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'4나노'통합검색 결과 입니다. (12건)

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"개발기간 9개월로 단축"… 삼성 파운드리, 2나노·DTCO로 AI칩 승부수

삼성전자 파운드리 사업부가 팹리스 고객이 칩 제조사를 고를 때 가장 중시하는 공정 경쟁력, 개발속도, 인프라 준비 3대 수요를 정조준한 맞춤형 솔루션으로 인공지능(AI) 반도체 생태계 주도권 확보에 나섰다. 김낙신 삼성전자 파운드리 사업부 SAFE-IP그룹 그룹장은 15일 'IP-SoC 데이 코리아 2026'에서 맞춤형 전략과 함께 주요 고객사 성공 사례를 공유했다. 김 그룹장은 "AI 패러다임 전환으로 릴리스 속도가 빨라지면서 고객사는 1년 안에 새로운 칩을 만들어야 하는 상황에 직면했다"며 "삼성 파운드리는 고객의 3대 핵심 수요를 완벽히 지원하는 맞춤형 솔루션으로 생태계 주도권을 확보하고 있다"고 강조했다. IP-SoC 데이는 반도체 설계자산(IP) 마켓플레이스를 운영하는 디자인&리유즈(D&R)에서 개최하는 컨퍼런스다. 매년 한국, 미국, 중국, 유럽 등에서 열린다. 공정·속도·인프라 3박자 갖춘 맞춤형 솔루션 삼성 파운드리는 설계기술 공정 최적화(DTCO)를 앞세울 계획이다. 향후 2년 내 양산이 목표인 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정과 2029년 양산을 준비 중인 1.4나노를 통해 공정 경쟁력을 강화해 공략하는 것이다. 김 그룹장은 "선단 공정으로 갈수록 트랜지스터 자체 개선보다 DTCO를 통한 성능 향상 비중이 커지고 있다"며 "최소한의 금속층만으로 설계를 최적화하는 혁신적 디자인 플로를 통해 고객이 자사 애플리케이션에 맞게 성능을 조정할 수 있고, 이를 통해 최대 30% 파워 개선을 달성했다"고 설명했다. 이어 "여기에 AI 가속기용 커스텀 S램을 적용하면 포트 구성에 따라 최대 2배까지 성능·전력·면적(PPA) 개선 효과를 볼 수 있다"고 덧붙였다. 설계 병목도 해소해 개발 가속화를 돕는다. 삼성 파운드리는 공정 미세화와 함께 늘어나는 튜닝 옵션을 효율적으로 관리하도록 자동화 스크립트 세트 'PPA 패키지'를 제공한다. 이를 통해 적은 반복만으로 목표 성능에 도달할 수 있다. 케이던스, 시놉시스와 함께 개발한 AI 기반 마이그레이션 툴을 적용하면 기존 설계를 새 공정으로 전환하는 시간을 최대 64%까지 단축할 수 있다는 게 김 그룹장 설명이다. 고객이 공정을 선택하는 즉시 설계에 착수할 수 있는 환경도 구축한다. 김 그룹장은 "AI 칩 설계 시 S램 요구량이 폭증하는 추세에 맞춰 S램 포트폴리오를 지난해 대비 60% 이상 늘려 올해 121개까지 확대했다"며 "차세대 고속 인터페이스 IP도 선단 공정부터 성숙 공정까지 선제적으로 준비해 고객 선택지를 넓혔다"고 말했다. 이론을 현실로 증명한 3대 성공 사례 삼성 파운드리는 맞춤형 솔루션이 실제 시장 성과로 이어지고 있다며 주요 고객사 세 가지 성공사례를 공유했다. 첫 번째는 국내 대표 AI 가속기 기업 사례다. 삼성의 4나노 공정을 활용해 고대역폭메모리(HBM), 신경망처리장치(NPU) 등 다수의 다이를 실리콘 인터포저 위에 집적한 멀티다이 제품이다. 총체적인 전력·신호 무결성(PI/SI) 솔루션 지원으로 전력 효율을 최적화하며 현재 양산 중이다. 김 그룹장이 밝히진 않았지만, 해당 기업은 리벨리온으로 추정된다. 두 번째는 거대한 칩 면적을 가진 그록의 초대형 LPU 가속기 사례다. 700㎟ 이상 대형 다이에 4GB 이상 맞춤형 S램을 집적하면서도 안정적인 수율을 확보하는 난제를 해결했다. 고속 인터페이스 IP 브링업과 로직 리던던시 기술을 통해 수율과 목표 성능(PPA)을 모두 잡았다. 해당 사례 주인공은 엔비디아에 인수된 그록으로 보인다. 세 번째는 차세대 자율주행 시장을 이끄는 2나노 차량용 칩이다. 통상 2~3년이 걸리는 개발기간을 9개월로 단축하는 데 성공했다. 설계 마이그레이션 솔루션과 초기 PPA 분석, AI·머신러닝 기반 자동화 플랫폼을 총동원해 초고속 테이프아웃을 이뤘다. 해당 기업은 미국 테슬라로 추정된다. 김 그룹장은 "혁신적인 개발기간 단축은 단순 우연이 아니라 삼성 파운드리의 철저한 인프라 준비와 세이프 에코시스템 파트너들과 긴밀한 협력이 만든 결과"라고 강조했다.

