검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'AI 메모리'통합검색 결과 입니다. (328건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

SK하이닉스, HBM으로 사상 최대 실적…삼성도 제쳤다

SK하이닉스가 AI 메모리 고대역폭메모리(HBM) 출하 증가에 힘입어 3분기 매출과 영업이익에서 분기 최대 실적을 달성했다. SK하이닉스의 3분기 영업이익은 삼성전자 반도체(DS) 부문 실적보다 1조5천억원 가량 많은 것으로 추정된다. SK하이닉스는 24일 실적 발표를 통해 3분기 영업이익이 7조300억원으로 전년대비 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 40%, 순이익 5조7천534억원(순이익률 33%)을 기록했다. 3분기 영업이익과 순이익은 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 3분기 기록(영업이익 6조4천724억원, 순이익 4조6천922억원)을 크게 뛰어넘었다. 매출은 17조5천731억 원으로 지난해 같은 기간보다 93.8, 전기에 비해 7% 늘었다. 기존 최대 기록인 지난 2분기 매출(16조4천233억원)보다도 1조원 이상 많았다. SK하이닉스의 실적은 메모리 업계 경쟁사인 삼성전자와 대비된다. 삼성전자는 지난 8일 잠정실적에서 전체 영업이익 9조1천억원을 기록, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 이날 삼성전자는 사업별 실적은 발표하지 않았지만, 증권가에서는 반도체를 담당하는 DS 사업부의 영업이익이 5조3천억원으로 추정하며 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소한 것으로 분석했다. 메모리 분야 만년 2위인 SK하이닉스가 1위 삼성전자 실적을 제친 것이다. ■ HBM 연매출 전년比 330% 상승…내년 HBM4 출하, TSMC와 '원팀' SK하이닉스 실적 상승의 일등공신은 HBM이다. SK하이닉스는 "데이터센터 고객 중심으로 AI 메모리 수요 강세가 지속됐고, 이에 맞춰 회사는 HBM(고대역폭메모리), eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대해 창사 이래 최대 매출을 달성했다"며 "특히 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 탁월한 성장세를 보였다"고 강조했다. 이어서 "수익성 높은 고부가가치 제품 중심으로 판매가 늘며 D램 및 낸드 모두 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 전 분기 대비 10%대 중반 가량 상승해 사상 최대 영업이익을 거두게 됐다"고 설명했다. HBM 매출 성장은 내년에도 지속될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 컨퍼런스콜에서 "(HBM과 관련해) 2025년 고객 물량과 가격 모두 협의가 완료된 상태"라고 밝히며 "AI 발전으로 앞으로 더 많은 컴퓨팅 파워 요구량이 늘어나고 있기에, HBM 수요 둔화를 걱정하는 것은 시기상조"라고 말했다. 또 "내년 HBM 수요는 AI 칩 증가, 고객들의 AI 투자확대 의지가 확인되면서 예상보다 늘어날 것으로 보인다"고 덧붙였다. 이에 따라 SK하이닉스 3분기 전체 D램 매출에서 30%에 달했던 HBM 비중은 4분기에는 40%에 이를 전망이다. 이어 SK하이닉스는 "3분기 HBM3E 출하량이 HBM3를 넘어섰고 4분기는 예정대로 HBM3E 12단 출하를 시작할 것"이라며 "내년 상반기 HBM3E 12단 제품의 비중이 HBM3E 8단 물량을 넘어설 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년 하반기엔 전반 이상이 12단 제품이 될 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4를 내년 하반기에 양산해 고객사에 출하할 계획이다. 고객 맞춤형 제작을 요하는 HBM4에서는 대만 파운드리 업체 TSMC와 협력을 강화한다. 회사는 "HBM4와 관련해 당사와 파운드리 파트너사간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 말했다. ■ 범용 메모리 재고, 내년 상반기에 정상화…시설투자 늘려 HBM 공급 강화 최근 메모리 업계는 범용 메모리와 HBM과 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 AI향 제품 가격의 양극화가 심화됐다. 스마트폰, PC 시장 등의 침체로 인해 범용 메모리의 재고가 쌓인데 따른 결과다. 범용 메모리 재고는 내년 상반기 정상화가 될 전망이다. SK하이닉스는 "PC와 모바일 수요 개선이 지연되고 중국 공급사가 레거시 제품에 진출을 가속하는 등 D램 수급에 부정적 영향이 증가하고 있다"면서 "DDR4나 LPDDR4 등 레거시 제품과 HBM, DDR5, LPDDR5 등 프리미엄 제품의 수급 상황이 크게 달라 각 제품 가격의 변동 방향도 서로 다르게 나타났다"고 설명했다. 또 중국 메모리 업체의 공급 증가와 관련한 우려에 대해서는 후발 업체와 선두 업체 사이의 기술 격차가 크다고 짚었다. SK하이닉스는 중국 업체와 격차를 더 벌리고 수익성을 강화하기 위해 범용 메모리 생산 규모는 줄이고 HBM, DDR5, LPDDR5 등 선단 공정으로 전환을 앞당겨서 추진할 계획이다. 낸드에서도 SK하이닉스는 투자 효율성과 생산 최적화 기조에 무게를 두면서 시장 수요가 가파르게 늘고 있는 고용량 엔터프라이즈향 SSD의 판매를 확대한다. SK하이닉스는 프리미엄 메모리 공급 확대를 위해 시설투자 규모를 연초 계획보다 늘려 10조 중후반대를 집행했고, 내년에는 올해보다 더 늘릴 계획이다. 회사는 "올해 투자 규모는 예상했던 것보다 빠르게 성장한 HBM(고대역폭메모리) 수요 대응과 (청주에 위치한) M15X 팹 투자 결정을 반영해서 연초 계획보다는 다소 증가한 10조원 중후반대가 예상된다"며 "내년에는 아직 구체적 투자 규모는 확정되지 않았지만 안정적 공급을 위한 투자, DDR5 및 LPDDR5 양산 확대를 위한 전환 투자, M15X, 용인 반도체 클러스터 투자 등을 감안하면 올해보다 소폭 (투자 금액이) 증가할 것으로 예상한다"고 덧붙였다. 다만, 투자 규모의 증가분이 대부분 인프라, R&D, 후공정에 투입된다는 점을 감안하면 단기 생산 증가 영향은 제한적일 전망이다.

2024.10.24 14:16이나리

곽노정 SK하이닉스 "HBM3E 계획대로 준비…내년 메모리 AI가 이끌 것"

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대해 자신감을 드러냈다. 또한 내년 메모리 시장이 AI를 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라고 내다봤다. 곽 사장은 22일 오후 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 기자들과 만나 향후 메모리 시장에 대해 이같이 밝혔다. 곽 사장은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 제품의 양산 계획에 대해 "구체적인 고객사를 언급할 수는 없으나, 출하나 공급 시기 등은 원래 계획한 대로 진행하려고 한다"고 밝혔다. 내년 메모리 시장에 대해서는 AI 산업에서 견조한 수요가 있을 것으로 내다봤다. 곽 사장은 "내년 메모리 시장은 AI 분야는 꽤 괜찮을 것이나, 나머지는 상황을 지켜볼 필요가 있다"며 "PC와 모바일 쪽은 성장세가 정체된 느낌이 있는데, 내년이 되면 AI 덕분에 조금은 나아지지 않을까 생각한다"고 강조했다. 한편 곽 사장은 최근 유럽 출장길에 올라, 현지 최대 반도체 연구소인 아이멕(IMEC)을 방문한 바 있다. 곽 사장은 이와 관련해 "아이멕과 공동으로 진행 중인 프로그램을 점검했고, 향후 있을 프로젝트에 대해서도 논의했다"고 밝혔다. 끝으로 곽 사장은 "향후에는 CXL이나 LPCAMM과 같은 제품들을 고객사의 니즈에 맞춰 출시하고 있다"며 "내년쯤 되면 이런 성과들이 가시화될 것"이라고 덧붙였다.

