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SK하이닉스, TSMC 테크 행사서 'HBM·패키징 협력 관계' 강조

SK하이닉스는 24일(미국시간) 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열린 'TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄'에 참가했다고 25일 밝혔다. SK하이닉스는 이번 행사에서 AI 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 선도적인 경쟁력을 알리고, TSMC의 첨단 패키지 공정인 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 협업 현황 등을 공개했다. CoWoS는 칩들을 실리콘 기반의 인터포저 위에 올려 한꺼번에 패키징하는 기술이다. TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄은 TSMC가 매년 주요 파트너사들을 초청해 각 사의 신제품 및 신기술을 공유하는 자리다. SK하이닉스는 이 행사에서 'Memory, The Power of AI'라는 슬로건을 걸고 업계 최고 성능인 HBM3E를 선보여 많은 관심을 끌었다. 이 제품은 최근 AI 시스템에 탑재해 평가했을 때 I/O(입출력 통로)당 최대 10Gb/s(기가비트/초)의 데이터 전송 속도를 기록하는 등 업계 최고 수준을 보인 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 TSMC와 협력존을 열고 회사가 HBM 리더십을 확보하는 데 CoWoS 분야에서의 협력이 중요했다고 강조하며, 차세대 HBM 등 신기술을 개발하기 위해 양사가 더 긴밀하게 협업해 나갈 계획이라고 밝혔다. 이 밖에도 SK하이닉스는 AI 산업을 지원할 다양한 고성능 제품군을 선보였다. 인터페이스를 하나로 통합한 CXL 메모리, 서버용 메모리 모듈인 MCRDIMM 및 3DS RDIMM, 온디바이스 AI에 최적화된 LPCAMM2 및 LPDDR5T, 그리고 차세대 그래픽 D램인 GDDR7 등 다양한 라인업을 공개했다. 본 행사에 앞서 22일(미국시간) 진행된 워크숍에서는 권언오 SK하이닉스 부사장(HBM PI 담당), 이재식 부사장(PKG Engineering 담당)이 'HBM과 이종 집적 기술' 등에 관해 발표를 진행했다. SK하이닉스는 AI 메모리 선도 경쟁력을 강화하기 위해 기술, 비즈니스, 트렌드 등 다방면에서 파트너와의 협력 관계를 지속해 나간다는 계획이다.

2024.04.25 18:21장경윤

최태원 회장, 젠슨 황 엔비디아 CEO 만나 'AI 파트너십' 논의

최태원 SK그룹 회장이 미국 주요 팹리스 기업인 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)와 만남을 가졌다. 업계는 두 인사가 AI 반도체 분야에서의 협력 강화 방안을 논의했을 것으로 보고 있다. 최태원 회장은 25일 사회관계망서비스(SNS) 인스타그램에 젠슨 황 엔비디아 CEO와 함께 찍은 사진을 게재했다. 장소는 미국 산타클라라 엔비디아 본사로 추정된다. 사진에서 최 회장과 황 CEO는 함께 엔비디아의 브로슈어에 적힌 황 CEO의 자필 메시지를 보며 대화를 나누는 모습이 담겼다. 황 CEO는 최 회장의 영어 이름인 토니(Tony)를 지칭하며 "AI와 인류의 미래를 함께 만들어가는 파트너십을 위해!"라는 내용의 자필 편지를 전했다. 업계는 두 인사가 이번 만남으로 AI 산업에서의 협력 강화를 모색했을 것으로 관측하고 있다. 엔비디아는 미국 주요 팹리스 기업으로, AI 산업에 필수적으로 활용되고 있는 고성능 GPU(그래픽처리장치) 및 AI 가속기를 개발하고 있다. AI용 반도체 시장에서 엔비디아가 차지하는 점유율은 80% 이상으로 압도적이다. SK하이닉스는 지금까지 엔비디아의 AI반도체에 고대역포메모리(HBM)을 독점 공급하며 주도권을 쥐고 있다. 지난 3월에는 4세대 HBM 제품인 8단 HBM3E를 가장 먼저 공급하면서 양사는 공고한 협력 체계를 유지하고 있다. 한편, 업계에서는 최태원 회장이 HBM 경쟁사인 삼성전자와 마이크론을 의식하고 젠승 황 CEO를 만난 것이란 해석이 나온다. 지난해 SK하이닉스는 엔비디아에 HBM3을 독자 공급해 왔는데, 엔비디아가 HBM3E부터 공급망 다각화에 나서면서 경쟁이 심화되고 있기 때문이다. 앞서 젠승 황 CEO는 지난달 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에서 삼성전자 부스를 방문했으며, 전시된 삼성의 12단 HBM3E에 "젠슨 승인(JENSEN APPROVED)"이라고 사인하기도 했다. '승인'에 대한 구체적인 의미는 알려지지 않았지만, 업계에서는 삼성전자가 엔비디아에 HBM3E 공급한다는 기대감이 높아진 상태다.

2024.04.25 18:10장경윤

AI메모리 날개 단 SK하이닉스, 1Q 깜짝실적..."HBM 투자 늘린다"

SK하이닉스가 올해 1분기 실적에서 영업이익 2조8천860억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 1조8550억원)를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 수치다. 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 빠르게 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 수요 개선에 힘입어 2분기 및 하반기에도 실적 성장세를 이어나갈 전망이다. 아울러 빠르게 상승하는 HBM 수요에 대응하기 위해 연초 계획보다 올해 투자 규모를 늘리기로 결정했다. ■ SK하이닉스, 영업이익 2.8조원 '어닝 서프라이즈'...하반기도 상승세 SK하이닉스는 25일 실적발표를 통해 1분기 매출 12조4296억원으로 전년 동기 대비 144.3%가 증가하고, 전기 대비 9.9% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대다. 1분기 영업이익 2조8860억원(영업이익률 23%)으로 전년 동기(영업손실 3조4023억원) 대비 흑자전환했고, 전기 대비 734% 늘었다. 순이익은 1조9170억원(순이익률 15%)의 경영실적을 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속돼 온 다운턴에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "HBM 등 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량을 늘리는 한편, 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다"며 "낸드 역시 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하며 흑자 전환에 성공해 큰 의미를 두고 있다"고 강조했다. SK하이닉스에 따르면 1분기 D램 ASP는 전 분기 대비 20% 이상 상승했다. 낸드 ASP는 30% 이상 오르면서 흑자전환에 성공했다. SK하이닉스는 "D램은 2개 분기 연속 전 제품의 가격이 상승했다. 낸드는 엔터프라이즈 SSD 제품 위주로 판매를 확대하면서 전 분기 수준의 출하량을 유지했으며, ASP는 전 제품의 가격이 크게 올랐다. 특히 프리미엄 제품인 엔터프라이즈 SSD의 판매 비중 확대와 지난해 4분기부터 이어진 높은 ASP 상승률로 인해 흑자로 전환됐다"고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요가 지속적으로 늘어나고, 하반기부터는 일반 D램 수요도 회복돼 올해 메모리 시장은 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 또 일반 D램보다 큰 생산능력(Capacity, 이하 캐파)이 요구되는 HBM과 같은 프리미엄 제품 위주로 생산이 늘어나면서 범용 D램 공급은 상대적으로 축소돼, 공급사와 고객이 보유한 재고가 소진될 것으로 업계에서는 보고 있다. ■ 올해 HBM3E 8단 공급 본격화... 내년에 HBM3E 12단 공급 SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E 8단 공급을 늘리는 한편 고객층을 확대해나갈 계획이다. 아울러 HBM3E 12단 제품을 3분기에 개발 완료한 후 내년에 고객사에 공급할 예정이다. SK하이닉스는 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라며 "HBM3E12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰서 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 다음에 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급을 준비하고 있다"고 말했다. 이어 "HBM3E 가격은 상대적으로 높은 성능, 원가 상승분 등을 고려해서 기존 HBM3 대비에서는 가격 프리미엄이 반영돼 있다"라며 "우리는 업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 생산성, 1b나노 테크 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업도 순조롭게 진행하고 있다. 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진 중이다"고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. AI 반도체 시장 성장에 따라 올해 HBM 수요는 지난해 말 전망치 보다 더 늘어날 것으로 전망된다. 회사는 "최근 CSP(클라우드 서비스 제공) 업체들의 AI 서버 투자 확대, AI 서비스 품질 개선을 위한 추가 수요 등으로 HBM 수요가 더욱 큰 폭으로 증가하고 있다"라며 "이는 불과 반년 전에 대비해서 HBM 수요 가시성이 더욱 명확해지고 있는 모습이다"고 강조했다. 이어 "기존 고객 그리고 잠재 고객들과 함께 2025년 그리고 그 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다"며 "2025년 캐파 규모는 장비 리드타임 등을 고려해서 현재 고객들과 협의를 진행하고 있다"고 덧붙였다. HBM 패키징 기술과 관련해서는 16단 HBM4(6세대 HBM)까지 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 유지해 나간다는 계획을 밝혔다. 회사는 "차세대 HBM 패키징의 높이 기준이 완화되면 하이브리드 본딩 적용 시점이 다소 늦어질 것으로 예상된다"고 전했다. SK하이닉스는 이달초 협력사인 TSMC와 2026년 양산 예정인 HBM4를 공동 개발하기로 양해각서(MOU)를 체결하기도 했다. SK하이닉스는 HBM뿐 아니라 10나노 5세대(1b) 기반 32Gb DDR5 제품을 연내 출시해 회사가 강세를 이어온 고용량 서버 D램 시장 주도권도 강화한다는 계획도 밝혔다. 낸드의 경우 실적 개선 추세를 지속하기 위해 제품 최적화를 추진할 계획이라고 SK하이닉스는 밝혔다. 회사가 강한 경쟁력을 보유하고 있는 고성능 16채널 eSSD와 함께 자회사인 솔리다임의 QLC 기반 고용량 eSSD 판매를 적극적으로 늘리고, AI향 PC에 들어가는 PCIe 5세대 cSSD를 적기에 출시해 최적화된 제품 라인업으로 시장 수요에 대응하기로 했다. ■ 올해 투자 규모 늘린다...청주 M15X·용인 클러스터·美 인디애나 팹 투자 SK하이닉스는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 올해 전체 투자 규모를 연초 계획보다 늘리기로 결정했다. 회사는 "올해 투자 규모는 연초 계획보다는 증가할 것으로 생각한다"라며 "예상보다 급증하고 있는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 추가적인 클린룸 공간 확보 필요하다고 판단한다"고 언급했다. 올초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스의 올해 투자 규모는 12조원 이상이 예상된다. SK하이닉스는 어제(24일) 청주에 신규 팹 M15X을 건설한다고 발표했다. M15X 팹은 건설비 약 5조2천962억원을 포함해 총 20조원이 투입되며, 이달 말부터 건설에 나서 내년 11월에 양산을 시작할 예정이다. 또 이달 초에는 미국 인디에나에 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 2028년 차세대 HBM 등을 생산하는 후공정 팹을 건설한다고 밝혔다. 아울러 용인 클러스터 첫 팹은 2027년 오픈을 목표로 한다. 이를 통해 HBM뿐 아니라 일반 D램 공급도 시장 수요에 맞춰 적절히 늘려갈 계획이다. 이 과정에서 글로벌 메모리 시장이 안정적으로 커 나가게 하는 한편, 회사 차원에서는 투자효율성과 재무건전성을 확보할 수 있을 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "HBM을 중심으로 한 글로벌 1위 AI 메모리 기술력을 바탕으로 당사는 반등세를 본격화하게 됐다"며 "앞으로도 최고 성능 제품 적기 공급, 수익성 중심 경영 기조로 실적을 계속 개선하겠다"고 말했다.