2026.09.15 12:33전화평 기자

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'

삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4향 베이스 다이 제조에 투입하고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대 HBM이다. 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 베라 루빈(Vera Rubin) 등에 탑재된다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다. 초도 양산인 만큼 올 상반기 내 공급량은 크지 않았던 것으로 추산된다. 삼성전자는 올 3분기부터 HBM4 공급량을 본격 확대할 계획이다. 이에 맞춰 올해 중반부터 HBM4용 베이스 다이 양산을 위한 웨이퍼 투입을 크게 늘리고 있다. 해당 칩은 삼성 파운드리 4나노(SF4) 공정을 기반으로 한다. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면, 지난달 기준 삼성전자의 전체 4나노 생산능력 중 50% 이상을 HBM4 베이스 다이에 할당했다. 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자의 4나노 공정은 현재 풀생산 체제로, 이 중 HBM4용 베이스 다이가 50~60%대의 비중을 차지하고 있는 것으로 안다"며 "하반기 내내 높은 비중을 유지할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 평택 2캠퍼스(P2)와 3캠퍼스(P3) 내 파운드리 라인(S5, S6)에서 4~7나노급 공정을 양산 중이다. 이 중 4나노로 할당된 생산능력은 월 3만장 내외로 추산된다. 이를 고려하면 HBM4용 베이스 다이향으로 월 1만5000장 수준의 웨이퍼 투입이 진행되는 것으로 관측된다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 세대가 진화할수록 베이스 다이의 중요성도 높아지는 추세다. 이에 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 베이스 다이 기술력을 더욱 고도화하고 있다. 특히 HBM4에서는 경쟁사 대비 앞선 4나노 공정을 적용하기도 했다. 이번 베이스 다이 양산 확대로 삼성전자의 올해 HBM 사업 확대 목표 달성에 청신호가 켜졌다는 평가다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망된다"며 "하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것"이라고 설명했다.

