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400단 쌓는 삼성·SK, 핵심 본딩 기술·특허는 中에 의존

차세대 낸드 시장에서 삼성전자·SK하이닉스의 주도권이 흔들릴 수 있다는 우려가 제기된다. 400단 이상 적층에 필요한 '하이브리드 본딩' 기술을 중국 YMTC가 선점하고 있어서다. YMTC는 관련 기술을 지속적으로 고도화해, 최근 270단대의 고적층 낸드를 상용화하기도 했다. 반면 국내 기업들은 후발주자로서 여러 내홍을 겪을 가능성이 있다. 우선 신규 기술 적용에 따른 공정전환 및 설비투자가 필요하며, 초기 도입에 따른 수율 안정화도 이뤄내야 한다. YMTC 등이 구축해 놓은 특허 역시 문제다. 실제로 삼성전자의 경우 YMTC와 하이브리드 본딩에 대한 라이센스 계약을 체결한 것으로 파악됐다. V10(10세대) 이상의 낸드부터 YMTC 특허의 영향을 피해갈 수 없게 되면서, 차세대 낸드 사업의 불확실성이 커졌다는 평가다. 24일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 400단 이상의 차세대 낸드에 하이브리드 본딩 기술을 적용할 계획이다. ■ 中, 매출 규모는 작지만 '하이브리드 본딩' 낸드에 선제 적용 낸드는 세대를 거듭할수록 셀(Cell; 데이터를 저장하는 단위)을 수직으로 더 높이 쌓는다. 국내 기업들은 300단대 낸드까지는 한 개의 웨이퍼에 셀을 구동하는 회로인 '페리페럴'을 두고, 그 위에 셀을 쌓는 방식을 채택해 왔다. 삼성전자는 이를 COP(셀온페리), SK하이닉스는 페리언더셀(PUC)라고 부른다. 다만 낸드가 400단 이상까지 높아지게 되면 하단부 페리에 가해지는 압력이 심해져 손상이 올 수 있다. 이에 국내 기업들은 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 하나로 합치는 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼) 하이브리드 본딩을 채택하기로 했다. 이에 비해 중국 YMTC는 'Xtaking(엑스태킹)'이라는 이름으로 하이브리드 본딩 기술을 약 4년 전부터 선제적으로 양산 적용하고 있다. YMTC는 중국 최대 낸드 제조기업이다. 전 세계 낸드 시장에서 매출 기준으로 5위권 밖에 있으나, 최근 기술적으로 상당한 진보를 거뒀다는 평가를 받고 있다. 지난달 반도체 분석 전문기관 테크인사이츠가 발간한 보고서에 따르면 YMTC는 올해 초 2yy(270단대 추정) 3D TLC(트리플레벨셀) 낸드 상용화에 성공했다. 테크인사이츠는 "YMTC의 2yy 낸드는 당사가 시장에서 발견한 낸드 중 가장 높은 단수의 제품"이라며 "가장 중요한 사실은 해당 낸드가 업계 최초로 비트 밀도를 20Gb/mm2 이상으로 높였다는 것"이라고 설명했다. ■ 삼성·SK, 하이브리드 본딩 초기 도입 시 투자비용·수율 등 열세 YMTC가 이번에 적용한 엑스태킹은 4세대인 '4.x' 버전에 해당한다. YMTC는 이전부터 엑스태킹 기술을 활용해 160단, 192단, 232단 등의 제품을 양산한 바 있다. 그만큼 하이브리드 본딩에 대한 기술 안정화를 이뤄냈다는 평가가 나온다. 최정동 테크인사이츠 박사는 최근 기자와의 서면 인터뷰에서 "YMTC가 16단, 232단보다 더 많은 층을 빠른 시일 내에 구현했다는 게 놀랍다"며 "미국의 규제로 신규 장비 도입이 어려운 상황에서도 식각 및 ALD(원자층증착) 공정, 워피지(웨이퍼가 휘는 현상) 방지 공정 등에서 모두 최적화를 잘 한 것으로 보인다"고 평가했다. 이러한 측면에서, 국내 기업들은 첫 하이브리드 본딩 적용에 따른 여러 과제를 해결해야 할 것으로 관측된다. 특히 삼성전자는 이르면 올 연말부터 V10(430단대 추정) 낸드 양산을 목표로 하고 있어 보다 분주한 대응이 필요하다. 최정동 박사는 "삼성전자는 V10부터 셀을 3번 나눠 쌓는 트리플스택을 적용하고, 총 2장의 웨이퍼를 활용하는 하이브리드 본딩을 사용한다"며 "공정전환과 신규설비 투자 등 변경점이 많기 때문에 오랫동안 하이브리드 본딩을 적용해 온 YMTC 대비 제조비용이 훨씬 높을 수밖에 없다"고 설명했다. ■ 차세대 낸드부터 YMTC 특허 도입 불가피 특허 역시 진입장벽으로 거론된다. 하이브리드 본딩과 관련한 전반적인 기술 특허는 엑스페리(Xperi)와 YMTC, TSMC 3사가 대부분을 차지하고 있다. YMTC도 엑스페리로부터 하이브리드 본딩과 관련한 라이센스 계약을 체결했으며, 이후 낸드와 관련한 자체 특허를 적극 구축한 것으로 알려졌다. 삼성전자가 YMTC와 하이브리드 본딩과 관련한 라이센스 계약을 체결한 이유도 기술적으로 YMTC의 특허 회피가 어렵고, 분쟁 발생 시 최첨단 낸드 사업에 큰 타격이 발생할 수 있다는 우려에서다. 다만 삼성전자가 V10 이후 차세대 낸드부터 어떻게 기술개발 방향성을 설정할지, 또 라이센스에 필요한 비용, 엑스페리 등과의 특허 영향 등이 사업 진행의 주요 변수로 작용할 전망이다.

