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DB하이텍, 8인치 파운드리 호황…"올해 가동률 98% 전망"

DB하이텍은 2025년 연결기준 매출액 1조 3972억원, 영업이익이 2773억원으로 잠정 집계됐다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 전년 대비 매출액은 24%, 영업이익은 45% 증가했다. 영업이익률은 20%다. AI 확산에 따른 전력반도체 수요 증가와 산업 및 자동차향 매출 증가가 실적에 긍정적인 영향을 미쳤다. DB하이텍 관계자는 “전력반도체에서의 기술 고도화와 차별화를 통해 기술 초격차를 유지하는 한편, 차세대 전력반도체 개발·양산, 해외 사업 확대 등을 통해 지속가능한 성장기반을 구축해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 국내 최초 시스템반도체 파운드리 전문기업인 DB하이텍은 전세계 순수 파운드리 수익률 2위를 유지하고 있으며, 미국, 유럽, 중국, 대만, 일본 등에 400여 개 고객사를 둔 국내 대표적인 강소기업이다. 주력 제품인 전력반도체를 중심으로 모바일, 가전, 컴퓨터 등의 응용분야 외에도 AI 데이터센터, 로봇, 자동차 등으로 사업 영역을 지속 확장하고 있다. 올해 전망 역시 긍정적으로 내다봤다. DB하이텍의 지난해 연간 파운드리 가동률은 96% 수준으로, 올해에는 연간 98%의 가동률을 기록할 것으로 분석했다. 평균판매가격(ASP)는 고부가 제품군 확대로 전년 대비 1~2%p 상승이 예상된다. 한편 DB하이텍은 2월 5일부터 6일까지 국내 기관 투자자를 대상으로 2025년 4분기 경영실적 발표 기업설명회를 진행할 예정이다.

2026.02.05 12:57장경윤 기자

SK키파운드리, 4세대 200V 고전압 180nm BCD 공정 출시

파운드리 반도체 기업 SK키파운드리는 최근 4세대 200V 고전압 0.18micron(180나노미터) BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 출시하고, 연내 양산을 목표로 국내외 주요 고객과 본격적인 제품 개발에 나선다고 28일 밝혔다. 최근 자동차 전동화와 AI데이터센터의 확산으로 고전압·고효율 전력 반도체에 대한 시장 수요가 급증하고 있다. 특히 자동차 전압 체계가 기존 12V에서 48V로 전환되고 있으며, AI 서버 및 데이터센터 역시 전력 효율과 밀도를 극대화 하기 위해 380V DC에서 최대 800V DC까지 전압을 높이고 있는 추세다. 이에 따라 100V 이상의 고전압을 안정적으로 견디면서 전력을 효율적으로 제어할 수 있는 공정 기술의 중요성이 어느때 보다 커지고 있다. SK키파운드리가 이번에 선보인 4세대 200V 고전압 0.18micron BCD 공정은 기존 3세대 대비 전력 효율성과 고온 내구성을 나타내는 Rsp(특성온저항), BVDSS(항복전압) 특성을 20%이상 개선한 것이 특징이다. 또한 동작 전압별 낮은 온저항(On-Resistance) 소자를 제공해, 칩 면적과 전력 손실을 최소화해 공정 경쟁력을 확보했다. 특히 BCD, HV MOSFET을 사용하는 고전압·고전류의 PMIC 반도체 사이에 디지털 신호는 안전하게 전송하면서 원치 않는 고전압이나 노이즈는 차단하는 Thick IMD 옵션을 제공하며, SRAM·ROM·MTP·OTP 등 다양한 내장 메모리 옵션과 정밀 모터 제어용 홀 센서를 제공해 고전압 IC 설계의 확장성을 더욱 높였다. SK키파운드리의 이번 공정은 고전압 전력 관리 및 변환 칩, 모터 드라이버, LED 드라이버, 전원 공급 게이트 드라이버 등 다양한 제품 개발에 적용 가능하며, 무엇보다 까다로운 자동차용 부품 신뢰성 평가 규격 'AEC-Q100 Grade 0'을 충족해, 극한의 환경에서도 높은 신뢰성이 요구되는 차량용 전장 부품에도 즉시 적용할 수 있다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “AI 서버와 차량 전장 시스템의 고전력화로 100V 이상 BCD 공정 수요가 빠르게 증가하고 있다.”며 “특히 벌크 실리콘 기반에서 고전압 BCD 공정을 제공하는 파운드리가 드문 상황에서 200V 고전압 0.18micron BCD 공정 양산은 의미 있는 성과”라고 밝혔다.