2026.09.07 14:27장경윤 기자

삼성 파운드리, 4나노 풀캐파에 5나노 주문 늘어…AI·서버로 영역 확대

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 5nm(나노미터, 10억분의 1m) 영업을 강화하고 있다. 수요가 많은 인기 공정인 4나노 가동률이 최대치에 도달하자, 대안으로 5나노를 제시하고 있는 것으로 풀이된다. 5일 반도체 업계에 따르면 삼성 파운드리 4나노 공정은 내년까지 풀캐파(Full CAPA) 상황인 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 “삼성전자 HBM4(고대역폭메모리) 주문량이 폭증하면서 4나노 라인 가동률이 엄청 올라갔다”며 “파운드리의 최대 고객사가 메모리 부문이 됐다”고 말했다. 여기에 미국 엔비디아의 추론용 LPU(Language Processing Unit) '그록3' 물량도 예상치를 상회해, 4나노 풀캐파에 영향을 줬다는 후문이다. 이에 삼성 파운드리는 4나노를 찾는 고객에게 대안으로 5나노를 제시하고 있다. 4나노 대비 비용 부담이 큰 2·3나노 공정으로 넘어가기 힘든 팹리스(반도체 설계전문) 고객에게 수율과 성능이 이미 검증된 5나노 공정을 실속형 대체재로 제안하는 전략이다. 이 반도체 업계 관계자는 “2~3나노 선단 공정은 수율 및 비용 측면에서 고객사 부담이 크고 4나노 라인은 이미 꽉 찬 상태”라며 “삼성전자가 수율이 안정화된 5나노 공정을 대안으로 적극 제안하고 있으며, 팹리스 기업들도 이를 긍정적으로 검토하는 분위기”라고 전했다. 5나노 공정은 차량용 전용 라인으로 분류된다. 현대자동차에서 2030년 양산을 목표로 하는 ADAS(첨단운전자지원시스템)용 칩, 보스반도체 SoC, 텔레칩스 차량용 AP 돌핀7 등이 차량용 전용 공정인 SF5A로 양산될 예정이다. 최근에는 서버 및 고성능 AI·신경망처리장치(NPU) 칩으로 활용 범위를 넓히고 있다 또다른 반도체 업계 관계자는 “5나노 공정은 고성능 서버용 칩 구현에도 적합해 해외 팹리스의 라이선스 체결이 이어지고 있다”며 “최근 3~4개월 사이 5나노 공정을 찾는 고객 수요가 과거보다 확실히 늘어났다”고 설명했다. 대만 TSMC의 최선단 라인 과부하와 글로벌 지정학적 요인도 삼성 파운드리 5나노 수주에 긍정적 요인으로 작용하고 있다. TSMC의 3·4·5나노 라인 수급이 타이트해지면서 중국과 인도계 팹리스들이 미세공정 수요 충족과 제재 회피를 위해 삼성 5나노 라인으로 눈을 돌리고 있기 때문이다. 삼성 파운드리 협력사 관계자는 “미국의 대중 제재 속에서 선단 공정급 성능을 확보해야 하는 중국·인도계 팹리스 입장에선 삼성 파운드리가 현실적인 대안”이라며 “TSMC에서 밀려난 소규모 물량 고객까지 삼성전자가 흡수하면서 5나노 공정 반사이익을 얻고 있는 상황”이라고 귀띔했다. 한편 5나노 중심의 실용적 영업 활동과 더불어 2나노 공정에 대한 글로벌 고객사들의 물량 타진도 이어지고 있다. 반도체 업계 관계자는 “삼성 파운드리에 2나노 관련 문의가 이어지고 있는 걸로 안다”며 “이제 중요한 건 수율을 잡는 것”이라고 전했다.

