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쎄닉, 전력반도체용 SiC 가공전문기업 헤일로와 MOU 체결

전력반도체용 실리콘카바이드(SiC) 소재 전문기업 쎄닉은 미국의 SiC 가공전문업체인 헤일로 인더스트리(Halo Industries)와 SiC 웨이퍼 공급과 가공 협력에 대한 MOU를 체결했다고 30일 밝혔다. 헤일로는 미국 스탠퍼드 대학교에서 분사한 회사로 SiC, Si, 사파이어, GaN, 다이아몬드 등 광범위한 재료와 웨이퍼 슬라이싱, 웨이퍼 성형 및 웨이퍼 백그라인딩을 포함한 다양한 애플리케이션에 대한 레이저 기반 가공(레이저 슬라이싱)을 전문으로 하고 있다. 레이저 슬라이싱은 기존 와이어 슬라이싱 대비 재료 폐기물을 크게 줄임과 동시에 웨이퍼 제조 수량을 두 배로 늘릴 수 있는 기술로 많은 기업이 연구하고 있는 분야다. 헤일로는 이미 기술 상용화에 성공해, 여러 고객사를 통해 웨이퍼 공급 및 생산규모를 확장 중에 있다. 양사는 미국 노스캐롤라이나주 롤리에서 열린 '국제 SiC 및 관련 자료 컨퍼런스(ICSCRM2024)'에서 긴밀한 협력관계를 약속하고 향후 양사가 나아가야 할 방향에 대해 심도 있게 논의했다. 쎄닉과 헤일로는 MOU를 통해 자본 효율성 개선, 제품 시장 출시 시간 단축 및 총 소요 비용 절감 등 고객에게 제공하는 가치를 높이려고 노력하기로 했다. 쎄닉 구갑렬 대표이사는 “이번 MOU 체결은 양사의 발전적인 협력관계를 알림과 동시에, 개발 협력의 신호탄이 될 것”이라며 “양사가 긴밀히 협력함으로써 개발완료된 전력반도체용 150mm SiC 웨이퍼 및 개발중인 200mm SiC 웨이퍼 가공품질 개선과 원가절감을 달성할 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔다.

2024.10.30 15:08장경윤

쎄닉, 전력반도체용 6인치 SiC 웨이퍼 개발 성과 'ICSCRM'서 발표

국내 실리콘카바이드(SiC) 소재 전문기업 쎄닉은 미국 랄리(Raleigh)에서 열린 '2024 국제 SiC 및 관련 재료 컨퍼런스(ICSCRM 2024, 9월 29일~10월 4일)학회에서 'Invited 포스터'로 선정됐다고 2일 밝혔다. 이에 따라 쎄닉은 공동연구를 진행한 한국세라믹기술원과 동의대, 충남대, 일본 나고야 대학 등과 ICSCRM 행사에 참석했다. 한국세라믹기술원 반도체소재센터 신윤지 박사는 쎄닉에서 개발한 6인치 SiC 웨이퍼의 품질평가를 위해 지난 2023년도부터 일본 나고야 대학 하라다 교수와 함께 X-ray topography(XRT) 분석법을 이용한 연구를 수행해왔다. XRT 분석법은 단결정 소재 내 원자 단위의 미세한 결함을 X-선을 이용해 비파괴 방식으로 분석하는 방법이다. 연구팀은 일본 나고야 대학에서 규슈 싱크로트론 광연구센터에 구축해둔 XRT 분석 장치를 이용해 SiC 잉곳 성장 시 초기 온도구배의 불균형으로 인해 발생하는 결정학적 결함종류 및 밀도를 평가하고, 구체적인 생성 메커니즘을 규명하는 등 SiC 웨이퍼를 생산 중인 쎄닉에 중요한 조력자 역할을 하고 있다. 쎄닉은 전력반도체용 SiC 기판소재 기술 국산화 및 국내 기술경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받아 제58회 발명의 날 '은탑산업훈장'과 2023년 31주차 'IR52 장영실상'을 수상한 경력을 가지고 있다. 특히 올해 4월에 발표한 산업통산자원부, 한국산업기술기획평가원, 한국반도체연구조합이 함께 지원하는 대형 국책사업인 '화합물전력반도체 고도화기술개발사업'('24~'28, 총 1천385억 원 사업비)중 세부과제인 'SiC 기판 가공 기술'의 주관기관으로 선정되어 동의대, 한국생산기술연구원, 한국세라믹기술원, 피제이피테크와 함께 공동연구를 수행 중이다. 또한 교육부와 한국산업기술진흥원이 지원하는 '2024년 첨단산업 인재 양성 부트캠프' 사업에 선정된 동의대(이원재 교수, 단장)와 2029년 2월까지 기업의 현장 중심형 교육을 위한 프로그램에 참여하여 학생 대상 취업 연계를 진행할 예정이다. 올해 연말까지 200mm SiC 웨이퍼 시제품을 출시하기 위해 막바지 연구개발 집중과 2025년 200mm SiC 웨이퍼 양산투자를 계획 중이며, 내년에 부산 벡스코에서 열릴 SiC 관련 국제학술대회인 ICSCRM 2025에서 발표 및 전시를 통해 국내최초로 200mm SiC 잉곳 및 웨이퍼를 세계시장에 선보일 것을 기대하고 있다.