2024.10.22 18:15장경윤

카카오 "사람처럼 기억하는 AI 메이트로 차세대 챗봇 기술 선도"

"우리는 우수한 이해 능력과 기억력을 기반으로 한 'AI 메이트'를 통해 사용자와 더 깊은 소통을 추구하고자 합니다. 이를 위해 단기 메모리와 장기 메모리 시스템을 도입해 맥락 인지 기능을 강화하고 있습니다." 이혜련 카카오 담당자는 22일 경기도 용인시 카카오 인공지능(AI) 캠퍼스에서 열린 '이프카카오 2024' 행사에서 이같이 말했다. 그는 카카오가 'AI 메이트'를 통해 자연스럽고 개인화된 대화형 에이전트를 구현하고 있다고 설명했다. '이프카카오 2024'는 카카오 그룹이 AI 및 클라우드 기술 성과를 공개하고 이를 바탕으로 국내 IT 기술 발전에 기여하기 위해 개최한 행사다. 이번 행사에서 이 담당자는 '나의 컨텍스트를 아는 친구, 맥락을 인지하는 AI 메이트' 세션을 진행했다. 'AI 메이트'는 단기 메모리와 장기 메모리 시스템을 통해 사용자와의 대화를 더욱 자연스럽고 의미 있게 이어나갈 수 있도록 돕는다. 단기 메모리는 대화의 흐름과 주제 전환을 관리하고 쓰레드 메모리와 에피소드 메모리를 통해 최근의 대화 맥락을 효과적으로 파악한다. 이 담당자는 "단기 메모리는 대화의 맥락을 유지하고 유사한 주제가 이어질 때 자연스럽게 대화를 이어나갈 수 있도록 돕는다"며 "장기 메모리는 사용자의 장기적인 경험과 선호를 기억하고 더 개인화된 응답을 제공하는데, 이는 사람처럼 기억하고 공감하는 메모리 시스템 덕분"이라고 설명했다. 이어 "장기 메모리는 사용자의 과거 경험과 감정을 기억하고 친구처럼 기쁠 때 함께 기뻐하고 슬플 때 함께 슬퍼하며 공감할 수 있다"며 "이를 통해 사용자와 깊은 신뢰 관계를 형성하고 인간과 유사한 상호작용을 구현할 수 있다"고 덧붙였다. 이러한 기술의 실현을 위해 카카오 'AI 메이트'는 다양한 시나리오에서 메모리 시스템의 실증(PoC)을 진행하고 있다. 이를 통해 시스템의 효과적인 작동을 평가하고 사용자들에게 더 나은 경험을 제공하기 위해서다. 이 담당자는 "기존 방식만으로는 충분하지 않다는 것을 깨달아 이러한 메모리 시스템을 도입하게 됐다"며 "대화의 전체 구조를 재검토하고 소프트웨어와 플랫폼까지 모두 아우르는 접근이 필요했기에 인간과 유사한 이해와 공감 능력을 갖춘 AI 메이트를 개발하게 됐다"고 밝혔다. 그러면서 "앞으로도 기술 혁신과 협업을 통해 AI 분야에서 새로운 가능성을 열어갈 것"이라고 강조했다.

2024.10.22 15:27조이환

박광선 AMAT코리아 대표, 'SEDEX 2024'서 기조연설 나서

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 박광선 AMAT코리아 대표가 10월 23일부터 25일까지 서울 코엑스에서 열리는 국내 최대 반도체 전시회 '반도체대전(SEDEX) 2024'에서 기조연설을 진행한다고 22일 밝혔다. 박 대표는 오는 24일 '반도체 산업의 미래: 에너지 효율적 컴퓨팅과 혁신의 가속화'를 주제로 기조연설을 진행한다. 이번 발표에서 박 대표는 AI 경쟁에서 에너지 효율적인 컴퓨팅 성능의 중요성을 강조하고 최첨단 로직, 고성능 D램, HBM(고대역폭 메모리), 첨단 패키징을 중심으로 진화하는 반도체 소자 아키텍처 변화에 대한 새로운 산업 전략과 인사이트를 공유한다. 또한 AI 구현에 필수적인 HBM과 이종 집적을 위한 어플라이드의 첨단 패키징 기술에 대해 설명할 예정이다. 한국반도체산업협회가 주관하는 SEDEX 2024는 메모리와 시스템 반도체, 장비 및 부품, 재료, 설비, 센서 등 반도체 산업 전 분야를 아우르는 전시회다. 이번 행사에서 반도체 관련 기업들은 최신 기술과 제품을 선보이고, 산업 혁신의 동향을 공유한다.

2024.10.22 10:14장경윤

삼성 HBM4 희망 불씨...'1c D램' 성과에 달렸다

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 개발 중인 1c D램(6세대 10나노급 D램)이 반도체 업계 최대 화두로 떠오르고 있다. 1c D램은 삼성전자, SK하이닉스 등이 내년 양산을 본격화할 것으로 예상되는 차세대 메모리다. 삼성전자의 경우 1c D램의 초도 양산라인을 올해 연말 구축할 계획이다. 1c D램이 삼성전자에게 중요한 이유는 반도체 시장 성장을 이끌고 있는 HBM(고대역폭메모리) 때문이다. 삼성전자는 내년 말 출시를 앞둔 6세대 HBM, HBM4의 코어 다이(core die)로 1c D램을 채용하기로 했다. 삼성전자는 이전 세대인 HBM3, HBM3E 등에서 주요 고객사인 엔비디아향 양산이 지연되는 등 차질을 빚어 왔다. HBM3E에 경쟁사가 1b D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 낮은 1a D램을 활용한 것이 성능 부진의 주된 요소로 지목된다. 반대로 HBM4에는 삼성전자가 1c D램을, SK하이닉스·마이크론이 1b D램을 채택했다. 삼성전자가 경쟁사보다 집적도를 높인 D램 채용으로 그동안 탈많은 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이다. ■ "관례 뒤집는 승부수"…삼성 1c D램 성능 안정성 여부 의문 다만 삼성전자의 HBM 로드맵에 업계의 우려 섞인 시선도 적지 않다. 그간 D램 및 HBM이 개발돼 온 기술적인 절차와 관례를 삼성전자가 이번 HBM4부터 뒤집을 가능성이 높기 때문이다. 이유는 이렇다. HBM은 범용 D램을 기반으로 만들어지기 때문에, 범용 D램의 성능을 안정적으로 확보하는 것이 중요하다. 이에 업계는 먼저 컴퓨팅과 모바일 등으로 D램 제품을 개발하고, 이후 이를 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 그러나 현재 삼성전자의 행보를 봤을때 이러한 과정을 생략하거나 축소할 가능성이 크다. 삼성전자는 당초 연내 1c D램의 초도 양산을 시작하겠다는 계획을 세운 바 있다. 설비투자 시점을 고려하면 본격적인 양산은 빨라도 내년 상반기에나 가능하다. 이 경우, HBM4의 목표 양산 시점과의 간격이 1년도 채 되지 않는다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "통상 D램은 컴퓨팅을 코어로 개발하고 모바일, HBM 등으로 파생되는 순서를 거쳐야 안정적"이라며 "반면 삼성전자는 양산 일정을 고려하면 HBM이 사실상 신규 D램의 가장 빠른 주 적용처가 되는 것으로, 이례적인 시도"라고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 지난 8월 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했으나, HBM4에는 적용하지 않는다. 시장 상황을 고려해 성능 향상 보다는 안정성에 무게를 두는 판단이 작용한 것으로 알려졌다. ■ '희망 불씨' 봤다지만…확실한 성과 보여줘야 이달 삼성전자는 1c D램 개발 과정에서 처음으로 '굿 다이'(Good die)를 확보했다. 굿 다이란 제대로 작동하는 반도체 칩을 뜻하는 단어다. 이에 회사 내부에서는 "희망이 생겼다"는 긍정적인 평가가 나오기도 한 것으로 전해졌다. 다만 삼성전자가 1c D램을 안정적으로 양산하기 위해선 아직 많은 준비와 절차가 필요하다는 지적이 제기된다. 이번 개발 과정에서 삼성전자가 확보한 굿 다이의 수는 웨이퍼 투입량 대비 매우 적은 수준이다. 수율로 환산하면 10%를 밑도는 것으로 산출된다. 또한 반도체 공정은 굿 다이 확보 이후 해당 칩을 패키징까지 완료하는 엔지니어링 샘플(ES), 고객사향 품질 인증을 마치기 위한 커스터머 샘플(CS) 등 상용화를 위한 여러 과정을 거쳐야 한다. 업계 관계자는 "삼성전자가 빠른 시일 내에 1c D램에서 수율과 성능 안정성 등 두 마리 토끼를 모두 잡아야 하는 상황"이라며 "최근 성과가 무의미한 것은 아니나, HBM의 경쟁력을 크게 끌어올리기 위해서는 더 많은 진전을 이뤄야 한다"고 설명했다.