2026.08.05 16:48전화평 기자

삼성 파운드리, 4나노 개발 성과 인정…대한민국 엔지니어상 수상

삼성전자의 4나노 공정 경쟁력이 두드러지고 있다. 4나노는 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 및 AI 추론칩에서 수요가 빠르게 확대되고 있는 공정으로, 파운드리 사업부의 실적 개선의 핵심 요소로 작용할 것으로 기대된다. 삼성전자는 23일 자사 반도체 뉴스룸을 통해 대한민국 엔지니어상을 수상한 최정민 파운드리사업부 PL과의 인터뷰 내용을 공개했다. 최 PL은 3차원 구조 트랜지스터(FinFET) 기반 4나노 초저전력 반도체 공정 기술을 개발한 성과를 대외적으로 인정받아, 지난 3월 대한민국 엔지니어상을 수상한 바 있다. 삼성전자는 세계 최초로 양산 출하한 HBM4 베이스다이에 4나노 초저전력 공정을 적용해 데이터 처리 성능을 크게 높였다. 이번 수상은 단순 연구개발 성과를 넘어 삼성 파운드리 사업의 경쟁력 회복을 뒷받침하는 핵심 기술력을 인정받았다는 점에서 의미가 있다. 최 PL은 "HBM 베이스 다이는 적층된 D램을 GPU, AI 가속기 등과 연결해 데이터와 전원, 제어 신호 등을 효율적으로 관리하는 칩"이라며 "4나노 초저전력 고성능 기술을 통해 데이터 처리 속도를 높일 수 있었다"고 설명했다. 최근 삼성전자 파운드리사업부는 주요 공정의 가동률이 회복되면서 실적 개선에 청신호가 켜졌다. 가동률은 파운드리 사업의 수익성과 직결되는 핵심 지표로, 가동률 상승은 공정 경쟁력 회복과 실적 개선이 본격화되고 있음을 시사한다. 선단 공정 중에서도 특히 4나노 공정 경쟁력이 두드러지고 있다. 업계에서는 삼성 4나노가 사실상 풀캐파(생산능력 최대치) 수준으로 가동되고 있는 것으로 보고 있다. HBM4 시장 경쟁력 확보와 AI 추론칩 수요 확대 등이 주된 요인이다. 삼성전자는 HBM4·4E에 자체 파운드리 4나노 공정 활용한 로직 다이를 적용해 압도적인 성능을 구현했으며, ▲세계 최초 HBM4 양산 출하 ▲세계 최초 HBM4E 샘플 출하를 달성하는 등 기술 우위를 이어가고 있다. HBM 시장이 빠르게 성장하면서 HBM 핵심 로직 다이를 생산하는 파운드리 공정의 중요성과 수요 역시 더욱 확대될 것으로 전망된다. 또한 AI 시장의 무게중심이 학습에서 추론으로 이동함에 따라, 글로벌 빅테크들의 AI 추론칩 수요도 빠르게 증가하고 있다. 지난 3월 'GTC 2026'에서 젠슨 황 엔비디아 CEO는 "베라 루빈 플랫폼에 탑재되는 그록 3 LPU가 삼성전자 공정(4나노)으로 생산되고 있다"며 공개적으로 삼성전자에 감사함을 표하기도 했다.

2026.07.23 16:41장경윤 기자

"칩 구동까지 단 4주"…SAFE 포럼서 본 K-반도체 속도

삼성전자 파운드리 생태계에서 국내 팹리스(반도체 설계기업)와 디자인하우스(DSP)들이 인공지능(AI) 반도체 상용화 사례를 늘리고 있다. 아이디어 단계의 팹리스 설계 청사진이 삼성전자 미세 공정과 DSP 패키징 기술을 만나 4주 만에 실제 구동 칩으로 구현한 사례도 있었다. 박성현 리벨리온 대표는 1일 서울 서초동 삼성전자 서초사옥에서 열린 '세이프(SAFE) 포럼 코리아 2026' 기조연설에서 삼성 파운드리 4nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 활용한 2세대 AI 칩 리벨(REBEL) 상용화 과정을 공개했다. 리벨은 단일 다이 기준 512MB 대용량 S램을 집적해 초당 1.9테라바이트(TB/s) 대역폭을 확보했다. 이를 통해 AI 연산에서 발생하는 고질적인 메모리 병목 현상을 하드웨어 차원에서 개선했다. 박성현 대표는 "삼성 파운드리 중심 에코시스템을 통해 설계부터 칩 구동(브링업)까지 단 4주 만에 완료했다"고 밝혔다. 최근 칩 샘플을 생산하기 시작했고, 테스트 후 올해 하반기 중 고객사에 전달할 계획이다. 팹리스 혁신을 뒷받침하는 디자인하우스 기술력도 확인됐다. 가온칩스는 고성능 컴퓨팅(HPC)과 피지컬 AI(로보틱스 등) 등 다양한 애플리케이션에 최적화 맞춤형 설계 노하우를 공유했다. 가온칩스 관계자는 "선단 공정 기반 AI·HPC 프로젝트 수행 경험을 바탕으로, 진화하는 AI 반도체 수요에 대응하겠다"고 말했다. 세미파이브는 물리적 한계 돌파를 위한 차세대 패키징 솔루션으로 3D-IC 플랫폼과 빅 다이(Big Die)를 제시했다. 조명현 세미파이브 대표는 "로직과 메모리를 수직 결합하는 '로직 온 D램(Logic-on-DRAM)' 기반 3D-IC 플랫폼을 통해 초거대 AI의 메모리 병목 현상을 해결할 것"이라고 말했다. 그러면서 "AI 가속기가 고성능 연산을 요구함에 따라 칩 크기 역시 기존 한계를 넘어서는 대형화 추세가 계속되고 있다"며 "세미파이브는 삼성 생태계 내에서 확립한 포트폴리오를 고객에게 제공하겠다"고 밝혔다.

