• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 생활/문화
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
  • AI의 눈
ZDPick
인공지능
AI의 눈
IT'sight
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'AI 메모리'통합검색 결과 입니다. (328건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

"1GB 모델을 125MB로"…퀄컴, '1비트 AI'로 웨어러블 메모리 장벽 깬다

[마우이(미국)=지디넷코리아 전화평 기자] 퀄컴이 메모리 공간과 배터리 제약이 극심한 소형 웨어러블 기기용 메모리 절감 기술과 플랫폼 최적화 전략을 내놨다. 퀄컴은 24일(현지시간) 미국 하와이 마우이에서 열린 '스냅드래곤 서밋 2026' 퍼스널 인공지능(AI) 및 사운드 질의응답(Q&A) 세션에서 프리즘 ML(Prism ML)과 함께 개발한 '1비트 추론 엔진'을 해결책으로 제시했다. 이는 기존 8비트 AI 모델을 1비트로 양자화해 메모리 사용량을 8분의 1 수준(1GB 모델 기준 125MB)으로 대폭 축소하는 기술이다. 퀄컴은 압축에 따른 정확도 손실을 최소화해, 시각 장애인을 위한 주변 사물 인식 등 복잡한 멀티모달 AI 연산을 초소형 기기 내부에서 원활하게 구동할 수 있다고 설명했다. 플랫폼 경량화를 통한 원가 절감 방안도 도입했다. 기존에는 개발 편의를 위해 무거운 리눅스나 안드로이드 운영체제(OS)를 활용하면서 고용량 D램이 필요했다. 퀄컴은 이를 대체할 '스냅드래곤 사운드 앱스 앤 에이전트' 아키텍처를 선보이며 불필요한 D램 요구량을 줄였다. 동시에 필요에 따라 외부 메모리를 확장하거나 분산 처리를 지원하는 유연한 메모리 아키텍처도 적용했다. 앤드루 레이스터 퀄컴 수석 제품 매니저는 "새 아키텍처는 개발 편의성을 유지하면서도 기기 제조사의 메모리 비용과 제품 총원가를 획기적으로 낮출 수 있는 솔루션"이라며 "이를 통해 압도적인 전력 소비 절감 효과까지 얻을 수 있다"고 설명했다. 지아드 아스가르 퀄컴 수석 부사장은 "1비트 모델은 메모리가 극도로 제한된 소형 기기들이 자체적으로 훨씬 더 많은 AI 연산을 수행할 수 있는 강력한 무기"라며 "이러한 혁신이 스마트 안경을 비롯한 차세대 초소형 웨어러블 기기에서 마주했던 수많은 제약들을 실질적으로 해결할 것"이라고 강조했다.

2026.09.24 11:02전화평 기자

메모리값 고공행진에 유럽 PC 시장도 '위축'

유럽 PC 시장이 메모리 가격 상승 여파로 위축되고 있다. PC용 메모리 가격 상승률은 올해 1분기 이후 둔화됐지만 여전히 높은 수준이며 PC 출하량은 2분기와 3분기 초까지 감소세를 보였다. 22일(현지시간) 영국 시장조사업체 컨텍스트에 따르면 올 1분기 PC용 메모리 평균 가격은 전분기 대비 73% 상승했다. 2분기에는 가격 상승률이 20%로 낮아졌으며, 3분기 초에는 7%까지 둔화했다. 컨텍스트는 메모리 가격 상승률이 둔화하고 있지만 PC 시장의 수요에는 부담으로 작용하고 있다고 분석했다. 유럽의 IT 부서와 기업 구매자들이 연간 조달 한도 내에서 PC를 구매하는 만큼 추가적인 가격 상승을 흡수하기 어렵다는 설명이다. 컨텍스트는 "유럽의 IT 부서와 기업 구매자들은 추가적인 가격 인상을 감당할 수 없어 PC 교체 시기를 늦추고 있다"고 밝혔다. 이 같은 구매 지연은 PC 출하량 감소로 나타나고 있다. 제품군별로는 데스크톱의 감소폭이 두드러졌다. 2025년 출하량이 강했던 데 따른 기저효과까지 겹치면서 3분기 초 데스크톱 출하량은 전년 동기 대비 29% 감소했다. 노트북 출하량도 2분기까지 상대적으로 양호한 흐름을 보였지만 3분기 초에는 전년 동기 대비 10% 감소했다. 컨텍스트는 "PC 가격이 이미 높은 수준에 도달한 상황에서 추가 상승이 이어지고 있다"며 "2분기와 3분기 초에 관찰된 출하량 둔화가 일시적인 현상인지, 지속적인 수요와 가격 조정의 시작인지를 면밀히 지켜볼 필요가 있다"고 밝혔다.

2026.09.24 09:01권봉석 기자

"수율 따른 급 나누기 아니다"…퀄컴 익스트림 칩, 다이부터 달랐다

[마우이(미국)=지디넷코리아 전화평 기자] 퀄컴이 새롭게 선보인 최상위 모바일 프로세서 '스냅드래곤8 엘리트 익스트림 6세대'는 기본형인 엘리트 모델과 설계 밑단부터 완전히 다른 별개의 칩(Die)인 것으로 확인됐다. 반도체 업계 관행인 생산수율에 따른 급 나누기가 아니라, 제조 단계부터 에이전틱 인공지능(AI)과 극한의 성능을 위해 아예 다른 도면으로 빚은 쌍둥이 형제인 셈이다. 크리스 패트릭 퀄컴 수석부사장 겸 모바일 핸드셋 본부장은 23일(현지시간) 미국 하와이 마우이에서 열린 '스냅드래곤 서밋 2026' 모바일 Q&A 세션에서 "엘리트와 익스트림은 단순한 버전 차이가 아니라 물리적으로 매우 다른 다이(very different die)"라고 못 박았다. 두 칩셋은 오라이온(Oryon) 중앙처리장치(CPU)라는 동일한 설계 유전자(DNA)를 공유하지만, 그 외 확장 기능은 확연히 다르다. 익스트림 모델은 8K 60fps 동영상 촬영과 전문가용 APV·VVC 코덱을 독점 지원하며, 메모리 용량과 그래픽처리장치(GPU) 매트릭스 가속기 구성도 엘리트보다 크고 촘촘하게 설계됐다. 제조사(OEM)들이 플래그십 스마트폰 라인업을 구성할 때 원가를 최적화하고 타깃 소비자에 맞춰 유연한 선택을 할 수 있도록 두 가지 하드웨어 옵션을 제공한 것이다. 익스트림 모델이 엘리트와 구별되는 또 다른 특징은 '발열 제어'를 위한 독자 패키징 기술이다. 극한의 사양을 견뎌야 하는 익스트림에는 '오프셋 POP(Offset Package on Package)' 방식을 적용했다. 칩 위에 메모리를 곧바로 쌓아 올리는 기존 방식과 달리, 메모리를 위쪽 측면으로 비스듬히 엇갈리게 배치해 물리적 틈(창)을 만들었다. 이를 통해 고사양 게임이나 연산 시 다이에서 발생하는 열을 외부로 신속하게 방출해 스로틀링(성능 저하) 없이 최대 성능을 오랫동안 유지할 수 있다. 기본형인 엘리트 모델에는 기존의 전통적 POP 패키징을 그대로 적용했다. 퀄컴이 익스트림이라는 별도의 칩을 설계한 궁극적인 이유는 다가올 '에이전틱 AI' 시대에 대비하는 것이다. 에이전틱 AI 시대 명령은 "다음 휴가 계획을 세우고 예약해 줘"처럼 여러 작업을 동시에 수행해야 하는 복합 프롬프트(Compound prompt) 형태이기 때문이다. 비네쉬 수쿠마 퀄컴 제품 관리 부사장은 "복잡한 에이전트 작업을 병렬로 처리하려면 강력한 멀티 스레드가 필수"라며 "익스트림 모델은 엘리트 대비 훨씬 많은 스칼라 및 벡터 스레드를 탑재해 복합 명령을 1초 내에 완결할 수 있는 기초 체력을 갖췄다"고 설명했다. 패트릭 수석부사장은 "결국 클라우드의 추론 기능과 기기의 추론 기능이 결합된 하이브리드 형태가 나타날 것"이라며 "맥락을 생성하고 에이전트가 사용자와 친밀해지도록 하는 데 있어 기기(온디바이스)가 고유 역할을 수행한다는 점은 매우 분명하다"고 덧붙였다. 또한 듀얼 플래그십 전략에 따른 스마트폰 업체의 채택 전망에 대해 패트릭 수석부사장은 "제조사들이 자사의 기기 포트폴리오를 검토하며 두 칩셋을 혼합할지, 하나만 선택할지 결정하는 매우 건전한 조합(healthy mix)을 목격하고 있다"며 "서로 다른 폼팩터나 최종 사용자에게 제공하는 가치 특성을 강조하는 일부 제조사는 익스트림이 아닌 엘리트만을 기반으로 작업하는 등, 시장에서 두 칩셋의 혼합된 형태를 보게 될 것"이라고 밝혔다.