2024.04.25 14:04이나리

SK하이닉스 "추가 클린룸 필요...올해 투자 규모, 연초 계획보다 증가"

SK하이닉스가 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 시설투자에 나선다. 이에 올해 전체 투자 규모는 연초 계획보다 증가할 계획이다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적 및 컨퍼런스콜에서 "급변하는 시장에 유연하게 대처를 할 수 있도록 메모리 시황에 대한 생산 투자 계획을 정기적으로 검토하고 있다"라며 "24년도의 투자 규모는 연초 계획보다는 증가할 것으로 생각한다"고 말했다. 이어 "연초 대비해서 개선된 HBM(고대역폭메모리) 수요를 반영해서 투자 규모를 계속해서 검토했고, 추가적인 팹에 대한 투자를 결정했다"며 "이는 수요에 대한 어떤 가시성이 뚜렷하고 수익성이 높은 제품의 생산 확대와 중기 인프라 확보를 위한 것"이라고 설명했다. 다만, 단기 범용 제품의 수급 영향은 상당히 제한적일 거으로 판단한다고 밝혔다. 올초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. SK하이닉스가 연초보다 더 많은 규모의 투자를 전망함에 따라 투자 규모는 12조원 보다 더 높을 것으로 예상된다. SK하이닉스는 어제(24일) 청주에 신규 팹 M15X을 건설한다고 발표했다. M15X 팹은 건설비 약 5조2962억원을 포함해 총 20조원이 투입되며, 이달 말부터 건설에 나서 내년 11월에 양산을 시작할 예정이다. 또 이달 초에는 미국 인디에나에 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 2028년 차세대 HBM 등을 생산하는 후공정 팹을 건설한다고 밝혔다. 아울러 용인 클러스터 첫 팹은 2027년 오픈을 목표로 한다. 이날 컨콜에서 회사는 "예상보다 급증하고 있는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 추가적인 클린룸 공간 확보 필요하다고 판단한다"며 "이에 따라 회사가 경쟁력 갖고 있는 AI 향 메모리 시장에서 위상을 지키고 선제적으로 대응하기 위해 M15X 투자를 결정했다"고 말했다. 이어서 "M15X는 청주 공장의 인프라를 그대로 활용할 수 있고 상대적으로 빠른 일정으로 클린룸을 확보할 수 있을 것으로 본다"며 "지금부터 공사를 시작하면 2025년 말에는 팹을 오픈할 수 있다. 또 M15X는 TSV 캐파를 확장 중인 M15와 인접해있어서 HBM 생산을 최적화할 수 있을 것"이라고 덧붙였다. 또한 "용인은 부지조성 작업이 진행으로 2027년 첫 팹이 오픈을 목표로 차질 없이 진행되고 있다"고 말했다. 또 "미국은 AI 분야 주요 고객들이 집중되어 있고, 첨단 후공정 분야 기술연구도 활발히 진행되고 있어서 미국 본토에 팹을 짓기로 결정했다. 미국 인디애나 어드밴스 패키징 시설은 2028년 하반기를 생산 가동 목표로 하고 있다"고 밝혔다.

2024.04.25 11:28이나리

세미파이브, 메티스엑스와 'CXL 기반 메모리 가속기' 개발 협력

반도체 설계 솔루션 회사 세미파이브는 메티스엑스(MetisX)와 협력해 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 기반 메모리 가속기 칩을 개발한다고 25일 밝혔다. 해당 칩은 고성능 컴퓨팅(HPC)에 최적화된 삼성 파운드리의 4나노 공정 기술을 적용해 시제품을 설계하고 양산할 계획이다. 메티스엑스는 2022년 1월에 설립된 국내 팹리스 스타트업이다. 대용량 데이터와 인공지능(AI) 모델 크기 증가로 인해 데이터 센터에 발생하는 메모리 문제를 해결하기 위해 설계된 CXL 기반 컴퓨테이셔널 메모리를 개발한다. 메티스엑스의 메모리 솔루션 기술은 CXL 표준을 기반으로 메모리 용량을 확장하고 인텔리전스를 통합해 효율성을 높일 뿐만 아니라 비용 절감 효과까지 볼 수 있다. 데이터 센터의 총 소유비용(TCO)을 크게 낮추는 동시에 벡터 데이터베이스(DB), 스케일아웃 DB, 그래프 DB, DNA 분석과 같은 애플리케이션을 가속화하는 것이 목표다. 세미파이브는 시스템온칩(SoC) 플랫폼 및 ASIC 설계 솔루션 전문 회사로, AI 반도체에 특화된 SoC 설계 플랫폼을 개발한다. 현재까지 3개의 SoC 설계 플랫폼을 개발했으며, 이를 활용한 3개의 제품이 양산에 돌입했다. 세미파이브는 기존 디자인 하우스 역할에서 탈피해 디자인 플랫폼을 표방하고 있다. AI 커스텀 반도체에 특화된 자체 SoC 플랫폼을 개발 및 제공함으로써 고객은 SoC 개발에 드는 비용과 시간을 크게 절감할 수 있다. 김진영 메티스엑스 대표는 "SoC 플랫폼과 포괄적인 ASIC 설계 솔루션을 제공하는 세미파이브와 생산을 위한 첨단 공정 기술을 제공하는 삼성 파운드리와 협력하게 돼 기쁘다"라며 "이번 파트너십을 통해 개발하는 솔루션은 데이터센터 운영 비용과 시간을 획기적으로 절감해 AI 시대에 데이터 폭증으로 인해 발생하는 문제를 효과적으로 해결할 수 있을 것"이라고 말했다. 조명현 세미파이브 대표는 "메티스엑스는 CXL 기술을 활용해 AI 시대의 산업과 문화 전반에 필수적인 대용량 데이터를 관리하는 데 있어서 중추적인 발전을 이뤄왔다"며 "세미파이브의 SoC 플랫폼을 통해 고객의 혁신적인 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 아이디어를 경쟁력 있는 SoC 제품으로 신속하게 실현할 수 있게 돼 기쁘다. 이번 협력을 통해 신속한 개발에 대한 새로운 기준을 제시할 수 있을 것"이라고 자신감을 내비쳤다.