2026.07.01 16:50전화평 기자

에이디테크놀로지, 美 기업과 AI DC향 4나노 턴키 계약 체결

에이디테크놀로지가 미국 AI 팹리스(반도체 설계전문) 기업과 400억원 규모의 대규모 턴키 계약을 체결했다고 4일 밝혔다. 양사는 데이터센터향 고성능 컴퓨팅(HPC)용 SoC(시스템 온 칩) 칩렛(Chiplet)을 개발 및 공급에 협력하기로 했다. 이번 프로젝트는 인공지능 연산 효율을 극대화하기 위해 HBM(고대역폭메모리)과 AI 가속기 로직을 하나의 칩에 구현하는 고난도 맞춤형 통합 SoC 칩렛 개발 사업이다. 에이디테크놀로지는 삼성 파운드리의 첨단 4nm(나노미터, 10억분의 1m) 미세 공정을 활용해 양산 전 과정을 통합 수행한다. 해당 칩에는 빅다이(Big Die) 기반 칩렛 설계 기술이 적용된다. 빅다이 기술은 AI 및 HPC 수요 증가에 따라 고성능 반도체 칩의 크기가 점점 커지는 '빅다이' 트렌드와, 이 큰 칩을 작은 조각으로 나누어 생산하는 '칩렛(Chiplet)' 기술이 결합된 첨단 반도체 제조 방식이다. 폭발적인 연산량이 필요한 AI 데이터센터 환경에 최적화된 기술로 평가된다. 에이디테크놀로지는 이 칩을 차세대 HBM과 최첨단 2.5D 패키징 기술을 결합해 구현한다는 방침이다. 양사는 올해 4분기 테이프아웃(설계 완료)을 거쳐, 2028년 본격적인 글로벌 양산에 돌입한다는 목표다. 박준규 에이디테크놀로지 대표는 “글로벌 AI 인프라가 맞춤형 '커스텀 SoC'로 빠르게 전환되면서 디자인하우스의 설계 통합 역량이 그 어느 때보다 중요해졌다”며 “이번 수주는 최첨단 공정과 칩렛 아키텍처를 아우르는 에이디테크놀로지의 독보적인 기술 경쟁력을 글로벌 시장에서 입증한 결과”라고 말했다. 이어 “이를 발판으로 북미 시장을 비롯한 글로벌 빅테크 고객사 확보에 박차를 가해 글로벌 AI 인프라 파트너로서의 입지를 공고히 하겠다”고 강조했다.