2024.10.21 14:43장경윤

파네시아, 엔비디아·구글에 CXL 솔루션 기술 선봬

국내 팹리스 스타트업 파네시아는 이달 15일부터 미국 캘리포니아주에서 개최되고 있는 세계 최대규모 데이터센터 관련 행사 'OCP 글로벌 서밋'에서 'CXL 3.1 스위치가 포함된 AI 클러스터'를 세계 최초로 공개했다고 18일 밝혔다. OCP 글로벌 서밋은 기존 데이터센터의 비용 효율적인 문제를 해결하는 방법 등 이상적인 데이터센터 인프라 구축 방안에 대한 논의가 이루어지는 행사다. 올해에는 다수의 글로벌 기업을 포함해 7천명 이상의 관계자가 모여 AI향 솔루션에 대해 중점적으로 논의를 진행했다. 파네시아는 이번 행사에서 차세대 인터페이스 기술인 CXL(컴퓨트익스프레스링크)을 활용해 AI 데이터센터의 비용 효율을 획기적으로 개선하는 솔루션인 'CXL 탑재 AI 클러스터'를 선보여 많은 관심을 받았다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 파네시아 관계자는 "AI가 메인 토픽으로 다루어진 올해 행사에서 파네시아는 AI 데이터센터에 CXL 기술을 실용적으로 도입하기위한 청사진을 제시함으로써 많은 글로벌 기업들의 관심을 받고, 고객사 및 협업사 생태계를 확장할 수 있었다”고 말했다. CXL 탑재 AI 클러스터는 파네시아의 주요 제품인 CXL 3.1 스위치와 CXL 3.1 IP를 활용해 구축한 프레임워크다. 대규모 데이터를 저장하는 CXL-메모리 노드와 기계학습 연산을 빠른 속도로 처리하는 CXL-GPU 노드가 CXL 3.1 스위치를 통해 연결되는 구조다. 메모리를 확장하고 싶다면 오직 메모리와 메모리 확장을 위한 CXL 장치들만 추가로 장착해주면 되며, 따라서, 기타 서버 부품 구매에 불필요한 지출을 하지 않아도 돼 메모리 확장 비용을 절감할 수 있다. 또한 각 CXL 장치에는 파네시아의 초고속 CXL IP가 내재돼 메모리 관리 동작을 하드웨어로 가속해준다. 이를 통해 사용자들은 빠른 성능을 누릴 수 있다. 뿐만 아니라 CXL 3.1 표준의 고확장성 관련 기능 및 모든 타입의 CXL 장치에 대한 연결을 지원하는 파네시아의 CXL 스위치 덕분에, 수 백대 이상의 다양한 장치를 하나의 시스템으로 연결하는 실용적인 데이터센터 수준의 메모리 확장이 가능하다는 것도 주요 장점이다. 해당 CXL 3.1 스위치는 내년 하반기에 고객사들에게 제공될 예정이다. 파네시아는 이번 전시회 기간 동안 본인들의 AI 클러스터 상에서 LLM(대규모 언어 모델) 기반 최신 응용인 RAG(검색 증강 생성)를 가속하는 데모를 선보였다. 관계자의 설명에 따르면, 파네시아의 CXL 탑재 AI 클러스터를 활용할 경우, 기존의 스토리지 혹은 RDMA(네트워크 기술의 일종, Remote Direct Memory Access) 기반 시스템 대비 추론 지연시간을 약 6배 이상 단축시킬 수 있다. 파네시아 관계자는 "서버를 제공하는 다수의 기업들이 내년 하반기 고객사에게 제공예정인 우리의 CXL 3.1 스위치 칩을 본인들의 서버 제품에도 도입하길 희망한다는 의사를 강력히 밝혔다”며 "엔비디아, AMD 등 GPU를 개발하는 기업에서도 많이 방문했는데, 이들은 파네시아의 CXL 3.1 IP를 활용해 GPU 장치에 CXL을 활성화할 수 있다는 사실에 많은 관심을 보였다"고 강조했다.

2024.10.18 09:33장경윤

'절치부심' 삼성 1b D램 수율 향상 본궤도...HBM 로드맵엔 없어

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 현재 국내 D램 업계는 중국 후발주자들로부터 거센 추격을 받고 있다. DDR5·LPDDR5X(저전력 D램) 등 최선단 분야에서는 여전히 기술 격차가 공고하지만, DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙)는 현지 중국 정부의 막대한 지원 하에 생산량을 확대해 왔다. 특히 중국 최대 메모리 제조업체로인 창신메모리(CXMT)의 약진이 눈에 띈다. CXMT는 D램 생산능력을 2022년 월 7만장에서 2023년 12만장, 올해 20만장 수준으로 늘릴 계획이다. 중국이 D램 출하량을 급격히 확대하는 경우, 삼성전자·SK하이닉스 등 기존 업체들의 매출 및 수익성은 감소할 수밖에 없다. 실제로 삼성전자는 최근 발표한 3분기 잠정실적 자료에서 "중국 메모리 업체의 레거시 제품 공급 증가에 따른 실적 하락"을 언급한 바 있다. ■ 中 추격에 최선단 1b D램 공정 전환 속도 삼성전자는 이 같은 상황을 타개하기 위한 방안으로 '1b D램(5세대 10나노급 D램)'에 주목하고 있다. 해당 D램은 삼성전자가 개발에 어려움을 겪었던 이전 세대 제품, 1a D램의 부진을 만회하기 위해 절치부심의 심정으로 개발한 메모리다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공했다. 생산능력 역시 빠르게 확대할 전망이다. 올해 말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확대하기 위한 투자가 진행되고 있다. 업계 관계자는 "삼성전자도 협력사에 중국 D램 제조기업의 동향을 물어볼 만큼 관련 사안에 관심이 많다"며 "현재 1b D램으로 공정 전환을 서두르는 이유 중 하나가 중국 기업들 때문"이라고 설명했다. 1b D램이 삼성전자에게 더욱 중요한 이유는 AI 산업 확대에 있다. 삼성전자의 32Gb D램은 서버 시장을 메인 타깃으로 개발된 제품으로, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있도록 설계됐다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. ■ 수율 향상 본궤도 올랐지만…HBM 로드맵엔 배제 메모리 경쟁력의 핵심인 수율은 비교적 견조한 수준으로 끌어올린 것으로 관측된다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 올 3분기 말 기준으로 삼성전자 1b D램의 평균 수율은 60%를 넘어선 것으로 전해졌다. 세부적으로 16Gb 제품의 수율은 더 높고, 32Gb 제품 수율은 아직 60% 수준에는 미치지 못한 것으로 알려졌다. 통상 D램 양산에 이상적인 수율(80~90%)보다는 낮지만, 올해 초중반 대비 수율을 향상시키는 데에는 성공했다는 평가다. 다만 삼성전자 1b D램이 HBM(고대역폭메모리) 로드맵에서 배제돼 있다는 점은 한계로 지적된다. 삼성전자는 HBM3와 HBM3E에 1a D램을 채용하고 있다. 경쟁사인 SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램을 채용하고 있다는 점을 감안하면 한 세대 뒤쳐졌다. 반대로 내년 말 양산을 목표로 하고 있는 HBM4와 관련해, 삼성전자는 차세대 1c D램을 적용할 계획이다. 성능 극대화를 위한 전략으로도 볼 수 있으나, 기술적인 면에서도 1b D램이 HBM에 적용될 가능성은 현재로선 매우 낮은 것으로 관측된다. 사안에 정통한 관계자는 "1b D램은 설계 당시부터 HBM 적용을 고려하지 않아, 현재 계획 상에서는 HBM향 개조 등이 어려운 상황"이라며 "범용 D램 쪽에서 수율 향상에 집중하고 있다"고 말했다.

2024.10.17 14:06장경윤

삼성전자, 업계 최초 12나노급 '24Gb GDDR7 D램' 개발…내년초 상용화

삼성전자가 업계 최초로 12나노급 '24Gb GDDR7(Graphics Double Data Rate) D램' 개발을 완료했다고 17일 밝혔다. 24Gb GDDR7 D램은 업계 최고 사양을 구현한 제품으로, PC, 게임 콘솔 등 기존 그래픽 D램의 응용처를 넘어 AI 워크스테이션, 데이터센터 등 고성능 제품을 필요로 하는 분야까지 다양하게 활용될 것으로 기대된다. 이번 제품은 24Gb의 고용량과 40Gbps 이상의 속도를 갖췄고, 전작 대비 ▲용량 ▲성능 ▲전력 효율이 모두 향상됐다. 삼성전자는 이번 제품에 12나노급 미세 공정을 적용해 동일한 패키지 크기에 셀 집적도를 높였고, 전작 대비 50% 향상된 용량을 구현했다. 또한 PAM3 신호 방식을 통해 그래픽 D램 중 업계 최고 속도인 40Gbps를 구현했으며, 사용 환경에 따라 최대 42.5Gbps까지 성능을 자랑한다. PAM3 신호 방식이란 '-1'과 '0' 그리고 '1'로 신호 체계를 구분해 1주기마다 1.5비트 데이터를 전송하는 방식이다. 삼성전자는 이번 제품부터 저전력 특성이 중요한 모바일 제품에 적용되는 기술들을 도입해 전력 효율을 30% 이상 크게 개선했다. 제품 내 불필요한 전력 소모를 줄이는 클럭(Clock) 컨트롤 제어 기술과 전력 이원화 설계 등을 통해 제품의 전력 효율을 극대화했다. 또한 고속 동작 시에도 누설 전류를 최소화하는 파워 게이팅 설계 기법을 적용해 제품의 동작 안정성도 향상됐다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 부사장은 "삼성전자는 작년 7월 '16Gb GDDR7 D램'을 개발한데 이어 이번 제품도 업계 최초로 개발에 성공해 그래픽 D램 시장에서의 기술 리더십을 공고히 했다"며 "AI 시장의 빠른 성장에 발맞춰 고용량∙고성능 제품을 지속 선보이며 시장을 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 이번 24Gb GDDR7 D램을 연내 주요 GPU 고객사의 차세대 AI 컴퓨팅 시스템에서 검증을 시작해, 내년 초 제품을 상용화할 계획이다.