2024.04.25 08:45이나리

엘비세미콘, '메모리' 패키징 수주 추진…사업 다각화 노린다

국내 반도체 후공정(OSAT) 기업 엘비세미콘이 사업 영역을 기존 시스템반도체에서 메모리로 확장하기 위한 움직임에 나섰다. 국내 메모리 업체가 HBM(고대역폭메모리) 투자에 집중하면서, 생산능력이 부족해지는 일반 D램의 패키징을 대신 수행하겠다는 전략으로 풀이된다. 김남석 엘비세미콘 대표는 최근 경기 평택 소재의 본사에서 기자들과 만나 올해 회사의 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 엘비세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 고객사로부터 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등을 수주해 패키징 및 테스트를 진행한다. 특히 엘비세미콘의 전체 매출에서 DDI가 차지하는 비중은 지난해 기준 60%에 달한다. DDI는 디지털 신호를 빛 에너지로 변환해 디스플레이 패널이 특정 화면을 출력하도록 만드는 칩으로, 스마트폰·TV 등 IT 시장 수요에 크게 영향을 받는다. 이에 엘비세미콘은 첨단 패키징 기술 개발과 더불어 올해 레거시 메모리 분야로의 진출을 꾀하고 있다. 배경은 국내 메모리 시장의 급격한 변화에 있다. 현재 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들은 AI(인공지능) 산업에 대응하기 위한 HBM 생산능력 확보에 주력하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리로, 첨단 패키징 기술이 필수적으로 요구된다. 때문에 삼성전자는 천안에, SK하이닉스는 청주를 중심으로 첨단 패키징 설비를 도입해 왔다. 김 대표는 "현재와 같이 제품 생산 및 설비투자가 HBM 분야로 집중되면, 일반 D램에 할당되는 생산능력은 줄어들 수 밖에 없다"며 "때문에 기업이 소화하지 못하는 물량이 OSAT 쪽으로 이관될 가능성이 높다"고 설명했다. 김 대표는 이어 "엘비세미콘이 보유한 범핑, EDS, 패키징 테스트 기술력을 적용하면 사업 규모가 적지 않을 것"이라며 "HBM이 향후 얼마나 빠르게 성장하느냐가 관건"이라고 덧붙였다.

2024.04.24 14:55장경윤

삼성전자, 업계 최초 290단 '9세대 V낸드' 양산…속도 33%↑

삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 23일 밝혔다. 삼성전자는 ▲업계 최소 크기 셀(Cell) ▲최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 뜻한다. 9세대 V낸드는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 290단 수준인 것으로 알려진다. 또한 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다. 삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다. 채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 동시에 요구된다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. Toggle DDR은 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 5.1은 3.2Gbps의 입출력 속도를 지원한다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다. 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력도 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정이다. 이를 통해 AI시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.

2024.04.23 13:14장경윤

이재연 SK하이닉스 부사장 "이머징 메모리, AI 시대 이끌 패러다임 제시"

SK하이닉스가 AI 시대를 이끌어 갈 차세대 메모리의 선제적 개발 및 폭넓은 협력 관계 구축의 중요성을 강조했다. 22일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이재연 글로벌 RTC 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. SK하이닉스는 지난 연말 있었던 2024년 임원 인사에서 차세대 반도체를 연구·개발하는 조직인 '글로벌 RTC(Revolutionary Technology Center)'의 신임임원으로 이재연 부사장을 선임했다. 이 부사장은 DRAM 선행 프로젝트 연구를 시작으로 ReRAM, MRAM, PCM, ACiM을 비롯한 '이머징 메모리(Emerging Memory)' 개발을 이끌어온 반도체 소자 전문가다. 특히 이 부사장은 국내외 반도체 기업, 대학, 연구기관과의 풍부한 협업 경험을 토대로 ORP(Open Research Platform)를 구축하는 등 회사의 글로벌 경쟁력 향상을 위한 주춧돌을 마련하는 데 크게 기여했다는 평가를 받고 있다. ORP는 기술 혁신 파트너십 강화를 통해 선제적 연구·개발 생태계를 구축하기 위한 플랫폼이다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 미래 반도체 산업이 진화해 나갈 패러다임을 제시하고자 한다"며 "구체적으로 보면, 다음 세대 기술의 가치를 창출할 수 있는 이머징 메모리를 개발하고, 기존 반도체 기술의 한계를 극복할 차세대 컴퓨팅에 대한 기반 연구를 이어가고 있다"고 밝혔다. 또한 이 부사장은 이머징 메모리가 AI 시대를 이끌 새로운 패러다임을 제시할 것이라는 기대감을 내비쳤다. 이머징 메모리는 기존 메모리의 한계를 돌파할 새로운 솔루션으로 주목받고 있다. SK하이닉스는 현재 SOM, Spin, 시냅틱(Synaptic) 메모리, ACiM 등을 통해 이머징 메모리 솔루션을 구현하고 있다. SOM은 데이터를 빠르게 처리하는 D램과 데이터를 저장하고 삭제할 수 있는 낸드플래시의 특성을 모두 보유하고 있어, 향후 메모리 반도체 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 기대된다. 이와 함께 글로벌 RTC 조직은 자성(磁性)의 특성을 이용해 이머징 메모리 중 가장 빠른 Spin 소자의 동작을 구현하는 등 미래를 위한 다양한 기술을 개발하고 있다. 이 부사장은 "사람의 뇌를 모방한 AI 반도체인 시냅틱 메모리 분야의 연구 역시 발 빠르게 진행 중"이라며 "AI 연산 시 메모리와 프로세서 사이의 데이터 이동을 줄이고 에너지 사용을 절감할 수 있는 ACiM 역시 우리의 연구 분야이며, 이 기술은 최근 학계와 산업계에 큰 관심을 받고 있다"고 말했다. 급변하는 글로벌 시장에서 SK하이닉스가 경쟁력을 높일 수 있는 방안으로는 세계 각계각층과 협업 체계 강화를 꼽았다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 개방형 협력 연구 플랫폼인 ORP를 구축하고 있다. 이는 다양한 미래 기술 수요에 대응하기 위한 협력의 장(場)으로, 우리는 현재 외부 업체, 연구 기관과 협업을 논의하고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "미래 반도체 시장에서는 단일 회사만의 노력으로는 성공할 수 없을 것"이라며 "산·학·연 등 다양한 기관과의 협업이 필수적이고, 환경 변화에 맞춰 유연한 논의가 가능한 새로운 체계가 중요하다"고 강조했다.

2024.04.22 11:00장경윤

SK하이닉스, TSMC와 6세대 HBM 개발...내후년 양산

SK하이닉스가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 파운드리 업체 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 19일 밝혔다. 양사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다 이를 통해 SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다는 계획이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한 번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 계획이다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다. CoWoS는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로, 인터포저(Interposer)라는 특수 기판 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식이다. 수평(2D) 기판 위에서 로직 칩과 수직 적층(3D)된 HBM이 하나로 결합하는 형태라 2.5D 패키징으로도 불린다. 김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객 맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했다. 케빈 장 TSMC 수석부사장담당, 공동 부최고운영책임자(Deputy Co-COO)은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년간 견고한 파트너십을 유지하며 최선단 로직 칩과 HBM을 결합한 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했다.

2024.04.19 10:25이나리

임원 주 6일 근무가 삼성의 위기 타개책인가?

