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'3D 낸드'통합검색 결과 입니다. (3건)

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AMAT, '업계 유일' 계측 장비로 3D·2나노 시장 공략…"이미 상용화 시작"

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 차세대 전자빔 시스템으로 2나노미터(nm), 3D D램 등 첨단 반도체 시장을 공략한다. 해당 장비는 업계 유일의 CFE(냉전계 방출) 기술과 AI를 결합한 것이 특징으로, 이미 유수의 고객사 공정에 도입된 것으로 알려졌다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 20일 오전 파크 하얏트 서울에서 'SEM비전 H20' 발표회를 열고 회사의 계측 기술력에 대해 소개했다. 장만수 AMAT코리아 이미징 및 프로세스 제어 기술 디렉터는 "반도체 공정이 초미세화되면서, 이제는 옹스트롬(Angstrom; 0.1나노미터)과 3D 트랜지스터 구조 등 첨단 기술이 도입되고 있다"며 "그러나 기존 계측 시스템으로는 이에 대응하기 힘들어, AMAT는 고도의 전자빔 기술과 AI를 결합한 새로운 장비를 개발해냈다"고 설명했다. SEM은 전자현미경의 일종으로, 전자빔을 주사해 표본을 계측하는 기술이다. AMAT의 'SEM비전 H20'은 업계에서 가장 높은 수준의 감도 및 분해능을 구현한 전자빔과 회사의 2세대 CFE 기술을 갖췄다. 전자빔은 빛보다 파장이 짧아 깊은 홈까지 정밀하게 관찰할 수 있다. 덕분에 수 나노미터(nm) 대의 미세 공정과, 트랜지스터를 수직으로 쌓는 3D 구조에도 대응이 가능하다는 게 AMAT의 설명이다. 장 디렉터는 "해당 장비는 이미 실제로 상용화해 고객사들이 활용 중"이라며 "현존하는 모든 최선단 공정에 다 활용이 가능하다고 보면 된다"고 말했다. CFE란 기존 1천500도 이상에서 작동하는 고온전계 방출형 대비 낮은 온도 환경에서 작동하는 기술이다. 온도가 낮아지면 빔 폭이 좁아지고 전가 개수가 많아져, 분해능이 샹항되고 이미징 속도가 크게 빨라진다. 특히 2세대 CFE의 경우, 1세대 대비 이미징 속도가 2배 빠른 것으로 나타났다. 고온전계 방출형 대비로는 3배 빠르다. CFE가 지닌 불순물 취약 관련 문제도 2세대에서는 고진공, 자가 세정 기술 등을 도입해 보완했다. 장 디렉터는 "AMAT가 CFE 기술 상용화를 위해 쏟은 개발기간만 해도 10년이 넘는다"며 "현재 업계에서 이를 상용화한 기업은 AMAT이 유일하다"고 강조했다. AI 역시 SEM비전 H20의 주요 특성 중 하나다. 기존 SEM을 통해 얻은 이미지 상에는 실제 결함과 계측 오류로 인한 노이즈 등이 뒤섞여 있다. 때문에 SEM 이미지를 여러 장 찍어야 하는데, 초미세공정에서는 결함 크기가 줄어들어 육안으로 둘을 구분하기가 힘들다. 이에 AMAT는 AI 기술로 실제 결함과 노이즈를 구분하는 시스템을 도입했다. 실제 회로 설계도에서 얻은 데이터를 추출해 신뢰성을 높였다. 장 디렉터는 "기존 전자빔 기반의 SEM 계측은 3시간 수준의 쓰루풋에도 결함을 완전하게 잡아내지 못하는 문제가 있었다"며 "이번 SEM비전 H20은 1시간 이내로 더 많은 결함을 정확하게 잡아내기 때문에, 첨단 반도체 수율 향상에 상당한 도움을 줄 수 있을 것"이라고 말했다.