2024.10.17 08:44장경윤

삼성, 1a D램 재설계 고심…HBM 경쟁력 회복 '초강수' 두나

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 위기를 맞았다. 반도체를 비롯해 가전, MX, SDC 등 전 사업부가 난항을 겪고 있지만, 주력 사업인 메모리 분야가 올 3분기 호황 사이클에서도 빛을 발하지 못했다는 점이 특히 뼈아프다. 그 중에서도 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대한 시장의 실망감은 컸다. 삼성전자는 당초 엔비디아향 HBM3E 공급을 올해 3분기부터 본격화하기 위한 물밑 작업을 진행해 왔다. 그러나 아직까지 8단 제품의 퀄 테스트도 통과하지 못한 상황이며, 12단의 경우 내년 2·3분기까지 지연될 가능성이 농후하다. 삼성전자의 HBM 사업화 지연에는 복합적인 이유가 작용한다. 그러나 근본적으로 HBM의 문제는 코어(Core) 다이인 D램의 문제라는 게 전문가들의 지적이다. 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 연결하는 HBM 구조 상, D램의 성능이 HBM 성능으로 직결될 수밖에 없다. EUV 선제 적용했지만…1a D램 경쟁력 흔들 이러한 관점에서 삼성전자가 D램 기술력 1위의 지위가 크게 흔들린 시점은 '1a D램' 부터로 지목된다. 10나노급 D램은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대) 순으로 진화해 왔다. 1a D램은 선폭이 14나노미터(nm) 수준이다. 삼성전자의 경우 지난 2021년 하반기부터 양산을 시작했다. 삼성전자는 1a D램을 경쟁사 대비 빠르게 양산하지는 못했으나, EUV(극자외선) 등 첨단 기술을 더 적극적으로 도입하는 방식으로 경쟁력을 높이고자 했다. 삼성전자가 1a D램에 적용한 EUV 레이어 수는 5개로, 경쟁사인 SK하이닉스(1개) 대비 많았다. 그러나 이 같은 시도는 현재로선 성공적인 결과로 이어지지 않았다는 평가가 지배적이다. EUV는 기존 노광(반도체에 회로를 새기는 공정) 공정인 ArF(불화아르곤) 대비 선폭 미세화에 유리하다. 때문에 공정 효율성을 높여, 메모리의 핵심인 제조 비용을 저감할 수 있다는 게 EUV가 지닌 장점이었다. 다만 EUV는 기술적 난이도가 높아, 실제 양산 적용 과정에서 공정의 안정성을 떨어뜨리는 요인으로 작용했다. 이로 인해 삼성전자 1a D램의 원가가 당초 예상대로 낮아지지 않았다. D램 설계 자체도 완벽하지 못했다는 평가다. 특히 서버용 제품 개발에서 차질을 겪어, 경쟁사 대비 DDR5 적용 시점이 늦어진 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 지난해 1월 인텔로부터 1a D램 기반의 서버용 DDR5 제품을 가장 먼저 인증받기도 했다. HBM 사업화 지연 속 '재설계' 논의…대변혁 시도하나 삼성전자가 최근 부진을 겪고 있는 엔비디아향 HBM3E 양산 공급에도 1a D램의 성능이 발목을 잡고 있다는 지적이 나온다. 최근 삼성전자는 평택캠퍼스에서 엔비디아와 HBM3E 8단 제품에 대한 실사를 진행한 바 있다. 엔비디아 측은 실사 자체에 대해 별 문제없이 마무리했다. 그러나 HBM의 데이터 처리 속도가 타 제품 대비 낮다는 평가를 내린 것으로 알려졌다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 삼성전자 HBM3E 8단의 데이터 처리 속도(Gbps)는 SK하이닉스·마이크론 대비 10%대 수준으로 떨어진다. 구체적인 수치는 테스트 결과 및 고객사에 따라 차이가 있으나, 1b D램을 활용하는 두 경쟁사 대비 성능이 부족하다는 데에는 이견이 없다. 이에 삼성전자는 전영현 부회장 체제 하에서 서버용 D램 및 HBM의 근원적인 경쟁력 회복을 위한 '초강수'를 고려하고 있다. 전 부회장은 최근 3분기 잠정실적 발표 후 사과문을 통해 "무엇보다, 기술의 근원적 경쟁력을 복원하겠다"며 "기술과 품질은 우리의 생명이며, 결코 타협할 수 없는 삼성전자의 자존심"이라고 언급했다. 또 "단기적인 해결책 보다는 근원적 경쟁력을 확보하겠다"며 "더 나아가, 세상에 없는 새로운 기술, 완벽한 품질 경쟁력만이 삼성전자가 재도약하는 유일한 길이라고 생각한다"고 했다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 최근 삼성전자는 1a D램의 회로 일부를 재설계(revision)하는 방안을 내부적으로 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 한 관계자는 "메모리 전략을 고심 중인 삼성전자가 1a D램을 재설계해야한다는 결론을 내놓고 있다"며 "다만 최종 결정은 나오지 않았고, 이를 위해서는 여러 위험 부담을 안아야하기 때문에 과감한 결단력이 필요한 상황"이라고 설명했다. 실제로 삼성전자가 1a D램을 재설계하는 경우, 제품이 완성되려면 최소 6개월 이상이 소요될 것으로 전망된다. 내년 2분기는 돼야 양산이 가능해지는 셈이다. 재설계가 문제없이 마무리 되더라도, 시장 상황을 고려하면 제품을 적기에 공급하기가 사실상 쉽지 않다. 또 다른 관계자는 "일정이 늦더라도 HBM3E 공급망 진입을 끝까지 시도하느냐, 아니면 HBM3E를 사실상 포기하느냐는 1a D램 개조 여부에 달려있다"며 "전영현 부회장도 이러한 문제점을 인식하고 있기 때문에, 조만간 구체적인 변화가 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

2024.10.15 16:55장경윤

SK하이닉스 창립 41주년..."HBM 1등 지키겠다"

SK하이닉스가 오늘(10일) 창립 41주년을 맞이하면서 뉴스룸을 통해 "41주년을 맞은 회사는 HBM 1등 리더십을 지키는 가운데, 차세대 반도체 시장에서도 주도권을 확보, 모든 제품이 AI의 핵심 동력으로 작동하는 'The Heart of AI' 시대를 선도해 나가고자 한다"고 다짐했다. 지난 1983년 반도체 사업을 시작한 SK하이닉스는 40년간의 끊임없는 노력과 혁신을 통해 '글로벌 No.1 AI 메모리 컴퍼니'로 도약했다고 자평했다. SK하이닉스는 AI 흐름이 본격화하기 전부터 고대역폭으로 대용량 데이터를 빠르게 전달하는 'HBM(High Bandwidth Memory)' 개발에 집중하며 내실을 다졌다. 특히 HBM2E를 통해 시장 주도권을 잡고 영향력을 확장했으며, AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC)에 최적화된 HBM3로 큰 주목을 받았다. 무엇보다 회사는 이 메모리를 엔비디아에 공급하며 AI 및 데이터센터 시장의 핵심 파트너로 자리매김했다. 2023년 SK하이닉스는 HBM 시장 점유율 50%를 달성하며, HBM 강자로서 위상을 확립했다. AI 메모리 시장에서 SK하이닉스의 위상은 올해도 이어졌다. 회사는 2023년 최고 성능의 'HBM3E(5세대)'를 개발했으며, 올해부터 글로벌 탑 IT 기업에 제품 공급을 시작했다. 초당 1.2TB(테라바이트)의 데이터를 처리하는 이 제품으로 SK하이닉스는 글로벌 No.1로서의 입지를 더욱 확고히 다졌다. ■ 15년 갈고 닦은 HBM 기술력과 Next HBM SK하이닉스의 'HBM 성공신화'는 2009년으로 거슬러 올라간다. 당시 회사는 TSV(Through Silicon Via)와 WLP(Wafer Level Packaging) 기술이 메모리 성능의 한계를 극복해 줄 것으로 판단하고 본격적인 개발에 착수했다. 그로부터 4년 후, 이 기술을 기반으로 한 고대역폭 메모리, 1세대 HBM을 출시했다. HBM이 널리 쓰일 만큼 고성능 컴퓨팅 시장이 무르익지 않았기 때문이다. 그럼에도 SK하이닉스는 멈추지 않고 후속 개발에 매진했다. 목표는 '최고 성능'이었다. 이 과정에서 회사는 열 방출과 생산성이 높은 MR-MUF(Mass Reflow Molded UnderFill) 기술을 HBM2E에 적용해 시장 판도를 바꿨다. 이후 얇은 칩 적층, 열 방출, 생산성이 모두 탁월한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술을 개발해 HBM3와 HBM3E에 적용했다. 이 기술을 바탕으로 2023년에는 HBM3 12단(24GB)을, 2024년에는 HBM3E 12단(36GB) 양산까지 성공하며 '업계 최고 성능'이란 신기록을 잇달아 달성했다. ■ PIM, CXL, AI SSD 등 AI 메모리 라인업 강화 SK하이닉스는 40년간 축적해 온 기술력을 바탕으로 다양한 AI 메모리를 개발하는 중이다. 올해는 PIM, CXL, AI SSD 등으로 라인업을 더욱 강화하며 르네상스의 원년을 만들어가고 있다. AI 메모리 발전은 자율주행, 헬스케어 등 더욱 다양한 산업에 적용되어 더 빠르고 효율적인 AI 서비스를 제공할 것으로 전망된다. PIM(프로세싱 인 메모리)은 저장과 연산의 경계를 허문 혁신 제품으로, AI 연산에 필요한 데이터를 생성하고 전달하는 역할을 한다. SK하이닉스는 자사 PIM 제품인 'GDDR6-AiM(Accelerator-in-Memory)'을 이미 출시한 바 있고, 이 제품 여러 개를 연결해 성능을 높인 가속기 카드 'AiMX(AiM based Accelerator)'도 지난해 선보였다. 올해는 용량을 2배 늘린 AiMX 32GB 제품을 공개하며 업계의 주목을 받았다. 또한, SK하이닉스는 CXL(컴퓨트 익스프레스링크)에도 적극 투자하고 있다. CXL은 CPU, 메모리 등 장치별로 다른 인터페이스를 통합하는 기술이다. 이를 활용하면 메모리 대역폭과 용량을 쉽게 확장할 수 있다. 회사는 올해 5월 DDR5 대비 50% 넓은 대역폭, 100% 늘어난 용량을 제공하는 'CMM(CXL Memory Module)-DDR5'를 선보였다. 9월에는 CXL 최적화 소프트웨어인 'HMSDK'의 주요 기능을 오픈소스 운영체제 리눅스(Linux)에 탑재해 CXL 기술 활용의 표준(Standard)을 정립했다. SK하이닉스는 "미래를 현실화하기 위해 기술적 한계를 끊임없이 극복해 나가고 있다"라며 "다변화한 AI 서비스에 발맞춰 각 고객에 최적화된 맞춤형 AI 메모리를 개발하는 데 집중하고 있고, 혁신 소자 기반의 차세대 이머징 메모리 또한 개발 중이다"고 밝혔다. 이어서 "기술 개발에 끊임없이 투자해 보다 앞선 기술로 차별화된 경쟁력을 확보하고 미래 시장에서의 우위도 확보하겠다"고 강조했다.

