 감소를 겪었다. 2017년부터 2021년까지 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 모두 매출 상위 5위 안에 들었었다. SK하이닉스는 지난해 매출 236억8000만달러로 전년 보다 30.6% 감소하며 순위가 4위에서 6위로 내려왔다. 마이크론 또한 메모리 침체기에 영향 받아 지난해 순위가 6위에서 12위로 내려왔으며, 매출은 159억6300만달러로 전년 보다 40.6% 감소했다. 다만 SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)으로 AI 반도체의 혜택을 받다고 평가된다. 옴디아는 "SK하이닉스는 AI가 촉진하기 위해 GPU(그래픽처리장치)와 통합된 HBM 부문을 선도하고, 다른 주요 메모리 제조업체들도 이 분야에 뛰어들고 있다"고 말했다. 그 밖에 ▲4위 퀄컴(309억1300만달러) ▲5위 브로드컴(284억2700만달러) ▲7위 AMD(224억800만달러) ▲8위 애플(186억3500만달러) ▲9위 인피니언(172억8600만달러) 등 순이다. 지난해 상위 20개 반도체 기업의 매출은 5448억 달러로 전년 보다 8.8% 감소했다. 한편 이번 집계에는 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 매출은 포함되지 않았다. 대만 파운드리 업체 TSMC는 지난해 2조1617억3600만대만달러(91조1820억원)의 매출을 올렸다고 밝혔다. 삼성전자 파운드리 사업을 합한 반도체 매출은 지난해 66조5900만원으로 집계된다. 파운드리를 합한 반도체 시장 매출 순위에서는 1위 TSMC, 2위 인텔, 3위 삼성전자 순이다.

2024.03.28 20:03이나리

SK하이닉스 "올해 D램 내 HBM 판매 비중, 두 자릿 수 돌파"

SK하이닉스가 올해 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대에 따른 수익성 개선에 대한 의지를 드러냈다. 27일 SK하이닉스는 온·오프라인 형식으로 제76기 정기주주총회를 열고 주주들과의 질의응답 시간을 가졌다. 이날 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "지난해 당사의 전체 D램 판매량 중 HBM의 비트(bit) 비중은 한 자릿 수였다"며 "다만 올해에는 HBM의 비중이 두 자릿 수로 올라오기 때문에, 상대적으로 수익성 측면에서 도움이 될 것"이라고 말했다. 수요에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 공식 뉴스룸을 통해 올해 HBM이 이미 전량 판매 완료됐음을 밝힌 바 있다. 곽 사장은 "고객사와 소통한 결과, 내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다고 말씀드릴 수 있다"며 "다만 구체적인 수치들은 말씀드리기 어렵다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램 대비 고용량·고효율 데이터 처리에 특화돼 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하는 추세다. SK하이닉스는 지난해 4월 업계 최초로 12단 HBM3(4세대 HBM)를 개발했으며, 8월에는 세계 최고 사양의 HBM3E를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다. 이러한 결과로 SK하이닉스의 지난해 HBM3 매출액은 전년 대비 5배 이상 성장한 것으로 알려졌다.

2024.03.27 13:26장경윤

美 마이크론 호실적에 '어닝 서프라이즈'…삼성·SK도 기대감↑

미국 주요 메모리업체 마이크론이 실적 발표를 통해 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 가격의 반등, AI 산업에 따른 메모리 수요 증가 등이 호재로 작용했다. 마이크론의 실적은 삼성전자, SK하이닉스 등의 실적을 미리 가늠할 수 있는 지표로 작용한다. 이에 국내 메모리업계도 올 1분기 예상보다 견조한 실적을 달성할 것이라는 기대감이 나온다. 마이크론은 회계연도 2024년 2분기(2024년 2월 말 종료) 매출로 58억2천만 달러(한화 약 7조7천400억원)를 기록했다고 21일 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 23.2%, 전년동기 대비 57.7% 가량 증가한 수치다. 영업이익은 1억9천만 달러로 전분기 및 전년동기 대비 모두 흑자전환했다. 주당순이익은 42센트다. 또한 마이크론은 시장의 예상치를 크게 상회했다. 당초 증권가는 마이크론이 해당 분기 매출 53억5천만 달러, 주당 영업손실 24센트를 기록할 것으로 예상해 왔다. 마이크론의 호실적은 지난해 4분기부터 본격화된 D램 가격의 반등, AI 산업 부흥에 따른 메모리 수요 증가에 따른 효과로 분석된다. 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 성명을 통해 "AI로 인해 발생할 반도체 업계 내 기회에서 마이크론은 가장 큰 수혜자 중 하나가 될 것으로 믿는다"고 밝혔다. 마이크론은 회계연도 2024년 3분기에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 해당 분기 매출 가이던스는 64억~68억 달러(중간값 66억 달러)로, 증권가 컨센서스인 59억9천만 달러를 크게 웃돌았다. 한편 마이크론은 최근 AI 산업용 차세대 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 상용화에 적극 나서고 있다. 지난달 26(현지시간)에는 "5세대 HBM인 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E의 본격적인 양산을 시작한다"며 "해당 제품은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 밝힌 바 있다.

2024.03.21 09:34장경윤

'송곳 질문' 쏟아진 삼성電 주총 현장…"반도체 1위 되찾을 것"