2026.05.04 09:57전화평 기자

삼성 파운드리 4나노 내년까지 '풀부킹'…하반기 흑자전환 시동

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 주력 공정인 4nm(나노미터, 10억분의 1m) 라인이 내년까지 '풀부킹' 상태에 진입했다. 차세대 메모리인 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산 본격화와 글로벌 빅테크의 주문이 겹친 결과다. 업계에서는 만성 적자에 시달리던 파운드리 사업부가 이르면 올해 하반기 반등 신호탄을 쏠 것이란 전망이 나온다. 3일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 4나노 공정은 최근 내년 생산 물량까지 수주 물량을 확보한 것으로 확인됐다. 익명을 요구한 한 반도체 업계 관계자는 "최근 4나노 공정이 글로벌 고객사들 사이에서 기대 이상 안정성을 보여주며 수요가 폭발하고 있다"며 "사실상 내년까지 추가 주문을 받기 어려울 정도로 라인이 빽빽하게 돌아가는 상황"이라고 전했다. 수주 핵심 동력은 HBM4다. 삼성전자는 자사 HBM4에 탑재된 베이스 다이를 파운드리 4나노 공정에서 생산하고 있다. 현재 엔비디아와 AMD 등 인공지능(AI) 가속기 업체들에 HBM4 공급을 본격화하면서, 이를 뒷받침하는 4나노 파운드리 라인 가동률도 한계치에 다다른 셈이다. 4나노 공정을 찾는 곳은 메모리 분야에 그치지 않는다. 그동안 TSMC에 의존했던 글로벌 팹리스들이 공급망 다변화와 가성비를 고려해 삼성의 문을 두드리고 있다. 현재 삼성 4나노의 주요 고객사 명단에는 엔비디아, 구글 등이 이름을 올렸다. 고도화된 수율과 전성비(전력 대비 성능)가 검증되면서 빅테크들의 '러브콜'이 이어지는 형국이다. 고부가가치 제품 HBM4와 글로벌 빅테크 물량이 4나노 라인을 가득 채우면서, 실적 개선 기대감도 높다. 4나노 공정은 이미 대규모 투자가 완료돼 감가상각 부담이 줄어든 상태다. 가동률이 극대화될수록 수익성이 가파르게 오르는 구조인 것이다. 삼성 파운드리 협력사 한 관계자는 "4나노 공정 안정화와 HBM4라는 강력한 수요처 확보 덕분에 빠르면 올해 하반기, 늦어도 내년 상반기에는 삼성 파운드리가 흑자로 돌아설 것으로 보인다"며 "오랜 침체기를 지나 확실한 반등 시기를 맞았다"고 진단했다. 다만, 업계에서는 미국 텍사스주 테일러에 건설 중인 신규 공장을 향후 실적의 최대 변수로 꼽는다. 공장 완공 및 가동 준비 과정에서 투입되는 막대한 초기 운영비와 인건비가 장부상 어떻게 처리되느냐에 따라 실적이 달라질 수 있기 때문이다. 또 다른 반도체 업계 관계자는 "현재 구축 중인 테일러 공장이 미국 현지에 위치한 만큼, 관련 실적이 미국 법인(DSA)으로 잡힐지 혹은 국내 파운드리 실적으로 합산될 지는 지켜봐야 한다"고 말했다.

2026.05.03 09:00전화평 기자

세미파이브, 180억원 규모 4나노 NPU 수주

인공지능(AI) 맞춤형 반도체(ASIC) 기업 세미파이브가 AI 반도체 개발 프로젝트를 잇따라 수주했다. 세미파이브는 4nm(나노미터, 10억분의 1m) AI 신경망처리장치(NPU)를 개발하는 약 180억원 규모 턴키 설계 계약을 체결했다고 13일 밝혔다. 세미파이브는 이전부터 4나노에서 레퍼런스를 쌓아왔다. ▲엑시나의 CXL 기반 4나노 개발 사업 ▲하이퍼엑셀의 LPU 4나노 개발 사업 등에 이은 연속 수주다. 이번에 수주한 사업은 네트워크 연결없이 기기 자체에서 AI 연산을 수행하는 '온프레미스' 환경에 최적화된 차세대 AI NPU 상용화를 목표로 한다. 해당 제품은 고해상도 비전 AI와 거대언어모델(LLM) 추론 등 대규모 데이터의 실시간 처리가 필수적인 환경에 맞춰 설계되며, 차세대 메모리 인터페이스를 선제 적용해 데이터 병목 현상을 구조적으로 개선하는 것이 핵심이라고 회사 측은 설명했다. 이를 통해 반도체 핵심 지표인 PPA(전력·성능·면적) 효율을 극대화함으로써, 고성능과 저전력을 동시에 구현한 AI 가속기를 선보일 전망이다.' 조명현 세미파이브 대표는 “이번 수주는 세미파이브가 축적해 온 압도적인 기술 레퍼런스와 맞춤형 반도체 설계 역량이 시장에서 가장 강력한 경쟁 우위에 있음을 다시 한번 증명한 사례”라며, “혁신적인 AI 아키텍처를 가진 고객사들과의 협력을 통해 고성능 AI 반도체 개발 분야에서 시너지를 극대화하고, AI ASIC 전문 기업으로서 맞춤형 반도체 시장의 주도권을 확실히 선점해 나가겠다”고 강조했다.

