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삼성·SK, 올 상반기 R&D에 '적극 투자'…AI 시대 준비

삼성전자, SK하이닉스가 올 상반기 공격적인 연구개발(R&D) 투자에 나선 것으로 집계됐다. AI 산업 발전에 따라 최첨단 가전·반도체 수요가 급증하고 있는 만큼, 경쟁력을 선제적으로 확보하기 위한 전략으로 풀이된다. 14일 각 사 사업보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기 R&D 비용을 전년동기 대비 크게 늘렸다. 삼성전자는 올 상반기 R&D에 18조641억원을 투자했다. 매출액 대비 11.8%에 해당하는 규모다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 R&D에 15조8천965억원을 투자한 바 있는데, 이보다 2조원 넘게 투자 규모를 늘린 셈이다. SK하이닉스의 올 상반기 R&D 투자비용은 3조456억원으로 집계됐다. 전년동기(2조3075억원) 대비 7천억원 가량 증가했다. 이처럼 국내 주요 IT기업들은 차세대 제품 개발 및 선도 기술 확보를 위한 공격적인 투자를 이어가고 있다. 삼성전자의 경우, 주요 사업인 스마트폰에서 초슬림·초경량 디자인의 '갤럭시S25 엣지' 제품을 출시한 바 있다. 또한 모니터, 사이니지, 프로젝터 등 신규 가전제품 라인업을 확대했다. 반도체 사업부문에서는 지난 6월 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 준비를 마쳤다. 해당 제품은 이전 세대 대비 생산성은 30% 이상 향상됐으며, 저전력 특성이 10%가량 개선됐다. 삼성전자는 이를 HBM(고대역폭메모리)에 적용해 AI 시장에 대응할 예정이다. SK하이닉스도 올 2분기 1c 공정 기반의 LPDDR5X(저전력 D램) 개발에 성공했다. 향후 AI 서버 및 PC 시장을 위한 차세대 메모리 모듈에 적용될 계획이다.

2025.08.14 18:13장경윤

SK하이닉스, '1c D램' LPDDR5X 개발 성공…SoCAMM 등 AI 메모리 겨냥

SK하이닉스가 올 2분기 차세대 공정 기반의 저전력 D램 개발에 성공했다. SoCAMM(소캠) 등 신규 AI용 메모리가 주요 타겟으로, 향후 엔비디아와 같은 글로벌 빅테크 수요에 적기 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 14일 SK하이닉스 반기보고서에 따르면 이 회사는 올 상반기 1c(6세대 10나노급) 공정 기반의 LPDDR5X 개발에 성공했다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램이다. 스마트폰, 태블릿 등 IT 기기에서 수요가 높다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔으며, 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 4분기부터 1b(5세대 10나노급) LPDDR5X 양산에 성공한 바 있다. 나아가 이번 1c LPDDR5X 개발로 AI용 저전력 D램 시장 확대에 선제적으로 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 1c D램은 아직 상용화 궤도에 오르지 않은 차세대 D램으로, SK하이닉스의 경우 올 하반기부터 1c D램의 전환투자를 시작할 계획이다. SK하이닉스는 "AI 산업을 위한 1c 24Gb(기가비트) LPDDR5X 제품을 개발했으며, 최대 10.7Gbps의 동작속도 구현이 가능하다"며 "SoCAMM 및 LPCAMM 형태로 AI용 서버 및 PC 시장에 대응할 예정"이라고 설명했다. LPCAMM은 기존 LPDDR 모듈 방식인 So-DIMM(탈부착)과 온보드(직접 탑재)의 장점을 결합한 기술이다. 기존 방식 대비 패키지 면적을 줄이면서도 전력 효율성을 높이고, 탈부착 형식으로 제작하는 것이 가능하다. SOCAMM 역시 LPDDR 기반의 차세대 모듈이다. LPCAMM과 마찬가지로 탈부착이 가능하지만, 데이터를 주고받는 I/O(입출력단자) 수가 694개로 LPCAMM(644개) 대비 소폭 증가했다. LPCAMM 및 SOCAMM은 이 같은 장점을 무기로 글로벌 빅테크와 주요 메모리 기업들의 주목을 받고 있다. 현재 AI 산업을 주도하고 있는 엔비디아도 차세대 AI PC에 이들 제품을 채택할 것으로 알려졌다.

2025.08.14 17:23장경윤

내년 HBM '완판' 자신한 마이크론…성과급 갈등 빚는 SK하이닉스

미국 마이크론이 내년 최첨단 HBM(고대역폭메모리) 공급물량의 완판 가능성을 언급해 주목된다. 글로벌 메모리 빅3 기업 중에선 처음으로 HBM 수율 개선과 고객사 협의에 강한 자신감을 내비친 셈이다. 반면 성과급 한도를 놓고 노사 갈등을 빚고 있는 SK하이닉스, 여전히 엔비디아에 HBM3E 공급 시점을 잡지 못하고 있는 삼성전자 등 국내 기업이 자칫 협상 선점에서 실기할 수 있어 시장 대응에 속도를 내야 한다는 목소리가 나온다. 13일 업계에 따르면 주요 메모리 공급업체들은 내년 주요 고객사용 HBM 공급 규모를 확정하기 위한 협의를 적극 진행하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 내년에는 현재 상용화된 가장 최신 제품인 HBM3E(5세대 HBM) 12단과 이르면 올 하반기부터 양산되는 HBM4(6세대 HBM) 12단이 주력으로 떠오를 전망된다. 특히 AI 반도체 시장을 선도하는 엔비디아가 HBM 핵심 고객사로서의 지위를 유지하고 있는 만큼, 엔비디아와의 내년 공급량 협의가 반도체 빅3에게는 향후 사업을 좌지우지할 매우 중대한 사안으로 떠오르고 있다. 마이크론은 지난 11일(현지시간) 미국 키뱅크가 주최한 기술 리더십 포럼에서 이와 관련한 질문에 "내년 HBM 물량에 대해 고객들과 논의를 진행해 왔으며, 지난 몇달 간 상당한 진전을 이뤘다"며 "이를 바탕으로 내년 HBM 물량을 모두 판매할 수 있을 것으로 확신한다"고 강조했다. 내년 전체 HBM 물량의 판매 가능성을 언급한 건 사실상 마이크론이 처음이다. 이어 HBM3E 12단 수율 역시 상당히 개선됐다고 자평했다. 마이크론은 "HBM3E 12단 수율의 램프업(ramp-up)은 이전 HBM3E 8단보다 훨씬 빠르게 진행됐다"며 "이미 HBM3E 12단 수율이 8단을 넘어섰다"고 밝혔다. 마이크론의 이같은 공격적인 HBM 사업 확장세는 국내 메모리 업계에 경계해야할 위험 요소로 다가온다. 특히 기존 엔비디아에 HBM을 주력으로 공급해 온 SK하이닉스가 가장 많은 영향을 받을 것으로 전망된다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "내년 HBM 공급에 대한 가시성이 확보됐다"고 밝혔으나, 구체적인 현황에 대해서는 말을 아꼈다. 지난해 상반기 "내년 HBM 물량이 이미 솔드아웃(완판) 됐다"고 공언한 것과는 대조적이다. 실제로 SK하이닉스는 당초 올해 중반까지 엔비디아와의 내년 HBM 공급량을 확정짓는 것을 목표로 했으나, 이달까지도 협상이 지연되고 있다. 양사 간 주요 임원진이 수 차례 만남을 가졌음에도 물량 담보와 HBM4 가격 등에서 좀처럼 이견을 좁히지 못하는 것으로 알려졌다. 더구나 이 같은 와중에 SK하이닉스 노사가 성과급 한도와 방식을 놓고 이견을 좁히지 못하고 있는 것도 불안 요소다. 노사는 지난 5월부터 총 10차례에 걸쳐 임금 교섭을 벌이고 있지만 합의점을 찾지 못하고 있다. 사측은 지난달말 성과급 지급률 기준을 1천%에서 1천700%로 상향하고 지급 뒤에도 남은 영업이익 10%의 재원 중 50%를 구성원들의 PS 재원으로 활용하는 방안을 제안했다. 나머지 절반은 미래 투자 등에 사용한다는 방침이다. 그러나 노조는 영업이익 10%를 전액 성과급으로 지급해야 한다며 총파업 투쟁 결의대회를 이어가고 있다. 내년 주력 제품으로 떠오를 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 증가하고, 코어 다이 면적 증가, 베이스(로직) 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. 때문에 업계는 HBM4 가격이 HBM3E 12단 대비 약 30% 증가한 500달러 수준을 형성해야 한다고 보고 있다.