2024.10.10 10:44이나리

'HBM 부진' 인정한 삼성전자, 설비투자 눈높이도 낮춘다

삼성전자가 내년 말 HBM(고대역폭메모리)의 최대 생산능력(CAPA) 목표치를 당초 월 20만장에서 월 17만장 수준으로 하향 조정한 것으로 파악됐다. 최선단 HBM의 주요 고객사향 양산 공급이 지연되는 현실에 맞춰 설비투자 계획 또한 보수적으로 접근하려는 것으로 보인다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 내년도 말까지 확장하기로 한 HBM의 최대 생산능력 목표치를 10% 이상 낮출 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM의 생산능력을 확대하기 위해서는 이 TSV를 비롯한 첨단 패키징 설비가 필요하다. 지난 2분기까지만 해도 삼성전자는 HBM의 생산능력을 올해 말 월 14만~15만장으로, 내년 말 최대 월 20만장으로 늘리는 계획을 세웠다. SK하이닉스 등 주요 경쟁사가 HBM 생산량을 늘리는 데 따른 대응 전략, 엔비디아 등 주요 고객사향 퀄(품질) 테스트가 곧 마무리될 것이라는 긍정적인 전망 등을 반영한 결과다. 그러나 올 하반기 들어 상황이 변했다. 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 8단 및 12단 제품의 엔비디아향 퀄 테스트 통과가 당초 예상보다 지연되면서, 삼성전자는 올 연말 HBM 생산량 계획을 보수적으로 조정했다. HBM용 설비투자도 현재 상황을 반영해 안정적으로 잡았다. 내년 말까지 HBM 생산능력 목표치를 월 20만장에서 월 17만장으로 줄이고, 월 3만장 수준의 축소분은 추후에 투자하는 것으로 방향을 바꾼 것으로 파악됐다. 용량 기준으로는 내년 말까지의 HBM 생산능력이 130억대 후반 Gb(기가비트)에서 120억Gb 수준으로 낮아진 셈이다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 HBM 사업 부진에 따라 설비투자 속도를 늦추기로 한 것으로 안다"며 "향후 엔비디아향 양산 공급이 확정돼야 추가 투자에 대한 논의가 진행될 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "HBM3E 8단을 3분기 중 양산 공급하고, 12단은 여러 고객사의 양산 일정에 맞춰 하반기 공급할 예정"이라고 밝힌 바 있다. HBM 매출에서 HBM3E가 차지하는 비중도 3분기 10%, 4분기 60%로 빠르게 늘어날 것으로 내다봤다. 그러나 이 같은 전망은 엔비디아향 퀄 테스트 지연으로 사실상 달성이 어려워진 상황이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 마무리하는 등 진전을 이루기도 했으나, 여전히 확실한 성과는 나오지 않았다. 이에 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적 발표에서 "HBM3E의 경우 예상 대비 주요 고객사향 사업화 지연"을 공식화하기도 했다.

2024.10.10 10:07장경윤

삼성전자, 엔비디아향 HBM3E 공급 '칠전팔기'…평택서 실사 마무리

삼성전자와 엔비디아가 최근 진행된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 관련 실사(Audit)를 차질없이 마무리한 것으로 파악됐다. 제품의 양산 공급이 당초 예상보다 늦어지는 가운데, 기존 제기된 품질 문제를 해결했다는 점에서 긍정적인 평가가 나온다. 다만 이번 실사는 HBM 공급을 위한 중간 과정으로, 최종적인 퀄(품질) 테스트로 직결되는 사안은 아니다. 때문에 양사 간 HBM3E 사업 전망에 대해서는 조금 더 지켜봐야 한다는 의견도 적지 않다. 2일 업계에 따르면 엔비디아는 지난달 말 삼성전자 평택캠퍼스를 찾아 HBM에 대한 실사를 진행했다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "엔비디아가 최근 평택캠퍼스를 방문해 8단 HBM3E에 대한 실사를 진행했다"며 "최근 대두됐던 HBM 품질 문제는 이번 실사에서 해결이 된 것으로 가닥이 잡혔다"고 설명했다. HBM3E는 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 8단 및 12단 제품을 엔비디아에 공급하기 위한 퀄 테스트를 지속해 왔다. 당초 업계에서는 8단 제품이 8~9월 결과가 나올 것으로 예상해 왔으나, 공식적인 퀄 승인은 아직 나오지 않은 상황이다. 주로 전력(파워) 미흡이 발목을 잡은 것으로 알려졌다. 실사는 고객사가 제조사의 팹을 방문해 양산 라인 및 제품 등을 점검하는 행위다. 업계에서는 퀄 테스트 통과 이전에 거쳐야 하는 관례적인 수순으로 본다. 이번 실사로 삼성전자는 8단 HBM3E에 대한 내부적인 양산 준비를 차질없이 완료할 수 있을 것으로 관측된다. 다만 실사는 엔비디아향 퀄 테스트 결과와는 무관하다. 퀄 테스트에서는 HBM 자체만이 아니라 시스템반도체와 결합되는 패키징 단계에서의 수율·성능 등을 추가로 검증해야 한다. 때문에 삼성전자 HBM3E가 엔비디아의 고성능 AI 가속기인 'H200'·'B100' 등에 곧바로 대량 공급될 가능성은 현재까지 조금 더 두고 봐야한다는 분석된다. 이보다는 저가형 커스터머 칩 등 비(非) 주력 제품에 먼저 적용되는 방안이 유력하다는 게 업계 전언이다. 실제로 삼성전자는 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 H200에서 성능을 낮춘 'H20' 칩에 올해 HBM3를 공급한 바 있다. 업계 한 관계자는 "가장 최근 진행된 실사에서 HBM3E의 품질 문제를 해결한 것은 긍정적인 신호"라면서도 "본격적인 양산 공급을 위한 최종 퀄 테스트 통과는 지속 연기돼 온 만큼, 실제 영향은 조금 더 지켜봐야 한다"고 설명했다.