2026.09.23 16:54전화평 기자

삼성전자, 차세대 D램 'D0a' 로드맵 수정…하이브리드 본딩 앞당긴다

삼성전자가 차세대 D램 개발 전략을 수정했다. 기존 프로젝트성으로 개발되던 'B1b' 기술을 최근 정식 로드맵에 편입하고, 이를 첫 10나노미터(nm) 미만 D램인 'D0a'로 명명한 것으로 파악됐다. 당초 삼성전자 D0a은 수직트랜지스터(VCT) D램을 지칭하던 공정이었다. 대신 VCT D램은 'D0a-V'라는 별도 명칭으로 분류됐다. 삼성전자가 D0a의 명칭을 변경한 이유는 범용 D램 내 최첨단 패키징 도입을 앞당기기 위한 조치이다. B1b는 웨이퍼투웨이퍼(W2W) 하이브리드 본딩을 적용해 내부 집적도를 높이는 기술을 뜻한다. 사안에 정통한 관계자는 "당초 B1b는 연구개발은 되고 있었으나 삼성전자의 정식 로드맵에는 없던 공정이다. 이번 전략 수정으로 D0a에 편입된 것"이라며 "삼성전자가 B1b D램의 발빠른 상용화를 적극적으로 추진 중이란 의미"라고 설명했다. 삼성전자, D0a 명칭 VCT D램→B1b로 전환 23일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 차세대 D램 D0a의 개념을 기존 VCT D램에서 B1b로 전환했다. D램은 내부 회로선폭을 줄이는 방식으로 진화해 왔다. 가장 최근 상용화된 D램은 1c(6세대 10나노급)다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 차세대 제품인 1d(7세대 10나노급)는 10~11나노로, 사실상 마지막 10나노급 D램에 해당한다. 다만 이때 선폭은 실제 물리적인 수치가 아닌, 성능을 가늠하기 위한 마케팅 용어다. 첫 10나노 미만 D램인 D0a를 구현하기 위해 삼성전자는 다양한 기술적 변혁을 시도해왔다. 대표적 기술이 B1b다. B1b는 메모리 셀과 주변부 구동회로인 페리를 각각 다른 웨이퍼에 제조한 뒤 붙이는 기술이다. 페리 위에 셀을 얹는 구조다. 기존 셀과 페리를 한 웨이퍼에 모두 집적하는 방식 대비 셀을 밀도 있게 배치하는 데 유리하다. 셀과 페리에 각각 최적화된 공정을 적용할 수 있다는 점도 장점이다. B1b에는 W2W 하이브리드 본딩을 적용한다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 연결해 붙인다. 작은 돌기(범프)로 칩을 연결하는 기존 패키징 대비 칩 집적도와 성능을 높일 수 있다. 400단 이상 고적층 낸드에서도 W2W 하이브리드 본딩 채용이 본격화된다. W2W는 웨이퍼와 웨이퍼를 붙인다는 의미다. B1b 서두르는 이유…"VCT D램 도입엔 시간 더 필요" 삼성전자 D0a 공정으로 불리던 VCT D램은 파생격인 D0a-V로 변경됐다. VCT는 D램 셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 내부에 수평으로 배치되던 트랜지스터를 수직으로 세우는 기술이다. 트랜지스터 구조를 수직으로 변경하면 셀 면적을 줄일 수 있다. 기존 셀 면적은 가로·세로 기준 치수(F:Feature)를 곱해 6F²(스퀘어)였다. VCT 적용 시 이를 4F스퀘어로 변경 가능하다. 셀 면적이 작아지면 동일한 면적에 더 많은 셀을 집적할 수 있다. 다만 VCT D램은 기술적 난이도가 매우 높은 것으로 평가받는다. 트랜지스터를 수직으로 형성하기 위한 고종횡비 식각 기술, 셀 면적 감소에 따른 누설 전류 증가를 해결하기 위한 신소재 적용 등이 필요하다. 반면 B1b와 같은 W2W 하이브리드 본딩은 CMOS 이미지센서, 고적층 낸드 등 기존 반도체 제조공정에서 이미 양산 적용된 바 있다. 이에 삼성전자는 D0a 공정 구현의 우선 순위를 기존 VCT D램에서 B1b로 변경한 것으로 풀이된다. 또 다른 관계자는 "디자인 상으로 VCT보다 B1b가 상용화 허들이 더 낮아서, 업계에서는 B1b 기술 선제 도입이 유력한 것으로 보고 있다"며 "삼성전자 내부에서도 VCT보다 B1b 도입을 더 서두르는 분위기"라고 말했다. B1b, 차세대 AI 메모리 사업에도 큰 영향 B1b는 삼성전자의 차세대 고대역폭메모리(HBM) 사업에서도 큰 역할을 할 수 있다. 현재 삼성전자는 B1b를 차세대 AI 메모리에 적용하는 방안을 검토하고 있다. 현재 삼성전자는 오는 2029년께 HBM5 양산에 들어갈 것으로 예상된다. 전작인 HBM4E 대비 동작속도를 약 50% 이상 높이는 것을 목표로 제품을 개발하고 있다. 한편 B1b 기반 D0a D램이 실제 상용화 궤도에 오르는 시점은 빨라야 2년 후 정도로 추산된다. 업계는 구체적인 양산 투자 일정이 내년 중반께 확정될 것으로 보고 있다. 물론 VCT D램도 지속 병행개발되고 있다. 향후에는 B1b를 기반으로 VCT D램, 3D D램 등이 개발될 가능성도 있다는 게 업계의 평가다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 기술로, VCT D램 이후 도입될 제품이다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 "B1b는 궁극적으로 VCT D램이나 3D D램과 병행 적용될 것"이라며 "셀과 페리를 분리 제조할 경우 얻게되는 이점이 많아, 하이브리드 본딩은 하나의 플랫폼으로서 향후 D램 셀 아키텍처에 함께 적용될 것"이라고 설명했다.

2026.09.23 14:06장경윤 기자

삼성전자, 최신 퀄컴칩서 차세대 'LPDDR6' 업계 최초 검증 완료

삼성전자가 최근 퀄컴의 최첨단 모바일 칩셋 스냅드래곤8 엘리트 6세대에서 'LPDDR6' 검증을 완료했다. LPDDR6는 내년부터 본격 상용화 궤도에 오르는 차세대 저전력 메모리다. 삼성전자는 이번 검증을 통해 서버 및 엣지 AI 시장에서 D램 초격차를 유지할 수 있을 것으로 기대된다. 삼성전자는 자사 LPDDR6가 퀄컴의 최첨단 모바일 칩셋에서 검증을 완료했다고 23일 공식 블로그를 통해 밝혔다. LPDDR은 스마트폰, 서버 등에 탑재되는 저전력 D램이다. LPDDR6는 지난해 하반기 표준이 제정된 가장 최신 세대 규격에 해당한다. LPDDR6의 대역폭은 10.6~14.4Gbps로, 이전 세대(8.5~10.7Gbps) 대비 성능이 크게 향상됐다. 삼성전자는 최근 16GB 용량의 LPDDR6를 퀄컴의 최신 '스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대'에서 최대 10.7Gbps 속도로 업계 최초 검증하는 데 성공했다. 이번 성과는 초기 제품 개발 단계부터 이어져 온 삼성전자와 퀄컴 간 긴밀한 기술 협력을 바탕으로 이뤄졌다. 이를 통해 삼성 LPDDR6가 차세대 모바일 플랫폼의 요구 수준을 충족할 수 있음을 입증했으며, 양사는 고도화되는 온디바이스 AI 환경에 차세대 메모리 기술을 빠르게 접목할 수 있도록 협력을 이어가고 있다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "이번 검증으로 LPDDR6의 기술 경쟁력과 제품 완성도를 다시 한번 입증한 만큼, 향후 고객과 시장의 상용화 일정에 맞춰 고성능, 저전력 메모리 솔루션을 적기에 제공하고 차세대 AI 디바이스 시장을 선도해 나가겠다”고 말했다. 스마트폰 등 온디바이스 AI가 멀티모달 AI와 AI 에이전트로 고도화되면서, 업계에서는 고성능·저전력 LPDDR 수요가 확대되고 있다. 카운터포인트는 생성형 AI 스마트폰이 지난해 글로벌 스마트폰 출하량의 36%에서 2026년 45%, 2027년 52%로 확대돼 전체 스마트폰의 절반을 넘어설 것으로 전망했다. 실제로 스마트폰 출하량보다 메모리 탑재량이 빠르게 증가하는 추세다. 시장조사업체 옴디아 조사 결과 올해 1분기 글로벌 스마트폰 출하량은 전년 동기 대비 0.5% 증가한 반면, 스마트폰에 탑재된 전체 D램 용량은 6.1% 증가했다. 기기당 평균 D램 용량도 7.8GB에서 8.3GB로 5.5% 늘었다. 삼성전자는 이러한 시장 변화 속에서 글로벌 모바일 D램 시장 1위를 유지해 왔다. 옴디아에 따르면 올 1분기 삼성전자의 글로벌 모바일 D램 시장 점유율은 매출 기준 43%를 기록했다. 향후 LPDDR 시장에서는 LPDDR6 비중이 빠르게 확대될 전망이다. 옴디아는 전체 LPDDR 출하량 가운데 LPDDR6 비중이 2027년 3%에서 2028년 9%, 2029년 21%, 2030년 39%까지 확대될 것으로 내다봤다.