2025.08.13 10:31장경윤

SK하이닉스 "PIM, 온디바이스 AI 타고 엣지 시장서 뜬다"

SK하이닉스가 차세대 메모리로 주목받는 PIM(프로세스 인 메모리) 기술이 엣지 디바이스 시장에서 급부상할 것으로 내다봤다. PIM이 갖는 높은 에너지 효율성이 온디바이스AI에 적합하기 때문이다. 또 AI 시대 정보 보호에 대한 필요성이 높아지며, 온디바이스AI에 대한 수요도 동반 상승한다는 점도 PIM 시장 개화를 앞당기는 요소로 봤다. 강욱성 SK하이닉스 부사장은 12일 서울 강남구 코엑스에서 개최된 OCP코리아 테크데이에서 '클라우드에서 엣지까지 AI 메모리의 현재와 미래'라는 주제로 기조연설을 진행했다. 강 부사장이 미래 AI메모리로 주목한 제품군은 HBM(고대역폭 메모리), PIM, CXL(컴퓨트익스프레스링크)였다. HBM은 시장 내 품귀 현상까지 일어나고 있는 메모리 반도체로, AI의 속도를 담당한다. CXL은 여러 장치에서 메모리를 공유해, 속도를 대폭 확장시키는 기술이다. "PIM, 온디바이스 AI 타고 엣지 시장서 먼저 열릴 것" 이날 강 부사장은 PIM의 활용성에 주목했다. 에너지 효율성이 높은 PIM이 스마트폰, PC 등 엣지 디바이스에서 시장이 먼저 열릴 것이라는 예측이다. 그는 “PIM은 클라우드보다 스마트폰, PC 등 엣지에서 먼저 상용화가 전망된다”며 “GPU(그래픽처리장치) 개수를 늘릴 수 있는 클라우드와 달리, 엣지 디바이스는 늘릴 수 없기 때문이다”라고 설명했다. 그러면서 “휴머노이드나 로보틱스에서도 활용될 가능성이 높다”고 덧붙였다. PIM은 기존에 저장 기능만을 담당하던 메모리가 연산 기능까지 일부 수행하게 되는 것을 말한다. 데이터가 메모리에서 CPU(중앙처리장치) 등 프로세서로 이동하지 않는 만큼 병목 현상을 줄일 수 있다. 또 데이터 이동이 반도체 구동에서 가장 큰 전력을 소모하는 만큼 칩의 에너지 효율도 상승한다. 강 부사장은 “PIM은 동일한 파워에서 가장 높은 성능을 낸다”며 엣지 디바이스에 적합한 이유를 설명했다. 이에 SK하이닉스는 LPDDR(저전력 D램)에 PIM을 적용할 계획이다. 서버용 제품으로 만들어진 DDR과 달리 LPDDR은 스마트폰, 노트북 등에 활용되는 저전력 메모리다. 그는 기조연설이 끝난 뒤 기자들과 만나 "중장기적으로는 LPDDR에서 더 가능성이 크다고 보고 있다"고 말했다. 앞서 회사는 GDDR(그래픽 D램)에 PIM을 구현한 'AiM'을 선보인 바 있다. PIM을 데이터센터에서 구현하겠다는 시도다. SK하이닉스는 GDDR에서 시도했던 기술들을 토대로 LPDDR에서 PIM을 구현할 계획이다. 강 부사장은 "사실 PIM은 인터페이스가 크게 중요하지 않다. 내부 밴드위스(대역폭)를 활용하는 것이기 때문에 GDDR이든 LPDDR이든 상관없다"며 "단지 성능 관점에서 응용해서 쓰는 일반적인 메모리가 있을 것이다. 응용처에 따라 달라질 것 같다"고 설명했다. 아울러 정보 보호가 중요한 사회 분위기도 PIM 시장 개화를 가속화한다. 오늘날 AI의 확장과 함께, 개인 정보 보안에 대한 우려도 커지고 있다. 클라우드를 통한 연결이 개인 정보를 보호해주지 못한기 때문이다. 강 부사장은 이런 불안함이 온디바이스AI와 PIM 시장 개화를 앞당길 요소라고 봤다. 그는 “프라이빗한 데이터가 클라우드에 왔다 갔다 하는 걸 많은 사람들이 불안해한다”며 온디바이스 AI 시장이 커질 것으로 점쳤다. 그러면서 “(온디바이스 AI가) 요구하는 성능을 LPDDR만으로는 만족시키지 못한다”며 “PIM을 도입하게 되면 에너지 효율과 성능 모두를 다 잡을 수 있다”고 덧붙였다.