삼성전자가 지난 10여 년 동안 가장 많이 썼던 표현은 아마도 '초격차(超隔差)'일 것이다. 메모리 반도체 분야에서 타의 추종을 불허하는 부동의 1위를 오랫동안 지켜온 자신감이 반영된 구호이자 경영 전략이다. 권오현 전 회장은 지난 2018년 같은 제목의 책을 내기도 했다. 책의 부제는 '넘볼 수 없는 차이를 만드는 격(格)'이었다. 그런데 최근 이 격(格)의 위상이 자못 위태로운 상황으로 보인다. 위기의 진원지는 단연 반도체다. 반도체는 경기 사이클에 민감한 품목이다. 경기가 좋을 때는 한 해 수십조 원의 영업이익을 내기도 하지만 경기가 나쁠 때에는 수조원의 적자를 기록하기도 한다. 지난 1~2년간 삼성전자의 영업이익이 급감한 것은 이 탓이 크다. 그러나 단지 그것 때문만은 아니라는 데 문제가 있다. 경기의 영향일 뿐이라면 그것을 위기라고 진단하기에는 무리가 따르기 때문이다. 삼성 반도체의 진짜 위기는 '격(格)의 훼손'이다. 삼성 반도체의 숙원은 메모리의 초격차를 기반으로 이보다 시장이 훨씬 큰 비메모리 분야에서 지배력을 확대하는 것이었다. 그중에서도 다른 회사의 비메모리 칩을 제조해주는 파운드리 사업을 강화하는 게 핵심이었다. 하지만 이 전략이 뜻대로 되지 않고 있는 듯하다. 그 와중에 메모리 분야에서도 '초격차'라는 말이 이제는 무색한 것처럼 보인다. 메모리 분야에서 급격한 추격을 허용한 것이 특히 뼈아프다. SK하이닉스와의 시장 점유율 격차가 5% 미만으로 좁혀졌다고 한다. 이는 최근 10년 사이 가장 낮은 수준이다. 그 격차가 더 좁혀질 가능성도 배제할 수 없다. 챗GPT 영향으로 인공지능(AI) 반도체에 대한 수요가 폭발하고 여기에 필요한 고대역 메모리 반도체(HBM) 수요도 큰 폭으로 늘었지만 이 흐름에서 선도적 지위를 빼앗긴 탓이다. 챗GPT의 출현은 그야말로 돌풍이었다. 느닷없이 나타나 시장을 휘젓고 있다. 하지만 그것을 돌풍이라고 느낀다면 그 사람을 산업전문가라고 말해서는 안 될 것이다. AI는 알파고가 이세돌을 꺾을 때부터 이미 가파른 성장세를 예고했다고 봐야 할 것이다. 오픈AI의 챗GPT는 그 와중에 비등점을 만든 것이고 이후 시장은 폭발했다. 반도체 기업이라면 먼저 이 시장을 견인하려 했어야만 한 것이다. 이 시장을 견인한 반도체 업계의 주인공은 삼성이 아니라 엔비디아와 SK하이닉스였다. 이 결과를 운(運)이라고 말할 수는 없다. 예고된 미래였던 인공지능 시대에 최적의 반도체를 누가 제공할 것인지 수년전부터 물밑 기술전쟁이 있었을 것이고 그 싸움에서 삼성이 주도권을 쥐지 못했다고 보는 게 옳은 판단일 테다. 삼성전자 경영진의 통찰력과 실행력에 의문을 가져야 할 수도 있는 상황인 것이다. 삼성의 비금융 계열사 임원들이 위기 타개책으로 주 6일 근무를 하기로 했다는 소식을 접하고 고개가 갸웃해진 것도 이 때문이다. 세계 경제의 불확실성이 걷히지 않고 있는 것은 사실이고 기업의 임원들이 이에 대해 경각심을 갖는 게 나쁠 리는 없다. 삼성전자의 경우 개발·지원 등 일부 부서 임원들이 이미 주 6일 근무를 해왔다고 한다. 그런데 이걸 위기 타개책이라고 하기에는 너무 맥없어 보인다. 삼성의 위기는 난공불락의 메모리 반도체 1위라는 격(格)의 훼손이고, 그 원인은 미래를 보는 통찰력과 이를 전개시켜나가는 실행력의 약화라고 봐야 한다. 권오현 전 회장은 그의 책에서 리더, 조직, 전략, 인재 등 4개 챕터로 초격차를 위한 경영 전략을 설명하였다. 리더를 맨 앞에 둔 게 눈에 띄었다. 또 좋은 리더가 되기 위해 통찰력과 결단력 그리고 실행력과 지속력 등 4가지를 특히 강조했다. 삼성전자가 지금 해야 할 일 가운데 가장 중요한 것 중 하나는 리더의 통찰력과 결단력 그리고 실행력이 제대로 작동되고 있는 지 살펴보는 것일 수 있다. 하지만 삼성 위기론이 퍼지는 상황에서도 그에 관한 조치를 취했다는 이야기는 들어본 적이 없다. 지금의 위기를 '격(格)의 훼손'이 아니라 경기 탓으로만 여기기 때문일지도 모른다. 위기의 원인을 제대로 찾지 않으면 처방도 제대로 될 리 없다.

2024.04.18 13:15이균성

SK하이닉스, TSMC 美 행사 참가...'HBM 협력' 과시

SK하이닉스가 대만 TSMC와 고대역폭메모리(HBM) 패키징 협력의 시너지를 알린다. SK하이닉스는 오는 24일 TSMC가 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 개최하는 '테크놀로지 심포지엄'에 참가해 메모리 업체 중 유일하게 부스를 마련하고 가장 최신 제품인 HBM3E를 소개한다. 회사 측은 "고성능컴퓨팅(HPC), 차세대 AI 메모리 기술을 TSMC와 긴밀한 협력을 통해 선보일 계획"이라고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 연례 행사인 TSMC 테크놀로지 심포지엄은 TSMC의 최신 파운드리 기술과 공정 로드맵을 소개하는 자리다. TSMC는 미국을 시작으로 유럽, 대만, 중국, 이스라엘, 일본에서 워크샵 또는 심포지엄을 순차적으로 개최할 예정이다. TSMC는 올해 행사 주제를 '실리콘 리더십과 함께하는 고성능 AI(Powering AI with Silicon Leadership)'로 정하고 AI 반도체 생산 기술을 주력으로 소개한다. 파운드리 시장에서 60% 점유율을 차지하는 TSMC는 엔비디아, 애플, AMD, 퀄컴, 구글, 메타 등을 고객사로 두고 있다. SK하이닉스가 TSMC 자체 행사에 부스를 마련하는 것은 양사의 협력을 알리기 위한 것으로 해석된다. SK하이닉스는 HBM 개발 초창기부터 TSMC와 패키징 기술 협력을 지속해왔다. AI 반도체는 완제품이 생산되면 HBM과 결합하는 패키징 단계가 추가로 요구된다. 일례로 엔비디아가 TSMC에 AI반도체 GPU 생산을 맡기면, TSMC는 GPU를 만든 다음 보드에 메모리 업체로부터 받은 HBM과 GPU를 붙여 패키징을 한다. 즉, GPU 코어와 HBM의 연결 최적화가 필요하기에 양사의 패키징 협력이 반드시 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아가 지난해 출시한 GPU H100에 HBM3을 독점 공급한데 이어, 올해 2분기 출시하는 H200에도 HBM3E을 공급하면서 TSMC와 협력을 이어가고 있다. 아울러 양사는 향후 미국에서 현지 고객사를 대상으로 AI 반도체 생산 및 HBM 패키징 협력을 강화할 것으로 보인다. SK하이닉스는 지난 3일 38억7000만달러(약 5조2000억원)을 투자해 미국 인디애나주에 HBM, AI 메모리용 첨단 패키징 공장을 건설해 2028년 하반기부터 생산한다고 발표한 바 있다. TSMC 또한 현재 미국 애리조나 피닉스에 2개의 파운드리 공장을 건설 중이며, 추가로 3공장 건설도 확정했다. 1공장은 4나노 공정으로 내년 상반기에, 2공장은 2028년 2나노, 3나노 공정으로 반도체를 생산할 예정이다.

2024.04.12 15:33이나리

SK하이닉스 "美 인디애나팹, AI 메모리 리더십 강화하는데 기여"