2026.01.28 08:42장경윤 기자

DB하이텍, 3분기 영업이익 806억원…전년比 71% 증가

DB하이텍이 3분기 연결기준 매출액 3천747억원, 영업이익 806억원으로 잠정 집계됐다고 10일 밝혔다. 각각 전년동기 대비 30%, 71% 증가했으며, 영업이익률은 22%를 기록했다. 회사 측은 지난 분기에 이어 전력반도체 수요의 지속적인 증가가 실적에 긍정적으로 작용했다고 설명했다. 응용 분야 중에서는 산업향의 매출 증가가 두드러졌다. DB하이텍 관계자는 “고부가·고성장 제품을 중심으로 전력반도체 기술 경쟁력을 제고하는 동시에, 해외 사업 확대, 신사업 추진 등을 통해 사업 기반을 견고히 할 계획”이라고 밝혔다. DB하이텍은 국내 최초 시스템반도체 파운드리 전문기업이자 2008년 세계 최초로 0.18 마이크로미터(um) 복합전압소자(BCDMOS) 공정 기술을 개발한 국내 대표 강소기업이다. 중국, 대만, 일본, 미국 등에 400여 개 고객사를 두고 있으며, 전력반도체 분야에서는 세계적인 수준의 경쟁력을 인정받고 있다. 특히, DB하이텍처럼 저전압(5V)부터 고전압(1200V)까지 모든 전력반도체 제품 설계를 지원하는 파운드리 기업은 전 세계에서 손에 꼽는다. 한편 DB하이텍은 11월 10일부터 11일까지 국내 기관 투자자를 대상으로 3분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2025.11.10 08:54장경윤 기자

삼성전자, SiC 전력반도체 상용화 고삐..."최대한 빨리할 것"

삼성전자가 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 SiC(탄화규소, 실리콘카바이드) 시장에 주목하고 있다. 구체적인 상용화 시점은 밝혀지지 않았으나, 현재 8인치 공정을 중심으로 연구개발에 매진하고 있는 것으로 알려졌다. 홍석준 삼성전자 부사장(CSS사업팀장)은 15일 부산 벡스코에서 열린 '제22회 국제탄화규소 학술대회(ICSCRM 2025)'에서 기자와 만나 "자세한 일정을 말할 수는 없으나, SiC 전력반도체를 빨리 상용화하기 위해 노력하고 있다"고 말했다. ICSCRM은 전 세계 주요 반도체 기업들이 모여 SiC 업계 동향 및 신기술을 공유하기 위해 마련된 행사다. 삼성전자가 이 행사에서 기조연설을 진행한 것은 이번이 처음이다. SiC는 차세대 전력반도체로 각광받는 소재다. 기존 실리콘 대비 고온 및 고전압에 대한 내구성이 뛰어나며, 전력효율성이 높아, 전기차·에너지 등 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 특히 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서도 중요성이 대두되고 있다. 삼성전자 CSS 사업팀과 시장조사업체 욜디벨롭먼트의 조사에 따르면, SiC 반도체 시장은 지난해 34억 달러에서 오는 2030년 104억 달러(한화 약 13조8천억원)로 연평균 20.3%의 성장률을 나타낼 전망이다. 산업 별로는 자동차 시장이 71%의 점유율로 가장 높은 비중을 차지할 것으로 보인다. 홍 부사장은 "SiC는 전력 시스템이 직면한 구조적인 문제를 해결할 차세대 솔루션으로 각광받고 있다"며 "SiC의 도입을 가로막던 높은 단가도 소재, 부품, 장비에 이르는 업계 전체의 노력 덕분에 비용이 빠르게 절감되고 있어, 대규모 채택이 현실화될 수 있는 조건이 만들어지고 있다"고 말했다. 이에 삼성전자는 지난 2023년 말 신설된 CSS 사업팀 주도로 8인치 SiC 전력반도체를 개발해 왔다. 8인치는 반도체 웨이퍼의 직경을 뜻한다. 기존 SiC 6인치 웨이퍼가 주류였으나, 근래에는 8인치 웨이퍼가 활발히 도입되고 있다. 다만 삼성전자가 SiC 사업에 본격적으로 진출하는 시점은 아직 예측하기 힘들다는 게 업계의 시각이다. 관련 사업에서 시장성을 확보할 만큼 기술력이 고도화되지 않았고, 삼성전자가 또 다른 전력반도체 소자인 GaN(질화갈륨)의 8인치 파운드리 사업을 먼저 추진하고 있어서다. 당초 GaN 파운드리 상용화 목표 시기는 올해였으나, 본격적인 사업 개시 시점은 빨라야 내년이 될 가능성이 유력하다. 홍 부사장은 "회사의 일정을 자세히 말씀드릴 순 없으나, SiC 사업 진출을 최대한 빨리 하려고 한다"며 "전력반도체 분야는 단순히 제품을 만드는 것이 아닌 고객사와의 협업을 통한 경쟁력 확보가 중요해 소수의 기업만이 살아남게 될 것"이라고 강조했다.