2024.10.02 15:13장경윤

HBM 공급 자신감…SK하이닉스·마이크론 주가로 답했다

고대역폭메모리(HBM) 수요 강세가 이어지면서 주요 공급 업체인 SK하이닉스와 마이크론의 주가가 전날에 이어 27일 급격한 상승세를 보이고 있다. 삼성전자 또한 소폭 오름세를 보였다. 마이크론은 현지시간 26일(한국시간 27일 새벽) 뉴욕증시에 전날 보다 14.73% 급등한 109.88달러(14만4천711원)에 거래를 마쳤다. 마이크론 주가가 100달러선을 넘은 것은 지난 8월 23일 이후 한 달여만이다. 이날 장중 상승폭은 20%까지 확대되기도 했다. SK하이닉스의 주가도 크게 올랐다. 26일 SK하이닉스의 주가는 전일 대비 9.44% 오른 18만900원에 장을 마쳤다. 27일 오후 1시 5분 기준으로 전날보다 2.43% 오른 18만5300원을 기록 중이다. 삼성전자의 주가는 26일 전날보다 4.02% 상승한 6만4700원으로 장을 마감했고, 27일 같은 시간 기준으로 전날보다 0.15% 오른 6만4800원을 나타내고 있다. 메모리 업계의 주가가 오른 배경은 마이크론이 시장 예상을 뛰어넘는 깜짝 실적을 냈기 때문이다. 최근 모건스탠리, BNP파리바 등 주요 투자은행이 HBM 공급과잉을 주장하는 비관론을 내놓았지만, 마이크론은 'HBM 완판'을 소식을 전하며, 반도체 겨울론을 뒤집었다. 26일(현지시간) 마이크론은 2024 회계연도 4분기(~8월 29일) 매출이 77억5천만 달러(약 10조3천400억원)로 전년 대비 93%, 직전 분기 대비 14% 증가했고, 영업이익은 17억4천500만 달러(약 2조3천300억원)로 직전 분기보다 85% 늘었다. 이는 4분기 실적 중 10년 만에 가장 좋은 분기별 매출 성장률을 달성한 것이다. ■ AI 반도체 성장 속에 'HBM 수요 강세' 이어져 일부 투자은행의 우려와 달리 AI 반도체 성장 속에 HBM 수요 강세는 지속될 전망이다. 4분기 실적발표 이후 컨퍼런스콜에서 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "HBM은 올해는 물론 2025년 물량까지 완판됐다”며 “HBM 수급 상황은 걱정할 필요가 없다"고 강조했다. 그는 이어 "강력한 AI 수요가 데이터센터용 D램과 HBM 판매를 주도하고 있기에 다음 분기에도 기록적인 매출을 올릴 것"이라고 말했다. 로이터통신은 26일 AJ벨의 댄 코츠워스 투자 분석가를 인용해 "엔비디아를 포함한 고객들이 마이크론의 HBM 칩을 얻기 위해 줄을 서고 있는 것을 보면, AI 열풍이 아직 끝나지 않았다는 것이 분명하다"고 진단했다. 시장조사업체 트렌드포스는 보고서를 통해 "HBM의 올해 연간 성장률은 200%를 넘어설 전망이고, 내년 HBM 소비는 올해 보다 2배가 될 것으로 예상된다"며 "내년 신제품 블랙웰 울트라 등이 출시되면, 엔비디아의 HBM 조달율은 70%를 넘을 전망이다"고 말했다. 트렌드포스는 고가의 HBM의 판매 확대로 인해 D램 평균가격은 올해 전년 보다 53% 상승, 내년에는 35% 상승할 것으로 예상했다. 이로 인해 올해 전체 D램 매출은 전년 보다 75% 증가한 907억 달러, 내년에는 전년보다 51% 증가한 1천365억 달러를 기록할 것으로 보인다. ■ 1등 SK하이닉스 세계 최초 HBM3E 12단 양산...TSMC·엔비디아 동맹 강조 마이크론이 실적을 발표한 날, HBM 1등 SK하이닉스는 세계 최초로 HBM3E 12단 양산을 발표하면서 HBM 시장에 대한 기대감을 높였다. SK하이닉스의 HBM3E 12단은 연내에 엔비디아에 공급될 예정이다. HBM3E 12단은 B200A, GB200A 등 엔비디아의 최첨단 고성능 AI 반도체에 들어갈 전망이다. 지난 3월 HBM3E를 엔비디아에 납품한지 약 6개월 만이다. 또 이날 SK하이닉스는 대만 TSMC가 미국 캘리포니아에서 개최한 'OIP 에코시스템 포럼 2024'에 참가해 HBM3E 12단과 엔비디아 'H200'을 나란히 공동 전시하며, '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. 이는 AI 반도체 1위인 엔비디아의 주요 고객사란 점을 강조한 것으로 해석된다. 마이크론과 삼성전자의 HBM3E 12단 제품이 엔비디아의 퀄(품질) 테스트를 통과할지도 주목된다. 마이크론은 이달 초 자사의 홈페이지를 통해 HBM3E 12단 샘플을 주요 고객사에 제공했다고 밝혔다. 김형태 신한증권 연구원은 "마이크론은 HBM3E 12단을 내년 1분기에 고객사에 공급이 예상되며, 내년 2분기부터 12단 제품이 주력 제품으로 자리잡을 전망이다"고 말했다. 이달 초 트렌드포스는 "삼성이 (SK하이닉스, 마이크론에 비해) 다소 늦게 뛰어들었지만, 최근 HBM3E 인증을 완료하고 H200용 HBM3E 8단 제품의 출하를 시작했다"고 밝힌 바 있다. 예상대로 HBM3E 8단 제품이 출하를 시작했을 경우 HBM3E 12단 제품의 퀄테스트 통과도 탄력을 받을 것으로 보인다. 삼성전자는 지난 7월 2분기 컨콜에서 HBM3E 8단 제품을 올해 3분기 내 양산해 공급을 본격화하고, 12단 제품도 하반기에 공급한다는 로드맵을 제시한 바 있다.

2024.09.27 15:11이나리

파네시아, 세계 최초 'CXL 3.1 스위치 활용 AI 클러스터' 공개

국내 팹리스 스타트업 파네시아가 '2024 OCP 글로벌 서밋' 세계 최초로 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 3.1 스위치를 탑재한 AI 클러스터를 공개해 글로벌 고객사 확장에 나선다, 2024 OCP 글로벌 서밋은 세계 최대 규모의 데이터센터 하드웨어 개발 협의체인 OCP가 주최하는 행사로, 10월 15일부터 17일까지 미국 캘리포니아 산호세에서 진행된다. 파네시아는 CXL 스위치 SoC 및 CXL IP(설계자산)를 개발한다. CXL 스위치는 CPU, 메모리, 가속기 등 여러 시스템 장치들을 연결하고 이들 사이의 종단간(end-to-end) 통신을 관리하는 핵심 장치다. 파네시아는 이번 2024 OCP 글로벌 서밋 전시회에서 'CXL 탑재 AI 클러스터'를 출품할 예정이다. 파네시아의 CXL 탑재 AI 클러스터는 'CXL-메모리 노드'와 'CXL-GPU 노드'가 연결된 형태인데, 이 중 'CXL 메모리 노드'에는 CXL 메모리 확장장치가 다수 장착돼 대용량 메모리를 제공한다. 'CXL-GPU 노드'에는 CXL-GPU 장치가 집약적으로 장착되어 AI 연산을 가속한다. 클러스터에 장착된 다수의 CXL 장치에는 모두 파네시아가 개발한 고성능 CXL IP가 내재된다. 이 CXL IP는 장치들 간의 통신 과정을 최적화해 성능 저하 없는 메모리 확장을 가능케 한다. 뿐만 아니라 파네시아 CXL 3.1 스위치는 기존 CXL 2.0 스위치와 달리 고확장성 기능을 지원해 여러 노드(서버) 간의 연결이 가능하다. 파네시아 관계자는 "CXL 3.1 스위치가 포함된 AI 클러스터는 세계 최초로 공개되는 것이며, AI 가속 솔루션인 CXL-GPU가 포함된 온전한 시스템 또한 파네시아가 세계 최초로 개발한 것"이라고 강조했다. 파네시아의 CXL 3.1 스위치 칩은 내년 하반기 고객사들에게 공급될 예정이다. 아울러 파네시아는 CXL 탑재 AI 클러스터를 활용한 RAG(Retrieval-Augmented Generation) 가속 데모를 세계 최초로 공개한다. RAG은 챗GPT를 개발한 오픈AI가 개발하는 차세대 LLM (대규모 언어 모델)의 한 형태로, 기존 LLM이 가지고 있던 고질적인 문제인 '환각현상'을 극복한 최신 AI 응용이다. 파네시아 관계자는 "CXL 3.1 스위치와 고성능 CXL IP를 활용하면 수십, 수백대의 장치들을 연결할 수 있어 RAG와 같은 최신 AI 응용들을 데이터센터 수준에서 효과적으로 가속할 수 있다"며 "이번 OCP 글로벌 서밋 출품을 통해 기존 협업을 진행하던 글로벌 기업들과의 관계를 확고히 다지고, 새로운 고객사를 확보할 계획이다"고 밝혔다.