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 건설 예정인 반도체 패키징 팹(공장)이 글로벌 HBM 시장 경쟁력을 높이고 어드밴스드 패키징 분야 R&D 역량을 강화할 것이라고 밝혔다. 최우진 SK하이닉스 패키징·테스트(P&T) 담당 부사장은 11일 뉴스룸을 통해 "앞으로 미국 패키징 공장은 본사에서 전공정을 마친 HBM 웨이퍼를 가져와 완제품을 생산하고, 글로벌 기업과 활발한 개발 협력을 이어가는 공간으로 구축될 예정이다"고 말했다. 이어서 최 부사장은 "현재 팹 설계와 양산 시스템을 구체화하고, 글로벌 기업과의 R&D 협력 생태계를 구축하기 위한 준비를 진행 중"이라며 "공장 가동이 본격화되면 회사의 AI 메모리 기술 및 비즈니스 리더십을 강화하는 데 크게 기여할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 최우진 부사장은 지난 30년간 메모리 반도체 패키징 연구 개발에 매진하며, 최근 HBM으로 대표되는 AI 메모리의 핵심 기술로 부상한 이 분야를 이끌어 가는 총괄자다. P&T는 반도체 후공정을 맡은 조직으로, 팹(Fab)에서 전공정을 마친 웨이퍼를 가져와 제품 형태로 패키징(Packaging)하고, 고객 요구에 맞게 동작하는지 테스트(Test)하는 역할을 한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 4일 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 미국 인디애나주웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 공장을 건설한다고 발표했다. 인디애나 팹은 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다. 또 SK하이닉스는 인디애나주에 위치한 퍼듀대학과 반도체 기술 개발도 협력하기로 했다. 최 부사장이 언급한 '글로벌 기업과 R&D 협력'은 파운드리 업체 TSMC와 고객사인 엔비디아로 풀이된다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 TSMC 팹으로 보내지고, TSMC는 생산한 엔비디아 GPU에 HBM을 붙이는 방식으로 진행되기 때문이다. 최 부사장은 "P&T 기술 혁신은 반도체 패권 경쟁을 가르는 핵심 요소로 부상하고 있다"라며 "고성능 칩 수요가 폭증하는 AI 시대에 우리는 첨단 패키징 기술로 최고 성능의 메모리를 개발하는 데 기여할 것"이라고 전했다. AI 시대에 발맞춰 SK하이닉스는 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 '시그니처 메모리'에 집중하고 있다. 이를 구현하기 위해 HBM 성능의 키 역할을 하는 TSV, MR-MUF 등 기술을 고도화하면서, 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의 반도체 개발에 기여하게 될 칩렛, 하이브리드 본딩 등 다양한 어드밴스드 패키징 기술을 개발하는 데 주력하고 있다. 최 부사장은 P&T의 주요 임무로 수익성 극대화, 그리고 'Beyond HBM'을 언급했다. 그는 "단기적으로는 국내 생산 역량을 강화해 HBM 수요에 대응하고, 글로벌 기지를 잘 활용해 수익성을 극대화하겠다"며, "장기적으로는 지금 HBM의 핵심인 MR-MUF처럼 혁신적인 패키징 기술을 확보하는 것이 목표"라고 강조했다. 이어서 그는 "우리 회사는 국내외 대학 및 연구소와 활발하게 교류하고 있다"라며 "이를 적극 활용해 P&T 구성원들이 다양한 글로벌 경험을 쌓고 R&D 역량을 더 키울 수 있도록 지원할 계획이다"고 덧붙였다.

2024.04.11 10:00이나리

尹 대통령 "622조 반도체 메가 클러스터 신속 조성...AI 집중 투자"

정부가 반도체 메가 클러스터를 신속 조성에 나서고 AI G3로 도약하기 위해 'AI-반도체 이니셔티브'를 추진한다. 윤석열 대통령은 9일 오전 10시 용산 대통령실(자유홀)에서 '반도체 현안 점검회의'를 주재했다. 오늘 회의는 대만 지진 등에 따른 글로벌 반도체 공급망 리스크를 확인하고, 지난 3차 민생토론회에서 발표한 반도체 메가 클러스터 추진 현황과 신속 구축, AI 반도체 이니셔티브 방향에 대해 논의하기 위해 마련됐다. 회의에는 이정배 삼성전자 사장, 곽노정 SK하이닉스 대표, 최수연 네이버 대표, 류수정 사피온코리아 대표 등이 참석했으며, 정부에서는 최상목 부총리 겸 기획재정부 장관, 안덕근 산업통상자원부 장관, 이종호 과학기술정보통신부 장관, 한화진 환경부 장관, 박상우 국토교통부 장관 등이 참석한 가운데 논의가 이뤄졌다. 윤석열 대통령은 "TSMC 반도체 일부 라인 가동 중지의 영향이 아직까지 크지 않지만, 불확실성이 큰 만큼 관계부처는 상황을 예의주시하면서 우리 반도체 공급망에 취약 요소는 없는지 다시 한번 살피고 정부의 조치가 필요하면 지체 없이 즉각 대응할 것"을 주문했다. 이어서 윤 대통령은 "반도체 경쟁이 '산업전쟁'이자 '국가 총력전'이라고 강조하면서 전시 상황에 맞먹는 수준의 총력 대응 체계를 갖추기 위해 정부는 반도체 산업 유치를 위한 투자 인센티브부터 전면 재점검하겠다"라며 "특히, 주요국의 투자 환경과 지원제도를 종합적으로 비교, 분석해 우리나라 실정에 맞는 과감한 지원책을 마련하겠다"고 약속했다. 반도체 메가 클러스터 신속 추진...예산 지원 확대 정부는 지난 1월 민생토론회에서 622조원 투자, 16기 신규 팹 건설을 위한 '반도체 메가 클러스터 조성계획'을 확정한 바 있다. 이를 통해 정부는 반도체 메가 클러스터가 본격 가동되기 시작하는 2030년 세계 시스템반도체 시장 점유율을 10% 이상 달성하겠다는 목표를 세웠다. 정부는 용인 국가산단을 2026년까지 착공하고 반도체 메가 클러스터에 필수적인 전기와 공업용수를 책임지고 공급하겠다고 약속했다. 또 10GW 이상의 전력수요에 대응해 작년 12월에 전력공급계획을 확정했다. 아울러 팔당댐에서 용인까지 48km에 이르는 관로는 지난 2월 예비타당성조사를 면제해 곧 설치 작업에 착수할 예정이다. 메가 클러스터 내 전력ㆍ용수 등 기반시설은 작년 10월 10조원 이상 규모의 공공기관 예비타당성 조사가 면제됐다. 이에 공공기관이 최대한 구축하고, 기업 부담 부분에 대해서는 그간 적용됐던 재정 지원 건수 제한(2건)을 폐지한다. 또 특화단지별 지원 비율을 기존 5~30%에서 15~30%로 상향하는 등 예산 지원을 확대할 예정이다. 삼성전자가 2047년까지 360조원을 투자할 용인 시스템반도체 클러스터는 환경영향평가 사전컨설팅 제도 활용, 신속한 토지보상 등을 통해 당초 계획보다 조성 기간을 대폭 단축할 계획이다. SK하이닉스가 2045년까지 122조원을 투자할 용인 반도체 클러스터는 기존에 확보한 용수 27만톤에 더해 유사한 수준의 추가 용수가 필요한 상황이다. 따라서 기업ㆍ지자체의 용수 공급시설 설치계획이 수립되는 대로 최대한 신속하게 용수 공급방안을 확정할 계획이다. 또한 전력ㆍ용수 등 기반시설 설치시 인근 지자체의 반대로 건설이 지연되는 것을 방지하기 위해 '첨단산업법'을 개정한다. 기반시설 설치로 혜택을 보는 지자체가 기반시설 설치에 협조하는 지자체에 재정적 지원을 추진할 수 있는 법적 근거를 마련하기로 했다. 경쟁국 반도체 보조금 전쟁에 대응해 국내 투자를 진행하는 첨단기업들의 투자를 지원하기 위한 국내 투자 인센티브를 조속히 강구한다. 이에 더해 현재 최대 25%의 공제율이 적용되고 있지만 올해 말 일몰되는 국가전략기술 투자세액공제의 적용기한 연장도 추진한다. 반도체 소부장 기업과 칩 제조 기업간 협력을 지원하는 '양산 연계형 실증 테스트베드(용인 반도체 클러스터 미니팹)' 조기 구축을 지원한다. 팹리스 기업이 필요로 하는 초미세공정 시제품 제작을 지원하고, 검증지원센터 구축을 통한 칩 성능 시험ㆍ검증 서비스도 올해부터 실시한다. 반도체 산업을 지원하는 정책자금(3년간 약 24조원 규모)과 반도체 생태계 펀드(3천억원 규모)를 활용해 소부장ㆍ팹리스의 스케일업도 지원한다. 'AI-반도체 이니셔티브' 추진...'국가AI위원회' 신설 계획 윤 대통령은 "최근 반도체 시장은 'AI 반도체'로 무게 중심이 급속히 옮겨가고 있고, 반도체 산업의 미래가 AI에 달려있다고 해도 과언이 아니다"라며 "우리가 지난 30년 간 메모리 반도체로 세계를 제패했듯이 앞으로 30년은 AI 반도체로 새로운 반도체 신화를 써 나갈 것"이라고 전했다. 정부는 AI 기술에서 G3로 도약하기 위해 9대 혁신 기술을 바탕으로 'AI-반도체 이니셔티브'를 추진할 계획이다. 이를 위해 AI와 AI 반도체 분야에 R&D 투자를 대폭 확대하고, AI 반도체 혁신기업들의 성장을 돕는 대규모 펀드도 조성할 것을 밝혔다. AI 9대 혁신 기술에는 ▲차세대 범용 AI(AGI) 기술 ▲경량ㆍ저전력 AI인 소형거대언어모델(sLLM) 원천기술▲AI 안전 기술▲서버용 고대역폭메모리(HBM)와 온디바이스AI용 저전력 메모리(LPDDR) 등에 AI연산 기능을 적용하는 PIM(Processing in Memory)▲한국형 NPU와 뉴로모픽 AI반도체 등 저전력 K-AP ▲신소자&첨단 패키징▲AI슈퍼컴퓨팅을 지향하는 K-클라우드2.0▲온디바이스 AI ▲차세대 개방형 AI아키텍처‧SW 기술 등이 포함된다. 앞서 정부는 AI-반도체 이니셔티브 실현을 위해 가장 중요한 민관의 유기적이고 긴밀한 협력을 위해 'AI전략최고위협의회'를 지난 4월 4일 출범한 바 있다. 대통령은 올해 5월 AI 안전‧혁신‧포용을 논의하는 'AI 서울 정상회의'의 성공적 개최를 통해 AI 윤리 규범에서 대한민국의 글로벌 리더십을 공고히 해나갈 계획이다. 아울러 향후 '국가AI위원회'를 신설해 AI 국가전략을 직접 챙기겠다는 의지를 표명했다. 이어진 토론에서 반도체 분야 주요 기업, 관계부처 장관 등 참석자들은 글로벌 반도체 공급망, 반도체 클러스터, AI 반도체 등을 주제로 심도 있는 논의를 진행했다. 산업부와 과기정통부는 "앞으로도 반도체 분야 주요 후속조치에 대한 주기별 점검을 통해 지연을 최소화하고, 주요 성과와 협업 사례 등은 관계기관과 공유해 나갈 계획이다"고 전했다.

