타타, 인도 첫 반도체 웨이퍼 '90나노'로 출발…자급화 높은 벽 실감

인도 타타그룹의 반도체 계열사 타타 일렉트로닉스(Tata Electronics)가 성숙 공정을 통해 인도 최초의 반도체 웨이퍼 생산을 준비 중이다. 다만 기존 계획보다 낮은 난도 기술을 적용했다. 경제 전문 매체 블룸버그 통신은 타타 일렉트로닉스가 서부 구자라트주 돌레라에 건설 중인 인도 최초의 대규모 팹(fab)에서 90nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정 기술을 기반으로 칩 생산을 준비하고 있다고 16일(현지시간) 보도했다. 90나노는 저가형 산업용 기기나 자동차에 주로 쓰이는 성숙(레거시) 공정이다. 이는 타타그룹 지주회사인 타타 선(Sons)이 지난 2025년 3월 연례 보고서에서 반도체 사업의 출발점으로 공언했던 28나노 공정과 비교하면 크게 후퇴한 수준이다. 업계에서는 타타의 공개적인 반도체 육성 포부가 단기적으로 실현 가능한 수준을 초과해 설정됐던 아니냐는 지적이 나온다. 타타는 이번 반도체 제조를 위해 대만 파운드리 업체 PSMC와 협력 관계를 맺은 바 있다. 타타 일렉트로닉스 대변인은 "돌레라 팹은 28나노부터 110나노에 이르는 칩을 모두 생산할 예정"이라며 "원래 계획은 55나노와 90나노로 시작한 뒤 28나노로 확장하는 시나리오였고, 28나노는 여전히 당사 제품군 핵심"이라고 해명했다. 에릭 탕 PSMC 대변인은 "타타와 파트너십은 가장 진보한 28나노를 포함해 여러 기술 노드를 포괄하고 있다"며 "더 성숙한 노드부터 시작해 기술 플랫폼을 점진적으로 도입하는 방식은 반도체 업계에서 매우 일반적인 과정"이라고 설명했다.