2024.09.27 10:13이나리

SK하이닉스, TSMC 포럼서 HBM3E·엔비디아 H200 나란히 전시...동맹 강조

SK하이닉스가 25일(미국시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 TSMC OIP 에코시스템 포럼 2024(이하 OIP 포럼)에서 HBM3E와 엔비디아 H200 칩셋 보드를 함께 전시해 TSMC와 전략적 파트너십을 강조했다. 아울러 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(이하 DDR5 RDIMM(1cnm))을 세계 최초로 공개해 주목을 받았다. OIP는 TSMC가 반도체 생태계 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다. TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 미국, 일본, 대만 등 세계 각국에서 OPI 행사를 개최한다. SK하이닉스는 올해 처음으로 이 행사에 참여했다. 'MEMORY, THE POWER OF AI'를 주제로 ▲글로벌 No.1 HBM ▲AI·데이터센터 솔루션 등 두 개 섹션을 꾸리고 HBM3E, DDR5 RDIMM(1cnm), DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리를 선보였다. 특히 글로벌 No.1 HBM 섹션에서는 'HBM3E'와 엔비디아 'H200'을 공동 전시하며 '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. 'HBM3E 12단'은 36GB(기가바이트) 용량과 초당 1.2TB(테라바이트) 속도를 자랑하는 AI 메모리다. 성능 검층을 마친 HBM3E 12단은 H200의 성능을 크게 향상시킬 것으로 기대된다. AI/데이터센터 솔루션 섹션에서는 'DDR5 RDIMM(1cnm)' 실물을 처음으로 공개해 많은 관심을 모았다. DDR5 RDIMM(1cnm)은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 낸다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대를 모은다. 이외에도 회사는 128GB 용량 및 초당 8.8Gb 속도의 'DDR5 MCRDIMM*'과 256GB 용량 및 초당 6.4Gb 속도의 'DDR5 3DS RDIMM' 등 고성능 서버용 모듈을 전시했다. 또, LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 'LPCAMM2', 세계 최고속 모바일 D램 'LPDDR5T' 등 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품과 함께 차세대 그래픽 D램 'GDDR7'까지 선보였다. MCRDIMM은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품이다. 이병도 SK하이닉스 TL(HBM PKG TE)은 'OIP 파트너 테크니컬 토크' 세션에서 "TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 계획"이라고 설명했다. 한편, SK하이닉스는 이번 행사를 'AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리'라고 평가했다. 회사는 앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침이다.

2024.09.26 15:57이나리

SK하이닉스, 12단 HBM3E 세계 첫 양산…엔비디아 공략 속도

SK하이닉스가 현존 HBM(고대역폭메모리) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM3E는 5세대 제품에 해당된다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다. 회사는 양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한지 6개월만에 또 한번 괄목할 만한 성과를 거뒀다. SK하이닉스는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어HBM3E까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업”이라며 "높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 강조했다. 회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다. 우선 회사는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다. 회사는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV(실리콘관통전극) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. 여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. 회사는 자사 핵심 기술인 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 기술이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 우수해 안정적인 HBM 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 “당사는 다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.

2024.09.26 09:57장경윤

마이크론, '반도체 겨울' 전면 반박…"내년 HBM 등 성장"

미국 반도체기업 마이크론이 증권가 컨센서스를 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 시장이 약세를 보일 것이라는 우려를 뒤집은 것으로, 회사는 내년에도 고대역폭메모리(HBM) 등이 견조한 성장세를 거둘 것이라고 전망했다. 마이크론은 2024 회계연도 4분기(6~8월) 77억 5천만 달러 매출을 기록했다고 26일 발표했다. ■ D램·낸드 모두 호조세…어닝 서프라이즈 기록 이번 분기 매출은 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 93% 증가한 수치다. 이로써 마이크론의 2024 회계연도 전체 매출은 251억 달러로, 작년에 비해 62% 증가한 것으로 집계됐다. 4분기 매출도 시장 예상치를 크게 웃돌았다. 최근 증권가에서는 마이크론의 이번 분기 예상 매출액을 76억6천만 달러 수준으로 하향 조정한 바 있다. 인공지능(AI)을 제외한 범용 메모리 수요 부진, 중국 후발주자들의 생산량 확대 등이 주요 근거였다. 그러나 마이크론은 예상보다 견조한 매출을 달성했다. 해당 분기 주당 순이익(비GAAP 기준)도 1.18달러로 마이크론 및 증권가의 예상치였던 1.11달러를 모두 넘어섰다. 산제이 메흐로트라 최고경영자(CEO)는 "강력한 AI 수요가 서버용 D램과 HBM 등의 성장을 견인했고, 낸드 분야도 서버용 eSSD 매출이 처음 10억 달러를 돌파하는 등 호조세를 보였다"며 "2025 회계연도에도 기록적인 매출을 예상한다"고 밝혔다. 마이크론이 제시한 2025 회계연도 1분기(2024년 9~11월) 매출 전망치는 85억~89억 달러다. 시장 예상치였던 83억 달러를 넘어서는 범위다. 주당순이익도 시장 예상치인 1.52달러를 웃도는 1.68~1.82달러의 전망을 제시했다. 이외에도 마이크론은 EUV(극자외선) 공정 기반의 최선단 D램 시생산이 순조롭게 진행 중이며, 현재 1b(5세대 10나노급 D램), 9세대 낸드 생산 비중이 급증하고 있음을 강조했다. ■ HBM 등 메모리 공급 과잉 우려 '일축' 최근 모건스탠리, BNP파리바 등 해외 주요 증권사들은 메모리 시장에 '겨울'이 오고 있다는 의견을 내놨다. D램 가격이 내년 하락세로 전환하고, HBM 시장도 과잉 공급 체제로 기울 것이라는 게 핵심 근거였다. 그러나 마이크론은 향후 메모리 및 HBM 시장 전망에 대해 긍정적인 견해를 내비쳤다. 마이크론은 HBM 매출이 2023 회계연도 40억 달러 수준에서 2025 회계연도 250억 달러까지 성장할 것으로 내다봤다. HBM이 D램에서 차지하는 비중도 비트(Bit) 기준 1.5%에서 6%로 성장할 것으로 예상했다. 메모리 공급 전망에 대해서는 "올해 D램과 낸드 업계의 웨이퍼 용량이 2022년 최고치를 기록했을 때보다 낮을 것"이라며 "HBM 비중 증가와 차세대 낸드 공정 전환 등으로 내년 메모리 업계의 공급·수요 균형은 건전할 것"이라고 밝혔다. 한편 2024 회계연도 마이크론의 설비투자 규모는 약 81억 달러를 기록할 전망이다. 2025 회게연도 설비 투자는 매출 대비 약 30% 중반대의 비율로 의미 있는 수준으로 높아질 것으로 예상했다. 해당 설비투자의 대부분은 미국 그린필드 팹과 HBM 분야에 집중된다.

2024.09.26 09:07장경윤

자율주행 산업서 '물리적 AI' 뜬다…삼성, 'LP-PIM'로 미래 준비

자율주행을 위한 AI 기술이 급속도로 발전하는 가운데, 삼성전자가 이를 위한 솔루션으로 'LPDDR-PIM(LP-PIM)'에 주목하고 있다. 해당 반도체는 메모리가 자체적으로 데이터를 연산해, 성능 및 전력 효율성을 높인 것이 특징이다. 25일 오전 여의도 국회의원회관에서는 'AI·모빌리티 신기술전략 조찬포럼'이 개최됐다. 이번 포럼은 정동영 더불어민주당 의원·최형두 국민의힘 국회의원이 공동 주최했다. 국내 미래기술의 발전을 위해 각계 전문가가 모여 트렌드를 분석하고, 정책 분석 및 제안을 논의하고자 마련됐다. 이날 '물리적(Physical AI)'와 모빌리티 융합을 위한 방안 제언'을 주제로 발표를 진행한 유재훈 삼성전자 마스터는 자율주행용 물리적 AI 기술의 고도화가 필요함을 강조했다. 물리적 AI는 실제 물리적 환경에서 센서와 구동기를 통해 작업을 수행하는 AI를 뜻한다. 자율주행을 비롯해 로봇, 드론 등이 대표적인 응용처다. 거대언어모델(LLM) 등 기존 AI 대비 더 뛰어난 실시간 의사 결정과 다양한 환경 변수 처리 성능이 요구된다. 유 마스터는 "젠슨 황 엔비디아 CEO도 올해 컴퓨텍스 행사에서 물리적 AI를 차세대 기술로 소개해 주목받은 바 있다"며 "향후 2~5년 내에 관련 기술의 생산성이 정상에 도달할 수 있을 것으로 전망된다"고 밝혔다. 물리적 AI를 구현하기 위해서는 ▲고성능 GPU 인프라 기반의 'AI 모델 학습' ▲가상 환경에서 AI 모델을 테스트하는 '시뮬레이션' ▲실제 환경에서 데이터를 처리하기 위한 '온디바이스 AI' 등 3단계가 중요하다. 특히 온디바이스 AI의 경우, 고효율 AI 가속기와 고성능 메모리가 필요하다. 이를 위한 솔루션으로 유 마스터는 LPDDR(저전력 D램) 기반의 PIM(프로세싱-인-메모리)를 제시했다. PIM은 메모리 반도체에서 자체적으로 데이터 연산 기능을 처리할 수 있도록 만든 반도체다. 메모리와 시스템반도체 간 데이터를 주고받는 과정을 생략하기 때문에 효율성이 높다. 삼성전자의 경우 LPDDR5-PIM을 개발해 기존 LPDDR 시스템 대비 성능은 4.5배, 전력효율성은 72% 향상됐음을 확인했다. 유 마스터는 "이는 작년에 공개한 성과로, 구체적으로 언급할 수는 없으나 성능을 지속 개선 중"이라고 말했다. 유 마스터는 이어 "차량용 칩이나 PIM 연구 개발에서 AI 반도체 핵심 인력을 확보하고 유지하는 것이 관건일 것"이라며 "국내로 복귀하는 인력에게 조세 혜택이나 세액공제를 제공하는 것도 방안이 될 것"이라고 덧붙였다. 이어진 토론 시간에서 채정석 현대자동차 상무는 "향후 자율주행 레벨이 높아지게 되면 칩 사이즈가 커지고, 이에 따라 수율 등 여러 문제점이 발생할 수 있다"며 "이는 원가 상승으로 연결되기 때문에, 칩 설계 관점에서 보완 기술을 준비해야 할 것"이라고 밝혔다. 하정우 네이버 AI Future센터장은 "AI 기술이 고도화되려면 계속해서 정보를 산출하고 고치는 과정이 필요한데, 이를 위해서는 양질의 데이터를 많이 확보하는 것이 중요하다"며 "현재의 LPDDR로는 용량이 부족해, 이를 개선하기 위한 연구개발이 있어야 한다고 생각한다"고 강조했다. 유 마스터는 이에 "데이터 용량 자체가 커져야 한다는 부분에 동감한다"며 "이러한 부분들에 주의하면서 연구를 진행하도록 할 것"이라고 답변했다.