2025.09.15 13:57장경윤 기자

DB하이텍, 650V GaN HEMT 공정 확보…10월 MPW 진행

8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 차세대 전력반도체인 650V E-Mode GaN HEMT(전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터) 공정 개발을 마무리 짓고, 고객이 제품을 시험 생산할 수 있는 GaN 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼)를 10월 말 제공한다고 11일 밝혔다. GaN 소재의 반도체는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 SiC(실리콘카바이드) 등과 함께 최근 차세대 전력반도체로 각광받고 있다. 특히 전기차, AI(인공지능) 데이터센터, 고속 충전, 5G, 로봇 등의 신규 고성장 분야에서 수요가 급증하는 추세다. 시장조사기관인 욜디벨롭먼트에 따르면, GaN 시장은 2025년 5억3천만 달러에서 2029년 20억1천300만 달러로 연평균 약 40%로 급속 성장할 전망이다. 이번에 DB하이텍이 개발한 650V E-Mode GaN HEMT는 그 가운데서도 고속 스위칭과 안정성이 특징으로 전기차 충전기, 데이터센터의 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높다. DB하이텍은 시장이 초기 단계이던 2022년부터 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다. DB하이텍 관계자는 "세계 최초로 0.18um BCDMOS(복합전압소자)를 개발하는 등 Si 기반 전력반도체에서 이미 글로벌 기술경쟁력을 인정받고 있으며, GaN 공정의 추가로 전력반도체 파운드리 기업으로서 회사의 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대된다"고 밝혔다. DB하이텍은 이번 650V GaN HEMT 공정 개발을 시작으로 IC(집적회로) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다. 이후에는 시장 상황과 고객의 수요 등을 고려해 더 넓은 전압대까지 공정을 확장하며 사업 기반을 견고히 할 계획이다. 이에 발맞춰 DB하이텍은 현재 충북 음성에 있는 상우캠퍼스에 클린룸 확장 또한 추진 중이다. 회사 측에 따르면 신규 클린룸은 8인치 웨이퍼 월 3만 5천 장가량을 증설할 수 있는 규모로, GaN을 비롯해 BCDMOS, SiC 등이 생산될 예정이다. 증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력은 현재 15만 4천 장 대비 23% 증가한 19만 장이 된다. 한편, DB하이텍은 현재 개발 중인 SiC 기술력 홍보와 강화를 위해 다음 주인 9월 15일부터 18일까지 부산 벡스코에서 개최되는 ICSCRM 2025(국제탄화규소학술대회)에 참가한다. DB하이텍은 이 자리에서 SiC를 포함한 GaN, BCDMOS 등 전력반도체 최신 기술 개발 현황을 선보이고, 고객 및 업계 관계자와 만날 예정이다.

2025.09.11 16:26장경윤 기자

테스, SiC 전력반도체용 핵심장비 상용화 성공

반도체 전공정 전문 장비업체 테스는 SiC(탄화규소) 전력반도체 핵심장비 상용화에 성공해 본격적인 출시를 시작한다고 8일 밝혔다. SiC 전력반도체의 핵심 공정인 에피(Epi) 성장을 위한 HTCVD(고온CVD)는 기술 난이도가 높아 그동안 유럽, 일본의 업체가 사실상 공급을 독점해온 장비다. 테스는 2016년부터 판매 중인 DUV(극자외선) LED용 고온 MOCVD의 핵심기술을 활용해, SiC 전력소자 성장 장비인 HTCVD 'TRION'을 3년만에 상용화했다. TRION의 핵심 기술은 1천650도 고온의 공정온도에서도 8인치 웨이퍼 내의 온도 편차를 5도 이하로 가능하게 하는 'TRION 스페셜 RF 히터' 와 공정 가스 분사시 두께, 도핑의 균일도를 미세하게 조절할 수 있는 'TTPN(튜너블 트리플 페어 노즐; Tunable Triple Pair Nozzle)' 기술이다. 테스는 "독자 기술을 통해 에피 성장의 성능을 결정하는 온도 균일도 향상은 물론, 고객사 유지보수의 편의성과 생산성을 획기적으로 개선했다"며 "또한 TTNP 기술로 가스의 양, 속도, 방향을 미세하게 조정함으로써 최상의 8인치 두께 및 도핑 균일도를 확보했다"고 설명했다. 테스는 해당 제품을 오는 14일부터 부산 벡스코에서 개최하는 ICSCRM 2025에서 소개할 예정이다.