2026.09.23 10:40장경윤 기자

"中, 2030년 세계 메모리 생산 비중 20% 차지…韓도 '원팀' 필요"

세계 메모리 반도체 시장에서 중국 후발주자들의 생산능력 비중이 오는 2030년 20% 수준까지 확대될 것이라는 분석이 제기됐다. 21일 오전 서울 여의도 의원회관에서 열린 '대한민국 AI·반도체 메카프로젝트 지원을 위한 글로벌 반도체&AI 산업 세미나'에서 국내 반도체 생태계도 기업 간 경쟁 체제는 유지하되, 국가 인프라와 인재, 표준 등을 '원팀(One Team)'처럼 공동자산으로 활용해야 한다는 목소리가 나왔다. 中, 전체 메모리 생산서 향후 비중 20%…기술 진보도 빨라 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들이 주도하는 메모리 반도체 산업은 현재 글로벌 AI 인프라 투자에 따라 전례없는 호황을 맞고 있다. 테크인사이츠에 따르면 올해 메모리 전체 매출은 약 9000억 달러(한화 약 1247조원)로, 과거 최고치였던 전년 대비 4배 수준으로 예상된다. 주요 기업들의 영업이익률도 80%에 육박할 전망이다. 다만 중국 기업들이 메모리 시장을 본격적으로 공략하고 있어, 국내 기업들에게는 위험 요소로 작용하고 있다. 댄 킴 테크인사이츠 최고전략책임자(CSO)는 "중국은 정부 주도의 자본 투자로 사이클에 좌우되지 않는 막대한 투자를 집행 중"이라며 "전체 메모리 생산능력 중 중국이 차지하는 비중은 올해 10% 초반대에서 2030년 20%로 유의미한 수준까지 확대될 것"이라고 말했다. 대표적인 기업으로는 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT, 낸드 제조업체인 YMTC가 거론된다. 이들 기업은 단순한 설비투자 확대를 넘어, AI 인프라향 고부가 메모리도 매우 빠른 속도로 상용화하고 있다는 평가를 받고 있다. 특히 CXMT는 최근 차세대 모바일용 D램인 LPDDR6를 양산하기 시작한 것으로 알려졌다. 15나노미터(nm)급으로 알려진 'G5' 공정도 양산화했다. 고대역폭메모리(HBM)도 현지 서버 기업들과 지속적인 양산 검증을 거치고 있다. 中, 자체 완결형 AI 생태계가 강점…韓도 '원팀' 갖춰야 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 "중국은 자체적으로 완성형 AI 생태계를 가지고 있다는 것이 가장 큰 강점"이라며 "AI 칩 설계 기업과 시스템 기업, 대규모 수요의 내수 시장, 장비기업, 정부 정책 등이 모두 연결돼 있다"고 말했다. 다만 중국 기업들의 추격 속도를 단순히 공정 세대만으로 파악해서는 안 된다는 것이 전문가의 조언이다. 최 부사장은 "셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 면적을 축소해도 수율이 낮거나 전력효율성이 떨어지면 효용이 없다"며 "공정 세대 명칭보다는 적용 기술이나 양산 완성도를 봐야한다"고 강조했다. 국내 기업들은 고부가 AI 메모리 분야에서 탄탄한 양산 경험을 보유하고 있다. 테크인사이츠는 이를 토대로 한국 반도체 산업이 국가 차원의 'One AI 팩토리'를 구축할 필요가 있다고 주장했다. 최 부사장은 "삼성전자의 통합형 AI 플랫폼, SK하이닉스의 고객형 계층 메모리 등을 잘 발전시킴과 동시에, 소부장이 공정 고도화를 담당해야 한다"며 "동시에 학계 밎 정부가 개별 기업이 해결하기 어려운 부분을 해결해, 기업 간 간경쟁 속에서도 국가 인프라 및 표준을 공동 자산으로 만들어야 한다"고 말했다.

2026.09.21 16:52장경윤 기자

SK하이닉스 손자회사 솔리다임, 美 첫 낸드 공장 구축 추진

SK하이닉스의 낸드 손자회사 솔리다임이 미국에 첫 낸드 양산라인 구축을 검토 중인 것으로 19일 파악됐다. 현재 공장 부지, 투자 시점 등 세부 계획을 조율하는 단계다. 최근 인공지능(AI) 인프라 구축 확대로 낸드 수요가 폭증하는 만큼, 미국 현지 고객과 협력을 강화하기 위한 전략이란 풀이가 나온다. 최근 최태원 SK 회장이 그룹 차원에서 주도하는 미국 AI 투자 확대 기조와도 맞물린다. 솔리다임은 SK하이닉스가 지난 2021년 말 인텔 낸드플래시 사업부를 인수하면서 설립한 미국법인이다. 당시 전체 인수 규모는 90억 달러(당시 환율 기준 약 10조원)였다. 솔리다임은 중국 다롄에 1공장이 있고, 올 3분기부터 다롄 2공장 설비투자도 시작했다. 미국에는 본사와 연구개발(R&D) 센터만 있고 생산거점은 없다. 솔리다임이 미국 첫 생산거점 구축을 검토하는 지역은 미국 동부다. 현재 부지 선정과 생산품목, 양산시점 등을 세부적으로 논의 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "솔리다임이 미국 빅테크 기업의 AI 서버용 낸드 수요에 대응하기 위해 현지 양산라인 구축을 추진하고 있다"며 "고객들과 장기공급계약(LTA) 협의를 바탕으로 투자계획을 구체화할 것"이라고 전망했다. 그간 솔리다임은 AI 데이터센터용 쿼드레벨셀(QLC) 낸드 개발에 주력해 왔다. QLC는 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀 하나에 4비트를 저장하는 방식이다. 3비트를 저장하는 트리플레벨셀(TLC) 등 타 방식 대비 대용량 SSD 구현에 유리하다. 특히 엔비디아의 블랙웰·베라루빈 등 차세대 AI 플랫폼이 요구하는 낸드 용량이 급증하면서, 고용량 낸드 주문도 몰리고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 올 2분기 SK하이닉스(솔리다임 포함) 낸드 매출은 142억 7290만 달러(약 19조 8000억원)로 전 분기보다 89.5% 뛰었다. 솔리다임의 미국 투자는 SK그룹이 추진 중인 미국 내 투자 확대 기조와 맞물린다. 현재 SK그룹은 SK하이닉스의 미국 주식예탁증서(ADR) 상장과 현지 첨단 패키징 팹 구축에 이어, 추가 메모리 생산공장 구축 가능성도 열어두고 있다. 솔리다임 역시 나스닥에 기업공개(IPO)를 준비 중이다. 최태원 SK 회장도 지난 7월 미국 뉴욕에서 열린 SK하이닉스 ADR 상장 기념행사에서 "미국 인디애나주 첨단 패키징 시설 외에도 추가 투자를 검토하고 있다"며 "전력·용수·인력·공급망 등 여건이 갖춰지면 메모리 생산공장 건설도 가능하다"고 말한 바 있다. 최근에는 외신과 업계를 통해 SK하이닉스와 인텔의 미국 내 메모리 생산 협력설도 나온다. 최종 확정되려면 시간이 필요하지만, 미국 내 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 수요가 중장기적으로 지속 증가할 것으로 전망돼 실현 가능성은 있다는 게 업계 시각이다. 솔리다임 관계자는 미국 내 설비투자 계획과 관련해 "사업 경쟁력 강화를 위해 다양한 방안을 검토 중이나 확정된 바는 없다"고 밝혔다.

2026.09.18 13:44장경윤 기자

래티스반도체, AMD·알테라에 도전장...신규 FPGA 칩 성능·보안 강화

미국 래티스반도체가 인공지능(AI) 데이터센터 등 첨단 산업을 위한 신규 필드프로그래머블게이트어레이(FPGA)를 선보인다. AMD·알테라 등 경쟁사 대비 빠른 부팅 속도와 차세대 보안 기술을 탑재한 것이 특징이다. 현재 복수 고객을 상대로 샘플 공급을 추진 중이다. 래티스반도체는 지난 15일 온라인 간담회를 열고 신규 FPGA 하드웨어 및 설계 소프트웨어 제품을 공개했다. 래티스는 간담회에서 소형 FPGA 플랫폼 '래티스 넥서스(Lattice Nexus) 2'의 신규 제품 '마크(Mach)-N2'를 출시했다. FPGA는 엔지니어가 내부 회로 구조를 원하는 방식으로 바꿀 수 있는 반도체다. 반도체 샘플 검증부터 통신, 데이터센터, 차량 등 등 다양한 산업에서 활용되고 있다. 마크-N2는 전 세계 사이버 공격이 증가하는 추세에 맞춰 래티스가 내놓은 비휘발성 보안 제어 FPGA다. 최대 7.8Gbps 데이터 통신 인터페이스(MIPI D-, C-PHY)를 지원하며, 저전력에서 2배 더 빨라진 프로그래머블 패브릭 속도를 갖췄다. 업계 선도적인 보안 기술도 적용했다. 마크-N2는 암호화 유연성을 비롯해, 양자 컴퓨터 공격에 저항하는 암호화 알고리즘 '양자내성암호(PQC)'를 지원한다. 부팅 속도는 30밀리초(ms) 이내다. 해당 속도가 빨라야 해킹 위험으로부터 칩을 안전히 보호할 수 있다. 빠른 부팅 속도를 가능케 하는 비결은 '통합 플래시메모리'에 있다. 이기훈 래티스 이사는 "통상 FPGA는 플래시 메모리가 외부에 있어 데이터를 읽는 데 시간이 걸렸으나, 래티스 제품은 플래시 메모리를 칩 내부에 통합해 처리속도를 높였다"며 "칩이 외부에 노출되지 않아 해킹 위협도 차단할 수 있다"고 설명했다. 래티스는 마크-N2 장점을 무기로 AI 데이터센터, 네트워크 인프라, 에지 디바이스, 휴머노이드 등 첨단 산업을 공략한다. 곧 일부 고객에 샘플을 제공할 계획인 것으로 알려졌다. AMD, 알테라 등 FPGA 업계 선도업체들과 경쟁 구도가 주목된다. 경쟁사 제품 부팅 속도는 200ms 이상으로, 래티스 대비 크게 느리다. PQC 서비스를 제공하는 칩 역시 래티스가 유일하다. 특히 PQC는 세계 각국에서 향후 3~5년 내 데이터센터 적용을 서두르고 있어, 향후 시장 규모가 커질 것으로 기대된다. 이 이사는 "서버 시장에서 마크-N2의 정확한 공급 시점을 밝히기 어렵지만, 고객사 수요를 확인한 만큼 이미 적용이 예정돼 있다고 보면 된다"고 말했다. 또한 래티스반도체는 AI 기반 FPGA 설계 지능형 소프트웨어 툴 '래티스 프롬프트(Lattice Prompt)'를 출시했다. 해당 도구는 엔지니어가 자연어나 파이썬, C-코드를 입력하면 AI가 FPGA 전용 하드웨어 설계 언어(VHDL, 베릴로그 등)로 자동 변환해 준다. 이를 통해 기존 약 4개월(120일)이 소요되던 복잡한 설계 및 타이밍 맞추기 작업을 10~12일 수준으로 단축했다.