삼성전자 제55기 정기주주총회 현장이 600여명의 주주들의 참석으로 열기를 띄었다. 이날 주주들은 삼성전자 주요 임원진들을 향해 기업가치 제고 부진, 반도체 사업 경쟁력 약화 등에 대한 쓴소리를 아끼지 않았다. 이에 삼성전자도 대형 M&A 추진 현황, 반도체 주도권 회복을 위한 사업 전략 등을 적극 제시했다. 삼성전자는 20일 경기 수원 컨벤션센터에서 제55기 정기주주총회를 개최했다. 이날 주주총회에는 600여명의 개인주주가 참석했다. 지난해 참석 인원과 비슷한 규모다. 삼성전자 주식 보유자 수가 지난해 521만6천명으로 전년(63만1천명) 대비 18.2%가량 줄긴 했으나, 주주총회에 대한 주주들의 관심도는 여전했다. 이번 주주총회 안건으로는 ▲재무제표 승인 ▲사외이사 신제윤 선임 ▲감사위원회 위원이 되는 사외이사 조혜경 선임 ▲감사위원회 위원 유명희 선임 ▲이사 보수한도 승인 등이 상정됐다. 해당 6개 안건은 모두 가결됐다. 이어진 행사에서는 한종희 부회장, 경계현 사장을 비롯해 최고재무책임자(CFO), 최고기술책임자(CTO), 각 사업부장 등 주요 경영진 13명이 참석해, 올해 삼성전자의 부문별 사업전략을 면밀히 설명했다. 또한 삼성전자는 처음으로 '주주와의 대화'를 별도로 마련해 주주들과 소통하는 시간을 가졌다. ■ 주주들 날선 질의…삼성전자 '진땀' 이날 주주들은 삼성전자의 구체적인 사업 현황은 물론, 경쟁사에 비해 기업가치 제고가 부진한 이유에 대해 날선 질문을 던졌다. 일각에서는 삼성전자의 실적 악화의 책임으로 임원진의 사퇴를 요구하는 목소리가 나오기도 했다. 한 부회장은 "지난해 주가가 주주분들의 기대에 미치지 못해 죄송하다"며 "다만 올해에는 꾸준히 진행해 온 투자와 수요 회복을 바탕으로 견조한 실적을 달성할 수 있게 최선을 다할 것"이라고 말했다. 또한 주주들은 신규 M&A(인수합병) 계획에 대해 "M&A에 집중적으로 투자해서 주가 관리를 잘 해달라", "신규 M&A를 고민한다고 했는데, 작년에도 똑같은 말을 했다"는 등 쓴소리를 아끼지 않았다. 삼성전자는 지난 2016년 하만을 인수한 이래로 대형 M&A에 대한 별다른 계획을 공개하지 않고 있다. 한 부회장은 "M&A의 많은 사항이 진척돼 있고, 조만간 주주 여러분들께 말씀드릴 기회가 있을 것"이라며 "다만 구체적으로 말씀드리지 못하는 점은 죄송하다"고 밝혔다. ■ "2~3년 내로 세계 반도체 1위 지위 되찾을 것" 이날 삼성전자는 올해 사업전략을 DX(세트)부문과 DS(반도체)부문으로 나눠 설명했다. 먼저 DX부문은 스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용을 확대할 계획이다. 또한 AI 기반의 화질·음질 고도화, 일반 가전 제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드하는 전략 등을 제시했다. 한종희 부회장은 "삼성전자는 세계 최고의 온디바이스 AI 역량을 갖추고 있다"며 "앞으로 삼성 전 제품과 서비스에서 생성형 AI와 온디바이스 AI가 만들어가는 변화와 혁신을 앞서 경험하게 될 것"이라고 밝혔다. DS부문은 ▲강건한 사업 경쟁력 ▲초일류 기술 리더십 ▲도전하는 조직 문화를 올해 핵심 사업 전략으로 꼽았다. 이를 위해 DS부문은 HBM3·HBM3E 등 AI 시대를 겨냥한 고부가 메모리 시장의 주도권 회복, D1C 및 V9 낸드와 같은 최선단 제품 개발 등에 주력하기로 했다. 2나노미터 GAA 공정 등 최선단 파운드리 양산 준비에도 만전을 기할 계획이다. 경계현 사장은 "2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한 지 50년이 되는 해로, 올해는 성장의 해가 될 것"이라며 "선단공정 기술에 대한 리더십을 강화해 2~3년 내로 반드시 세계 1위의 지위를 되찾겠다"고 강조했다. ■ C랩 전시회, 상생마켓 등 다양한 전시회 인기 한편 주주총회 행사장 외부에는 주주들이 삼성전자의 대표 사회공헌 및 상생 활동을 이해할 수 있는 C랩 전시회, 상생마켓 등이 마련됐다. 주주의 적극적인 참여 덕분에 현장은 활발한 분위기를 띄었다. C랩은 삼성전자의 사내 벤처 육성 프로그램으로, 이번 전시회에서는 C랩이 육성한 스타트업 7개사가 참여했다. CES 2024 최고혁신상을 수상한 AI 기반 커머스 콘텐츠를 제작하는 '스튜디오랩' ▲AI 기반 맞춤형 탈모 관리 솔루션을 개발하는 '비컨' ▲투명도를 조절하는 스마트 윈도우 '뷰전' ▲불안 증세를 완화해주는 스마트 조끼 '돌봄드림' 등이 주주들의 이목을 끌었다. 삼성전자의 스마트공장 지원사업을 통해 제조 및 기술 노하우를 전수받은 중소기업이 제품을 전시 및 판매하는 상생마켓에도 많은 주주들의 발길이 이어졌다. 현장에는 산업용 보호구를 만드는 '오토스윙' ▲비누를 제조하는 '크리오디엔에스' ▲저자극 두피진정 샴푸를 제조하는 '에코바이오 의학연구소' 등 12개사가 참여했다.

2024.03.20 16:06장경윤

삼성전자 "올 하반기 2.5D 패키징 본격 상용화"

삼성전자가 첨단 패키징 기술인 2.5D를 본격 상용화할 계획이다. 2.5D 패키징은 AI 반도체 제조의 핵심 요소 중 하나로, 삼성전자는 올 하반기 해당 사업에서 1천300억 원 이상의 매출을 올릴 수 있을 것으로 내다봤다. 20일 삼성전자는 경기 수원 컨벤션센터에서 '제55기 정기주주총회'를 열고 사업부문별 올해 경영전략에 대해 설명했다. 이날 경계현 삼성전자 DS부문 대표이사 사장은 첨단 패키징 사업과 관련한 질문에 대해 "삼성전자는 지난해 처음으로 AVP(어드밴스드 패키징) 사업팀을 만들어 운영을 시작했다"며 "투자 결과가 본격적으로 나오면서 올 하반기 2.5D 패키징에서 1억 달러 이상의 매출이 일어날 것"이라고 답했다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있어, AI 가속기나 HPC(고성능컴퓨팅) 구현에 유리하다. 삼성전자는 이 2.5D 패키징에 '큐브'라는 자체 브랜드명을 붙이고 관련 기술을 개발해 왔다. 이외에도 삼성전자는 2.3D, 2.1D, 3D와 같은 첨단 패키징 기술도 개발하고 있다. AI 시대를 대비한 패널레벨패키지(PLP) 기술도 적용을 고려하고 있다. PLP는 원형 모양의 기존 웨이퍼보다 넓은 사각형 패널을 사용하는 기술이다. 더 넓은 다이의 칩을 생산하거나, 동일한 크기의 칩을 더 많이 생산하는 데 유리하다. 경계현 사장은 "AI 반도체 다이가 보통 600mm x 600mm이나 800mm x 800mm으로 크기 때문에, 패널레벨패키지와 같은 기술이 필요할 것이라고 생각하고 있다"며 "삼성전자도 개발 중이고, 고객사들과 협력도 하고 있다"고 설명했다.