2024.04.09 12:21이나리

ISC, 인터페이스 보드 사업부 매각…"선택과 집중 전략"

아이에스시(ISC)는 반도체디스플레이 검사 부품·장비 제조기업 루켄테크놀러지스에 인터페이스 보드 및 커넥터 사업부를 약 27억원에 매각하는 계약을 체결했다고 9일 밝혔다. 인터페이스 보드는 메모리반도체 테스트 장비에 들어가는 부품으로, ISC는 지난 2019년 매출 다각화를 위해 관련 사업부를 신설하고 사업을 영위해 왔다. 그러나 전체 매출 비중이 2% 내외로 주력 사업인 소켓과 시너지 효과가 높지 않다고 평가해 이번 매각을 결정했다. 이번 매각은 지난 2월 ISC가 국내 주요 애널리스트 대상으로 공개한 'ISC 2.0 전략'의 일환인 '선택과 집중'을 위한 행보다, 업계에서는 ISC가 매각을 통해 테스트 소켓에 더욱 집중할 것으로 예상하고 있다. ISC 2.0 전략은 주력 사업의 글로벌 초 격차 달성을 위해 과감한 포트폴리오 재편을 진행하는 데 의의가 있다. ISC는 "비주력 사업 매각 및 최적화 작업을 통해 주력 사업에 집중할 기반을 만드는 것을 '선택'으로, 글로벌 고객사가 자리한 북미 현지의 반도체 패키징 및 테스트 학술대회에서 차세대 먹거리인 AI 반도체 테스트 솔루션을 잇달아 발표하고 양산 대응하는 것을 '집중'이라고 볼 수 있다"고 밝혔다.

2024.04.09 09:21장경윤

삼성전자, 1분기 '어닝 서프라이즈'…반도체 兆단위 흑자 전환

삼성전자가 올 1분기 수익성 부문에서 업계 예상을 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리 시장이 회복세에 접어들면서 D램과 낸드 가격이 모두 크게 상승한 것이 실적 개선의 주된 영향으로 풀이된다. 삼성전자는 올해 1분기 연결 기준 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원의 잠정 실적을 기록했다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했고, 전년 동기 대비 매출은 11.37%, 영업이익은 931.25% 증가했다. 업계에서는 삼성전자가 올 1분기 당초 예상을 뛰어넘는 호실적을 기록할 것이라는 관측을 제기해 왔다. 최근 증권가 평균 전망치는 매출 71조8천억원, 영업이익 5조4천억 원 수준이었다. 삼성전자는 수익성 부분에서 예상치를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리반도체 시장이 지난해 말부터 급격한 회복세에 접어들었고, 스마트폰 판매량이 견조한 흐름을 보인 데 따른 효과로 풀이된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 D램의 평균고정거래가격은 지난해 4분기와 올 1분기에 각각 13~18%가량 상승했다. 낸드 가격 역시 지난해 4분기 13~18%, 올 1분기 15~20% 수준의 상승세를 이뤄낸 것으로 알려졌다. 김선우 메리츠증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "HBM(고대역폭메모리) 등에서는 여전히 의미 있는 결과가 도출되지 않고 있으나, 레거시 메모리 판가 상승이 실적 개선 및 재고평가손실 충당금 환입까지 발생시켰다"며 "스마트폰·갤럭시S24 출하량도 기존 5천700만·1천320만 대에서 6천만·1천350만 대로 상향 조정한다"고 설명했다. 이승우 유진투자증권 연구원도 "D램과 낸드의 평균거래가격이 각각 10%대 후반, 20%대 후반 상승했을 것으로 보인다"며 "메모리 손익은 4개 분기 연속 적자에서 벗어나 조 단위의 흑자를 기록할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 1분기 이후에도 삼성전자가 호실적을 지속할 것이라는 전망이 나온다. HBM3E(5세대 HBM)의 본격적인 양산, 파운드리 사업의 흑자 전환 등이 실적을 가를 핵심 요소로 떠오른다. 신석환, 박강호 대신증권 연구원은 "12단 HBM3E는 퀄 테스트가 진행되고 있어 올 하반기 본격 양산에 돌입할 것으로 예상된다"며 "파운드리 사업은 지난해 대규모 적자를 기록했으나 올해 최대 수주 달성 및 하반기 흑자 전환이 예상된다"고 밝혔다.

2024.04.05 09:12장경윤

KAIST "뉴로모픽 AI용 반도체 소자 개발, 네이처 게재"

KAIST 연구진이 기존 낸드 메모리를 대체할 뉴로모픽 AI용 반도체 메모리 소자를 개발했다. 이 소자개발과 관련한 논문은 세계적인 과학기술계 학술지 네이처의 4월호 4일자에 게재됐다. KAIST(총장 이광형)는 최신현 전기및전자공학부 교수 연구팀이 DRAM 및 NAND 플래시 메모리를 대체할 수 있는 초저전력 차세대 상변화 메모리 소자를 개발했다고 4일 밝혔다. 이 메모리 소자는 차세대 인공지능(AI) 하드웨어를 위한 뉴로모픽 컴퓨팅 구현에 사용 가능하다. 현재 널리 사용되고 있는 메모리인 DRAM은 속도가 매우 빠르지만, 전원이 꺼지면 정보가 사라지는 휘발성 특징을 갖고 있다. 저장장치로 사용되는 낸드 플래시 메모리는 읽기·쓰기 속도는 상대적으로 느린 대신 전원이 꺼져도 정보를 보존하는 비휘발성이다. 이에 반해 상변화 메모리(Phase Change Memory)는 열을 사용해 물질의 상태 변경을 이용해 정보를 저장하거나 처리하는 메모리 소자다. 디램과 낸드 플래시 메모리의 장점을 모두 가졌다. 빠른 속도와 비휘발성 특성을 동시에 지녀 기존 메모리를 대체할 차세대 메모리로 주목 받는다. 특히, 메모리 기술 또는 인간의 두뇌를 모방하는 뉴로모픽 컴퓨팅 기술로 활발히 연구되고 있다. 다만, 비용이 많이 드는 초미세 반도체 노광공정을 통해 제작해 왔다. 소비 전력도 높다. 이로 인해 실용적인 대용량 메모리 제품이나 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템을 구현하기에는 한계가 있었다. 최신현 교수 연구팀, 소비전력 15배 줄여 난제 해결 연구팀은 상변화 물질을 전기적으로 극소 형성하는 방식으로 초저전력 상변화 메모리 소자를 제작했다. 노광공정 없이 매우 작은 나노미터급 스케일의 상변화 필라멘트를 자체 형성하는데 성공했다. 상변화 물질을 전기적 포밍 방식으로 생성한 나노 필라멘트 활용법을 찾은 것. 기존의 값비싼 초미세 노광공정을 이용한 상변화 메모리 소자보다 소비 전력을 15배 이상 줄인 초저전력 상변화 메모리 소자를 구현했다. 박시온 석박사통합과정생은 "공정 비용이 매우 적게 들 뿐 아니라 초저전력 동작이 가능하다"며 "획기적인 장점"이라고 설명했다. 홍석만 박사과정생은 "상변화 메모리는 차세대 메모리뿐만 아니라 사람의 뇌를 모사해 인공지능을 구현하는 뉴로모픽 컴퓨팅에 적합하다"며 "단순한 이미지나 음성 인식 뿐만 아니라 적은 전력으로 방대한 양의 데이터를 처리할 수 있는 고성능 인공지능 칩을 구현할 수 있을 것"으로 예상했다. 이 연구에는 KAIST 전기및전자공학부 박시온 석박사통합과정생 및 홍석만 박사과정생이 관련 논문 제1 저자로 참여했다. 최신현 교수는 "이번에 개발한 초저전력 상변화 메모리 소자는 기존의 연구 방향과는 완전히 다른 방식"이라며 "기존에 풀지 못했던 큰 난제인 제조비용과 에너지 효율 문제를 해결했다"고 말했다. 최 교수는 또 "물질 선택이 자유로워 고집적 3차원 수직 메모리 및 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템 등 다양한 분야 응용이 가능하다"며 "미래 전자공학의 기반이 될 것"으로 기대했다. 한편 이 연구 예산은 △한국연구재단 차세대 지능형반도체기술개발사업 △PIM인공지능반도체핵심기술개발(소자)사업 △우수신진연구사업 △나노종합기술원 반도체공정기반 나노메디컬 디바이스개발 사업의 지원을 받아 수행됐다.