2025.08.12 14:42전화평

HBM3E '가격 하락' 가능성 언급한 삼성전자…속내는

삼성전자가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 가격이 하락할 수 있음을 암시했다. 공급이 시장 수요를 웃돌면서 수급의 변화가 예상된다는 게 주요 근거다. 다만 업계는 삼성전자가 주요 고객사향 HBM3E 12단 상용화를 위해 펼치고 있는 가격 인하 정책도 적잖은 영향을 끼쳤을 것으로 보고 있다. 31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 제품의 경우 수요 성장속도를 상회하는 공급 증가로 수급의 변화가 예상된다"며 "당분간 시장 가격에도 영향이 있을 것으로 전망한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "실제로 하반기 컨벤셔널 D램의 가격 상승세를 감안하면 앞으로 HBM3E와 컨벤셔널 D램 수익률 격차는 가파르게 축소될 것으로 판단된다"고 설명했다. HBM3E는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램이다. D램 적층 수에 따라 8단과 12단으로 나뉜다. 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크가 최신형 AI 가속기를 출시함에 따라, HBM3E 12단에 대한 수요 증가세가 올해 크게 두드러질 전망이다. 그럼에도 삼성전자는 HBM3E의 공급 과잉 가능성을 언급하며 수익성 최적화를 위한 운영 전략의 필요성을 강조했다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E 12단을 적극 양산하고 있다는 점을 반영한 것으로 풀이된다. 삼성전자의 공격적인 HBM3E 마케팅 전략도 큰 영향을 끼칠 것이라는 게 업계의 시각이다. 복수의 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 엔비디아향 HBM3E 12단 상용화가 지연되는 상황에서, 가격 인하 등 다양한 제안을 건넨 것으로 안다"며 "실제 공급 성공 여부에 따라 HBM 시장에 변화가 생길 것"이라고 밝혔다.

2025.07.31 13:23장경윤

삼성전자 "HBM4 샘플 이미 출하…내년 수요에 적기 대응"

31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4 제품은 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 이미 출하했다"며 "내년 HBM4 수요가 본격 확대되는 추세에 맞춰 적기에 공급을 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다. 삼성전자는 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4를 개발해 왔다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 앞선 D램을 채용해 성능 경쟁력 확보를 추진하고 있다. 삼성전자는 "당사 HBM4는 베이스다이에 선단 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해, HBM3E 대비 성능 및 에너지 효율을 크게 개선했다"고 설명했다. 1c D램의 생산능력 확대를 위한 설비투자도 진행 중이다. 삼성전자는 올 상반기부터 평택 및 화성캠퍼스에서 1c D램용 양산라인을 구축하고 있다. 올해만 최소 월 7~8만장 규모의 생산능력 확보가 기대된다. 한편 삼성전자는 올 하반기 HBM3E 판매 확대도 계획하고 있다. 삼성전자는 "올 2분기 HBM 출하량이 전분기 대비 30% 증가했고, 전체 HBM 수량에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80%까지 확대됐다"며 "추가적으로 수요를 지속 확보하고 있어 올 하반기 HBM3E 판매 비중은 90%를 상회할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.31 11:29장경윤

ISC, 2분기 매출 517억원…전분기 대비 63% 증가

글로벌 반도체 테스트 솔루션 전문기업 아이에스시(ISC)는 2025년 2분기 연결기준 매출 517억원, 영업이익 137억원을 기록했다고 30일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 4%, 전분기 대비 63% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 8% 하락했으나, 전분기 대비로는 96% 증가했다. 아이에스시는 "2분기 실적 호조는 ▲AI 데이터센터향 고속·고신뢰성 테스트 소켓 수요 급증, ▲비메모리 고객 대상 양산 수요 확대에 따른 주문 증가에 기인한다"며 "특히 고속 인터페이스와 열 신뢰성이 요구되는 하이엔드 테스트 소켓의 평균판매단가(ASP)와 출하 물량이 모두 동반 성장하며 실적 성장을 견인했다"고 설명했다. 3분기에는 사상 최대 실적 경신이 유력하다고 내다봤다. AI 가속기 및 고성능 GPU 수요 확산과 더불어 자회사 아이세미가 공급하는 하이스피드 번인 테스터 및 모듈 테스터의 본격 출하가 예정돼 있기 때문이다. 또한 국내 주요 파운드리 고객사와의 견고한 협력 관계를 바탕으로 자율주행 및 차량용, 휴머노이드 칩 테스트 영역에서도 수혜가 기대된다. 또한 아이에스시는 기존 테스트 소켓 중심에서 벗어나, 장비·소켓을 아우르는 수직 통합형 테스트 플랫폼 기업으로의 전환을 본격화하고 있다. 자회사 아이세미는 글로벌 메모리 고객사와 공동 개발한 차세대 메모리용 하이스피드 번인테스터를 3분기 중 첫 출하할 예정이며, AI 반도체 실장 테스트용 장비 공급도 동시에 진행된다. 이를 통해 고객사는 테스트 효율성과 부품 호환성, 장비 전환 속도 등의 측면에서 최적화된 운영이 가능해지며, 아이에스시는 가격경쟁에서 벗어난 고수익 구조로의 전환 기반을 마련하게 될 전망이다. 아이에스시 관계자는 “AI 반도체, 고대역폭 메모리(HBM), 고성능 GPU 등 고부가 테스트 시장이 빠르게 확대되는 가운데, 아이에스시는 장비-소켓 간 통합 솔루션을 통해 고객 밀착도를 강화하고 있다”며 “3분기에는 장비 및 소켓 동시 출하가 본격화되며, 창사 이래 최대 분기 실적 달성이 기대된다”고 밝혔다. 관계자는 이어 “최근 글로벌 고객사의 자율주행 칩 수주와 같은 글로벌 공급망 변화는 아이에스시에 새로운 기회를 제공하고 있다”며 “엔드-투-엔드(End-to-End) 테스트 플랫폼 전략과 기술우위를 바탕으로, 차세대 반도체 테스트 시장의 주도권을 강화해 나가겠다”고 덧붙였다.