2024.03.20 12:52장경윤

삼성電 올해 화두는 AI·HBM 주도권 회복

삼성전자가 올해 DX(세트)부문과 DS(반도체)부문의 사업전략을 공개했다. DX부문에서는 업계 최대 화두로 떠오른 AI를 스마트폰, 폴더블폰, 액세서리 XR 등 갤럭시 전 제품에 확대 적용할 계획이다. DS부문은 12단 적층 HBM3·HBM3E의 시장 주도권을 되찾는 한편 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정 개발에 주력할 계획이다. 파운드리 분야는 2나노미터(nm)와 같은 최선단 공정 양산을 차질없이 준비할 방침이다. 신사업 진출에 대한 로드맵도 밝혔다. 삼성전자는 올해 말까지 2.5D 패키징 사업의 상용화를 추진해, 1천억 달러 이상의 매출을 올릴 것으로 내다봤다. 삼성전자는 20일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 열린 '제55기 정기 주주총회'에서 각 사업부문별 경영전략에 대해 설명했다. 발표는 DX부문장 한종희 부회장과 DS부문장 경계현 사장이 맡았다. 먼저 DX 부문에서는 '삼성 AI'를 통해 개인화된 디바이스 인텔리전스를 추진한다. 삼성전자는 모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해, 고객에게 생성형 AI와 온디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공할 방침이다. 구체적으로는 ▲스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용을 확대하고 ▲차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질·음질 고도화, 한 차원 높은 개인화된 콘텐츠 추천 등을 전개해 나가며 ▲올인원 세탁·건조기 비스포크 AI 콤보를 통해 일반 가전제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드할 계획이다. 삼성전자는 전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업 육성을 적극 추진할 계획이다. ■ 기존에 없던 최고의 멀티 디바이스 경험 추진 홈·모바일·오피스를 망라한 삼성의 다양한 디바이스는 많이 연결하고 자주 사용할수록 더욱 똑똑해지고 고객을 잘 이해해 더 큰 가치와 새로운 라이프스타일 경험을 제공한다. 예를 들어 ▲집안에서는 갤럭시폰이 리모콘이 되어 모든 기기를 편리하게 제어하고 ▲스마트 가전 및 IoT 솔루션을 통해 최적의 수면 환경을 제공하며 ▲기기 사용 패턴 및 알림을 통해 가족의 응급 상황도 손쉽게 확인할 수 있으며 ▲기기 안의 AI로 절약과 절전 모드를 최적화해 최대 20%까지 에너지 절약이 가능하다. ■ 개인 정보 보호 및 보안 최우선으로 추진 삼성전자는 초연결 AI시대를 맞아 가장 안전하고 가치있고 지능화된 디바이스 경험을 제공하기 위해 대표 보안 솔루션 '녹스'를 기반으로 개인 정보 보호와 보안을 최우선으로 추진할 방침이다. 스마트홈 생태계를 안전하게 보호해 주는 '녹스 매트릭스'는 다양한 삼성 기기를 프라이빗 블록체인 시스템으로 구성해 데이터를 안전하게 보호하고 외부 보안 공격을 사전에 차단할 수 있다. 녹스 볼트는 칩에 내장되는 보안 솔루션으로 홍채나 지문 인식, 암호와 같은 디바이스 안의 중요 데이터를 격리 저장하여 물리적인 침입에도 안전하다. ■ HBM 시장 주도 등 강건한 사업 경쟁력 확보 DS부문에서는 메모리, 파운드리, 시스템LSI 등 반도체 사업 전반의 근원적인 경쟁력 제고를 강조했다. 우선 메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램를 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3/HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획이다. 또한 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다. 파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브, RF(무선주파수) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4/5/8/14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침이다. 시스템LSI사업부의 SoC(system on Chip)사업은 플래그십 SoC의 경쟁력을 더욱 높이고 오토모티브 신사업 확대 등 사업구조를 고도화 할 계획이다. 이미지센서는 일관 개발/생산 체계를 구축하고 픽셀 경쟁력을 강화한 차별화 제품으로 다양한 시장 진출을 추진할 계획이다. LSI는 DDI(디스플레이구동칩), PMIC(전력관리반도체) 사업 구조를 개선하고 SCM 효율을 높여 원가 경쟁력을 개선할 방침이다. ■ 차세대 전력반도체, 패키징 등 신사업 진출 박차 또한 삼성전자는 미래를 위한 다양한 신사업을 준비할 계획이다. 2023년 시작한 어드밴스드 패키지 사업은 올해 2.5D 제품으로 1억 달러 이상 매출을 올릴 것으로 예상된다. 나아가 2.xD, 3.xD, Panel Level 등 업계가 필요로 하는 기술을 고객과 함께 개발하여 사업을 성장시킬 계획이다. 또한 SiC(실리콘카바이드)/GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력 반도체와 AR 글래스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 적극 개발해 2027년부터 시장에 적극 참여할 방침이다. ■ 기흥 R&D단지 20조원 투자 등 초일류 기술 리더십 강화 삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 FinFET, GAA 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖추어 왔으며, 앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획이다. 이를 위해 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입하는 등 연구개발에 과감한 투자를 아끼지 않을 방침이다. 반도체연구소를 양적·질적 측면에서 두배로 키울 계획이며, 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획이다. R&D 투자를 통해 얻어진 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자 및 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자하여 성장기반을 강화하는 선순환구조를 구축해 나갈 방침이다. 2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것이며, 2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾을 계획이다.

2024.03.20 12:31장경윤

SK하이닉스, 세계 최초 'HBM3E' 본격 양산 …고객사 납품 시작

SK하이닉스가 5세대 HBM인 'HBM3E'를 본격 양산해 고객사에 납품하기 시작했다. SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 회사가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 메모리다. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전으로, 5세대 제품에 해당한다. SK하이닉스는 “당사는 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”고 밝혔다. 엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 따라서 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시켜줄 현존 최적의 제품이 될 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 회사는 강조했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. 회사는 이를 위해 신제품에 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 적용해, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 류성수 SK하이닉스 부사장(HBM Business담당)은 “당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.

2024.03.19 10:26장경윤

"D램 내 HBM 매출 비중 급성장...올해 말 20% 넘길 듯"

AI 산업의 핵심 요소인 HBM(고대역폭메모리)의 올해 공급량이 크게 늘어날 전망이다. 이에 따라 전체 D램에서 차지하는 매출 비중도 지난해 8.4%에서 올해 말 20.1%로 급격히 성장할 것으로 보인다. 18일 시장조사업체 트렌드포스는 올해 HBM의 연간 비트(용량) 증가율은 약 260%에 달할 것으로 내다봤다. 이에 따라 D램 내에서 HBM이 차지하는 매출 비중도 지난해 약 8.4%에서 올해 말에는 20.1%까지 증가할 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)를 통해 연결한 메모리다. 기존 D램 대비 데이터 처리 성능이 뛰어나 고용량·고효율 연산이 필요한 AI 산업에서 수요가 급격히 증가하는 추세다. 다만 HBM은 높은 기술적 난이도로 국내 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론만이 양산 가능하다. 이들 기업의 제한적인 생산능력으로 HBM은 현재 공급부족 상태에 놓여 있다. 트렌드포스는 "HBM은 동일한 용량의 DDR5 대비 다이(기판) 사이즈가 35~45% 더 크다"며 "수율도 DDR5 대비 약 20~30% 낮고, 생산주기도 1.5~2개월 더 길다"고 설명했다. 이에 HBM 공급사들은 올해 말까지 공격적인 생산능력 확대를 계획하고 있다. 트렌드포스가 추산한 삼성전자의 올 연말 HBM 생산능력은 약 13만개다. SK하이닉스는 12만개지만, 고객사와의 테스트 및 주문에 따라 해당 수치에 변동이 생길 가능성이 있다. 트렌드포스는 "현재 시장의 주류인 HBM3(4세대 HBM) 시장에서 SK하이닉스는 90% 이상의 점유율을 기록하고 있다"며 "삼성전자는 향후 몇 분기에 걸쳐 AMD의 MI300 칩에 대응할 것으로 예상된다"고 밝혔다.