2025.09.11 13:00장경윤 기자

"TSMC, 6인치 웨이퍼 생산 2년 내 전면 중단"…효율성 강화 포석

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) TSMC가 향후 2년 내에 6인치 웨이퍼 생산을 단계적으로 중단하고, 8인치 웨이퍼 생산으로 재편한다. 로이터통신 등 외신은 TSMC가 6인치 팹의 기능을 8인치 팹으로 통합할 예정이라고 현지시간 12일 보도했다. 현재 TSMC는 대만 내 6인치 팹 1곳, 8인치 팹 4곳, 그리고 12인치 팹을 운영 중이다. 이는 생산 효율성을 높이는 전략적 결정이다. TSMC 측은 “시장 여건과 장기 전략에 부합하는 조치”라며 “고객과 긴밀히 협력해 원활한 전환을 추진할 것”이라고 설명했다. 그러면서 “해당 조치가 기존 실적 목표에는 영향을 미치지 않는다”고 덧붙였다. 6인치 웨이퍼 수요가 일부 아날로그·전력반도체 분야에 남아있지만, 첨단 공정 확대 흐름 속에서 투자 대비 효율성이 떨어진다는 점이 폐지 결정의 배경으로 분석된다. 한편 회사는 7월 기준 올해 글로벌 매출이 약 30% 성장할 것이라는 전망이라고 밝혔다. 초기 예상치(24~26%)를 웃도는 수치로, AI 수요 증가 및 고성능 컴퓨팅 수요 확대에 따른 것으로 풀이된다.

2025.08.13 10:57전화평 기자

SK키파운드리, LB세미콘과 '다이렉트 RDL' 공동 개발

SK키파운드리는 LB세미콘과 8인치 기반의 반도체 패키징 핵심 기술 Direct RDL(재배선)을 공동 개발하고, 신뢰성 평가까지 성공적으로 마쳤다고 15일 밝혔다. 이로써 회사는 본격적인 차세대 반도체 패키징 기술 고도화와 차량용 반도체 제품 경쟁력을 강화하게 됐다. RDL은 반도체 칩 위에 전기적 연결을 위한 금속 와이어와 절연층을 형성하는 것으로, 주로 WLP(웨이퍼레벨패키징) 및 FOWLP(팬아웃-웨이퍼레벨패키징) 공정에 적용해 칩과 기판 간의 연결성을 높이고 신호 간섭을 최소화하는 역할을 한다. 이번에 SK키파운드리가 LB세미콘과 함께 개발한 Direct RDL은 모바일이나 산업용 뿐 아니라 차량용으로도 적용 가능한 경쟁사 대비 높은 전류 용량의 전력 반도체에 적합한 수준인 15um까지의 배선 두께와 칩면적 70%까지의 배선 밀도를 확보했다. 또한 혹독한 환경에서 작동 신뢰성을 평가하는 AEC-Q100 차량용 반도체 국제 품질 표준 등급을 만족하는 –40℃부터 +125℃ 동작 온도 범위의 Auto grade-1 등급을 충족해 경쟁사와 달리 차량용 제품 지원도 가능하다. 이와 함께, 디자인 가이드 및 개발킷 제공을 통해 고객이 필요로 하는 작은 칩 크기, 낮은 소비 전력 및 저렴한 패키징 비용 특성을 갖춘 공정 솔루션을 지원한다. 반도체 패키징 및 테스트 전문 기업 LB세미콘은 SK키파운드리의 반도체 공정 전반에 걸친 이해와 숙련된 제조 역량 활용을 통해 개발 기간을 크게 단축할 수 있었다. LB세미콘의 후공정과 SK키파운드리의 파운드리 공정 기술 결합을 통한 최적화된 웨이퍼 레벨의 Direct RDL 형성을 통해 생산 효율성 극대화가 기대된다. 김남석 LB세미콘 대표는 “Direct RDL 공동 개발을 통해, SK키파운드리와 LB세미콘 간의 기술 경쟁력을 높이는 중요한 계기가 됐다"며 "양사 간 긴밀한 협력을 통해, 차세대 반도체 패키징 시장에서 높은 신뢰성을 바탕으로 주도권을 확보해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “반도체 패키징 전문기업 LB세미콘과의 공동 개발은 회사의 반도체 공정 전반에 걸친 고도화된 제조 역량을 첨단 반도체 패키징 공정 개발에 접목해 냈다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “SK키파운드리는 반도체 전문기업인 LB세미콘과의 지속적인 협업을 통해, 반도체 시장에서 명실상부한 전력반도체 명품 파운드리 달성을 위해 거듭 발전해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