2024.10.02 16:40장경윤

인피니언, 'GaN' 시장 판도 뒤흔든다…"12인치 기술 개발 성공"

인피니언 테크놀로지스는 업계 최초로 300mm(12인치) 파워 GaN(갈륨나이트라이드) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 11일 밝혔다. 인피니언은 "이 획기적인 기술은 GaN 기반 전력 반도체 시장을 크게 성장시키는 데 기여할 것"이라며 "300mm 웨이퍼는 200mm(8인치) 웨이퍼에 비해 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문에 생산성과 효율성이 크게 향상된다"고 설명했다. GaN은 기존 반도체 주력 소재인 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성이 높고, 전력효율성이 뛰어나다. 덕분에 AI 시스템용 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 충전기 및 어댑터, 자동차 등 여러 산업에서 수요가 증가하고 있다. 현재는 200mm 공정에서 양산되고 있다. 300mm GaN 기술의 중요한 이점은 갈륨 나이트라이드와 실리콘이 제조 공정에서 매우 유사하기 때문에 기존 300mm 실리콘 제조 장비를 활용할 수 있다는 것이다. 인피니언의 대규모 실리콘 300mm 생산 라인은 신뢰할 수 있는 GaN 기술을 적용하기에 이상적이며, 이를 통해 구현을 가속화하고 자본을 효율적으로 사용할 수 있다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 "이 놀라운 성공은 인피니언의 혁신 역량과 글로벌 팀의 헌신적인 노력의 결과로, GaN 및 전력 시스템 분야의 혁신 리더인 인피니언의 입지를 입증하는 것"이라며 "이 기술 혁신은 업계를 변화시키고 GaN을 최대한 활용할 수 있도록 할 것"이라고 말했다. 인피니언은 오스트리아 빌라흐에 위치한 파워 팹의 기존 300mm 실리콘 생산 파일럿 라인에서 300mm GaN 웨이퍼를 제조하는 데 성공했다. 인피니언은 기존 300mm 실리콘과 200mm GaN 생산에서 쌓아온 역량을 활용하고 있으며, 시장 수요에 맞추어 GaN 생산 능력을 확장할 것이다.