2024.03.19 09:41장경윤

한국공대, 연산 기능 갖춘 지능형 메모리 반도체소자 개발

국내 대학 연구팀이 연산기능과 메모리 기능을 통합한 지능형 반도체소자 개발에 성공했다. 한국공학대학교(총장 황수성)는 안승언 교수(나노반도체공학과) 연구팀이 차세대 지능형 반도체에 활용 가능한 로직 연산과 메모리 기능을 통합한 강유전체 기반 프로세스-인-메모리(PIM) 소자 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 이번 연구 결과는 'Exploring Multi-Bit Logic In-Memory with Memristive HfO2-Based Ferroelectric Tunnel Junctions'라는 제목으로 전자 소자·재료과학 분야 저명 학술지 'Advanced Electronic Materials' 3월 8일자 표지논문으로 선정됐다. 연구에는 박사과정 고원우(제1저자), 황현주(공저자) 학생이 참여했다. 연구팀 관계자는 “최근 빅데이터를 기반으로 하는 인공지능(AI) 기술발전이 가속하면서 메모리와 프로세서가 분리돼 데이터를 처리하는 '폰노이만(Von Neumann)' 컴퓨팅 시스템 구조 데이터처리 속도에 한계가 나타나고 있다”며 “저전력·멀티레벨 스위칭·고속 동작이 가능한 프로세서와 메모리를 통합한 신개념 반도체소자 개발 필요성이 대두되고 있다”고 설명했다. 연구팀은 하프늄-지르코늄 산화물을 기반으로 강유전체 터널 접합(FTJ) 형태 멤리지스터(메모리+레지스터)를 구현해 멀티레벨 스위칭과 신뢰성을 확보하고 중간 레벨(inter-state) 간 스위칭을 구동하는 데 성공했다. 소자의 스위칭 특성을 조합해 NAND, NOR, OR 등 16가지 논리 연산 기능을 카르노 맵을 통해 제시해 PIM 응용 가능성도 검증했다. 안승언 교수는 “최근 새로운 개념의 컴퓨팅 시스템 구현을 위해 다양한 PIM 소자 연구 결과가 발표되고 있지만 비휘발성 멀티레벨 신뢰성과 중간 레벨 간 스위칭 구동 연구가 여전히 초기 단계에 있는 상황에서 이번 연구의 진일보한 결과는 차세대 지능형 반도체 분야의 기술적·학문적 도약에 기여할것으로 기대한다”고 밝혔다. 한편, 이번 연구는 과학기술정보통신부와 한국연구재단이 지원하는 중견연구자지원사업과 산업통상자원부가 지원하는 미래반도체개발사업의 지원으로 수행했다.

2024.03.12 21:34주문정

車 날개 단 SK하이닉스 HBM, 이젠 자율주행에도 적용

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 영역을 기존 서버에서 엣지 단으로 확장하기 위한 준비에 나섰다. 차량 내부에 HBM을 탑재하기 위해, 차량용 반도체 안전 표준인 'AEC-Q100'를 획득한 것으로 알려졌다. 12일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 차량용 반도체 솔루션 제품군에 HBM 제품을 신규 추가했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층하고 TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 고부가 메모리다. 데이터 처리 성능이 기존 D램 대비 뛰어나 고효율·고용량 데이터 연산이 필요한 AI 산업에서 수요가 증가하고 있다. HBM2E는 3세대 HBM으로, 초당 3.6 기가비트(Gbps)의 데이터 처리 성능을 보유하고 있다. SK하이닉스가 해당 제품을 본격적으로 양산하기 시작한 시기는 지난 2020년 하반기다. 통상 HBM은 고성능 GPU(그래픽처리장치)와 연결돼 서버 내에 탑재된다. 엔비디아·AMD 등 시스템반도체 기업과 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 D램 업체들이 깊은 협업관계를 맺고 있는 것도 이 때문이다. 그러나 SK하이닉스는 HBM2E를 이번 차량용 반도체 솔루션을 소개하는 자료에 포함시켰다. 구체적으로는 HBM2E를 'AEC-Q100' 등급 2, 3을 획득했다고 기술했다. AEC-Q100은 차량용 반도체의 신뢰성 및 안전을 정하는 표준이다. 동작온도 범위에 따라 0~3등급으로 나뉜다. 2등급은 -40~105°C, 3등급은 -40°~85°C 온도 내에서 작동할 수 있다는 것을 뜻한다. SK하이닉스는 HBM2E의 용도를 'ADAS(첨단운전자보조시스템)'으로 명시하며 "가속기 및 AI 주행 시스템용으로 최적화된 프리미엄 메모리 솔루션"이라고 밝혔다. 업계는 SK하이닉스의 이 같은 움직임이 HBM의 시장 영역을 고성능 엣지 AI 영역으로 확장하기 위한 준비로 보고 있다. 국내 AI 반도체 업계 관계자는 "자동차 산업에서 자율주행·고성능컴퓨팅 등 상당히 높은 수준의 데이터 처리 능력을 요구하고 있어, 반도체 업계에서도 엣지 AI칩과 HBM을 결합하려는 논의가 진행되고 있다"며 "최근에는 이러한 준비가 더 빨라지는 추세"라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "데이터 처리량을 고려하면 차량용 HBM 시장이 당장 큰 규모를 형성하지는 않을 것"이라며 "다만 큰 방향성에서는 기존 메모리처럼 HBM도 차량 내 범용 제품처럼 쓰이게 될 수도 있다"고 말했다.