2025.07.15 08:55장경윤 기자

[IPO] '8인치 DSP' 싸이닉솔루션, 첨단 센서 사업 박차

“온디바이스 AI, 밀리터리, 로보틱스, 환경·바이오 등 미래 유망 분야 중심으로 사업화를 지속해 나갈 계획입니다.” 20일 서울 여의도 콘래드 호텔에서 개최된 싸이닉솔루션 IPO(기업공개) 기자간담회에서 이현 대표는 “2027년에 첨단 센서 부문에서만 (매출)300억원 정도를 사업 계획으로 잡아놨다”며 이 같이 말했다. 지난 2005년 설립된 싸이닉솔루션은 SK하이닉스시스템IC의 국내 유일한 디자인하우스(DSP)다. 8인치 웨이퍼 기반 PMIC(전력관리 반도체), CIS(이미지 센서), DDI(디스플레이 구동 반도체) 등 제조에 특화됐다. 현재 BYD, ESWIN(BOE 관계사), Fitipower(폭스콘 계열), GMT 등 220여개 팹리스(반도체 설계전문)와 협업하고 있다. 지난해 회사는 연결 기준 매출로 1천674억원, 영업이익 53억원, 순이익 55억원을 기록했다. 이는 국내 디자인하우스 중 가장 높은 매출과 영업이익이다. 영업이익률 제고·8인치 업황 과제 다만 영업이익률이 높지 않다. 지난 2023년 연간 영업이익률은 3.5%, 지난해는 3.2%로 떨어졌다. 상장 준비로 예산을 상당히 많이 사용한 올해 1분기의 경우 약 1.9%를 기록했다. 그는 “디자인하우스의 낮은 수익률은 싸이닉솔루션뿐만 아니라 다른 동반자(디자인하우스)들도 갖고 있는 문제”라고 설명했다. 이어 “2027년으로 잡아놓은 센서 매출에서는 10% 이상의 영업이익을 기록할 것으로 보인다”고 전했다. 현재 8인치 업황도 과제다. 싸이닉솔루션의 주요 매출처인 SK하이닉스시스템IC는 지난 1분기 적자만 약 620억원에 달한다. 파운드리 업황이 디자인하우스에 직결된다는 점을 고려하면, 회사에게 악재인 셈이다. 이 대표는 이와 관련해 “지난해 하반기 모든 파운드리가 드라마틱하게 실적이 떨어졌다. 로딩률(가동률)이 30~50% 수준밖에 안됐다”면서도 “최근에는 로딩률도 오르고 고객도 늘어나면서 반등하기 시작했다”고 말했다. 센서 반도체 역량 강화..."글로벌 시장서 입지 강화해 나갈 것" 싸이닉솔루션은 온디바이스 AI 구현을 위한 센서 반도체 수요 증가에 발맞춰 센서 파운드리 사업으로 밸류체인 내 수평적 확장도 본격화한다는 전략이다. MEMS 마이크로폰 센서 및 MEMS 초음파 센서, 근적외선(SWIR) 센서를 고객사와 함께 개발 중이다. 해당 제품들은 올해 하반기부터 양산할 계획이다. 특히, 납(Pb)을 제거한 MEMS 초음파 센서는 바이오, 헬스케어 분야를 중심으로 제품화를 진행 중이며, 향후 온도·습도 등 환경센서로의 확장도 계획하고 있다. SWIR 센서는 가전, 오토모티브, 국방 및 로보틱스 산업을 타겟으로 하며, 국내 주요 가전 및 방산업체와의 협력을 통해 제품화를 추진 중이다. 또한 SK키파운드리, 대만의 PSMC 등 글로벌 주요 파운드리와의 협력을 통해 8~12인치 멀티 파운드리 기반 수직적 디자인하우스 역량 강화를 추진하고 있다. 이 대표는 “반도체 설계 및 파운드리 전반에 걸친 수직·수평적 확장을 통해 글로벌 시장에서 입지를 더욱 강화해 나갈 것”이라고 포부를 밝혔다. 한편 싸이닉솔루션은 이번 상장을 통해 총 350만주를 공모할 예정이며, 공모희망가 밴드는 4천원에서 4천700원, 총 공모 예정 금액은 141억원에서 165억원이다. 수요 예측은 16일부터 20일까지 진행되며, 25일과 26일 양일간 일반투자자 청약을 진행한다. 상장 주관 업무는 대신증권이 맡았다.