2024.04.04 18:05박희범

SK하이닉스 "美에 5.2조원 HBM 공장 건설"...엔비디아·TSMC와 시너지

SK하이닉스가 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 미국 인디애나주웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 공장을 건설한다. SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나 주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. 아울러 회사는 미국 퍼듀 대학과 반도체 기술 개발도 협력하기로 했다. SK하이닉스는 "인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정"이라며 "당사는 이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라고 밝혔다. 이어 "인디애나에 건설하는 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 덧붙였다. 이날 행사에는 유정준 SK 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 CEO, 최우진 SK하이닉스 부사장(P&T 담당) 등 SK그룹 경영진과 조현동 주미 한국 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. 미국 측에서는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 미 상원의원(인디애나), 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 미국 상무부 차관보, 데이비드 로젠버그 인디애나 주 상무장관, 멍 치앙 퍼듀대 총장, 미치 대니얼스 퍼듀 연구재단 이사장, 에린 이스터 웨스트라피엣 시장 등이 참석해 협력을 체결했다. 이 중 토드 영 의원은 미국 내 반도체 생산시설에 보조금과 세금 혜택을 지원하는 이른바 '칩스법(Chips Act)'을 공동 발의한 인물이다. 앞서 최태원 SK그룹 회장은 2022년 7월 조 바이든 미국 대통령과 화상 면담에서 220억 달러 규모의 대미 투자 계획을 밝힌 바 있다. 같은 해 SK하이닉스는 미국에 첨단 패키징 제조시설과 연구개발(R&D)센터를 세운다는 계획을 발표했다. 이후 SK하이닉스는 다양한 후보지를 검토한 끝에 회사는 인디애나 주를 최종 투자지로 선정했다. 인디애나주 정부가 투자 유치에 적극 나선 것은 물론, 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부하고, 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점이 높은 평가를 받았다. SK하이닉스는 "기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정했다"라며 "미국은 AI 분야 빅테크 고객들이 집중되어 있고 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발히 진행되고 있다"고 설명했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 주와 퍼듀대의 지원에 감사의 뜻을 전하며 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다. 이번 투자를 통해 당사는 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다. 에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나 주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나 주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다. 토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 전했다. ■ HBM 첨단 패키징 확장…SK하이닉스-엔비디아-TSMC 삼각편대 SK하이닉스의 인디애나 팹은 반도체 생산의 마지막 공정에 해당되는 패키징을 담당한다. 이곳은 고객사인 엔비디아와 협력사인 대만 TSMC와 함께 삼각편대를 이뤄 시너지를 낼 것으로 보인다. SK하이닉스는 AI 반도체 1위인 엔비디아와 HBM3(4세대) 독점 공급 계약을 맺는 활약으로 지난해 HBM 시장에서 50% 이상 점유율로 1위를 차지했다. 회사는 올해 3월부터 엔비디아 신규 칩 H200 GPU에 HBM3E(5세대)를 공급을 시작하면서 시장 우위를 이어갈 전망이다. 지금까지 엔비디아 AI 칩에 HBM을 통합하는 작업은 TSMC이 첨단 CoWoS(칩온웨이퍼-온서브스트레이트) 패키징 공정으로 담당해 왔다. SK하이닉스가 한국 팹에서 생산한 HBM를 대만의 TSMC 대만 팹에 보내면, TSMC가 엔비디아 GPU에 HBM을 붙이는 방식이다. 하지만 TSMC가 2021년 미국 애리조나에 파운드리 팹 2곳 건설에 착수한데 이어 SK하이닉스까지 패키징 팹을 미국에 건설하면 미국 내에서 AI 반도체 설계부터, 생산, 패키징이 가능해지는 시스템이 만들어지게 된다. 앞서 영국 파이낸셜타임스(FT)는 지난 2월 SK하이닉스의 인디애나 팹 투자를 처음으로 보도하면서 "TSMC가 애리조나에 이미 2개의 첨단 제조 공장(파운드리)을 건설하고 있는 상황에서 SK하이닉스의 인디애나 공장 신설로 엔비디아의 GPU 생산을 지원하는 데 한 걸음 가까워질 것"이라고 말했다. 월스트리트저널(WSJ)은 지난주 "SK하이닉스의 미국 투자는 반도체 강국으로서 미국의 위상을 회복하려는 바이든 행정부의 야망에 힘을 실어주는 일"이라고 진단했다. SK하이닉스가 이번 신규 팹 투자를 결정함에 따라 미국 정부로부터 받는 반도체 보조금 규모에 관심이 모아진다. 월스트리트저널(WSJ)에 따르면 바이든 정부는 반도체법에서 패키징 부분에 최소 30억 달러를 책정했다. 미국 내 투자 기업이 상무부에 보조금을 신청하는 기간은 이달 12일까지다. 한편, SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 차질없이 추진한다. 회사가 120조원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창이다. 회사는 이곳에 내년 3월 첫 팹을 착공해 2027년 초 완공할 계획이다. 또 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'도 건설한다.

2024.04.04 03:50이나리

권언오 SK하이닉스 부사장 "차세대 HBM, 전문화·맞춤화될 것"

"앞으로 HBM(고대역폭메모리)은 전문화, 맞춤화 성격이 강해질 것이다. 이를 위해 차세대 HBM은 기능적 우수함은 물론 고객별로 차별화한 스페셜티 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다." SK하이닉스 HBM 개발을 담당하는 권언오 부사장이 28일 자사 공식 뉴스룸을 통해 차세대 HBM의 진화 방향에 대해 이같이 공개했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 연말 시행한 2024년 조직개편 및 임원인사에서 AI 인프라 시장 경쟁력 강화를 위해 'AI Infra' 조직을 신설했으며, 산하에 HBM(고대역폭메모리) PI담당 신임 임원으로 권언오 부사장을 선임한 바 있다. 권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 2022년 세계 최초로 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG(고유전율 메탈게이트) 공정을 도입했으며, 초고속·초저전력 특성을 동시에 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 이러한 공로를 인정받아 지난해 SUPEX 추구상을 수상하기도 했다. SK하이닉스는 지난 연말 HBM 개발부터 제품화, 사업화까지 전 과정에 걸쳐 효율성과 완성도를 높이기 위해, 부문별로 흩어져 있던 기능을 한데 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 제품을 중심으로 조직을 구성하는 것은 흔치 않은 사례로, HBM 선도 기업 지위를 지키겠다는 회사의 의지가 담겨 있다. 권 부사장은 HBM 비즈니스 조직의 가장 큰 강점으로 높은 효율성을 꼽았다. 개발 초기 의사결정 과정을 단축해 빠른 조율과 실행이 가능하며, 개발 단계에서부터 직접 고객의 목소리를 듣고 고객이 원하는 가치를 반영할 수 있다는 시각에서다. 권 부사장은 "HBM이라는 하나의 목표를 공유하는 HBM 비즈니스 조직이 구성된 덕분에 기술 역량을 집중해서 발휘할 수 있는 환경이 마련됐다"며 "저 역시도 사업 관점에서 기술에 필요한 흐름을 읽을 수 있게 됐고, 이를 통해 더 많은 부분에 기여할 수 있을 거라 기대한다"고 밝혔다. 앞으로의 HBM 시장에 대해서는 "고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized)되고, 고객 맞춤화(Customized)될 것"이라고 예측했다. 또한 권 부사장은 차세대 HBM이 기능적 우수함은 기본이고, 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다고 강조했다. 권 부사장은 “AI 시대에 들어서며 변화를 예측하고 유연하게 대응하는 것이 무엇보다 중요해졌다"며 "AI 시대를 선도하고 1등 기술력을 이어가기 위해 HBM PI 조직 역시 요소 기술의 혁신과 빠른 제품화를 위한 기술 개발에 힘쓰고 있으며, 고객 및 외부 파트너와 적극적으로 소통하며 협업을 진행하고 있다"고 말했다. 그는 이어 "향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향(向) 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC(주문형반도체) 형태나 고객의 제품에 최적화한 온디바이스(On Device) 형태로 확대될 것"이라며 "HBM뿐만 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고, 전통적인 특성 외 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것"이라고 덧붙였다.