2025.07.30 11:21장경윤

"엔비디아, TSMC에 'H20' 30만개 주문"…HBM3E 수요 촉진 기대

엔비디아가 중국향 AI 반도체 'H20'의 생산량을 확대할 것으로 관측된다. 이에 따라 H20에 탑재되는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 제품의 수요도 당초 예상보다 늘어날 것으로 기대된다. 29일 로이터통신은 엔비디아가 파운드리 협력사 TSMC에 H20 반도체를 30만개 가량 추가 주문했다고 보도했다. H20은 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 제작한 맞춤형 AI 반도체다. 주력 제품 대비 컴퓨팅 성능을 크게 낮춘 것이 특징이다. 다만 지난 4월 미국 정부가 H20에 대한 무기한 수출 규제를 통보하면서, 엔비디아의 계획에도 차질이 생겼다. 그러나 트럼프 행정부는 이달 중순 엔비디아의 중국향 H20 수출 재개를 허락했다. 당시 엔비디아는 회사 공식 블로그를 통해 "고객들에게 H20 판매를 위한 신청서를 다시 제출하고 있다"며 "미국 정부가 엔비디아에 관련 라이센스를 부여할 것이라고 약속했고, 엔비디아는 곧 제품 공급을 시작할 수 있기를 기대한다"고 밝힌 바 있다. 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "중국 내 강력한 수요로 인해 엔비디아가 기존 재고에만 의존하지 않기로 결정을 바꾸면서, TSMC에 H20을 30만개 주문했다"며 "기존 H20 재고인 60만~70만개에 추가될 예정"이라고 밝혔다. 업계에서는 엔비디아가 H20 공급량을 늘리기 어렵다는 의견도 제기돼 왔다. 엔비디아가 수출 규제에 따라 당초 TSMC에 의뢰했던 물량을 취소했기 때문이다. 생산 재개를 위해서는 최소 9개월이 걸릴 것으로 알려졌다. 그럼에도 엔비디아가 H20 공급량 확대에 나서면서, HBM 수요 확대에도 긍정적인 영향이 예상된다. 실제로 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품의 추가 생산을 검토해온 것으로 파악된다. 당초 H20은 HBM3를 탑재했으나, 엔비디아는 올해 초 HBM3E 8단을 대신 채용해 성능을 높인 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스·마이크론에 HBM3E 8단에 대한 추가 공급을 요청했다. 특히 SK하이닉스가 퍼스트 벤더로서의 지위를 부여받은 상황이다.

2025.07.29 13:41장경윤

SK하이닉스 미래 성장성, HBM4 가격협상·수익 방어에 달렸다

SK하이닉스가 올 2분기 역대 최대 실적을 기록한 가운데, 미래 AI 메모리 수요 대응을 위한 제품 개발·설비투자에 적극 나선다. 특히 내년에도 HBM(고대역폭메모리) 시장 우위를 지속하기 위한 준비에 주력한다는 계획이다. 관건은 수익성 방어다. 차세대 제품인 HBM4는 제조비용 상승, 후발주자와의 경쟁 심화 등으로 내년 견조한 공급량 및 가격 확보가 쉽지 않을 것으로 전망된다. 다만 SK하이닉스는 HBM 공급 과잉 및 수익성 악화 등 대내외적인 우려에 대해 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"며 적극적인 대응을 시사했다. SK하이닉스는 지난 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 이번 실적은 역대 최대 분기 실적에 해당한다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. SK하이닉스의 호실적은 당초 예상을 웃도는 D램·낸드 출하량 덕분이다. 또한 고부가 제품인 HBM3E 12단의 본격적인 판매 확대도 영향을 미쳤다. 하반기 역시 급격한 수요 감소 가능성은 낮을 것으로 내다봤다. 차세대 제품 개발·설비투자 확대로 미래 수요 대응 이에 맞춰 SK하이닉스는 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 주력하고 있다. 서버용 LPDDR 기반 최신형 모듈인 'SoCAMM(소캠)'의 공급을 연내 시작하며, AI GPU용 GDDR7은 용량을 24Gb(기가비트)로 확대한 제품을 준비한다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조를 유지하나, 향후 시황 개선에 대비한 제품 개발을 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 또한 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로, HBM 매출을 전년 대비 약 2배로 성장시키겠다는 기존 계획을 유지했다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 올해 설비투자 규모는 당초 계획 대비 확대될 전망이다. 특히 올해 말까지 구축 예정인 M15X는 내년부터 SK하이닉스의 HBM 생산에 크게 기여할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 “내년 HBM 공급 가시성이 확보되면서 적기 대응을 위한 선제적 투자를 결정했다”며 “올해 투자 규모는 기존 계획 대비 증가하며, 대부분 HBM 장비 투자에 활용할 계획”이라고 밝혔다. 차세대 D램인 1c(6세대 10나노급) D램 전환투자도 올 하반기 시작된다. 본격적인 램프 업은 내년에 진행될 예정으로, 현재 구체적인 계획을 수립하는 중이다. 내년 HBM 사업 불확실성에도…'수익성 고수' 자신 다만 업계는 SK하이닉스의 내년 메모리 사업에 대한 불확실성을 우려해 왔다. 주요 고객사인 엔비디아와 HBM4 등 차세대 제품에 대한 공급 협의가 당초 예상보다 길어지고 있고, 삼성전자·마이크론 등 후발주자 진입에 따른 HBM 경쟁 과열이 예상된다는 시각에서다. 특히 SK하이닉스는 HBM4 사업에서 수익성 하락 압박을 받고 있다. HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수 증가, 코어 다이 면적 증가, 베이스 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. SK하이닉스가 이를 HBM4 판매 가격에 온전히 반영하지 못할 경우, 견조한 이익을 거두기 힘들다. 이를 위해선 HBM4의 Gb(기가바이트)당 판매 가격이 이전 세대 대비 20~30%가량 증가해야 한다는 것이 업계의 분석이다. SK하이닉스는 이에 대해 "내년 HBM 고객사와의 협의는 계획대로 진행되고 있고, 고객사 프로젝트 다앙성이 증가하며 제품 믹스와 가격 등을 긴밀히 협의하고 있다"며 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"고 강조했다. 내년 주요 경쟁사와의 경쟁에 대해서도 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 "HBM은 리딩 사업자가 일정한 협상력을 가질 수 있는 시장으로 변모했다고 판단한다"며 "SK하이닉스의 고객 지향적인 마인드와 이를 뒷받침하는 탄탄한 조직 팀워크 등 소프트한 경쟁력 요소들은 남들이 쉽게 카피할 수 없을 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 12:13장경윤

SK하이닉스, 올 하반기 차세대 '1c D램' 전환투자 개시

SK하이닉스가 차세대 D램에 대한 전환투자를 올 하반기부터 시작해 내년 본격화할 계획이다. SK하이닉스는 24일 2025년 2분기 실적발표를 통해 1c(6세대 10나노급) D램의 전환투자를 올 하반기부터 진행한다고 밝혔다. 1c D램은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램인 1b D램의 차세대 제품이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝힌 바 있다. 당시 SK하이닉스는 "이미 입증된 1b D램 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해 냈다”며 “2024년 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. 다만 SK하이닉스의 이 같은 계획은 당초 예상 대비 지연돼 왔다. SK하이닉스가 올해 출시를 목표로 한 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에서도 이전 세대와 같은 1b D램 채용을 유지하는 등 1c D램에 대한 수요가 크지 않았기 때문이다. 그러나 올 하반기부터는 1c D램의 양산 준비가 구체화될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 10:04장경윤

SK하이닉스, SoCAMM 연내 공급 개시…AI 메모리 공략 가속화

SK하이닉스가 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 매진하고 있다. 서버용 저전력 D램 모듈로 각광받는 소캠(SoCAMM)의 연내 공급을 시작하고, 최신형 그래픽 D램의 용량도 늘릴 계획이다. SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. 이는 지난해 4분기를 넘어선 사상 최대 분기 실적에 해당한다. SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다. 나아가 회사는 AI 메모리 시장 공략을 가속화하기 위한 신제품을 지속 출시할 예정이다. SK하이닉스는 "서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb 제품도 준비할 것"이라며 "이같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망"이라고 밝혔다. 서버용 LPDDR 기반 모듈은 SoCAMM을 뜻하는 것으로 알려졌다. SoCAMM은 엔비디아가 독자 표준으로 개발해 온 차세대 메모리 모듈이다. 저전력 D램인 LPDDR을 4개씩 집적해 전력 효율성을 높였다. 특히 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 크게 늘어나 고성능 컴퓨팅 분야에 적합하다.