2025.06.20 15:44전화평 기자

NXP 반도체, 12인치 전환 과정서 8인치 팹 4개 폐쇄 예정

글로벌 반도체 기업 NXP가 8인치 웨이퍼 팹(fab) 4곳을 단계적으로 폐쇄할 계획이다. 네덜란드 매체 디 겔더란더와 중국 EE타임즈등 외신은 NXP가 나이메헨 공장 1곳과 미국 내 공장 3곳을 폐쇄할 예정이라고 현지시간 11일 보도했다. 나이메헨 팹은 자동차용 반도체 생산을 주력으로 하는 NXP의 최대 생산기지로, 약 1천700명의 직원이 근무하고 있다. 산업용으로는 오래된 8인치 웨이퍼 기술을 사용해 생산 효율이 낮다는 점이 폐쇄 배경이다. 다만 즉시 폐쇄보다는 10년가량의 전환 과도기 과정을 거칠 가능성도 있는 것으로 알려졌다. NXP는 팹 정비와 함께 12인치 웨이퍼 기반의 생산 효율 강화도 병행하고 있다. 싱가포르에서는 2024년 6월부터 TSMC 계열 VIS와의 합작법인 VSMC를 통해 2027년부터 12인치 팹 양산에 들어갈 계획이며, 2029년까지 월 5만5천장의 300mm 웨이퍼 생산 목표를 설정한 바 있다. 또한 독일 드레스덴 인근에서는 보쉬(Bosch), 인피니언(Infineon)과 함께 TSMC 주도의 ESMC 프로젝트에 참여 중이며, 이곳에서도 2027년 말까지 12인치 팹 가동을 목표로 하고 있다. 한편, NXP는 글로벌 시장의 불확실성과 무역 분쟁 우려로 인해 지난 2월 전 세계 최대 1천800명 규모의 인력 감축 가능성을 제기한 바 있다. 이는 팹 구조조정과 맞물린 경영 효율화 차원의 조치로 해석된다.

2025.06.12 10:26전화평 기자

DB하이텍, 1분기 영업익 525억원…전년比 28% 증가

DB하이텍은 1분기 설적이 연결 기준 매출액 2천974억원, 영업이익 525억원(영업이익률 18%)으로 잠정 집계됐다고 28일 밝혔다. 전년 동기 대비 매출액은 14%, 영업이익은 28% 증가했다. DB하이텍은 미국 관세에 대비한 선주문과 중국 양산 내재화 및 내수 활성화로 전력반도체 수요가 급증하며 개선된 실적을 기록했다. 응용분야 별로는 자동차·의료기기의 매출이 상승했다. 회사 관계자는 “당사 1분기 공장 가동률이 90%대로 상승하였으며, 2분기에도 이와 같은 분위기가 이어질 것으로 기대된다”며 “전력반도체 등 주력 제품을 중심으로 기술 차별화와 고도화를 지속하는 동시에, 신규사업 준비도 차질 없이 진행하며 사업 경쟁력을 지속 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 DB하이텍은 이달 28일과 29일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2025년 1분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2025.04.28 09:08장경윤 기자

DB하이텍, 獨 'PCIM 2025'서 SiC‧GaN 개발 현황 공유

8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 다음달 6일부터 8일(현지시간)까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 유럽 최대의 전력 반도체 전시회 'PCIM(Power Conversion and Intelligent Motion) 2025'에 참가한다고 7일 밝혔다. 이번 전시에서 DB하이텍은 업계 최고 수준의 기술력을 확보하고 있는 BCDMOS(복합전압소자)를 포함해, 특화 이미지센서 공정, 차세대 전력반도체로 주목받고 있는 SiC(실리콘카바이드)·GaN(갈륨나이트라이드) 공정 등의 최신 개발 현황을 공유할 계획이다. 특히 최근 DB하이텍이 미래 성장 동력으로 역량을 집중하고 있는 SiC와 GaN 전력반도체 공정이 이번 전시의 주축이 될 예정이다. DB하이텍은 지난 2월 모든 공정을 자체 소화한 SiC 8인치 웨이퍼의 기본 특성을 확보했다. 회사는 올해 수율 및 신뢰성 향상을 거쳐, 2025년 말부터 고객에게 공정을 제공할 계획이라고 밝혔다. GaN 8인치 공정은 650V HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 특성을 확보하였으며, 올해 안으로 신뢰성 확보를 마칠 계획이다. 또한, DB하이텍은 오는 10월 GaN 전용 MPW를 운영하여 고객들의 제품 평가를 적극 지원할 예정이라고도 발표했다. 반도체‧전자 분야 시장조사전문기관 욜 디벨롭먼트에 따르면, 글로벌 SiC, GaN 전력반도체 시장 규모는 2024년 36억 달러에서 2027년 76억 달러까지 확대될 것으로 기대되며, 연평균 27.6%의 높은 성장률이 예상된다. DB하이텍은 이번 전시에 대해 “팹리스 고객 지원과 협업에서 글로벌 고객사로부터 높은 평가를 받고 있는 당사의 강점을 유럽 고객들에게도 알리는 기회가 될 것”이라고 참가 목적을 밝혔다. DB하이텍은 8인치에 특화된 아날로그 및 전력 반도체 공정 서비스를 통해 글로벌 리더 위치를 유지하고 있지만, 유럽 고객의 비중은 타 지역에 비해 비교적 낮은 편이다. 이에 이번 전시에서 성장하는 유럽 시장에서 신규 고객을 발굴하고, 기존 고객과의 미래 사업 협력을 통해 유럽 파운드리 서비스를 강화한다는 설명이다. 한편 현재 DB하이텍은 400개 기업과 양산을 진행하고 있으며, 아날로그 및 전력 반도체 제품의 8인치 누적 출하량은 600만장에 이른다. 이 외에도 엑스레이, 글로벌셔터, SPAD(단일광자 포토다이오드)와 같은 특화 이미지 센서 공정 기술 경쟁력을 확보해 다양한 업체와 양산을 진행하고 있다. 응용 제품으로는 모바일, 소비가전, 산업용에 더해 최근 차량용 제품의 생산 비중이 지속 증가하고 있다.