2024.03.29 14:17장경윤

경계현 삼성전자 사장 "AI 반도체 '마하2'도 빠르게 개발할 것"

경계현 삼성전자 DS부문(반도체) 대표이사 사장이 AI 반도체 '마하1(Mach-1)'에 이어 '마하2(Mach-2)' 개발에도 빠르게 착수한다는 계획을 밝혔다. 경 사장은 5일 SNS(사회관계망서비스) 인스타그램에서 "추론(Inference) 전용인 마하1에 대한 고객들의 관심이 증가하고 있다"라며 "일부 고객들은 1테라(T) 파라미터(parameter) 이상의 큰 어플리케이션에 마하를 쓰고 싶어한다. 생각보다 더 빠르게 마하2의 개발이 필요한 이유가 생긴 것이다. 준비를 해야겠다"고 전했다. 삼성전자 시스템LSI 사업부가 개발하고 있는 마하1는 AI를 추론하기 위해 특화된 범용인공지능(AGI) 반도체다. 메모리와 그래픽처리장치(GPU)와의 병목 현상을 해소할 수 있는 구조로 만들어져, 고대역폭메모리(HBM) 대신에 저전력(Low Power) D램을 써도 LLM(Large Language Models, 거대언어모델) 추론이 가능하도록 개발 중이다. 경 사장은 지난 20일 삼성전자 정기주주총회에서 AI 반도체 '마하1'을 처음으로 언급한 바 있다. 당시 경 사장은 "마하1은 여러 가지 알고리즘을 써서 메모리와 GPU 사이에 데이터 병목현상을 8분의 1 정도로 줄이고 전력 효율을 8배 높이는 것을 목표로 현재 개발 중"이라며 "올해 연말 정도면 마하1 칩을 만들어서 내년 초에 저희 칩으로 구성된 시스템(AI 가속기)을 보실 수 있을 것"이라고 말했다. 업계에 따르면 삼성전자는 마하1을 연말 네이버에 추론용 서버용으로 공급할 예정이다. 납품 규모는 15만~20만개, 개당 500만원 수준으로 논의 중이다. 삼성전자의 마하1은 엔비디아 제품의 10분의 1 수준으로 가격 경쟁력을 확보한 것으로 알려진다. 엔비디아 AI 반도체 'H100이' 개당 최대 4만달러(약 5360만원)에 거래되고, 신규 칩 'B100'은 최소 5만달러(6천600만원) 이상의 높은 가격으로 판매된다. 경 사장은 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운티뷰에서 열린 '멤콘(MEMCON) 2024' 컨퍼런스를 비롯해 약 4일 동안 미국의 5개 도시를 돌면서 맞춤형 HBM과 2나노 공정 파운드리 고객사 확보를 위해 비즈니스 활동을 벌였다. 경 사장은 "AI 애플리케이션에서 고용랑 HBM은 경쟁력이다"라며 "HBM3와 HBM3E 12단을 고객들이 더 찾는 이유다. (삼성전자)는 HBM 전담팀을 꾸미고, 팀은 정성을 다해 품질과 생산성을 높히고 있다. 이들의 노력으로 HBM의 리더십이 우리에게로 오고 있다"고 강조했다. 이어서 그는 "HBM4에서 메모리 대역폭(Bandwith)이 2배로 되지만 여전히 메모리와 컴퓨트 사이의 트래픽은 바틀넥(Bottle Neck)이다"라며 "많은 고객들이 이 문제를 풀기 위해 각자만의 방식으로 맞춤형(Custom) HBM4를 개발하고 싶어한다. 그리고, 고객들은 우리와 함께 그 일을 할 것이다"고 말했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해 상반부터 5세대(HBM3E) 양산이 공급된다. 삼성전자는 이달 초 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 열린 엔비디아 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에서 12단 HBM3E 실물을 처음으로 공개한 바 있다. 현재 삼성전자는 2025년 공급을 목표로 HBM4를 개발 중이다. 경 사장은 파운드리 2나노 공정에 대해서 "로직 파워를 줄이고 성능을 높여야 다양한 응용에서 AI의 지능을 키울 수 있다"라며 "고객들이 게이트올어라운드(GAA) 2나노를 원하는 이유다"라며 "이런 이유로 많은 고객들이 파운드리 2나노 공정을 위한 테스트 칩을 흘리고 있거나 흘리기로 했다"로 말했다. 이어서 그는 "성공적인 기술 개발을 통해 이들이 2나노 제품개발로 이어지도록 할 것이다"고 전했다. 삼성전자는 내년부터 2나노 공정으로 반도체를 양산을 앞두고 있다. 경 사장은 테슬라 본사도 방문한 것으로 보인다. 경 사장은 "테슬라에서는 고맙게도 사이버트럭을 시승할 수 있는 기회를 줬는데 생각보다 안락했고, 가속력이 대단했다"라며 "10개의 카메라로 주변을 인식하는 능력이 훌륭해 보였고, 짧은 회전 반경과 큰 와이퍼가 인상적이었다"고 평가했다.

2024.03.29 11:43이나리

삼성전자 반도체 3위로 하락…인텔·엔비디아에 자리내줘

삼성전자가 지난해 전세계 반도체 시장 매출 순위에서 1위에서 3위로 내려왔다. 미국 반도체 기업인 인텔과 엔비디아는 삼성전자를 제치고 각각 1위와 2위를 차지했다. 삼성전자가 인텔과 1위를 두고 경쟁해 오다가 3위로 내려 온 것은 이례적이다. 28일 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 삼성전자의 반도체 사업을 담당하는 DS 부문의 연간 매출은 443억7400만달러(60조원)로 집계됐다. 이는 전년 670억5500만달러(90조7000억원) 보다 33.8% 감소한 실적이다. 지난해 메모리 반도체 업황 침체에 타격을 받아 실적이 감소한 것으로 분석된다. 그 결과 지난해 반도체 1위를 탈환한 삼성전자는 실적 악화로 순위가 3위로 하락했다. 인텔은 지난해 매출 511억9700만달러(69조원)로 전년 보다 15.8% 감소에도 불구하고 1위를 차지했다. 삼성전자 부진에 비해 상대적으로 매출 감소가 적었기 때문이다. 인텔은 2018년, 2022년 삼성전자에 1위 자리를 내준 바 있다. 엔비디아는 2022년 8위에서 작년 2위로 올라왔다는 점에서 주목된다. 엔비디아는 생성형 AI(인공지능) 성장으로 지난해 매출이 491억6100만달러(66조3673억원)로 전년 보다 133.6% 급등했다. 즉 엔비다이의 작년 매출은 전년 보다 2배 이상 증가한 셈이다. 옴디아는 "지난해 반도체 산업의 전반적인 침체에도 불구하고 AI에 주력한 기업들은 이익을 내면서 업계의 중요한 성장 동력으로 부상했다"라며 "엔비디아는 AI의 가장 큰 수혜자"라고 진단했다. 메모리 업체인 SK하이닉스와 마이크론도 상위 10개 기업 중 큰 폭의 실적 감소를 겪었다. 2017년부터 2021년까지 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 모두 매출 상위 5위 안에 들었었다. SK하이닉스는 지난해 매출 236억8000만달러로 전년 보다 30.6% 감소하며 순위가 4위에서 6위로 내려왔다. 마이크론 또한 메모리 침체기에 영향 받아 지난해 순위가 6위에서 12위로 내려왔으며, 매출은 159억6300만달러로 전년 보다 40.6% 감소했다. 다만 SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)으로 AI 반도체의 혜택을 받다고 평가된다. 옴디아는 "SK하이닉스는 AI가 촉진하기 위해 GPU(그래픽처리장치)와 통합된 HBM 부문을 선도하고, 다른 주요 메모리 제조업체들도 이 분야에 뛰어들고 있다"고 말했다. 그 밖에 ▲4위 퀄컴(309억1300만달러) ▲5위 브로드컴(284억2700만달러) ▲7위 AMD(224억800만달러) ▲8위 애플(186억3500만달러) ▲9위 인피니언(172억8600만달러) 등 순이다. 지난해 상위 20개 반도체 기업의 매출은 5448억 달러로 전년 보다 8.8% 감소했다. 한편 이번 집계에는 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 매출은 포함되지 않았다. 대만 파운드리 업체 TSMC는 지난해 2조1617억3600만대만달러(91조1820억원)의 매출을 올렸다고 밝혔다. 삼성전자 파운드리 사업을 합한 반도체 매출은 지난해 66조5900만원으로 집계된다. 파운드리를 합한 반도체 시장 매출 순위에서는 1위 TSMC, 2위 인텔, 3위 삼성전자 순이다.

2024.03.28 20:03이나리

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