2025.07.24 08:57장경윤

"HBM3E 12단 본격 확대"…SK하이닉스, 2분기 역대 최대 매출·영업익 달성

SK하이닉스가 올 2분기 매출·영업이익 모두 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 증권가 예상 역시 상회했다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 AI 메모리 판매가 본격적으로 확대된 덕분이다. SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. 이는 지난해 4분기를 넘어선 사상 최대 분기 실적에 해당한다. 증권가 컨센서스(영업이익 9조원) 또한 상회했다. SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다. 회사는 이어 “D램은 HBM3E 12단 판매를 본격 확대했고, 낸드는 전 응용처에서 판매가 늘어났다”며 “업계 최고 수준의 AI 메모리 경쟁력과 수익성 중심 경영을 바탕으로 좋은 실적 흐름을 이어왔다”고 덧붙였다. 이 같은 호실적으로 2분기 말 현금성 자산은 17조원으로 전분기 대비 2조7천억원 늘었다. 차입금 비율은 25%, 순차입금 비율은 6%를 기록했으며, 순차입금은 1분기 말보다 4조1천억원이나 크게 줄었다. SK하이닉스는 고객들이 2분기 중 메모리 구매를 늘리면서 세트 완제품 생산도 함께 증가시켜 재고 수준이 안정적으로 유지됐고, 하반기에는 고객들의 신제품 출시도 앞두고 있어 메모리 수요 성장세가 이어질 것으로 내다봤다. AI 모델 추론 기능 강화를 위한 빅테크 기업들의 경쟁도 고성능, 고용량 메모리 수요를 더욱 확대할 것으로 전망했다. 아울러 각국의 소버린 AI 구축 투자가 장기적으로 메모리 수요 증가의 새로운 성장 동력이 될 것으로 예측했다. 이에 회사는 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로 HBM을 전년 대비 약 2배로 성장시켜 안정적인 실적을 창출한다는 방침이다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 더불어 서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb(기가비트) 제품도 준비할 계획이다. 이 같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망이다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조와 수익성 중심 운영을 이어가며 향후 시장 상황 개선에 대비한 제품 개발도 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 송현종 SK하이닉스 사장(Corporate Center)은 “내년 수요 가시성이 확보된 HBM 등 주요 제품의 원활한 공급을 위해 올해 일부 선제적인 투자를 집행하겠다”며 “AI 생태계가 요구하는 최고 품질과 성능의 제품을 적시 출시해 고객 만족과 시장 성장을 동시에 이끌어 나가는 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더'로 성장하겠다”고 말했다.

2025.07.24 08:49장경윤

파두, 美 'FMS 2025'서 메타 공동 기조연설…SSD 혁신 방안 제시

데이터센터 반도체 전문기업 기업 파두(FADU)는 오는 8월 5일부터 7일까지 미국 산타클라라 실리콘밸리에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2025' 행사에서 메타와 공동 기조연설을 진행한다고 23일 밝혔다. FMS 2025는 글로벌 메모리 및 스토리지 기술 전시회로 세계 유수 반도체 기업들이 대거 참여하는 행사다. 낸드플래시(NAND flash) 메모리를 비롯한 SSD 산업 분야에서 단일 최대 규모다. 양사의 연설 주제는 '스토리지의 경계를 확장하다: AI 데이터센터를 위한 차세대 SSD'다. 이지효 파두 대표와 로스 스텐포트 메타 하드웨어 시스템 엔지니어가 연사로 나서, 인공지능(AI) 데이터센터 시대에 부합하는 차세대 SSD 혁신 방안을 제시한다. 특히 이번 기조연설에는 파두 창립 10주년을 맞아 지난 10년간의 주요 성과와 향후 10년을 향한 비전을 공유하는 내용이 담겼다. 이지효 대표는 AI 시대에 대응하기 위한 파두의 기술 로드맵과 중장기 전략을 제시할 예정이다. 또한 파두는 이번 FMS 2025에서 글로벌 기업과 대등한 규모의 대형 행사 부스를 운영해 기존 고객과의 파트너십 강화 및 신규 고객 발굴에 적극 나설 계획이다. 행사 부스에서는 파두의 주력 제품인 PCIe 5.0 기반 SSD 컨트롤러 및 차세대 전략 제품인 Gen6 컨트롤러도 함께 선보인다. 특히 기업용 SSD의 수명과 성능을 획기적으로 늘린 FDP(Flexible Data Placement) 및 AI 시대에 요구되는 초고집적 스토리지를 위한 QLC(Quad-Level Cell) 기술 등 혁신 기술 전시와 데모를 통해 AI 데이터센터에 최적화한 솔루션도 소개한다. 또한 고객 맞춤형 기업용 SSD 구축 수요에 가장 효과적으로 대응할 수 있는 비즈니스모델 '플렉스 SSD(FlexssD)'를 통해 잠재 고객 발굴 효과도 함께 노린다는 전략이다. 이지효 대표는 “기술 차별화와 고객 맞춤형 솔루션을 통해 AI 시대에 최적화한 저전력, 고효율을 추구하는 글로벌 고객사들의 니즈에 부합할 계획”이라며 “이번 FMS 2025를 통해 차세대 AI 데이터센터 스토리지 생태계를 이끄는 핵심 기업으로 도약하겠다”고 밝혔다.