2024.09.25 11:22장경윤

SK하이닉스, CXL 최적화 솔루션 '리눅스'에 탑재…SW 강화

SK하이닉스가 메모리 소프트웨어 경쟁력을 높인다. SK하이닉스는 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 메모리의 구동을 최적화해주는 자사의 소프트웨어인 'HMSDK'의 주요 기능을 세계 최대 오픈소스 운영체제 리눅스에 탑재했다고 23일 밝혔다. CXL은 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU, GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스다. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있다. HMSDK는 SK하이닉스 고유의 이종(異種) 메모리 소프트웨어 개발 도구로 CXL 메모리를 포함한 이종 메모리 시스템의 성능을 향상시켜준다. SK하이닉스는 “CXL메모리는 HBM을 이을 차세대 AI 메모리로 주목받는 제품으로, 당사는 자체 개발한 CXL 최적화 소프트웨어인 HMSDK의 성능을 국제적으로 인정받아 이를 세계 최대 오픈소스 운영체제인 리눅스에 적용하게 됐다”며, “HBM 등 초고성능 하드웨어 메모리뿐 아니라 소프트웨어 경쟁력도 인정받게 됐다는 데 큰 의미가 있다”고 강조했다 앞으로 리눅스를 기반으로 일하는 전세계 개발자들이 CXL 메모리를 이용할 때 SK하이닉스의 기술을 업계 표준(Standards)으로 삼게 돼, 회사는 향후 차세대 메모리와 관련한 글로벌 협력을 해나가는 데 있어 유리한 입지를 점하게 될 것으로 기대하고 있다. HMSDK는 기존 메모리와 확장된 CXL 메모리 간의 대역폭에 따라 차등적으로 메모리를 할당해 기존 응용 프로그램을 조정하지 않고도 메모리 패키지의 대역폭을 30% 이상 확장시켜 준다. 또, 이 소프트웨어는 자주 사용하는 데이터를 더 빠른 메모리로 옮겨주는 '접근 빈도 기반 최적화' 기능을 통해 기존 시스템 대비 성능을 12% 이상 개선시켜 주는 것으로 확인됐다. 반도체 업계는 올 하반기 중 'CXL 2.0' 규격이 적용된 첫 서버용 CPU가 시장에 출시되면서 CXL이 본격 상용화 단계에 접어들 것으로 보고 있다. 이에 맞춰, SK하이닉스도 96GB(기가바이트), 128GB 용량의 CXL 2.0 메모리에 대한 고객사 인증을 진행 중이며, 연말 양산을 계획하고 있다 SK하이닉스 주영표 부사장(소프트웨어 솔루션 담당)은 “거대언어모델(LLM)과 같은 AI의 발전과 확산을 위해서는 이제 반도체뿐 아니라 이를 뒷받침하기 위한 시스템 어플리케이션 수준도 크게 향상시켜야 한다”며, “당사는 이번 리눅스 탑재와 협업을 계기로, 기술 혁신과 이 분야 생태계 확장에 힘쓰면서 '토탈 AI 메모리 솔루션 기업'의 위상을 더욱 높이겠다”고 말했다.

2024.09.23 09:23이나리

삼성·SK '반도체 겨울' 보고서 논란…마이크론 실적 발표 주목

미국 마이크론이 곧 진행할 분기 실적발표에 업계의 이목이 쏠리고 있다. 모건스탠리가 최근 SK하이닉스를 중심으로 주요 메모리 제조 기업의 목표주가를 크게 하향조정하면서, 반도체 업계의 혼란이 가중되고 있기 때문이다. 모건스탠리가 내세운 주요 근거는 크게 범용 D램의 가격 하락세, 내년도 HBM 시장의 공급 과잉 등이다. 다만 업계에서는 모건스탠리의 주장이 과장됐다는 의견이 우세하다. 마이크론 역시 최근 실적발표에서 내년도 HBM 물량의 안정적인 공급 등을 강조한 바 있어, 이번 실적발표에서 어떠한 발언을 꺼낼지 귀추가 주목된다. 21일 업계에 따르면 미국 마이크론은 25일(현지시간) 2024 회계연도 4분기(6~8월) 실적발표를 진행할 예정이다. 마이크론은 D램에서 3위, 낸드에서 4~5위의 시장 점유율을 기록하고 있는 미국 주요 메모리 제조업체다. 특히 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업과 더불어 최선단 HBM(고대역폭메모리)를 제조할 수 있는 역량을 보유하고 있다. 때문에 마이크론의 실적 발표는 국내 메모리 업계의 동향을 미리 파악할 수 있는 지표로 활용돼 왔다. 특히 범용 메모리 및 HBM 시장에 대한 불확실성이 커진 지금, 마이크론의 매출 및 전망에 업계의 이목이 쏠리고 있다. 반도체 업계 관계자는 "최근 소비자용 IT 기기 수요 부진, 중국 후발 주자업체들의 진입 등으로 범용 D램 및 낸드에 대한 과잉 공급 우려가 커지고 있다"며 "이러한 상황에서 마이크론이 보수적인 설비투자 전략, HBM 시장 전망 등을 미리 언급한다면 업계의 불안도 상당 부분 줄어들 것"이라고 설명했다. 앞서 마이크론은 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 68억1천만 달러의 매출로 시장의 예상치 (66억7천만 달러)를 상회했다. 당시 마이크론은 "당사의 HBM은 2024년 및 2025년까지 이미 매진됐다", "2024년 산업의 D램과 낸드 공급은 모두 수요를 따라가지 못할 것", "DDR5 대비 웨이퍼를 3배나 소비하는 HBM의 생산량 증가가 D램 증가를 제한할 것"이라고 말하는 등 향후 시장 전망을 긍정적으로 발표한 바 있다. ■ 모건스탠리 '반도체 겨울'說 논란…마이크론 실적 발표 이목 집중 특히 모건스탠리는 지난 주 '겨울이 다가온다(Winter Looms)' 리포트를 발간하면서 메모리 시장이 당초 예상보다 부진할 것이라는 전망을 내놨다. 국내 SK하이닉스의 경우 투자 의견을 비율 확대(overweight)에서 비율 축소(underweight)로 두 단계 하향 조정했다. 목표 주가는 26만 원에서 12만 원으로 54% 낮췄다. 삼성전자의 목표주가도 10만5천 원에서 7만6천 원으로 27.6% 하향조정했다. 주요 근거는 ▲D램 가격의 내년 하락세 전환 전망 ▲내년 HBM 시장의 공급 과잉 우려다. 모건스탠리는 "AI향을 제외한 IT 수요 부진으로 D램 평균판매가격(ASP)이 올 4분기 고점을 찍고 내년 1분기부터 하락할 것"이라며 "HBM 시장도 내년 공급량이 250억Gb(기가비트)인 데 반해, 수요는 150Gb 수준으로 계약가격에 악영향을 미칠 것"이라고 밝혔다. 그러나 업계에서는 모건스탠리의 주장이 과도하다는 의견이 지속적으로 제기되고 있다. 김영건 미래에셋증권 연구원은 20일 리포트를 통해 "HBM3E 8단뿐 아니라 12단도 25년도 계약 물량에 대한 협의가 대부분 이뤄졌기 때문에 회사의 HBM 분야 영업이익은 올해 5조9천억원, 내년 10조7천억원으로 성장할 것"이라며 "설령 겨울이 오더라도 가장 돋보일 수 있다"고 밝혔다. 시장조사업체 트렌드포스는 "D램 가격이 최근 약세를 보이고는 있으나, 전반적인 평균판매가격은 내년까지 상승할 것으로 예상된다"며 "HBM 비중의 확대도 D램 시장을 안정화하는 데 일조하면서 내년 전망은 덜 비관적일 것"이라고 주장했다. 업계 관계자는 "마이크론도 최근 BNP파리바, 모건스탠리 등으로부터 목표 주가 하향 의견을 받고 있으나, HBM 공급 과잉 등에 대한 근거가 부족하다는 의견이 적지 않다"며 "가장 먼저 공식 발표를 앞둔 마이크론이 적극적인 대응을 펼칠 것으로 예상된다"고 말했다.

2024.09.21 08:00장경윤

Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next