2025.02.24 14:04장경윤

낸드 적층 기술 경쟁...내년 400단, 2027년 1000단 쌓는다

인공지능(AI) 시장 성장으로 빅테크 기업들의 서버 구축이 다시 활발해지면서 고용량 낸드플래시 수요 또한 높아지고 있다. 메모리 업계에서 고용량 고성능 낸드를 공급하기 위한 적층 경쟁이 다시 불붙으면서 내년 400단, 2027년에는 1000단 낸드 시대가 열릴 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론을 중심으로 낸드 적층 기술 경쟁을 하고 있는 가운데 최근엔 키옥시아까지 가세했다. 낸드는 셀을 수직으로 여러 층을 쌓아서 저장 용량을 늘리는 기술로, 한 공간에 고층 아파트를 지어 더 많은 사람들을 수용하는 방식에 비유할 수 있다. 삼성전자가 2013년 낸드를 수직으로 쌓아 올린 뒤, 평면 단의 3차원 공간에 구멍을 뚫어 각 층을 연결하는 23단 'V낸드'를 처음 개발하면서 업체간 적층 경쟁을 본격화했다. 이후 삼성전자는 100단 이상 6세대 V낸드까지 세계 최초로 선보이며 시장을 선도해왔다. 삼성전자는 1000단 적층에서도 세계 최초를 목표로 한다. 삼성전자는 2022년 삼성 테크데이에서 “2030년까지 1000단 V낸드 개발을 목표로 한다”고 로드맵을 처음 공개했다. 이어 지난해 10월 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서는 “셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다”며 계획에 변경이 없음을 강조했다. 그러나 지난달 키옥시아는 웨스턴디지털과 협력해 삼성전자 보다 3년 앞선 2027년 1000단 낸드를 출시한다는 목표를 발표하면서 세계 최초 1000단 타이틀을 누가 차지할지에 주목된다. 아울러 키옥시아는 지난 1일 최첨단 낸드를 생산하는 이와테현 기타카미 공장 'K2'를 완공하고 내년 가을부터 가동을 시작한다고 발표했다. 키옥시아는 낸드 시황이 회복세로 돌아섬에 따라 첨단 낸드 생산에 다시 속도를 내고 있는 것으로 보인다. 지난해 키옥시아는 218단 3D 낸드 양산에 성공했다. 현재 시장에 출시된 낸드의 최대 적층수는 290단이다. 삼성전자는 지난 4월 290단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 9세대 V낸드 양산을 시작했으며, 올 4분에는 첨단 기술인 QLC(쿼드레벨셀) 9세대 V낸드를 양산한다. 