2024.09.11 17:30장경윤

인피니언, 말레이시아에 세계 최대 'SiC 전력 반도체 팹' 오픈

독일 반도체 기업 인피니언은 말레이시아에 200mm 실리콘카바이드(SiC) 전력 반도체 공장(팹)을 오픈했다고 8일 밝혔다. 인피니언은 말레이시아 쿨림 3팹이 세계 최대 규모의 200mm SiC 전력 반도체 생산시설이 될 것이라고 강조했다. 인피니언은 2022년 첫번째 단계로 공장에 20억 유로를 투자했다. 실리콘 카바이드 전력 반도체 생산에 중점을 두고 질화 갈륨(GaN) 에피택시(epitaxy)를 포함한다. 이어 지난해 8월 두번째 단계에서는 50억 유로를 추가 투자해 SiC 전력반도체 팹을 건설했다. 인피니언은 총 50억 유로에 달하는 설계 수주를 확보했으며, 쿨림 3팹의 지속적인 확장을 위해 기존 및 신규 고객으로부터 약 10억 유로의 선불금을 받았다. 이번 설계 수주에는 자동차 부문의 OEM 6개사와 신재생 에너지 및 산업 부문의 고객사가 포함돼 있다. 쿨림 3팹은 100% 친환경 전기로 구동된다는 점이 특징이다. 인피니언은 탄소 중립 목표를 위해 최신 에너지 효율 측정 방법을 채택했고, 탄소 배출을 방지하기 위해 최첨단 저감 시스템과 높은 효율과 극히 낮은 지구 온난화 가능성을 결합한 친환경 냉매를 사용한다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 "SiC와 같은 혁신적인 기술 기반의 차세대 전력 반도체는 탈탄소화와 기후 보호를 위해 절대적으로 필요하다"라며 "인피니언의 기술은 전기 자동차, 태양광, 풍력 발전 시스템, AI 데이터센터 등 유비쿼터스 애플리케이션의 에너지 효율을 높인다"고 설명했다.

2024.08.08 17:02이나리

SEMI "8인치 반도체 생산능력, 동남아시아 성장세 가장 높아”

SEMI(국제반도체장비재료협회)는 최신 보고서를 통해 전 세계 200mm(8인치) 팹 생산능력이 2023년부터 2026년까지 14% 증가하면서 월 770만장으로 최고 기록을 경신할 것이라고 22일 밝혔다. 아짓 마노차 SEMI CEO는 "자동차 산업의 성장세로 인해 200mm 팹 생산능력의 지속적인 성장이 기대된다"며 "특히 전기차에 사용되는 반도체의 사용량 증가 추세가 200mm 팹 생산능력의 확장을 이끌고 있다"고 말했다. 지역별로는 동남아시아가 2023년부터 2026년 동안 32% 증가해 200mm 웨이퍼 팹 생산능력에서 가장 가파른 성장세를 보여줄 것으로 예상된다. 중국은 22% 성장세가 전망되며, 2026년에는 월 170만장 이상의 생산능력에 도달할 것으로 보인다. 북미, 유럽 및 중동, 대만은 각각 14%, 11%, 7% 성장을 기록할 것으로 예상된다. 2023년에는 중국이 전 세계 200mm 팹 생산능력의 22%를 차지할 것으로 보이며, 뒤이어 일본은 16%의 점유율이 예상된다. 대만, 유럽 및 중동, 미국이 15%, 14%, 14%를 각각 기록할 것으로 전망된다. 보쉬, 후지 일렉트로닉, 인피니언, 미쓰비시, 온세미, 로옴, ST마이크로일렉트로닉스 및 울프스피드를 포함한 반도체 공급업체는 증가하는 수요를 충족하기 위해 200mm 생산능력 확장을 가속화하고 있다. 이번 발표에 인용된 SEMI의 200mm 팹 전망 보고서에 따르면 전체 생산능력 중 카테고리별로 분류하면 차량용 및 전력 반도체의 팹 생산능력은 2023년부터 2026년까지 34% 성장이 전망된다. MPU/MCU는 21%, MEMS와 아날로그 및 파운드리는 각각 16%, 8% 성장세가 예상된다. 200mm 팹 생산능력의 대부분을 차지하는 것은 80~350나노미터(nm) 공정이다. 2023년부터 2026년까지 해당 공정의 생산능력 성장세는 10%로 예상된다. 131~350나노 공정 생산능력은 18%의 성장이 전망된다.

2023.09.22 10:08장경윤