2025.04.07 14:33장경윤 기자

DB하이텍, 'GaN 전력반도체' 초기 사업 착수…"고객사 관심 많아"

DB하이텍이 신사업 진출에 대한 적극적인 의지를 드러냈다. 지난해까지 GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 등 차세대 전력반도체 초도 양산을 위한 시생산(파일럿)라인을 구축해 올해 GaN을 중심으로 초도 양산에 나설 계획이다. 12인치 파운드리 사업도 현재 정부와 투자 논의를 진행 중이다. 55나노미터(nm) 등 전력반도체 분야가 주요 타겟이 될 전망이다. 20일 조기석 DB하이텍 대표는 경기 부천 본사에서 열린 '제72기 정기주주총회'에서 회사의 향후 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. DB하이텍은 8인치 파운드리 전문기업이다. 반도체 레거시(성숙) 공정을 기반으로 한 PMIC(전력관리반도체), DDI(디스플레이구동칩), CIS(CMOS 이미지센서) 등을 주로 생산한다. 자회사 DB글로벌칩을 통해 팹리스 사업도 영위하고 있다. DB하이텍의 지난해 연 매출은 1조1천310억원, 영업이익이 1천950억원으로 집계됐다. 영업이익률은 17%다. 전년 대비 매출은 2%, 영업이익은 28% 감소했으나, 8인치 파운드리가 지난해 업황이 부진했다는 점을 감안하면 견조한 실적이다. 조 대표는 "국내외 정세의 불확실성이 높은 상황에서도 당사는 오래 쌓아온 기술 경쟁력을 바탕으로 가동률 하락을 최소화하고, 경쟁사 대비 높은 영업이익률을 기록했다"며 "2025년 현재 당사의 가동률은 90%를 상회하고 있어 매출과 영업이익의 회복 또한 기대되고 있다"고 말했다. 미래 성장동력 확보를 위한 12인치 파운드리, GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 화합물반도체 등 신사업 진출도 지속 추진할 계획이다. 조 대표는 "현재 정부와 12인치 파운드리 투자와 관련해 심도 깊게 논의하고 있다"며 "당사의 강점이 BCD 전력반도체기 때문에, 55나노 BCD 등을 목표로 개발을 진행할 것"이라고 설명했다. GaN·SiC 화합물반도체 사업을 위한 시생산(파일럿) 라인 구축도 지난해 완료했다. 올해 2·3분기께 초도 양산을 시작할 것으로 관측된다. 조 대표는 "기존 전력반도체 사업을 진행하다보니 관련 고객사들이 GaN·SiC 반도체에도 많은 관심을 보내고 있다"며 "GaN은 올해 초기 비즈니스에 착수할 수 있을 것으로 보이고, 내년도 말이나 내후년에는 SiC 관련 비즈니스도 진행될 수 있을 것으로 판단된다"고 말했다.

2025.03.20 10:48장경윤 기자

매그나칩, DDI 사업 중단…"전력반도체 집중"