2026.09.17 11:00장경윤 기자

삼성전자, 커스텀 HBM서 '핵심 칩' 공급망 변화…내부·TSMC '투트랙' 추진

삼성전자의 고대역폭메모리(HBM)용 베이스 다이 공급 전략이 커스텀 HBM(cHBM) 시대에 큰 변화를 맞을 전망이다. 기존 내부 파운드리를 통한 자체 생산에서 벗어나, TSMC 공정 기반의 베이스 다이를 함께 활용하는 '투트랙' 전략을 추진 중이다. 커스텀 HBM은 엔비디아 등 글로벌 빅테크가 원하는 로직 기능을 칩 내부에 일부 탑재할 수 있어, 향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 시장이다. 삼성전자도 다양한 고객 수요에 대응하기 위해, 베이스 다이 공급망 유연성을 높이려는 것으로 풀이된다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 커스텀 HBM용 베이스 다이에 삼성 파운드리와 TSMC 공정을 동시에 활용할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직 적층한 코어 다이와, 그 밑에 베이스 다이를 배치한 구조로 이뤄져 있다. 베이스 다이는 메모리와 시스템 반도체를 연결해, 고속으로 데이터를 송수신한다. 베이스 다이 중요성은 HBM 세대가 진화할수록 커지고 있다. 삼성전자·SK하이닉스는 올해 양산을 시작한 HBM4부터 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정에서 베이스 다이를 제조하기 시작했다. 파운드리 공정은 D램 공정 대비 베이스 다이에 더 많은 기능을 집적하고, 성능 및 전력 효율성을 높이는 데 유리하다. 다가오는 커스텀 HBM 시대…'NVHBM' 등장 커스텀 HBM 시대에 베이스 다이는 또 한번 큰 변화를 맞을 전망이다. 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 기능을 베이스 다이에 맞춤형으로 탑재하는 개념이다. 제품 설계부터 제조에 이르는 전 과정에서 고객사와 메모리, 파운드리 기업 간 협력이 요구된다. 대표 사례가 NVHBM이다. NVHBM은 엔비디아가 지난달 발표한 커스텀 HBM 구조다. 메모리 컨트롤러 기능을 기존 인공지능(AI) 가속기에서 HBM 베이스 다이로 옮기는 것이 핵심이다. HBM4E부터 적용할 예정이다. 표준 HBM4E 대비 메모리 대역폭은 최대 30% 높이면서 전력 소모는 15%까지 낮출 수 있다. NVHBM 첫 적용 고객은 아마존이 거론된다. 아마존 내 반도체 개발 조직인 안나푸르나 랩스가 NV링크 퓨전, NVHBM 기술을 통해 차세대 AI 가속기 '트레이니엄4'를 설계하기로 했다. 삼성전자, 베이스 다이 공급망 '투트랙' 전략 공급망 구조도 바뀐다. 그간 삼성전자는 내부 시스템LSI 사업부와 파운드리 사업부를 통해, HBM에 쓰일 베이스 다이를 자체 조달해 왔다. 그러나 NVHBM 등 커스텀 HBM에서는 TSMC 베이스 다이도 함께 채택할 예정이다. 삼성전자 HBM 코어 다이를 두고, 고객 요구에 따라 삼성 파운드리에서 제조된 베이스 다이와 TSMC에서 제조된 베이스 다이가 혼용 탑재되는 구조다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 고객 요청에 따라 NVHBM용 베이스 다이를 내부 파운드리 및 TSMC 투트랙으로 활용할 계획"이라며 "구체적인 채택 여부와 비중은 최종 고객 수요에 따라 달라질 것"이라고 말했다. 턴키 고집보다 공급망 유연성…메모리사업부가 주축 삼성전자 HBM용 베이스 다이를 TSMC가 제조하는 경우, 관련 칩 설계와 최적화 지원은 삼성전자 메모리 사업부가 담당하는 것으로 파악됐다. 내부 시스템LSI 사업부는 삼성전자 파운드리향 제품만 설계한다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 메모리 사업부로 넘어간 시스템LSI 사업부 인력들이 존재한다. TSMC 베이스 다이 관련 작업은 해당 인력들이 담당하는 구조"라며 "이미 삼성전자 HBM 코어 다이와 TSMC 공정 기반 베이스 다이로 제품을 설계 중인 고객이 있다"고 설명했다. 한편 삼성전자의 커스텀 HBM용 베이스 다이 이원화는 공급망 측면에서 고립을 피하기 위한 전략으로 풀이된다. 현재 TSMC는 자사 파운드리 및 패키징 공정으로 엔비디아 등 글로벌 빅테크와 탄탄한 공급망을 구축하고 있다. 안정성과 성능 면에서 고객 선호도가 높다. 이 같은 상황에서 삼성전자가 자사 파운드리 턴키(일괄 생산)만을 고집할 경우, 고객사의 다양한 맞춤형 수요를 충족하지 못할 가능성이 커진다.

2026.09.15 13:56장경윤 기자

中CXMT, 상하이 신규 팹 설비투자 준비…韓 맹추격

중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 공격적인 설비투자 준비에 돌입했다. 최근 협력사와 신규 팹에 도입할 설비 입찰을 시작하는 한편, 추가 팹 증설계획도 구체화하고 있다. 투자가 차질없이 진행되면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업과 생산능력 격차를 빠르게 좁힐 것으로 예상된다. 11일 업계에 따르면 CXMT는 최근 상하이 신규 팹 건설을 위한 협력사 장비 입찰 과정에 착수했다. CXMT는 현재 허페이 팹 2기, 베이징 팹 1기 등에서 D램을 양산하고 있다. 생산능력은 현재 월 20만장 중반대로 추산된다. 연말에는 최대 월 30만장을 넘어설 것으로 관측된다. 추가 팹 증설 계획도 가시화되고 있다. 협력사 등과 논의한 내용에 따르면 CXMT는 올 4분기 상하이 소재 신규 팹을 오픈할 계획이다. 해당 팹 관련 장비 입찰도 최근 시작됐다. 한 반도체 장비업계 관계자는 "CXMT가 상하이 신규 팹을 두 단계에 걸쳐 확대할 계획"이라며 "최근 장비 입찰 규모를 고려하면, 해당 팹에서만 월 10만장 이상을 크게 웃도는 생산능력을 확보할 것으로 보인다"고 말했다. CXMT는 이후 허페이 신규 팹을 내년 상반기, 베이징 신규 팹을 이르면 내년 하반기 순차 오픈한다. 내후년 상반기에도 허페이 지역 추가 팹 오픈을 목표로 하고 있다. 또 다른 장비업계 관계자는 "CXMT가 최근 중국 현지 복수의 팹 구축 계획 시점을 정하고 관련 사항을 공유하고 있다"며 "현지 정부의 막대한 보조금 정책과 메모리 수요 급증으로 증설 의지가 강력하다"고 설명했다. 설비투자 계획이 모두 실행되는 경우, CXMT는 올해부터 2028년까지 최소 월 7만~8만장 수준 신규 생산능력을 매년 꾸준히 확보할 수 있다. 장기적으로는 월 60만장 이상으로 생산능력이 확대될 것이라는 관측도 제기된다. 이는 D램 시장 선두업체의 현재 생산능력과 맞먹는 수준이다. 국내 삼성전자와 SK하이닉스의 총 D램 생산능력은 각각 월 70만장, 월 60만장 수준으로 추산된다. 다만 삼성전자와 SK하이닉스도 최근 메모리 반도체 공장 증설에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 평택 제4캠퍼스(P4) 내에 D램 양산라인을 구축해 왔다. 올 하반기부터 차세대 생산기지 P5 클린룸 공사를 시작했다. SK하이닉스는 올해 1분기부터 M15X 조기 가동을 시작해, 현재 생산능력 확대를 위한 투자를 지속하고 있다. 용인 대규모 반도체 클러스터인 Y1도 올 3분기 설비발주를 시작했다.