2024.03.12 13:18장경윤

HBM4 두께 표준 '완화' 합의…삼성·SK, 하이브리드 본딩 도입 미루나

오는 2026년 상용화를 앞둔 12단·16단 D램 적층 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 표준이 정해졌다. 최근 진행된 논의에서 관련 기업들이 이전 세대인 720마이크로미터(μm) 보다 두꺼운 775마이크로미터로 패키지 두께 기준을 완화하기로 한 것으로 파악됐다. 이번 합의는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 제조업체들의 향후 패키징 투자 기조에 큰 영향을 줄 것으로 관측된다. 이들 기업은 HBM4의 패키지 두께가 720마이크로미터로 제한될 가능성을 염두에 두고, 신규 패키징 기술인 하이브리드 본딩을 준비해 왔다. 그러나 패키지 두께가 775마이크로미터로 완화되는 경우, 기존 본딩 기술로도 16단 D램 적층 HBM4을 충분히 구현할 수 있다. 하이브리드 본딩에 대한 투자 비용이 막대하다는 점을 고려하면, 메모리 업체들은 기존 본딩 기술을 고도화하는 방향에 집중할 가능성이 크다. 8일 업계에 따르면 국제반도체표준화기구(제덱, JEDEC) 주요 참여사들은 최근 HBM4 제품의 규격을 775마이크로미터로 결정하는 데 합의했다. 제덱은 국제반도체표준화기구로, 오는 2026년 상용화를 앞둔 HBM4의 규격에 대해 협의해 왔다. HBM3E(5세대 HBM) 등 이전 세대와 동일한 720마이크로미터, 혹은 이보다 두꺼워진 775마이크로미터 중 하나를 채택하는 게 주 골자다. 협의에는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 HBM을 양산할 수 있는 메모리 제조사와, 엔비디아·AMD·인텔 등 주요 시스템반도체 기업들이 다수 참여한다. 이들 기업은 1차와 2차 협의에서는 결과를 도출하지 못했다. 일부 참여사들이 HBM4 표준을 775마이크로미터로 완화하는 데 반대 의견을 보여왔기 때문이다. 그러나 최근 진행된 3차 협의에서는 12단 적층 HBM4, 16단 적층 HBM4 모두 775마이크로미터를 적용하기로 최종 합의했다. 메모리사들이 기존 720마이크로미터 두께 유지가 한계에 다다랐다는 주장을 적극 피력한 덕분이다. 엔비디아, AMD 등도 메모리 3사로부터 HBM을 원활히 수급받기 위해 해당 안을 긍정적으로 수용한 것으로 전해진다. ■ HBM4 표준이 중요한 이유…패키징 향방 '갈림길' 이번 제덱의 표준 규격 합의는 메모리, AI반도체 및 패키징 업계 전반에 적잖은 영향을 미칠 것으로 전망된다. HBM4 패키지 두께가 얼마나 되느냐에 따라 향후 첨단 패키징의 투자 기조가 뒤바뀌기 때문이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 고부가 메모리다. HBM4는 오는 2026년 상용화를 앞두고 있다. HBM4는 이전 세대 제품들과 달리, 정보를 주고받는 통로인 입출력단자(I/O)를 2배 많은 2024개 집적하는 것이 특징이다. 또한 적층 D램 수도 최대 16개로 이전 세대(최대 12개)보다 4개 많다. 다만 D램 적층 수가 늘어나는 만큼, 패키징 기술이 한계에 직면했다는 지적이 주를 이뤄왔다. 기존 HBM은 D램에 TSV 통로를 만들고, 작은 돌기 형태의 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결하는 TC(열압착) 본딩 기술을 적용해 왔다. 삼성전자와 하이닉스의 경우 세부적인 방식은 다르지만 범프를 사용한다는 점에서는 궤를 같이한다. 그런데 당초 고객사들은 D램을 최대 16단으로 적층하면서도, HBM4의 최종 패키지 두께를 이전 세대들과 동일한 720마이크로미터로 요구해 왔다. 기존 본딩으로는 16단 D램 적층 HBM4를 720마이크로미터로 구현하기에는 사실상 무리가 있다는 의견이 지배적이다. ■ 삼성·SK, 기존 본딩 기술 유지할 가능성 커져 이에 업계가 주목한 대안이 하이브리드 본딩이다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아, 패키지 두께를 줄이는 데 훨씬 용이하다. 삼성전자·SK하이닉스 역시 공식 행사 등을 통해 HBM4에 하이브리드 본딩을 적용하는 방안을 고려 중이라고 언급한 바 있다. 양사 모두 어플라이드머티어리얼즈, 베시, ASMPT, 한화정밀기계 등 관련 협력사들과 관련 장비·소재를 개발 및 테스트 중이기도 하다. 그러나 하이브리드 본딩 장비는 기존 TC본더 대비 가격이 4배가량 비싸다는 단점이 있다. 공정 변경에 따른 초기 수율 조정이 필요하다는 점도 메모리 제조사들에겐 부담이다. 또한 하이브리드 본딩은 핵심 공정이 아직까지 완성 단계에 이르지 못할 정도로 기술적 난이도가 높다. 때문에 삼성전자·SK하이닉스는 하이브리드 본딩과 기존 TC 본딩을 병행 개발해 왔다. HBM4 패키지 규격이 변동되지 읺는다면 막대한 비용을 지불해서라도 하이브리드 본딩을 적용하되, 규격이 완화된다면 기존 본딩을 고수하겠다는 전략이 깔려 있었다. 이 같은 관점에서, 이번 제덱의 HBM4 규격 합의는 메모리 제조사들이 기존 본딩 기술을 이어갈 수 있는 명분을 제공한다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 3사 모두 기존 TC본딩으로 775마이크로미터 두께의 16단 적층 HBM4를 구현하는 데에 무리가 없는 것으로 관측된다"며 "하이브리드 본딩 활용시 제조비용이 크게 상승하기 때문에, 리스크를 굳이 먼저 짊어지려는 시도는 하지 않을 것"이라고 설명했다.

2024.03.08 13:49장경윤

삼성전자, 美 샌디에고에 신규 메모리·파운드리 거점 설립

삼성전자가 미국 캘리포니아주 샌디에고시에 메모리 및 파운드리 고객사 협업 강화를 위한 거점을 마련했다. 이에 샌디에고 시장도 현지 사무소가 개소한 날을 '삼성의 날(Samsung Day)'로 지정하는 등 축하의 뜻을 전했다. 한진만 삼성전자 미주총괄 부사장은 8일 사회관계망서비스(SNS) 링크드인에 미국 캘리포니아주 샌디에고시의 신규 사무소 설립을 기념하는 글을 작성했다. 해당 사무소는 삼성전자의 메모리 및 파운드리 고객사와 사업을 논의하기 위한 자리다. 지난 6일(현지시간) 공식 오픈했다. 현재 인력 규모는 약 20명 안팎으로 알려졌다. 개소식에는 한진만 부사장을 비롯해 토드 글로리아 샌디에고 시장, 니키아 클라크 샌디에고 지역경제개발공사 수석부사장 등 현지 주요 인사들이 참여했다. 이날 토드 글로리아 시장은 삼성전자의 신규 사무소 개소를 기념해 3월 6일(현지시간)을 '삼성의 날'로 지정했다. 한진만 부사장은 "이번 사무소 개소로 메모리 및 파운드리 고객사의 맞춤형 설계 및 엔지니어링 요구사항을 더 잘 충족시킬 수 있게 돼 기쁘다"며 "삼성 반도체 사업은 AI, 모바일 및 자동차의 미래를 혁신하고 촉진할 준비가 돼 있다"고 밝혔다.