2025.07.23 09:58장경윤

삼성전자, 'HBM4E 16단'서 하이브리드 본딩 도입 검토…샘플 평가 中

삼성전자가 이르면 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 16단부터 하이브리드 본딩 기술을 적용하겠다는 계획을 밝혔다. 이를 위해 샘플 테스트를 진행 중인 상황으로, 사업성과 투자 비용 등이 상용화의 주요 관건이 될 것으로 관측된다. 김대우 삼성전자 상무는 22일 '2025 상용반도체개발 기술워크숍'에서 차세대 반도체를 위한 패키징 기술 로드맵에 대해 소개했다. HBM은 복수의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 기존 HBM 제조에는 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣어 열압착(TC) 방식으로 연결하는 방식이 사용됐다. 다만 HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 등으로 점점 많아질수록 기존 TC 본딩도 적용이 어려워질 것으로 관측된다. HBM 패키지 두께가 최대 775마이크로미터(μm)로 제한돼 있기 때문이다. 각 D램을 더 얇게 갈아내거나, D램 사이를 좁히는 대응법도 한계가 있다는 분석이다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. I/O(입출력단자)를 더 밀도 있게 집적하고, 방열 특성도 높일 수 있다. 다만 하이브리드 본딩은 높은 기술적 난이도, 기존 TC본딩에서의 전환 투자에 따른 비용 상승 압박 등을 이유로 도입 시점이 불투명했다. 삼성전자 역시 하이브리드 본딩의 구체적인 도입 시점을 확정하지 않고 상당한 고심을 거듭하고 있는 것으로 알려졌다. 이날 공개된 로드맵에 따르면, 삼성전자는 이르면 HBM4E(7세대)부터 하이브리드 본딩을 도입할 계획이다. 이를 위해 삼성전자는 하이브리드 본딩 기반의 16단 HBM 샘플을 개발해 평가를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 김 상무는 "HBM이 16단 적층만 돼도 발열을 잡기가 어려워, 여기에서부터 하이브리드 본딩을 조금씩 써보려는 준비를 하고 있다"며 "HBM4E에서 하이브리드 본딩이 상용화될 지는 시장적인 부분과 투자비 등을 생각해야 된다"고 설명했다. 차후 수요가 증가할 것으로 예상되는 커스텀(맞춤형) HBM 사업도 준비하고 있다. 현재 구글, 엔비디아, AMD 등 복수의 글로벌 빅테크 기업들은 자신들의 AI 반도체에 특화된 성능을 갖춘 HBM을 요구하고 있다. 김 상무는 "커스텀 HBM에 대한 문의가 많이 오고 있어, 베이스 다이에 연산 기능을 집어넣는 등 삼성전자만의 특별한 커스텀 HBM을 만들기 위한 준비를 하고 있다"고 말했다.

2025.07.22 14:55장경윤

SK하이닉스, 엔비디아 H20향 'HBM3E' 대응 분주…추가 생산 검토

SK하이닉스가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 출하량을 당초 예상 대비 확대할 수 있을 것으로 관측된다. 최근 엔비디아의 중국향 AI 반도체 'H20'에 가해진 수출 규제가 해제된 덕분이다. H20은 당초 HBM3를 활용했으나, 올해부터 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품을 주력으로 탑재한다. 이에 SK하이닉스는 우선 올 3분기까지 H20향 HBM3E 8단 양산을 진행할 계획이다. 나아가 추가적인 수요가 발생할 가능성을 고려해, 해당 HBM 생산량 확대를 위한 소재·부품 발주를 검토하고 있는 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품의 생산을 당초 예상보다 확대하는 방안을 논의 중이다. 앞서 엔비디아는 지난 15일 공식 블로그를 통해 중국 시장에 H20 GPU 판매를 재개할 계획이라고 밝혔다. 당시 젠슨 황 엔디비아 최고경영자(CEO)는 "고객들에게 H20 판매를 위한 신청서를 다시 제출하고 있다"며 "미국 정부가 엔비디아에 관련 라이센스를 부여할 것이라고 약속했고, 엔비디아는 곧 제품 공급을 시작할 수 있기를 기대한다"고 설명했다. H20은 엔비디아의 기존 주력 제품에서 성능을 하향 조정한 AI 가속기다. 미국의 대중(對中) AI 반도체 수출 규제를 우회하기 위해 출시됐다. 그러나 지난 4월 미국 정부가 H20에 대한 무기한 수출 규제를 통보하면서, 엔비디아는 약 55억 달러(한화 약 7조4천억원) 수준의 비용이 발생할 것으로 예상돼 왔다. 이번 미국 정부의 결정으로 H20 수출길이 다시 열리면서, SK하이닉스도 HBM3E 8단 사업 매출을 확대될 수 있는 기회를 잡게 됐다. 당초 H20은 HBM3를 탑재했으나, 엔비디아는 올해 초 HBM3E 8단을 대신 채용해 성능을 높인 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스·마이크론에 HBM3E 8단에 대한 추가 공급을 요청했다. 특히 SK하이닉스가 퍼스트 벤더로서의 지위를 부여받은 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 올해 1분기부터 H20용 HBM3E 8단 공급을 시작해, 3분기까지 제품을 지속 생산할 계획인 것으로 파악됐다. 나아가 올 4분기 혹은 내년에도 제품을 추가 양산하는 방안을 내부적으로 논의하고 있다. 이를 위한 관련 소재·부품의 추가 주문 계획을 구체화하는 중이다. 중국이 H20 등 엔비디아 AI칩 수급에 적극 나서고 있는 분위기를 고려한 전략으로 풀이된다. 실제로 엔비디아가 중국향 AI 반도체 공급량을 늘리는 경우, HBME 8단의 양산 비중은 당초 예상 대비 확대될 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 하반기 HBM3E 생산 비중에서 12단 제품을 80%, 8단 제품을 20% 수준으로 계획해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 H20의 중국 수출 재개 움직임과 맞물려 HBM3E 8단 양산을 확대하는 분위기"라며 "추가 수요에 대비해 관련 소재·부품을 확보하는 방안을 논의하고 있다"고 설명했다. 변수는 엔비디아의 공급망 대책이다. 엔비디아는 H20 수출 규제 당시 TSMC에 위탁했던 양산을 취소했으며, 해당 양산 라인은 타 고객사에 할당된 것으로 알려졌다. H20을 다시 양산하기 위해선 9개월의 시간이 필요하다. 결과적으로, H20 양산에 대한 병목현상을 해결해야만 사업 확대가 가능할 전망이다. 최근 미국 IT매체 디인포메이션은 소식통을 인용해 "성능이 높아진 엔비디아 H20은 주로 SK하이닉스의 HBM을 탑재하고 있으나, 이번 주 SK하이닉스가 엔비디아에 H20용 추가 메모리 공급 여력이 제한적일 것이라고 통보했다"며 "엔비디아는 최근 몇 주간 중국 내 주요 고객들과 접촉해 H20 및 블랙웰 칩에 대한 수요 및 반응을 파악하고 있다"고 보도했다.