2026.09.11 11:15장경윤 기자

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'

삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4향 베이스 다이 제조에 투입하고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대 HBM이다. 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 베라 루빈(Vera Rubin) 등에 탑재된다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다. 초도 양산인 만큼 올 상반기 내 공급량은 크지 않았던 것으로 추산된다. 삼성전자는 올 3분기부터 HBM4 공급량을 본격 확대할 계획이다. 이에 맞춰 올해 중반부터 HBM4용 베이스 다이 양산을 위한 웨이퍼 투입을 크게 늘리고 있다. 해당 칩은 삼성 파운드리 4나노(SF4) 공정을 기반으로 한다. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면, 지난달 기준 삼성전자의 전체 4나노 생산능력 중 50% 이상을 HBM4 베이스 다이에 할당했다. 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자의 4나노 공정은 현재 풀생산 체제로, 이 중 HBM4용 베이스 다이가 50~60%대의 비중을 차지하고 있는 것으로 안다"며 "하반기 내내 높은 비중을 유지할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 평택 2캠퍼스(P2)와 3캠퍼스(P3) 내 파운드리 라인(S5, S6)에서 4~7나노급 공정을 양산 중이다. 이 중 4나노로 할당된 생산능력은 월 3만장 내외로 추산된다. 이를 고려하면 HBM4용 베이스 다이향으로 월 1만5000장 수준의 웨이퍼 투입이 진행되는 것으로 관측된다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 세대가 진화할수록 베이스 다이의 중요성도 높아지는 추세다. 이에 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 베이스 다이 기술력을 더욱 고도화하고 있다. 특히 HBM4에서는 경쟁사 대비 앞선 4나노 공정을 적용하기도 했다. 이번 베이스 다이 양산 확대로 삼성전자의 올해 HBM 사업 확대 목표 달성에 청신호가 켜졌다는 평가다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망된다"며 "하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것"이라고 설명했다.

2026.09.07 14:27장경윤 기자

삼성전자, 2분기 HBM 점유율 33%로 급등…SK하이닉스와 격차 축소

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 업계 1위 SK하이닉스와 격차를 좁혔다. 올 2분기 양사 점유율 차이는 17%p로, 전년 동기(43%p), 전 분기(37%p) 대비 크게 줄었다. 3일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 2분기 전세계 HBM 시장 점유율(매출액 기준)은 SK하이닉스가 50%로 1위를 유지했다. 다만 점유율 수치는 지속 감소하고 있다. SK하이닉스의 올 2분기 점유율(50%)은 전 분기 대비 8%p, 전년 동기 대비 14%p 감소했다. 반면 삼성전자는 올 2분기 33% 점유율로 SK하이닉스와 격차를 17%p로 좁혔다. 전 분기 대비 12%p, 전년 동기 대비 18%p 개선했다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자가 HBM4 출하를 본격화하면서 점유율이 점차 늘어날 것"이라고 내다봤다. HBM4는 올해 본격 상용화된 최신형 HBM이다. 엔비디아의 고성능 인공지능(AI) 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 시리즈에 탑재된다. 마이크론은 시장 점유율 변동폭이 비교적 작았다. 마이크론은 올 2분기 18% 점유율을 기록했다. 전 분기 및 전년 동기 대비 3%p 감소했다. 카운터포인트리서치는 "현재 HBM 매출 대부분은 HBM3E에서 발생한다"며 "HBM4 출하는 올 하반기부터 본격 가시화될 전망"이라고 밝혔다.

2026.09.03 16:43장경윤 기자

中 낸드, 글로벌 1위 되기 어려운 이유

글로벌 낸드(NAND) 플래시 메모리 산업 지형도가 급변하고 있다. 선두업체를 추격하기 위해, 해외 후발주자 기업들이 앞다퉈 공격적인 증설 계획을 꺼내들고 있다. 특히 중국 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)의 투자 속도가 매우 빠른 것으로 평가된다. 반면 시장점유율 1위인 삼성전자의 낸드 투자는 증설보다 세대 전환에 초점이 맞춰져 있어, 총 생산능력이 오히려 감소하는 추세다. 때문에 삼성전자와 후발주자간 낸드 생산능력 격차가 2~3년 내 빠르게 좁혀질 것이라는 우려도 제기된다. 다만 기업 간 낸드 경쟁을 단순히 생산능력만으로 평가할 수는 없다는 게 업계 전문가들의 중론이다. 데이터를 저장하는 셀(Cell)을 복수로 쌓는 낸드 특성 상, 동일한 양의 웨이퍼를 투입하더라도 적층 수에 따라 메모리 총량이 크게 달라지기 때문이다. 시장 측면에서의 한계도 존재한다. YMTC의 총 낸드 출하량은 삼성전자·SK하이닉스를 위협하는 추세지만, AI 데이터센터에 필요한 기업용 SSD(eSSD) 매출은 아직 5위권 밖에 머물러 있다. 중국 현지 외 글로벌 고객사 확보가 어렵다는 점도 문제다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 최근 기자와의 서면 인터뷰를 통해 "중국 YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력에서 선두권에 진입할 가능성은 있지만, 선두업체들이 고적층 낸드를 통해 공급하는 메모리 총량이 더 크다는 점을 고려해야 한다"며 "글로벌 매출과 수익성 측면에서는 중국 기업이 단기간에 1위에 오를 가능성은 매우 낮다"고 분석했다. YMTC, 공격적인 증설 속도…"부지 확보 충분" 최근 업계 낸드의 최대 화두는 중국 YMTC의 공격적인 설비 투자다. YTMC는 중국 최대 낸드 제조업체로, 우한시에 주요 생산거점을 두고 있다. 올해 말에는 신규 3공장의 가동을 앞두고 있다. 업계가 추산하는 YMTC의 생산능력은 웨이퍼 투입량 기준 월 16만~17만장 수준이다. 우한 3공장이 본격 가동되는 내년에는 월 20만장을 넘어설 것으로 전망된다. 중장기적으로는 생산능력을 월 30만~40만장 수준까지 확대할 계획을 세우고 있는 것으로 전해진다. YMTC 협력사인 한 반도체 장비업계 관계자는 "YMTC가 내년 및 내후년에도 생산능력을 추가 확보할 계획을 세우고 있다"며 "팹을 10개까지 지을 수 있는 부지를 이미 갖추고 있어, 낸드 제조기업 중 증설 속도가 가장 빠르다고 평가 받는다"고 설명했다. YMTC의 최근 발언도 향후 증설 계획에 대한 자신감을 근간에 둔 것으로 풀이된다. 앞서 YMTC는 기업공개(IPO)를 앞두고 투자자들과 만나 내년 말까지 글로벌 낸드 시장에서 1위를 달성하겠다는 목표를 제시한 바 있다. 삼성·SK 신규 팹 구축 시점 아직 멀어…최소 2028~2029년 반면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 신규 증설보다 최첨단 낸드용 전환투자에 집중하고 있다. 때문에 절대적인 생산능력은 근 2~3년간 정체를 기록해 왔다. 일례로 업계 1위인 삼성전자의 낸드 총 생산능력은 월 39만장 수준으로 추산된다. 화성 일부 라인에서 구형 낸드를 양산하던 시점에는 생산능력이 50만장을 넘어선 적도 있었으나, 구형 낸드 양산을 순차적으로 종료하면서 수치가 감소했다. 최첨단 낸드 생산능력은 신규 팹이 아닌 평택·중국 시안 라인에 대한 전환투자로 확충해 왔다. 삼성전자가 가장 최근 구축한 낸드 전용 라인은 지난 2022년 가동을 시작한 P3 Ph1(페이즈1)다. 당초 P4에서도 낸드 라인을 구축하려고 했으나, 시황을 고려해 D램을 함께 양산하는 하이브리드 라인으로 조성했다. 삼성전자가 신규 낸드 양산 라인을 가장 빠르게 구축할 수 있는 곳은 P5다. P5는 올 하반기부터 클린룸 구축이 시작된 팹으로, 가동 목표 시점은 오는 2027년 말이다. 다만 P5도 현재로선 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 라인 조성에 우선순위 둘 가능성이 높다. 때문에 삼성전자의 낸드 생산능력이 크게 확대되는 시점은 아무리 빨라도 2028년께가 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 경우 근 3년간 대규모 낸드 라인 증설이 없었고, 현재도 전환투자에 집중하고 있어 후발주자와의 생산능력 격차는 2~3년 내 크게 축소될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스의 경우 청주 및 중국 다롄 지역에서 낸드 팹을 운영하고 있다. 현재 생산능력은 월 25만장 내외로 추산된다. 현재 다롄 2공장 증설을 위한 설비투자가 시작됐으나, 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 규모다. SK하이닉스의 대규모 낸드 생산능력 확보는 청주 신규 낸드 팹인 M17이 준공된 뒤에나 가능하다. M17은 오는 2028년 말 첫 클린룸 오픈을 목표로 하고 있다. 생산능력만으론 1위 어려워…eSSD 키우고 해외 시장 뚫어야 그러나 YMTC가 낸드 업계 선두권으로 진입하기 위해서는 아직 해결해야 할 과제들이 많다는 지적이 제기된다. 최 부사장은 "낸드의 지속적인 고단화로 적층 수가 400~500단 이상이 되면 웨이퍼 당 비트(Bit) 출하량은 더욱 증가하게 된다"며 "YMTC가 실제 내년 말까지 비트 출하량 1위를 기록하려면 신규 팹에 대한 제조 장비의 국산화, 300~400단 이상의 차기 제품들에 대한 수율 및 생산성 확보, 낸드에 탑재되는 컨트롤러의 고객 인증을 동시에 모두 해결해야 한다"고 평가했다. 현재 YMTC는 267단 낸드까지 상용화에 성공한 것으로 알려져 있다. 낸드는 구성 요소인 셀과 페리를 각각 제조해 칩과 칩을 직접 이어 붙이는 하이브리드 본딩 방식으로 제조된다. YMTC는 이를 '엑스태킹(Xtacking)'이라고 부른다. 국내 기업들은 300~400단 낸드에 이미 진입한 상태다. 삼성전자는 지난달부터 420단대의 V10(10세대) 낸드의 초도 양산을 시작했다. 당장의 출하량은 크지 않지만, 업계 최초로 400단 이상의 낸드에 진입했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스도 지난해 321단 낸드 상용화에 이어, 올해에는 375단 적층의 10세대 낸드 양산을 계획하고 있다. 시장적인 한계도 존재한다. 특히 AI 데이터센터에서 각광받는 eSSD의 경우, 현지 최대 고객사인 화웨이가 YMTC 제품만을 고집하기 어려운 상황이다. eSSD는 일반 소비자용 SSD 대비 높은 제품 성능 및 안정성을 요구한다. 또한 YMTC의 전체 낸드 출하량에서 eSSD가 차지하는 비중은 아직 낮은 것으로 평가된다. 시장조사업체 트렌드포스가 집계한 올 2분기 eSSD 시장 점유율은 삼성전자가 35.1%로 1위, SK하이닉스가 21.1%로 2위다. 그 뒤로 마이크론·키오시아·샌디스크가 뒤를 따르고 있다. 최 부사장은 "YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력과 중국 내 출하량에서는 선두권에 진입할 가능성은 있다"며 "그러나 글로벌 매출과 수익성, eSSD 비중까지 고려한 업계 1위는 1~2년 내에 달성하기가 사실상 어렵다"고 말했다.