2024.03.08 10:51장경윤

[단독] SK하이닉스, 지난달 엔비디아에 '12단 HBM3E' 샘플 공급

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리)인 12단 D램 적층 HBM3E(5세대 HBM)의 초기 샘플을 지난달 엔비디아에 공급한 것으로 파악됐다. 지난해 8월 8단 제품의 샘플 공급에 이은 성과로, 주요 고객사와의 AI 반도체 협업을 보다 공고히할 수 있을 것으로 전망된다. 6일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난달 엔비디아에 12단 D램 적층 HBM3E의 초기 샘플을 제공했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 현재 4세대 제품인 HBM3까지 상용화 궤도에 올랐으며, 다음 세대인 HBM3E는 올 상반기 상용화가 예상된다. HBM3E는 D램을 몇 개 적층하느냐에 따라 8단(24GB)과 12단(36GB) 제품으로 나뉜다. SK하이닉스의 경우 8단 HBM3E는 지난해 하반기에 샘플을 공급해 최근 테스트를 통과했다. 공식적인 일정을 밝히지는 않고 있으나, 이르면 이달부터 양산이 시작될 예정이다. 나아가 SK하이닉스는 지난달 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급했다. 해당 샘플은 극 초창기 버전으로, 주로 신규 제품의 표준 및 특성을 확립하기 위해 활용된다. SK하이닉스는 이를 UTV(유니버셜 테스트 비하이클)이라는 명칭으로 부른다. 이미 하이닉스가 8단 HBM3E의 성능 검증을 마무리한 만큼, 12단 HBM3E 테스트에는 많은 시간이 소모되지 않을 것으로 관측된다. D램의 적층 수가 늘어난 데 따른 일부 디바이스 특성과 신뢰성 검증만 해결하면 될 것으로 업계는 보고 있다. 한편 세계 메모리 업계는 AI 반도체 시장의 급격한 성장세에 발맞춰, 엔비디아·AMD에 최선단 HBM 제품을 공급하기 위한 경쟁을 치열하게 전개하고 있다. 삼성전자는 지난달 27일 12단 HBM3E 개발에 성공했다고 밝혔다. 삼성전자는 해당 제품에 어드밴스드 TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)를 적용해, D램 사이사이의 간격을 7마이크로미터(um)까지 줄이는 데 성공했다. 마이크론 지난달 26일(현지시간) 8단 HBM3E의 대량 생산을 시작했다고 밝혔다. 최선단 10나노급(1b) D램을 적용한 것이 특징으로, 마이크론은 "자사의 8단 HBM3E가 경쟁사 대비 전력 효율이 30% 우수하다"고 강조한 바 있다. SK하이닉스는 12단 HBM3E 샘플 공급과 관련한 질문에 "고객사와 관련한 내용은 어떠한 것도 확인해줄 수 없다"고 전했다.

2024.03.06 13:32장경윤

삼성전자, 세계 첫 36GB 12단 HBM3E 개발...상반기 양산

삼성전자가 세계 최초로 36GB(기가바이트) 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 12H(12단 적층) D램을 개발했다고 27일 밝혔다. 삼성전자는 12단 HBM3E의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다. 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다. 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8단 적층 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF' 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화 할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다고 설명한다. 삼성전자는 NCF 소재 두께도 지속적으로 낮춤으로써, 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8단 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다. 특히, 칩과 칩사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용했다. 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다. 또 삼성전자는 NCF로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈를 다양하게 하면서 동시에 공극(Void)없이 적층하는 업계 최고 수준의 기술력도 선보였다. 삼성전자가 개발에 성공한 12단 HBM3E은 AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에게 활용도가 높을 것으로 보인다. 특히, 성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있다. 예를 들어 서버 시스템에 12단 HBM3E를 적용하면 8단 HBM3를 탑재할 때 보다 평균 34% AI 학습 훈련 속도 향상이 가능하다. 추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대된다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 "삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.02.27 11:00이나리

손호영 SK하이닉스 부사장 "토털 AI 메모리 프로바이더로 나아갈 것"

"고객별로 특화된 AI 메모리를 개발하기 위해서는 기술의 유연성과 확장성이 중요하다. 고객의 어떠한 니즈도 충족할 수 있는 토털 AI 메모리 프로바이더가 되어야할 때다." 27일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 2024년 신임 임원으로 선임된 손호영 어드밴스트(Advanced) PKG개발 담당 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. 손 부사장은 최근 반도체 업계 전체의 뜨거운 관심을 받고 있는 HBM(고대역폭메모리) 개발 과정에서 중요한 역할을 맡고 있다. HBM의 핵심 기술이라 불리는 TSV(실리콘관통전극)와 SK하이닉스 독자 기술인 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)의 도입 초기 단계부터 개발을 이끌어 오며, 회사 AI 메모리 기술 리더십을 공고히 하는 데 큰 역할을 했다. 손 부사장은 "회사 기여도를 떠나 개인적으로 생각하는 가장 큰 성과는 10여 년 전 1세대 HBM을 개발한 것"이라며 "수 많은 시행착오와 실패 속에서도 포기하지 않고, 위기를 전환점으로 삼아 더 나은 방향으로 이끌어 온 덕분에 지금의 5세대 HBM3E와 첨단 패지키 기술을 성공적으로 개발할 수 있었다"고 밝혔다. 또한 손 부사장은 급변하는 AI 시대에서 SK하이닉스의 역할도 점차 변화하고 있다고 말했다. 지금까지의 단순 제품 공급자를 넘어 '토털 AI 메모리 프로바이더(Total AI Memory Provider)'로 자리매김해야 한다는 것이다. 손 부사장은 "고객별로 특화된 AI 메모리를 개발하기 위해서는 기술의 유연성과 확장성이 중요해지고 있어 기존 방식을 벗어난 접근법이 필요하다"며 "우리는 이러한 변화에 대응할 수 있는 다양한 첨단 패키지 기술력을 보유해 고객의 어떠한 니즈도 충족할 수 있는 차별화된 솔루션을 제공할 계획"이라고 강조했다. 신임 임원으로서 포부를 묻자, 손 부사장은 구성원들이 창의성을 마음껏 발휘하며 성장하고 발전할 수 있는 환경을 만들고 싶다고 밝혔다. 특히, 학계 및 산업계와의 다양한 교류를 통한 외연 확장의 중요성을 강조했다. 손 부사장은 "당장의 성과도 중요하지만, 장기적인 관점에서 기술력을 확보하는 것이 더욱 중요하다"며 "저 역시 처음 TSV 기술과 HBM을 개발할 때 자유로운 환경에서 학계 등 외부와의 교류를 통해 많은 도움을 받았고, 그것이 저에게 큰 자산이 됐다"고 말했다.