매그나칩은 디스플레이구동칩(DDI) 등 디스플레이 사업을 중단하고, 순수 전력 반도체 기업으로 전환하기로 결정했다고 13일 밝혔다. 이에 따라 매그나칩의 디스플레이 사업은 오는 5월에 발표할 1분기 실적에서 중단 사업으로 분류될 예정이다. 또한 매각, 합병, 합작법인 설립, 라이센싱, 사업중단 등을 포함한 전략적 옵션을 검토하고 추진하기로 했다. 김영준 매그나칩 대표이사는 "소중한 고객과 직원 모두를 고려할 때, 이번 결정은 이사회 및 경영진 입장에서 매우 어려운 결정이었다"며 "그러나 회사의 우선순위는 지속가능한 수익성을 확보해 주주 가치를 극대화해야 하기 때문에, 전력 반도체 사업에 집중할 것"이라고 밝혔다. 그는 이어 "2025년 4분기 말까지 손익분기점(EBITDA기준)을 달성하고, 2026년에는 조정 영업이익을 내고, 2027년에는 잉여현금흐름(free cash flow)을 달성하는 것을 목표로 한다"며 "이러한 각 목표는 3년 내에 30% 매출 총이익률, 3억 달러 매출을 달성하는 우리의 3-3-3 전략에 도달하는 데 도움이 될 것"이라고 강조했다. 전력 반도체 사업은 다양한 시장에 제품이 공급되고, 제품 수명 주기가 더 길고, 산업 성장률에 변동성이 상대적으로 적어 시장에 대한 예측이 비교적 수월하다. 매그나칩의 파워 디스크리트 및 파워 IC 사업은 2024년에 1억8천500만 달러의 매출을 달성해, 전년대비 13% 성장을 기록했다. 회사는 2025년에도 매출 성장을 기대하고 있다. 2007년에 전력 반도체 사업에 진출한 매그나칩은 Gen 5, Gen 6 IGBT, Gen 6 SuperJunction MOSFET, Gen 8 중저전압 MOSFET를 포함한 차세대 전력 반도체 제품 라인을 출시한다고 발표했다. 회사는 오늘 별도로 발표된 27개를 포함해 2025년에 40개 이상의 신제품을 출시할 계획이다. 신규 출시된 Gen 6 및 Gen 8 파워 제품들은 기존 제품보다 성능이 30% 향상됐으며, 다이 칩 크기가 줄어들어 웨이퍼당 사용 가능한 다이 수가 30% 이상 증가했다. 이러한 혁신적인 제품군은 자동차, 산업용 시장, AI, 그리고 100KW 이상의 고전류 응용 분야 등 새로운 고부가가치 시장 기회의 잠재력을 열어준다. 이 신제품들은 회사의 구미 제조 시설을 최적화하면서 웨이퍼당 더 높은 매출을 창출할 것으로 예상된다. 전력 반도체 비즈니스에 전념하려는 회사의 전략과 관련해, 매그나칩은 구미 공장을 전력 반도체 비즈니스에 더욱 최적화하고 시설 업그레이드를 하기 위해 향후 3년간 약 6천500만~7천만 달러(약 1천억원)를 투자할 계획이다. 최근 매그나칩은 회사의 기존 자산을 담보로 대출을 제공하는 장비 금융 신용 계약 을 체결해, 2천650만 달러(약 380억 원)를 확보했다. 이 대출의 이자율은 3.97%로 매 분기 조정되며, 10년 만기로 처음 2년은 이자만 납부하고 이후 8년 동안은 분할 상환하는 조건이다.

2025.03.13 09:03장경윤 기자

SK키파운드리, 3차원 속도·방향 측정 '3D 홀 효과 센서' 기술 출시

SK키파운드리는 3차원의 자기장 감지를 통해 속도와 방향을 측정할 수 있는 새로운 '3D 홀 효과 센서(Hall-effect Sensor)' 기술을 제공한다고 6일 밝혔다. 홀 효과 센서는 도체나 반도체가 자기장을 통과하는 과정에서 발생하는 전압 차를 인지하는 홀 효과를 이용해 자기장 강도를 측정하는 센서다. 이렇게 측정된 자기장을 통해 소자의 위치, 속도, 회전, 방향, 전류 등을 활용하는 산업에 활용된다. SK키파운드리는 기존 1D(1차원), 2D(2차원) 홀 효과 센서를 사용한 다양한 제품 군을 제공해왔으며, 이번 3D 홀 효과 센서는 수직 및 평면 홀 효과 센서를 하나의 칩에 통합하고 기존 2D제품 이상의 감도 제공을 통해, 3차원의 미세한 방향 및 속도 변화를 빠른 응답 속도로 실시간 측정할 수 있도록 지원하는 것이 특징이다. SK키파운드리가 제공하는 이번 3D 홀 효과 센서의 또다른 중요한 특징은 기존 공정에 마스크를 추가해 고객 제품에 쉽게 통합되도록 설계 가능하다는 점이다. 또한 3D 홀 효과 센서 통합이 전기적 특성을 그대로 유지하면서도 0.13~0.18μm 범위의 여러 노드에 제공된다. 이번 3D 홀 효과 센서는 다양한 분야에서의 활용이 기대된다. 특히 최근 주목 받고 있는 자동차 분야의 안전운전 보조 및 자율 주행 시스템, 가전제품 분야의 스마트 가전 및 게임 콘솔, 산업 자동화 분야의 로봇 제어 및 드론, 가상현실(VR), 증강현실(AR), 웨어러블 기기 등에 활용이 가능하다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "이번에 출시된 3D 홀 효과 센서 기술은 민감한 감도와 미세한 3차원 움직임까지 감지할 수 있는 성능을 통해, 가전, 자동차, 로봇, 드론 등을 포함한 다양한 산업 분야 제품 설계에 활용 가능 할 것으로 기대된다”며 “향후 지속적인 기술 개발을 통해, SK키파운드리 고객이 보다 다양한 기능을 하나의 반도체에 통합 설계할 수 있도록 지원해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

2025.03.06 09:46장경윤 기자

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