2026.09.02 14:56장경윤 기자

최태원 회장 "SK하이닉스, 일본 반도체 공장 설립 검토"...그간 입장 반복

최태원 SK그룹 회장이 일본 내 메모리 반도체 팹 투자를 검토 중이라고 밝혔다고 블룸버그가 31일(현지시간) 보도했다. 그간 최 회장은 일본 내 반도체 공장 투자 가능성을 지속 언급해왔는데, 기존 입장을 재차 확인한 것이다. 이날 최 회장은 일본 센다이에서 열린 한일상공회의소 회장단 회의에 참석해, 일본 투자 계획을 묻는 질문에 "검토 중이고, 검토가 끝나면 공개하겠다"(We are in the process of studying. As soon as we finish, I'll let you know.)고 답했다. 블룸버그는 "SK하이닉스가 인공지능(AI) 수요 급증에 대응하고 생산비용을 통제하기 위한 방안 중 하나로, 일본에서 메모리 반도체를 제조하기 위한 합작법인 설립 타당성을 검토 중"이라고 보도했지만, SK하이닉스는 사실이 아니라고 설명했다. 합작법인 설립을 검토 중이란 부분이 사실이 아니란 의미다. SK하이닉스가 그간 밝혀 온 일본 내 설비투자 계획은 현지 고객·협력사와 관계를 강화하기 위한 전략으로 보인다. SK하이닉스는 일본 주요 낸드 제조업체 키오시아 지분 14.19%를 간접 보유하면서, 사실상 최대주주 지위에 올랐다. SK하이닉스 핵심 공급망도 일본에 다수 위치해 있다. 반도체 장비업체 도쿄일렉트론과 히타치, 고대역폭메모리(HBM) 소재업체 나믹스 등이 대표적이다. 최 회장은 한일간 경제연대 강화를 위해 AI, 반도체 등 첨단 산업 분야 협력을 추진해야 한다고 주장해 왔다. 이날 역시 회장단 회의에서 "한일이 서로 시장을 넓혀주는 파트너가 되는 것이 현실적 선택이 될 수 있다"고 말했다. 현재 SK하이닉스는 AI 메모리 수요가 폭증하는 상황에 맞춰 해외 반도체 팹 증설을 추진 중이다. 지난 주에는 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 최첨단 메모리 패키징 팹 기공식을 개최했다. 기공식에서 곽노정 SK하이닉스 사장은 해당 팹에서 2029년 3분기부터 HBM4E(7세대 HBM)를 양산할 계획이라고 밝혔다.

2026.08.31 16:25장경윤 기자

어플라이드, AI메모리 핵심요소 '3D 적층' 주목…韓 협력 강화

글로벌 반도체 장비업체인 어플라이드머티어리얼즈가 AI 반도체의 필수 요소인 최첨단 패키징 사업을 강화한다. 중장기 수요를 바탕으로 장비 공급 능력을 강화하는 한편, 고객사와 차세대 기술 개발에도 나서고 있다. 특히 향후 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업과 고대역폭메모리(HBM)·3D D램 분야에서의 협력이 기대된다. 어플라이드머티어리얼즈코리아(이하 어플라이드)는 31일 서울 코엑스 오크우드호텔에서 'AI 시대를 위한 D램·첨단 패키징 미디어 브리핑'을 열고 AI 메모리 시장에 대한 사업 전략을 밝혔다. 어플라이드는 AI용 고성능 반도체에서 3D(수직) 적층 기술의 활용도가 급증할 것으로 보고, 최첨단 패키징 솔루션을 적극 개발하고 있다. 대표적인 사례가 HBM이다. HBM은 복수의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)으로 연결해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 반도체다. 엔비디아·AMD를 비롯한 글로벌 빅테크 주도로 수요가 폭증하고 있다. 어플라이드는 차세대 HBM에 도입될 수 있는 다이-투-웨이퍼(D2W) 하이브리드 본딩 장비를 개발해 왔다. 하이브리드 본딩은 각각의 칩의 구리를 직접 이어붙이는 기술이다. 기존 칩 간 연결에 쓰이던 마이크로범프(돌기)가 필요하지 않아, HBM의 집적도 및 전력 효율성, 성능을 높이는 데 용이하다. HBM에서 하이브리드 본딩을 상용화하려면 본딩 뿐만 아니라 각 칩을 평탄화하는 CMP, 표면 세정, 매우 정밀한 정렬 등을 구현해야 한다. 어플라이드는 이를 키넥스(Kinex) 본딩 시스템으로 통합 지원하고 있다. 무쿤드 스리니바산 어플라이드 그룹 부사장은 "3D 적층 전반에 있어 하이브리드 본딩이 필수적으로 동반돼야 할 것으로 보인다"며 "흥미를 가지고 있는 많은 고객사와 협력하고 있는 상태"라고 말했다. 3D D램도 유망한 적용처다. 3D D램은 트랜지스터 구성 요소인 비트라인 혹은 워드라인을 세워, 기존 수평으로 집적되던 셀을 수직으로 적층하는 기술이다. 이를 활용하면 같은 면적에 더 많은 셀을 넣을 수 있고, 트랜지스터 간격이 넓어져 간섭 현상도 줄어든다. 또한 회로 선폭을 극한으로 줄일 필요가 없어, 고비용의 극자외선(EUV) 공정을 거치지 않아도 된다. 어플라이드는 이 같은 사업 전망을 토대로 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 제조업체와의 협력을 적극 강화할 것으로 관측된다. 박 대표는 "삼성전자와 SK하이닉스는 AI 생태계에서의 역할이 대두되고 있고, 생산능력 확장에도 적극 나서고 있다"며 "메모리를 넘어 패키징 분야에서도 기술 개발 및 상용화를 앞당기기 위한 논의를 많이 하고 있다"고 강조했다. 무쿤드 부사장은 "반도체에 대한 수요가 공급을 크게 상회하고 있어, 생태계 차원에서 반드시 생산량 확대가 이뤄져야 한다"며 "고객사에서 로직 및 메모리반도체 팹을 적극 증설하는 가운데, 당사에 대한 장비 추가 공급 요청도 계속해서 오고 있다"고 말했다. 한편 어플라이드는 고객사와 협력해 신규 장비 상용화를 가속화하는 EPIC 센터를 운영하고 있다. 현재 첫 R&D 장비가 투입돼, 1~2개월 내 본격 가동될 것으로 예상된다. 향후 한국 고객사 대응 강화를 위한 '어플라이드 컬래버레이션 센터 코리아'를 설립 추진 중이다.