2024.02.27 10:32장경윤

김기태 SK하이닉스 부사장 "올해 HBM '완판'...이젠 속도전 승부수"

김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 부사장이 "올해 HBM은 이미 완판"됐다며 "2024년이 막 시작되었지만, 우리는 시장 선점을 위해 벌써 2025년을 준비하고 있다"고 자신감을 내비쳤다. HBM(고대역폭메모리)는 여러 개의 D램 칩을 TSV(수직관통전극)로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 메모리다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)를 거쳐 현재 5세대(HBM3E)까지 개발된 상태다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한다. 김기태 부사장은 21일 SK하이닉스 뉴스룸을 통해 "생성형 AI 서비스의 다변화 및 고도화로 AI 메모리 솔루션인 HBM 수요 역시 폭발적으로 증가했다. 고성능·고용량의 특성을 지닌 HBM은 메모리 반도체가 전체 시스템의 일부에 불과하다는 기존 통념을 뒤흔든 기념비적인 제품"이라며 "특히, SK하이닉스 HBM의 경쟁력은 탁월하다. 높은 기술력으로 글로벌 빅테크 기업에서 앞다퉈 찾고 있다"고 말했다. SK하이닉스는 올해 전사 역량을 결집해 이룬 HBM 1등 타이틀을 사수하고, 더욱 강한 HBM 시장 리더십을 구축하는 것을 목표로 한다"라며 "이를 위해 회사는 김 부사장이 이끄는 HBM Sales & Marketing 조직을 포함해 제품 설계, 소자 연구, 제품 개발 및 양산까지의 모든 부서를 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 김 부사장은 "SK하이닉스는 영업·마케팅 측면에서 AI 시대에 대응할 준비를 꾸준히 해왔다"라며 "고객과의 협력 관계를 미리 구축했고, 시장 형성 상황을 예측했다. 이를 바탕으로 회사가 누구보다 앞서 HBM 양산 기반을 구축하며 제품 개발을 진행해 빠르게 시장을 선점할 수 있었다"고 강조했다. 이어서 그는 "지속적인 시장 우위를 점하기 위해서는 기술 경쟁력은 기본이고, 영업적인 측면에서 TTM(Time To Market: 제품이 구상되고 시장에 나오기까지 걸리는 시간)을 단축하는 것이 관건"이라며 "고객 물량을 선제적으로 확보해서, 좋은 제품을 더 좋은 조건에 판매할 수 있도록 협상하는 것이 반도체 영업의 기본이다"고 말했다. 그는 대외적으로 불안정한 요소들이 아직 남았지만, 올해 메모리 반도체 업황 상승세가 시작되었다고 진단했다. 글로벌 빅테크 고객들의 제품 수요가 회복되고 있으며, PC나 스마트폰 등 자체 AI를 탑재한 온디바이스(On-Device) 등 AI의 활용 영역이 넓어짐에 따라 HBM3E뿐만 아니라 DDR5, LPDDR5T 등 제품 수요까지 커질 것으로 기대했다.

2024.02.21 10:56이나리

ISC, 작년 매출 1천402억 원…4분기 흑자 전환 성공

반도체 테스트 솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 2023년 연간 매출액이 1천402억 원, 영업이익은 107억 원(영업이익률 8%)을 기록했다고 15일 밝혔다. 해당 실적은 전년 대비 매출액은 21.6%, 영업이익은 80.8% 감소한 수치다. 2023년 4분기 매출액은 250억 원으로 전분기 대비 감소했으나, 영업이익은 25억 원(영업이익률 10%)으로 흑자 전환했다. AI 반도체 및 비메모리 반도체용 제품 매출 상승이 핵심 요인으로 작용했다. 비수기 시즌임에도 전체 매출의 약 80%가 비메모리 부문에서 발생했으며, 그중 AI 스마트폰의 AP 반도체, 주력 제품군인 데이터센터용 AI 서버 CPU·GPU·NPU 소켓이 좋은 성과를 거뒀다는 것이 ISC의 설명이다. 한편 메모리 부문에서는 글로벌 고객사의 생산량 감소 및 단가 인하 압박으로 어려움을 겪고 있으나, ISC가 메모리 분야 빅3 고객사 내 가장 높은 점유율을 유지하고 있어 메모리 업황 개선 시 큰 혜택을 볼 것으로 ISC는 전망했다. 또한 주력 제품군인 실리콘 러버 소켓이 전체 매출의 80%를 차지하는 가운데, ISC가 북미 지역을 중심으로 한 해외시장에서 꾸준한 성과를 거뒀으며 온디바이스 AI, AI 서버 등 고마진 하이엔드 반도체 제품 중심으로 매출이 발생해 24년 높은 성장을 전망하게 한다고 강조했다. ISC는 관계자는 “2024년은 회사의 밸류에이션을 높여 주주가치를 증진시키는 'ISC 2.0' 프로젝트의 시작”이라며 “주력사업 외에도 반도체 포트폴리오를 확장해 사상 최대 실적, 반도체 테스트 소켓 시장 점유율 1위를 달성할 것”이라고 강조했다.

2024.02.15 09:30장경윤

SK하이닉스, 16단 HBM3E 기술 첫 공개…1등 자신감

SK하이닉스가 이달 20일 국제고체회로학회(ISSCC) 2024 컨퍼런스에서 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다. 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위인 SK하이닉스는 선단 기술을 공개함으로써 기술 리더십을 입증할 계획이다. 이달 18일부터 22일까지 미국 샌프란시스코에서 개최되는 ISSCC는 반도체 집적회로 설계 기술의 올림픽으로 불린다. 세계 각국 3000여 명의 반도체 공학인들이 참여해 연구 성과를 공유하는 자리다. SK하이닉스는 ISSCC 2024 기간 중 당일 오전 열리는 메모리 세션에서 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 16단 48기가바이트(GB) HBM3E를 업계 최초로 공개한다. 16단은 현존하는 최고층 12단 HBM3E 보다 향상된 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 공급했고 올해 상반기에 본격 양산할 계획이다. 또 올해 16단 HBM4를 개발해 2026년 양산에 돌입할 예정이다. 이에 앞서 SK하이닉스는 컨퍼런스에서 16단 HBM3E 기술을 먼저 선보인다. HBM은 여러 개의 D램 칩을 TSV(실리콘관통전극) 공정으로 수직 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 제품이다. HBM은 D램 칩을 쌓을수록 용량이 커진다. 16단은 12단과 동일한 높이에 더 많은 D램 다이를 적층해야 하기 때문에 D램 두께를 얇게 만드는 혁신 기술이 요구된다. 또 D램 칩을 붙이는 과정에서 압력이 가해져 생기는 웨이퍼의 휨 (Warpage) 현상도 방지해야 한다. SK하이닉스는 이런 기술적 난제를 극복하기 위해 3세대 HBM 제품인 HBM2E부터 신공정인 MR-MUF 기술을 적용했고, 지난해 양산에 들어간 12단 HBM3부터는 어드밴스드 MR-MUF(F(Mass Reflow Molded Underfill)를 적용해, 더 작은 크기로 고용량 패키지를 만들어 열방출 성능을 개선했다. SK하이닉스는 이번에 공개하는 16단 HBM3E는 적층을 최적화하기 위해 저전력을 강화한 TSV 설계를 새롭게 적용했다고 밝혔다. 다만, 향후 16단 HBM4에는 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용할 것으로 보인다. 앞서 김춘환 SK하이닉스 부사장은 지난달 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 반도체인 HBM4(D램 16단 적층)와 400단 이상 낸드에 하이브리드 본딩을 활용해 상용화한다는 계획을 언급한 바 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 기판의 연결 통로인 범프(가교)를 없애고 구리(Cu)로 직접 연결하는 차세대 본딩 기술이다. 이 기술을 사용하면 기존 방식 대비 입·출력(I·O) 수를 획기적으로 늘릴 수 있어 데이터처리 속도가 빨라진다. 한편, SK하이닉스는 올해 HBM에 투자를 아끼지 않는다는 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 지난달 말 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 AI 수요 확대에 힘입어 HBM 시장은 앞으로 5년간 연평균 최소 40% 성장할 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 2022년 글로벌 HBM 시장점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를, 2위는 삼성전자(40%), 3위는 마이크론(10%)이 차지했고 올해는 SK하이닉스와 삼성전자 점유율이 47~49%로 엇비슷해지고 마이크론이 3~5%를 기록한다고 내다봤다.