2025.07.21 10:53장경윤

"韓 반도체, 공급 역량 확충에 사활 걸어야"

국내 반도체 산업이 기회와 위기를 동시에 맞고 있다. AI·데이터센터 투자로 첨단 메모리 및 파운드리 수요가 급증할 것으로 보이지만, 미국·중국의 적극적인 투자 속 경쟁력을 잃을 수 있다는 우려도 제기된다. 실제로 국내 기업의 투자비용 대비 정부 지원 비율은 5.25%로, 미국(27.5%) 대비 5분의 1 수준에 불과한 것으로 집계됐다. 또한 중국 주요 파운드리의 경우 매출 대비 시설투자액 비율이 98%로, 20~40% 수준인 삼성전자·SK하이닉스를 크게 앞선 것으로 나타났다. 9일 산업연구원(KIET)은 '반도체 글로벌 지형 변화 전망과 정책 시사점' 보고서를 통해 "반도체 패권 경쟁 승리를 위해 향후 5년간 우리 민관의 역량을 적지 집중 투입해야 한다"고 밝혔다. 中 메모리·파운드리 추격…SMIC, 매출 대비 시설투자액 98% 달해 반도체 시장은 향후 5년간 AI·데이터센터 산업 발전에 따라 급격한 성장세를 나타낼 전망이다. 맥킨지에 따르면, 데이터센터향 반도체 시장 규모는 올해 최소 718조원에서 2030년 3천892억원까지 증가할 것으로 예상된다. 이에 따라 첨단 파운드리 공정도 초과 수요에 직면할 가능성이 높다. 경희권 연구위원은 "삼성바이오로직스가 장기간 빅파마 발주 가뭄 상황을 버티다 COVID-19 사태 당시 백신 품귀로 일약 동북아의 핵심 공급 파트너로 부상한 것처럼, 오랜 시간 수주의 구조적 불리함 속에 고군분투해 왔던 우리 파운드리에 짧지만 강력한 기회의 창(Windows)이 열린 상황일 수 있다"고 평가했다. 다만 중국의 레거시 메모리 및 파운드리 산업 추격은 국내 반도체 산업에 대한 실존적인 위협으로 다가오고 있다. 일례로 지난 2021년 낸드 시장 점유율이 2.7%에 불과했던 양쯔메모리(YMTC)의 2024년 점유율은 9%에 육박했다. 전년비 매출액 증가율은 160%다. 이준 선임연구위원은 "2022~2024년 기간 중국 집성전로기금 등 정부 지원에 힘입어 국적 파운드리 기업 SMIC의 매출 대비 시설투자액 비율은 98%(삼성전자·SK하이닉스 20~40% 선)를 기록했다"며 “과거 미국·일본·대만과 우리 경험을 바탕으로 중국 메모리·파운드리 기업들의 추격 속도를 상정하는 것은 매우 위험한 일”이라 강조했다. 美 기업도 비용 구조 개선 전망…"韓도 적기 공급 역량 확보에 사활 걸어야" 미국이 추진하고 있는 자국 내 반도체 공급망 강화 정책도 주요 변수 중 하나다. 미국은 지난 4일 '하나의 크고 아름다운 법', 이른바 트럼프 감세법을 발효했다. 덕분에 인텔 등 한 해 연구개발비를 20조 원 이상 지출하는 기업들은 국내·적격 연구개발(R&D) 지출 즉시 비용 처리가 영구화된다. 뿐만 아니라 시설투자(장비·기계·SW 등) 비용 100% 당해 과세연도 즉시 비용 처리 역시 영구화된다. 5년 기간 한정은 있지만, 신규 제조 시설 건물·공장 투자액까지 100% 비용 처리된다. 경희권 연구위원은 이번 법안으로 인텔·마이크론의 비용 구조가 급진적으로 개선될 가능성이 있다고 내다봤다. 그는 "인텔의 2022~2024년 기간 연구개발 지출 총액은 거의 700억 달러(96조 원)로, 칩스법의 투자세액공제와 직접보조금 외에 거액의 별도 세액공제 수혜 가능성이 있다”고 설명했다. 실제로 지난해 12월 제출된 반도체특별위원회 보고서에 따르면, 투자비용 대비 정부 지원 비율은 우리나라가 5.25%로 미국(27.5%), 일본(54.0%), EU(30.0%)에 비해 현저히 낮은 것으로 나타났다. 국내 반도체 산업 발전을 위한 과감한 지원 정책이 필요함을 보여주는 대목이다. 경희권 연구위원은 "초과 수요로 인한 기회의 창은 길지 않다"며 "적기 공급 역량 확충을 위한 반도체특별법 합의안 도출과 통과, 그리고 토지·전력·용수 등 인프라 적시 공급 체계 확립이 매우 시급하다"고 말했다. 이준 선임연구위원은 "국가기간전력망확충특별법을 적극 활용하고, 새 정부의 AI 정책자금 역시 우리 인공지능 반도체와 양산 주력 기업에 조달 정책 형태로 투입하는 방안도 고려할 수 있다"며 "민관의 총력전이 진행 중인 21세기의 오늘, 우리 정부와 기업, 수많은 이해관계자들의 중지(衆志)를 모아 다시금 도약의 시대를 열어야 한다"고 강조했다.

2025.07.09 11:30장경윤

SK하이닉스, 2분기 메모리 매출 삼성전자와 '동률'…HBM에 엇갈린 희비

올 2분기 삼성전자·SK하이닉스의 메모리 사업 격차가 크게 줄어든 것으로 나타났다. 기업별로 극명하게 나뉜 HBM(고대역폭메모리) 사업의 성패 여부가 가장 큰 영향을 미친 것으로 풀이된다. 8일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자·SK하이닉스의 올 2분기 메모리 사업 매출은 각각 155억 달러(한화 약 21조2천억원)로 동일한 수준을 기록한 것으로 분석된다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1분기 D램 사업에서 사상 처음으로 삼성전자의 매출을 추월한 바 있다. 당시 양사의 D램 매출 점유율은 SK하이닉스가 36%, 삼성전자가 34%로 집계됐다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "SK하이닉스가 올해 1분기 D램 시장에서 최초로 매출 1위를 기록한 데 이어, 2분기에는 전체 메모리 시장에서 삼성전자와 1위 자리를 놓고 경쟁하고 있다"고 설명했다. SK하이닉스의 높은 성장세에는 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대가 중대한 영향을 끼쳤다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 최신형 HBM을 주요 고객사인 엔비디아에 선제적으로 공급하는 등 성과를 거두고 있다. 삼성전자 역시 올 하반기 D램 가격 상승, HBM 출하량 증가에 따른 회복세가 전망되나, 성장 폭은 제한적일 수 있다는 의견이 제기된다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자는 하반기 AMD와 브로드컴에 HBM3E 제품을 공급하면서 실적 개선이 예상되나, 엔디비아로의 출하는 여전히 불투명하다"며 "강화된 대중국 판매 규제 영향으로 올해 HBM 판매량 증가는 전년 대비 제한될 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 16:15장경윤