2026.08.31 15:47장경윤 기자

HBM만으론 부족해?...AI 메모리 신기술 뜬다

인공지능(AI) 반도체 시장에서 메모리 기술 경쟁의 축이 고대역폭메모리(HBM)의 대역폭 확대에서 새로운 저장구조와 시스템으로 이동하고 있다. AI 모델이 커지면서 연산 성능뿐 아니라 메모리 용량과 데이터 이동에 따른 전력 소모, 발열 등이 새로운 병목으로 떠오르면서다. 28일 반도체 업계에 따르면 미국 스탠퍼드대에서 지난 23~26일 열린 '핫칩스(Hot Chips) 2026'에서도 이 같은 흐름이 부각됐다. 삼성전자와 SK하이닉스의 차세대 HBM 기술을 비롯해 3D D램, HBF(고대역폭플래시), PIM(프로세싱 인 메모리), CXL(컴퓨트익스프레스링크) 등 기존 HBM의 한계를 보완하기 위한 차세대 신기술이 잇따라 공개됐다. 현재 AI 가속기의 핵심 메모리로 자리 잡은 HBM은 GPU와 가까운 위치에서 초고속으로 데이터를 처리할 수 있다는 장점이 있다. 하지만 적층 수가 늘어날수록 패키징 난도가 높아지고 발열과 두께, 수율 등의 문제가 커진다. HBM만으로 AI가 요구하는 대역폭과 용량을 모두 충족하기 어려워질 수 있다. HBM도 진화…베이스 다이·패키징에 힘 주는 삼성·SK 삼성전자는 HBM의 핵심 구성요소인 베이스 다이를 고도화하는 방향을 제시했다. 베이스 다이에 더 많은 로직 기능을 집적해 단순히 데이터를 전달하는 역할을 넘어 AI 가속기의 연산과 시스템 특성에 맞는 기능을 수행하도록 만드는 방식이다. HBM을 범용 메모리에서 고객 맞춤형 메모리로 확장하려는 전략으로 해석된다. SK하이닉스는 HBM의 물리적 한계를 해결하기 위한 첨단 패키징에 초점을 맞췄다. 메모리 적층이 증가할수록 칩 사이 연결과 열 관리가 중요해지는 만큼 하이브리드 본딩 등 차세대 기술을 통해 더 많은 메모리를 안정적으로 쌓는 기술 경쟁에 나서고 있다. 업계에서는 HBM의 발전 방향이 단순히 '더 많이 쌓고 더 빠르게 만드는 것'에서 벗어나고 있다는 분석이 나온다. 한 반도체 업계 관계자는 "AI 반도체에서는 연산 성능만 높이는 방식으로 전체 시스템 성능을 끌어올리는 데 한계가 있다"며 "결국 향후 메모리에서 데이터를 얼마나 효율적으로 처리하고 이동시키느냐가 중요한 경쟁 요소가 될 것"이라고 말했다. HBM 넘어 PIM·CXL·3D D램으로…메모리 역할 확대 실제로 이번 '핫칩스' 행사에서는 HBM을 대체하거나 보완할 새로운 메모리 기술도 등장했다. D-매트릭스(Matrix)와 메타는 3D D램 기반 생성형 AI 추론 가속기를 소개했고, HBF를 활용한 AI 컴퓨팅 기술도 발표됐다. 메모리를 단순한 저장 공간으로 활용하는 데서 벗어나 연산과 데이터 처리에 보다 적극적으로 활용하려는 움직임이다. 삼성전자가 공개한 LPDDR5X-PIM도 같은 연장선상에 있다. PIM은 메모리 내부에서 일부 연산을 수행해 CPU나 AI 가속기로 데이터를 옮기는 횟수를 줄이는 기술이다. 삼성전자는 이번 행사에서 LPDDR5X-PIM의 AI 추론 성능을 공개했으며, 메타의 라마3.1을 활용한 테스트에서 기존 LPDDR5X 대비 약 3배의 토큰 처리 성능을 제시했다. CXL을 활용한 메모리 컴퓨팅도 주목받았다. 삼성전자와 엑시나(XCENA)는 CXL 기반 컴퓨테이셔널 메모리 기술을 선보이며 용량 확장뿐 아니라 메모리 가까이에서 연산을 수행하는 구조를 제시했다. AI 서버가 필요로 하는 대규모 메모리를 여러 시스템이 공유하면서 동시에 데이터 이동을 줄이는 방향이다. 이 같은 변화는 차세대 AI 메모리 시장이 하나의 제품에 모든 기능을 집중하는 구조에서 벗어날 가능성을 보여준다. HBM은 높은 대역폭을 담당하고, CXL 기반 메모리는 대용량 메모리 확장과 풀링을 지원하며, PIM이나 컴퓨테이셔널 메모리는 데이터 이동을 줄이는 역할을 맡는 방식이다. 업계 관계자는 "앞으로는 HBM의 성능 자체뿐 아니라 HBM과 다른 메모리 계층을 어떻게 조합해 AI 시스템 전체의 효율을 높이느냐가 중요해질 것"이라며 "메모리 업체들도 단순히 D램을 공급하는 데서 벗어나 연산과 패키징, 인터페이스까지 함께 설계하는 방향으로 사업 영역을 넓힐 필요가 있다"고 말했다.

2026.08.28 15:58전화평 기자

SK하이닉스, 美 인디애나 패키징팹 첫 삽..."2029년 HBM4E 양산"

SK하이닉스가 미국 첨단 반도체 패키징 공장 첫 삽을 떴다. 해당 팹은 2029년 3분기부터 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 양산할 계획이다. 연간 수십만 장 생산 능력을 갖출 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 27일(현지시간) 미국 인디애나주 퍼듀대학교에서 열린 인공지능(AI) 메모리용 최첨단 패키징 생산기지 기공식에서 이같이 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 약 40억 달러(약 5조 5200억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라피엣 지역에 최첨단 패키징 공장을 짓겠다고 밝혔다. 단순 생산시설을 넘어, 최첨단 패키징 기술 연구개발(R&D) 센터도 함께 들어선다. 인디애나 팹은 SK하이닉스의 미국 내 첫 번째 반도체 공장이다. 이 곳은 현재 부지 기초 공사 중이다. 오는 10월 주요 시설 건설에 착수할 예정이다. 2028년 10월 클린룸 준공이 목표다. 곽 사장은 "2029년 3분기부터 해당 팹에서 HBM4E 양산을 시작할 계획"이라며 "연간 수십만장 웨이퍼 생산능력을 갖출 것으로 기대한다"고 밝혔다. 이어 "2030년까지 인디애나는 미국의 핵심 HBM 생산거점이 될 것"이라며 "미국 AI 메모리 반도체 수요 확대에 대응하겠다"고 말했다. SK하이닉스는 한국에서 생산한 첨단 HBM 웨이퍼를 인디애나주 패키징 팹에 들여와, 후공정을 진행한 뒤 미국 고객사에 제품을 인도할 계획이다. 곽 사장은 "완전히 통합된 한·미 생산 시스템이 가동될 것"이라며 "SK하이닉스는 미국 반도체 공급망을 강화하고 국가·경제 안보에 기여하는 동시에, 고객사에 미국산 HBM의 새로운 공급원을 제공할 것"이라고 강조했다.

2026.08.28 00:35장경윤 기자

中 CXMT, 고유전율 D램 소재 양산 적용...삼성·SK '맹추격'

D램 업계 후발주자인 중국 창신메모리(CXMT)의 기술 추격이 거세다. 기존 메모리 선두업체들의 전유물처럼 여겨지던 고유전율(High-k) 소재를 최신 D램 제품에 성공적으로 양산 적용한 것으로 확인됐다. 이에 삼성전자·SK하이닉스 등은 초격차를 통한 경쟁력 우위를 위해 4F스퀘어, 3D D램 등 차세대 구조 개발에 박차를 가하고 있다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 27일 메모리 산업 동향 웨비나에서 최첨단 D램 기술 개발 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 반도체 전문 분석기관이다. 中, 고성능 D램 소재 'High-k'도 본격 도입…선두 업체 맹추격 글로벌 D램 시장은 국내 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론 등 소위 빅3 기업이 주도해 왔다. 이들 기업은 12나노미터(nm)급 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 상용화로 AI용 고부가 메모리 출하량을 적극 늘리는 추세다. 그러나 중국 기업들의 추격도 거세다. 현재 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT는 G4(16나노급) 공정을 기반으로 DDR5 및 LPDDR5 제품 상용화에 성공한 상황이다. 최근에는 D램 내 트랜지스터에 기존 선두업체들만 적용하던 고성능 소재도 활용하기 시작한 것으로 나타났다. 최 부사장은 "중요한 점은 당사 조사 결과 CXMT가 G4 공정 및 LPDDR5X 제품에 High-k 메탈 게이트(HKMG) 기술을 성공적으로 도입했다는 것"이라고 강조했다. High-k는 회로 간 누설 전류를 막는 절연막에 쓰이는 소재다. 동일한 전압에서 더 많은 전하(전자의 흐름)을 저장할 수 있어, 기존 절연막 소재(실리콘산화물, SiO2) 대비 초미세 공정을 구현하는 데 용이하다. 때문에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 4~5년 전부터 이 소재를 도입하고 있다. HBM 기술 역시 고도화하고 있다. 현재 CXMT는 G3(18나노급) 공정을 사용해 HBM2E(3세대 HBM)의 리스크 양산(초도생산) 단계에 진입한 것으로 알려졌다. G4 공정 기반의 HBM3는 샘플링을 진행 중이다. 최 부사장은 "CXMT는 선두업체보다 약 2세대 정도 기술이 뒤쳐져 있으나, 더 높은 성능의 메모리 솔루션을 향해 HBM 로드맵을 꾸준히 발전시키고 있다"며 "G5(15나노급) D램 공정도 개발되고 있다"고 평가했다. D램 3강, 4F스퀘어·3D D램으로 기술 변혁 시도 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 10나노미터 미만의 차차세대 D램(D0A) 개발로 기술 초격차를 꾀하고 있다. 특히 기존 D램의 구조를 바꾼 4F스퀘어, 3D D램을 가장 유력한 후보로 보고 있다. 최 부사장은 "현재 당사 평가로는 삼성전자와 SK하이닉스는 4F스퀘어 D램을 추진할 가능성이 높다"며 "반면 마이크론은 3D D램으로 바로 이동할 가능성이 더 높아 보인다"고 말했다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다. 기존 D램은 6F스퀘어 구조를 갖추고 있다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도가 높아져, 데이터 처리 성능 및 전력 효율성을 향상시킬 수 있다. 업계가 4F스퀘어 구조에 주목하는 이유다. 3D D램은 비트라인 혹은 워드라인을 세워, 기존 수평으로 집적되던 셀을 수직으로 적층하는 기술이다. 비트라인과 워드라인은 셀 내 트랜지스터를 동작하게 하는 구성 요소다. 3D D램 구조에서는 같은 면적에 더 많은 셀을 넣을 수 있고, 트랜지스터 간격이 넓어져 간섭 현상도 줄어든다. 다만 3D D램은 새로운 소재와 본딩 기술을 도입해야 하는 등 4F스퀘어 대비 기술적 난이도가 높다고 평가받는다. 최 부사장은 "3D D램은 여전히 기술적으로 매우 도전적인 과제로, D0A에서 상용화되기에는 상당한 공정 복잡성과 수율 문제를 야기한다"며 "이러한 이유로 4F스퀘어 D램이 D0A 세대에서 보다 실용적인 후보로 떠오르고 있다"고 설명했다.