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 삼성전자는 내년 하반기 430단 10세대 V낸드를 양산하면서 400단대에 진입할 예정이다. 1개 셀에 1비트를 담으면 SLC(싱글레벨셀)이고 2비트를 담으면 MLC(멀티레벨셀), 3비트를 저장하면 TLC, 4비트는 QLC이다. QLC는 1개의 셀에 더 많은 정보를 저장하는 만큼 같은 면적에서도 더 큰 용량을 지원한다. SK하이닉스도 낸드 초격차를 위한 기술 개발에 한창이다. SK하이닉스는 지난해 상반기 238단 TLC낸드를 양산했다. 이어 같은해 8월 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최고층 321단 TLC 4D 낸드플래시 메모리 샘플을 공개하며 업계 최초로 내년 상반기 300단 이상 낸드플래시 메모리 양산을 예고했다. SK하이닉스는 또한 400단 낸드 기술 개발에도 돌입해 내년 하반기 양산을 목표로 한다. 미국 마이크론은 지난달 30일 276단 TLC 9세대(G9) 3D 낸드로 만든 첫 2650 클라이언트 SSD를 발표하며 국내 메모리 업체를 추격 중이다. 마이크론도 내년에 400단 낸드를 출시한다는 목표다. 앞서 마이크론은 2022년 7월 232단 TLC 낸드를 양산하며 선두 업체인 삼성전자를 앞지르고 200단 낸드를 처음으로 출시했다는 점에서 주목을 받았다. 다만, 단순히 적층 수가 많다고 기술 우위라고 볼 수 없다는 것이 업계의 의견이다. 낸드 적층 기술은 가장 아래에 있는 셀과 맨 위층에 있는 셀을 하나의 묶음(구멍 1개)으로 만든 싱글 스택, 묶음 두 개를 하나로 합친 더블 스택, 묵음 3개를 하나로 합친 트리플 스택으로 나뉜다. 스택 수가 적을수록 원가경쟁력 측면에서 더 우수하다. 마이크론과 SK하이닉스는 72단부터 '더블 스택'을 활용해 적층을 쌓았지만 삼성전자는 '싱글 스택'을 사용하다 176단 7세대 V낸드부터 '더블 스택'으로 전환했다. 삼성전자는 올해 290단 V9 낸드에서 300단에 가까운 단수를 쌓으면서도 '더블 스택' 방식을 유지했다는 점에서 경쟁력을 확보했다. SK하이닉스, 마이크론 등은 트리플 스택으로 300단 초반대 제품을 내년 양산한다는 점과 대비된다. 업계에서는 400단 낸드부터는 삼성전자 또한 트리플 스택 도입이 불가피할 것으로 전망한다. 한편, 시장조사업체 트렌드포스는 지난달 보고서에서 전세계 낸드 매출은 서버 수요 회복에 힘입어 올해 647억 달러로 전년 보다 77% 증가하고, 내년에는 올해 보다 29% 증가한 870억 달러로 증가할 것으로 전망했다. 올해 1분기 기준으로 낸드 시장 점유율은 1위 삼성전자(36.7%), 2위 SK하이닉스·솔리다임(22.2%), 3위 키옥시아(12.4%), 4위 마이크론(11.7%), 5위 웨스턴디지털(11.6%) 순으로 차지했다.

2024.08.05 15:57이나리

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