삼성전자, 저점 통과해 3분기 반등 준비…HBM 등 출하량 확대

삼성전자가 반도체 부문 어닝쇼크로 올 2분기 실망스런 성적표를 받았다. 다만 올 3분기부터는 반등세에 들어설 전망으로, 범용 메모리 가격 상승과 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대, 계절적 성수기로 인한 디스플레이·가전 사업의 호조세 등이 맞물릴 것으로 분석된다. 8일 삼성전자는 연결기준으로 매출 74조원, 영업이익 4조6천억원의 2025년 2분기 잠정 실적을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전분기 대비 6.49%, 전년동기 대비 0.09% 감소했다. 영업이익은 전분기 대비 31.24%, 전년동기 대비 55.94% 감소했다. 특히 영업이익의 경우 증권가 컨센서스인 6조3천억원을 크게 밑돌았다. 주요 원인은 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문의 부진이다. 메모리 분야에서는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 상용화 지연으로 인한 재고 충당, 시스템반도체 사업에서는 최선단 파운드리 고객사 확보 난항 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 다만 이번 삼성전자 2분기 실적은 '바닥'에 해당하는 것으로, 올 하반기에는 회복세에 접어들 가능성이 유력하다. 현재 삼성전자의 3분기 증권가 컨센서스는 매출 82조4천억원, 영업이익 8조8천억원 수준이다. 현재 D램 시장은 PC·서버 등 산업 전반에서 가격이 상승하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 가격은 지난 2분기 5~10% 상승했으며, 올 3분기에도 10~15% 수준의 성장세가 전망된다. HBM 출하량도 올 하반기 반등이 예상된다. MI325X·MI350X 등 AMD의 최신형 AI 가속기용 HBM3E 12단 공급이 확대되고, 브로드컴 등 ASIC(주문형반도체) 고객사의 주문이 본격화되기 때문이다. 시스템반도체 역시 적자 폭이 기존 마이너스 2조원대에서 마이너스 1조원대로 줄어들 전망이다. 디스플레이의 경우 아이폰17용 OLED 패널 공급의 본격적인 확대로 올 3분기 영업이익이 1조원을 넘어설 것으로 예상된다. 박유악 키움증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "삼성전자는 3분기 DS 부문의 실적 턴어라운드와 디스플레이, DX 부문의 계절적 성수기 진입 효과로 턴어라운드할 전망"이라며 "D램은 HBM 판매량 증가로 인해 출하량과 평균판매가격이 모두 전분기 대비 증가할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 10:59장경윤

삼성전자, 반도체 쇼크에 '휘청'…"재고 충당·AI칩 대중 수출 규제 탓"

삼성전자가 2분기 시장 기대치를 크게 밑도는 '어닝 쇼크'를 기록했다. 반도체 사업이 당초 예상 대비 부진한 탓으로, 메모리·비메모리 모두 고부가 제품의 판매가 부진했던 것으로 풀이된다. 삼성전자는 연결기준으로 매출 74조원, 영업이익 4조6천억원의 2025년 2분기 잠정 실적을 기록했다고 8일 밝혔다. 매출은 전분기 대비 6.49%, 전년동기 대비 0.09% 감소했다. 영업이익은 전분기 대비 31.24%, 전년동기 대비 55.94% 감소했다. 특히 영업이익의 경우 증권가 컨센서스인 6조3천억원을 크게 밑돌면서 예상치를 한참 벗어났다. 2분기 실적에는 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)의 부진이 가장 큰 영향을 끼친 것으로 풀이된다. 삼성전자는 설명자료를 통해 "DS는 재고 충당 및 첨단 AI칩에 대한 대중 제재 영향 등으로 전분기 대비 이익이 하락했다"며 "메모리 사업은 재고자산 평가 충당금과 같은 1회성 비용 등으로 실적이 하락했으나, 개선된 HBM(고대역폭메모리) 제품은 고객별로 평가 및 출하가 진행 중"이라고 밝혔다. 그간 삼성전자는 HBM3E 제품을 엔비디아 등 주요 고객사에 납품하기 위한 평가를 진행해 왔다. 다만 퀄(품질) 테스트가 당초 예상보다 지연되면서 판매 확대에 난항을 겪고 있다. 또한 삼성전자는 "비메모리 사업은 첨단 AI 칩에 대한 대중 제재로 판매 제약 및 관련 재고 충당이 발생했다"며 "라인 가동률 저하가 지속돼 실적이 하락하나, 하반기는 점진적 수요 회복에 따른 가동률 개선으로 적자 축소를 기대한다"고 덧붙였다.

2025.07.08 08:33장경윤

삼성전자, 브로드컴과 HBM3E 12단 공급 추진…ASIC서 기회 포착

삼성전자가 브로드컴에 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 12단을 공급하는 방안을 논의 것으로 파악됐다. 현재 구체적인 물량 협의를 거쳐, 내년까지 제품을 공급하는 방안을 추진 중이다. 글로벌 빅테크의 자체 주문형반도체(ASIC) 개발이 확대되고 있는 만큼, 엔비디아향 HBM 공급 지연 영향을 일부 만회할 수 있을 것이라는 기대감이 나온다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 브로드컴과 HBM3E 12단 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 제품을 양산 공급하기 위한 협의에 나섰다. 현재 양사가 논의한 공급량은 용량 기준으로 10억Gb(기가비트)대 초중반 수준으로 추산된다. 양산 시기는 이르면 올 하반기부터 내년까지 이뤄질 전망이다. 연간 HBM 시장 대비 큰 물량은 아니지만, HBM 수요 확보가 절실한 삼성전자 입장에서는 의미 있는 규모다. 삼성전자는 올해 HBM 총 공급량을 전년 대비 2배 확대한, 80억~90Gb 수준까지 늘리겠다는 목표를 세운 바 있다. 해당 HBM은 글로벌 빅테크의 차세대 AI반도체에 탑재될 예정이다. 현재 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글의 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'.메타의 자체 AI 칩인 'MTIA v3' 등을 제조하고 있다. 또한 삼성전자는 아마존웹서비스(AWS)에도 HBM3E 12단 공급을 추진 중이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 진행하는 등, 논의가 적극 진행되고 있는 것으로 알려졌다. AWS 역시 HBM3E 12단을 탑재한 차세대 AI 반도체 '트레이니엄 3'를 내년 양산할 계획이다. 이 같은 글로벌 빅테크의 자체 ASIC 개발 열풍은 삼성전자의 HBM 사업 부진을 만회할 기회 요소로 작용한다. 당초 삼성전자는 지난해 하반기 엔비디아에 HBM3E 12단을 납품하는 것이 목표였으나, 성능 및 안정성 문제로 양산화에 차질을 빚어 왔다. 이후 코어 다이인 1a(4세대 10나노급) D램을 재설계해 재공급을 추진해 왔으나, 올해 6월까지 공급을 성사시키겠다는 계획도 현재로선 불가능해졌다. 업계는 빨라야 오는 9월께 공급이 가능해질 것으로 보고 있다. 때문에 삼성전자는 올 2분기 말 P1·P3 내 HBM3E 12단 양산라인의 가동률을 낮추고 있는 상황이다. 올 하반기 엔비디아향 공급 성사, ASIC 고객사 추가 확보 등을 이뤄내야 HBM 사업에 대한 불확실성을 거둘 수 있을 것이라는 평가가 나온다.

2025.07.03 15:39장경윤

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