2024.02.14 10:06이나리

김주선 SK하이닉스 사장 "AI 인프라로 첨단 메모리 'No.1' 공략"

"AI 중심의 시장 환경에서는 관성을 벗어난 혁신을 추구해야 한다. 앞으로 AI 인프라 조직이 SK하이닉스가 세계 1위 AI 메모리 공급사로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 할 수 있게 최선을 다하겠다." 7일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 'AI 인프라'를 담당하는 김주선 사장과의 인터뷰를 게재했다. 33년간의 현장 경험을 바탕으로 올해 사장으로 승진한 김주선 사장은 SK하이닉스의 신설 조직인 'AI 인프라'의 수장을 맡고 있다. AI 인프라 산하의 GSM(글로벌세일즈&마케팅) 담당도 겸하고 있다. AI 인프라는 AI 기반의 산업 및 서비스를 구축, 테스트, 학습, 배치하기 위해 필요한 하드웨어와 소프트웨어 전반 요소를 뜻한다. SK하이닉스는 AI 인프라 시장의 리더십을 확대하고자 올해 해당 조직을 구성했다. 산하로는 글로벌 사업을 담당하는 GSM, HBM(고대역폭메모리) 사업 중심의 HBM비즈니스, HBM 이후의 미래 제품·시장을 탐색하는 MSR(메모리시스템리서치) 조직이 있다. 이를 기반으로 AI 인프라는 고객별 요구에 맞춰 차별화한 스페셜티(Specialty) 제품을 적기에 공급하고, 거대언어모델(LLM)을 분석해 최적의 메모리를 개발하며, 커스텀 HBM의 콘셉트를 구체화해 차세대 메모리 솔루션을 제안하는 등의 업무를 추진한다. 김주선 사장은 "AI 중심으로 시장이 급격히 변하는 환경에서 기존처럼 일하면 아무것도 이룰 수 없다"며 "관성을 벗어난 혁신을 바탕으로 효율적으로 업무 구조를 재구성하고, 고객의 니즈와 페인 포인트(Pain Point)를 명확히 파악한다면 AI 시장을 우리에게 더 유리한 방향으로 끌고 갈 수 있다"고 밝혔다. 이와 관련해 김주선 사장은 지난 수 년간 GSM 조직을 이끌며 다양한 성과를 거뒀다. 시장 예측 툴 MMI(Memory Market Index)를 개발하고, HBM 수요에 기민하게 대응해 AI 메모리 시장에서 SK하이닉스의 입지를 확고하게 다진 점이 대표적인 사례로 꼽힌다. 김주선 사장은 "MMI 툴을 통해 6개월 이상 앞선 정보를 확보할 수 있었고, HBM 수요에도 적기에 대응할 수 있었다"며 "“AI 시장에서 영향력 있는 기업들과 우호적인 관계를 형성해 놓은 것도 HBM 시장 점유율 1위를 확보할 수 있었던 주요 원인"이라고 설명했다. SK하이닉스의 AI 리더십을 굳히기 위한 강한 의지도 드러냈다. 김주선 사장은 "앞으로도 'AI 메모리는 SK하이닉스'라는 명제에 누구도 의문을 품지 않도록 소통과 파트너십을 강화해 제품의 가치를 극대화하겠다"며 "아울러 SK하이닉스가 글로벌 No.1 AI 메모리 프로바이더로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 하는 조직을 만들겠다"고 강조했다.

2024.02.07 10:18장경윤

"올해 서버 내 D램 용량 17.3% 증가"…AI 덕분

AI 서버 업계의 활발한 투자가 고성능 메모리에 대한 수요를 촉진하고 있다. 올해 서버용 D램의 기기당 용량 증가율이 스마트폰, 노트북 등 타 IT 산업을 크게 앞설 것이라는 전망이 나왔다. 5일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 서버용 D램의 기기당 용량 증가율은 17.3%에 달할 것으로 예상된다. 현재 AI 서버 업계는 엔비디아·AMD 등 주요 팹리스의 최첨단 AI 가속기 확보에 열을 올리고 있다. 동시에 고용량·고효율 데이터 처리를 뒷받침해 줄 고성능 메모리에 대한 수요도 함께 증가하는 추세다. 이에 서버용 D램의 기기당 용량 증가율은 올해 17.3%를 기록할 전망이다. 전년 증가율(13.6%) 대비 3.7%p 상승한 수치로, 다른 IT 산업과 비교하면 가장 증가율이 높다. 스마트폰 및 노트북 분야의 올해 기기당 D램 용량 증가율은 각각 14.1%, 12.4%로 관측된다. 트렌드포스는 "지난해에 이어 올해에도 IT 산업이 AI에 초점을 맞추면서, 서버 부문 내 D램이 가장 큰 성장을 이룰 것"이라며 "아직 AI 기능 도입이 부족한 스마트폰과 PC의 경우 2025년부터 성장이 본격화될 것으로 보인다"고 설명했다. 낸드플래시 역시 AI 산업의 발달에 따라 고용량화를 지속하고 있다. 올해 기기당 SSD 용량 증가율은 서버가 13.2%로 가장 높으며, 스마트폰과 노트북은 각각 9.3%, 9.7% 수준일 것으로 예상된다.

2024.02.06 10:04장경윤

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