2026.03.15 09:06전화평 기자

[단독] 삼성 파운드리, 4·8나노 공정 가격 인상 추진

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 일부 공정에 대해 가격 인상을 추진한다. 대상은 4나노미터(nm, 10억분의 1m)와 8나노 공정으로, 인상 폭은 약 10% 안팎으로 관측된다. 4일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 파운드리는 최근 주요 협력사에 일부 공정 가격 조정 가능성을 공유했다. 수요가 몰리고 있는 공정을 중심으로 가격 인상을 검토하고 있는 것이다. 디자인하우스 관계자는 “최근 삼성 파운드리 쪽에서 캐파가 빠듯한 공정이 있다는 이야기가 나오고 있다”며 “실무단에서 가격 인상 이야기가 오간다”고 말했다. 업계에 전해진 가격 인상 대상 공정은 4나노와 8나노다. 두 공정은 수율 안정화 단계를 지나 성숙 공정에 접어들었다. 성능을 우선시 하는 고객은 4나노로, 가격 경쟁력을 우선하는 고객은 8나노를 선택해 칩을 양산한다. 이에 해당 공정들은 사실상 생산 한계 수준에 도달한 것으로 전해진다. 업계 관계자에 따르면 인상 금액은 10% 안팎으로 전해진다. 세부적인 인상 폭은 고객별·공정별로 달라질 가능성이 있다. 또 다른 가격 인상 배경에는 파운드리 1위 대만 TSMC가 있다. TSMC는 꾸준히 공정 가격을 인상한 바 있다. AI 수요 급등으로 주문량이 지속적으로 증가했기 때문이다. 올해에도 인건비, 원자재, 에너지 등 원가 상승을 이유로 가격 인상이 예고됐다. 업계에서는 일부 공정에서는 최고 20% 가격 상승 이야기까지 나온다. 삼성전자 파운드리가 10%를 올리더라도 가격 경쟁력을 유지하는 셈이다. 반도체 업계 관계자는 “삼성이 가격을 인상하더라도 TSMC와의 격차는 여전히 큰 편”이라며 “가격 민감도가 높은 고객사 입장에서는 삼성 파운드리가 여전히 매력적인 선택지”라고 말했다. 한편 삼성전자 파운드리는 이번 가격 조정을 통해 중장기적인 수익성 개선과 함께 공정 투자 여력을 확보할 것으로 보인다.

2026.02.04 15:31전화평 기자

8나노 몰리고, 4나노 안정…탄력받는 삼성 파운드리

“최근 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 4nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정과 8나노 공정은 주문량이 밀리는 상황입니다.” 16일 익명을 요청한 한 디자인하우스 관계자는 삼성전자 파운드리 수주 상황에 대해 이같이 설명했다. 그는 “4나노 이하 핀펫(FinFET) 공정들은 안정기에 들어섰다”며 “최근 삼성전자 파운드리의 전반적인 분위기가 괜찮은 것 같다”고 말했다. 4나노와 8나노 공정을 찾는 고객들은 크게 두 부류로 나뉜다. 성능을 중시하는 고객은 4나노를, 가격 경쟁력을 우선하는 고객은 8나노를 선택해 칩을 양산한다. 특히 가성비가 뛰어나 '스윗 스팟(Sweet Spot)'으로 분류되는 8나노 공정은 주문량이 많아 추가 주문을 미리 받는 상황이다. 다른 반도체 업계 관계자는 “8나노는 인기가 특히 많다”며 “이미 주문이 밀려 있어 추가 주문을 받기 쉽지 않다. 삼성전자도 추가 주문이 있다면 최대한 빨리 알려달라고 요청하고 있다”고 전했다. 이 같은 수요 증가로 올해 삼성전자 8나노 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼) 진행 횟수도 줄었다. MPW는 하나의 웨이퍼에 여러 종류의 칩 설계를 함께 집적해 시제품을 생산하는 방식으로, 고객사가 시제품을 제작할 때 활용한다. 주문 물량이 많아지면서 시제품 생산 여력까지 제한받는 셈이다. 복수의 관계자에 따르면 올해 삼성전자 8나노 MPW는 올해 3회 열린다. 그간 삼성전자는 8나노 MPW를 분기별로 최소 1회 이상 진행해 왔다. 삼성전자 8나노 공정은 스타트업부터 대기업까지 고객층이 폭넓다. 지난해 출시된 닌텐도 스위치2에 탑재되는 칩셋과 인텔의 PCH(플랫폼 컨트롤러 허브) 등이 삼성 파운드리 8나노 공정을 통해 양산되고 있다. 현대자동차 역시 자체 개발을 추진 중인 자율주행용 칩셋을 8나노 공정으로 양산할 계획이다. 이 외에도 국내외 반도체 스타트업들이 삼성 파운드리 8나노를 활용해 칩을 시장에 내놓고 있다. 4나노 공정은 공정 안정성이 한층 높아진 상태다. 원가 경쟁력을 좌우하는 수율이 개선됐고, 성능 역시 고객 요구에 맞춰 안정적으로 구현되고 있다는 평가다. 국내 AI 반도체 기업인 리벨리온과 하이퍼엑셀 등이 삼성전자 4나노 공정의 대표적인 고객사로 알려졌다. 디자인하우스 관계자는 “고객사들의 4나노 공정에 대한 만족도가 상당히 높다”며 “지난해를 기점으로 삼성전자 파운드리가 확실히 탄력을 받고 있는 모습”이라고 말했다.