2026.08.27 14:02장경윤 기자

엔비디아 "AI 인프라 호황에 내년 매출 70% 이상 성장 전망"

엔비디아가 26일(현지시간) 2분기 실적발표 이후 진행된 컨퍼런스콜에서 "AI 인프라 투자 수요 증가에 따라 내년(회계연도 기준 2028년) 매출이 올해 대비 70% 늘어날 것"이라고 밝혔다. 엔비디아에 따르면 올 2분기(5~7월, 회계연도 기준 2027년 2분기) 매출은 962억 2100만 달러(약 133조 1600억원)로 전년 동기(467억 4300만 달러, 약 64조 6900억원) 대비 두 배 이상 늘어났다. 이날 콜렛 크레스 엔비디아 최고재무책임자(CFO)는 "내년 전체 매출은 올해 대비 70% 늘어날 것"이라고 밝혔다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO) 역시 "공급망 제약이 없다면 70% 이상도 기대할 수 있다"고 설명했다. 성장을 이끄는 핵심 변수는 에이전틱 AI다. 콜렛 크레스 CFO는 "AI 에이전트가 추론과 계획, 도구 사용을 반복하면서 인간이 동일한 작업을 수행할 때보다 15~100배 많은 연산 자원을 필요로 할 수 있다"고 설명했다. 젠슨 황 CEO는 엔비디아의 경쟁력이 단순한 GPU 성능에 있지 않다고 강조했다. 엔비디아는 데이터 생성·준비, 사전학습, 사후학습, 에이전틱 추론 등 AI의 전체 과정을 하나의 시스템에서 처리할 수 있는 'AI 팩토리' 플랫폼을 구축했다는 설명이다. D램과 고대역폭메모리(HBM), SSD 등 메모리 반도체 뿐만 아니라 데이터센터 전력·시설, 파운드리 등 전체 공급망 제약에 대해 젠슨 황 CEO는 "특정 부품 뿐만 아니라 전력과 냉각, 메모리, 웨이퍼, 각종 시스템 부품 등 공급망 전반에 제약이 있다"고 밝혔다. 이어 "현재 모든 요소를 전력으로 가동하고 있으며 생산능력이 한꺼번에 늘어나는 것이 아니라 매일 조금씩 늘어날 것이다. 현재 엔비디아가 확보한 공급량은 수요의 약 70% 수준이며, 실제 수요는 그보다 훨씬 높다"고 덧붙였다. 콜렛 크레스 CFO는 "AI 인프라 구축 자체가 메모리 부족을 심화시키고 있다. 메모리 가격 상승폭이 당초 예상보다 컸고 내년에도 가격 상승이 이어질 것"이라고 내다봤다. 대규모 투자도 AI 인프라 확대를 뒷받침한다. 엔비디아는 아폴로, 블랙록, 블랙스톤, 브룩필드, 골드만삭스, KKR 등 금융사들과 손잡고 향후 AI 인프라 구축을 위해 5000억 달러(692조 2500억원) 이상의 제3자 자본을 동원하는 금융 플랫폼을 추진하고 있다. 콜렛 크레스 CFO는 "프런티어 AI 연구소들이 컴퓨팅 자원 부족에 직면해 있으며, 엔비디아의 자금 지원은 이들의 성장을 돕는 동시에 투자 수익을 확보하기 위한 것"이라고 설명했다. 젠슨 황 CEO는 "오픈AI와 앤트로픽 등 주요 AI 기업에 대한 투자는 전략적 파트너십의 일환이며 이들이 장기적으로 엔비디아의 주요 고객으로 남을 것"이라고 강조했다.

2026.08.27 09:03권봉석 기자

삼성·SK, HBM4 8단 출하 비중 늘린다…엔비디아 공급망 변화 예고

삼성전자와 SK하이닉스가 엔비디아향 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 출하량에서 8단 비중을 확대할 것으로 파악됐다. 발열 및 공급망 안정성을 고려해, 다양한 HBM 메모리 옵션을 확보하려는 엔비디아의 수급 전략이 주된 영향을 미쳤다. 차세대 제품인 HBM4E도 8단이 주력 제품이 될 가능성이 높아진 상황이다. 26일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 올 하반기 엔비디아향 HBM4 8단 공급을 늘릴 계획이다. 앞서 양사는 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '베라-루빈' 시리즈용으로 HBM4 12단 제품을 공급해 왔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 12단은 D램을 12개 쌓았다는 의미다. 해당 제품의 본격적인 양산 공급 시점은 삼성전자가 올 1분기, SK하이닉스가 2분기로 관측된다. 그러나 최근 엔비디아 HBM 공급망 기조가 변화하고 있다. 삼성전자·SK하이닉스 양사 안팎의 이야기를 종합하면, 올 하반기 양사는 엔비디아향 HBM4 출하량에서 12단 대신 8단 공급 비중을 점차 확대할 계획이다. 메모리 반도체 업계 관계자는 "최근 엔비디아로부터 HBM4 주력 공급 제품을 12단에서 8단으로 변경해달라는 요청이 있었다"며 "이에 맞춰 올 하반기 공급 계획이 수정된 것으로 안다"고 말했다. 또 다른 관계자는 "당초 HBM4 8단에 대한 수요가 일부 있었는데, 올 하반기 해당 제품용 수요가 늘어나 관련 소재·부품 쪽에도 발주 영향이 있었다"며 "정확한 비중은 아직 판단하기 이르나, 엔비디아향 HBM4에서 8단 비중이 늘어나는 추세는 뚜렷해질 것"이라고 설명했다. 업계는 이 같은 변화에는 복합적인 요인이 작용했을 것으로 보고 있다. 성능 면에서는 발열 문제가 대두됐다. HBM4의 경우 이전 세대 대비 데이터 전송통로인 입출력단자(I/O) 수가 2048개로 2배 늘면서, 개별 칩뿐만 아니라 서버 랙 시스템 전체의 발열이 크게 증가했다. 공급망적인 측면도 영향을 미친 것으로 알려졌다. 현재 HBM은 글로벌 빅테크의 공격적인 AI 인프라 투자로 극심한 공급난에 빠져 있다. 반면 HBM4는 성능 및 집적도 향상으로 수율 향상에 불리하다. HBM의 코어 다이인 D램의 수율은 비교적 빠르게 끌어올릴 수 있으나, 이를 12단으로 적층하고 본딩 및 패키징 하는 과정에서 수율은 크게 저하된다. 이에 엔비디아는 기존 HBM4 12단 외에도 8단 제품 수급량을 늘려, 향후 AI 가속기에 탑재되는 메모리 용량에 대한 여러 선택지를 확보하려는 것으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "엔비디아가 최신 AI 플랫폼을 설계하는 과정에서 발열 관리를 제일 중요하게 보고 있다"며 "개별 칩 스펙을 하향 조정한다기보다는, 최적의 조합을맞추는 과정이므로 시장 전체 수요에는 큰 변동이 없을 것"이라고 강조했다. HBM4의 차기 버전인 HBM4E도 당초 12단에서 8단 출하가 유력해진 상황이다. HBM4E는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '루빈-울트라'에 탑재될 예정인 제품이다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "HBM4E 12단 및 16단 샘플 역시 논의는 되고 있으나, 고객사와의 논의 상황을 보면 당장 내년 공급될 HBM4E는 8단이 주력으로 공급될 가능성이 높다"며 "다만 당장은 루빈-울트라도 HBM4E를 쓰느냐, HBM4를 쓰느냐 등의 이슈가 있어 업계 전반의 불확실성이 높다"고 말했다.

2026.08.26 14:04장경윤 기자

  Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

"스마트폰 다음은 XR"…퀄컴·삼성·구글, 차세대 폼팩터 3자 연합 구축

LG전자, AI 데이터센터 냉각 솔루션 영토 확장

검찰, 카카오 김범수 2심서도 징역 15년 구형..."불법·부정 지시 없었다"

미중 정상회담 D-1…AI 개발 속도·안전관리 접점 찾을까

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현
  • COPYRIGHT © ZDNETKOREA ALL RIGHTS RESERVED.