2025.02.20 11:49장경윤

'韓 반도체' 미래기술 로드맵 나왔다…CFET·3D 메모리 주목

국내 반도체 산업의 경쟁력 강화를 위한 전략이 한층 고도화된다. 기존 선정된 45개 연구주제에 더해, CFET과 3D 적층 등 14개 핵심기술이 추가 과제로 선정됐다. 27일 '2024 반도체 미래기술 로드맵 발표회'가 양재 엘타워에서 진행됐다. 앞서 정부는 지난해 5월 반도체 초격차 기술 확보를 위한 반도체 미래기술 로드맵을 발표한 바 있다. 해당 로드맵에는 고집적 메모리·AI 반도체·첨단 패키징 및 소부장 등이 포함됐다. 추진 전략은 크게 설계 소자·설계·공정 등 세 가지로 나뉜다. 세부적으로는 ▲D램·낸드 신소자 메모리 및 차세대 소자 개발 ▲AI·6G·전력·차량용 반도체 설계 분야 원천기술 선점 ▲전·후공정 분야 핵심기술 확보로 소재·장비·공정 자립화 등이다. 이번 발표회에서는 지난해 추진 전략을 고도화한 신규 로드맵이 발표됐다. 반도체 기술이 나노미터(nm)를 넘어 옹스트롬(0.1nm)으로 넘어가는 추세에 선제 대응하기 위해, 연구주제를 기존 45개에서 59개로 총 14개 추가한 것이 주 골자다. 새롭게 추가된 주요 과제로는 CFET과 3D 메모리 등이 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직으로 쌓아 올리는 구조다. 3D 메모리는 기존 수평으로 집적하던 셀(Cell)을 수직으로 적층하는 기술을 뜻한다. 정부 역시 반도체 분야 R&D 투자에 더 많은 지원을 펼치고 있다. 정부의 예산 투자 규모는 지난해 5천635억원에서 올해 6천361억원으로 12.8% 증가했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "AI 반도체 시장이 부흥하고 있는 만큼 국내에서도 1페타바이트 급의 NPU(신경망처리장치) 개발을 추진할 것"이라며 "하이브리드 본딩과 고방열 소재, 광패키징 등 최첨단 패키징 분야도 새롭게 로드맵에 추가했다"고 밝혔다.

2024.08.27 17:35장경윤

삼성전자, 'V11' 낸드 개발 본격화…첫 500단 돌파 시도

삼성전자가 차세대 낸드 개발에 박차를 가하고 있다. 지난해 도입한 최신 낸드 제조설비를 통해 현재 V10, V11 제품 개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. V11의 목표 적층 수는 570단대로, 낸드 제품 중 첫 500단 시대를 열 것으로 기대된다. 18일 업계에 따르면 삼성전자는 현재 평택캠퍼스에서 V10, V11 낸드 개발을 위한 TF(태스크포스)를 가동 중이다. 낸드는 셀을 수직으로 쌓아올리는 방식으로 개발돼 왔다. 현재 상용화된 가장 최신 세대는 238단 적층의 V8이다. 삼성전자가 V8을 양산하기 시작한 시점은 2022년 4분기부터다. 다음 세대인 V9(280단대 추정)은 올해 양산될 예정이다. 나아가 삼성전자는 차세대 낸드 개발을 위한 준비에 나섰다. 지난해 P3에 도입한 TEL(도쿄일렉트론)·램리서치의 최첨단 식각장비를 도입한 것이 대표적인 사례다. 식각은 반도체 웨이퍼에 회로를 새긴 뒤 남은 물질들을 제거하는 기술로, 낸드 제조의 핵심 공정 중 하나다. 이를 통해 삼성전자는 지난해 하반기부터 V10 및 V11 개발 TF를 가동 중인 것으로 파악됐다. V10의 경우 현재 양산 평가가 진행 중이다. 적층 수는 430단대다. V10부터는 이전 '더블 스택'과 달리 '트리플 스택'을 적용한다. 스택은 낸드 전체를 몇 번에 나눠 쌓는 지를 나타내는 지표다. 예를 들어 430단 낸드를 트리플 스택으로 구현하려면 150단+150단+130단 등으로 쌓아야 한다. 더블 스택 대비 더 많은 제조비용이 투입되지만, 고적층 낸드를 안정적으로 생산하려면 트리플 스택으로의 전환이 필요하다. 삼성전자는 V11에 대한 개발도 착수했다. V11의 경우 570단대로 구현하는 것을 목표로 삼고 있다. 현재 삼성전자가 싱글 스택을 최대 170단대로 구현할 수 있다는 점을 고려하면, 이론상 최대 목표치에 해당한다. V11의 구체적인 개발 완료 목표 시점은 밝혀지지 않았다. 다만 연구소 및 평택캠퍼스 내에 관련 설비가 이미 소량 도입된 상황으로, 삼성전자 역시 V11 개발에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "통상 삼성전자는 최신 제조장비로 낸드 개발을 2~3세대씩 묶어서 진행한다"며 "이번에는 V9, V10, V11을 같이 개발해왔고, V10이 양산 평가에 돌입한 만큼 V11개발에 박차를 가하고 있는 상황"이라고 밝혔다. 한편 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 세계 낸드 매출액은 114억8천580만 달러로 전분기 대비 24.5% 증가했다. 올 1분기에도 매출 규모가 전분기 대비 20% 증가할 것으로 예상되는 등 현재 낸드 시장은 뚜렷한 회복세를 보이고 있다.

2024.03.18 13:55장경윤

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