2026.01.16 16:05전화평 기자

TSMC, 日 2공장 4nm 전환 검토…현지 고급 칩 생산 신호탄

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) TSMC가 일본 구마모토 팹을 기존 6·7nm(나노미터, 10억분의 1m) 기반에서 4나노급 공정으로 업그레이드하는 방안을 검토 중이다. 이는 일본 현지 고객을 위한 고급 칩 공급 확대의 신호로 해석된다. 미국 IT매체 톰스하드웨어는 TSMC가 일본 구마모토에 있는 팹 23 공정 능력을 초기 계획인 6·7나노 수준을 넘어 4·5나노급까지 확장하는 방안을 내부적으로 검토하고 있다고 현지시간 11일 보도했다. 보도에 따르면 팹 23 2공장의 초기 중장비가 현장에서 철수됐고, 2026년에는 새로운 장비 설치 계획이 없는 것으로 나타났다. 이는 공장 구축 일정이 당초 계획보다 지연될 수 있음을 시사한다. 4나노급 공정은 6·7나노 대비 더 높은 수준의 EUV(극자외선) 장비를 필요로 한다. 기존 설비에서 일부 재사용이 가능하나, EUV 스캐너 물리적 크기와 공정 특성 차이로 인해 설계 재검토와 장비 추가 도입이 불가피하다. 톰스하드웨어는 "4나노 생산 라인에는 더 많은 EUV 리소그래피 장비가 필요하고, 이 장비들은 DUV(심자외선) 장비보다 물리적으로 크기 때문에 일부 재설계가 필요할 수 있다"며 "실제로 TSMC는 2023년에 이미 구마모토에서 4나노 생산을 도입하는 방안을 검토했기 때문에, 추가 EUV 스캐너 설치를 위한 모든 준비가 완료되었을 가능성이 높다"고 밝혔다.

2025.12.12 10:58전화평 기자

TSMC, 美서 4나노 칩 생산 시작…"대만 같은 수율·품질"

세계 최대 반도체 위탁생산(파운드리) 업체 대만 TSMC가 미국 애리조나 공장에서 4나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정으로 칩을 양산하기 시작했다고 지나 라이몬도 미국 상무장관이 밝혔다. 나노는 반도체 회로 선폭을 뜻하는 단위다. 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빠른 고성능 반도체를 생산할 수 있다. 라이몬도 장관은 11일(현지시간) 영국 로이터통신과의 인터뷰에서 “미국 역사상 처음으로 미국 땅에서 4나노 칩을 만들고 있다”며 “미국 노동자가 대만에서와 같은 수율과 품질로 첨단 4나노 칩을 생산한다”고 말했다. 그는 “한 번도 이런 적이 없어 많은 사람이 안 된다고 생각했던 일”이라며 “조 바이든 행정부가 큰 성과를 이뤘다”고 강조했다. 바이든 행정부는 미국에 반도체 공장을 지은 TSMC에 보조금 66억 달러(약 9조7천억원)를 주기로 지난해 11월 확정했다. TSMC는 세계에서 가장 진보된 기술도 미국에서 활용하기로 했다. 2028년 애리조나 공장에서 2나노 공정으로 생산할 예정이다. 현재 최첨단 기술은 3나노 공정이다. TSMC는 2나노 기술을 사용할 공장을 추가 건설하고자 미국 투자 규모를 250억 달러에서 650억 달러로 늘렸다고 로이터는 전했다.

2025.01.13 15:14유혜진 기자

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